JP2007157221A - 磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007157221A JP2007157221A JP2005349359A JP2005349359A JP2007157221A JP 2007157221 A JP2007157221 A JP 2007157221A JP 2005349359 A JP2005349359 A JP 2005349359A JP 2005349359 A JP2005349359 A JP 2005349359A JP 2007157221 A JP2007157221 A JP 2007157221A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- effect
- thin film
- magnetic head
- magnetic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3909—Arrangements using a magnetic tunnel junction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B2005/3996—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects large or giant magnetoresistive effects [GMR], e.g. as generated in spin-valve [SV] devices
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49046—Depositing magnetic layer or coating with etching or machining of magnetic material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T29/00—Metal working
- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
- Y10T29/49052—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing] by etching
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【解決手段】下部電極層と、この下部電極層上に形成されており非磁性中間層とこの非磁性中間層を挟むように形成された磁化固定層及び磁化自由層とを有するMR効果積層体と、このMR効果積層体の後方及び左右の側面を取り囲むように形成された絶縁層と、このMR効果積層体上及びこの絶縁層上に形成された上部電極層とを備えたMR効果素子であって、この絶縁層が、MR効果積層体の後方の側面の近傍に、上部電極層の一部で満たされた窪みを有しており、この窪みの凹面内の最低点が、磁化自由層の上面と同等の高さ又はこの上面よりも下方にあるMR効果素子が提供される。
【選択図】図4
Description
11 スピンドルモータ
12 アセンブリキャリッジ装置
13 記録再生回路
14 駆動アーム
15 ボイスコイルモータ(VCM)
16 ピボットベアリング軸
17 ヘッドジンバルアセンブリ(HGA)
20 サスペンション
21 スライダ
210 スライダ基板
22 ロードビーム
23 フレクシャ
24 ベースプレート
25 配線部材
30 浮上面(ABS)
300 ヘッド端面
31 素子形成面
32 磁気ヘッド素子
33 MR効果素子
330、1500 下部電極層
332、1503 MR効果積層体
333、333′、333″、80、1200、1203、1501 絶縁層
333a、1200a、1203a 窪み
334、1502 上部電極層
34 電磁コイル素子
340 下部磁極層
340a、340a′345a、3450a′ 端部
3400′ 主磁極主要層
3401′ 主磁極補助層
341、341′ ギャップ層
343、343′ コイル層
344、344′ コイル絶縁層
345 上部磁極層
3450 上部磁極
3451 バックコンタクト磁極
3452 ヨーク層
345′ 補助磁極層
3450′ トレーリングシールド部
35、36 信号端子電極
40、75 絶縁層
41 非磁性層
44 素子間シールド層
42 被覆層
46 バッキングコイル部
460 バッキングコイル層
461 バッキングコイル絶縁層
50 下部金属層
51 下地層
52 反強磁性層
53 磁化固定層
53a 第1の強磁性膜
53b 非磁性膜
53c 第2の強磁性膜
54 トンネルバリア層
55、1201,1204、1504 磁化自由層
55a 高分極率膜
55b 軟磁性膜
56 上部金属層
70、71、72、74、78 平坦化層
73 バックギャップ部
760 上部磁極−ヨーク接合部
761 バックコンタクト磁極−ヨーク接合部
762 コイル引き出し部
77 コイルリード層
81 硬磁性層
82 フォトレジストパターン
83 ウエハ
84 中心線
85 ターゲット面
86 法線
87 MRハイト端
88 ABS側のヘッド端面
1202 底面
Claims (12)
- 下部電極層と、該下部電極層上に形成されており非磁性中間層と該非磁性中間層を挟むように形成された磁化固定層及び磁化自由層とを有する磁気抵抗効果積層体と、該磁気抵抗効果積層体の後方及び左右の側面を取り囲むように形成された絶縁層と、該磁気抵抗効果積層体上及び該絶縁層上に形成された上部電極層とを備えた磁気抵抗効果素子であって、該絶縁層が、該磁気抵抗効果積層体の後方の側面の近傍に、該上部電極層の一部で満たされた窪みを有しており、該窪みの凹面内の最低点が、該磁化自由層の上面と同等の高さ又は該上面よりも下方にあることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
- 前記絶縁層の底面から前記窪みの凹面内の最低点までの厚さDBが、18nm以上であることを特徴とする請求項1に記載の磁気抵抗効果素子。
- 前記磁化自由層の上面の後端から前記窪みの凹面までの前後方向における前記絶縁層の厚さDIが、
3≦DI≦50(但し、DIの単位はnmである)
の関係を満たしていることを特徴とする請求項1又は2に記載の磁気抵抗効果素子。 - 前記磁気抵抗効果積層体が、垂直通電型巨大磁気抵抗効果積層体又はトンネル磁気抵抗効果積層体であることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子。
- データの読み出し手段として、請求項1から4のいずれか1項に記載の磁気抵抗効果素子を少なくとも1つ備えていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
- 請求項5に記載の薄膜磁気ヘッドと、該薄膜磁気ヘッドを支持する支持機構とを備えていることを特徴とするヘッドジンバルアセンブリ。
- 請求項6に記載のヘッドジンバルアセンブリを少なくとも1つ備えており、少なくとも1つの磁気ディスクと、該少なくとも1つの磁気ディスクに対して前記薄膜磁気ヘッドが行う書き込み及び読み出し動作を制御するための記録再生回路とをさらに備えていることを特徴とする磁気ディスク装置。
- 下部電極層上に、非磁性中間層と該非磁性中間層を挟むように形成された磁化固定層及び磁化自由層とを有する磁気抵抗効果積層体を、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって形成し、該レジストパターンを残留させた状態で、ウエハの素子形成面の法線をスパッタリング用のターゲット面の法線から所定の角度だけ傾けて、該素子形成面の法線方向の軸の回りで該ウエハを自転させながら、該下部電極層上及び該磁気抵抗効果積層体の側面上に絶縁膜をスパッタリング法によって成膜した後、イオンビームエッチング法及び/又は逆スパッタリング法を含む処理によって該絶縁膜をエッチングすることによって、該磁気抵抗効果積層体の側面の近傍に窪みを有する絶縁層を形成し、その後、該窪み上を含む該絶縁層上及び該磁気抵抗効果積層体上に上部電極層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドウエハの製造方法。
- 前記所定の角度が、20度以上であって60度以下であることを特徴とする請求項8に記載の製造方法。
- 下部電極層上に、非磁性中間層と該非磁性中間層を挟むように形成された磁化固定層及び磁化自由層とを有する磁気抵抗効果積層体を、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことによって形成し、該下部電極層上及び該磁気抵抗効果積層体の側面上に絶縁膜を化学気相成長法によって成膜した後、イオンビームエッチング法及び/又は逆スパッタリング法を含む処理によって該絶縁膜をエッチングすることによって、該磁気抵抗効果積層体の側面の近傍に窪みを有する絶縁層を形成し、その後、該窪み上を含む該絶縁層上及び該磁気抵抗効果積層体上に上部電極層を形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッドウエハの製造方法。
- 前記絶縁膜が、Al2O3又はSiO2であることを特徴とする請求項8から10のいずれか1項に記載の製造方法。
- 請求項8から11のいずれか1項に記載の方法によって製造された薄膜磁気ヘッドウエハを、複数の薄膜磁気ヘッドが列状に並ぶ複数のバーに分離し、該複数のバーの各々を研磨することによってハイト加工を施し、該ハイト加工が施された該複数のバーの各々を個々の薄膜磁気ヘッドに分離することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005349359A JP4244988B2 (ja) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | 磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
US11/563,086 US7779535B2 (en) | 2005-12-02 | 2006-11-24 | Method of manufacturing a thin-film magnetic head with a magnetoresistive effect element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005349359A JP4244988B2 (ja) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | 磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007157221A true JP2007157221A (ja) | 2007-06-21 |
JP4244988B2 JP4244988B2 (ja) | 2009-03-25 |
Family
ID=38118473
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005349359A Expired - Fee Related JP4244988B2 (ja) | 2005-12-02 | 2005-12-02 | 磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7779535B2 (ja) |
JP (1) | JP4244988B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010103224A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子、及び磁気メモリ |
US7911744B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-03-22 | Tdk Corporation | Magneto-resistive effect device and magnetic disk system with refilled insulation layer in contact with a read end face of a cap layer |
CN105762275A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-07-13 | 唐山市盛泰建筑安装有限公司 | 多铁/压电复合结构及其存储器件、制备方法 |
US9417296B2 (en) | 2011-02-23 | 2016-08-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic sensor and manufacturing method thereof |
JP2018003117A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜を形成する方法 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8351152B2 (en) * | 2009-08-25 | 2013-01-08 | International Business Machines Corporation | Magnetic writer structures formed using post-deposition tilting |
US8240024B2 (en) | 2009-08-25 | 2012-08-14 | International Business Machines Corporation | Methods for fabricating magnetic transducers using post-deposition tilting |
US8416537B2 (en) * | 2009-11-06 | 2013-04-09 | International Business Machines Corporation | Recording head with tilted orientation |
US8902548B2 (en) | 2010-04-30 | 2014-12-02 | Seagate Technology Llc | Head with high readback resolution |
US8422177B2 (en) | 2010-04-30 | 2013-04-16 | Seagate Technology Llc | Reader shield with tilted magnetization |
US8432645B2 (en) | 2011-01-31 | 2013-04-30 | Tdk Corporation | Magneto-resistive effect element, magnetic head, magnetic head slider, head gimbal assembly and hard disk drive apparatus |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05275769A (ja) | 1992-03-25 | 1993-10-22 | Hitachi Maxell Ltd | 磁界センサ |
JP2000020937A (ja) * | 1998-07-03 | 2000-01-21 | Hitachi Ltd | 磁気記録媒体およびこれを用いた磁気記憶装置 |
JP2000182223A (ja) * | 1998-10-08 | 2000-06-30 | Alps Electric Co Ltd | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 |
JP2001006130A (ja) | 1999-06-24 | 2001-01-12 | Tdk Corp | トンネル磁気抵抗効果型ヘッド |
US6783635B2 (en) * | 1999-12-09 | 2004-08-31 | International Business Machines Corporation | Spin valve sensor free layer structure with a cobalt based layer that promotes magnetic stability and high magnetoresistance |
DE10059585A1 (de) * | 2000-11-30 | 2002-06-06 | Valeo Schalter & Sensoren Gmbh | Elektrische Schaltung und Verfahren zur Pulsmodulation eines Trägersignals |
JP2004265517A (ja) | 2003-02-28 | 2004-09-24 | Toshiba Corp | 磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリおよび磁気記録再生装置 |
JP2005050418A (ja) | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Toshiba Corp | 垂直通電型磁気ヘッドおよびそれを用いた磁気記録装置 |
-
2005
- 2005-12-02 JP JP2005349359A patent/JP4244988B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-11-24 US US11/563,086 patent/US7779535B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7911744B2 (en) | 2007-06-26 | 2011-03-22 | Tdk Corporation | Magneto-resistive effect device and magnetic disk system with refilled insulation layer in contact with a read end face of a cap layer |
JP2010103224A (ja) * | 2008-10-22 | 2010-05-06 | Toshiba Corp | 磁気抵抗素子、及び磁気メモリ |
US9417296B2 (en) | 2011-02-23 | 2016-08-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Magnetic sensor and manufacturing method thereof |
CN105762275A (zh) * | 2016-03-14 | 2016-07-13 | 唐山市盛泰建筑安装有限公司 | 多铁/压电复合结构及其存储器件、制备方法 |
JP2018003117A (ja) * | 2016-07-05 | 2018-01-11 | 東京エレクトロン株式会社 | 絶縁膜を形成する方法 |
US10910215B2 (en) | 2016-07-05 | 2021-02-02 | Tokyo Electron Limited | Method of forming later insulating films for MTJ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20070127165A1 (en) | 2007-06-07 |
JP4244988B2 (ja) | 2009-03-25 |
US7779535B2 (en) | 2010-08-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4244988B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、該素子を備えた薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
JP3922303B1 (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置 | |
JP4322882B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び該薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
US6591481B2 (en) | Method of manufacturing magnetoresistive device and method of manufacturing thin-film magnetic head | |
JP2005032780A (ja) | 磁気抵抗効果素子、これを用いた磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 | |
US8125743B2 (en) | Thin-film magnetic head, magnetic head assembly, magnetic disk drive apparatus and method for manufacturing thin-film magnetic head | |
JP3988771B2 (ja) | 複合型薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気ディスクドライブ装置 | |
US7082673B2 (en) | Method of manufacturing magnetoresistive device capable of preventing a sense current from flowing into dead regions of a magnetoresistive element, and method of manufacturing thin-film magnetic head | |
JP3795841B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 | |
US8040641B2 (en) | Magneto-resistance effect element with a stacked body having a constricted shape | |
JP2004319060A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
JP2004164836A (ja) | 逆平行結合された導線/センサ重複領域を有する磁気抵抗センサ | |
US7672087B2 (en) | Magnetoresistive effect element having bias layer with internal stress controlled | |
JP3965109B2 (ja) | 磁気抵抗効果装置の製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JP4322939B2 (ja) | 磁区制御用反強磁性層を備えた磁気抵抗効果薄膜磁気ヘッド | |
US7864489B2 (en) | Thin-film magnetic head having an antistatic layer preventing a protective coat from being electrostatically charged | |
KR100770813B1 (ko) | 자기 저항 헤드, 자기 기록 재생 장치 및 자기 저항 헤드 제조 방법 | |
JP2006179566A (ja) | 磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ、該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置、及び該磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
JP2001067628A (ja) | 磁気抵抗効果素子と磁気抵抗効果素子の製造方法および磁気抵抗検出システムならびに磁気記録システム | |
JP4458074B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ、磁気ディスクドライブ装置及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
JP3818596B2 (ja) | 磁気ヘッド、ヘッドサスペンションアセンブリ及び磁気ディスク装置 | |
JP2007294071A (ja) | 磁気ヘッドの製造方法 | |
US8724264B2 (en) | Thin film magnetic head, magnetic head slider, head gimbal assembly, head arm assembly, magnetic disk device and method of manufacturing thin film magnetic head | |
JP2006128453A (ja) | 磁気抵抗効果素子、該磁気抵抗効果素子を備えた薄膜磁気ヘッド、該薄膜磁気ヘッドを備えたヘッドジンバルアセンブリ及び該ヘッドジンバルアセンブリを備えた磁気ディスク装置 | |
JP2002074622A (ja) | ヨーク型磁気ヘッドおよび磁気ディスク装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080520 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080709 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20080909 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081029 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20081118 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20081216 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20081229 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120116 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130116 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140116 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |