JP4043923B2 - 加工装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は,レーザ光又は電子線を用いた加工装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば半導体基板,金属,有機物,ガラス,セラミックス等の被加工物に対して微細な加工処理を施す際には,必要に応じて加工精度の高い加工用レーザや電子線を用いた加工装置が用いられている。
【0003】
上述の加工装置が用いられる加工処理として,例えば半導体基板(以下「基板」とする。)の製造プロセスにおいて,基板のアライメントマーク上に形成された薄膜に対しレーザ光を照射し,基板のアライメントマーク上の薄膜のみを除去する加工処理が提案されている。(例えば特許文献1参照。)。アライメントマーク上に薄膜がある状態で当該アライメントマークの位置検出を行うと,正確な検出が行われない。それ故前記加工処理は,基板の厳密な位置調整を行うために行われる。
【0004】
【特許文献1】
特開平10―113779号公報
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら,このような基板などの被加工物の加工は,レーザ光によって被加工物の一部を蒸発,分解させるものであり,周囲には,必ず被加工物の残渣が浮遊する。このような残渣は,通常静電気により帯電しており,この状態で放置すると,やがて被加工物に再付着する。このような再付着は,被加工物の汚れとなり,被加工物の後処理に悪影響を与えることが多い。特に基板処理の場合には,その汚れによって,後に行われる露光処理,現像処理,加熱処理等が適切に行われず,最終的に正常な回路パターンが形成されない恐れがある。したがって,レーザ加工によって生じた残渣の被加工物への再付着を防止する手段が必要になる。
【0006】
かかる残渣の再付着を防止する手段として,特開平11―145108号では,液体の貯留された加工槽内に基板を浸けた状態でレーザ光を照射して穴加工を施す微細加工装置が提案されている。しかし,この微細加工装置では,除去された膜の残渣が基板近辺を浮遊するので,膜の残渣が再付着することを十分に防止できない。また,基板全体に液体が付着するので,後処理として基板全体を洗浄する洗浄機構が必要となり,加工工程が複雑化するという欠点がある。
【0007】
本発明は,かかる点に鑑みてなされたものであり,レーザ光や電子線の照射により,基板などの被加工物から発生する残渣が被加工物に再付着することを防止できる加工装置を提供することをその目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば,レーザ光又は電子線の照射により被加工物を加工する加工装置であって,被加工物に対しレーザ光又は電子線を照射する照射部と,前記被加工物における照射位置の外方側から当該照射位置に対し流体を供給する流体供給口と,前記照射位置に対向配置され,前記レーザ光又は電子線による加工によって生じた残渣を前記流体と共に吸引する吸引口と,を備え,前記照射位置は,平面から見て,前記吸引口の内側であって前記吸引口の中心からずれていることを特徴とする加工装置が提供される。
【0009】
この発明によれば,図1に示すようにレーザ光又は電子線の照射部Rの照射によって,被加工物Xの照射位置Cから生じた残渣Aは,外方側の流体供給口Dから供給された流体Lに取り込まれ,照射位置Cに対向した吸引口Eから吸引される。外方から流れた流体Lが吸引口Eにおいて吸い上げられると,吸引口Eの中央部付近には,よどみFができる。一方,吸引口Eの周縁部付近は,滑らかな上昇流が形成される。レーザ光又は電子線の照射位置Cは,平面から見て吸引口Eの内側であって吸引口Eの中心からずれているので,残渣Aは,吸引口Eの周縁部の近傍で発生し,よどみFを避けて吸引口Eの周縁部付近を通って吸引される。この結果,残渣Aは,被加工物X付近に留まることなく直ちに除去され,残渣Aの被加工物Xへの再付着は防止される。
【0010】
前記レーザ光又は電子線の照射位置は,平面から見て前記吸引口の中心から前記流体供給口側にずれていてもよい。前記吸引口における吸引流体の流速は,流体の供給される流体供給口に近い方が速くなる。したがって,前記レーザ光又は電子線の照射位置を流体供給口側にずらすことによって,被加工部分から発生した残渣が直ちに吸引口から吸引され,残渣が被加工物に再付着することなく排出される。
【0011】
前記吸引口に吸引された前記残渣を含む流体は,その後平面から見て吸引口の中心軸に対し所定の径方向に向けて排出され,前記レーザ光又は電子線の照射位置は,平面から見て前記吸引口の中心から前記所定の径方向側にずれていてもよい。このように吸引口の中心軸に対し所定の径方向に向けて流体が排出されたとき,吸引口を通過する吸引流体の流速は,平面から見て前記径方向よりの方が速くなる。したがって,前記レーザ光又は電子線の照射位置を前記径方向にずらすことによって,被加工物から発生した残渣を,より速く吸引除去できる。
【0012】
前記加工装置は,被加工物に対向配置可能で,被加工物から発生した残渣を吸引除去する残渣除去体を備え,前記残渣除去体の中央部には,当該残渣除去体の上面から下面に貫通する吸引貫通孔が設けられ,前記残渣除去体の下面の外周部には,前記流体供給口が開口し,前記吸引貫通孔の下側の開口部は,前記吸引口を構成し,前記吸引貫通孔の上端部は,前記レーザ光又は電子線が透過する透明体で閉鎖されており,前記レーザ光又は電子線は,当該透明体,吸引貫通孔及び吸引口を通じて前記被加工物に照射され,さらに,前記吸引貫通孔の内側面には,この吸引貫通孔内に流入した前記残渣を含む流体を前記残渣除去体外に排出するための排出口が開口していてもよい。
【0013】
かかる場合,残渣除去体を被加工物に対向配置し,流体供給口から流体を供給すると共に,吸引口から吸引貫通孔内に残渣を含む流体を吸引し,当該流体を吸引貫通孔の排出口から排出することができる。一方で,残渣除去体の吸引貫通孔の上端部に透過体が取り付けられており,レーザ光又は電子線は,透明体,吸引貫通孔,吸引口を通って被加工物に照射される。したがって,残渣除去体の上方から被加工物にレーザ光又は電子線を照射し,被加工物を加工すると共に,当該加工によって発生した残渣を残渣除去体によって吸引し,排出することができる。
【0014】
前記レーザ光又は電子線の照射位置は,平面から見て前記吸引口の中心よりも前記流体供給口側にずれていてもよい。前記流体供給口は,複数箇所に開口しており,前記レーザ光又は電子線の照射位置は,前記複数の流体供給口のうちのいずれか一の流体供給口側にずれていてもよい。吸引口を通過する吸引流体の流速は,流体の供給される流体供給口側がより速くなるので,被加工物から発生した残渣をその速い流れに取り込み,直ちに排出できる。なお,前記流体供給口は,前記吸引口を挟んだ両側の二箇所に開口していてもよい。
【0015】
前記流体供給口と前記排出口は,平面から見て前記吸引口の中心を通る同一直線上に配置されていてもよい。
【0016】
前記残渣除去体は,その下面に,前記吸引口のある中央部が前記流体供給口のある外周部よりも下側に突出した略筒状の凸部を備え,当該凸部の下端部には,前記流体供給口側から前記吸引口の中心軸に向けられた溝が形成されていてもよい。この場合,液体供給口側から吸引口の中心方向に向かってより多くの流体が供給されるので,吸引口の中心付近に形成されるよどみが反対側に押しやられる。この結果,よどみのない領域が拡大され,被加工部物から発生した残渣がより確実に排出される。
【0017】
前記溝は,前記吸引口の中心軸からずれた方向に向けて形成されていてもよく,この場合,吸引口におけて旋回流が形成される。この旋回流と本来の上昇流とが合成され,搬送力の強い流れが形成される。この結果,残渣を被加工物付近に留めることなく直ちに除去することができる。
【0018】
前記吸引貫通孔における前記排出口に対向する内側面には,前記吸引貫通孔内に流体を補充するための補充口が開口していてもよい。この場合,吸引貫通孔内に流体を補充し,例えば吸引貫通孔内を流体で満たすことができる。これにより,例えば吸引貫通孔内の密度が均一になるので,レーザ光又は電子線が曲げられたり,減衰することなく,レーザ光又は電子線の照射が適正に行われる。また,吸引口から前記流体以外のものが流入しないように,吸引貫通孔内の内圧を調整することもできる。
【0019】
前記残渣除去体は,当該流体供給口から流出する流体を一旦滞留させる滞留部を備えていてもよい。この場合,流体が一旦滞留されるので,流体が流体供給口から勢いよく流出して残渣除去体周辺に拡散することが防止できる。したがって,供給された流体がより確実に吸引口に吸引され,残渣を除去するための流れを効率的に形成できる。
【0020】
前記流体供給口から供給される流体には,静電気を除去するイオンが付加されるようにしてもよい。通常,被加工物から発生する残渣は,帯電しており,被加工物に再付着し易い状態になっている。この加工装置のように,静電気を除去するイオンを付加することによって,残渣の静電気が除去され,残渣の被加工物への再付着を抑制できる
【0021】
【発明の実施の形態】
以下,本発明の好ましい実施の形態について説明する。図2は,本実施の形態にかかる加工装置1の構成の概略を示す説明図である。加工装置1は,例えばウェハWの表面に微細加工を施すための装置である。
【0022】
加工装置1は,例えばウェハWを保持する保持部材であるチャック2と,チャック2に保持されたウェハW上に配置可能で,加工により発生した残渣を除去する残渣除去体3と,残渣除去体3の上方からウェハWに対して加工用のレーザ光を照射する照射部としてのレーザ光照射部4を主に備えている。
【0023】
例えば残渣除去体3とレーザ光照射部4は,加工装置1内に固定されて設けられており,チャック2は,加工装置1内において水平方向のX−Y方向に移動自在に設けられている。チャック2には,例えばX―Y駆動機構5が取り付けられており,ウェハWを保持した状態でX−Y方向に所定距離ずつ移動して,ウェハWの被加工部分Bをレーザ光照射部4の照射位置Cに合わせることができる。
【0024】
残渣除去体3は,ウェハWとレーザ光照射部4との間に設けられている。残渣除去体3は,例えば図3及び図4に示すように略円柱状の形状を有し,その上下方向の中心軸Pに吸引貫通孔10が開けられている。この吸引貫通孔10は,縦断面が逆円錐台形状,つまり上方に行くにつれ径が大きくなるように形成されている。吸引貫通孔10の下端部は,ウェハWに対向する吸引口11になっている。すなわち,残渣除去体3の下面の中央部には,吸引口11が開口している。残渣除去体3は,この吸引口11のある下面の中央部に,外周部に比べて下側に突出した略円筒状の凸部3aを有している。この凸部3aは,平面から見ると円形状に形成されている。吸引貫通孔10の上端部は,レーザ光が透過可能な透明体としての透明板12によって閉鎖されている。こうすることにより,残渣除去体3の上方から発光したレーザ光を,残渣除去体3内を透過させて,下方のウェハW表面に照射することができる。
【0025】
吸引貫通孔10の外方であって,残渣除去体3の下面の外周部には,この残渣除去体3とウェハWとの間に所定の流体を供給する,複数,例えば2つの流体供給口13,14が開口している。流体供給口13,14は,例えば図4に示すように平面から見て吸引口11と同心の同一円周上で,かつ吸引口11を挟んだ両側に開口している。残渣除去体3の外周部には,図3に示すように流体供給流路15が形成され,流体供給流路15は,残渣除去体3の外側部から中心方向に向かい,その後略直角に曲がって下方向に向かって流体供給口13,14に到達するように形成されている。したがって,流体は,残渣除去体3の外周部の下面から鉛直下方向に向けて吐出される。
【0026】
流体供給流路15は,例えば残渣除去体3外の流体供給装置16に供給管17によって接続されている。流体供給装置16は,例えばポンプや流量計等を有し,流体供給口13,14から供給される流体の流量を自在に設定できる。
【0027】
吸引貫通孔10の内側面には,吸引口11から吸引貫通孔10内に流入した流体を残渣除去体3外に排出するための排出口18が開口している。排出口18は,残渣除去体3の内部を通過する排出流路19に通じている。排出流路19は,前記流体供給流路15より上側の位置に,排出口18から残渣除去体3の外側面に向けて水平方向に形成されている。排出流路19は,例えば一の流体供給口13の直上,つまり図4に示すように平面から見て流体供給口13と重なるように形成されている。したがって,流体供給口13,14から供給され流体は,吸引貫通孔10に流入した後,平面から見て流体供給口13,14と同一直線上にある排出口18,排出流路19を通って外方の径方向に向けて排出される。
【0028】
排出流路19は,図3に示すように残渣除去体3外の排出装置20に排出管21によって接続されている。排出装置20は,例えばポンプや流量計等を有し,排出口18から排出される流体の流量,つまり吸引口11から吸引される流体の流量を自在に設定できる。この排出装置20による吸引により,レーザ光照射時にウェハWから発生した残渣は,流体と共に残渣除去体3内に吸引され,排出される。
【0029】
吸引貫通孔10の排出口18に対向する位置には,吸引貫通孔10内に直接流体を補充する流体補充口22が開口している。流体補充口22は,残渣除去体3内を通過する流体補充路23に通じている。流体補充路23は,図4に示すように例えば排出流路19の吸引貫通孔10を挟んだ反対側の位置に,残渣除去体3の外側面から流体補充口22に向けて水平方向に形成されている。また,流体補充路23は,平面から見ると,流体供給口14と重なるように形成されている。
この流体補充路23により,吸引貫通路10内に流体を補充し,吸引貫通路10内を前記流体で隙間無く満たすことができる。吸引貫通孔10内への流体の補充量を変えて,吸引貫通孔10内の圧力を調整することができる。
【0030】
流体補充路23は,図3に示すように例えば残渣除去体3外の流体供給装置24に補充管25によって接続されている。流体供給装置24は,例えばポンプや流量計等を有し,吸引貫通孔10内に補充される流体の流量を自在に設定できる。
【0031】
レーザ光照射部4は,残渣除去体3の上方に設置されている。レーザ光照射部4は,照射位置Cが残渣除去体3の吸引口11の中心軸Pからずれるように配置されている。照射位置Cは,中心軸Pから流体供給口13側(排出口18側)にずらされている。例えば吸引口11の直径が5mm程度の場合,その1%〜20%程度の0.05mm〜1mm程度中心軸Pからずらされる。したがって,残渣除去体3の中心軸Pからずれた位置にレーザ光が照射され,その位置でレーザ加工が施される。
【0032】
次に,以上のように構成された加工装置1の作用を,ウェハWのアライメントマークM上に塗布された塗布膜Tを除去する加工処理を例に採って説明する。図5に示すようにウェハWがチャック2に保持され,チャック2が移動してウェハWの被加工部分Bである塗布膜Tがレーザ光の照射位置Cに合わせられる。塗布膜Tは,残渣除去体3の吸引口11に対向配置され,吸引口11の中心軸Pに対し流体供給口13側にずれている。吸引口11とウェハWとの距離は,例えば0.4mm〜0.7mm程度に設定される。そして,流体供給口13及び14から流体,例えば液体である純水Hが供給され始め,残渣除去体3とウェハWとの間に純水Hが満たされる。このとき流体供給口13及び14から吐出される純水Hの全流量は,Q1に設定される。
【0033】
純水Hが供給され始めると同時に,排出口18からの排出も開始される。これにより,流体供給口13,14から塗布膜Tに供給された純水Hが,吸引口11から上方に向かって吸引貫通孔10内に流入し,その後さらに上方の排出口18から排出流路19を通じて残渣除去体3の側面から排出される。排出口18からの純水Hの排出量は,Q2に設定され,この結果,吸引口11から吸い上げられる純水の流量は,Q3=Q2―Q1になる。さらに,液体補充口22からは,純水Hが流量Q4で補充される。Q4は,Q4>Q3の条件を満たすように設定される。この結果,吸引貫通孔10内が純水Hで満たされる。流量Q4の純水Hの補充によって吸引貫通孔10内が十分に満たされるので,吸引口11から純水H以外のもの,例えば周辺気体が流入することが抑制される。
【0034】
残渣除去体3の吸引貫通孔10内が純水Hで満たされると,レーザ光照射部4から塗布膜Tに加工用のレーザ光が照射される。図6に示すようにレーザ光の照射により塗布膜Tから発生した残渣Aは,純水Hに取り込まれ,純水Hの上昇流に乗って吸引口11から吸引される。このとき,レーザ光の照射位置Cは,吸引口11の中心軸Pからずれた位置に照射されているので,残渣Aは,吸引口11の中心部を避けた外周付近から吸引口11内に流れ込む。その後残渣Aは,純水Hと共に吸引貫通孔11内を上昇し,排出口18内に流れ込み,排出流路19を通じて排出される。
【0035】
塗布膜Tの除去が終了すると,例えば流体供給口13,14からの純水Hの供給,流体補充口22からの純水Hの補充,排出口18からの排出が停止され,一連の加工処理が終了する。
【0036】
以上の実施の形態によれば,レーザ光の照射位置Cを吸引口11の中心軸Pからずらすようにしたので,吸引口11の中心付近に形成されるよどみを避けて,流れの速い部分から残渣Aを吸い込むことができる。この結果,残渣Aは,ウェハW表面付近に留まることがなく,直ちに吸引貫通孔10内に吸引されるので,残渣AがウェハWに再付着することが防止される。また,吸引口11内において,平面から見て中心部よりも流体供給口13及び排出口18寄りは,流体供給口13〜排出口18間の最短流路上にあり,より強い流れが形成される。レーザ光の照射位置Cが平面から見て流体供給口13及び排出口18側にずらされたので,照射位置Cから発生する残渣Aを直ちに除去できる。
【0037】
残渣除去体3の吸引貫通孔10に流体補充口22を設けたので,吸引貫通孔10内を隙間無く純水Hで満たすことができる。これにより,吸引貫通孔10内が均一な密度に保たれるので,レーザ光の光路が曲げられたり,レーザ光が減衰したりすることがない。また,吸引貫通孔10内の内圧を調整して,吸引口11から純水H以外の気体が流入することを防止できる。
【0038】
以上の実施の形態では,流体として液体である純水Hが用いられていたが,窒素ガス,酸素ガス等の気体が用いられてもよい。例えば気体の場合,図7に示すように流体供給口30,31に,気体が一旦滞留する滞留部32が設けられてもよい。この滞留部32は,図8に示すように吸引口11と同心の環状で,かつ流体供給口30,31の径よりも幅の広い溝状に形成される。滞留部32の下面は,ウェハW側に開口しており,流体供給流路15から勢いよく供給される気体は,滞留部32で一旦滞留し,流速を落とした状態でウェハW側に供給される。こうすることによって,供給気体が残渣除去体3の周辺に拡散することが抑制され,被加工部分Bへの気体の供給が効率よく行われる。
【0039】
図9,図10に示すように残渣除去体3の凸部3aの下面に,例えば流体供給口13側から吸引口11の中心軸Pに向かう溝50を形成してもよい。こうすることにより,吸引口11に対し,より照射位置C側からより多くの流体が供給され,例えば中心軸P付近に形成されるよどみを反対側に押しやることができる。したがって,レーザ光の照射により発生した残渣Aを,よどみを避けてより確実に残渣除去体3内に吸引することができる。
【0040】
また,図11に示すように凸部3aの下面に,吸引口11の中心軸Pからずれた方向に向かう溝60を形成してもよい。この溝60は,複数箇所,例えば2箇所に形成してもよい。かかる場合,吸引口11の外周付近に旋回流が形成され,本来の上昇流とこの旋回流が合成されるので,流体の残渣Aの搬送力が向上する。
【0041】
以上の実施の形態では,レーザ光の照射位置Cを,流体供給口13側にずらしていたが,反対側の流体供給口14側にずらしてもよい。かかる場合においても,吸引口11の中心部のよどみを避けて,流速の速い部分から残渣Aを吸引できるので,残渣AのウェハWの再付着を防止できる。なお,流体供給口の数は,任意に選択でき,3以上の複数であってもよい。この場合,複数の流体供給口の内のいずれか一の流体供給口よりに,照射位置Cがずらされてもよい。
【0042】
上記残渣除去体3には,流体補充口18が設けられていたが,流体補充口18は,必ずしも設けなくてもよい。特に使用される流体が気体の場合には,レーザ光の透過性を向上するために吸引通気孔10内を液体で満たす必要がないため,流体補充口23が無くても適正なレーザ加工が行われる。
【0043】
図12に示すように,流体供給口13,14に通じる供給管17にイオナイザ70を取付け,供給する流体に静電気を除去するイオンを付加するようにしてもよい。残渣Aは,通常発生時に帯電しており,ウェハWの表面に付着しやすい。イオナイザ70によって付加されたイオンによって,残渣Aから静電気を除去し,残渣AがウェハWに再付着することを防止できる。
【0044】
以上,本発明の実施の形態の一例について説明したが,本発明はこの例に限らず種々の態様を採りうるものである。例えば前記実施の形態では,ウェハW側を移動させるX―Y移動機構5が設けられていたが,レーザ光照射部4及び残渣除去体3側を移動させる移動機構を設けてもよい。前記実施の形態では,レーザ光を用いて加工していたが,電子線を用いてもよい。前記実施の形態は,ウェハW上の塗布膜Tを加工するものであったが,他の加工処理,例えばウェハW表面に印,記号,番号等を付する加工処理,ウェハWに形成された金線などを切断する加工処理等にも適用できる。また,ウェハWに限られず,LCD基板のような他の基板,金属,有機物,ガラス,セラミックス等の他の被加工物に対しても本発明を適用できる。
【0045】
【発明の効果】
本発明によれば,残渣が被加工物に再付着することが防止されるので,被加工物が汚染されることがなく,被加工物の歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】請求項1の発明を説明するための加工装置の模式図である。
【図2】本発明にかかる加工装置の構成の概略を示す説明図である。
【図3】残渣除去体の構成の概略を示す縦断面の説明図である。
【図4】残渣除去体の平面図である。
【図5】使用時の残渣除去体の縦断面図である。
【図6】使用時の残渣除去体の下部の拡大図である。
【図7】滞留部を備えた残渣除去体の構成を示す縦断面の説明図である。
【図8】図7の残渣除去体の下面図である。
【図9】溝を備えた残渣除去体の構成を示す縦断面の説明図である。
【図10】図9の残渣除去体の下面図である。
【図11】2つの溝を備えた残渣除去体の下面図である。
【図12】イオナイザを備えた残渣除去体の縦断面図である。
【符号の説明】
1 加工装置
3 残渣除去体
4 レーザ光照射部
11 吸引口
12 透明板
13,14 流体供給口
18 排出口
B 被加工部分
C 照射位置
H 純水
W ウェハ
Claims (13)
- レーザ光又は電子線の照射により被加工物を加工する加工装置であって,
被加工物に対しレーザ光又は電子線を照射する照射部と,
前記被加工物における照射位置の外方側から当該照射位置に対し流体を供給する流体供給口と,
前記照射位置に対向配置され,前記レーザ光又は電子線による加工によって生じた残渣を前記流体と共に吸引する吸引口と,を備え,
前記照射位置は,平面から見て,前記吸引口の内側であって前記吸引口の中心からずれていることを特徴とする,加工装置。 - 前記レーザ光又は電子線の照射位置は,平面から見て前記吸引口の中心から前記流体供給口側にずれていることを特徴とする,請求項1に記載の加工装置。
- 前記吸引口に吸引された前記残渣を含む流体は,その後平面から見て吸引口の中心軸に対し所定の径方向に向けて排出され,
前記レーザ光又は電子線の照射位置は,平面から見て前記吸引口の中心から前記所定の径方向側にずれていることを特徴とする,請求項1又は2のいずれかに記載の加工装置。 - 被加工物に対向配置可能で,被加工物から発生した残渣を吸引除去する残渣除去体を備え,
前記残渣除去体の中央部には,当該残渣除去体の上面から下面に貫通する吸引貫通孔が設けられ,
前記残渣除去体の下面の外周部には,前記流体供給口が開口し,
前記吸引貫通孔の下側の開口部は,前記吸引口を構成し,
前記吸引貫通孔の上端部は,前記レーザ光又は電子線が透過する透明体で閉鎖されており,前記レーザ光又は電子線は,当該透明体,吸引貫通孔及び吸引口を通じて前記被加工物に照射され,
さらに,前記吸引貫通孔の内側面には,この吸引貫通孔内に流入した前記残渣を含む流体を前記残渣除去体外に排出するための排出口が開口していることを特徴とする,請求項1に記載の加工装置。 - 前記レーザ光又は電子線の照射位置は,平面から見て前記吸引口の中心よりも前記流体供給口側にずれていることを特徴とする,請求項4に記載の加工装置。
- 前記流体供給口は,複数箇所に開口しており,
前記レーザ光又は電子線の照射位置は,前記複数の流体供給口のうちのいずれか一の流体供給口側にずれていることを特徴とする,請求項5に記載の加工装置。 - 前記流体供給口は,前記吸引口を挟んだ両側に二箇所に開口していることを特徴とする,請求項6に記載の加工装置。
- 前記流体供給口と前記排出口は,平面から見て前記吸引口の中心を通る同一直線上に配置されていることを特徴とする,請求項5,6又は7のいずれかに記載の加工装置。
- 前記残渣除去体は,その下面に,前記吸引口のある中央部が前記流体供給口のある外周部よりも下側に突出した略筒状の凸部を備え,
当該凸部の下端部には,前記流体供給口側から前記吸引口の中心軸に向けられた溝が形成されていることを特徴とする,請求項5,6,7又は8のいずれかに記載の加工装置。 - 前記溝は,前記吸引口の中心軸からずれた方向に向けて形成されていることを特徴とする,請求項9に記載の加工装置。
- 前記吸引貫通孔における前記排出口に対向する内側面には,前記吸引貫通孔内に流体を補充するための補充口が開口していることを特徴とする,請求項4,5,6,7,8,9又は10のいずれかに記載の加工装置。
- 前記残渣除去体は,前記流体供給口から流出する流体を一旦滞留させる滞留部を備えたことを特徴とする,請求項4,5,6,7,8,9,10又は11のいずれかに記載の加工装置。
- 前記流体供給口から供給される流体には,静電気を除去するイオンが付加されていることを特徴とする,請求項1,2,3,4,5,6,7,8,9,10,11又は12のいずれかに記載の加工装置。
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