JP3318058B2 - 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 - Google Patents
強誘電体のドメイン反転構造形成方法Info
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 24
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 13
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 7
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 19
- 229910013641 LiNbO 3 Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000001000 micrograph Methods 0.000 description 8
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 7
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 5
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 3
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001427 coherent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008832 photodamage Effects 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/35—Non-linear optics
- G02F1/355—Non-linear optics characterised by the materials used
- G02F1/3558—Poled materials, e.g. with periodic poling; Fabrication of domain inverted structures, e.g. for quasi-phase-matching [QPM]
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基本波を第２高調波等
に変換する光波長変換素子、特に詳細には周期ドメイン
反転構造を有する光波長変換素子を作成するために、非
線形光学効果を有する強誘電体に所定パターンのドメイ
ン反転構造を形成する方法に関するものである。
に変換する光波長変換素子、特に詳細には周期ドメイン
反転構造を有する光波長変換素子を作成するために、非
線形光学効果を有する強誘電体に所定パターンのドメイ
ン反転構造を形成する方法に関するものである。
【０００２】
【０００３】
【従来の技術】非線形光学効果を有する強誘電体の自発
分極（ドメイン）を周期的に反転させた領域を設けた光
波長変換素子を用いて、基本波を第２高調波に波長変換
する方法が既にＢleombergenらによって提案されている
（Ｐhys.Ｒev.,vol.127,Ｎo.６，1918（1962）参照）。
この方法においては、ドメイン反転部の周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ……(1) ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数２β（ω）は
基本波の伝搬定数で与えられるコヒーレント長Λｃの整
数倍になるように設定することで、基本波と第２高調波
との位相整合を取ることができる。非線形光学材料のバ
ルク結晶を用いて波長変換する場合は、位相整合する波
長が結晶固有の特定波長に限られるが、上記の方法によ
れば、任意の波長に対して(1) を満足する周期Λを選択
することにより、効率良く位相整合を取ることが可能と
なる。
分極（ドメイン）を周期的に反転させた領域を設けた光
波長変換素子を用いて、基本波を第２高調波に波長変換
する方法が既にＢleombergenらによって提案されている
（Ｐhys.Ｒev.,vol.127,Ｎo.６，1918（1962）参照）。
この方法においては、ドメイン反転部の周期Λを、 Λｃ＝２π／｛β（２ω）−２β（ω）｝ ……(1) ただしβ（２ω）は第２高調波の伝搬定数２β（ω）は
基本波の伝搬定数で与えられるコヒーレント長Λｃの整
数倍になるように設定することで、基本波と第２高調波
との位相整合を取ることができる。非線形光学材料のバ
ルク結晶を用いて波長変換する場合は、位相整合する波
長が結晶固有の特定波長に限られるが、上記の方法によ
れば、任意の波長に対して(1) を満足する周期Λを選択
することにより、効率良く位相整合を取ることが可能と
なる。
【０００４】上述のような周期ドメイン反転構造を形成
する方法の１つとして従来より、室温下で電子線ビーム
を直接ＬｉＴａＯ３ やＬｉＮｂＯ３ の−ｚ面に照射
する方法（Ｈ．Ｉto，Ｃ．Ｔakyu，and Ｈ．Ｉnaba，Ｅ
lectronics Ｌetters， vol.27, Ｎo.14，1221（199
1）参照）が知られている。なおこの場合は、電子線照
射側 と反対側の強誘電体表面（上記例では＋ｚ面）に
アース電極を形成した状態で電子線照射がなされる。
する方法の１つとして従来より、室温下で電子線ビーム
を直接ＬｉＴａＯ３ やＬｉＮｂＯ３ の−ｚ面に照射
する方法（Ｈ．Ｉto，Ｃ．Ｔakyu，and Ｈ．Ｉnaba，Ｅ
lectronics Ｌetters， vol.27, Ｎo.14，1221（199
1）参照）が知られている。なおこの場合は、電子線照
射側 と反対側の強誘電体表面（上記例では＋ｚ面）に
アース電極を形成した状態で電子線照射がなされる。
【０００５】この方法で作成される光波長変換素子は、
ＬｉＮｂＯ３ の基板厚さ（例えば０．５ｍｍ程度）に
亘って、つまり−ｚ面から＋ｚ面まで貫通する周期ドメ
イン反転部が形成されるため、バルク型の光波長変換素
子としての応用が可能である。この方法により３次の周
期ドメイン反転構造を形成した光波長変換素子では、Ｔ
ｉ：Ａｌ２ Ｏ３ レーザーを波長掃引して、バルクで
の位相整合が確認されている。
ＬｉＮｂＯ３ の基板厚さ（例えば０．５ｍｍ程度）に
亘って、つまり−ｚ面から＋ｚ面まで貫通する周期ドメ
イン反転部が形成されるため、バルク型の光波長変換素
子としての応用が可能である。この方法により３次の周
期ドメイン反転構造を形成した光波長変換素子では、Ｔ
ｉ：Ａｌ２ Ｏ３ レーザーを波長掃引して、バルクで
の位相整合が確認されている。
【０００６】また、本出願人による特願平4-290003号明
細書に示されるように、電子線ビームを強誘電体に照射
する代わりに、それと同様に高エネルギー線の一つであ
るイオンビームを強誘電体に照射して周期ドメイン反転
構造を形成することも可能である。
細書に示されるように、電子線ビームを強誘電体に照射
する代わりに、それと同様に高エネルギー線の一つであ
るイオンビームを強誘電体に照射して周期ドメイン反転
構造を形成することも可能である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、電子線、イオ
ンビーム等の高エネルギー線照射による従来のドメイン
反転構造形成方法においては、ドメイン反転構造の形状
の均一性、再現性が悪いことが認められている。またこ
の従来方法においては、ドメイン反転部分が理想的な直
線状になり難く、太さが不均一な直線状や、あるいはド
ット状になってしまうことが極めて多いという問題も認
められている。
ンビーム等の高エネルギー線照射による従来のドメイン
反転構造形成方法においては、ドメイン反転構造の形状
の均一性、再現性が悪いことが認められている。またこ
の従来方法においては、ドメイン反転部分が理想的な直
線状になり難く、太さが不均一な直線状や、あるいはド
ット状になってしまうことが極めて多いという問題も認
められている。
【０００８】本発明は上記のような事情に鑑みてなされ
たものであり、理想的な直線状の所定周期のドメイン反
転構造を、再現性良く形成することができる強誘電体の
ドメイン反転構造形成方法を提供することを目的とする
ものである。
たものであり、理想的な直線状の所定周期のドメイン反
転構造を、再現性良く形成することができる強誘電体の
ドメイン反転構造形成方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００９】
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による強誘電体の
ドメイン反転構造形成方法は、前述したように単分極化
された非線形光学効果を有する強誘電体の一表面にアー
ス電極を設け、それと反対の表面側から該強誘電体に電
子線またはイオンビームを照射してドメイン反転構造を
形成する強誘電体のドメイン反転構造形成方法におい
て、上記強誘電体の一表面にアース電極を形成する前
に、該表面をフッ硝酸によって処理することを特徴とす
るものである。
ドメイン反転構造形成方法は、前述したように単分極化
された非線形光学効果を有する強誘電体の一表面にアー
ス電極を設け、それと反対の表面側から該強誘電体に電
子線またはイオンビームを照射してドメイン反転構造を
形成する強誘電体のドメイン反転構造形成方法におい
て、上記強誘電体の一表面にアース電極を形成する前
に、該表面をフッ硝酸によって処理することを特徴とす
るものである。
【００１１】
【００１２】
【作用および発明の効果】強誘電体に上記のフッ硝酸に
よる処理を施しておくと、ドメイン反転部分が理想的な
直線状になり、そしてドメイン反転構造の面内均一性
（ドメイン反転部に貫かれる面内での形状均一性）が大
幅に向上し、またドメイン反転構造の形状再現性もほぼ
１００％まで改善される。これは、フッ硝酸処理された
強誘電体表面とアース電極との密着性が向上することに
よるものと考えられる。
よる処理を施しておくと、ドメイン反転部分が理想的な
直線状になり、そしてドメイン反転構造の面内均一性
（ドメイン反転部に貫かれる面内での形状均一性）が大
幅に向上し、またドメイン反転構造の形状再現性もほぼ
１００％まで改善される。これは、フッ硝酸処理された
強誘電体表面とアース電極との密着性が向上することに
よるものと考えられる。
【００１３】以上のようにして、理想的形状で周期が極
めて正確に制御されたドメイン反転構造が強誘電体に形
成されれば、この強誘電体の非線形光学定数が向上する
ので、それを光波長変換素子として用いた場合の波長変
換効率が著しく高められるようになる。
めて正確に制御されたドメイン反転構造が強誘電体に形
成されれば、この強誘電体の非線形光学定数が向上する
ので、それを光波長変換素子として用いた場合の波長変
換効率が著しく高められるようになる。
【００１４】また、ドメイン反転部分が理想的な直線状
となることにより、強誘電体に光損傷が生じる光強度の
しきい値が高くなり、光波長変換素子の耐光損傷特性も
改善される。
となることにより、強誘電体に光損傷が生じる光強度の
しきい値が高くなり、光波長変換素子の耐光損傷特性も
改善される。
【００１５】
【実施例】以下、図面に示す実施例に基づいて本発明を
詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例によりドメ
イン反転構造を形成する工程を示している。この図１
中、１は非線形光学効果を有する強誘電体であるＬｉＮ
ｂＯ３ の基板である。この基板１は単分極化処理がな
されて厚さ0.5 ｍｍに形成され、最も大きい非線形光学
材料定数ｄ３３が有効に利用できるように、ｚ面（ｃ
面）で光学研磨されたｚ板が使用されている。
詳細に説明する。図１は、本発明の一実施例によりドメ
イン反転構造を形成する工程を示している。この図１
中、１は非線形光学効果を有する強誘電体であるＬｉＮ
ｂＯ３ の基板である。この基板１は単分極化処理がな
されて厚さ0.5 ｍｍに形成され、最も大きい非線形光学
材料定数ｄ３３が有効に利用できるように、ｚ面（ｃ
面）で光学研磨されたｚ板が使用されている。
【００１６】この基板１は、まず同図の（ａ）に示すよ
うに、室温下で、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３ ）
の１：２の混合液であるフッ硝酸液５に３分間浸漬され
る。これにより基板１の全表面が軽くフッ硝酸処理され
る。
うに、室温下で、フッ酸（ＨＦ）と硝酸（ＨＮＯ３ ）
の１：２の混合液であるフッ硝酸液５に３分間浸漬され
る。これにより基板１の全表面が軽くフッ硝酸処理され
る。
【００１７】基板１をフッ硝酸液５から取り出して乾燥
させた後、同図（ｂ）に示すように、この基板１の＋ｚ
面１ａにはアース電極として、厚さ30ｎｍのＣｒ薄膜２
が蒸着により形成される。
させた後、同図（ｂ）に示すように、この基板１の＋ｚ
面１ａにはアース電極として、厚さ30ｎｍのＣｒ薄膜２
が蒸着により形成される。
【００１８】次いで同図（ｃ）に示すように、公知の電
子線照射装置（図示せず）から発せられた電子線３を、
基板１に−ｚ面１ｂ側から局所的に照射する。この際の
電子線加速電圧は一例として20ｋＶ、照射電流は0.3 ｎ
Ａに設定される。この電子線照射により基板１には、基
板裏まで貫通し、所定周期Λで繰り返すパターンのドメ
イン反転部９が形成される。なお図１（ｃ）の矢印10
は、分極の方向を示している。ここで上記周期Λは、Ｌ
ｉＮｂＯ３ の屈折率の波長分散を考慮して、基板１の
ｘ軸方向に沿って946 ｎｍ近辺で１次の周期となるよう
に4.6 μｍとした。
子線照射装置（図示せず）から発せられた電子線３を、
基板１に−ｚ面１ｂ側から局所的に照射する。この際の
電子線加速電圧は一例として20ｋＶ、照射電流は0.3 ｎ
Ａに設定される。この電子線照射により基板１には、基
板裏まで貫通し、所定周期Λで繰り返すパターンのドメ
イン反転部９が形成される。なお図１（ｃ）の矢印10
は、分極の方向を示している。ここで上記周期Λは、Ｌ
ｉＮｂＯ３ の屈折率の波長分散を考慮して、基板１の
ｘ軸方向に沿って946 ｎｍ近辺で１次の周期となるよう
に4.6 μｍとした。
【００１９】次いで上記＋ｚ面１ａのＣｒ薄膜２をエッ
チングにより除去し、この＋ｚ面１ａにおけるドメイン
反転部９の形状を顕微鏡で観察した。その顕微鏡像を撮
影した写真を図２に示す。ここに示されている通り、ド
メイン反転部９（写真中の黒い直線部）は均一な周期Λ
＝4.6 μｍを保った理想的な直線状となっており、その
ｚ面内の形状均一性が著しく良好であることが確認され
た。
チングにより除去し、この＋ｚ面１ａにおけるドメイン
反転部９の形状を顕微鏡で観察した。その顕微鏡像を撮
影した写真を図２に示す。ここに示されている通り、ド
メイン反転部９（写真中の黒い直線部）は均一な周期Λ
＝4.6 μｍを保った理想的な直線状となっており、その
ｚ面内の形状均一性が著しく良好であることが確認され
た。
【００２０】また、以上のようにしてドメイン反転構造
を形成する処理を100 サンプル以上の基板１に対して行
なったが、どのサンプルにおいても＋ｚ面１ａにおける
ドメイン反転部９の形状は上述と同様であり、ドメイン
反転構造の形状再現性がほぼ１００％であることが確認
された。
を形成する処理を100 サンプル以上の基板１に対して行
なったが、どのサンプルにおいても＋ｚ面１ａにおける
ドメイン反転部９の形状は上述と同様であり、ドメイン
反転構造の形状再現性がほぼ１００％であることが確認
された。
【００２１】それに対して、比較例として、上記フッ硝
酸液５による処理を行なわず、その他はすべて上記実施
例と同様にしてＬｉＮｂＯ３ 基板１にドメイン反転部
９を形成した。この場合の＋ｚ面１ａにおけるドメイン
反転部９の形状を撮影した顕微鏡写真を図３に示す。こ
こに示されている通り、所定の周期を保ってきれいな直
線状になっているドメイン反転部９（写真中の黒い直線
部）は僅かであり、大半のドメイン反転部９は太さが不
均一な直線状や、あるいはドット状になっている。
酸液５による処理を行なわず、その他はすべて上記実施
例と同様にしてＬｉＮｂＯ３ 基板１にドメイン反転部
９を形成した。この場合の＋ｚ面１ａにおけるドメイン
反転部９の形状を撮影した顕微鏡写真を図３に示す。こ
こに示されている通り、所定の周期を保ってきれいな直
線状になっているドメイン反転部９（写真中の黒い直線
部）は僅かであり、大半のドメイン反転部９は太さが不
均一な直線状や、あるいはドット状になっている。
【００２２】次に、上記実施例で周期ドメイン反転構造
が形成された基板１からなる光波長変換素子について説
明する。基板１のｘ面および−ｘ面を研磨してそれぞれ
光通過面20ａ、20ｂとすることにより、図４に示すよう
なバルク結晶型の光波長変換素子20が得られる。この周
期ドメイン反転構造を有するバルク結晶型光波長変換素
子20を、同図に示すレーザーダイオード励起ＹＡＧレー
ザーの共振器内に配置した。
が形成された基板１からなる光波長変換素子について説
明する。基板１のｘ面および−ｘ面を研磨してそれぞれ
光通過面20ａ、20ｂとすることにより、図４に示すよう
なバルク結晶型の光波長変換素子20が得られる。この周
期ドメイン反転構造を有するバルク結晶型光波長変換素
子20を、同図に示すレーザーダイオード励起ＹＡＧレー
ザーの共振器内に配置した。
【００２３】このレーザーダイオード励起ＹＡＧレーザ
ーは、波長809 ｎｍのポンピング光としてのレーザービ
ーム13を発するレーザーダイオード14と、発散光状態の
レーザービーム13を収束させる集光レンズ15と、Ｎｄ
（ネオジウム）がドーピングされたレーザー媒質であっ
て上記レーザービーム13の収束位置に配されたＹＡＧ結
晶16と、このＹＡＧ結晶16の前方側（図中右方）に配さ
れた共振器ミラー17とからなる。光波長変換素子20は結
晶長が１ｍｍとされ、この共振器ミラー17とＹＡＧ結晶
16との間に配置されている。
ーは、波長809 ｎｍのポンピング光としてのレーザービ
ーム13を発するレーザーダイオード14と、発散光状態の
レーザービーム13を収束させる集光レンズ15と、Ｎｄ
（ネオジウム）がドーピングされたレーザー媒質であっ
て上記レーザービーム13の収束位置に配されたＹＡＧ結
晶16と、このＹＡＧ結晶16の前方側（図中右方）に配さ
れた共振器ミラー17とからなる。光波長変換素子20は結
晶長が１ｍｍとされ、この共振器ミラー17とＹＡＧ結晶
16との間に配置されている。
【００２４】ＹＡＧ結晶16は波長809 ｎｍのレーザービ
ーム13により励起されて、波長946ｎｍのレーザービー
ム18を発する。この固体レーザービーム18は、所定のコ
ーティングが施されたＹＡＧ結晶端面16ａと共振器ミラ
ー17のミラー面17ａとの間で共振し、光波長変換素子20
に入射して波長が１／２すなわち473 ｎｍの第２高調波
19に変換される。基本波としての固体レーザービーム18
と第２高調波19は、周期ドメイン反転領域において位相
整合（いわゆる疑似位相整合）し、ほぼこの第２高調波
19のみが上記ミラー面17ａを通過する。
ーム13により励起されて、波長946ｎｍのレーザービー
ム18を発する。この固体レーザービーム18は、所定のコ
ーティングが施されたＹＡＧ結晶端面16ａと共振器ミラ
ー17のミラー面17ａとの間で共振し、光波長変換素子20
に入射して波長が１／２すなわち473 ｎｍの第２高調波
19に変換される。基本波としての固体レーザービーム18
と第２高調波19は、周期ドメイン反転領域において位相
整合（いわゆる疑似位相整合）し、ほぼこの第２高調波
19のみが上記ミラー面17ａを通過する。
【００２５】本例においては、レーザーダイオード14の
出力が200 ｍＷのとき、10ｍＷの出力の第２高調波19が
得られた。そしてこの第２高調波19は、散乱光や迷光の
無いきれいなプロファイルを有するものである。それに
対して、前述のフッ硝酸液５による処理を行なわない
で、それ以外は光波長変換素子20と同様にして作成した
結晶長１ｍｍの光波長変換素子を上記レーザーダイオー
ド励起ＹＡＧレーザーの共振器内に配置した場合、上記
と同じくレーザーダイオード14の出力が200 ｍＷのと
き、第２高調波出力は１ｍＷであった。以上の点から
も、本発明方法により形成されたドメイン反転部９は均
一な周期Λを保って理想的な直線状となっていることが
分かる。
出力が200 ｍＷのとき、10ｍＷの出力の第２高調波19が
得られた。そしてこの第２高調波19は、散乱光や迷光の
無いきれいなプロファイルを有するものである。それに
対して、前述のフッ硝酸液５による処理を行なわない
で、それ以外は光波長変換素子20と同様にして作成した
結晶長１ｍｍの光波長変換素子を上記レーザーダイオー
ド励起ＹＡＧレーザーの共振器内に配置した場合、上記
と同じくレーザーダイオード14の出力が200 ｍＷのと
き、第２高調波出力は１ｍＷであった。以上の点から
も、本発明方法により形成されたドメイン反転部９は均
一な周期Λを保って理想的な直線状となっていることが
分かる。
【００２６】先に述べた通り、本願発明による効果は、
フッ硝酸処理された強誘電体表面とアース電極との密着
性が向上することによって得られると考えられる。以
下、この点を確認した結果を説明する。＋ｚ面１ａのみ
を上記実施例と同様にして軽くフッ硝酸処理したＬｉＮ
ｂＯ３ 基板１と、−ｚ面１ｂのみを同様にして軽くフ
ッ硝酸処理したＬｉＮｂＯ３ 基板１とを用意し、それ
らの各基板１の＋ｚ面１ａにアース電極としてＣｒ薄膜
２を形成し、次いで上記実施例と同様にして電子線照射
によりドメイン反転部９を形成した。
フッ硝酸処理された強誘電体表面とアース電極との密着
性が向上することによって得られると考えられる。以
下、この点を確認した結果を説明する。＋ｚ面１ａのみ
を上記実施例と同様にして軽くフッ硝酸処理したＬｉＮ
ｂＯ３ 基板１と、−ｚ面１ｂのみを同様にして軽くフ
ッ硝酸処理したＬｉＮｂＯ３ 基板１とを用意し、それ
らの各基板１の＋ｚ面１ａにアース電極としてＣｒ薄膜
２を形成し、次いで上記実施例と同様にして電子線照射
によりドメイン反転部９を形成した。
【００２７】前者の基板１の＋ｚ面１ａにおけるドメイ
ン反転部９の形状を撮影した顕微鏡写真を図５に、一方
後者の基板１の＋ｚ面１ａにおけるドメイン反転部９の
形状を撮影した顕微鏡写真を図６に示す。図５に示され
ている通り、前者の基板１のドメイン反転部９（写真中
の黒い直線部）は均一な周期を保った理想的な直線状と
なっており、そのｚ面内の形状均一性が著しく良好であ
る。それに対して、図６に示されている通り、比較例と
しての後者の基板１においては、所定の周期を保ってき
れいな直線状になっているドメイン反転部９（写真中の
黒い直線部）は僅かであり、大半のドメイン反転部９は
太さが不均一な直線状や、あるいはドット状になってい
る。
ン反転部９の形状を撮影した顕微鏡写真を図５に、一方
後者の基板１の＋ｚ面１ａにおけるドメイン反転部９の
形状を撮影した顕微鏡写真を図６に示す。図５に示され
ている通り、前者の基板１のドメイン反転部９（写真中
の黒い直線部）は均一な周期を保った理想的な直線状と
なっており、そのｚ面内の形状均一性が著しく良好であ
る。それに対して、図６に示されている通り、比較例と
しての後者の基板１においては、所定の周期を保ってき
れいな直線状になっているドメイン反転部９（写真中の
黒い直線部）は僅かであり、大半のドメイン反転部９は
太さが不均一な直線状や、あるいはドット状になってい
る。
【００２８】なお本発明は、以上の実施例のように強誘
電体に電子線を照射する場合に限らず、高エネルギー線
としてその他イオンビーム等を強誘電体に照射してドメ
イン反転構造を形成する場合にも同様に適用可能であ
る。
電体に電子線を照射する場合に限らず、高エネルギー線
としてその他イオンビーム等を強誘電体に照射してドメ
イン反転構造を形成する場合にも同様に適用可能であ
る。
【００２９】また本発明のドメイン反転構造形成方法は
ＬｉＮｂＯ３に限らず、その他の非線形光学効果を有す
る強誘電体、例えばＬｉＴａＯ３ やＭｇＯ−ＬｉＮｂ
Ｏ３等にドメイン反転構造を形成する場合にも同様に適
用可能である。
ＬｉＮｂＯ３に限らず、その他の非線形光学効果を有す
る強誘電体、例えばＬｉＴａＯ３ やＭｇＯ−ＬｉＮｂ
Ｏ３等にドメイン反転構造を形成する場合にも同様に適
用可能である。
【図１】本発明の一実施例によるドメイン反転構造の形
成方法を説明する説明図
成方法を説明する説明図
【図２】本発明の方法によりＬｉＮｂＯ３ 基板に形成
されたドメイン反転部のパターンの顕微鏡写真
されたドメイン反転部のパターンの顕微鏡写真
【図３】従来の方法によりＬｉＮｂＯ３ 基板に形成さ
れたドメイン反転部のパターンの顕微鏡写真
れたドメイン反転部のパターンの顕微鏡写真
【図４】本発明によりドメイン反転構造が形成された光
波長変換素子を備えた固体レーザーの側面図
波長変換素子を備えた固体レーザーの側面図
【図５】本発明の別の方法によりＬｉＮｂＯ３ 基板に
形成されたドメイン反転部のパターンの顕微鏡写真
形成されたドメイン反転部のパターンの顕微鏡写真
【図６】本発明との比較例の方法によりＬｉＮｂＯ３
基板に形成されたドメイン反転部のパターンの顕微鏡写
真
基板に形成されたドメイン反転部のパターンの顕微鏡写
真
１ ＬｉＮｂＯ３ 基板 １ａ ＬｉＮｂＯ３ 基板の＋ｚ面 １ｂ ＬｉＮｂＯ３ 基板の−ｚ面 ２ Ｃｒ薄膜（アース電極） ３ 電子線 ５ フッ硝酸液 ９ ドメイン反転部 13 レーザービーム（ポンピング光） 14 レーザーダイオード 15 集光レンズ 16 ＹＡＧ結晶 17 共振器ミラー 18 固体レーザービーム（基本波） 19 第２高調波 20 光波長変換素子
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平５−107421（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−212132（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−216234（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−61083（ＪＰ，Ａ) Ｈ．Ｉｔｏ ｅｔ ａｌ．，Ｅｌｅｃ ｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏ ｌ．27，Ｎｏ．14，ｐｐ．1221−1222 （1991) Ｗ．Ｙ．Ｈｓｕ ａｎｄ Ｍ．Ｃ．Ｇ ｕｐｔａ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉ ｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．60，Ｎ ｏ．１，ｐｐ．１−３（1992) Ｍ．Ｆｕｊｉｍｕｒａ ｅｔ ａ ｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔ ｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．28，Ｎｏ．20，ｐ ｐ．1868−1869（1992) 栖原敏明 他，電子情報通信学会誌, Ｖｏｌ．76，Ｎｏ．６，ｐｐ．597−601 （1993年６月) Ｍ．Ｙａｍａｄａ ｅｔ ａｌ．，Ｅ ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒ ｓ，Ｖｏｌ．27，Ｎｏ．10，ｐｐ．828 −829（1991) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G02F 1/35 - 1/39 ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ) ＷＰＩ（ＤＩＡＬＯＧ)
Claims (1)
- 【請求項１】 単分極化された非線形光学効果を有する
強誘電体の一表面にアース電極を設け、 それと反対の表面側から該強誘電体に電子線またはイオ
ンビームを照射してドメイン反転構造を形成する強誘電
体のドメイン反転構造形成方法において、 前記強誘電体の一表面にアース電極を形成する前に、該
表面をフッ硝酸によって処理することを特徴とする強誘
電体のドメイン反転構造形成方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17007193A JP3318058B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
| US08/271,978 US5668578A (en) | 1993-07-09 | 1994-07-08 | Method for fabricating ferrolelectric domain reversals, and optical wavelength converter element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17007193A JP3318058B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0728110A JPH0728110A (ja) | 1995-01-31 |
| JP3318058B2 true JP3318058B2 (ja) | 2002-08-26 |
Family
ID=15898103
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17007193A Expired - Fee Related JP3318058B2 (ja) | 1993-07-09 | 1993-07-09 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5668578A (ja) |
| JP (1) | JP3318058B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003015175A (ja) * | 2001-04-27 | 2003-01-15 | Mitsubishi Electric Corp | 固体光源装置 |
| US6900928B2 (en) | 2002-03-19 | 2005-05-31 | Hc Photonics Corporation | Method of patterning and fabricating poled dielectric microstructures within dielectric materials |
| US6963048B2 (en) * | 2002-07-23 | 2005-11-08 | Illinois Tool Works Inc. | Method and apparatus for welding with mechanical arc control |
| EP1566689B1 (en) * | 2002-11-25 | 2013-07-17 | Panasonic Corporation | Polarization reversal structure constructing method |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3529144B2 (ja) * | 1992-03-03 | 2004-05-24 | 富士写真フイルム株式会社 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
| JP2852831B2 (ja) * | 1992-04-16 | 1999-02-03 | 富士写真フイルム株式会社 | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
| JPH06138506A (ja) * | 1992-10-28 | 1994-05-20 | Fuji Photo Film Co Ltd | 強誘電体のドメイン反転構造形成方法 |
-
1993
- 1993-07-09 JP JP17007193A patent/JP3318058B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-07-08 US US08/271,978 patent/US5668578A/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (5)
| Title |
|---|
| Ｈ．Ｉｔｏ ｅｔ ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．１４，ｐｐ．１２２１−１２２２（１９９１） |
| Ｍ．Ｆｕｊｉｍｕｒａ ｅｔ ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２８，Ｎｏ．２０，ｐｐ．１８６８−１８６９（１９９２） |
| Ｍ．Ｙａｍａｄａ ｅｔ ａｌ．，Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．１０，ｐｐ．８２８−８２９（１９９１） |
| Ｗ．Ｙ．Ｈｓｕ ａｎｄ Ｍ．Ｃ．Ｇｕｐｔａ，Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，Ｖｏｌ．６０，Ｎｏ．１，ｐｐ．１−３（１９９２） |
| 栖原敏明 他，電子情報通信学会誌，Ｖｏｌ．７６，Ｎｏ．６，ｐｐ．５９７−６０１（１９９３年６月） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0728110A (ja) | 1995-01-31 |
| US5668578A (en) | 1997-09-16 |
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