JP3945613B2 - 圧力センサの製造方法および圧力センサ - Google Patents
圧力センサの製造方法および圧力センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP3945613B2 JP3945613B2 JP2000202754A JP2000202754A JP3945613B2 JP 3945613 B2 JP3945613 B2 JP 3945613B2 JP 2000202754 A JP2000202754 A JP 2000202754A JP 2000202754 A JP2000202754 A JP 2000202754A JP 3945613 B2 JP3945613 B2 JP 3945613B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- back plate
- diaphragm
- pressure sensor
- support portion
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Images
Landscapes
- Pressure Sensors (AREA)
- Electrostatic, Electromagnetic, Magneto- Strictive, And Variable-Resistance Transducers (AREA)
- Measuring Fluid Pressure (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、振動板を用いたコンデンサ型の圧力センサの製造方法および圧力センサに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
マイクロホン等に用いるマイクロマシン加工技術を用いて製作するコンデンサ型音響・圧力センサ装置はセンシング部分、初段増幅回路を一体製造できるため、品質安定性が高く、小型、軽量、量産に適している。
【0003】
このコンデンサ型音響・圧力センサで重要なセンシング部分は、その周辺の支持部の絶縁物により電気的に分離され、且つ近接して配置された、薄く平坦な振動板と背面板で構成される対向電極である。このセンサでは、音波による音圧変化で生じる振動板の変位を対向電極間の容量変化として検出する。
【0004】
従来のセンサ部分の製作手法は先ず、平坦な振動板となる側の基板と、同じく平坦な背面板となる側の基板の層間に絶縁層を形成し、次にこれを挟んで2つの基板を接着する。
【0005】
この後に、各基板をエッチング法により薄くし、残った部分を振動板と背面板とする。さらにこの振動板および背面板の周囲に支持部を残して絶縁層を除去して空隙層を形成するというものである。
【0006】
図2を参照して、従来の対向電極の製作手法を説明する。
【0007】
先ず、極めて平坦な振動板となる基板202と同じく平坦な背面板となる基板201との間に絶縁層203,204を形成し(a)、
次にこれを挟んで平坦な基板同士を接着する(b)。
【0008】
この後に、接着した基板を、振動板側から(c)、および適当なエッチングマスクを用いて背面板側から(d)それぞれエッチングして極めて薄い振動板201Aと背面板202Aとを形成する。
【0009】
さらにこの振動板201Aおよび背面板202Aの周囲に支持部203Aを残して、絶縁層を除去して空隙層205を形成するというものであった(e)。
【0010】
ここで、絶縁層の厚さは、対向電極の間隔であり、センサの性能を決定する重要なパラメータである。
【0011】
すなわち、
1)対向電極の間隔が小さいほどセンサの感度は高くなるが、ダイナミックレンジを大きくとるために振動板の振幅を大きくする必要がある。
2)さらにこのセンサは出力を検出するために対向電極間に5〜10Vの電圧を加える。このため、音圧により振動板が振動して背面板に近接すると対向電極間の静電力が増加して両者が吸着してしまう。
【0012】
これら1)および2)の兼ね合いから振動板、背面板ともにシリコンで形成する場合は、対向電極間(空隙層)の厚さは2〜5μmにすることが公知である(参考文献1参照)。
【0013】
また、上記のように対向電極形成で重要な接着基板の製作に、従来はシリコン基板に酸素をイオン注入して絶縁層を形成した基板を用いるか、もしくは、堆積技術、熱酸化技術等を用いて酸化珪素層を基板に形成し、これを介して基板を密着させ、高温度中(500℃以上)で高電圧(数百V)を加えて2つの基板を接着する直接接合技術を用いていた。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】
従来のセンサ製作に用いられているイオン注入法で形成する絶縁層は、後に背面板になるシリコン層に酸素イオンを透過させて形成する。このとき酸素イオンが透過できる背面板になるシリコン層の厚さは最大10μm程度である。しかるにセンサで必要とする背面板の厚さは、強度の点から10μm以上であり、この背面板を透過した上に2〜5μmの厚さの絶縁層を形成する必要があるが、これはイオン注入法では実現困難である。
【0015】
また、直接接合の堆積法においては、品質の高い(欠陥が少ない)絶縁層を形成することが困難である。絶縁層に欠陥があると上記図2の(b)の工程において、欠陥を通してリークする電流のために絶縁層に十分な電界が印加されない。このため基板の接着が達成されない。
【0016】
熱酸化法によれば良質な絶縁層を得ることが可能である。
【0017】
しかし熱酸化法では、
1)成膜速度が遅いために、基板の拡散条件から許される1100度において2μmの酸化膜を形成するのに8時間必要とするので、センサの高性能化に必要な厚い絶縁層を短時間で形成することは不可能である。
2)さらに、基板に反りが生じないように接着面の平坦性と清浄度をを極めて高くする必要がある。
【0018】
上記2)の管理が不十分である場合には、これらが接着を阻害するために、ごく一部でのみ接着する不完全な接着が行われることになる。
【0019】
したがって、従来の直接接合法では、高度な工程管理が必要であり、厳しい制約のなかで歩留まりよく接着を達成するのは至難の技であった。また直接接合は、接着時の基板密着部は点接触であり基本的に全面接合は困難である。
【0020】
そこで本発明の目的は、以上のような問題を解消した圧力センサの製造方法および圧力センサを提供することにある。
【0021】
また、本発明の他の目的は、対向電極の周囲に生じる寄生容量を低減することによって、感度低下を回避した圧力センサを提供することにある。
【0022】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するため、本発明では、粉体酸化珪素を主成分とし硼素またはリンを高濃度に含む接着層を用いる。振動板となる側の基板または背面板となる側の基板の接着面にこの接着層を堆積し、2枚の基板を合わせて熱処理することにより、基板を面内一様に容易に接着させ、しかも所望の厚さの基板間絶縁層形成を同時に実現する。この手法では、堆積する接着層が粉体であるため、
▲1▼酸化物の充填が完全であるため酸化膜に欠陥を生じることがなく、
▲2▼接着面の平坦性、清浄度の高度な工程管理を必要とせずに接着させることが可能であり、
▲3▼基板の厚さ、絶縁層の厚さ等の設計自由度が直接接合に比べはるかに大きくできるという利点を持つ。
また粉体酸化珪素に硼素またはリンを高濃度に含ませることで接着時の絶縁層の流動性が増すため、
▲4▼基板接着の一様性が向上する。
また、従来構造の対向した電極の支持部の層間絶縁膜に生じる寄生容量を低減し感度の向上を図る課題を解決するために、本発明では、対向した電極の振動板または背面電極または双方の支持部に段差を持つ構造とし、これを接着して対向電極を作製した。これにより、支持部のみの絶縁層が厚くなり、寄生容量が低減できる。さらに、この段差を有する構造体を容易に実現し、さらに設計自由度を増すために振動板と背面電極の接合に粉体酸化珪素を主成分とし醐素またはリンを高濃度に含む接着層を用いれば、対向した電極の空間層と支持部を一体化して形成できる。
【0023】
請求項1の発明は、所定間隔で対向する振動板および背面板から成る対向電極を形成する際に、前記振動板および前記背面板のいずれか一方の全面に、硼素またはリンを高濃度に含む粉体酸化珪素を堆積して接着層を形成し、前記接着層を形成した前記振動板および前記背面板のいずれか一方と、前記振動板および前記背面板の他方とを、合わせて前記接着層を熱処理することによって面内一様に接着して前記振動板および前記背面板間に前記熱処理後の接着層からなる絶縁層を形成し、前記対向電極の周辺部の絶縁層を残して周辺部以外の絶縁層を取り去ることによって、前記振動板および前記背面板間に所定の間隙を形成する圧力センサの製造方法を特徴とする。
【0024】
請求項2の発明は、請求項1に記載の製造方法で製造される圧力センサであって、前記対向電極の周辺支持部で前記振動板および前記背面板を所定の間隙で対向させる絶縁層は、硼素またはリンを高濃度に含む粉体酸化珪素が熱処理された酸化珪素層であることを特徴とする。
【0025】
請求項3の発明は、前記周辺支持部を構成する前記振動板の支持部および前記背面板の支持部の少なくとも一方に段差を有する構造を持たせたことを特徴とする。
【0026】
請求項4の発明は、前記振動板の支持部および前記背面板の支持部の少なくとも一方に溝を設けたことを特徴とする。
【0030】
【発明の実施の形態】
(第1の実施の形態)
この発明の第1の実施の形態について図を用いて説明する。
【0031】
図1の(a)および(b)はマイクロホン等に用いるマイクロマシン加工技術を用いて製作するコンデンサ型音響・圧力センサの構造の平面図および断面図である。
【0032】
101は振動板であり、102がその支持基板である。103は背面板で、その支持部105を挟んで振動板101とともに対向電極を形成する。104は空隙層である。対向電極に生じる容量の変化は電極端子106,107で検出する。センシング部分(振動板101,背面板103,空隙層104)および電極端子106,107から取り出した圧力変化に応答した信号を増幅する初段増幅回路131を一体製造できるため、品質安定性が高く、小型、軽量であり、量産に適している。
【0033】
次に、図3の(a)〜(d)を用いてコンデンサ型音響・圧力センサの製作例を示す。
(a):振動板となる側の基板110または背面板となる側の基板108にCVD技術等での粉体酸化珪素を主成分とし硼素またはリンを高濃度に含む接着層109を所望の厚さにに堆積する。
(b):堆積させた接着層109を介して振動板となる側の基板110と背面板となる側の基板108を合わせ、熱処理をおこない、基板の接着をおこなう。その後に背面板基板108を研磨して背面板の所望の厚さを得る。次にこの基板の両面に酸化膜を熱処理等で成長させる。
(c):振動板となる側の基板110と背面板となる側の基板108の両面に成長させた酸化膜をホトリソグラフィ技術で加工してエッチングマスク112を形成し、このエッチングマスク用いてアルカリエッチング液で処理して振動板101と背面板103を形成する。この背面板103は、振動板の振動によって空隙層に生じる空気の圧力を逃がす目的で、支持部を除き網目構造にしている。
(d):最後に背面板103をエッチングマスクにして、この背面板の網目構造から絶縁層111をフッ化水素酸でエッチングすることにより、絶縁層111の、振動板101および背面板103の周辺部の支持部105に相当する部分を残して空隙層104を得る。その後に背面板側から金属膜を蒸着して電極端子106,107を形成し、一体構造のセンサをを完成させる。
【0034】
このような対向電極構造をCVD技術等で粉体酸化珪素を主成分とし硼素またはリンを高濃度に含む接着層を接着面に堆積し、後の熱処理で基板を接着する手法を用いることで、
1)基板の平坦性を厳密に管理しなくても面内一様の接着が短時間で行える。
2)さらに接着面の極端に高度な清浄度の管理も必要とせずに厚い基板間絶縁層の形成と基板の接着を同時、且つ容易に実現できる。これらにより音響・圧力センサに必要な対向電極を形成することができる。
3)さらにこの手法では基板の厚さ、不純物濃度分布、酸化珪素層厚さ等の設計自由度は従来の直接接合に比べはるかに大きくできる。
【0035】
(第2の実施の形態)
平坦な基板同士を接着して作製したセンサは、振動板と背面板よりなる対向電極の周囲に形成した支持部に生じる寄生容量が、有効容量と同程度となってしまう。このため、音圧による容量変化を検出する際の、感度低下の原因となっていた。この寄生容量の低減法として、これまでは、支持部の面積を背面電極の面積に比べて小さくすることが行われてきた。しかし、この方法では構造強度が低下してしまうため、寄生容量の低減には限界があり、そのため感度の向上にも限界があった。
【0036】
そこで、第2の実施の形態では、このような問題を解消した。
【0037】
図4の(a)および(b)は、振動板支持部に段差を持つコンデンサ型音響・圧力センサの構造の平面図および断面図である。101は振動板であり、102がその支持部で、基板110をエッチングして形成する。103は背面板で、その支持部105を挟んで振動板101とともに対向電極を形成する。104は空隙層である。対向電極の容量変化は電極端子106,107から検出する。
【0038】
図5は、振動板支持部および背面板支持部にともに段差を持つコンデンサ型音響・圧力センサの構造説明の断面図である。
【0039】
図6は本発明によるコンデンサ型音響・圧力センサの作製工程例である。
(a)先ず、振動板基板110の表面に成長させた酸化膜をホトリソグラフィ技術で加工して、エッチングマスクを形成し、エッチング処理して振動板領域が残るかたちの段差を作る(振動板領域は上に凸)。その上にTEOSCVD技術等で酸化珪素層109を形成し、振動板上に所望の厚さの酸化珪素層を残しCMP技術等で平坦化する。このような振動板基板110と背面板基板108を接着して対向した電極基板を形成する。
(b)次に背面板基板108を研磨して所望の厚さの背面板を得る。
(c)次に接合基板の両面に熱処理等で酸化膜を成長させ振動板基板110と背面板基板108の両面にホトリソグラフィ技術で酸化膜のエッチングマスクを形成し、これをアルカリエッチング液で処理して振動板101と背面板103を形成する。この背面板103は、振動板の振動によって空隙層に生じる空気の圧力を逃がす目的で、支持部を除き網目構造にしている。
(d)最後に背面板103をエッチングマスクにしてこの背面板の網目構造から絶縁層111をフッ化水素酸でエッチングして空隙層104と、その周辺で背面板103を支持する、酸化珪素層109からなる支持部105を得る。その後に背面板側から金属膜(106,107)を蒸着し一体構造の対向電極を完成させる。
【0040】
また、図6の(a)の工程における、酸化珪素層形成段階で、粉体酸化珪素を主成分とし硼素またはリンを高濃度に含む接着層を用いた基板接着技術を適用することで、振動板もしくは背面板の段差構造の設計白由度がはるかに向上し電極構造体を容易に形成できる。さらにまた、図7のように振動板基板110の支持部に溝を形成することで、酸化珪素層との接触面積が増し、基板接合の安定性が一層向上する。
【0041】
本実施の形態のように、対向電極の支持部に段差のある構造を用いることで対向電極間隔よりも大きな間隔を持つ支持部を形成し、支持部の寄生容量の低減を実現しセンサ感度の向上に寄与する。
【0042】
センサ寸法の一例を図4の(b)および図5に示した(単位はμm)。センサの感度は振動板と背面板間の有効容量Cdと支持部の寄生容量Csとの比Cd/Csに比例する。支持部の寄生容量は、段差のない構造では、電極間の有効容量とほぼ同等の値になっている。ここで背面電極支持部のスペーサ(図6の105)の比誘電率は空気に比べてはるかに大きく、一般的に使われている酸化珪素では4〜4.5である。
【0043】
これに本発明を適用すれば容易にスペーサの厚さを1.5倍以上の値に採ることができ、寄生容量を2/3以下に低減できる。これにより、感度を3/2倍以上に向上させることができ、大きな改善効果が得られる。
【0044】
(参考文献1):A silicon condenser microphone using bond and etch−back technology, J.Bergqvist,Sensors and Actuators A45(94)115−124
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、簡単な工程で、迅速に且つ安定して圧力センサを製造することができる。また、本発明によれば、寄生容量を低減して感度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】(a)は本発明の第1の実施形態の平面図、(b)は同断面図である。
【図2】従来のコンデンサ型音響・圧力センサの製作工程の例を示す図である。
【図3】本発明の第1の実施形態の圧力センサの製作工程の例を示す図である。
【図4】(a)は本発明の第2の実施形態の平面図、(b)は同断面図である。
【図5】本発明のさらに他の実施形態の断面図である。
【図6】本発明の第2の実施形態の圧力センサの製作工程の例を示す図である。
【図7】支持部にV字状の溝を形成した構造の模式図である。
【符号の説明】
101 振動板
102 振動板支持部
103 背面板
104 空隙層
105 支持部
106 振動板電極
107 背面板電極
108 背面板基板
109 接着層
110 振動板基板
111 犠牲層
Claims (4)
- 所定間隔で対向する振動板および背面板から成る対向電極を形成する際に、前記振動板および前記背面板のいずれか一方の全面に、硼素またはリンを高濃度に含む粉体酸化珪素を堆積して接着層を形成し、前記接着層を形成した前記振動板および前記背面板のいずれか一方と、前記振動板および前記背面板の他方とを、合わせて前記接着層を熱処理することによって面内一様に接着して前記振動板および前記背面板間に前記熱処理後の接着層からなる絶縁層を形成し、前記対向電極の周辺部の絶縁層を残して周辺部以外の絶縁層を取り去ることによって、前記振動板および前記背面板間に所定の間隙を形成することを特徴とする圧力センサの製造方法。
- 請求項1に記載の製造方法で製造される圧力センサであって、
前記対向電極の周辺支持部で前記振動板および前記背面板を所定の間隙で対向させる絶縁層は、硼素またはリンを高濃度に含む粉体酸化珪素が熱処理された酸化珪素層である圧力センサ。 - 前記周辺支持部を構成する前記振動板の支持部および前記背面板の支持部の少なくとも一方に段差を有する構造を持たせた請求項2に記載の圧力センサ。
- 前記振動板の支持部および前記背面板の支持部の少なくとも一方に溝を設けた請求項3に記載の圧力センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000202754A JP3945613B2 (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 圧力センサの製造方法および圧力センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000202754A JP3945613B2 (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 圧力センサの製造方法および圧力センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002027595A JP2002027595A (ja) | 2002-01-25 |
JP3945613B2 true JP3945613B2 (ja) | 2007-07-18 |
Family
ID=18700238
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000202754A Expired - Lifetime JP3945613B2 (ja) | 2000-07-04 | 2000-07-04 | 圧力センサの製造方法および圧力センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3945613B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4532787B2 (ja) * | 2001-07-19 | 2010-08-25 | 日本放送協会 | コンデンサ型マイクロホンおよび圧力センサ |
JP2004356707A (ja) | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Hosiden Corp | 音響検出機構 |
EP1686599A4 (en) | 2003-11-20 | 2009-04-15 | Panasonic Corp | ELECTRIC AND ELECTRIC CAPACITOR |
JP4201723B2 (ja) * | 2004-02-13 | 2008-12-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 容量検知型センサ素子 |
WO2005086534A1 (ja) | 2004-03-03 | 2005-09-15 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | エレクトレットコンデンサーマイクロフォンユニット |
JP4137158B2 (ja) | 2004-03-05 | 2008-08-20 | 松下電器産業株式会社 | エレクトレットコンデンサーマイクロフォン |
JP4036866B2 (ja) | 2004-07-30 | 2008-01-23 | 三洋電機株式会社 | 音響センサ |
JP4539450B2 (ja) | 2004-11-04 | 2010-09-08 | オムロン株式会社 | 容量型振動センサ及びその製造方法 |
JP4975265B2 (ja) * | 2005-04-05 | 2012-07-11 | 日本放送協会 | 圧力センサ及びその製造方法 |
JP2007053130A (ja) | 2005-08-15 | 2007-03-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 接合構造および接合方法 |
JP4587126B2 (ja) * | 2006-01-27 | 2010-11-24 | ヤマハ株式会社 | コンデンサマイクロホン及びコンデンサマイクロホンの製造方法 |
KR20080031467A (ko) * | 2005-08-30 | 2008-04-08 | 야마하 가부시키가이샤 | 컨덴서 마이크로폰 및 컨덴서 마이크로폰의 제조 방법 |
JP4749177B2 (ja) | 2006-02-15 | 2011-08-17 | パナソニック株式会社 | 接続構造体および接続構造体の製造方法 |
JP2009260884A (ja) * | 2008-04-21 | 2009-11-05 | Nippon Hoso Kyokai <Nhk> | 静電容量型センサの感度測定装置及びその測定方法 |
WO2009157122A1 (ja) | 2008-06-24 | 2009-12-30 | パナソニック株式会社 | Memsデバイス、memsデバイスモジュール及び音響トランスデューサ |
JP4775427B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2011-09-21 | パナソニック株式会社 | コンデンサーマイクロフォン |
JP5812660B2 (ja) * | 2011-04-19 | 2015-11-17 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置及びその製造方法 |
CN102381681B (zh) * | 2011-11-29 | 2014-07-02 | 北京大学 | 一种微机械结构与集成电路单片集成的加工方法 |
JP5913038B2 (ja) * | 2012-10-01 | 2016-04-27 | アルプス電気株式会社 | 静電容量型圧力センサ及びその製造方法 |
-
2000
- 2000-07-04 JP JP2000202754A patent/JP3945613B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002027595A (ja) | 2002-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3945613B2 (ja) | 圧力センサの製造方法および圧力センサ | |
US8896184B2 (en) | Piezoelectric MEMS microphone | |
AU727839B2 (en) | Wafer fabricated electroacoustic transducer | |
US5408731A (en) | Process for the manufacture of integrated capacitive transducers | |
CA1185454A (en) | Silicon-glass-silicon capacitive pressure transducer | |
WO2004107809A1 (ja) | 音響検出機構 | |
CN204836579U (zh) | 一种梳齿结构mems硅麦克风 | |
KR20090059756A (ko) | Mems를 이용한 압전 소자 마이크로 스피커 및 그 제조방법 | |
US6556417B2 (en) | Method to construct variable-area capacitive transducers | |
JPH098124A (ja) | 絶縁分離基板及びその製造方法 | |
KR101692717B1 (ko) | 정전용량형 멤스 마이크로폰 및 그 제조방법 | |
JP4944494B2 (ja) | 静電容量型センサ | |
JPH073380B2 (ja) | 集積化圧力センサ | |
WO2022048382A1 (zh) | 一种mems结构 | |
CN113545108B (zh) | 为达更高信噪比的电容式麦克风传感器设计及制造方法 | |
WO2022110420A1 (zh) | 压电mems麦克风及其阵列和制备方法 | |
JP2003031820A (ja) | コンデンサ型マイクロホンおよび圧力センサ | |
JP3126043B2 (ja) | 可変容量型センサの製造方法 | |
WO2024140310A1 (zh) | 压电振膜、压电换能器及制备方法、发声装置和电子设备 | |
JP2008022332A (ja) | 振動膜ユニット、これを備えるシリコンマイクロホン、および振動膜ユニットの製造方法 | |
CN115321475B (zh) | 声波感测结构的制作方法 | |
CN117641215B (zh) | 一种麦克风传感器及其制备方法 | |
JPH1188989A (ja) | エレクトレットコンデンサマイクロホン | |
WO2022116288A1 (zh) | 压电麦克风 | |
CN106714056A (zh) | 一种梳齿结构mems硅麦克风 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051013 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20051013 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051031 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20051031 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20051031 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060620 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070320 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070404 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110420 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120420 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130420 Year of fee payment: 6 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140420 Year of fee payment: 7 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |