TWI629744B - Surrounding gas replacement device, substrate transfer device, substrate transfer system, and EFEM - Google Patents

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Abstract

提供可藉少量之氣體而置換晶圓表面的周圍氣體之周圍氣體置換裝置。
構成為具備可相對於經搬送之晶圓(W)而覆蓋晶圓(W)之蓋件(3)、及藉蓋件(3)供給與周邊氣體具有不同的性質之氣體(G)並將晶圓(W)表面之周圍氣體藉氣體(G)而置換之供氣手段(MG)。

Description

周圍氣體置換裝置、基板搬送裝置、基板搬送系統及EFEM
本發明，係有關於可對於搬送中之基板周邊的周圍氣體作置換之周圍氣體置換裝置、基板搬送裝置、基板搬送系統、及EFEM(Equipment Front End Module)。
歷來，已對於是基板之晶圓進行各種處理程序從而進行半導體的製造。並且，近年來係元件之高積體化和電路的微細化日益進展，為了不會發生顆粒或水分附著於晶圓表面，要求將晶圓周邊維持成高潔淨度。再者，為了使晶圓表面氧化等表面之性質與狀態變化不會發生，亦進行使晶圓周邊為是惰性氣體之氮環境，或作成真空狀態。
為了適當維持如此之晶圓周邊的周圍氣體，晶圓係置入稱作FOUP(Front-Opening Unified Pod)之密閉式的儲存傳送盒之內部而作管理，於此內部係填充氮。再者，在對於晶圓進行處理的處理裝置與FOUP之間為了進行晶圓的交接，設置如揭露於下開專利文獻1之EFEM。EFEM，係構成在框體的內部經大致關斷之晶圓搬送室，同時在其對向壁面的一方具備作為在與FOUP之間的界面 部而發揮功能之裝載埠(Load Port)，並在另一方連接著是處理裝置的一部分之預抽室(load lock chamber)。於晶圓搬送室內，係設有供以搬送晶圓用的構成晶圓搬送系統之晶圓搬送裝置，利用此晶圓搬送裝置，而在連接於裝載埠的FOUP與預抽室之間進行晶圓的存入取出。
亦即，晶圓係從成為一個交接位置之FOUP(裝載埠)，利用晶圓搬送裝置而取出，搬送至成為再一個交接位置的預抽室。並且，在處理裝置，係對於通過預抽室而搬送來之晶圓在稱作處理室的處理單元內實施處理，在處理的結束後，再次透過預抽室取出晶圓而歸還FOUP內。
在處理裝置內，係為了迅速進行對於晶圓之處理，而作成依照了處理之真空等的特殊之周圍氣體。此外，EFEM之晶圓搬送室的內部，係導入通過化學過濾器等而清淨化之空氣，從而作成高潔淨度的潔淨環境，作成在搬送中之晶圓的表面無顆粒等之附著所致的汙染。
〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕
[專利文獻1]日本發明專利公開2012-49382號公報
然而，近年來，在更加潔淨化進展之中，儘管EFEM的晶圓搬送室內係潔淨度為高，為與FOUP內或處理裝置內不同的環境空氣所造成之影響現受到擔憂。
亦即，由於是環境空氣故在基板表面容易附著水分或氧，有可能發生腐蝕或氧化。此外，在使用於處理裝置中之腐蝕性氣體等殘留於晶圓的表面之情況下，係亦有可能腐蝕晶圓表面的配線材料而發生良率之不良化。為了迴避此，而在設置如同FOUP使晶圓搬送室的內部成為氮環境之周圍氣體置換裝置的情況下，係晶圓搬送室的容積為大故變成需要大量之氮氣而成本會增大，同時氮置換需要長時間。此外，亦考量：在氮從EFEM漏出之情況下，係發生在周邊的缺氧等之問題。再者，近年來，為了進一步之效率化而提議作成可連接多數個FOUP的EFEM，作成如此使得晶圓搬送室的容積更加增大，故變成上述的問題更顯著顯現。
另外，上述的問題，係可謂只要處理或保管場所係基於不同的周圍氣體而進行搬送，即在搬送晶圓以外之基板的情況下亦同樣會發生。
本發明，係以有效解決如此之課題作為目的，具體而言，目的在於提供可將搬送中之基板表面的周圍氣體以少量之氣體作置換的周圍氣體置換裝置、基板搬送裝置、基板搬送系統、及EFEM。
本發明，係為了達成該等目的，而採取如下之手段者。
亦即，本發明的周圍氣體置換裝置，係特徵在於：具 備：可相對於經搬送之基板而覆蓋該基板之蓋件、及藉該蓋件而供給與周邊氣體具有不同的性質之氣體、將基板表面之周圍氣體藉前述氣體而置換的供氣手段。
如此構成時，使蓋件相對於基板而對於基板的表面供給具有與周邊氣體係不同的性質之氣體，使得可適當置換基板表面之周邊氣體而迴避對於基板的不良影響，且相較於將基板搬送裝置周圍的環境氣體全部置換之情況，可削減氣體的使用量，亦可減少氣體所需的成本與周圍氣體之置換所需的時間。此外，即使在此氣體漏出於周圍之情況下，使用量少因而亦可抑制作業環境的不良化。
再者，為了可使蓋件為與基板係獨立而可移動，在予以進行為了接著被搬送之基板所準備的準備動作，或不需要氣體的供給之情況下予以退避而設為未使用，較佳係使用於在複數個交接位置之間藉基板搬送裝置而進行基板的搬送之基板搬送系統者，構成為進一步具備與前述基板搬送裝置係獨立而以可移動的方式支撐前述蓋件之蓋件移動手段，在藉前述基板搬送裝置而將基板予以搬送時，前述蓋件移動手段將前述蓋件予以移動至相對於基板之位置。
為了作成能以更少量之氣體予以進行基板表面周邊的周圍氣體之置換，同時可迴避基板或基板搬送裝置與蓋件之干涉，較佳係構成為具備將前述蓋件相對於基板面而予以接近或分開之蓋件接近分離手段。
為了將氣體漏出至基板表面以外的量予以減少，而謀求氣體的使用量之進一步的削減，較佳係構成為前述蓋件 具備可相對於基板之本體部與設於該本體部的周緣之壁部，在藉前述蓋件接近分離手段而將前述蓋件予以接近於基板時可使基板收容於在前述本體部與壁部之間所形成的內部空間。
為了可進一步削減氣體的使用量，較佳係構成為將在將前述蓋件予以接近於基板時前述蓋件之壁部的開放端接近或抵接從而可協作而將前述內部空間大致關斷之蓋件支承構材設於前述基板搬送裝置側。
此外，為了僅以與一般配管同樣簡單的方式導入氣體即可將氣體供給至基板表面全體而效率佳地置換基板表面之周圍氣體，較佳係構成為前述供氣手段具備供以從外部導入氣體用的氣體導入口、及從該氣體導入口往前述蓋件之下方使氣體擴散的擴散手段。
再者，為了將基板表面升溫從而具效果地進行水分的除去，較佳係構成為前述供氣手段具備加熱前述氣體之加熱手段。
此外，為了簡單且廉價地構成具備上述的周圍氣體置換裝置與基板搬送裝置之基板搬送系統，較佳係利用構成前述基板搬送裝置的一部分之導軌而構成前述蓋件移動手段。
再者，構成為前述基板為晶圓，具備上述的基板搬送系統、及覆蓋此基板搬送系統之框體，鄰接於該框體的壁面而設定前述交接位置之EFEM，使得可有效構成為可良好保持晶圓表面的性質與狀態之下在FOUP與處理裝置之 間進行交接的EFEM。
此外，構成為前述基板為晶圓，具備了具備上述的周圍氣體置換裝置與基板搬送裝置之基板搬送系統、及覆蓋此基板搬送系統之框體，將前述面內方向移動手段予以支撐於設在前述框體內的頂面，鄰接於前述框體的壁面而設定前述交接位置之EFEM，亦同樣，可有效構成為可良好保持晶圓表面的性質與狀態之下在FOUP與處理裝置之間進行交接的EFEM。
再且，本發明之基板搬送裝置，係具備上述之周圍氣體置換裝置者，特徵在於：進一步具備藉基底而被支撐、保持基板而搬送之搬送臂件、及設於與該搬送臂件相同的基底之支柱，前述蓋件係隔著前述支柱配置於可與前述搬送臂件相對之位置。
如此構成時，可在藉搬送臂件而將基板予以搬送時，藉供氣手段而從配置於搬送臂件的上方之蓋件，於基板的表面供給與周邊氣體具有不同的性質之氣體，藉該氣體而置換基板表面之周圍的周圍氣體。為此，可適當變更對於基板表面造成影響之周邊氣體，且相較於將基板搬送裝置周圍之環境氣體全置換的情況下可削減氣體的使用量，亦可減少氣體的費用、周圍氣體的置換所需的時間。此外，即使在此氣體漏出於周圍之情況下，使用量少因而亦可抑制作業環境的不良化。再者，具備供氣手段之蓋件設於與搬送臂件相同的基底，使得亦可將整體緊緻化而抑制設置面積。
為了可迴避蓋件對於基板或搬送臂件之干涉，同時依搬送狀態而使蓋件接近於基板，以更少量之氣體予以進行基板表面周邊的周圍氣體之置換，係較佳係構成為具備將前述蓋件相對於基板面而予以接近或分開之蓋件接近分離手段。
此外，為了可將氣體漏出至基板表面以外的量予以減少，而謀求進一步之氣體的使用量之削減，較佳係構成為前述蓋件具備可相對於基板之本體部與設於該本體部的緣部之壁部，在藉前述蓋件接近分離手段而將前述蓋件予以接近於基板時可使基板收容於在前述本體部與壁部之間所形成的內部空間。
為了可進一步削減氣體的使用量，較佳係構成為將在將前述蓋件予以接近於基板時前述蓋件之壁部的開放端接近或抵接從而協作而將前述內部空間大致關斷之蓋件支承構材設於前述基底。
為了可在不加長搬送臂件之情況下擴大可搬送基板的範圍，較佳係構成為具備將前述基底支撐為可移動的導軌。
為了可將蓋件小型化而進一步削減氣體的供給量，較佳係構成為具備將前述蓋件以可移動於與前述導軌正交之方向的方式而支撐的蓋件移動手段。
為了可在採取簡單的構成之下有效對於搬送中之基板表面供給氣體，較佳係構成為在與前述搬送臂件之間交接基板的交接位置設定於夾著前述導軌之兩側，前述蓋件延 伸於與前述導軌正交之方向。
然後，為了可在將氣體導入口作成與一般配管同樣簡單的構成之下將氣體擴散而供給至基板表面全體而效率佳地置換基板表面之周圍氣體，較佳係構成為前述供氣手段具備供以從外部導入氣體用的氣體導入口、及從該氣體導入口往前述蓋件之下方使氣體擴散的擴散手段。
為了可藉供給之氣體將基板表面作升溫而進行水分的除去，較佳係構成為前述供氣手段具備加熱前述氣體之加熱手段。
再者，採取前述基板為晶圓，具備上述的基板搬送裝置、及覆蓋此之框體，設定供以鄰接於該框體的壁面而交接基板用之交接位置的EFEM，使得可有效構成為可良好保持晶圓表面的性質與狀態之下在FOUP與處理裝置之間進行交接的EFEM。
依以上說明之本發明，即使得可提供一種周圍氣體置換裝置、基板搬送裝置、基板搬送系統、及EFEM，可將搬送中之基板表面的周圍氣體以少量之氣體作置換，同時不會招致置換所需的時間或成本之增大。
1、101‧‧‧周圍氣體置換裝置
2、202、302、402、502、602、702‧‧‧晶圓搬送裝置(基板搬送裝置)
3、3A~3G、103、303、303A~303G、503、603‧‧‧蓋件
5‧‧‧晶圓搬送室
21、221、321、421、521、721‧‧‧基底
22、322‧‧‧搬送臂件
24、324‧‧‧導軌
31、131、331、531、631‧‧‧本體部
32、132、332、532、632‧‧‧壁部
32a、132a、332a、532a、632a‧‧‧開放端
33、333‧‧‧擴散板(擴散手段)
34、334‧‧‧氣體導入口
35、335‧‧‧加熱器(加熱手段)
36、336‧‧‧加熱燈(加熱手段)
37、337‧‧‧分歧配管(擴散手段)
51‧‧‧框體
51a、51b‧‧‧壁面
51c‧‧‧頂面
61‧‧‧裝載埠
81‧‧‧預抽室
225、625‧‧‧蓋件支承構材
F‧‧‧晶圓面(基板面)
G‧‧‧氣體
MG‧‧‧供氣手段
MH‧‧‧蓋件移動手段修正
MV‧‧‧蓋件接近分離手段
S‧‧‧內部空間
TS‧‧‧晶圓搬送系統(基板搬送系統)
W‧‧‧晶圓(基板)
[圖1]示意性針對本發明的第1實施形態相關之具備包含周圍氣體置換裝置的基板搬送系統之EFEM與處理裝 置之位置關係作繪示的平面圖。
[圖2]示意性針對包含同周圍氣體置換裝置之基板搬送系統的主要部分作繪示之說明圖。
[圖3]針對從圖2的狀態將在基板搬送系統中之搬送臂件予以動作時的與蓋件之位置關係作繪示的說明圖。
[圖4]示意性針對使同基板搬送系統的搬送臂件進入FOUP內之狀態作繪示的平面圖。
[圖5]示意性針對使同基板搬送系統的搬送臂件進入預抽室內之狀態作繪示的平面圖。
[圖6]示意性針對使同基板搬送系統的搬送臂件進入FOUP內之前的狀態作繪示的說明圖。
[圖7]針對從圖6的狀態將搬送臂件予以進入FOUP內之狀態作繪示的說明圖。
[圖8]針對從圖7的狀態以搬送臂件從FOUP內取出晶圓之狀態作繪示的說明圖。
[圖9]針對從圖8的狀態使晶圓移動至導軌上之狀態作繪示的說明圖。
[圖10]針對從圖9的狀態使搬送臂件沿著導軌而移動、予以位於預抽室之前的狀態作繪示之說明圖。
[圖11]針對從圖10的狀態將搬送臂件予以接近預抽室之狀態作繪示的說明圖。
[圖12]針對從圖11的狀態將搬送臂件予以進入預抽室內之狀態作繪示的說明圖。
[圖13]針對構成同周圍氣體置換裝置之蓋件的構造 作繪示的說明圖。
[圖14]針對與圖13係不同的蓋件之構造作繪示的說明圖。
[圖15]針對與圖13及圖14係不同的蓋件之構造作繪示的說明圖。
[圖16]供以說明本發明的第2實施形態相關之周圍氣體置換裝置與具備其之基板搬送系統的構造用之說明圖。
[圖17]供以說明本發明的第3實施形態相關之基板搬送系統的構造用之說明圖。
[圖18]示意性針對本發明的第4實施形態相關之具備晶圓搬送裝置的EFEM與處理裝置之位置關係作繪示的平面圖。
[圖19]放大而示意性針對同晶圓搬送裝置的主要部分作繪示之說明圖。
[圖20]針對從圖19的狀態將搬送臂件予以動作之狀態作繪示的說明圖。
[圖21]供以說明在圖19之晶圓搬送裝置中的蓋件支撐手段用之說明圖。
[圖22]示意性針對使同晶圓搬送裝置的搬送臂件進入FOUP內之狀態作繪示的平面圖。
[圖23]示意性針對使同晶圓搬送裝置的搬送臂件進入預抽室內之狀態作繪示的平面圖。
[圖24]針對構成同晶圓搬送裝置之蓋件的構造作繪 示的說明圖。
[圖25]針對與圖24係不同的蓋件之構造作繪示的說明圖。
[圖26]針對與圖24及圖25係不同的蓋件之構造作繪示的說明圖。
[圖27]放大而示意性針對本發明的第5實施形態相關之晶圓搬送裝置的主要部分作繪示之說明圖。
[圖28]針對從圖27的狀態將搬送臂件予以動作之狀態作繪示的說明圖。
[圖29]放大而示意性針對本發明的第6實施形態相關之具備晶圓搬送裝置的EFEM作繪示之平面圖。
[圖30]放大而示意性針對同晶圓搬送裝置的主要部分作繪示之說明圖。
[圖31]針對從圖30的狀態將搬送臂件予以動作之狀態作繪示的說明圖。
[圖32]示意性針對使同晶圓搬送裝置的搬送臂件進入FOUP內之狀態作繪示的平面圖。
[圖33]示意性針對使同晶圓搬送裝置的搬送臂件進入預抽室內之狀態作繪示的平面圖。
[圖34]供以說明本發明的第7實施形態相關之晶圓搬送裝置的構造用之說明圖。
以下，對於本發明的實施形態，參照圖式作說明。
<第1實施形態>
第1實施形態的周圍氣體置換裝置1，係如圖1所示，與是基板搬送裝置之晶圓搬送裝置2一起構成是基板搬送系統之晶圓搬送系統TS。並且，藉包圍其之框體51而構成大致關斷之晶圓搬送室5，鄰接於其中一個壁面51a而設有複數個(圖中4個)裝載埠61~61，藉此等與上述晶圓搬送系統TS而構成EFEM。另外，在圖中係示意性繪示在裝載埠61上載置FOUP62之狀態。各裝載埠61係具備門61a，此門61a與設於FOUP62之蓋部62a連結而一起移動，使得呈FOUP62對於晶圓搬送室5開放。於FOUP62內，係於上下方向設置多數個成對而支撐1個晶圓W的載置部62b、62b，利用此等因而可收納多數個晶圓W。此外，於FOUP62內係通常填充氮氣，同時呈亦可透過裝載埠61而對於FOUP62內之周圍氣體作氮置換。
此外，於構成EFEM之晶圓搬送室5，係可連接鄰接於與裝載埠61對向之壁面51b而構成處理裝置PE的一部分之預抽室81，將預抽室81的門81a作開放，使得可作成將晶圓搬送室5與預抽室81連通之狀態。處理裝置PE方面係可使用各種裝置，一般而言，呈如下構成：與預抽室81鄰接而設置搬送室82，進一步與搬送室82鄰接而設置複數(圖中3個)個處理單元83。在搬送室82、預抽室81和處理單元83~83之間，係分別設有門82a、83a ~83a，將此等開放使得可將各者之間予以連通，可利用設置於搬送室82內之搬送機器人82b而在預抽室81及處理單元83~83之間使晶圓W移動。
圖2、圖3，係放大繪示在本實施形態下之晶圓搬送系統TS的示意圖，圖2(a)係將各部分設定於基準位置時之平面圖，圖2(b)係在該狀態下之正面圖。此外，圖3(a)，係針對為了使後述之搬送臂件22進入FOUP62內而予以伸長之狀態作繪示的平面圖，圖3(b)係在該狀態下之正面圖。以下，利用圖2及圖3，而說明有關於晶圓搬送系統TS的構成。
與周圍氣體置換裝置1一起構成晶圓搬送系統TS之晶圓搬送裝置2，係由以下所構成：以與壁面51a、51b(圖1參照)成為平行的方式直線狀配置於晶圓搬送室5之底面的導軌24；作成支撐於導軌24上、可沿著此導軌24移動之基底21；及在基底21上被支撐之搬送臂件22。
搬送臂件22，係可採取普遍知悉的各種構造，例如可適當使用SCARA型的水平多關節機器人、或鏈接式之機器人臂件等。在此實施形態下，係將搬送臂件22藉複數個臂件要素22a~22c構成，構成為可將此等予以相對移動，從而將搬送臂件22整體予以伸長。在末端的臂件要素22c之前端係設有形成為U字形的板狀之末端執行器23，使得可於其上部載置晶圓W。此外，搬送臂件22係呈可相對於基底21而水平迴旋，使得亦可使末端執行器 23朝向壁面51a、51b的任一方向。
如上述方式構成，使得晶圓搬送裝置2係呈可將載置於構成搬送臂件22之末端執行器23上的晶圓W，予以移動於平行於壁面51a、51b之方向、正交之方向的2軸。再者，基底21係呈亦可升降動作，將此動作予以組合，使得可藉末端執行器23而抬起晶圓W，亦可將末端執行器23上之晶圓W予以移載至既定的交接位置。於本實施形態下之EFEM，係設置於複數個裝載埠61之FOUP62及對向於其的預抽室81(圖1參照)設定為供以交接晶圓W用的交接位置，使得可在此等之間利用晶圓搬送裝置2而將晶圓W予以移動。
周圍氣體置換裝置1，係由供以在大範圍覆蓋晶圓W的表面之狀態下供給周圍氣體置換用的氣體G用的蓋件3、及供以支撐此蓋件3用的蓋件支撐手段4所構成。
蓋件3，係呈由圓盤狀的本體部31與從其周緣向下方而延伸之壁部32所構成之頭巾狀的形態。並且，形成為俯視下稍大於晶圓W，作成可覆蓋晶圓W之大小。為此，使得亦可在藉本體部31與壁部32而形成之開放於下方的內部空間S(圖13參照)內，收容晶圓W。
蓋件3係如後詳述可採取各種的構造，惟於此係採用示於圖13(b)之蓋件3B的構造者。亦即，在上表面31b的中央設有供氣口34，使得可將從不圖示之供氣源通過供氣口34而供給的氣體G，邊藉擴散板33予以擴散邊向下方放出。供氣源，係呈可選擇性變更氣體G的供給與供 給停止，作成可僅在必要時供給氣體G。此外，亦可構成為變更供給壓力或流量。藉從此等供氣源、供氣口34至擴散板33之蓋件3內所具備的氣體G之供給構造，構成供以從蓋件3供給氣體G用的供氣手段MG。於此，係採取在氣體G方面採用氮氣。
返回圖2、3，蓋件支撐手段4，係除了作成支撐於上述之導軌24、可沿著導軌24移動之蓋件用基底41以外，藉依序支撐於其之蓋件用軌42、可動滑車43、支柱44、升降滑車45及支撐臂件46而構成。
若要說明具體的構成，於蓋件用基底41上係蓋件用軌42以延伸於正交於導軌24之水平方向的方式而設，於此蓋件用軌42可動滑車43被以可移動的方式而支撐。採取此方式，使得可動滑車43係呈可移動於相對於壁面51a、51b(圖1參照)而正交之方向。此外，於可動滑車43上，係向上方而站立設置支柱44，使得可與可動滑車43一起移動。並且，呈於支柱44係以可沿著支柱44移動於上下方向的方式設有升降滑車45，藉升降滑車45使得支撐臂件46與導軌24平行而延伸，在其前端支撐構成蓋件3之本體部31的上表面31b(圖13參照)之中央。
此外，如圖2(a)所示，在將蓋件用基底41予以接近於晶圓搬送裝置2的基底21，使可動滑車43位於導軌24的上方之基準位置的情況下，係由支撐臂件46所支撐之蓋件3係採取位於晶圓搬送裝置2的正上方。此情況下，在晶圓搬送裝置2縮短搬送臂件22，而將在末端執 行器23上作保持之晶圓W予以移動至基底2上的情況下，係成為在俯視下由蓋件3覆蓋晶圓W之位置關係。
如上述方式構成，使得可藉蓋件用基底41與導軌24而將蓋件3予以移動於平行於壁面51a、51b之方向，同時藉蓋件用軌42與可動滑車43而將蓋件3予以移動於垂直於壁面51a、51b之方向。亦即，此等之蓋件用基底41、導軌24、蓋件用軌42及可動滑車43，係構成可追隨於由搬送臂件22所移動之晶圓W而使蓋件3動作的蓋件移動手段MH。再者，呈可藉支柱44與升降滑車45而將蓋件3予以移動於上下方向，相對於作為晶圓W的形成表面之基板面的晶圓面F，而將蓋件3予以接近或分開。亦即，此等支柱44及升降滑車45，係構成相對於晶圓面F而將蓋件3予以接近分離之蓋件接近分離手段MV。
對於具備如上述方式而構成之周圍氣體置換裝置1的晶圓搬送系統TS藉控制器Cp(圖1參照)進行控制予以動作，使得可作成如下而進行晶圓W的搬送。控制器Cp係作為控制EFEM整體者而被以適當方式構成，呈可與晶圓搬送裝置2同步而藉蓋件移動手段MH及蓋件接近分離手段MV使蓋件3移動，同時藉供氣手段MG而從蓋件3進行氣體G的供給。
如圖4所示，構成基板搬送系統TS之晶圓搬送裝置2，係沿著導軌24將基底21予以移動至成為取出晶圓W之對象的FOUP62之前，將搬送臂件22予以伸長而使末端執行器23進入FOUP62內，從FOUP62取出晶圓W。 然後，如圖5所示，將基底21予以移動至預抽室81之前，使搬送臂件22伸長於逆向從而使末端執行器23進入預抽室81內，而將晶圓W予以移載。於此等之搬送路徑的一部分，蓋件3係呈可邊追隨晶圓W而以相對於晶圓W的方式移動，邊藉供氣手段MG(圖13參照)對於晶圓W的表面供給氣體G，而對於晶圓W的表面之周圍氣體作置換。
針對上述的動作，使用圖6~圖12而更詳細作說明。
圖6係繪示如下狀態：為了進行晶圓W的搬送，而將基板搬送裝置1的基底21沿著導軌24予以移動，使搬送臂件22位於是一個交接位置的裝載埠61之前。另外，在此圖中，針對與搬送無關之其他裝載埠61係省略記載。蓋件移動手段MH，係可與基底21獨立而將蓋件3予以移動，故蓋件3可設於適當的位置。此外，基底21，係可與蓋件3獨立而動作，使得可輕量且準確度佳地予以動作。
圖7，係繪示如下狀態：從圖6的狀態將裝載埠61的門61a與FOUP62之蓋部62a予以開放，將搬送臂件22予以伸長而使末端執行器23進入FOUP62內。末端執行器23，係邊使作為取出對象之晶圓W的正下方具有些微間隙邊進入，使基底21上升既定量，使得能以末端執行器23持起晶圓W而予以保持。在此狀態下，使蓋件3位於比蓋件移動手段MH靠近FOUP62的前面。此情況下， 藉蓋件接近分離手段MV，而使蓋件3之壁部32的開放端32a(圖13參照)成為高於持起於末端執行器23上之晶圓W的上表面(晶圓面F)之位置。
圖8，係繪示如下狀態：從圖7的狀態縮短搬送臂件22，而將晶圓W(圖7參照)從FOUP62取出。蓋件3係在FOUP62的前面待機，故晶圓W被取出至FOUP62的前面，使得可立刻藉蓋件3而覆蓋晶圓W作成相對之狀態。在此狀態下，藉蓋件接近分離手段MV將蓋件3往下方予以移動，使得在內部空間S晶圓W的上部被稍微收容。再者，藉供氣手段MG(圖13參照)，而開始氣體G的供給，將晶圓W的表面之周圍氣體從目前為止的與晶圓搬送室5內相同之環境空氣置換成氣體G的周圍氣體。裝載埠61，係作成在晶圓W成為不干涉之位置的階段下將門61a與FOUP62之蓋部62a予以關斷，將FOUP62內以氮氣作填滿，作成防止除了被取出之晶圓W以外被收容的晶圓W表面之氧化或水分的附著。
圖9，係繪示如下狀態：從圖8的狀態進一步縮短搬送臂件22，而使末端執行器23(圖7參照)位於在俯視下基底21的中央。與如此之搬送臂件22的動作連動，使得蓋件移動手段MH係將蓋件3予以移動。採取此方式，使得可長時間、效率佳地進行晶圓W(圖7參照)表面之周圍氣體的置換。為此，不會浪費晶圓W之搬送所需的時間。
圖10，係繪示如下狀態：從圖9的狀態將基底21予 以移動，而予以位於是另一個交接位置的預抽室81之前。構成蓋件移動手段MH之蓋件用基底41亦連動於此移動而移動於導軌24上，使得可予以維持成使蓋件3與晶圓W(圖7參照)相對之狀態。為此，呈移動中亦可繼續進行對於晶圓W表面之氣體G的供給。
圖11，係繪示如下狀態：從圖10的狀態將搬送臂件22朝向預抽室81側而伸長，使末端執行器23(圖7參照)位於預抽室81的門81a之前面。此情況下，同樣蓋件移動手段MH使得蓋件3係追隨晶圓W(圖7參照)，維持相對之位置，使得可繼續進行對於晶圓W表面之氣體G的供給。
圖12，係繪示如下狀態：從圖11的狀態，將預抽室81的門81a作開放，將搬送臂件22進一步予以伸長而使末端執行器23進入預抽室內。此情況下，蓋件3係在預抽室81的前面之位置予以停止，同時藉蓋件接近分離手段MV予以上升，使得作成不會干涉於預抽室82、晶圓W及搬送臂件22。從此狀態，使基底21下降，使得可降低搬送臂件22的位置，從而將末端執行器23上之晶圓W移載至預抽室81內。此時，於蓋件3，係亦可採取：為了下個搬送動作而與搬送臂件22之動作獨立，而予以進行如先行移動至下個搬送的晶圓W所存在之位置周邊的準備動作。另外，在搬送無須表面之周圍氣體置換的晶圓W之情況下，係亦可作如予以退避至導軌24的端部附近之用法。
如上所述，採用具備本周圍氣體置換裝置1之晶圓搬送系統TS，使得在將晶圓W從FOUP62搬送至預抽室81時，即使不置換晶圓搬送室5之內部全體的周圍氣體，仍可透過蓋件3而將晶圓W的表面周圍之局部的周圍氣體作置換從而將晶圓W的表面狀態維持為適當。
此外，在將晶圓W從預抽室81搬送至FOUP62之情況下，亦藉反向進行上述之圖6~圖12之動作，使得同樣可將晶圓W的表面周圍之局部的周圍氣體予以置換。
於此，針對蓋件3的具體構造而進行說明。示於圖13~15之蓋件3A~3G的任一類型者皆可採用，可依目的而靈活運用。
示於圖13(a)之蓋件3A，係具備最簡易之構造者，呈從上述之圓盤狀的本體部31之周緣31a將壁部32予以垂下之形態。於上表面31b的中央，係設有以與通常的氣體供給用配管口同樣之方式而構成的供氣口34，使得可通過支撐臂件46(圖2、3參照)而供給氣體G。供氣口34，係連通於內部空間S，可邊將所供給之氣體G予以充滿於內部空間邊向下方放出。此情況下，在氣體G方面採用氮氣之情況下，係具有比空氣輕之性質，故使得可容易從內部空間S將空氣排除而作成提高了內部空間S內的氮氣之濃度的狀態。為此，可在成為氮氣的濃度高至一定以上之狀態後，係將氮氣的供給量予以減少，作成如此亦可維持將晶圓W表面之周圍氣體藉氮氣而置換之狀態。
示於圖13(b)之蓋件3B，係呈基於蓋件3A之構造 而在本體部31之下方設置作為擴散手段的擴散板33者。擴散板33係開設多數個小孔33a者，氣體G係通過該等從而大致均勻擴散而向下方放出。為此，在採用其之情況下，係使得可在晶圓W表面之任一位置，皆適當供給氣體G。
示於圖14(a)之蓋件3C，係基於上述之蓋件3A(圖13參照)的構造而在本體部31之內部設置作為加熱手段的加熱用加熱器35者。如此方式構成，使得可加熱供給之氣體G而供給至晶圓W的表面，可將晶圓W表面之周圍氣體溫度予以上升。為此，可提升晶圓W表面之溫度，而謀求水分的除去。再者，在處理裝置PE(圖1參照)的內部需要升溫之處理的情況下，係亦有關於藉賦予預熱而縮短處理時間。
示於圖14(b)之蓋件3D，係基於上述之3A(圖13參照)的構造而在本體部31之內部作為供以將氣體G擴散用的擴散手段而設置分歧配管37者。藉採取此方式，亦使得可將氣體G均勻擴散而放出，以在晶圓W表面之任一位置皆適當供給氣體G。
示於圖15(a)之蓋件3E，係將上述之蓋件3B(圖13參照)的構造、及蓋件3C(圖14參照)之構造作組合者。採取此方式，使得可將氣體G加熱同時擴散而適當供給至晶圓W表面。此外，如以此例所示擴散板33係可設置複數(圖中2個)個，使得可進一步將氣體G予以擴散而均勻供給。
示於圖15(b)之蓋件3F，係基於上述之蓋件3E的構造而將壁部32的開放端32a於下方作延長者。採取此方式，使得可作成藉內部空間S而不僅晶圓W亦將搬送臂件22全部覆蓋的構成，使得可進一步提高晶圓W周邊之空間所佔的氣體G之濃度。
示於圖15(c)之蓋件3G，係基於上述之蓋件3E的構造，而將加熱手段從加熱器35變更成加熱燈36者。作成如此，亦使得可將氣體G加熱同時擴散而適當供給至晶圓W表面。此外，作成藉加熱燈36而照射之光到達晶圓W，從而作成在不以氣體G作為媒介之下直接將晶圓W的表面予以升溫亦可。
如以上，本實施形態下之周圍氣體置換裝置1，係構成為具備：可相對於經搬送之作為基板的晶圓W而覆蓋此晶圓W之蓋件3、藉蓋件3供給與周邊氣體具有不同的性質之氣體G，將晶圓W表面之周圍氣體藉氣體G而置換之供氣手段MG。
如此方式構成，使得可將蓋件3予以相對於晶圓W，藉蓋件3於晶圓W的表面供給與周邊氣體具有不同的性質之氣體G，而藉氣體G將晶圓W表面之周圍的周圍氣體作置換。為此，適當變更對於晶圓W表面造成影響之周邊氣體使得可迴避對於晶圓W表面的不良影響，且相較於將周圍的周圍氣體全部置換之情況，可削減氣體G的使用量，亦使得可減少氣體G的費用與周圍氣體之置換所需的時間。此外，即使在此氣體G漏出於周圍之情況下， 使用量少因而亦可抑制作業環境的不良化。
再者，本實施形態下之周圍氣體置換裝置1，係使用於作為在複數個交接位置之間藉作為基板搬送裝置的晶圓搬送裝置2而進行晶圓W的搬送之基板搬送系統的晶圓搬送系統TS者，進一步具備與晶圓搬送裝置2獨立而以可移動方式支撐蓋件3之蓋件移動手段MH，構成為正當藉晶圓搬送裝置2將晶圓W予以搬送時，蓋件移動手段MH將蓋件3予以移動至相對於晶圓W的位置。
如此方式構成，使得能以相對於藉晶圓搬送裝置2而搬送之晶圓W的方式，利用蓋件移動手段MH而將蓋件3予以移動，藉蓋件3於晶圓W的表面供給與周邊氣體具有不同的性質之氣體G，而藉氣體G而將晶圓W表面之周圍的周圍氣體作置換。為此，適當變更對於晶圓W表面造成影響之周邊氣體使得可迴避對於晶圓W表面的不良影響，且相較於將晶圓搬送裝置2周圍的周圍氣體全部置換之情況，可削減氣體G的使用量，亦使得可減少氣體G的費用與周圍氣體之置換所需的時間。此外，即使在此氣體G漏出於周圍之情況下，使用量少因而亦可抑制作業環境的不良化。再者，係作成可藉蓋件移動手段MH與晶圓W獨立而移動蓋件3，故可予以進行為了接著被搬送之晶圓W所準備的準備動作，亦可在不需要氣體G的供給之情況係予以退避而當作未使用，更具效率地使用。
此外，構成為具備使蓋件3相對於作為基板面的晶圓面F接近或分開之蓋件接近分離手段MV，故可迴避與晶 圓W或構成晶圓搬送裝置2之搬送臂件22的干涉，且亦可依搬送狀態而予以接近，從而以更少量之氣體G予以進行晶圓W表面周邊的周圍氣體之置換。
再者，蓋件3具備可相對於晶圓W之本體部31與設於本體部31的周緣之壁部32，構成為在藉蓋件接近分離手段MV而將蓋件3予以接近於晶圓W時可在以本體部31與壁部32之間所形成的內部空間S將晶圓W予以收容，故亦可在內部空間S收容了晶圓W之狀態下供給氣體G，使得可將氣體G漏出於晶圓W表面以外之量予以減少，而進一步謀求氣體G的使用量之削減。
此外，構成為供氣手段MG具備供以從外部導入氣體G用的氣體導入口34、及作為從氣體導入口34朝蓋件3的下方使氣體G擴散之擴散手段的擴散板33或分歧配管37，使得可在將氣體導入口34作成與一般配管同樣簡單的構成之下，將氣體G具效果地予以擴散而供給至晶圓W的表面全體以效率佳地將表面之周圍氣體予以置換。
再者，構成為供氣手段MG具備作為加熱氣體G之加熱手段的加熱器35或加熱燈36，使得可對於供給之氣體G作加熱，而將晶圓W的表面作升溫，亦使得可進行水分的除去。此外，在處理裝置PE需要升溫之情況下，係亦可賦予預熱而縮短處理時間。
此外，此實施形態下之作為基板搬送系統的晶圓搬送系統TS，係具備如上述方式而構成之周圍氣體置換裝置1、及晶圓搬送裝置2者，蓋件移動手段MV採取利用構 成晶圓搬送裝置2的一部分之導軌24而構成，故可削減整體的製造成本，同時亦可縮小設備全體的設置空間。此外，亦使得可容易對於僅具備晶圓搬送裝置2之既存的EFEM作附加而構成。
再者，構成為作為基板使用晶圓W，具備上述的晶圓搬送系統TS、及覆蓋此晶圓搬送系統TS之框體51，鄰接於框體51的壁面51a、51b而設定作為交接位置之裝載埠61、預抽室81，使得有效構成為利用設於框體51內之晶圓搬送系統TS，而邊使晶圓W的表面之周圍氣體為適當邊在交接位置間進行搬送的EFEM。
<第2實施形態>
圖16，係繪示第2實施形態的周圍氣體置換裝置101之示意圖。在此情況下，亦周圍氣體置換裝置101係與是基板搬送裝置之晶圓搬送裝置2一起構成是基板搬送系統之晶圓搬送系統TS。在此圖中，對於與第1實施形態相同的部分係附加相同的符號，省略說明。
在本實施形態下晶圓搬送裝置2，係呈在第1實施形態下說明者相同者，僅為周圍氣體置換裝置101的構造不同。
圖16(a)，係示意性繪示從構成晶圓搬送裝置2之導軌24(圖1參照)延伸的方向觀看晶圓搬送系統TS之情況下的位置關係。
周圍氣體置換裝置101，係從設定於構成晶圓搬送室 5之框體51的頂面51，在透過蓋件支撐手段104而吊下之狀態下被支撐。蓋件支撐手段104，係具備：沿著導軌24(圖1參照)而將蓋件3於水平予以移動之蓋件移動手段MH、及將蓋件3於上下方向予以移動從而使蓋件3相對於晶圓面F而接近或分開之蓋件接近分離手段MV。
蓋件3，係具備本體部131與設於其周緣並垂下之壁部132，藉此等而形成下方開放之內部空間S。此外，於本體部131的上表面131b之中央係設有供氣口134，使得可透過蓋件支撐手段104供給氣體G。本體部131，係具備擴散板33並呈可邊將所供給之氣體G予以擴散邊向下方供給。
此外，如圖16(b)所示，作成在縮短搬送臂件22而與末端執行器23一起使晶圓W位於基底21上時，蓋件3可從上方覆蓋搬送臂件22整體，收容於內部空間S。採取此方式，使得可進一步提高在晶圓W的周邊之氣體G的濃度，而進一步提高因周圍氣體置換而得之效果。
在如此構成之情況下，亦具備可相對於經搬送之晶圓W而覆蓋此晶圓W之蓋件3、及藉蓋件3而供給與周邊氣體為不同的氣體G並具備將晶圓W表面之周圍氣體藉氣體G而置換之供氣手段MG的周圍氣體置換裝置101，故可獲得符合上述之第1實施形態的效果，且可進一步提高周圍氣體置換裝置101與晶圓搬送裝置2之獨立性。
亦即，在本實施形態下，係構成為作為基板使用晶圓W，具備有具備周圍氣體置換裝置101與晶圓搬送裝置2 之晶圓搬送系統TS、及覆蓋此基板搬送系統TS之框體51，將蓋件移動手段MH予以支撐於設在框體內的頂面51c，鄰接於框體51的壁面51a、51b而設定作為交接位置之裝載埠61、預抽室81，使得可有效構成為在不干涉於設在框體51內之晶圓搬送裝置2的情況下，可容易將周圍氣體置換裝置101以高自由度予以移動，進行晶圓W的搬送之EFEM。
<第3實施形態>
圖17，係示意性繪示第3實施形態下之晶圓搬送系統TS的構成者。在此圖中，對於與第1實施形態和第2實施形態相同的部分係附加相同的符號，省略說明。此晶圓搬送系統TS，係採用在第2實施形態下所說明之周圍氣體置換裝置101，呈變更了晶圓搬送裝置202的構造者。
具體而言，在構成晶圓搬送裝置202並支撐搬送臂件22之基底221的上部，設置圓板狀之蓋件支承構材225。蓋件支承構材225，係作成在俯視下比蓋件103稍大之直徑，在蓋件103朝下方移動之情況下，蓋件103的壁部132之開放端132a與蓋件支承構材225的上表面225a之間接近，使得可協作而將內部空間S大致關斷。採取此方式，使得亦可在對於內部空間S供給氣體G之情況下進一步提高氣體G的濃度，將因周圍氣體置換所得之效果予以增大。
當然，亦可將開放端132a與上表面225a予以接觸，作成在藉氣體G之周圍氣體的置換結束後予以進行兩者之接觸而作密閉時，即使停止氣體G的供給仍可在置換了周圍氣體之狀態下作維持，晶圓W的表面亦不會受到汙染。
在如以上構成之情況下，亦具備相對於經搬送之晶圓W而覆蓋此晶圓W之蓋件3、及藉蓋件3而供給與周邊氣體為不同的氣體G並具備將晶圓W表面之周圍氣體藉氣體G而置換之供氣手段MG的周圍氣體置換裝置101，故可獲得符合上述之第1實施形態及第2實施形態的效果。再者，在將蓋件103予以接近於晶圓W時，構成為將蓋件103的壁部132之開放端132a接近或抵接使得可協作而將內部空間S大致關斷之蓋件支承構材225設於晶圓搬送裝置202側，故在蓋件103與蓋件支承構材225之間形成大致關斷空間，於其內部收容晶圓W，使得可進一步削減氣體G的使用量。
<第4實施形態>
第4實施形態的基板搬送裝置，係如以圖18繪示構成為晶圓搬送裝置302，呈搬送作為基板之晶圓W者。在此圖中，亦對於與第1~第3實施形態相同的部分係附加相同的符號。然後，藉包圍其之框體51而構成大致閉止之晶圓搬送室5，鄰接於其中一個壁面51a而設有複數個(圖中4個)裝載埠61~61，藉此等與上述晶圓搬送裝 置302而構成EFEM。另外，在圖中係示意性繪示在裝載埠61上載置FOUP62之狀態。各裝載埠61係具備門61a，此門61a與設於FOUP62之蓋部62a連結而一起移動，使得呈FOUP62對於晶圓搬送室5開放。於FOUP62內，係於上下方向設置多數個成對而支撐1個晶圓W的載置部62b、62b，利用此等因而可收納多數個晶圓W。此外，於FOUP62內係通常填充氮氣，同時呈亦可透過裝載埠61而對於FOUP62內之周圍氣體作氮置換。
此外，於構成EFEM之晶圓搬送室5，係呈可連接鄰接於與裝載埠61對向之壁面51b而構成處理裝置PE的一部分之預抽室81，將預抽室81的門81a作開放，使得可作成將晶圓搬送室5與預抽室81連通之狀態。處理裝置PE方面係可使用各種裝置，一般而言，呈如下構成：與預抽室81鄰接而設置搬送室82，進一步與搬送室82鄰接而設置複數(圖中3個)個處理單元83。在搬送室82、預抽室81和處理單元83~83之間，係分別設有門82a、83a~83a，將此等開放使得可將各者之間予以連通，使得可利用設置於搬送室82內之搬送機器人82b而在預抽室81及處理單元83~83之間使晶圓W移動。
圖19、圖20，係放大繪示在本實施形態下之晶圓搬送裝置302的示意圖，圖19(a)係將各部分設定於基準位置時之平面圖，圖19(b)係在該狀態下之正面圖。此外，圖20(a)，係針對為了使後述之搬送臂件322進入FOUP62內而予以伸長之狀態作繪示的平面圖，圖20 (b)係在該狀態下之正面圖。以下，利用圖19及圖20，而說明有關於晶圓搬送裝置302的構成。
晶圓搬送裝置302，係具備：以與壁面51a、51b(參照圖18)成為平行的方式直線狀配置於晶圓搬送室5之底面的導軌324；作成支撐於導軌324上、可沿著此導軌324移動之基底321；在基底321上被支撐之搬送臂件322；及藉蓋件支撐手段304而在搬送臂件322之上方被支撐的蓋件303。
搬送臂件322，係可採取普遍知悉的各種構造，例如可適當使用SCARA型的水平多關節機器人、或鏈接式之機器人臂件等。在此實施形態下，係構成為將搬送臂件322藉複數個臂件要素322a~322c構成，將此等予以相對移動，從而可將搬送臂件322整體予以伸長。在末端的臂件要素322c之前端係設有形成為U字形的板狀之末端執行器323，使得可於其上部載置晶圓W。此外，搬送臂件322係相對於基底321，而使得可水平迴旋，使得亦可使末端執行器323朝向壁面51a、51b的任一方向。
如上述方式構成，使得晶圓搬送裝置302係可將載置於構成搬送臂件322之末端執行器323上的晶圓W，予以移動於平行於壁面51a、51b之方向、正交之方向的2軸。再者，基底321係呈亦可升降動作，將此動作予以組合，使得可藉末端執行器323而抬起晶圓W，亦可將末端執行器323上之晶圓W予以移載至既定的交接位置。亦即，本實施形態下之基底321係在導軌324上支撐搬送臂 件322者，同時採用組裝於內部之致動器(未圖示)，使得可使搬送臂件322進行沿著導軌324之移動、向壁面51a、51b之伸縮動作、及升降動作。於本實施形態下之EFEM，係設置於複數個裝載埠61之FOUP62及對向於其的預抽室81(圖18參照)設定為供以交接晶圓W用的交接位置，使得可在此等之間利用晶圓搬送裝置302而將晶圓W予以移動。
在本實施形態下之晶圓搬送裝置302，係在如上所述具備設於搬送臂件322上之蓋件303、及在基底321上支撐此蓋件303之蓋件支撐手段304方面具有重大特徵。
蓋件303，係呈由圓盤狀的本體部331與從其周緣向下方而延伸之壁部332所構成之頭巾狀的形態。並且，形成為俯視下稍大於晶圓W，作成可覆蓋晶圓W之大小。為此，使得亦可在藉本體部331與壁部332而形成之開放於下方的內部空間S(圖24參照)內，收容晶圓W。
蓋件303，係如後詳述可採取各種的構造，惟於此係採用示於圖24(b)之蓋件303B的構造者。亦即，在上表面331b的中央設有供氣口334，使得可將從不圖示之供氣源通過供氣口334而供給的氣體G，邊藉擴散板333予以擴散邊向下方放出。供氣源，係呈可選擇性變更氣體G的供給與供給停止，作成可僅在必要時供給氣體G。此外，亦可構成為變更供給壓力或流量。藉此等供氣源、從供氣口334至擴散板333之蓋件303內所具備的氣體G之供給構造，構成供以從蓋件303供給氣體G用的供氣手段 MG。於此，係採取在氣體G方面採用氮氣。
返回圖19、20，蓋件支撐手段304係由予以於導軌324延伸之方向分開、在不干涉於搬送臂件322之適當的位置予以從基底321站立之一對的支柱341、341、及藉此等而於上下方向分別以可移動的方式支撐之升降滑車342、342所構成。升降滑車342、342係支撐蓋件303的本體部331之上表面331b(圖24參照)。
於此，將從90度不同之角度觀看示於圖19(a)、(b)之晶圓搬送裝置302的圖繪示於圖21(a)。基底321，係如上所述，作成被藉導軌24而以可移動的方式支撐，支撐搬送臂件322，同時可使此搬送臂件322進行伸縮動作和升降動作。上述之一對的支柱341、341，係呈從基底321的側面伸出於沿著導軌324之方向後向上方站立者，呈上述升降滑車342、342在此支柱341、341的上部被支撐。
另外，代替如此作成之構成，亦可作成如圖21(b)所示之晶圓搬送裝置702的構造。亦即，使基底721，由具備沿著導軌324之移動機構的直動平板部721a、及具備供以予以進行搬送臂件322之伸縮動作和升降動作用的機構之本體部721b所構成，亦可使供以支撐蓋件303用的蓋件支撐手段704，由從直動平板部721a向上方予以站立之支柱741、及於其上部以可升降的方式予以支撐之升降滑車742所構成。
返回圖19、20，本實施形態下之構成晶圓搬送裝置 302的蓋件303，係與搬送臂件322相同在基底321上被支撐，因而可與搬送臂件322一起沿著導軌324移動。再者，藉支柱341與升降滑車342之相對移動而將蓋件303予以移動於上下方向，使得可相對於作為晶圓W的形成表面之基板面的晶圓面F，而將蓋件303予以接近或分開。亦即，在功能上看待此等支柱341及升降滑車342之情況下，此等係可說是構成相對於晶圓面F而將蓋件303予以接近分離之蓋件接近分離手段MV。
再者，對於設在蓋件303之供氣口334，係連接著從上述之供氣源供給氣體G之配管343。
如上所述，此實施形態之晶圓搬送裝置302，係具備可相對於經搬送之晶圓W而覆蓋此晶圓W之蓋件303、及藉蓋件303而供給與周邊氣體為不同的氣體G、將晶圓W表面之周圍氣體藉氣體G而置換之供氣手段MG，如同上述之第1~第3實施形態，可說是具備包含蓋件303及供氣手段MG而構成之周圍氣體置換裝置。
將如上述方式而構成之晶圓搬送裝置302，藉控制器Cp(圖18參照)進行控制並予以動作，使得可作成如下而進行晶圓W的搬送。控制器Cp係作為控制EFEM整體者而被以適當方式構成，呈與搬送臂件322的動作同步而藉蓋件接近分離手段MV使蓋件303移動，同時可藉供氣手段MG而從蓋件303進行氣體G的供給。
於此，係作為一例，說明有關於從連接於是一個交接位置之裝載埠61的FOUP，將晶圓W搬送至預抽室81的 情況。
亦即，如圖22所示，晶圓搬送裝置302係將基底321予以沿著導軌324移動，使搬送臂件322位於是一個交接位置的裝載埠61之前。然後，將此裝載埠61的門61a、及連接於其的FOUP62之蓋部62a予以開放，將搬送臂件322予以伸長而使末端執行器323進入FOUP62內。此情況下，如圖20所示，末端執行器323係邊使作為取出對象之晶圓W的正下方具有些微間隙邊進入，使基底321上升既定量，使得能以末端執行器323持起晶圓W而予以保持。在此時間點，係藉蓋件接近分離手段MV，而使得蓋件303之壁部332的開放端332a(圖24參照)高於持起於末端執行器323上之晶圓W的上表面(晶圓面F)之位置。
然後，如圖19所示，縮短搬送臂件322，而使保持於末端執行器323之晶圓W位於基底321的上方。採取此方式，使得晶圓W係成為與蓋件303相對。在此狀態下，利用蓋件接近分離手段MV將蓋件303往下方予以移動，從而作成在蓋件303之內部空間S晶圓W的上部被稍微收容。再者，藉供氣手段MG(圖24參照)，而開始氣體G的供給，將晶圓W的表面之周圍氣體從目前為止的與晶圓搬送室5內相同之環境空氣置換成氣體G的周圍氣體。
此情況下，蓋件303係如上所述呈在俯視下稍大於晶圓W之形狀，故即使在內部空間S內收容了晶圓W之情 況下，亦在晶圓W的周圍形成間隙。為此，從供氣口334供給氣體G，使得形成晶圓W的上表面之周圍氣體的空氣係從晶圓W的周圍之間隙效率佳地排出至外部，可將內部空間S之周圍氣體藉氮氣而置換。
此外，裝載埠61，係在晶圓W成為不干涉之位置的階段下將門61a與FOUP62之蓋部62a予以關斷，作成將FOUP62內以氮氣作填滿，作成防止除了被取出之晶圓W以外被收容的晶圓W表面之氧化或水分的附著。
如上述與晶圓W的表面之周圍氣體的置換並進，而將基底321予以沿著導軌324移動，到達預抽室81之前。將晶圓W的表面之周圍氣體的置換與搬送的一部分並進，使得不會發生時間的增加。
然後，如圖23所示，將預抽室81的門81a(圖22參照)予以開放，而於此內部使搬送臂件322的末端執行器323進入。此情況下，蓋件303係作成藉蓋件接近分離手段MV予以上升，使得不會干涉於晶圓W及搬送臂件322。然後，使基底321下降使得可降下搬送臂件322的位置，從而將末端執行器323上之晶圓W移載至預抽室81內。
如上所述，利用此晶圓搬送裝置302，使得在將晶圓W從FOUP62搬送至預抽室81時，即使不置換晶圓搬送室5之內部全體的周圍氣體，仍可透過蓋件303而將晶圓W的表面周圍之局部的周圍氣體作置換從而將晶圓W的表面狀態維持為適當。
此外，在將晶圓W從預抽室81搬送至FOUP62之情況下，亦反向予以進行上述之動作，使得同樣可將晶圓W的表面周圍之局部的周圍氣體予以置換。
於此，針對蓋件303的具體構造而進行說明。示於圖24~26之蓋件303A~303G的任一類型者皆可採用，可依目的而靈活運用。
示於圖24(a)之蓋件303A，係具備最簡易之構造者，呈從上述之圓盤狀的本體部331之周緣331a將壁部332予以垂下之形態。於上表面331b的中央，係設有以與通常的氣體供給用配管口同樣之方式而構成的供氣口334，使得可通過配管343(圖19、20參照)而供給氣體G。供氣口334，係連通於內部空間S，可邊將所供給之氣體G予以充滿於內部空間S邊向下方放出。此情況下，在氣體G方面採用氮氣之情況下，係具有比空氣輕之性質，因而可容易從內部空間S將空氣排除而作成提高了內部空間S內的氮氣之濃度的狀態。為此，可在成為氮氣的濃度高至一定以上之狀態後，係將氮氣的供給量予以減少，作成如此亦可維持將晶圓W表面之周圍氣體藉氮氣而置換之狀態。
示於圖24(b)之蓋件303B，係呈基於蓋件303A之構造而在本體部331之下方設置作為擴散手段的擴散板333者。擴散板333，係開設多數個小孔333a者，氣體G係通過該等從而大致均勻擴散而向下方放出。為此，在採用其之情況下，係使得可在晶圓W表面之任一位置，皆 適當供給氣體G。
示於圖25(a)之蓋件303C，係基於上述之蓋件303A(圖24參照)的構造而在本體部331之內部設置作為加熱手段的加熱用加熱器335者。如此方式構成，使得可加熱供給之氣體G而供給至晶圓W的表面，可將晶圓W表面之周圍氣體溫度予以上升。為此，可提升晶圓W表面之溫度，而謀求水分的除去。再者，在處理裝置PE(圖18參照)的內部需要升溫之處理的情況下，係亦有關於藉賦予預熱而縮短處理時間。
示於圖25(b)之蓋件303D，係基於上述之303A(圖24參照)的構造而在本體部331之內部作為供以將氣體G擴散用的擴散手段而設置分歧配管337者。藉採取此方式，亦使得可將氣體G均勻擴散而放出，而在晶圓W表面之任一位置皆適當供給氣體G。
示於圖26(a)之蓋件303E，係將上述之蓋件303B(圖24參照)的構造、及蓋件303C(圖25參照)之構造作組合者。採取此方式，使得可將氣體G加熱同時擴散而適當供給至晶圓W表面。此外，如以此例所示擴散板333係可設置複數(圖中2個)個，使得可進一步將氣體G予以擴散而均勻供給。
示於圖26(b)之蓋件303F，係基於上述之蓋件303E的構造，而將壁部332的開放端332a於下方作延長者。採取此方式，使得可作成藉內部空間S而不僅晶圓W亦將搬送臂件322全部覆蓋的構成，使得可進一步提高晶 圓W周邊之空間所佔的氣體G之濃度。
示於圖26(c)之蓋件303G，係基於上述之蓋件303E的構造，而將加熱手段從加熱器335變更成加熱燈336者。作成如此，亦使得可將氣體G加熱同時擴散而適當供給至晶圓W表面。此外，作成藉加熱燈336而照射之光到達晶圓W，從而作成在不以氣體G作為媒介之下直接將晶圓W的表面予以升溫亦可。
如以上，在本實施形態下之作為基板搬送裝置的晶圓搬送裝置302，係具備與以第1~第3實施形態所述之周圍氣體置換裝置1、101同樣的周圍氣體置換裝置。更具體而言，呈包含可與經搬送之作為基板的晶圓W相對而覆蓋此晶圓W之蓋件303、及藉蓋件303供給與周邊氣體具有不同的性質之氣體G、具備將晶圓W表面之周圍氣體藉氣體G而置換之供氣手段MG的周圍氣體置換裝置。再且，本實施形態之晶圓搬送裝置302，係構成為如下者：進一步具備藉基底321而支撐並保持晶圓W而搬送之搬送臂件322、及設於與搬送臂件322相同的基底321之支柱341，蓋件303係透過支柱341而配置於可與搬送臂件322相對之位置。
如此方式構成，使得可在正當藉搬送臂件322將晶圓W予以搬送時，藉供氣手段MG而從配置於搬送臂件322的上方之蓋件303，於晶圓W的表面供給與周邊氣體具有不同的性質之氣體G，而藉氣體G而將晶圓W表面之周圍的周圍氣體作置換。為此，適當變更晶圓W表面之周 邊氣體，使得可抑制周圍氣體所致的不良影響，且相較於將晶圓搬送裝置302周圍的周圍氣體全部置換之情況，可削減氣體G的使用量，亦可減少氣體G的費用、周圍氣體的置換所需的時間。此外，即使在此氣體G漏出於周圍之情況下，使用量少因而亦可抑制作業環境的不良化。再者，係具備供氣手段MG之蓋件303設於與搬送臂件322相同的基底321，因而亦可將整體緊緻化而抑制設置面積。
然後，構成為具備使蓋件303相對於作為基板面的晶圓面F接近或分開之蓋件接近分離手段MV，故藉蓋件接近分離手段MV而使蓋件303動作，從而可迴避與晶圓W或搬送臂件322及蓋件303之干涉，且亦可依搬送狀態而將蓋件303予以接近於晶圓W，以更少量之氣體G予以進行晶圓W表面周邊的周圍氣體之置換。
此外，構成為蓋件303具備可相對於晶圓W之本體部331與設於本體部331的緣部331a之壁部332，在藉蓋件接近分離手段MV而將蓋件303予以接近於晶圓W時可在以本體部331與壁部332之間所形成的內部空間S將晶圓W予以收容，使得可藉設於蓋件303之壁部332，將氣體G漏出於晶圓W表面以外之量予以減少，亦可進一步謀求氣體G的使用量之削減。
再者，構成為具備將基底321以可移動方式而支撐之導軌24，故無須縮短搬送臂件322，而可擴大使晶圓W為可搬送之範圍，且可附隨於基底321而將搬送臂件322 與蓋件303予以同時移動，故在將晶圓W予以搬送於沿著導軌324之方向的情況下，係可繼續而進行晶圓W表面之周圍氣體的置換。
此外，構成為供氣手段MG具備供以從外部導入氣體G用的氣體導入口334、及作為從氣體導入口34朝蓋件303的下方使氣體G擴散之擴散手段的擴散板333或分歧配管337，使得可在將氣體導入口334作成與一般配管同樣簡單的構成之下，將氣體G具效果地予以擴散而供給至晶圓W的表面全體以效率佳地將表面之周圍氣體予以置換。
再者，係構成為供氣手段MG具備作為加熱氣體G之加熱手段的加熱器335或加熱燈336，使得可對於供給之氣體G作加熱，而將晶圓W的表面作升溫，亦可進行水分的除去。此外，在處理裝置PE需要升溫之情況下，係亦可賦予預熱而縮短處理時間。
再者，構成為作為基板使用晶圓W，具備上述之晶圓搬送裝置302、及覆蓋此之框體51，鄰接於框體51的壁面51a、51b而設定作為供以交接晶圓W用之交接位置的裝載埠61、及預抽室81，使得有效構成為利用設於框體51內之晶圓搬送裝置302，而邊使晶圓W的表面之周圍氣體為適當邊在交接位置間進行搬送的EFEM。
<第5實施形態>
圖27，係繪示第5實施形態的作為基板搬送裝置之 晶圓搬送裝置402的示意圖。在此圖中，對於與第4實施形態相同的部分係附加相同的符號，省略說明。
在本實施形態下之晶圓搬送裝置402，係使支撐搬送臂件322之基底421的形狀為俯視大致矩形狀，同時使支撐蓋件303之蓋件支撐手段404的構造與第4實施形態不同。
具體而言，於搬送臂件322的側方使支柱441站立，於該支柱441之上部，設置延伸於與導軌324正交之水平方向的蓋件用軌444，於此蓋件用軌444可動滑車445被以可移動的方式而支撐。採取此方式，使得可動滑車445係可移動於相對於壁面51a、51b(圖18參照)而正交之方向。再者，於可動滑車445係升降滑車446被支撐為可移動於垂直方向，藉此升降滑車446而支撐著蓋件303。
如上述方式構成，使得蓋件用軌444及可動滑車445，係作成可藉搬送臂件322而使蓋件303追隨於被移動之晶圓W而動作，藉此等而構成蓋件移動手段MH。此外，升降滑車446相對於可動滑車445而相對移動從而使蓋件303可移動於上下方向，藉此等，從而構成相對於晶圓面F而將蓋件303予以接近分離之蓋件接近分離手段MV。
對於設在此蓋件303之供氣口334，係連接著來自前述的供氣源之配管443。
如此之晶圓搬送裝置402亦藉控制器Cp(圖18參照)進行控制並予以動作，使得可作成如下而進行晶圓W 的搬送。此情況下，控制器Cp係與搬送臂件322的動作同步而藉蓋件移動手段MH與蓋件接近分離手段MV使蓋件303移動，同時藉供氣手段MG而從蓋件303進行氣體G的供給。
首先，如圖28所示，可藉蓋件移動手段MH而使蓋件303移動至裝載埠61的正前。為此，在將搬送臂件322予以伸長而予以進入FOUP62之內部並取出晶圓W時，預先使蓋件303待機於FOUP62的前面，晶圓W從FOUP62取出後可立刻藉蓋件303而覆蓋晶圓W作成相對之狀態。在此狀態下，作成利用蓋件接近分離手段MV使蓋件303接近晶圓W而供給氣體G時，可縮短晶圓W曝露於環境空氣之時間。
然後，與縮短搬送臂件322之動作連動，而藉蓋件移動手段MH使蓋件303移動，經歷圖27的狀態，而在使晶圓W與蓋件303相對之狀態下持續供給氣體G，直到予以移動至是再一個交接位置之預抽室81(圖2參照)的前面。蓋件303係在預抽室81的正前停止連動於搬送臂件322之動作，藉蓋件接近分離手段MV而上升。然後晶圓W係藉搬送臂件322而移載至預抽室81的內部。
如上所述，在本實施形態下之晶圓搬送裝置402，係可獲得與第4實施形態同樣的作用效果，同時可更長時間對於利用了搬送臂件322的搬送中之晶圓W，供給氣體G，可進一步提高晶圓W表面之因周圍氣體置換所得的效果。再者，可邊使蓋件303為與晶圓W大致相同的大小 之小型者邊具效果地供給氣體G，故亦可迴避氣體G的浪費。
如以上，在本實施形態下之晶圓搬送裝置402，係具備可相對於經搬送之晶圓W而覆蓋此晶圓W之蓋件303、及藉蓋件303而供給與周邊氣體為不同的氣體G、將晶圓W表面之周圍氣體藉氣體G而置換之供氣手段MG，故如同上述之實施形態，可說是具備包含蓋件303及供氣手段MG而構成之周圍氣體置換裝置，可獲得符合上述之實施形態的效果。
再者，構成為具備將蓋件303以可移動於與導軌324正交之方向的方式而支撐之蓋件移動手段MH，故與搬送臂件322的動作連動而藉蓋件移動手段MH使蓋件303移動，使得可更長時間覆蓋晶圓W，可進一步提高晶圓W表面之因周圍氣體置換所得的效果。此外，亦可將蓋件303小型化而進一步削減氣體G的供給量。
<第6實施形態>
圖29，係繪示第6實施形態的晶圓搬送裝置502之示意圖。在此圖中，對於與第4實施形態及第5實施形態相同的部分係附加相同的符號，省略說明。
在本實施形態下之晶圓搬送裝置502，係在基底321上藉蓋件支撐手段504而被支撐之蓋件503呈俯視大致長方形狀方面具有特徵。具體而言，蓋件503係呈如下者：配置為使長邊方向與導軌324正交，短邊夾著導軌324而 分別接近是一個交接位置的裝載埠61所鄰接之壁面51a、及是另一個交接位置的預抽室81所鄰接之壁面51b。此外，短邊的長度係採取稍大於基底321。
圖30、圖31，係放大繪示在本實施形態下之晶圓搬送裝置502的示意圖，圖30(a)係將各部分設定於基準位置時之平面圖，圖30(b)係在該狀態下之正面圖。此外，圖31(a)，係針對為了使後述之搬送臂件322進入FOUP62內而予以伸長之狀態作繪示的平面圖，圖31(b)係在該狀態下之正面圖。在此等圖中，對於與第4實施形態及第5實施形態相同的部分係附加相同的符號，省略說明。
以下，利用圖30及圖31，而說明有關於晶圓搬送裝置502的構成。
此晶圓搬送裝置502，係具備俯視大致長方形狀的蓋件503，於其下方配有搬送臂件322。蓋件503，係藉蓋件支撐手段504而在基底321上被支撐，可與沿著導軌324之基底321的動作一起移動。
蓋件503係是長方形狀以外的構造，係具備大致與上述之蓋件303B(圖24參照)大致相同的構造，由形成為矩形狀之本體部531、及以從其周緣垂下的方式而設之壁部532所構成，藉此等而形成向下方開放之內部空間S。其中，為了在長邊方向不會發生氣體G的供給量成為極度不均勻，採取：於本體部531的上表面531b，係除了設於中央之供氣口534以外，在從此於長邊方向予以往兩側 分開之位置設置供氣口534、534，對於此等合計3地方之供氣口534~534將供氣用的配管543予以分歧而連接。藉此方式，可從長邊方向的3地方供給氣體G，可將向蓋件503的下方而供給之氣體G的分布作均勻化。當然，供氣口534，係不限於3地方而亦可設置於4地方以上。另外，如同圖24，而亦針對供氣手段MG而構成。
蓋件支撐手段504，係與上述的第4實施形態下之蓋件支撐手段4(圖19參照)同樣而構成，由予以於導軌324延伸之方向分開、在基底321上予以站立之一對的支柱541、541、及藉此等而於上下方向以可移動的方式分別支撐之升降滑車542、542所構成。然後，升降滑車542、542係支撐蓋件503的本體部531之上表面531b。在功能上看待此等支柱541及升降滑車542之情況下，此等係可說是構成相對於晶圓面F而將蓋件503予以分離之蓋件接近分離手段MV。
在從FOUP62取出晶圓W之情況下，係如圖30所示，首先，將基底321予以位於FOUP62之前側。此情況下，變成蓋件503的短邊之中的一者位於裝載埠61的門61a之正前。
從此狀態，將裝載埠61的門61a與FOUP62之蓋部62a開放，如圖31所示，將搬送臂件322予以伸長而使末端執行器323進入FOUP62內。在此狀態下使基底部321上升，使得可在末端執行器323上保持晶圓W。
圖32，係繪示在此狀態下之EFEM整體的平面圖， 從此狀態縮短搬送臂件322而將晶圓W取出至FOUP62之外。蓋件503，係延伸至FOUP62之正前，故晶圓W被取出至FOUP62外後立刻晶圓W與蓋件503係成為相對的位置關係。在此狀態下，蓋件503係藉蓋件接近分離手段MV(圖30、31參照)而移動往下方，藉內部空間S而收容晶圓W的上方之一部分。再者，藉供氣手段MG(圖24參照)而開始氣體G的供給。
搬送臂件322係進一步縮短，而成為晶圓W位於基底321的上方之狀態。在此過程中，氣體G持續供給於晶圓W的表面，使得晶圓W的表面之周圍氣體係繼續藉氣體G而置換。此情況下，作成配合利用了搬送臂件322之晶圓W的移動，而適當選擇供氣口534~534之中的任一者，以變更氣體G的供給目的地時，亦可進一步削減氣體G的供給量。
再者，基底321，係沿著導軌324而移動至預抽室81之前。然後，在繼續氣體G的供給之下，將搬送臂件322予以移動至預抽室81的前面。之後，為了不使蓋件503干涉搬送臂件322和晶圓W而將蓋件503予以稍微上升，同時將預抽室81的門81a作開放，圖33所示將搬送臂件322進一步予以伸長而使末端執行器323進入預抽室81內。此情況下，蓋件503，係延伸為短邊的一方亦接近於預抽室81側，故利用了氣體G的晶圓W表面之周圍氣體的置換係可繼續而進行至緊接著晶圓W進入預抽室81之前，使得更長時間進行周圍氣體的置換因而可縮短晶圓 W表面接觸於空氣之時間。從此狀態，使基底321下降，使得可降下搬送臂件322的位置而將晶圓W載置於預抽室81內。
在使用此晶圓搬送裝置502之情況下，亦如同上述之實施形態，即使不置換晶圓搬送室5之內部全體的周圍氣體，仍可透過蓋件503而將晶圓W的表面周圍之局部的周圍氣體作置換從而將晶圓W的表面狀態維持為適當。此外，在將晶圓W從預抽室81搬送至FOUP62之情況下，亦反向予以進行上述之動作，使得同樣可將晶圓W的表面周圍之局部的周圍氣體予以置換。
如以上在本實施形態下之晶圓搬送裝置502，係具備可相對於經搬送之晶圓W而覆蓋此晶圓W之蓋件503、及藉蓋件503而供給與周邊氣體為不同的氣體G、將晶圓W表面之周圍氣體藉氣體G而置換之供氣手段MG，故如同上述之實施形態，可說是具備包含蓋件503及供氣手段MG而構成之周圍氣體置換裝置，可獲得符合上述之實施形態的效果。
再者，構成為作為在與搬送臂件322之間交接晶圓W的交接位置之裝載埠61與預抽室81設定於夾著導軌324的兩側，蓋件503延伸於與導軌324正交之方向，故可在相對於導軌324延伸之方向及正交於其的方向之2軸而予以搬送晶圓W時，將搬送中之晶圓W的表面藉蓋件503而長時間覆蓋，使得可為簡單的構成之下對於搬送中之基板表面有效供給氣體G。
<第7實施形態>
圖34，係示意性繪示在第7實施形態下之晶圓搬送裝置602的構造者。在此圖中，對於與第4~第6實施形態相同的部分係附加相同的符號，省略說明。
此晶圓搬送裝置602，係呈如下者：基於第4實施形態下之晶圓搬送裝置302(圖19參照)的構成，而變更蓋件603的形狀，同時在基底321的上部設置蓋件支承構材625。
具體而言，蓋件603，係由圓盤上之本體部631、及以從其周緣垂下的方式而形成之壁部632所構成，藉此等而形成開口於下方之內部空間S。本體部631係形成為大於第4實施形態之蓋件303(圖19參照)，呈搬送臂件322在基底321上被縮短之狀態下，可將此整體收容於內部空間S。
此外，於基底321的上部，係設有圓板狀之蓋件支承構材625。蓋件支承構材625，係作成在俯視下比蓋件603稍大之直徑，在蓋件603朝下方移動之情況下，蓋件603的壁部632之開放端632a與蓋件支承構材625的上表面625a之間接近，使得可協作而將內部空間S大致關斷。採取此方式，使得在對於內部空間S供給氣體G之情況下進一步提高氣體G的濃度，亦可將因周圍氣體置換所得之效果予以增大。
當然，亦可將開放端632a與上表面625a予以接觸， 作成在藉氣體G之周圍氣體的置換結束後予以進行兩者之接觸而作密閉時，即使停止氣體G的供給仍可在置換了周圍氣體之狀態下作維持，晶圓W的表面亦不會受到汙染。
在如以上構成之情況下，亦具備可相對於經搬送之晶圓W而覆蓋此晶圓W之蓋件603、及藉蓋件603而供給與周邊氣體為不同的氣體G、將晶圓W表面之周圍氣體藉氣體G而置換之供氣手段MG，故如同上述之實施形態，可說是具備包含蓋件603及供氣手段MG而構成之周圍氣體置換裝置，可獲得符合上述之實施形態的效果。
再者，構成為在將蓋件603予以接近於晶圓W時，將蓋件603的壁部632之開放端632a接近或抵接使得可協作而將內部空間S大致關斷之蓋件支承構材625設於基底321，故在蓋件603與蓋件支承構材625之間形成大致關斷空間，於其內部收容晶圓W，使得可進一步削減氣體G的使用量。
另外，各部分之具體的構成，係非僅限定於上述之實施形態者。
例如，在上述之實施形態下，係在供以置換晶圓W周邊之周圍氣體用的氣體G方面使用了氮氣，惟可依處理而採用空氣或臭氧等各種各樣的氣體G。在晶圓搬送室5內係採取潔淨環境，只要為具有與構成此周圍氣體之空氣不同的性質者，採用更高潔淨度之清淨空氣，或藉加熱手段而提高溫度之空氣皆可使用。
此外，在上述之實施形態下，係採取在蓋件3(103、303、503、603)所具備之內部空間S將晶圓W的一部分或整體予以收容之狀態下供給氣體G，惟不在蓋件3(103、303、503、603)內收容晶圓W，而採取將蓋件3(103、303、503、603)予以接近於晶圓W表面的狀態下供給氣體G亦可獲得符合上述之效果。再者，採取將蓋件3(103、303、503、603)僅以本體部31(131、331、531、631)構成，不具有垂下之壁部32(132、332、532、632)的構成，亦可獲得同樣之效果。
再者，利用了蓋件供給手段MG之氣體G的供給開始或供給停止之時間點，係可依處理程序而適當變更。具體而言，亦可採取從FOUP62取出後，數秒後開始氣體G的供給，亦可採取依在蓋件3(103、303、503、603)內之氣體G的濃度而變更供給量。再者，將供給氣體G之情況僅限定於從預抽室81取出處理後的晶圓W而返回FOUP62內之路徑，亦可獲得符合上述之效果。
在上述之實施形態下，係採取在裝載埠61上的FOUP62與預抽室81間進行晶圓W的交接者，惟本發明係不限定於此形態而亦可適用於在FOUP62彼此之間進行搬送的情況下。再者，晶圓W的交接位置係不僅予以於水平方向分開而配置者，亦考量予以於上下方向分開而配置之情況，在採取此方式之情況下亦採取追隨於上下方向使晶圓W移動而使蓋件3(103、303、503、603)以相對於晶圓W的方式而移動，供給氣體G而將晶圓W周邊之 周圍氣體予以置換即可。
此外，在上述之實施形態下，係以採用晶圓W作為基板者為前提，將晶圓搬送裝置2(202、302、402、502、602)構成為晶圓搬送系統TS，惟本發明係可用於將玻璃基板等各式各樣的精密加工品作為對象之搬送系統。亦即，可構成為將玻璃基板等之一般的基板作為對象之基板搬送裝置或基板搬送系統。
再者，在搬送臂件22、322方面，係亦不限於上述之鏈接式機器人臂件、或SCARA型多關節機器人而可使用多樣者。
其他的構成亦可在不脫離本發明之要旨的範圍下作各種變化。

Claims (18)

  1. 一種周圍氣體置換裝置，特徵在於：具備：可與透過末端執行器搬送之基板相對而覆蓋該基板之蓋件；以及藉該蓋件而供給與周邊氣體具有不同的性質之氣體、將基板表面之周圍氣體藉前述氣體而置換的供氣手段，前述蓋件設為透過蓋件移動手段可相對於前述末端執行器移動。
  2. 如申請專利範圍第1項之周圍氣體置換裝置，其使用於在複數個交接位置之間藉基板搬送裝置而進行基板的搬送之基板搬送系統，前述蓋件移動手段可與前述基板搬送裝置獨立而移動，在藉前述基板搬送裝置而將基板予以搬送時，前述蓋件移動手段將前述蓋件予以移動至相對於基板之位置。
  3. 如申請專利範圍第1項之周圍氣體置換裝置，其具備將前述蓋件相對於基板面而予以接近或分開之蓋件接近分離手段。
  4. 如申請專利範圍第3項之周圍氣體置換裝置，其構成為前述蓋件具備可相對於基板之本體部與設於該本體部的周緣之壁部，在藉前述蓋件接近分離手段而將前述蓋件予以接近於基板時可使基板收容於在前述本體部與壁部之間所形成的內部空間。
  5. 如申請專利範圍第4項之周圍氣體置換裝置，其中，將在將前述蓋件予以接近於基板時前述蓋件之壁部的開放端接近或抵接從而可協作而將前述內部空間大致關斷之蓋件支承構材設於前述基板搬送裝置側。
  6. 如申請專利範圍第1項之周圍氣體置換裝置，其中，前述供氣手段具備：供以從外部導入氣體用的氣體導入口、及從該氣體導入口往前述蓋件之下方使氣體擴散的擴散手段。
  7. 如申請專利範圍第1項之周圍氣體置換裝置，其中，前述供氣手段具備加熱前述氣體之加熱手段。
  8. 一種基板搬送系統，特徵在於：具備如申請專利範圍第1項之周圍氣體置換裝置、及具有前述末端執行器的基板搬送裝置，前述蓋件移動手段利用構成前述基板搬送裝置的一部分之導軌而構成。
  9. 一種設備前端模組，特徵在於：前述基板為晶圓，具備如申請專利範圍第8項之基板搬送系統、及覆蓋此基板搬送系統之框體，鄰接於該框體的壁面而設定前述交接位置。
  10. 一種設備前端模組，特徵在於：前述基板為晶圓，具備基板搬送系統、及覆蓋此基板搬送系統之框體，該基板搬送系統具備如申請專利範圍第1項之周圍氣體置換裝置與具有前述末端執行器的基板搬送裝置，將前述面內方向移動手段予以支撐於設在前述框體內的頂面，鄰接於該框體的壁面而設定前述交接位置。
  11. 一種基板搬送裝置，特徵在於：具備如申請專利範圍第1項之周圍氣體置換裝置，進一步具備：藉基底而被支撐、藉前述末端執行器將前述基板保持而搬送之搬送臂件；以及設於與該搬送臂件相同的基底之支柱；前述蓋件，係隔著前述支柱配置於可與前述搬送臂件相對之位置。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板搬送裝置，其具備將前述基底以可移動的方式而支撐之導軌。
  13. 如申請專利範圍第12項之基板搬送裝置，其具備將前述蓋件以可移動於與前述導軌正交之方向的方式而支撐的蓋件移動手段。
  14. 如申請專利範圍第12項之基板搬送裝置，其構成為在與前述搬送臂件之間交接基板的交接位置設定於夾著前述導軌之兩側，前述蓋件延伸於與前述導軌正交之方向。
  15. 一種半導體製造裝置，具有基板搬送室、裝載埠、處理裝置，該基板搬送室係具備搬送基板的基板搬送裝置者，該裝載埠係設於前述基板搬送室的前方側者，該處理裝置係連接於前述基板搬送室的後方側者，前述基板搬送裝置係設置搬送臂件、末端執行器、蓋件、供氣手段、導軌，該搬送臂件係透過基底而支撐者，該末端執行器係設於前述搬送臂件並保持前述基板者，該 蓋件係配置於可與前述搬送臂件相對的位置，並可遮蓋前述基板者，該供氣手段係從該蓋件供給具有與周邊氣體不同的性質的氣體者，該導軌係配置於前述基板搬送室的底面並支撐前述基底而使前述基板搬送裝置可移動者，前述蓋件隨著前述搬送臂件沿著前述導軌的移動而在前述基板搬送室內移動，並進一步具備使前述蓋件以可就相對於前述基板的移動進行追隨的方式而移動的蓋件移動手段。
  16. 如申請專利範圍第15項之半導體製造裝置，其中，前述蓋件移動手段與前述搬送臂件的動作連動而使前述蓋件移動於與前述導軌延伸的方向交叉的方向。
  17. 如申請專利範圍第15項之半導體製造裝置，其中，與周邊氣體具有不同的性質的前述氣體係氮氣，透過前述搬送臂件將基板予以搬送之際透過前述供氣手段供給前述氣體從而透過前述氣體將基板表面的周圍氣體進行置換，比起前述基板搬送室內的周圍氣體使前述基板表面的周圍氣體成為低氧周圍氣體。
  18. 如申請專利範圍第15項之半導體製造裝置，其中，前述供氣手段具備加熱手段從而將被加熱以除去前述基板表面的水分的前述氣體供給至前述基板的表面。
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