JP3951124B2 - 絶縁膜 - Google Patents
絶縁膜 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3951124B2 JP3951124B2 JP2002354512A JP2002354512A JP3951124B2 JP 3951124 B2 JP3951124 B2 JP 3951124B2 JP 2002354512 A JP2002354512 A JP 2002354512A JP 2002354512 A JP2002354512 A JP 2002354512A JP 3951124 B2 JP3951124 B2 JP 3951124B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- substituent
- carbon atoms
- insulating film
- etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000009413 insulation Methods 0.000 title description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 80
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 30
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 26
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 22
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 15
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 14
- 229920001558 organosilicon polymer Polymers 0.000 claims description 14
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 13
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 12
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 12
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 claims description 10
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 125000004450 alkenylene group Chemical group 0.000 claims description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- 229920003209 poly(hydridosilsesquioxane) Polymers 0.000 claims description 6
- 125000002947 alkylene group Chemical group 0.000 claims description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000000304 alkynyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 3
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 claims 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 claims 1
- -1 Silicon carbide nitride Chemical class 0.000 description 92
- 239000010408 film Substances 0.000 description 84
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 41
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 19
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 14
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 235000014113 dietary fatty acids Nutrition 0.000 description 13
- 239000000194 fatty acid Substances 0.000 description 13
- 229930195729 fatty acid Natural products 0.000 description 13
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 11
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 10
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 5
- 239000003759 ester based solvent Substances 0.000 description 5
- 239000005453 ketone based solvent Substances 0.000 description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 5
- FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-trimethylbenzene Chemical compound CC1=CC=CC(C)=C1C FYGHSUNMUKGBRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 2-Oxohexane Chemical compound CCCCC(C)=O QQZOPKMRPOGIEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 150000001338 aliphatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 4
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 4
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 125000005677 ethinylene group Chemical group [*:2]C#C[*:1] 0.000 description 4
- 235000019000 fluorine Nutrition 0.000 description 4
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 4
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920003257 polycarbosilane Polymers 0.000 description 4
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 4
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 4
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 4
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 4
- OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 2-(2-cyanopropan-2-yldiazenyl)-2-methylpropanenitrile Chemical compound N#CC(C)(C)N=NC(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N Dichloromethane Chemical compound ClCCl YMWUJEATGCHHMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 3
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 3
- 239000004210 ether based solvent Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 238000005227 gel permeation chromatography Methods 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001451 organic peroxides Chemical class 0.000 description 3
- PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N pentyl acetate Chemical compound CCCCCOC(C)=O PGMYKACGEOXYJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000000843 phenylene group Chemical group C1(=C(C=CC=C1)*)* 0.000 description 3
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 3
- 229920000233 poly(alkylene oxides) Polymers 0.000 description 3
- 229920000412 polyarylene Polymers 0.000 description 3
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1CC KVNYFPKFSJIPBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 2,5-hexanedione Chemical compound CC(=O)CCC(C)=O OJVAMHKKJGICOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpentane Chemical compound CCCC(C)C AFABGHUZZDYHJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 3-propoxypropan-1-ol Chemical compound CCCOCCCO LDMRLRNXHLPZJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N Acetophenone Chemical compound CC(=O)C1=CC=CC=C1 KWOLFJPFCHCOCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N D-Glucitol Natural products OC[C@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-FSIIMWSLSA-N 0.000 description 2
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N Dimethyl phthalate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OC NIQCNGHVCWTJSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N Ethylene oxide Chemical compound C1CO1 IAYPIBMASNFSPL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N Isooctane Chemical compound CC(C)CC(C)(C)C NHTMVDHEPJAVLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N Pentane Chemical compound CCCCC OFBQJSOFQDEBGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229920001214 Polysorbate 60 Polymers 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N Propylene oxide Chemical compound CC1CO1 GOOHAUXETOMSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 2
- 229940022663 acetate Drugs 0.000 description 2
- 125000004419 alkynylene group Chemical group 0.000 description 2
- RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N anisole Chemical compound COC1=CC=CC=C1 RDOXTESZEPMUJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 description 2
- QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N benzyl acetate Chemical compound CC(=O)OCC1=CC=CC=C1 QUKGYYKBILRGFE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N butyl acetate Chemical compound CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N cumene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC=C1 RWGFKTVRMDUZSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N cyclopentanone Chemical compound O=C1CCCC1 BGTOWKSIORTVQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N diethyl phthalate Chemical compound CCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC FLKPEMZONWLCSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N ethyl propionate Chemical compound CCOC(=O)CC FKRCODPIKNYEAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N glycine betaine Chemical compound C[N+](C)(C)CC([O-])=O KWIUHFFTVRNATP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N heptan-3-one Chemical compound CCCCC(=O)CC NGAZZOYFWWSOGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N isobutyl acetate Chemical compound CC(C)COC(C)=O GJRQTCIYDGXPES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N isopropyl acetate Chemical compound CC(C)OC(C)=O JMMWKPVZQRWMSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N methyl 2-[(1-methoxy-2-methyl-1-oxopropan-2-yl)diazenyl]-2-methylpropanoate Chemical compound COC(=O)C(C)(C)N=NC(C)(C)C(=O)OC ZQMHJBXHRFJKOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 2
- UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N methylcyclohexane Chemical compound CC1CCCCC1 UAEPNZWRGJTJPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N monopropylene glycol Natural products CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N nonyl acetate Chemical compound CCCCCCCCCOC(C)=O GJQIMXVRFNLMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N pentan-2-one Chemical compound CCCC(C)=O XNLICIUVMPYHGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N pentan-3-one Chemical compound CCC(=O)CC FDPIMTJIUBPUKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N propyl acetate Chemical compound CCCOC(C)=O YKYONYBAUNKHLG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N propylbenzene Chemical compound CCCC1=CC=CC=C1 ODLMAHJVESYWTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920005573 silicon-containing polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000000600 sorbitol Substances 0.000 description 2
- 241000894007 species Species 0.000 description 2
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- LHXDLQBQYFFVNW-OIBJUYFYSA-N (-)-Fenchone Chemical compound C1C[C@@]2(C)C(=O)C(C)(C)[C@@H]1C2 LHXDLQBQYFFVNW-OIBJUYFYSA-N 0.000 description 1
- WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N (3-aminopropyl)triethoxysilane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCN WYTZZXDRDKSJID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 1
- CFCRODHVHXGTPC-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,9,9,10,10,11,11,12,12,12-pentacosafluorododecane-1-sulfonic acid Chemical compound OS(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F CFCRODHVHXGTPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KMMOLDZBACYVIN-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3-hexafluoro-1-[2-[2-[2-[2-[2-[2-(1,1,2,2,3,3-hexafluoropentoxy)propoxy]propoxy]propoxy]propoxy]propoxy]propoxy]pentane Chemical compound CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CC KMMOLDZBACYVIN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FWFUGQANHCJOAR-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane Chemical compound CCCCCCCC(F)(F)C(F)(F)C(F)F FWFUGQANHCJOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHMQIIWXKSTTCZ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2,8,8,9,9,10,10-decafluorododecane Chemical compound CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)CCCCCC(F)(F)C(F)F NHMQIIWXKSTTCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MKNKAWHZNOFVLS-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoro-1-(1,1,2,2-tetrafluoropropoxy)octane Chemical compound CCCCCCC(F)(F)C(F)(F)OC(F)(F)C(C)(F)F MKNKAWHZNOFVLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GCCPAVALGCCVQZ-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoro-1-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-(1,1,2,2-tetrafluorobutoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCC(F)(F)C(F)(F)OCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOCCOC(F)(F)C(F)(F)CC GCCPAVALGCCVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RIZMPBJZAHNFGY-UHFFFAOYSA-N 1,1,2,2-tetrafluoro-1-hexoxyoctane Chemical compound CCCCCCOC(F)(F)C(F)(F)CCCCCC RIZMPBJZAHNFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-triethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC(CC)=C1CC VIDOPANCAUPXNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethoxyethane Chemical compound CCOCCOCC LZDKZFUFMNSQCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 1,3-dioxolane Chemical compound C1COCO1 WNXJIVFYUVYPPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 1,4-dichlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=C(Cl)C=C1 OCJBOOLMMGQPQU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 1-(2-ethoxypropoxy)propan-2-ol Chemical compound CCOC(C)COCC(C)O QWOZZTWBWQMEPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUMXDOLUJCHOAY-UHFFFAOYSA-N 1-Phenylethyl acetate Chemical compound CC(=O)OC(C)C1=CC=CC=C1 QUMXDOLUJCHOAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 1-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCCC KZVBBTZJMSWGTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 1-[2-[2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]butane Chemical compound CCCCOCCOCCOCCOCCOCCCC MQGIBEAIDUOVOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ROTQATPBCXREFU-UHFFFAOYSA-N 1-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](C)(OC)C(CC)OC(=O)C(C)=C ROTQATPBCXREFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCCOCC(C)OC(C)=O FUWDFGKRNIDKAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CDDDRVNOHLVEED-UHFFFAOYSA-N 1-cyclohexyl-3-[1-[[1-(cyclohexylcarbamoylamino)cyclohexyl]diazenyl]cyclohexyl]urea Chemical compound C1CCCCC1(N=NC1(CCCCC1)NC(=O)NC1CCCCC1)NC(=O)NC1CCCCC1 CDDDRVNOHLVEED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxy-2-(2-ethoxyethoxy)ethane Chemical compound CCOCCOCCOCC RRQYJINTUHWNHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-ol Chemical compound CCOCC(C)O JOLQKTGDSGKSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 1-ethoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCOCC(C)OC(C)=O LIPRQQHINVWJCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 1-ethyl-2-methylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1C HYFLWBNQFMXCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 1-hexoxyhexane Chemical compound CCCCCCOCCCCCC BPIUIOXAFBGMNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 1-propoxypropan-2-yl acetate Chemical compound CCCOCC(C)OC(C)=O DMFAHCVITRDZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000530 1-propynyl group Chemical group [H]C([H])([H])C#C* 0.000 description 1
- HXJZEGBVQCRLOD-UHFFFAOYSA-N 1-triethoxysilylpropan-2-amine Chemical compound CCO[Si](CC(C)N)(OCC)OCC HXJZEGBVQCRLOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBRVQAUYZUFKAJ-UHFFFAOYSA-N 1-trimethoxysilylpropan-2-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CC(C)N KBRVQAUYZUFKAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 2,2-diethylpropanedioate Chemical compound CCC(CC)(C([O-])=O)C([O-])=O LTMRRSWNXVJMBA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 2,5-dimethyl-1,4-dioxane Chemical compound CC1COC(C)CO1 AWBIJARKDOFDAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)=O CKCGJBFTCUCBAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethylbutoxy)ethanol Chemical compound CCC(CC)COCCO ZKCAGDPACLOVBN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hexoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCCCOCCOCCO GZMAAYIALGURDQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound COCCOCCOC(C)=O BJINVQNEBGOMCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxypropoxy)propyl acetate Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)=O DRLRGHZJOQGQEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 2-(2-phenylpropan-2-ylperoxy)propan-2-ylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C)(C)OOC(C)(C)C1=CC=CC=C1 XMNIXWIUMCBBBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 2-Ethylbutyl acetate Chemical compound CCC(CC)COC(C)=O HQLKZWRSOHTERR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 2-Pentanol acetate Chemical compound CCCC(C)OC(C)=O GQKZRWSUJHVIPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-methoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound COC(C)COC(C)COC(C)CO WAEVWDZKMBQDEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GLUOGZCHYVWCAK-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(3-triethoxysilylpropylamino)ethylamino]ethyl acetate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCNCCOC(C)=O GLUOGZCHYVWCAK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CYPTUSHYKRVMKI-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(3-trimethoxysilylpropylamino)ethylamino]ethyl acetate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCNCCOC(C)=O CYPTUSHYKRVMKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MAUGGXUAHNSMKF-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-[2-[2-(1,1,2,2,3,3-hexafluoropentoxy)ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethoxy]ethanol Chemical compound CCC(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)OCCOCCOCCOCCOCCOCCO MAUGGXUAHNSMKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZZEANNAZZVVPKU-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-[2-[2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propoxy]propoxy]propoxy]propoxy]propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)COC(C)COC(C)COC(C)COC(C)COC(C)CO ZZEANNAZZVVPKU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 2-acetyloxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOC(C)=O JTXMVXSTHSMVQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethyl acetate Chemical compound CCOCCOC(C)=O SVONRAPFKPVNKG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexyl acetate Chemical compound CCCCC(CC)COC(C)=O WOYWLLHHWAMFCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 2-hexoxyethanol Chemical compound CCCCCCOCCO UPGSWASWQBLSKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004200 2-methoxyethyl group Chemical group [H]C([H])([H])OC([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 2-methyltetrahydrofuran Chemical compound CC1CCCO1 JWUJQDFVADABEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenoxyethanol Chemical compound OCCOC1=CC=CC=C1 QCDWFXQBSFUVSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003903 2-propenyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 125000001494 2-propynyl group Chemical group [H]C#CC([H])([H])* 0.000 description 1
- PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 3,4,5-trimethylnonan-2-one Chemical compound CCCCC(C)C(C)C(C)C(C)=O PKNKULBDCRZSBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 3-(2-ethylhexoxymethyl)heptane Chemical compound CCCCC(CC)COCC(CC)CCCC YHCCCMIWRBJYHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 3-(3-methoxypropoxy)propan-1-ol Chemical compound COCCCOCCCO QCAHUFWKIQLBNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004975 3-butenyl group Chemical group C(CC=C)* 0.000 description 1
- QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 3-methoxybutyl acetate Chemical compound COC(C)CCOC(C)=O QMYGFTJCQFEDST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 3-triethoxysilylpropylurea Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC(N)=O LVNLBBGBASVLLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCN SJECZPVISLOESU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOC(=O)C(C)=C XDLMVUHYZWKMMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 3-trimethoxysilylpropylurea Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC(N)=O LVACOMKKELLCHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004203 4-hydroxyphenyl group Chemical group [H]OC1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000004172 4-methoxyphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(OC([H])([H])[H])=C([H])C([H])=C1* 0.000 description 1
- VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound CC1CCC(=O)CC1 VGVHNLRUAMRIEW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LBKMJZAKWQTTHC-UHFFFAOYSA-N 4-methyldioxolane Chemical compound CC1COOC1 LBKMJZAKWQTTHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000590 4-methylphenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C(=C([H])C([H])=C1*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000006043 5-hexenyl group Chemical group 0.000 description 1
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 8beta-(2,3-epoxy-2-methylbutyryloxy)-14-acetoxytithifolin Natural products COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N AIBN Substances N#CC(C)(C)\N=N\C(C)(C)C#N OZAIFHULBGXAKX-VAWYXSNFSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical compound NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000501754 Astronotus ocellatus Species 0.000 description 1
- MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N Butyl lactate Chemical compound CCCCOC(=O)C(C)O MRABAEUHTLLEML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VFDIRKSKTBWSQY-UHFFFAOYSA-N CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(N)OCC1CO1 Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC(N)OCC1CO1 VFDIRKSKTBWSQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910021591 Copper(I) chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N Cyclohexane Chemical compound C1CCCCC1 XDTMQSROBMDMFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N Cyclohexyl acetate Chemical compound CC(=O)OC1CCCCC1 YYLLIJHXUHJATK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N Diethyl carbonate Chemical compound CCOC(=O)OCC OIFBSDVPJOWBCH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N Diisopropyl ether Chemical compound CC(C)OC(C)C ZAFNJMIOTHYJRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WLPUBDDZVNATOQ-UHFFFAOYSA-N FC=1C=C(C=C(C1N=NN(C)C)F)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 Chemical compound FC=1C=C(C=C(C1N=NN(C)C)F)C1=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12 WLPUBDDZVNATOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000004166 Lanolin Substances 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N Methylacetoacetic acid Chemical compound COC(=O)CC(C)=O WRQNANDWMGAFTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid dibutyl ester Chemical compound CCCCOC(=O)C(=O)OCCCC JKRZOJADNVOXPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930040373 Paraformaldehyde Natural products 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229930182558 Sterol Natural products 0.000 description 1
- 229930006000 Sucrose Natural products 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 1
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 239000007877 V-601 Substances 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 125000004202 aminomethyl group Chemical group [H]N([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 1
- 239000003849 aromatic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229940007550 benzyl acetate Drugs 0.000 description 1
- 229960003237 betaine Drugs 0.000 description 1
- 125000002529 biphenylenyl group Chemical group C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3C12)* 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N butyl propionate Chemical compound CCCCOC(=O)CC BTMVHUNTONAYDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000480 butynyl group Chemical group [*]C#CC([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 125000005622 butynylene group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 1
- 239000012295 chemical reaction liquid Substances 0.000 description 1
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 1
- KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N chloro(fluoro)methane Chemical compound F[C]Cl KYKAJFCTULSVSH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004218 chloromethyl group Chemical group [H]C([H])(Cl)* 0.000 description 1
- 125000000068 chlorophenyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000006849 chlorophenylene group Chemical group 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M copper(I) chloride Chemical compound [Cu]Cl OXBLHERUFWYNTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940045803 cuprous chloride Drugs 0.000 description 1
- CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N cycloheptanone Chemical compound O=C1CCCCCC1 CGZZMOTZOONQIA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000113 cyclohexyl group Chemical group [H]C1([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])C1([H])[H] 0.000 description 1
- IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N cyclooctanone Chemical compound O=C1CCCCCCC1 IIRFCWANHMSDCG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000412 dendrimer Substances 0.000 description 1
- 229920000736 dendritic polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000008049 diazo compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229940117389 dichlorobenzene Drugs 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical class Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N diethyl oxalate Chemical compound CCOC(=O)C(=O)OCC WYACBZDAHNBPPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940019778 diethylene glycol diethyl ether Drugs 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N dimethoxy-methyl-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCOCC1CO1 WHGNXNCOTZPEEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N dimethyl phthalate Natural products CC(=O)OC1=CC=CC=C1OC(C)=O FBSAITBEAPNWJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001826 dimethylphthalate Drugs 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N ethyl acetoacetate Chemical compound CCOC(=O)CC(C)=O XYIBRDXRRQCHLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- MVUXVDIFQSGECB-UHFFFAOYSA-N ethyl n-(3-triethoxysilylpropyl)carbamate Chemical compound CCOC(=O)NCCC[Si](OCC)(OCC)OCC MVUXVDIFQSGECB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000003925 fat Substances 0.000 description 1
- 150000004665 fatty acids Chemical class 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 125000003709 fluoroalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000006459 hydrosilylation reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N iso-pentane Natural products CCC(C)C QWTDNUCVQCZILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N isobutylbenzene Chemical compound CC(C)CC1=CC=CC=C1 KXUHSQYYJYAXGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N isobutyramide Chemical compound CC(C)C(N)=O WFKAJVHLWXSISD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000555 isopropenyl group Chemical group [H]\C([H])=C(\*)C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229940039717 lanolin Drugs 0.000 description 1
- 235000019388 lanolin Nutrition 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052987 metal hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004681 metal hydrides Chemical class 0.000 description 1
- RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-M methoxyacetate Chemical compound COCC([O-])=O RMIODHQZRUFFFF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N methoxybenzene Substances CCCCOC=C UZKWTJUDCOPSNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N methyl 2-cyclohexylacetate Chemical compound COC(=O)CC1CCCCC1 IMXBRVLCKXGWSS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N methyl-cycloheptane Natural products CC1CCCCCC1 GYNNXHKOJHMOHS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001570 methylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])[*:2] 0.000 description 1
- BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N methyltrimethoxysilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)OC BFXIKLCIZHOAAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N n'-(3-trimethoxysilylpropyl)ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCN PHQOGHDTIVQXHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNRDAMBPFDPXSM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-(3-triethoxysilylpropylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCCNCCN VNRDAMBPFDPXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NHBRUUFBSBSTHM-UHFFFAOYSA-N n'-[2-(3-trimethoxysilylpropylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCCNCCN NHBRUUFBSBSTHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N n'-[3-[dimethoxy(methyl)silyl]propyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CO[Si](C)(OC)CCCNCCN MQWFLKHKWJMCEN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N n-(3-triethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNC1=CC=CC=C1 LIBWSLLLJZULCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N n-(3-trimethoxysilylpropyl)aniline Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNC1=CC=CC=C1 KBJFYLLAMSZSOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBTOTOUEFOKTGZ-UHFFFAOYSA-N n-[[2-(dimethylaminodiazenyl)phenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)N=NC1=CC=CC=C1N=NN(C)C SBTOTOUEFOKTGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGJKWERUUQTMSF-UHFFFAOYSA-N n-[[2-[2-(dimethylaminodiazenyl)phenoxy]phenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)N=NC1=CC=CC=C1OC1=CC=CC=C1N=NN(C)C DGJKWERUUQTMSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABDPXBQEAXXNKW-UHFFFAOYSA-N n-[[2-[2-(dimethylaminodiazenyl)phenyl]sulfanylphenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)N=NC1=CC=CC=C1SC1=CC=CC=C1N=NN(C)C ABDPXBQEAXXNKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZYGCXFGKVFUZQB-UHFFFAOYSA-N n-[[2-[2-(dimethylaminodiazenyl)phenyl]sulfonylphenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)N=NC1=CC=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=CC=C1N=NN(C)C ZYGCXFGKVFUZQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NZDPYEBEONKWEE-UHFFFAOYSA-N n-[[2-[4-[2-[4-[2-(dimethylaminodiazenyl)phenoxy]phenyl]-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-yl]phenoxy]phenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)N=NC1=CC=CC=C1OC1=CC=C(C(C=2C=CC(OC=3C(=CC=CC=3)N=NN(C)C)=CC=2)(C(F)(F)F)C(F)(F)F)C=C1 NZDPYEBEONKWEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RROABKQAJRMSPJ-UHFFFAOYSA-N n-[[2-[4-[2-[4-[2-(dimethylaminodiazenyl)phenoxy]phenyl]propan-2-yl]phenoxy]phenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)N=NC1=CC=CC=C1OC1=CC=C(C(C)(C)C=2C=CC(OC=3C(=CC=CC=3)N=NN(C)C)=CC=2)C=C1 RROABKQAJRMSPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OLLDGDVVLFWTAJ-UHFFFAOYSA-N n-[[2-[[2-(dimethylaminodiazenyl)phenyl]methyl]phenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)N=NC1=CC=CC=C1CC1=CC=CC=C1N=NN(C)C OLLDGDVVLFWTAJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GILDQZWMNYCGNI-UHFFFAOYSA-N n-[[3-(dimethylaminodiazenyl)phenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)N=NC1=CC=CC(N=NN(C)C)=C1 GILDQZWMNYCGNI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NENHJAKXSKIOQO-UHFFFAOYSA-N n-[[4-(9h-fluoren-1-yl)-2-(trifluoromethyl)phenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound C1=C(C(F)(F)F)C(N=NN(C)C)=CC=C1C1=CC=CC2=C1CC1=CC=CC=C21 NENHJAKXSKIOQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKZIPMYLAFZLHC-UHFFFAOYSA-N n-[[4-(dimethylaminodiazenyl)phenyl]diazenyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)N=NC1=CC=C(N=NN(C)C)C=C1 NKZIPMYLAFZLHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ILRLVKWBBFWKTN-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-3-triethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCCNCC1=CC=CC=C1 ILRLVKWBBFWKTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CLYWMXVFAMGARU-UHFFFAOYSA-N n-benzyl-3-trimethoxysilylpropan-1-amine Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCNCC1=CC=CC=C1 CLYWMXVFAMGARU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940017144 n-butyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 125000001624 naphthyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004957 naphthylene group Chemical group 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N nonan-5-one Chemical compound CCCCC(=O)CCCC WSGCRAOTEDLMFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 1
- 125000002347 octyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 125000002734 organomagnesium group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004430 oxygen atom Chemical group O* 0.000 description 1
- NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N palladium;triphenylphosphane Chemical compound [Pd].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 NFHFRUOZVGFOOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N pentyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCCCCOC(=O)C(C)O GXOHBWLPQHTYPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005323 phenoxyethanol Drugs 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229920005575 poly(amic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920001748 polybutylene Polymers 0.000 description 1
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229920000223 polyglycerol Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 229920000193 polymethacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920006324 polyoxymethylene Polymers 0.000 description 1
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000006410 propenylene group Chemical group 0.000 description 1
- RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N propylene carbonate Chemical compound CC1COC(=O)O1 RUOJZAUFBMNUDX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000003373 pyrazinyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 150000003432 sterols Chemical class 0.000 description 1
- 235000003702 sterols Nutrition 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000005720 sucrose Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002023 trifluoromethyl group Chemical group FC(F)(F)* 0.000 description 1
- 125000000725 trifluoropropyl group Chemical group [H]C([H])(*)C([H])([H])C(F)(F)F 0.000 description 1
- BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N trimethoxy-[3-(oxiran-2-ylmethoxy)propyl]silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)CCCOCC1CO1 BPSIOYPQMFLKFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003643 water by type Substances 0.000 description 1
- 239000008096 xylene Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D183/00—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers
- C09D183/16—Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon, with or without sulfur, nitrogen, oxygen, or carbon only; Coating compositions based on derivatives of such polymers in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31144—Etching the insulating layers by chemical or physical means using masks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/312—Organic layers, e.g. photoresist
- H01L21/3121—Layers comprising organo-silicon compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02118—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer carbon based polymeric organic or inorganic material, e.g. polyimides, poly cyclobutene or PVC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
- H01L21/02123—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon
- H01L21/02126—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing silicon the material containing Si, O, and at least one of H, N, C, F, or other non-metal elements, e.g. SiOC, SiOC:H or SiONC
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
- H01L21/02205—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition
- H01L21/02208—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si
- H01L21/02211—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates the layer being characterised by the precursor material for deposition the precursor containing a compound comprising Si the compound being a silane, e.g. disilane, methylsilane or chlorosilane
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、エッチングストッパーおよびハードマスク関する。更に詳しくは、本発明は、半導体装置の製造におけるSiO2、フッ素ドープSiO2、有機・無機SOG(Spin−on glass)材料、Low-k膜などからなる層間絶縁膜のドライエッチング加工時や、SiN、SiC、SiCNなどのバリアー膜のドライエッチング加工時に好ましく用いられるエッチングストッパーおよびハードマスクに関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体装置における層間絶縁膜やバリア膜等は、従来より、ハロゲン系のガスを主体とドライエッチングにより加工されている。SiO2、フッ素ドープSiO2、有機・無機SOG(Spin−on glass)材料、低誘電層間絶縁膜などのハードマスクやエッチングストッパーには、プラズマCVDにより形成されるSiN(窒化ケイ素膜)、SiC(炭化ケイ素膜)、SiCN(炭化窒化ケイ素膜)などが主に用いられている。これらのエッチストッパー、ハードマスクは、誘電率が4以上と高く、近年要求されているFSG、OSG、ポーラスLow-kなどの低誘電層間絶縁膜と銅配線の技術を組み合わせて加工される高速ディバイスに適応した場合、誘電体層の実効誘電率が高くなり伝搬遅延などが改善されないなどの問題点が指摘されている。したがって、誘電率が4を切り、かつSiN,SiCNまたはSiCなどが有しているSiO2、フッ素ドープSiO2、有機・無機SOG(Spin−onglass)材料、Low-k膜などの層間絶縁膜に対する高いエッチング選択比を有する材料が望まれている。
【0003】
【特許文献1】
特開2002−76115号公報
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の従来の問題を解決するものであり、SiO2、フッ素ドープSiO2、有機・無機SOG(Spin−on glass)材料、Low-k膜などの層間絶縁膜との組み合わせにおいて、高いエッチング選択比を有し、エッチストッパー、ハードマスクとして有効に機能する薄膜材料を提供し、と同時に、このエッチストッパー、ハードマスクを用いたダマシン構造、デュアルダマシン構造の加工方法を提供する。
【0005】
【課題を解決するための手段】
本発明は、有機ケイ素ポリマーからなり、比誘電率が4以下であることを特徴とする絶縁膜をエッチストッパーもしくはハードマスクを用いる。
酸化ケイ素、 フッ素ドープ酸化ケイ素、オルガノシリケートグラス、カーボンドープ酸化ケイ素、メチルシルセキスオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、スピンオングラス、ポリオルガノシロキサンおよび有機ポリマーから選ばれる化合物よりなる膜をドライエッチングガスを用いてダマシン加工する際にこの有機ケイ素ポリマーをエッチストッパー、ハードマスクとして用いる事で、最終加工時に加工形状の精度を高めるとともに、配線加工後の実効誘電率を低減させることができる。
【0006】
【発明の実施の形態】
(A)有機ケイ素ポリマー
本発明の絶縁膜は比誘電率が4以下である有機ケイ素ポリマーからなるものである。
これらの有機ケイ素ポリマーとしては、比誘電率が4以下、好ましくは3.5以下のポリカルボシランを挙げることができる。
特にこの有機ケイ素ポリマーとしては、下記一般式(1)で表される繰り返し構造単位を有する重合体(以下「重合体(1)」という)、が好ましい。
一般式(1)
【0007】
【化2】
(式中、R1,R2は、互いに独立に水素原子、炭素数1〜30の置換基を有してもよいアルキル基、炭素数1〜30の置換基を有してもよいアルケニル基、炭素数1〜30の置換基を有してもよいアルキニル基、または置換基を有してもよい芳香族基であり、R3は、−C≡C−、少なくとも1つの−C≡C−と連結した置換基を有してもよい−CH2−、少なくとも1つの−C≡C−と連結した炭素数2〜30の置換基を有してもよいアルキレン基、少なくとも1つの−C≡C−と連結した炭素数2〜30の置換基を有してもよいアルケニレン基、少なくとも1つの−C≡C−と連結した炭素数2〜30の置換基を有してもよいアルキニレン基、少なくとも1つの−C≡C−と連結した炭素数2〜30の置換基を有してもよい二価の芳香族基)
【0008】
R1、R2の炭素数1〜30の置換基を有してもよいアルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、シクロヘキシル基、オクチル基、ドデカニル基、トリフルオロメチル基、3,3,3−トリフルオロプロピル基、クロロメチル基、アミノメチル基、ヒドロキシメチル基、シリルメチル基、2−メトキシエチル基等が、炭素数1〜30の置換基を有してもよいアルケニル基としてはビニル基、2−プロペニル基、イソプロペニル基、3−ブテニル基、5−ヘキセニル基、1,3−ブタジエニル基、3,3,3−トリフルオロ−1−プロペニル基等が、炭素数1〜30の置換基を有してもよいアルキニル基としてはエチニル基、1−プロピニル基、2−プロピニル基、ブチニル基、トリメチルシリルエチニル基、フェニルエチニル基等が、または置換基を有してもよい芳香族基としてはフェニル基、ナフチル基、ピラジニル基、4−メチルフェニル基、4−ビニルフェニル基、4−エチニルフェニル基、4−アミノフェニル基、4−クロロフェニル基、4−ヒドロキシフェニル基、4−カルボキシフェニル基、4−メトキシフェニル基、4−シリルフェニル基等が、R3の少なくとも1つの−C=C−と連結した置換基を有してもよい−CH2−としてはメチレン基、フルオロメチレン基等に−C=C−が1または2個結合した基が挙げられ、少なくとも1つの−C=C−と連結した炭素数2〜30の置換基を有してもよいアルキレン基としてはエチレン基、プロピレン基、テトラメチレン基、テトラフルオロエチレン基等に−C=C−が1または2個結合した基が挙げられ、少なくとも1つの−C=C−と連結した炭素数2〜30の置換基を有してもよいアルケニレン基としてはビニレン基、プロペニレン基、ブタジエニレン基等に−C=C−が1または2個結合した基が、少なくとも1つの−C=C−と連結した炭素数2〜30の置換基を有してもよいアルキニレン基としてはエチニレン基、プロピニレン基、ブチニレン基等に−C=C−が1または2個結合した基が、少なくとも1つの−C=C−と連結した置換基を有してもよい二価の芳香族基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラセネディル基、ピリジネディル基、チオフェネディリル基、フルオロフェニレン基、クロロフェニレン基、メチルフェニレン基、シリルフェニレン基、ヒドロキシフェニレン基、アミノフェニレン基、フェニレンメチレンフェニレン基、フェニレンオキシフェニレン基、フェニレンプロピリデンフェニレン基、フェニレン(ヘキサフルオロプロピリデン)フェニレン基等に−C=C−が1または2個結合した基が挙げられる。
【0009】
本発明で使用する一般式(1)で表される含ケイ素高分子化合物は、具体的には繰り返し単位がシリレンエチニレン、メチルシリレンエチニレン、フェニルシリレンエチニレン、シリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、シリレンエチニレン−1,4−フェニレンエチニレン、シリレンエチニレン−1,2−フェニレンエチニレン、メチルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、メチルシリレンエチニレン−1,4−フェニレンエチニレン、メチルシリレンエチニレン−1,2−フェニレンエチニレン、ジメチルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、ジメチルシリレンエチニレン−1,4−フェニレンエチニレン、ジメチルシリレンエチニレン−1,2−フェニレンエチニレン、ジエチルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、フェニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、フェニルシリレンエチニレン−1,4−フェニレンエチニレン、フェニルシリレンエチニレン−1,2−フェニレンエチニレン、ジフェニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、ヘキシルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、ビニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、エチニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、2−プロペニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、2−プロピニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、トリフルオメチルロシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、3,3,3−トリフルオロプロピルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、4−メチルフェニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、4−ビニルフェニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、4−エチニルフェニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、フェニルエチニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン、シリレンエチニレン(5−メチル−1,3−フェニレン)エチニレン、フェニルシリレンエチニレン(5−メチル−1,3−フェニレン)エチニレン、フェニルシリレンエチニレン(5−シリル−1,3−フェニレン)エチニレン、フェニルシリレンエチニレン(5−ヒドロキシ−1,3−フェニレン)エチニレン、フェニルシリレンエチニレン−2,7−ナフチレンエチニレン、シリレンエチニレン−5,10−アントラセネディルエチニレン、フェニルシリレンエチニレン−4,4'−ビフェニレンエチニレン、フェニルシリレンエチニレン−1,4−フェニレンメチレン−1',4'−フェニレンエチニレン、フェニルシリレンエチニレン−1,4−フェニレン−2,2−プロピリデン−1',4'−フェニレンエチニレン、フェニルシリレンエチニレン−1,4−フェニレン−2,2−(1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロピリデン)−1',4'−フェニレンエチニレン、フェニルシリレンエチニレン−1,4−フェニレンオキシ−1',4'−フェニレンエチニレン フェニルシリレンエチニレン−2,5−ピリジネディルエチニレン、フェニルシリレンエチニレン−2,5−チオフェネディリルエチニレン、メチルシリレンエチニレンメチレンエチニレン、フェニルシリレン−1,4−フェニレン(フェニルシリレン)エチニレン−1',3−フェニレンエチリニレン、フェニルシリレンオキシ(フェニルシリレン)エチニレン、
フェニルシリレンオキシ(フェニルシリレン)エチニレン−1',4'−フェニレンエチニレン、フェニルシリレンイミノ(フェニルシリレン)エチニレン−1',3'−フェニレンエチニレン、フェニルシリレンイミノ(フェニルシリレン)エチニレン−1',4'−フェニレンエチニレン、シリレン−1,3−フェニレンエチニレン、シリレン−1,4−フェニレンエチニレン、シリレン−1,2−フェニレンエチニレン、フェニルシリレン−1,3−フェニレンエチニレン、フェニルシリレン−1,4−フェニレンエチニレン、フェニルシリレン−1,2−フェニレンエチニレン、ジフェニルシリレン−1,3−フェニレンエチニレン、メチルシリレン−1,3−フェニレンエチニレン、メチルシリレン−1,4−フェニレンエチニレン、メチルシリレン−1,2−フェニレンエチニレン、ジメチルシリレン−1,3−フェニレンエチニレン、ジエチルシリレン−1,3−フェニレンエチニレン、フェニルシリレン−1,3−ブタジイニレン、ジフェニルシリレン−1,3−ブタジイニレン、フェニルシリレンメチレンエチニレン、ジフェニルシリレンメチレンエチニレンメチレン、フェニルシリレンメチレンエチニレンメチレン、シリレン−1,4−フェニレンエチニレン−1',4'−フェニレン、メチルシリレン−1,4−フェニレンエチニレン−1',4'−フェニレン、ジメチルシリレン−1,4−フェニレンエチニレン−1',4'−フェニレン、フェニルシリレン−1,4−フェニレンエチニレン−1',4'−フェニレン等が挙げられる。
一般式(1)で表される有機珪素ポリマーの重量平均分子量に特に制限はないが、好ましくは500〜500000である。これらの含ケイ素高分子化合物の形態は常温で固体もしくは液状である。
【0010】
一般式(1)で表される有機ケイ素ポリマーの製造方法としては、塩基性酸化物、金属水素化物、金属化合類物を触媒としてジエチニル化合物とシラン化合物の脱水素共重合を行う方法(特開平7−90085、特開平10−120689、特開平11−158187)や、塩基性酸化物を触媒としてエチニルシラン化合物の脱水素重合を行う方法(特開平9−143271)、有機マグネシウム試薬とジクロロシラン類を反応させる方法(特開平7−102069、特開平11−029579)、塩化第一銅と三級アミンを触媒としてジエチニル化合物とシラン化合物の脱水素共重合を行う方法(Hua Qin Liu and John F. Harrod, The Canadian Journal of Chemistry, Vol. 68, 1100-1105(1990))、酸化マグネシウムを触媒としてジエチニル化合物とシラン化合物の脱水素共重合を行う方法(特開平7−90085および特開平10−204181)等が使用できるが、特にこれらの方法に限定されるものではない。
【0011】
(B)有機溶媒
本発明の膜形成用組成物は、(A)成分を、通常、(B)有機溶媒に溶解または分散してなる。
この(B)有機溶媒としては、ケトン系溶媒、アミド系溶媒、エーテル系溶媒、エステル系溶媒、脂肪族炭化水素系溶媒、芳香族系溶媒および含ハロゲン溶媒の群から選ばれた少なくとも1種が挙げられる。
【0012】
ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチル−n−プロピルケトン、メチル−n−ブチルケトン、ジエチルケトン、メチル−i−ブチルケトン、メチル−n−ペンチルケトン、エチル−n−ブチルケトン、メチル−n−ヘキシルケトン、ジ−i−ブチルケトン、トリメチルノナノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、シクロヘプタノン、シクロオクタノン、2−ヘキサノン、メチルシクロヘキサノン、2,4−ペンタンジオン、アセトニルアセトン、ジアセトンアルコール、アセトフェノン、フェンチョンなどのケトン系溶媒を挙げることができる。
これらのケトン系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
【0013】
アミド系溶媒としては、N,N−ジメチルイミダゾリジノン、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジエチルホルムアミド、アセトアミド、N−メチルアセトアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルプロピオンアミド、N−メチルピロリドンなどの含窒素系溶媒を挙げることができる。
これらのアミド系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
【0014】
エーテル溶媒系としては、エチルエーテル、i−プロピルエーテル、n−ブチルエーテル、n−ヘキシルエーテル、2−エチルヘキシルエーテル、エチレンオキシド、1,2−プロピレンオキシド、ジオキソラン、4−メチルジオキソラン、ジオキサン、ジメチルジオキサン、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、エチレングリコールモノ−n−ヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、エチレングリコールモノ−2−エチルブチルエーテル、エチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、ジエチレングリコールモノ−n−ヘキシルエーテル、エトキシトリグリコール、テトラエチレングリコールジ−n−ブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、テトラヒドロフラン、2−メチルテトラヒドロフラン、ジフェニルエーテル、アニソールなどのエーテル系溶媒を挙げることができる。
これらのエーテル系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
【0015】
エステル系溶媒としては、ジエチルカーボネート、プロピレンカーボネート、酢酸メチル、酢酸エチル、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、酢酸n−プロピル、酢酸i−プロピル、酢酸n−ブチル、酢酸i−ブチル、酢酸sec−ブチル、酢酸n−ペンチル、酢酸sec−ペンチル、酢酸3−メトキシブチル、酢酸メチルペンチル、酢酸2−エチルブチル、酢酸2−エチルヘキシル、酢酸ベンジル、酢酸シクロヘキシル、酢酸メチルシクロヘキシル、酢酸n−ノニル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、酢酸エチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸エチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノエチルエーテル、酢酸ジエチレングリコールモノ−n−ブチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノエチルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノプロピルエーテル、酢酸プロピレングリコールモノブチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、酢酸ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジ酢酸グリコール、酢酸メトキシトリグリコール、プロピオン酸エチル、プロピオン酸n−ブチル、プロピオン酸i−アミル、シュウ酸ジエチル、シュウ酸ジ−n−ブチル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸n−ブチル、乳酸n−アミル、マロン酸ジエチル、フタル酸ジメチル、フタル酸ジエチルなどのエステル系溶媒を挙げることができる。
これらのエステル系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。脂肪族炭化水素系溶媒としては、n−ペンタン、i−ペンタン、n−ヘキサン、i−ヘキサン、n−ヘプタン、i−ヘプタン、2,2,4−トリメチルペンタン、n−オクタン、i−オクタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサンなどの脂肪族炭化水素系溶媒を挙げることができる。
これらの脂肪族炭化水素系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
【0016】
芳香族炭化水素系溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、トリメチルベンゼン、メチルエチルベンゼン、n−プロピルベンセン、i−プロピルベンセン、ジエチルベンゼン、i−ブチルベンゼン、トリエチルベンゼン、ジ−i−プロピルベンセン、n−アミルナフタレン、トリメチルベンゼンなどの芳香族炭化水素系溶媒を挙げることができる。
これらの芳香族炭化水素系溶媒は、1種あるいは2種以上を同時に使用してもよい。
含ハロゲン溶媒としては、ジクロロメタン、クロロホルム、フロン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、などの含ハロゲン溶媒を挙げることができる。
本発明 においては、沸点が250℃未満の有機溶媒を使用することが望ましく、溶剤種としては、ケトン系溶剤、エステル系溶剤、芳香族炭化水素系溶剤が特に望ましく、さらにそれらを1種あるいは2種以上を同時に使用することが望ましい。
【0017】
その他の添加剤
本発明の膜形成用組成物には、さらに硬化促進剤、コロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、有機ポリマー、界面活性剤、シランカップリング剤、トリアゼン化合物などの成分を添加してもよい。
【0018】
硬化促進剤としては、有機過酸化物が用いられる。有機過酸化物として、具体的には、BPO(過酸化ベンゾイル)、パーテトラA、パークミルD(ジクミルパーオキサイド)、BTTB(3,3', 4,4' テトラブチルパーオキシカルボニルベンゾフェノン)(いずれも日本油脂社製)などが挙げられる。更に、2,2' アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、ジメチル-2,2'-アゾビス(2-メチルプロピオネート)(V-601、和光純薬社製)、1,1'-アゾビス(1-アセトキシ-1-フェニルエタン)(OT(azo)-15, 大塚化学社製)などの有機アゾ化合物も、有機過酸化物なども効果が認められる。
上記ハイドロシリレーション用促進剤の配合量は、膜形成用組成物100部に対して 0.1〜50部、好ましくは1〜30部である。
【0019】
コロイド状シリカとは、例えば、高純度の無水ケイ酸を前記親水性有機溶媒に分散した分散液であり、通常、平均粒径が5〜30mμ、好ましくは10〜20mμ、固形分濃度が10〜40重量%程度のものである。このような、コロイド状シリカとしては、例えば、日産化学工業(株)製、メタノールシリカゾルおよびイソプロパノールシリカゾル;触媒化成工業(株)製、オスカルなどが挙げられる。
コロイド状アルミナとしては、日産化学工業(株)製のアルミナゾル520、同100、同200;川研ファインケミカル(株)製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル10、同132などが挙げられる。
【0020】
有機ポリマーとしては、例えば、糖鎖構造を有する重合体、ビニルアミド系重合体、(メタ)アクリル系重合体、芳香族ビニル化合物系重合体、デンドリマー、ポリイミド,ポリアミック酸、ポリアリーレン、ポリアミド、ポリキノキサリン、ポリオキサジアゾール、フッ素系重合体、ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体などを挙げることができる。
【0021】
ポリアルキレンオキサイド構造を有する重合体としては、ポリメチレンオキサイド構造、ポリエチレンオキサイド構造、ポリプロピレンオキサイド構造、ポリテトラメチレンオキサイド構造、ポリブチレンオキシド構造などが挙げられる。具体的には、ポリオキシメチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエテチレンアルキルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンステロールエーテル、ポリオキシエチレンラノリン誘導体、アルキルフェノールホルマリン縮合物の酸化エチレン誘導体、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテルなどのエーテル型化合物、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン脂肪酸アルカノールアミド硫酸塩などのエーテルエステル型化合物、ポリエチレングリコール脂肪酸エステル、エチレングリコール脂肪酸エステル、脂肪酸モノグリセリド、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ソルビタン脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、ショ糖脂肪酸エステルなどのエーテルエステル型化合物などを挙げることができる。
ポリオキシチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマーとしては、下記のようなブロック構造を有する化合物が挙げられる。
−(X′)l−(Y′)m−
−(X′)l−(Y′)m−(X′)n−
〔式中、X′は−CH2CH2O−で表される基を、Y′は−CH2CH(CH3)O−で表される基を示し、lは1〜90、mは10〜99、nは0〜90の数を示す。〕
【0022】
これらの中で、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビトール脂肪酸エステル、などのエーテル型化合物をより好ましい例として挙げることができる。
これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
【0023】
界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ(メタ)アクリレート系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。
【0024】
フッ素系界面活性剤としては、例えば、1,1,2,2−テトラフロロオクチル(1,1,2,2−テトラフロロプロピル)エーテル、1,1,2,2−テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)エーテル、ヘキサエチレングリコール(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、オクタプロピレングリコールジ(1,1,2,2−テトラフロロブチル)エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ(1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロペンチル)エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、1,1,2,2,8,8,9,9,10,10−デカフロロドデカン、1,1,2,2,3,3−ヘキサフロロデカン、N−[3−(パーフルオロオクタンスルホンアミド)プロピル]−N,N′−ジメチル−N−カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル−N−エチルスルホニルグリシン塩、リン酸ビス(N−パーフルオロオクチルスルホニル−N−エチルアミノエチル)、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステルなどの末端、主鎖および側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活性剤を挙げることができる。
また、市販品としては、メガファックF142D、同F172、同F173、同F183〔以上、大日本インキ化学工業(株)製〕、エフトップEF301、同303、同352〔新秋田化成(株)製〕、フロラードFC−430、同FC−431〔住友スリーエム(株)製〕、アサヒガードAG710、サーフロンS−382、同SC−101、同SC−102、同SC−103、同SC−104、同SC−105、同SC−106〔旭硝子(株)製〕、BM−1000、BM−1100〔裕商(株)製〕、NBX−15〔(株)ネオス〕などの名称で市販されているフッ素系界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上記メガファックF172,BM−1000,BM−1100,NBX−15が特に好ましい。
【0025】
シリコーン系界面活性剤としては、例えば、SH7PA、SH21PA、SH30PA、ST94PA〔いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)製〕などを用いることが出来る。これらの中でも、上記SH28PA、SH30PAが特に好ましい。
界面活性剤の使用量は、(A)〜(B)成分からなる重合体100重量部に対して、通常、0.00001〜1重量部である。
これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
【0026】
シランカップリング剤としては、例えば、3−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、3−アミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、1−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、2−アミノプロピルトリメトキシシラン、2−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)−3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、3−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−エトキシカルボニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、N−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、10−トリメトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、10−トリエトキシシリル−1,4,7−トリアザデカン、9−トリメトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、9−トリエトキシシリル−3,6−ジアザノニルアセテート、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ベンジル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−フェニル−3−アミノプロピルトリエトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロピルトリメトキシシラン、N−ビス(オキシエチレン)−3−アミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。
これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
【0027】
トリアゼン化合物としては、例えば、1,2−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、1,3−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、1,4−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフェニル)エーテル、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフェニル)メタン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフェニル)スルホン、ビス(3,3−ジメチルトリアゼニルフェニル)スルフィド、2,2−ビス〔4−(3,3−ジメチルトリアゼニルフェノキシ)フェニル〕−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス〔4−(3,3−ジメチルトリアゼニルフェノキシ)フェニル〕プロパン、1,3,5−トリス(3,3−ジメチルトリアゼニル)ベンゼン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−メチル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−フェニル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−プロペニル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−フルオロ−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3,5−ジフルオロ−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フルオレン、2,7−ビス(3,3−ジメチルトリアゼニル)−9,9−ビス[3−トリフルオロメチル−4−(3,3−ジメチルトリアゼニル)フェニル]フルオレンなどが挙げられる。
これらは、1種あるいは2種以上を同時に使用しても良い。
【0028】
本発明の膜形成用組成物の全固形分濃度は、好ましくは、1〜30重量%であり、使用目的に応じて適宜調整される。組成物の全固形分濃度が1〜30重量%であると、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、保存安定性もより優れるものである。
【0029】
本発明の組成物を、基材に塗布する際には、スピンコート、浸漬法、ロールコート法、スプレー法、スキャン塗布法などの塗装手段が用いられる。
【0030】
この際の膜厚は、乾燥膜厚として、1回塗りで厚さ0.01〜1.5μm程度、2回塗りでは厚さ0.2〜3μm程度の塗膜を形成することができる。その後、常温で乾燥するか、あるいは80〜600℃程度の温度で、通常、5〜240分程度加熱して乾燥することにより、層間絶縁膜となる塗膜(硬化膜)を形成することができる。この際の加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行うことができる。とくに酸素存在下で100℃〜450℃で1〜240分加熱焼成を行うとカルボシランに酸素原子が導入され3次元架橋状態が形成される。一旦、3次元架橋状態が形成されるとポリカルボシランは溶剤に不溶になり、また、その後のドライエッチング、加熱などの加工プロセスにおける安定性も向上する。酸素存在下で硬化させる代わりに、過酸化物、ジアゾ化合物などを塗布液組成物に添加して塗布、加熱することにより3次元架橋状態を形成する事が可能である。電子線、紫外線に代表される活性エネルギー線照射することによっても、塗膜を硬化させることができる。
【0031】
本発明において有機ケイ素ポリマーは、 酸化ケイ素(SiO2)、 フッ素ドープ酸化ケイ素(FSG)、オルガノシリケートグラス(OCG)、カーボンドープ酸化ケイ素(SiOC)、メチルシルセキスオキサン(MSQ)、ハイドロジェンシルセスキオキサン(HSQ)、スピンオングラス(SOG)、ポリオルガノシロキサンなどの酸化ケイ素系層間絶縁膜、ポリアリーレン、ポリアリーレンエーテル、ポリイミド、フッ素樹脂などの有機ポリマー系層間絶縁膜(以下、これらを「層間絶縁膜」という)との組み合わせにおいて好ましく用いられる。
本発明において有機ケイ素ポリマーは、ポリカルボシランを骨格に有しており、上記酸化ケイ素系層間絶縁膜および有機ポリマー系層間絶縁膜用に最適化されたプラズマドライエッチング条件では、ドライエッチング速度が、上記ケイ素系層間絶縁膜および有機ポリマー系層間絶縁膜のそれと比較して少なくとも1/3以下、概して1/5以下である。したがって、エッチストッパーまたはハードマスクとして機能する。
本発明では、有機ケイ素ポリマーを上記層間絶縁膜の下層に形成する場合には、エッチストッパーとして機能し、上記層間絶縁膜の上層に形成する場合にはハードマスクとして機能する。
【0032】
エッチングストッパー
本発明において、層間絶縁膜をエッチング加工する際に、まず、エッチングストッパーの上に層間絶縁膜を形成し、さらにこの層間絶縁膜上に開口部を有するマスク膜を形成した積層構造を形成する。マスク膜の開口部の作成方法には様々な方法が適用される。マスク膜の開口部作成方法の例として、可視光あるいは紫外光あるいは電子線によるリソグラフィー技術によって開口部を形成する感光性ポリマー(フォトレジスト)があげられる。
上記開口部を有するマスク膜の開口部を通して上記層間絶縁膜をエッチングすることによって、層間絶縁膜に特定のパターンを形成することができる。層間絶縁膜のエッチングは乾式エッチングであっても湿式エッチングであっても良い。層間絶縁膜に形成する特定のパターンとしては例えば電気回路のパターンがあげられる。
【0033】
層間絶縁膜のエッチングは場所によらず同じ速度でエッチングされることが望ましいが、乾式エッチングであればエッチングガスの濃度むら、エッチングガスの流れの不均一性、温度むらなどの影響を受け、湿式エッチングであればエッチング薬液の濃度むら、エッチング薬液の対流むら、温度むらなどの影響を受けることが原因で場所によってエッチング速度が異なることが起こる。このため、最もエッチングが遅い場所がエッチングできる時間をもってエッチング時間とすると、最もエッチングの遅い場所以外は層間絶縁膜の下層にまでエッチングガスあるいはエッチング薬液が到達し、化学的な反応が起こる。
層間絶縁膜の下層にエッチングストッパーを形成しておくことによって、エッチングガスあるいはエッチング薬液による化学的な反応がエッチングストッパーよりも下層に及ぶことを防ぐことができる。層間絶縁膜をエッチングする速度よりもエッチングストッパーをエッチングする速度の方が遅ければ、エッチングガスあるいはエッチング薬液による化学的な反応が下層に及ぶのを防ぐために必要なエッチングストッパーの膜厚を薄くすることができる。例えば、層間絶縁膜として低誘電絶縁膜を用いた場合には層間絶縁膜よりもエッチングストッパーの方が比誘電率が高くなるので、エッチングストッパーの膜厚は薄い方が望ましい。
【0034】
ハードマスク
フォトレジストと層間絶縁膜のエッチング選択比が十分で無い場合、また、フォトレジストの膜厚が薄く、層間絶縁膜のエッチングに耐えうる膜厚を有していない場合などに、フォトレジスト開口パターンを一旦、エッチング選択比の高いハードマスクに転写してハードマスクを開口パターンとしてエッチングを行う方法が用いられる。
この場合、ハードマスクは、層間絶縁膜の上層に形成される。さらにハードマスク上に、開口部を有するマスク膜を形成した積層構造を形成する。マスク膜の開口部の作成方法には様々な方法が適用される。マスク膜の開口部作成方法の例として、可視光あるいは紫外光あるいは電子線によるリソグラフィー技術によって開口部を形成するフォトレジストがあげられる。
上記開口部を有するマスク膜の開口部を通してハードマスクをエッチングすることによって、ハードマスク上に特定のパターンを形成することができる。ハードマスクのエッチングは乾式エッチングであっても湿式エッチングであっても良い。ハードマスクに形成する特定のパターンとしては例えば電気回路のパターンがあげられる。フォトレジストを乾式(アッシング)または湿式(ウエット剥離)で除去した後、ハードマスクに転写された回路パターンをマスクとして層間絶縁膜のエッチングを行う。
【0035】
ダマシン構造の形成方法
ダマシン構造は、層間絶縁膜に配線溝(トレンチ)または穴(ヴィアホール)のパターンを形成した後に配線用金属を埋め込み、余分な金属を化学機械研磨法(CMP)による除去する事により形成される。ダマシン形成方法には、溝、穴を個別に加工してそれそれの加工後に金属埋め込み、化学機械研磨をシングルダマシンと溝、穴を同時に形成し金属の埋め込み、化学機械研磨を1回のみですませるデュアルダマシンの2つの方法がある。
本発明におけるデュアルダマシン形成方法は、2層からなる絶縁膜とその間にあるエッチングストッパー兼ハードマスクからなる構造であることを特徴とする。(図2参照)
このような積層構造は、プラズマCVD法あるいは塗布法によって形成された層間絶縁膜、プラズマCVD法あるいは塗布法によって形成されたエッチングストッパー膜、プラズマCVD法あるいは塗布法によって形成された層間絶縁膜を順番に積層することによって得られる。 第一の層間絶縁膜と第二の層間絶縁膜には、配線溝をフォトリソ、エッチング工程によって形成するが、第一の絶縁層と第二の層間絶縁層の間にエッチングストッパー膜があることによって、エッチング加工時の面内均一性、加工条件のプロセス冗長性が確保しやすくなる。また、このエッチングストッパーにヴィアホールパターンを転写する事によって第2の絶縁層にヴィアホールを加工する事ができる。
フォトリソ、エッチング工程を経た積層構造体には、ダマシン溝または/およびビアホールを形成し、バリアメタルで溝または/およびビアホールを被覆し、さらに銅を配線溝、および/またはビアホールに埋め込むことによって、電気配線を形成することができる。
【0036】
このようにして得られるエッチングストッパーは、エッチング処理に対する耐性に優れることから、LSI、システムLSI、, MPU, CPU, DRAM、SDRAM、RDRAM、D−RDRAMなどの半導体素子用途に有用である。
【0037】
【実施例】
以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体的に説明する。
なお、実施例および比較例中の部および%は、特記しない限り、それぞれ重量部および重量%であることを示している。
また、実施例中における膜形成用組成物の評価は、次のようにして測定したものである。
【0038】
重量平均分子量(Mw)
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法により測定した。
試料:テトラヒドロフランを溶媒として使用し、試料1gを、100ccのテトラヒドロフランに溶解して調製した。
標準ポリスチレン:米国プレッシャーケミカル社製の標準ポリスチレンを使用した。
装置:米国ウオーターズ社製の高温高速ゲル浸透クロマトグラム(モデル150−C ALC/GPC)
カラム:昭和電工(株)製のSHODEX A−80M(長さ50cm)
測定温度:40℃
流速:1cc/分
【0039】
エッチング選択比
下記の装置で塗膜のエッチングを行った。
エッチング装置:東京エレクトロン製 UnityII
シリコンウェハー上に形成したエッチングストッパーを上記エッチング装置を用いてエッチングを行い、単位時間あたりにエッチングされた厚さをAとする。シリコンウェハー上に形成した絶縁膜を上記エッチング装置を用いて、上記エッチングストッパーをエッチングした装置条件と同じ装置条件をもってエッチングを行い、単位時間あたりにエッチングされた厚さをBとする。BをAで除した値B/Aをエッチング選択比として評価した。
【0040】
溶液▲1▼の作成
ポリ(フェニルシリレンエチニレン−1,3−フェニレンエチニレン)をシクロヘキサノンに溶解させ、15重量%の溶液とした。これを溶液▲1▼とする。
この溶液▲1▼を0.2μm孔径のテフロン製フィルターでろ過し、塗膜の比誘電率を測定した。
比誘電率は3.0であった。
【0041】
合成例1
石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシラン77.04gとテトラメトキシシラン24.05gとテトラキス(アセチルアセトナート)チタン0.48gを、プロピレングリコールモノプロピルエーテル290gに溶解させたのち、スリーワンモーターで攪拌させ、溶液温度を60℃に安定させた。次に、イオン交換水84gを1時間かけて溶液に添加した。その後、60℃で2時間反応させたのち、アセチルアセトン25gを添加し、さらに30分間反応させ、反応液を室温まで冷却した。50℃で反応液からメタノールと水を含む溶液を149gエバポレーションで除去し、溶液▲2▼を得た。
このようにして得られた加水分解縮合物(加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方)の重量平均分子量は、8,900であった。
【0042】
実施例1
絶縁膜としてMSQ系低誘電層間絶縁膜である
JSR株式会社製LKD-5109
を用い、エッチングストッパー膜として
合成例1で合成したポリカルボシランを用いてエッチング選択比を評価した。
【0043】
エッチング条件Aのとき、エッチング選択比 6.0
エッチング条件Bのとき、エッチング選択比 5.8
エッチング条件Cのとき、エッチング選択比 6.3
エッチング条件Dのとき、エッチング選択比 7.8
であった。
【0044】
【発明の効果】
本発明によれば、比誘電率4以下の有機ポリマーからなるエッチングストッパーまたはハードマスクを使用することにより、エッチング処理によるダメージの少ない半導体用塗膜(層間絶縁膜用材料)を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図1】エッチングストッパーの構造例
【図2】 Dual Damascine構造例
【符号の説明】
1 マスク膜
2 絶縁膜
3 エッチングストッパー
4 第一絶縁膜
5 エッチングストッパー
6 第二絶縁膜
7 バリアー膜
Claims (10)
- 下記一般式(1)で表される繰り返し構造単位を有する重合体から選ばれる少なくとも1種である有機ケイ素ポリマーからなる絶縁膜であって、
前記絶縁膜をプラズマドライエッチングした際のエッチング速度は、同一条件にて、酸化ケイ素、フッ素ドープ酸化ケイ素、オルガノシリケートグラス、カーボンドープ酸化ケイ素、メチルシルセキスオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、スピンオングラス、ポリオルガノシロキサンおよび有機ポリマーから選ばれる化合物よりなる膜をプラズマドライエッチングした際のエッチング速度の1/3以下であることを特徴とする比誘電率が4以下の絶縁膜
一般式(1)
- (A)有機ケイ素ポリマーおよび(B)有機溶媒からなる塗布液組成物であって、
前記(A)有機ケイ素ポリマーは、下記一般式(1)で表される繰り返し構造単位を有する重合体から選ばれる少なくとも1種であることを特徴とする塗布液組成物
一般式(1)
- 請求項2記載の塗布液組成物を基板に塗布し、加熱することを特徴とする絶縁膜の形成方法。
- 請求項2記載の塗布液組成物を基版に塗布し、酸素分子もしくは過酸化物存在下で加熱焼成し、3次元架橋させることを特徴とする絶縁膜の形成方法。
- 請求項2記載の塗布液組成物を基版に塗布し、酸素分子もしくは過酸化物存在下で加熱焼成することにより得られる3次元架橋された絶縁膜。
- 請求項1または5に記載の絶縁膜からなり、酸化ケイ素、フッ素ドープ酸化ケイ素、オルガノシリケートグラス、カーボンドープ酸化ケイ素、メチルシルセキスオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、スピンオングラス、ポリオルガノシロキサンおよび有機ポリマーから選ばれる化合物よりなる膜の下層に形成され、前記絶縁膜をプラズマドライエッチングした際のエッチング速度が、同一条件にて、前記化合物よりなる膜をプラズマドライエッチングした際のエッチング速度の1/5以下であることを特徴とするエッチングストッパー。
- 請求項1または5に記載の絶縁膜からなり、酸化ケイ素、フッ素ドープ酸化ケイ素、オルガノシリケートグラス、カーボンドープ酸化ケイ素、メチルシルセキスオキサン、ハイドロジェンシルセスキオキサン、スピンオングラス、ポリオルガノシロキサンおよび有機ポリマーから選ばれる化合物よりなる膜の上層に形成され、前記絶縁膜をプラズマドライエッチングした際のエッチング速度が、同一条件にて、前記化合物よりなる膜をプラズマドライエッチングした際のエッチング速度の1/5以下であることを特徴とするハードマスク。
- 請求項6記載のエッチングストッパーおよび請求項7記載のハードマスクもしくはいずれか一方を用いることを特徴とするドライエッチングによる絶縁膜の加工方法。
- 請求項6記載のエッチングストッパーおよび請求項7記載のハードマスクもしくはいずれか一方を用いることを特徴とするダマシン構造の形成方法。
- 請求項6記載のエッチングストッパーおよび請求項7記載のハードマスクもしくはいずれか一方を用いることを特徴とするデュアルダマシン構造の形成方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002354512A JP3951124B2 (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | 絶縁膜 |
TW092133898A TWI293970B (en) | 2002-12-06 | 2003-12-02 | Insulation film |
EP03027695A EP1427004A3 (en) | 2002-12-06 | 2003-12-03 | Insulation film |
US10/726,666 US7297360B2 (en) | 2002-12-06 | 2003-12-04 | Insulation film |
KR1020030087814A KR101007819B1 (ko) | 2002-12-06 | 2003-12-05 | 절연막 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002354512A JP3951124B2 (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | 絶縁膜 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004186610A JP2004186610A (ja) | 2004-07-02 |
JP3951124B2 true JP3951124B2 (ja) | 2007-08-01 |
Family
ID=32310750
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002354512A Expired - Fee Related JP3951124B2 (ja) | 2002-12-06 | 2002-12-06 | 絶縁膜 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7297360B2 (ja) |
EP (1) | EP1427004A3 (ja) |
JP (1) | JP3951124B2 (ja) |
KR (1) | KR101007819B1 (ja) |
TW (1) | TWI293970B (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8101015B2 (en) * | 2003-10-07 | 2012-01-24 | Honeywell International Inc. | Coatings and hard mask compositions for integrated circuit applications methods of production and uses thereof |
JP2006024811A (ja) * | 2004-07-09 | 2006-01-26 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP4756128B2 (ja) * | 2004-10-20 | 2011-08-24 | 日揮触媒化成株式会社 | 半導体加工用保護膜形成用塗布液、その調製方法およびこれより得られる半導体加工用保護膜 |
KR100618878B1 (ko) * | 2004-11-26 | 2006-09-04 | 삼성전자주식회사 | 사면체 탄소 화합물로 이루어지는 하드 마스크용 폴리머막및 그 제조 방법과 이를 이용한 미세 패턴 형성 방법 |
KR100725793B1 (ko) | 2005-12-26 | 2007-06-08 | 제일모직주식회사 | 레지스트 하층막용 하드마스크 조성물 및 이를 이용한반도체 집적회로 디바이스의 제조방법 |
DE102006062728B4 (de) * | 2006-02-14 | 2010-04-29 | Fujitsu Ltd., Kawasaki | Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür |
JP5007511B2 (ja) | 2006-02-14 | 2012-08-22 | 富士通株式会社 | 露光光遮蔽膜形成用材料、多層配線及びその製造方法、並びに半導体装置 |
KR100760923B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2007-09-21 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 불소 확산 방지막을 구비한 반도체 장치 및 그 제조방법 |
KR100770533B1 (ko) * | 2006-08-30 | 2007-10-25 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 반도체 소자 및 이를 제조하는 방법 |
JP4766267B2 (ja) * | 2007-02-26 | 2011-09-07 | Jsr株式会社 | 膜およびその形成方法、ならびに半導体装置 |
JP5470687B2 (ja) | 2007-08-10 | 2014-04-16 | 富士通株式会社 | シリコン化合物、紫外線吸収体、多層配線装置の製造方法および多層配線装置 |
EP2209839A1 (en) * | 2007-11-06 | 2010-07-28 | Braggone OY | Carbosilane polymer compositions for anti-reflective coatings |
US8999625B2 (en) | 2013-02-14 | 2015-04-07 | International Business Machines Corporation | Silicon-containing antireflective coatings including non-polymeric silsesquioxanes |
JP6163820B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-07-19 | 日本ゼオン株式会社 | エッチング方法 |
US9059095B2 (en) | 2013-04-22 | 2015-06-16 | International Business Machines Corporation | Self-aligned borderless contacts using a photo-patternable dielectric material as a replacement contact |
US9548238B2 (en) | 2013-08-12 | 2017-01-17 | Globalfoundries Inc. | Method of manufacturing a semiconductor device using a self-aligned OPL replacement contact and patterned HSQ and a semiconductor device formed by same |
JP6277952B2 (ja) * | 2014-12-26 | 2018-02-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、記憶媒体及び加熱装置 |
US9442377B1 (en) | 2015-06-15 | 2016-09-13 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Wet-strippable silicon-containing antireflectant |
US10007184B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-06-26 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Silicon-containing underlayers |
US10114288B2 (en) | 2016-09-01 | 2018-10-30 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Silicon-containing underlayers |
KR102194975B1 (ko) * | 2017-10-13 | 2020-12-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 실리카 막 형성용 조성물, 실리카 막의 제조방법 및 실리카 막 |
TWI648298B (zh) | 2018-02-08 | 2019-01-21 | 財團法人工業技術研究院 | 共聚物與樹脂組合物 |
Family Cites Families (28)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07102069A (ja) | 1993-03-24 | 1995-04-18 | Mitsui Toatsu Chem Inc | ポリ(シリレンエチニレンフェニレンエチニレン)類、その製造方法及びその硬化物 |
JP3418458B2 (ja) * | 1993-08-31 | 2003-06-23 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3322949B2 (ja) | 1993-09-22 | 2002-09-09 | 三井化学株式会社 | 固体塩基触媒を用いた有機ケイ素高分子の製造方法 |
JPH09143271A (ja) | 1995-09-21 | 1997-06-03 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 新規なケイ素系ポリマー及びその製造方法 |
JPH09219448A (ja) * | 1996-02-09 | 1997-08-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH10120689A (ja) | 1996-10-17 | 1998-05-12 | Mitsui Chem Inc | ケイ素系化合物およびケイ素系ポリマーの製造方法 |
JPH10204181A (ja) | 1997-01-23 | 1998-08-04 | Mitsui Chem Inc | 含ケイ素高分子化合物の分別方法 |
JPH11158187A (ja) | 1997-04-10 | 1999-06-15 | Mitsui Chem Inc | 含ケイ素化合物および含ケイ素ポリマーの製造方法 |
JPH10298292A (ja) * | 1997-04-24 | 1998-11-10 | Mitsui Chem Inc | 傾斜材料およびその製造方法 |
JPH1129579A (ja) | 1997-07-04 | 1999-02-02 | Mitsui Chem Inc | 有機ケイ素化合物およびその製造方法 |
US6162743A (en) * | 1998-02-10 | 2000-12-19 | Chu; Cheng-Jye | Low dielectric constant film and method thereof |
JP4270632B2 (ja) * | 1999-03-12 | 2009-06-03 | 株式会社東芝 | ドライエッチングを用いた半導体装置の製造方法 |
JP3468717B2 (ja) | 1999-05-13 | 2003-11-17 | 積水化学工業株式会社 | 低誘電率材料及び層間絶縁膜の製造方法 |
US6225238B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-05-01 | Allied Signal Inc | Low dielectric constant polyorganosilicon coatings generated from polycarbosilanes |
JP3604007B2 (ja) * | 2000-03-29 | 2004-12-22 | 富士通株式会社 | 低誘電率被膜形成材料、及びそれを用いた被膜と半導体装置の製造方法 |
US6489030B1 (en) * | 2000-04-14 | 2002-12-03 | Honeywell International, Inc. | Low dielectric constant films used as copper diffusion barrier |
JP2002076115A (ja) | 2000-08-28 | 2002-03-15 | Jsr Corp | エッチングストッパー |
JP2002252222A (ja) | 2001-02-22 | 2002-09-06 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法、及び半導体装置 |
JP2002309088A (ja) * | 2001-04-13 | 2002-10-23 | Mitsui Chemicals Inc | ケイ素化合物を含有する組成物 |
JP4160277B2 (ja) * | 2001-06-29 | 2008-10-01 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
US20040247896A1 (en) * | 2001-12-31 | 2004-12-09 | Paul Apen | Organic compositions |
JP2003297820A (ja) * | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Jsr Corp | 半導体装置用層間膜形成用組成物および半導体装置用層間膜 |
JP2004158606A (ja) | 2002-11-06 | 2004-06-03 | Fujitsu Ltd | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP3918933B2 (ja) * | 2002-12-06 | 2007-05-23 | Jsr株式会社 | 化学機械研磨ストッパー、その製造方法および化学機械研磨方法 |
US7172849B2 (en) * | 2003-08-22 | 2007-02-06 | International Business Machines Corporation | Antireflective hardmask and uses thereof |
JP2005175060A (ja) * | 2003-12-09 | 2005-06-30 | Jsr Corp | 絶縁膜およびその形成方法、ならびに膜形成用組成物 |
TW200538491A (en) * | 2004-01-16 | 2005-12-01 | Jsr Corp | The composition of forming insulating film and the method of producing insulating film |
EP1719793A4 (en) * | 2004-02-26 | 2009-05-20 | Jsr Corp | POLYMER AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR, COMPOSITION FOR FORMING AN INSULATING FILM AND PRODUCTION METHOD THEREFOR |
-
2002
- 2002-12-06 JP JP2002354512A patent/JP3951124B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-12-02 TW TW092133898A patent/TWI293970B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-12-03 EP EP03027695A patent/EP1427004A3/en not_active Withdrawn
- 2003-12-04 US US10/726,666 patent/US7297360B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-12-05 KR KR1020030087814A patent/KR101007819B1/ko not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1427004A3 (en) | 2005-06-22 |
KR101007819B1 (ko) | 2011-01-14 |
EP1427004A2 (en) | 2004-06-09 |
TWI293970B (en) | 2008-03-01 |
TW200420637A (en) | 2004-10-16 |
KR20040049801A (ko) | 2004-06-12 |
JP2004186610A (ja) | 2004-07-02 |
US20040110896A1 (en) | 2004-06-10 |
US7297360B2 (en) | 2007-11-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3951124B2 (ja) | 絶縁膜 | |
US7462678B2 (en) | Film forming composition, process for producing film forming composition, insulating film forming material, process for forming film, and silica-based film | |
US6465368B2 (en) | Method of manufacturing insulating film-forming material, the insulating film-forming material, and insulating film | |
JP4766267B2 (ja) | 膜およびその形成方法、ならびに半導体装置 | |
JP3797260B2 (ja) | 半導体装置用カルボシラン系膜の製造方法、および半導体装置用カルボシラン系絶縁膜 | |
JP4143845B2 (ja) | 絶縁膜およびその形成方法、ならびに絶縁膜を有する積層体およびその形成方法 | |
JP3918933B2 (ja) | 化学機械研磨ストッパー、その製造方法および化学機械研磨方法 | |
US6884862B2 (en) | Polymer, process for production, composition for film formation containing the same, method of film formation, and insulating film | |
JP4344903B2 (ja) | 半導体素子用の層間絶縁膜形成用材料 | |
JP2002285087A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP4798330B2 (ja) | 絶縁膜形成用組成物、絶縁膜、およびその形成方法 | |
JP2009206457A (ja) | 絶縁膜 | |
JP2007262255A (ja) | ポリマーおよびその製造方法、絶縁膜形成用組成物、絶縁膜の製造方法、ならびにシリカ系絶縁膜 | |
JP5212591B2 (ja) | 積層体、絶縁膜、および半導体装置 | |
JP3669250B2 (ja) | 膜形成用組成物の製造方法およびそれにより得られる膜形成用組成物 | |
JP2004099888A (ja) | 耐熱性樹脂組成物および絶縁耐熱性樹脂材料 | |
JP2003297820A (ja) | 半導体装置用層間膜形成用組成物および半導体装置用層間膜 | |
JP2008243907A (ja) | 導電層間の空洞形成用組成物、導電層間の空洞形成用犠牲膜および導電層間の空洞形成方法 | |
JP2001354901A (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP5007481B2 (ja) | 重合体及びその製造方法、並びにそれを含有する膜形成用組成物 | |
JP2005097443A (ja) | 膜形成用組成物の製造方法、膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 | |
JP2009188046A (ja) | 積層体およびその製造方法 | |
JP2002069375A (ja) | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 | |
JP2001329216A (ja) | 膜形成用組成物、膜の形成方法およびシリカ系膜 | |
JP2002003752A (ja) | 膜形成用組成物および絶縁膜形成用材料 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041025 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060525 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060606 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060628 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20060628 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20061011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20061019 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070328 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070410 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3951124 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130511 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140511 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |