JP3931956B2 - シリコン単結晶の育成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体材料として使用されるシリコンウェーハ用のp型シリコン単結晶の育成方法に関し、棒状単結晶の長さ方向に所要の比抵抗値を有するシリコンウェーハがより多く得られ歩留りにすぐれたシリコン単結晶の育成方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
所望の比抵抗をもつシリコン単結晶をチョクラルスキー法で育成する場合、シリコンと添加剤の種類により決まる物質固有の偏析係数を考慮する必要があり、一般的に引き上げられた単結晶インゴットの後部になるほど比抵抗は低下するため、所望の比抵抗範囲が比較的狭い場合には、その所望の範囲を逸脱することになり、逸脱した部分は製品として使用できなくなる。
【0003】
そこで、ボロン等のp型不純物の効果を相殺し、見かけの偏析係数を大きくする方法として、n型不純物を添加する方法が種々提案(特開平10−29894号、特許第2804456号及び特許第2804455号、特許第2756476号など)されている。これにより1本のインゴットからより多くの所望の比抵抗値をもつウェーハがより多く得られ、歩留りの向上を図ることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
特開平10−29894号に記載の単結晶シリコンの比抵抗調整方法では、石英ルツボの底部に比抵抗の低下を打ち消す添加剤を含有させる必要があるが、初期融解時にはその添加物を融解させてはならず、実際に行おうとした場合、煩雑な方法を取らざるを得ない、または育成途中で融液中に添加剤を添加しなければならないため、何らかの治具が必要であり、簡便な方法ではない。
【0005】
特許第2804456号及び特許第2804455号に記載の方法は、BまたはPを添加したSi融液に融点近傍の熱膨張係数を小さくする元素(Ga,SbまたはIn)を追加添加、あるいはGaまたはSbを添加したSi融液に融点近傍の熱膨張係数を大きくする元素(BまたはP)を追加添加して引き上げることにより、成長方向に不純物濃度が均一な単結晶を育成することができるとされている。
【0006】
特許第2756476号に記載の方法は、CZ又はFZ方法にて育成して得たウェーハ面内の比抵抗値の均一性を改善するために、特定の計算式で添加する不純物量を求めてこれを添加する。しかし、この方法でn型不純物を添加して引き上げ率が大きい場合には、インゴットのボトム部付近において比抵抗値が減少から増加に移る逆転する部分が現れる場合がある。従って、インゴットの比抵抗値保証が困難となり、ウェーハ化工程において全数の比抵抗値を測定する必要が生じて煩雑な工程フローとなる場合がある。
【0007】
この発明は、ボロンを主添加剤とするp型の棒状シリコン単結晶の長さ方向に所要の比抵抗値を有するシリコンウェーハを得ることを目的とし、またできるだけ簡便な手段で見かけの偏析係数を大きくして、シリコン単結晶の比抵抗値を均一にして歩留りを向上させることが可能なシリコン単結晶の育成方法を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
発明者は、n型不純物を添加する手段でp型シリコン単結晶の見かけの偏析係数を大きくする方法において、シリコン単結晶の長さ方向に比抵抗値が均一となるようにするn型不純物の添加手段を目的に種々検討した結果、初期融液中にリンを単に所定量添加するという簡単な方法で目的が達成できることを知見し、この発明を完成した。
【0009】
すなわち、この発明は、チョクラルスキー法で、原料シリコンを溶融してボロンを主添加剤として含有するp型シリコン単結晶を育成する方法において、初期融液が含む絶対ボロン濃度(atoms/cc)の25〜35%となるように、初期融液中にリンを添加すること、換言すれば、主添加剤として含有されるボロンの見かけのボロン偏析係数が0.83〜0.88となるようにリンを初期融液に添加することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法である。
【0010】
【発明の実施の形態】
この発明は、初期融液に絶対ボロン濃度(atoms/cc)の25〜35%のリンを添加すると、ボロンの見かけの偏析係数は0.83〜0.88になり、通常製造する単結晶のほぼ全域にわたり所望の比抵抗値を得ることができ、かつインゴットのボトム付近で比抵抗が逆転する部分が現れない効果が得られることを特徴とする。
【0011】
すなわち、この発明において、シリコン単結晶の比抵抗値は引上げ方向に均一であることを特徴とするが、引上げた単結晶のトップからボトム方向に、例えば、単結晶の長さの90%以下において目標比抵抗値から−30%以内の値を示すなどの所要範囲内で減少から増加する等の現象がなく、減少傾向のみを示すことが望ましい。
【0012】
なお、ボロンの見かけの偏析係数とは、比抵抗値とその測定位置から、ボロンのみが存在すると仮定して求めた場合の偏析係数である。シリコン中にあるボロン・リンはそれぞれ独立した偏析を行う。フォトルミネッセンス等でボロンおよびリンの絶対量を測定しそれぞれの偏析係数を求めると、Cボロン≫Cリンの場合も、Cボロン>Cリンの場合も0.75、0.35に近い値となる。ところが比抵抗値とその測定位置から偏析係数を求めるとボロンにより発生した空孔とリンにより発生した電子が打ち消し合うため、上記とは異なる偏析係数となる。この場合、ボロンのみが存在すると仮定している。具体的には、Cボロン≫Cリンの場合には、圧倒的に空孔の数が多いため0.75に近い値となるがCボロン>Cリンの場合には、空孔の数と電子の数が近似(特に結晶後半)してくるため電子による空孔の打ち治し量が無視できなくなり、比抵抗値とその測定位置から偏析係数を求めると0.75より大きな値となる。
【0013】
この発明において、初期融液に、それが含む絶対ボロン濃度(atoms/cc)の25〜35%のリンを添加するが、25%未満では、ボロンの見かけの偏析係数は0.83以下となり、所望の比抵抗値を得られる範囲が限られ、リンを添加する効果が得難く、35%を越えると、ボロンの見かけの偏析係数は0.88以上となり、ほぼ全範囲にわたり所望の比抵抗値を得られるが、インゴットのボトム付近で比抵抗が逆転する部分が現れるか、あるいはそれに準ずる部分が現れるため好ましくない。
【0014】
詳述すると、ボロンの偏析係数は0.75程度、リンの偏析係数は0.35程度、偏析係数が小さいほど、単結晶中に取り込まれる不純物濃度は小さくなるが、これは偏析係数が小さいほど、融液中の不純物濃度の濃縮が進むことを意味する。ボロン濃度とリン濃度が近似している場合、特にインゴットのボトム付近でリンの濃縮が無視できなくなる。
【0015】
ボロン濃度とリン濃度が近似していない(Cボロン≫Cリン)通常の場合は、ボトムに向かうに従いボロン・リンともに増加し、またボロン濃度とリン濃度の差が大きいため見かけの偏析係数も変わらない。ところがボロン濃度とリン濃度が近似している場合、特にCボロン>Cリンで近似している場合には見かけの偏析係数も変わってくる。この時ボトムに向かうに従いボロン・リンともに増加するが、リンの増加量がボロンの増加量を超えるとボロンの見かけの偏析係数が局所的に負になり比抵抗の逆転現象が起こる。よって、不純物の組合せの種類により特定の最適な値が存在することになる。
【0016】
この発明において、チョクラルスキー法における引上げ条件としては、特に限定されないが、初期融液の絶対ボロン濃度は2.7×1016atoms/cc以下であることが好ましい。
【0017】
【実施例】
比較例1
140kgのシリコンを溶融してp型15〜20Ωcmの8インチ単結晶を育成する目的で、ボロン添加量は、5.77×1019atoms/cc相当のボロンを含むドーパントを添加する条件で育成した。
【0018】
各引上率部におけるシリコン中のボロンおよびリン濃度を図1Aに、ボロンとリンの濃度差を図1Bに、各引上率部における比抵抗値を図1Cに示す。
その結果、全体の70%しか所望の比抵抗値を得られなかった。また、シリコンに対するボロンの偏析係数は、0.75であった。
【0019】
比較例2
比較例1と同様に140kgのシリコンを溶融してp型15〜20Ωcmの8インチ単結晶を育成するとき、初期融液が含む絶対ボロン濃度(atoms/cc)の40%のリンを添加したところ、図3にボロンおよびリン濃度、ボロンとリンの濃度差、比抵抗値を示すように全体の100%において所望の比抵抗値を得ることはできたが、インゴットのボトム部付近で比抵抗値が逆転する部分が現れた。
【0020】
実施例1
比較例1と同様に140kgのシリコンを溶融してp型15〜20Ωcmの8インチ単結晶を育成するとき、初期融液が含む絶対ボロン濃度(atoms/cc)の31%のリンを添加して引上げを行った。
【0021】
その結果、図2にボロンおよびリン濃度、ボロンとリンの濃度差、比抵抗値を示すように、全体の90%において所望の比抵抗値を得ることができた。
また、リンを添加しないときのシリコンに対するボロンの偏析係数は、0.75であったが、31%のリンを添加した場合は0.85であった。
【0022】
【発明の効果】
この発明は、ボロンを主添加剤とするp型シリコン単結晶の育成に際し、特定量のリンを添加するという簡便な手段で見かけの偏析係数を大きくでき、シリコン単結晶の比抵抗値を長さ方向に均一に所要値とすることが可能で、歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】Aはリン添加量0%の場合の各引上率部におけるシリコン中のボロンおよびリン濃度を示すグラフ、Bは同各引上率部におけるボロンとリンの濃度差を示すグラフ、Cは同各引上率部における比抵抗値を示すグラフである。
【図2】Aはリン添加量31%の場合の各引上率部におけるシリコン中のボロンおよびリン濃度を示すグラフ、Bは同各引上率部におけるボロンとリンの濃度差を示すグラフ、Cは同各引上率部における比抵抗値を示すグラフである。
【図3】Aはリン添加量40%の場合の各引上率部におけるシリコン中のボロンおよびリン濃度を示すグラフ、Bは同各引上率部におけるボロンとリンの濃度差を示すグラフ、Cは同各引上率部における比抵抗値を示すグラフである。
Claims (1)
- 主添加剤としてボロンを添加し、初期溶融シリコン中に含有されるボロンの絶対濃度(atoms/cc)の25〜35%に相当する濃度のリンを初期融液に添加した溶融シリコンより、チョクラルスキー法で引上げ方向に比抵抗値が均一なp型シリコン単結晶を育成するシリコン単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001339189A JP3931956B2 (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | シリコン単結晶の育成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001339189A JP3931956B2 (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | シリコン単結晶の育成方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003137687A JP2003137687A (ja) | 2003-05-14 |
JP3931956B2 true JP3931956B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=19153577
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001339189A Expired - Lifetime JP3931956B2 (ja) | 2001-11-05 | 2001-11-05 | シリコン単結晶の育成方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3931956B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012089392A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Siltronic Ag | Method of manufacturing silicon single crystal, silicon single crystal, and wafer |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4403919B2 (ja) | 2004-04-01 | 2010-01-27 | 株式会社Sumco | 耐久性に優れたプラズマエッチング用シリコン電極板 |
US7214267B2 (en) | 2004-05-12 | 2007-05-08 | Sumitomo Mitsubishi Silicon | Silicon single crystal and method for growing silicon single crystal |
JP2013129564A (ja) | 2011-12-21 | 2013-07-04 | Siltronic Ag | シリコン単結晶基板およびその製造方法 |
KR101674819B1 (ko) | 2015-08-12 | 2016-11-09 | 주식회사 엘지실트론 | 단결정 성장 방법 |
-
2001
- 2001-11-05 JP JP2001339189A patent/JP3931956B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012089392A1 (en) | 2010-12-28 | 2012-07-05 | Siltronic Ag | Method of manufacturing silicon single crystal, silicon single crystal, and wafer |
US8961685B2 (en) | 2010-12-28 | 2015-02-24 | Siltronic Ag | Method of manufacturing silicon single crystal, silicon single crystal, and wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003137687A (ja) | 2003-05-14 |
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A711 | Notification of change in applicant |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A621 | Written request for application examination |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
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A521 | Written amendment |
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