JP5511180B2 - 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 - Google Patents

固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5511180B2
JP5511180B2 JP2008324403A JP2008324403A JP5511180B2 JP 5511180 B2 JP5511180 B2 JP 5511180B2 JP 2008324403 A JP2008324403 A JP 2008324403A JP 2008324403 A JP2008324403 A JP 2008324403A JP 5511180 B2 JP5511180 B2 JP 5511180B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
imaging device
solid
state imaging
preparing
uneven portion
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008324403A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2010147327A (ja
Inventor
久種 小森
幸司 都築
康浩 松木
智 ▲浜▼▲崎▼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2008324403A priority Critical patent/JP5511180B2/ja
Priority to US12/640,156 priority patent/US8241951B2/en
Priority to CN2009102624992A priority patent/CN101834115B/zh
Publication of JP2010147327A publication Critical patent/JP2010147327A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5511180B2 publication Critical patent/JP5511180B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618Containers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14683Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14685Process for coatings or optical elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161Cap
    • H01L2924/162Disposition
    • H01L2924/16235Connecting to a semiconductor or solid-state bodies, i.e. cap-to-chip

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Description

本発明は、固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置に関し、特に固体撮像素子の受光側表面にカバー部材が固定された固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置に関する。
近年、デジタルカメラや携帯電話の小型化、薄型化に伴い、固体撮像装置において、更なる小型化、薄型化が要求されている。
そこで、下面縁部に枠部を一体的に形成した透明材料からなるカバー部材を固体撮像素子チップに気密封止した固体撮像装置が提案されている(例えば、特許文献1参照)。また、固体撮像素子にシール剤で透明基板をマウントした固体撮像装置が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
特開平07−202152号公報 特開2004−134672号公報
上記のような装置においては、固体撮像素子の受光部の表面に、各画素に対応して形成された数μm程度の高さの凸部を有するマイクロレンズが形成されている。近年では、固体撮像素子のチップサイズやパッケージサイズをより小型化する上で、固体撮像素子の画素領域の外側の領域をできるだけ小さくすることが求められている。しかし、マイクロレンズを受光部の表面に有する固体撮像素子にシール剤を用いて透明基板をマウントする際には、シール剤がマイクロレンズと接触する可能性がある。シール剤がマイクロレンズに接触した場合には、シール剤がマイクロレンズの凸部間の隙間を毛細管現象によって浸透して画素領域に達し、光学特性が低下するという問題があった。
本発明は、上記の事情を鑑みてなされたものであり、より小型にできる固体撮像装置の製造方法及び小型の固体撮像装置を提供することを目的とする。
発明にかかる固体撮像装置の製造方法は、カバー部材を準備する工程と、複数の受光部を主面に有する基板と、前記複数の受光部の各々に集光するためのレンズ形状を有する第1の凹凸部と、前記第1の凹凸部を囲む複数の凸部を含む第2の凹凸部と、を有する撮像素子を準備する工程と、前記撮像素子の前記第1の凹凸部と前記第2の凹凸部との間の領域に、前記カバー部材を固定部材により固定する工程と、を有し、前記撮像素子を準備する工程は、前記主面に対する垂直方向の断面で、第1の凹凸部の凹部の最小断面積の平均より第2の凹凸部の凹部の最小断面積の平均の方が小さい撮像素子を準備する工程であることを特徴とする。
また、本発明にかかる固体撮像装置の製造方法は、カバー部材を準備する工程と、複数の受光部を主面に有する基板と、前記複数の受光部の各々に集光するためのレンズ形状を有する第1の凹凸部と、前記第1の凹凸部の周囲に配置され、塗布された接着剤が毛細管現象により浸透する力が前記第1の凹凸部以上である第2の凹凸部と、を有する撮像素子を準備する工程と、前記撮像素子の前記第1の凹凸部と前記第2の凹凸部との間の領域に接着剤を介して前記カバー部材を載置して、前記接着剤の一部を前記第2の凹凸部に浸透させてから前記接着剤を硬化させる、前記撮像素子と前記カバー部材とを固定する工程と、を有することを特徴とする。
本発明によれば、より小型にできる固体撮像装置の製造方法及び小型の固体撮像装置を提供することができる。
以下に本発明の固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置の実施形態を図面に基づいて説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
(第1の実施形態)
本発明の第1の実施の形態を示す固体撮像装置の製造方法を図1を用いて説明する。
図1(a)は、第1の実施の形態を示す固体撮像装置1の製造方法のうち固体撮像素子2を準備する工程を示す工程断面図である。図1(a)の固体撮像素子2は、基板11と、基板11の主面に配置された複数の受光部を有する画素領域12と、端子部13と、を有する。さらに固体撮像素子2は、画素領域上に配置されたカラーフィルタ14と、カラーフィルタ上に配置された平坦化膜15と、平坦化膜上に配置されたマイクロレンズ16となる凸部と、を有する。基板11は、シリコン基板などが用いられ、基板11の主面には、CCDやCMOSなどの複数の受光部やスイッチなどを有する複数の画素からなる画素領域12が構成されている。ここでは、画像の形成に用いられる画素群を画素領域12という。画素領域12を含む基板11の主面上には、フォトリソグラフィー技術を利用して、各画素に対応した位置に赤、緑、青(RGB)のいずれかの色が配されたカラーフィルタ14が配置されている。カラーフィルタ上には、マイクロレンズ16を均一に形成するために平坦化膜15が配置されている。平坦化膜上には、フォトリソグラフィー技術を利用して透明な膜を形成し、エッチングにより各画素に対応したパターニング後に、リフローなどの方法で加熱熔融させ、表面張力の作用によってレンズ形状としたマイクロレンズ16が配置されている。マイクロレンズは受光部に入射光を集光する役割を有する。マイクロレンズ16は、樹脂材料の膜に金型でレンズ形状を転写するナノインプリントによって形成したマイクロレンズアレイを基板11に貼り合わせたものでもよい。ナノインプリント技術によれば、凸部の形状を比較的自由に形成できるため、アスペクト比の大きい凸部が形成できる。
図1(b)は、同固体撮像装置1の製造方法のうちカバー部材3を準備する工程を示す工程断面図である。図1(b)のカバー部材3は、一体構造の平板部21と枠部22とから凹部を有する構成を有している。カバー部材3はガラスの他に樹脂や水晶が用いられる。そして、カバー部材3は、ガラスや樹脂の板を研磨、エッチング、金型による成形などによって凹部を形成した平板部21と枠部22の一体構造や、ガラスや樹脂などの透明な平板に別部材の枠を固定した組み立て構造のいずれでも良い。組み立て構造の場合、枠部は金属も使用できる。平板部21の表面や裏面に反射防止コートやIRコートを有していれば光学特性がより良好となる。また、良好な画像を得るためには、枠部22からの反射光が画素領域12に入射することを抑制する必要がある。そのため、枠部22は空気の屈折率(1)により近い材料、又は光の吸収率が高い材料を用いることが好適である。枠部22の内壁や外壁に、平板部21と同様な反射防止コートやIRコートを設けることも好適である。
図1(c)は、同固体撮像装置1の製造方法のうち固体撮像素子2に未硬化の固定部材23を介してカバー部材3を接着する工程を示す工程断面図である。まず、固定部材23である未硬化の接着剤をカバー部材3の枠部の固体撮像素子側に塗布し、カバー部材3を固体撮像素子2に押し当てる。
図1(d)は、図1(c)で示した接着工程において、固定部材23としての接着剤が固体撮像素子上に広がった状態を示す工程断面図である。固体撮像素子2とカバー部材3との間には空間部25が構成されている。その後、接着剤は硬化される。
図2(a)は、図1で示した固体撮像装置1の製造方法による固体撮像装置1の図1(d)のA線内の拡大断面図であり、図2(b)は、同じく図1(d)の平面図である。
図2(a)、(b)の固体撮像装置1において、カバー部材3の枠部22に対向する固体撮像素子2の領域が固定領域Bである。固定領域Bの内側には、固体撮像素子2の画素領域12が配置されており、固体撮像素子2の表面にマイクロレンズ16が配置されている。固定領域Bの内側の少なくとも画素領域12に対向するマイクロレンズ16による複数の凸部は第1の凹凸部16と称する。そして、固定領域Bの外側の領域Cにも同様に、固体撮像素子2の表面にマイクロレンズ16と同様な部材が配置されている。領域Cのマイクロレンズ形状の部材による複数の凸部を第2の凹凸部17と称する。すなわち、固定領域Bは、第1の凹凸部と前記第2の凹凸部との間の領域である。そして、固定領域Bは、固体撮像素子に接着剤を介してカバー部材を載置する領域である。また、本実施形態においては、固定領域Bにも同様にマイクロレンズ形状の部材が固定領域Bの内側と外側とに連続性を有して一体構成で配置されている。固定領域のマイクロレンズによる複数の凸部を第3の凹凸部18と称する。ここで、例えば、マイクロレンズが固定領域の内側だけに配置されている場合、固定部材23が第1の凹凸部16に接触して画素領域12に浸透する可能性がある。固定部材23を第1の凹凸部16に接触しないようにするには、第1の凹凸部16と枠部22との距離を長くする必要がある。すなわち、固定部材23が第1の凹凸部16に接触する可能性が無いように第1の凹凸部16から枠部22を離して配置するのである。ただし、そのような構成では固体撮像装置を小型化することができない。
しかしながら、本実施形態の構成は、固定領域の内側の領域(画素領域側)と外側の領域Cの両方に固定部材23である接着剤を浸透させることによって、画素領域12上への固定部材23の浸透を抑制できるため、固体撮像装置の小型化を実現することができる。すなわち、第2の凹凸部及び第3の凹凸部での毛細管現象によって、固定部材が第1の凹凸部へ浸透することを低減する。なお、塗布された接着剤が毛細管現象により浸透する力は、第1の凹凸部以上とした第2の凹凸部であればよい。本実施形態において、第2の凹凸部及び第3の凹凸部は、第1の凹凸部と同様のマイクロレンズ形状の部材を用いたが、毛細管現象が発生する構成であればどのような形状の凹凸でも良い。
また、マイクロレンズを加熱溶融して形成する場合、マイクロレンズを画素領域上から枠部が固定される領域より外側の領域まで配置したことから、画素領域内のマイクロレンズが均一な状況で形成できるため良好な形状となる。
また、マイクロレンズを画素領域上から枠部が固定される領域より外側の領域まで一体構成で配置したことから、マイクロレンズの周辺部で剥離が発生しても画素領域まで距離があるため、画素領域内での光学特性の低下が抑制される。
図3は、図1(d)で示した固体撮像装置1をパッケージングした固体撮像装置1の断面図を示す図3(a)と、平面図を示す図3(b)である。図の固体撮像装置1の固体撮像素子は、一体化されているカバー部材側とは反対側に固定部材33を介して配線基板4に固定されている。そして、固体撮像素子2の端子部13と配線基板4の端子部32間が金属ワイヤなどの導電部で接続されている。更に、固体撮像装置1は、配線基板4、固体撮像素子2、カバー部材3の周囲が封止部材35によって封止されている。配線基板4は、リードフレーム、プリント配線板、フレキシブル配線板、およびメタルベース配線板などが用いられる。配線基板4がリードフレームの場合、リードフレーム上に固定部材を介して固体撮像素子が固定される。図の配線基板4は、プリント配線板であり、セラミックやガラスエポキシなどの材料が用いられた基板31と、基板31の表面に配置された端子部32と、を有する。更に、配線基板4としてのプリント配線板は、基板31の表面又は内部に配置された配線を有している。また、導電部である金属ワイヤ34は、固体撮像素子2と配線基板4との間で信号の転送のために用いられる。このような構成により、固体撮像装置は、空間部への水分の侵入を更に低減することができる。
(第2の実施形態)
次に第2の実施の形態を説明する。図4は、第2の実施の形態における固体撮像装置の断面図である。
図4の固体撮像装置1が第1の実施形態の固体撮像装置と異なる点は、枠部に対向する固体撮像素子2の表面の第3の凹凸部が平坦化されていることである。すなわち、枠部22に対向する固体撮像素子2の固定領域を除いて、固定領域Bの内側(画素領域側)と外側にマイクロレンズが配置されている。固体撮像装置1の製造方法においては、固体撮像素子2を準備する工程において、第1の凹凸部16、第2の凹凸部17、平坦部19の構成が上記の構成の固体撮像素子2を準備する。このような構成は、固定領域Bの内側の領域(画素領域側)と外側の領域の両方に固定部材である接着剤を浸透させることによって、画素領域12上への固定部材23の浸透を抑制できるため、固体撮像装置1の小型化を実現することができる。
また、図1(d)の固体撮像装置1の第3の凹凸部18の凹部分から枠部22までの距離と、図4の固体撮像装置1の平坦部19から枠部22の下部までの距離とを同じにした場合、固定部材23のはみ出しを抑制できるため、より好適である。なぜなら、第3の凹凸部18の凸部の体積分の固定部材23を固定領域Bに溜め込むことができるからである。
また、枠部の下部の領域が平坦部である場合には、枠部の下部が球面である場合に比べて摩擦力が増えることによって枠部のズレが低減できるため、枠部の平面方向の位置が安定しやすいという効果も有する。
また、画素領域12に対応する第1の凹凸部16と、枠部が固定される領域に対応する平坦部19と、枠部の外側の領域に対応する第2の凹凸部17とは、同一の工程で形成できる。そのため、本実施の形態の固体撮像装置の構成は、製造工程が増えないため、コストは変わらないため好適である。
(第3の実施形態)
次に第3の実施の形態を説明する。図5は、第3の実施の形態における固体撮像装置の断面図である。
図5の固体撮像装置1が第1の実施形態の固体撮像装置1と異なる点は、枠部に対向する固体撮像素子の表面の平坦化膜、カラーフィルタが除去されていることである。すなわち、枠部22に対向する固体撮像素子2の領域とその領域に隣接する部分を含む固定領域B’を除いて、固定領域B’の内側(画素領域側)にマイクロレンズとなる第1の凹凸部16が、外側に第2の凹凸部17が配置されている。より具体的には、図5(a)の固体撮像装置1は、固体撮像素子表面の、固定領域B’部分の平坦化膜15、カラーフィルタ14が除去され、マイクロレンズである第1の凹凸部16と同一材料で形成された平坦部をB’部分に有する。そして、図5(b)は、図5(a)から更に固体撮像素子表面の、固定領域B’部分のマイクロレンズと同一材料で形成された平坦部が除去された構成を有する。固体撮像装置1の製造方法においては、固体撮像素子2を準備する工程において、第1の凹凸部16、第2の凹凸部17、固定領域B’の構成が上記の構成の固体撮像素子2を準備する。具体的には、図5(a)においては、基板上にカラーフィルタ14と平坦化膜15を形成した後、固定領域B’部分をエッチング又は円形回転刃などの切削加工により除去されて溝を形成し、マイクロレンズを形成する。更にはマイクロレンズを形成する際に、固定領域B’部分は平坦にする。図5(b)においては、マイクロレンズを形成した後、固体撮像素子2の枠部22が固定される領域付近のマイクロレンズ、カラーフィルタ14、平坦化膜15は、エッチング又は円形回転刃などの切削加工により除去されて溝が形成される。このような構成は、固定領域Bの内側の領域(画素領域側)と外側の領域の両方に固定部材を浸透させることによって、画素領域12への固定部材の浸透を抑制できるため、固体撮像装置の小型化を実現することができる。また、図5(a)は、マイクロレンズ材料が画素領域12からアンカー効果のある溝部を介してカバー部材3の外側まで延伸して一体構成で配置されていることから、画素領域12でのマイクロレンズ16の剥離が低減できる。
また、固体撮像素子に載置する枠部の位置制御が、固体撮像素子の溝部によって容易となる。
また、図1(d)、図4の固体撮像装置1に比べて固定部材のはみ出しを抑制できるため、より好適である。マイクロレンズ、平坦化膜、カラーフィルタの体積分の固定部材を固定領域B’に溜め込むことができるからである。
(第4の実施形態)
次に第4の実施の形態を説明する。図6は、第4の実施の形態における固体撮像装置の断面図である。
図6の固体撮像装置1が第1の実施形態の固体撮像装置1と異なる点は、枠部より内側(画素領域側)の第1の凹凸部の表面に撥水部を有することである。従って、画素領域12に対向するマイクロレンズとなる第1の凹凸部16の表面には撥水材料が塗布され、固定領域Bから外側の領域の第2、第3の凹凸部の表面には撥水材料が塗布されない。この場合、画素領域12上への固定部材23の浸透は抑制できる。固体撮像装置1の製造方法においては、固体撮像素子2を準備する工程において、第1の凹凸部16の構成が上記の構成の固体撮像素子2を準備する。このような構成は、固定領域Bの外側の領域に固定部材を浸透させることによって、画素領域上への固定部材の浸透を抑制できるため、固体撮像装置の小型化を実現することができる。
(第5の実施形態)
次に第5の実施の形態を説明する。図7は、第5の実施の形態における固体撮像装置の断面図を示す図7(a)と、平面図を示す図7(b)である。
図7(a)、(b)の固体撮像装置1が第1の実施形態の固体撮像装置1と異なる点は、枠部より内側(画素領域側)に画素領域を囲む連続した凸部からなる土手部を有することである。従って、毛細管現象が発生する画素領域12のマイクロレンズとなる第1の凹凸部16には固定部材23が接触しないため、画素領域12上への固定部材23の浸透は抑制できる。固体撮像装置1の製造方法においては、固体撮像素子を準備する工程において、土手部20の構成が上記の構成の固体撮像素子を準備する。このような構成は、固定領域Bの外側の領域に固定部材23を浸透させることによって、画素領域12への固定部材23の浸透を抑制できるため、固体撮像装置の小型化を実現することができる。
また、画素領域12に対応する第1の凹凸部16と、画素領域12を囲む土手部20と、枠部22が固定される固定領域Bに対応する第3の凹凸部18と、枠部22の外側の領域に対応する第2の凹凸部17とは、同一の工程で形成できる。そのため、本実施の形態の固体撮像装置の構成は、製造工程が増えないため、コストは変わらないため好適である。
(第6の実施形態)
次に第6の実施の形態を説明する。図8は、第6の実施の形態における固体撮像装置の断面図を示す図8(a)と、図8(a)の一部を拡大した断面図を示す図8(b)と、平面図を示す図8(b)である。
図8(a)、(b)、(c)の固体撮像装置1が第1の実施形態の固体撮像装置1と異なる点は、画素領域12に対応した第1の凹凸部16より、固定領域Bから外側に対応した第2、第3の凹凸部の方が、ピッチが小さいことである。すなわち、第1の凹凸部より第2、第3の凹凸部の方が、凸部の径及び隣り合う凸部間の距離が小さいため、凸部間の面積が小さい。言い換えれば、基板の主面に対して垂直方向の断面で、第1の凹凸部の凹部の最小断面積の平均より第2、第3の凹凸部の凹部の最小断面積の平均の方が小さい、ということである。最小断面積とは、図8(b)において、隣り合う凸部の頂点を結ぶ線で基板の側方から見た縦断面の凹部と二点鎖線で囲まれた面積を言う。凸部の頂点からずれた位置での縦断面は、凸部の頂点での縦断面より断面積が大きくなってしまう。なお、第1の凹凸部の凹部の最小断面積の平均より第2の凹凸部の凹部の最小断面積の平均の方が小さければ、第3の凹凸部が第1の凹凸部と同等でも固定部材は第2の凹凸部に浸透しやすい構成となっている。これは、前述の凸部の径及び隣り合う凸部間の距離の関係においても同様である。従って、画素領域12より外側に固定部材23が浸透しやすいため、画素領域12上への固定部材23の浸透は抑制できる。固体撮像装置1の製造方法においては、固体撮像素子を準備する工程において、マイクロレンズの構成が上記の構成の固体撮像素子を準備する。このような構成は、画素領域以外の領域に固定部材23が浸透しやすくなることによって、画素領域12上への固定部材23の浸透を抑制できるため、固体撮像装置の小型化を実現することができる。
また、画素領域12に対応するマイクロレンズ16と、画素領域以外の領域に対応するマイクロレンズとは、同一の工程で形成できる。そのため、本実施の形態の固体撮像装置の構成は、製造工程が増えないため、コストは変わらないため好適である。
また、マイクロレンズを加熱溶融して形成した場合、画素領域から枠部に対向する領域までのマイクロレンズを同じ構造とすることで画素領域内のマイクロレンズが均一な状況で形成できるため良好な形状となる。
(第7の実施形態)
次に第7の実施の形態を説明する。図9は、第7の実施の形態における固体撮像装置の断面図を示す図9(a)と平面図を示す図9(b)である。
図9の固体撮像装置1が第1の実施形態の固体撮像装置1と異なる点は、画素領域以外の領域にストライプ状の凸部を配置したことである。ストライプ状の凸部の場合も前述のように最小断面積の平均が第1の凹凸部より第2の凹凸部の方が小さいことが好ましい形態である。ストライプ状の凸部の場合の第2の凹凸部の最小断面積は、凹部(溝)に直交する線の位置での縦断面において、凹部で囲まれる面積である。このように、画素領域12上への固定部材23の浸透は抑制するために、画素領域以外の領域で毛細管現象を発生させるためには、マイクロレンズ形状のみならず、他のいずれの形状を用いても良い。固体撮像装置1の製造方法においては、固体撮像素子を準備する工程において、第2、第3の凹凸部の構成が上記の構成の固体撮像素子を準備する。このような構成は、画素領域以外の領域に固定部材23が浸透しやすくなることによって、画素領域12上への固定部材23の浸透を抑制できるため、固体撮像装置の小型化を実現することができる。
また、画素領域12に対応するマイクロレンズとなる第1の凹凸部16と、画素領域以外の領域に対応するストライプ状の凹凸部とは、同一の工程で形成できる。そのため、本実施の形態の固体撮像装置の構成は、製造工程が増えないため、コストは変わらないため好適である。
また、マイクロレンズを加熱溶融して形成した場合、画素領域から枠部に対向する領域までのマイクロレンズを同じ構造とすることで画素領域内のマイクロレンズが均一な状況で形成できるため良好な形状となる。
本発明に係る固体撮像装置の製造方法の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係る固体撮像装置の一実施形態を示す拡大断面図及び平面図である。 本発明に係る固体撮像装置の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係る固体撮像装置の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係る固体撮像装置の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係る固体撮像装置の一実施形態を示す断面図である。 本発明に係る固体撮像装置の一実施形態を示す断面図及び平面図である。 本発明に係る固体撮像装置の一実施形態を示す断面図及び平面図である。 本発明に係る固体撮像装置の一実施形態を示す断面図及び平面図である。
符号の説明
1 固体撮像装置
2 個体撮像素子
3 カバー部材
4 配線基板
11 基板
12 画素領域
13 端子部
14 カラーフィルタ
15 平坦化膜
16 マイクロレンズ(第1の凹凸部)
17 第2の凹凸部
21 平板部
22 枠部
23 固定部材
25 空間部

Claims (8)

  1. カバー部材を準備する工程と、
    複数の受光部を主面に有する基板と、前記複数の受光部の各々に集光するためのレンズ形状を有する第1の凹凸部と、前記第1の凹凸部を囲む複数の凸部を含む第2の凹凸部と、を有する撮像素子を準備する工程と、
    前記撮像素子の前記第1の凹凸部と前記第2の凹凸部との間の領域に、前記カバー部材を固定部材により固定する工程と、
    を有し、
    前記撮像素子を準備する工程は、前記主面に対する垂直方向の断面で、第1の凹凸部の凹部の最小断面積の平均より第2の凹凸部の凹部の最小断面積の平均の方が小さい撮像素子を準備する工程である固体撮像装置の製造方法。
  2. カバー部材を準備する工程と、
    複数の受光部を主面に有する基板と、前記複数の受光部の各々に集光するためのレンズ形状を有する第1の凹凸部と、前記第1の凹凸部の周囲に配置され、塗布された接着剤が毛細管現象により浸透する力が前記第1の凹凸部以上である第2の凹凸部と、を有する撮像素子を準備する工程と、
    前記撮像素子の前記第1の凹凸部と前記第2の凹凸部との間の領域に接着剤を介して前記カバー部材を載置して、前記接着剤の一部を前記第2の凹凸部に浸透させてから前記接着剤を硬化させる、前記撮像素子と前記カバー部材とを固定する工程と、
    を有する固体撮像装置の製造方法。
  3. 前記撮像素子を準備する工程は、前記撮像素子の前記第1の凹凸部と前記第2の凹凸部との間の前記領域に平坦部が形成された撮像素子を準備する工程であることを特徴とする請求項1または2に記載の固体撮像装置の製造方法。
  4. 前記撮像素子を準備する工程は、前記第2の凹凸部の複数の凸部がレンズ形状またはストライプ状の撮像素子を準備する工程であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
  5. 前記撮像素子を準備する工程は、前記第1の凹凸部と前記基板との間にはカラーフィルタを有し、前記カバー部材が固定された前記領域にはカラーフィルタを有さない撮像素子を準備する工程であることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
  6. 前記撮像素子を準備する工程は、前記第1の凹凸部の周囲を囲む土手部が形成された撮像素子を準備する工程であることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
  7. 前記撮像素子を準備する工程は、前記第1の凹凸部の表面に撥水部が形成された撮像素子を準備する工程であることを特徴とする請求項1からのいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
  8. 前記固定する工程において、接着剤を前記カバー部材に塗布した後、前記撮像素子に前記接着剤を介して前記カバー部材を載置する請求項1からのいずれかに記載の固体撮像装置の製造方法。
JP2008324403A 2008-12-19 2008-12-19 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置 Active JP5511180B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008324403A JP5511180B2 (ja) 2008-12-19 2008-12-19 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
US12/640,156 US8241951B2 (en) 2008-12-19 2009-12-17 Method of manufacturing solid-state image pickup device and solid-state image pickup device
CN2009102624992A CN101834115B (zh) 2008-12-19 2009-12-18 制造固态图像拾取装置的方法和固态图像拾取装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008324403A JP5511180B2 (ja) 2008-12-19 2008-12-19 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013151653A Division JP2013225705A (ja) 2013-07-22 2013-07-22 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010147327A JP2010147327A (ja) 2010-07-01
JP5511180B2 true JP5511180B2 (ja) 2014-06-04

Family

ID=42264797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008324403A Active JP5511180B2 (ja) 2008-12-19 2008-12-19 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US8241951B2 (ja)
JP (1) JP5511180B2 (ja)
CN (1) CN101834115B (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5694670B2 (ja) * 2010-02-05 2015-04-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR101849223B1 (ko) * 2012-01-17 2018-04-17 삼성전자주식회사 반도체 패키지 및 그 제조 방법
TWI612649B (zh) * 2013-03-18 2018-01-21 Sony Corp 半導體裝置及電子機器
CN107078140B (zh) * 2014-11-04 2020-11-06 索尼公司 固态成像装置、相机模块、以及电子装置
JP2017208468A (ja) * 2016-05-19 2017-11-24 キヤノン株式会社 電子部品
JP6818468B2 (ja) * 2016-08-25 2021-01-20 キヤノン株式会社 光電変換装置及びカメラ
JP2018046145A (ja) * 2016-09-14 2018-03-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、及び固体撮像素子の製造方法
JPWO2022201726A1 (ja) * 2021-03-26 2022-09-29

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07202152A (ja) 1993-12-28 1995-08-04 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JP3881888B2 (ja) * 2001-12-27 2007-02-14 セイコーエプソン株式会社 光デバイスの製造方法
JP2004063782A (ja) * 2002-07-29 2004-02-26 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置およびその製造方法
JP2004134672A (ja) 2002-10-11 2004-04-30 Sony Corp 超薄型半導体装置の製造方法および製造装置、並びに超薄型の裏面照射型固体撮像装置の製造方法および製造装置
JP4710610B2 (ja) * 2003-08-22 2011-06-29 コニカミノルタオプト株式会社 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置
JP2005109092A (ja) * 2003-09-30 2005-04-21 Konica Minolta Opto Inc 固体撮像装置及び該固体撮像装置を備えた撮像装置
WO2006117725A1 (en) * 2005-04-29 2006-11-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device
US20080173792A1 (en) * 2007-01-23 2008-07-24 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Image sensor module and the method of the same
JP5024992B2 (ja) * 2007-02-02 2012-09-12 株式会社ジャパンディスプレイセントラル 表示装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP2010147327A (ja) 2010-07-01
CN101834115A (zh) 2010-09-15
US8241951B2 (en) 2012-08-14
CN101834115B (zh) 2012-06-20
US20100155869A1 (en) 2010-06-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5511180B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
JP5489543B2 (ja) 固体撮像装置
JP6859263B2 (ja) カメラモジュールおよび電子機器
JP5329903B2 (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法
JPH10284710A (ja) 固体撮像素子、その製造方法及び固体撮像装置
JP5818455B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP5098310B2 (ja) 固体撮像装置の製造方法
US7745834B2 (en) Semiconductor image sensor and method for fabricating the same
TW200541063A (en) Image pickup device and production method thereof
JP2008066702A (ja) 固体撮像素子及びカメラ
JP2010045463A (ja) 表示素子・電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
JP2005072364A (ja) 固体撮像素子及びその製造方法
WO2010001524A1 (ja) 固体撮像素子、その製造方法、及び固体撮像装置
JP2010045082A (ja) 表示素子・電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
JP2014187160A (ja) 固体撮像装置および携帯情報端末
JP6067262B2 (ja) 半導体装置およびその製造方法、ならびにカメラ
JP2012169528A (ja) 固体撮像装置及びその製造方法
JP5694670B2 (ja) 固体撮像装置およびその製造方法
JP5899862B2 (ja) カメラモジュール
CN105027286A (zh) 固态成像装置、其制造方法和电子设备
JP2011165774A (ja) 固体撮像装置の製造方法
JP2007150266A (ja) 固体撮像装置の製造方法、及び固体撮像装置
JP2013225705A (ja) 固体撮像装置の製造方法及び固体撮像装置
JP2007287819A (ja) 固体撮像素子およびその製造方法、電子情報機器
JP2009170585A (ja) 固体撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20100630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20111215

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130521

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130523

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130722

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131203

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20140203

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20140225

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20140325