JP3820167B2 - 半導体スイッチング装置 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体スイッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体スイッチング素子を用いた装置では、近年高速スイッチングが求められ高速化が進んでおり、それに伴ってノイズを発生させることから周囲環境で大きな問題となりつつある。従来はこのノイズ対策として半導体スイッチング素子のスイッチング速度を遅くする(ゲート抵抗を大きくする)ことで対応してきたため、その場合、スイッチング損失の増加による温度上昇が問題となってくる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
特開平５−３２８７４６では、電流だけをモニタして低電流時にゲート抵抗を大きくしてノイズを低減する一方、大電流時にはゲート抵抗を小さくして、スイッチング損失を低減するノイズ対策を行っているが、後で示すように、サージ電圧が出やすい大電流のターンオフ時に、ゲート抵抗が小さくなっているため、サージ電圧を抑制することは困難であった。
【０００４】
この発明は、サージ電圧およびノイズを低減できる半導体スイッチング装置を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
本発明は、半導体スイッチング素子を含む半導体スイッチング装置において、
半導体スイッチング素子の電流を検出する電流センスおよび前記素子の温度を検出する温度センスを備え、
前記電流センスで検出した電流が所定値以下の場合、前記スイッチング素子のゲート抵抗値をＲ１としてノイズ発生を低減し、
前記電流センスで検出した電流が所定値を超える場合でかつ、前記温度センスで検出した温度が所定温度を超える場合、前記ゲート抵抗値をＲ１より小さいＲ２としてスイッチング損失を低減し、
前記電流センスで検出した電流が所定値を超える場合でかつ、前記温度センスで検出した温度が所定温度以下の場合、前記スイッチング素子のゲート抵抗値をＲ１としてノイズを低減したことを特徴とする。
【０００６】
【発明の実施の形態】
実施形態１
図１に本発明の第１の実施形態を示す。１は半導体スイッチング素子(ＩＧＢＴやＭＯＳＦＥＴなど)である。２は、駆動回路であり、その出力部は抵抗３を通じてＩＧＢＴ１のゲートに接続される。そして、補助の抵抗４と直列にスイッチ５を接続したものが前記抵抗３と並列に接続される。スイッチ５としては、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、トランジスタなどの半導体スイッチであってもよい。６はスイッチ５をオンオフ制御する制御回路であり、この制御回路６により、前記２〜５の要素からなる他の回路１０も同様に制御する。
【０００７】
１１はスイッチング素子１自身の動作温度をモニタする温度センスであり、それ以外にもモジュール内部のパターンをモニタしたり、放熱フィンをモニタするものであってもよい。この温度センス１１は一定温度以上を検知するとスイッチ１３をオンにする。１２は、スイッチング素子１に流れる電流を検出する電流センスである。このスイッチング素子１は通常、図４に示すように、３相ブリッジにして組み込まれる。電流センス１２は、スイッチング素子１に流れる主電流を検出するか、負荷(Ｍ：モータ)電流を検出する。この電流センス１２は、一定電流以上を検知すると、スイッチ１４をオンにする。
【０００８】
１５はフォトカプラであり、前記スイッチ１３、１４を介して電池Ｅに接続されている。両スイッチ１３、１４がオンになると、フォトカプラ１５が作用して、前記制御回路６へ所定の信号を供給する。このフォトカプラ１５を用いたのは、スイッチング素子側の高電位から電気的に絶縁するためである。
【０００９】
主電流もしくは負荷電流が一定値未満のときはスイッチ１３、１４は共にオフであり、従ってスイッチ５もオフになっており、駆動回路２からのゲート信号は抵抗３を通ってＩＧＢＴ１のゲートに供給され、この時のゲート抵抗は比較的大きい抵抗３であるためノイズが低減される。
【００１０】
一方、主電流もしくは負荷電流が一定値を超え、かつ、スイッチング素子１の動作温度が一定温度より高い場合には、スイッチ１３、１４が共にオンし、これにより、制御回路６によってスイッチ５がオンにされると、前記ゲート信号は、並列接続の抵抗３および４を流れてゲートに供給され、この場合のゲート抵抗が抵抗３より小さくなるためスイッチング損失が低減される。
【００１１】
一方、主電流もしくは負荷電流が一定値を超えた場合(スイッチ１４がオン)でも、スイッチング素子１の動作温度が一定温度より低い場合(スイッチ１３はオフ)は、スイッチ５はオフになる。このような場合には後で示すようにノイズ発生量が大きくなっているが、スイッチ５のオフにより、ゲート抵抗を大きくしてノイズの発生が抑制される。
【００１２】
図２にスイッチング素子１のターンオン時の特性を示す。
(Ａ)図は、低電流で使用するとノイズ発生量が多く、大電流になるほど小さくなることを示している。
(Ｂ)図は、ゲート抵抗ＲGが大きくなるとノイズ発生が少なくなるが、低電流ではゲート抵抗ＲGに対するノイズ発生量の依存性が大きくなることを示し、温度に依存しない。
(Ｃ)図は、電流が一定値以上になったとき、ゲート抵抗ＲGを小さくすることでスイッチング損失を低減できることを示している。
【００１３】
図３にスイッチング素子１のターンオフ時の特性を示す。
(Ａ)図は、電流が大きくなればノイズ発生量が多くなり、(Ｂ)図は、ゲート抵抗ＲGが大きくなるとノイズ発生量が少なくなることを示し、共に温度依存性が大きく、高温になるとでノイズ発生量が少なくなる。
(Ｃ)図は、電流が一定値以上になったとき、ゲート抵抗ＲGを小さくすることでスイッチング損失を低減できることを示している。
【００１４】
実施形態２
図５に本発明の第２の実施形態を示す。ゲート抵抗Ｒ３と並列接続した(抵抗４−スイッチ５)以外に、(抵抗４１−スイッチ５１)、…(抵抗４ｎ−スイッチ５ｎ)を必要個数だけ並列接続している。そして制御回路６は、電流センス１２および温度センス１１の検出状況に応じて、いずれか１つもしくは複数個のスイッチをオンすることで、ノイズ発生量とスイッチング損失を最適化する。
【００１５】
図１および図５では、ゲート抵抗３に対して抵抗を並列に接続したが、図６に示すように、抵抗３'および４'を直列接続とし、抵抗４'を短絡するためのスイッチ５を接続するようにしてもよい。
【００１６】
実施形態３
上記半導体素子１をモジュールタイプとし、そのモジュール内でコレクタ電流、エミッタ電流もしくは負荷電流および素子の温度を検出し、その検出状況に応じてモジュール内でゲート抵抗を最適な値に切替えるようにしてノイズの低減を図る。
【００１７】
上記電流センス１１、温度センス１２およびゲート抵抗変更のための回路を半導体スイッチング素子と共にワンパッケージ化すれば、半導体スイッチング装置をコンパクトに構成することができる。
【００１８】
【発明の効果】
この請求項１の発明は、負荷電流が所定値以下の場合、ゲート抵抗値を大きくしてノイズ発生を低減し、負荷電流が所定値を超える場合でかつ、素子温度が所定温度を超える場合、ゲート抵抗を小さくすることにより、スイッチング損失が低減され熱破壊が防止される。そして、負荷電流が所定値を超える場合であっても、素子温度が所定温度以下の場合は、ゲート抵抗を大きくすることで、スイッチング損失の低減よりはむしろ、ノイズ低減を図る。
【００１９】
請求項２の発明は、ゲート抵抗として複数の抵抗値を備え、電流センスおよび温度センスの検出結果に基づき、適切な抵抗値を選出するようにしたので、所望のノイズ抑制およびスイッチング損失を達成することができる。
【００２０】
請求項３の発明は、上記電流センス、温度センスおよびゲート抵抗変更手段を半導体スイッチング素子と共にワンパッケージ化するものであり、半導体スイッチング装置のコンパクト化が図れる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の第１の実施形態を示した制御ブロック図
【図２】 スイッチング素子のターンオン時の特性を示した図
【図３】 スイッチング素子のターンオフ時の特性を示した図
【図４】 図１の回路を適用した般の回路図
【図５】 本発明の第２の実施形態を示した制御ブロック図
【図６】 図１の制御ブロック図の変形例を示した図
【符号の説明】
１ スイッチング素子、２ 駆動回路、３ 抵抗、４ 抵抗、５ スイッチ、６制御回路、１１ 温度センス、１２ 電流センス、１３、１４ スイッチ、１５ フォトカプラ

Claims (3)

  1. 半導体スイッチング素子を含む半導体スイッチング装置において、
    半導体スイッチング素子の電流を検出する電流センスおよび前記素子の温度を検出する温度センスを備え、
    前記電流センスで検出した電流が所定値以下の場合、前記スイッチング素子のゲート抵抗値をＲ１とし、
    前記電流センスで検出した電流が所定値を超える場合でかつ、前記温度センスで検出した温度が所定温度を超える場合、前記ゲート抵抗値をＲ１より小さいＲ２とし、
    前記電流センスで検出した電流が所定値を超える場合でかつ、前記温度センスで検出した温度が所定温度以下の場合、前記スイッチング素子のゲート抵抗値をＲ１としたことを特徴とする半導体スイッチング装置。
  2. ゲート抵抗として複数の抵抗値を備え、電流センスおよび温度センスの検出結果に基づき、適切な抵抗値を選出する請求項１記載の半導体スイッチング装置。
  3. 上記電流センス、温度センスおよびゲート抵抗変更手段を半導体スイッチング素子と共にワンパッケージ化したことを特徴とする請求項１もしくは２記載の半導体スイッチング装置。
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