KR102354019B1 - 고효율 oled 소자를 위한 신규 기판 및 공정 - Google Patents
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Abstract
기판의 양면 상에 평활하지만 비평면을 생성하는 토포그래피 특징부를 갖는 몰드 상에 부피 감소 기판 재료를 적용함으로써 유기 발광 소자(OLED)를 위한 기판의 제작 방법이 제공되며, 이는 기판의 상부에 형성되는 OLED의 광 추출을 향상시킬 수 있다. 생성된 기판은 몰드의 표면 특징부에 상보적인 제1 기판 표면 상의 표면 특징부, 예컨대 구면 렌즈 특징부, 및 제1 기판 표면 상의 구면 렌즈 특징부의 만곡부에 상보적인 제2 기판 표면 상의 표면 특징부, 예컨대 딤플 특징부를 포함한다.
Description
관련 출원의 상호 참조
본 출원은 "가요성 OLED 라이팅 소자의 제작 방법"을 명칭으로 하는 미국 특허 출원 연속 번호 제14/042,194호(2013년 9월 30일 출원), 및 "곡면 기판 상의 OLED"를 명칭으로 하는 미국 특허 출원 연속 번호 제14/106,274호(2013년 12월 13일 출원)의 일부계속출원이며, 상기 출원의 전체 내용은 본원에 참고 인용된다.
공동 연구
특허 청구된 본 발명은 공동 산학 연구 협약에 따라 하기 당사자 중 하나 이상에 의해, 하기 당사자 중 하나 이상을 위해, 및/또는 하기 당사자 중 하나 이상과 연계에 의해 이루어졌다: 리젠츠 오브 더 유니버시티 오브 미시간, 프린스턴 유니버시티, 유니버시티 오브 서던 캘리포니아 및 유니버셜 디스플레이 코포레이션. 이 협약은 특허 청구한 발명이 만들어진 당일 및 그 전일부터 유효하고, 특허 청구된 발명은 상기 협약의 범주에서 수행된 활동 결과로서 이루어진 것이다.
본 발명의 분야
본 발명은 일반적으로 고효율 OLED 소자의 제작, 더욱 구체적으로는 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 OLED 기판의 제작에 관한 것이다.
유기 물질을 사용하는 광전자 소자는 여러 이유로 인하여 점차로 중요해지고 있다. 이와 같은 소자를 제조하는데 사용되는 다수의 물질은 비교적 저렴하여 유기 광전자 소자는 무기 소자에 비하여 경제적 잇점면에서 잠재성을 갖는다. 또한, 유기 물질의 고유한 성질, 예컨대 이의 가요성은 가요성 기판상에서의 제조와 같은 특정 적용예에 매우 적합하게 될 수 있다. 유기 광전자 소자의 예로는 유기 발광 소자(OLED), 유기 광트랜지스터, 유기 광전지 및 유기 광검출기를 들 수 있다. OLED의 경우, 유기 물질은 통상의 물질에 비하여 성능면에서의 잇점을 가질 수 있다. 예를 들면, 유기 발광층이 광을 방출하는 파장은 일반적으로 적절한 도펀트로 용이하게 조절될 수 있다.
OLED는 소자에 전압을 인가시 광을 방출하는 유기 박막을 사용하게 한다. OLED는 평판 패널 디스플레이, 조명 및 역광 조명과 같은 적용예에 사용하기 위한 점차로 중요해지는 기술이다. 여러가지의 OLED 물질 및 구조는 미국 특허 제5,844,363호, 제6,303,238호 및 제5,707,745호에 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
최근 업계에서는 평면, 예컨대 유리 또는 평탄화된 가요성 기판, 예컨대 플라스틱 및 금속 호일 상에 일반적으로 OLED 라이팅 패널이 만들어지고 있다. 가요성 기판 상에 가요성 OLED 라이팅 소자를 구성하는 것은 이점과 문제를 모두 제공한다. 이것은 기존의 유리 기판보다 투명 플라스틱재로부터 고 굴절률의 수득이 더 용이하다. 이것은 플라스틱 상의 OLED에 대해 보다 우수한 아웃커플링(outcoupling) 효율이 가능하도록 한다. 하지만, 가요성 플라스틱 필름은 취급이 매우 어렵다. 제작 공정 동안 이것이 편평하게 유지되도록 하는 것도 문제일 수 있다. 플라스틱 기판의 또다른 문제는 굴곡 표면 및 표면 상의 랜덤 스파이크를 가지는 경향이 있다는 것이다. 이러한 결점은 상기 기판 상에서 성장시킨 OLED 소자 내에 단락을 쉽게 야기시킬 수 있다. 더하여, 평면 상에 구성된 OLED 라이팅 소자는 가장 우수한 광 추출을 나타낼 수 없다.
개시된 청구 대상의 구체예에 따르면, 종래 기술과 관련된 문제를 실질적으로 해결하고, 고효율 OLED 소자의 제작, 더욱 구체적으로는, 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 OLED 기판의 제작, 및 상기 기판 위에 형성되고 기판의 토포그래피 특징부 또는 만곡부에 정합하는 OLED 소자를 제공하는 시스템 및 방법이 제공된다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예는 기판 상에 유기 발광 소자(OLED)를 제작하는 시스템 및 방법으로서, 표면 특징부를 갖는 몰드를 제공하는 단계, 몰드 위에 기판을 형성하는 단계, 몰드 내에 기판이 있는 동안 기판 위에 OLED를 제작하는 단계, 및 기판 위에 제작된 OLED를 갖는 기판으로부터 몰드를 제거하는 단계를 포함하는 것인 시스템 및 방법을 제공한다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예는 몰드 위에 기판을 형성하는 단계를 포함하는 기판 상에 유기 발광 소자(OLED)를 제작하는 시스템 및 방법으로서, 상기 생성된 기판은 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 포함하는 것인 시스템 및 방법을 제공한다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예는 토포그래피 특징부를 갖는 몰드 상에 부피 감소 재료(volume-reducing material)를 사용하여 기판을 제작하는 시스템 및 방법으로서, 이때 최대의 증착된 재료 부분은 최대의 부피 감소가 일어남으로써 생성된 기판의 상부 표면 상에 특정한 만곡부를 생성하고, 몰드와의 접촉부는 생성된 기판의 하부 표면 상에 특정한 만곡부를 생성하는 것인 시스템 및 방법을 추가로 제공한다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예는 부피 감소 기판 재료 및 마이크로웰 특징부를 갖는 몰드를 사용함으로써, 기판의 양면 상에 마이크로웰 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 생성하는 기판의 제작 시스템 및 방법을 추가로 제공한다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예는 부피 감소 기판 재료 및 반구 특징부를 갖는 몰드를 사용함으로써, 기판의 양면 상에 반구 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 생성하는 기판의 제작 시스템 및 방법을 추가로 제공한다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예는 부피 감소 기판 재료 및 사인 함수 형상 특징부를 갖는 몰드를 사용함으로써, 기판의 양면 상에 사인 함수 형상 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 생성하는 기판의 제작 시스템 및 방법을 추가로 제공한다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예에서, 기판 상부 표면 만곡부는 기판 위에 OLED를 제작하기 전에 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 보유하는 평탄화 재료로 충전될 수 있다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예에서, 기판 상부 표면 만곡부는 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 보유하고 기판 위에 OLED를 제작하기 이전에 기판 상부 표면의 토포그래피의 일부를 유지하는 정합성 코팅 또는 재료로 충전될 수 있다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예에서, 기판 상부 표면 만곡부는 기판 상부 표면이 각각의 볼록 거울을 형성하도록 기판 위에 OLED를 제작하기 전에 금속화될 수 있다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예에서, 기판은 몰드 위에 부피 감소 기판 재료 코팅을 적용하는 단계, 및 이어서 코팅을 경화하여 기판의 부피를 감소시킴으로써 OLED 제작 전에 생성된 기판의 상부 표면 상의 특정한 만곡부를 생성하는 단계에 의해 형성된다.
개시된 청구 대상의 일부 구체예에서, 기판의 굴절률은 1.6보다 크다. 일부 구체예에서, 기판의 굴절률은 1.7보다 크다.
따라서, 기판의 양면 상에 평활하지만 비평면을 생성하는 토포그래피 특징부를 갖는 몰드 상에 부피 감소 기판 재료를 적용하기 위한 시스템 및 방법이 제공되며, 이는 기판의 상부에 형성되는 OLED의 광 추출을 향상시킬 수 있다. 생성된 기판은 몰드의 표면 특징부에 상보적인 제1 기판 표면 상의 표면 특징부, 예컨대 구면 렌즈 특징부를 포함하고, 제1 기판 표면 상의 구면 렌즈 특징부의 만곡부에 상보적이고 부피 감소 기판 재료의 가공으로부터 생성된 제2 기판 표면 상의 표면 특징부, 예컨대 딤플(dimple) 특징부를 포함한다.
시스템 및 방법은 제2 기판 표면 위에 평탄화 재료의 적용을 추가로 제공하고, 이때 평탄화 재료는 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 갖고, 제2 기판 표면 상의 특징부는 제2 기판 표면 상의 특징부에 상보적인 특징부를 그 위에 형성하는 평탄화 재료를 유도할 수 있다. 본 발명의 일부 구체예는 제2 기판 표면 상에 금속화된 표면을 적용하여 제2 기판 표면 상에 볼록 거울 특징부를 형성하는 방법을 추가로 제공한다.
본원에 혼입되고 명세서의 일부를 형성하는 첨부 도면은 본 발명의 구체예를 예시하고 설명과 함께 본 발명의 원리를 설명하고 당업자가 본 발명을 만들고 사용할 수 있도록 제공된다.
도 1에는 본 발명의 일부 구체예에 따른 예시적 유기 발광 소자가 도시된다.
도 2에는 본 발명의 일부 구체예에 따른 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 예시적 역위 유기 발광 소자가 도시된다.
도 3은 본 발명의 일부 구체예에 따른 몰드 상에 OLED를 제작하기 위한 예시적 공정의 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일부 구체예에 따른 OLED를 제작하기 위한 예시적 공정의 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일부 구체예에 따른 몰드 상에 OLED를 제작하기 위한 또다른 예시적 공정의 순서도이다.
도 6a-6g는 본 발명의 일부 구체예에 따른 도 5에 도시된 코팅 접근법 OLED 제작 공정 동안 형성된 일시적 구조의 예시도이다.
도 7a 및 7b는 마이크로웰 특징부를 갖는 몰드를 사용하여 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 유도하는 기판의 제작을 예시하는 단면도이다.
도 8은 반구 특징부를 갖는 몰드를 사용하여 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 유도하는 기판의 제작을 예시하는 단면도이다.
도 9는 사인 함수 형상 특징부를 갖는 몰드를 사용하여 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 유도하는 기판의 제작을 예시하는 단면도이다.
도 10은 마이크로웰 특징부를 갖는 또다른 몰드를 사용하여 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 유도하는 기판의 제작을 예시하는 단면도이다.
도 11a 내지 11c는 본 발명의 일부 구체예에 따른 몰드의 단면도 및 제거 공정이다.
도 12a는 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 보유하는 평탄화 재료로 충전될 수 있는 기판 표면 만곡부 또는 딤플을 예시하는 단면도이다.
도 12b는 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 보유하는 정합성 코팅 또는 재료로 충전될 수 있고 본 발명의 일부 구체예에 따른 딤플화된 기판 표면의 토포그래피의 일부를 유지하는 기판 표면 만곡부 또는 딤플을 예시하는 단면도이다.
도 12c는 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 대응면에서 보았을 때 각 딤플 상에 증착되는 반사 표면이 각각의 볼록 거울을 형성하도록 금속화되는 기판 표면 만곡부 또는 딤플을 예시하는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일부 구체예에 따라 경계선에서 대칭 조건을 갖는 모조 기판의 단일 유닛 셀의 예시이다.
도 14는 본 발명의 일부 구체예에 따라 h/r의 함수로서 볼록 거울 아웃커플러(outcoupler)의 효율을 예시하는 플롯이다.
도 15는 본 발명의 일부 구체예에 따라 소정의 종횡비 r/R에 대한 거울의 만곡부의 반경의 함수로서 볼록 거울 어레이의 효율을 예시하는 플롯이다.
도 16a는 본 발명의 일부 구체예에 따라 저배율에서의, 기판의 하부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 주사 전자 현미경(SEM) 이미지이다.
도 16b는 본 발명의 일부 구체예에 따라 고배율에서의, 도 16a의 기판의 하부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 SEM 이미지이다.
도 17a는 본 발명의 일부 구체예에 따라 저배율에서의, 도 16a의 기판의 상부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 SEM 이미지이다.
도 17b는 본 발명의 일부 구체예에 따라 고배율에서의, 도 16a의 기판의 상부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 SEM 이미지이다.
도 18은 OLED를 제작하는 일부 구체예에 사용되는 컨베이어 벨트 제조 장치의 예시도이다.
도 1에는 본 발명의 일부 구체예에 따른 예시적 유기 발광 소자가 도시된다.
도 2에는 본 발명의 일부 구체예에 따른 별도의 전자 수송층을 갖지 않는 예시적 역위 유기 발광 소자가 도시된다.
도 3은 본 발명의 일부 구체예에 따른 몰드 상에 OLED를 제작하기 위한 예시적 공정의 순서도이다.
도 4는 본 발명의 일부 구체예에 따른 OLED를 제작하기 위한 예시적 공정의 순서도이다.
도 5는 본 발명의 일부 구체예에 따른 몰드 상에 OLED를 제작하기 위한 또다른 예시적 공정의 순서도이다.
도 6a-6g는 본 발명의 일부 구체예에 따른 도 5에 도시된 코팅 접근법 OLED 제작 공정 동안 형성된 일시적 구조의 예시도이다.
도 7a 및 7b는 마이크로웰 특징부를 갖는 몰드를 사용하여 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 유도하는 기판의 제작을 예시하는 단면도이다.
도 8은 반구 특징부를 갖는 몰드를 사용하여 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 유도하는 기판의 제작을 예시하는 단면도이다.
도 9는 사인 함수 형상 특징부를 갖는 몰드를 사용하여 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 유도하는 기판의 제작을 예시하는 단면도이다.
도 10은 마이크로웰 특징부를 갖는 또다른 몰드를 사용하여 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 갖는 기판을 유도하는 기판의 제작을 예시하는 단면도이다.
도 11a 내지 11c는 본 발명의 일부 구체예에 따른 몰드의 단면도 및 제거 공정이다.
도 12a는 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 보유하는 평탄화 재료로 충전될 수 있는 기판 표면 만곡부 또는 딤플을 예시하는 단면도이다.
도 12b는 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 보유하는 정합성 코팅 또는 재료로 충전될 수 있고 본 발명의 일부 구체예에 따른 딤플화된 기판 표면의 토포그래피의 일부를 유지하는 기판 표면 만곡부 또는 딤플을 예시하는 단면도이다.
도 12c는 본 발명의 일부 구체예에 따른 기판의 대응면에서 보았을 때 각 딤플 상에 증착되는 반사 표면이 각각의 볼록 거울을 형성하도록 금속화되는 기판 표면 만곡부 또는 딤플을 예시하는 단면도이다.
도 13은 본 발명의 일부 구체예에 따라 경계선에서 대칭 조건을 갖는 모조 기판의 단일 유닛 셀의 예시이다.
도 14는 본 발명의 일부 구체예에 따라 h/r의 함수로서 볼록 거울 아웃커플러(outcoupler)의 효율을 예시하는 플롯이다.
도 15는 본 발명의 일부 구체예에 따라 소정의 종횡비 r/R에 대한 거울의 만곡부의 반경의 함수로서 볼록 거울 어레이의 효율을 예시하는 플롯이다.
도 16a는 본 발명의 일부 구체예에 따라 저배율에서의, 기판의 하부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 주사 전자 현미경(SEM) 이미지이다.
도 16b는 본 발명의 일부 구체예에 따라 고배율에서의, 도 16a의 기판의 하부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 SEM 이미지이다.
도 17a는 본 발명의 일부 구체예에 따라 저배율에서의, 도 16a의 기판의 상부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 SEM 이미지이다.
도 17b는 본 발명의 일부 구체예에 따라 고배율에서의, 도 16a의 기판의 상부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 SEM 이미지이다.
도 18은 OLED를 제작하는 일부 구체예에 사용되는 컨베이어 벨트 제조 장치의 예시도이다.
일반적으로, OLED는 애노드 및 캐소드 사이에 배치되어 이에 전기 접속되는 하나 이상의 유기층을 포함한다. 전류가 인가되면, 애노드는 정공을 유기층(들)에 주입하고, 캐소드는 전자를 주입한다. 주입된 정공 및 전자는 각각 반대로 하전된 전극을 향하여 이동한다. 전자 및 정공이 동일한 분자상에 편재화될 경우, 여기된 에너지 상태를 갖는 편재화된 전자-정공쌍인 "엑시톤"이 형성된다. 엑시톤이 광발광 메카니즘에 의하여 이완될 경우 광이 방출된다. 일부의 경우에서, 엑시톤은 엑시머 또는 엑시플렉스 상에 편재화될 수 있다. 비-방사 메카니즘, 예컨대 열 이완도 또한 발생할 수 있으나, 일반적으로 바람직하지 않은 것으로 간주된다.
초기 OLED는 예를 들면 미국 특허 제4,769,292호에 개시된 바와 같은 단일항 상태로부터 광("형광")을 방출하는 발광 분자를 사용하였으며, 상기 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 형광 방출은 일반적으로 10 나노초 미만의 시간 기간으로 발생한다.
보다 최근에는, 삼중항 상태로부터의 광("인광")을 방출하는 발광 물질을 갖는 OLED가 예시되어 있다. 문헌[Baldo et al., "Highly Efficient Phosphorescent Emission from Organic Electroluminescent Devices," Nature, vol. 395, 151-154, 1998 ("Baldo-I")] 및 [Baldo et al., "Very high-efficiency green organic light-emitting devices based on electrophosphorescence," Appl. Phys. Lett., vol. 75, No. 3, 4-6 (1999)("Baldo-II")]을 참조하며, 이들 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 인광은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 5-6에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
본원에서, 용어 "유기"라는 것은 유기 광전자 소자를 제조하는데 사용될 수 있는 중합체 물질뿐 아니라, 소분자 유기 물질을 포함한다. "소분자"는 중합체가 아닌 임의의 유기 물질을 지칭하며, "소분자"는 실제로 꽤 클 수도 있다. 소분자는 일부의 상황에서는 반복 단위를 포함할 수 있다. 예를 들면, 치환기로서 장쇄 알킬 기를 사용하는 것은 "소분자" 부류로부터 분자를 제거하지 않는다. 소분자는 또한 예를 들면 중합체 주쇄상에서의 측쇄기로서 또는 주쇄의 일부로서 중합체에 혼입될 수 있다. 소분자는 또한 코어 모이어티 상에 생성된 일련의 화학적 셸로 이루어진 덴드리머의 코어 모이어티로서 작용할 수 있다. 덴드리머의 코어 모이어티는 형광 또는 인광 소분자 이미터일 수 있다. 덴드리머는 "소분자"일 수 있으며, OLED 분야에서 통상적으로 사용되는 모든 덴드리머는 소분자인 것으로 밝혀졌다.
본원에서 사용한 바와 같이, "상부"는 기판으로부터 가장 멀리 떨어졌다는 것을 의미하며, "하부"는 기판에 가장 근접하다는 것을 의미한다. 제1 층이 제2 층"의 위에 배치되는" 것으로 기재될 경우, 제1 층은 기판으로부터 멀리 떨어져 배치된다. 제1 층이 제2 층과 "접촉되어 있는" 것으로 명시되지 않는다면 제1 층과 제2 층 사이에는 다른 층이 존재할 수 있다. 예를 들면, 캐소드와 애노드의 사이에 다양한 유기층이 존재할 수 있을지라도, 캐소드는 애노드"의 위에 배치되는" 것으로 기재될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이, "용액 가공성"은 용액 또는 현탁액 형태로 액체 매체에 용해, 분산 또는 수송될 수 있거나 및/또는 액체 매체로부터 증착될 수 있다는 것을 의미한다.
리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 직접적으로 기여하는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "광활성"으로서 지칭될 수 있다. 보조적 리간드가 광활성 리간드의 성질을 변경시킬 수 있을지라도, 리간드가 발광 물질의 광활성 성질에 기여하지 않는 것으로 밝혀질 경우, 리간드는 "보조적"인 것으로 지칭될 수 있다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하고 있는 바와 같이, 제1의 "최고 점유 분자 궤도"(HOMO) 또는 "최저 비점유 분자 궤도"(LUMO) 에너지 준위가 진공 에너지 준위에 근접할 경우, 제1의 에너지 준위는 제2의 HOMO 또는 LUMO보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 이온화 전위(IP)가 진공 준위에 대하여 음의 에너지로서 측정되므로, 더 높은 HOMO 에너지 준위는 더 작은 절대값을 갖는 IP에 해당한다(IP는 음의 값이 더 작다). 유사하게, 더 높은 LUMO 에너지 준위는 절대값이 더 작은 전자 친화도(EA)에 해당한다(EA의 음의 값이 더 작다). 상부에서의 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, 물질의 LUMO 에너지 준위는 동일한 물질의 HOMO 에너지 준위보다 더 높다. "더 높은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위는 "더 낮은" HOMO 또는 LUMO 에너지 준위보다 상기 다이아그램의 상부에 더 근접한다는 것을 나타낸다.
본원에서 사용한 바와 같이 그리고 일반적으로 당업자가 이해하는 바와 같이, 제1의 일 함수의 절대값이 더 클 경우, 제1의 일 함수는 제2의 일 함수보다 "더 크거나" 또는 "더 높다". 일 함수는 일반적으로 진공 준위에 대하여 음의 수로서 측정되므로, 이는 "더 높은" 일 함수의 음의 값이 더 크다는 것을 의미한다. 상부에서 진공 준위를 갖는 통상의 에너지 준위 다이아그램에서, "더 높은" 일 함수는 진공 준위로부터 아래 방향으로 더 먼 것으로서 도시된다. 그래서, HOMO 및 LUMO 에너지 준위의 정의는 일 함수와는 상이한 조약을 따른다.
OLED에 대한 세부사항 및 전술한 정의는 미국 특허 제7,279,704호에서 찾아볼 수 있으며, 이 특허 문헌의 개시내용은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
도 1에는 유기 발광 소자(100)가 도시된다. 도면은 반드시 축척에 의하여 도시하지는 않았다. 소자(100)는 기판(110), 애노드(115), 정공 주입층(120), 정공 수송층(125), 전자 차단층(130), 발광층(135), 정공 차단층(140), 전자 수송층(145), 전자 주입층(150), 보호층(155), 캐소드(160) 및 차단층(170)을 포함할 수 있다. 캐소드(160)는 제1의 전도층(162) 및 제2의 전도층(164)을 갖는 화합물 캐소드이다. 소자(100)는 기재된 순서로 층을 증착시켜 제조될 수 있다. 이들 다양한 층뿐 아니라, 예시의 물질의 성질 및 기능은 참고로 포함되는 미국 특허 제7,279,704호의 컬럼 6-10에 보다 구체적으로 기재되어 있다.
이들 각각의 층에 대한 더 많은 예도 이용 가능하다. 예를 들면 가요성 및 투명한 기판-애노드 조합은 미국 특허 제5,844,363호에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. p-도핑된 정공 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 50:1의 몰비로 F4-TCNQ로 도핑된 m-MTDATA이며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 발광 및 호스트 물질의 예는 미국 특허 제6,303,238호(Thompson 등)에 개시되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. n-도핑된 전자 수송층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 개시된 바와 같이, 1:1의 몰비로 Li로 도핑된 BPhen이고, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 그 전문이 본원에 참고로 포함되는 미국 특허 제5,703,436호 및 제5,707,745호에는 적층된 투명, 전기전도성 스퍼터-증착된 ITO 층을 갖는 Mg:Ag와 같은 금속의 박층을 갖는 화합물 캐소드를 비롯한 캐소드의 예가 개시되어 있다. 차단층의 이론 및 용도는 미국 특허 제6,097,147호 및 미국 특허 출원 공개 공보 제2003/0230980호에 보다 구체적으로 기재되어 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 주입층의 예는 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에 제공되어 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 보호층의 설명은 미국 특허 출원 공개 공보 제2004/0174116호에서 찾아볼 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
도 2에는 역전된 OLED(200)가 도시된다. 소자는 기판(210), 캐소드(215), 발광층(220), 정공 수송층(225) 및 애노드(230)를 포함한다. 소자(200)는 기재된 순서로 층을 적층시켜 제조될 수 있다. 가장 흔한 OLED 구조는 애노드의 위에 캐소드가 배치되어 있고 소자(200)가 애노드(230)의 아래에 캐소드(215)가 배치되어 있으므로, 소자(200)는 "역전된" OLED로 지칭될 수 있다. 소자(100)에 관하여 기재된 것과 유사한 물질이 소자(200)의 해당 층에 사용될 수 있다. 도 2는 소자(100)의 구조로부터 일부 층이 얼마나 생략될 수 있는지의 일례를 제공한다.
도 1 및 도 2에 도시된 단순 층상 구조는 비제한적인 예로서 제공하며, 본 발명의 구체예는 다양한 기타의 구조와 관련하여 사용될 수 있는 것으로 이해하여야 한다. 기재된 특정한 물질 및 구조는 사실상 예시를 위한 것이며, 기타의 물질 및 구조도 사용될 수 있다. 작용성 OLED는 기재된 다양한 층을 상이한 방식으로 조합하여 달성될 수 있거나 또는 층은 디자인, 성능 및 비용 요인에 기초하여 전적으로 생략할 수 있다. 구체적으로 기재되지 않은 기타의 층도 또한 포함될 수 있다. 이들 구체적으로 기재된 층을 제외한 물질을 사용할 수 있다. 본원에 제공된 다수의 예가 단일 물질을 포함하는 것으로서 다양한 층을 기재하기는 하나, 물질, 예컨대 호스트 및 도펀트의 혼합물 또는 보다 일반적으로 혼합물을 사용할 수 있다. 또한, 층은 다수의 하부층을 가질 수 있다. 본원에서 다양한 층에 제시된 명칭은 엄격하게 제한하고자 하는 것은 아니다. 예를 들면, 소자(200)에서 정공 수송층(225)은 정공을 수송하며, 정공을 발광층(220)에 주입하며, 정공 수송층 또는 정공 주입층으로서 기재될 수 있다. 하나의 구체예에서, OLED는 캐소드와 애노드 사이에 배치된 "유기층"을 갖는 것으로 기재될 수 있다. 이러한 유기층은 단일층을 포함할 수 있거나 또는 예를 들면 도 1 및 도 2와 관련하여 기재된 바와 같은 상이한 유기 물질의 복수의 층을 더 포함할 수 있다.
구체적으로 기재하지 않은 구조 및 물질, 예컨대 미국 특허 제5,247,190호(Friend 등)에 기재된 바와 같은 중합체 물질(PLED)을 포함하는 OLED를 사용할 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. 추가의 예로서, 단일 유기층을 갖는 OLED를 사용할 수 있다. OLED는 예를 들면 미국 특허 제5,707,745호(Forrest 등)에 기재된 바와 같이 적층될 수 있으며, 이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다. OLED 구조는 도 1 및 도 2에 도시된 단순 적층된 구조로부터 벗어날 수 있다. 예를 들면, 기판은 미국 특허 제6,091,195호(Forrest 등)에 기재된 바와 같은 메사형(mesa) 구조 및/또는 미국 특허 제5,834,893호(Bulovic 등)에 기재된 피트형(pit) 구조와 같은 아웃커플링을 개선시키기 위한 각진 반사면을 포함할 수 있으며, 이들 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함된다.
반대의 의미로 명시하지 않는 한, 다양한 구체예의 임의의 층은 임의의 적절한 방법에 의하여 적층될 수 있다. 유기층의 경우, 바람직한 방법으로는 미국 특허 제6,013,982호 및 제6,087,196호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 열 증발, 잉크젯, 미국 특허 제6,337,102호(Forrest 등)(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기상 증착(OVPD), 미국 특허 제7,431,968호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착을 들 수 있다. 기타의 적절한 증착 방법은 스핀 코팅 및 기타의 용액계 공정을 포함한다.
용액 기반 공정은 질소 또는 다른 불활성 분위기에서 수행되는 것이 바람직하다. 기타의 층의 경우, 바람직한 방법은 열 증발을 포함한다. 바람직한 패턴 형성 방법은 마스크를 통한 증착, 미국 특허 제6,294,398호 및 제6,468,819호(이 특허 문헌은 그 전문이 본원에 참고로 포함됨)에 기재된 바와 같은 냉간 용접 및, 잉크-제트 및 OVJD와 같은 일부 증착 방법과 관련된 패턴 형성을 포함한다. 또한 다른 방법들도 사용될 수 있다.
증착시키고자 하는 물질은 특정한 증착 방법과 상용성을 갖도록 변형될 수 있다. 예를 들면, 분지형 또는 비분지형, 바람직하게는 3개 이상의 탄소를 포함하는 알킬 및 아릴 기와 같은 치환기는 이의 용액 가공의 처리 능력을 향상시키기 위하여 소분자에 사용될 수 있다. 20개 이상의 탄소를 갖는 치환기를 사용할 수 있으며, 3 내지 20개의 탄소가 바람직한 범위이다. 비대칭 구조를 갖는 물질은 대칭 구조를 갖는 것보다 더 우수한 용액 가공성을 가질 수 있는데, 비대칭 물질은 재결정화되는 경향이 낮을 수 있기 때문이다. 덴드리머 치환기는 용액 가공을 처리하는 소분자의 능력을 향상시키기 위하여 사용될 수 있다.
본 발명의 구체예에 의하여 제조된 소자는 차단층을 추가로 임의로 포함할 수 있다. 차단층의 하나의 목적은 전극 및 유기층이 수분, 증기 및/또는 기체 등을 포함하는 환경에서 유해한 종에 대한 노출로 인하여 손상되지 않도록 한다. 차단층은 기판의 위에서, 기판의 아래에서 또는 기판의 옆에서, 전극 또는, 엣지를 포함하는 소자의 임의의 기타 부분의 위에서 증착될 수 있다. 차단층은 단일층 또는 다중층을 포함할 수 있다. 차단층은 각종 공지의 화학적 증착 기법에 의하여 형성될 수 있으며 복수의 상을 갖는 조성물뿐 아니라 단일 상을 갖는 조성물을 포함할 수 있다.
임의의 적절한 물질 또는 물질의 조합을 차단층에 사용할 수 있다. 차단층은 무기 또는 유기 화합물 또는 둘다를 혼입할 수 있다. 바람직한 차단층은 미국 특허 제7,968,146호, PCT 특허 출원 번호 PCT/US2007/023098 및 PCT/US2009/042829에 기재된 바와 같은 중합체 물질 및 비-중합체 물질의 혼합물을 포함하며, 이들 문헌의 개시내용은 본원에 그 전문이 참고로 포함된다. "혼합물"을 고려하면, 차단층을 포함하는 전술한 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 반응 조건하에서 및/또는 동일한 시간에서 증착되어야만 한다. 중합체 대 비-중합체 물질의 중량비는 95:5 내지 5:95 범위내일 수 있다. 중합체 및 비-중합체 물질은 동일한 전구체 물질로부터 생성될 수 있다. 한 예에서, 중합체 및 비-중합체 물질의 혼합물은 본질적으로 중합체 규소 및 무기 규소로 이루어진다.
가요성 기판 상에 가요성 OLED 라이팅 소자를 구성하는 것은 이점과 문제를 모두 제공한다. 이것은 기존의 유리 기판보다 투명 플라스틱재로부터 고 굴절률의 수득이 더 용이하다. 이것은 플라스틱 상의 OLED에 대해 보다 우수한 아웃커플링 효율이 가능하도록 한다. 하지만, 가요성 플라스틱 필름은 취급이 매우 어렵다. 제작 공정 동안 이것이 편평하게 유지되도록 하는 것도 문제일 수 있다. 플라스틱 기판의 또다른 문제는 굴곡 표면 및 표면 상의 랜덤 스파이크를 가지는 경향이 있다는 것이다. 이러한 결점은 상기 기판 상에서 성장시킨 OLED 소자 내에 단락을 쉽게 야기시킬 수 있다. 하지만, 본원에 기술된 방법은 이러한 문제들을 모두 극복하고 있다.
도 3은 몰드를 제공하는 단계(300), 기판을 형성하는 단계(310), OLED를 제작하는 단계(320), 및 기판 및 OLED로부터 몰드를 제거하는 단계(330)를 포함하는, 기판 상에 OLED를 제작하는 예시적 방법의 높은 수준의 순서도이다. 도 3에 도시된 공정은 단시 예시일 뿐이며 추가의 단계 또는 더 적은 단계를 포함할 수 있다.
단계 300은 몰드를 제공하는 것을 포함한다. 몰드는 2개 이상의 기능을 가질 수 있다: i) 뒤따르는 공정 단계 동안 지지체로서 작용하는 것; 및 ii) 다음 단계에서 몰드 상에 형성시키고자 하는 가요성 기판 상에 원하는 표면 특징부를 생성하는 것. 따라서, 몰드는 원하는 표면 특징부를 제공하도록 고안될 수 있다. 표면 특징부는 OLED 소자로부터 효율적으로 광을 추출하도록 고안되는 것이 바람직하다.
몰드 상의 표면 특징부, 및 기판 재료의 조성은 다음 단계에 형성되는 기판의 상부 및/또는 하부 표면 상에 특징부를 생성하도록 고안된다. 하부 기판 표면 특징부는 직접적인 몰드 표면 접촉의 결과로서 만들어지고, 구면 렌즈, 비구면 렌즈, 홈, 프리즘, 베이스에서 더 큰 치수를 갖는 불규칙 특징부, 또는 광 추출을 향상시키는 임의의 다른 토포그래피 특징부일 수 있다. 상부 기판 표면 특징부는 기판 재료의 부피 감소 조성물 및 하부 기판 표면 특징부의 생성의 결과로서 만들어지고, 하부 기판 표면 상의 특징부의 만곡부에 상보적인 딤플 특징부일 수 있다. 이것은 OLED 라이팅 소자에 특히 유리하다. 일부 구체예에서, 렌즈 특징부는 몰드의 평면에 정상적인 축에 대하여 방사형으로 대칭일 수 있다. 구면 렌즈는 H/R=1의 반구 형상일 수 있고, 이때 H 및 R은 렌즈의 (평면에서) 피크 투 트로프(peak-to-trough) 높이 및 반경이다. 비구면 렌즈 형상은 다항식, 예컨대 2차식, 3차식, 포물선에 의해 획정될 수 있다. 비구면 렌즈는 반경(R)에 대해 렌즈 높이(H)가, H/R> 1, H/R>2이 되도록 형상화될 수 있다.
일부 구체예에서, 표면 특징부의 피크 투 트로프 높이(H)는 적어도 OLED 소자의 두께(100 nm)와 유사하여야 한다. 다른 구체예에서, H는 이후에 증착된 OLED 소자에서 생성되는 기판에 있어서 광의 파장과 적어도 유사하거나 광의 파장보다 커야 한다(기판 재료의 굴절률에 의해 나뉘는 진공 내 파장). 예를 들면, 기판의 지수가 2.0일 경우, H는 200 nm과 적어도 유사하거나 더 커야 한다. 이에 따라, 일부 구체예에서, H는 400 nm 이상일 수 있다. 이러한 최소 치수가 바람직한데, 그 이유는 더 작은 치수에서는 광학 및 아웃커플링이 덜 바람직할 수 있기 때문이다. 또한, 더 큰 최소 치수를 갖는 것은 몰드 상에 표면 특징부의 제작을 돕는데 바람직할 수 있다. 이러한 구체예에서, 바람직한 H는 1 ㎛ 이상, 5 ㎛ 이상, 10 ㎛ 이상, 50 ㎛ 이상, 또는 100 ㎛ 이상일 수 있다. 이러한 H의 최소값이 바람직한데, 그 이유는 최소값이 더 커질수록 몰드 특징부를 제작하기가 더 쉬워지기 때문이다. 하지만, 광학적 고려사항 및 다른 고려사항에 대한 제조의 용이성의 균형유지(trade-off)를 허용하는지 여부에 따라 본 단락에 개시된 것과 상이한 최소값이 사용될 수 있다.
일부 구체예에서, 표면 특징부의 피크 투 트로프 높이(H)는 300 ㎛ 이하, 바람직하게는 100 ㎛ 이하이어야 한다. H에 대해 더 큰 값에서, 바람직하지 못한 효과가 일어날 수 있다. 예를 들면, 단일 두께 코트가 사용되는 경우 버블이 형성될 수 있다. 이러한 효과가 복수의 코팅 단계를 사용함으로써 또는 재료 및 공정 파라미터 선택을 통해 경감될 수 있지만, 이러한 경감은 그 자체의 균형유지를 수반한다. 또한, 전반적인 두께가 너무 커진다면, 가요성이 감소할 수 있고, 이는 일부 사용에 있어 바람직하지 못할 수 있다.
일부 구체예에서, 표면 특징부는 면적을 커버하거나 면적 어레이를 형성할 수 있다. 바람직하게는, 인접 표면 특징부 사이의 중심-대-중심(center-to-center)의 측부 거리는 H값의 10배 이하이다.
표면 특징부는 규칙적으로 또는 랜덤하게 배열될 수 있다. 사이즈는 균일하거나 상이할 수 있다. 표면 특징부는 80% 이상, 90% 이상, 또는 95% 이상의 충전율로 함께 긴밀하게 패킹되는 것이 바람직하다. 여기서 충전율이란 베이스 표면적 위의 표면 특징부에 의해 점유된 표면적(베이스 표면 상의 표면 특징부의 돌출부)의 비율로서 정의된다.
일부 구체예에서, 몰드는 경질일 수 있다. 이것은 몰드가, 유의적인 휨 또는 뒤틀림 없이, 반도체 또는 표준 유리를 기초로 하는 평면 디스플레이 제작과 관련된 정상적인 취급을 잘 견딜 수 있는 것에 충분히 경질이다는 의미이다 - 즉, 몰드는 파괴 또는 유의적인 구부러짐 없이 쉽게 픽업되고 잘 움직여질 수 있다. 이것은 OLED의 제작 동안 몰드 상에 형성된 기판이 편평하게 유지되어야 하는 문제를 극복하는 공정을 허용한다. 몰드의 강성도는 이의 굴곡 강성도(D)를 계산함으로써 결정될 수 있다. 이것은 경질 구조를 단위 만곡으로 구부리는데 필요한 우력(force couple)으로서 정의된다. 균일한 탄성 재료의 얇은 판의 경우, 굴곡 강성도는 다음과 같이 하기 등식 (1)에서 수학적으로 기술될 수 있다:
D = Et3 / 12(1 - μ2) (1)
D가 굴곡 강성도(Nm)인 경우, E는 영률(Young's modulus)(Nm-2)이고, μ는 푸아송비(Poisson's ratio)이며 t는 재료의 두께(m)이다. 이러한 등식은 [J. A. Rogers, G. R. Bogart, and J. Mater. Res., 16 (1), 217, 2001]에 기술된다. 판이 더욱 가요성일수록, 굴곡 강성도는 더 낮아지게 된다. 임의의 기판의 굴곡 강성도는 영률, 푸아송비 및 기판 두께가 공지된 경우 이론적으로 계산될 수 있다.
텍스트북에 제공된 데이타 또는 재료 특성으로부터 박막의 굴곡 강성도를 계산하는 것은 어려울 수 있다. 이것은 복합 필름 또는 다층 필름의 경우 특히 그러하다. 하지만, 일단 특정 구조에 대해 측정을 했다면, 굴곡 강성도는 두께와 같은 파라미터를 조정함으로써 당업자에 의해 합리적으로 예측가능한 방식으로 쉽게 변경될 수 있다. 여기서 본 발명자들은 굴곡 강성도를 측정하는 켄틸레버(cantilever) 방법에 주력하였다. 필요한 장치는 일정 각도의 플렉소미터(flexometer)이다. 재료의 직사각형 스트립은 플랫폼의 가장자리에 수직 방향으로 수평의 플랫폼에 대해 지지된다. 상기 스트립은 증가된 부분이 돌출되어 그 자체의 중량 하에서 아래로 구부러지도록 이의 길이 방향으로 연장된다. 재료의 스트립의 끝이 플랫폼의 가장자리를 통과하여 평면에 도달하여 수평위치 아래로 θ = 41.5°의 각도에서 기울어지는 경우, 돌출된 길이(L)는 견본의 구부러진 길이(C)의 두배이다(θ = 41.5°에서 C = 0.5 L).
구부러진 길이(m)는 C로 표시되고, 이때 C는 재료의 단위 면적 당 중량에 대한 굴곡 강성도의 비율의 세제곱근이고(D = WC3), 여기서 W는 균일한 스트립의 경우 W = ρtg로 제시되는 단위 면적 당 중량(Nm-2)이며, 다음과 같이 하기 등식 (2)로 수학적으로 기술된다:
D = WC3 = ρtgC3 (2)
상기 식에서, ρ는 밀도(Kgm-3)이고, g는 중력 가속도(9.81 ms-2)이며 t는 기판의 두께(m)이다.
여기서 본 발명자들은 가요성 전자 소자를 만드는 데 사용되는 최고의 몰드 기판 재료/두께 조합을 결정하기 위해 등식 (1) 및 (2)를 둘다 사용하였다. 일부 예들은 하기 표 1에서 확인된다. E, μ, 및 ρ는 재료 특성이며 일단 재료가 선택되면 결정된다.
평면 디스플레이 산업에서 디스플레이 제작에 0.7 mm 또는 0.5 mm 유리를 사용하는 것은 일반적인 관례이다. 이것은 > 0.7 Nm의 굴곡 강성도가 공정에 충분히 우수하다는 것을 의미하다. 따라서, 일부 구체예에서, 몰드는 0.7 Nm 이상의 굴곡 강성도를 갖는다. 유리가 몰드로서 사용되는 경우, 동일 두께의 유리가 적용될 수 있다.
상이한 몰드 재료가 사용되는 경우, 재료의 두께는 유사한 수준의 굴곡 강성도의 실현이 확실하도록 계산될 수 있다. 상기 표 1에서 확인되는 바와 같이, 두께가 0.33 mm인 스테인레스 강 호일은 0.5 mm 붕규산 유리 시트와 유사한 굴곡 강성도를 갖는다. 몰드 재료의 두께를 결정하는 또다른 방식은 유사한 구부러진 길이를 사용하는 것이다. 유사 두께의 스테인레스 강 및 유리는 유사한 구부러진 길이를 제공한다.
일부 구체예에서, 몰드는 OLED가 하드 코트를 포함하는 경우 포함되는, 기판 및 OLED의 조립체의 굴곡 강성도보다 큰 굴곡 강성도를 갖는다.
일부 구체예에서, 몰드는 베이스 층 및 표면 특징부를 갖는 패턴화된 층을 포함할 수 있다. 일부 구체예에서, 베이스 층은 패턴화된 층의 굴곡 강성도보다 큰 굴곡 강성도를 갖는다.
몰드의 재료는 기판을 형성하는 데 사용되는 재료 유형 및 이형 공정에 따라 달라질 수 있다. 몰드는 공정에 적합한 기계적 및 광학적 특성을 갖는 재료로부터 제작될 수 있다. 사용되는 몰드의 유형은 필요한 표면 특징부 유형 및 표면 특징부를 만드는 데 이용가능한 방법에 따라 달라질 수 있다. 기판을 이형시키는 데 레이저가 사용되는 경우에는, 투명 몰드 재료, 예컨대 유리가 필요하다.
일부 구체예에서, 몰드는 기계가공 또는 3D 프린팅과 같은 공정을 사용하여 직접적으로 만들어질 수 있다.
다른 구체예에서, 몰드는 원하는 특징부와 동일한 형상을 갖는 마스터로부터 형성될 수 있다. 마스터는, 마이크로제작에 전형적으로 사용되는 반도체 웨이퍼 및 포토레지스트를 비롯한 광범위하게 다양한 재료들을 사용하여 만들어질 수 있다. 마스터가 사용되는 경우, 몰드 그 자체는 마스터로부터 몰드로 특징부를 전사하는 임의의 수많은 방법들에 의해 만들어질 수 있다. 예를 들면, 마스터 위에 액체를 적용하고, 경화하여 고체화하고 제거할 수 있다. 몰드로부터 기판을 형성하는 본원에 기술된 방법을 비롯한 다른 방법들이 사용될 수 있다.
몰드에 필요한 특징부는 마이크로 기계가공 기법을 사용하여 구입가능한 알루미늄, 경화강, 또는 스테인레스 강 조각 상에 직접적으로 기계가공될 수 있다. 이것은 기존의 CNC 기계가공, 레이저 컷팅, 및 미세 방전 기계가공(μ-EDM)을 포함할 수 있다. 금속 몰드는 또한 도금조에 침지된 마스터로부터 전기주조될 수도 있다. 이러한 몰드는 기본 금속, 예컨대 Ni로부터 만들어지는 경향이 있다. 금속 몰드는 또한 열 또는 용매에의 노출에 의해 연화된 플라스틱 시트 내로 특징부를 엠보싱하는 데 사용될 수도 있다. Si 또는 유리가 몰드를 만드는 데 사용되는 경우, 표면 특징부는 표준 반도체 가공 기법에 의해 획정될 수 있다.
도 3으로 돌아와서, 단계 310은 몰드 위에 기판을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 본원에 사용된 용어 "위에"는 표면 특징부를 갖는 몰드의 면의 방향으로 몰드로부터 멀어지는 방향으로, 즉 몰드로부터 더 멀리 떨어지는 것을 의미한다. 용어 "위에"는 몰드와 기판 사이에 하나 이상의 중간 층을 허용하는 것으로 간주된다. 예를 들면, 제1 층이 제2 층 "위에 배치되거나" 또는 "위에 형성되는" 것으로 기술되는 경우, 제1 층은 몰드로부터 더 멀리 떨어져서 배치된다. 제1 층은 제2 층"과 접촉하여" 있다고 구체적으로 언급되지 않는 한, 제1 및 제2 층 사이에는 다른 층들이 있을 수 있다. 예를 들면, 캐소드는, 캐소드와 애노드 사이에 각종 유기층들이 있다 하더라도, 애노드"위에 배치된 것"으로 기술될 수 있다.
일부 구체예에서, 단계 310은 부피 감소 재료를 비롯한 액체 코팅을 몰드 상에 적용하고 코팅을 처리 또는 경화하여 몰드의 상부 위에 또는 상에 기판을 형성하는 것을 포함한다. 일부 구체예에서, 기판은 투명할 수 있다. 다른 구체예에서, 단계 310은 몰드 상에 고체 코팅을 적용하는 것, 고체를 가열하여 멜트를 형성하는데 이때 멜트가 몰드의 형상에 정합하는 것, 및 멜트를 냉각시켜 몰드에 정합하는 고체 기판을 형성하는 것을 포함한다. 일부 구체예에서, 코팅의 재료 및 두께는 몰드에 의해 지지되지 않는 경우 가요성이 있는 기판을 유도한다. 예를 들면, 폴리에스테르 기판은 원료(예, 정제된 테레프탈산(PTA))를 용융시킴으로써 형성되고난 후 냉각되어 필름을 형성할 수 있다. 필름의 두께는 표면 특징부의 높이 H보다 더 큰 것이 바람직하고, 5 ㎛ 내지 수백의 ㎛의 범위일 수 있다. 일부 구체예에서, 부피 감소 재료는 토포그래피 특징부를 갖는 몰드 상에 사용될 수 있고, 이때 최대의 증착된 재료의 부분은 최대의 부피 감소가 일어남으로써 생성된 기판의 상부 표면 상에 특정한 만곡부를 생성하고, 몰드와의 접촉부는 생성된 기판의 하부 표면 상의 특정한 만곡부를 생성한다.
본원에 사용된 바와 같이, "부피 감소" 재료는 예를 들어 경화, 건조, 가열, 증발 등에 의해 가공되어 경화에 앞서 초기에 증착된 재료의 부피에 비해 감소된 부피를 갖는 경화된 재료를 생성할 수 있는 것을 지칭한다. 하나의 예시적 부피 감소 재료는 용매 중에 용해된 중합체이지만, 구체예가 여기에 한정되는 것이 아니다. 일단 용매가 가공, 경화 또는 그렇지 않은 경우 증발되면, 남은 재료는 부피를 손실하게 되고 몰드 상에 중합체 코팅을 형성하게 된다. 생성된 중합체 코팅은 하부의 몰드 표면 프로파일의 윤곽 다음에 평활 층을 형성한다. 가장 두꺼운 코팅 재료를 갖는 층 부분은 이의 두께에 가장 많은 감소를 가져서 코팅 및 경화 조건에 의해 조절가능한 표면 프로파일을 유도한다.
일부 구체예에서, 기판은 직접 몰드에 기판이 접촉하도록 어떠한 개재 층도 없이 몰드 위에 직접 형성된다. 다른 구체예에서, 몰드와 기판 사이에는 하나 이상의 개재 층, 예컨대 이형 층 등이 있을 수 있다.
일부 구체예에서, 기판 재료의 굴절률은 유기 발광 재료의 굴절률과 0.1 또는 0.2 미만의 차이를 가질 수 있다. 고 굴절률(> 1.6)은 보다 우수한 광 추출 효율에 바람직하다. 가장 바람직한 굴절률은 광 발생 층의 굴절률(> 1.7)보다 더 높은 값이다.
단계 320은 몰드에 기판이 결합되어 있는 채로 기판 위에 OLED를 형성하는 것을 포함할 수 있다. OLED의 형성 공정은 하기에서 보다 상세하게 논의된다. 일부 구체예에서, OLED를 형성하기 전, 차단층이 기판 위에 적용된다. 일부 구체예에서, OLED를 형성하기 전, 버스 라인이 기판 상에 제작될 수 있다. 단계 330은 OLED가 상부에 제작된 기판으로부터 몰드를 제거하는 것을 포함할 수 있다. 기판 및 OLED는 하기에서 더욱 상세하게 기술되는 다수의 상이한 방식으로 몰드로부터 제거될 수 있다.
본 발명의 일부 구체예에 따르면, 기판은 한면 또는 양면 상에 만곡부를 갖도록 제작될 수 있고 이후 소자가 기판 상에 구성되어서, 보다 우수한 광 추출을 유도할 수 있다. 기판의 한면(소위, 상부 면)은 (만곡을 가진) 비평면이지만 평활한 표면을 갖는다. 이것은 토포그래피 특징부를 갖는 몰드 상에 부피 감소 기판 재료를 캐스팅함으로써 이루어지며, 이때 최대의 증착된 재료의 부분은 최대의 부피 감소가 일어남으로써 생성된 기판의 상부 표면 상에 특정한 만곡부를 생성하고, 몰드와의 접촉부는 생성된 기판의 하부 표면 상에 특정한 만곡부를 생성한다. 이러한 신규 기판은 OLED 소자의 광 추출을 향상시킬 수 있다.
도 3으로 돌아와서, 단계 300은 도 3을 참고하였을 때 상기 논의된 바와 같이 몰드를 제공하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어 도 6a에서 확인되는 바와 같이, 이러한 몰드(600)는 하나 이상의 표면 특징부, 예컨대 오목 구조(602)를 포함할 수 있다. 본원에 사용된 용어 "오목"은 내향으로 굴곡이 진 표면을 의미한다. 예를 들면, 구체의 외부 표면은 볼록하고 구체의 내부 표면은 오목하다. 오목 구조(602)가 기판 상에 성형되어 마이크로스피어(microsphere)를 형성하는 경우, 몰드(600)는, 예를 들어 텅빈 달걀곽과 유사할 수 있다.
단계 310은 몰드 위에 기판을 형성하는 것을 포함할 수 있다. 예를 들어 도 6b에서 확인되는 바와 같이, 기판(610)은 기판(610)의 상부 표면이 평활하고 연속적이도록 오목 구조(602)의 깊이보다 더 두꺼울 수 있다. 이것은 랜덤 스파이크를 가지는 굴곡 표면을 갖는 몰드의 문제를 극복할 수 있다. 기판(610)의 상부 표면이 충분히 평활하지 않을 경우, 평탄화 층(도시되지 않음)이 기판 위에 적용될 수 있다. 임의의 수분 또는 다른 불리한 기체/화학물질이 OLED로의 이동을 방지하는 것을 돕기 위해, 차단층(도시되지 않음)이 기판 상부에 증착될 수 있다. 이 차단층은 또한 (예를 들어, 광리소그래피 공정에서) 화학물질이 다음 단계에 사용되는 경우 하부의 기판 층을 보호할 수도 있다.
하지만, 기판의 상부 면이 도 7b에서 확인되는 바와 같이 (만곡을 가진) 비평면이지만 평활한 표면을 갖는 경우, 부피 감소, 정합 기판 재료(705)가 토포그래피 특징부를 갖는 몰드(700) 상에 캐스팅될 수 있고, 이때 최대의 증착된 재료의 부분(712)은 최대의 부피 감소가 일어남으로써 생성된 정합성 기판(710)의 상부 표면 상에 특정한 만곡부(714)를 생성하고 몰드와의 접촉부는 생성된 정합성 기판(710)의 하부 표면 상에 특정한 만곡부를 생성한다. 예시된 구체예에서, 최대의 재료의 부분(712)은 또한 정합성 기판(710)의 하부 표면 상에 특정한 만곡부, 이 경우에는, 구면 렌즈 특징부를 형성하도록 작용하지만, 구체예가 여기에 한정되는 것은 아니다. 이러한 신규 정합성 기판(710)은 OLED 소자의 광 추출을 향상시킬 수 있다.
도 7a 및 7b에서 예시된 구체예에서, 부피 감소 재료가 몰드(700)의 상부에 우선 코팅된다. 하나의 예시적 재료가 용매 중에 용해된 중합체이지만, 구체예가 여기에 한정되는 것은 아니다. 일단 용매가 가공, 경화 또는 그렇지 않은 경우 증발되면, 코팅은 부피를 손실하고 중합체 코팅을 형성한다. 생성된 코팅은 하부의 몰드(700) 표면 프로파일의 윤곽 다음에 평활 층을 형성한다. 가장 두꺼운 코팅 재료를 가지는 층 부분은 이의 두께에 있어서 가장 많은 감소를 가져서, 도 7b에서 확인되는 바와 같이, 코팅 및 경화 조건에 의해 조절될 수 있는 표면 프로파일을 유도한다.
이후 도 6a-6g에서 확인되는 바와 같이, 평면 기판(610)의 상부에서의 OLED 제작과 실질적으로 동일한 방식으로 굴곡이 있는 정합성 기판(710)의 상부에서 OLED가 제작될 수 있다. 하기 더욱 상세하기 기술되는 바와 같이, OLED는 차단층, 애노드 층, 금속 버스 라인, HIL(정공 주입층), HTL(정공 수송층), EML(발광층), HBL(정공 차단층), EIL(전자 주입층), ETL(전자 수송층), 및 EBL(전자 차단층), 캐소드, 차단층, 및 보호층 중 일부 또는 전부를 포함하도록 제작될 수 있다. 전체 소자 스택은, 양면 상에 만곡부를 가지는 정합성 기판(710)과 함께, 소자 제작 후 몰드(700)로부터 이형될 수 있다. 정합성 기판(710)은 또한 소자 제작 없이 몰드(700)로부터 이형되어 독립형(stand-alone) 부품으로서 사용될 수도 있다.
도 6a-6g, 7a 및 7b에서 몰드(600, 700)는 부피 감소 기판 재료(즉, 705) 내로 만입된 반구 특징부(602, 702)를 갖지만, 구체예가 여기에 한정되는 것은 아니고, 몰드(600, 700)의 표면은 임의의 형성일 수 있다. 도 8은 반구 특징부를 갖고 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 가지는 기판(810)을 유도하는 또다른 몰드(800)의 단면도이다. 도 9는 사인 함수 형상 특징부를 가지고 또한 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 가지는 기판(910)을 유도하는 또다른 몰드(900)의 단면도이다. 도 10은 마이크로웰 특징부를 가지고 또한 기판의 양면 상에 토포그래피 특징부 또는 만곡부를 가지는 기판(1010)을 유도하는 또다른 몰드(1002 및 1004)의 단면도이다.
양면 상에 만곡부를 가지는 기판을 사용하는 것의 이점은 향상된 광 추출이다. 예를 들면, 특히 고 굴절률을 갖는 곡면 기판이 사용되는 경우, 광 추출은 기판 모드 도파광(wave-guided light)에 100%까지 도달할 수 있다. 본 발명의 구체예는 유사한 결과를 실현하고 훨씬 더 평활한 표면을 제공한다.
추가 구체예에서, 기판은 미리 획정된, 전반적으로 비평면의 프로파일 형상을 가지며, 제1 유기 발광 소자는 기판의 미리 획정된 전반적으로 비평면의 프로파일 형상에 정합하는 최종 프로파일 형상을 포함한다. 현재의 OLED 소자는, 가요성을 이용하여 임의의 원하는 비평면 형상으로 추후에 형성시키고자 하였을 때를 제외하고는, 초기에 이들이 형성되었을 때 평면이다. 본 발명의 구체예에서, 기판은 임의의 미리 획정된 전반적으로 비평면의 프로파일 형상, 예컨대 막대기형, 큐브형, 벨형 등일 수 있다. 제1 유기 발광 소자는 기판의 미리 획정된 전반적으로 비평면의 프로파일 형상에 정합하는 최종 프로파일 형상을 갖도록 기판 상에 구성된다. 그러한 배열에는 다수의 이점들이 존재한다. 예를 들면, 이러한 경우의 대부분, 소자의 외부 영역이 소자의 내부 영역보다 더 크다. 따라서, 외부 영역은 "청색" 컬러를 제공하는 데 사용될 수 있는데, 그 이유는 더 큰 영역은 수명 손실을 절충할 수 있기 때문이다. 개별 소자는 또한 멀티 디스플레이 또는 라이팅 표면을 갖는 하나의 단일 소자로 만들어질 수도 있다. 예를 들면, 거의 완벽한 아웃커플링 수율을 가질 수 있는 글로브 성형된 소자가 형성될 수 있다.
이후 OLED는 굴곡이 있는 정합성 기판(710)의 상부에 제작될 수 있거나, 또는 정합성 기판(710)이 소자 제작 없이 몰드(700)로부터 이형되어 독립형 부품으로서 사용될 수 있다. 도 4는 OLED를 제작하는 도 3의 단계 320에서 사용될 수 있는 예시 OLED 제작 공정(321)을 예시한다. 공정(321)은 애노드를 적용하는 단계(322), 유기 재료를 적용하는 단계(323), 캐소드를 적용하는 단계(324), 차단층을 적용하는 단계(325), 및 하드 코트를 적용하는 단계(326)를 포함할 수 있다. 제작 공정(321)은 단지 예시일 뿐이며 추가의 단계 또는 더 적은 단계를 포함할 수 있다. 예를 들면, 제작 공정(321)에서는 구체화되지 않았지만, OLED 소자(100 또는 200)에 존재하는 층을 형성하는 단계를 또한 포함할 수 있다. 단계의 순서는 또한 재배열될 수 있다. 예를 들면, 역위 OLED, 예컨대 도 2와 관련하여 기수된 것이 바람직한 경우, 단계 322 및 324가 재정리될 수 있다.
단계 322는 기판 위에 애노드를 적용하는 것을 포함할 수 있다. 임의의 적당한 방법은, 비제한적 예로서, 스퍼터링(sputtering), 광리소그래피, 및 기타 습식 또는 건식 공정을 비롯해 사용될 수 있다. 그리고나서 단계 323은 애노드 위에 유기 재료를 적용하는 것을 포함할 수 있다. 유기 재료는, 비제한적인 예로서, HIL(정공 주입층), HTL(정공 수송층), EML(발광층), HBL(정공 차단층), EIL(전자 주입층), ETL(전자 수송층), 및 EBL(전자 차단층)을 포함하는 적당한 재료의 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. 유기 재료는, 비제한적 예로서, 열 증착, 잉크젯 프린팅, 유기 기상 증착(OVPD), 유기 증기 제트 프린팅(OVJP)에 의한 증착, 스핀 코팅 및 기타 용액 기반 공정을 포함한 임의의 적당한 방법을 사용하여 적용될 수 있다. 그리고나서 단계 324는 유기 재료 위에 캐소드를 적용하는 것을 포함할 수 있다. 비제한적 예로서, 스퍼터링, 광리소그래피, 및 기타 습식 또는 건식 공정을 포함한 임의의 적당한 방법이 사용될 수 있다.
단계 325는 OLED 위에 차단층을 적용하여 OLED를 캡슐화하는 것을 포함할 수 있다. 일부 구체예에서, 차단층은 OLED가 가요성이 있도록 박막이다. 차단층은 무기, 유기, 및 혼성 재료를 포함할 수 있다. 적용 공정은, 비제한적 예로서, 스퍼터링, 플라즈마-강화된 화학 증착(PECVD), 원자층 증착(ALD), 및 기타 박막 증착 공정을 포함할 수 있다. 이후 단계 326은 차단층 위에 하드 코트 층, 예컨대 플라스틱 필름을 적용하여 OLED에 추가 보호를 제공하는 것을 포함할 수 있다. 기계적 보호층을 제공하는 것 이외에, 하드 코트 층은 기판 및 OLED 소자로부터 몰드를 제거하는 것이 용이할 수 있다.
도 5는 도 3 및 4와 관련하여 앞서 기술된 단계 중 하나 이상을 포함할 수 있는, 기판 상에 가요성 OLED를 제작하는 방법의 예시적 순서도이다. 이 방법은 몰드를 제공하는 단계(500), 기판을 형성하는 단계(510), 전극 및 유기 물질을 적용하는 단계(520), 차단층을 적용하는 단계(530), 제1 하드 코트를 적용하는 단계(540), 기판 및 OLED로부터 몰드를 제거하는 단계(550), 및 제2 하드 코트를 적용하는 단계(560)를 포함할 수 있다. 도 5의 방법은 단지 예시일 뿐이며 추가의 단계 또는 더 적은 단계를 포함할 수 있다. 단계의 순서는 재배열될 수도 있다. 도 5에 개설된 방법의 각 단계 이후에 형성된 일시적 구조의 관점을 예시하는 첨부된 도 6a-6g의 논의와 함께 단계 각각의 더욱 상세한 논의가 이어진다.
단계 500은 몰드를 제공하는 것을 포함할 수 있고 도 3과 관련하여 상기 논의된 단계 300에 상응할 수 있다. 단계 510은 몰드 위에 기판을 형성하는 것을 포함할 수 있고 도 3과 관련하여 상기 논의 된 바와 같이 단계 310에 상응할 수 있다. 일부 구체예에서, 예를 들어 도 6b에서 확인되는 바와 같이, 기판(610)은 기판(610)의 상부 표면이 평활하고 연속되도록 오목 구조(602)의 깊이보다 더 두꺼울 수 있다. 일부 구체예에서, 예를 들어 도 7a 및 7b에서 확인되는 바와 같이, 부피 감소 기판 재료(705)는 토포그래피 특징부를 갖는 몰드(700) 위에 캐스팅될 수 있고, 이때 최대의 증착된 재료의 부분(712)은 최대의 부피 감소가 일어남으로써 생성된 정합성 기판(710)의 상부 표면 상에 특정한 만곡부(714)를 생성하고, 몰드와의 접촉부는 생성된 기판의 하부 표면 상에 특정한 만곡부를 생성한다.
일부 구체예에서, 정합성 기판(710)의 상부 표면 상의 특정한 만곡부(714)는 도 12a에서 확인되는 바와 같이 OLED를 형성하기 전에 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 보유하는 평탄화 재료로 충전될 수 있다. 다른 구체예에서, 정합성 기판(710)의 상부 표면 상의 특정한 만곡부(714)는 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 보유하고 도 12b에서 확인되는 바와 같이 OLED를 형성하기 전에 만곡부(714)의 토포그래피 중 일부를 유지하는 정합성 코팅 또는 재료로 충전될 수 있다. 다른 구체예에서, 정합성 기판(710)의 상부 표면 상의 특정한 만곡부(714)는 금속화되어 도 12c에서 확인되는 바와 같이 OLED를 형성하기 전에 볼록 거울을 형성한다. 또한, 임의의 수분 또는 다른 불리한 기체/화학물질이 OLED내로 이동하는 것을 방지하는 것을 돕기 위해, 차단층(도시되지 않음)이 정합성 기판(610, 710)의 상부에 증착될 수 있다. 이러한 차단층은 또한 (예를 들어, 광리소그래피 공정에서) 다음 단계에서 화학물질이 사용되는 경우 하부 기판 층을 보호할 수도 있다.
단계 520은 전극 및 유기 물질을 적용하는 것을 포함할 수 있고 도 3과 관련하여 상기 논의된 단계(322, 323 및 324)와 상응할 수 있다. 일부 구체예에서, 예를 들어 도 6c에서 확인되는 바와 같이, OLED(620)는 전극(622 및 626) 사이에 샌드위치화된 유기 재료(624)를 갖는 2개의 전극(622 및 626)을 포함하도록 형성될 수 있다. 하나 이상의 OLED(620)는 정합성 기판(610, 710) 상에 형성될 수 있다. 일부 구체예에서, OLED(620)는 전극(622)이 애노드이고 전극(626)이 캐소드가 되는 하부 발광 OLED일 수 있다. 일부 구체예에서, 애노드(622)는 투명이고 단계 322와 관련하여 상기 논의된 임의의 방법에 따라 정합성 기판(610, 710) 위에 적용될 수 있다. 일부 구체예에서, 애노드 층(622)은 패턴화될 수 있고/있거나 전류 분배를 돕기 위해 추가의 버스 라인을 포함할 수 있다. 이러한 경우에, 애노드 층(622)은 패턴화를 위한 절연재 및/또는 추가의 버스 라인을 위한 추가의 도전재를 포함할 수 있다. 이는 표준 광리소그래피 공정 또는 기타 습식 또는 건식 공정을 사용하여 형성될 수 있다. 애노드 층(622)이 형성된 후, 하나 이상의 유기층(624)은 단계 323과 관련하여 상기 논의된 공정에 따라 애노드 층(622) 위에 형성될 수 있다. 다음으로, 캐소드 층(626)은 단계 324와 관련하여 상기 논의된 공정에 따라 유기층(624) 위에 형성될 수 있다. 일부 구체예에서, 추가의 층은 캐소드(626) 위에 침착될 수 있다. 예를 들면, 버퍼 층(도시되지 않음)은 캐소드(626) 위에 증착될 수 있다.
단계 530은 차단층을 적용하는 것을 포함할 수 있고 도 3과 관련하여 상기 논의된 바와 같이 단계(325)에 상응할 수 있다. 일부 구체예에서, 예를 들어 도 6d에서 확인되는 바와 같이, 차단층(630)은 OLED 소자(620) 위에 증착되고 산화물, 질화물, 세라믹, 또는 혼성 재료를 포함할 수 있다. 일부 구체예에서, 차단층(630)은 OLED 소자가 가요성이도록 두께에 있어 충분히 얇다. 이어서 단계 540은 하드 코트를 적용하는 것을 포함할 수 있고 도 3과 관련하여 상기 논의된 바와 같이 단계(326)에 상응할 수 있다. 일부 구체예에서, 예를 들어 도 6e에서 확인되는 바와 같이, 하드 코트(640)는 글루 층(642)을 통해 차단층(630)에 결합될 수 있다. 일부 구체예에서, 하드 코트(640)는 차단 특성을 가져서 수분, 증기 및/또는 기체를 비롯한 환경에서 유해한 종에 노출되는 것을 방지한다. 하드 코트(640) 재료는, 비제한적 예로서 유리, 금속 호일, 또는 배리어 코팅된 플라스틱 필름을 포함할 수 있다.
일부 구체예에서, 단계(520, 530 또는 540) 후, 예를 들어 각각 도 6c-6e에서 확인되는 바와 같이, 표면 특징부를 갖는 몰드, 몰드 위에 형성되는 기판, 및 기판 위에 제작되는 OLED를 비롯하여 일시적 구조가 존재한다. 상기 논의된 바와 같이, 정합성 기판(610, 710)은 투명일 수 있고 몰드의 부재 하에서 기판이 가요성이도록 두께를 가질 수 있다. 그러한 일시적 구조는 제조 동안 존재하며 일부 구체에에서 공정의 남은 단계, 예컨대 몰드의 제거가 수행되기 전에 그 상태로 운송 또는 보관될 수 있다.
단계 550은 기판 및 OLED로부터 몰드를 제거하는 것을 포함할 수 있고, 도 3과 관련하여 상기 논의된 단계(330)에 상응할 수 있다. 일부 구체예에서, 예를 들면 도 6f에서 확인되는 바와 같이, OLED(620) 및 기판의 조립체(650)가 몰드로부터 제거될 수 있다. 이형 단계는 다수의 상이한 수단을 사용하여 수행될 수 있다. 일부 구체예에서, 제거는 조립체(650)로부터 몰드를 분리시키는 힘의 적용을 수반한다. 정합성 기판(610, 710)과 몰드(600, 700) 사이의 접착이 모든 계면 중에 가장 약하다면, 기판은 몰드로부터 탈착되게 된다.
일부 구체예에서, 몰드가 용해됨으로써, 조립체(650)로부터 몰드를 제거하게 된다. 예를 들면, 몰드는 평판 유리 상에 포토레지스트를 사용하여 토포그래피 특징부를 형성함으로써 만들어질 수 있다. 포토레지스트는 광리소그래피 공정에서 패턴화 목적으로 사용되는 표준 재료이며, 나중에 쉽게 제거될 수 있다. 예를 들면, Shipley에 의해 제공된 전형적인 포지티브 레지스트(S1813)는, 하드 베이킹 전에 아세톤 중에 용해될 수 있다. 하드 베이킹, 예컨대 150℃ 베이킹 직후, S1813은 고온에서 Shipley에 의해 제공된 포토레지스트 리무버(1165)에 의해 여전히 제거될 수 있다.
일부 구체예에서, 열적 접근법은 제거의 수행에 있어 취해질 수 있다. 예를 들면, 조립체 및 몰드는 가열 및/또는 냉각될 수 있다. 몰드 및 기판 재료의 열 팽창의 임의의 불일치의 결과로서, 기판은 몰드로부터 분리될 수 있다. 몰드 및 기판에 사용된 재료 중 일부의 열 팽창 계수(CTE)값은 하기 표 2에 제시된다. 전형적 플라스틱재는 매우 큰 CTE값을 갖는다. 저 CTE 재료(예, Si, 유리, 스테인레스, 또는 강철)로부터 만들어진 몰드와 쌍을 이루었을 때, 플라스틱재는 전체 부품을 냉각시킴으로써 쉽게 이형될 수 있으므로, 플라스틱은 실질적으로 몰드보다 더욱 수축하여 그 결과로 그 자체가 몰드로부터 분리되게 된다.
예를 들면, 실온에서 몰드의 상부에 100 ㎛ 두께 기판 코팅을 적용하는 것을 평가한다. CTE 불일치부는 약 50 x 10-6 / K (유리 상 플라스틱/Si 몰드)이다. 전체 부품을 20°켈빈온도 아래로 냉각하였을 때, 기판과 몰드 사이의 치수 변화는 100 x 50 x 10-6 x 20 = 0.1 ㎛이며, 이는 유의적인 변화이며 몰드로부터 기판이 분리되는 원인이 될 수 있다.
광원 또한 기판의 이형을 촉발하는 데 사용될 수 있다. 자외선, 적외선 또는 레이저를 비롯한 가시광선 광원이 기판과 몰드 사이의 계면을 국소적으로 가열하는 데 사용될 수 있다. 이러한 공정을 촉진하기 위해, 광에너지를 흡광하는 이형 코팅(도시되지 않음)이, 단계 500과 단계 510 사이에 정합성 기판(610, 710)을 형성하기 전에 위에 증착될 수 있다. 산화물 재료, 예컨대 SiO2, Al2O3 및 투명 전도성 산화물 재료 ITO는 광에서 열로 전환하는 데 사용될 수 있다. 적용된
적용된 재료의 두께는 몇몇의 nm 내지 100 nm의 범위일 수 있다.
일부 구체예에서, 기판과 몰드 사이의 저 접착력은, 예를 들어, 단계 500과 단계 510 사이에서 몰드에 이형 코팅을 적용하는 것을 사용하여 저 표면 에너지를 갖도록 몰드 표면을 처리함으로써 실현될 수 있다. 저 표면 에너지 이형 코팅은, 비제한적 예로서, 플루오르화된 중합체(예, 테플론), 실록산, 또는 실리콘을 포함할 수 있다. 일부 구체예에서, 몰드가 Si(예, 산화된 Si) 또는 유리인 경우, 저 표면 에너지 이형 코팅은 플루오르화된 실란일 수 있다.
일부 구체예에서, 액체 또는 기체가 OLED 소자 및 기판의 조립체로부터 몰드를 제거하는 데 사용될 수 있다. 도 11a 내지 11c에서 확인되는 바와 같이, 몰드(600')는 몰드의 전체 두께를 통해 연장되는 복수의 홀(604)을 가질 수 있다. 이러한 또는 유사한 홀은 몰드의 후면으로부터 정합성 기판, 예컨대 610, 710에의 접근을 제공할 수 있다. 제거 단계(550) 동안, 액체 또는 기체 물질, 예컨대 (액체 또는 기체 형태의) 화학물질 또는 물은 홀을 통해 이동할 수 있고 정합성 기판(610, 710)과 몰드 사이의 계면 접착을 변화시켜 조립체(650)로부터 몰드의 제거를 용이하게 한다. 다른 구체예에서, 기계력이 홀을 통해 가해질 수 있다. 그러한 기계력은, 예를 들어 고체 물질(예, 핀), 액체 물질(예, 유압 액체) 또는 기체 물질을 사용하여 가해질 수 있다. 기체를 사용하는 일례는 홀을 통해 고압 기체를 보내어 몰드로부터 정합성 기판(610, 710)을 밀어내는 것을 포함할 수 있다.
일부 구체예에서, 홀의 치수를 사이징하여 너무 커서 효과적인 렌즈 표면이 감소되는 것을 방지하고 기판을 형성하는 경우 기판이 홀을 통해 새는 것을 최소화하지 않도록 보장한다. 일부 구체예에서, 홀은 각각의 개별 렌즈의 베이스 영역의 10% 미만을 취한다. 예를 들면, 반경이 5 ㎛인 반구면 렌즈의 경우, 홀의 반경은 1.6 ㎛ 미만이어야 한다. 코팅된 재료의 표면 장력으로 인해 홀을 통해 내부로 코팅이 충전되지 않도록 매우 작은 홀을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 표준 광리소그래피 공정의 경우, 서브-미크론 사이즈(예, 0.5 ㎛)가 자외선 광원에 의해 가능하다. 몰드의 표면이 처리되어 이 공정을 촉진할 수 있다.
일부 구체예에서, 일단 몰드가 제거되면, OLED가 위에 제작된 기판은 가요성이다. 예를 들면, 일부 구체예에서, OLED가 위에 제작된 기판은 굴곡 강성도가 충분히 낮을 수 있어서 기판은 파괴 없이 12 인치 치수 롤을 랩핑할 수 있다.
일부 구체예에서, 예를 들어 도 6f에서 확인되는 바와 같이, 일단 몰드가 제거되면, 기판은 제거된 몰드의 표면 특징부와 상보적이거나 정합하는 하부 표면 특징부를 포함한다. 예를 들면, 몰드의 구형 만입부는 유사한 반경의 기판 상에 상보적이거나 정합성의 구형 돌출부를 유도한다. 본원에 사용된 바와 같이, "상보적인" 및 "정합성"은 예를 들어 기판과 몰드 사이에 일부 두께 및 불규칙성을 갖는 이형 층의 존재에 의해 야기되는 작은 차이들을 허용한다. 일부 구체예에서, 기판 상의 표면 특징부 중 적어도 일부는 볼록하다.
기판은 기판 하부 표면 특징부에 상보적인 기판 상부 표면 특징부를 추가로 포함할 수 있다. 예를 들면, 기판의 하부 표면 상의 구형 돌출부는 부피 감소 기판 재료의 조성을 기초로 하는 특징부를 갖는 유사한 위치의 기판의 상부 표면 상에 상보적인 구형 딤플을 유도한다.
도 5로 돌아와서, 단계 560은 단계 550 후 소자의 아웃커플링 면에 제2 하드 코트를 적용하여 추가의 기계적 보호 및 배리어 보호를 제공하는 것을 포함할 수 있다. 일부 구체예에서, 예를 들어 도 6g에서 확인되는 바와 같이, 하드 코트(660)가 기판에 적용될 수 있다. 얇은 유리 조각 또는 배리어 코팅된 플라스틱이 하드 코트(660)에 사용될 수 있다. 일부 구체예에서, 하드 코트(660)는 양면 상에 반사방지 코팅을 가질 수 있다. 하드 코트(640 및 660)는 글루 층(662)에 의해 함께 결합될 수 있다. 일부 구체예에서, 글루 층(662)은 가요성이 있고 배리어 특성을 갖는다. 흡습재는 하드 코트 640과 660 사이의 조립체 내부에 포함되어 수분 및 산소로부터 추가의 보호를 제공할 수 있다.
일부 구체예에서, 단계 500 내지 550은 예를 들어 도 18에서 확인되는 바와 같이 컨베이어 벨트 장치 상에서 일어날 수 있다. 스테이션 1 내지 6은 각각 단계 500 내지 550, 그리고 각각 도 6a-6f에서 확인되는 구조와 상응하다. 그러한 구체예에서, 가요성 몰드(600, 700)가 바람직하다. 일부 구체예에서, 몰드(600, 700)는 컨베이어 벨트(1080)에 결합될 수 있고 몰드가 컨베이어 벨트와 이동하기 때문에, 상이한 재료가 몰드 상에 증착되게 된다. 다른 구체예에서, 컨베이어 벨트(1080)는 몰드(600, 700)일 수 있다. 공정 완료시, 몰드는 롤러 주변에 벤딩되고 기판-몰드 계면이 가장 약한 계면인 경우, 기판과 OLED의 조립체는 몰드로부터 박리된다. 이러한 구체예에서, 몰드는 기판과 OLED의 조립체보다 더 높은 가요성인 것이 바람직하다. 하드 코트는 조립체가 몰드보다 더욱 강성이도록 하기 때문이다. 이러한 구체예에서, 몰드는 더 얇은 재료로부터 만들어질 수 있어서 컨베이어 벨트의 롤러 주변을 벤딩할 수 있다.
그러한 구체예에서, 상응한 장치는 벨트(1080); 임의의 기존의 벨트 구동 수단일 수 있는 벨트를 움직이는 메카니즘; 및 벨트 상에 배치되는, 표면 특징부를 갖는 가요성 몰드를 포함할 수 있다. 장치는 또한 벨트의 경로를 따라 순차적인 순서로 기판 재료의 원천에 결합된 디스펜서; 기판의 원하는 부피 감소를 유도하는 기판 코팅의 용매의 가공, 제거 및/또는 증발을 비롯한 기판 재료의 처리에 적합한 에너지원; OLED의 부품을 구성하는 재료를 적용하는 원천에 결합되는 복수의 디스펜서; 및 벨트 상에 배치된 몰드로부터 기판 재료와 OLED의 조립체를 제거하는 것에 적합한 메카니즘을 포함할 수 있다. 일부 구체예에서, 상기 논의된 바와 같이, 조립체를 제거하기에 적합한 메카니즘은 OLED 소자를 유지할 수 있기 때문에 롤러 주변에 벨트를 벤딩하는 경우 몰드로부터 기판을 박리시킨다.
몰드 상에서 부피 감소에 의해 정합성 기판(710)의 상부 표면 상에 딤플 형성을 생성하기 위해, 일 구체예는 톨루엔과 잘 혼합되는 폴리(메틸 메타크릴레이트) 14 중량% 비율을 사용한다. 고체 및 용매의 혼합물은 1시간 동안 자석 막대와 교반되어 균질한 코팅 유체를 형성할 수 있다. 여기서 사용되는 몰드(700)는 50 ㎛ 직경의 역위 반구 패턴을 갖는 니켈판 마이크로렌즈 몰드일 수 있다. 코팅 전에 MLA 몰드 표면에 이형제를 적용하여 용이한 기판 이형을 보장한다. 일단 코팅이 실시되면, 코팅된 판은 가공, 경화 또는 가열되어 기판으로부터 용매를 제거하기 위해 예를 들어 30분 동안 110℃에서 고온 표면 상에 코팅된 판을 배치함으로써 원하는 양의 용매를 제거할 수 있다. 몰드 상의 역위 MLA 특징부와 연관된 부피 수축으로 인해, 기판의 상부 표면은 딤플 패턴을 보여주지만 기판의 하부 표면은 마스터 몰드로부터 복제된 마이크로렌즈 어레이를 보여준다. 상기 형성 작업은 도 18에서 확인된 바와 같이 컨베이어 벨트 장치 상에서 일어날 수 있고, 예시로서 제공되며, 본 발명은 여기에 한정되는 것이 아니다.
도 16a 및 16b는 정합성 기판(710)의 하부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 SEM 이미지이고, 도 17a 및 17b는 기판의 상부 표면 상의 토포그래피 특징부 또는 만곡부의 SEM 이미지이다. 정합성 기판(710)의 하부 표면 상에 형성된 마이크로특징부는 몰드(700)의 형상을 정확하게 복제한다. 각 마이크로렌즈의 반구체는 직경이 대략 50 ㎛이고, 단 하나의 마이크로렌즈에만 명확성을 위해 표지된다. 경화 공정에서 용매 증발의 성질로 인해, 정합성 기판(710)의 상부 표면은 도 16a 및 16b의 역위 마이크로렌즈 표면의 만곡부 다음에 도 17a 및 17b의 잘 배치된, 딤플 패턴을 형성한다. 각 딤플 패턴의 반경은 정합성 기판(710)의 바닥부 상에 형성된 마이크로렌즈의 반경 미만이고, 단 하나의 딤플에만 명확성을 위해 표지된다. 용액 중 고체의 적재 비율을 조절함으로써, 다양한 딤플 패턴의 기하 구조를 쉽게 수득할 수 있다.
상기 언급된 바와 같이, 얇은, 마이크로렌즈-보유 플라스틱 기판은 마이크로웰의 패턴을 함유하는 몰드 위에 용해된 중합체 필름을 캐스팅함으로써 제작될 수 있다. 중합체 필름은 용매가 증발되기 때문에 부피를 손실하게 되며 고체로 경화된다. 이것은 필름 또는 정합성 기판(710)의 자유 면 상에 각 마이크로렌즈의 축 상에 통상 중심을 이루는 딤플 또는 기타 형상을 생성한다. 일 구체예에서, 딤플(714)은 도 12a에서 확인되는 바와 같이 고 굴절률을 보유하는 평탄화 재료 또는 층(716)으로 충전될 수 있다. 도 12a는 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 보유하는 평탄화 재료로 충전될 수 있는 기판 표면 만곡부 또는 딤플을 예시하는 단면도이다.
캐스팅 기판과 평탄화 층 사이에 형성되는 이러한 추가의 비평면 굴절 계면은 내부 추출 층으로서 작용한다. 광선 추적 시뮬레이션은 굴절률 n=1.7인 마이크로렌즈 기판의 아웃커플링 효율(η0)이 n=2.0인 재료에 의해 정합성 기판(710)의 소자 면 상에 딤플을 평탄화시킴으로써 η0=39%로 향상시킬 수 있다는 것을 보여주었다. 이것은 OLED에 인접한 평탄화 코팅이 기판에 일치하는 굴절률을 갖는 η0=33%에 비교된다. MLA의 인접한 간격은 R=1 중심-대-중심이다. 마이크로렌즈의 만곡부의 반경은 또한 R=1이고 H/R의 종횡비는 0.8이고, 여기서 H는 기판 평면 위에 마이크로렌즈 정점의 프로미넌스(prominence)이다. 내부 추출 층의 렌즈는 외부 추출 층의 것과 동축이며, 반경 r=0.4 및 종횡비 h/r=0.7을 갖고, 이때 h는 내부 추출 층 특징부의 프로미넌스이다. 비교를 위해, 굴절률 n=1.7이고 평판 소자와 공기 계면을 둘다 갖는 기판은 아웃커플링 효율 η0 =19%를 갖는다.
적용된 고 지수 재료는 일부 구체예에서 정합성 기판(710)의 소자 면 상의 딤플을 평탄화시키지 않을 수 있다. 정합성 고 지수 코팅(718)으로 코팅된 기판 표면의 소자 면은 도 12b에서 확인되는 바와 같이 오목화된 정합성 기판(710)의 토포그래피를 유지한다. 유기 발광 소자는 편평한 성장 기판을 필요로 하지 않아서, 오목화된 정합성 기판(710) 표면 위에 발광 구조(718)를 성장시키는 것이 가능하다. 유기 소자 층의 정합 증착은 유기 기상 증착(OVPD)과 같은 기법을 사용하여 촉진될 수 있다. 이러한 구조의 잠재적 이점은 소자의 단면적 당 보다 큰 발광 표면적이 있다는 점이다. 또한 평탄화된 IEL 위에 성장된 소자와 비교하였을 때 향상된 아웃커플링을 제공한다. 광선 추적 모델링은, 이전 경우의 딤플이 도 12b에서 확인되는 바와 같이 굴절률 n=2.0을 갖는 고 지수 재료로 정합 코팅되는 경우 43%의 η0가 실현될 수 있다는 것을 나타낸다. 시뮬레이션은 이전 경우와 동일한 기판(710) 기하구조일 것으로 추정한다. 이 경우, OLED의 박막 층과 기판 사이에 배치되는 고 지수 재료 층(718)은 평탄화 층보다는 정합성 코팅이다. OLED 층에 인접한 표면은 밑의 기판(714) 상의 것과 일치하는 치수를 갖는 딤플을 특징으로 하고, r'=0.4이고 종횡비 h'/r'=0.7이다. 정합성 코팅(718)은 굴절률이 2.0이다.
고 지수 층은 평탄화 층(716)의 것 및 정합성 코팅(718) 사이의 형상 중간체를 가질 수 있다. 이러한 코팅은 OLED 증착 표면 상의 딤플이 감소되지만 제거되지는 않도록(h'<h) 기판을 부분적으로 평탄화시킨다. 그러한 구조의 광학 성능은 평탄화 층을 갖는 구조의 것과 정합성 고 지수 층을 갖는 구조의 것 사이의 중간이다. 그러한 구조로의 제조 이점이 존재한다. 기판의 전체 평탄화는 실현하기가 어려울 수 있지만, 부분 평탄화는 기판 표면 위에 OLED 재료의 정합성 증착을 촉진하기에 충분할 수 있다.
부피 감소 재료로부터 캐스팅된 마이크로렌즈 어레이 기판 상에 존재하는 딤플은 또한 기판 위에 배치된 반사장치를 포함하는 내부 아웃커플링 구조를 기초로 사용될 수도 있다. 예를 들면, 정합성 기판(710)의 오목화된 부분이 금속화되는 경우, 딤플 상에 증착된 반사 표면은 도 12c에서 확인되는 바와 같이 기판의 마이크로렌즈(712) 보유 면으로부터 보았을 때 볼록 거울(720)을 형성한다. 볼록 거울은 광을 방출하지 않고, 기능적 OLED 표면에 의해 커버되지 않지만, OLED의 캐소드 층은 이의 금속화로서 작용할 수 있다. 이러한 구조로부터의 광은 볼록 거울화된 딤플 주변의 편평한 기판 표면 상에 증착된 OLED 층에 의해 생성된다.
볼록 거울(720)은 정상 방향을 향하여 기판 평면에 근접한 기판을 통해 전파되는 광선을 재전송할 수 있다. 이것은 기판-공기 계면을 직면하였을 때 상기 광선이 아웃커플링될 수 있는 효율을 증가시킨다. 반경 R=1 및 종횡비 H/R=0.8인 육각형으로 패킹된 어레이 구형 마이크로렌즈 어레이의 아웃커플링 효율은, 기판의 대향 표면 상의 마이크로렌즈에 동축인 볼록 거울의 혼입에 의해 33% 내지 59% 증가될 수 있다. 거울은 반경 r=0.4 및 종횡비 h/r=0.7을 갖는 것으로 추정되고, 이때 h는 OLED의 평면 위의 볼록 거울 정점의 프로미넌스이다.
거울을 형성하는 데 사용되는 딤플이 마이크로렌즈 어레이 제작의 부산물로서 형성될 수 있지만, 볼록 거울 어레이는 기판으로부터 아웃커플링을 향상시키기 위해 마이크로렌즈 어레이가 필요하지는 않다. R=1, 반경 r=0.4 및 종횡비 h/r=0.7의 최단 인접 간격을 갖는 육각형 볼록 거울 어레이는 기판의 아웃커플링(η0)이 19% 내지 33% 증가할 수 있다. 볼록 거울 아웃커플러의 유효성은 도 14에서 확인되는 바와 같이 h/r에 따라 달라진다. 덜 중요한 특징부, 예컨대 h/r=0.1은, 비효율적인 아웃커플러인 반면,종횡비 특징부, h/r > 0.35가 더 높을 수록 더욱 효율적이다. 최선의 종횡비는 마이크로렌즈 어레이를 포함하는 경우와 포함하지 않는 경우 모두에서 대략 h/r=0.7이다.
볼록 거울 어레이의 아웃커플링은 또한 도 15에서 확인되는 바와 같이 소정의 종횡비에 대한 거울 만곡부의 반경에 따라 달라진다. 기판-대-공기 계면이 편평한 경우, 보다 큰 볼록 거울은 보다 우수한 아웃커플링 효율을 생성한다. h/r=0.7 및 R=1인 볼록한 마이크로거울의 육각형 어레이의 경우, 49%의 아웃커플링 효율은 R=0.8의 거울을 실현할 수 있다. 아웃커플링 효율은 동일한 중심-대-중심 간격을 갖는 보다 작은 볼록 거울에 따라 감소되는데, 그 이유는 이들이 기판 표면적을 별로 커버하지 않고 어레이는 더 낮은 충전율을 갖기 때문이다. 볼록 거울 어레이가 마이크로렌즈 어레이와 동축으로 사용되는 경우 만곡부의 더 작은 반경이 바람직하다. 마이크로렌즈와 볼록 마이크로거울의 반경이 유사한 경우, 기판의 앞면 및 후면으로부터 상응한 지점 상의 아웃커플링 특징부에 접하는 평면은 서로와 거의 평행하다. 이것은 아웃커플링 표면의 효율을 줄어들게 하는데, 그 이유는 기판이 내부에서 이동하는 광의 관점에서 국소적으로 편평하기 때문이다. r=0.4인 배치는 R=1인 마이크로렌즈 어레이에 최적인 것으로 보여진다.
아웃커플링은 광선 추적에 의해 TracePro(Lambda Research, 메사추세츠주 리틀턴 소재)에서 모델링된다. 기판 상의 육각형으로 패킹된 마이크로렌즈 어레이는 도 13에서 확인되는 바와 같이 4면 상의 인접 셀과의 계면에서 대칭 경계 조건으로 단순 반복 셀로서 처리된다. 도 13의 관점 (A)는 모조 기판의 셀의 평면 관점이다. 마이크로렌즈(712)는 반경이 R=1.0이다. 셀은 1.73 X 1.0의 치수를 갖는다. 길이는 무차원 단위로 표시되며 그 이유는 광선 추적 방법이 길이 규모와 무관하기 때문이다.
도 13의 관점 (B)는 모조 셀의 단면도이다. 모든 모조 소자는 굴절률 n=1.7을 갖는 기판으로 추정된다. 볼록 거울 및 OLED 캐소드를 둘다 포함하는, 모든 반사 표면은 80%의 반사율을 갖는다. 발광 표면의 모든 지점으로부터의 광선의 각분포는 그 지점에서 표면에 접하는 베이스를 갖는 반구 위에서 균일한 것으로 추정되었다. 발광 표면으로부터의 광의 강도는 공간적으로 균일한 것으로 추정되었다.
본 발명의 구체예에 따라 제작되는 소자는 평판 패널 디스플레이, 라이팅 소자, 컴퓨터 모니터, 의료용 모니터, 텔레비젼, 광고판, 실내 또는 옥외 조명 및/또는 시그날링을 위한 라이트, 헤드업 디스플레이, 완전 투명 디스플레이, 가요성 디스플레이, 레이저 프린터, 전화기, 휴대폰, 개인용 정보 단말기(PDA), 랩탑 컴퓨터, 디지털 카메라, 캠코더, 뷰파인더, 마이크로디스플레이, 3-D 디스플레이, 자동차, 거대 월, 극장 또는 스타디움 스크린 또는 간판을 비롯한 광범위하게 다양한 소비재에 투입될 수 있다. 패시브 매트릭스 및 액티브 매트릭스를 비롯한 다양한 조절 메카니즘을 사용하여 본 발명에 의한 소자를 조절할 수 있다. 다수의 소자는 사람에게 안락감을 주는 온도 범위, 예컨대 18℃ 내지 30℃, 더욱 바람직하게는 실온(20℃ 내지 25℃)에서 사용하고자 하지만, 상기 온도 범위 밖의 온도, 예컨대 -40℃ 내지 +80℃에서도 사용될 수 있다.
본원에 기재된 물질 및 구조는 OLED를 제외한 소자에서의 적용예를 가질 수 있다. 예를 들면, 기타의 광전자 소자, 예컨대 유기 태양 전지 및 유기 광검출기는 물질 및 구조를 사용할 수 있다. 보다 일반적으로, 유기 소자, 예컨대 유기 트랜지스터는 물질 및 구조를 사용할 수 있다.
당업자라면 상세한 설명 부분 및 간단한 설명 및 요약 부분이 아닌 부분은 청구범위를 해석하는 데 사용되는 것으로 간주된다는 것을 알 것이다. 간단한 설명 및 요약 부분은 발명자(들)에 의해 고려되는 본 발명의 하나 이상이지만 전부는 아닌 예시적 구체에 제시될 수 있고, 이에 따라 어떠한 방식으로도 본 발명 및 첨부된 청구범위를 한정하려는 것이 아니다.
특정 구체예의 상기 설명은 본 발명의 일반적인 성질을 완전하게 밝혀서 나머지는, 당업자의 지식을 적용함으로써, 과도한 실험 없이, 본 발명의 일반적인 개념에서 벗어나는 일 없이, 그러한 특정 구체예로 다양한 적용예에 쉽게 변형 및/또는 응용할 수 있다. 따라서, 그러한 응용 및 변형은 본원에 제시된 교시 및 안내를 기준으로 개시된 구체예의 등가물의 의미 및 범위 내에 있는 것으로 간주된다. 당업자라면 본원의 어법 또는 용어가 설명의 목적을 위한 것이고 제한하려는 것이 아니며, 본 명세서의 용어 또는 어법은 교시 및 안내의 관점에서 당업자에게 해석되는 것임을 이해할 것이다.
Claims (20)
- 발광 소자의 제작 방법으로서,
표면 특징부를 상부에 갖는 비평면 표면 위에 부피 감소 재료(volume-reducing material)를 증착시키는 단계;
부피 감소 재료를 경화시켜 비평면 표면 위에 정합성 기판을 형성하는 단계로서, 상기 정합성 기판은 비평면 표면에 의해 획정된 프로파일을 갖는 것인 단계; 및
비평면 표면 위에 정합성 기판이 배치되어 있는 채로 정합성 기판 위에 OLED를 형성하는 단계로서, OLED는 상기 기판의 비평면 프로파일 형상에 정합하는 비평면 프로파일을 갖는 것인 단계
를 포함하고,
상기 정합성 기판의 프로파일은 구면 렌즈, 비구면 렌즈, 홈, 프리즘, 및 OLED가 형성되는 기판의 표면에 근접하여 더 큰 치수를 갖는 불규칙 특징부로 이루어진 군에서 선택된 표면 특징부를 포함하는 것인 방법. - 제1항에 있어서, 비평면 표면으로부터 정합성 기판을 제거하는 단계를 추가로 포함하고, 비평면 표면으로부터 정합성 기판을 제거한 후 상기 소자는 가요성인 방법.
- 제1항에 있어서, 부피 감소 재료는 용매에 용해된 중합체를 포함하고, 부피 감소 재료를 경화시키는 단계는 부피 감소 재료로부터 용매를 증발시키는 것을 포함하고, 정합성 기판의 제2 표면은, 부피 감소 재료의 적용된 부피 및 적용된 부피 감소 재료의 용매에 대한 중합체의 비율에 대응하여, 경화 후 기판의 제1 표면에 정합하는 것인 방법.
- 삭제
- 삭제
- 제1항에 있어서, 비평면 표면 특징부는 복수의 마이크로웰을 포함하는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, 정합성 기판에 평탄화 층을 적용하는 단계를 추가로 포함하고, 상기 평탄화 층은 정합성 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 갖는 것인 방법.
- 제1항에 있어서, OLED에 의해 커버되지 않는 정합성 기판 표면 상의 오목 특징부 위에 반사 재료를 적용하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, 정합성 기판 위에 차단층을 적용하는 단계를 추가로 포함하는 방법.
- 제1항에 있어서, OLED를 형성하는 단계는 유기 기상 증착(OVPD)을 사용하여 하나 이상의 층을 증착시키는 것을 포함하는 방법.
- 표면 특징부를 상부에 갖는 비평면 기판; 및
기판의 표면 특징부 위에 형성되며, 상기 기판의 비평면 프로파일 형상에 정합하는 비평면 프로파일을 갖는 OLED
를 포함하고,
상기 기판의 표면 특징부는 구면 렌즈, 비구면 렌즈, 홈, 프리즘, 및 OLED가 형성되는 기판의 표면에 근접하여 더 큰 치수를 갖는 불규칙 특징부로 이루어진 군에서 선택된 특징부를 포함하는 것인 발광 소자. - 제11항에 있어서, 기판은 부피 감소 재료를 포함하고 상부에 표면 특징부를 가지며, 부피 감소 재료는 용매에 용해된 중합체를 포함하고, 기판의 표면 특징부는 부피 감소 재료의 적용된 부피 및 적용된 부피 감소 재료의 용매에 대한 중합체의 비율에 의해 획정되는 것인 발광 소자.
- 삭제
- 제11항에 있어서, 기판에 적용되는 평탄화 층을 추가로 포함하고, 상기 평탄화 층은 기판의 굴절률보다 크거나 동일한 굴절률을 갖는 것인 발광 소자.
- 제11항에 있어서, OLED에 의해 커버되지 않는 기판 상의 오목 특징부 위에 적용되는 반사 재료를 추가로 포함하는 발광 소자.
- 제11항에 있어서, 기판 위에 적용되는 차단층을 추가로 포함하는 발광 소자.
- 제11항에 있어서, 가요성인 발광 소자.
- 제11항에 있어서, OLED는 유기 기상 증착(OVPD)을 사용하여 형성되는 것인 발광 소자.
- 유기 발광 소자(OLED)로서,
복수의 비평면 표면을 갖는 기판;
기판 위에 배치되는 제1 전극;
제1 전극 위에 배치되는 유기 발광 스택; 및
유기 발광 스택 위에 배치되는 제2 전극
을 포함하고, 상기 OLED는 기판의 비평면 표면에 정합하는 비평면 프로파일을 갖고,
기판은 가요성이고; 기판의 제1 비평면 표면은 몰드의 표면 특징부에 정합하고, 기판의 제2 비평면 표면은 구면 렌즈, 비구면 렌즈, 홈, 프리즘, 및 제1 전극이 형성되는 기판의 표면에 근접하여 더 큰 치수를 갖는 불규칙 특징부로 이루어진 군에서 선택된 특징부를 포함하는 것인 유기 발광 소자. - 삭제
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