JP4003767B2 - 半導体装置、及び印刷配線板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体装置、及び印刷配線板の製造方法に関し、特に、多層化に適した印刷配線板を有する半導体装置、及び印刷配線板の製造方法に関する。

近年、電子機器の高密度集積化に伴い、複数の配線層及び絶縁樹脂層が交互に積層され、かつ、配線層間がビア接続されたビルドアップ層を有する印刷配線板は、多層化が進んできている。印刷配線板の多層化が進むにつれ、印刷配線板の表面の凹凸が原因で配線が断線、ショートなどを起こし、印刷配線板が不良品となり、歩留まりが低下する問題が生じている。そのような問題を解決するために、印刷配線板の表面の凹凸を平坦化する技術が提案されている。

例えば、第１の従来例としては、特許文献１に示すように、有底ビアホールを有するコア基板（コア絶縁層上に配線層もしくは、配線層と絶縁層とを積層した基板）を黒化還元処理（コア絶縁層上に配線層もしくは、配線層と絶縁層とを積層した基板）した後、スクリーン印刷により有底ビアホールにエポキシ樹脂の充填剤を付与し、真空引きして有底ビアホール内の気泡を抜き、充填剤を熱硬化してから表面を研磨して平坦化するという有底ビアホールの穴埋め方法がある。これによれば、その後さらに上層をビルドアップするときに有底ビアホールの窪みが支障になることがなく、上層のパターン加工精度が確保され、また部品の実装にも便利であるというものである。しかしながら、上記方法では、研磨によって内層導体厚の寸法変動を伴い、また、内層基板の寸法変動が大きいという問題がある。また、印刷配線板の多層化がさらに進むと、印刷配線板の平坦化にも限界がある。さらに、上述したコア基板の表面側からビルドアップした印刷配線板では、コア基板が良品であっても、製造工程においてビルドアップ層に不具合が生じた場合に、良品であったコア基板も無駄になり、製造コストが高くなる欠点があった。

これに対して、第２の従来例として、特許文献２に示す技術が知られている。すなわち、金属板上に配線パターンを電解めっきにより形成し、その配線パターン上に絶縁膜を形成し、この絶縁膜にビアホールと導体ポストを形成する。次に、導体ポスト上に接合用金属材料層を形成し、また、絶縁膜の表面に接着剤層を形成し、接続基板を得る。次に、前記接続基板を、別途製造した被接続基板に接合する。次に、この接続基板の金属板をエッチングして除去することで印刷配線板を形成する技術が知られている。このように接続基板と被接続基板を別々に製造し、それらの良品の組み合わせを接合することで歩留まりを改善していた。

更に、第３の従来例として、特許文献３では、配線パターンと絶縁膜とビアホールと、更に接着剤層を形成した金属板を形成し、この金属板を小片に切り出した接続基板を作成し、その金属板に形成した領域の部分を、ガラスエポキシ基板などをコア絶縁層とするコア基板の第１配線基板に、その必要とされる領域に積層する。その後に、もとの接続基板が有していた金属板をエッチングにより除去し印刷配線板を形成することで、歩留まりを改善していた。

特開２０００−１３３９３７号公報 特開２００２−２６１７１号公報 特開２００３−２９８２３２号公報

しかし、第２の従来例では、薄い絶縁膜同士を向かい合わせて接合した薄い絶縁層の印刷配線板を形成するため、基材に補強繊維も無い印刷配線板が形成され、この印刷配線板の機械的強度が弱いという欠点があった。

また、第３の従来例では、第１配線基板に接続基板を感光性接着剤などの層間絶縁層により接着し、導体の層間接続部は、この層間絶縁層に穿孔した孔にＣｕやＮｉなどの金属の電気めっきで充填し、あるいは半田等の導電性微粒子を充填することで形成していた。このため、第３の実施例の第１配線基板と接続基板とを精度良く位置合わせするためにはコストが上昇する欠点があった。

本発明の目的は、大寸法の印刷配線板を形成する場合の製造コストを低減し、かつ、多層化に適した印刷配線板を有する半導体装置、及び印刷配線板の製造方法を提供することである。

本発明の第１の視点においては、半導体装置において、半導体素子と、前記半導体素子の電極端子に接続されるバンプと、前記バンプに接続される導電性パッドと、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続され、前記ビアホールの径は前記半導体素子が配される前記絶縁層の第１の面側の径が前記第１の面の反対側の前記絶縁層の第２の面側の径より狭くなるように構成され、かつ、前記ビアホールのうち最も前記半導体素子に近いビアホールが前記導電性パッドと接続されたビルドアップ層と、スルーホールを有するコア基板と、を有し、前記コア基板と前記ビルドアップ層とを貼り合わせて印刷配線板とし、前記コア基板のスルーホールと前記ビルドアップ層の前記ビアホールが接合用金属材料層により接合され、前記ビアホールは、前記第２の面側の部分にて隣接する前記配線層と一体に構成されていることを特徴とする。

また、本発明の前記半導体装置において、前記接合用金属材料層が溶融後固化した金属材料で構成されることが好ましい。

また、本発明の前記半導体装置において、前記ビルドアップ層が貼り合わされたコア基板の反対面側に、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続された第２のビルドアップ層が貼り合わされ、前記第２のビルドアップ層のビアホールの径はコア基板面側の径がコア基板と反対面側の径より狭くなるように構成されていることが好ましい。

また、本発明の前記半導体装置において、前記ビアホールが、前記絶縁層の第２の面側に突出部を有し、前記スルーホールが、前記ビルドアップ層側に突出部を有し、前記ビアホールの前記突出部が、前記スルーホールの前記突出部に接するか５μｍ以内の間隙で近接し、前記ビアホールの前記突出部と前記スルーホールの前記突出部の接触部の周囲の前記突起部間の間隔を前記接合用金属材料層が充填する構造を有することが好ましい。

本発明の第２の視点においては、印刷配線板の製造方法において、１枚の金属板に、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続され、前記ビアホールが前記絶縁層の前記金属板側の面と反対面側からのレーザ穴あけ加工によって形成された開口部に充填され、前記ビアホールのうち最も前記金属板に近いビアホールが導電性パッドと接続され、かつ、前記ビアホールが前記金属板と反対側の部分にて隣接する前記配線層と一体に構成されたビルドアップ層、半田からなる接続用金属材料層、及び熱可塑性樹脂からなる接合接着層を形成する工程と、形成物を含め前記金属板を複数の個片に断裁分割する工程と、スルーホールを有するコア基板を形成する工程と、各前記個片を前記金属板を外側にして前記コア基板に重ね合せることで各前記個片の前記接続用金属材料層を、前記コア基板の前記スルーホールに重ね合わせ設置する工程と、加熱により前記接続用金属材料層の前記半田を溶融させ、かつ、前記接合接着層の前記熱可塑性樹脂を液状とした状態で、溶融した前記半田の表面張力によるセルフアライメント効果で各前記ビルドアップ層のユニットの個片を一括して所定の前記コア基板の所定の位置に自動的に位置合せした後、前記接合用金属材料層及び前記接合接着層を硬化させる工程と、前記コア基板を複数の個片に断裁する工程と、を含むことを特徴とする。

本発明の第３の視点においては、印刷配線板の製造方法において、１枚の金属板に、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続され、前記ビアホールが前記絶縁層の前記金属板側の面と反対面側からのレーザ穴あけ加工によって形成された開口部に充填され、前記ビアホールのうち最も前記金属板に近いビアホールが導電性パッドと接続され、かつ、前記ビアホールが前記金属板と反対側の部分にて隣接する前記配線層と一体に構成されたビルドアップ層、半田からなる接続用金属材料層を積層形成する工程と、形成物を含め金属板を複数の個片に断裁分割する工程と、スルーホールを有するコア基板を形成する工程と、前記コア基板上の所定位置に液体状の接合接着層を形成する工程と、各前記個片を前記金属板を外側にして前記コア基板に重ね合せることで各前記個片の前記接続用金属材料層を、前記コア基板の前記スルーホールに重ね合わせ設置する工程と、加熱により前記接続用金属材料層の半田を溶融させ、溶融した前記半田の表面張力によるセルフアライメント効果で各前記ビルドアップ層のユニットの個片を一括して所定の前記コア基板の所定の位置に自動的に位置合せした後、前記接合用金属材料層及び前記接合接着層を硬化させ、かつ、前記液体状の接合接着層を硬化させる工程と、前記コア基板を複数の個片に断裁する工程と、を含むことを特徴とする。

本発明の第４の視点においては、印刷配線板の製造方法において、１枚の金属板に、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続され、前記ビアホールが前記絶縁層の前記金属板側の面と反対面側からのレーザ穴あけ加工によって形成された開口部に充填され、前記ビアホールのうち最も前記金属板に近いビアホールが導電性パッドと接続され、かつ、前記ビアホールが前記金属板と反対側の部分にて隣接する前記配線層と一体に構成されたビルドアップ層、半田からなる接続用金属材料層を形成する工程と、形成物を含め金属板を複数の個片に断裁分割する工程と、スルーホールを有するコア基板を形成する工程と、プリプレグの、前記コア基板のスルーホール位置に対応する所定位置に孔を形成し、該孔に接続用金属材料層を設置する工程と、各前記個片を前記金属板を外側にして、前記プリプレグを設置した前記コア基板上に重ね合せることで各前記個片のビアホールと前記プリプレグの前記接続用金属材料層と前記コア基板の前記スルーホールを重ね合わせ設置する工程と、加熱・加圧により、前記プリプレグを熱硬化させるとともに、各前記個片の前記ビアホールと前記コア基板の前記スルーホールを近接させた状態で前記接合用金属材料層により接合させる工程と、前記コア基板を複数の個片に断裁する工程と、を含むことを特徴とする。

本発明の第５の視点においては、半導体装置において、前記印刷配線板に半導体素子を搭載したことを特徴とする。

本発明（実施形態１）によれば、別個に製造したビルドアップ層とコア基板とを貼り合せるので、歩留まりを向上させることができる効果がある。

本発明は、印刷配線板の全体を低コストで製造できるコア基板４０で形成し、高精度なパターンが必要な領域にのみ別途形成したビルドアップ層２０を接合用金属材料層２９によりコア基板４０上に設置するため、高精度なパターン部分を有する印刷配線板の製造コストを低減できる効果がある。

また、印刷配線板と半導体素子５０とを接続するための微小なバンプが接続する、印刷配線板の導電性パッドを小さな径に形成するとともに、その導電性パッドの直下の第１のビアホール２４を、その導電性パッド側の径よりも下側の径の方が大きくなるように形成することで電極パッドの直下のビアホール２４の平均の径を大きな径に形成している。すなわち、本発明の印刷配線板に係るビアは円錐台形状としているもので、容積を大きくしている。このため、電流容量を大きくすることができる効果がある。

また、ビルドアップ層２０とコア基板４０とが、当初はさほど精密に位置を合わさずに重ね合わせて設置されていた場合でも、両者の間隙にある熱硬化性樹脂は溶融し液体状となっているため、ビルドアップ層２０のビアホールとコア基板４０のスルーホール４１とは、溶融した接合用金属材料層２９のセルフアライメント効果で精密に位置合せされるため、最終的に精密な位置合わせが行える。そのため、位置合わせに要するコストの上昇を防げるという効果がある。

また、本発明（実施形態２）によれば、半導体素子が金属板２１の開口部領域内に配され、反りがなく平坦なビルドアップ層２０の表面に接続されているため、ビルドアップ層と半導体素子との接続部が安定し信頼性が高い効果がある。また、平坦な金属板上にビルドアップ層を設けているため、ビルドアップ層の平坦性が良好であり、コア基材との貼り合せも良好となる効果がある。

（実施形態１）
本発明の実施形態１に係る半導体装置及び印刷配線板について図面を用いて説明する。図１は、本発明の実施形態１に係る半導体装置の構成を模式的に示した（Ａ）表面側からの斜視図、（Ｂ）裏面側からの斜視図、及び（Ｃ）部分断面図である。実施形態１に係る半導体装置は、フリップチップボールグリッドアレイ（ＦＣＢＧＡ）を適用したものである。

図１（Ａ）を参照すると、半導体装置１は、印刷配線板１０、半導体素子５０、を有する。印刷配線板１０は、コア基板上にビルドアップ層を有し、ビルドアップ層では複数の配線層及び絶縁層が交互に積層され、配線層間がビア接続されている。印刷配線板１０におけるビルドアップ層は、公知のビルドアップ工法によって形成することができる。半導体素子５０は、印刷配線板１０に実装されている。

図１（Ｂ）を参照すると、印刷配線板１０の半導体素子が配置されている面（表面）の反対側の面（裏面）には、第１のバンプ７０が搭載されている。

図１（Ｃ）を参照すると、半導体装置１は、ビルドアップ層２０と、コア基板４０と、第２の導電性パッド４４と、第５の絶縁層４５と、第１のバンプ７０と、半導体素子５０と、第２のバンプ８０と、封止樹脂６０と、を有する。

まず、ビルドアップ層２０について説明する。ビルドアップ層２０は、第１の導電性パッド２２と、第１の絶縁層２３と、第１の導電性パッド２２とビア接続した第１のビアホール２４と、第２の絶縁層２５と、第１のビアホール２４とビア接続した第２のビアホール２６と、第３の絶縁層２７と、第２のビアホール２６とビア接続した第３のビアホール２８と、接合用金属材料層２９と、接合接着層３０と、ソルダーレジスト層３３と、を有する。

第１の導電性パッド２２は、第１のビアホール２４の（第２のバンプ８０側の）表面に形成された導電性媒体である。第１の導電性パッド２２は、少なくとも第１のビアホール２４、第２のビアホール２６、第３のビアホール２８、接合用金属材料層２９、スルーホール４１を介して対応する第２の導電性パッド４４と電気的に接続している。第１の導電性パッド２２には、例えば、無電解めっき、電解めっき等による金、錫、ニッケル及びはんだから選択された少なくとも１種の金属を用いることができ、また、その合金を用いることができる。第１の導電性パッド２２は、１層構造だけでなく２層以上であってもよく、第１の導電性パッド２２と第２のバンプ８０との密着性等を考慮すれば、第１のビアホール２４側から順に、厚さが１μｍから７μｍのニッケルめっき層及び厚さが０．３μｍから３μｍの金めっき層の２層構造が最適である。

第１の絶縁層２３は、ソルダーレジスト３３と接合する絶縁性の樹脂層であるエポキシ系樹脂、フルオレン骨格を有するアクリレート系化合物の樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリベンゾオキサゾール、ポリベンゾシクロブテン、シリコーン樹脂、あるいはこれら２種以上の混合物等の種々の絶縁性樹脂からなる。第１の絶縁層２３の厚さは半導体素子５０の印刷配線板への搭載信頼性の点及び加工性から１０μｍから６０μｍの厚さにすることが好ましい。第１の絶縁層２３は、半導体素子５０の電極端子（図示せず）と対応する位置に、直径が約７５μｍの第１のビアホール２４を形成する開口部を有する。第１のビアホール２４は、第１の導電性パッド２２側の径よりも第２の絶縁層２５側の径の方が広くなるように構成されている。これにより、第１の導電性パッド２２の径を、半導体素子５０の電極端子に接合された微小な第２のバンプ８０の寸法に合わせた小さな径に形成するとともに、第１のビアホール２４の平均の直径を大きな径とすることができ第１のビアホール２４の電流容量を大きくすることができる効果がある。第１の絶縁層２３として、例えば、エポキシ樹脂、エポキシアクリレート樹脂、ウレタンアクリレート樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、フッ素樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、液晶ポリマー等の絶縁性樹脂から選択された１種又は２種以上の絶縁性樹脂を用いることができ、熱硬化性樹脂や感光性樹脂であってもよく、例えば、感光性ソルダーレジスト（太陽インキ製造社製 ＰＳＲ４０００ ＮＡＳ−９０−ＴＹ、タムラ化研社製 ＤＳＲ ２２００ ＢＧＸ−８等）等を用いることができる。また、基板強度を上げるため、絶縁性樹脂に、補強材としてガラスクロス、ガラス不織布、アラミド不織布、アラミドフィルム、ポリイミドフィルム等を積層してもよい。また、第１の絶縁層２３には、樹脂フィルムや樹脂付き銅箔（ＲＣＣ）を用いることもできる。第１の絶縁層２３は、特に、室温において０．１ＧＰａから１０ＧＰａの弾性係数を有する低弾性材、例えば、シリコーン樹脂、あるいは、シリコーン樹脂で変性したポリイミド樹脂を用いることが好ましい。半導体素子５０と印刷配線板１０との熱膨張率の差による応力を第１の絶縁層２３で吸収し、印刷配線板のクラックの発生を抑制することができるからである。

第１のビアホール２４は、第１の導電性パッド２２の下に第１の絶縁層２３に炭酸ガスレーザ穴あけ加工で形成した穴で、半導体５０を実装する側の面の直径が５０μｍで、その反対側の面の直径が８０μｍで、第１の絶縁層の厚さが４５μｍとなる穴、あるいは、ＵＶ−ＹＡＧレーザ穴あけ加工で形成した穴で、半導体５０を実装する側の面の直径が２５μｍで、その反対側の面の直径が４５μｍで、第１の絶縁層の厚さが２５μｍとなる穴に導体を充填して形成したビアホールである。第１のビアホール２４は、電解めっきにより形成する。また、第１のビアホール２４に接続する第１の絶縁層２３の表裏の面には、無電解めっき、電解めっき等を用いた公知のフルアディティブ法、サブトラクティブ法等により、導体の配線層を形成する。第１のビアホール２４又はそれに接続する配線層には、例えば、金、銀、銅、ニッケル等から選択された少なくとも１種の金属又はそれらの合金を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。また、第１のビアホール２４は、導電性ペースト等の導電性材料を充填して形成しても良い。

第２の絶縁層２５は、第１の絶縁層２３の表面に形成された絶縁性の樹脂層である。第２の絶縁層２５は、第１のビアホール２４と導体の配線層を介して電気的に通じる開口部を有し、開口部には配線層間の電気的接続を行うビアホール２６が導体を充填して形成される。第２の絶縁層２５の第２のビアホール２６での開口部は、第１のビアホール２４側の径よりも第３の絶縁層２７側の径の方が広くなるように構成されている。第２の絶縁層２５には、第１の絶縁層２３と同様の材料を用いることができる。

第２のビアホール２６は、第２の絶縁層２５に炭酸ガスレーザ穴あけ加工で形成した穴で、半導体５０を実装する側の面の直径が５０μｍで、その反対側の面の直径が８０μｍで、第２の絶縁層の厚さが４５μｍとなる穴、あるいは、ＵＶ−ＹＡＧレーザ穴あけ加工で形成した穴で、半導体５０を実装する側の面の直径が２５μｍで、その反対側の面の直径が４５μｍで、第２の絶縁層の厚さが２５μｍとなる穴に導体を充填して形成したビアホールであり、第１のビアホール２４と導体の配線層を介して電気的に接続（ビア接続）する。第２のビアホール２６には、第１のビアホール２４と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。

第３の絶縁層２７は、第２のビアホール２６を含む第２の絶縁層２５の表面に形成された絶縁性の樹脂層である。第３の絶縁層２７は、第２のビアホール２６と導体の配線層を介して電気的に通じる開口部を有し、開口部には配線層間の電気的接続を行うビアホール２８が導体を充填して形成される。第３の絶縁層２７の第３のビアホール２８での開口部は、第２のビアホール２６側の径よりも接合接着層３０側の径の方が広くなるように構成されている。第３の絶縁層２７には、第１の絶縁層２３と同様の材料を用いることができ、第１の絶縁層２３及び第２の絶縁層２５と異なる材料を用いても良いが、第３のビアホール２８の表面に接合用金属材料層２９を形成する場合には、ソルダーレジストであっても良い。

第３のビアホール２８は、第３の絶縁層２７に炭酸ガスレーザ穴あけ加工で形成した穴で、半導体５０を実装する側の面の直径が５０μｍで、その反対側の面の直径が８０μｍで、第３の絶縁層の厚さが４５μｍとなる穴、あるいは、ＵＶ−ＹＡＧレーザ穴あけ加工で形成した穴で、半導体５０を実装する側の面の直径が２５μｍで、その反対側の面の直径が４５μｍで、第３の絶縁層の厚さが２５μｍとなる穴に導体を充填して形成したビアホールであり、第２のビアホール２６と導体の配線層を介して電気的に接続（ビア接続）する。第３のビアホール２８には、第１のビアホール２４と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。また、第３のビアホール２８は、第３の絶縁層２７の表面から５μｍから３０μｍの高さで直径が１０μｍから１００μｍの突出した構造を持たせる。この突出部の形状としては、中央の窪みを囲む円環上に２点、３点、あるいはそれ以上の複数点の突出部を形成することもできる。

接合用金属材料層２９は、第３のビアホール２８とスルーホール４１（若しくは導電性の充填材４３が孔に充填されて成る導体柱）とを金属接合させるための導電層であり、少なくとも第３のビアホール２８とスルーホール４１（若しくは導電性の充填材４３が孔に充填されて成る導体柱）の間に介在している厚さが１μｍから６０μｍの金属層である。接合用金属材料層２９には、スルーホール４１（若しくは導電性の充填材４３が孔に充填されて成る導体柱）と金属接合可能な金属、かつ、熱によるリフロー可能な金属であればどのようなものでもよく、例えば、はんだを用いることができる。はんだの中でも、ＳｎやＩｎ、もしくはＳｎ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｂｉ、Ｐｄ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｉｎ、Ａｕの少なくとも二種からなる半田、例えばＳｎ−Ａｇ系半田、Ｓｎ−Ａｕ系半田などを使用することが好ましい。特に好ましくは、環境に優しいＰｂフリーはんだである。また、特開平８−１７４２６４号公報に示された粉末状はんだ、樹脂、溶剤等を含有するソルダーペーストを用いることができる。当該ソルダーペーストを用いれば洗浄をしなくても良いというメリットがある。

接合接着層３０は、接合用金属材料層２９を介して第３のビアホール２８とスルーホール４１（若しくは導電性の充填材４３が孔に充填されて成る導体柱）とが接合（電気的に接続）した、ビルドアップ層２０（の第３の絶縁層２７）とコア基板４０（の第４の絶縁層４２）を接着する絶縁樹脂層である。接合接着層３０は、ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート）等の熱可塑性樹脂が使用可能である。図３（Ｃ）に示すように、接合接着層３０をビルドアップ層２０のコア基板４０接続面に設置し、後に、このビルドアップ層２０の個片をコア基板４０に設置し、両者を接続する。その際、接合接着層３０を熱可塑性樹脂とし、加熱で樹脂を溶融させ液化させることで、ビルドアップ層２０がコア基板４０上を移動して位置を合わせられるようになる。あるいは、接合接着層３０は、ノンフローアンダーフィル材を、製造の当初ではノンフローアンダーフィル材となり得る液状エポキシ樹脂組成物をディスペンサーあるいはインクジェット手法で、コア基板４０の所定の位置に液滴を滴下することにより設置した後に、コア基板４０の液滴の上にビルドアップ層２０が形成された金属板２１の個片を、ビルドアップ層とコア基板とが対向するよう設置し、ビルドアップ層２０とコア基板４０の間に形成することもできる。また、接合用金属材料層２９に特開平８−１７４２６４号公報に示された粉末状はんだ、樹脂、溶剤等を含有するソルダーペーストを用いる場合は、接合接着層３０のノンフローアンダーフィル材としては、半田フラックスの成分を有さない液状エポキシ樹脂組成物を用いることもできる。また、第３のビアホール２８の５μｍから３０μｍの突出部を、接合接着層３０の中で、コア基板４０のスルーホール４１の突出部分に接触させるか、多くとも数マイクロメートル以内の微小間隙で近接させ、その第３のビアホール２８の突出部とスルーホール４１の突出部の接触部の周囲の突出部の間の間隙を接合用金属材料層２９で充填することで、電気接続を更に確実なものにするとともに、第３のビアホール２８の突出部とスルーホール４１の突出部の間の間隙の変位を数μｍ以内に留めて相対位置を安定させる。このため、後に半導体素子５０をフリップチップ実装する際の加熱によって接合用金属材料層２９が再溶融することがあっても、コア基板４０のスルーホール４１と第３のビアホール２８の電気接続信頼性が十分確保できる効果がある。ここで、第３のビアホール２８の５μｍから３０μｍの高さの突出部としては、中央の窪みを囲む円環状に複数点の突出部を形成した場合は、その円環の中央の窪みに接合用金属材料層２９を充填し金属接合する構造に形成しても良い。こうすることで、円環の中央の窪みの接合用金属材料層２９で突出部間の強固な金属接合が得られるとともに、接合用金属材料層２９の余剰な体積は、円環を成す複数の突出部間の隙間から円環の外側に流れ出し体積が調整される効果がある。

ソルダーレジスト３３は、第１の絶縁層２３の半導体素子５０側の面のうち半導体素子５０が実装される領域を除く領域に配された保護層である。なお、実施形態１ではソルダーレジスト３３を枠状としているが、これに限定されるものではなく、印刷配線板の仕様によってはソルダーレジスト３３を形成しなくてもよい。また、ソルダーレジスト３３は、第２のバンプ８０の各部位に開口部を有する形態であってもよい。

次に、コア基板４０について説明する。コア基板４０は、図１（Ｃ）に概要を示すように、両面配線基板あるいは、それ以上の層数の多層基板であり、後に説明する材料から成る第４の絶縁層４２に、ドリル孔あけ加工あるいはレーザ孔あけ加工で孔を形成し、その孔の壁面に無電解銅めっき及び電解銅めっきされたスルーホール４１が形成されており、スルーホール４１の部位には、充填材４３が充填されている厚さが０．１ｍｍ以上の基板である。なお、スルーホール４１には、第１のビアホール２４と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。スルーホール４１は、壁面に金属めっきしないでも、金属粉成分を有する導電性ペーストの充填材４３を基板の貫通孔に充填することで形成することもできる。スルーホール４１は、直径が０．０８ｍｍから１ｍｍに形成した導体柱あるいは中空の導体柱であり、コア基板４０の表面から１５μｍから３０μｍの高さで突出させた構造に形成する。また、第４の絶縁層４２には以下の材料を使用できる。すなわち、ガラス繊維入りエポキシ樹脂材、ガラス繊維入りビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）材、ガラス繊維入りポリイミド樹脂材、ガラス繊維入りＰＰＥ樹脂材などのガラス繊維入り樹脂が使用できる。なお、上記等の各種材料の補強材としては、ガラス繊維に替えてポリエステル繊維やアラミド繊維、あるいはガラス紙等の補強材も使用できる。また、補強材として、樹脂に充填材を添加したものも使用できる。この場合、充填材としては、例えば、シリカ、硫酸バリウム、タルク、クレー、ガラス、炭酸カルシウム、酸化チタン等の無機充填材を用いることができる。上記の無機充填材に替えて、フェノール樹脂やポリメタクリル酸重合体等の有機充填材を使用しても良く、有機無機混合充填材としても良い。さらに、充填材４３には、例えば、導電性ペースト等を用いることができるが、必ずしも導電性である必要はなく、樹脂などの絶縁性充填材であっても良い。また、充填材４３の表面、すなわちスルーホール４１の端面には導電性ペーストを露出させ、接合用金属材料層２９と接合させても良く、あるいは、スルーホール４１と充填材４３の端面に銅めっきによる導電性パッドを形成し、その導電性パッドと接合用金属材料層２９とを接合させても良い。スルーホール４１と充填材４３の端面の直上に接合用金属材料層２９を接合させるように構成することで、スルーホール４１から接合用金属材料層２９まで真直に電気接続することは、この構造の電気接続によりインダクタンスの少ない優れた電気特性が得られるため、最も望ましい構造である。なお、スルーホール４１の端部に、スルーホール４１の直上部からずらした位置にスルーホール４１と電気接続した導電性パッドを形成し、その導電性パッドに接合用金属材料層２９を接合させることも可能である。

第２の導電性パッド４４は、スルーホール４１の表面に形成された導電性媒体である。第２の導電性パッド４４は、少なくともスルーホール４１、接合用金属材料層２９、第３のビアホール２８、第２のビアホール２６、第１のビアホール２４を介して対応する第１の導電性パッド２２と電気的に接続している。第２の導電性パッド４４には、第１の導電性パッド２２と同様の材料を用いることができ、第１のバンプ７０との密着性を考慮すれば、第２のビアホール２６側から順に、厚さが１μｍから７μｍのニッケルめっき層及び厚さが０．３μｍから３μｍの金めっき層の２層構造が最適である。

第５の絶縁層４５は、コア基板４０の（第１のバンプ７０側の）表面に形成された絶縁性の樹脂層である。第５の絶縁層４５は、スルーホール４１に通じる開口部を有し、当該開口部には第２の導電性パッド４４が配されている。第５の絶縁層４５には、第１の絶縁層２３と同様の材料を用いることができ、ビルドアップ層２０の表層であることを考慮すると、ソルダーレジストが最適である。

第１のバンプ７０は、第２の導電性パッド４４を、外部の印刷配線板（図示せず）と電気的に接続するための、寸法がスルーホール４１程度の大きさの半球状、円筒状、あるいは四角柱状の導電性突起媒体である。第１のバンプ７０には、金、銅、半田（Ｓｎ−Ｐｂ共晶はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだ等）などの金属材料、導電性樹脂などを用いる。

半導体素子５０は、ＬＳＩ等の半導体チップであり、半導体素子５０の電極端子は、対応する第２のバンプ８０を介して第１の導電性パッド２２と接続される。第２のバンプ８０には、第１のバンプ７０と同様の材料を用いることができ、取り扱い等の観点から、半田が最適である。

封止樹脂６０は、半導体素子５０と第１の絶縁層２３の間の隙間を封止する絶縁性樹脂である。封止樹脂６０には、求められる特性に応じて、公知の封止材料（例えば、エポキシ樹脂等）を選択して用いることができる。

次に、本発明の実施形態１に係る半導体装置及び印刷配線板の製造方法について図面を用いて説明する。図２及び図３は、本発明の実施形態１に係る印刷配線板におけるビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図４及び図５は、本発明の実施形態１に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。なお、図２及び図３、図４及び図５は、単に、図面作成の都合で分図されている。実施形態１に係る半導体装置の製造方法では、大きく（１）ビルドアップ層の製造段階、（２）貼り合せ段階の２つに分けることができる。

ビルドアップ層の製造段階について説明する。

まず、厚さが０．１ｍｍから１．５ｍｍの金属板２１（例えば、銅板）の表面に第１の導電性パッド２２を形成するための開口部３１ａを有するめっきレジスト３１を形成する（ステップＡ１；図２（Ａ）参照）。ここで、めっきレジスト３１の形成方法は、めっきレジスト３１が液状ならばスピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法又は印刷法等で塗布し、めっきレジスト３１がドライフィルムであればラミネート法等で積層した後、乾燥等の処理を施して固め、めっきレジスト３１が感光性であればフォトリソプロセス等により、また、非感光性であればレーザ加工法等によりパターニングする。

次に、めっきレジスト３１の開口部３１ａ内に第１の導電性パッド２２（例えば、金）を形成する（ステップＡ２；図２（Ｂ）参照）。なお、第１の導電性パッド２２を形成した後は、めっきレジスト３１を剥がす（ステップＡ３；図２（Ｃ）参照）。

次に、金属板２１、及び第１の導電性パッド２２の表面に第１の絶縁層２３を形成した後、第１の絶縁層２３に、第１の導電性パッド２２に通ずる開口部２３ａを形成する（ステップＡ４；図２（Ｄ）参照）。ここで、第１の絶縁層２３の形成方法には、例えば、（１）樹脂フィルムを貼り付けて、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等のレーザ光によって開口部２３ａを形成する方法、（２）樹脂付き銅箔（ＲＣＣ）を貼り付けて、開口部２３ａの銅箔をエッチングし、プラズマ加工若しくはレーザ加工により開口部２３ａを形成し、不要な銅箔を除去する方法、（３）熱硬化性樹脂を印刷、塗布等して硬化させ、ＹＡＧレーザ、炭酸ガスレーザ等のレーザ光によって開口部２３ａを形成する方法、（４）第１の絶縁層２３として、感光性樹脂を印刷、塗布等して硬化させ、フォトリソグラフィ法によって開口部２３ａを形成する方法等がある。これらの方法によって、第１の絶縁層２３の開口部２３ａを、少なくとも第１のビアホール２４と接続する導電性材料が充填形成されてなるビアが形成される部分について、第１の導電性パッド２２側の径よりも第２の絶縁層２５側の径の方を広くすることができる。また、レーザ光によって開口部２３ａを形成した場合、開口部２３ａの壁面に付着したコンタミネーションを除去するために、過マンガン酸液で洗浄することが好ましい。

次に、第１の導電性パッド２２を含む第１の絶縁層２３の中に、第１のビアホール２４、その表面に導体の配線層、第２の絶縁層２５、第２のビアホール２６と導体の配線層、第３の絶縁層２７、第３のビアホール２８と導体の配線層をこの順に形成し、配線層間がビア接続されたビルドアップ層を形成する（ステップＡ５；図３（Ａ）参照）。ここで、第１のビアホール２４（例えば、銅めっき）は、例えば、第１の絶縁層２３の表面の化学粗化（デスミア、樹脂粗化処理等）を行ない、その後、第１の絶縁層２３表面（ビア底も含む）に無電解銅めっきでシード層を形成し、その後、回路形成用のドライフィルムを基板にラミネートしてからマスク露光、現像工程を経て、所望の配線パターンを形成した後、電解めっき法で配線パターンを形成し、ドライフィルムを剥がし、その後、エッチングによりシード層を除去することにより形成することができる。第２のビアホール２６、及び第３のビアホール２８（例えば、銅めっき）も、第１のビアホール２４と同様の方法により形成することができる。すなわち、第３のビアホール２８は、１０μｍから６０μｍの厚さの第３の絶縁層２７の表面（ビアホール底を含む）を、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチル２ピロリドン（ＮＭＰ）、ピリジン等を使用してその絶縁層を膨潤させ、次いで過マンガン酸カリウム、ニクロム酸カリウム、濃硫酸等の酸化力のある薬品を使用して化学粗化処理を行い、次に、Ｐｄ触媒を吸着させ、次いで、エチレンジアミン四酢酸−銅錯体（ＥＤＴＡ−Ｃｕ）を含有するＥＤＴＡ含有めっき液を用いた無電解めっき法を用いて無電解銅めっき層を０．３μｍから１０μｍ形成しためっきシード層（電解めっきの給電導体）を第３の絶縁層２７の表面（ビアホール底を含む）に形成する。その後、回路形成用のドライフィルムを基板にラミネートしてからマスク露光、現像工程を経て、所望の配線パターンを形成する。次に、電解銅めっき液で、第３のビアホール２８の穴が埋まるまで銅めっきし、また第３の絶縁層２７の表面に銅の配線パターンを形成する。次に、ドライフィルムを剥がし、その後、エッチングによりめっきシード層を除去することにより、第３のビアホール２８と、その表面の突出部、および、配線パターンを形成する。第２の絶縁層２５（例えば、樹脂付き銅箔）は、第１の絶縁層２３と同様の方法（例えば、樹脂付き銅箔を用いる方法）により形成することができる。また、ビアは、金属めっきや金属からなる導電性材料を充填する方法、もしくは、スクリーン印刷により導電性ペーストを充填する方法等の方法で形成することができる。第２のビアホール２６と第３のビアホール２８との間にさらに配線層、絶縁層を多層に形成して層間をビア接続させてもよい。第３の絶縁層２７は、第１の絶縁層２３と同様の方法（例えば、感光性樹脂（ソルダーレジスト）を用いる方法）により形成することができる。

次に、第３のビアホール２８の表面（先端）に、接合用金属材料層２９を形成する（ステップＡ６；図３（Ｂ）参照）。ここで、接合用金属材料層２９は、図３（Ｂ）に示すように第３のビアホール２８の表面に半田合金の無電解めっき、電解めっき、あるいは半田合金を含有するペーストを印刷することで形成する。また、接合用金属材料層２９の形状は、適量の半田でボール状あるいは円板状に形成しても良い。半田合金を含有するペーストを印刷する方法では、印刷用マスクを第３のビアホール２８に対して精度良く位置合せする必要があるが、無電解めっきや電解めっきによる方法では、第３のビアホール２８の位置に位置を精度良く合わせて接合用金属材料層２９を形成できるため、第３のビアホール２８の微細化・高密度化にも対応しやすい。特に、電解めっきによる方法では、薬液の管理も容易であるため、非常に好適である。なお、図３（Ｂ）では、第３のビアホール２８の表面に接合用金属材料層２９を形成しているが、接合用金属材料層２９を形成する目的は、第３のビアホール２８とスルーホール４１（図４（Ａ））とを接合させることであるため、スルーホール４１（図４（Ａ））の表面に接合用金属材料層２９を形成してもよく、第３のビアホール２８とスルーホール４１（図４（Ａ））の両表面に形成してもよい。

次に、ビルドアップ層２０のコア基板４０への接続する側の面に熱可塑性樹脂を接合接着層３０として形成する（ステップＡ７；図３（Ｃ）参照）。あるいは、コア基板４０のビルドアップ層２０を接続する側の面に、ノンフローアンダーフィル材となり得る液状エポキシ樹脂組成物をディスペンサーあるいはインクジェット手法で、液滴を滴下することによりコア基板の所定の位置に液滴状の接合接着層３０を設置する。

以上、ステップＡ１〜Ａ７により、貼り合せ前のビルドアップ層２０の中間体および接合接着層３０ができる。なお、ビルドアップ層２０を多量生産する場合は、１枚の金属板２１に複数のビルドアップ層２０を面付け形成した後、ビルドアップ層を含めた形成物が形成された金属板を貼り合せしやすいユニット（例えば、短冊状ユニット）に断裁する。なお、断裁する前の各ユニットのうちビルドアップ層２０として利用する部分以外の領域の所定の位置に、コア基板４０（図４（Ａ）参照）との貼り合せの際に位置合わせを行うための位置決め孔（図示せず）を形成しても良い。位置決め孔は、例えば、短冊状ユニットとした際に対角線上となる位置（２点又は４点）に形成したり、対向する２辺の近傍に１孔ずつ形成すればよく、搬送用のスプロケット孔をかねてもよい。また、各ユニット及びコア基板に、直径が約９０μｍ程度のセルフアライメント用の位置合わせ用パッドを形成し、その位置合わせ用パッド上に、厚さが約３５μｍ、直径が約８０μｍ、融点が１８３℃のＳｎ−Ｐｂ共晶半田ペーストを設置しても良い。これにより、コア基板への貼り合わせの際にその半田を溶融することで、溶融した半田の表面張力によるセルフアライメント効果で各ユニットの位置を合わせられるようになる。

次に、上述した位置合わせ用パッドを有する場合の貼り合せ段階について説明する。

まず、熱可塑性樹脂が接合接着層３０として形成された、金属板２１を有する中間体としてのビルドアップ層２０の個片を、金属板２１を上側にして位置を合わせ、各ビルドアップ層２０のユニットの位置合わせ用パッド（図示せず）を半田ペーストを間に介して、コア基板４０の位置合わせ用パッド（図示せず）に重ね合わせ設置する（ステップＢ１；図４（Ａ）参照）。あるいは、ノンフローアンダーフィル材となり得る液状エポキシ樹脂組成物の液滴が接合接着層３０の材料としてコア基板４０の所定位置に設置し、その液滴の上に、金属板２１を有する中間体としてのビルドアップ層２０の個片を、金属板２１を上側にして位置を合わせ、各ビルドアップ層２０のユニットの位置合わせ用パッドを半田ペーストを間に介し、コア基板４０の位置合わせ用パッドに重ね合わせ設置する。ここで、位置合せは、ビルドアップ層２０の位置決め孔とこれに対応するコア基板４０の位置決め孔とを基準にして画像認識装置（図示せず）により読み取り位置合わせする。この操作を繰り返し、所定数の、金属板２１を有する中間体としてのビルドアップ層２０の個片をコア基板４０上に設置する。

次に、位置合せしたビルドアップ層２０とコア基板４０とを貼り合せる（ステップＢ２；図４（Ｂ）参照）。貼り合せ方法としては、コア基板４０上のビルドアップ層２０を、温度を約２００℃に設定した赤外線リフロー処理により加熱し、接合用金属材料層２９の半田を溶融させる。溶融された接合用金属材料層２９の表面張力によるセルフアライメント効果で、各金属板２１を有するビルドアップ層２０を一括して自動的に各々のコア基板４０の所定位置に位置合わせする。このとき、接合接着層３０は熱可塑性樹脂のため液化しているため、金属板を有するビルドアップ層の移動は妨げられない。これにより、第３のビアホール２８の上の接合用金属材料層２９は、熱可塑性樹脂が溶融され液化した樹脂あるいは液状エポキシ樹脂組成物から成る接合接着層３０を排除して、スルーホール４１とを金属接合させる。この際に、金属材料層２９の溶融状態での表面張力により、ビルドアップ層２０の第３のビアホール２８とコア基板４０のスルーホール４１との相対位置が最適位置に引き付けられることで、ビルドアップ層２０がコア基板４０上を移動して最適位置に精度良く設置されるセルフアライメント効果を生じる。次に、ビルドアップ層２０を、加圧板を用いてコア基板４０上に押し付け、第３のビアホール２８の突出部とスルーホール４１の突出部を接触させるか、多くとも数マイクロメートル以内の微小間隙で近接させ、接合用金属材料層２９を冷却し固化させる。その後に、更に冷却することで、接合接着層３０を硬化させる。これ以外の製造方法として、接合接着層３０は、液状エポキシ樹脂組成物などから成る液状のノンフローアンダーフィル材をディスペンサーあるいはインクジェット手法で、コア基板４０の所定の位置に液滴を滴下することにより設置する。その後、その液滴の上にビルドアップ層２０が形成された金属板２１の個片を、ビルドアップ層とコア基板とが対向するよう設置する。これにより、第３のビアホール２８の上の接合用金属材料層２９は、液状のノンフローアンダーフィル材を排除して、スルーホール４１と金属接合させ、金属材料層２９の溶融状態での表面張力により、ビルドアップ層２０の第３のビアホール２８とコア基板４０のスルーホール４１との相対位置が最適位置に引き付けられ、ビルドアップ層２０がコア基板４０上を移動して最適位置に精度良く設置されるセルフアライメント効果を生じる。次に、ビルドアップ層２０を、加圧板を用いてコア基板４０上に押し付け、第３のビアホール２８の突出部とスルーホール４１の突出部を接触させるか、多くとも数マイクロメートル以内の微小間隙で近接させるとともに、接合用金属材料層２９を冷却し固化させ、また、ノンフローアンダーフィル材の接合接着層３０を熱硬化させる。その他の方法として、接合接着層３０をプリプレグ１１０で形成することもできる。すなわち、ガラス繊維あるいはアラミド繊維などの補強材入りの３０μｍから５０μｍの厚さのプリプレグ１１０（若しくはＢステージ状態の樹脂シート）に予め、コア基板４０のスルーホール４１の位置に対応する所定位置に貫通した開口を形成し、その開口に半田ペースト、異方性導電ペースト、あるいは銀粉または銅粉を含有する導電性樹脂ペーストなどの導電性ペースト１１１を充填する。その後、各個片のビルドアップ層２０とコア基板４０との間にプリプレグ１１０を挟み各個片のビルドアップ層２０の第３のビアホール２８とプリプレグ１１０の開口の接続用金属材料層２９とコア基板４０のスルーホール４１を重ね合わせ、真空プレスを行い加熱・加圧することにより、ビルドアップ層２０をコア基板４０上に押し付け、第３のビアホール２８の突出部とスルーホール４１の突出部を接触させるか、数マイクロメートル以下の微小間隙を隔てて近接させ、かつ、その突出部間の間隙に導電性ペースト１１１を充填する。そして、前記プリプレグを熱硬化させるとともに、各前記個片の前記ビアホールと前記コア基板の前記スルーホールを近接させた状態で前記接合用金属材料層により接合させる（図６参照）。ここで、導電性ペースト１１１を導電性樹脂ペーストで構成する場合は、それが含有する銀粉や銅粉の粒子径は３μｍ以下のものが望ましい。また、導電性ペースト１１１を異方性導電ペーストで構成する場合は、その含有する粒子径は、導電粒子の喰い込みによる効果或いはアンカー効果を得るために０．１μｍ以上で、かつ、突出部間の導電接合部の接触面積を多く取るために５μｍ以下のものを用いることが望ましい。これらの粒子を含有する導電性ペースト１１１を間に挟むことで、第３のビアホール２８の突出部とスルーホール４１の突出部は接触するか、多くとも数マイクロメートル以内の微小間隙で近接させることができる。

なお、図６において、スルーホール４１の導電性ペースト１１１と接続する部位（ランド部）の大きさは、第３のビアホール２８の導電性ペースト１１１と接続する部位（ランド部）の大きさより大きくしているが、これに限定されるものではなく、対向するランド部同士の大きさは同じであっても構わない。しかし、以下の理由により、一方のランド部の大きさを、対向する他方のランド部の大きさより大きくすることが望ましい。すなわち、導電性ペースト１１１を貫通部に充填したプリプレグ１１０は薄いシート状である。このため、薄いプリプレグ１１０を通してビルドアップ層２０に設けた位置合せ孔を視認できる等の理由により、ビルドアップ層２０上にプリプレグ１１０を重ねた際に、第３のビアホール２８のランド部上に導電性ペースト１１１を位置合せすることが容易である。しかし、プリプレグ上にさらにコア基板４０を重ねる際、スルーホール４１のランド部と導電性ペースト１１１との位置合せが難しいといえる。そのため、スルーホール４１のランドの大きさを大きくしておけば、スルーホール４１のランド部と導電性ペースト１１１との位置が多少ズレたとしても、スルーホール４１のランド部と導電性ペースト１１１との接続を行うことが可能となる。他の実施形態においても、ビルドアップ層２０とコア基板４０との対向するランド部同士の大きさは同じであっても構わないが、接合用金属材料層とランド部との位置ズレによる接続不良を防止するため、一方のランド部の大きさを大きくすることが望ましいといえる。

次に、第４の絶縁層４２及びスルーホール４１の表面に第５の絶縁層４５を形成した後、第５の絶縁層４５に、スルーホール４１に通ずる開口部４５ａを形成する（ステップＢ３；図４（Ｃ）参照）。なお、第５の絶縁層４５の形成方法は、第１の絶縁層２３の形成方法と同様である。

次に、第５の絶縁層４５に形成された開口部から露出するスルーホール４１（充填材４３）の表面に第２の導電性パッド４４を形成する（ステップＢ４；図５（Ａ）参照）。ここで、第２の導電性パッド４４（例えば、ニッケルめっき層、金めっき層の積層構造）は、例えば、電解めっき法によって形成することができる。

次に、金属板２１をエッチング除去し、露出した第１の絶縁層２３の表面の所定の領域にソルダーレジスト層３３を形成する（ステップＢ５；図５（Ｂ）参照）。なお、金属板２１のエッチング除去に先立ち、第２の導電性パッド４４を含む第５の絶縁層４５の表面にエッチングレジスト（図示せず）を形成して、第２の導電性パッド４４を保護してもよい。

こうして、コア基板４０の表面に個々のビルドアップ層２０を接着した基板が形成される。次に、この基板を、個片に断裁し分離する。

最後に、半導体素子５０およびこの基板を約２２０℃に加熱し約６０秒保持する事で、半導体素子５０を第２のバンプ８０により第１の導電性パッド２２に、フリップチップ接続し、封止樹脂６０を半導体素子５０と第１の絶縁層２３との間の空間に流し込んで硬化させ、第２の導電性パッド４４に第１のバンプ７０を装着する（ステップＢ６；図５（Ｃ）参照）。ここで、第３のビアホール２８の５μｍから３０μｍの突出部が、接合接着層３０の中で、コア基板４０のスルーホール４１の突出部分に接し、その第３のビアホール２８の突出部とスルーホール４１の突出部の接触部の周囲の隙間を接合用金属材料層２９が充填するように構成した場合は、ここで半導体素子５０を第１の導電性パッド２２にフリップチップ実装する際の加熱によって接合用金属材料層２９が再溶融しても、コア基板４０のスルーホール４１と第３のビアホール２８の電気接続信頼性が十分確保できる効果がある。

以上のように構成された印刷配線板によれば、ビルドアップ層２０とコア基板４０を別々に製造しているので、歩留まりを向上させることができる。さらに、ビルドアップ層２０とコア基板４０を並行して同時に製造した後に貼り合せることができるので、製造タクトを向上させることができる。また、ビルドアップ層２０において配線層間を接続するビアホールの径は、半導体素子が配される絶縁層の面側の径がこの面の反対側の面側の径より狭くなるように構成されるため、第１の導電性パッド２２の径を、半導体素子５０の微小な第２のバンプ８０の寸法に合わせた小さな径に形成するとともに、第１のビアホール２４の平均の直径を大きな径とすることで第１のビアホール２４の電流容量を大きくすることができる効果がある。

（実施形態２）
次に、本発明の実施形態２に係る半導体装置及び印刷配線板について図面を用いて説明する。図７は、本発明の実施形態２に係る半導体装置の構成を模式的に示した（Ａ）表面側からの斜視図、（Ｂ）裏面側からの斜視図、及び（Ｃ）部分断面図である。実施形態２に係る半導体装置は、スティフナーとなる金属板２１を有する点について、実施形態１に係る半導体装置の構成と異なる。

図７（Ａ）を参照すると、半導体装置１は、印刷配線板１０、金属板２１、半導体素子５０を有する。金属板２１は、印刷配線板１０上に積層され、半導体素子５０を収納するための貫通した開口部２１ａを有する。半導体素子５０は、金属板２１の開口部２１ａに収納され、印刷配線板１０に実装されている。

金属板２１は、その中央に貫通する開口部２１ａが形成された枠状の補強板（スティフナー）である。また、金属板２１は金属から構成されているため、最表層のグランドとしての機能を有する。金属板２１の開口部２１ａ内には、半導体素子５０が収納されている。金属板２１には、例えば、ステンレス、鉄、ニッケル、銅及びアルミニウムよりなる群から選択された少なくとも１種の金属を用いることができ、また、その合金を用いることができるが、取り扱いの面からすれば、銅が最適である。また、金属板２１の厚さは、例えば、０．１〜１．５ｍｍとすることができる。

次に、本発明の実施形態２に係る半導体装置及び印刷配線板の製造方法について図面を用いて説明する。図８は、本発明の実施形態２に係る印刷配線板におけるビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図９及び図１０は、本発明の実施形態２に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。

ビルドアップ層２０の製造段階について説明すると、まず、金属板２１（例えば、銅板）の表面に、第１の導電性パッド２２、第１の絶縁層２３、第１のビアホール２４、第２の絶縁層２５、第２のビアホール２６、第３の絶縁層２７、第３のビアホール２８を形成する（ステップＣ１；図８（Ａ）参照）。なお、ステップＣ１の工程は、実施形態１のステップＡ１〜Ａ５の工程と同様である（図２及び図３（Ａ）参照）。ここで、第３のビアホール２８には、第３の絶縁層２７の表面から５μｍから３０μｍの高さで突出する突出部を形成する。この突出部は、先端の直径が１μｍから１０μｍで、第３のビアホール２８側の直径が２０μｍから４０μｍの突出した構造の突出部を形成することもできる。

次に、第３のビアホール２８の表面に半田合金からなり高さが２０μｍから１００μｍの高さで突出するピン状の接合用金属材料層２９を形成する（ステップＣ２；図８（Ｂ）参照）。ここで、接合用金属材料層２９をピン状にする方法としては、第３のビアホール２８の表面に溶融した接合用金属材料を付着させ、ピン状の治具を接合用金属材料表面に接触させた後、治具を引き上げることによって形成することができる。また、第３のビアホール２８の突出部として、先端の直径が１μｍから１０μｍで、第３のビアホール２８側の直径が２０μｍから４０μｍの突出した構造の突出部を形成し、この突出部の表面を接合用金属材料に接触させて被服した後、この接合用金属材料を治具に付着させて引き上げることで、接合用金属材料層２９をピン状に形成することもできる。なお、図８（Ｂ）では、第３のビアホール２８の表面に接合用金属材料層２９を形成しているが、接合用金属材料層２９を形成する目的は、第３のビアホール２８とスルーホール４１（図９（Ａ）参照）とを接合させることであるため、スルーホール４１（図９（Ａ）参照）の表面に接合用金属材料層２９を形成してもよい。

次に、貼り合せ段階について説明すると、まず、金属板２１を外側にしてビルドアップ層２０とコア基板４０とを位置合せする（ステップＤ１；図９（Ａ）参照）。なお、コア基板４０のビルドアップ層２０側の面には接合接着層３０が形成されている。また、位置合せ方法については、実施形態１のステップＢ１と同様である。

次に、位置合せしたビルドアップ層２０とコア基板４０とを貼り合せる（ステップＤ２；図９（Ｂ）参照）。なお、貼り合せ方法については、実施形態１のステップＢ２と同様である。

次に、第４の絶縁層４２及びスルーホール４１の表面に第５の絶縁層４５及び第２の導電性パッド４４を形成する（ステップＤ３；図１０（Ａ）参照）。なお、第５の絶縁層４５及び第２の導電性パッド４４の形成方法については、実施形態１のステップＢ３〜Ｂ４と同様である。

次に、金属板２１をエッチング除去し、開口部２１ａを形成する（ステップＤ４；図１０（Ｂ）参照）。ここで、エッチングに際し、少なくとも開口部２１ａを形成する領域を除く金属板２１の表面（及び第２の導電性パッド４４を含む第５の絶縁層４５の表面）にエッチングレジスト３２を形成し、その後、このエッチングレジスト３２をマスクとして、エッチングレジスト３２の開口部より露出した金属板２１の部位のみをエッチングすることにより形成することができる（第１の導電性パッド２２は残る）。また、エッチングレジスト３２の形成方法には、（１）エッチングレジスト３２が液状の場合はスピンコート法、ダイコート法、カーテンコート法又は印刷法等によりエッチングレジスト３２を積層する方法、（２）エッチングレジスト３２がドライフィルムの場合はラミネート法等でエッチングレジスト３２を積層した後、乾燥等の処理を施してエッチングレジスト３２を固める方法、（３）エッチングレジスト３２が感光性の場合はフォトリソグラフィ法等によりエッチングレジスト３２をパターニングする方法、（４）エッチングレジスト３２が非感光性の場合はレーザ加工法等によりエッチングレジスト３２をパターニングする方法などがある。なお、開口部２１ａを形成した後は、エッチングレジスト３２を除去する。ステップＤ４以降の工程については、実施形態１のステップＢ６（図５（Ｃ）参照）と同様である。

以上のように構成された印刷配線板によれば、平坦な金属板２１上に印刷配線板１０を設けているため、印刷配線板１０の平坦性が良好である。また、半導体装置は、半導体素子５０が金属板２１の開口部２１ａ領域内に配され、反りがなく平坦な印刷配線板１０の最表面に接続されているため、印刷配線板１０と半導体素子５０との接続部が安定し信頼性が高い。また、ビルドアップ層２０とコア基板４０を別々に製造しているので、歩留まりを向上させることができる。さらに、ビルドアップ層２０とコア基板４０を同時に製造した後に貼り合せることができるので、タクトを向上させることができる。

（実施形態３）
次に、本発明の実施形態３に係る半導体装置及び印刷配線板について図面を用いて説明する。図１１は、本発明の実施形態３に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。実施形態３に係る半導体装置は、実施形態１に係る半導体装置における第２の導電性パッド及び第５の絶縁層（図１（Ｃ）の４４、４５参照）の代わりに、第２のビルドアップ層９０をコア基板４０に貼り合わせたものである。

第２のビルドアップ層９０は、第３の導電性パッド９２と、第６の絶縁層９３と、第６のビアホール９４と、第７の絶縁層９５と、第７のビアホール９６と、第８の絶縁層９７と、第８のビアホール９８と、接合用金属材料層９９と、接合接着層１００と、を有する。

第３の導電性パッド９２は、第６の絶縁層９３の開口部における第６のビアホール９４の第１のバンプ７０側の）表面に形成された導電性媒体である。第３の導電性パッド９２は、少なくとも第６のビアホール９４、第７のビアホール９６、第８のビアホール９８、接合用金属材料層９９、スルーホール４１、接合用金属材料層２９、第３のビアホール２８、第２のビアホール２６、及び第１のビアホール２４を介して対応する第１の導電性パッド２２と電気的に接続している。第３の導電性パッド９２には、第１の導電性パッド２２と同様の材料を用いることができ、第３の導電性パッド９２と第６のビアホール９４の密着性等を考慮すれば、第６のビアホール９４側から順に、ニッケルめっき層及び金めっき層の２層構造が最適である。

第６の絶縁層９３は、最も第１のバンプ７０側に配された絶縁性の樹脂層である。第６の絶縁層９３は、第１のバンプ７０と対応する位置に開口部を有し、開口部に導電性材料が充填され、接続ビアが形成されている。第６の絶縁層９３の開口部は、少なくとも導電性材料が充填される部分について、第３の導電性パッド９２側の径よりも第７の絶縁層９５側の径の方が広くなるように構成されている。第６の絶縁層９３には、第１の絶縁層２３と同様の材料を用いることができ、印刷配線板１０の表層であることを考慮すると、ソルダーレジストであっても構わない。

第６のビアホール９４には、第１のビアホール２４と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。

第７の絶縁層９５は、第６のビアホール９４を含む第６の絶縁層９３の（第２のバンプ８０側の）表面に形成された絶縁性の樹脂層である。第７の絶縁層９５は、第６のビアホール９４に通じる開口部を有する。第７の絶縁層９５の開口部は、少なくとも導電性材料が充填されビア接続する部分について、第６のビアホール９４側の径よりも第８の絶縁層９７側の径の方が広くなるように構成されている。第７の絶縁層９５には、第１の絶縁層２３と同様の材料を用いることができる。

第７のビアホール９６は、第７の絶縁層９５の（第２のバンプ８０側の）表面にパターン形成された導電層であり、第７の絶縁層９５の開口部を通じて第６のビアホール９４と電気的に接続（ビア接続）する。第７のビアホール９６は、さらに第７の絶縁層９５を介して多層に形成して層間をビア接続させてもよい。第７のビアホール９６には、第１のビアホール２４と同様の材料を用いることができる。

第８の絶縁層９７は、第７のビアホール９６を含む第７の絶縁層９５の（第２のバンプ８０側の）表面に形成された絶縁性の樹脂層である。第８の絶縁層９７は、第７のビアホール９６に通じる開口部を有する。第８の絶縁層９７の開口部は、少なくとも導電性材料が充填されビア接続する部分について、第７のビアホール９６側の径よりも接合接着層１００側の径の方が広くなるように構成されている。第８の絶縁層９７には、第１の絶縁層２３と同様の材料を用いることができ、第８のビアホール９８の表面に接合用金属材料層９９を形成する場合には、ソルダーレジストが望ましい。

第８のビアホール９８は、第８の絶縁層９７の（第２のバンプ８０側の）表面にパターン形成された導電層であり、第８の絶縁層９７の開口部を通じて第７のビアホール９６と電気的に接続（ビア接続）する。第８のビアホール９８には、第１のビアホール２４と同様の材料を用いることができ、コストの観点から、銅が最適である。

次に、本発明の実施形態３に係る半導体装置及び印刷配線板の製造方法について図面を用いて説明する。図１２は、本発明の実施形態３に係る印刷配線板における第２のビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。図１３及び図１４は、本発明の実施形態３に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。

まず、第２のビルドアップ層の製造工程について説明する。

金属板９１（例えば、銅板）の表面に、第３の導電性パッド９２を形成するための開口部１０１ａを有するめっきレジスト１０１を形成する（ステップＥ１；図１２（Ａ）参照）。ここで、めっきレジスト１０１は、実施形態１のステップＡ１と同様な方法で形成することができる。

次に、めっきレジスト１０１の開口部１０１ａ内に第３の導電性パッド９２（例えば、金）を形成する（ステップＥ２；図１２（Ｂ）参照）。なお、第３の導電性パッド９２を形成した後は、めっきレジスト１０１を剥がす（ステップＥ３；図１２（Ｃ）参照）。

次に、金属板９１及び第３の導電性パッド９２の表面に第６の絶縁層９３を形成した後、第６の絶縁層９３に、第３の導電性パッド９２に通ずる開口部９３ａを形成する（ステップＥ４；図１２（Ｄ）参照）。ここで、第６の絶縁層９３は、第１の絶縁層（図２（Ｄ）の２３）と同様の方法（例えば、樹脂付き銅箔を用いる方法）により形成することができる。

次に、第３の導電性パッド９２を含む第６の絶縁層９３の表面に、第６のビアホール９４、第７の絶縁層９５、第７のビアホール９６、第８の絶縁層９７、第８のビアホール９８がこの順に形成し、配線層間がビア接続されたビルドアップ層を形成し、その後、第８のビアホール９８の表面（先端）に接合用金属材料層９９を形成し、接合用金属材料層９９を含む第８の絶縁層９８の表面に、接合接着層１００を形成する（ステップＥ５；図１２（Ｅ）参照）。ここで、第６のビアホール９４、第７のビアホール９６、及び第８のビアホール９８（例えば、銅めっき）は、第１の配線層（図３（Ａ）の２４；ステップＡ５参照）と同様の方法により形成することができる。第７の絶縁層９５は、第１の絶縁層（図３（Ａ）の２３；ステップＡ５参照）と同様の方法（例えば、樹脂付き銅箔を用いる方法）により形成することができる。第８の絶縁層９７は、第１の絶縁層（図３（Ａ）の２３；ステップＡ５参照）と同様の方法（例えば、感光性樹脂（ソルダーレジスト）を用いる方法）により形成することができる。接合用金属材料層９９は、接合用金属材料層（図３（Ｂ）の２９；ステップＡ６参照）と同様の方法により形成することができる。接合接着層１００は、接合接着層（図３（Ｃ）の３０；ステップＡ７参照）と同様の方法により形成することができる。なお、第７のビアホール９６と第８のビアホール９８との間にさらに配線層、絶縁層を多層に形成して層間をビア接続させてもよい。

以上、ステップＥ１〜Ｅ５により、貼り合せ前の第２のビルドアップ層９０の中間体ができる。なお、第２のビルドアップ層９０を大量生産する場合は、ビルドアップ層２０と同様に、１枚の金属板９１に複数の第２のビルドアップ層９０を形成し、貼り合せしやすいユニット（例えば、短冊状ユニット）に裁断する。そして、裁断されたユニットのうち第２のビルドアップ層９０として利用する部分以外の領域の所定の位置に、ビルドアップ層（図３（Ｃ）の２０）との貼り合せの際に位置合わせを行うための位置決め孔を形成する。

次に、貼り合せ段階について説明する。

まず、金属板２１、９１が各々外側に向かうようにして、ビルドアップ層２０にコア基板４０を貼り付けた組立体と、第２のビルドアップ層９０とを位置合せし対向させる（ステップＦ１；図１３（Ａ）参照）。なお、ビルドアップ層２０にコア基板４０を貼り付けた組立体は、実施形態１のステップＡ１〜Ａ５、Ｂ１及びＢ２（図２、図３（Ａ）及び（Ｂ）参照）と同様な方法により製造することができる。また、位置合せは、実施形態１のステップＢ１（図４（Ａ）参照）と同様な方法により行うことができる。

次に、位置合せしたビルドアップ層２０及びコア基板４０の組立体と第２のビルドアップ層９０とを貼り合せる（ステップＦ２；図１３（Ｂ）参照）。なお、貼り合せ方法は、実施形態１のステップＢ２（図４（Ｂ）参照）と同様な方法により行うことができる。

次に、金属板２１に、第１の導電性パッド２２が形成されている領域を含む領域に開口部２１ａを形成するとともに、金属板２１に対向する金属板（図１３（Ｂ）の９１）を除去する（ステップＦ３；図１４（Ａ）参照）。ここで、金属板（図１３（Ｂ）の９１）の除去は、金属板（図１３（Ｂ）の９１）の表面にエッチングレジストを形成しないで、金属板（図１３（Ｂ）の９１）全体をエッチングすることで達成される（第３の導電性パッド９２は残る）。また、エッチングレジスト３２の形成方法は、実施形態１のステップＢ３（図４（Ｃ）参照）と同様である。なお、開口部２１ａを形成（金属板（図１３（Ｂ）の９１）を除去）した後は、エッチングレジスト３２を除去する。

最後に、半導体素子５０を第２のバンプ８０により第１の導電性パッド２２にフリップチップ接続し、封止樹脂６０を半導体素子５０と第１の絶縁層２３との間の空間に流し込んで硬化させ、第３の導電性パッド９２に第１のバンプ７０を装着する（ステップＦ４；図１４（Ｂ）参照）。

以上のように構成された印刷配線板によれば、平坦な金属板２１上にビルドアップ層２０を設けているため、印刷配線板１０の平坦性が良好である。また、半導体装置は、半導体素子５０が金属板２１の開口部２１ａ領域内に配され、反りがなく平坦なビルドアップ層２０の最表面に接続されているため、印刷配線板１０と半導体素子５０との接続部が安定し信頼性が高い。また、ビルドアップ層２０と第２のビルドアップ層９０を別々に製造しているので、歩留まりを向上させることができる。さらに、ビルドアップ層２０と第２のビルドアップ層９０を同時に製造した後に貼り合せることができるので、リードタイムが短縮し、タクトを向上させることができる。なお、印刷配線板の仕様によっては、金属板２１を全てエッチング除去しても構わない。

本発明の実施形態１に係る半導体装置の構成を模式的に示した（Ａ）表面側からの斜視図、（Ｂ）裏面側からの斜視図、及び（Ｃ）部分断面図である。 本発明の実施形態１に係る印刷配線板におけるビルドアップ層の断面を主たる製造工程の前半について工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態１に係る印刷配線板におけるビルドアップ層の断面を主たる製造工程の後半について工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態１に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程の前半について工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態１に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程の後半について工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態１に係る印刷配線板の変形例の断面を主たる製造工程の工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態２に係る半導体装置の構成を模式的に示した（Ａ）表面側からの斜視図、（Ｂ）裏面側からの斜視図、及び（Ｃ）部分断面図である。 本発明の実施形態２に係る印刷配線板におけるビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態２に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程の前半について工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態２に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程の後半について工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態３に係る半導体装置の構成を模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態３に係る印刷配線板における第２のビルドアップ層の断面を主たる製造工程について工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態３に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程の前半について工程順に模式的に示した部分断面図である。 本発明の実施形態３に係る印刷配線板の断面を主たる製造工程の後半について工程順に模式的に示した部分断面図である。

符号の説明

１ 半導体装置
１０ 印刷配線板
２０ ビルドアップ層
２１ 金属板
２１ａ 開口部
２２ 第１の導電性パッド
２３ 第１の絶縁層
２３ａ 開口部
２４ 第１のビアホール
２５ 第２の絶縁層
２６ 第２のビアホール
２７ 第３の絶縁層
２８ 第３のビアホール
２９ 接合用金属材料層
３０ 接合接着層
３１ めっきレジスト
３１ａ 開口部
３２ エッチングレジスト
３３ ソルダーレジスト層
４０ コア基板
４１ スルーホール
４２ 第４の絶縁層
４３ 充填材
４４ 第２の導電性パッド
４５ 第５の絶縁層
４５ａ 開口部
５０ 半導体素子
６０ 封止樹脂
７０ 第１のバンプ
８０ 第２のバンプ
９０ 第２のビルドアップ層
９１ 金属板
９２ 第３の導電性パッド
９３ 第６の絶縁層
９３ａ 開口部
９４ 第６のビアホール
９５ 第７の絶縁層
９６ 第７のビアホール
９７ 第８の絶縁層
９８ 第８のビアホール
９９ 接合用金属材料層
１００ 接合接着層
１０１ めっきレジスト
１０１ａ 開口部
１１０ プリプレグ
１１１ 導電性ペースト

Claims (7)

1. 半導体素子と、
   前記半導体素子の電極端子に接続されるバンプと、
   前記バンプに接続される導電性パッドと、
   複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続され、前記ビアホールの径は前記半導体素子が配される前記絶縁層の第１の面側の径が前記第１の面の反対側の前記絶縁層の第２の面側の径より狭くなるように構成され、かつ、前記ビアホールのうち最も前記半導体素子に近いビアホールが前記導電性パッドと接続されたビルドアップ層と、
   スルーホールを有するコア基板と、
   を有し、
   前記コア基板と前記ビルドアップ層とを貼り合わせて印刷配線板とし、前記コア基板のスルーホールと前記ビルドアップ層の前記ビアホールが接合用金属材料層により接合され、
   前記ビアホールは、前記第２の面側の部分にて隣接する前記配線層と一体に構成されていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記接合用金属材料層が溶融後固化した金属材料で構成されることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
3. 前記ビルドアップ層が貼り合わされたコア基板の反対面側に、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続された第２のビルドアップ層が貼り合わされ、前記第２のビルドアップ層のビアホールの径はコア基板面側の径がコア基板と反対面側の径より狭くなるように構成されていることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体装置。
4. 前記ビアホールが、前記絶縁層の第２の面側に突出部を有し、前記スルーホールが、前記ビルドアップ層側に突出部を有し、前記ビアホールの前記突出部が、前記スルーホールの前記突出部に接するか５μｍ以内の間隙で近接し、前記ビアホールの前記突出部と前記スルーホールの前記突出部の接触部の周囲の前記突起部間の間隔を前記接合用金属材料層が充填する構造を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の半導体装置。
5. １枚の金属板に、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続され、前記ビアホールが前記絶縁層の前記金属板側の面と反対面側からのレーザ穴あけ加工によって形成された開口部に充填され、前記ビアホールのうち最も前記金属板に近いビアホールが導電性パッドと接続され、かつ、前記ビアホールが前記金属板と反対側の部分にて隣接する前記配線層と一体に構成されたビルドアップ層、半田からなる接続用金属材料層、及び熱可塑性樹脂からなる接合接着層を形成する工程と、
   形成物を含め前記金属板を複数の個片に断裁分割する工程と、
   スルーホールを有するコア基板を形成する工程と、
   各前記個片を前記金属板を外側にして前記コア基板に重ね合せることで各前記個片の前記接続用金属材料層を、前記コア基板の前記スルーホールに重ね合わせ設置する工程と、
   加熱により前記接続用金属材料層の前記半田を溶融させ、かつ、前記接合接着層の前記熱可塑性樹脂を液状とした状態で、溶融した前記半田の表面張力によるセルフアライメント効果で各前記ビルドアップ層のユニットの個片を一括して所定の前記コア基板の所定の位置に自動的に位置合せした後、前記接合用金属材料層及び前記接合接着層を硬化させる工程と、
   前記コア基板を複数の個片に断裁する工程と、
   を含むことを特徴とする印刷配線板の製造方法。
6. １枚の金属板に、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続され、前記ビアホールが前記絶縁層の前記金属板側の面と反対面側からのレーザ穴あけ加工によって形成された開口部に充填され、前記ビアホールのうち最も前記金属板に近いビアホールが導電性パッドと接続され、かつ、前記ビアホールが前記金属板と反対側の部分にて隣接する前記配線層と一体に構成されたビルドアップ層、半田からなる接続用金属材料層を積層形成する工程と、
   形成物を含め金属板を複数の個片に断裁分割する工程と、
   スルーホールを有するコア基板を形成する工程と、
   前記コア基板上の所定位置に液体状の接合接着層を形成する工程と、
   各前記個片を前記金属板を外側にして前記コア基板に重ね合せることで各前記個片の前記接続用金属材料層を、前記コア基板の前記スルーホールに重ね合わせ設置する工程と、
   加熱により前記接続用金属材料層の半田を溶融させ、溶融した前記半田の表面張力によるセルフアライメント効果で各前記ビルドアップ層のユニットの個片を一括して所定の前記コア基板の所定の位置に自動的に位置合せした後、前記接合用金属材料層及び前記接合接着層を硬化させ、かつ、前記液体状の接合接着層を硬化させる工程と、
   前記コア基板を複数の個片に断裁する工程と、
   を含むことを特徴とする印刷配線板の製造方法。
7. １枚の金属板に、複数の配線層及び絶縁層が交互に積層されるとともに、前記配線層間がビアホールによって接続され、前記ビアホールが前記絶縁層の前記金属板側の面と反対面側からのレーザ穴あけ加工によって形成された開口部に充填され、前記ビアホールのうち最も前記金属板に近いビアホールが導電性パッドと接続され、かつ、前記ビアホールが前記金属板と反対側の部分にて隣接する前記配線層と一体に構成されたビルドアップ層、半田からなる接続用金属材料層を形成する工程と、
   形成物を含め金属板を複数の個片に断裁分割する工程と、
   スルーホールを有するコア基板を形成する工程と、
   プリプレグの、前記コア基板のスルーホール位置に対応する所定位置に孔を形成し、該孔に接続用金属材料層を設置する工程と、
   各前記個片を前記金属板を外側にして、前記プリプレグを設置した前記コア基板上に重ね合せることで各前記個片のビアホールと前記プリプレグの前記接続用金属材料層と前記コア基板の前記スルーホールを重ね合わせ設置する工程と、
   加熱・加圧により、前記プリプレグを熱硬化させるとともに、各前記個片の前記ビアホールと前記コア基板の前記スルーホールを近接させた状態で前記接合用金属材料層により接合させる工程と、
   前記コア基板を複数の個片に断裁する工程と、
   を含むことを特徴とする印刷配線板の製造方法。

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