JP3945483B2 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

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Description

この発明は半導体装置およびその製造方法に関する。
従来の半導体装置には、シリコン基板のサイズ外にも外部接続用接続端子としての半田ボールを備えるため、上面に複数の接続パッドを有するシリコン基板をベース板の上面に設け、シリコン基板の周囲におけるベース板の上面に絶縁層を設け、シリコン基板および絶縁層の上面に上層絶縁膜を設け、上層絶縁膜の上面に上層配線をシリコン基板の接続パッドに接続させて設け、上層配線の接続パッド部を除く部分をオーバーコート膜で覆い、上層配線の接続パッド部上に半田ボールを設けたものがある（例えば、特許文献１参照）。
特開２００３−２９８００５号公報
ところで、上記従来の半導体装置では、シリコン基板および絶縁層の上面側にのみ上層配線を設けているが、スペースの有効利用を図るため、ベース板の上面または下面に配線を設け、当該配線の一部と上層配線の一部とを、絶縁層およびベース板に設けたスルーホール内に設けた上下導通部を介して接続することが考えられる。しかしながら、このようにした場合には、絶縁層およびベース板に設けたスルーホール内に設けた上下導通部の外側に絶縁層およびベース板が存在することになるため、半導体装置が必要以上に大型化してしまう。
そこで、この発明は、上下導通部を有しても、小型化することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
請求項１に記載の発明は、上面にグラウンド層を有するベース板上に、各々が半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置する工程と、前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上に絶縁層を形成する工程と、前記半導体構成体および前記絶縁層上に少なくとも１層の上層配線を前記半導体構成体の前記外部接続用電極に接続させて形成する工程と、前記半導体構成体間におけるダイシングラインおよびその両側に対応する領域において、前記絶縁層および前記ベース板に形成された貫通孔内に前記グラウンド層と前記上層配線の一部とを接続する上下導通部を形成する工程と、前記ダイシングラインに沿って前記絶縁層、前記ベース板および前記上下導通部を切断して、側面に上下導通部を有する半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。
請求項２に記載の発明は請求項１に記載の発明において、前記ベース板上に前記半導体構成体を配置する工程は、前記グラウンド層上に設けられた導電性接着層上に前記半導体構成体の半導体基板を接着する工程であることを特徴とするものである。
請求項３に記載の発明はベース板上に、各々が半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置する工程と、前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上に絶縁層を形成する工程と、前記半導体構成体および前記絶縁層上に少なくとも１層の上層配線を前記半導体構成体の前記外部接続用電極に接続させて形成する工程と、
前記ベース板下に少なくとも１層の下層配線を形成する工程と、前記半導体構成体間におけるダイシングラインおよびその両側に対応する領域において、前記絶縁層および前記ベース板に形成された貫通孔内に前記上層配線の少なくとも一部と前記下層配線の少なくとも一部とを接続する上下導通部を形成する工程と、前記ダイシングラインに沿って前記絶縁層、前記ベース板および前記上下導通部を切断して、側面に上下導通部を有する半導体装置を複数個得る工程と、を有することを特徴とするものである。
この発明によれば、半導体構成体の周囲におけるベース板上に設けられた絶縁層およびベース板の側面に上下導通部を設けているので、上下導通部の外側に絶縁層およびベース板が存在せず、したがって、上下導通部を有しても、小型化することができる。
（第１実施形態）
図１はこの発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置は、ガラス布基材エポキシ樹脂等からなる平面方形状のベース板１を備えている。ベース板１の上面全体には銅箔からなるべたパターンのグラウンド層２が設けられている。グラウンド層２の上面全体には導電性接着層３が設けられている。
導電性接着層３の上面の所定の箇所には、ベース板１のサイズよりもある程度小さいサイズの平面方形状の半導体構成体４の下面が接着されている。この場合、半導体構成体４は、後述する配線１２、柱状電極１３、封止膜１４を有しており、一般的にはＣＳＰ(chip size package)と呼ばれるものであり、特に、後述の如く、シリコンウエハ上に配線１２、柱状電極１３、封止膜１４を形成した後、ダイシングにより個々の半導体構成体４を得る方法を採用しているため、特に、ウエハレベルＣＳＰ（Ｗ−ＣＳＰ）とも言われている。以下に、半導体構成体４の構成について説明する。
半導体構成体４はシリコン基板（半導体基板）５を備えている。シリコン基板５の下面は導電性接着層３に接着されている。したがって、シリコン基板５の下面は導電性接着層３を介してグラウンド層２に電気的に接続されている。シリコン基板５の上面には所定の機能の集積回路（図示せず）が設けられ、上面周辺部にはアルミニウム系金属等からなる複数の接続パッド６が集積回路に接続されて設けられている。接続パッド６の中央部を除くシリコン基板５の上面には酸化シリコン等からなる絶縁膜７が設けられ、接続パッド６の中央部は絶縁膜７に設けられた開口部８を介して露出されている。
絶縁膜７の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜９が設けられている。この場合、絶縁膜７の開口部８に対応する部分における保護膜９には開口部１０が設けられている。保護膜９の上面には銅等からなる下地金属層１１が設けられている。下地金属層１１の上面全体には銅からなる配線１２が設けられている。下地金属層１１を含む配線１２の一端部は、両開口部８、１０を介して接続パッド６に接続されている。
配線１２の接続パッド部上面には銅からなる柱状電極（外部接続用電極）１３が設けられている。配線１２を含む保護膜９の上面にはエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜１４がその上面が柱状電極１３の上面と面一となるように設けられている。このように、Ｗ−ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体４は、シリコン基板５、接続パッド６、絶縁膜７を含み、さらに、保護膜９、配線１２、柱状電極１３、封止膜１４を含んで構成されている。
半導体構成体４の周囲における導電性接着層３の上面には方形枠状の絶縁層１５がその上面が半導体構成体４の上面とほぼ面一となるように設けられている。絶縁層１５は、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいは、このような熱硬化性樹脂中にシリカフィラー等からなる補強材が混入されたものからなっている。
半導体構成体４および絶縁層１５の上面には上層絶縁膜１６がその上面を平坦とされて設けられている。上層絶縁膜１６は、ビルドアップ基板に用いられる、通常、ビルドアップ材と言われるもので、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂中にシリカフィラー等からなる補強材が混入されたものからなっている。
柱状電極１２の上面中央部に対応する部分における上層絶縁膜１６には開口部１７が設けられている。上層絶縁膜１６の上面には銅等からなる上層下地金属層１８が設けられている。上層下地金属層１８の上面全体には銅からなる上層配線１９が設けられている。上層下地金属層１８を含む上層配線１９の一端部は、上層絶縁膜１６の開口部１７を介して柱状電極１２の上面に接続されている。
上層配線１９を含む上層絶縁膜１６の上面にはソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜２０が設けられている。上層配線１９の接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜２０には開口部２１が設けられている。開口部２１内およびその上方には半田ボール２２が上層配線１９の接続パッド部に接続されて設けられている。複数の半田ボール２２は、上層オーバーコート膜２０上にマトリクス状に配置されている。
ベース板１の下面全体には銅等からなるべたパターンの下層下地金属層２３が設けられている。下層下地金属層２３の下面全体には銅からなる下層配線２４が設けられている。この場合、下層配線２４は、下層下地金属層２３の下面全体に設けられたべたパターンであり、下層グラウンド層となっている。下層配線２４の下面全体にはソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜２５が設けられている。
ここで、図２は図１に示す半導体装置の一部を切り欠いた底面図を示す。ベース板１、グラウンド層２、導電性接着層３、絶縁層１５および上層絶縁膜１６の側面の所定の２箇所には平面ほぼ半円形状の溝２６が設けられている。溝２６内には銅等からなる下地金属層２７ａと銅層２７ｂとからなる上下導通部２７およびソルダーレジスト等からなる側面絶縁膜２８が設けられている。
そして、上下導通部２７は、グラウンド層３、上層下地金属層１８を含む上層配線１９の一部および下層下地金属層２３を含む下層配線２４に接続されている。すなわち、グラウンド層３および下層グラウンド層を構成する下層配線２４は、上下導通部２７および上層配線１９の一部を介して、グラウンド用の半田ボール２２および半導体構成体４のグラウンド用の柱状電極１３に接続されている。
以上のように、この半導体装置では、ベース板１、絶縁層１５および上層絶縁膜１６等の側面に平面ほぼ半円形状の溝２６を設け、溝２６内に、グラウンド層２と上層配線１９の一部とを接続するための上下導通部２７を設けているので、例えば、ベース板１、絶縁層１５および上層絶縁膜１６等に設けられたスルーホール内に上下導通部を設ける場合と比較して、上下導通部２７の外側にはベース板１、絶縁層１５および上層絶縁膜１６等が存在しないため、その分、小型化を図ることができる。
ところで、ベース板１のサイズを半導体構成体４のサイズよりもある程度大きくしているのは、シリコン基板５上の接続パッド７の数の増加に応じて、半田ボール２２の配置領域を半導体構成体４のサイズよりもある程度大きくし、これにより、上層配線１９の接続パッド部（上層オーバーコート膜２０の開口部２１内の部分）のサイズおよびピッチを柱状電極１４のサイズおよびピッチよりも大きくするためである。
このため、マトリクス状に配置された上層配線１９の接続パッド部は、半導体構成体４に対応する領域のみでなく、半導体構成体４の周側面の外側に設けられた絶縁層１５に対応する領域上にも配置されている。つまり、マトリクス状に配置された半田ボール２２のうち、少なくとも最外周の半田ボール２２は半導体構成体４よりも外側に位置する周囲に配置されている。
次に、この半導体装置の製造方法の一例について説明するに、まず、半導体構成体４の製造方法の一例について説明する。この場合、まず、図３に示すように、ウエハ状態のシリコン基板（半導体基板）５上にアルミニウム系金属等からなる接続パッド６、酸化シリコン等からなる絶縁膜７およびエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる保護膜９が設けられ、接続パッド６の中央部が絶縁膜７および保護膜９に形成された開口部８、１０を介して露出されたものを用意する。上記において、ウエハ状態のシリコン基板５には、各半導体構成体が形成される領域に所定の機能の集積回路が形成され、接続パッド６は、それぞれ、対応する領域に形成された集積回路に電気的に接続されている。
次に、図４に示すように、両開口部８、１０を介して露出された接続パッド６の上面を含む保護膜９の上面全体に下地金属層１１を形成する。この場合、下地金属層１１は、無電解メッキにより形成された銅層のみであってもよく、またスパッタにより形成された銅層のみであってもよく、さらにスパッタにより形成されたチタン等の薄膜層上にスパッタにより銅層を形成したものであってもよい。
次に、下地金属層１１の上面にメッキレジスト膜３１をパターン形成する。この場合、配線１２形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３１には開口部３２が形成されている。次に、下地金属層１１をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３１の開口部３２内の下地金属層１１の上面に配線１２を形成する。次に、メッキレジスト膜３１を剥離する。
次に、図５に示すように、配線１２を含む下地金属層１１の上面にメッキレジスト膜３３をパターン形成する。この場合、柱状電極１３形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜３３には開口部３４が形成されている。次に、下地金属層１１をメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜３３の開口部３４内の配線１２の接続パッド部上面に柱状電極１３を形成する。次に、メッキレジスト膜３３を剥離し、次いで、配線１２をマスクとして下地金属層１１の不要な部分をエッチングして除去すると、図６に示すように、配線１２下にのみ下地金属層１１が残存される。
次に、図７に示すように、スクリーン印刷法、スピンコーティング法、ダイコート法等により、柱状電極１３および配線１２を含む保護膜９の上面全体にエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂等からなる封止膜１４をその厚さが柱状電極１３の高さよりも厚くなるように形成する。したがって、この状態では、柱状電極１３の上面は封止膜１４によって覆われている。
次に、封止膜１４および柱状電極１３の上面側を適宜に研磨し、図８に示すように、柱状電極１３の上面を露出させ、且つ、この露出された柱状電極１３の上面を含む封止膜１４の上面を平坦化する。ここで、柱状電極１３の上面側を適宜に研磨するのは、電解メッキにより形成される柱状電極１３の高さにばらつきがあるため、このばらつきを解消して、柱状電極１３の高さを均一にするためである。
次に、シリコン基板５の下面をダイシングテープ（図示せず）に貼り付け、図９に示すダイシング工程を経た後に、ダイシングテープから剥がすと、図１に示す半導体構成体４が複数個得られる。
次に、このようにして得られた半導体構成体４を用いて、図１に示す半導体装置を製造する場合の一例について説明する。まず、図１０に示すように、図１に示すベース板１を複数枚採取することができる大きさで、限定する意味ではないが、平面方形状のベース板１を用意する。この場合、ベース板１の上面全体には銅箔からなるべたパターンのグラウンド層２が設けられ、その上面全体には導電性接着層３が設けられている。なお、図１０において、符号４１で示す領域は、ダイシングラインに対応する領域である。
次に、図１１に示すように、導電性接着層３の上面の所定の複数箇所にそれぞれ半導体構成体４のシリコン基板５の下面を接着する。次に、半導体構成体４の周囲における導電性接着層３の上面に、例えばスクリーン印刷法やスピンコーティング法等により、絶縁層形成用層１５ａを形成する。絶縁層形成用層１５ａは、例えば、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいは、このような熱硬化性樹脂中にシリカフィラー等からなる補強材が混入されたものである。
次に、半導体構成体４および絶縁層形成用層１５ａの上面に上層絶縁膜形成用シート１６ａを配置する。上層絶縁膜形成用シート１６ａは、限定する意味ではないが、シート状のビルドアップ材が好ましく、このビルドアップ材としては、エポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂中にシリカフィラーを混入させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしたものがある。なお、上層絶縁膜形成用シート１６ａとして、ガラス繊維にエポキシ系樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させ、熱硬化性樹脂を半硬化状態にしてシート状となしたプリプレグ材、または、シリカフィラーが混入されない、熱硬化性樹脂のみからなるシート状のものを用いるようにしてもよい。
次に、図１２に示すように、一対の加熱加圧板４２、４３を用いて上下から絶縁層形成用層１５ａおよび上層絶縁膜形成用シート１６ａを加熱加圧する。すると、半導体構成体４の周囲における導電性接着層３の上面に絶縁層１５が形成され、半導体構成体４および絶縁層１５の上面に上層絶縁膜１６が形成される。この場合、上層絶縁膜１６の上面は、上側の加熱加圧板４２の下面によって押さえ付けられるため、平坦面となる。したがって、上層絶縁膜１６の上面を平坦化するための研磨工程は不要である。
次に、図１３に示すように、レーザビームを照射するレーザ加工により、柱状電極１３の上面中央部に対応する部分における上層絶縁膜１６に開口部１７を形成する。また、図１３に示す状態における一部の底面図である図１４にも示すように、メカニカルドリルを用いて、ダイシングライン４１およびその両側に対応する領域において、上層絶縁膜１６、絶縁層１５、導電性接着層３、グラウンド層２およびベース板１の所定の箇所に、直径がダイシングライン４１の幅よりもある程度大きい円形状の貫通孔２６ａを形成する。次に、必要に応じて、開口部１７内および貫通孔２６ａ内等に発生したエポキシスミア等をデスミア処理により除去する。
次に、図１５に示すように、開口部１７を介して露出された柱状電極１３の上面を含む上層絶縁膜１６の上面全体、ベース板１の下面全体および貫通孔２６ａの内壁面に、銅の無電解メッキにより、上層下地金属層１８、下層下地金属層２３および下地金属層２７ａを形成する。次に、上層下地金属層１８の上面にメッキレジスト膜４４をパターン形成する。この場合、上層配線１９形成領域に対応する部分におけるメッキレジスト膜４４には開口部４５が形成されている。
次に、下地金属層１８、２３、２７ａをメッキ電流路として銅の電解メッキを行なうことにより、メッキレジスト膜４４の開口部４５内の上層下地金属層１８の上面に上層配線１９を形成し、また、下層下地金属層２３の下面に下層配線２４を形成し、さらに、貫通孔２６ａ内の下地金属層２７ａの表面に銅層２７ｂを形成する。次に、メッキレジスト膜４４を剥離し、次いで、上層配線１９をマスクとして上層下地金属層１８の不要な部分をエッチングして除去すると、図１６に示すように、上層配線１９下にのみ上層下地金属層１８が残存される。また、この状態では、貫通孔２６ａ内に下地金属層２７ａと銅層２７ｂとからなる上下導通部２７が形成されている。
次に、図１７に示すように、スクリーン印刷法等により、上層配線１９を含む上層絶縁膜１６の上面全体にソルダーレジスト等からなる上層オーバーコート膜２０を形成し、また、下層配線２４の下面全体にソルダーレジスト等からなる下層オーバーコート膜２５を形成し、さらに、上下導通部２７内にソルダーレジスト等からなる側面絶縁膜２８を形成する。この場合、上層配線１９の接続パッド部に対応する部分における上層オーバーコート膜２０には開口部２１が形成されている。
次に、開口部２１内およびその上方に半田ボール２２を上層配線１９の接続パッド部に接続させて形成する。次に、図１８および図１９に示すように、ダイシングライン４１に沿って、すなわち、互いに隣接する半導体構成体４間において、上層オーバーコート膜２０、上層絶縁膜１６、絶縁層１５、導電性接着層３、グラウンド層２、ベース板１、下層オーバーコート膜２５、上下導通部２７および側面絶縁膜２８を切断すると、図１に示す半導体装置が複数個得られる。
以上のように、上記製造方法では、ベース板１上に複数の半導体構成体４を配置し、複数の半導体構成体４に対して、上層配線２４、下層配線２４、上下導通部２７および半田ボール２２の形成を一括して行い、その後に分断して複数個の半導体装置を得ているので、製造工程を簡略化することができる。また、図１２に示す製造工程以降では、ベース板１と共に複数の半導体構成体４を搬送することができるので、これによっても製造工程を簡略化することができる。
（第２実施形態）
図２０はこの発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図１に示す場合と異なる点は、下層下地金属層２３を含む下層配線２４をパターニングして通常の配線とし、下層配線２４の接続パッド部に対応する部分における下層オーバーコート膜２５に開口部５１を設け、下層オーバーコート膜２５下にコンデンサや抵抗等からなるチップ部品５２を下層配線２４の接続パッド部に半田等からなる導電材５３を介して接続させて搭載した点である。この場合、下層配線２４は通常の配線であるので、下層配線２４の少なくとも一部と上層配線１９の少なくとも一部とを接続するための上下導通部２７の本数はそれに応じた本数である。
（第３実施形態）
図２１はこの発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図を示す。この半導体装置において、図２０に示す場合と異なる点は、グラウンド層２および導電性接着層３を有せず、半導体構成体４のシリコン基板５の下面をダイボンド材からなる接着層５４を介してベース板１の上面に接着した点である。
次に、この半導体構成体の製造方法の一例の一部について説明する。図８に示す工程を経た後に、図２２に示すように、シリコン基板５の下面全体に接着層５４を接着する。接着層５４は、エポキシ系樹脂、ポリイミド系樹脂等のダイボンド材からなるものであり、加熱加圧により、半硬化した状態でシリコン基板５に固着する。次に、シリコン基板５に固着された接着層５４をダイシングテープ（図示せず）に貼り付け、図２３に示すダイシング工程を経た後に、ダイシングテープから剥がすと、図２３の如く、シリコン基板５の下面に接着層５４を有する半導体構成体４が複数個得られる。
このようにして得られた半導体構成体４では、シリコン基板５の下面に接着層５４を有するため、ダイシング工程後に各半導体構成体４のシリコン基板５の下面にそれぞれ接着層を設けるといった極めて面倒な作業が不要となる。なお、ダイシング工程後にダイシングテープから剥がす作業は、ダイシング工程後に各半導体構成体４のシリコン基板５の下面にそれぞれ接着層を設ける作業に比べれば、極めて簡単である。そして、この半導体構成体４をベース板１上に配置する場合には、加熱加圧により、接着層５４を本硬化させればよい。
（その他の実施形態）
例えば、図２０では、上層絶縁膜１６上に設ける上層配線を１層とし、下層絶縁膜３７下に設ける下層配線を１層としているが、これに限らず、上層絶縁膜１６上に設ける上層配線を２層以上とし、また、下層絶縁膜３７下に設ける下層配線を２層以上としてもよい。また、下層オーバーコート膜２５下に搭載される電子部品は、チップ部品５３に限らず、例えば、ベアチップ、ＣＳＰ等であってもよい。
また、上記実施形態では、半導体構成体４として、外部接続用電極としての柱状電極１３を有するものとしたが、これに限らず、柱状電極を有せず、外部接続用電極としての接続パッド部を有する配線１２を有するものであってもよく、また、柱状電極および配線を有せず、外部接続用電極としての接続パッド６を有するものであってもよい。
この発明の第１実施形態としての半導体装置の断面図。 図１に示す半導体装置の一部を切り欠いた底面図。 図１および図２に示す半導体構成体の製造に際し、当初用意したものの断面図。 図３に続く工程の断面図。 図４に続く工程の断面図。 図５に続く工程の断面図。 図６に続く工程の断面図。 図７に続く工程の断面図。 図８に続く工程の断面図。 図８に続く工程の断面図。 図１０に続く工程の断面図。 図１１に続く工程の断面図。 図１２に続く工程の断面図。 図１３に示す状態における一部の底面図。 図１３に続く工程の断面図。 図１５に続く工程の断面図。 図１６に続く工程の断面図。 図１７に続く工程の断面図。 図１８に示す状態における一部の一部を切り欠いた底面図。 この発明の第２実施形態としての半導体装置の断面図。 この発明の第３実施形態としての半導体装置の断面図。 図２１に示す半導体装置の製造に際し、所定の工程の断面図。 図２２に続く工程の断面図。
符号の説明
１ ベース板
２ グラウンド層
３ 導電性接着層
４ 半導体構成体
５ シリコン基板
６ 接続パッド
１２ 配線
１３ 柱状電極
１４ 封止膜
１５ 絶縁層
１６ 上層絶縁膜
１９ 上層配線
２０ 上層オーバーコート膜
２２ 半田ボール
２４ 下層配線
２５ 下層オーバーコート膜
２６ 溝
２７ 上下導通部

Claims (3)

  1. 上面にグラウンド層を有するベース板上に、各々が半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置する工程と、
    前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上に絶縁層を形成する工程と、
    前記半導体構成体および前記絶縁層上に少なくとも１層の上層配線を前記半導体構成体の前記外部接続用電極に接続させて形成する工程と、
    前記半導体構成体間におけるダイシングラインおよびその両側に対応する領域において、前記絶縁層および前記ベース板に形成された貫通孔内に前記グラウンド層と前記上層配線の一部とを接続する上下導通部を形成する工程と、
    前記ダイシングラインに沿って前記絶縁層、前記ベース板および前記上下導通部を切断して、側面に上下導通部を有する半導体装置を複数個得る工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
  2. 請求項１に記載の発明において、前記ベース板上に前記半導体構成体を配置する工程は、前記グラウンド層上に設けられた導電性接着層上に前記半導体構成体の半導体基板を接着する工程であることを特徴とする半導体装置の製造方法。
  3. ベース板上に、各々が半導体基板および該半導体基板上に設けられた複数の外部接続用電極を有する複数の半導体構成体を相互に離間させて配置する工程と、
    前記半導体構成体の周囲における前記ベース板上に絶縁層を形成する工程と、
    前記半導体構成体および前記絶縁層上に少なくとも１層の上層配線を前記半導体構成体の前記外部接続用電極に接続させて形成する工程と、
    前記ベース板下に少なくとも１層の下層配線を形成する工程と、
    前記半導体構成体間におけるダイシングラインおよびその両側に対応する領域において、前記絶縁層および前記ベース板に形成された貫通孔内に前記上層配線の少なくとも一部と 前記下層配線の少なくとも一部とを接続する上下導通部を形成する工程と、
    前記ダイシングラインに沿って前記絶縁層、前記ベース板および前記上下導通部を切断して、側面に上下導通部を有する半導体装置を複数個得る工程と、
    を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
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