JP3910926B2 - 表示装置用透明基板の製造方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置および表示装置用透明基板の製造方法に係り、特に、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子、液晶表示装置、およびプラズマディスプレイといった表示装置に用いられる透明基板の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＬＣＤ、ＰＤＰ、有機ＥＬ素子等の表示装置を構成するガラス基板、透明電極、そして有機膜などは屈折率が高く、ガラス表面、および透明電極、有機膜などの界面での反射に起因して光の損失の問題が生じている。このため、装置内部で発生した、もしくは内部に導入された光を効率よく外部に取り出すことが困難である。
【０００３】
また、表示装置の表示側から見た反射率が、装置内部のカラーフィルター部のブラックマトリックス（ＢＭ）では１０〜１５％であり、大気と装置表面との間では３〜５％であるため、反射やグレアの問題が生じている。
【０００４】
その対策として、屈折率の異なる複数の物質を反射防止膜として、表示装置の表面に多層に形成する方法や、表面にフッ素系化合物の低屈折率物質（１．３５〜１．４）をコーティングする方法が採用されている。また、ＢＭ部においては、材料を低反射構造（Ｃｒ／ＣｒＯ_xまたはＭｏ／ＭｏＯ_x）とすることによって反射率を低減している。しかしながら、多層膜は特性面では優れるものの、膜厚の制御が難しくコストは割高となる。一方、低屈折率物質は、反射率は２％と低くはなるが充分であるとはいえない。ＢＭ部に関しては、低反射構造でも反射率は３％ほどあり、依然として不充分である。
【０００５】
光の取り出し効率を高める、または反射率を低減するために、半導体またはガラス表面にナノメートルサイズの規則的構造を施すことによって高透過、低反射することが検討されている（例えば、非特許文献１参照）。しかしながら、反射防止効果が期待できる規則的構造はナノメートルサイズでことから、最新のエキシマレーザーを用いた光リソグラフィでさえ限界に近い値である。これを達成するには、電子ビームによる描画・エッチング等により規則的構造を作製しなければならない。このため、製造コストは高く、生産性も悪く実用的ではない。しかも、規則的構造をナノサイズで作製しなくてはならないことから、プロセスに対する余裕がない。
【０００６】
また、表面を粗面化する技術として、塩酸、硫酸、過酸化水素、もしくはこれらの混合液で表面処理を施して粗面化する技術が知られている（例えば、特許文献１および特許文献２参照）。しかしながら、これらの方法は、基板の結晶性の影響を受け、露出面方位によって粗面化できる面とできない面が発生する。もちろん、ガラスなどのアモルファスの物質では、粗面化は基本的に不可能である。このため、常に表面が粗面化できるとは限らず、光取り出し効率の向上には制約があった。
【０００７】
【非特許文献１】
Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ，１４２，ｖｏｌ７８，２００１，Ｊｐｎ．Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｌ７３５，ｖｏｌ３９，２０００
【０００８】
【特許文献１】
特開２０００−２９９４９４号
【０００９】
【特許文献２】
特開平４−３５４３８２号公報
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明は、装置内部の光を効率よく取り出し、かつ表示側の反射率を低減した表示装置を、高い生産性をもって安価に得るための透明基板の製造方法を提供することを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明の一態様にかかる表示装置用透明基板の製造方法は、透明基板の少なくとも一方の表面に、ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを含有するポリマー層を形成する工程、
前記ポリマー層にアニール処理を施して、前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを相分離させる工程、
前記相分離したブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの一方の相を除去して、残りの相からなるパターンを有するマスク層を形成する工程、および
前記マスク層のパターンを前記透明基板の表面に転写して、以下の条件を満たす凸部を有する凹凸を形成する工程を具備することを特徴とする。
【００１４】
（１）平均円相当直径が５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、平均高さが１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下
（２）円形度係数が０．６以上１以下
（３）面積占有率が２０％以上７５％以下。
【００１５】
本発明の他の態様にかかる表示装置用透明基板の製造方法は、鋳型用基板上に、ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを含有するポリマー層を形成する工程、
前記ポリマー層にアニール処理を施して、前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを相分離させる工程、
前記相分離したブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの一方の相を除去して、残りの相からなるパターンを有するマスク層を形成する工程、
前記マスク層のパターンを前記鋳型用基板の表面に転写して凹凸を形成し、鋳型パターンを得る工程、
透明基板の少なくとも一方の表面に、レジスト膜を形成する工程、
前記レジスト膜に前記鋳型パターンを押圧して、凹凸からなるレジストパターンを形成する工程、および
前記レジストパターンをマスクとして用いて前記透明基板を加工して、以下の条件を満たす凸部を有する凹凸を形成する工程を具備することを特徴とする。
【００１６】
（１）平均円相当直径が５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、平均高さが１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下
（２）円形度係数が０．６以上１以下
（３）面積占有率が２０％以上７５％以下。
【００１７】
【発明の実施の形態】
まず、本発明の原理について説明する。
【００１８】
本発明者らは、表示装置の光取り出し効率を高めるとともに反射率を低減するために、表面および層間構造を検討した結果、次のような構造が最適であることを見出した。すなわち、本発明の実施形態にかかる表示装置は、表示側最外表面、および少なくとも一つの層間の界面の少なくとも一方にナノメートルサイズの微細な凹凸構造を有する素子である。しかも、凹凸の凸部は、以下の条件を満たさなければならない。
【００１９】
（１）平均円相当直径は５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、平均高さは１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下
（２）円形度係数は０．６以上１以下
（３）面積占有率は２０以上７５％以下。
【００２０】
光の透過率向上と反射率低減とを達成するためには、可視光が反応する大きさを考慮して、その表面構造を定義しなければならない。
【００２１】
光の散乱を生じる表面および界面構造において、表面および界面構造体の大きさが大きい物ほど光に対して影響が大きく、その効果は大きさの２乗に比例する。そのため、微細な凹凸の凸部の平均円相当直径は、可視光波長の１／２０以上であることが好ましい。平均円相当直径が、これより小さい場合には、レイリー散乱領域を外れてしまい、凹凸の効果が急速に失われてしまう。より好ましい範囲は、光の波長の１／１０程度以上である。
【００２２】
平均円相当直径が大きく光の波長レベルの程度、つまり光の波長と同等以上になると、光が凹凸自体の形状を認識するようになるため、屈折率勾配（グラジュエントインデックス）の効果が失われてしまい好ましくない。さらに、平均円相当直径は、光が凹凸の形を認識できない大きさである光の波長の１／４程度以下が望ましい。
【００２３】
可視光の波長は４００〜８００ｎｍ程度の範囲内であるので、凸部の平均円相当直径は５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の範囲内に規定され、その占有率は２０％以上７５％以下の範囲内に規定される。占有率が２０％未満と低い場合には、平坦部分が光の波長以上の大きさになって平坦部が認識されてしまう。一方、占有率が７５％を超えるということは凹凸の凸部分が接触した状態となり、実質的に円相当直径は請求項の範囲外となるため、光が形状を認識し屈折率勾配の効果が失われてしまうという不都合が生じる。
【００２４】
また、凸部の円形度係数は、０．６以上１以下の範囲内に規定される。円形度係数は、（４π×面積／（周囲長）²）で定義され、この係数が０．６未満の場合、凸部はほとんど円形とはいえない。このため、凹凸の存在が光に認識されてしまう。
【００２５】
凸部の高さに関しても、上述と同様の議論が適用できる。上述した凹凸の大きさは光の波長より小さいため、光は個々の凹凸ではなく、平均値を感じることになる。このため、屈折率の高い発光層と屈折率の低い媒体とが存在するとき、光が感じる屈折率は、凹凸が形成された発光面に対して平行の面での屈折率の平均値となる。この屈折率の平均値が発光層から滑らかに減少して、外部に達するのが望ましい。そして、屈折率のグラジュエントを付けるためには、凸部の形は円錐形に近い方が好ましい。
【００２６】
具体的には、凸部の平均高さは、光の波長の１／１０以上であることが要求される。これより小さいと、屈折率が非常に短い距離で変化することになり、グラジュエントインデックスとして効果がなくなってしまうのと同じ原理により、凹凸の効果が急速になくなってしまう。凹凸の効果は凹凸の大きさの２乗で効くため、凹凸の効果を保つには凸部の平均高さは、光の波長の１／５程度以上であることがより好ましい。一方、平均高さが高すぎる場合には、屈折率勾配（グラジュエントインデックス）の効果がなくなってしまう。そのため、平均高さは、光が凹凸の形を全く認識しない高さである光の波長の１以下程度であることが要求される。よって、凹凸の凸部の平均高さは、１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下の範囲内に規定される。
【００２７】
上述したような光が凹凸形状として認識できない波長と同程度、あるいはその波長以下である微細な凹凸構造は、自然界に存在する自己組織化力を利用して形成できる。
【００２８】
ブロックコポリマーの自己組織化パターンを利用するので、エキシマレーザーを用いた露光装置や電子線描画装置などの大規模な設備投資は必要とされない。ＬＳＩで用いられている装置やプロセスがそのまま使えるため、容易に適応することができる。
【００２９】
本発明の実施形態にかかる表示装置は、有機ＥＬ素子、ＬＣＤ、およびＰＤＰとすることができ、それぞれについて説明する。
【００３０】
（有機ＥＬ素子）
図１は、本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ素子の構造を表わす断面図である。図示するように、有機ＥＬ素子は直流駆動の発光ダイオードであり、ガラスまたはプラスチックからなる透明基板１１ａ上には、陽極１２、正孔注入層（正孔輸送層）１３、発光層１４、および陰極１５が順次形成されている。図示する有機ＥＬ素子１０においては、透明基板１１ａの両方の表面に凹凸が形成されているが、少なくとも一方の表面に上述した特定の凹凸が形成されていればよい。これ以外の条件は特に限定されず、透明基板上に形成される層構成も以下のように変更することができる。
【００３１】
１）電極（陰極）/発光層/正孔注入層/電極（陽極）
２）電極（陽極）/発光層/電子注入層/電極（陰極）
３）電極（陽極）/正孔注入層/発光層/電子注入層（電子輸送層）/電極（陰極）
４）電極（陽極または陰極）/発光層/電極（陰極または陽極）
陽極１２は、例えばインジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の仕事関数の大きな導電性材料から形成することができ、その厚さは、通常８０〜１５０ｎｍ程度である。
【００３２】
陽極１２上には、真空蒸着法などによって正孔注入層１３、さらに必要に応じて電子注入層を形成する。
【００３３】
電子注入層および正孔注入層１３は、それぞれ電荷の注入性、電荷の輸送性、電荷に対する障壁性のいずれかを有する層である。発光層１４では、電子と正孔とが再結合して光が発生する。これらの層は、有機材料および無機材料のいずれを用いて構成してもよく、厚さは１０〜３００ｎｍ程度とすることができる。
【００３４】
陰極１５は、例えばアルミニウム、マグネシウム、インジウム、銀または各々の合金等の仕事関数が小さな金属から形成され、その厚さは１０〜５００ｎｍ程度とすることができる。
【００３５】
図１に示した有機ＥＬ素子１０における透明基板１１aは、以下のような方法により製造することができる。
【００３６】
図２は、本発明の一実施形態にかかる表示装置用透明基板の製造方法を表わす工程断面図である。
【００３７】
まず、ミクロ相分離構造形成組成物であるブロックコポリマーを溶剤に溶解して溶液を調製しておく。なお、ミクロ相分離構造形成組成物については、後述する。得られた溶液を透明基板１１の両面にスピンコート法により塗布した後、プリベークして溶剤を気化することによって、図２（ａ）に示すようにマスク材料となるポリマー層１６を形成する。続いて、窒素雰囲気中でアニールを行なって、ブロックコポリマーの相分離を生じさせる。
【００３８】
次いで、ブロックコポリマーが相分離したマスク材料層１６をエッチングガス流通下でリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）する。このとき、ブロックコポリマーを構成している複数のポリマーフラグメントのエッチング速度差によって、いずれかのポリマーフラグメントの相が選択的にエッチングされる。その結果、図２（ｂ）に示すように、残部のポリマーフラグメントからなるパターン（マスク層）１６ａが形成される。
【００３９】
さらに、ポリマーフラグメントのパターン１６ａをマスクとして用いて、フッ素系のエッチングガスにより透明基板１１をＲＩＥすることにより、透明基板１１の表面には微細な凹凸パターンが形成される。ポリマーフラグメントパターン１６ａをＯ₂アッシャーにより除去することによって、図２（ｃ）に示すように、微細な凹凸が表面に形成された透明基板１１ａが得られる。
【００４０】
あるいは、微細な凹凸を有する透明基板１１ａは、インプリントにより製造することができる。
【００４１】
図３は、本発明の他の実施形態にかかる表示装置用透明基板の製造方法を表わす工程断面図である。
【００４２】
まず、ミクロ相分離構造形成組成物であるブロックコポリマーを溶剤に溶解して溶液を調製しておく。この溶液をインプリントの原盤となるインプリント用基板１８上にスピンコート法により塗布した後、プリベークして溶剤を気化することによって、図３（ａ）に示すようにマスク材料層１６を形成する。インプリント用基板１８としては、例えば、ニッケル、シリコン等を用いることができる。続いて、窒素雰囲気中でアニールを行なって、ブロックコポリマーの相分離を生じさせる。
【００４３】
次いで、ブロックコポリマーが相分離したマスク材料層１６を、エッチングガス流通下でＲＩＥする。このとき、ブロックコポリマーを構成している複数のポリマーフラグメントのエッチング速度差によって、いずれかのポリマーフラグメントの相が選択的にエッチングされる。その結果、図３（ｂ）に示すように、残部のポリマーフラグメントからなるパターン１６ａが形成される。
【００４４】
その後、ポリマーフラグメントのパターン１６ａをマスクとして用いて、フッ素系のエッチングガスによりインプリント用基板１８をＲＩＥすると、インプリント用基板１８の表面には微細な凹凸パターンが形成される。ポリマーフラグメントパターン１６ａをＯ₂アッシャーにより除去することによって、図３（ｃ）に示すように凹凸が形成されたインプリント用原盤１８ａが得られる。
【００４５】
一方、図３（ｄ）に示すように、透明基板１１の両面にポリマーを塗布し、プリベークして溶剤を気化することによりポリマー膜１９を形成する。ここでのポリマーとしては、例えば、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等を用いることができる。また、ポリマー膜１９の膜厚は材料の屈折率等に応じて適宜決定することができるが、２００〜５００ｎｍ程度とすればよい。
【００４６】
前述のインプリント用基板１８ａを、図３（ｅ）に示すようにポリマー膜１９に原盤を押し付ける。このときの条件は、ポリマーのガラス転移温度よりも５０℃以上の高い温度とし、真空中もしくは常圧窒素雰囲気下において数１０ＭＰａの圧力とする。これによって、ポリマー膜１９には、インプリント用基板１８ａ表面の微細な凹凸が転写される。
【００４７】
その凹凸をマスクとして用いて透明基板１１をフッ素系のエッチングガスによりＲＩＥすると、ガラス表面に微細な凹凸パターンが形成される。残ったポリマー膜１９をＯ₂アッシャーにより除去することによって、図３（ｆ）に示すように、両面に微細な凹凸が形成された透明基板１１ａが得られる。
【００４８】
また、以下のようなパターントランスファー技術を採用すれば、アスペクト比の高い凸部を有する凹凸を透明基板１１ａ表面に形成することができる。
【００４９】
図４は、本発明の他の実施形態にかかる表示装置用透明基板の製造方法を表わす工程断面図である。
【００５０】
まず、図４（ａ）に示すように、透明基板１１上に、レジスト膜１７およびＳＯＧ（スピンオングラス）膜２０を介してマスク材料層１６を形成する。レジスト膜１７は、パターントランスファー層として機能する。
【００５１】
パターントランスファー層は、マスク材料層１６の下方に設けられ、マスク材料層１６に形成されたパターンが転写される層である。マスク材料層１６のポリマーのうちエッチング耐性の弱い相がエッチングされた後、それに引き続きパターントランスファー層がエッチングされる。パターントランスファー層は、マスク材料層のうちエッチング耐性の高い相がエッチングされる前にエッチングが完了するように、その厚みおよびエッチング速度を形成することが望まれる。例えば、パターントランスファー層は、マスク材料層となるブロックコポリマーのうちドライエッチング速度が速いポリマーと比較して、ドライエッチング速度が０．１以上であることが好ましく、さらには１以上、より好ましくは２以上であることが望ましい。
【００５２】
パターントランスファー層は、例えばポリシランを用いて形成することができる。ポリシランとしては、例えば、ポリ（メチルフェニルシラン）、ポリ（ジフェニルシラン）、ポリ（メチルクロロメチルフェニルシラン）などが挙げられる。また、ポリシランは、ホモポリマーでもコポリマーでもよく、２種以上のポリシランが酸素原子、窒素原子、脂肪族基、芳香族基を介して互いに結合した構造を有するものでもよい。ポリシランと炭素系ポリマーとを共重合させた有機ケイ素ポリマーを用いることもできる。
【００５３】
ポリシランの分子量は特に限定されないが、Ｍｗ＝２０００〜１００００００、さらにＭｗ＝３０００〜１０００００の範囲のものが好ましい。分子量が小さすぎるとポリシラン膜の塗布性やエッチング耐性が悪化する。また、上層にＳＯＧ膜を形成する際に再溶解して、ＳＯＧ膜とパターントランスファー膜であるポリシラン膜とがミキシングを起こすおそれがある。一方、分子量が高すぎると、ポリシランの塗布溶媒への溶解性が低下してしまう。
【００５４】
なお、ポリシランは酸化されやすく、エッチング特性が変化しやすいため、酸化防止剤または光劣化防止剤を添加することが好ましい。これらの添加量は特に限定されないが、０．０１〜１０ｗｔ％、さらに０．０５〜２ｗｔ％であることが好ましい。添加量が少なすぎると添加効果が得られず、添加量が多すぎるとポリシランのエッチング耐性が悪化するおそれがある。
【００５５】
すでに説明したような手法により、マスク材料層１６中のブロックコポリマーに相分離を生じさせた後、ドライもしくはウエットでエッチングを行なう。こうしてブロックコポリマーの１つの相のみを選択的に除去して、図４（ｂ）に示すように残部のポリマーフラグメントからなるパターン１６ａを形成する。このポリマーフラグメントパターン１６ａをマスクとして用いて、ＳＯＧ層２０をエッチングすることにより、ＳＯＧパターン２０ａが形成される。
【００５６】
さらに、ＳＯＧパターン２０ａをマスクとして用いてパターントランスファー層１７をエッチングすることによって、図４（ｃ）に示すようにパターン１７ａが形成される。こうして、ブロックコポリマーのミクロ相分離パターンを、パターントランスファー層１７に転写することが可能である。
【００５７】
ＳＯＧパターン２０ａおよびパターン化されたパターントランスファー層１７ａをマスクとして用いて、透明基板１１をエッチングする。その結果、図４（ｄ）に示すようにアスペクト比が高い凸部を有する凹凸が形成された透明基板１１ａを得ることができる。
【００５８】
微細な凹凸が表面に形成された透明基板１１ａの上に、蒸着法またはスパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を堆積して陽極１２を形成する。さらに、正孔注入層１３、発光層１４および陰極１５を、蒸着、スパッタもしくは塗布法により形成することによって、図１に示した有機ＥＬ素子が得られる。必要に応じて、所定の層に電子注入層を形成してもよい。
【００５９】
電子注入層、正孔注入層、および発光層といった層は、例えばスピンコート法やキャスト法により形成してもよい。この場合は、有機材料または無機材料を揮発性の溶媒に溶解して原料溶液を調製し、陽極が形成された透明基板を必要に応じて回転させつつ、原料溶液を塗布して塗膜を形成した後、溶媒を蒸発させることによって薄膜が得られる。
【００６０】
いずれの手法により成膜した場合でも、各層を形成する際には、透明基板表面の微細な凹凸が履歴されることになるので、自己的に各界面での微細な凹凸形状が得られる。積層構造における界面に微細な凹凸が形成されているので、界面での反射を減少させることができ透過率を向上させることができる。しかも、表示側最表面にも同様の凹凸が存在することから、反射防止という効果も得られる。
【００６１】
次に、液晶表示装置（ＬＣＤ）について説明する。
【００６２】
図５は、本発明の他の実施形態にかかる表示素子であるＬＣＤの構成を表わす断面図である。
【００６３】
図示するＬＣＤ２１においては、液晶層３１が、ポリイミド膜３２を介してＴＦＴ基板２５とカラーフィルター基板３０とにより挟持されている。ＴＦＴ基板２５は、駆動素子（ＴＦＴ）２３および透明電極（ＩＴＯ）２４が形成されたガラス基板２２を有し、カラーフィルター基板３０は、カラーフィルター２７およびブラックマトリックス（ＢＭ）２６、保護膜２８およびＩＴＯ膜２９が順次形成されたガラス基板２２ａを有する。
【００６４】
ガラス基板２２および２２ａの表面には、接着層３３を介して偏光板３４が形成されている。
【００６５】
カラーフィルター基板３０においては、透明基板２２ａとＢＭ２６との界面に微細な凹凸が形成されている。さらに、最外表面の偏光板３４にも、同様の凹凸が形成されている。
【００６６】
表面に微細な凹凸を有する透明基板２２ａは、すでに説明したような方法により製造することができる。また、微細な凹凸を有する偏光板は、偏光子用の保護フィルムに同様の手法により凹凸を形成し、これを偏光子に貼り合わせることによって、製造することができる。
【００６７】
図６には、本発明の実施形態にかかるＬＣＤの製造方法の一例を表わす断面図を示す。
【００６８】
すでに説明したような手法により、表面に微細な凹凸が形成された透明基板２２ａを準備しておく。この透明基板２２ａ上に、図６（ａ）に示すように、Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＯ_x、Ｍｏ、あるいはＭｏ／ＭｏＯ_xを、マスク蒸着法またはリフトオフ法により成膜して、ＢＭ層２６をする。透明基板２２ａの表面に形成された微細な凹凸を履歴しながらＢＭ層２６が形成されることから、自己的に透明基板２２ａ・ＢＭ２６間での微細な凹凸形状が得られる。透明基板２２ａとＢＭ２６との界面に形成された凹凸は、反射率を低減するために作用する。
【００６９】
その後、三原色であるＲｅｄ、Ｇｒｅｅｎ、Ｂｌｕｅ（以下ＲＧＢ）用の顔料を塗布し、フォトマスクによるパターニングを行なって、カラーフィルター２７を形成する。図６（ｂ）に示すように、カラーフィルター２７上には保護膜２８を形成し、透明基板２２ａの対向する側には、上述したように準備された偏光板３４を、接着層３３を介して貼り付ける。最外層である偏光板３４の表面に形成された凹凸により、透過率を高めるとともに反射率をよりいっそう低減することができる。
【００７０】
さらに、保護膜２８上にＩＴＯ電極２９を形成することによって、カラーフィルター基板３０が得られる。
【００７１】
こうして作製されたカラーフィルター基板３０と、駆動素子および透明電極が形成されたＴＦＴ基板２５とによって液晶層３１を挟持することによって、図５に示したＬＣＤが完成する。
【００７２】
次に、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）について説明する。
【００７３】
図７は、本発明の他の実施形態にかかる表示素子であるＰＤＰの構成を表わす断面図である。
【００７４】
図示するＰＤＰ３６においては、保護膜３９ａ，３９ｂを介して一対の電極３８ａ，３８ｂに挟持された放電セル４０が、ガラス基板からなる透明支持基板３７上に配置されている。放電セル４０は、障壁４１および蛍光体４２を含み、電極３８ｂ上には、ガラス基板からなる表示側透明基板４３が設けられる。
【００７５】
表示側透明基板４３の両面には、すでに説明したような微細な凹凸が形成されている。微細な凹凸を有する表示側透明基板４３は、すでに説明したような方法により製造することができる。
【００７６】
こうした表示側透明基板４３上には、表示電極、バス電極を印刷やスッパタリング、露光を施して形成する。さらにその上に、ＭｇＯ層を蒸着法やスパッタリング法により形成することによって、自己的に界面での凹凸形成することにより図７に示すＰＤＰが得られる。積層構造における界面に微細な凹凸が形成されているので、界面での反射を減少させることができ透過率を向上させることができる。しかも、表示側透明基板４３の表面にも同様の凹凸が存在することから、反射防止という効果も得られる。
【００７７】
次に、ミクロ相分離構造形成組成物について詳細に説明する。
【００７８】
上述したように、本発明の実施形態にかかる方法においては、ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの薄膜を形成してミクロ相分離（ブロックコポリマーの分子内での相分離）させた後、１つのポリマー相を選択的に除去し、これによりナノメートルサイズのパターンを有する多孔質膜を形成する。得られた多孔質膜は下地をエッチングしてパターンを転写するためのマスクとして用いることができる。
【００７９】
ミクロ相分離構造から１つのポリマー相を選択的に除去するには、２つのポリマー相の間での、ドライエッチング速度の差、エネルギー線に対する分解性の差、または熱分解性の差を利用する。いずれの方法を用いた場合でも、リソグラフィー技術を用いる必要がないので、スループットが高く、コストを低減することができる。
【００８０】
まず、ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーについて説明する。ブロックコポリマーとは、複数のホモポリマー鎖がブロックとして結合した直鎖コポリマーをさす。ブロックコポリマーとしては、例えば、繰り返し単位Ａを有するＡポリマー鎖と繰り返し単位Ｂを有するＢポリマー鎖とが末端同士で結合した、−（ＡＡ・・ＡＡ）−（ＢＢ・・ＢＢ）−という構造のＡ−Ｂ型ジブロックコポリマーが挙げられる。
【００８１】
３種以上のポリマー鎖が結合したブロックコポリマーを用いることもできる。トリブロックコポリマーの場合、Ａ−Ｂ−Ａ型、Ｂ−Ａ−Ｂ型、Ａ−Ｂ−Ｃ型のいずれでもよい。１種または複数種のポリマー鎖が中心から放射状に延びたスター型のブロックコポリマーを用いることもできる。またさらに、ブロックが４つ以上の（Ａ−Ｂ）ｎ型または（Ａ−Ｂ−Ａ）ｎ型などのブロックコポリマーを用いてもよい。
【００８２】
一方、グラフトコポリマーは、あるポリマーの主鎖に、他のポリマー鎖が側鎖としてぶら下がった構造を有する。グラフトコポリマーでは、側鎖に数種類のポリマーをぶら下げることができる。また、Ａ−Ｂ型、Ａ−Ｂ−Ａ型、Ｂ−Ａ−Ｂ型などのブロックコポリマーにＣポリマー鎖がぶら下がったようなブロックコポリマーとグラフトコポリマーとの組み合わせでもよい。
【００８３】
ブロックコポリマーは、グラフトコポリマーと比較して、分子量分布の狭いポリマーを得やすく、組成比も制御しやすいので好ましい。以下においてはブロックコポリマーを例に挙げて説明するが、ブロックコポリマーに関する記載はそのままグラフトコポリマーにも適用することができる。
【００８４】
ブロックコポリマーやグラフトコポリマーは、種々の重合法で合成可能であるが、最も好ましい方法はリビング重合法である。リビングアニオン重合法またはリビングカチオン重合法では、１種のモノマーをアニオンまたはカチオンを生成する重合開始剤により重合を開始させ、他のモノマーを逐次的に添加することによりブロックコポリマーを合成することができる。モノマーとしては、例えばビニル化合物やブタジエンなどの二重結合を有するモノマー、エチレンオキシドなどの環状エーテルモノマー、または環状オリゴシロキサンモノマーなどが用いられる。
【００８５】
リビングラジカル重合法により、ブロックコポリマーやグラフトコポリマーを合成することもできる。リビング重合法では、分子量やコポリマー比を精密に制御することができ、分子量分布の狭いブロックコポリマーが得られる。リビング重合法を用いる際には、溶媒を金属ナトリウムなどの乾燥剤で十分乾燥し、凍結乾燥や不活性ガスなどのバブリングなどの方法により酸素の混入を防止することが好ましい。
【００８６】
重合反応は、不活性ガス気流下において、好ましくは２気圧以上の加圧条件下で行なうことが好ましい。加圧条件下での重合は、反応容器外からの水分や酸素などの混入を効果的に防止することができ、しかも比較的低コストで反応プロセスを実施できるので好ましい。
【００８７】
ポリマー鎖同士を接続する化学的な結合は、結合強度の面から共有結合が好ましく、特に炭素−炭素結合または炭素−ケイ素結合であることがより好ましい。
【００８８】
ブロックコポリマーやグラフトコポリマーの合成は、一般的なラジカル重合法に比べて装置やスキルが必要なため、主に研究室レベルで用いられている。コスト面から、現在のところ工業的な応用はごく限られている。しかしながら、電子産業のように付加価値の高い製品を製造する分野では、ブロックコポリマーやグラフトコポリマーを用いても十分な費用対効果が得られる。
【００８９】
フローリー−ハギンス（Ｆｌｏｒｙ−Ｈａｇｇｉｎｓ）の理論によれば、一般的にＡポリマーおよびＢポリマーが相分離するためには、混合の自由エネルギーΔＧが正にならなければならない。ＡポリマーとＢポリマーとが相溶しにくく、２つのポリマー鎖の斥力が強い場合には、相分離を起こしやすい。また、ブロックコポリマーの重合度が大きいほどミクロ相分離を起こしやすので、分子量には下限値がある。
【００９０】
ただし、相分離構造を形成する各相のポリマーは、必ずしも相互に非相溶である必要はない。これらのポリマーの前駆体ポリマーが相互に非相溶であれば、ミクロ相分離構造を形成することが可能である。前駆体ポリマーを用いて相分離構造を形成した後、加熱、光照射、あるいは触媒添加などにより反応させて、目的のポリマーに変換することができる。この際、反応条件を適切に選択すれば、前駆体ポリマーによって形成された相分離構造が破壊されることはない。
【００９１】
ＡポリマーおよびＢポリマーの組成比が５０：５０のときに、最も相分離が起こりやすい。これは、最も形成しやすいミクロ相分離構造がラメラ構造であることを意味する。逆に、一方のポリマーの組成を非常に高くして、他方のポリマーからなる小さい島を含む海島構造を形成することは困難な場合がある。したがって、所望のミクロ相分離構造を得るためには、ブロックコポリマーの分子量が重要な要因となる。
【００９２】
ナノメートルサイズの凹凸構造の大きさをパターニングするために、本発明の実施形態にかかる方法においては、通常のブロックポリマーより大きな分子量のものが用いられる。このため必要な分子量は、数平均分子量が１０万以上１０００万以下である。分子量が１０万未満の場合には、必要とされる大きさに十分達しない。一方、１０００万より大きいと粘度などが非常に高く、自己組織的に構造を形成することが不可能になる。このため所望のパターンを得ることができない。
【００９３】
本発明の実施形態にかかる方法において、自己組織化パターンを得た後、エッチングを用いて基板が加工される。自己組織化パターンは基板に対して水平方向の大きさより、垂直方向が大きいパターンを得るのは困難である。このため、分子量が小さく自己組織化構造が小さいと、それに依存してポリマー膜の膜厚が薄くなってしまう。このため、自己組織化できるパターンが小さい場合には、薄いエッチングマスクを用いる必要があり、エッチング工程に困難が生じる。このため、分子量は４０万より大きい方が、エッチングが容易になる。また、用いられるポリマーは一般的にリビングアニオン重合法により合成されることから、水および酸素を非常に嫌う。しかしながら、通常、モノマーには水や酸素が多少含まれていて、これを完全に除去するのは極めて困難である。このため、分子量３００万以上のポリマーの重合は非常に困難であるとされる。また、分子量３００万を越えると、ポリマーを溶液にしたときの粘度が非常に高く、溶媒の濃度を十分に高めることができない。このため、塗布、乾燥時に塗りむらが現れることがある。
【００９４】
現実には、ブロックコポリマーの分子量を厳密に制御して重合することは非常に困難である。そこで、合成されたブロックコポリマーの分子量を測定し、所望の組成比となるように一方のホモポリマーをブレンドして組成比を調整してもよい。ホモポリマーの添加量は、ブロックコポリマー１００重量部に対して、１００重量部以下、好ましくは５０重量部以下、より好ましくは１０重量部以下に設定する。ホモポリマーの添加量が多すぎると、ミクロ相分離構造を乱すおそれがある。
【００９５】
また、ブロックコポリマーを構成する２種のポリマーの溶解度の差が大きすぎる場合には、Ａ−ＢブロックコポリマーとＡホモポリマーとの間で相分離が生じるおそれがある。この相分離を極力避けるためには、Ａホモポリマーの分子量を下げることが好ましい。分子量の小さいＡホモポリマーをブレンドすると、フローリー−ハギンスの式におけるエントロピー項の負の値が大きくなり、Ａ−ＢブロックコポリマーとＡホモポリマーとが混合しやすくなるためである。また、Ａホモポリマーの分子量は、ブロックコポリマー中のＡブロックの分子量より小さい方が熱力学的には安定である。熱力学的安定性を考えると、Ａホモポリマーの分子量は、Ａ−Ｂブロックコポリマーを構成するＡポリマーの分子量の２／３より小さいことがより好ましい。一方、Ａホモポリマーの分子量が１０００を下回るとＡ−ＢブロックコポリマーのＢポリマーにも溶解するおそれがあるため好ましくない。また、ガラス転移温度を考慮するとＡホモポリマーの分子量は、３０００以上であることがより好ましい。
【００９６】
以下、本発明の実施形態において用いられるミクロ相分離構造形成組成物の例を説明する。ミクロ相分離構造形成組成物は、ドライエッチング速度の差が大きい２種以上のポリマー鎖を含むブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを含有する。用いられるコポリマーは、モノマー単位のＮ／（Ｎｃ−Ｎｏ）の値（ここで、Ｎはモノマー単位の総原子数、Ｎｃはモノマー単位の炭素原子数、Ｎｏはモノマー単位の酸素原子数）の比が１．４以上である２つのポリマー鎖を有する。２つのポリマー鎖についてＮ／（Ｎｃ−Ｎｏ）の値の比が１．４以上であることは、ミクロ相分離構造を形成する各ポリマー鎖のエッチング選択比が大きいことを意味する。すなわち、上述した要件を満たすミクロ相分離構造形成組成物をミクロ相分離させた後にドライエッチングすると、１つのポリマー相が選択的にエッチングされ、他のポリマー相が残る。
【００９７】
以下、Ｎ／（Ｎｃ−Ｎｏ）というパラメーターについて、より詳細に説明する。Ｎはポリマーのセグメント（モノマー単位に相当）当たりの原子の総数、Ｎｃは炭素原子数、Ｎｏは酸素原子数である。このパラメーターは、ポリマーのドライエッチング耐性を示す指標であり、この値が大きいほどドライエッチングによるエッチング速度が大きくなる（ドライエッチング耐性が低下する）。つまり、エッチング速度Ｖｅｔｃｈと上記パラメーターとの間には、
Ｖｅｔｃｈ∝Ｎ／（Ｎｃ−Ｎｏ）
という関係がある。この傾向は、Ａｒ、Ｏ₂、ＣＦ₄、Ｈ₂などの各種エッチングガスの種類にほとんど依存しない（Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１３０，１４３（１９８３））。エッチングガスとしては、上記の文献に記載されているＡｒ、Ｏ₂、ＣＦ₄、Ｈ₂のほかにも、Ｃ₂Ｆ₆、ＣＨＦ₃、ＣＨ₂Ｆ₂、ＣＦ₃Ｂｒ、Ｎ₂、ＮＦ₃、Ｃｌ₂、ＣＣｌ₄、ＨＢｒ、ＳＦ₆などを用いることができる。なお、このパラメーターと、シリコン、ガラス、金属などの無機物のエッチングとは無関係である。
【００９８】
具体的なパラメーター値を計算すると、ポリスチレン（ＰＳ）のモノマー単位はＣ₈Ｈ₈であるから１６／（８−０）＝２である。ポリイソプレン（ＰＩ）のモノマー単位はＣ₅Ｈ₈であるから１３／（５−０）＝２．６である。ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）のモノマー単位はＣ₅Ｏ₂Ｈ₈であるから１５／（５−２）＝５である。したがって、ＰＳ−ＰＭＭＡのブロックコポリマーでは、ＰＳのエッチング耐性が高く、ＰＭＭＡのみがエッチングされやすいことが予想できる。例えば、ＣＦ₄を３０ｓｃｃｍの流量で流し、圧力を１．３３Ｐａ（０．０１Ｔｏｒｒ）に設定し、進行波１５０Ｗ、反射波３０Ｗ、の条件でリアクティブイオンエッチング（ＲＩＥ）を行なうと、ＰＭＭＡはＰＳに対して数倍程度のエッチング速度を示すことが確認されている。
【００９９】
一般に芳香環が含まれていると２重結合を含むため相対的に炭素の比率が高くなるため、上記のパラメーターの値が小さくなる。上記のパラメーターからわかるように、ポリマー中の炭素が多い（上記パラメーター値が小さい）ほどドライエッチング耐性は向上し、酸素が多い（上記パラメーター値が大きい）ほどドライエッチング耐性は低下する。このことは、定性的には以下のように説明できる。炭素はラジカルに対する反応性が小さく、化学的に安定である。このため、ポリマー中の炭素が多いと各種ラジカルが攻撃してきても反応しにくいため、エッチング耐性が向上する。これに対し、酸素はラジカルに対する反応性が高いため、ポリマー中の酸素が多いとエッチング速度が速くエッチング耐性が低い。さらにポリマー中に酸素が含まれると酸素ラジカルが発生しやすいため、例えばＣＦ₄などのフッ素系のエッチングガスを用いると、酸素ラジカルの作用によりＦラジカルが増殖してエッチングに関与するラジカルが増加するためエッチング速度が増加する。アクリル系ポリマーは酸素含有率が高く、また２重結合が少ないため、上記パラメーターの値が大きくなり、エッチングされやすくなる。
【０１００】
上述したように、本発明のミクロパターン形成材料を構成するＡポリマーおよびＢポリマーのＮ／（Ｎｃ−Ｎｏ）パラメーターの比が１．４以上であれば、エッチングにより明確なパターンが形成される。この比が１．５以上、さらに２以上であれば、２種のポリマーでエッチング速度に大きな差が生じるため、加工時の安定性が向上する。また、実際にドライエッチングしたときの２種のポリマーのエッチング選択比は１．３以上、さらに２以上、さらに３以上であることが好ましい。
【０１０１】
エッチング選択比を向上させるためには、例えばＯ₂などをエッチングガスとして用いる場合、エッチング耐性の高いポリマーとして含けい素ポリマーを用い、エッチング耐性の低いポリマーとしてハロゲン含有ポリマーを用いることが特に好ましい。含けい素ポリマーとしてはポリ（ｐ−トリメチルシリルスチレン）など、ハロゲン含有ポリマーとしてはポリ（クロロエチルメタクリレート）などのハロゲン含有アクリル系ポリマーが好適である。
【０１０２】
上述したミクロ相構造形成組成物を含有する薄膜を形成するには、ガラス表面に上記樹脂組成物の均一溶液を塗布することが好ましい。均一溶液を用いることによって、製膜時の履歴が残るのを防ぐことができる。溶液中に比較的大きな粒子径のミセルなどが生成して塗布液が不均一である場合には、不規則な相分離構造が混入して規則的なパターン形成が困難となったり、規則的なパターンを形成するのに時間がかかるため好ましくない。
【０１０３】
本発明のミクロ相構造形成性樹脂組成物であるブロックコポリマーを溶解する溶媒は、ブロックコポリマーを構成する２種のポリマーに対して良溶媒であることが望ましい。ポリマー鎖同士の斥力は、２種のポリマー鎖の溶解度パラメーターの差の２乗に比例する。そこで、２種のポリマーに対する良溶媒を用いれば、２種のポリマー鎖の溶解度パラメーターの差が小さくなり、系の自由エネルギーが小さくなって相分離に有利になる。
【０１０４】
ブロックコポリマーの薄膜を作製する場合には、均一溶液を調製できるように、１５０℃以上の例えば、エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、エチルラクテート（ＥＬ）などの高沸点を有する溶媒を用いることが好ましい。
【０１０５】
形成したミクロ相分離構造形成組成物薄膜の膜厚は、狙いとする表面凹凸の回転半径の２倍ないし３倍の範囲が好ましい。この膜厚がこの範囲をはずれた場合、所望の平均半径を有する凹凸構造を得ることが困難となる。
【０１０６】
ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーのミクロ相分離構造は、以下のような方法により作製できる。例えば、ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを適当な溶媒に溶解して塗布溶液を調製し、この塗布溶液を基板上に塗布し乾燥して膜を形成する。この膜をポリマーのガラス転移温度以上の温度でアニールすることによって、良好な相分離構造を形成することができる。コポリマーを溶融状態にし、ガラス転移温度以上相転移温度以下の温度でアニールしてミクロ相分離させた後、室温でミクロ相分離構造を固定してもよい。コポリマーの溶液をゆっくりとキャストさせることでミクロ相分離構造を形成することもできる。コポリマーを溶融し、ホットプレス法、射出成形法、トランスファー成形法などの方法によって、所望の形状に成形した後、アニールしてミクロ相分離構造を形成することもできる。
【０１０７】
あるいは、以下のような手法を採用してミクロ相分離構造を形成することもできる。
【０１０８】
まず、２種類以上の互いに非相溶なポリマーを適当な溶媒に溶解し、塗布用溶液を調製する。この塗布用溶液を基板上に塗布して乾燥することにより、多成分多相系ポリマー薄膜を形成する。塗布法としては、スピンコーティング法、ディップコーティング法またはキャスト法などの方法を用いることができる。
【０１０９】
ブレンドポリマーを溶融し、これを基板上に塗布した後に冷却して相分離構造を形成することもできる。複数のポリマーを溶融し、ホットプレス法、射出成形法、トランスファー成形法などの方法によって、所望の形状に成形してもよい。成膜または成形後、ポリマー材料のガラス転移点以上の温度に保持してアニールすることによって、より良好な相分離構造を形成することができる。
【０１１０】
塗布成膜過程において、塗布用溶液にドーパントなどの添加剤を混合してもよい。このような添加剤としては、互いに相分離するポリマーの一方と特異的に親和性が高いものを用いることが好ましい。この場合、相分離構造が形成される際に、親和性のよい相のみにドーパントを容易に偏在させることができる。
【０１１１】
添加剤としては、例えばＣｒ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｌｉ、Ｌｕ、Ｒｈ、Ｐｂ、Ｐｔ、Ａｕなどの金属元素が挙げられる。これらの金属元素は、磁気記録媒体の磁性膜の成長核や、電池の電極材料として利用できる。還元により上記のような金属元素を生成する添加剤を用いてもよい。このような添加剤としては、リチウム２，４−ペンタンジオネート、リチウムテトラメチルヘプタンジオネート、ルテニウム２，４−ペンタンジオネート、マグネシウム２，４−ペンタンジオネート、マグネシウムヘキサフルオロペンタンジオネート、マグネシウムトリフルオロペンタンジオネート、マンガン（II）２，４−ペンタンジオネート、モリブデン（Ｖ）エトキシド、モリブデン（VI）オキシドビス（２，４−ぺンタンジオネート）、ネオジウム６，６，７，７，８，８，８−ヘプタンフルオロ−２，２−ジメチル−３，５−オクタンジオネート、ネオジウムヘキサフルオロペンタンジオネート、ネオジウム（III）２，４−ペンタンジオネート、ニッケル（II）２，４−ペンタンジオネート、ニオブ（Ｖ）ｎ−ブトキシド、ニオブ（Ｖ）ｎ−エトキシド、パラジウムヘキサフルオロペンタンジオネート、パラジウム２，４−ペンタンジオネート、白金ヘキサフルオロペンタンジオネート、白金２，４−ペンタンジオネート、ロジウムトリフルオロペンタンジオネート、ルテニウム（III）２，４−ペンタンジオネート、テトラブチルアンモニウム・ヘキサクロロプラチネート（IV）、テトラブロモ金（III）セチルピリジニウウム塩などが挙げられる。
【０１１２】
添加物として加える金属は、イオンであってもよいし、表面処理によって一方の相に対する親和性を特異的に高めた数ｎｍ〜数十ｎｍ程度の超微粒子であってもよい。例えば、表面がＡポリマーで被覆された金属微粒子はＡポリマー相に偏析し、表面がＢポリマーで被覆された金属微粒子はＢポリマー相に偏析する。この場合、表面処理された金属微粒子は、ブレンドポリマーの相分離構造を構成する各相のうち高い親和性を示す相のほぼ中央部に析出する。表面がＡ−Ｂブロックコポリマーで被覆された金属微粒子は、Ａポリマー相とＢポリマー相との界面に析出する。このような方法を用いると、同じ金属元素でも異なる相に意図的に析出させることができる。塗布溶液にこのような超微粒子を添加した場合にも、上記と同様な塗布操作によって、超微粒子を親和性のよい相のみに偏在させることができる。
【０１１３】
添加剤を単に混合するのではなく、ポリマーの側鎖または主鎖に化学的に結合させてもよい。この場合、特定の相を形成するポリマーのみを機能性分子構造で修飾することによって、添加剤を特定の相に容易に偏在させることができる。また、ポリマーの主鎖または側鎖に特定の添加剤と結合しやすい構造を導入し、相分離構造を形成する前または後に添加剤の蒸気または溶液に接触させることによって、ポリマーに添加剤を導入してもよい。たとえば、ポリマー中にキレート構造を導入すれば金属イオンなどを添加することができる。キレート構造は主鎖に導入してもよいし、ポリアクリル酸エステルのエステル部位などに置換基として導入してもよい。ポリマー中にピリジニウム塩構造などイオン交換能を有する構造を導入すれば、対イオン交換によって金属イオンなどを添加できる。
【０１１４】
本発明のミクロパターン形成材料に可塑剤を添加すると、短時間のアニールでミクロ相分離構造を形成することができる。可塑剤の添加量は特に限定されないが、ブレンドポリマーに対して、１〜７０重量％、好ましくは１〜２０重量％、さらに好ましくは２〜１０重量％である。添加量が少なすぎると、相分離構造形成の加速効果が十分に得られないし、多すぎると相分離構造の規則性が乱されやすくなる。
【０１１５】
可塑剤としては芳香族エステルや脂肪酸エステルなどが用いられる。具体的には、フタル酸エステル系可塑剤、例えばジメチルフタレート、ジブチルフタレート、ジ−２−エチルヘキシルフタレート、ジオクチルフタレート、ジイソノニルフタレートなど；トリメリット酸系可塑剤、例えばオクチルトリメリテートなど；ピロメリット酸系可塑剤、例えばオクチルピロメリテートなど；アジピン酸系可塑剤、例えばアジピン酸ジブトキシエチル、アジピン酸ジメトキシエチル、アジピン酸ジブチルジグリコール、アジピン酸ジアルキレングリコールなどが用いられる。
【０１１６】
上述したように、本発明においてブレンドポリマーを相分離させる際には、ガラス転移点温度以上でアニールすることが好ましい。ところが、この加熱処理を酸素などを含有する雰囲気下で行なうと、ポリマーが酸化反応などによって変性および劣化し、良好なミクロ相分離構造を形成できなかったり、加熱処理時間が長くなったり、所望のエッチング選択性が得られなくなる可能性がある。このようなポリマーの劣化を防止するには、加熱処理を無酸素条件下、好ましくは光劣化の起こりにくい暗所で行なうことが好ましい。しかしながら、無酸素条件下でのアニールは厳重な雰囲気制御を必要とするため、製造コストの増大を招きやすい。
【０１１７】
そこで、ブレンドポリマーに酸化防止剤または光劣化防止剤を添加することが好ましい。酸化防止剤または光劣化防止剤は特に限定はされないが、酸化反応または光劣化反応によって生じるラジカル種などをトラップするラジカルトラップ剤などが良好に用いられる。
【０１１８】
具体的には例えば３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシトルエンなどのフェノール系酸化防止剤、リン系酸化防止剤、スルフィド誘導体などの硫黄系酸化防止剤、ビス（２，２，６，６−テトラメチルピペリジニル−４）セバケートなどのピペリジン系化合物に代表されるＨＡＬＳ（Ｈｉｎｄｅｒｅｄ Ａｍｉｎｅ Ｌｉｇｈｔ Ｓｔａｂｉｌｉｚｅｒ）系光劣化防止剤、銅やニッケルなどの金属錯体系光劣化防止剤などが用いられる。
【０１１９】
酸化防止剤または光劣化防止剤の配合量は特に限定されないが、０．０１〜１０重量％、さらに０．０５〜１重量％、さらに０．１〜０．５重量％であることが好ましい。配合量が少なすぎると酸化防止効果または光劣化防止効果が十分でない。配合量が多すぎるとポリマーの相分離構造を撹乱するおそれがある。
【０１２０】
ポリマーに架橋剤を添加したり、架橋性基を導入することによって、相分離構造を形成した後にポリマーを相互に三次元的に架橋してもよい。このような架橋によって、相分離構造の熱的または機械的な強度をさらに向上させることができ、安定性を高めることができる。耐熱性などの耐久性を考慮すると、本来的には各相は非相溶であることが好ましいが、非相溶でない相から構成される相分離構造体であっても、相を形成するポリマーを相互に架橋することにより耐久性を改善できる。
【０１２１】
【実施例】
以下、本発明を実施例によりさらに説明する。屈折率勾配（グラジュエントインデックス）の効果を示すため、実施例１から９は有機ＥＬ素子、実施例１０から１４はＬＣＤ、実施例１４から１８はＰＤＰの表面または界面に微細な凹凸形状を形成し、輝度または反射率を評価した。
【０１２２】
実施例１から９までは屈折率勾配（グラジュエントインデックス）の効果を示すため、有機ＥＬ素子の表面にだけ微細な凹凸形状を形成して輝度を評価した。また、実施例１０では素子の最表面にだけでなく各層間にも微細な凹凸を形成して、輝度を評価した。
【０１２３】
（実施例１）
まず、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）とのブロックコポリマーを溶媒としてのプロピレングリコールモノメチルエーテルアセタート（ＰＧＭＥＡ）に溶解して、ポリマー溶液を調製した。用いたブロックコポリマーにおけるＰＳの分子量は１５４８００、ＰＭＭＡの分子量は３９２３００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．０８である。
【０１２４】
このポリマー溶液を、スピンコート法により回転数２５００ｒｐｍで平坦なガラス基板の表面に塗布して塗膜を得た。これを、１１０℃、９０秒でプリベークして溶剤を気化し、膜厚１００ｎｍのポリマー層を形成した。
【０１２５】
次に、窒素雰囲気中で、２１０℃４時間のアニールを行なって、ブロックコポリマーにおけるＰＳとＰＭＭＡとを相分離させた。さらに、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００Ｗの条件でＲＩＥを行なった。このとき、ＰＳとＰＭＭＡとのエッチング速度差によりＰＭＭＡが選択的にエッチングされて、ＰＳのパターンからなるマスク層が形成された。
【０１２６】
このマスク層を介して、同条件でさらに約６０ｓｅｃのＲＩＥを行なったところ、ガラス基板表面には微細なパターンが転写された。残ったＰＳパターンは、Ｏ₂アッシャーにより除去した。
【０１２７】
この結果、ガラス基板の表面には、凸部の直径が７０ｎｍ程度、高さが８０ｎｍ程度、円形度係数が０．８、面積占有率が０．４の微小な凹凸が形成された。
【０１２８】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の他方の面には、スパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を１５０ｎｍの膜厚で形成して、陽極を得た。陽極上には、正孔注入層としてのＮ，Ｎ‘−ｄｉｐｈｅｎｙｌ−Ｎ，Ｎ’−ｂｉｓ（３−ｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｙｌ）１−１‘ｂｉｐｈｅｎｙｌ−４，４’ｄｉａｍｉｎｅ（以下ＴＰＤ）を、蒸着法により１００ｎｍ形成した。さらに、その上に発光層であるＴｒｉｓ−（８−ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ）ａｌｕｍｉｎｕｍ（以下Ａｌｑ３）を蒸着法により１００ｎｍ形成した。
【０１２９】
最後に、Ｍｇ：Ａｇ（５％）電極を蒸着法により１５０ｎｍ形成して、本実施例の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５５０ｎｍであった。
【０１３０】
また、微細な凹凸を表面に有しないガラス基板を用いた以外は前述と同様の手法により、比較例の有機ＥＬ素子を作製した。実施例１の有機ＥＬ素子は、比較例のものと比較して、１０個平均で１０％の輝度向上が見られた。
【０１３１】
（実施例２）
実施例１と同様の手法により、平坦なガラス基板上にＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマーを含むポリマー膜を形成し、これを相分離させた。相分離したＰＳとＰＭＭＡとのエッチングは、Ｏ₂３０ｓｃｃｍ、圧力１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでのＲＩＥにより行なった。エッチングガスとしてＯ₂を用いた場合には、ＣＦ₄の場合とは異なって基板を削ることはできないが、ＰＭＭＡが選択的にエッチングされてＰＳのパターンからなるマスク層が形成された。
【０１３２】
このマスク層を介して、実施例１と同様のプロセスでガラス基板のエッチングを行なった。この結果、ガラス基板の表面には、凸部の直径が７０ｎｍ程度、高さが１００ｎｍ程度、円形度係数が０．８、面積占有率が０．４の微小な凹凸が形成された。
【０１３３】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の他方の面には、実施例１と同様の手法により陽極、正孔注入層、発光層、および陰極を形成して、実施例２の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５１０ｎｍであった。
【０１３４】
比較例の有機ＥＬ素子と比較したところ、実施例２は、１０個平均で１５％の輝度向上が見られた。
【０１３５】
（実施例３）
まず、ＰＳとＰＭＭＡとのブロックコポリマーを溶媒としてのＰＧＭＥＡに溶解して、ポリマー溶液を調製した。用いたブロックコポリマーにおけるＰＳの分子量は３１５０００、ＰＭＭＡの分子量は７８５０００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．０８である。
【０１３６】
このポリマー溶液を、スピンコート法により回転数３０００ｒｐｍで平坦なガラス基板の表面に塗布して塗膜を得た。これを、１１０℃、９０秒でプリベークして溶剤を気化し、膜厚１５０ｎｍのポリマー膜を形成した。
【０１３７】
次に、窒素雰囲気中で２１０℃４時間のアニールを行なって、ブロックコポリマーにおけるＰＳとＰＭＭＡとを相分離させることにより、直径１１０ｎｍ程度のＰＳのドットパターンを形成した。さらに、Ｏ₂３０ｓｃｃｍ、圧力１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００Ｗの条件でＲＩＥを行なった。ＰＳとＰＭＭＡとのエッチング速度比は１：４であることから、ＰＭＭＡが選択的にエッチングされて、ＰＳのパターンからなるマスク層が約１３０ｎｍの厚さで残った。
【０１３８】
このマスク層を介して、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００Ｗの２分間のＲＩＥを行なったところ、幅１００ｎｍ、高さ２００ｎｍのパターンが形成された。残ったＰＳパターンは、Ｏ₂アッシャーにより除去した。
【０１３９】
この結果、ガラス基板の表面には、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが２００ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４５の微細な凹凸が形成された。
【０１４０】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の他方の面には、実施例１と同様の手法により陽極、正孔注入層、発光層、および陰極を形成して、実施例３の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５１０ｎｍであった。
【０１４１】
比較例の有機ＥＬ素子と比較したところ、実施例２は、１０個平均で３０％の輝度向上が見られた。
【０１４２】
（実施例４）
実施例３と同様の手法により、平坦なガラス基板上にＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマーを含むポリマー膜を形成し、これを相分離させた。相分離したＰＳとＰＭＭＡとのエッチングは、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでのＲＩＥにより行なった。このとき、ＰＳとＰＭＭＡとのエッチング速度差によりＰＭＭＡが選択的にエッチングされて、ＰＳのパターンからなるマスク層が形成された。
【０１４３】
このマスク層を介して、実施例３と同様のプロセスでガラス基板のエッチングを行なった。この結果、ガラス基板の表面には、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが１６０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４の微小な凹凸が形成された。
【０１４４】
このプロセスでは、ＲＩＥのエッチングガスとしてＣＦ₄を用いたので、ＰＭＭＡの除去、およびガラス基板表面への凹凸の形成を一括して行なうことができた。
【０１４５】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の他方の面には、実施例１と同様の手法により陽極、正孔注入層、発光層、および陰極を形成して、実施例４の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５１０ｎｍであった。
【０１４６】
比較例の有機ＥＬ素子と比較したところ、実施例４は、１０個平均で２５％の輝度向上が見られた。
【０１４７】
（実施例５）
実施例３と同様の手法により、平坦なガラス基板上にＰＳのパターンからなる約１３０ｎｍの厚さのマスク層を形成した。
【０１４８】
このマスク層を介して、Ｃ₄Ｆ₈３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷのＲＩＥを２分間行なったところ、幅１００ｎｍ、高さ３００ｎｍのパターンが形成された。残ったＰＳパターンは、Ｏ₂アッシャーにより除去した。
【０１４９】
この結果、ガラス基板の表面には、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが３００ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４５である微細な凹凸が形成された。ＣＦ₄よりも多くのフッ素原子の含まれているＣ₄Ｆ₈を使用することによって、エッチングの際に大きな選択比を得ることができ、高さの大きい凹凸が形成された。
【０１５０】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の他方の面には、実施例１と同様の手法により陽極、正孔注入層、発光層、および陰極を形成して、実施例５の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５１０ｎｍであった。
【０１５１】
比較例の有機ＥＬ素子と比較したところ、実施例５は、１０個平均で５０％の輝度向上が見られた。
【０１５２】
（実施例６）
実施例１と同様の手法により、平坦なガラス基板上にＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマーを含むポリマー膜を形成し、これを相分離させた。次いで、出力２ＭｅＶの電子線を一括全面照射して、ＰＭＭＡの主鎖を切断した。現像液（メチルイソブチルケトン−イソプロピルアルコール混合溶液）で現像した後、イソプロピルアルコールによりリンスして、ＰＭＭＡだけを溶解除去しＰＳのパターンからなるマスク層を形成した。その後、フッ酸中でエッチングを行なった。
【０１５３】
この結果、ガラス基板の表面には、凸部の直径が８０ｎｍ、高さが８０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４の微細な凹凸が形成された。
【０１５４】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の他方の面には、実施例１と同様の手法により陽極、正孔注入層、発光層、および陰極を形成して、実施例６の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５１０ｎｍであった。
【０１５５】
比較例の有機ＥＬ素子と比較したところ、実施例６は、１０個平均で７％程度の輝度向上が見られた。実施例６により、ウエットプロセスでも可能であり、十分効果があることが示された。
【０１５６】
（実施例７）
まず、ポリスチレン（ＰＳ）−ポリイソプレン（ＰＩ）とのブロックコポリマーを、溶媒としてのＰＧＭＥＡに溶解して、ポリマー溶液を調製した。用いたブロックコポリマーにおけるＰＳの分子量は４５００００、ＰＩの分子量は１２３００００であり、Ｍｗ／Ｍｎは１．０７であった。
【０１５７】
このポリマー溶液を用いた以外は、前述の実施例３と同様の手法により、平坦なガラス基板上にＰＳ−ＰＭＭＡブロックコポリマーを含むポリマー膜を形成し、これを相分離させた。相分離したＰＳ−ＰＩブロックコポリマーのうち、ＰＩを選択的にオゾン酸化により除去して、ＰＳのパターンからなるマスク層を形成した。
【０１５８】
このマスク層を介して、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでＲＩＥを２分間行なうとパターンが形成された。残ったＰＳパターンは、Ｏ₂アッシャーにより除去した。
【０１５９】
この結果、ガラス基板の表面には、凸部の直径が１４０ｎｍ、高さが２２０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４５の微細な凹凸が形成された。
【０１６０】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の他方の面には、実施例１と同様の手法により陽極、正孔注入層、発光層、および陰極を形成して、実施例７の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５１０ｎｍであった。
【０１６１】
比較例の有機ＥＬ素子と比較したところ、実施例７は、１０個平均で４５％の輝度向上が見られた。
【０１６２】
ＰＩのモノマーが水を吸いにくいことから、本実施例で用いたブロックコポリマーは、重合時に高分子量のものがＰＭＭＡに比べ重合しやすい。このため、パターンを容易に大きくすることができる。
【０１６３】
ポリマー膜の膜厚は、ブロックコポリマーにより形成されるパターンの大きさとにしなければならない。このため、大きなパターンであれば、ガラス基板に転写するパターンの高さを高くすることができる。ＰＩの代わりにポリブタジエン（ＰＢ）を用いた場合も、ほぼ同様の構造が得られた。
【０１６４】
（実施例８）
インプリント用基板として、表面にＳｉＯ₂膜が表面に形成されたＳｉ基板を用意した。
【０１６５】
このインプリント用基板の上に、実施例３と同様の手法により、ＰＳのパターンからなる約１３０ｎｍの厚さのマスク層を形成した。
【０１６６】
このマスク層を介して、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷのＲＩＥを９０秒間行なったところ、パターンが形成された。残ったＰＳはＯ₂アッシャーにより除去した。
【０１６７】
この結果、凸部の直径が１００ｎｍ、高さが１５０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４５の円柱状凸部を有する凹凸が形成されたインプリント原盤が得られた。
【０１６８】
一方、有機ＥＬ素子用のガラス基板上にＰＭＭＡ（分子量１５０００）を塗布し、プリベークして２００ｎｍ厚のＰＭＭＡ膜を形成した。前述のインプリント原盤を、このＰＭＭＡ膜に対して１８０℃で真空中、１０ＭＰａの圧力で３０分間押し付けたところ、凸部の直径が１００ｎｍ、高さが１５０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．５５である円柱状の微細な凹凸からなるＰＭＭＡパターンが形成された。
【０１６９】
このＰＭＭＡパターンをマスクとして用いて、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００Ｗの条件でＲＩＥを３分間行なった。
【０１７０】
その結果、ガラス基板の表面には、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが２５０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．５５である微細な凹凸が形成された。
【０１７１】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の他方の面には、実施例１と同様の手法により陽極、正孔注入層、発光層、および陰極を形成して、実施例８の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５１０ｎｍであった。
【０１７２】
比較例の有機ＥＬ素子と比較したところ、実施例８は、１０個平均で６０％の輝度向上が見られた。
【０１７３】
（実施例９）
平坦なガラス基板にレジストを塗布し、１１０℃でプリベークして３５０ｎｍ厚の塗膜を形成した。これをオーブン内で３００℃１分間のベークを行なってレジスト膜を得た。このレジスト膜の上にＳＯＧ（東京応化社製ＯＣＤ Ｔ−７）をスピンコート法により塗布して１１０ｎｍ厚の塗膜を得た。ホットプレート上で２００℃６０秒、さらに３００℃６０秒間ベークして、レジスト膜とＳＯＧ膜との積層膜を形成した。
【０１７４】
ＳＯＧ膜の上には、実施例３と同様のポリマー溶液をスピンコート法により基板に回転数２５００ｒｐｍで塗布した。これを、１１０℃、９０秒でプリベークして溶剤を気化し、ポリマー膜を形成した。
【０１７５】
次に、窒素雰囲気中で、２１０℃４時間のアニ−ルを行なって、ブロックコポリマーにおけるＰＳとＰＭＭＡとを相分離させた。さらに、Ｏ₂３０ｓｃｃｍ、圧力１３．３Ｐａ（１００ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでＲＩＥすることにより、相分離した膜のＰＳとＰＭＭＡをエッチングした。このとき、ＰＳとＰＭＭＡのエッチング速度差によりＰＭＭＡが選択的にエッチングされて、ＰＳのパターンからなるマスク層が形成された。
【０１７６】
このマスク層を介して、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでのＲＩＥによりＳＯＧ膜をエッチングした。さらにＯ₂３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでＲＩＥすることにより、下層のレジスト膜がエッチングされ、高さ４５０ｎｍの柱状のパターンが得られた。
【０１７７】
次に、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００Ｗでエッチングを行なった。最後に酸素でアッシングを行なって、ポリマー膜を除去した。なお、ＳＯＧ膜は、その前のＣＦ₄エッチングにより削られてなくなっていて問題にはならなかった。
【０１７８】
この結果、より深くエッチングを行なうことができた。エッチング後のガラス基板の表面には、凸部の直径が１２０ｎｍ、高さが３００ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．５の微細な凹凸が形成された。このような形状は、屈折率のグラジュエントを設けるのに有利である。
【０１７９】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の他方の面には、実施例１と同様の手法により陽極、正孔注入層、発光層、および陰極を形成して、実施例９の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５１０ｎｍであった。
【０１８０】
比較例の有機ＥＬ素子と比較したところ、実施例９は、１０個平均で６５％の輝度向上が見られた。
【０１８１】
（実施例１０）
本実施例においては、ガラス基板の一方の表面のみならず各層間にも、上述した凹凸を形成する。
【０１８２】
まず、平坦なガラス基板の両表面に、実施例３と同様の手法によりマスク層を形成した。このマスク層を介して実施例３と同様の条件でエッチングすることにより、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが２００ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４５である微細な凹凸がガラス基板両面に得られた。
【０１８３】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の一方の面には、実施例１と同様の手法により陽極、正孔注入層、発光層、および陰極を形成して、実施例１０の有機ＥＬ素子を得た。素子の発光波長は５１０ｎｍであった。
【０１８４】
ガラス表面上の微細な凹凸を履歴しながら各層が形成されることから、本実施例の有機ＥＬ素子においては、自己的に各界面での微細な凹凸形状が得られた。
【０１８５】
比較例の有機ＥＬ素子と比較したところ、実施例１０は、１０個平均で９０％の輝度向上が見られた。
【０１８６】
（実施例１１）
通常用いられている偏光子用保護フィルム上に、実施例２と同様の手法によりＰＳのパターンからなるマスク層を形成した。
【０１８７】
このマスク層を介して、同条件でさらに約４０ｓｅｃのＲＩＥを行なったところ、フィルム表面に微細なパターンが形成された。フィルム表面にはＰＳがわずかに残ってはいるが、ＰＳと保護フィルムとは、屈折率が同程度であることから除去する必要はない。
【０１８８】
この結果、偏光子用の保護フィルム表面に、凸部の直径が７０ｎｍ程度、高さが８０ｎｍ程度、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４の微小な凹凸が形成された。
【０１８９】
その後、微細な凹凸を形成した保護フィルムを偏光子に貼り合わせることによって、微細な凹凸を表面に有する偏光板が得られた。
【０１９０】
凹凸を有しない比較例の偏光板の可視領域（４００〜８００ｎｍ）全般で反射率が３％であるのに対し、ここで作製された偏光板では反射率が可視領域で０．５％に減少した。
【０１９１】
一方、カラーフィルター用のガラス基板上に、実施例１と同様の手法によりＰＳのパターンからなるマスク層を形成した。このマスク層を介して同条件でさらに約６０ｓｅｃＲＩＥすることにより、ガラス基板表面に微細なパターンが形成された。残ったＰＳは、Ｏ₂アッシャーにより除去した。
【０１９２】
この結果、ガラス基板表面には、凸部の直径が７０ｎｍ程度、高さが８０ｎｍ程度、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４の微小な凹凸が形成された。
【０１９３】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の表面には、Ｃｒ／ＣｒＯ_xをマスク蒸着法により形成することにより、ガラス・ＢＭ間に微細な凹凸を自己的に形成した。
【０１９４】
微細な凹凸を有しないガラス基板に同様のＢＭが形成された場合、可視領域における反射率は４％であったのに対し、ここで作製されたガラス基板では、０．５％に減少した。
【０１９５】
ＢＭが形成されたガラス基板上には、顔料レジストを塗布・露光を繰り返してＲＧＢを作製した。さらに、保護膜、透明電極を作製して、カラーフィルター基板を得た。そのカラーフィルター基板の他方の面には、上で作製した偏光板を貼り付けて上面ガラス基板が完成する。
【０１９６】
その後、背面ガラス（ＴＦＴ基板）に配向膜材を塗布し、配向膜にラビング（配向プロセス）処理を施す。その上にスペーサを散布して、上面ガラスと接着する。その後、真空チャンバー内に設置して、スペーサにより形成された隙間に液晶を注入する。最後に、液晶をふき取り封止材を塗布し硬化することによって、本実施例のＬＣＤが得られる。
【０１９７】
また、微細な凹凸を有しないガラス基板および偏光板を用いた以外は前述と同様の手法により、比較例のＬＣＤを作製した。比較例のＬＣＤでは可視領域における反射率が４％であるのに対し、実施例１１のＬＣＤでは可視領域における反射率が０．７％に減少した。
【０１９８】
（実施例１２）
偏光子用の保護フィルム上に、実施例３と同様の手法によりＰＳのパターンからなるマスク層を形成した。
【０１９９】
このマスク層を介して、同条件でさらに約８０ｓｅｃのＲＩＥを行なったところ、フィルム表面に微細なパターンが形成された。フィルム表面にはＰＳがわずかに残ってはいるが、ＰＳと保護フィルムとは、屈折率が同程度であることから除去する必要はない。
【０２００】
この結果、偏光子用の保護フィルム表面に、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが２００ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４の微細な凹凸が形成された。
【０２０１】
その後、微細な凹凸を形成した保護フィルムを偏光子に貼り合わせることによって、微細な凹凸を表面に有する偏光板が得られた。
【０２０２】
比較例の偏光板では可視領域における反射率が３％であるのに対し、ここで作製された偏光板では反射率が可視領域で０．３％に減少した。
【０２０３】
一方、カラーフィルター用のガラス基板上に、実施例４と同様の手法によりＰＳのパターンからなるマスク層を形成した。このマスク層を介して、同条件でさらに２分間ＲＩＥすることにより、ガラス基板表面に微細なパターンが形成された。残ったＰＳは、Ｏ₂アッシャーにより除去した。
【０２０４】
この結果、ガラス基板表面には、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが２００ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４の微細な凹凸が形成された。
【０２０５】
こうして得られたガラス基板を用いて、前述の実施例１１と同様の手法により本実施例のＬＣＤを作製した。
【０２０６】
比較例のＬＣＤでは可視領域における反射率が４％であるのに対し、実施例１２のＬＣＤでは可視領域における反射率が０．５％に減少した。
【０２０７】
（実施例１３）
実施例８で作製したインプリント原盤を、偏光子用の保護フィルムに対して真空中で押し付けた。この際の条件は、温度１５０℃、圧力１０ＭＰａとした。その結果、偏光子用の保護フィルムの表面には、凸部の直径が１００ｎｍ、高さが１５０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．５である微細な凹凸が形成された。
【０２０８】
その後、微細な凹凸を形成した保護フィルムを偏光子に貼り合わせることによって、微細な凹凸を表面に有する偏光板が得られた。
【０２０９】
比較例の偏光板では可視領域における反射率が３％であるのに対し、ここで作製された偏光板では反射率が可視領域で０．５％に減少した。
【０２１０】
一方、カラーフィルター用ガラス基板上にＰＭＭＡを塗布し、１１０℃でプリベークして２００ｎｍ厚のＰＭＭＡ膜を形成した。前述のインプリント原盤を、このＰＭＭＡ膜に対して真空中１８０℃１０ＭＰａで３０分間押し付けたところ、凸部の直径が１００ｎｍ、高さが１５０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．５である円柱状の微細な凹凸からなるＰＭＭＡパターンが形成された。
【０２１１】
このＰＭＭＡパターンをマスクとして用いて、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００Ｗの条件でＲＩＥを３分間行なった。
【０２１２】
その結果、ガラス基板表面には、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが２５０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．５の微細な凹凸が形成された。残ったＰＭＭＡはＯ₂アッシャーにより除去した。
【０２１３】
こうして得られたガラス基板を用いて、前述の実施例１１と同様の手法により本実施例のＬＣＤを作製した。
【０２１４】
比較例のＬＣＤでは可視領域における反射率が４％であるのに対し、実施例１３のＬＣＤでは可視領域における反射率が０．５％に減少した。
【０２１５】
（実施例１４）
カラーフィルター用のガラス基板に、前述の実施例９と同様の手法により、レジスト膜、ＳＯＧ膜およびマスク層を形成した。
【０２１６】
このマスク層を介して、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでのＲＩＥによりＳＯＧ膜をエッチングした。さらにＯ₂３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでＲＩＥすることにより、下層のレジスト膜がエッチングされ、高さ４５０ｎｍの柱状のパターンが得られた。
【０２１７】
次に、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００Ｗでエッチングを行なった。最後に酸素でアッシングを行なった、ポリマー膜を除去した。なお、ＳＯＧ膜は、その前のＣＦ₄エッチングにより削られてなくなっていて問題にはならなかった。
【０２１８】
この結果、より深くエッチングを行なうことができた。エッチング後のガラス基板の表面には、凸部の直径が１２０ｎｍ、高さが３００ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４の微細な凹凸が形成された。このような形状は、屈折率のグラジュエントを設けるのに有利である。
【０２１９】
こうして得られたガラス基板を用いて、前述の実施例１１と同様の手法により本実施例のＬＣＤを作製した。
【０２２０】
比較例のＬＣＤでは可視領域における反射率が４％であるのに対し、実施例１４のＬＣＤでは可視領域における反射率が０．３％に減少した。
【０２２１】
（実施例１５）
前述の実施例１４のＬＣＤにおける光導入側に、実施例１１と同様の方法で作製した偏光板を貼り付けて、本実施例のＬＣＤを作製した。
【０２２２】
ガラス基板および偏光板のいずれの表面にも凹凸を有しないＬＣＤと比較して、本実施例のＬＣＤは輝度が８％向上した。
【０２２３】
（実施例１６）
ＰＤＰ用前面ガラス基板の両面に、実施例１と同様の手法によりＰＳのパターンからなるマスク層を形成した。
【０２２４】
このマスク層を介して、同条件でさらに約６０ｓｅｃのＲＩＥを行なったところ、ガラス基板の両面に微細なパターンが形成された。残ったＰＳはＯ₂アッシャーにより除去した。
【０２２５】
この結果、ガラス基板両表面にｈ、凸部の直径が５０〜７０ｎｍ程度、高さが５０〜８０ｎｍ程度、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４の微小な凹凸が形成された。
【０２２６】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の一方の面に、表示電極、バス電極をスパッタリング、露光の工程を経て形成した。さらにその上に、ＭｇＯ層を蒸着法により２００ｎｍの膜厚で形成した。各層の界面には、自己的に凹凸が形成された。
【０２２７】
その後、画素等が形成された背面ガラス基板に上面ガラスと接着するためシール材を背面ガラス周辺に形成する。その後、上面ガラスと背面ガラスとを貼り合わせ、４００℃に加熱してシール材を溶融し接着することによって、本実施例のＰＤＰが完成する。
【０２２８】
また、微細な凹凸を有しないガラス基板を用いた以外は前述と同様の手法により、比較例のＰＤＰを作製した。比較例のＰＤＰでは可視領域における反射率が５％であるのに対し、本実施例のＰＤＰでは可視領域における反射率が０．７％に減少した。
【０２２９】
（実施例１７）
ＰＤＰ用前面ガラス基板の表面に、実施例４と同様の手法によりＰＳのパターンからなるマスク層を形成した。
【０２３０】
このマスク層を介して、同条件でさらに２分間のＲＩＥを行なったところ、ガラス基板の表面に微細なパターンが形成された。残ったＰＳはＯ₂アッシャーにより除去した。
【０２３１】
この結果、ガラス基板表面には、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが２００ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．４である微細な凹凸が形成された。
【０２３２】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の表面に、前述の実施例１６と同様の手法により表示電極、バス電極、ＭｇＯ層、および背面ガラス基板を形成して、本実施例のＰＤＰを作製した。各層の界面には、自己的に凹凸が形成された。
【０２３３】
比較例のＰＤＰでは可視領域における反射率が５％であるのに対し、本実施例のＰＤＰでは可視領域における反射率が０．５％に減少した。
【０２３４】
（実施例１８）
前面ガラス基板上にＰＭＭＡを塗布し、１１０℃でプリベークして２００ｎｍ厚のＰＭＭＡ膜を形成した。実施例８と同様の手法により作製されたインプリント基盤を、このＰＭＭＡ膜に対して真空中、１８０℃１０ＭＰａで３０分間押し付けたところ、凸部の直径が１００ｎｍ、高さが１５０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．５である円柱状の微細な凹凸からなるＰＭＭＡパターンが形成された。
【０２３５】
このＰＭＭＡパターンをマスクとして用いて、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００Ｗの条件でＲＩＥを３分間行なった。
【０２３６】
その結果、ガラス基板の表面には、凸部の直径が１１０ｎｍ、高さが２５０ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．５の微細な凹凸が形成された。残ったＰＭＭＡは、Ｏ₂アッシャーにより除去した。
【０２３７】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の表面に、前述の実施例１６と同様の手法により表示電極、バス電極、ＭｇＯ層、および背面ガラス基板を形成して、本実施例のＰＤＰを作製した。各層の界面には、自己的に凹凸が形成された。
【０２３８】
比較例のＰＤＰでは可視領域における反射率が５％であるのに対し、本実施例のＰＤＰでは可視領域における反射率が０．５％に減少した。
【０２３９】
（実施例１９）
前面ガラス基板両表面に、前述の実施例９と同様の手法により、レジスト膜、ＳＯＧ膜およびマスク層を形成した。
【０２４０】
このマスク層を介して、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでのＲＩＥによりＳＯＧ膜をエッチングした。さらにＯ₂３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００ＷでＲＩＥすることにより、下層のレジスト膜がエッチングされ、高さ４５０ｎｍの柱状のパターンが得られた。
【０２４１】
次に、ＣＦ₄３０ｓｃｃｍ、圧力１．３３Ｐａ（１０ｍＴｏｒｒ）、パワー＝１００Ｗでエッチングを行なった。最後に酸素でアッシングを行ない、ポリマー膜を除去した。なお、ＳＯＧ膜は、その前のＣＦ₄エッチングにより削られてなくなっていて問題にはならなかった。
【０２４２】
この結果、より深くエッチングを行なうことができた。エッチング後のガラス基板の表面には、凸部の直径が１２０ｎｍ、高さが３００ｎｍ、円形度係数が０．８５、面積占有率が０．５の微細な凹凸が形成された。このような形状は、屈折率のグラジュエントを設けるのに有利である。
【０２４３】
こうして微細な凹凸が形成されたガラス基板の表面に、前述の実施例１６と同様の手法により表示電極、バス電極、ＭｇＯ層、および背面ガラス基板を形成して、本実施例のＰＤＰを作製した。各層の界面には、自己的に凹凸が形成された。
【０２４４】
比較例のＰＤＰでは可視領域における反射率が５％であるのに対し、本実施例のＰＤＰでは可視領域における反射率が０．３％に減少した。
【０２４５】
【発明の効果】
本発明の一態様によれば、装置内部の光を効率よく取り出し、かつ表示側の反射率を低減した表示装置を、高い生産性をもって安価に得るための透明基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の一実施形態にかかる有機ＥＬ素子の構造を表わす断面図。
【図２】 本発明の一実施形態にかかる表示装置用透明基板の製造方法を表わす工程断面図。
【図３】 本発明の他の実施形態にかかる表示装置用透明基板の製造方法を表わす工程断面図。
【図４】 本発明の他の実施形態にかかる表示装置用透明基板の製造方法を表わす工程断面図。
【図５】 本発明の一実施形態にかかる液晶表示装置の構造を表わす断面図。
【図６】 本発明の他の実施形態にかかるＬＣＤの製造方法を表わす工程断面図。
【図７】 本発明の一実施形態にかかるＰＤＰの構造を表わす断面図。
【符号の説明】
１０…有機ＥＬ素子，１１ａ…透明基板，１２…陽極，１３…正孔注入層，１４…発光層，１５…陰極，１６…マスク材料層，１６ａ…ポリマーパターン，１７…パターントランスファー層，１８…インプリント用基板，１８ａ…インプリント用原盤，１９…ポリマー膜，２０…ＳＯＧ膜，２０ａ…ＳＯＧパターン，２１…ＬＣＤ，２２…ガラス基板，２３…ＴＦＴ，２４…ＩＴＯ，２５…ＴＦＴ基板，２６…ブラックマトリックス，２７…カラーフィルター，２８…保護膜，２９…ＩＴＯ膜，３０…ＩＴＯ基板，３１…液相層，３２…ポリイミド膜，３３…接着層，３４…偏光板，３６…ＰＤＰ，３７…透明支持基板，３８ａ…電極，３８ｂ…電極，３９ａ…保護膜，３９ｂ…保護膜，４０…放電セル，４１…障壁，４２…蛍光体，４３…表示側透明基板。

Claims (2)

1. 透明基板の少なくとも一方の表面に、ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを含有するポリマー層を形成する工程、
   前記ポリマー層にアニール処理を施して、前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを相分離させる工程、
   前記相分離したブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの一方の相を除去して、残りの相からなるパターンを有するマスク層を形成する工程、および
   前記マスク層のパターンを前記透明基板の表面に転写して以下の条件を満たす凸部を有する凹凸を形成する工程を具備することを特徴とする表示装置用透明基板の製造方法。
   （１）平均円相当直径が５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、平均高さが１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下
   （２）円形度係数が０．６以上１以下
   （３）面積占有率が２０％以上７５％以下。
2. 鋳型用基板上に、ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを含有するポリマー層を形成する工程、
   前記ポリマー層にアニール処理を施して、前記ブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーを相分離させる工程、
   前記相分離したブロックコポリマーまたはグラフトコポリマーの一方の相を除去して、残りの相からなるパターンを有するマスク層を形成する工程、
   前記マスク層のパターンを前記鋳型用基板の表面に転写して凹凸を形成し、鋳型パターンを得る工程、
   透明基板の少なくとも一方の表面に、レジスト膜を形成する工程、
   前記レジスト膜に前記鋳型パターンを押圧して、凹凸からなるレジストパターンを形成する工程、および
   前記レジストパターンをマスクとして用いて前記透明基板を加工して、以下の条件を満たす凸部を有する凹凸を形成する工程を具備することを特徴とする表示装置用透明基板の製造方法。
   （１）平均円相当直径が５０ｎｍ以上２５０ｎｍ以下、平均高さが１００ｎｍ以上５００ｎｍ以下
   （２）円形度係数が０．６以上１以下
   （３）面積占有率が２０％以上７５％以下。

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