JP3988771B2 - 複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置 - Google Patents
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Description
本発明は、インダクティブ書込みヘッド素子及び積層面と垂直の方向にセンス電流を流すＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）構造の磁気抵抗効果（ＭＲ）読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置に関する。
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置の大容量小型化に伴い、高感度かつ高出力の薄膜磁気ヘッドが要求されている。この要求に対応するため、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）読出しヘッド素子を有するＧＭＲヘッドの特性改善が進んでおり、一方では、ＧＭＲヘッドの２倍以上の抵抗変化率が期待できるトンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ）読出しヘッド素子を有するＴＭＲヘッドの開発も積極的に行われている。
ＴＭＲヘッドと一般的なＧＭＲヘッドとでは、センス電流の流れる方向の違いからヘッド構造が互いに異なっている。一般的なＧＭＲヘッドのように、積層面（膜面）に対して平行にセンス電流を流すヘッド構造をＣＩＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｉｎ Ｐｌａｎｅ）構造と呼び、ＴＭＲヘッドのように膜面に対して垂直方向にセンス電流を流すヘッド構造をＣＰＰ（Ｃｕｒｒｅｎｔ Ｐｅｒｐｅｎｄｉｃｕｌａｒ ｔｏ Ｐｌａｎｅ）構造と呼んでいる。最近は、後者のＣＰＰ構造を有するＧＭＲヘッドの開発も行われている。
ＣＰＰ構造は、磁気シールド層そのものを電極として用いることができるため、ＣＩＰ構造における狭リードギャップ化において深刻な問題となっている磁気シールド層と素子との間の短絡（絶縁不良）が本質的に生じない。このため、ＣＰＰ構造は、高記録密度化に非常に有利となっている。
最近のＣＰＰ構造のＧＭＲヘッドとしては、ＣＩＰ構造のＧＭＲヘッドの場合と同様のスピンバルブ磁性多層膜（デュアルスピンバルブ型磁性多層膜を含む）を有するものも検討されている。
このような書込み磁気ヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子を含めたＨＤＤ装置の小型化が進むと問題となるのが、書込み側と読出し側との間のクロストークである。特に、磁気ヘッド素子の小型化が進むと、放熱特性が悪化するのみならず素子断面積の減少により素子を流れる電流密度が増大し、また、書込み周波数の高周波化が図られることにより、書込みヘッド素子に印加される電圧が急峻に変化する。その結果、書込み側から読出し側へのクロストークが生じる。
非特許文献１には、サスペンション上に形成された書込み側トレース導体と読出し側トレース導体との間の結合メカニズムを解析し、両者間のクロストークを低減させる技術が提案されている。この文献では、クロストークのほとんどが、書込み側トレース導体及び読出し側トレース導体間の結合に起因するものであり、磁気ヘッド内の内部結合には起因しないと結論している。
しかしながら、本願発明者等は、書込み側トレース導体及び読出し側トレース導体間の結合以外に、薄膜磁気ヘッド内部における結合も書込み側及び読出し側間のクロストークに大きな影響を与えるのではないかと考え、解析及び検討を行った。
その結果、インダクティブ書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、各層間に発生する寄生キャパシタンスがクロストーク発生に関係することを見出した。特に、ＣＰＰ構造を有する読出しヘッド素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドでは、下部シールド層及び上部シールド層を読出しヘッド素子の電極として用いるため、書込みコイルと上部シールド層との間の寄生キャパシタンスが書込みコイルと下部シールド層との間の寄生キャパシタンスより必ず大きくなるから、読出しヘッド素子の両端間にクロストーク電圧が発生してしまう。
クロストーク電圧が発生すると、ＣＰＰ−ＧＭＲ読出しヘッド素子では、エレクトロマイグレーションの加速による短寿命化や層間拡散の加速による磁気特性の劣化が生じてしまう。また、ＴＭＲ読出しヘッド素子では、バリア層にピンホールが形成されて絶縁破壊が生じ、素子抵抗が低下して読出し特性が大幅に劣化してしまう。
さらに、ＣＰＰ構造を有する読出しヘッド素子では、その基板に入ったノイズが基板から距離の近い下部シールド層側の電極により多く現れ、下部シールド層側の電極のノイズと上部シールド層側の電極のノイズとの差分がプリアンプで増幅されて再生信号に重畳されてしまう。従って、ＣＰＰ構造を有する読出しヘッド素子は、外来ノイズに対して不利となる。
Klass B.Klaassen et al., "Write-to-Read Coupling", IEEE Trans. Magn. Vol.30, pp61-67, January 2002
そこで、本出願人は、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドにおいて、基板と読出しヘッド素子の下部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ４と、読出しヘッド素子の上部シールド層と書込みヘッド素子の下部磁極層との間の寄生キャパシタンスＣ２とをほぼ等しくすると共に、基板と下部磁極層とを同電位となるように構成することによって、書込み側及び読出し側間のクロストークを低減しかつ外来ノイズの影響を受けにくくすることを提案した（特願２００４−３０１５４８）。
しかしながら、基板と下部シールド層との間の絶縁層の層厚及び上部シールド層と下部磁極層との間の絶縁層の層厚にはそれぞれ制約があり、また、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の形状及び大きさにも制約があるため、これらを調整して寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくさせることは容易ではない。
即ち、基板と下部シールド層との間の絶縁層及び上部シールド層と下部磁極層との間の絶縁層の層厚は、書込み時の熱による磁極***を抑えるための放熱効率を考えると必要以上に厚くはできず、また、製造時間に係る量産性の点からは薄いほど良い。逆に、チャージアップによって絶縁破壊を防ぐためには、あまり薄すぎてもいけない。従って、この層厚を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に難しい。一方、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積は、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性に大きく影響するため、自由に変更することは非常に困難である。従って、これらの層厚、形状及び面積等を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に困難である。
本発明の目的は、基板と下部シールド層との間の絶縁層及び上部シールド層と下部磁極層との間の絶縁層の層厚、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更することなく、寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことが可能な、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置を提供することにある。
本発明によれば、基板と、第１の絶縁層を介して基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れるＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子と、第２の絶縁層を介してＭＲ読出しヘッド素子上に形成されており、下部磁極層、先端部が下部磁極層の先端部に記録ギャップ層を介して対向する上部磁極層及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、下部シールド層と基板との実質的な対向面積を増大するために、下部シールド層に電気的に導通しており基板に対向している非磁性導電層とを備えており、基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンスが、上部シールド層と下部磁極層との間の寄生キャパシタンスにほぼ等しく、基板と下部磁極層との間の抵抗値が１００Ω以下である複合型薄膜磁気ヘッドが提供される。
下部シールド層に導通した非磁性の導電層を、基板に対向するように設けて下部シールド層と基板との実質的な対向面積を増大させている。下部シールド層と基板との実質的な対向面積を増大させれば、下部シールド層と基板との間の寄生キャパシタンスＣ４が増大する。そして、基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ４が、上部シールド層と下部磁極層との間の寄生キャパシタンスＣ２にほぼ等しく、さらに、基板と下部磁極層との間の抵抗値が１００Ω以下、例えば数Ω、であるため、基板と下部磁極層とが同電位となり、実質的な寄生キャパシタンスＣ４と実質的な寄生キャパシタンスＣ２とがほぼ等しくなる。その結果、ＭＲ読出しヘッド素子の両端間の電圧がほぼゼロとなり、クロストーク電圧が発生しない。しかも、新たに設けたこの導電層は非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
非磁性導電層が、下部シールド層の基板側の面に積層されていることが最も好ましい。基板側の面に積層されていれば、非磁性導電層と基板との距離が大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ４を増大させる効果が大きい。
非磁性導電層が、下部シールド層の基板とは反対側の面に積層されていても良い。下部シールド層の層厚が薄ければ、基板との距離がさほど大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ４を増大させる効果が生じる。
第２の絶縁層の層厚が第１の絶縁層の層厚より薄いことが好ましい。表面平坦性がさほど良くない基板上に成膜される第１の絶縁層より、表面平坦性の良好な上部シールド層上に成膜される第２の絶縁層の方が薄膜化が可能であり、これによって寄生キャパシタンスＣ２が増大するが、本発明によればＣ２＝Ｃ４とすることができる。第２の絶縁層が薄いことで、放熱特性が向上し、さらに、量産コストも低減できる。
本発明によれば、さらに、基板と、第１の絶縁層を介して基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れるＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子と、第２の絶縁層を介してＭＲ読出しヘッド素子上に形成されており、下部磁極層、先端部が下部磁極層の先端部に記録ギャップ層を介して対向する上部磁極層及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、上部シールド層と下部磁極層との実質的な対向面積を増大するために、上部シールド層に電気的に導通しており下部磁極層に対向している非磁性導電層とを備えており、基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンスが、上部シールド層と下部磁極層との間の寄生キャパシタンスにほぼ等しく、基板と下部磁極層との間の抵抗値が１００Ω以下である複合型薄膜磁気ヘッドが提供される。
上部シールド層に導通した非磁性の導電層を、下部磁極層に対向するように設けて上部シールド層と下部磁極層との実質的な対向面積を増大させている。上部シールド層と下部磁極層との実質的な対向面積を増大させれば、上部シールド層と下部磁極層との間の寄生キャパシタンスＣ２が増大する。そして、基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ４が、上部シールド層と下部磁極層との間の寄生キャパシタンスＣ２にほぼ等しく、さらに、基板と下部磁極層との間の抵抗値が１００Ω以下、例えば数Ω、であるため、基板と下部磁極層とが同電位となり、実質的な寄生キャパシタンスＣ４と実質的な寄生キャパシタンスＣ２とがほぼ等しくなる。その結果、ＭＲ読出しヘッド素子の両端間の電圧がほぼゼロとなり、クロストーク電圧が発生しない。しかも、新たに設けたこの導電層は非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
非磁性導電層が、上部シールド層の下部磁極層側の面に積層されていることが最も好ましい。下部磁極層側の面に積層されていれば、非磁性導電層と下部磁極層との距離が大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。
非磁性導電層が、上部シールド層の下部磁極層とは反対側の面に積層されていても良い。上部シールド層の層厚が薄ければ、下部磁極層との距離がさほど大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が生じる。
本発明によれば、さらにまた、基板と、第１の絶縁層を介して基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに下部シールド層及び上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れるＭＲ層を有するＭＲ読出しヘッド素子と、第２の絶縁層を介してＭＲ読出しヘッド素子上に形成されており、下部磁極層、先端部が下部磁極層の先端部に記録ギャップ層を介して対向する上部磁極層及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、下部磁極層と上部シールド層との実質的な対向面積を増大するために、下部磁極層に電気的に導通しており上部シールド層に対向している非磁性導電層とを備えており、基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンスが、上部シールド層と下部磁極層との間の寄生キャパシタンスにほぼ等しく、基板と下部磁極層との間の抵抗値が１００Ω以下である複合型薄膜磁気ヘッドが提供される。
下部磁極層に導通した非磁性の導電層を、上部シールド層に対向するように設けて下部磁極層と上部シールド層との実質的な対向面積を増大させている。下部磁極層と上部シールド層との実質的な対向面積を増大させれば、下部磁極層と上部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ２が増大する。そして、基板と下部シールド層との間の寄生キャパシタンスＣ４が、上部シールド層と下部磁極層との間の寄生キャパシタンスＣ２にほぼ等しく、さらに、基板と下部磁極層との間の抵抗値が１００Ω以下、例えば数Ω、であるため、基板と下部磁極層とが同電位となり、実質的な寄生キャパシタンスＣ４と実質的な寄生キャパシタンスＣ２とがほぼ等しくなる。その結果、ＭＲ読出しヘッド素子の両端間の電圧がほぼゼロとなり、クロストーク電圧が発生しない。しかも、新たに設けたこの導電層は非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
非磁性導電層が、下部磁極層の上部シールド層側の面に積層されていることが最も好ましい。上部シールド層側の面に積層されていれば、非磁性導電層と上部シールド層との距離が大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。
非磁性導電層が、下部磁極層の上部シールド層とは反対側の面に積層されていても良い。下部磁極層の層厚が薄ければ、上部シールド層との距離がさほど大きくならないので、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が生じる。
このように書込みヘッド素子から読出しヘッド素子への直接的なクロストーク電圧を低減することより、ＴＭＲ読出しヘッド素子では、そのバリア層にピンホールが形成されて素子抵抗が低下し読出し特性が劣化することを確実に防止できる。また、ＣＰＰ構造のＧＭＲ読出しヘッド素子では、エレクトロマイグレーションの加速によって生じる読出しヘッド素子の短寿命化を防止でき、金属原子の層間拡散の加速によって生じる磁気特性劣化を防止することができる。
ＭＲ読出しヘッド素子が、ＧＭＲ読出しヘッド素子又はＴＭＲ読出しヘッド素子であることが好ましい。
本発明によれば、さらに、上述した複合型薄膜磁気ヘッドと、この複合型薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えた磁気ヘッドアセンブリが提供される。ここで、磁気ヘッドアセンブリとは、書込みヘッド素子及び読出し磁気ヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）とその支持機構とを機械的、電気的に組み立てたアセンブリである。具体例を挙げると、磁気ヘッドスライダとサスペンションとのアセンブリの場合にはヘッドジンバルアセンブリ（ＨＧＡ）と称され、磁気ヘッドスライダとこれを支持するサスペンション及び支持アームのアセンブリの場合にはヘッドアームアセンブリ（ＨＡＡ）と称され、ＨＡＡが複数積み重ねられる場合にはヘッドスタックアセンブリ（ＨＳＡ）と称されることが多い。
本発明によれば、さらに、少なくとも１つの磁気ディスクと、少なくとも１つの上述した磁気ヘッドアセンブリとを備えた磁気ディスクドライブ装置が提供される。
本発明によれば、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することが可能となる。しかも、この導電層が非磁性であり、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
図１は本発明の一実施形態として、磁気ディスクドライブ装置の要部の構成を概略的に示す斜視図であり、図２は図１のＨＧＡの一構成例を示す斜視図であり、図３は図２のＨＧＡの先端部に装着されている複合型薄膜磁気ヘッドを示す斜視図である。
図１において、１０はスピンドルモータ１１の回転軸の回りを回転する複数の磁気ディスク、１２は複合型薄膜磁気ヘッド（磁気ヘッドスライダ）をトラック上に位置決めするためのアセンブリキャリッジ装置、１３は薄膜磁気ヘッドの読み書き動作を制御するための記録再生回路をそれぞれ示している。
アセンブリキャリッジ装置１２には、複数の駆動アーム１４が設けられている。これら駆動アーム１４は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）１５によってピボットベアリング軸１６を中心にして角揺動可能であり、この軸１６に沿った方向にスタックされている。各駆動アーム１４の先端部には、ＨＧＡ１７が取り付けられている。各ＨＧＡ１７には、複合型薄膜磁気ヘッドが、各磁気ディスク１０の表面に対向するように設けられている。磁気ディスクドライブ装置に、単数の磁気ディスク１０、駆動アーム１４、ＨＧＡ１７及び複合型薄膜磁気ヘッドを設けるようにしても良い。
図２に示すように、ＨＧＡは、サスペンション２０の先端部に、インダクティブ書込みヘッド素子及びＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を有する複合型薄膜磁気ヘッド２１を固着し、さらにその薄膜磁気ヘッド２１の端子電極に配線部材２５の一端を電気的に接続して構成される。
サスペンション２０は、複合型薄膜磁気ヘッド２１に印加される荷重を発生するロードビーム２２と、このロードビーム２２上に固着され支持された弾性を有するフレクシャ２３と、ロードビーム２２の基部に設けられたベースプレート２４と、フレクシャ２３及びロードビーム２２上に設けられておりリード導体及びその両端に電気的に接続された接続パッドからなる配線部材２５とから主として構成されている。
本発明の磁気ヘッドアセンブリ（ＨＧＡ）におけるサスペンションの構造は、以上述べた構造に限定されるものではないことは明らかである。なお、図示されていないが、サスペンション２０の途中にヘッド駆動用ＩＣチップを装着してもよい。
図３に示すように、本実施形態における磁気ヘッドスライダは、互いに積層されたインダクティブ書込みヘッド素子及びＭＲ読出しヘッド素子からなる複合型磁気ヘッド素子３０と、これらの素子に接続された４つの信号端子電極３１及び３２とを、その素子形成面３３上に備えている。なお、３４は磁気ヘッドスライダの浮上面（ＡＢＳ）である。なお、これらの端子電極の数及び位置は、図３の形態に限定されるものではない。
図４は本実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を概略的に示す中心断面図である。
例えばＡｌ２Ｏ３−ＴｉＣ（ＡｌＴｉＣ）等の導電性材料からなる基板（スライダ基板）４０上に例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる下地層（本願発明の第１の絶縁層に対応）４１が積層されている。
この基板４０のＡＢＳに近い側では、この下地層４１の上に例えばＴｉ、Ｔａ、Ａｕ、Ｒｕ、Ｃｕ等の非磁性導電材料からなる非磁性導電層４２が付加的に積層されており、さらにその上に、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部電極層を兼用する下部シールド層（ＳＦ）４３が積層されている。
一般に、下部シールド層４３は下地層４１を介して基板４０に対向しており、従って、下部シールド層４３及び基板４０が対向電極として機能し、寄生キャパシタンスＣ４がこの部分に発生する。特に本実施形態では、非磁性導電層４２が下部シールド層４３の基板４０側の面に積層されているので、この非磁性導電層４２と基板４０とがこの寄生キャパシタンスＣ４を発生する対向電極として働く。
図５（Ａ）に示すように、非磁性導電層４２が下部シールド層４３の外形サイズより大きな外形サイズを有しているため、後述するように、下部シールド層４３の基板４０に対する実質的な対向面積、即ちこの寄生キャパシタンスＣ４を発生する対向電極面積が増大する。下部シールド層４３の層厚が例えば２μｍ程度であるのに対し、非磁性導電層４２の層厚は例えば０．１μｍ程度である。
なお、図５（Ｂ）に示すように、非磁性導電層４２′が一部に貫通部４２ａ′を有し、その貫通部に下部シールド層４３′が充填されている構成であっても良い。このように、たとえ、非磁性導電層４２′自体の面積が下部シールド層４３の面積より小さい場合であっても、非磁性導電層４２′の外形サイズが下部シールド層４３′の外形サイズより大きければ、下部シールド層４３′の基板４０に対する実質的な対向面積、即ちこの寄生キャパシタンスＣ４を発生する対向電極面積が増大する。
下部シールド層４３上には、ＣＰＰ構造のＭＲ層４４と、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる絶縁層４５とが積層されている。
ＣＰＰ構造のＭＲ層４４は、ＣＰＰ−ＧＭＲ層の場合、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるフリー層、例えばＣｕ等の非磁性導電材料による非磁性層、例えばＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ等の強磁性材料によるピンド層及び例えばＰｔＭｎ、ＦｅＭｎ、ＭｎＩｒ、ＮｉＭｎ、ＣｒＭｎＰｔ等の反強磁性材料によるピン層の多層構造で構成されている。ＴＭＲ層の場合、上述の非磁性層の代わりに、Ｔｉ、Ｔａ、Ａｌ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｓｉ又はＺｎの酸化物等の絶縁材料による薄いバリア層が用いられる。ＣＰＰ構造のＭＲ層４４としては、その他の種々の層構成が適用可能であることはもちろんである。また、このＭＲ層４４には、図示されていない磁区制御層等が積層されている。
ＣＰＰ構造のＭＲ層４４及び絶縁層４５上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部電極層を兼用する上部シールド層（ＳＳ１）４６が積層されている。
下部シールド層４３、ＭＲ層４４、絶縁層４５、上部シールド層４６、磁区制御層及び図示されていないリード導体層等からＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子が構成されている。
上部シールド層４６上には、例えばＡｌ２Ｏ３又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなるシールド間絶縁層（本願発明の第２の絶縁層に対応）４７が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる下部磁極層（ＳＳ２）４８が積層されている。
下部磁極層４８上には、例えばＲｕ等の金属材料又はＳｉＯ２等の絶縁材料からなる記録ギャップ層４９が積層されており、その上には、例えばＦｅＡｌＳｉ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅ、ＮｉＦｅＣｏ、ＦｅＮ、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ、ＣｏＺｒＮｂ、ＣｏＺｒＴａ等の金属磁性材料からなる上部磁極層５０の上部磁極部５０ａと、レジスト等の絶縁材料による絶縁層５１で覆われたＣｕ等の導電性材料からなる書込みコイル層５２とが積層されている。下部磁極層４８の先端部（ＡＢＳ側の端部）である下部磁極部４８ａと、上部磁極層５０の先端部（ＡＢＳ側の端部）である上部磁極部５０ａとは、記録ギャップ層４９を介して互いに対向している。
なお、本実施形態において、書込みコイル層５２は２層構造となっているが、単層構造又はその他の構造であっても良いことは明らかである。
書込みコイル層５２上には、絶縁層５１を介して上部磁極層５０の上部ヨーク部５０ｂが形成されており、その上には、例えばＡｌ２Ｏ３等の絶縁材料からなる保護層５３が積層されている。
下部磁極層４８、記録ギャップ層４９、上部磁極層５０、絶縁層５１及び書込みコイル層５２等からインダクティブ書込みヘッド素子が構成されている。
絶縁層５１及び書込みコイル層５２は、下部磁極層４８及び上部磁極層５０を磁気的に連結するバックギャップ部５４より後方（ＡＢＳとは反対方向側）位置にも形成されている。
この後方位置には、ヘッド内で発生する熱を基板側へ逃がすためのヒートシンク層５５が形成されている。このヒートシンク層５５は、下部シールド層４３、上部シールド層４６及び下部磁極層４８とは分離してそれぞれ形成されかつ互いに密着して積層された層４３″、４６″及び４８″からなる積層体として構成されている。このヒートシンク層５５の底部は、下地層４１を一部除去して形成された貫通孔４１ａを通って基板４０に接続されている。
中央断面位置に存在しないため、図４には示されていないが、ヒートシンク層５５と下部磁極層４８とを電気的に接続するストリップ状の薄い接続導体５６が設けられている。図６はこの構成を説明する図であり、中央よりずれた位置の断面を表している。
この接続導体５６は、例えばＣｕ等の導電性材料によって形成されているが、その層厚が例えば０．１μｍと薄く、またその幅がかなり細いため、全体で数Ω程度の電気抵抗を有している。一方、ヒートシンク層５５は金属磁性材料で構成されているため良導電体である。従って、基板４０と下部磁極層４８とは、数Ω程度の抵抗体で接続されていることとなる。この抵抗値は後述するように、１００Ω以下であることが望ましい。
図７は複合型薄膜磁気ヘッドの概略的な等価回路図であり、図８は図４に示した複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
図７に示すように、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドでは、インダクティブ書込みヘッド素子の書込みコイル５２と下部磁極層（ＳＳ２）４８との間で寄生キャパシタンスＣ１が発生し、下部磁極層４８と上部シールド層（ＳＳ１）４６との間で寄生キャパシタンスＣ２が発生し、上部シールド層４６と下部シールド層（ＳＦ）４３との間で寄生キャパシタンスＣ３が発生し、下部シールド層４３と基板４０との間で寄生キャパシタンスＣ４が発生する。
前にも述べたように、書込み側及び読出し側間のクロストークを低減しかつ外来ノイズの影響を受けにくくするためには、（１）基板４０と下部磁極層４８とを同電位となるように構成すると共に、（２）寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくすることが必要となる。
（１）については、接続導体５６及びヒートシンク層５５を用いることにより、基板４０と下部磁極層４８とを１００Ω以下の抵抗体で接続することができるので、実現されている。一方、（２）については、本実施形態では、非磁性導電層４２と基板４０との互いに対向する部分の電極面積を変えて寄生キャパシタンスＣ４を調整し、Ｃ２＝Ｃ４を実現するようにしている。
良く知られているように、寄生キャパシタンスＣ２及びＣ４は、次式で与えられる。ここで、ε２はシールド間絶縁層４７の絶縁材料の誘電率、ε４は下地層４１の絶縁材料の誘電率、ｔ２はシールド間絶縁層４７の層厚、ｔ４は下地層４１の層厚、Ｓ２は下部磁極層４８と上部シールド層４６との互いに対向する部分の電極面積、Ｓ４は非磁性導電層４２と基板４０との互いに対向する部分の電極面積である。
Ｃ２＝ε２×Ｓ２／ｔ２、Ｃ４＝ε４×Ｓ４／ｔ４
Ｃ２＝ε２×Ｓ２／ｔ２、Ｃ４＝ε４×Ｓ４／ｔ４
図８に示すように、本実施形態では、非磁性導電層４２を下部シールド層４３の基板４０側の面に積層することで、電極面積Ｓ４を増大させ、寄生キャパシタンスＣ４を増大させることで調整を行ってＣ２＝Ｃ４を実現している。なお、同図において、５７及び５８は、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層４３及び上部シールド層４６に図示しないリード導体等によって電気的に接続された端子電極である。
下地層４１及びシールド間絶縁層４７の層厚は、書込み時の熱による磁極***を抑えるための放熱効率を考えると必要以上に厚くはできず、また、製造時間に係る量産性の点からは薄いほど良い。逆に、チャージアップによって絶縁破壊を防ぐためには、あまり薄すぎてもいけない。下地層４１は表面平坦性がさほど良くない基板４０上に成膜されるため、絶縁性の観点からＡｌ２Ｏ３で構成した場合、０．３μｍ程度の層厚を最小限維持する必要がある。従って、この層厚を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に難しい。
ただし、シールド間絶縁層４７は化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって表面平坦性が改善された表面上に成膜されるので、０．３μｍより薄くすることができるが、これによって寄生キャパシタンスＣ２は増大してしまう。
下地層４１及びシールド間絶縁層４７として誘電率ε４及びε２が互いに異なる絶縁材料を用いることもできるが、生産性の観点から、同じ材料を用いることが好ましい。
下部シールド層（ＳＦ）４３、上部シールド層（ＳＳ１）４６及び下部磁極層（ＳＳ２）４８自体の形状及び面積を変えることによって互いに対向する部分の電極面積を調整することも考えられるが、これらは、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性に大きく影響するため、自由に変更することが非常に困難である。従って、これらの形状及び面積等を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に困難である。
本実施形態では、下部シールド層４３に導通した非磁性の導電層４２を基板４０に対向するように付加することによって、下部シールド層４３と基板４０との実質的な対向面積を増大させ、寄生キャパシタンスＣ４を増大させている。従って、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができ、しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層４３、上部シールド層４６及び下部磁極層４８の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
さらに、本実施形態のように、非磁性導電層４２を下部シールド層４３の基板４０側の面に積層することにより、非磁性導電層４２と基板４０との距離が大きくならず、寄生キャパシタンスＣ４を増大させる効果が大きい。
寄生キャパシタンスＣ４を大きくすれば、寄生キャパシタンスＣ２を大きくしても良いので、シールド間絶縁層４７をより薄くすることも可能である。
本実施形態のごとく、基板４０と下部磁極層４８とを１００Ω以下の抵抗体で接続することにより基板４０と下部磁極層４８とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層４３及び上部シールド層４６間の電位差がほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
図９は寄生キャパシタンスの比Ｃ２／Ｃ４をパラメータとした場合の、再生信号信号周波数（ＭＨｚ）に対する再生信号に含まれる外来ノイズ（Ｖ）の特性を表した図である。
同図からも明らかのように、Ｃ２／Ｃ４＝１の場合は、ノイズがほとんど発生していない。
図１０は基板４０と下部磁極層４８と間の抵抗体の抵抗値をパラメータとした場合の、寄生キャパシタンスの比Ｃ２／Ｃ４に対するクロストーク電圧（％）の特性を表した図である。
同図から、抵抗体の抵抗値が１００Ω以下であり、かつＣ２／Ｃ４＝１の場合は、クロストークは発生していない。
このように書込みヘッド素子から読出しヘッド素子への直接的なクロストーク電圧を低減することより、ＴＭＲ読出しヘッド素子では、そのバリア層にピンホールが形成されて素子抵抗が低下し読出し特性が劣化することを確実に防止できる。また、ＣＰＰ構造のＧＭＲ読出しヘッド素子では、エレクトロマイグレーションの加速によって生じる読出しヘッド素子の短寿命化を防止でき、金属原子の層間拡散の加速によって生じる磁気特性劣化を防止することができる。
本実施形態の変更態様として、非磁性導電層４２を下部シールド層４３の基板４０とは反対側の面に積層した構成としても良い。例えば、シールド間絶縁層４７を薄くした結果、寄生キャパシタンスＣ２が大きくなり、Ｃ２＝Ｃ４とするために、寄生キャパシタンスＣ４を増大させる必要がある場合、この変更態様のごとく構成しても、Ｃ４を増大させ、Ｃ２＝Ｃ４の調整ができる。
また、本実施形態の他の変更態様として、非磁性導電層４２を下部シールド層４３に積層することなく基板４０と対向させかつ下部シールド層４３に電気的に導通させるような構成としても良い。
図１１は本発明の他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
本実施形態では、非磁性導電層１１２を上部シールド層（ＳＳ１）４６の下部磁極層４８側の面に付加的に積層している。本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１０の実施形態の場合と全く同様であるため、説明を省略する。また、同様の構成要素については同じ参照符号を使用する。
寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくするために、本実施形態では、非磁性導電層１１２と下部磁極層４８との互いに対向する部分の電極面積を変えて寄生キャパシタンスＣ２を調整し、Ｃ２＝Ｃ４を実現するようにしている。即ち、本実施形態では、非磁性導電層１１２を上部シールド層４６の下部磁性層４８側の面に積層することで、電極面積Ｓ２を増大させ、寄生キャパシタンスＣ２を増大させることで、Ｃ２＝Ｃ４を実現しているのである。なお、同図において、５７及び５８は、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層４３及び上部シールド層４６に図示しないリード導体等によって電気的に接続された端子電極である。
下地層４１及びシールド間絶縁層４７の層厚は、書込み時の熱による磁極***を抑えるための放熱効率を考えると必要以上に厚くはできず、また、製造時間に係る量産性の点からは薄いほど良い。逆に、チャージアップによって絶縁破壊を防ぐためには、あまり薄すぎてもいけない。下地層４１は表面平坦性がさほど良くない基板４０上に成膜されるため、絶縁性の観点からＡｌ２Ｏ３で構成した場合、０．３μｍ程度の層厚を最小限維持する必要がある。従って、この層厚を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に難しい。
ただし、シールド間絶縁層４７は化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって表面平坦性が改善された表面上に成膜されるので、０．３μｍより薄くすることができ、これによっても寄生キャパシタンスＣ２を増大させることができる。しかし、それ以上に寄生キャパシタンスＣ２を増大させたいときは、非磁性導電層１１２によりこの寄生キャパシタンスＣ２を調整することが有効である。
下地層４１及びシールド間絶縁層４７として誘電率ε４及びε２が互いに異なる絶縁材料を用いることもできるが、生産性の観点から、同じ材料を用いることが好ましい。
下部シールド層（ＳＦ）４３、上部シールド層（ＳＳ１）４６及び下部磁極層（ＳＳ２）４８自体の形状及び面積を変えることによって互いに対向する部分の電極面積を調整することも考えられるが、これらは、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性に大きく影響するため、自由に変更することが非常に困難である。従って、これらの形状及び面積等を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に困難である。
本実施形態では、上部シールド層４６に導通した非磁性の導電層１１２を下部磁極層４８に対向するように付加することによって、上部シールド層４６と下部磁極層４８との実質的な対向面積を増大させ、寄生キャパシタンスＣ２を増大させている。従って、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができ、しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層４３、上部シールド層４６及び下部磁極層４８の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
さらに、本実施形態のように、非磁性導電層１１２を上部シールド層４６の下部磁極層４８側の面に積層することにより、非磁性導電層１１２と下部磁極層４８との距離が大きくならず、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。
本実施形態のごとく、基板４０と下部磁極層４８とを１００Ω以下の抵抗体で接続することにより基板４０と下部磁極層４８とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層４３及び上部シールド層４６間の電位差がほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
本実施形態の変更態様として、非磁性導電層１１２を上部シールド層４６の下部磁極層４８とは反対側の面に積層した構成としても良い。例えば、Ｃ２＜Ｃ４でありかつシールド間絶縁層４７を薄くできない場合、Ｃ２＝Ｃ４とするためには寄生キャパシタンスＣ２をさらに増大させる必要がある。このような場合、この変更態様のごとく構成しても、Ｃ２を増大させ、Ｃ２＝Ｃ４の調整ができる。
また、本実施形態の他の変更態様として、非磁性導電層１１２を上部シールド層４６に積層することなく下部磁極層４８と対向させかつ上部シールド層４６に電気的に導通させるような構成としても良い。
図１２は本発明のさらに他の実施形態における複合型薄膜磁気ヘッドの構成を模式的に示した図である。
本実施形態では、非磁性導電層１２２を下部磁極層（ＳＳ２）４８の上部シールド層４６側の面に付加的に積層している。本実施形態におけるその他の構成は図１〜図１０の実施形態の場合と全く同様であるため、説明を省略する。また、同様の構成要素については同じ参照符号を使用する。
寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とを等しくするために、本実施形態では、非磁性導電層１２２と上部シールド層４６との互いに対向する部分の電極面積を変えて寄生キャパシタンスＣ２を調整し、Ｃ２＝Ｃ４を実現するようにしている。即ち、本実施形態では、非磁性導電層１２２を下部磁性層４８の上部シールド層４６側の面に積層することで、電極面積Ｓ２を増大させ、寄生キャパシタンスＣ２を増大させることで、Ｃ２＝Ｃ４を実現しているのである。なお、同図において、５７及び５８は、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層４３及び上部シールド層４６に図示しないリード導体等によって電気的に接続された端子電極である。
下地層４１及びシールド間絶縁層４７の層厚は、書込み時の熱による磁極***を抑えるための放熱効率を考えると必要以上に厚くはできず、また、製造時間に係る量産性の点からは薄いほど良い。逆に、チャージアップによって絶縁破壊を防ぐためには、あまり薄すぎてもいけない。下地層４１は表面平坦性がさほど良くない基板４０上に成膜されるため、絶縁性の観点からＡｌ２Ｏ３で構成した場合、０．３μｍ程度の層厚を最小限維持する必要がある。従って、この層厚を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に難しい。
ただし、シールド間絶縁層４７は化学的機械的研磨（ＣＭＰ）によって表面平坦性が改善された表面上に成膜されるので、０．３μｍより薄くすることができ、これによっても寄生キャパシタンスＣ２を増大させることができる。しかし、それ以上に寄生キャパシタンスＣ２を増大させたいときは、非磁性導電層１２２によりこの寄生キャパシタンスＣ２を調整することが有効である。
下地層４１及びシールド間絶縁層４７として誘電率ε４及びε２が互いに異なる絶縁材料を用いることもできるが、生産性の観点から、同じ材料を用いることが好ましい。
下部シールド層（ＳＦ）４３、上部シールド層（ＳＳ１）４６及び下部磁極層（ＳＳ２）４８自体の形状及び面積を変えることによって互いに対向する部分の電極面積を調整することも考えられるが、これらは、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性に大きく影響するため、自由に変更することが非常に困難である。従って、これらの形状及び面積等を調整して寄生キャパシタンスＣ４及び／又はＣ２の調整を行うことは非常に困難である。
本実施形態では、下部磁極層４８に導通した非磁性の導電層１２２を上部シールド層４６に対向するように付加することによって、下部磁極層４８と上部シールド層４６との実質的な対向面積を増大させ、寄生キャパシタンスＣ２を増大させている。従って、寄生キャパシタンスＣ４と寄生キャパシタンスＣ２とが等しくなるように容易に調整することができ、しかも、この導電層は非磁性であり、下部シールド層４３、上部シールド層４６及び下部磁極層４８の層厚、形状及び面積を変更しなくとも良いため、外部磁場に対する耐性、書込みストレスによるシールド磁区特性、及び読出し／書込み特性が変わってしまうような不都合も生じない。
さらに、本実施形態のように、非磁性導電層１２２を下部磁極層４８の上部シールド層４６側の面に積層することにより、非磁性導電層１２２と上部シールド層４６との距離が大きくならず、寄生キャパシタンスＣ２を増大させる効果が大きい。
本実施形態のごとく、基板４０と下部磁極層４８とを１００Ω以下の抵抗体で接続することにより基板４０と下部磁極層４８とがほぼ同電位となり、さらに、寄生キャパシタンスを調整してＣ２＝Ｃ４とすることにより、ＣＰＰ構造のＭＲ読出しヘッド素子の下部電極及び上部電極をそれぞれ構成する下部シールド層４３及び上部シールド層４６間の電位差がほぼ零となる。その結果、外来ノイズが侵入しても、再生信号には現れなくなり、外来ノイズによるエラー発生がなくなり、磁気ヘッドの信頼性が向上する。
本実施形態の変更態様として、非磁性導電層１２２を下部磁極層４８の上部シールド層４６とは反対側の面に積層した構成としても良い。例えば、Ｃ２＜Ｃ４でありかつシールド間絶縁層４７を薄くできない場合、Ｃ２＝Ｃ４とするためには寄生キャパシタンスＣ２をさらに増大させる必要がある。このような場合、この変更態様のごとく構成しても、Ｃ２を増大させ、Ｃ２＝Ｃ４の調整ができる。
また、本実施形態の他の変更態様として、非磁性導電層１２２を下部磁極層４８に積層することなく上部シールド層４６と対向させかつ下部磁極層４８に電気的に導通させるような構成としても良い。
以上述べた実施形態は全て本発明を例示的に示すものであって限定的に示すものではなく、本発明は他の種々の変形態様及び変更態様で実施することができる。従って本発明の範囲は特許請求の範囲及びその均等範囲によってのみ規定されるものである。
１０ 磁気ディスク
１１ スピンドルモータ
１２ アセンブリキャリッジ装置
１３ 記録再生回路
１４ 駆動アーム
１５ ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６ ピボットベアリング軸
１７ ＨＧＡ
２０ サスペンション
２１ 薄膜磁気ヘッド
２２ ロードビーム
２３ フレクシャ
２４ ベースプレート
２５ 配線部材
３０ 書込み及び読出し磁気ヘッド素子
３１、３１ 信号端子電極
３３ 素子形成面
３４、４０ａ ＡＢＳ
４０ 基板
４１ 下地層
４１ａ 貫通孔
４２、４２′、１１２、１２２ 非磁性導電層
４２ａ′ 貫通部
４３、４３′ 下部シールド層
４４ ＣＰＰ構造のＭＲ層
４５、５１ 絶縁層
４６ 上部シールド層
４７ シールド間絶縁層
４８ 下部磁極層
４８ａ 下部磁極部
４９ 記録ギャップ層
５０ 上部磁極層
５０ａ 上部磁極部
５０ｂ 上部ヨーク部
５２ 書込みコイル層
５３ 保護層
５４ バックギャップ部
５５ ヒートシンク層
４３″、４６″、４８″ 層
５６ 接続導体
５７、５８ 端子電極
１１ スピンドルモータ
１２ アセンブリキャリッジ装置
１３ 記録再生回路
１４ 駆動アーム
１５ ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）
１６ ピボットベアリング軸
１７ ＨＧＡ
２０ サスペンション
２１ 薄膜磁気ヘッド
２２ ロードビーム
２３ フレクシャ
２４ ベースプレート
２５ 配線部材
３０ 書込み及び読出し磁気ヘッド素子
３１、３１ 信号端子電極
３３ 素子形成面
３４、４０ａ ＡＢＳ
４０ 基板
４１ 下地層
４１ａ 貫通孔
４２、４２′、１１２、１２２ 非磁性導電層
４２ａ′ 貫通部
４３、４３′ 下部シールド層
４４ ＣＰＰ構造のＭＲ層
４５、５１ 絶縁層
４６ 上部シールド層
４７ シールド間絶縁層
４８ 下部磁極層
４８ａ 下部磁極部
４９ 記録ギャップ層
５０ 上部磁極層
５０ａ 上部磁極部
５０ｂ 上部ヨーク部
５２ 書込みコイル層
５３ 保護層
５４ バックギャップ部
５５ ヒートシンク層
４３″、４６″、４８″ 層
５６ 接続導体
５７、５８ 端子電極
Claims (14)
- 基板と、第１の絶縁層を介して該基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに該下部シールド層及び該上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れる磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗効果読出しヘッド素子と、第２の絶縁層を介して該磁気抵抗効果読出しヘッド素子上に形成されており、下部磁極層、先端部が該下部磁極層の先端部に記録ギャップ層を介して対向する上部磁極層及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、前記下部シールド層と前記基板との実質的な対向面積を増大するために、該下部シールド層に電気的に導通しており該基板に対向している非磁性導電層とを備えており、前記基板と前記下部シールド層との間の寄生キャパシタンスが、前記上部シールド層と前記下部磁極層との間の寄生キャパシタンスに等しく、前記基板と前記下部磁極層との間の抵抗値が１００Ω以下であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記非磁性導電層が、前記下部シールド層の前記基板側の面に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記非磁性導電層が、前記下部シールド層の前記基板とは反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項１に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記第２の絶縁層の層厚が前記第１の絶縁層の層厚より薄いことを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 基板と、第１の絶縁層を介して該基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに該下部シールド層及び該上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れる磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗効果読出しヘッド素子と、第２の絶縁層を介して該磁気抵抗効果読出しヘッド素子上に形成されており、下部磁極層、先端部が該下部磁極層の先端部に記録ギャップ層を介して対向する上部磁極層及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、前記上部シールド層と前記下部磁極層との実質的な対向面積を増大するために、該上部シールド層に電気的に導通しており該下部磁極層に対向している非磁性導電層とを備えており、前記基板と前記下部シールド層との間の寄生キャパシタンスが、前記上部シールド層と前記下部磁極層との間の寄生キャパシタンスに等しく、前記基板と前記下部磁極層との間の抵抗値が１００Ω以下であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記非磁性導電層が、前記上部シールド層の前記下部磁極層側の面に積層されていることを特徴とする請求項５に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記非磁性導電層が、前記上部シールド層の前記下部磁極層とは反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項５に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 基板と、第１の絶縁層を介して該基板上に形成されており、下部シールド層、上部シールド層並びに該下部シールド層及び該上部シールド層を介して積層面と垂直の方向にセンス電流が流れる磁気抵抗効果層を有する磁気抵抗効果読出しヘッド素子と、第２の絶縁層を介して該磁気抵抗効果読出しヘッド素子上に形成されており、下部磁極層、先端部が該下部磁極層の先端部に記録ギャップ層を介して対向する上部磁極層及び書込みコイルを有するインダクティブ書込みヘッド素子と、前記下部磁極層と前記上部シールド層との実質的な対向面積を増大するために、該下部磁極層に電気的に導通しており該上部シールド層に対向している非磁性導電層とを備えており、前記基板と前記下部シールド層との間の寄生キャパシタンスが、前記上部シールド層と前記下部磁極層との間の寄生キャパシタンスに等しく、前記基板と前記下部磁極層との間の抵抗値が１００Ω以下であることを特徴とする複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記非磁性導電層が、前記下部磁極層の前記上部シールド層側の面に積層されていることを特徴とする請求項８に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記非磁性導電層が、前記下部磁極層の前記上部シールド層とは反対側の面に積層されていることを特徴とする請求項８に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が、巨大磁気抵抗効果読出しヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 前記磁気抵抗効果読出しヘッド素子が、トンネル磁気抵抗効果読出しヘッド素子であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。
- 請求項１から１２のいずれか１項に記載の複合型薄膜磁気ヘッドと、該複合型薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えたことを特徴とする磁気ヘッドアセンブリ。
- 少なくとも１つの磁気ディスクと、少なくとも１つの請求項１３に記載の磁気ヘッドアセンブリとを備えたことを特徴とする磁気ディスクドライブ装置。
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