JP4025030B2 - 基板の処理装置及び搬送アーム - Google Patents
基板の処理装置及び搬送アーム Download PDFInfo
- Publication number
- JP4025030B2 JP4025030B2 JP2001118738A JP2001118738A JP4025030B2 JP 4025030 B2 JP4025030 B2 JP 4025030B2 JP 2001118738 A JP2001118738 A JP 2001118738A JP 2001118738 A JP2001118738 A JP 2001118738A JP 4025030 B2 JP4025030 B2 JP 4025030B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- chamber
- mounting table
- processing
- lid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67178—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
- H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
- G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
- G03F7/3021—Imagewise removal using liquid means from a wafer supported on a rotating chuck
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理装置及び搬送アームに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ，ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
現在，前記レジスト塗布処理においては，回転されたウェハの中心にレジスト液を吐出して，ウェハ表面にレジスト液を拡散させるスピンコーティング法が主流をなしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，スピンコーティング法は，ウェハを高速で回転させるため，ウェハの外縁部から大量のレジスト液が飛散し，無駄になるレジスト液が多い。また，レジスト液の飛散により当該装置が汚染されるため，頻繁に洗浄しなければならない等の弊害が生じていた。
【０００５】
そこで，ウェハを回転させるスピンコーティング法に代えて，ウェハとレジスト液吐出部を相対的に移動させて，レジスト液吐出部からレジスト液を，例えばウェハ上に満遍なく格子状に塗布する，いわゆる一筆書きの塗布方法が考えられる。かかる一筆書きの塗布方法の場合には，レジスト液がウェハ表面に拡散し易いように粘性の低いレジスト液を使用することが考えられる。
【０００６】
しかしながら，粘性の低いレジスト液を使用してレジスト塗布を行っても，なおレジスト膜の表面がレジスト液の塗布経路に沿って盛り上がることが予想され，塗布後にレジスト膜を平坦化する処理が必要である。そこで，レジスト液が塗布されたウェハを，チャンバ内に収容し，チャンバ内を排気しながら減圧して，その際に形成された気流によってレジスト液を平坦化することが提案できる。そして，かかる提案のように気流によってレジスト膜を平坦化するには，当該気流がレジスト膜の表面上に沿って流れるように整流板を取り付けることが好ましい。また，ウェハ表面全面に渡って均一な気流が形成されないと，レジスト液がウェハ面内において均一に平坦化されず，レジスト膜の膜厚が不均一になる。したがって，整流板を用いる際には，ウェハ上にウェハ面内において均一な気流を形成することが重要である。さらに，かかるチャンバを有する処理装置にウェハを搬送するには，当該処理装置の構成に適合した搬送アームが必要になる。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，減圧によって生じる気流がウェハ等の基板表面において均一に形成される基板の処理装置及び当該処理装置に基板を搬送するのに適した搬送アームを提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば，基板を処理する処理装置であって，基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，前記整流板の下面は，平坦に形成されており，前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，前記整流板は，前記蓋体の内径とほぼ同一径を有する円盤形状を有し，蓋体の内側に配置され，前記整流板には，減圧の際に整流板の下側の雰囲気を整流板の上側に流す複数の通気孔が同一円周上に設けられており，前記通気孔は，平面から見て前記載置台上の基板の外方に設けられていることを特徴とする基板の処理装置が提供される。
【０００９】
このように，整流板を載置台に対して平行に支持する支持部材を設けることによって，整流板が載置台上に載置される基板に対して平行に維持される。これによって，整流板と基板間に流れる気流の速度が基板面内において均一になるので，当該気流によって，例えば上述したいわゆる一筆書きの要領で塗布された塗布膜が基板面内で均一に平坦化される。したがって，基板上に均一な膜厚を有する塗布膜を形成することができる。また，本発明のように，整流板を蓋体の内径とほぼ同一径を有する円盤状に形成し，当該整流板に複数の通気孔を同一円周上に設けることによって，減圧時に基板と整流板との間の雰囲気が同一円周上の各通気孔に流入し，基板上に平面からみて放射状に流れる均一な気流が形成される。また，当該通気孔は，平面から見て載置台上に載置される基板の外方に設けられているので，基板の中心から基板の外方まで流れる気流が形成され，基板表面上の気流の均一性が確保される。
【００１０】
別の観点による本発明は，基板を処理する処理装置であって，基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，前記整流板の下面は，平坦に形成されており，前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，前記蓋体は，前記整流板を支持した状態で上下動可能であり，前記整流板の下面には，３以上の支持部材が取り付けられており，前記整流板は，前記蓋体が下降した際に，前記支持部材を介して前記載置台上に載置されることを特徴とする。このように整流板の下面に上記支持部材を取り付け，支持部材と一体となった整流板を載置台上に載置することによって，整流板と載置台との平行が確保され，減圧時に基板表面上に均一な気流が形成される。
【００１２】
前記蓋体を昇降させる昇降機構を有し，当該蓋体の内側部には，内側に突出する凸部が設けられており，前記整流板の外縁部は，前記凸部上に支持可能であってもよい。このように蓋体の内側部に凸部を設け，整流板の外縁部を当該凸部に支持可能にすることによって，蓋体が上昇した時に，整流板の外縁部が蓋体の凸部によって支持され，整流板が蓋体と共に上昇される。また，蓋体が下降した時に，整流板も下降され，整流板が載置台上に載置される。これによって，基板を処理装置内に搬入させる際に，整流板と基板とを干渉させることなく，基板の搬送を好適に行うことができる。
【００１３】
また，前記蓋体を昇降させる昇降機構を有し，前記整流板の上面には，前記蓋体が前記整流板を吊り下げるための吊り下げ支持部材が取り付けられており，前記吊り下げ支持部材には，係止部が設けられており，前記蓋体には，前記係止部を係止する被係止部が設けられるようにしてもよい。このように，整流板の吊り下げ支持部材に係止部を設け，蓋体に被係止部を設けることによって，整流板を蓋体の昇降に連動させることができるので，基板の搬入出時に整流板が昇降され，基板の搬入を好適に行うことができる。
【００１４】
整流板の吊り下げ支持部材の係止部は，水平に突出した凸形状を有し，蓋体には，当該係止部が上下に移動可能な穴が設けられており，蓋体の被係止部は，当該穴内に水平に突出する凸形状を有し，更に，前記吊り下げ支持部材は，前記蓋体が下降し前記処理室が形成された際に，前記係止部と前記被係止部との係止が解除された状態になるように形成されていてもよい。このように，吊り下げ支持部材に凸形状を有する前記係止部にを設け，蓋体の穴内に，凸形状の被係止部を設けることによって，蓋体が上昇した時に，係止部が被係止部によって係止され，整流板が蓋体によって上昇される。これによって，基板の処理装置内への搬入出を，整流板と干渉することなく好適に行うことができる。また，蓋体が下降して処理室が形成された際に，係止部と被係止部との係止が解除されているようにしたので，処理室形成時に蓋体から整流板にかかる荷重が無くなり，整流板が蓋体の水平度合に左右されず，整流板が水平に維持される。これによって，基板と整流板との間の隙間が基板面内において均一になるため，減圧時に当該隙間を流れる気流が基板面内において均一に形成される。
【００１５】
前記蓋体の穴に，当該穴内の雰囲気を排気するための排気管を設けるようにしてもよい。これによって，吊り下げ支持部材の係止部と蓋体の被係止部との接触によって発生する塵埃等を除去することができるので，当該不純物によって基板が汚染されることが防止される。
【００１６】
前記載置台に，上述の支持部材の下部を受容する凹部を設けるようにしてもよい。これによって，支持部材が気流等の影響によって載置台上でスライドすることが抑制され，当該スライドによって塵埃等のパーティクルが発生することが抑制される。
【００１７】
さらに前記載置台に設けられた凹部に，当該凹部内の雰囲気を排気するための排気管を設けるようにしてもよい。これによって，当該凹部内に不純物が発生したとしても，当該不純物が排気管によって排気され，当該不純物によって基板が汚染されることが抑制される。
【００１８】
前記支持部材を前記整流板から取り外し自在にしてもよい。このように，支持部材を整流板から取り外し自在にすることによって，例えば支持部材を高さの異なる支持部材に取り替えて，基板と整流板との距離を変更することができる。これによって，基板表面上に形成される気流の強さを自由に変更し，基板の大きさや基板処理のレシピに適合した最適な気流を形成することができる。
【００１９】
また，前記整流板は，前記支持部材を挿入自在な有底孔を有し，前記有底孔は，当該有底孔の内周面から有底孔内に付勢されたストッパを有し，前記ストッパは，少なくとも一部に球形部を有し，前記支持部材の外周には，前記ストッパの球形部が入り込む，環状で略Ｖ字形状の溝が設けられていてもよい。これによって，支持部材を整流板の有底孔内に挿入すると，ストッパの球形部が，前記支持部材の溝に入り込み，ストッパによって支持部材が係止される。したがって，当該支持部材を整流板に取り付けることができる。また，支持部材を有底孔内から引き抜くことによってストッパと溝との係止が解除され，支持部材を整流板から取り外すことができる。したがって，支持部材が整流板から取り外し自在となり，支持部材を好適に交換することができる。
【００２０】
蓋体には，上述したストッパの設けられた整流板を上方から下方に向けて押圧する弾性部材を設けるようにしてもよい。球形状のストッパをＶ字形状の溝に入り込ませて前記支持部材を係止すると，小さな外力によってもストッパと支持部材とがずれるので，整流板の位置が不安定になる。蓋体に整流板を上方から下方に向けて押圧する弾性部材を設けることによって，整流板が下方に押しつけられ，整流板の位置が安定する。これによって，整流板と基板との隙間が変動せずに安定し，当該隙間に形成される気流が安定される。また，弾性部材で押圧するので，例え蓋体が傾いたとしても，整流板への影響が最小限に抑えられ，整流板の水平が維持される。
【００２１】
載置台には，基板を昇降させる昇降ピンが上下に移動するための孔が設けられており，前記孔は，前記載置台上の基板の外縁部に対応する位置に設けられていてもよい。基板の温度は，近接した載置台の温度の影響を受ける。また，載置台における昇降ピンのための孔が設けられている部分は，他の部分の温度と異なってくる。本発明によれば，昇降ピンを昇降させるための孔を，製品として使用されない基板の外縁部に対向する位置に設けることによって，製品として使用される部分の基板面内の温度を均一に維持することができる。
【００２２】
整流板の材質は，高密度ポリエチレン又は石英であってもよい。高密度ポリエチレンや石英は，温度伝導率の極めて低い材質であり，整流板が基板に近づいた時に，整流板からの熱によって基板温度が変動されることを抑制できる。
【００２３】
整流板の材質には，多孔性を有するものが用いられてもよい。チャンバ内を減圧した時には，整流板と基板との隙間に基板の中心部から基板の外縁部に向かう気流が形成される。そして，整流板の外縁部まで進んだ気流は，蓋体上部の排気管の方向に上昇する。当該気流が上昇する際に，例えば基板上の塗布液の溶剤が最も蒸発される。したがって，当該整流板の外縁部に近い基板の外縁部では，前記溶剤の蒸発が激しく行われる。また，気流によって塗布液が基板外縁部に追いやられるため，蒸発して乾燥した塗布液上に次々と新しい塗布液が流れ込む。これによって，基板の外縁部では，塗布液の乾燥と流入が繰り返され，塗布液の盛り上がりが形成される。当該盛り上がった部分は，製品として使用できないため，当該盛り上がりは，小さい方が好ましい。そこで，整流板の材質を多孔性とすることによって，整流板の外縁部以外の部分からも気流が整流板内部を通って，蓋体上部に流れ込むようになり，基板外縁部での溶剤の蒸発が軽減されるため，当該盛り上がりを抑制することができる。
【００２４】
別の観点による本発明によれば，請求項９の基板の処理装置に基板を搬送する搬送アームであって，基板の外縁部を支持するアーム部を有し，前記アーム部には，前記昇降ピンに干渉しないように切り欠きが設けられていることを特徴とする搬送アームが提供される。請求項９で記載した基板の処理装置は，昇降ピンのための孔を，載置台において基板の外方に対向する位置に設けたものである。したがって，昇降ピンは，基板の外縁部を支持して昇降させることになる。このように昇降ピンが基板の外縁部を支持するようにすると，同じく基板の外縁部を支持する基板の搬送アームとの干渉が懸念される。本発明のように，搬送アームのアーム部に切り欠きを設けることによって，搬送アームと昇降ピンとの干渉を回避することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本発明にかかる基板の処理装置を搭載した塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２６】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２７】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２８】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２９】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択できる。
【００３０】
第１の処理装置群G1では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００３１】
レジスト塗布装置１７及び１９は，レジスト液を吐出するための図示しないレジスト吐出ノズルと，当該レジスト吐出ノズルとウェハＷを相対的に移動させるための図示しない移動機構とを有している。そして，当該レジスト塗布装置１７及び１９では，レジスト吐出ノズルとウェハＷを相対的に移動させながら，レジスト吐出ノズルからウェハＷ上にレジスト液を吐出し，ウェハＷ表面にレジスト液を塗布する，いわゆる一筆書きの要領でレジスト液の塗布が行われる。
【００３２】
第３の処理装置群G3では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，本実施の形態にかかる基板の処理装置としての減圧乾燥装置３３，３４及びレジスト膜中に残存している溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３５，３６が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００３３】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００３４】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００３５】
次に，上述した減圧乾燥装置３３の構成について説明する。減圧乾燥装置３３は，図４に示すように，ウェハＷを収容して気密に閉鎖可能なチャンバ６０を有している。チャンバ６０は，ウェハＷを載置し，厚みのある略円盤状の載置台６１と，載置台６１の上方に位置し，下面が開口した略円筒状の蓋体６２とで構成されている。
【００３６】
蓋体６２には，蓋体６２を上下動させる昇降機構６３が設けられている。昇降機構６３は，例えばモータによって蓋体６２を昇降させる駆動部６４と，当該駆動部６４を制御する制御部６５とを有している。これによって，蓋体６２が上下方向に移動可能となり，蓋体６２を下降させて，載置台６１と一体となって処理室Ｓを形成することができる。
【００３７】
蓋体６２の内側部には，内側に凸状に突出した凸部６６が環状に設けられている。これによって，後述する整流板７２の外縁部を支持し，持ち上げることができる。
【００３８】
蓋体６２の上面の中央部には，処理室Ｓ内の雰囲気を排気する排気部としての排気管６７が設けられている。排気管６７は，処理室Ｓ内の雰囲気を所定の圧力で吸引する吸引ポンプ６８に連通されており，当該吸引ポンプ６８は，ポンプ制御部６９によってその吸引力が制御されている。かかる構成によって，吸引ポンプ６８が作動され，排気管６７からチャンバ６０内の雰囲気を排気し吸引して，チャンバ６０内を減圧するとともに，チャンバ６０内に気流を発生させることができる。また，蓋体６２の下端面には，処理室Ｓの気密性を確保するためのＯリング７０が設けられている。
【００３９】
排気管６７には，当該排気管６７を介して処理室Ｓに気体，例えば窒素ガスを供給する供給部７１が接続されている。これによって，減圧乾燥処理後に処理室Ｓに気体を供給し，減圧状態を回復させたり，処理室Ｓの雰囲気をパージしたりすることができる。
【００４０】
チャンバ６０内には，排気管６７の排気によって生じた処理室Ｓ内の気流を制御する整流板７２が設けられている。整流板７２は，例えば薄い円盤状の形状を有し，下面が平坦に形成されている。整流板７２の下面は，表面加工が施されており，表面粗さが，例えば２００μｍ以下に加工されている。整流板７２には，温度伝導率の低い材質，例えば低密度ポリエチレン，石英，ポーラス材等が使用される。
【００４１】
整流板７２の下面には，図５に示すように円柱状で長さの同じ３つの支持部材７３が取り付けられている。これによって，整流板７２が支持部材７３を介して載置台６１に平行に載置されるようになっている。
【００４２】
整流板７２は，図６に示すように蓋体６２の内径よりも僅かに小さい径を有している。整流板７２と蓋体６２との間には，整流板７２が蓋体６２に対して可動となる程度，例えば１ｍｍ程度のわずかな隙間ｄが設けられている。
【００４３】
整流板７２の外縁部には，同一径，例えば２ｍｍ程度の複数の通気孔７４が同一円周上に等間隔で設けられている。通気孔７４は，載置台６１上のウェハＷの外方の位置に対応する位置に配置されている。これによって，排気管６７からの排気時に，ウェハＷ表面上の雰囲気が各通気孔７４から蓋体６２の上部に吸引され，ウェハＷ表面上にウェハＷ中心部から外縁部に向かう放射状の気流が形成される。
【００４４】
整流板７２の外縁部は，上述した凸部６６上に支持自在に構成されている。したがって，蓋体６２が上昇されると，整流板７２が凸部６６上に支持され，整流板７２も上昇される。また，蓋体６２が下降され，処理室Ｓが形成された際には，整流板７２の凸部６６による支持が解除され，整流板７２は，凸部６６とは非接触の状態で支持部材７３を介して載置台６１上に載置される。
【００４５】
載置台６１には，載置台６１を所定の温度に調節する温度調節部材，例えばペルチェ素子７５が設けられている。ペルチェ素子７５は，ペルチェ素子７５の電源を制御する温度制御部７６によってその温度が制御されている。これによって，載置台６１を所定の温度に調節し，載置台６１上のウェハＷを所定の温度に維持することができる。
【００４６】
載置台６１上には，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対応する位置にプロキシミティピン７７が設けられており，ウェハＷは，このプロキシミティピン７７上に載置される。これによって，載置台６１との間の熱交換が輻射熱によって行われるため，ウェハＷ面内温度の均一性を確保することができる。
【００４７】
載置台６１の下方には，ウェハＷの下面を支持し，昇降させるための手段である昇降ピン７８が複数設けられている。当該昇降ピン７８は，フランジ７９上に直立されて設けられている。また，昇降ピン７８は，載置台６１の中央付近に設けられた貫通孔８０内を移動自在である。昇降ピン７８には，フランジ７９を上下方向に移動させるシリンダ等を備えた昇降駆動部８１が設けられている。これによって，昇降ピン７８は，貫通孔８０内を上下方向に移動して，載置台６１上に突出できる。
【００４８】
フランジ７９と貫通孔８０との間の昇降ピン７８は，伸縮自在なベローズ８２によって覆われている。これによって，外部の雰囲気が貫通孔８０を通じて処理室Ｓに流入することが防止され，処理室Ｓの気密性が確保される。
【００４９】
次に，以上のように構成されている減圧乾燥装置３３の作用について，塗布現像処理装置１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００５０】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に属するエクステンション装置３２に搬送する。次いでウェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却される。そして，所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送される。
【００５１】
レジスト塗布装置１７に搬送されたウェハＷは，いわゆる一筆書きの要領でレジスト液が塗布される。そして，レジスト液の塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によって減圧乾燥装置３３に搬送される。
【００５２】
減圧乾燥装置３３で後述する処理が施されたウェハＷは，プリベーキング装置３５に搬送されて，加熱処理され，次にエクステンション・クーリング装置４１に搬送されて，冷却される。次いでウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送され，ウェハＷ上に所定のパターンが露光される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送され，その後，主搬送装置１３によってポストエクスポージャーベーキング装置４４に搬送され，加熱処理が行われた後，クーリング装置４３に搬送され，冷却処理される。
【００５３】
当該冷却処理が終了したウェハＷは，主搬送装置１３によって現像処理装置１８に搬送され，現像処理が行われ，その後ポストベーキング装置４６，クーリング装置３０と順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介してカセットＣに戻され，一連の塗布現像処理が終了する。
【００５４】
次いで，上述の減圧乾燥装置３３の作用について詳しく説明する。先ず，ウェハＷが減圧乾燥装置３３に搬送される前に，載置台６１は，温度制御部７６及びペルチェ素子７５によって所定の温度，例えば常温，例えば２３℃に維持される。
【００５５】
そして，前工程のレジスト塗布処理が終了すると，ウェハＷは主搬送装置１３によって減圧乾燥装置３３内に搬送され，載置台６１上方まで移動される。このとき，蓋体６２は，図７に示すように昇降機構６３によって上昇し，また，整流板７２も蓋体６２の凸部６６に支持され，上昇している。
【００５６】
載置台６１上方まで移動されたウェハＷは，載置台６１上で予め上昇して待機していた昇降ピン７８に受け渡される。次いで，昇降ピン７８が昇降駆動部８１によって下降され，ウェハＷが載置台６１上のプロキシミティピン７７上に載置される。
【００５７】
次いで，蓋体６２が下降され，蓋体６２の下端部が載置台６１に密着して，気密な処理室Ｓが形成される。このとき蓋体６２の下降に伴って整流板７２が下降され，蓋体６２の下降の途中で，整流板７２が支持部材７３を介して載置台６１上に載置される。これによって，整流板７２の凸部６６による支持が解除され，整流板７２と蓋体６２とが非接触状態になる。また，整流板７２は，支持部材７３によって載置台６１に対して平行になる。
【００５８】
次に，吸引ポンプ６８が作動され，処理室Ｓの雰囲気が排気管６７を介して所定の圧力，例えば０．０１３ＫＰａで吸引され始める。これに伴い処理室Ｓに気流が形成される。当該気流は，図４に示すように整流板７２に沿ってウェハＷ表面をウェハＷ中心部から外縁部に流れ，その後通気孔７４から蓋体６２上部に流通し，排気管６７に流れる。これによって，ウェハＷ表面のレジスト膜の表層が均され，平坦化されるとともに，減圧によってレジスト膜内の溶剤が蒸発し，ウェハＷ上のレジスト膜が乾燥される。
【００５９】
その後，所定時間当該減圧乾燥処理が行われる。そして，所定時間経過後に吸引ポンプ６８が停止され，処理室Ｓの減圧が停止される。次いで，供給部７１から排気管６７を介して，窒素ガスが処理室Ｓに供給され，処理室Ｓの圧力が回復される。そして，処理室Ｓが大気圧にまで回復されると，窒素ガスの供給が停止される。
【００６０】
次いで蓋体６２が昇降機構６３によって上昇され，処理室Ｓが開放される。このとき，凸部６６が整流板７２の外縁部を支持し，整流板７２も上昇される。そして，搬入時と同様にして，ウェハＷが昇降ピン７８によって上昇され，主搬送装置１３に受け渡される。主搬送装置１３に受け渡されたウェハＷは，減圧乾燥装置３３から搬出され，次工程の行われるプリベーキング装置３５に搬送される。
【００６１】
以上の実施の形態では，整流板７２に支持部材７３を取り付け，整流板７２を支持部材７３を介して載置台６１に載置できるようにしたので，載置台６１を基準にして整流板７２とウェハＷとを平行に維持することができる。従って，整流板７２とウェハＷ間の隙間がウェハＷ面内において均一になり，当該隙間を流れる気流が均一に形成される。これによって，ウェハＷの減圧乾燥処理がウェハＷ面内において均一に行われ，ウェハＷ上に膜厚の均一なレジスト膜が形成される。
【００６２】
整流板７２の形状を蓋体６２の内径に適合するように形成し，整流板７２の外縁部の同一半径上に，複数の通気孔７４を等間隔で設けるようにしたので，ウェハＷ中心部から外縁部に向かって流速の同じ均一な気流が形成される。
【００６３】
蓋体６２に凸部６６を設けたので，整流板７２を蓋体６２に連動させて上下動させることができる。これによってウェハＷを減圧乾燥装置３３に搬送する際に，ウェハＷと整流板７２とが干渉することを回避できる。また，処理室Ｓが形成される際には，整流板７２の凸部６６による支持が解除され，整流板７２と蓋体６２とが非接触の状態になるので，蓋体６２によって整流板７２の平行性が害されることが防止される。
【００６４】
整流板７２の下面に表面加工を施したので，気流が整流板７２の下面に沿ってスムーズに流れ，安定した気流が形成される。これによって，気流によって左右されるウェハＷの減圧乾燥が適切に行われる。また，整流板７２の材質に温度伝導率の低い高密度ポリエチレン又は石英を使用したので，整流板７２からの熱の輻射が低減され，ウェハＷを適切な温度に維持することができる。なお，整流板７２の材質は，高密度ポリエチレンや石英に限らず，温度伝導率が１×１０−８〜１×１０−４ｍ２／ｓｅｃ以下の他の材質であってよい。
【００６５】
以上の実施の形態では，整流板７２の下面に支持部材７３を取り付けたが，支持部材７３を載置台６１側に取り付けるようにしてもよい。
【００６６】
また，図８に示すように載置台６１に支持部材７３の下部を受容する凹部９０を設けるようにしてもよい。このように凹部９０を設けることによって，支持部材７３を適切な位置にアライメントすることができる。また，凹部９０を支持部材７３に適合する形状に設けることによって，支持部材７３の位置がずれることが防止できる。これによって，整流板７２の位置が安定し，ウェハＷと整流板７２との間に安定した適切な気流が形成される。
【００６７】
また，図９に示すように凹部９０に，当該凹部９０内の雰囲気を排気する排気管９１を設けるようにしてもよい。これによって，支持部材７３と凹部９０との接触によって発生する塵埃等を排気し，当該塵埃によってウェハＷが汚染されることが防止される。
【００６８】
前記実施の形態で記載した蓋体６２の凸部６６は，環状に設けられていたが，図１０に示すように蓋体６２の内側に突出した凸部９５を所定箇所に複数設けるようにしてもよい。これによって，蓋体６２と整流板７２との接触面積が減少され，当該接触によって発生する不純物が低減できる。
【００６９】
また，前記実施の形態で記載した整流板６２の通気孔７４の形状は，円形であったが，他の形状，例えばスリット形状や円弧形状であってもよい。
【００７０】
上述の実施の形態では，整流板７２を支持部材７３によって支持していたが，整流板７２の上面に，蓋体が整流板７２を吊り下げるための吊り下げ支持部材を設け，当該吊り下げ支持部材に係止部を設け，さらに蓋体に当該係止部を係止する被係止部を設けるようにしてもよい。以下，かかる構成を採用した例を第２の実施の形態として説明する。
【００７１】
図１１に示すように，整流板７２の上面に，整流板７２を吊り下げるための吊り下げ支持部材１００を取り付ける。当該吊り下げ支持部材１００の上端部に，外方に凸状に突出した係止部１０１を設ける。また，蓋体１０２の当該係止部１０１に対向する位置に，係止部１０１が上下方向に移動可能な大きさの穴１０３を設ける。穴１０３の開口部に，内側に凸状に突出した被係止部１０４を設ける。当該被係止部１０４は，穴１０３内の係止部１０１を係止することができる。吊り下げ支持部材１００の長さは，蓋体１０２が下降し，処理室Ｓが形成された際に，係止部１０１と被係止部１０４との係止が解除された状態になるようにする。なお，他の構成は，上述の第１の実施の形態と同様である。
【００７２】
そして，ウェハＷが減圧乾燥装置３３に搬送される際に，蓋体１０２が上昇された時には，図１２に示すように吊り下げ支持部材１００の係止部１０１が被係止部１０４に係止され，吊り下げ支持部材１００によって整流板７２が上昇される。そして，ウェハＷが載置台６１上に載置されると，蓋体１０２が下降され，整流板７２も下降される。蓋体１０２が下降して処理室Ｓが形成された時には，整流板７２が支持部材７３を介して載置台６１上に載置され，吊り下げ支持部材１００の係止部１０１と被係止部１０４との係止が解除される。
【００７３】
かかる第２の実施の形態によれば，ウェハＷが減圧乾燥装置３３に搬入出される際に，整流板７２が上方に退避できるので，ウェハＷと整流板７２との接触を回避することができる。また，整流板７２が支持部材７３を介して載置台６１上に載置された際には，係止部１０１と被係止部１０４との係止が解除されるため，整流板７２の平行が蓋体１０２によって妨げられない。
【００７４】
第２の実施の形態において，前記蓋体１０２に設けられた穴１０３に，当該穴１０３内の雰囲気を排気する排気管を設けるようにしてもよい。これによって，係止部１０１と被係止部１０４との接触によって発生するパーティクル等を排気し，当該不純物によってウェハＷが汚染されることを防止できる。
【００７５】
以上の実施の形態で記載した支持部材７３を取り外し自在にしてもよい。かかる場合，例えば図１３に示すように整流板１１５の下面側には，支持部材１１６が挿入自在な有底孔１１７が設けられる。有底孔１１７の内周面には，当該有底孔１１７内の中心方向に付勢されたストッパ１１８が設けられている。ストッパ１１８は，先端部に球形部１１８ａを有し，例えばバネ１１９によって付勢されている。また，支持部材１１６の外周は，有底孔１１７に適合した外形を有し，支持部材１１６の外周の一部には，ストッパ１１８の球形部１１８ａが入り込むことのできる環状で略Ｖ字形状の溝１２０が設けられる。
【００７６】
そして，支持部材１１６を取り付ける際には，支持部材１１６を有底孔１１７内に挿入し，ストッパ１１８の球形部１１８ａを溝１２０に入り込ませる。これによって，支持部材１１６がストッパ１１８によって係止される。一方，支持部材１１６を取り外す際には，支持部材１１６を有底孔１１７内から引き出すことによって，ストッパ１１８の球形部１１８ａがバネ１１９側に押され，ストッパ１１８による係止が解除される。かかる構成によって，支持部材１１６が整流板１１５に取り外し自在となり，長さの異なる支持部材１１６に交換することによって，整流板１１５とウェハＷとの距離を変更し，気流の流速を変更することができる。したがって，ウェハＷのレシピにあった気流を形成することができ，ウェハＷ上に適切なレジスト膜が形成される。
【００７７】
また，このようにストッパ１１８の球形部１１８ａをＶ字形状の溝１２０に入り込ませて支持部材１１６を係止する場合には，ストッパ１１８が溝１２０に完全に固定されないため，ストッパ１１８と溝１２０との間に若干の遊びが生じ，小さな外力によっても整流板１１５が動く恐れがある。そこで，図１４に示すように，蓋体６２の上面に，整流板１１５を上方から下方に向けて押圧する弾性部材，例えばスプリング１２５を設けるようにしてもよい。スプリング１２５は複数設けられ，整流板１１５の平行を保つように蓋体６２の上面において均等に配置される。この場合，蓋体６２がスプリング１２５の反力によって浮き上がらないようなスプリング１２５を用いる。すなわち，スプリング１２５の反力に等しいスプリング１２５の整流板１１５を押しつける力よりも，昇降機構６３によって蓋体６２を下降させる力の方が大きくなるようなバネ定数，数，長さ等を有するスプリング１２５を用いる。
【００７８】
かかる構成によって，蓋体６２が下降した際に，スプリング１２５によって整流板１１５が下方に押しつけられ，整流板１１５の微動が防止される。また，スプリング１２５によって整流板１１５を押しつけるため，万一蓋体６２が傾いた場合でも，スプリング１２５によって傾きが緩和され，整流板１１５の平行が確保される。なお，スプリング１２５の数量は単数でもよく，その場合には，スプリング１２５は蓋体６２の中央部に設けられる。
【００７９】
以上の実施の形態では，昇降ピン７８が移動するための貫通孔８０を載置台６１の中央部に設けていたが，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対応する位置に設けるようにしてもよい。このような場合，例えば図１５に示すように孔としての貫通孔１３０をプロキシミティピン７７と干渉しない位置で，ウェハＷの外縁部に対応する位置に配置する。これによって，載置台６１上で温度の異なる貫通孔１３０が，製品として使用されないウェハＷの外縁部の位置に設けられるため，製品として使用される部分におけるウェハＷ面内温度の均一性が向上される。
【００８０】
また，貫通孔１３０を載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置に設けた場合に，搬送アームとしての主搬送装置１３と昇降ピン７８とが干渉しないように，貫通孔を配置し，主搬送装置１３のアーム部に切り欠き部を設けるようにしてよい。
【００８１】
このような場合，例えば図１６に示すように，３つの貫通孔１３５，１３６及び１３７のうちの貫通孔１３５を，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置であって，主搬送装置１３に最も近い位置に設ける。そして，貫通孔１３６と貫通孔１３７を，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置であって，主搬送装置１３の反対側の位置に設ける。
【００８２】
一方，主搬送装置１３のアーム部１３ａは，先端が略Ｃ型形状に形成されており，ウェハＷの外縁部を支持してウェハＷを搬送できるようになっている。当該アーム部１３ａには，貫通孔１３５から突出する昇降ピン７８と干渉しないように切り欠き部１３ｂを設ける。切り欠き部１３ｂは，アーム部１３ａが載置台６１上に位置した時に貫通孔１３５に対向する位置に設けられる。アーム部１３ａの先端部には，前記貫通孔１３６及び１３７から突出する昇降ピン７８に干渉しないように空隙部Ｋが設けられる。これによって，主搬送装置１３が載置台６１上に進入した際に，貫通孔１３５から突出する昇降ピン７８は，切り欠き部１３ｂ内に位置し，他の昇降ピン７８は，アーム部１３ａの空隙部Ｋ内に位置する。したがって，貫通孔１３５，１３６及び１３７を載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置に設けた場合においても，主搬送装置１３が昇降ピン７８と干渉することなく，ウェハＷの搬送を好適に行うことができる。
【００８３】
前記の実施の形態における整流板７２の材質に，多孔性を有するもの，例えばポーラス材を用いてもよい。このように，整流板７２の材質を多孔性を有するものにすることによって，図１７に示すように整流板７２とウェハＷとの間に形成される気流の一部が整流板７２内を通過するようになる。これによって，ウェハＷ外縁部で集中して行われていたレジスト液の溶剤の蒸発がウェハＷ面内全面で行われるようになる。このため，ウェハＷ上のレジスト液がウェハＷ外縁部に流れては蒸発されることが抑制されるため，ウェハＷ外縁部に形成されるレジスト膜の盛り上がりが抑制される。
【００８４】
また，以上で説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハの減圧乾燥装置について適用したものであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板，フォトマスク用のガラス基板の減圧乾燥装置においても適用できる。
【００８５】
【発明の効果】
本発明によれば，基板上に均一な気流が形成されるため，当該気流によって基板上の塗布膜が均一な厚みに平坦化される。したがって，基板上に所定膜厚の塗布膜が形成され，歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる減圧乾燥装置を搭載した塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】減圧乾燥装置の構成を示す縦断面の説明図である。
【図５】整流板の斜視図である。
【図６】蓋体と蓋体内の整流板を示す蓋体の横断面の説明図である。
【図７】蓋体が上昇した時の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図８】支持部材の凹部を設けた場合の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図９】図８の凹部に排気管を設けた場合の載置台の縦断面の説明図である。
【図１０】蓋体の他の構成例を示す蓋体の横断面の説明図である。
【図１１】整流板を吊り下げ支持部材で支持する場合の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図１２】図１１の減圧乾燥装置であって蓋体を上昇させた時の縦断面の説明図である。
【図１３】支持部材が取り外し可能な場合の整流板の縦断面の説明図である。
【図１４】蓋体にスプリングを設けた場合の減圧乾燥装置の概略を示す縦断面の説明図である。
【図１５】貫通孔をウェハの外縁部に対向する位置に設けた場合の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図１６】搬送アームと貫通孔との位置関係を示す載置台の平面図である。
【図１７】整流板に多孔性を有する材質を使用した場合の気流の流れを示す減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム
３３ 減圧乾燥装置
６０ チャンバ
６１ 載置台
６２ 蓋体
６６ 凸部
６７ 排気管
６８ 吸引ポンプ
７２ 整流板
７３ 支持部材
７４ 通気孔
７８ 昇降ピン
Ｓ 処理室
Ｗ ウェハ
【発明の属する技術分野】
本発明は，基板の処理装置及び搬送アームに関する。
【０００２】
【従来の技術】
例えば半導体デバイスの製造プロセスにおけるフォトリソグラフィー工程では，ウェハ表面にレジスト液を塗布し，レジスト膜を形成するレジスト塗布処理，ウェハにパターンを露光する露光処理，露光後のウェハに対して現像を行う現像処理等が行われ，ウェハに所定の回路パターンを形成する。
【０００３】
現在，前記レジスト塗布処理においては，回転されたウェハの中心にレジスト液を吐出して，ウェハ表面にレジスト液を拡散させるスピンコーティング法が主流をなしている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら，スピンコーティング法は，ウェハを高速で回転させるため，ウェハの外縁部から大量のレジスト液が飛散し，無駄になるレジスト液が多い。また，レジスト液の飛散により当該装置が汚染されるため，頻繁に洗浄しなければならない等の弊害が生じていた。
【０００５】
そこで，ウェハを回転させるスピンコーティング法に代えて，ウェハとレジスト液吐出部を相対的に移動させて，レジスト液吐出部からレジスト液を，例えばウェハ上に満遍なく格子状に塗布する，いわゆる一筆書きの塗布方法が考えられる。かかる一筆書きの塗布方法の場合には，レジスト液がウェハ表面に拡散し易いように粘性の低いレジスト液を使用することが考えられる。
【０００６】
しかしながら，粘性の低いレジスト液を使用してレジスト塗布を行っても，なおレジスト膜の表面がレジスト液の塗布経路に沿って盛り上がることが予想され，塗布後にレジスト膜を平坦化する処理が必要である。そこで，レジスト液が塗布されたウェハを，チャンバ内に収容し，チャンバ内を排気しながら減圧して，その際に形成された気流によってレジスト液を平坦化することが提案できる。そして，かかる提案のように気流によってレジスト膜を平坦化するには，当該気流がレジスト膜の表面上に沿って流れるように整流板を取り付けることが好ましい。また，ウェハ表面全面に渡って均一な気流が形成されないと，レジスト液がウェハ面内において均一に平坦化されず，レジスト膜の膜厚が不均一になる。したがって，整流板を用いる際には，ウェハ上にウェハ面内において均一な気流を形成することが重要である。さらに，かかるチャンバを有する処理装置にウェハを搬送するには，当該処理装置の構成に適合した搬送アームが必要になる。
【０００７】
本発明は，かかる点に鑑みてなされたものであり，減圧によって生じる気流がウェハ等の基板表面において均一に形成される基板の処理装置及び当該処理装置に基板を搬送するのに適した搬送アームを提供することをその目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば，基板を処理する処理装置であって，基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，前記整流板の下面は，平坦に形成されており，前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，前記整流板は，前記蓋体の内径とほぼ同一径を有する円盤形状を有し，蓋体の内側に配置され，前記整流板には，減圧の際に整流板の下側の雰囲気を整流板の上側に流す複数の通気孔が同一円周上に設けられており，前記通気孔は，平面から見て前記載置台上の基板の外方に設けられていることを特徴とする基板の処理装置が提供される。
【０００９】
このように，整流板を載置台に対して平行に支持する支持部材を設けることによって，整流板が載置台上に載置される基板に対して平行に維持される。これによって，整流板と基板間に流れる気流の速度が基板面内において均一になるので，当該気流によって，例えば上述したいわゆる一筆書きの要領で塗布された塗布膜が基板面内で均一に平坦化される。したがって，基板上に均一な膜厚を有する塗布膜を形成することができる。また，本発明のように，整流板を蓋体の内径とほぼ同一径を有する円盤状に形成し，当該整流板に複数の通気孔を同一円周上に設けることによって，減圧時に基板と整流板との間の雰囲気が同一円周上の各通気孔に流入し，基板上に平面からみて放射状に流れる均一な気流が形成される。また，当該通気孔は，平面から見て載置台上に載置される基板の外方に設けられているので，基板の中心から基板の外方まで流れる気流が形成され，基板表面上の気流の均一性が確保される。
【００１０】
別の観点による本発明は，基板を処理する処理装置であって，基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，前記整流板の下面は，平坦に形成されており，前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，前記蓋体は，前記整流板を支持した状態で上下動可能であり，前記整流板の下面には，３以上の支持部材が取り付けられており，前記整流板は，前記蓋体が下降した際に，前記支持部材を介して前記載置台上に載置されることを特徴とする。このように整流板の下面に上記支持部材を取り付け，支持部材と一体となった整流板を載置台上に載置することによって，整流板と載置台との平行が確保され，減圧時に基板表面上に均一な気流が形成される。
【００１２】
前記蓋体を昇降させる昇降機構を有し，当該蓋体の内側部には，内側に突出する凸部が設けられており，前記整流板の外縁部は，前記凸部上に支持可能であってもよい。このように蓋体の内側部に凸部を設け，整流板の外縁部を当該凸部に支持可能にすることによって，蓋体が上昇した時に，整流板の外縁部が蓋体の凸部によって支持され，整流板が蓋体と共に上昇される。また，蓋体が下降した時に，整流板も下降され，整流板が載置台上に載置される。これによって，基板を処理装置内に搬入させる際に，整流板と基板とを干渉させることなく，基板の搬送を好適に行うことができる。
【００１３】
また，前記蓋体を昇降させる昇降機構を有し，前記整流板の上面には，前記蓋体が前記整流板を吊り下げるための吊り下げ支持部材が取り付けられており，前記吊り下げ支持部材には，係止部が設けられており，前記蓋体には，前記係止部を係止する被係止部が設けられるようにしてもよい。このように，整流板の吊り下げ支持部材に係止部を設け，蓋体に被係止部を設けることによって，整流板を蓋体の昇降に連動させることができるので，基板の搬入出時に整流板が昇降され，基板の搬入を好適に行うことができる。
【００１４】
整流板の吊り下げ支持部材の係止部は，水平に突出した凸形状を有し，蓋体には，当該係止部が上下に移動可能な穴が設けられており，蓋体の被係止部は，当該穴内に水平に突出する凸形状を有し，更に，前記吊り下げ支持部材は，前記蓋体が下降し前記処理室が形成された際に，前記係止部と前記被係止部との係止が解除された状態になるように形成されていてもよい。このように，吊り下げ支持部材に凸形状を有する前記係止部にを設け，蓋体の穴内に，凸形状の被係止部を設けることによって，蓋体が上昇した時に，係止部が被係止部によって係止され，整流板が蓋体によって上昇される。これによって，基板の処理装置内への搬入出を，整流板と干渉することなく好適に行うことができる。また，蓋体が下降して処理室が形成された際に，係止部と被係止部との係止が解除されているようにしたので，処理室形成時に蓋体から整流板にかかる荷重が無くなり，整流板が蓋体の水平度合に左右されず，整流板が水平に維持される。これによって，基板と整流板との間の隙間が基板面内において均一になるため，減圧時に当該隙間を流れる気流が基板面内において均一に形成される。
【００１５】
前記蓋体の穴に，当該穴内の雰囲気を排気するための排気管を設けるようにしてもよい。これによって，吊り下げ支持部材の係止部と蓋体の被係止部との接触によって発生する塵埃等を除去することができるので，当該不純物によって基板が汚染されることが防止される。
【００１６】
前記載置台に，上述の支持部材の下部を受容する凹部を設けるようにしてもよい。これによって，支持部材が気流等の影響によって載置台上でスライドすることが抑制され，当該スライドによって塵埃等のパーティクルが発生することが抑制される。
【００１７】
さらに前記載置台に設けられた凹部に，当該凹部内の雰囲気を排気するための排気管を設けるようにしてもよい。これによって，当該凹部内に不純物が発生したとしても，当該不純物が排気管によって排気され，当該不純物によって基板が汚染されることが抑制される。
【００１８】
前記支持部材を前記整流板から取り外し自在にしてもよい。このように，支持部材を整流板から取り外し自在にすることによって，例えば支持部材を高さの異なる支持部材に取り替えて，基板と整流板との距離を変更することができる。これによって，基板表面上に形成される気流の強さを自由に変更し，基板の大きさや基板処理のレシピに適合した最適な気流を形成することができる。
【００１９】
また，前記整流板は，前記支持部材を挿入自在な有底孔を有し，前記有底孔は，当該有底孔の内周面から有底孔内に付勢されたストッパを有し，前記ストッパは，少なくとも一部に球形部を有し，前記支持部材の外周には，前記ストッパの球形部が入り込む，環状で略Ｖ字形状の溝が設けられていてもよい。これによって，支持部材を整流板の有底孔内に挿入すると，ストッパの球形部が，前記支持部材の溝に入り込み，ストッパによって支持部材が係止される。したがって，当該支持部材を整流板に取り付けることができる。また，支持部材を有底孔内から引き抜くことによってストッパと溝との係止が解除され，支持部材を整流板から取り外すことができる。したがって，支持部材が整流板から取り外し自在となり，支持部材を好適に交換することができる。
【００２０】
蓋体には，上述したストッパの設けられた整流板を上方から下方に向けて押圧する弾性部材を設けるようにしてもよい。球形状のストッパをＶ字形状の溝に入り込ませて前記支持部材を係止すると，小さな外力によってもストッパと支持部材とがずれるので，整流板の位置が不安定になる。蓋体に整流板を上方から下方に向けて押圧する弾性部材を設けることによって，整流板が下方に押しつけられ，整流板の位置が安定する。これによって，整流板と基板との隙間が変動せずに安定し，当該隙間に形成される気流が安定される。また，弾性部材で押圧するので，例え蓋体が傾いたとしても，整流板への影響が最小限に抑えられ，整流板の水平が維持される。
【００２１】
載置台には，基板を昇降させる昇降ピンが上下に移動するための孔が設けられており，前記孔は，前記載置台上の基板の外縁部に対応する位置に設けられていてもよい。基板の温度は，近接した載置台の温度の影響を受ける。また，載置台における昇降ピンのための孔が設けられている部分は，他の部分の温度と異なってくる。本発明によれば，昇降ピンを昇降させるための孔を，製品として使用されない基板の外縁部に対向する位置に設けることによって，製品として使用される部分の基板面内の温度を均一に維持することができる。
【００２２】
整流板の材質は，高密度ポリエチレン又は石英であってもよい。高密度ポリエチレンや石英は，温度伝導率の極めて低い材質であり，整流板が基板に近づいた時に，整流板からの熱によって基板温度が変動されることを抑制できる。
【００２３】
整流板の材質には，多孔性を有するものが用いられてもよい。チャンバ内を減圧した時には，整流板と基板との隙間に基板の中心部から基板の外縁部に向かう気流が形成される。そして，整流板の外縁部まで進んだ気流は，蓋体上部の排気管の方向に上昇する。当該気流が上昇する際に，例えば基板上の塗布液の溶剤が最も蒸発される。したがって，当該整流板の外縁部に近い基板の外縁部では，前記溶剤の蒸発が激しく行われる。また，気流によって塗布液が基板外縁部に追いやられるため，蒸発して乾燥した塗布液上に次々と新しい塗布液が流れ込む。これによって，基板の外縁部では，塗布液の乾燥と流入が繰り返され，塗布液の盛り上がりが形成される。当該盛り上がった部分は，製品として使用できないため，当該盛り上がりは，小さい方が好ましい。そこで，整流板の材質を多孔性とすることによって，整流板の外縁部以外の部分からも気流が整流板内部を通って，蓋体上部に流れ込むようになり，基板外縁部での溶剤の蒸発が軽減されるため，当該盛り上がりを抑制することができる。
【００２４】
別の観点による本発明によれば，請求項９の基板の処理装置に基板を搬送する搬送アームであって，基板の外縁部を支持するアーム部を有し，前記アーム部には，前記昇降ピンに干渉しないように切り欠きが設けられていることを特徴とする搬送アームが提供される。請求項９で記載した基板の処理装置は，昇降ピンのための孔を，載置台において基板の外方に対向する位置に設けたものである。したがって，昇降ピンは，基板の外縁部を支持して昇降させることになる。このように昇降ピンが基板の外縁部を支持するようにすると，同じく基板の外縁部を支持する基板の搬送アームとの干渉が懸念される。本発明のように，搬送アームのアーム部に切り欠きを設けることによって，搬送アームと昇降ピンとの干渉を回避することができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】
以下，本発明の好ましい実施の形態について説明する。図１は，本発明にかかる基板の処理装置を搭載した塗布現像処理システム１の構成の概略を示す平面図であり，図２は，塗布現像処理システム１の正面図であり，図３は，塗布現像処理システム１の背面図である。
【００２６】
塗布現像処理システム１は，図１に示すように，例えば２５枚のウェハＷをカセット単位で外部から塗布現像処理システム１に対して搬入出したり，カセットＣに対してウェハＷを搬入出したりするカセットステーション２と，塗布現像処理工程の中で枚葉式に所定の処理を施す各種処理装置を多段配置してなる処理ステーション３と，この処理ステーション３に隣接して設けられている図示しない露光装置との間でウェハＷの受け渡しをするインターフェイス部４とを一体に接続した構成を有している。
【００２７】
カセットステーション２では，載置部となるカセット載置台５上の所定の位置に，複数のカセットＣをＸ方向（図１中の上下方向）に一列に載置自在となっている。そして，このカセット配列方向（Ｘ方向）とカセットＣに収容されたウェハＷのウェハ配列方向（Ｚ方向；鉛直方向）に対して移送可能なウェハ搬送体７が搬送路８に沿って移動自在に設けられており，各カセットＣに対して選択的にアクセスできるようになっている。
【００２８】
ウェハ搬送体７は，ウェハＷの位置合わせを行うアライメント機能を備えている。このウェハ搬送体７は後述するように処理ステーション３側の第３の処理装置群G３に属するエクステンション装置３２に対してもアクセスできるように構成されている。
【００２９】
処理ステーション３では，その中心部に主搬送装置１３が設けられており，この主搬送装置１３の周辺には各種処理装置が多段に配置されて処理装置群を構成している。該塗布現像処理システム１においては，４つの処理装置群G1，G2，G3，G4が配置されており，第１及び第２の処理装置群G1，G2は塗布現像処理システム１の正面側に配置され，第３の処理装置群G3は，カセットステーション２に隣接して配置され，第４の処理装置群G4は，インターフェイス部４に隣接して配置されている。さらにオプションとして破線で示した第５の処理装置群G5を背面側に別途配置可能となっている。前記主搬送装置１３は，これらの処理装置群G1，G2，G3，G4，G5に配置されている後述する各種処理装置に対して，ウェハＷを搬入出可能である。なお，処理装置群の数や配置は，ウェハＷに施される処理の種類によって異なり，処理装置群の数は，１つ以上であれば任意に選択できる。
【００３０】
第１の処理装置群G1では，例えば図２に示すように，ウェハＷにレジスト液を塗布するレジスト塗布装置１７と，露光後にウェハＷを現像処理する現像処理装置１８とが下から順に２段に配置されている。処理装置群G2の場合も同様に，レジスト塗布装置１９と，現像処理装置２０とが下から順に２段に積み重ねられている。
【００３１】
レジスト塗布装置１７及び１９は，レジスト液を吐出するための図示しないレジスト吐出ノズルと，当該レジスト吐出ノズルとウェハＷを相対的に移動させるための図示しない移動機構とを有している。そして，当該レジスト塗布装置１７及び１９では，レジスト吐出ノズルとウェハＷを相対的に移動させながら，レジスト吐出ノズルからウェハＷ上にレジスト液を吐出し，ウェハＷ表面にレジスト液を塗布する，いわゆる一筆書きの要領でレジスト液の塗布が行われる。
【００３２】
第３の処理装置群G3では，例えば図３に示すように，ウェハＷを冷却処理するクーリング装置３０，レジスト液とウェハＷとの定着性を高めるためのアドヒージョン装置３１，ウェハＷを待機させるエクステンション装置３２，本実施の形態にかかる基板の処理装置としての減圧乾燥装置３３，３４及びレジスト膜中に残存している溶剤を乾燥させるプリベーキング装置３５，３６が下から順に例えば７段に重ねられている。
【００３３】
第４の処理装置群G4では，例えばクーリング装置４０，載置したウェハＷを自然冷却させるエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，クーリング装置４３，露光後の加熱処理を行うポストエクスポージャーベーキング装置４４，４５，現像処理後の加熱処理を行うポストベーキング装置４６，４７等が下から順に例えば８段に積み重ねられている。
【００３４】
インターフェイス部４の中央部にはウェハ搬送体５０が設けられている。このウェハ搬送体５０はＸ方向（図１中の上下方向），Ｚ方向（垂直方向）の移動とθ方向（Ｚ軸を中心とする回転方向）の回転が自在にできるように構成されており，第４の処理装置群G4に属するエクステンション・クーリング装置４１，エクステンション装置４２，周辺露光装置５１及び図示しない露光装置に対してアクセスして，各々に対してウェハＷを搬送できるように構成されている。
【００３５】
次に，上述した減圧乾燥装置３３の構成について説明する。減圧乾燥装置３３は，図４に示すように，ウェハＷを収容して気密に閉鎖可能なチャンバ６０を有している。チャンバ６０は，ウェハＷを載置し，厚みのある略円盤状の載置台６１と，載置台６１の上方に位置し，下面が開口した略円筒状の蓋体６２とで構成されている。
【００３６】
蓋体６２には，蓋体６２を上下動させる昇降機構６３が設けられている。昇降機構６３は，例えばモータによって蓋体６２を昇降させる駆動部６４と，当該駆動部６４を制御する制御部６５とを有している。これによって，蓋体６２が上下方向に移動可能となり，蓋体６２を下降させて，載置台６１と一体となって処理室Ｓを形成することができる。
【００３７】
蓋体６２の内側部には，内側に凸状に突出した凸部６６が環状に設けられている。これによって，後述する整流板７２の外縁部を支持し，持ち上げることができる。
【００３８】
蓋体６２の上面の中央部には，処理室Ｓ内の雰囲気を排気する排気部としての排気管６７が設けられている。排気管６７は，処理室Ｓ内の雰囲気を所定の圧力で吸引する吸引ポンプ６８に連通されており，当該吸引ポンプ６８は，ポンプ制御部６９によってその吸引力が制御されている。かかる構成によって，吸引ポンプ６８が作動され，排気管６７からチャンバ６０内の雰囲気を排気し吸引して，チャンバ６０内を減圧するとともに，チャンバ６０内に気流を発生させることができる。また，蓋体６２の下端面には，処理室Ｓの気密性を確保するためのＯリング７０が設けられている。
【００３９】
排気管６７には，当該排気管６７を介して処理室Ｓに気体，例えば窒素ガスを供給する供給部７１が接続されている。これによって，減圧乾燥処理後に処理室Ｓに気体を供給し，減圧状態を回復させたり，処理室Ｓの雰囲気をパージしたりすることができる。
【００４０】
チャンバ６０内には，排気管６７の排気によって生じた処理室Ｓ内の気流を制御する整流板７２が設けられている。整流板７２は，例えば薄い円盤状の形状を有し，下面が平坦に形成されている。整流板７２の下面は，表面加工が施されており，表面粗さが，例えば２００μｍ以下に加工されている。整流板７２には，温度伝導率の低い材質，例えば低密度ポリエチレン，石英，ポーラス材等が使用される。
【００４１】
整流板７２の下面には，図５に示すように円柱状で長さの同じ３つの支持部材７３が取り付けられている。これによって，整流板７２が支持部材７３を介して載置台６１に平行に載置されるようになっている。
【００４２】
整流板７２は，図６に示すように蓋体６２の内径よりも僅かに小さい径を有している。整流板７２と蓋体６２との間には，整流板７２が蓋体６２に対して可動となる程度，例えば１ｍｍ程度のわずかな隙間ｄが設けられている。
【００４３】
整流板７２の外縁部には，同一径，例えば２ｍｍ程度の複数の通気孔７４が同一円周上に等間隔で設けられている。通気孔７４は，載置台６１上のウェハＷの外方の位置に対応する位置に配置されている。これによって，排気管６７からの排気時に，ウェハＷ表面上の雰囲気が各通気孔７４から蓋体６２の上部に吸引され，ウェハＷ表面上にウェハＷ中心部から外縁部に向かう放射状の気流が形成される。
【００４４】
整流板７２の外縁部は，上述した凸部６６上に支持自在に構成されている。したがって，蓋体６２が上昇されると，整流板７２が凸部６６上に支持され，整流板７２も上昇される。また，蓋体６２が下降され，処理室Ｓが形成された際には，整流板７２の凸部６６による支持が解除され，整流板７２は，凸部６６とは非接触の状態で支持部材７３を介して載置台６１上に載置される。
【００４５】
載置台６１には，載置台６１を所定の温度に調節する温度調節部材，例えばペルチェ素子７５が設けられている。ペルチェ素子７５は，ペルチェ素子７５の電源を制御する温度制御部７６によってその温度が制御されている。これによって，載置台６１を所定の温度に調節し，載置台６１上のウェハＷを所定の温度に維持することができる。
【００４６】
載置台６１上には，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対応する位置にプロキシミティピン７７が設けられており，ウェハＷは，このプロキシミティピン７７上に載置される。これによって，載置台６１との間の熱交換が輻射熱によって行われるため，ウェハＷ面内温度の均一性を確保することができる。
【００４７】
載置台６１の下方には，ウェハＷの下面を支持し，昇降させるための手段である昇降ピン７８が複数設けられている。当該昇降ピン７８は，フランジ７９上に直立されて設けられている。また，昇降ピン７８は，載置台６１の中央付近に設けられた貫通孔８０内を移動自在である。昇降ピン７８には，フランジ７９を上下方向に移動させるシリンダ等を備えた昇降駆動部８１が設けられている。これによって，昇降ピン７８は，貫通孔８０内を上下方向に移動して，載置台６１上に突出できる。
【００４８】
フランジ７９と貫通孔８０との間の昇降ピン７８は，伸縮自在なベローズ８２によって覆われている。これによって，外部の雰囲気が貫通孔８０を通じて処理室Ｓに流入することが防止され，処理室Ｓの気密性が確保される。
【００４９】
次に，以上のように構成されている減圧乾燥装置３３の作用について，塗布現像処理装置１で行われるフォトリソグラフィー工程のプロセスと共に説明する。
【００５０】
先ず，ウェハ搬送体７がカセットＣから未処理のウェハＷを１枚取りだし，第３の処理装置群G3に属するエクステンション装置３２に搬送する。次いでウェハＷは，主搬送装置１３によってアドヒージョン装置３１に搬入され，ウェハＷ上にレジスト液の密着性を向上させる，例えばHMDSが塗布される。次にウェハＷは，クーリング装置３０に搬送され，所定の温度に冷却される。そして，所定温度に冷却されたウェハＷは，主搬送装置１３によって，例えばレジスト塗布装置１７に搬送される。
【００５１】
レジスト塗布装置１７に搬送されたウェハＷは，いわゆる一筆書きの要領でレジスト液が塗布される。そして，レジスト液の塗布されたウェハＷは，主搬送装置１３によって減圧乾燥装置３３に搬送される。
【００５２】
減圧乾燥装置３３で後述する処理が施されたウェハＷは，プリベーキング装置３５に搬送されて，加熱処理され，次にエクステンション・クーリング装置４１に搬送されて，冷却される。次いでウェハＷはエクステンション・クーリング装置４１からウェハ搬送体５０によって取り出され，その後，周辺露光装置５１を経て露光装置（図示せず）に搬送され，ウェハＷ上に所定のパターンが露光される。露光処理の終了したウェハＷは，ウェハ搬送体５０によりエクステンション装置４２に搬送され，その後，主搬送装置１３によってポストエクスポージャーベーキング装置４４に搬送され，加熱処理が行われた後，クーリング装置４３に搬送され，冷却処理される。
【００５３】
当該冷却処理が終了したウェハＷは，主搬送装置１３によって現像処理装置１８に搬送され，現像処理が行われ，その後ポストベーキング装置４６，クーリング装置３０と順次搬送され，各装置において所定の処理が施される。その後，ウェハＷは，エクステンション装置３２を介してカセットＣに戻され，一連の塗布現像処理が終了する。
【００５４】
次いで，上述の減圧乾燥装置３３の作用について詳しく説明する。先ず，ウェハＷが減圧乾燥装置３３に搬送される前に，載置台６１は，温度制御部７６及びペルチェ素子７５によって所定の温度，例えば常温，例えば２３℃に維持される。
【００５５】
そして，前工程のレジスト塗布処理が終了すると，ウェハＷは主搬送装置１３によって減圧乾燥装置３３内に搬送され，載置台６１上方まで移動される。このとき，蓋体６２は，図７に示すように昇降機構６３によって上昇し，また，整流板７２も蓋体６２の凸部６６に支持され，上昇している。
【００５６】
載置台６１上方まで移動されたウェハＷは，載置台６１上で予め上昇して待機していた昇降ピン７８に受け渡される。次いで，昇降ピン７８が昇降駆動部８１によって下降され，ウェハＷが載置台６１上のプロキシミティピン７７上に載置される。
【００５７】
次いで，蓋体６２が下降され，蓋体６２の下端部が載置台６１に密着して，気密な処理室Ｓが形成される。このとき蓋体６２の下降に伴って整流板７２が下降され，蓋体６２の下降の途中で，整流板７２が支持部材７３を介して載置台６１上に載置される。これによって，整流板７２の凸部６６による支持が解除され，整流板７２と蓋体６２とが非接触状態になる。また，整流板７２は，支持部材７３によって載置台６１に対して平行になる。
【００５８】
次に，吸引ポンプ６８が作動され，処理室Ｓの雰囲気が排気管６７を介して所定の圧力，例えば０．０１３ＫＰａで吸引され始める。これに伴い処理室Ｓに気流が形成される。当該気流は，図４に示すように整流板７２に沿ってウェハＷ表面をウェハＷ中心部から外縁部に流れ，その後通気孔７４から蓋体６２上部に流通し，排気管６７に流れる。これによって，ウェハＷ表面のレジスト膜の表層が均され，平坦化されるとともに，減圧によってレジスト膜内の溶剤が蒸発し，ウェハＷ上のレジスト膜が乾燥される。
【００５９】
その後，所定時間当該減圧乾燥処理が行われる。そして，所定時間経過後に吸引ポンプ６８が停止され，処理室Ｓの減圧が停止される。次いで，供給部７１から排気管６７を介して，窒素ガスが処理室Ｓに供給され，処理室Ｓの圧力が回復される。そして，処理室Ｓが大気圧にまで回復されると，窒素ガスの供給が停止される。
【００６０】
次いで蓋体６２が昇降機構６３によって上昇され，処理室Ｓが開放される。このとき，凸部６６が整流板７２の外縁部を支持し，整流板７２も上昇される。そして，搬入時と同様にして，ウェハＷが昇降ピン７８によって上昇され，主搬送装置１３に受け渡される。主搬送装置１３に受け渡されたウェハＷは，減圧乾燥装置３３から搬出され，次工程の行われるプリベーキング装置３５に搬送される。
【００６１】
以上の実施の形態では，整流板７２に支持部材７３を取り付け，整流板７２を支持部材７３を介して載置台６１に載置できるようにしたので，載置台６１を基準にして整流板７２とウェハＷとを平行に維持することができる。従って，整流板７２とウェハＷ間の隙間がウェハＷ面内において均一になり，当該隙間を流れる気流が均一に形成される。これによって，ウェハＷの減圧乾燥処理がウェハＷ面内において均一に行われ，ウェハＷ上に膜厚の均一なレジスト膜が形成される。
【００６２】
整流板７２の形状を蓋体６２の内径に適合するように形成し，整流板７２の外縁部の同一半径上に，複数の通気孔７４を等間隔で設けるようにしたので，ウェハＷ中心部から外縁部に向かって流速の同じ均一な気流が形成される。
【００６３】
蓋体６２に凸部６６を設けたので，整流板７２を蓋体６２に連動させて上下動させることができる。これによってウェハＷを減圧乾燥装置３３に搬送する際に，ウェハＷと整流板７２とが干渉することを回避できる。また，処理室Ｓが形成される際には，整流板７２の凸部６６による支持が解除され，整流板７２と蓋体６２とが非接触の状態になるので，蓋体６２によって整流板７２の平行性が害されることが防止される。
【００６４】
整流板７２の下面に表面加工を施したので，気流が整流板７２の下面に沿ってスムーズに流れ，安定した気流が形成される。これによって，気流によって左右されるウェハＷの減圧乾燥が適切に行われる。また，整流板７２の材質に温度伝導率の低い高密度ポリエチレン又は石英を使用したので，整流板７２からの熱の輻射が低減され，ウェハＷを適切な温度に維持することができる。なお，整流板７２の材質は，高密度ポリエチレンや石英に限らず，温度伝導率が１×１０−８〜１×１０−４ｍ２／ｓｅｃ以下の他の材質であってよい。
【００６５】
以上の実施の形態では，整流板７２の下面に支持部材７３を取り付けたが，支持部材７３を載置台６１側に取り付けるようにしてもよい。
【００６６】
また，図８に示すように載置台６１に支持部材７３の下部を受容する凹部９０を設けるようにしてもよい。このように凹部９０を設けることによって，支持部材７３を適切な位置にアライメントすることができる。また，凹部９０を支持部材７３に適合する形状に設けることによって，支持部材７３の位置がずれることが防止できる。これによって，整流板７２の位置が安定し，ウェハＷと整流板７２との間に安定した適切な気流が形成される。
【００６７】
また，図９に示すように凹部９０に，当該凹部９０内の雰囲気を排気する排気管９１を設けるようにしてもよい。これによって，支持部材７３と凹部９０との接触によって発生する塵埃等を排気し，当該塵埃によってウェハＷが汚染されることが防止される。
【００６８】
前記実施の形態で記載した蓋体６２の凸部６６は，環状に設けられていたが，図１０に示すように蓋体６２の内側に突出した凸部９５を所定箇所に複数設けるようにしてもよい。これによって，蓋体６２と整流板７２との接触面積が減少され，当該接触によって発生する不純物が低減できる。
【００６９】
また，前記実施の形態で記載した整流板６２の通気孔７４の形状は，円形であったが，他の形状，例えばスリット形状や円弧形状であってもよい。
【００７０】
上述の実施の形態では，整流板７２を支持部材７３によって支持していたが，整流板７２の上面に，蓋体が整流板７２を吊り下げるための吊り下げ支持部材を設け，当該吊り下げ支持部材に係止部を設け，さらに蓋体に当該係止部を係止する被係止部を設けるようにしてもよい。以下，かかる構成を採用した例を第２の実施の形態として説明する。
【００７１】
図１１に示すように，整流板７２の上面に，整流板７２を吊り下げるための吊り下げ支持部材１００を取り付ける。当該吊り下げ支持部材１００の上端部に，外方に凸状に突出した係止部１０１を設ける。また，蓋体１０２の当該係止部１０１に対向する位置に，係止部１０１が上下方向に移動可能な大きさの穴１０３を設ける。穴１０３の開口部に，内側に凸状に突出した被係止部１０４を設ける。当該被係止部１０４は，穴１０３内の係止部１０１を係止することができる。吊り下げ支持部材１００の長さは，蓋体１０２が下降し，処理室Ｓが形成された際に，係止部１０１と被係止部１０４との係止が解除された状態になるようにする。なお，他の構成は，上述の第１の実施の形態と同様である。
【００７２】
そして，ウェハＷが減圧乾燥装置３３に搬送される際に，蓋体１０２が上昇された時には，図１２に示すように吊り下げ支持部材１００の係止部１０１が被係止部１０４に係止され，吊り下げ支持部材１００によって整流板７２が上昇される。そして，ウェハＷが載置台６１上に載置されると，蓋体１０２が下降され，整流板７２も下降される。蓋体１０２が下降して処理室Ｓが形成された時には，整流板７２が支持部材７３を介して載置台６１上に載置され，吊り下げ支持部材１００の係止部１０１と被係止部１０４との係止が解除される。
【００７３】
かかる第２の実施の形態によれば，ウェハＷが減圧乾燥装置３３に搬入出される際に，整流板７２が上方に退避できるので，ウェハＷと整流板７２との接触を回避することができる。また，整流板７２が支持部材７３を介して載置台６１上に載置された際には，係止部１０１と被係止部１０４との係止が解除されるため，整流板７２の平行が蓋体１０２によって妨げられない。
【００７４】
第２の実施の形態において，前記蓋体１０２に設けられた穴１０３に，当該穴１０３内の雰囲気を排気する排気管を設けるようにしてもよい。これによって，係止部１０１と被係止部１０４との接触によって発生するパーティクル等を排気し，当該不純物によってウェハＷが汚染されることを防止できる。
【００７５】
以上の実施の形態で記載した支持部材７３を取り外し自在にしてもよい。かかる場合，例えば図１３に示すように整流板１１５の下面側には，支持部材１１６が挿入自在な有底孔１１７が設けられる。有底孔１１７の内周面には，当該有底孔１１７内の中心方向に付勢されたストッパ１１８が設けられている。ストッパ１１８は，先端部に球形部１１８ａを有し，例えばバネ１１９によって付勢されている。また，支持部材１１６の外周は，有底孔１１７に適合した外形を有し，支持部材１１６の外周の一部には，ストッパ１１８の球形部１１８ａが入り込むことのできる環状で略Ｖ字形状の溝１２０が設けられる。
【００７６】
そして，支持部材１１６を取り付ける際には，支持部材１１６を有底孔１１７内に挿入し，ストッパ１１８の球形部１１８ａを溝１２０に入り込ませる。これによって，支持部材１１６がストッパ１１８によって係止される。一方，支持部材１１６を取り外す際には，支持部材１１６を有底孔１１７内から引き出すことによって，ストッパ１１８の球形部１１８ａがバネ１１９側に押され，ストッパ１１８による係止が解除される。かかる構成によって，支持部材１１６が整流板１１５に取り外し自在となり，長さの異なる支持部材１１６に交換することによって，整流板１１５とウェハＷとの距離を変更し，気流の流速を変更することができる。したがって，ウェハＷのレシピにあった気流を形成することができ，ウェハＷ上に適切なレジスト膜が形成される。
【００７７】
また，このようにストッパ１１８の球形部１１８ａをＶ字形状の溝１２０に入り込ませて支持部材１１６を係止する場合には，ストッパ１１８が溝１２０に完全に固定されないため，ストッパ１１８と溝１２０との間に若干の遊びが生じ，小さな外力によっても整流板１１５が動く恐れがある。そこで，図１４に示すように，蓋体６２の上面に，整流板１１５を上方から下方に向けて押圧する弾性部材，例えばスプリング１２５を設けるようにしてもよい。スプリング１２５は複数設けられ，整流板１１５の平行を保つように蓋体６２の上面において均等に配置される。この場合，蓋体６２がスプリング１２５の反力によって浮き上がらないようなスプリング１２５を用いる。すなわち，スプリング１２５の反力に等しいスプリング１２５の整流板１１５を押しつける力よりも，昇降機構６３によって蓋体６２を下降させる力の方が大きくなるようなバネ定数，数，長さ等を有するスプリング１２５を用いる。
【００７８】
かかる構成によって，蓋体６２が下降した際に，スプリング１２５によって整流板１１５が下方に押しつけられ，整流板１１５の微動が防止される。また，スプリング１２５によって整流板１１５を押しつけるため，万一蓋体６２が傾いた場合でも，スプリング１２５によって傾きが緩和され，整流板１１５の平行が確保される。なお，スプリング１２５の数量は単数でもよく，その場合には，スプリング１２５は蓋体６２の中央部に設けられる。
【００７９】
以上の実施の形態では，昇降ピン７８が移動するための貫通孔８０を載置台６１の中央部に設けていたが，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対応する位置に設けるようにしてもよい。このような場合，例えば図１５に示すように孔としての貫通孔１３０をプロキシミティピン７７と干渉しない位置で，ウェハＷの外縁部に対応する位置に配置する。これによって，載置台６１上で温度の異なる貫通孔１３０が，製品として使用されないウェハＷの外縁部の位置に設けられるため，製品として使用される部分におけるウェハＷ面内温度の均一性が向上される。
【００８０】
また，貫通孔１３０を載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置に設けた場合に，搬送アームとしての主搬送装置１３と昇降ピン７８とが干渉しないように，貫通孔を配置し，主搬送装置１３のアーム部に切り欠き部を設けるようにしてよい。
【００８１】
このような場合，例えば図１６に示すように，３つの貫通孔１３５，１３６及び１３７のうちの貫通孔１３５を，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置であって，主搬送装置１３に最も近い位置に設ける。そして，貫通孔１３６と貫通孔１３７を，載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置であって，主搬送装置１３の反対側の位置に設ける。
【００８２】
一方，主搬送装置１３のアーム部１３ａは，先端が略Ｃ型形状に形成されており，ウェハＷの外縁部を支持してウェハＷを搬送できるようになっている。当該アーム部１３ａには，貫通孔１３５から突出する昇降ピン７８と干渉しないように切り欠き部１３ｂを設ける。切り欠き部１３ｂは，アーム部１３ａが載置台６１上に位置した時に貫通孔１３５に対向する位置に設けられる。アーム部１３ａの先端部には，前記貫通孔１３６及び１３７から突出する昇降ピン７８に干渉しないように空隙部Ｋが設けられる。これによって，主搬送装置１３が載置台６１上に進入した際に，貫通孔１３５から突出する昇降ピン７８は，切り欠き部１３ｂ内に位置し，他の昇降ピン７８は，アーム部１３ａの空隙部Ｋ内に位置する。したがって，貫通孔１３５，１３６及び１３７を載置台６１上のウェハＷの外縁部に対向する位置に設けた場合においても，主搬送装置１３が昇降ピン７８と干渉することなく，ウェハＷの搬送を好適に行うことができる。
【００８３】
前記の実施の形態における整流板７２の材質に，多孔性を有するもの，例えばポーラス材を用いてもよい。このように，整流板７２の材質を多孔性を有するものにすることによって，図１７に示すように整流板７２とウェハＷとの間に形成される気流の一部が整流板７２内を通過するようになる。これによって，ウェハＷ外縁部で集中して行われていたレジスト液の溶剤の蒸発がウェハＷ面内全面で行われるようになる。このため，ウェハＷ上のレジスト液がウェハＷ外縁部に流れては蒸発されることが抑制されるため，ウェハＷ外縁部に形成されるレジスト膜の盛り上がりが抑制される。
【００８４】
また，以上で説明した実施の形態は，半導体ウェハデバイス製造プロセスのフォトリソグラフィー工程におけるウェハの減圧乾燥装置について適用したものであったが，本発明は半導体ウェハ以外の基板例えばＬＣＤ基板，フォトマスク用のガラス基板の減圧乾燥装置においても適用できる。
【００８５】
【発明の効果】
本発明によれば，基板上に均一な気流が形成されるため，当該気流によって基板上の塗布膜が均一な厚みに平坦化される。したがって，基板上に所定膜厚の塗布膜が形成され，歩留まりの向上が図られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施の形態にかかる減圧乾燥装置を搭載した塗布現像処理システムの構成の概略を示す平面図である。
【図２】図１の塗布現像処理システムの正面図である。
【図３】図１の塗布現像処理システムの背面図である。
【図４】減圧乾燥装置の構成を示す縦断面の説明図である。
【図５】整流板の斜視図である。
【図６】蓋体と蓋体内の整流板を示す蓋体の横断面の説明図である。
【図７】蓋体が上昇した時の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図８】支持部材の凹部を設けた場合の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図９】図８の凹部に排気管を設けた場合の載置台の縦断面の説明図である。
【図１０】蓋体の他の構成例を示す蓋体の横断面の説明図である。
【図１１】整流板を吊り下げ支持部材で支持する場合の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図１２】図１１の減圧乾燥装置であって蓋体を上昇させた時の縦断面の説明図である。
【図１３】支持部材が取り外し可能な場合の整流板の縦断面の説明図である。
【図１４】蓋体にスプリングを設けた場合の減圧乾燥装置の概略を示す縦断面の説明図である。
【図１５】貫通孔をウェハの外縁部に対向する位置に設けた場合の減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【図１６】搬送アームと貫通孔との位置関係を示す載置台の平面図である。
【図１７】整流板に多孔性を有する材質を使用した場合の気流の流れを示す減圧乾燥装置の縦断面の説明図である。
【符号の説明】
１ 塗布現像処理システム
３３ 減圧乾燥装置
６０ チャンバ
６１ 載置台
６２ 蓋体
６６ 凸部
６７ 排気管
６８ 吸引ポンプ
７２ 整流板
７３ 支持部材
７４ 通気孔
７８ 昇降ピン
Ｓ 処理室
Ｗ ウェハ
Claims (16)
- 基板を処理する処理装置であって，
基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，
前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，
前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，
前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，
前記整流板の下面は，平坦に形成されており，
前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，
前記整流板は，前記蓋体の内径とほぼ同一径を有する円盤形状を有し，蓋体の内側に配置され，
前記整流板には，減圧の際に整流板の下側の雰囲気を整流板の上側に流す複数の通気孔が同一円周上に設けられており，
前記通気孔は，平面から見て前記載置台上の基板の外方に設けられていることを特徴とする，基板の処理装置。 - 基板を処理する処理装置であって，
基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，
前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，
前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，
前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，
前記整流板の下面は，平坦に形成されており，
前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，
前記蓋体は，前記整流板を支持した状態で上下動可能であり，
前記整流板の下面には，３以上の支持部材が取り付けられており，
前記整流板は，前記蓋体が下降した際に，前記支持部材を介して前記載置台上に載置されることを特徴とする，基板の処理装置。 - 基板を処理する処理装置であって，
基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，
前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，
前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，
前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，
前記整流板の下面は，平坦に形成されており，
前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，
前記蓋体には，当該蓋体を昇降させる昇降機構が取り付けられ，
前記蓋体の内側部には，内側に突出する凸部が設けられており，
前記整流板の外縁部は，前記凸部上に支持可能に構成されていることを特徴とする，基板の処理装置。 - 基板を処理する処理装置であって，
基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，
前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，
前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，
前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，
前記整流板の下面は，平坦に形成されており，
前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，
前記載置台には，前記支持部材の下部を受容する凹部が設けられていることを特徴とする，基板の処理装置。 - 前記凹部内の雰囲気を排気するための排気管を有することを特徴とする，請求項４に記載の基板の処理装置。
- 基板を処理する処理装置であって，
基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，
前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，
前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，
前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，
前記整流板の下面は，平坦に形成されており，
前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，
前記支持部材は，前記整流板から取り外し自在に構成されていることを特徴とする，基板の処理装置。 - 前記整流板は，前記支持部材を挿入自在な有底孔を有し，
前記有底孔は，当該有底孔の内周面から有底孔内に付勢されたストッパを有し，
前記ストッパは，少なくとも一部に球形部を有し，
前記支持部材の外周には，前記ストッパの球形部が入り込む，環状で略Ｖ字形状の溝が設けられていることを特徴とする，請求項６に記載の基板の処理装置。 - 前記蓋体には，前記整流板を上方から下方に向けて押圧する弾性部材が設けられていることを特徴とする，請求項７に記載の基板の処理装置。
- 基板を処理する処理装置であって，
基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，
前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，
前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，
前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，
前記整流板の下面は，平坦に形成されており，
前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，
前記載置台には，基板を昇降させる昇降ピンが上下に移動するための孔が設けられており，
前記孔は，前記載置台上の基板の外縁部に対応する位置に設けられていることを特徴とする，基板の処理装置。 - 基板を処理する処理装置であって，
基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，
前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，
前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，
前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，
前記整流板の下面は，平坦に形成されており，
前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，
前記整流板の材質は，高密度ポリエチレン又は石英であることを特徴とする，基板の処理装置。 - 基板を処理する処理装置であって，
基板を収容し，気密に閉鎖可能な処理室を形成するチャンバと，
前記処理室の雰囲気を前記チャンバの上部から排気して，当該処理室を減圧させるための排気部と，
前記減圧する際に前記処理室内に形成される気流を制御する整流板とを有し，
前記チャンバは，基板を載置する載置台と，当該載置台上の基板を上方から覆って前記載置台と一体となって処理室を形成する，下面が開口した略円筒状の蓋体とを有し，
前記整流板の下面は，平坦に形成されており，
前記チャンバ内には，前記整流板を前記載置台に対して平行になるように支持する支持部材が設けられ，
整流板の材質には，多孔性を有するものが用いられていることを特徴とする，基板の処理装置。 - 前記整流板は，前記蓋体の内径とほぼ同一径を有する円盤形状を有し，
前記整流板には，複数の通気孔が同一円周上に設けられており，
前記通気孔は，平面から見て前記載置台上の基板の外方に設けられていることを特徴とする，請求項２〜１１のいずれかに記載の基板の処理装置。 - 前記蓋体を昇降させる昇降機構を有し，
前記整流板の上面には，前記蓋体が前記整流板を吊り下げるための吊り下げ支持部材が取り付けられており，
前記吊り下げ支持部材には，係止部が設けられており，
前記蓋体には，前記係止部を係止する被係止部が設けられていることを特徴とする，請求項１，２，４〜１１のいずれかに記載の基板の処理装置。 - 前記係止部は，水平方向に突出する凸形状を有し，
前記蓋体には，前記係止部が上下に移動可能な穴が設けられており，
前記被係止部は，前記穴内に水平に突出する凸形状を有し，
更に，前記吊り下げ支持部材は，前記蓋体が下降し前記処理室が形成された際に，前記係止部と前記被係止部との係止が解除された状態になるように形成されていることを特徴とする，請求項１３に記載の基板の処理装置。 - 前記穴内の雰囲気を排気するための排気管を有することを特徴とする，請求項１４に記載の基板の処理装置。
- 請求項９の基板の処理装置に基板を搬送する搬送アームであって，
基板の外縁部を支持するアーム部を有し，
前記アーム部には，前記昇降ピンに干渉しないように切り欠きが設けられていることを特徴とする，搬送アーム。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001118738A JP4025030B2 (ja) | 2001-04-17 | 2001-04-17 | 基板の処理装置及び搬送アーム |
| US10/122,389 US6773510B2 (en) | 2001-04-17 | 2002-04-16 | Substrate processing unit |
| KR1020020020704A KR100798659B1 (ko) | 2001-04-17 | 2002-04-16 | 기판처리장치 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001118738A JP4025030B2 (ja) | 2001-04-17 | 2001-04-17 | 基板の処理装置及び搬送アーム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002313709A JP2002313709A (ja) | 2002-10-25 |
| JP4025030B2 true JP4025030B2 (ja) | 2007-12-19 |
Family
ID=18969078
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001118738A Expired - Fee Related JP4025030B2 (ja) | 2001-04-17 | 2001-04-17 | 基板の処理装置及び搬送アーム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6773510B2 (ja) |
| JP (1) | JP4025030B2 (ja) |
| KR (1) | KR100798659B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180031849A (ko) * | 2016-09-19 | 2018-03-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Families Citing this family (47)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6808566B2 (en) * | 2001-09-19 | 2004-10-26 | Tokyo Electron Limited | Reduced-pressure drying unit and coating film forming method |
| US7160577B2 (en) | 2002-05-02 | 2007-01-09 | Micron Technology, Inc. | Methods for atomic-layer deposition of aluminum oxides in integrated circuits |
| KR100992803B1 (ko) * | 2002-07-25 | 2010-11-09 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 용기 |
| JP4420380B2 (ja) * | 2003-09-10 | 2010-02-24 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
| JP4074593B2 (ja) | 2004-02-26 | 2008-04-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 減圧乾燥装置及び減圧乾燥方法 |
| EP1771598B1 (en) | 2004-06-28 | 2009-09-30 | Cambridge Nanotech Inc. | Atomic layer deposition (ald) system and method |
| JP3917994B2 (ja) * | 2004-08-24 | 2007-05-23 | 株式会社石井表記 | 塗布膜用乾燥炉 |
| US7588988B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition |
| US7651306B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-01-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian robot cluster tool architecture |
| US7819079B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-10-26 | Applied Materials, Inc. | Cartesian cluster tool configuration for lithography type processes |
| US7699021B2 (en) | 2004-12-22 | 2010-04-20 | Sokudo Co., Ltd. | Cluster tool substrate throughput optimization |
| US7798764B2 (en) | 2005-12-22 | 2010-09-21 | Applied Materials, Inc. | Substrate processing sequence in a cartesian robot cluster tool |
| US20060130767A1 (en) | 2004-12-22 | 2006-06-22 | Applied Materials, Inc. | Purged vacuum chuck with proximity pins |
| US7662729B2 (en) | 2005-04-28 | 2010-02-16 | Micron Technology, Inc. | Atomic layer deposition of a ruthenium layer to a lanthanide oxide dielectric layer |
| US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
| JP4145905B2 (ja) | 2005-08-01 | 2008-09-03 | セイコーエプソン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
| US7575978B2 (en) | 2005-08-04 | 2009-08-18 | Micron Technology, Inc. | Method for making conductive nanoparticle charge storage element |
| US7989290B2 (en) | 2005-08-04 | 2011-08-02 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming rhodium-based charge traps and apparatus including rhodium-based charge traps |
| JP4680030B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2011-05-11 | 東京応化工業株式会社 | 減圧処理装置 |
| JP4606348B2 (ja) * | 2006-03-06 | 2011-01-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置及び基板搬送方法並びに記憶媒体 |
| US20070283709A1 (en) * | 2006-06-09 | 2007-12-13 | Veeco Instruments Inc. | Apparatus and methods for managing the temperature of a substrate in a high vacuum processing system |
| JP4901323B2 (ja) * | 2006-06-20 | 2012-03-21 | 東京応化工業株式会社 | 基板処理装置 |
| CN100437262C (zh) * | 2006-11-10 | 2008-11-26 | 友达光电股份有限公司 | 真空承载设备 |
| JP5436763B2 (ja) * | 2007-07-27 | 2014-03-05 | 東京エレクトロン株式会社 | 気密モジュール、及び該気密モジュールの排気方法 |
| DE102008026001B4 (de) * | 2007-09-04 | 2012-02-16 | Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung und Bearbeitung von Schichten auf Substraten unter definierter Prozessatmosphäre und Heizelement |
| JP5194208B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2013-05-08 | 日本フェンオール株式会社 | 半導体処理ユニット及び半導体製造装置 |
| JP5067279B2 (ja) * | 2008-06-25 | 2012-11-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
| KR101558596B1 (ko) * | 2008-09-25 | 2015-10-07 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 감압 건조 장치 및 감압 건조 방법 |
| KR101242989B1 (ko) * | 2008-11-05 | 2013-03-12 | 가부시끼가이샤 도시바 | 성막 장치, 성막 방법 및 반도체 장치 |
| JP2010110678A (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-20 | Toray Eng Co Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法 |
| JP5183659B2 (ja) * | 2010-03-23 | 2013-04-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
| CN103331243B (zh) * | 2013-05-28 | 2016-01-27 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 涂布设备的热处理腔室 |
| CN103760696A (zh) * | 2014-01-21 | 2014-04-30 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 光阻干燥装置 |
| JP6404111B2 (ja) * | 2014-12-18 | 2018-10-10 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
| CN104786656B (zh) * | 2015-03-25 | 2017-05-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种打印基台及喷墨打印方法 |
| JP6779701B2 (ja) * | 2016-08-05 | 2020-11-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び基板処理方法を実行させるプログラムが記録された記憶媒体 |
| KR102603528B1 (ko) * | 2016-12-29 | 2023-11-17 | 삼성전자주식회사 | 기판 처리 장치 및 이를 포함한 기판 처리 시스템 |
| JP6525080B1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-06-05 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの処理装置及び処理方法 |
| KR102139615B1 (ko) | 2018-07-10 | 2020-08-12 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| CN109332104A (zh) * | 2018-08-03 | 2019-02-15 | 大连理工大学 | 存在微结构的基底表面薄膜上表面平整化装置与方法 |
| CN109985758B (zh) * | 2019-04-08 | 2021-08-10 | 桂林恒泰电子科技有限公司 | 一种具有超强耐腐蚀性的线路板的加工工艺 |
| KR102256689B1 (ko) * | 2019-07-22 | 2021-05-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| KR102264292B1 (ko) * | 2019-07-22 | 2021-06-15 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
| JP7437985B2 (ja) * | 2020-03-16 | 2024-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
| CN112947003A (zh) * | 2021-03-25 | 2021-06-11 | 青岛天仁微纳科技有限责任公司 | 一种用于基片的烘烤设备 |
| CN113457938B (zh) * | 2021-06-28 | 2022-03-11 | 大连理工大学 | 一种调节旋涂成膜腔室气氛的同步罩结构 |
| CN114200777B (zh) * | 2021-12-21 | 2023-06-13 | 中国科学院光电技术研究所 | 一种方形基片夹持装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3077114B2 (ja) * | 1991-05-20 | 2000-08-14 | 東京応化工業株式会社 | 塗布装置 |
| KR100284559B1 (ko) * | 1994-04-04 | 2001-04-02 | 다카시마 히로시 | 처리방법 및 처리장치 |
| JP2756638B2 (ja) * | 1994-04-04 | 1998-05-25 | 東京応化工業株式会社 | 回転カップ式処理装置 |
| JP3029767B2 (ja) * | 1994-04-07 | 2000-04-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 薄膜形成装置 |
| US5891350A (en) * | 1994-12-15 | 1999-04-06 | Applied Materials, Inc. | Adjusting DC bias voltage in plasma chambers |
| JP3707849B2 (ja) * | 1996-01-16 | 2005-10-19 | 東京応化工業株式会社 | 回転カップ式液体塗布装置 |
| TW459266B (en) * | 1997-08-27 | 2001-10-11 | Tokyo Electron Ltd | Substrate processing method |
| TW418452B (en) * | 1997-10-31 | 2001-01-11 | Tokyo Electron Ltd | Coating process |
| US6415736B1 (en) * | 1999-06-30 | 2002-07-09 | Lam Research Corporation | Gas distribution apparatus for semiconductor processing |
| JP3623134B2 (ja) * | 1999-09-14 | 2005-02-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
2001
- 2001-04-17 JP JP2001118738A patent/JP4025030B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2002
- 2002-04-16 KR KR1020020020704A patent/KR100798659B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-04-16 US US10/122,389 patent/US6773510B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20180031849A (ko) * | 2016-09-19 | 2018-03-29 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
| KR101870655B1 (ko) | 2016-09-19 | 2018-08-03 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20020081118A (ko) | 2002-10-26 |
| US20020148566A1 (en) | 2002-10-17 |
| JP2002313709A (ja) | 2002-10-25 |
| KR100798659B1 (ko) | 2008-01-29 |
| US6773510B2 (en) | 2004-08-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP4025030B2 (ja) | 基板の処理装置及び搬送アーム | |
| JP3910821B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
| JP3967618B2 (ja) | 基板の処理方法及び基板の処理システム | |
| JP5060517B2 (ja) | インプリントシステム | |
| JP3989221B2 (ja) | 熱処理装置および熱処理方法 | |
| US20090179366A1 (en) | Apparatus for supporting a substrate during semiconductor processing operations | |
| KR100583134B1 (ko) | 기판의 처리장치 및 처리방법 | |
| KR20010094981A (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
| WO2011145611A1 (ja) | インプリントシステム、インプリント方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
| JP3811103B2 (ja) | 熱的処理装置および熱的処理方法 | |
| JP4043831B2 (ja) | 熱処理装置 | |
| JP5611112B2 (ja) | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| JP2012009830A (ja) | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| JP4267809B2 (ja) | 基板の処理装置及び処理方法 | |
| JP3831310B2 (ja) | 処理装置 | |
| JP3827205B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP3559219B2 (ja) | 塗布現像処理システム及び塗布現像処理方法 | |
| JP2002270484A (ja) | 冷却処理装置及び冷却処理方法 | |
| JP2001274051A (ja) | 加熱処理装置 | |
| JP4066255B2 (ja) | 基板の処理装置及び基板の処理方法 | |
| JPH0456146A (ja) | 基板処理装置 | |
| KR102403801B1 (ko) | 리프트 핀 어셈블리 및 이를 갖는 진공 처리 장치 | |
| WO2023032214A1 (ja) | 熱処理装置、熱処理方法及び記憶媒体 | |
| KR20210085973A (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
| TW202323985A (zh) | 基板處理裝置及基板處理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040922 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041012 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041208 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070206 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070402 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071002 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071004 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |