JP3856125B2 - 処理方法及び処理装置 - Google Patents
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Description
【発明が属する技術分野】
この発明は、処理方法及び処理装置に関するもので、更に詳細には、例えば液晶表示装置(LCD)ガラス基板や半導体ウエハ等の複数の被処理体を異なる処理条件で連続して処理する処理方法及び処理装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に、LCD製造においては、被処理体であるLCDガラス基板(以下にLCD基板という)に、半導体ウエハの製造プロセスと同様に、所定の膜を成膜した後、フォトレジスト液を塗布してレジスト膜を形成し、回路パターンに対応してレジスト膜を露光し、これを現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成している。
【0003】
上記フォトリソグラフィー技術では、被処理体であるLCD基板は、一般に、洗浄処理が施された後、脱水ベーク処理が施され、次いでアドヒージョン(疎水化)処理が施され、その後、冷却処理された後、LCD基板は、塗布装置に搬送されてレジスト塗布が行われる。レジスト塗布されたLCD基板は、次に、熱処理ユニットに搬送されて、熱処理(プリベーク処理)されて、レジスト中の水分が蒸発される。次に、LCD基板は、露光装置へ搬送されて露光処理された後、現像装置に搬送されて現像処理された後、熱処理装置に搬送されて、熱処理(ポストベーク処理)される、という一連の処理を経てレジスト層に所定の回路パターンを形成する。
【0004】
また、上記フォトリソグラフィー技術の処理工程において、LCD基板の表面に異なる種類のレジスト膜や絶縁膜等が塗布される場合があるため、塗布装置に異なる種類の処理液供給ノズルを配設して、目的に応じて所定の処理液供給ノズルから例えばレジスト膜用あるいは絶縁膜(平坦化膜)用等の処理液をLCD基板に供給して薄膜を形成している。
【0005】
この場合、処理液の種類や膜厚等の違いによって塗布後の熱処理の温度条件が異なるため、異なる温度条件の下で熱処理を行う必要がある。したがって、例えば、先に処理するロットのLCD基板の処理が終了した後、次に処理するロットのLCD基板の処理を行う場合、2台の熱処理装置を準備しておくか、あるいは、1台の熱処理装置の温度を切り換えてロット毎の処理を行う。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、2台の熱処理装置を準備することは、装置全体が大型になると共に、設備費が嵩むという問題があった。特に、近年、大型化の傾向にあるLCD基板の製造工程においては装置全体が著しく大型化する。これに対して、1台の熱処理装置を切り換えて使用する方法では、装置の小型化が図れるが、処理温度を切り換えて処理に供せる温度に設定するまで多くの時間を要し、処理能力が著しく低下するという問題があった。
【0007】
この発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、装置の小型化を維持することができると共に、異なる種類の処理条件においても複数の被処理体を連続して処理できるようにした処理方法及び処理装置を提供することを目的とする。
【0008】
【課題を解決する手段】
上記課題を解決するために、この発明の処理方法は、異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理方法であって、 複数の被処理体を処理する複数の処理ユニットを具備する第1の処理部での該処理の条件を第1の処理条件に設定する工程と、 記第1の処理条件に設定する工程の後、上記被処理体のうち第1の被処理体を上記第1の処理部で上記第1の処理条件で処理する工程と、 上記被処理体を処理する少なくとも1つの第2の処理部での該処理の条件を上記第1の処理条件とは異なる第2の処理条件に設定する工程と、 上記第2の処理条件に設定する工程の後、上記被処理体のうち第2の被処理体を上記第2の処理部で上記第2の処理条件で処理する工程と、 上記第1の処理条件で処理する工程の後であって、かつ上記第2の処理条件で処理する工程の途中で、上記第1の処理部の処理ユニットでの処理の条件を上記第2の処理条件に変更し設定する工程と、 上記第2の処理条件に変更し設定する工程の後、上記被処理体のうち第3の被処理体を上記第1の処理部の処理ユニットで上記第2の処理条件で順次処理する工程と、を有することを特徴とする(請求項1)。
【0009】
この発明において、上記第2の処理条件に設定する工程は、上記第1の処理条件で処理する工程の途中で行うこともできる(請求項2)。
【0010】
また、上記第1の処理条件で処理する工程は、上記第1の被処理体を第1のロットに含まれる被処理体として処理する工程を有し、 上記第2の処理条件で処理する工程及び変更設定された第2の処理条件で処理する工程は、上記第2及び第3以降の被処理体を、第1のロットの次に処理される第2のロットに含まれる被処理体としてそれぞれ処理する工程を有する(請求項3)。
【0011】
また、上記第1の処理条件に設定する工程の前に、上記第2の処理条件に設定する工程の後から上記第2の処理条件で処理する工程を開始するまでに要する時間を記憶する工程と、 遅くとも上記第2の処理条件に変更し設定する工程を行う前に上記第2の処理条件で処理する工程を開始できるように、記憶された上記時間に基づき上記第2の処理条件に設定する工程を有するようにしてもよい(請求項4)。
【0012】
また、上記第1の処理条件に設定する工程は、上記第1の処理条件として第1の温度条件を設定する工程を有すると共に、上記第1の処理条件で処理する工程は、上記第1の温度条件で被処理体を熱処理する工程を有し、 上記第2の処理条件に設定する工程及び第2の処理条件に変更設定する工程は、上記第2の処理条件として第2の温度条件を設定する工程を有すると共に、上記第2の処理条件で処理する工程は、上記第2の温度条件で上記被処理体を熱処理する工程を有するようにしてもよい(請求項5)。
【0013】
また、この発明の処理方法は、異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理方法であって、 先に処理される被処理体の処理条件に設定される複数の処理ユニットを具備する第1の処理部と、次に処理される被処理体の処理条件に設定される少なくとも1つの第2の処理部とを用意すると共に、第1の処理部及び第2の処理部の処理条件を変更可能にし、 先に処理される上記被処理体を上記第1の処理部に搬送して処理している間、上記第2の処理部を、次に処理される上記被処理体の処理条件に設定して待機させ、 上記第1の処理部での処理が終了した後、次に処理される上記被処理体を上記第2の処理部に搬送して処理し、 上記第2の処理部での処理の間、上記第1の処理部の処理ユニットを、順次上記第2の処理部と同様の処理条件に変更し、処理条件の変更された第1の処理部の処理ユニットに順次、次に処理される上記被処理体を搬送して、処理を施し、 上記第2の処理部での処理が終了した後、第2の処理部を、更に次に処理される上記被処理体の処理条件に変更して待機させ、 以下同様に、上記第1の処理部と第2の処理部の処理条件を、次に処理される上記被処理体の処理条件に順次変更して、複数の被処理体の処理を連続して行うことを特徴とする(請求項6)。
【0014】
この発明において、上記第1の処理部及び第2の処理部を、例えば、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理部とすることができる(請求項7)。
【0015】
また、この発明の処理装置は、請求項1〜7記載の処理方法を具現化するもので、請求項8記載の処理装置は、 異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理装置であって、 少なくとも第1の処理条件及び該第一の処理条件とは異なる第2の処理条件で複数の被処理体を処理可能な複数の処理ユニットを具備する第1の処理部と、 少なくとも上記第2の処理条件で上記被処理体を処理可能な少なくとも1つの第2の処理部と、 上記被処理体のうち第2の被処理体を上記第2の処理部で処理している途中であって上記第1の処理部で上記第1の処理条件で上記被処理体のうち第1の被処理体の処理が終了した後、上記第1の処理部の処理ユニットの処理条件を順次上記第2の処理条件に設定変更し、該第1の処理部で上記第2の処理条件で上記被処理体のうち第3以降の被処理体を処理させるように制御する制御手段とを具備することを特徴とする。
【0016】
この発明において、上記第1の被処理体は第1のロットに含まれ、上記第2及び第3の被処理体は上記第1のロットの次に処理される第2のロットに含まれる(請求項9)。
【0017】
また、上記第1の処理部は、上記第1及び第2の処理条件をそれぞれ第1、第2の温度条件として上記被処理体に対し熱処理する第1の熱処理装置を具備し、 上記第2の処理部は、上記第2の処理条件を上記第2の温度条件として上記被処理体に対し熱処理する第2の熱処理装置を具備することができる(請求項10)。この場合、上記第1の熱処理装置と上記第2熱処理装置とが上下方向に配置され、 少なくとも上記第1の熱処理装置と上記第2の熱処理装置との間で被処理体を搬送する搬送装置を更に具備し、 上記制御手段は、上記第1又は第2のうち下側に配置された熱処理装置から上記被処理体を順次搬送していくように制御可能に形成する方が好ましい(請求項11)。
【0018】
また、請求項12記載の処理装置は、異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理装置であって、 被処理体の搬入・搬出部と、 それぞれ上記被処理体の異なる処理条件に設定可能な複数の処理ユニットを具備する第1の処理部及び少なくとも1つの第2の処理部とからなる処理部と、 上記搬入・搬出部と処理部との間で上記被処理体を受け渡して搬送する搬送手段と、 先に処理される上記被処理体が上記第1の処理部にて処理されている間、上記第2の処理部を次に処理される被処理体の処理条件に設定し、第1の処理部の処理ユニットでの被処理体の処理が終了した後、被処理体を第2の処理部に搬送する指令を上記搬送手段に送ると共に、第1の処理部の処理ユニットの処理条件を次に処理される被処理体の処理条件に順次変更設定する制御手段と、を具備することを特徴とする。
【0019】
また、上記第1の処理部及び第2の処理部を、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理装置にて形成することができる(請求項13)。この場合、上記第1及び第2の処理部は、被処理体を載置する載置台と、上記載置台を加熱する加熱手段と、上記載置台を冷却する冷却手段と、上記載置台の温度を検出する温度検出手段と、上記温度検出手段からの検出信号、あるいは、予め設定された被処理体の処理開始又は処理終了の信号に基づいて上記加熱手段又は冷却手段を制御する制御手段と、を具備する方が好ましい(請求項14)。
【0020】
請求項1〜4,6,8,9,12記載の発明によれば、先に処理される被処理体を第1の処理部に搬送して処理している間、第2の処理部を、次に処理される被処理体の処理条件に設定して待機させ、第1の処理部での処理が終了した後、次に処理される被処理体を第2の処理部に搬送して処理することができる。また、第2の処理部での処理の間、第1の処理部の処理ユニットを、第2の処理部と同様の処理条件に順次変更し、処理条件の変更された第1の処理部の処理ユニットに次に処理される被処理体を搬送して、処理を施すことができる。更に、第2の処理部での処理が終了した後、第2の処理部を、更に次に処理される被処理体の処理条件に変更して待機させ、以下同様に、第1の処理部と第2の処理部の処理条件を、次に処理される被処理体の処理条件に順次変更して、複数の被処理体の処理を連続して行うことができる。したがって、異なる処理条件の複数の被処理体を連続して処理することができる。よって、第2の処理部が少なくとも1つ存在するのみで、異なる処理条件の複数の被処理体を連続して処理することができる。
【0021】
また、第1の処理部を複数の処理ユニットにて形成し、各処理ユニットを順次、次に処理される被処理体の処理条件に変更させると共に、変更された処理ユニットに順次、次に処理される被処理体を搬送して処理を行うことができるので、実際に処理される被処理体の複数を同時に処理することができ、処理効率の向上を図ることができる。
【0022】
請求項5,7,10,11,13,14記載の発明によれば、第1の処理部及び第2の処理部を、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理部とすることで、異なる熱処理条件の複数の被処理体を連続して熱処理することができる。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下に、この発明の実施の形態を添付図面を参照して詳細に説明する。
【0024】
図1は、この発明に係る処理装置を組み込んだLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理システムを示す斜視図、図2は、レジスト塗布現像処理システムの概略平面図である。
【0025】
上記レジスト塗布現像処理システム100は、被処理体である複数のLCDガラス基板G(以下に基板Gという)を収容するカセットCを載置するカセットステーション1(搬入・搬出部)と、基板Gにレジスト塗布及び現像を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション2(処理部)と、露光装置4との間で基板Gの受け渡しを行うためのインターフェイスステーション3(インターフェイス部)とを備えており、処理ステーション2の両端にそれぞれカセットステーション1及びインターフェイスステーション3が配置されている。なお、図1及び図2において、レジスト塗布現像処理システム100の長手方向をX方向、水平面上においてX方向と直交する方向をY方向とし、垂直面上においてX,Y方向と直交する方向をZ方向とする。
【0026】
カセットステーション1は、カセットCと処理ステーション2との間でLCD基板Gの搬入・搬出を行うための搬送装置11を備えており、このカセットステーション1において外部に対するカセットCの搬入・搬出が行われる。また、搬送装置11は搬送アーム11aを有し、カセットCの配設方向であるY方向に沿って設けられた搬送路10上を移動可能であり、搬送アーム11aによってカセットCと処理ステーション2との間で基板Gの搬入・搬出が行われるようになっている。
【0027】
処理ステーション2は、基本的にX方向に伸びる基板G搬送用の平行な2列の搬送ラインA、Bを有しており、搬送ラインAに沿ってカセットステーション1側からインターフェイスステーション3に向けてスクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)、第1の熱的処理ユニットセクション26、レジスト処理ユニット23及び第2の熱的処理ユニットセクション27が配列されている。また、搬送ラインBに沿ってインターフェイスステーション3側からカセットステーション1に向けて第2の熱的処理ユニットセクション27、現像処理ユニット24(DEV)、i線UV照射ユニット25(i−UV)及び第3の熱的処理ユニット28が配列されている。スクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)の上の一部にはエキシマUV照射ユニット22(e−UV)が設けられている。なお、エキシマUV照射ユニット22(e−UV)はスクラバ洗浄に先立って基板Gの有機物を除去するために設けられ、i線UV照射ユニット25(i−UV)は現像の脱色処理を行うために設けられる。
【0028】
上記スクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)は、その中で基板Gが従来のように回転されることなく、略水平に搬送されつつ洗浄処理及び乾燥処理を行うようになっている。上記現像処理ユニット24(DEV)も、その中で基板Gが回転されることなく、略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液洗浄、及び乾燥処理を行うようになっている。なお、これらスクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)及び現像処理ユニット24(DEV)では、基板Gの搬送は例えばコロ搬送またはベルト搬送により行われ、基板Gの搬入口及び搬出口は相対向する短辺に設けられている。また、i線UV照射ユニット25(i−UV)への基板Gの搬送は、現像処理ユニット24(DEV)の搬送機構と同様の機構により連続して行われる。
【0029】
レジスト処理ユニット23は、図3のその内部の平面図に示すように、カップ50内で基板Gをスピンチャック51により回転させつつ図示しないノズルからレジスト液を滴下させて塗布するレジスト塗布処理装置23a(CT)、基板G上に形成されたレジスト膜を減圧容器52内で減圧乾燥する減圧乾燥装置23b(VD)、及びステージ54に載置された基板Gの四辺をスキャン可能な溶剤吐出ヘッド53により基板Gの周縁に付着した余分なレジストを除去する周縁レジスト除去装置23c(ER)がその順に配置されている。
【0030】
このように構成されるレジスト処理ユニット23において、ガイドレール55にガイドされて移動する一対の専用アーム56により基板Gがこれらの間を略水平に搬送される。このレジスト処理ユニット23は、相対向する短辺に基板Gの搬入口57及び搬出口58が設けられており、ガイドレール55はこれら搬入口57及び搬出口58から外側に延びてサブアーム56により基板Gの受け渡しが可能となっている。
【0031】
第1の熱的処理ユニットセクション26は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック31,32(TB)を有しており、熱的処理ユニットブロック31(TB)はスクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)側に設けられ、熱的処理ユニットブロック32(TB)はレジスト処理ユニット23側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック31,32(TB)の間に第1の搬送装置33(搬送手段)が設けられている。熱的処理ユニットブロック31(TB)は、図4の側面図に示すように、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット61(PASS)、基板Gに対して脱水ベーク処理を行う2つの脱水ベークユニット62,63(DHP)、基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット64(AD)の4段積層されて構成されている。
【0032】
また、熱的処理ユニットブロック32(TB)は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット65(PASS)、基板Gを冷却する2つのクーリングユニット66,67(COL)、基板Gに対して疎水化処理を施すアドヒージョン処理ユニット68(AD)の4段積層されて構成されている。
【0033】
第1の搬送装置33は、パスユニット61(PASS)を介してのスクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)からの基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Gの搬入・搬出、及びパスユニット65(PASS)を介してのレジスト処理ユニット23への基板Gの受け渡しを行うように構成されている。
【0034】
この場合、第1の搬送装置33は、上下に延びるガイドレール91と、ガイドレールに沿って昇降する昇降台92と、昇降台92上に水平のθ方向に旋回可能に設けられたベース台93と、ベース台93上を前進後退可能に設けられ、基板Gを保持する基板保持アーム94とを具備している。そして、昇降台92の昇降は、モータ95の駆動によって作動する図示しない昇降機構例えばボールねじ機構あるいはシリンダ機構等によって行われ、ベース台93の旋回はモータ96によって行われ、基板保持アーム94の前後動はモータ97によって駆動する移動機構(図示せず)によって行われる。第1の搬送装置33はこのように上下動、前後動、旋回動可能に設けられているので、熱的処理ユニットブロック31,32(TB)のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【0035】
一方、第2の熱的処理ユニットセクション27は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された、この発明に係る処理方法(装置)を適用した2つの熱的処理ユニットブロック34,35(TB)を有しており、熱的処理ユニットブロック34(TB)はレジスト処理ユニット23側に設けられ、熱的処理ユニットブロック35(TB)は現像処理ユニット24(DEV)側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック34,35(TB)の間に、搬送手段である第2の搬送装置36が設けられている。
【0036】
この場合、熱的処理ユニットブロック34(TB)は、図5の側面図に示すように、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット69(PASS)、基板Gに対してプリベーク処理を行う3つの熱処理ユニットであるプリベークユニット70c(HP3),70b(HP2),70a(HP1)と、1つの補助熱処理ユニットである補助プリベークユニット70s(HPS)の5段積層されて構成されている。ここで、熱的処理ユニット34(TB)に、3つのプリベークユニット70a,70b,70c(HP1,HP2,HP3)と、1つの補助プリベークユニット70s(HPS)を積層して設けた理由は、先に熱処理されるロットの基板Gをプリベークユニット70a,70b,70c(HP1,HP2,HP3)(以下に第1,第2,第3のプリベークユニット70a,70b,70cという)で熱処理している間、補助プリベークユニット70s(HPS)を次に熱処理されるロットの基板Gの熱処理温度に設定して待機させておき、先に熱処理されるロットの基板Gの熱処理が終了した後、次に処理されるロットの基板Gを補助プリベークユニット70s(HPS)で熱処理できるようにしたためである。
【0037】
また、熱的処理ユニットブロック35(TB)は、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット71(PASS)、基板Gを冷却するクーリングユニット72(COL)、基板Gに対してプリベーク処理を行う2つのプリベークユニット70e,70d(HP5,HP4)の4段積層されて構成されている。
【0038】
第2の搬送装置36は、パスユニット69(PASS)を介してのレジスト処理ユニット23からの基板Gの受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Gの搬入・搬出、パスユニット71(PASS)を介しての現像処理ユニット24(DEV)への基板Gの受け渡し、及び後述するインターフェイスステーション3の基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ44(EXT・COL)に対する基板Gの受け渡し及び受け取りを行うように構成されている。なお、第2の搬送装置36は、第1の搬送装置33と同じ構造を有しているので、同一部分には同一符号を付して説明は省略する。この第2の搬送装置36は、熱的処理ユニットブロック34,35のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【0039】
上記のように構成される第2の熱的処理ユニットセクション27において、プリベークユニット70a〜70eと、補助プリベークユニット70sには、同様の構造を有する熱処理装置が配設されている。以下に、プリベークユニット70aを代表して、熱処理装置について詳細に説明する。
【0040】
上記熱処理装置80は、図7に示すように、第2の搬送装置36によって搬送される基板Gを載置する載置台であるプレートPと、このプレートPの下部及び周囲を包囲する下部容器81aと、プレートPの周囲及び上部を包囲する蓋体81bとからなる処理容器81とを具備している。
【0041】
この場合、処理容器81は、方形状の蓋体81b及び下部容器81aからなる例えば略方形筒形状に形成されており、蓋体81bが下部容器81aの側壁の内側に入り込んで内部に密閉された空間を形成するように構成されている。蓋体81bは、側部が支持アーム82により支持されて図示しない昇降機構により昇降自在に構成されている。
【0042】
蓋体81bの中央には、排気管83に接続された排気口81cが設けられており、この排気口81cの周囲には複数のガス供給孔81dが例えば蓋体81bの周辺方向に形成されている。また蓋体81bの頂部は、内側から見ると、外側から中心部に向かって次第に高くなるように緩やかに傾斜しており、この傾斜部81eの外縁部には複数のガス供給孔81dが蓋体81bの周辺方向に形成されている。また、蓋体81bの頂部には、窒素ガスやアルゴンガスなどの不活性ガスをパージガスとして供給するためのガス供給管84が接続されている。
【0043】
下部容器81aは内側に向かって突出する段部81fが形成されており、この段部81fの上には、例えばアルミニウムやセラミックスよりなる例えば方形板状のプレートPが、当該プレートPの周縁領域を段部81fにより保持されるように設けられている。
【0044】
このようなプレートPの表面には、基板GをプレートPから例えば0.1〜0.5mm浮上させた状態で保持するための、例えばセラミックスよりなる複数例えば3個のプロキシミティピン85が突設されている。このように基板GをプレートPから僅かに浮上させた状態で保持するのは、基板裏面のパーティクル汚染を防止するためである。また、プレートPの裏面には、例えばニクロム線や焼結金属よりなる加熱手段をなすヒータHが設けられており、このヒータHによる加熱によってプレートPが所定の温度に加熱されるようになっている。
【0045】
上記のように構成される処理容器81の内部は、蓋体81bを閉じたときに、プレートPの上下に2つの区画された空間が形成され、つまりプレートPと蓋体81bとで囲まれた領域は加熱処理室S1、プレートPと下部容器81aとで囲まれた領域は冷却室S2となっている。
【0046】
冷却室S2内には、プレートPの裏面側に、例えば空気や窒素ガスなどの冷却ガスを吹き付けるための複数のノズル部86aが設けられており、各ノズル部86aには、下部容器81aの外側に設けられたマニホールドMで分岐された冷却ガス流路をなす冷却ガス供給管86bの分岐端側が接続されている。また、マニホルドMは、冷却ガス供給主管86cを介して冷却ガス供給源87に接続されている。この場合、冷却ガス供給主管86cには、冷却ガス供給源87側から順に、流量調整可能な第1の開閉弁V1、冷却モジュールをなすペルチェ素子を具備する冷却装置88及び流量調整可能な第2の開閉弁V2が介設されている。そして、上記ノズル部86a、冷却装置88及び冷却ガス供給源87等によって冷却手段が構成されている。
【0047】
また、下部容器81aには、第2の搬送装置36によって搬送される基板Gをプロキシミティピン85上に受け渡す際に、基板Gを昇降させるための、複数例えば3本の昇降ピン89aが冷却室S2及びプレートPを貫通するように設けられており、これら昇降ピン89aは処理容器81の外側に設けられた昇降機構89bにより昇降可能に構成されている。また、下部容器81aには、昇降ピン89aをヒータHの配線などに妨げられることなく昇降させるためのガイド部材89cが設けられており、側壁の適宜位置には複数の冷却ガスの排気口81gが設けられている。
【0048】
上記加熱処理室S1には、ガス供給管84により、ガス供給孔81dを介して供給された不活性ガスよりなるパージガスにより図中点線で示す熱雰囲気の気流が発生するようになっている。また、冷却室S2内では、冷却ガス供給管86bによりノズル部86aを介してプレートPの裏面側に冷却ガスが吹き付けられて、プレートPが所定温度に冷却され、当該プレートPの温度調整が行われるようになっている。
【0049】
また、上記プレートPには、温度検出手段である例えば熱電対からなる温度センサTSが埋設されており、この温度センサTSによって検出された温度検出信号が制御手段例えば中央演算処理装置200(以下にCPU200という)に伝達され、CPU200からの制御信号が、ヒータHと第1及び第2の開閉弁V1,V2に伝達されるようになっている。また、CPU200は、上記カセットステーション1(搬入・搬出部)に配設されてカセットC内の基板Gの有無を検出するセンサ(図示せず)からの検出信号を受けて処理される基板Gのロット単位の開始及び終了の情報が入力され、記憶されており、CPU200からの制御信号に基づいて第2の搬送装置36が駆動制御されるようになっている。
【0050】
したがって、温度センサTSによって検出された温度検出信号と、カセットステーション1(搬入・搬出部)側のセンサからの信号に基づいてCPU200からの制御信号によって、ヒータHと第1及び第2の開閉弁V1,V2と第2の搬送装置36を制御することにより、プレートPの温度を、先に熱処理されるロットの基板Gの処理温度と、次に熱処理されるロットの基板Gの処理温度とに切換設定することができ、基板Gを所定の熱処理ユニットすなわち第1〜第3のプリベークユニット70a〜70cか、補助熱処理ユニットすなわち補助プリベークユニット70sに搬送して熱処理することができる。
【0051】
上記のように構成される熱処理装置80を、プリベークユニット70a〜70cと、補助プリベークユニット70sに配設することによって、異なる種類の熱処理が施されるロット毎の基板Gを連続して熱処理することができる。例えば、先に熱処理されるロットの基板Gの熱処理温度条件が、レジスト膜形成のプリベーク温度に最適な温度例えば100℃で、次に熱処理されるロットの基板Gの熱処理温度条件が、絶縁膜(平坦化膜)形成のプリベーク温度に最適な温度例えば80℃である場合、以下に示すような処理方法によって連続処理することができる。
【0052】
なお、上記実施形態では、熱処理装置80の加熱手段にヒータHを用い、冷却手段に冷却ガスを用いる場合について説明したが、必ずしもこのような構造に限定されるものではない。例えば、プレートPに設けられた流通路内に高温度の熱媒体を流通する加熱手段、同じくプレートPに設けられた流通路内に低温度の熱媒体を流通する冷却手段としてもよい。
【0053】
次に、上記処理方法について、図8を参照して説明する。まず、第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)のプレートPを、先に処理されるロットの基板Gの熱処理温度例えば100℃に設定し、補助プリベークユニット70s(HPS)のプレートPを、次に熱処理されるロットの基板Gの熱処理温度例えば80℃に設定する(図8(a)参照)。この状態で、第2の搬送装置36が基板Gを順次上方側から第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)のプレートP上に搬送(搬入)し、プレートPに受け渡して、基板Gの熱処理が行われる。熱処理が終了した基板Gは、再び第2の搬送装置36によって第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)から取り出されて、次の処理部に搬送される。
【0054】
このようにして、第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)での熱処理が行われて行き、ロットの最後の基板Gが第3のプリベークユニット70c(HP3)に搬入されて熱処理され、次に処理されるロットの最初の基板Gは、補助プリベークユニット70s(HPS)に搬入されて、80℃の温度で熱処理される(図8(b)参照)。この間、先に処理されるロットの最後から3番目の基板Gが第2の搬送装置36によって第1のプリベークユニット70a(HP1)から取り出される、つまり第1のプリベークユニット70aで先に処理される最後の基板Gが取り出されると、CPU200からの制御信号に基づいて、ヒータHの加熱温度が低温側に制御されると共に、第1及び第2の開閉弁V1,V2が開放して冷却ガスがプレートPに供給されて、第1のプリベークユニット70aのプレートPの温度が100℃から80℃に切り換えられる(図8(b)参照)。この状態で、次に処理されるロットの第2番目の基板Gが、第2の搬送装置36によって第1のプリベークユニット70a(HP1)に搬入されて、80℃の温度で熱処理される。
【0055】
次に、先に処理されるロットの最後から第2番目の基板Gが第2のプリベークユニット70b(HP2)から取り出されると、上述と同様に、第2のプリベークユニット70b(HP2)のプレートPの温度が100℃から80℃に切り換えられる(図8(c)参照)。この状態で、次に処理されるロットの第3番目の基板Gが、第2の搬送装置36によって第2のプリベークユニット70b(HP2)に搬入されて、80℃の温度で熱処理される。
【0056】
次に、先に処理されるロットの最後の基板Gが第3のプリベークユニット70c(HP3)から取り出されると、上述と同様に、第3のプリベークユニット70c(HP3)のプレートPの温度が100℃から80℃に切り換えられる(図8(d)参照)。この状態で、次に処理されるロットの第4番目の基板Gが、第2の搬送装置36によって第3のプリベークユニット70c(HP3)に搬入されて、80℃の温度で熱処理される。この状態では、第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)の全てにおいて次に処理されるロットの第2番目〜第4番目の基板Gが80℃の温度で熱処理され、第5番目以降の基板Gは、順次、第1〜第3プリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)に搬入されて熱処理される。この間、補助プリベークユニット70s(HPS)は、次に処理されるロットの最初の基板Gが、第2の搬送装置36によって取り出された後、CPU200からの制御信号に基づいて、ヒータHの加熱温度が高温側に制御されると共に、第1及び第2の開閉弁V1,V2が閉止して冷却ガスの供給が停止されて、プレートPの温度が例えば80℃から100℃に切り換えられて、更に次に処理されるロットの基板Gの処理に備える(図8(e),(f)参照)。
【0057】
上記のようにして、先に処理されるロットの基板Gを第1の処理部である第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)に搬送して熱処理している間、第2の処理部である補助プリベークユニット70s(HPS)を、次に処理されるロットの基板Gの処理条件(80℃)に設定して待機させ、第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)(第1の処理部)での処理が終了した後、次に処理されるロットの基板Gを補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)に搬送して処理することができる。また、補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)での処理の間、プリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)(第1の処理部)を、補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)と同様の処理条件(80℃)に変更し、処理条件の変更された第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)(第1の処理部)に次に処理されるロットの基板Gを搬送して、処理を施すことができる。更に、補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)での処理が終了した後、補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)を、更に次に処理されるロットの基板Gの処理条件(例えば100℃)に変更して待機させ、以下同様に、第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)(第1の処理部)と補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)の処理条件を、次に処理されるロットの基板Gの処理条件に変更して、複数の基板Gの熱処理を連続して行うことができる。したがって、異なる処理条件の複数のロットの基板Gを連続して処理することができる。よって、補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)が1つ存在するのみで、異なる処理条件の複数のロットの基板Gを連続して熱処理することができる。
【0058】
なお、上記説明では、第1〜第3のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)(第1の処理部)の温度設定と同時に、予め補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)の温度設定を行う場合について説明したが、補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)の温度設定は、先に処理されるロットの基板Gがプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)(第1の処理部)で熱処理されている間に行うようにしてもよい。
【0059】
なお、この場合、ある温度からある温度まで温度を変化させるのに必要な時間をまとめたテーブルを予め作成して記憶しておき、補助プリベークユニット70sの温度設定のタイミングについて温度設定に必要な時間をテーブルより引き出して行うことができる。このとき、先に処理されるロットの最後の基板処理終了時間はCPU200により算出できるので、この算出時間より温度設定に必要な時間より前に切り換えれば問題なく、この範囲内で補助プリベークユニット70sの切換えタイミングをなるべく遅くすることにより、プリベークユニット70a〜70cと同様に補助プリベークユニット70sも温度切換えのタイミングまで先に処理されるロットの処理に使用することも可能である。
【0060】
また、上記実施形態では、補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)が1つである場合について説明したが、補助プリベークユニット70s(HPS)(第2の処理部)は少なくとも1つであれば、複数例えば2つであってもよい。
【0061】
なお、例えばプリベークユニット70a〜70cの温度を先に処理する温度から次に処理する温度に切り換えるのに時間がかかる際には、温度の切換えが終了するまで補助プリベークユニット70sのみで加熱処理を行い、プリベークユニット70a〜70cの温度の切換えが終了したら、順次プリベークユニット70a〜70cで加熱処理を行ってもよいのはいうまでもなく、スループットが低下しても連続して処理をすることが可能である。
【0062】
上記第3の熱的処理ユニットセクション28は、基板Gに熱的処理を施す熱的処理ユニットが積層して構成された2つの熱的処理ユニットブロック37,38(TB)を有しており、熱的処理ユニットブロック37(TB)は現像処理ユニット24(DEV)側に設けられ、熱的処理ユニットブロック38(TB)はカセットステーション1側に設けられている。そして、これら2つの熱的処理ユニットブロック37,38(TB)の間に、搬送手段である第3の搬送装置39が設けられている。熱的処理ユニットブロック37(TB)は、図6の側面図に示すように、下から順に基板Gの受け渡しを行うパスユニット73(PASS)、基板Gに対してポストベーク処理を行う3つのポストベークユニット70h,70g,70f(HP8,HP7,HP6)の4段積層されて構成されている。また、熱的処理ユニットブロック38(TB)は、下から順にポストベークユニット70i(HP9)、基板Gの受け渡し及び冷却を行うパス・クーリングユニット74(PASS・COL)、基板Gに対してポストベーク処理を行う2つのポストベークユニット70j,70k(HP10,HP11)と、1つの補助ポストベークユニット70s(HPS)の5段積層されて構成されている。
【0063】
第3の搬送装置39は、パスユニット73(PASS)を介してのi線UV照射ユニット25(i−UV)からの基板Gを受け取り、上記熱的処理ユニット間の基板Gの搬入・搬出、パス・クーリングユニット74(PASS・COL)を介してのカセットステーション1への基板Gの受け渡しを行う。なお、第3の搬送装置39も第1の搬送装置33と同じ構造を有しており、熱的処理ユニットブロック37,38(TB)のいずれのユニットにもアクセス可能である。
【0064】
このように構成することにより、第3の熱的処理ユニットセクション28においても、上記第2の熱的処理ユニットセクション27と同様に、異なる処理条件(温度条件)の複数のロットの基板Gを連続して熱処理することができる。
【0065】
なお、上記スクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)及びエキシマUV照射ユニット22(e−UV)への基板Gの搬入は、カセットステーション1の搬送装置11によって行われる。また、スクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)の基板Gは上述したように例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック31(TB)のパスユニット61(PASS)に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Gが第1の搬送装置33により搬送される。また、レジスト処理ユニット23への基板Gの搬入は、第1の搬送装置33により基板Gがパスユニット65(PASS)に受け渡された後、一対のサブアーム56により搬入口57から行われる。レジスト処理ユニット23では、サブアーム56により基板Gが搬出口58を通って熱的処理ユニットブロック34(TB)のパスユニット69(PASS)まで搬送され、そこで突出されたピン(図示せず)上に基板Gが搬出される。現像処理ユニット24(DEV)への基板Gの搬入は、熱的処理ユニットブロック35(TB)のパスユニット(PASS)73において図示しないピンを突出させて基板を上昇させた状態から下降させることにより、パスユニット(PASS)73まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより行われる。i線UV照射ユニット25(i−UV)の基板Gは例えばコロ搬送により熱的処理ユニットブロック37(TB)のパスユニット73(PASS)に搬出され、そこで図示しないピンが突出されることにより持ち上げられた基板Gが第3の搬送装置39により搬送される。更に全ての処理が終了した後の基板Gは、熱的処理ユニットブロック38(TB)のパス・クーリングユニット74(PASS・COL)に搬送されてカセットステーションの搬送装置11により搬出される。
【0066】
処理ユニットステーション2では、以上のように2列の搬送ラインA,Bを構成するように、かつ基本的に処理の順になるように各処理ユニット及び搬送装置が配置されており、これら搬送ラインA,Bの間には、空間部40が設けられている。そして、この空間部40を往復動可能にシャトル(基板載置部材)41が設けられている。このシャトル41は基板Gを保持可能に構成されており、搬送ラインA,Bとの間で基板Gが受け渡し可能となっている。
【0067】
インターフェイスステーション3は、処理ステーション2と露光装置4との間での間で基板Gの搬入・搬出を行う搬送装置42と、バッファーカセットを配置するバッファーステージ(BUF)43と、冷却機能を備えた基板受け渡し部であるエクステンション・クーリングステージ44(EXT・COL)とを有しており、タイトラ(TITLER)と周辺露光装置(EE)とが上下に積層された外部装置ブロック45が搬送装置42に隣接して設けられている。搬送装置42は搬送アーム42aを備え、この搬送アーム42aにより処理ステーション2と露光装置4との間で基板Gの搬入・搬出が行われる。
【0068】
このように構成されたレジスト塗布現像処理システム100においては、まず、カセットステーション1に配置されたカセットC内の基板Gが、搬送装置11により処理ステーション2のエキシマUV照射ユニット22(e−UV)に直接搬入され、スクラブ前処理が行われる。次いで、搬送機構11により、基板GがエキシマUV照射ユニット22(e−UV)の下に配置されたスクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)に搬入され、スクラブ洗浄される。このスクラブ洗浄では、基板Gが従来のように回転されることなく略水平に搬送されつつ、洗浄処理及び乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプのスクラバ洗浄処理ユニットを2台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。スクラブ洗浄処理後、基板Gは例えばコロ搬送により第1の熱的処理ユニットセクション26に属する熱的処理ユニットブロック31(TB)のパスユニット61(PASS)に搬出される。
【0069】
パスユニット61(PASS)に配置された基板Gは、図示しないピンが突出されることにより持ち上げられ、第1の熱的処理ユニットセクション26に搬送されて以下の一連の処理が行われる。すなわち、まず最初に、熱的処理ユニットブロック31(TB)の脱水ベークユニット62,63(DHP)のいずれかに搬送されて加熱処理され、次いで熱的処理ユニットブロック32(TB)のクーリングユニット66,67(COL)のいずれかに搬送されて冷却された後、レジストの定着性を高めるために熱的処理ユニットブロック31(TB)のアドヒージョン処理ユニット(AD)64、及び熱的処理ユニットブロック32(TB)のアドヒージョン処理ユニット(AD)68のいずれかに搬送され、そこでHMDSによりアドヒージョン処理(疎水化処理)され、その後、クーリングユニット66,67(COL)のいずれかに搬送されて冷却され、更に熱的処理ユニットブロック32(TB)のパスユニット65(PASS)に搬送される。この際に搬送処理は全て第1の搬送装置33によって行われる。なお、アドヒージョン処理を行わない場合もあり、その場合には、基板Gは、脱水ベーク及び冷却の後、直ちにパスユニット65(PASS)に搬送される。
【0070】
その後、パスユニット65(PASS)に配置された基板Gがレジスト処理ユニット23のサブアーム56によりレジスト処理ユニット23内へ搬入される。そして、基板Gは、まずその中のレジスト塗布処理装置23a(CT)に搬送され、そこで基板Gに対するレジスト液のスピン塗布が実施され、次いでサブアーム56により減圧乾燥装置23b(VD)に搬送されて減圧乾燥され、さらにサブアーム56により周縁レジスト除去装置23c(ER)に搬送されて基板G周縁の余分なレジストが除去される。そして、周縁レジスト除去終了後、基板Gはサブアーム56によりレジスト処理ユニット23から搬出される。このように、レジスト塗布処理装置23a(CT)の後に減圧乾燥装置23b(VD)を設けるのは、これを設けない場合には、レジストを塗布した基板Gをプリベーク処理した後や現像処理後のポストベーク処理した後に、リフトピン、固定ピン等の形状が基板Gに転写されることがあるが、このように減圧乾燥装置(VD)により加熱せずに減圧乾燥を行うことにより、レジスト中の溶剤が徐々に放出され、加熱して乾燥する場合のような急激な乾燥が生じず、レジストに悪影響を与えることなくレジストの乾燥を促進させることができ、基板上に転写が生じることを有功に防止することができるからである。
【0071】
このようにして塗布処理が終了し、サブアーム56によりレジスト処理ユニット23から搬出された基板Gは、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック34(TB)のパスユニット69(PASS)に受け渡される。パスユニット69(PASS)に配置された基板Gは、第2の搬送装置36により、熱的処理ユニットブロック34(TB)のプリベークユニット70a〜70c(HP1〜HP3)及び熱的処理ユニットブロック35(TB)のプリベークユニット70d,70e(HP4,HP5)のいずれかに搬送されてプリベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック35(TB)のクーリングユニット72(COL)に搬送されて所定温度に冷却される。そして、第2の搬送装置36により、更に熱的処理ユニットブロック35(TB)のパスユニット71(PASS)に搬送される。
【0072】
その後、基板Gは第2の搬送装置36によりインターフェイスステーション3のエクステンション・クーリングステージ44(EXT・COL)へ搬送され、インターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の周辺露光装置(EE)に搬送されて周辺レジスト除去のための露光が行われ、次いで搬送装置42により露光装置4に搬送されてそこで基板G上のレジスト膜が露光されて所定のパターンが形成される。場合によってはバッファーステージ43(BUF)上のバッファカセットに基板Gを収容してから露光装置4に搬送される。
【0073】
露光終了後、基板Gはインターフェイスステーション3の搬送装置42により外部装置ブロック45の上段のタイトラ(TITLER)に搬入されて基板Gに所定の情報が記された後、エクステンション・クーリングステージ44(EXT・COL)に載置され、そこから再び処理ステーション2に搬入される。すなわち、基板Gは第2の搬送装置36により、第2の熱的処理ユニットセクション27に属する熱的処理ユニットブロック35(TB)のパスユニット71(PASS)に搬送される。そして、パスユニット71(PASS)においてピンを突出させて基板Gを上昇させた状態から下降させることにより、現像処理ユニット24(DEV)からパスユニット71(PASS)まで延長されている例えばコロ搬送機構を作用させることにより基板Gが現像処理ユニット24(DEV)へ搬入され、現像処理が施される。この現像処理では、基板Gが従来のように回転されることなく、例えばコロ搬送により略水平に搬送されつつ現像液塗布、現像後の現像液除去、及び乾燥処理を行うようになっており、これにより、従来、回転タイプの現像処理ユニットを3台使用していたのと同じ処理能力をより少ないスペースで実現することができる。
【0074】
現像処理終了後、基板Gは現像処理ユニット24(DEV)から連続する搬送機構、例えばコロ搬送によりi線UV照射ユニット25(i−UV)に搬送され、基板Gに対して脱色処理が施される。その後、基板Gはi線UV照射ユニット25(i−UV)内の搬送機構、例えばコロ搬送により第3の熱的処理ユニットセクション28に属する熱的処理ユニットブロック37(TB)のパスユニット73(PASS)に搬出される。
【0075】
パスユニット73(PASS)に配置された基板Gは、第3の搬送装置39により熱的処理ユニットブロック37(TB)のポストベークユニット70f〜70h(HP6〜HP8)及び熱的処理ユニットブロック38(TB)のポストベークユニット70i〜70k(HP9〜HP11)のいずれかに搬送されてポストベーク処理され、その後熱的処理ユニットブロック38(TB)のパス・クーリングユニット74(PASS・COL)に搬送されて所定温度に冷却された後、カセットステーション1の搬送装置11によって、カセットステーション1に配置されている所定のカセットCに収容される。
【0076】
以上のように、スクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)、レジスト処理ユニット23、及び現像処理ユニット24(DEV)をその中で基板Gが略水平に搬送されつつ所定の液処理が行われるように構成し、これらを処理の順に、基板Gの搬送ラインが2列となるように配置し、基板Gをこの平行な2列の搬送ラインA,Bに沿って流しながら一連の処理を行うようにしたので高スループットを維持することができるとともに、従来のような複数の処理ユニットの間の走行する大がかりな中央搬送装置及びそれが走行する中央搬送路が基本的に不要となり、その分省スペース化を図ることができ、フットプリントを小さくすることができる。また、スクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)及び現像処理ユニット24(DEV)では、基板Gを回転させずに水平方向に搬送しながら処理を行ういわゆる平流し方式であるので、従来基板Gを回転させる際に多く発生していたミストを減少させることが可能となる。
【0077】
また、スクラブ洗浄処理ユニット21(SCR)、レジスト処理ユニット23、及び現像処理ユニット24(DEV)各液処理ユニット毎に、その後の熱的処理を行う複数の熱的処理ユニットを集約して第1から第3の熱処理ユニットセクション26,27,28を設け、しかもこれらを熱的処理ユニットを複数段積層した熱的処理ユニットブロック(TB)で構成したので、その分さらにフットプリントを小さくすることができるとともに、熱的処理を基板Gの搬送を極力少なくして基板Gの処理の流れに沿って行うことができるようになるので、よりスループットを高めることができる。また、各熱的処理ユニットセクションにそれぞれ対応して各熱的処理ユニットセクション専用の第1から第3の搬送装置33,36,39を設けたので、このことによってもスループットを高くすることができる。
【0078】
以上が基本的な処理パターンであるが、本実施形態では、処理ステーション2において2列の搬送ラインA,Bの間に空間部40が設けられており、この空間部40を往復動可能にシャトル41が設けられているので、上記基本的な処理パターンの他に種々のパターンの処理を行うことができ、処理の自由度が高い。
【0079】
例えば、レジスト処理だけ行いたいという場合には、以下のような手順により可能である。まず、シャトル41をカセットステーション1に隣接した位置まで移動させておき、次いで、搬送装置11によりカセットCの基板Gを一枚取り出してシャトル41上に載置し、シャトル41を第1の搬送装置33に対応する位置まで移動させ、第1の搬送装置33によりシャトル41上の基板Gをアドヒージョン処理ユニット64,68(AD)のいずれかに搬送し、基板Gに対してアドヒージョン処理を行った後、基板Gをクーリングユニット66(COL)または67で冷却し、熱的処理ユニットブロック32(TB)のパスユニット65(PASS)を経てレジスト処理ユニット23へ搬入する。そして、レジスト処理ユニット23において周縁レジスト除去装置23c(ER)によるレジスト除去処理が終了し、熱的処理ユニットブロック34(TB)のパスユニット69(PASS)に基板Gを搬出し、第2の搬送装置36によって基板Gをシャトル41に載置し、カセットステーション1へ戻す。なお、アドヒージョン処理を行わない場合には、シャトル41から基板Gを受け取った第1の搬送装置33が直接パスユニット65(PASS)へ基板を搬送する。
【0080】
また、現像処理のみを行いたい場合には、以下のような手順により可能である。まずカセットステーション1から基板Gを受け取ったシャトル41を、第2の搬送装置36に対応する位置まで移動させ、第2の搬送装置36によりシャトル41上の基板Gを熱的処理ユニットブロック35(TB)のパスユニット(PASS)73を経て現像処理ユニット24(DEV)へ搬入する。そして、現像処理及びi線UV照射ユニット25(i−UV)による脱色処理が終了して基板Gを熱的処理ユニットブロック37(TB)のパスユニット73(PASS)に搬出し、第3の搬送装置39によって基板Gをシャトル41に載置し、カセットステーション1へ戻す。
【0081】
なお、シャトル41を使用しないときは、シャトル41を空間部40の端部に退避させておくことにより、空間部40をメンテナンススペースとして用いることができる。
【0082】
このようなシャトル41は、従来の中央搬送装置とは異なり、被処理基板を保持して移動するだけであるから大がかりな機構は不要であり、従来の中央搬送装置が走行する中央搬送路のような大きな空間は必要がなく、シャトル41を設けても省スペース効果は維持される。
【0083】
なお、上記実施形態では、被処理体がLCDガラス基板である場合について説明したが、被処理体はLCDガラス基板に限定されるものではなく、例えば半導体ウエハやCD等においてもこの発明は同様に適用できるものである。
【0084】
また、上記実施形態では、被処理体を加熱処理する場合について説明したが、必ずしも加熱処理に限定されるものではなく、冷却処理あるいは異なる処理雰囲気で処理を施す場合についてもこの発明は適用できるものである。
【0085】
【発明の効果】
以上詳述したように、この発明は、上記のように構成されるので、以下のような優れた効果が得られる。
【0086】
1)請求項1〜4,6,8,9,12記載の発明によれば、第1の処理部と少なくとも1つの第2の処理部の処理条件を、次に処理される被処理体の処理条件に変更して、複数の被処理体の処理を連続して行うことができるので、装置全体の小型化を維持することができると共に、異なる処理条件の複数の被処理体を連続して処理することができる。しかも、第2の処理部が少なくとも1つ存在するのみで、異なる処理条件の複数の被処理体を連続して処理することができる。
【0087】
2)また、第1の処理部を複数の処理ユニットにて形成し、各処理ユニットを順次、次に処理される被処理体の処理条件に変更させると共に、変更された処理ユニットに順次、次に処理される被処理体を搬送して処理を行うことができるので、実際に処理される被処理体の複数を同時に処理することができ、処理効率の向上を図ることができる。
【0088】
3)請求項5,7,10,11,13,14記載の発明によれば、第1の処理部及び第2の処理部を、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理部とすることで、異なる熱処理条件の複数の被処理体を連続して熱処理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 この発明に係る処理装置を組み込んだLCDガラス基板のレジスト塗布現像処理システムを示す斜視図である。
【図2】 上記レジスト塗布現像処理システムの概略平面図である。
【図3】 上記レジスト塗布現像処理システムにおけるレジスト塗布現像装置のレジスト処理ユニットの内部を示す平面図である。
【図4】 上記レジスト塗布現像装置の第1の熱的処理ユニットセクションを示す側面図である。
【図5】 上記レジスト塗布現像装置の第2の熱的処理ユニットセクションを示す側面図である。
【図6】 上記レジスト塗布現像装置の第3の熱的処理ユニットセクションを示す側面図である。
【図7】 この発明に係る熱処理装置の要部を示す断面図である。
【図8】 この発明に係る処理方法の工程の一例を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 カセットステーション(搬入・搬出部)
2 処理ステーション(処理部)
23 レジスト処理ユニット
24 現像処理ユニット
26〜28 第1〜第3の熱処理ユニットセクション
36 第2の搬送装置(搬送手段)
39 第3の搬送装置(搬送手段)
70a〜70c 第1〜第3のプリベークユニット(熱処理ユニット、第1の処理部)
70s 補助プリベークユニット(補助熱処理ユニット、第2の処理部)
80 熱処理装置
86a ノズル部
87 冷却ガス供給源
88 冷却装置
G 基板(被処理体)
H ヒータ(加熱手段)
P プレート(載置台)
TS 温度センサ(温度検出手段)
V1,V2 開閉弁
Claims (14)
- 異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理方法であって、
複数の被処理体を処理する複数の処理ユニットを具備する第1の処理部での該処理の条件を第1の処理条件に設定する工程と、
上記第1の処理条件に設定する工程の後、上記被処理体のうち第1の被処理体を上記第1の処理部で上記第1の処理条件で処理する工程と、
上記被処理体を処理する少なくとも1つの第2の処理部での該処理の条件を上記第1の処理条件とは異なる第2の処理条件に設定する工程と、
上記第2の処理条件に設定する工程の後、上記被処理体のうち第2の被処理体を上記第2の処理部で上記第2の処理条件で処理する工程と、
上記第1の処理条件で処理する工程の後であって、かつ上記第2の処理条件で処理する工程の途中で、上記第1の処理部の処理ユニットでの処理の条件を順次上記第2の処理条件に変更し設定する工程と、
上記第2の処理条件に変更し設定する工程の後、上記被処理体のうち第3以降の被処理体を上記第1の処理部の処理ユニットで上記第2の処理条件で順次処理する工程と、を有することを特徴とする処理方法。 - 請求項1記載の処理方法において、
上記第2の処理条件に設定する工程は、上記第1の処理条件で処理する工程の途中で行うことを特徴とする処理方法。 - 請求項1記載の処理方法において、
上記第1の処理条件で処理する工程は、上記第1の被処理体を第1のロットに含まれる被処理体として処理する工程を有し、
上記第2の処理条件で処理する工程及び変更設定された第2の処理条件で処理する工程は、上記第2及び第3以降の被処理体を、第1のロットの次に処理される第2のロットに含まれる被処理体としてそれぞれ処理する工程を有することを特徴とする方法。 - 請求項1記の処理方法において、
上記第1の処理条件に設定する工程の前に、上記第2の処理条件に設定する工程の後から上記第2の処理条件で処理する工程を開始するまでに要する時間を記憶する工程と、
遅くとも上記第2の処理条件に変更し設定する工程を行う前に上記第2の処理条件で処理する工程を開始できるように、記憶された上記時間に基づき上記第2の処理条件に設定する工程を有することを特徴とする処理方法。 - 請求項1記載の処理方法において、
上記第1の処理条件に設定する工程は、上記第1の処理条件として第1の温度条件を設定する工程を有すると共に、上記第1の処理条件で処理する工程は、上記第1の温度条件で被処理体を熱処理する工程を有し、
上記第2の処理条件に設定する工程及び第2の処理条件に変更設定する工程は、上記第2の処理条件として第2の温度条件を設定する工程を有すると共に、上記第2の処理条件で処理する工程は、上記第2の温度条件で上記被処理体を熱処理する工程を有することを特徴とする処理方法。 - 異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理方法であって、
先に処理される被処理体の処理条件に設定される複数の処理ユニットを具備する第1の処理部と、次に処理される被処理体の処理条件に設定される少なくとも1つの第2の処理部とを用意すると共に、第1の処理部及び第2の処理部の処理条件を変更可能にし、
先に処理される上記被処理体を上記第1の処理部に搬送して処理している間、上記第2の処理部を、次に処理される上記被処理体の処理条件に設定して待機させ、
上記第1の処理部での処理が終了した後、次に処理される上記被処理体を上記第2の処理部に搬送して処理し、
上記第2の処理部での処理の間、上記第1の処理部の処理ユニットを、順次上記第2の処理部と同様の処理条件に変更し、処理条件の変更された第1の処理部の処理ユニットに順次、次に処理される上記被処理体を搬送して、処理を施し、
上記第2の処理部での処理が終了した後、第2の処理部を、更に次に処理される上記被処理体の処理条件に変更して待機させ、
以下同様に、上記第1の処理部と第2の処理部の処理条件を、次に処理される上記被処理体の処理条件に順次変更して、複数の被処理体の処理を連続して行うことを特徴とする処理方法。 - 請求項6記載の処理方法において、
上記第1の処理部及び第2の処理部は、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理部であることを特徴とする処理方法。 - 異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理装置であって、
少なくとも第1の処理条件及び該第1の処理条件とは異なる第2の処理条件で複数の被処理体を処理可能な複数の処理ユニットを具備する第1の処理部と、
少なくとも上記第2の処理条件で上記被処理体を処理可能な少なくとも1つの第2の処理部と、
上記被処理体のうち第2の被処理体を上記第2の処理部で処理している途中であって上記第1の処理部で上記第1の処理条件で上記被処理体のうち第1の被処理体の処理が終了した後、上記第1の処理部の処理ユニットの処理条件を順次上記第2の処理条件に設定変更し、該第1の処理部で上記第2の処理条件で上記被処理体のうち第3以降の被処理体を順次処理させるように制御する制御手段とを具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項8記載の処理装置において、
上記第1の被処理体は第1のロットに含まれ、上記第2及び第3の被処理体は上記第1のロットの次に処理される第2のロットに含まれることを特徴とする処理装置。 - 請求項8又は9記載の処理装置において、
上記第1の処理部は、上記第1及び第2の処理条件をそれぞれ第1、第2の温度条件として上記被処理体に対し熱処理する第1の熱処理装置を具備し、
上記第2の処理部は、上記第2の処理条件を上記第2の温度条件として上記被処理体に対し熱処理する第2の熱処理装置を具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項10記載の処理装置において、
上記第1の熱処理装置と上記第2熱処理装置とが上下方向に配置され、
少なくとも上記第1の熱処理装置と上記第2の熱処理装置との間で被処理体を搬送する搬送装置を更に具備し、
上記制御手段は、上記第1又は第2のうち下側に配置された熱処理装置から上記被処理体を順次搬送していくように制御可能に形成されることを特徴とする処理装置。 - 異なる処理条件で処理を施す複数の被処理体を連続して処理する処理装置であって、
被処理体の搬入・搬出部と、
それぞれ上記被処理体の異なる処理条件に設定可能な複数の処理ユニットを具備する第1の処理部及び少なくとも1つの第2の処理部とからなる処理部と、
上記搬入・搬出部と処理部との間で上記被処理体を受け渡して搬送する搬送手段と、
先に処理される上記被処理体が上記第1の処理部にて処理されている間、上記第2の処理部を次に処理される被処理体の処理条件に設定し、第1の処理部の処理ユニットでの被処理体の処理が終了した後、被処理体を第2の処理部に搬送する指令を上記搬送手段に送ると共に、第1の処理部の処理ユニットの処理条件を次に処理される被処理体の処理条件に順次変更設定する制御手段と、
を具備することを特徴とする処理装置。 - 請求項12記載の処理装置において、
上記第1の処理部及び第2の処理部を、被処理体に所定の温度条件で熱処理を施す熱処理装置にて形成してなることを特徴とする処理装置。 - 請求項12又は13記載の処理装置において、
上記第1及び第2の処理部は、被処理体を載置する載置台と、
上記載置台を加熱する加熱手段と、
上記載置台を冷却する冷却手段と、
上記載置台の温度を検出する温度検出手段と、
上記温度検出手段からの検出信号、あるいは、予め設定された被処理体の処理開始又は処理終了の信号に基づいて上記加熱手段又は冷却手段を制御する制御手段と、
を具備することを特徴とする処理装置。
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