JP3920629B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置に関し、特にワイヤボンドの固着位置により、同一パターンのチップおよび導電パターンを用いて、スイッチ回路装置のコントロール端子のリード端子配置を容易に変更できる半導体装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯電話等の移動体用通信機器では、GHz帯のマイクロ波を使用している場合が多く、アンテナの切換回路や送受信の切換回路などに、これらの高周波信号を切り替えるためのスイッチ素子が用いられることが多い(例えば、特開平9−181642号)。その素子としては、高周波を扱うことからガリウム・砒素(GaAs)を用いた電界効果トランジスタ(以下FETという)を使用する事が多く、これに伴って前記スイッチ回路自体を集積化したモノリシックマイクロ波集積回路(MMIC)の開発が進められている。
【0003】
従来、半導体装置のパッケージとしてはリードと同一材料のアイランドにダイボンドし、樹脂モールドした構造が一般的である。以下に、その半導体装置について、化合物半導体であるGaAsのスイッチング回路装置を例に説明する。
【0004】
図8は、従来の化合物半導体スイッチ回路装置を示す回路図である。第1のFET1と第2のFET2のソース電極(あるいはドレイン電極)が共通入力端子INに接続され、FET1およびFET2のゲート電極がそれぞれ抵抗R1、R2を介して第1と第2の制御端子Ctl−1、Ctl−2に接続され、そしてFET1およびFET2のドレイン電極(あるいはソース電極)が第1と第2の出力端子OUT1、OUT2に接続されたものである。第1と第2の制御端子Ctl−1、Ctl−2に印加される制御信号は相補信号であり、Hレベルの信号が印加された側のFETがONして、共通入力端子INに印加された入力信号をどちらか一方の出力端子に伝達するようになっている。抵抗R1、R2は、交流接地となる制御端子Ctl−1、Ctl−2の直流電位に対してゲート電極を介して高周波信号が漏出することを防止する目的で配置されている。
【0005】
図9には、かかる化合物半導体スイッチ回路装置を集積化した化合物半導体チップの1例を示す。
【0006】
GaAs基板にスイッチを行うFET1およびFET2を中央部に配置し、各FETのゲート電極に抵抗R1、R2が接続されている。また共通入力端子IN、出力端子OUT1、OUT2、制御端子Ctl−1、Ctl−2に対応するパッドが基板の周辺に設けられている。なお、点線で示した第2層目の配線は各FETのゲート電極形成時に同時に形成されるゲート金属層(Ti/Pt/Au)20であり、実線で示した第3層目の配線は各素子の接続およびパッドの形成を行うパッド金属層(Ti/Pt/Au)40である。第1層目の基板にオーミックに接触するオーミック金属層(AuGe/Ni/Au)は各FETのソース電極、ドレイン電極および各抵抗両端の取り出し電極を形成するものであり、図9では、パッド金属層と重なるために図示されていない。
【0007】
また、図10には、制御端子Ctrl−1をFET2に接続し、Ctrl−2をFET1に接続したスイッチの回路図を示す。ユーザの要望によっては、図8および図9に示すパターンの回路ロジック(これを以下通常パターンのスイッチ回路装置と称する)と逆のロジックを組む必要もある。つまり出力端子OUT1に信号を通すときには出力端子OUT1から遠い制御端子Ctl−2に例えば3V、制御端子Ctl−1に0Vを印加し、逆に出力端子OUT2に信号を通すときには出力端子OUT2から遠い制御端子Ctl−1に3V、Ctl−2に0Vのバイアス信号を印加するようなロジックであり、(これを以下リバースコントロールスイッチ回路と称する)この場合には、チップ内の配置を変更する必要がある。
【0008】
図11はリバースコントロールタイプのスイッチ回路装置を集積化した化合物半導体チップの一例を示す。GaAs基板にスイッチを行うFET1およびFET2を中央部に配置し、各FETのゲート電極に抵抗R1、R2が接続されている。また共通入力端子IN、出力端子OUT1、OUT2、制御端子Ctl-1、Ctl-2に対応するパッドが基板の周辺で、FET1およびFET2の周囲に設けられている。なお、点線で示した第2層目の配線は各FETのゲート電極形成時に同時に形成されるゲート金属層(Ti/Pt/Au)20であり、実線で示した第3層目の配線は各素子の接続およびパッドの形成を行うパッド金属層(Ti/Pt/Au)30である。第1層目の基板にオーミックに接触するオーミック金属層(AuGe/Ni/Au)10は各FETのソース電極、ドレイン電極および各抵抗両端の取り出し電極を形成するものであり、図11では、パッド金属層と重なるために図示されていない。
【0009】
チップの内部には共通入力端子IN、制御端子Ctl−1およびCtr−2、または出力端子OUT1およびOUT2に対応するパッドが配置されている。リバースコントロールタイプのスイッチ回路では、FET1のゲート電極と制御端子Ctl−2は抵抗R1で接続され、FET2のゲート電極と制御端子Ctl−1は抵抗R2で接続されており、この接続のために抵抗R1および抵抗R2はチップの外周に沿って配置される。
【0010】
図12は上記のスイッチ回路装置を実装した構造を示す。図12(A)は上面図であり、断面図を図12(B)に示す。
【0011】
スイッチ素子が形成された化合物半導体チップ63がリードフレームのアイランド62e上に半田等の導電ペースト70によって固着実装され、化合物半導体チップ63の各電極パッドとリード62とがボンディングワイヤ64で接続される。制御端子Ctrl−2がリード62a、入力端子INがリード62b、制御端子Ctrl−1がリード62c、出力端子OUT1がリード62d、OUT2がリード62fにそれぞれ接続する。半導体チップ63が固着されるアイランド62eはGND端子となる。半導体チップ63の周辺部分はモールド金型の形状に合致した樹脂75で被覆され、樹脂75の外部にリード62の先端部分が導出される。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
ユーザの要望によっては、図11の如くFETに接続する制御端子Ctl−1およびCtr−2を入れ替えたリバースコントロールタイプのスイッチ回路装置を提供する場合があり、この場合にはウェハから投入し直す必要がある。しかし、要求に応じて個々に対応すると、ウェハの作成にほぼ1〜2ヶ月、組立に1ヶ月を要するため、迅速な対応ができず、また多大なコストがかかる問題がある。
【0013】
また、図9に示す通常パターンのスイッチ回路装置のレイアウトから図11に示すリバースコントロールタイプのロジックの回路にレイアウト変更しようとすると、チップ内部には余裕がないため、チップ外周に沿って抵抗を配置することになる。しかし、この配置に依ると、例えばチップのX方向(左右)にそれぞれ25μm、Y方向に50μm拡大することになり、その分チップサイズが増大してしまうことになる。
【0014】
更に、従来の化合物半導体スイッチ回路装置のパッケージ構造においては、様々な大きさの半導体チップで汎用的に使用する必要から、大きいチップサイズに合わせたリードフレームを採用していた。これは、個々のサイズに合わせたリードフレームを採用するとその分コストがかかるためである。
【0015】
現在ではシリコン半導体チップの性能の向上も目覚ましく、高周波帯での利用の可能性が高まりつつある。例えばfT(遮断周波数)が25GHz以上のシリコン半導体のトランジスタを使用した局部発振回路は応用回路を工夫することでGaAsFETを使用した局部発振回路に近い性能を出すことが可能になっている。従来ではシリコンチップは高周波帯での利用は難しく、高価な化合物半導体チップが利用されていたが、シリコン半導体チップの性能が高まり、利用の可能性がでれば、当然ウェハ自体も高価な化合物半導体チップは価格競争で負けてしまう。つまり、チップサイズをシュリンクすることにより低価格化を図ることが重要課題となっている。更に、化合物半導体チップの小型化および低価格化が進んでも、パッケージ外形が大きいままでは小型化されたチップの優位性が全く発揮されないことになるため、チップの小型化と共にパッケージの小型化も強く望まれている。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上述した事情に鑑みて成されたものであり、絶縁性支持基板と、表面に複数の電極パッドを有する半導体チップと、基板に設けられ、複数の電極パッドと個々に対応する導電パターンと、複数の電極パッドと導電パターンとを接続する接続手段とを具備する半導体装置において、導電パターンのうち少なくとも2つの導電パターンは導電パターンと対応する少なくとも2つの電極パッドに近接して延在され、少なくとも2つの導電パターンと少なくとも2つの電極パッドとを接続手段で接続する際、いずれか一方の導電パターンを選択することにより、少なくとも2つの電極パッドの接続端子を切り替えることにより解決するものである。これにより、同一のパッケージと同一チップで、通常のスイッチ回路装置とリバースコントロールスイッチ回路装置の両方が提供できる。尚且つチップサイズパッケージであるため、チップの小型化、パッケージの小型化が実現し、コストの削減およびユーザ側でのセットの小型化に大きく寄与できるものである。
【0017】
【発明の実施の形態】
以下に本発明の実施の形態を詳細に説明する。
【0018】
本発明の半導体装置は、絶縁基板1と、導電パターン2と、半導体チップ3と、接続手段4と、スルーホール5と、外部接続電極6とから構成される。
【0019】
図1から図4を参照して、本発明の第1の実施の形態を詳細に説明する。
【0020】
図1(A)は基板1に設けた導電パターン2の一部である。基板1は、セラミックやガラスエポキシ等からなる大判の絶縁基板であり、それらが1枚あるいは数枚重ね合わされて、合計の板厚が180〜250μmと製造工程における機械的強度を維持し得る板厚を有している。
【0021】
導電パターン2は、絶縁基板1上に設けられた6本のリード2からなり、半導体チップの外周に配置される電極パッドに対応して設けられる。導電パターン2は金メッキにより形成され、うち2本のリード2が点線で示す半導体チップ固着領域11まで延在され、その2本のリード2の両端が半導体チップ固着領域11から露出する形状に配置される。半導体チップの固着領域11には従来のアイランド部に該当するものはなく、半導体チップは延在する2本のリード2上に絶縁性樹脂により固着される。これらの各導電パターン2は一点鎖線で示す各パッケージ領域10毎に同一形状であり、連結部12により連続して設けられる。各パッケージ領域10は例えば長辺×短辺が1.2mm×0.8mmの矩形形状を有しており、固着領域11は、例えば0.30mm×0.37mmであるが、この固着領域11は半導体チップの大きさにより異なる。また、各パッケージ領域10の導電パターン2は、互いに100μmの間隔を隔てて縦横に配置されている。前記間隔は組み立て工程でのダイシングラインとなる。ここで、各パターン2は金メッキによって設けられるが、無電解メッキでもよく、この場合連結する必要はないので各導電パターンは個別に設けられる。
【0022】
図1(B)に示す如く、基板1には1個の半導体チップに対応するパッケージ領域10が複数個(例えば100個)分が縦横に配置される。
【0023】
図2には半導体チップ3を示す。半導体チップ3は、化合物半導体スイッチ回路装置であり、裏面は半絶縁性のGaAs基板となっている。このスイッチ回路装置は、GaAs基板にスイッチを行うFET1およびFET2を中央部に配置し、各FETのゲート電極17に抵抗R1、R2が接続されている。また共通入力端子IN、出力端子OUT1、OUT2、制御端子Ctl-1、Ctl-2に対応するパッドが基板の周辺に設けられている。制御端子用電極パッド100はFET1のゲート電極17に接続し、制御端子用電極パッド110はFET2のゲート電極17に接続する。また、制御端子用電極パッド100、110には、制御端子Ctrl−1またはCtrl−2のいずれかが接続する。ここで、入力端子および出力端子に対応する電極パッドにおいては後の説明において接続するリードが固定であるので、便宜上各端子と電極パッドとを同一呼称とする。
【0024】
なお、点線で示した第2層目の配線は各FETのチャネル領域14とショットキー接合を形成するゲート電極17形成時に同時に形成されるゲート金属層(Ti/Pt/Au)20であり、実線で示した第3層目の配線は各素子の接続およびパッドの形成を行うパッド金属層(Ti/Pt/Au)40である。第1層目の基板にオーミックに接触するオーミック金属層(AuGe/Ni/Au)は各FETのソース電極13、ドレイン電極15および各抵抗両端の取り出し電極を形成するものであり、図2では、パッド金属層と重なるために図示されていない。尚、本発明の実施の形態における回路図は図8と同等であるので、説明は省略する。
【0025】
図3には、半導体チップ3を絶縁基板1に固着した例を示す。
【0026】
図3(A)の如く金メッキ層によるリード2c、2a上に半導体チップ3が固着される。リード2c、2aは制御端子用電極パッド100、110に近接して延在され、それぞれの両端がチップ端から露出するよう配置される。ここで、リード2c、2aが露出する位置は図に示す位置に限らないが、リード2cおよびリード2aがチップ端から露出する部分は、必ず対応する2つの電極パッドの近傍で、尚かつボンディングのために十分な面積を有する必要がある。
【0027】
リード2bは入力端子IN、リード2dが出力端子OUT1、リード2fが出力端子OUT2と対応し、2本のリード2c、2aは制御端子Ctrl−1またはCtrl−2に対応する。半導体チップ裏面が半絶縁性であるので、リード2c、2a上に絶縁性接着剤にて固定され、電極パッドとリード2とを各々ボンディングワイヤ4で接続する。
【0028】
ボンディングワイヤ4は、半導体チップ3の各電極パッドとリード2とを接続する。制御端子用電極パッド100をチップから露出した近傍のリード2aと接続し、制御端子用電極パッド110をチップから露出した近傍のリード2cと接続する。また、入力端子用電極パッドINをリード2b、出力端子用電極パッドOUT1をリード2d、出力端子用電極パッドOUT2をリード2fに接続する。尚、半導体チップ3裏面は半絶縁性基板でありリード2eはGND電位となる。
【0029】
この位置にワイヤボンドすることにより、制御端子Ctrl−1と対応するリード2cがFET2の制御端子用電極パッド110と接続し、制御端子Ctrl−2と対応するリード2aがFET1の制御端子用電極パッド100と接続する。つまり従来と同一のチップパターン(通常パターン)でありながら、図10および図11に示すリバースコントロールタイプのスイッチ回路装置が実現する。
【0030】
一方、図3(B)には、このチップを図8の回路図に示す通常のパターンで使用する場合を示す。この場合には、制御端子用電極パッド100をチップから露出した近傍のリード2cと接続し、制御端子用電極パッド110をチップから露出した近傍のリード2aと接続する。
【0031】
この位置にワイヤボンドすることにより、制御端子Ctrl−1と対応するリード2cがFET1の制御端子用電極パッド100と接続し、制御端子Ctrl−2と対応するリード2aがFET2の制御端子用電極パッド110と接続することになる。
【0032】
このように、絶縁基板上に設けた制御端子用の導電パターンをチップの下に延在し、両端をチップ端から露出することにより、同一のチップパターン、同一導電パターンでありながら、ボンディングワイヤによって接続するリードを選択することにより、容易にFET1、FET2に接続する制御端子をCtrl−1またはCtrl−2のいずれかに切り替えることができる。つまり、2つのリードと接続するボンディングワイヤの位置を切り替えることで、2つのリードの並び順を正逆入れ替えた配置にすることができるのである。
【0033】
ここで、この導電パターン2はメッキパターン形成に厚膜印刷を使用しているため、パターン(リード)間の最小間隔を75μmにすることができる。これは、従来のフレームを採用すると、スタンピングによるフレーム打ち抜きの限界が、フレームの板厚(150μm)×0.8であり、この最小間隔が120μmであったことと比較するとリード間距離を大幅に縮小でき、パッケージの小型化に大きく寄与できることになる。
【0034】
図4は、上記の化合物半導体チップ3をパッケージに組み込んで形成された化合物半導体スイッチ回路装置を示す断面図である。
【0035】
基板1には、各リード2に対応したスルーホール5が設けられている。スルーホール5は基板1を貫通し、内部はタングステンなどの導電材料によって埋設されている。そして、裏面には各スルーホール5に対応した外部接続電極6を有する。
【0036】
化合物半導体チップ3は絶縁性接着剤50により各リード2上にまたがって固着され、チップ3の各電極パッドは、それぞれの位置と対応した位置の外部接続電極6と、それぞれワイヤ4、リード2、スルーホール5を介して電気的に接続されている。
【0037】
すなわち6個の外部接続電極6は、パッケージ外形の中心線に対して左右(上下)対象となるようなパターンで配置されている。具体的には、パッケージ側面の一辺に沿って、制御端子Ctrl−1(またはCtrl−2)、入力端子IN、制御端子Ctrl−2(またはCtrl−1)、パッケージ側面の他の一辺に沿って、出力端子OUT1、GND端子、出力端子OUT2の順に配置されている。
【0038】
パッケージの周囲4側面は、樹脂層15と絶縁基板1の切断面で形成され、パッケージの上面は平坦化した樹脂層15の表面で形成され、パッケージの下面は絶縁基板1の裏面側で形成される。
【0039】
この化合物半導体スイッチ回路装置は、絶縁基板1の上には0.3mm程度の樹脂層15が被覆して化合物半導体チップ3を封止している。化合物半導体チップ3は約130μm程度の厚みを有する。
【0040】
なおパッケージ表面側は全面樹脂層15であり、裏面側の絶縁基板1の外部接続電極6は、左右(上下)対称となるパターンで配置されており、電極の極性判別が困難になるので、樹脂層15の表面側に凹部を形成するか印刷するなどして、極性を表示するマークを刻印するのが好ましい。
【0041】
このように、本発明の特徴は、打ち抜きフレームを用いないチップサイズパッケージとし、制御端子が接続する2本のリードを延在してその上に半導体チップを固着し、チップの端からそれら各リードの両端を露出させたことにある。これにより同一のチップパターン、同一導電パターンを用いて、ボンディングワイヤによって接続するリードを切り替えるだけで、通常のパターンとリバースコントロールタイプのパターンを容易に実現することができ、ユーザの要望に迅速に、汎用的に対応することができる。
【0042】
従来の打ち抜きフレームにチップを固着する構造では、リバースコントロールタイプのパターンを実現するにはチップパターンを変更せざるを得ないため、半導体チップのサイズも大きくなる上、パッケージ外形も大きくなってしまうが、本発明の構造に依れば、パッケージの小型化も実現し、半導体チップも1つのパターンで良いので、コストの削減に大きく寄与できるものである。
【0043】
ここで、図5および図6を参照して本発明の第2の実施の形態を示す。図5は断面図であり、平面図は図3に示す第1の実施の形態のものと同様であるので省略する。これは、第1の実施の形態であるCSPをマルチチップモジュール化したものであり、導電パターンを支持基板となる絶縁性樹脂に埋め込んだ構造である。
【0044】
支持基板となる絶縁樹脂21は、半導体チップ23および複数の導電パターン(リード)22を完全に被覆し、リード22間の分離溝31には絶縁性樹脂21が充填され、リード22の側面の湾曲構造(図示は省略するが、実際はリード側面は湾曲している)と嵌合して強固に結合する。そして絶縁性樹脂21によりリード22が支持されている。リード上22に固着された半導体チップ23も一括して被覆し、共通モールドされる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。
【0045】
絶縁性樹脂21の厚さは、半導体チップ23のボンディングワイヤー24の最頂部から約50μm程度が被覆されるように調整されている。この厚みは、強度を考慮して厚くすることも、薄くすることも可能である。更に、絶縁性樹脂21の表面はアニーリングにより平坦化される。これは、絶縁性樹脂21が広い面積を有して形成される場合は、特に、リード22の材料である導電箔30と絶縁性樹脂21を形成するモールド樹脂との熱膨張係数やリフロー後の温度低下時における成型収縮率の違いにより導電箔30に反りが発生してしまう。つまり、絶縁性樹脂21表面の反りの発生を抑制するためにアニーリングにより平坦化するものである。
【0046】
ボンディングワイヤ24は、半導体チップ23の各電極パッドと各リード22とを接続する。熱圧着によるボールボンディング及び超音波によるウェッヂボンディングにより一括してワイヤボンディングを行い、制御端子Ctrl−1、入力端子IN、Ctrl−2、出力端子OUT1、OUT2を各リード22に接続する。リードのうち一本は半導体チップ裏面に接続し、GND端子となる。
【0047】
導電パターン22は、絶縁樹脂21に埋め込まれ、半導体チップ23の外周に配置される電極パッドに対応して半導体チップ固着領域から放射状に設けられる。固着領域には従来のアイランド部に該当するものはなく、半導体チップ23は固着領域の略中央に集束したリード22上に絶縁性接着剤50により固着される。
【0048】
後述するが、図5(B)に示す如く、導電パターン22は導電箔30である。分離溝31が設けられた導電箔30は裏面を研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により、化学的および/または物理的に除き、導電パターン22として分離される。これにより、絶縁性樹脂21に導電パターン22の裏面が露出する構造となる。分離溝31に充填された絶縁性樹脂21の表面と導電パターン22の表面は、実質的に一致している構造となっている。
【0049】
半導体チップ23は、第1の実施の形態と同様であるので詳細は省略するが、ここでは化合物半導体のスイッチ回路装置であり、裏面は半絶縁性のGaAs基板となっている。スイッチ回路装置であるので、チップ表面には入力端子IN、制御端子Ctrl−1、Ctrl−2、出力端子OUT1、OUT2に接続する5個の電極パッドがチップの外周を囲むように配置されている。また、FET1と接続する制御端子用電極パッド100がCtrl−1と接続し、FET2と接続する制御端子用パッド110がCtrl−2とそれぞれ接続する通常パターンのチップである。裏面が半絶縁性であるので、制御端子Ctrl−1またはCtrl−2となるリード22a、22c上に絶縁性接着剤にて固定され、電極パッドとリード22とを各々ボンディングワイヤ24で接続する。
【0050】
外部接続電極26は、導電パターンである各リード22をレジスト27で覆い、所望の位置を開口して半田を供給して設ける。これにより、マウント時に半田等の表面張力でそのまま水平に移動してセルフアラインできる特徴を有する。
【0051】
図6には導電パターンが形成される導電箔30を示す。導電箔30の厚さは、後のエッチングを考慮すると10μm〜300μm程度が好ましく、ここでは70μm(2オンス)の銅箔を採用した。しかし300μm以上でも10μm以下でも導電箔30の厚みよりも浅い分離溝31が形成できればよい。これにより、短冊状の導電箔30に多数の固着領域が形成されるブロック32が複数個(ここでは4〜5個)離間して並べられる(図6(A))。
【0052】
図6(B)に具体的な導電パターン22を示す。本図は図6(A)で示したブロック32の1個を拡大したものである。点線で示す部分が1つのパッケージ領域10であり、1つのブロック32にはマトリックス状に多数の導電パターン22が配列される。導電パターン22は、少なくとも導電パターン22を形成する以外の領域の導電箔30をエッチングして分離溝31を形成して導電パターン22とする。この導電箔30は、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、材料としては、Cuを主材料とした導電箔、Alを主材料とした導電箔またはFe−Ni等の合金から成る導電箔等が採用される。
【0053】
また、導電パターン22はエッチングで形成できるため、従来の打ち抜きフレームで、フレームの板厚(150μm)×0.8がパターン間距離の限界であるものと比較するとパターン間距離を大幅に縮小でき、パッケージの小型化に大きく寄与できることになる
第2の実施の形態による特徴は、絶縁性樹脂21を被覆するまでは、導電パターン22となる導電箔30が支持基板となることであり、支持基板となる導電箔30は電極材料として必要な材料である。そのため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実現できる。
【0054】
また、分離溝31は、導電箔30の厚みよりも浅く形成されているため、導電箔30が導電パターン22として個々に分離されていない。従って、シート状の導電箔30として一体で取り扱え、絶縁性樹脂21をモールドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特徴を有する
尚、本実施の形態では導電箔30の場合について説明したが、基板がシリコンウエハー、セラミック基板、銅フレーム等の材料から成る場合も同様なことがいえる。
【0055】
更に図7の如く、リードはチップ外周に沿って配置されても良い。本発明においては制御端子用パッド100、110と制御端子となるリード2a、2cとをボンディングワイヤの接続先の切り替えで選択できればよく、制御端子用パッド100および110に近接してリード2aおよび2cが延在されていればよい。
【0056】
つまり、図に示すようにチップ外周に沿って配置するパターンであっても、いずれか一方のリードを選択することにより、2つの電極パッドの接続端子を切り替えることが可能となる。
【0057】
ここで、いずれの実施の形態においても実装できる素子は化合物半導体スイッチ回路装置、他の集積回路、トランジスタ、ダイオード等の半導体チップに限らず、チップコンデンサ、チップ抵抗、チップインダクタ等の受動素子、また厚みが厚くはなるが、CSP、BGA等のフェイスダウンの半導体素子など、表面実装素子はすべて可能である。
【0058】
【発明の効果】
本発明の特徴は、打ち抜きフレームを用いないCSPであり、半導体チップの下で制御端子となる2つの導電パターンを延在し、チップからその端を露出させたことにある。
【0059】
これにより、第1に、ワイヤボンドの固着位置により、同一パターンのチップおよび導電パターンを用いて、スイッチ回路装置のコントロール端子のリード端子配置を容易に変更できる。つまり、制御端子に対応するリードをチップの下を通り、チップ端から露出させ、そのリードのいずれか一方をボンディングワイヤで選択することで、制御端子用電極パッドが接続する接続端子を切りかえることができるものである。従来の打ち抜きフレームを用いる構造では、チップ内のパターンを変更せざるを得ないため、チップサイズも大きくなり、コストも高くなってしまう。しかし、本発明の構造に依れば、同一のチップパターン(通常のチップパターン)および同一の導電パターンでありながら、ボンディングワイヤの接続先の切り替えのみで、通常のスイッチ回路装置とリバースコントロールタイプのスイッチ回路装置を実現できる。従来ではチップ内のパターンを変更する必要があり、ウェハから投入すると1〜2ヶ月、組立に1ヶ月を要するが、ボンディング位置の変更のみであるので1/6程度のTATで迅速に対応できる。つまり、ユーザの要望に対して、迅速にまた、非常に低コストで柔軟に対応できる利点を有する。
【0060】
第2に、パッケージ構造は、CSPであり、従来リードを用いて樹脂モールドしていたパッケージ構造と比較して大幅にパッケージサイズを小型化できる。従来は打ち抜きフレームを汎用的に使用するため、チップサイズに対して必要以上に大きいリードであり、尚且つモールド樹脂の外側にリードが導出するため、必要以上にパッケージ外形が大きくなっていたが、CSPであれば、必要最小限の大きさに抑えることができる。
【0061】
第3に、パターンの最小間隔を縮小できるので、これによってもパッケージの小型化を実現できる。これは、従来では打ち抜きフレームを採用しており、スタンピングで打ち抜く場合の限界が板厚×0.8(μm)であったことに対し、本発明ではメッキの厚膜印刷、または導電箔のエッチングによりパターンが形成できるためである。具体的にはフレームの場合120μmであった最小間隔を75μmまで縮小でき、パッケージ小型化に大きく寄与できるものである。
【0062】
第4に、特に半導体チップが化合物半導体スイッチ回路装置の場合、高周波的にGND電位となる制御端子Ctrl−1、Ctrl−2およびGND端子が、RFラインとなる入力端子IN、出力端子OUT1、OUT2の間に配置されることにより、高周波信号を遮断する構造となるので、アイソレーション特性が向上する利点を有する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を説明するための(A)平面図、(B)斜視図である
【図2】本発明を説明するための平面図である。
【図3】本発明を説明するための平面図である。
【図4】本発明を説明するための断面図である。
【図5】本発明を説明するための断面図である。
【図6】本発明を説明するための平面図である。
【図7】本発明を説明するための平面図である。
【図8】従来技術を説明するための回路図である。
【図9】従来技術を説明するための平面図である。
【図10】従来技術を説明するための回路図である。
【図11】従来技術を説明するための平面図である。
【図12】従来技術を説明するための(A)平面図、(B)断面図である。
Claims (6)
- 絶縁性支持基板と、
表面に複数の電極パッドを有する半導体チップと、
前記基板に設けられ、前記複数の電極パッドと個々に対応する導電パターンと、
前記複数の電極パッドと前記導電パターンとを接続する接続手段とを具備する半導体装置において、
前記導電パターンのうち少なくとも2つの導電パターンは該導電パターンと対応する少なくとも2つの前記電極パッドに近接して延在され、前記半導体チップは前記少なくとも2つの導電パターン上に絶縁性樹脂により固着され、前記少なくとも2つの導電パターンはそれぞれその両端が前記チップの端から露出し、前記少なくとも2つの導電パターンと前記少なくとも2つの電極パッドとを前記接続手段で接続する際、いずれか一方の導電パターンを選択することにより、前記少なくとも2つの電極パッドの接続端子を切り替えることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁基板と、
該絶縁基板表面に固着され、その表面に複数の電極パッドを有する化合物半導体チップと、
前記絶縁基板表面に設けられ、前記複数の電極パッドと個々に対応する導電パターンと、
前記複数の電極パッドと前記導電パターンとを接続する接続手段と、
前記導電パターンと対応し、前記絶縁基板を貫通するスルーホールと、
該スルーホールと対応し前記絶縁基板の裏面に設けた外部接続電極とを具備する半導体装置において、
前記導電パターンのうち2つの導電パターンは該導電パターンと対応する2つの前記電極パッドに近接して延在され、前記2つの導電パターンと前記2つの電極パッドとを前記接続手段で接続する際、いずれか一方の導電パターンを選択することにより、前記2つの電極パッドの接続端子を切り替えることを特徴とする半導体装置。 - 絶縁樹脂と、
該絶縁樹脂に埋め込まれ、その表面に複数の電極パッドを有する化合物半導体チップと、
前記絶縁樹脂に埋め込まれ、前記複数の電極パッドと個々に対応する導電パターンと、
前記複数の電極パッドと前記導電パターンとを接続する接続手段と、
前記絶縁樹脂の裏面から露出した導電パターンと対応する外部接続電極とを具備する半導体装置において、
前記導電パターンのうち2つの導電パターンは該導電パターンと対応する2つの前記電極パッドに近接して延在され、前記2つの導電パターンと前記2つの電極パッドとを前記接続手段で接続する際、いずれか一方の導電パターンを選択することにより、前記2つの電極パッドの接続端子を切り替えることを特徴とする半導体装置。 - 前記化合物半導体チップは2つの前記導電パターン上に絶縁性樹脂により固着され、前記2つの導電パターンは前記チップの一方の端から他方の端まで延在されて前記チップから露出することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 前記化合物半導体チップの裏面は半絶縁性基板であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
- 前記化合物半導体チップはスイッチ回路装置であり、前記2つの導電パターンには前記スイッチ回路装置の2つの制御端子がそれぞれ接続することを特徴とする請求項2または請求項3に記載の半導体装置。
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