JP3893238B2 - 半導体記憶装置の不良解析装置 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体記憶装置の不良解析装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
従来、半導体記憶装置等のメモリの不良を解析するための手法として、ＢＩＳＴ（Built-in Self Test）を使ったメモリテスト手法が良く用いられている。このＢＩＳＴは、半導体チップの内部にテストパターンをあらかじめ作りこんでおき、そのテストパターンを使ってチップの中で全メモリセルのテストを実行して、その結果メモリ上に不良があったか否かをＰＡＳＳまたはＦＡＩＬの情報として半導体チップの外部に出力するものである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
このようなＢＩＳＴによるテスト手法を用いれば、メモリテストを高速に行うことができるというメリットがある。しかしながら、得られる情報はメモリ上に不具合があったか否かの情報だけであり、メモリセルのどこに不具合があったのか、何箇所で不具合があったのか等についての情報は一切得ることができないという問題があった。
【０００４】
メモリセルに対応して不具合情報を保持するためのレジスタをＢＩＳＴ回路に付加すれば、メモリセルの不良箇所や不良個数等を特定することは可能であるが、これではＢＩＳＴの回路規模が非常に大きくなってしまう。そして、より多くの不具合情報を取得するためには、より大きなＢＩＳＴ回路が必要になってしまう。また、不具合が発生しなかった場合には、不具合情報を保持するために付加した回路が無駄になってしまう。
【０００５】
図７は、このように不具合情報を保持するレジスタを備えた従来のメモリＢＩＳＴ回路の構成例を示す図である。図７に示すように、メモリＢＩＳＴ回路は、メモリ（ＲＡＭ）１００上のメモリセルを特定するためのアドレス情報を出力するアドレスカウンタ回路１０１、テスト結果の期待値を発生するデータ発生回路１０２、メモリ１００の出力信号と上記期待値とを比較してメモリ１００の良否を判定する比較回路１０３、およびメモリＢＩＳＴ動作のステートを制御するＢＩＳＴコントローラ回路１０４から構成される。
【０００６】
上記アドレスカウンタ回路１０１、データ発生回路１０２および比較回路１０３は、それぞれＢＩＳＴコントローラ回路１０４によって制御される。比較回路１０３は、比較した結果をビット線の単位でレジスタに保持することができる機能を備えている。そのため、そのレジスタの状態を検出することによって、少なくとも各ビット線上の不良については識別することが可能である。しかし、アドレス情報を保持する機能がないため、より詳細に不良箇所を特定することができないという問題があった。
【０００７】
一方、全てのメモリセルの出力信号とテストアドレスとを半導体チップの外部端子に出力し、これを専用のメモリテスタ等に入力して検証するといったテスト手法も行われているが、これでは高速に動作するメモリのテストは行うことができないという問題があった。すなわち、メモリの動作速度に対してメモリテスタの動作速度が遅いため、最近の高速なメモリを専用のメモリテスタで試験するのには限界があった。
【０００８】
また、半導体チップに複数のメモリを搭載した製品では、半導体チップの外部端子に全てのメモリセルの出力信号を出力するためには、多くのセレクタ回路が必要になる。そのため、製品全体のテスト回路が大きくなってしまうほか、信号の伝播速度が遅くなり、製品のシステム動作速度を損なう場合があるという問題もあった。
【０００９】
以上のことから、ＢＩＳＴ手法を使った試験および不良解析は、以下のようにして行われているのが現状である。すなわち、まずＢＩＳＴ手法によってメモリテストを行い、テストを行ったメモリ上における不具合の有無を判定する。この判定方法は、メモリ出力信号とあらかじめ用意した期待値とを比較し、両者が不一致の場合に「不具合有り」の情報をレジスタに記憶させ、この情報を外部端子に出力する。ここで得られる情報は、不具合発生の有無だけである。
【００１０】
不具合発生が確認された場合は、次に不良解析を行う。この不良解析では、ＢＩＳＴ動作を行い、不具合発生パターンでＢＩＳＴ動作を止めて、そのときの不良箇所を表す情報（ビット線／ワード線情報）を外部端子に出力する回路状態に設定し、不良情報を入手する。
【００１１】
しかしながら、このようなテスト手法では、複数の不具合があるメモリの場合には、全ての不良情報を取得するのにＢＩＳＴ動作と不良情報検出動作とを繰り返し行う必要がある。このため、ＢＩＳＴ動作に連続性がなくなってしまい、最初に不具合の有無を検証する際の試験結果と異なる場合が生じてしまう。さらに、どのパターンで不具合が発生したか分かっていないため、最後のパターンまでＢＩＳＴ動作を実行して不具合情報を入手しなければならず、不良情報検出に長い時間がかかってしまうという問題があった。
【００１２】
本発明は、このような問題を解決するために成されたものであり、複雑な回路構成を追加することなく、不具合の有無、箇所、個数等を一度のＢＩＳＴ試験で特定することができるようにし、メモリテストに要する処理時間を大幅に短くできるようにすることを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
本発明の半導体記憶装置の不良解析装置では、半導体記憶装置のテスト回路を用いて、半導体記憶装置に供給されるアドレス情報に基づいて当該半導体記憶装置の内部の不良判定を順次行い、その結果出力される不良判定結果情報とアドレス情報とをスキャンレジスタ回路に順次取り込んで保持する。このスキャンレジスタ回路は、複数のシフトレジスタにより構成され、第１の方向に対するシフト動作と第２の方向に対するシフト動作とを切り替えるセレクタを備える。
【００１４】
本発明は上記技術手段より成るので、半導体記憶装置以外のロジック回路のテストを行う際に使用するために元々存在するスキャンレジスタ回路を有効に利用して、半導体記憶装置のテスト時に検出される不良判定結果情報をアドレス情報と共にスキャンレジスタ回路に順次保持していくことが可能となるとともに、ロジック回路のテスト時と半導体記憶装置のテスト時とに応じてスキャン動作の方向を第１の方向と第２の方向とに切り替えることができる。これにより、複雑な回路構成を追加しなくても、不良が検出される度にテスト動作を止めてその不良箇所を特定するという処理を繰り返し行う必要がなくなり、一度のテストで１つ以上の不良箇所および不良個数に関する情報をスキャンレジスタ回路に取得することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図１は、本実施形態による半導体記憶装置の不良解析装置の構成例を示す図である。
【００１６】
図１において、１６は本実施形態のメモリＢＩＳＴ回路であり、アドレスカウンタ回路１１、データ発生回路１２、比較回路１３およびＢＩＳＴコントローラ回路１４から構成される。上記アドレスカウンタ回路１１は、メモリ（ＲＡＭ）１０上のメモリセルを特定するためのアドレス情報を出力する。データ発生回路１２は、テスト結果の期待値を発生するものである。
【００１７】
比較回路１３は、アドレス情報に基づきメモリ１０から出力された信号と、上記データ発生回路１２から出力された期待値とをそれぞれのリードパターン毎に比較してメモリ１０の良否を判定するものである。ＢＩＳＴコントローラ回路１４は、メモリＢＩＳＴ動作のステートを制御するものである。上記アドレスカウンタ回路１１、データ発生回路１２および比較回路１３は、それぞれＢＩＳＴコントローラ回路１４によって制御される。
【００１８】
また、１５はスキャンフリップフロップで構成されたロジックスキャンチェインである。このロジックスキャンチェイン１５は、複数のシフトレジスタ１５−１，１５−２，…，１５−ｎに分割されている。分割された各シフトレジスタ１５−１，１５−２，…，１５−ｎはそれぞれ、１つのビット線上に存在するメモリセルの数（例えば７２個）とほぼ同数のレジスタで構成されている。
【００１９】
このロジックスキャンチェイン１５は、メモリ１０以外のロジック部分（図示せず）について試験を行う際の故障検出率を高くするために元々備えられている構成であり、本実施形態ではこのように元々備えられている構成をメモリテストにも利用する。
【００２０】
通常のロジックテストを行う際には、それぞれのシフトレジスタ１５−１，１５−２，…，１５−ｎはＸ方向（図の横方向）にシフト動作を行う。これに対して、メモリテストを行う際にはＹ方向（図の縦方向）にシフト動作を行うようにする。本実施形態では、ロジックスキャンチェイン１５が備える既存の構成に、Ｙ方向にもシフト動作を行えるようにするための構成を追加している。これについての詳細は後述する。
【００２１】
上記のように構成した不良解析装置でＢＩＳＴによるメモリテストを行うときには、ロジックスキャンチェイン１５は、Ｙ方向のシフトレジスタをアクティブにする。このとき、アドレスカウンタ回路１１から出力されるアドレス情報と、比較回路１３から出力されるメモリ１０の不良判定結果情報（１つのビット線につながる各メモリセル分の不良判定情報）は、ロジックスキャンチェイン１５内の１段目のシフトレジスタ１５−１に常に出力されている。
【００２２】
この場合、あるアドレス情報にて示されるビット線上のＢＩＳＴ試験をした結果、そのビット線上の各メモリセルに不具合が全くない場合には、全ての値が“０”の不良判定結果情報が一段目のシフトレジスタ１５−１に出力される。一方、あるビット線上の各メモリセルの何れか１つにでも不具合があった場合は、そのメモリセルに対応する部分の値が“１”となった不良判定結果情報が１段目のシフトレジスタ１５−１に出力される。
【００２３】
そして、不良が検出されると、ロジックスキャンチェイン１５を動作させるクロックが発生し、アドレス情報と不良判定結果情報とがレジスタ内に取りこまれる。１つの不良が検出された場合でもＢＩＳＴによるメモリテストは継続して行われる。そして、複数の不良が検出された場合には、１段目のシフトレジスタ１５−１は２段目のシフトレジスタ１５−２に、２段目のシフトレジスタ１５−２は３段目のシフトレジスタ１５−３というように、レジスタ内に格納された不良情報をＹ方向に順次シフトする。これにより、最大でｎ個の不良情報を各シフトレジスタ１５−１，１５−２，…，１５−ｎに保持することが可能である。
【００２４】
以上のＢＩＳＴ試験の結果、各シフトレジスタ１５−１，１５−２，…，１５−ｎに保持された情報の状態を検出することによって、アドレス情報に基づきメモリ１０上の不良箇所を詳細に特定することができる。また、メモリ１０上にいくつの不良があったのかについても簡単に知ることができる。
【００２５】
図２は、上記ロジックスキャンチェイン１５を構成する１つのスキャンフリップフロップの回路構成を示す図である。
図２に示すように、スキャンフリップフロップは、Ｄ型フリップフロップ（ＤＦＦ）２１と、２個のセレクタ２２，２３とにより構成される。このような構成のスキャンフリップフロップが、図３に示すようにマトリクス状に複数配置されて、図１のロジックスキャンチェイン１５が構成されている。なお、図３において、点線はロジックテスト時に使用するＸ方向のスキャン動作の流れを示し、実線はメモリテスト時に使用するＹ方向のスキャン動作の流れを示している。
【００２６】
図２において、ＳＩｘ，ＳＩｙはそれぞれスキャンチェインの入力端子、ＳＯｘ、ＳＯｙはそれぞれスキャンチェインの出力端子である。図示しないロジック部のテストを行う際のロジックスキャンチェイン（Ｘ方向のシフト動作）は、入力端子ＳＩｘと出力端子ＳＯｘとにより実現される。すなわち、あるスキャンフリップフロップの出力端子ＳＯｘから出力された情報は、Ｘ方向の隣りにある次段のスキャンフリップフロップの入力端子ＳＩｘに入力される。
【００２７】
また、メモリ１０のテストを行う際のＢＩＳＴ状態（Ｙ方向のシフト動作）は、入力端子ＳＩｙと出力端子ＳＯｙとにより実現される。すなわち、あるスキャンフリップフロップの出力端子ＳＯｙから出力された情報は、Ｙ方向の隣りにある次段のスキャンフリップフロップの入力端子ＳＩｙに入力される。
【００２８】
このようなＸ方向およびＹ方向のチェインの切り替えは、セレクタ２２がメモリテストモード信号ＭＴに基づいて行う。すなわち、セレクタ２２には、Ｘ方向の入力端子ＳＩｘからの情報と、Ｙ方向の入力端子ＳＩｙからの情報とが入力されている。セレクタ２２は、入力されるメモリテストモード信号ＭＴに従って何れかの情報を選択し、選択した情報をセレクタ２３に出力する。
【００２９】
セレクタ２３には、上記セレクタ２２により選択された情報と、テスト時以外の通常のシステム動作時に与えられる情報Sys-inとが入力されている。セレクタ２３は、入力されるセレクトイネーブル信号ＳＥに従って何れかの情報を選択し、選択した情報をＤＦＦ２１に出力する。セレクタ２３は、製品出荷前のロジックテストあるいはメモリテスト時にはセレクタ２２からの出力情報を選択し、製品出荷後はシステム情報Sys-inを常に選択する。
【００３０】
このように、本実施形態では、スキャンフリップフロップの構成として元々備えられていたセレクタ２３およびＤＦＦ２１に対し、セレクタ２２を追加することにより、ＢＩＳＴによるメモリテスト時にはＹ方向にもシフト動作を行えるようにしている。
【００３１】
上記セレクタ２３で選択された情報は、ＤＦＦ２１に供給されるクロックＣＫに従って当該ＤＦＦ２１に保持される。ＢＩＳＴによるメモリテスト実行時におけるクロックＣＫは、図１の比較回路１３におけるＢＩＳＴの判定結果に基づき生成される不良フラグに従って生成される。この不良フラグを生成するための回路は、例えば図４のように構成される。
【００３２】
図４に示すように、図１に示した比較回路１３に対して不良フラグ生成回路４１を追加している。比較回路１３は、１つのビット線上に存在するメモリセルの数（例えば７２個）と同数の比較処理部４２−１，４２−２，…，４２−ｍを有している。それぞれの比較処理部４２−１，４２−２，…，４２−ｍは、メモリ１０内のメモリセルからの出力信号とデータ発生回路１２からの期待値とを２入力とするＸＯＲ回路４３と、このＸＯＲ回路４３の出力信号とリードイネーブル信号ＲＥとを２入力とするＡＮＤ回路４４と、このＡＮＤ回路４４の出力信号をクロックＣＫに従って保持するレジスタ４５とから構成される。
【００３３】
上記リードイネーブル信号ＲＥは、リード状態では“Ｈ”となり、ライト状態では“Ｌ”となる。これにより、メモリ１０のメモリセルから読み出された信号と期待値との不一致が検出されると、レジスタ４５の出力信号は“Ｈ”となる。このような不良判定動作が複数の比較処理部４２−１，４２−２，…，４２−ｍにおいてそれぞれ行われ、その結果が全て不良フラグ生成回路４１内のＯＲ回路４６に入力される。
【００３４】
したがって、複数の比較処理部４２−１，４２−２，…，４２−ｍにおいて、あるビット線上に存在する複数のメモリセルに関してそれぞれ不良判定を行った結果、何れか１つでもメモリセルの不良が検出された場合には、ＯＲ回路４６から“Ｈ”の信号が出力される。ＯＲ回路４６の出力信号は、クロックＣＫと共にＮＡＮＤ回路４７に入力され、このＮＡＮＤ回路４７の出力信号が不良フラグとして出力される。これにより、不良フラグとしては、クロックＣＫと逆相のパルスが出力される。
【００３５】
このようにして不良フラグ生成回路４１により生成された不良フラグは、図１に示したロジックスキャンチェイン１５の動作クロックとして使用する。図５にその場合の概要図を示す。図５は、ロジックスキャン時に使用するクロックとＢＩＳＴによるメモリスキャン時に使用するクロックとの切り替え方法を説明するための図であり、上記不良フラグ生成回路４１を含めた構成を示している。なお、図５において、図１に示した符号と同一の符号を付したものは同一の機能を有するものであるので、これについての詳細な説明は省略する。
【００３６】
図５に示すように、不良フラグ生成回路４１より出力された不良フラグと、外部より供給されるクロックＣＫとの何れかを、メモリテストモード信号ＭＴに従ってセレクタ５１にて選択し、選択した方の信号をロジックスキャンチェイン１５の動作クロックとして使用している。ロジックスキャン時には外部より供給されるクロックＣＫをロジックスキャンチェイン１５に供給し、メモリスキャン時には不良フラグをロジックスキャンチェイン１５に動作クロックＣＫとして供給する。
【００３７】
これにより、メモリスキャン時には、ロジックスキャンチェイン１５は、メモリ１０上で不良が検出されたときにのみ、その不良情報をシフトレジスタ１５−１，１５−２，…，１５−ｎに順次取りこんでいく。
【００３８】
すなわち、メモリ１０のあるビット線上で不良が検出されると、不良フラグ生成回路４１より不良フラグが出力され、アドレスカウンタ回路１１より出力されるアドレス情報と、比較回路１３より出力される不良判定結果情報とがロジックスキャンチェイン１５の１段目のシフトレジスタ１５−１に入力され、不良フラグの立ち上がりエッジによって不良判定結果情報が取り込まれる。
【００３９】
また、不良が２つ検出された場合は、不良フラグの立ち上がりエッジに同期して、１段目のシフトレジスタ１５−１に保持された不良情報が２段目のシフトレジスタ１５−２にシフトされ、新しい不良情報が１段目のシフトレジスタ１５−１に上書きされる。３つ以上の不良が検出された場合も同様に、レジスタ内に保持された不良情報をＹ方向に順次シフトする。これにより、最大でｎ個の不良情報を各シフトレジスタ１５−１，１５−２，…，１５−ｎに保持する。
【００４０】
全てのＢＩＳＴ動作が完了した後、メモリテストモード信号ＭＴを切り替えてロジックスキャン状態にし、各シフトレジスタ１５−１，１５−２，…，１５−ｎの保持結果を外部端子ＳＤＯより出力して検証することにより、不良が発生した箇所や個数を正確に検出することができる。
【００４１】
なお、上記実施形態では、メモリ１０が１つの場合について説明したが、ロジックスキャンチェイン１５の長さを変えることによって、複数のメモリを同時にテストし、不良情報も一度に収集することが可能である。
図６は、２つのメモリ６０−１，６０−２を同時にテストする場合の構成例を示す図である。なお、この図６において、図１に示した符号と同一の符号を付したものは同一の機能を有するものであるので、重複する説明を省略する。
【００４２】
図６に示すメモリＢＩＳＴ回路６１は、アドレスカウンタ回路１１と、データ発生回路１２と、２つの比較回路１３−１，１３−２と、ＢＩＳＴコントローラ回路１４とを備えている。アドレスカウンタ回路１１は、同一のアドレス情報を２つのメモリ６０−１，６０−２に出力する。これに応じてメモリ６０−１，６０−２は、指定された同じアドレスのメモリセルの情報を２つの比較回路１３−１，１３−２に出力する。比較回路１３−１，１３−２は、不良判定処理を並列的に実行する。
【００４３】
また、図６に示すロジックスキャンチェイン６２は、複数のシフトレジスタ６２−１，６２−２，…，６２−ｎに分割されている。分割された各シフトレジスタ６２−１，６２−２，…，６２−ｎはそれぞれ、２つのメモリ６０−１，６０−２のそれぞれにある１つのビット線上に存在するメモリセルの合計数とほぼ同数のレジスタで構成されている。つまり、メモリ６０−１，６０−２がそれぞれ図１のメモリ１０と同等の容量を持つものであるとすれば、図６のシフトレジスタ６２−１，６２−２，…，６２−ｎが持つレジスタ数は、図１のシフトレジスタ１５−１，１５−２，…，１５−ｎが持つレジスタ数の２倍となる。
【００４４】
この図６のように構成した場合も、ＢＩＳＴによるメモリテストを行うときには、ロジックスキャンチェイン６２は、Ｙ方向のシフトレジスタをアクティブにする。このとき、アドレスカウンタ回路１１から出力されるアドレス情報と、２つの比較回路１３−１，１３−２から出力されるメモリ６０−１，６０−２の不良判定結果情報は、ロジックスキャンチェイン６２内の１段目のシフトレジスタ６２−１に常に出力されている。
【００４５】
この場合、あるアドレス情報にて示されるビット線上のＢＩＳＴ試験をした結果、そのビット線上の各メモリセルに不具合が全くない場合には、全ての値が“０”の不良判定結果情報が１段目のシフトレジスタ６２−１に出力される。一方、あるビット線上の各メモリセルの何れか１つにでも不具合があった場合は、そのメモリセルに対応する部分の値が“１”となった不良判定結果情報が１段目のシフトレジスタ６２−１に出力される。
【００４６】
そして、不良が検出されると、ロジックスキャンチェイン６２を動作させるクロックが発生し、アドレス情報と不良判定結果情報とがレジスタ内に取りこまれる。１つの不良が検出された場合でもＢＩＳＴによるメモリテストは継続して行われる。そして、複数の不良が検出された場合には、１段目のシフトレジスタ６２−１は２段目のシフトレジスタ６２−２に、２段目のシフトレジスタ６２−２は３段目のシフトレジスタ６２−３というように、レジスタ内に格納された不良情報をＹ方向に順次シフトする。これにより、２つのメモリ６０−１，６０−２に関する不良情報を最大でｎ個同時に各シフトレジスタ６２−１，６２−２，…，６２−ｎに保持することが可能である。
【００４７】
そして、全てのＢＩＳＴ動作が完了した後、メモリテストモード信号ＭＴを切り替えてロジックスキャン状態にし、各シフトレジスタ６２−１，６２−２，…，６２−ｎの保持結果を外部端子ＳＤＯより出力して検証することにより、２つのメモリ６０−１，６０−２において不良が発生した箇所や個数を正確に検出することができる。
【００４８】
なお、上記に示した実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化の一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその精神、またはその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【００４９】
【発明の効果】
以上詳しく説明したように、本発明によれば、ロジックテストのために元々存在するスキャンレジスタ回路をメモリテストにも有効に利用して、半導体記憶装置のテスト時に検出される不良判定結果情報をアドレス情報と共にスキャンレジスタ回路に順次保持していくことが可能となる。これにより、複雑な回路構成を追加することなく、一度のテストで１つ以上の不良箇所および不良個数を特定することができ、メモリテストに要する処理時間を大幅に短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態による半導体記憶装置の不良解析装置の構成例を示す図である。
【図２】ロジックスキャンチェインを構成する１つのスキャンフリップフロップの回路構成を示す図である。
【図３】図２に示したスキャンフリップフロップを用いたレジスタチェインの構成例を示す図である。
【図４】不良フラグ生成回路の構成例を示す図である。
【図５】ロジックスキャン時に使用するクロックとＢＩＳＴによるメモリスキャン時に使用するクロックとの切り替え方法を説明するための図である。
【図６】本実施形態による半導体記憶装置の不良解析装置の他の構成例を示す図である。
【図７】従来のメモリＢＩＳＴ回路の構成を示す図である。
【符号の説明】
１０ メモリ（ＲＡＭ）
１１ アドレスカウンタ回路
１２ データ発生回路
１３ 比較回路
１４ ＢＩＳＴコントローラ回路
１５ ロジックスキャンチェイン
１５−１，１５−２，１５−ｎ シフトレジスタ
１６ メモリＢＩＳＴ回路
２２ セレクタ
４１ 不良フラグ生成回路
５１ セレクタ
６０−１，６０−２ メモリ（ＲＡＭ）
６１ メモリＢＩＳＴ回路
１３−１，１３−２ 比較回路
６２ ロジックスキャンチェイン
６２−１，６２−２，６２−ｎ シフトレジスタ

Claims (7)

1. 半導体記憶装置の内部に作り込まれたテスト回路を用いて、供給されるアドレス情報に基づき上記半導体記憶装置の内部の不良判定を順次行う不良判定回路と、
   上記不良判定回路から出力される不良判定結果情報と上記アドレス情報とを取り込んで順次保持するスキャンレジスタ回路と
   を備えた半導体記憶装置の不良解析装置であって、
   上記スキャンレジスタ回路は複数のシフトレジスタにより構成され、第１の方向に対するシフト動作と第２の方向に対するシフト動作とを切り替えるセレクタを備えたことを特徴とする半導体記憶装置の不良解析装置。
2. 上記不良判定回路は、上記半導体記憶装置からの出力信号の期待値を発生するデータ発生回路と、
   上記半導体記憶装置からの出力信号と上記データ発生回路から出力される期待値とを比較し、一致または不一致の結果を上記不良判定結果情報として出力する比較回路とを備えることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置の不良解析装置。
3. 上記スキャンレジスタ回路は、上記半導体記憶装置以外のロジック回路のテストを行う際に使用されるロジックスキャンレジスタ回路であることを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置の不良解析装置。
4. 上記セレクタは、上記ロジック回路のテストを行う際には上記第１の方向に対するシフト動作を選択し、上記半導体記憶装置のテストを行う際には上記第２の方向に対するシフト動作を選択することを特徴とする請求項３に記載の半導体記憶装置の不良解析装置。
5. 上記比較回路によって上記半導体記憶装置からの出力信号と上記データ発生回路から出力される期待値との不一致が検出されたときに、不良フラグを生成し、上記不良フラグをテスト動作クロックと同期して出力する不良フラグ生成回路を備えたことを特徴とする請求項２に記載の半導体記憶装置の不良解析装置。
6. 上記不良フラグ生成回路より出力される不良フラグを上記スキャンレジスタ回路の動作クロックとして用いるようにしたことを特徴とする請求項５に記載の半導体記憶装置の不良解析装置。
7. 上記不良判定回路は、複数の半導体記憶装置に共通に供給されるアドレス情報に基づいて上記複数の半導体記憶装置の内部の不良判定を行い、
   上記スキャンレジスタ回路は、上記不良判定回路から出力される上記複数の半導体記憶装置に関する不良判定結果情報と上記アドレス情報とを取り込んで順次保持することを特徴とする請求項１に記載の半導体記憶装置の不良解析装置。

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