JP4011178B2 - 半導体装置の製造方法、それに使用する樹脂基板及びテープ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置の製造方法、それに使用する樹脂基板及びテープに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に樹脂基板を用いた半導体装置、詳しくは半導体集積回路装置においては、装置の薄形化のために、樹脂基板に貫通した穴部を設け、樹脂基板の下側に粘着性のあるテープを貼りつけ、穴部に半導体チップを搭載しワイヤボンド、樹脂封止工程終了後テープを樹脂基板から剥がすようにした製造方法が採用されている。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した方法では、一旦樹脂基板に貼りつけたテープを組立工程の最後に剥離することが大変困難である。特にテープが樹脂基板の全面に貼りつけられている場合は、更に困難を極めることになる。
【0004】
【課題を解決するための手段】
上記した課題を解決するため、本発明は、貫通した穴が設けられた樹脂基板の穴部を塞ぐように樹脂基板の下側に粘着性のあるテープを貼り付け、穴部に半導体チップを搭載し、穴部及び半導体チップを樹脂封止し、樹脂封止終了後、テープを剥がして半導体装置を製造する方法であって、樹脂基板又はテープの一部に弱接着又は非接着処理を施し、樹脂基板からテープを剥離し易くしたものである。
【0005】
【発明の実施の形態】
図1は本発明に係る樹脂基板を説明する断面図である。
【0006】
樹脂基板1には半導体チップを搭載するための穴部2が貫通孔として設けられ、樹脂基板1上には導体パターン3が形成されている。またテープ4が貼りつけられる樹脂基板1の下面には、テープ4が貼られる部分の一部に弱接着又は非接着処理が施されている。
【0007】
弱接着又は非接着処理は、樹脂基板1の上記した一部に、テープ4との接着力を弱めるか又は接着しない材質、例えばシリコン樹脂5を、印刷方式、刷毛、スプレイなどにより塗布して行われる。
【0008】
テープ4は接着剤が塗布された粘着性のテープで組立時に樹脂基板1に貼りつけられ、半導体チップを固定して組立工程が実施される。
【0009】
図2及び図3は本発明の第1の実施形態を示す断面図で、図2は樹脂封止までの工程を示し、図3はテープ剥離の工程を示している。
【0010】
図2の(a)において、樹脂基板1には貫通した穴部2が設けられ、上面に導体パターン3が形成される。
【0011】
(b)においては、樹脂基板1の下面で、テープ4が貼りつけられる部分の一部に、テープ4との接着力を弱めるか又は接着しない材質、例えばシリコン樹脂5を塗布する。
【0012】
(c)において、テープ4を樹脂基板1の下面に貼りつけ、(d)において、半導体チップ6を穴部2に搭載し、テープ4に固定する。
【0013】
(e)においては、半導体チップ6の電極と導体パターン3とを金線7等でワイヤボンディングし、(f)において、封止樹脂8により樹脂封止される。
【0014】
図3の(g)においては、樹脂基板1から不要になったテープ4を剥がすために、樹脂基板1の弱接着又は非接着処理を施した部分に、薄状のへら9などを差し入れてテープ4を適当な位置まで剥がす。
【0015】
(h)においては、剥離したテープ4の一部を更に引き下げ、(i)におけるようにテープ4を完全に剥がし、シリコン樹脂5を除去して半導体装置が完成する。
【0016】
以上のように、第1の実施形態によれば、樹脂基板1の一部に弱接着又は非接着の処理を施すことにより、樹脂封止工程後に樹脂基板1からテープ4を剥がす際に、その切っ掛けとなるテープ4の一部を容易に剥離することができ、延いてはテープ4全体を樹脂基板1から容易に剥離することが可能になる。
【0017】
図4は本発明に係るテープを説明する断面図である。
【0018】
テープ41は樹脂基板1に貼りつけられるため、表面には接着剤が塗布され、粘着性のある構成となっているが、テープ41の周辺部の一部に弱接着又は非接着処理が施されている。
【0019】
この処理は接着力を弱めるか又は接着しない材質、例えばシリコン樹脂5を上記した方法で塗布することにより行われる。
【0020】
図5及び図6は本発明の第2の実施形態を示す断面図、図5は樹脂封止までの工程を示し、図6はテープ剥離の工程を示している。
【0021】
図5の(a)において、粘着性のテープ41の一部に接着力を弱めるか又は接着しない材質、例えばシリコン樹脂5を塗布する。
【0022】
(b)においては、穴部2が設けられ、導体パターン3が形成された樹脂基板1に弱接着又は非接着処理をしたテープ41を貼りつけ、(c)において半導体チップ6を穴部2に搭載し、テープ41に固定する。
【0023】
(d)においては、半導体チップ6の電極と導体パターンとを金線7等でワイヤボンディングし、(e)において、封止樹脂8により樹脂封止される。
【0024】
図6の(f)においては、樹脂基板1からテープ41を剥がすために、テープ41の弱接着又は非接着処理を施した部分に、薄状のへら9などを差し入れてテープ41を適当な位置まで剥がす。
【0025】
(g)においては、剥離したテープ41の一部を更に引き下げ、(h)におけるようにテープ41を完全に剥がして半導体装置が完成する。
【0026】
以上のように、第2の実施形態によれば、第1の実施形態と同様に樹脂基板1からテープ41を容易に剥離することができ、また弱接着又は非接着処理をテープ41にして、樹脂基板1にしないで済むので、製造プロセスの簡易化が可能になる。
【0027】
図7は本発明に係る他のテープを説明する断面図で、第2の実施形態に適用される。
【0028】
テープ42は樹脂基板1に貼りつけられるため、表面には接着剤が塗布され、粘着性のある構成となっているが、テープ42の周辺部の一部に非接着処理が施されている。
【0029】
この処理はテープ42に接着剤を塗布する際、上記した一部に接着剤を塗布しない部分、即ち無接着剤部分10を設けることにより行われる。
【0030】
半導体装置の製造工程としては第2の実施形態と同じであるが、テープに接着力を弱めるか又は接着しない材質を塗布することをしないので、その分経済的になる利点がある。
【0031】
【発明の効果】
上記したように、本発明は樹脂基板又はテープの一部に弱接着又は非接着の処理を施すことにより、樹脂基板からテープを容易に剥離することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る樹脂基板を説明する断面図
【図2】本発明の第1の実施形態を示す断面図(その1)
【図3】本発明の第1の実施形態を示す断面図(その2)
【図4】本発明に係るテープを説明する断面図
【図5】本発明の第2の実施形態を示す断面図(その1)
【図6】本発明の第2の実施形態を示す断面図(その2)
【図7】本発明に係る他のテープを説明する断面図
【符号の説明】
1 樹脂基板
4,41,42 テープ
5 シリコン樹脂
10 無接着剤部分
Claims (11)
- 貫通した穴が設けられた樹脂基板の前記穴部を塞ぐように前記樹脂基板の下側に粘着性のあるテープを貼り付け、前記穴部に半導体チップを搭載し、前記穴部及び半導体チップを樹脂封止し、樹脂封止終了後、前記テープを剥がして半導体装置を製造する方法であって、
前記樹脂基板の一部にテープとの接着力を弱めるか又は接着しない材質を塗布して弱接着又は非接着処理を施し、前記樹脂基板から前記テープを剥離し易くしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記接着力を弱めるか又は接着しない材質がシリコン樹脂であることを特徴とする請求項1記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項1記載の半導体装置の製造方法に使用される樹脂基板であって、テープが貼られる部分の一部に、前記テープとの接着力を弱めるか又は接着しない材質を塗布して、前記テープを剥離し易くしたことを特徴とする樹脂基板。
- 前記接着力を弱めるか又は接着しない材質がシリコン樹脂であることを特徴とする請求項3記載の樹脂基板。
- 貫通した穴が設けられた樹脂基板の前記穴部を塞ぐように前記樹脂基板の下側に粘着性のあるテープを貼り付け、前記穴部に半導体チップを搭載し、前記穴部及び半導体チップを樹脂封止し、樹脂封止終了後、前記テープを剥がして半導体装置を製造する方法であって、
前記テープの一部に樹脂基板との接着力を弱めるか又は接着しない部分を形成して弱接着又は非接着処理を施し、前記樹脂基板から前記テープを剥離し易くしたことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記テープの一部に樹脂基板との接着力を弱めるか又は接着しない材質を塗布して弱接着又は非接着処理を施したことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 前記接着力を弱めるか又は接着しない材質がシリコン樹脂であることを特徴とする請求項6記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項5又は6記載の半導体装置の製造方法に使用されるテープであって、樹脂基板に貼る部分の一部に、前記樹脂基板との接着力を弱めるか又は接着しない材質を塗布して剥離し易くしたことを特徴とするテープ。
- 前記接着力を弱めるか又は接着しない材質がシリコン樹脂であることを特徴とする請求項8記載のテープ。
- 前記テープの一部に接着剤を塗布しない部分を設けることにより樹脂基板と接着しない部分を形成して非接着処理を施したことを特徴とする請求項5記載の半導体装置の製造方法。
- 請求項10記載の半導体装置の製造方法に使用されるテープであって、樹脂基板に貼る部分の一部に、接着剤を塗布しない部分を設けて剥離し易くしたことを特徴とするテープ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2868598A JP4011178B2 (ja) | 1998-02-10 | 1998-02-10 | 半導体装置の製造方法、それに使用する樹脂基板及びテープ |
Applications Claiming Priority (1)
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11233529A JPH11233529A (ja) | 1999-08-27 |
JP4011178B2 true JP4011178B2 (ja) | 2007-11-21 |
Family
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---|---|---|---|
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- 1998-02-10 JP JP2868598A patent/JP4011178B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JPH11233529A (ja) | 1999-08-27 |
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