JP3870188B2 - ストレインド・シリコンの領域をウェーハ内に形成する方法 - Google Patents
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Description
図1は、内部に埋込み酸化物(BOX)層20が形成された、出発材料としての従来のSOIウェーハ10を示す図である。BOX 20の厚さは10nm〜10,000nmが可能であり、好ましい範囲は50nm〜200nmである。
図17〜図20を参照すると、本発明の他の重要な実施形態は、既存の引張りストレインSi層があろうとなかろうと、Siウェーハ上の所定の位置に、圧縮ストレインドSiを形成することを考慮する。圧縮ストレインドSiは、ホールに高い移動度を提供するものと知られている。圧縮ストレインドSiは、天然のSiよりも面内格子定数が小さいSiのテンプレートを作成することによって達成できる。これは、pドープ領域に多孔質Siを形成することにより、本発明に従って達成可能である。好ましい実施形態では、CMOS回路を構築しやすいように、引張りおよび圧縮のストレインドSiアイランドは互いに隣接して形成される。
埋込み酸化物領域のセットおよびシリコン・デバイス領域のセットを含むシリコン・ウェーハを提供し、その第1のサブセットは前記埋込み酸化物領域のセットの上に堆積されるステップと、
Geを前記第1のサブセットに導入するステップと、
前記第1のサブセットとは別に、前記デバイス領域の第2のサブセット内に、シリコンの多孔質領域のセットを形成するステップと、
少なくとも前記デバイス領域上にストレインド・シリコンの層を形成し、それによって、前記第1のサブセット上に前記圧縮領域のセットを形成し、前記第2のサブセット上に前記引張り領域のセットを形成するステップとを含む方法。
(2)前記Geを導入するステップは、
前記ウェーハ上にSiGeの層を形成するステップと、
前記ウェーハを加熱することによって、前記SiGeからのGeを前記デバイス領域内に混合するステップによって実行される、請求項1に記載の方法。
(3)前記第2のサブセットは陽極エッチングによって形成される、請求項1に記載の方法。
(4)前記陽極エッチングのステップの前に、第2のサブセット内への選択されたイオン種の注入をさらに含む、請求項3に記載の方法。
(5)前記シリコン層は、前記第1のサブセットおよび介在する領域にまたがって均一に、ならびに前記多孔質シリコンを形成するステップおよび前記Geを導入するステップの前に形成される、請求項1に記載の方法。
(6)前記シリコン層は、前記第1のサブセットおよび介在する領域にまたがって均一に、ならびに前記多孔質シリコンを形成するステップおよび前記Geを混合するステップの前に形成される、請求項2に記載の方法。
(7)前記シリコン層は、前記第1のサブセットおよび介在する領域にまたがって均一に、ならびに前記多孔質シリコンを形成するステップおよび前記Geを導入するステップの前に形成される、請求項4に記載の方法。
(8)前記第2のサブセットは陽極エッチングによって形成される、請求項2に記載の方法。
(9)前記陽極エッチングのステップの前に、第2のサブセット内への選択されたイオン種の注入をさらに含む、請求項8に記載の方法。
(10)前記シリコン層は、前記第1のサブセットおよび介在する領域にまたがって均一に、ならびに前記多孔質シリコンを形成するステップおよび前記Geを混合するステップの前に形成される、請求項9に記載の方法。
(11)前記デバイス・セットのアイランドを画定するSTI部材のセットを形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
(12)前記Geを混合するステップの前に、前記STI部材を形成するステップが実行される、請求項11に記載の方法。
(13)前記デバイス・セットのアイランドを画定するSTI部材のセットを形成するステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
(14)前記Geを混合するステップの前に、前記STI部材を形成するステップが実行される、請求項13に記載の方法。
(15)圧縮応力を受けたシリコン層を含む圧縮領域のセットと、引張り応力を受けたシリコン層を含む引張り領域のセットとを備えた、ストレインド・シリコンの領域をウェーハ内に形成する方法であって、
均一な埋込み酸化物領域およびシリコン・デバイス領域のセットを含むシリコン・オン・インシュレータ・ウェーハを提供し、その第1のサブセットは前記埋込み酸化物領域のセットの上に堆積されるステップと、
Geを前記第1のサブセットに導入するステップと、
前記第1のサブセットとは別に、前記デバイス領域の第2のサブセット内に、シリコンの多孔質領域のセットを形成するステップと、
少なくとも前記デバイス領域上にSi層を形成し、それによって、前記第1のサブセット上に前記圧縮領域のセットを形成し、前記第2のサブセット上に前記引張り領域のセットを形成するステップとを含む方法。
(16)前記Geを導入するステップは、
前記ウェーハ上にSiGeの層を形成するステップと、
前記ウェーハを加熱することによって、前記SiGeからのGeを前記デバイス領域内に混合するステップによって実行される、請求項15に記載の方法。
(17)前記第2のサブセットは陽極エッチングによって形成される、請求項16に記載の方法。
(18)前記陽極エッチングのステップの前に、第2のサブセット内への選択されたイオン種の注入をさらに含む、請求項17に記載の方法。
(19)前記シリコン層を形成するステップは、前記デバイス領域上にエピタキシャル・シリコンの自己整列層を形成することを含む、請求項11に記載の方法。
(20)前記シリコン層を形成するステップは、前記デバイス領域上にエピタキシャル・シリコンの自己整列層を形成することを含む、請求項12に記載の方法。
20 BOX層
35 シリコン・アイランド
55 ストレインドSi
Claims (20)
- 圧縮応力を受けたシリコン層を含む圧縮領域のセットと、引張り応力を受けたシリコン層を含む引張り領域のセットとを備えた、ストレインド・シリコンの領域をウェーハ内に形成する方法であって、
埋込み酸化物領域のセットおよびシリコン・デバイス領域のセットを含むシリコン・ウェーハを提供し、その第1のサブセットは前記埋込み酸化物領域のセットの上に堆積されるステップと、
Geを前記第1のサブセットに導入するステップと、
前記第1のサブセットとは別に、前記デバイス領域の第2のサブセット内に、シリコンの多孔質領域のセットを形成するステップと、
少なくとも前記デバイス領域上にストレインド・シリコンの層を形成し、それによって、前記第1のサブセット上に前記引張り領域のセットを形成し、前記第2のサブセット上に前記圧縮領域のセットを形成するステップとを含む方法。 - 前記Geを導入するステップは、
前記ウェーハ上にSiGeの層を形成するステップと、
前記ウェーハを加熱することによって、前記SiGeからのGeを前記デバイス領域内に混合するステップによって実行される、請求項1に記載の方法。 - 前記第2のサブセットは陽極エッチングによって形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記陽極エッチングのステップの前に、第2のサブセット内への選択されたイオン種の注入をさらに含む、請求項3に記載の方法。
- 前記シリコン層は、前記第1のサブセットおよび介在する領域にまたがって均一に、ならびに前記多孔質シリコンを形成するステップおよび前記Geを導入するステップの前に形成される、請求項1に記載の方法。
- 前記シリコン層は、前記第1のサブセットおよび介在する領域にまたがって均一に、ならびに前記多孔質シリコンを形成するステップおよび前記Geを混合するステップの前に形成される、請求項2に記載の方法。
- 前記シリコン層は、前記第1のサブセットおよび介在する領域にまたがって均一に、ならびに前記多孔質シリコンを形成するステップおよび前記Geを導入するステップの前に形成される、請求項4に記載の方法。
- 前記第2のサブセットは陽極エッチングによって形成される、請求項2に記載の方法。
- 前記陽極エッチングのステップの前に、第2のサブセット内への選択されたイオン種の注入をさらに含む、請求項8に記載の方法。
- 前記シリコン層は、前記第1のサブセットおよび介在する領域にまたがって均一に、ならびに前記多孔質シリコンを形成するステップおよび前記Geを混合するステップの前に形成される、請求項9に記載の方法。
- 前記デバイス・セットのアイランドを画定するSTI部材のセットを形成するステップをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記Geを混合するステップの前に、前記STI部材を形成するステップが実行される、請求項11に記載の方法。
- 前記デバイス・セットのアイランドを画定するSTI部材のセットを形成するステップをさらに含む、請求項2に記載の方法。
- 前記Geを混合するステップの前に、前記STI部材を形成するステップが実行される、請求項13に記載の方法。
- 圧縮応力を受けたシリコン層を含む圧縮領域のセットと、引張り応力を受けたシリコン層を含む引張り領域のセットとを備えた、ストレインド・シリコンの領域をウェーハ内に形成する方法であって、
均一な埋込み酸化物領域およびシリコン・デバイス領域のセットを含むシリコン・オン・インシュレータ・ウェーハを提供し、その第1のサブセットは前記埋込み酸化物領域のセットの上に堆積されるステップと、
Geを前記第1のサブセットに導入するステップと、
前記第1のサブセットとは別に、前記デバイス領域の第2のサブセット内に、シリコンの多孔質領域のセットを形成するステップと、
少なくとも前記デバイス領域上にSi層を形成し、それによって、前記第1のサブセット上に前記引張り領域のセットを形成し、前記第2のサブセット上に前記圧縮領域のセットを形成するステップとを含む方法。 - 前記Geを導入するステップは、
前記ウェーハ上にSiGeの層を形成するステップと、
前記ウェーハを加熱することによって、前記SiGeからのGeを前記デバイス領域内に混合するステップによって実行される、請求項15に記載の方法。 - 前記第2のサブセットは陽極エッチングによって形成される、請求項16に記載の方法。
- 前記陽極エッチングのステップの前に、第2のサブセット内への選択されたイオン種の注入をさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記シリコン層を形成するステップは、前記デバイス領域上にエピタキシャル・シリコンの自己整列層を形成することを含む、請求項11に記載の方法。
- 前記シリコン層を形成するステップは、前記デバイス領域上にエピタキシャル・シリコンの自己整列層を形成することを含む、請求項12に記載の方法。
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