JP3891131B2 - 化学反応装置及び電源システム - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、化学反応装置及びこの化学反応装置を具備する電源システムに関し、特に、発電用燃料を用いて発電する燃料電池を備えた電源システム及びそれに適用される化学反応装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
化学反応の技術分野では、流体化された種々の混合物質を流路に供給し、流路内に設けられた触媒による化学反応(触媒反応)を起こさせて所望の流体物質を生成するとき、流路内において化学反応を進行させるために、ヒータで流路内に所定の熱エネルギーを供給するようにした化学反応装置が知られている。
【0003】
このような化学反応装置には、用途に応じて、様々な規模、構造を有するものがあるが、比較的小型に形成したものとして、例えば、半導体集積回路などの半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、シリコン基板上にミクロンオーダーあるいはミリメートルオーダーの流路を形成して、ここに流体を供給して、化学反応を起こさせるようにしたものがある。
【0004】
ところで、比較的小型な装置においてヒータを備えたものとしては、流路が形成されたガラス基板に、流路に接するようにしてシリコン基板を接合し、シリコン基板の流路と接する側とは反対側の表面に薄膜ヒータを形成したものがある(例えば、特許文献1参照)。
【0005】
また、上記のような構成を備える化学反応装置が適用される例として、例えば、近年、研究開発が盛んに行われている燃料電池を用いた電源システムがあり、このような化学反応装置によって、例えば、発電用燃料ガスから水素を生成し、この水素を燃料電池に供給して発電を行うようにすることができる。
【0006】
【特許文献1】
特開平7−159215号公報
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上記のような薄膜ヒータを備えた化学反応装置では、薄膜ヒータの発熱によって流路内を加熱するとき、両基板も加熱され、そして両基板の各表面から放熱されるため、熱エネルギー損失が大きく、エネルギーの利用効率が悪いという問題があった。
そこで、この発明は、薄膜ヒータなどの発熱手段の発熱によって流路内を加熱する際の熱エネルギー損失を抑制してエネルギーの利用効率を良くすることができる化学反応装置及びこれを具備する電源システムを提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
請求項1記載の発明は、互いに接合された複数の基板と、前記複数の基板のうちの、少なくとも一つの基板に設けられた、少なくとも一つの流路と、前記複数の基板の、少なくとも一つの基板の、少なくとも一つの面に設けられ、前記流路を加熱する発熱手段と、前記複数の基板の最外面の、少なくとも一部を覆う放熱防止膜と、を備え、前記放熱防止膜は、少なくとも、前記複数の基板の最外面の、前記流路の両端の流入口及び流出口が設けられた面の該流入口及び流出口を除いた部分を覆っていることを特徴とするものである。
請求項2記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記複数の基板のうち、前記流路が形成された基板は、シリコン基板からなることを特徴とするものである。
請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記化学反応装置は、更に、前記放熱防止膜を含む前記複数の基板の最外面全体を覆う箱体を備え、前記箱体の内壁面と前記放熱防止膜を含む前記複数の基板の最外面との間の、少なくとも一部には、空間が形成されていることを特徴とするものである。
請求項4記載の発明は、請求項3記載の発明において、前記箱体の内壁面の、少なくとも一部には、輻射防止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項5記載の発明は、請求項3記載の発明において、前記箱体の最外面の、少なくとも一部には、輻射防止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項6記載の発明は、請求項3記載の発明において、前記空間内は、ほぼ真空状態、前記箱体の構成部材より熱伝導率が低いガスが封入された状態、の何れかとなっていることを特徴とするものである。
請求項7記載の発明は、請求項6記載の発明において、前記空間内の気圧は、100Pa以下の気圧になっていることを特徴とするものである。
請求項8記載の発明は、請求項6記載の発明において、前記空間内の気圧は、10Pa以下の気圧になっていることを特徴とするものである。
請求項9記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記発熱手段は薄膜ヒータを備え、前記流路は蛇行した形状を有し、前記薄膜ヒータは、前記流路の蛇行した形状に対応して蛇行した形状、前記流路のほぼ全体を覆う矩形状の形状、の何れかの形状を有することを特徴とするものである。
請求項10記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記放熱防止膜は、Au、Al、Agの何れかからなる金属膜、あるいは、SnO、InO、ZnOの何れかからなる金属酸化物膜であることを特徴とするものである。
請求項11記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記複数の基板は、少なくとも、一面に前記流路が設けられた第1の基板と、前記第1基板の一面に接合された第2基板と、を含むことを特徴とするものである。
請求項12記載の発明は、請求項11記載の発明において、前記放熱防止膜は、前記第1基板の、前記一面と対向する他面側の少なくとも一部を覆う第1放熱防止膜、前記第2基板の、前記第1基板と対向する一面と対向する他面側の少なくとも一部を覆う第2放熱防止膜、前記第1基板の、前記他面に直交する側面側の少なくとも一部を覆う第3放熱防止膜、前記第2基板の、前記他面に直交する側面側の少なくとも一部を覆う第4放熱防止膜、のうちの少なくとも何れか一つからなることを特徴とするものである。
請求項13記載の発明は、請求項11記載の発明において、前記発熱手段は、薄膜ヒータを備え、該薄膜ヒータは、前記第2基板における前記第1基板と対向する一面側、前記第2基板における該一面側と対向する他面側、前記第1基板における前記一面側と対向する他面側、のうちの少なくとも一つの面上に設けられていることを特徴とするものである。
請求項14記載の発明は、請求項13記載の発明において、前記発熱手段は、前記薄膜ヒータが設けられた面上に、該薄膜ヒータを覆い、上面が平坦とされた絶縁膜を有することを特徴とするものである。
請求項15記載の発明は、請求項14記載の発明において、前記薄膜ヒータは、前記第2基板の前記第1基板と対向する一面に対向する他面上、前記第1基板の前記一面と対向する他面上、の少なくとも何れか一方の面上に形成され、該薄膜ヒータを覆う前記絶縁膜上に、前記放熱防止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項16記載の発明は、請求項14記載の発明において、前記薄膜ヒータは、前記第2基板の前記第1基板と対向する一面に対向する他面上、前記第1基板の前記一面と対向する他面上、の少なくとも何れか一方の面上に形成され、前記複数の基板は、前記薄膜ヒータを覆う前記絶縁膜上に接合された第3の基板、を含み、該第3基板の外面に前記放熱防止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項17記載の発明は、請求項16記載の発明において、前記第3基板は、前記薄膜ヒータとの対向面に凹部を有することを特徴とするものである。
請求項18記載の発明は、請求項17記載の発明において、前記凹部内は、ほぼ真空状態、前記第3基板より熱伝導率が低いガスが封入された状態、の何れかとなっていることを特徴とするものである。
請求項19記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記発熱手段は、前記流路における、燃焼触媒層が少なくとも一部に設けられた燃焼用流路と、前記燃焼用流路に燃焼用流体を供給し、前記燃焼触媒層上で燃焼反応が生起されて熱エネルギーを生成する手段と、を備えることを特徴とするものである。
請求項20記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記流路に流体を供給する手段と、前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記流体を前記流路内で気化させる手段と、を備えることを特徴とするものである。
請求項21記載の発明は、請求項1記載の発明において、前記流路内に反応触媒層が設けられていることを特徴とするものである。
請求項22記載の発明は、請求項21記載の発明において、前記反応触媒は改質触媒であり、前記流路に流体を供給する手段と、前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記流体を前記流路において改質し、水素を生成する手段と、を備えることを特徴とするものである。
請求項23記載の発明は、請求項22記載の発明において、前記流体は、気化されたメタノールと水の混合気体であることを特徴とするものである。
請求項24記載の発明は、請求項21記載の発明において、前記反応触媒は選択酸化触媒であり、前記流路に流体を供給する手段と、前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記流体中の一酸化炭素を前記流路において除去する手段と、を備えることを特徴とするものである。
請求項25記載の発明は、請求項24記載の発明において、前記流体は、一酸化炭素を含む混合気体であることを特徴とするものである。
請求項26記載の発明は、互いに接合された複数の基板と、前記複数の基板のうちの、少なくとも一つの基板に設けられた、少なくとも一つの流路と、前記複数の基板の、少なくとも一つの基板の、少なくとも一つの面に設けられ、前記流路を加熱する発熱手段と、前記複数の基板の最外面の、少なくとも一部を覆う放熱防止膜と、を備え、前記放熱防止膜は、少なくとも、前記複数の基板の最外面の、前記流路の両端の流入口及び流出口が設けられた面の該流入口及び流出口を除いた部分を覆っている化学反応装置と、水素と酸素を反応させて発電を行う燃料電池と、を備え、前記化学反応装置は、少なくとも、前記流路内の少なくとも一部に改質触媒層が設けられ、前記流路に発電用燃料が供給されて、前記発熱手段による前記流路の加熱により、前記発電用燃料を前記流路内において改質して、水素を生成する手段、を備えることを特徴とするものである。
請求項27記載の発明は、請求項26記載の発明において、前記化学反応装置における、前記複数の基板のうち、前記流路が形成された基板は、シリコン基板からなることを特徴とするものである。
請求項28記載の発明は、請求項26記載の発明において、前記化学反応装置は、更に、前記放熱防止膜を含む前記複数の基板の最外面全体を覆う箱体を備え、前記箱体の内壁面と前記放熱防止膜を含む前記複数の基板の最外面との間の、少なくとも一部には、空間が形成されていることを特徴とするものである。
請求項29記載の発明は、請求項28記載の発明において、前記化学反応装置における、前記箱体の内壁面の、少なくとも一部には、輻射防止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項30記載の発明は、請求項28記載の発明において、前記化学反応装置における、前記箱体の最外面の、少なくとも一部には、輻射防止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項31記載の発明は、請求項28記載の発明において、前記空間内は、ほぼ真空状態、前記箱体の構成部材より熱伝導率が低いガスが封入された状態、の何れかとなっていることを特徴とするものである。
請求項32記載の発明は、請求項31記載の発明において、前記空間内の気圧は、100Pa以下の気圧になっていることを特徴とするものである。
請求項33記載の発明は、請求項31記載の発明において、前記空間内の気圧は、10Pa以下の気圧になっていることを特徴とするものである。
請求項34記載の発明は、請求項26記載の発明において、前記化学反応装置における、前記発熱手段は薄膜ヒータからなることを特徴とするものである。
請求項35記載の発明は、請求項26記載の発明において、前記化学反応装置における、前記放熱防止膜は、Au、Al、Agの何れかからなる金属膜、あるいは、SnO、InO、ZnOの何れかからなる金属酸化物膜であることを特徴とするものである。
請求項36記載の発明は、請求項26記載の発明において、前記発電用燃料は、メタノール水溶液であることを特徴とするものである。
請求項37記載の発明は、請求項26記載の発明において、前記化学反応装置は、更に、前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記発電用燃料を前記流路内で気化させる手段、を備えることを特徴とするものである。
請求項38記載の発明は、請求項26記載の発明において、前記化学反応装置は、更に、前記流路内に選択酸化触媒層が設けられ、前記流路に一酸化炭素を含む混合気体が供給されて、前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記混合気体中の一酸化炭素と除去する手段、を備えることを特徴とするものである。
請求項39記載の発明は、請求項26記載の発明において、前記化学反応装置における、前記複数の基板は、少なくとも、一面に前記流路が設けられた第1の基板と、前記第1基板の一面に接合された第2基板と、を含むことを特徴とするものである。
請求項40記載の発明は、請求項39記載の発明において、前記化学反応装置における、前記放熱防止膜は、前記第1基板の、前記一面と対向する他面の少なくとも一部を覆う第1放熱防止膜、前記第2基板の、前記第1基板と対向する一面と対向する他面の少なくとも一部を覆う第2放熱防止膜、前記第1基板の、前記他面に直交する側面の少なくとも一部を覆う第3放熱防止膜、前記第2基板の、前記他面に直交する側面の少なくとも一部を覆う第4放熱防止膜、のうちの少なくとも何れか一つからなることを特徴とするものである。
請求項41記載の発明は、請求項39記載の発明において、前記化学反応装置における、前記発熱手段は、薄膜ヒータを備え、該薄膜ヒータは、前記第2基板における前記第1基板と対向する一面側、前記第2基板における該一面側と対向する他面側、前記第1基板における前記一面側と対向する他面側、のうちの少なくとも一つの面上に設けられていることを特徴とするものである。
請求項42記載の発明は、請求項41記載の発明において、前記化学反応装置における、前記発熱手段は、前記薄膜ヒータが設けられた面上に、該薄膜ヒータを覆い、上面が平坦とされた絶縁膜を有することを特徴とするものである。
請求項43記載の発明は、請求項39記載の発明において、前記化学反応装置における、前記薄膜ヒータは、前記第2基板の前記第1基板と対向する一面に対向する他面上、前記第1基板の前記一面と対向する他面上、の少なくとも何れか一方の面上に形成され、該薄膜ヒータを覆う前記絶縁膜上に、前記放熱防止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項44記載の発明は、請求項39記載の発明において、前記化学反応装置における、前記薄膜ヒータは、前記第2基板の前記第1基板と対向する一面に対向する他面上、前記第1基板の前記一面と対向する他面上、の少なくとも何れか一方の面上に形成され、前記複数の基板は、前記薄膜ヒータを覆う前記絶縁膜上に接合された第3の基板、を含み、該第3基板の外面に前記放熱防止膜が設けられていることを特徴とするものである。
請求項45記載の発明は、請求項44記載の発明において、前記第3基板は、前記薄膜ヒータとの対向面に凹部を有することを特徴とするものである。
請求項46記載の発明は、請求項45記載の発明において、前記凹部内は、ほぼ真空状態、前記第3基板より熱伝導率が低いガスが封入された状態、の何れかとなっていることを特徴とするものである。
そして、この発明によれば、流路を加熱する発熱手段を備える化学反応装置において、化学反応装置の最外面を覆う放熱防止膜を備えているため、この放熱防止膜によって各基板の各外面側からの放熱を抑制することができる。これによって、発熱手段によって流路内を加熱する際の熱エネルギーの損失を抑制して、エネルギーの利用効率を良くすることができる。
また、この化学反応装置を燃料改質型の燃料電池を用いた電源システムにおける燃料気化部や改質部、または一酸化炭素除去部に良好に適用することができて、放熱防止膜によって発電動作のための加熱に要する熱エネルギーの損失を低減し、エネルギーの利用効率を良くすることができて、電源システムを小型化することができる。
【0009】
【発明の実施の形態】
<化学反応装置>
(第1実施形態)
図1は、本発明に係る化学反応装置の、第1実施形態としての透過平面図を示す。また、図2は、図1のII−II線に沿う断面図を示す。この第1実施形態の化学反応装置100は、シリコンからなる第1基板11を備えている。第1基板11の寸法は、一例として、長さ15〜35mm程度、幅10〜25mm程度、厚さ0.4〜1.0mm程度である。
【0010】
第1基板11の一面には、半導体製造技術で蓄積された微細加工技術を用いて、蛇行した微小な流路12が形成されている。流路12の寸法は、一例として、幅0.2〜0.8mm程度、深さ0.2〜0.6mm程度であり、全長は30〜1000mm程度である。流路12の両端部は、第1基板11の所定の両端面のほぼ中央部まで延在され、流入口13および流出口14となっている。
【0011】
また、流路12の内壁面には、例えば、所望の化学反応を行うための反応触媒層15が設けられている。なお、本発明において、流路12の内壁面に反応触媒層15が設けられる形態に限るものではなく、流路12のみが形成されて、反応触媒層が何ら設けられない状態とした態様もある。
【0012】
第1基板11の一面上には、蓋となる厚さ0.7mm程度のガラスからなる第2基板21が接着(接合)されている。ここで、第2基板21の第1基板11との対向面のほぼ全面には、加熱手段として、TaSiOxやTaSiOxNなどの抵抗体薄膜からなる薄膜ヒータ22が設けられている。この抵抗体薄膜は、例えばスパッタリングによって形成される。
【0013】
本発明における薄膜ヒータ22は、以下の第2〜第8実施形態に示すように、第2基板21の第1基板11との対向面の位置に設けられる態様に限るものではなく、要するに、薄膜ヒータ22は、流路12内において所望の化学反応(触媒反応)を進行させるために、流路12内の反応触媒層15、若しくは、流路12内に流れる流体に所定の熱エネルギーを供給するように構成されていればよいものである。そして、本第1実施形態のように、第2基板21の第1基板11との対向面の位置、すなわち流路12の直上に設けるようにした場合、流路12への熱エネルギーの供給を効率良く行うことができて、熱エネルギーの利用効率を比較的良くすることができる。
【0014】
また、この第1実施形態においては、薄膜ヒータ22は第2基板21の第1基板11との対向面のほぼ全面に、矩形状に形成して設けられるように構成されているため、薄膜ヒータ22の形成に要する工程数を削減することができて、製造コストを低減させることができる。
【0015】
そして、本発明においては、図2に示すように、第1基板11の他面上及び側面の流入口13および流出口14を除く面上に放熱防止膜16が設けられ、第2基板21の第1基板11との対向面とは反対側の面上及び側面上には上記放熱防止膜16と同様の放熱防止膜23が設けられて、化学反応装置の外面の、少なくとも一部が放熱防止膜16、23によって覆われる構成を備える点を特徴としている。
【0016】
なお、放熱防止膜16、23は、図2に示すように、第1基板11および第2基板21の各外面全体、すなわち化学反応装置100のほぼ周囲全体を覆うようにすることが好ましいが、これに限るものではなく、必要に応じて、部分的に設けるようにしてもよい。例えば、通常、各基板の側面の面積は外面全体の面積に対して小さいため、放熱防止膜16、23を各基板の側面を除く外面上にのみ設けるようにしてもよい。また、第1基板11、第2基板21の各外面上に放熱防止膜16、23を備えて、各基板からの放熱を抑制するように構成することが好ましいが、いずれか一方、例えば、薄膜ヒータが設けられた側の基板、図2の場合には第2基板21、の外面上にのみ放熱防止膜を備えるようにしてもよい。
【0017】
これら放熱防止膜16、23は、熱線反射率の高いAu、Al、Agなどの金属材料による膜や、SnO2、InO3、ZnOなどの金属酸化物による膜からなる。
【0018】
この放熱防止膜16、23の形成方法としては、以下のような手法を適用することができる。すなわち、前記金属材料を箔状に形成した部材や、フィルム状の部材に上記金属酸化物を塗布、又は、膜形成したものを、上記各基板の外面上に貼り付けて形成する手法、蒸着やスパッタリング、あるいはメッキ、などの薄膜形成技術を用いて、上記各基板の外面上に、上記各材料による薄膜を形成する手法、あるいは、微粒子化された前記各材料を適当な溶媒と共に上記各基板の外面上に塗布することによって形成する手法、などを適用することができる。
【0019】
次に、図3は、本発明に係る化学反応装置100を、任意のシステム、例えば、後述する燃料電池を用いた電源システム、などに適用した場合の断面図を示す。この場合においては、化学反応装置100は、例えば、支持部材(箱体、すなわち筐体や取り付け枠など)40の内側に、支持体41を介して実装されるようにしてもよい。なお、支持体41は、例えば化学反応装置100の上下の4隅に設けられる。また、化学反応装置100の流入口13および流出口14には、支持部材40の外側に引き出すための流入口引出管13aおよび流出口引出管14aが設けられる。
【0020】
これにより、支持部材40と化学反応装置100の間には、支持体41の部分を除いて、空間42が形成される。この空間42は断熱用の空間であって、空気、フレオン、炭酸ガスなどのガスを封入して断熱性能を高めるようにしてもよく、更に、ほぼ真空状態として更に断熱性能を高めるようにしてもよい。これにより、化学反応装置100の周囲に設けられた放熱防止膜16、23から周囲の支持部材40に、熱伝導によって熱エネルギーの一部が漏れて、熱エネルギーの損失が生じることを抑制することができる。
【0021】
更に、支持部材40の内壁に輻射防止膜40aを設け、あるいは、更に外壁にも輻射防止膜40bを設けて、化学反応装置100から外部に輻射された熱(赤外線)を反射して、外部への熱エネルギーの損失を更に低減させるようにしてもよい。
【0022】
また、空間42を真空として、断熱性能を高めるようにする場合、空間42内の気圧を低くする程、断熱性能を向上させることができる。すなわち、支持部材40をあるサイズとして、流路12内の温度を280℃まで上昇させて飽和させた場合における、空間42内の真空度と消費電力との関係を調べたところ、図4に示す結果が得られた。この図4から明らかなように、空間42内の気圧を低くする程、消費電力が減少し、断熱性能を向上させることができる。
【0023】
具体的には、例えば、空間42内の気圧を100Pa程度より低い値としてもよく、気圧を100Pa程度とした場合、薄膜ヒータ22に印加する電力を、空間42内を大気圧とした場合と比べて概ね30%程度低減させることができる。更に好ましくは、空間42内の気圧を10Pa程度より低い値とするとよく、気圧を10Pa程度とした場合、薄膜ヒータ22に印加する電力を、空間42内を大気圧とした場合と比べて、概ね半減させることができる。
【0024】
なお、図3に示したような実装形態は、本第1の実施形態の化学反応装置のみならず、後述する各実施形態の化学反応装置にも適用されるものであることは、言うまでもない。
【0025】
このように、本発明に係る化学反応装置100では、第1基板11および第2基板21の各外面に放熱防止膜16、23が設けられ、これによって第1基板11および第2基板21の各外面から外部への放熱を抑制することができ、更に、化学反応装置100の周囲に断熱用の空間42を設けることによって、周囲への熱伝導を抑制することができる。これにより、薄膜ヒータ22の発熱によって流路12内を加熱する際に、熱エネルギーの一部が外部に漏れてしまうことによる熱エネルギーの損失を抑制して、エネルギーの利用効率を向上させることができる。
【0026】
(第2実施形態)
図5は、本発明に係る化学反応装置100の、第2実施形態としての、上記図1に示す第1実施形態と同様の、透過平面図を示す。また、図6は、図5のVI−VI線に沿う上記図2と同様の、断面図を示す。
【0027】
この第2実施形態は、上記第1実施形態の構成に対して、図5に示すように、第2基板21の第1基板11との対向面に形成される薄膜ヒータ22が、流路12に対応した蛇行した形状に形成され、且つ、流路12の幅より小さく形成されて、図6に示すように、該薄膜ヒータ22が流路12内に配置されるように構成されている点が異なる。
【0028】
この場合、上記第1実施形態の構成に対し、薄膜ヒータ22と流路12内の反応触媒層とを更に接近させることができるため、流路12への熱エネルギーの供給効率を更に良くすることができて、熱エネルギーの利用効率を更に良くすることができる。
【0029】
また、この第2実施形態においては、第2基板21は第1基板11の一面側に直接に接着(接合)される。この第2基板21と第1基板21との接合は、接着剤を用いて接着するようにしてもよいし、また、両基板を陽極接合によって接合するようにしてもよい。
【0030】
ここで、陽極接合処理について説明する。第1基板11の一面に第2基板21を重ね合わせ、第1基板11側を陽極とし、第2基板21側を陰極とする。そして、第1基板11および第2基板21を400〜600℃程度に加熱した状態で、両極間に1kV程度の直流電圧を印加する。すると、第2基板21内の不純物である陽イオンが第1基板11から離れる方向に移動し、第2基板21の第1基板11側の界面に酸素イオンの濃度の高い層が現れる。すると、第1基板11の第2基板21側の界面のシリコン原子と、第2基板21の第1基板11側の界面の酸素イオンとが結合し、強固な接合界面が得られる。
【0031】
この場合、上記のように第1基板11および第2基板21を400〜600℃程度に加熱し、両極間に1kV程度の直流電圧を印加すると、第2基板21内の不純物である陽イオンが第1基板11から離れる方向に移動する速度が高くなって短時間で移動し、陽極接合処理に要する時間を短縮することができる。
【0032】
第2基板21と第1基板21との接合に、上記のような陽極接合を用いた場合、強固な接合が得られるとともに、何らの接着剤も用いないため、流路12に、例えば接着剤による不純物が入ることを無くすことができる。
【0033】
(第3実施形態)
図7は、本発明に係る化学反応装置100の、第3実施形態としての、上記図2と同様の、断面図を示す。
【0034】
この第3実施形態においては、薄膜ヒータ22は、上記第1実施形態の場合と同様に、第2基板21の第1基板11との対向面上に設けられるが、第1実施形態の構成に対して、更に、この薄膜ヒータ22を含む第2基板21の第1基板11との対向面上に窒化シリコンや酸化シリコンなどからなる絶縁膜24が設けられて、第2基板21の第1基板11との対向面上に、薄膜ヒータ22を含む平坦な面が形成されている点が異なる。
【0035】
また、薄膜ヒータ22は、例えば、上記第2実施形態の場合と同様に、流路12に対応した蛇行した形状に形成される。そして、第2基板21は絶縁膜24を介して第1基板21の一面に接着(接合)される。
【0036】
また、図7では、薄膜ヒータ22の幅を流路12の幅より小さくした場合を示すが、これに限るものではなく、この第3実施形態においては、薄膜ヒータ22は、蛇行した流路12の外部に配置されているため、薄膜ヒータ22の幅を流路12の幅と略一致させるようにしてもよく、また、薄膜ヒータ22の幅を流路12の幅より大きくして、流路12を略覆うような形状としてもよい。更には、薄膜ヒータ22を、図1の第1実施形態の場合と同様に、流路12全体を覆うような矩形状としてもよい。
【0037】
この第3実施形態の構成によれば、薄膜ヒータ22と流路12とを接近させて、薄膜ヒータ22から流路12への熱エネルギーの供給を効率良く行うことができるとともに、薄膜ヒータ22が絶縁膜24に覆われているため、流路12に流れる流体と薄膜ヒータ22とが直接触れることが避けられる。これにより、薄膜ヒータ22が、例えば流路12に流れる流体の影響で腐食したり、劣化したりすることを避けることができる。
【0038】
(第4実施形態)
次に、図8は、本発明に係る化学反応装置100の、第4実施形態としての、上記図2同様の、断面図を示す。
【0039】
この第4実施形態は、上記第3実施形態の構成に対して、薄膜ヒータ22を第2基板21の外面上に設け、薄膜ヒータ22を含む第2基板21の外面上に絶縁膜24を設けて、薄膜ヒータ22を含む平坦な面が形成されている点、及び、絶縁膜24の外面上に放熱防止膜23を設けるようにした点、が異なる。
【0040】
この場合、薄膜ヒータ22は、例えば、上記第2実施形態の場合と同様に、流路12に対応した蛇行した形状に形成され、図8では、薄膜ヒータ22の幅を流路12の幅より小さくした場合を示すが、これに限るものではなく、この場合も、薄膜ヒータ22は、蛇行した流路12の外部に配置されているため、薄膜ヒータ22の幅を流路12の幅と略一致させるようにしてもよく、また、薄膜ヒータ22の幅を流路12の幅より大きくするようにしてもよい。更には、薄膜ヒータ22を、図1の第1実施形態の場合と同様に、流路12全体を覆うような矩形状としてもよい。
【0041】
また、この第4実施形態においては、絶縁膜24の外面に放熱防止膜23が設けられていることにより、放熱防止膜23によって薄膜ヒータ22から外部への放熱を防ぐとともに、放熱防止膜23によって薄膜ヒータ22を保護することができる。
【0042】
(第5実施形態)
次に、図9は、本発明に係る化学反応装置100の、第5実施形態としての、図2と同様の、断面図を示す。
【0043】
この第5実施形態は、上記図8に示した第4実施形態の構成に加えて、絶縁膜24の外面上に、第3基板25を接着(接合)したものである。
【0044】
この第3基板25は、絶縁膜24の外面との対向面中央部に凹部26を有し、絶縁膜24の外面とは、その周辺部で接着(接合)されている。また、この第3基板25は、ガラスやアルミニウムなどからなる。また、第3基板25の外面上には、放熱防止膜23が設けられている。
【0045】
この場合、第3基板25は、薄膜ヒータ22をより一層保護するほか、放熱防止膜23による熱エネルギー損失の抑制とともに、凹部26による断熱作用によって薄膜ヒータ22の熱拡散を更に抑制して、熱効率をより一層良くすることができる。このために、第3基板25の凹部26内に、第3基板25よりも熱伝導率の低い空気、フレオン、炭酸ガスなどのガスを封入して、断熱性能を高めるようにしてもよい。更に、第3基板25の凹部26内を、例えば、ほぼ真空状態として、断熱性能をより一層高めるようにしてもよい。
【0046】
凹部26内を真空とする場合、凹部26内の気圧を低くする程、断熱性能を向上させることができる。具体的には、凹部26内の気圧を、例えば100Pa程度より低い値、更に好ましくは、10Pa程度より低い値とするとよく、これによって薄膜ヒータ22に印加する電力を低減させることができる。
【0047】
(第6実施形態)
次に、図10は、本発明に係る化学反応装置100の、第6実施形態としての、上記図2同様の、断面図を示す。
【0048】
この第6実施形態は、図2に示す第1実施形態の構成に対して、第1基板11の外面上に薄膜ヒータ22を設け、薄膜ヒータ22を含む第1基板11の外面上に絶縁膜24が設けられて、第1基板11の外面上に薄膜ヒータ22を含む平坦な面が形成されている点、及び、絶縁膜24の外面上に放熱防止膜16が設けられている点、が異なる。
【0049】
この場合、薄膜ヒータ22は、例えば、上記第2実施形態の場合と同様に、流路12に対応した蛇行した形状に形成され、図10では、薄膜ヒータ22の幅を流路12の幅より小さくした場合を示すが、これに限るものではなく、この場合も、薄膜ヒータ22は、蛇行した流路12の外部に配置されているため、薄膜ヒータ22の幅を流路12の幅と略一致させるようにしてもよく、また、薄膜ヒータ22の幅を流路12の幅より大きくするようにしてもよい。更には、薄膜ヒータ22を、図1の第1実施形態の場合と同様に、流路12全体を覆うような矩形状としてもよい。
【0050】
また、この第6実施形態においても、絶縁膜24の外面に放熱防止膜16が設けられていることにより、放熱防止膜16によって薄膜ヒータ22から外部への放熱を防ぐとともに、放熱防止膜16によって薄膜ヒータ22を保護することができる。
【0051】
(第7実施形態)
次に、図11は、本発明に係る化学反応装置の、第7実施形態としての、上記図2と同様の、断面図を示す。
【0052】
この第7実施形態は、上記図10に示した第6実施形態の構成に加えて、絶縁膜24の外面上に、第3基板25を接着(接合)したものである。
【0053】
この第3基板25は、絶縁膜24の外面との対向面中央部に凹部26を有し、絶縁膜24の外面とは、その周辺部で接着(接合)されている。また、この第3基板25は、ガラスやアルミニウムなどからなる。また、第3基板25の外面上には、放熱防止膜16が設けられている。
【0054】
この場合、第3基板25は、上記図9に示した構成と同様に、薄膜ヒータ22をより一層保護するほか、放熱防止膜16による熱エネルギー損失の抑制とともに、凹部26による断熱作用によって薄膜ヒータ22の熱拡散を更に抑制して、熱効率をより一層良くすることができる。このために、第3基板25の凹部26内に、第3基板25よりも熱伝導率の低い空気、フレオン、炭酸ガスなどのガスを封入して、断熱性能を高めるようにしてもよい。更に、第3基板25の凹部26内を、例えば、ほぼ真空状態として、断熱性能をより一層高めるようにしてもよい。
【0055】
なお、上記第1〜第7実施形態では、薄膜ヒータ22を1つ設けた場合について説明したが、本発明は、これに限らず、上記各実施形態を適宜に組み合わせて構成するようにしてもよく、例えば、流路12を挟んでその両側に薄膜ヒータ22を1つずつ設けるようにしてもよい。このようにして2つの薄膜ヒータ22を用いるようにした場合には、それらの発熱により流路12内をより一層の高温とすることができるので、流路12内における化学反応に、より高い温度を必要とする場合に対応することができる。
【0056】
(第8実施形態)
次に、図12は、本発明に係る化学反応装置100の、第8実施形態としての、図2と同様の、断面図を示す。
【0057】
本発明における加熱手段は、要するに、流路12を所定の温度に加熱して流路12内の反応触媒層15、若しくは、流路12内に流れる流体に所定の熱エネルギーを供給することができればよいものであって、上記第1〜第7実施形態では、加熱手段として薄膜ヒータを用いる形態としたが、加熱手段として薄膜ヒータを用いる他に、例えば、燃焼触媒層を用いた燃焼反応により発生した熱エネルギーを用いるようにしてもよい。
【0058】
そこで、本第8実施形態は、加熱手段として燃焼触媒層を用いるようにしたものである。すなわち、図12においては、上記各実施形態と同様に、一面に蛇行した流路12が形成された第1基板11と、第1基板11の一面上に接着(接合)された、蓋となる第2基板21と、を備えるとともに、第2基板21上に燃焼用基板50を備える。そして、この燃焼用基板50に燃焼用流路51が形成され、この燃焼用流路51の内壁面の少なくとも一部に燃焼触媒層52が設けられる構成を備える。この燃焼触媒層52は、例えばPt、Au、Agなどからなっている。
【0059】
そして、この第8実施形態では、燃焼用ガスおよび大気中から取り込まれた酸素からなる燃焼用流体が流入口53を介して燃焼用流路51内に供給されると、この供給された燃焼用流体が燃料触媒層52上で燃焼反応により燃焼し、この燃焼により熱エネルギーが発生する。また、燃焼済みのガスは流出口54から大気中に放出される。そして、この燃焼により発生された熱エネルギーを流路12内の反応触媒層15に供給するようにしたものである。
【0060】
この場合も、上記各実施形態と同様に、燃焼用基板50の外面上に放熱防止膜23を設ける構成を備える。これによって、燃焼用基板50の外面からの放熱を抑制することができて、熱エネルギーの損失を抑制することができ、エネルギーの利用効率を向上させることができる。
【0061】
<電源システム>
次に、本発明に係る化学反応装置を、燃料改質型の燃料電池を用いた電源システムに適用した場合について説明する。
【0062】
図13は燃料電池を用いた電源システム30の概略構成を示すブロック図である。この電源システム30は、燃料部31、燃料気化部32、改質部33、水生シフト反応部34、選択酸化反応部35、発電部36、充電部37、などから構成されており、このうちの燃料気化部32、改質部33、水生シフト反応部34、選択酸化反応部35に、上記各実施形態の構成を備える化学反応装置100を適用することができる。
【0063】
まず、燃料部31は、発電用燃料、例えばメタノール水溶液(CH3OH+H2O)、が封入された燃料パックや、燃料ポンプ、などからなり、発電用燃料を燃料気化部32に供給する。
【0064】
次いで、燃料気化部32は、燃料部31から供給される発電用燃料を気化させる部分である。この燃料気化部32に、上記各実施形態の構成を備える化学反応装置100を適用した場合、流路12内には反応触媒層15は設けられていない。また、第1基板11としてシリコン基板の代わりに、ガラス基板やアルミニウム基板などを用いてもよい。
【0065】
そして、燃料気化部32は、燃料部31からの発電用燃料が流入口13を介して流路12内に供給されると、流路12内において、薄膜ヒータ22の加熱により、例えば120℃程度に加熱されて、発電用燃料が気化される。そして、この気化された発電用燃料ガスは流出口14から流出され、改質部33に供給される。
【0066】
次いで、改質部33は、燃料気化部32から供給される発電用燃料ガスを改質して、水素を生成する部分である。この改質部33に、上記各実施形態の構成を備える化学反応装置100を適用した場合、第1基板11の流路12内には改質用の反応触媒層15が設けられる。この反応触媒層15は、例えば、Cu、ZnO、Al23などの改質触媒からなっている。また、第1基板11としてシリコン基板の代わりに、ガラス基板などを用いてもよい。
【0067】
そして、改質部33は、燃料気化部32からの発電用燃料ガス(例えば、メタノール水溶液:CH3OH+H2O)が流入口13を介して流路12内に供給されると、流路12内において、薄膜ヒータ22の加熱により、例えば280℃程度に加熱されて、次の式(1)に示すような吸熱反応を引き起こし、水素と副生成物の二酸化炭素とを生成する。
CH3OH+H2O→3H2+CO2……(1)
【0068】
上記式(1)の左辺における水(H2O)は、反応の初期では、燃料部31の燃料に含まれているものでよいが、後述する発電部35の発電に伴い生成される水を回収して改質部33に供給するようにしてもよい。また、改質部33における反応式(1)の左辺のおける水(H2O)の供給源は、発電部35のみでもよく、発電部35および燃料部31でも、また燃料部31のみでもよい。なお、このとき、次の式(2)に示す化学反応式のように、微量ではあるが、一酸化炭素が改質部33内で生成されることがある。
2CH3OH+H2O→5H2+CO+CO2……(2)
【0069】
そして、上記式(1)の右辺の生成物(水素、二酸化炭素)および微量の一酸化炭素は改質部33の流出口14から流出される。また、改質部33の流出口14から流出された生成物のうち、気化状態の水素および一酸化炭素は、水生シフト反応部34、選択酸化反応部35に供給される。また、二酸化炭素は分離されて大気中に放出される。
【0070】
次いで、水生シフト反応部34、及び、選択酸化反応部35は、改質部33で生成された一酸化炭素を除去する一酸化炭素除去部38を構成している。水生シフト反応部34に、上記各実施形態の構成を備える化学反応装置100を適用した場合、第1基板11の流路12内には一酸化炭素除去用の反応触媒層15が設けられる。この反応触媒層15は、例えば、Pt、Al23などの選択酸化触媒からなっている。また、第1基板11としてシリコン基板の代わりに、ガラス基板などを用いてもよい。
【0071】
そして、水生シフト反応部34は、改質部33から気化状態の水素および一酸化炭素が流入口13を介して流路12内に供給されると、薄膜ヒータ22の加熱により、例えば180℃程度に加熱され、流路12内に供給された水素、一酸化炭素、水のうち、一酸化炭素と水とが触媒により水生シフト反応して、次の式(3)に示すように、水素と副生成物の二酸化炭素とが生成される。
CO+H2O→H2+CO2……(3)
【0072】
上記式(3)の左辺における水(H2O)は反応の初期では、燃料部31の燃料に含まれているものでよいが、発電部35の発電に伴い生成される水を回収して水生シフト反応部34に供給することが可能である。また、水生シフト反応部34における反応式(3)の左辺のおける水の供給源は、発電部35のみでもよく、発電部35および燃料部31でも、また燃料部31のみでもよい。
【0073】
選択酸化反応部35は、水生シフト反応部34から供給された混合気体に対しての熱処理が行われる部分であり、水生シフト反応部34から供給される混合気体に極微量の一酸化炭素が含まれている場合に、残存する一酸化炭素を触媒によって選択し、大気中から取り込まれた酸素に接触させることで、次の式(4)に示す化学反応によって二酸化炭素を生成し、一酸化炭素を確実に除去する部分である。
CO+(1/2)O2→CO2……(4)
【0074】
そして、最終的に選択酸化反応部35の流出口14に到達する流体はそのほとんどが水素、二酸化炭素となる。
【0075】
上記一連の反応後の生成物は水素および二酸化炭素で構成されるが、これらの生成物のうち、二酸化炭素は水素から分離されて大気中に放出される。したがって、選択酸化反応部35から発電部35には水素のみが供給される。
【0076】
次に、図14は、発電部36に適用される固体高分子型の燃料電池の概略構成を示す。すなわち、発電部36は、Pt、Cなどの触媒が付着された炭素電極からなるカソード41と、Pt、Ru、Cなどの触媒が付着された炭素電極からなるアノード42と、カソード41とアノード42との間に介在されたフィルム状のイオン導電膜43と、を有して構成され、カソード41とアノード42との間に設けられた充電部36に電力を供給するものである。
【0077】
この場合、カソード41の外側には空間部44が設けられている。この空間部44内には一酸化炭素除去部38からの水素が供給され、カソード41に水素が供給される。また、アノード42の外側には空間部45が設けられている。この空間部45内には大気中から逆止弁を介して取り込まれた酸素が供給され、アノード42に酸素が供給される。
【0078】
そして、カソード41側では、次の式(4)に示すように、水素から電子(e-)が分離した水素イオン(プロトン;H+)が発生し、イオン導電膜43を介してアノード42側に通過するとともに、カソード41により電子(e-)が取り出されて充電部37に供給される。
3H2→6H++6e-……(4)
【0079】
一方、アノード42側では、次の式(5)に示すように、充電部37を経由して供給された電子(e−)とイオン導電膜63を通過した水素イオン(H+)と酸素とが反応して副生成物の水が生成される。
6H++(3/2)O2+6e-→3H2O……(5)
【0080】
以上のような一連の電気化学反応(式(4)および式(5))は概ね室温〜80℃程度の比較的低温の環境下で進行し、電力以外の副生成物は、基本的に水のみとなる。発電部36で生成された副生成物としての水は回収される。この場合、上述の如く、発電部36で生成された水の少なくとも一部を改質部33に供給するようにすると、燃料部31内に当初封入される水の量を減らすことができ、また、回収される水の量を減らすことができる。
【0081】
こうして発電部36で生成された電力は充電部37に供給される。この充電部37は、例えば2次電池やコンデンサなどの電力保持手段を備え、発電部35から供給される電力によって2次電池やコンデンサを充電して、供給電力を一旦保持するとともに、保持された電力を、当該電源システムによって駆動する機器に供給する。
【0082】
ところで、現在、研究開発が行われている燃料改質方式の燃料電池に適用されている燃料としては、少なくとも、水素元素を含む液体燃料又は液化燃料又は気体燃料であって、発電部36により、比較的高いエネルギー変換効率で電気エネルギーを生成することができる燃料でであればよく、上記のメタノールの他、例えば、エタノール、ブタノールなどのアルコール系の液体燃料や、ジメチルエーテル、イソブタン、天然ガス(CNG)などの常温常圧で気化される炭化水素からなる液体燃料、あるいは、水素ガスなどの気体燃料などを良好に適用することができる。
【0083】
図15は、本発明に係る化学反応装置を適用した燃料電池を用いた電源システムを1つのモジュールとして構成した場合の、具体構成例を示す要部概略構成図である。なお、図15は、本発明に係る化学反応装置を適用した一例を示したものに過ぎず、発明の範囲を何ら限定するものではない。
【0084】
ここで、電源システム30Aは、燃料改質型の燃料電池を備え、図13に示したブロック構成を備えるものとし、対応する構成には同一の番号を付けて示し、説明を省略又は簡略化する。
【0085】
図15に示すように、電源システム30Aは、例えば、汎用の化学電池と同等の円柱形状の外形形状を有している。なお、この外形形状はこれに限るものではなく、用途や容量などに応じて適当な形状としてもよいことは言うまでもない。
【0086】
図15に示すように、本具体構成例に係る電源システム30Aは、大別すると、電力発生部200と、燃料供給300とを備え、燃料供給部300は図13の燃料部31に対応し、燃料容器310、燃料容器310が着脱可能に装着されるホルダ部320、及び、図示しない燃料ポンプ、などを備える。燃料パック310は、発電用燃料330が充填され、ホルダ部320との接続部に発電用燃料330の漏出を防止する燃料供給弁340を有する。
【0087】
このような燃料パック310をホルダ部320に結合すると、ホルダ部320側に設けられた燃料送出管350が燃料供給弁340を押し下げ、発電用燃料330が、燃料供給管360から、表面張力、あるいは燃料ポンプ、により、燃料送出管350を介して電力発生部200に搬送される。
【0088】
電力発生部200内には、図13の燃料気化部32、改質部33、水生シフト反応部34、選択酸化反応部35、発電部36、充電部37に対応する構成を備え、燃料気化部32、改質部33、水生シフト反応部34、選択酸化反応部35には上記各実施形態の化学反応装置100が適用され、例えばマイクロマシン製造技術などを用い、例えば、深さ、幅がそれぞれ500μm以下の流路が形成されて、微小空間に構成される。
【0089】
具体的には、図15に示すように、発電部36は、円柱形状の円周側面に沿って延在して設けられ、燃料気化部32、改質部33、水生シフト反応部34、選択酸化反応部35は、それぞれ、電力発生部200の内部空間に設けられた、燃料気化部形成枠210、改質部形成枠220、水生シフト反応部形成枠230、選択酸化反応部形成枠240内に形成される。各形成枠は、図3に示した支持部材40に対応し、各化学反応装置は各形成枠内に所定の空間を持って設けられる。また、各形成枠は隔壁によって各々が分離されていてもよく、あるいは、一つの枠として設けられ、燃料気化部32、改質部33、水生シフト反応部34、選択酸化反応部35が例えば積層して形成されるようにしてもよい。
【0090】
そして、形成枠内の空間内に、形成枠の構成部材より熱伝導率の低い空気、フレオン、炭酸ガスなどのガスを封入して断熱性能を高めるようにしてもよく、更に、この空間内を、図3に示した構成と同様に、ほぼ真空状態として、断熱性能をより一層高めるようにしてもよい。なお、図15には、図面の煩雑化を避けるため、それぞれの形成枠のみを示す。
【0091】
充電部37は、例えば、マイクロチップ化されて構成され、例えば突起端子部250内、あるいは、他の電力発生部200内の空間内に設けられる。また、電力発生部200内には、電力発生部200の円柱側面から上記発電部36のアノード42に外部の空気を取り入れる複数の通気孔(スリット)260と、上記アノード42側において生成される副生成物(水など)を液化(凝結)して分離回収する分離回収部270と、回収した副生成物の一部を改質部33及び水性シフト反応部34に供給する副生成物供給経路280と、円柱上面から上記発電部36の空間部44まで貫通し、少なくとも、発電部36のカソード41側や改質部33、選択酸化反応部35において生成され、非回収物質である副生成物(二酸化炭素など)を外部に排出する排出孔290と、を備えて構成されている。
【0092】
このような構成を備える電源システムにおいて、本発明による化学反応装置100を、燃料気化部32、改質部33、水生シフト反応部34、選択酸化反応部35に適用することにより、流路の加熱に要する熱エネルギーの利用効率を良くすることができて、電力発生部200を小型化することができる。
【0093】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、流路を加熱する発熱手段を備える化学反応装置において、化学反応装置の最外面を覆う放熱防止膜を備えているため、この放熱防止膜によって各基板の各外面側からの放熱を抑制することができる。これによって、発熱手段によって流路内を加熱する際の熱エネルギーの損失を抑制して、エネルギーの利用効率を良くすることができる。
また、この化学反応装置を燃料改質型の燃料電池を用いた電源システムにおける燃料気化部や改質部、または一酸化炭素除去部に良好に適用することができて、放熱防止膜によって発電動作のための加熱に要する熱エネルギーの損失を低減し、エネルギーの利用効率を良くすることができて、電源システムを小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る化学反応装置の、第1実施形態の透過平面図。
【図2】図1のII−II線に沿う断面図。
【図3】本発明に係る化学反応装置の実施形態を示す断面図。
【図4】化学反応装置内の真空度と消費電力との関係を示す図。
【図5】本発明に係る化学反応装置の、第2実施形態の透過平面図。
【図6】図5のVI−VI線に沿う断面図。
【図7】本発明に係る化学反応装置の、第3実施形態の断面図。
【図8】本発明に係る化学反応装置の、第4実施形態の断面図。
【図9】本発明に係る化学反応装置の、第5実施形態の断面図。
【図10】本発明に係る化学反応装置の、第6実施形態の断面図。
【図11】本発明に係る化学反応装置の、第7実施形態の断面図。
【図12】本発明に係る化学反応装置の、第8実施形態の断面図。
【図13】本発明に係る化学反応装置を適用した、燃料電池を用いた電源システムの概略構成を示すブロック図。
【図14】本発明に係る化学反応装置を適用した燃料電池に適用される固体高分子型の燃料電池の概略構成図。
【図15】本発明に係る化学反応装置を適用した、燃料電池を用いた電源システムの具体構成例を示す要部概略構成図。
【符号の説明】
11 第1基板
12 流路
13 流入口
14 流出口
15 触媒層
16 放熱防止膜
21 第2基板
22 薄膜ヒータ
23 放熱防止膜
24 絶縁膜
25 第3基板
26 凹部
40 支持部材(箱体)
40a、40b 輻射防止膜
42 空間

Claims (46)

  1. 互いに接合された複数の基板と、
    前記複数の基板のうちの、少なくとも一つの基板に設けられた、少なくとも一つの流路と、
    前記複数の基板の、少なくとも一つの基板の、少なくとも一つの面に設けられ、前記流路を加熱する発熱手段と、
    前記複数の基板の最外面の、少なくとも一部を覆う放熱防止膜と、
    を備え
    前記放熱防止膜は、少なくとも、前記複数の基板の最外面の、前記流路の両端の流入口及び流出口が設けられた面の該流入口及び流出口を除いた部分を覆っていることを特徴とする化学反応装置。
  2. 請求項1記載の発明において、
    前記複数の基板のうち、前記流路が形成された基板は、シリコン基板からなることを特徴とする化学反応装置。
  3. 請求項1記載の発明において、
    前記化学反応装置は、更に、前記放熱防止膜を含む前記複数の基板の最外面全体を覆う箱体を備え、
    前記箱体の内壁面と前記放熱防止膜を含む前記複数の基板の最外面との間の、少なくとも一部には、空間が形成されていることを特徴とする化学反応装置。
  4. 請求項3記載の発明において、
    前記箱体の内壁面の、少なくとも一部には、輻射防止膜が設けられていることを特徴とする化学反応装置。
  5. 請求項3記載の発明において、
    前記箱体の最外面の、少なくとも一部には、輻射防止膜が設けられていることを特徴とする化学反応装置。
  6. 請求項3記載の発明において、
    前記空間内は、ほぼ真空状態、前記箱体の構成部材より熱伝導率が低いガスが封入された状態、の何れかとなっていることを特徴とする化学反応装置。
  7. 請求項6記載の発明において、
    前記空間内の気圧は、100Pa以下の気圧になっていることを特徴とする化学反応装置。
  8. 請求項6記載の発明において、
    前記空間内の気圧は、10Pa以下の気圧になっていることを特徴とする化学反応装置。
  9. 請求項1記載の発明において、
    前記発熱手段は薄膜ヒータを備え、前記流路は蛇行した形状を有し、
    前記薄膜ヒータは、前記流路の蛇行した形状に対応して蛇行した形状、前記流路のほぼ全体を覆う矩形状の形状、の何れかの形状を有することを特徴とする化学反応装置。
  10. 請求項1記載の発明において、
    前記放熱防止膜は、Au、Al、Agの何れかからなる金属膜、あるいは、SnO、InO、ZnOの何れかからなる金属酸化物膜であることを特徴とする化学反応装置。
  11. 請求項1記載の発明において、
    前記複数の基板は、少なくとも、一面に前記流路が設けられた第1の基板と、前記第1基板の一面に接合された第2基板と、を含むことを特徴とする化学反応装置。
  12. 請求項11記載の発明において、
    前記放熱防止膜は、
    前記第1基板の、前記一面と対向する他面側の少なくとも一部を覆う第1放熱防止膜、
    前記第2基板の、前記第1基板と対向する一面と対向する他面側の少なくとも一部を覆う第2放熱防止膜、
    前記第1基板の、前記他面に直交する側面側の少なくとも一部を覆う第3放熱防止膜、
    前記第2基板の、前記他面に直交する側面側の少なくとも一部を覆う第4放熱防止膜、
    のうちの少なくとも何れか一つからなることを特徴とする化学反応装置。
  13. 請求項11記載の発明において、
    前記発熱手段は、薄膜ヒータを備え、
    該薄膜ヒータは、
    前記第2基板における前記第1基板と対向する一面側、
    前記第2基板における該一面側と対向する他面側、
    前記第1基板における前記一面側と対向する他面側、
    のうちの少なくとも一つの面上に設けられていることを特徴とする化学反応装置。
  14. 請求項13記載の発明において、
    前記発熱手段は、前記薄膜ヒータが設けられた面上に、該薄膜ヒータを覆い、上面が平坦とされた絶縁膜を有することを特徴とする化学反応装置。
  15. 請求項14記載の発明において、
    前記薄膜ヒータは、前記第2基板の前記第1基板と対向する一面に対向する他面上、前記第1基板の前記一面と対向する他面上、の少なくとも何れか一方の面上に形成され、
    該薄膜ヒータを覆う前記絶縁膜上に、前記放熱防止膜が設けられていることを特徴とする化学反応装置。
  16. 請求項14記載の発明において、
    前記薄膜ヒータは、前記第2基板の前記第1基板と対向する一面に対向する他面上、前記第1基板の前記一面と対向する他面上、の少なくとも何れか一方の面上に形成され、
    前記複数の基板は、前記薄膜ヒータを覆う前記絶縁膜上に接合された第3の基板、を含み、
    該第3基板の外面に前記放熱防止膜が設けられていることを特徴とする化学反応装置。
  17. 請求項16記載の発明において、
    前記第3基板は、前記薄膜ヒータとの対向面に凹部を有することを特徴とする化学反応装置。
  18. 請求項17記載の発明において、
    前記凹部内は、ほぼ真空状態、前記第3基板より熱伝導率が低いガスが封入された状態、の何れかとなっていることを特徴とする化学反応装置。
  19. 請求項1記載の発明において、
    前記発熱手段は、
    前記流路における、燃焼触媒層が少なくとも一部に設けられた燃焼用流路と、前記燃焼用流路に燃焼用流体を供給し、前記燃焼触媒層上で燃焼反応が生起されて熱エネルギーを生成する手段と、
    を備えることを特徴とする化学反応装置。
  20. 請求項1記載の発明において、
    前記流路に流体を供給する手段と、
    前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記流体を前記流路内で気化させる手段と、
    を備えることを特徴とする化学反応装置。
  21. 請求項1記載の発明において、
    前記流路内に反応触媒層が設けられていることを特徴とする化学反応装置。
  22. 請求項21記載の発明において、
    前記反応触媒は改質触媒であり、
    前記流路に流体を供給する手段と、
    前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記流体を前記流路において改質し、水素を生成する手段と、
    を備えることを特徴とする化学反応装置。
  23. 請求項22記載の発明において、
    前記流体は、気化されたメタノールと水の混合気体であることを特徴とする化学反応装置。
  24. 請求項21記載の発明において、
    前記反応触媒は選択酸化触媒であり、
    前記流路に流体を供給する手段と、
    前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記流体中の一酸化炭素を前記流路において除去する手段と、
    を備えることを特徴とする化学反応装置。
  25. 請求項24記載の発明において、
    前記流体は、一酸化炭素を含む混合気体であることを特徴とする化学反応装置。
  26. 互いに接合された複数の基板と、前記複数の基板のうちの、少なくとも一つの基板に設けられた、少なくとも一つの流路と、前記複数の基板の、少なくとも一つの基板の、少なくとも一つの面に設けられ、前記流路を加熱する発熱手段と、前記複数の基板の最外面の、少なくとも一部を覆う放熱防止膜と、を備え、前記放熱防止膜は、少なくとも、前記複数の基板の最外面の、前記流路の両端の流入口及び流出口が設けられた面の該流入口及び流出口を除いた部分を覆っている化学反応装置と、
    水素と酸素を反応させて発電を行う燃料電池と、を備え、
    前記化学反応装置は、少なくとも、前記流路内の少なくとも一部に改質触媒層が設けられ、前記流路に発電用燃料が供給されて、前記発熱手段による前記流路の加熱により、前記発電用燃料を前記流路内において改質して、水素を生成する手段、を備えることを特徴とする電源システム。
  27. 請求項26記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記複数の基板のうち、前記流路が形成された基板は、シリコン基板からなることを特徴とする電源システム。
  28. 請求項26記載の発明において、
    前記化学反応装置は、更に、前記放熱防止膜を含む前記複数の基板の最外面全体を覆う箱体を備え、
    前記箱体の内壁面と前記放熱防止膜を含む前記複数の基板の最外面との間の、少なくとも一部には、空間が形成されていることを特徴とする電源システム。
  29. 請求項28記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記箱体の内壁面の、少なくとも一部には、輻射防止膜が設けられていることを特徴とする電源システム。
  30. 請求項28記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記箱体の最外面の、少なくとも一部には、輻射防止膜が設けられていることを特徴とする電源システム。
  31. 請求項28記載の発明において、
    前記空間内は、ほぼ真空状態、前記箱体の構成部材より熱伝導率が低いガスが封入された状態、の何れかとなっていることを特徴とする電源システム。
  32. 請求項31記載の発明において、
    前記空間内の気圧は、100Pa以下の気圧になっていることを特徴とする電源システム。
  33. 請求項31記載の発明において、
    前記空間内の気圧は、10Pa以下の気圧になっていることを特徴とする電源システム。
  34. 請求項26記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記発熱手段は薄膜ヒータからなることを特徴とする電源システム。
  35. 請求項26記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記放熱防止膜は、Au、Al、Agの何れかからなる金属膜、あるいは、SnO、InO、ZnOの何れかからなる金属酸化物膜であることを特徴とする電源システム。
  36. 請求項26記載の発明において、
    前記発電用燃料は、メタノール水溶液であることを特徴とする電源システム。
  37. 請求項26記載の発明において、
    前記化学反応装置は、更に、
    前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記発電用燃料を前記流路内で気化させる手段、を備えることを特徴とする電源システム。
  38. 請求項26記載の発明において、
    前記化学反応装置は、更に、
    前記流路内に選択酸化触媒層が設けられ、前記流路に一酸化炭素を含む混合気体が供給されて、前記加熱手段による前記流路の加熱により、前記混合気体中の一酸化炭素と除去する手段、を備えることを特徴とする電源システム。
  39. 請求項26記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記複数の基板は、少なくとも、一面に前記流路が設けられた第1の基板と、前記第1基板の一面に接合された第2基板と、を含むことを特徴とする電源システム。
  40. 請求項39記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記放熱防止膜は、
    前記第1基板の、前記一面と対向する他面の少なくとも一部を覆う第1放熱防止膜、
    前記第2基板の、前記第1基板と対向する一面と対向する他面の少なくとも一部を覆う第2放熱防止膜、
    前記第1基板の、前記他面に直交する側面の少なくとも一部を覆う第3放熱防止膜、
    前記第2基板の、前記他面に直交する側面の少なくとも一部を覆う第4放熱防止膜、
    のうちの少なくとも何れか一つからなることを特徴とする電源システム。
  41. 請求項39記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記発熱手段は、薄膜ヒータを備え、
    該薄膜ヒータは、
    前記第2基板における前記第1基板と対向する一面側、
    前記第2基板における該一面側と対向する他面側、
    前記第1基板における前記一面側と対向する他面側、
    のうちの少なくとも一つの面上に設けられていることを特徴とする電源システム。
  42. 請求項41記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記発熱手段は、前記薄膜ヒータが設けられた面上に、該薄膜ヒータを覆い、上面が平坦とされた絶縁膜を有することを特徴とする電源システム。
  43. 請求項39記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記薄膜ヒータは、前記第2基板の前記第1基板と対向する一面に対向する他面上、前記第1基板の前記一面と対向する他面上、の少なくとも何れか一方の面上に形成され、
    該薄膜ヒータを覆う前記絶縁膜上に、前記放熱防止膜が設けられていることを特徴とする電源システム。
  44. 請求項39記載の発明において、
    前記化学反応装置における、前記薄膜ヒータは、前記第2基板の前記第1基板と対向する一面に対向する他面上、前記第1基板の前記一面と対向する他面上、の少なくとも何れか一方の面上に形成され、
    前記複数の基板は、前記薄膜ヒータを覆う前記絶縁膜上に接合された第3の基板、を含み、
    該第3基板の外面に前記放熱防止膜が設けられていることを特徴とする電源システム。
  45. 請求項44記載の発明において、
    前記第3基板は、前記薄膜ヒータとの対向面に凹部を有することを特徴とする電源システム。
  46. 請求項45記載の発明において、
    前記凹部内は、ほぼ真空状態、前記第3基板より熱伝導率が低いガスが封入された状態、の何れかとなっていることを特徴とする電源システム。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004066008A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Casio Comput Co Ltd 化学反応装置

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW592830B (en) 2002-03-29 2004-06-21 Casio Computer Co Ltd Chemical reaction apparatus and power supply system
JP3891131B2 (ja) 2002-03-29 2007-03-14 カシオ計算機株式会社 化学反応装置及び電源システム
JP4048864B2 (ja) 2002-07-29 2008-02-20 カシオ計算機株式会社 小型化学反応装置およびその製造方法
JP3979219B2 (ja) 2002-08-07 2007-09-19 カシオ計算機株式会社 小型化学反応装置
JP4423847B2 (ja) * 2002-10-25 2010-03-03 カシオ計算機株式会社 小型化学反応装置
DE10317197A1 (de) * 2003-04-15 2004-11-04 Degussa Ag Elektrisch beheizter Reaktor und Verfahren zur Durchführung von Gasreaktionen bei hoher Temperatur unter Verwendung dieses Reaktors
US8821832B2 (en) 2003-06-27 2014-09-02 UltraCell, L.L.C. Fuel processor for use with portable fuel cells
JP2007524562A (ja) 2003-06-27 2007-08-30 ウルトラセル コーポレイション 環状燃料処理装置及び方法
JP4380264B2 (ja) * 2003-08-25 2009-12-09 カシオ計算機株式会社 接合基板及び基板の接合方法
JP2005200266A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Casio Comput Co Ltd 改質方法、改質器、発電装置及び燃料容器
JP2005225686A (ja) * 2004-02-10 2005-08-25 Kyocera Corp 燃料改質器収納用容器および燃料改質装置
KR100570754B1 (ko) 2004-02-26 2006-04-12 삼성에스디아이 주식회사 연료 전지 시스템의 개질기 및 이를 채용한 연료 전지시스템
EP1727766A1 (en) * 2004-03-23 2006-12-06 Casio Computer Co., Ltd. Stacked structure and method of manufacturing the same
JP2005270727A (ja) * 2004-03-23 2005-10-06 Casio Comput Co Ltd スタック構造の製造方法及びスタック構造
US8133622B2 (en) 2004-09-08 2012-03-13 Samsung Sdi Co., Ltd. Heated reformer and fuel cell system having the same
KR100578817B1 (ko) * 2004-10-28 2006-05-11 삼성에스디아이 주식회사 연료 전지 시스템 및 개질기
JP4984405B2 (ja) * 2005-03-07 2012-07-25 カシオ計算機株式会社 一酸化炭素除去器
JP4848677B2 (ja) * 2005-03-17 2011-12-28 大日本印刷株式会社 水素製造装置およびその製造方法
KR100616685B1 (ko) 2005-06-09 2006-08-28 삼성전기주식회사 소형 개질 기 와 그 제조 방법
DE102005034642B3 (de) * 2005-07-25 2006-08-03 Siemens Ag Mikrofluidiksystem
KR100691274B1 (ko) * 2005-08-24 2007-03-12 삼성전기주식회사 박형 개질 기
JP4631623B2 (ja) * 2005-09-08 2011-02-16 カシオ計算機株式会社 反応装置
KR100674864B1 (ko) * 2005-09-29 2007-01-29 삼성전기주식회사 열특성이 우수한 연료 전지용 개질기
KR100691368B1 (ko) * 2005-10-10 2007-03-09 삼성전기주식회사 증발 부의 배압을 감소시킨 박형 개질 기
SE529516C2 (sv) * 2005-10-24 2007-09-04 Alfa Laval Corp Ab Universell flödesmodul
JP4492534B2 (ja) * 2005-12-28 2010-06-30 カシオ計算機株式会社 反応装置および反応装置の製造方法
US7811341B2 (en) 2005-12-28 2010-10-12 Casio Computer Co., Ltd. Reaction device, heat-insulating container, fuel cell device, and electronic apparatus
JP5590510B2 (ja) * 2006-01-06 2014-09-17 日本電気株式会社 半導体記憶装置
KR100735450B1 (ko) 2006-03-02 2007-07-04 삼성전기주식회사 고분자 탄성 물질(pdms)로 제작된 마이크로 개질 기 및그 제조방법
KR100735448B1 (ko) 2006-03-07 2007-07-04 삼성전기주식회사 Cmp 프로세스를 적용한 연료전지용 초소형 개질 기제조방법
JP4155314B2 (ja) 2006-06-26 2008-09-24 カシオ計算機株式会社 反応装置、その反応装置を用いた発電装置、及び、電子機器
JP2008023406A (ja) * 2006-07-18 2008-02-07 Fuji Xerox Co Ltd 一体型接続部を有するマイクロリアクター装置
WO2008018266A1 (fr) 2006-08-07 2008-02-14 Nec Corporation MRAM à ligne de commande de mots à potentiel variable
JP4311428B2 (ja) 2006-09-19 2009-08-12 カシオ計算機株式会社 反応装置
FR2909224B1 (fr) * 2006-11-24 2010-09-24 Gaz De France Unite de production d'energie integrant un bruleur et une pile a combustible.
JP4636028B2 (ja) * 2007-01-24 2011-02-23 カシオ計算機株式会社 燃料電池装置及び電子機器
JP5023716B2 (ja) * 2007-01-25 2012-09-12 カシオ計算機株式会社 蒸発型ゲッター材、ゲッターポンプ、減圧構造、反応装置、発電装置及び電子機器
JP5082535B2 (ja) 2007-03-27 2012-11-28 カシオ計算機株式会社 反応装置
JP5309482B2 (ja) * 2007-06-18 2013-10-09 カシオ計算機株式会社 反応装置、発電装置及び電子機器
JP2009241028A (ja) * 2008-03-31 2009-10-22 Kyocera Corp 反応装置
WO2009135334A1 (zh) * 2008-05-05 2009-11-12 西门子公司 用于测量发酵过程组分浓度的装置和方法
JP5263275B2 (ja) * 2010-12-03 2013-08-14 カシオ計算機株式会社 断熱容器
DE102012217871A1 (de) * 2012-09-28 2014-04-03 Behr Gmbh & Co. Kg Wärmeübertrager
JP2018524779A (ja) * 2015-07-15 2018-08-30 グリッドテンシャル エナジー インコーポレイテッドGridtential Energy,Inc. バイポーラ電池のシールおよび熱リブ構成
US11239493B2 (en) 2016-11-22 2022-02-01 Marelli Corporation Method for bonding solid electrolyte layer and electrodes, method for manufacturing fuel cell, and fuel cell
JP6472842B2 (ja) * 2016-11-22 2019-02-20 カルソニックカンセイ株式会社 固体電解質層と電極との接合方法、及び、燃料電池の製造方法
CN109888341B (zh) * 2019-01-21 2020-12-15 西安交通大学 一种物料分离传输直接甲醇燃料电池及其工作方法

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02172538A (ja) 1988-12-23 1990-07-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 排気ガス浄化触媒体
JPH05235510A (ja) 1992-02-19 1993-09-10 Fujitsu Ltd 薄膜パターンの形成方法
JPH06111838A (ja) 1992-09-30 1994-04-22 Toshiba Corp 改質器、改質システム、及び燃料電池システム
JP3281087B2 (ja) 1993-02-10 2002-05-13 日本碍子株式会社 排ガス浄化用触媒
DE69413012T2 (de) 1993-03-19 1999-03-25 Du Pont Integrierte vorrichtung für chemische verfahrensschritte und herstellungsverfahren dafür
JP3324855B2 (ja) 1993-12-04 2002-09-17 株式会社エステック 質量流量センサ
US5811062A (en) 1994-07-29 1998-09-22 Battelle Memorial Institute Microcomponent chemical process sheet architecture
DE4435107C1 (de) 1994-09-30 1996-04-04 Biometra Biomedizinische Analy Miniaturisierter Fluß-Thermocycler
JP3129670B2 (ja) 1997-02-28 2001-01-31 三菱電機株式会社 燃料改質装置
JPH10268343A (ja) 1997-03-24 1998-10-09 Sharp Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JPH10284836A (ja) 1997-04-08 1998-10-23 Hitachi Ltd セラミック一括積層配線基板及びその製造方法
DE19720294C1 (de) * 1997-05-15 1998-12-10 Dbb Fuel Cell Engines Gmbh Reformierungsreaktor und Betriebsverfahren hierfür
KR100213110B1 (ko) 1997-06-12 1999-08-02 윤종용 박막형 발열 히터 및 그 제조방법
US6200536B1 (en) * 1997-06-26 2001-03-13 Battelle Memorial Institute Active microchannel heat exchanger
DE19754012C2 (de) * 1997-12-05 1999-11-11 Dbb Fuel Cell Engines Gmbh Anlage zur Wasserdampfreformierung eines Kohlenwasserstoffs
DE59905737D1 (de) * 1998-02-11 2003-07-03 Inst Physikalische Hochtech Ev Miniaturisierter temperaturzonen flussreaktor
TW430552B (en) * 1998-06-09 2001-04-21 Nippon Oxygen Co Ltd A transparent insulated container and its manufacture method
JP2000026105A (ja) 1998-07-08 2000-01-25 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd Co選択酸化器
JP2002534344A (ja) * 1999-01-19 2002-10-15 アスコム ハスラー メーリング システムズ インコーポレイテッド 電子制御された封止テープ供出器及び方法
US6638654B2 (en) * 1999-02-01 2003-10-28 The Regents Of The University Of California MEMS-based thin-film fuel cells
DE19920786B4 (de) * 1999-05-06 2004-11-18 Ballard Power Systems Ag Reaktor und/oder Wärmetauscher in Stapelbauweise
US6969506B2 (en) 1999-08-17 2005-11-29 Battelle Memorial Institute Methods of conducting simultaneous exothermic and endothermic reactions
WO2001041931A2 (en) 1999-12-09 2001-06-14 Motorola, Inc. Multilayered microfluidic devices for analyte reactions
DE10010400C2 (de) 2000-02-28 2002-10-31 Mannesmann Ag Vorrichtung und Verfahren zum Erhitzen und/oder Verdampfen flüssiger oder gasförmiger Medien
US7485454B1 (en) 2000-03-10 2009-02-03 Bioprocessors Corp. Microreactor
JP2002018271A (ja) 2000-07-05 2002-01-22 Kawamura Inst Of Chem Res 微小ケミカルデバイス
US6436720B1 (en) * 2000-09-15 2002-08-20 Cellular Process Chemistry, Inc. Residence time providing module/apparatus
US6939451B2 (en) 2000-09-19 2005-09-06 Aclara Biosciences, Inc. Microfluidic chip having integrated electrodes
US6916565B2 (en) * 2000-12-21 2005-07-12 Casio Computer Co., Ltd. Power supply system, fuel pack constituting the system, and device driven by power generator and power supply system
US6824905B2 (en) * 2001-01-15 2004-11-30 Casio Computer Co., Ltd. Power supply system and device driven by power supply system
JP4682476B2 (ja) * 2001-08-01 2011-05-11 カシオ計算機株式会社 加熱装置、改質装置及び燃料電池システム
JP2003089502A (ja) * 2001-09-12 2003-03-28 Suzuki Motor Corp メタノール改質装置
US6960235B2 (en) 2001-12-05 2005-11-01 The Regents Of The University Of California Chemical microreactor and method thereof
US6786716B1 (en) * 2002-02-19 2004-09-07 Sandia Corporation Microcombustor
TW592830B (en) * 2002-03-29 2004-06-21 Casio Computer Co Ltd Chemical reaction apparatus and power supply system
JP3891131B2 (ja) 2002-03-29 2007-03-14 カシオ計算機株式会社 化学反応装置及び電源システム
US7169367B2 (en) * 2002-04-05 2007-01-30 Casio Computer Co., Ltd. Chemical reaction apparatus and power supply system
JP4048864B2 (ja) * 2002-07-29 2008-02-20 カシオ計算機株式会社 小型化学反応装置およびその製造方法
JP3979219B2 (ja) * 2002-08-07 2007-09-19 カシオ計算機株式会社 小型化学反応装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004066008A (ja) * 2002-08-01 2004-03-04 Casio Comput Co Ltd 化学反応装置

Also Published As

Publication number Publication date
CA2447853C (en) 2009-05-05
EP1399251A1 (en) 2004-03-24
US20040148858A1 (en) 2004-08-05
JP2004006265A (ja) 2004-01-08
CN1240472C (zh) 2006-02-08
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