JP5245756B2 - 回路基板、多層回路基板および多層回路基板の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、回路基板およびそれを用いた多層回路基板に関し、特に多層回路基板の一括積層接続において、機械的・電気的接続の信頼性が高い回路基板およびそれを用いる多層回路基板に関する。

電子機器の高機能化、小型軽量化の要請は近年ますます増大し、それに伴って、電子部品の高密度実装化が進み、使用される半導体パッケージの小型かつ多ピン化が急速に進んでいる。

そういった高密度実装用の電子部品が搭載される多層回路基板は、従来、ガラス繊維の織布にエポキシ樹脂を含浸させたガラスエポキシ板を絶縁体層として用い、その板の両面に貼り付けられた銅箔をパターニングして、いわば単層の回路基板を形成し、こうして形成した回路基板を複数枚重ねて一括積層し、機械式ドリルで貫通孔を形成後、穴の壁面に銅メッキを行って層間の電気接続を行うものであった。

より小型化、微細化された半導体素子あるいは半導体装置を実装するために、近年、ビルドアップ多層回路基板と呼ばれる、いわば、薄い絶縁層と導体層を交互に積み重ねるといった工法を用いた多層回路基板が用いられるようになった。

ビルドアップ方式の順次多層化する多層回路基板は、機械式ドリルによって全層にわたる貫通孔を形成する従来の多層回路基板に比べて、一層ずつ積層しながら形成していくために、層間接続を行うビアは必要な層にだけ形成することが可能である。またそのため、レーザー加工やフォトリソグラフィなどの、機械式ドリルに比べてより微細な開口のための加工方法を適用することができる。一方、交互に導体層、絶縁体層の層形成を伴う順次多層化の採用などにより、必然的に製造手番がより多くかかること、そのため歩留まりを高くすることが容易ではないことなどから、低コスト化には多くの課題がある。

これらの事情から、上記のガラスエポキシ板を用いるもののように積層後での貫通孔形成を行うこと無く、また、それでは不可能である微細加工が可能で、かつ個別形成した（例えば、回路用導電体層と絶縁体層とが各一層の組み合わせで形成された、いわゆる、単層の）個別回路基板を、一括積層して多層回路基板を製造する方法が提案がなされている。提案された製造方法では、例えば、個別の単層の個別回路基板毎のビアホールに導電性ペーストを充填後、それら個別の回路基板を一括積層を行う方法や、その個別回路基板のビアホールを金属めっきで充填後、一括積層を行う方法などが提案されている。
特開平１１−２５１７０３号公報 特開２００２−３３５０７９号公報

しかしながら、個別回路基板のビアホールを導電ペースト充填してビアを形成する方法は、形成ビアそのものの強度が、他の方法の金属充填より比較的低いために、ビア断面積を増やす必要があり、回路基板の配線パターンなどの微細化に適しているとは言えない。

また、個別回路基板のビアホールに金属めっきを充填する従来の方法は、この個別の回路基板のビアと、これに積層する他の個別回路基板上の配線パターンとで接続する際、配線パターン表面の活性化が不可欠となる。そのために、例えば、金属充填めっきの表面にはんだめっきし、二つの回路基板を接続密着させるための絶縁性の層間接着用材料（例えば熱硬化性樹脂などを適用）に活性作用を有する成分（例えばフラックス剤）を含有させておく。多層接続のための加熱の工程において、まず硬化前の軟化状態の熱硬化性樹脂中からフラックスを導出させ、これ用いて、金属めっき充填ビアと配線パターンとを接合させる（勿論、このときは、ビアと配線パターンの融点は越えている温度となっている）。その後に、必然的に、さらに高温化して層間接着用材料である熱硬化性樹脂を硬化させるといった製造方法が取られる。そのため、ビア用（接続）材料として、例えば低融点めっきなどの低融点金属といった接合強度に劣る材料を用いることが多い。さらに、ビアと配線パターン接続後に、熱硬化性樹脂を硬化のためのより高温化プロセスを伴う。このプロセスは、接続個所の金属が、樹脂の軟化状態下で溶融状態になっている過程があることを意味する。つまり、ビアと配線パターンの接続個所で、樹脂・金属ともに溶融状態で、接続点の濡れ拡張（流れ出し）の危険を伴っている。これは接続ポイントでの、パターンの乱れ（微細化の困難性）や接続強度弱体化を惹起する可能性が大きい。

したがって、上記いずれの方法でも、特に温度変化などの環境変化の大きい使用状態でおいては、形成された多層回路基板のビアと回路配線との接続信頼性に関して大きな課題が依然として残っていた。

そこで本発明の課題は、半導体素子あるいは半導体装置を実装する多層回路基板の形成において、個別回路基板の積層による多層回路基板に対して、一括貫通孔の形成を行うこと無く、各個別回路基板での微細回路パターン形成とそれら個別回路基板の一括積層による多層回路基板の形成が容易に可能で、かつ、機械的・電気的接続の信頼性が高い、個別である回路基板およびそれを積層して形成する多層回路基板を提供することにある。

本発明の回路基板は、
絶縁体層と、
前記絶縁体層の主面と裏面とを貫通し、主面側端部と裏面側端部とを有する導電ビアと、
前記主面において前記主面側端部と接続する主面金属配線パターンと、
前記主面金属配線パターン上に形成されたはんだからなる、はんだめっき形成領域と、
前記絶縁層の裏面を被覆し、前記はんだの融点より低い温度で溶融硬化する熱硬化性樹脂と、を有し、
前記裏面側端部は前記裏面より突出した突起構造を有し、かつ前記突起構造表面に、前記熱硬化性樹脂が溶融硬化する温度より低い温度で圧接されて前記はんだと固相接合するはんだ固相材料層が形成されていることを特徴とする。

また、本発明の多層回路基板は、
本発明の上記回路基板が、一方の前記回路基板の前記主面と、それに隣接する他の前記回路基板の前記裏面とで相対するように複数積層され、かつ、
前記主面の前記はんだめっき領域と、前記裏面の突起構造とが互いに接続されていることを特徴とする。

本発明の回路基板および多層回路基板によって、微細な配線パターンを形成可能な個別の回路基板を一括して多層回路基板化することができ、その多層化の工程においては、一方の回路基板の導電ビアと隣接する回路基板の金属回路パターンとのはんだ接続を、固相材料層を介して実施することで、はんだと固相材料の両金属が固相化し、両者の強固な接続を可能とする。同時に、層間接続用の熱硬化樹脂の硬化温度を固相接続箇所のはんだ融点より高くすることが可能となることで、一括多層化時における接続点の濡れ拡張（流れ出し）が防止でき、これにより、接続点での更なる信頼性向上とパターンの微細化実現に大きく寄与する。

以下に、本発明の実施の形態を、添付図を参照しつつ説明する。

（実施例）
図１〜３は、これを用いて、多層に積層して多層回路基板を製造するための、本発明になる、個別（例えば、回路用導電体層と絶縁体層とが各一層の組み合わせで形成された、いわゆる、単層の）回路基板の製造工程を説明するための、基板断面模式図である。

図１（１）において、両面銅張り絶縁板１は、例えば，宇部興産株式会社製ユピセルＮであり、厚さ２５μｍの、絶縁体層であるポリイミドフィルム２の両面（主面すなわち、図において上側と、裏面すなわち下側）に、厚さ１２μｍの、銅箔３（主面側銅箔３−１と裏面側銅箔３−２）が貼られた材料である。本図において、ポリイミドフィルムの主面側、裏面側の両側に多くの小さな突起形状をもつポリイミド層があること示しているが、これは銅箔３のポリイミドフィルム２への密着性を高めるため、例えば、高さ〜３μｍ程度の凹凸が形成されている層（樹脂表面のアンカー層）を有することを表す。これは、前記のユピセルＮにおいて、典型的に取り入れられている構造であるが、この凹凸ポリイミド層は、本発明の回路基板において、不可欠の要素では無い。

図１（２）に示すように、この両面銅張り絶縁板１に張られた裏面側銅箔３−２を全面エッチングによって除去し，ポリイミドフィルム２の面を露出させる。

次いで、図１（３）に示すよう、露出ポリイミドフィルム側（裏面側）からのレーザー照射によるレーザー加工で、例えば直径１００μｍのビアホール４を形成する。このとき、形成されたビアホール４は、ポリイミドフィルム２を貫通開口するが、主面側の開口部は主面側銅箔３−１で塞がれた状態とする。また、このとき、図示するように、レーザー照射側の裏面側におけるビアホール４の開口径は、通常、レーザーが出ていく側である主面側の開口径より大きくなる。

そして、図２（４）に示すように、その主面側銅箔３−１を電極に用いることで、電解めっき、例えば電解銅めっきによりビアホール４を充填し、導電ビア５を形成する。このときの電解めっきは、ビアホール４の裏面側開口部から導電ビア５が突出した、つまり導電ビアの裏面側端部が突起構造（図中の、高さＨ）を有するようにめっきを成長させる。

めっき成長によって形成される、この導電ビア４の突起構造の形状は、図１（３）に示されたレーザーによるビアホール４の開口形状に依存するところも大きく、めっき条件とともに、この開口形状も突起構造（突出高さＨなど）の制御要因となる。この金属めっきの導電ビア５は、ポリイミドフィルム２の裏面から少なくとも１０μｍ（高さＨ≧１０μｍ）突出させることが望ましい。ここにおいて、導電ビア５の主面側端部は、勿論、主面側銅箔３−１と電気的に接続している。

次に、図２（５）に示すように、ポリイミドフィルム２裏面から突出させた金属めっきの導電ビア５の表面に、後に、この金属めっきの導電ビア材料と、これに相対する金属配線パターンの接続表面材料、例えば、次工程に述べる、はんだとの接続が良好に行われるための、はんだ固相材料層６を形成する。この層には、例えば、電解Ｎｉめっきを厚さ２μｍ形成後、フラッシュＡｕめっきによる、Ｎｉ／Ａｕ層が好適である。

このように、本発明においては、金属配線パターンと導電ビアとの接合において、導電ビア上のＡｕ−Ｎｉと、配線パターン上のはんだとの、固相接合を実現することで、この接続を強固なものにすることが可能である。従来、めっきで充填したビアと金属配線パターンとの接続において不可欠であった配線パターン表面の活性化（例えば、この接続近傍へのフラックスの供給による活性化）が不要となり、このメリットは大きい。

次に，図２（６）に示すように、ポリイミドフィルム３の主面に全面貼り付けられた主面側銅箔３−１にレジストパターン形成、銅箔エッチングによって金属（銅）配線パターン７（７−１、７−２など）を形成する。

そして、図３（７）に図示するように、主面に形成された金属配線パターン７のうちで、例えば、導電ビア５と電気的に接続されたランド部金属配線パターン７−１、つまり、導電ビア５の主面側端部が主面側金属配線パターン７（この場合はランド部金属配線パターン）に接続されて、このランド部金属配線パターン７−１上に、はんだめっき形成領域８を作製する。このはんだめっきは、例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだペーストを印刷した後、２４５℃のリフローによって作製する。このとき，はんだめっき形成領域８の厚さ（Ｔ）が１０μｍ以上（厚さＴ≧１０μｍ）であることが望ましい。

また、はんだめっき形成領域８のはんだめっき融点は、後にこの回路基板を用いて形成された多層回線基板上に半導体素子などが実装されるときに用いられる実装用はんだの融点（たとえば、Ｓｎ―Ａｇ―Ｃｕはんだの２１７℃）よりも高いことが望ましい。

そして、図３（８）に示すように、突出構造を有する導電ビア５側の裏面側の表面全体に、層間接着のための絶縁材料である未硬化樹脂シートである、ボンディングシート９、例えば京セラケミカル製ＴＦＡ−８６０ＦＢ・厚さ２５μｍを真空ラミネートする。

このボンディングシート９は、熱硬化性樹脂であり、硬化温度が、はんだめっき形成領域８のはんだめっき融点（２１７℃）よりも低い温度であることが望ましい。勿論、この樹脂に、活性作用剤（フラックスなど）を含む必要は無い。

このとき、図示するように、導電ビア５のはんだ固相材料層６が形成された突起構造の突起個所において、ボンディングシート９が薄く覆われた領域Ｗを有するように示しているが、これは、真空ラミネート工程で、実質的に、突起個所は他の部分に比べ薄く覆われる状態となることを示唆する。後に述べる多層化工程において、この突起構造上のボンディングシートの存在は、接続するためには実際上全く問題とならない。こうして、ビルドアップ方式多層回路基板を形成するための、本発明の個別の（この場合は、回路用導電体層と絶縁体層とが各一層の組み合わせで形成された、いわゆる、単層の）回路基板１０１が製造される。

上記のように製作した個別の回路基板１０１を複数用い、一方の回路基板の主面と、それに隣接する他の回路基板の裏面とで相対するようにして、複数枚積み重ね、そのとき、一方の回路基板の主面のはんだめっき領域と、他の回路基板の裏面の突起構造とが互いに接続されるようにして、例えば、加熱を伴う真空プレスによって一括積層して、多層回路基板を形成することができる。これは、後述の、図６の（ａ）、（ｂ）回路基板同士、あるいは（ｄ）、（ｅ）回路基板同士の接続での図７における相当個所での多層回路基板形成、更にこれを繰り返しての複数枚化による多層回路基板の形成に相当する。

このように形成した多層回路基板１０１は、上述のように、各形成層の材質や厚さなどから、フレキシブルな多層回路基板になる。フレキシブル多層回路基板は、リジッドな回路基板間や電子部品間の接続用配線部品として、またはこの回路基板上に電子部品を搭載した構成のフレキシブル回路基板を製造することができ、適用範囲が広い。

上記のように製作した個別の回路基板１０１を用いて、リジッド性を有する多層回路基板の製造も可能である。そのために、例えば、通常のビルドアップ多層回路基板などでも採用されているように、個別（例えば、回路用導電体層と絶縁体層とが各一層の組み合わせで形成された、いわゆる、単層の）回路基板と、多層かつリジッド化のための接続用回路基板、すなわちコア基板と組み合わせてリジッド性を有するようする。

図４〜５は、上記の接続用回路基板、特に製造された多層回路基板にリジッド性を持たせるために、例えばＦＲ−４ガラスエポキシ材料などを用いた絶縁体層の、多層に積層したものの中心層などに用いられる、コア基板の形成工程の断面模式図である。

図４（１）において、両面銅張りコア板１０は、例えば，ガラス繊維布材にエポキシ樹脂を浸透させた材料を絶縁層（接続基板用絶縁体層）として用い、厚さ６０μｍのガラスエポキシ絶縁体板１１の両面に銅箔１２（主面すなわち、図において上側と、裏面すなわち下側に、厚さ１２μｍの、主面側銅箔１２−１と裏面側銅箔１２−２）が貼られている。本図において、ガラスエポキシ樹脂の主面、裏面両側に多くの突起形状のものが示されているが、前述のポリイミドフィルムと同様に、凹凸面が形成されている状態（樹脂表面のアンカー）を表す。

次に、図４（２）に示すように、機械式ドリルでスルービアホール１３の開口加工を行う。開口径は例えば、１５０μｍとする。機械式ドリルで形成されたスルービアホール１３の開口形状は通常、図示するように、レーザーでのそれと異なり、通常、ほぼ円柱状開口が行われる。

そして、図４（３）に示すように、無電解銅めっき、および電解銅めっきのプロセスを行って、スルービアホール１３の内側を含めて、全面に銅めっき層１４（例えば、厚さ１２μｍ）を形成する。これによって、スルービアホール１３内部にスルービア１５が形成され、主面側と裏面側の金属層（銅箔）が電気的に接続されている。

図５（４）のように、両面の全面に貼り付けられた銅箔を、レジストパターン形成、エッチングによって主面側金属配線パターン１６、裏面側金属配線パターン１７を形成する。

次いで、図５（５）に示すように、金属配線パターン１６、１７のうち、例えば、スルービア１５と接続する、主面側、裏面側の各ランド部金属配線パターン１６−１、１６−２、１７−２上に、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕはんだペーストを印刷し、２４５℃のリフローによって、主面および裏面両側に、はんだめっき形成領域１８を作製する。このとき，はんだめっき形成領域１８の厚さ（Ｔ）が１０μｍ以上（厚さＴ≧１０μｍ）であることが望ましい。こうして、この場合はコア基板である、接続用回路基板１０２が製造される。

次に、図６、図７に、本発明の多層回路基板を説明するための断面模式図を示す。

上記のようなプロセスを経て、例えば、所定の種類と数量の、個別に設計された金属配線パターンを有する、本発明の個別（例えば、回路用導電体層と絶縁体層とが各一層の組み合わせで形成された、いわゆる、単層の）回路基板１０１を形成し、またリジッド性を付加するための、例えば、多層回路基板の中心層に配置する、所定の金属配線パターンと両面に所定の位置にはんだめっき領域が形成された１枚の接続用回路基板１０２であるコア基板を形成し、準備する。

図６に、多層回路基板化するときの、各層の配置構成の例を示す。この場合、（ａ）、（ｂ）、（ｄ）、（ｅ）の層は、単層の個別回路基板１０１を、（ｃ）は接続用回路基板１０２からなる例を示し、最上層（ａ）の回路基板１０１と最下層（ｃ）の回路基板１０１は、この上、ないしこの下に、更に積層しないことから、導電ビア５と接続する金属配線パターン７には、はんだめっき形成領域８は形成しないものを用いている。後述するように、それら端部の個別回路基板には、金属回路パターン上に実装用はんだなどを用いて半導体素子など各種電子部品を搭載することとなる。

さらに、図６においては、個別回路基板（ａ）、(ｂ)は、主面（金属配線パターン形成側）を上側にした、金属配線パターンが互いに異なるが個別(単層)の回路基板を示す。また、個別回路基板（ｄ）、（ｅ）は、主面（金属配線パターン形成側）を下側にした、金属配線パターンが互いに異なるが個別(単層)の回路基板を示す。基板（ｃ）は、１枚の接続用回路基板であるコア基板である例を示す。このとき、各個別回路基板（含む接続用回路基板）は、図中Ｔで示したそれぞれの個所（接続個所）で、導電ビア５とはんだめっき形成８、１８同士が相対するように位置合わせされる。例えば、図中の鎖線の円で示すように、回路基板（ｂ）の、はんだ固相材料層６が形成された導電ビア５と、接続用回路基板（ｃ）（コア基板）のランド部金属配線パターン１６−１上のはんだめっき形成領域１８とが接続個所Ｔで接続される。

この配置において、図示しているように、コア基板（ｃ）を中心に、金属めっき（電解銅めっき）充填によって形成された導電ビア５の突起方向が、いずれも内側に向かうようにしている。次に、これらを重ね合わせて一括積層真空プレスで加圧・加熱処理を行う際に、上下層からの接続圧力が中心のコア基板に向かって働くようにすることを意図している。

図７は、一括積層真空プレス後の、本発明の多層配線基板１０３の断面模式図を示す。
この真空プレス条件は、例えば、６ＭＰａの圧力で、１８０℃、３０分加熱することにより突出した導電ビア６とはんだめっき形成領域８、１８を押し付ける。同時にボンディングシート９を熱硬化させる。その後、そのまま２５０℃に温度を上げて１分間保持し，突出したビア表面のはんだ固相材料層であるＮｉ／Ａｕ層と、溶融したはんだを接着した後，圧力をかけたまま冷却することで固相化接続を実現する。このように、本発明の多層配線基板１０３においては、導電ビア６と、はんだめっき形成領域８、１８の接合箇所において、はんだ固相材料層６を予め導電ビア６上に形成しておくことにより、強固な固相化結合が一括して実施される。また、ボンディングシート９が各層間に挿入され、層間の絶縁とともに層間の密着硬化を、ビアとはんだとの接合溶融以前において実現している。

こうして、多層回路基板形成のための積層後，必要があれば表面にソルダーレジストや，微細な配線パターンなどを形成してもよい。さらに、この表面に形成された配線パターン上に、半導体素子等の電子部品の実装を行っても良い。

図８は、本発明の多層配線基板１０３上に、半導体素子など各種の電子部品１９を実装したときの電子部品実装基板１０４の例を示す断面模式図である。各電子部品１９は、この場合、多層回路基板１０３の面上（上面、下面とも）の金属配線パターン７に実装用はんだ２０を用いて搭載されている。実装用はんだ２０の融点は、上記の個別回路基板形成時のはんだめっき形成領域８、１８に用いる、はんだ融点よりも低い(例えば、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉめっきを用い、融点２０３℃)ことが望ましい。

以上述べたように、本発明の回路基板および多層回路基板では、微細な配線パターンを形成可能な個別の回路基板を一括して多層回路基板化する工程において、導電ビアと金属回路パターンとのはんだ接続を、固相材料層を介して実施することで、両者の強固な固相接続を可能とする。同時に、層間接続用の熱硬化樹脂の硬化温度を固相接続箇所のはんだ融点より高くすることが可能となることで、一括多層化時における接続点の濡れ拡張（流れ出し）が防止でき、これにより、接続点での更なる信頼性向上とパターンの微細化実現に大きく寄与する。

また、接続点でのはんだ融点に関し、半導体素子など電子部品を実装する際に用いるはんだ材料よりも、融点が高い実装用はんだ材料を用いることにより，実装プロセスにおけるはんだ再溶融を防止し，回路基板としての接続信頼性を高めることができる。

以上の実施例を含む実施の形態に関し、以下の付記を開示する。
（付記１）
絶縁体層と、
前記絶縁体層の主面と裏面とを貫通し、主面側端部と裏面側端部とを有する導電ビアと、
前記主面において前記主面側端部と接続する主面金属配線パターンと、
を備え、
前記主面金属配線パターン上に、はんだめっき形成領域を有し、
前記裏面側端部は前記裏面より突出した突起構造を有し、かつ前記突起構造表面にはんだ固相材料層が形成されていることを特徴とする回路基板。
（付記２）
前記導電ビアは、電解めっきによる銅からなり、前記はんだ固相材料層は、Ｎｉ(ニッケル)層とＡｕ（金）層の積層からなることを特徴とする付記１記載の回路基板。
（付記３）
前記裏面は、更に、熱硬化性樹脂で覆われていることを特徴とする付記１または２記載の回路基板。
（付記４）
前記熱硬化樹脂の硬化温度は、前記はんだめっき形成領域のはんだ融点よりも低いことを特徴とする付記３記載の回路基板。
（付記５）
付記１ないし４のいずれからなる回路基板が、一方の前記回路基板の前記主面と、それに隣接する他の前記回路基板の前記裏面とで相対するように複数積層され、かつ、
前記主面の前記はんだめっき領域と、前記裏面の突起構造とが互いに接続されていることを特徴とする多層回路基板。
（付記６）
更に、接続基板用絶縁体層と、前記接続基板用絶縁体層の主面金属配線パターンおよび裏面金属配線パターンと、両パターンを接続する導電ビアとを有し、前記主面金属配線パターンおよび前記裏面金属配線パターン上にはんだめっき形成領域が形成された接続用回路基板が、
前記回路基板と積層し、かつ前記回路基板の前記突起構造と、前記接続用回路基板の前記はんだめっき形成領域とが互いに接続されていることを特徴とする付記５記載の多層回路基板。
(付記７)
前記接続は、一括積層プレス加工を伴うことを特徴とする付記５または６記載の多層回路基板。
(付記８)
前記はんだめっき形成領域におけるはんだの融点は、前記多層回路基板上への電子部品実装用のはんだの融点よりも高いことを特徴とする付記５ないし７のいずれかに記載の多層回路基板。

本発明の個別（例えば、回路用導電体層と絶縁体層とが各一層の組み合わせで形成された、いわゆる、単層の）回路基板の製造工程を説明するための、基板断面模式図（その１） 本発明の個別（例えば、回路用導電体層と絶縁体層とが各一層の組み合わせで形成された、いわゆる、単層の）回路基板の製造工程を説明するための、基板断面模式図（その２） 本発明の個別（例えば、回路用導電体層と絶縁体層とが各一層の組み合わせで形成された、いわゆる、単層の）回路基板の製造工程を説明するための、基板断面模式図（その３） 本発明の接続用回路基板の製造工程を説明するための、基板断面模式図（その１） 本発明の接続用回路基板の製造工程を説明するための、基板断面模式図（その２） 複数の本発明の個別回路基板と接続用回路基板とで多層回路基板化するための位置合わせ構成を説明するための、個別の基板断面模式図 複数の本発明の個別回路基板と接続用回路基板とで多層化したときの多層回路基板を説明するための、基板断面模式図 本発明の多層回路基板に電子部品を搭載することを説明するための、基板断面模式図

符号の説明

１ 両面銅張り絶縁板
２ ポリイミドフィルム
３ 銅箔
３−１ 主面側銅箔
３−２ 裏面側銅箔
４ ビアホール
５ 導電ビア
６ はんだ固相材料層
７ 金属配線パターン
８ はんだめっき形成領域
９ ボンディングシート
１０ 両面銅張りコア板
１１ ガラスエポキシ絶縁板
１２ 銅箔
１３ スルービアホール
１４ 銅めっき層
１５ スルービア
１６ 主面側金属配線パターン
１７ 裏面側金属配線パターン
１８ はんだめっき形成領域
１９ 電子部品
２０ 実装用はんだ

Claims (5)

1. 絶縁体層と、
   前記絶縁体層の主面と裏面とを貫通し、主面側端部と裏面側端部とを有する導電ビアと、
   前記主面において前記主面側端部と接続する主面金属配線パターンと、
   前記主面金属配線パターン上に形成されたはんだからなる、はんだめっき形成領域と、
   前記絶縁層の裏面を被覆し、前記はんだの融点より低い温度で溶融硬化する熱硬化性樹脂と、を有し、
   前記裏面側端部は前記裏面より突出した突起構造を有し、かつ前記突起構造表面に、前記熱硬化性樹脂が溶融硬化する温度より低い温度で圧接されて前記はんだと固相接合するはんだ固相材料層が形成されていることを特徴とする回路基板。
2. 前記導電ビアは、電解めっきによる銅からなり、前記はんだ固相材料層は、Ｎｉ(ニッケル)層とＡｕ（金）層の積層からなることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
3. 請求項１ないし２のいずれからなる回路基板が、一方の前記回路基板の前記主面と、それに隣接する他の前記回路基板の前記裏面とで相対するように複数積層され、かつ、
   前記はんだめっき領域と前記突起構造とを圧接して前記熱硬化性樹脂が溶融硬化する温度に加熱保持して前記熱硬化性樹脂を硬化させた後、前記はんだめっき領域を前記突起電極へ溶融接合させて形成されている、
   ことを特徴とする多層回路基板。
4. 更に、接続基板用絶縁体層と、前記接続基板用絶縁体層の主面金属配線パターンおよび裏面金属配線パターンと、前記両パターンを接続する導電ビアとを有し、前記主面金属配線パターンおよび前記裏面金属配線パターン上にはんだめっき形成領域が形成された接続用回路基板が、
   前記回路基板と積層し、かつ前記回路基板の前記突起構造と、前記接続用回路基板の前記はんだめっき形成領域とが互いに接続されていることを特徴とする請求項３記載の多層回路基板。
5. 絶縁体層と、
   前記絶縁体層の主面と裏面とを貫通し、主面側端部と裏面側端部とを有する導電ビアと、
   前記主面において前記主面側端部と接続する主面金属配線パターンと、
   前記主面金属配線パターン上に形成されたはんだからなる、はんだめっき形成領域と、
   前記絶縁層の裏面を被覆し、前記はんだの融点より低い温度で溶融硬化する熱硬化性樹脂と、を有し、
   前記裏面側端部は前記裏面より突出した突起構造を有し、かつ前記突起構造表面に、前記熱硬化性樹脂が溶融硬化する温度より低いの温度で圧接されて前記はんだと固相接合するはんだ固相材料層が形成されている回路基板を製造する工程と、
   複数の前記回路基板が、一方の前記回路基板の前記主面と、それに隣接する他の前記回路基板の前記裏面とで相対するように積層する工程と、
   前記はんだめっき領域と前記突起構造とを圧接して前記熱硬化性樹脂の溶融硬化する温度に加熱保持して前記熱硬化性樹脂を硬化させる工程と、
   ついで、前記はんだの融点以上に加熱して、前記はんだめっき領域を前記突起電極へ溶融接合させる工程と、を有する
   ことを特徴とする多層回路基板の製造方法。

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