JP3787526B2

JP3787526B2 - IC chip manufacturing method

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Publication number: JP3787526B2
Application number: JP2002006558A
Authority: JP
Inventors: 正輝福岡; 康彦大山; 宗宏畠井; 聡史林; 滋檀上; 政彦北村; 興一矢嶋
Original assignee: Disco Corp; Sekisui Chemical Co Ltd
Current assignee: Disco Corp; Sekisui Chemical Co Ltd
Priority date: 2002-01-15
Filing date: 2002-01-15
Publication date: 2006-06-21
Anticipated expiration: 2022-01-15
Also published as: JP2003209083A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ウエハを厚さ５０μｍ程度まで極めて薄くした場合においても、ウエハの破損等を防止し、取扱性を改善し、良好にＩＣチップへの加工が行えるＩＣチップの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体集積回路（ＩＣチップ）は、通常高純度半導体単結晶等をスライスしてウエハとした後、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路パターンを形成し、次いでウエハ裏面を研磨機により研磨して、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度まで薄くし、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。
【０００３】
ここで、上記研磨時には、ウエハ表面に粘着シート類（研磨用テープ）を貼り付けて、ウエハの破損を防止したり、研磨加工を容易にしており、上記ダイシング時には、ウエハ裏面側に粘着シート類（ダイシングテープ）を貼り付けて、ウエハを接着固定した状態でダイシングし、形成されたチップをダイシングテープのフィルム基材側よりニードルで突き上げてピックアップし、ダイパッド上に固定させている。
【０００４】
近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれて、ＩＣカード類に用いたり、積層して使用したりすることができる厚さ５０μｍ程度の極めて薄いウエハも要求されるようになってきた。しかしながら、厚さが５０μｍ程度のウエハは、厚さが１００〜６００μｍ程度の従来のウエハに比べて、反りが大きく衝撃により割れやすいので、従来のウエハと同様に加工した場合、衝撃を受けやすい研磨工程やダイシング工程及びＩＣチップの電極上にバンプを作製する際にウエハの破損が生じやすく、歩留まりが悪かった。このため、厚さ５０μｍ程度のウエハからＩＣチップを製造する過程におけるウエハの取扱性の向上が重要な課題となっていた。
【０００５】
これに対して、支持テープを介してウエハを支持板に貼り付け、支持板に固定した状態で研磨を行う方法が提案されている。この方法によれば、ウエハの強度及び平面性を支持板により確保でき、取扱性が向上する。
【０００６】
しかしながら、この方法においても、厚さ５０μｍ程度のウエハでは強度が弱いために支持板や支持テープから剥離する際の負荷により、破損や変形を生じることがあるという問題点があった。また、厚さ５０μｍ程度の極めて薄いウエハは、厚さが１００〜６００μｍ程度の従来のウエハに比べてより多くの層を積層することができる一方、多くの層を積層するためにより厳密な平面性がウエハに必要であるという問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記現状に鑑み、ウエハを厚さ５０μｍ程度まで極めて薄くした場合においても、ウエハの破損等を防止し、取扱性を改善し、良好にＩＣチップへの加工が行えるＩＣチップの製造方法を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】
本発明は、少なくとも、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤（Ａ）層からなる面と粘着剤（Ｂ）層からなる面とを有する支持テープを介して、ウエハを支持板に固定する工程、前記支持テープを介して前記ウエハを前記支持板に固定した状態で研磨する工程、研磨した前記ウエハにダイシングテープを貼り付ける工程、前記粘着剤（Ａ）層に前記刺激を与える工程、前記ウエハから前記支持テープを剥離する工程、及び、前記ウエハのダイシングを行う工程を有するＩＣチップの製造方法であって、前記支持テープを介して前記ウエハを前記支持板に固定する工程において、前記粘着剤（Ａ）層からなる面と前記ウエハとを貼り合わせ、前記粘着剤（Ｂ）層からなる面と前記支持板とを貼り合わせるものであり、前記粘着剤（Ａ）層に前記刺激を与える工程において、前記ウエハ全体に均一に荷重をかけながら、前記刺激を与えることを特徴とするＩＣチップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
【０００９】
本発明のＩＣチップの製造方法は、少なくとも、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤（Ａ）層からなる面と粘着剤（Ｂ）層からなる面とを有する支持テープを介して、ウエハを支持板に固定する工程を有するものである。
【００１０】
上記支持テープは、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤（Ａ）層からなる面と粘着剤（Ｂ）層からなる面とを有するものであれば、両面に粘着剤層を有する粘着性ノンサポートテープであっても、基材の両面に粘着剤層が形成されてなる両面粘着テープであってもよい。
本明細書において、ノンサポートテープとは、基材を有さない粘着剤層のみからなるものをいい、１層のみの粘着剤層からなるものであっても、複数の層からなるものであってもよい。上記ノンサポートテープが１層のみの粘着剤層からなる場合とは、例えば、粘着剤（Ａ）層と粘着剤（Ｂ）層とが同一の場合である。
【００１１】
上記基材を用いる場合であって、粘着剤（Ａ）層の粘着力を低下させる刺激が光による刺激である場合には、上記基材としては光を透過又は通過するものであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
【００１２】
上記支持テープは、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤（Ａ）層からなる面を有するものである。
上記刺激としては、例えば、光、熱、超音波による刺激が挙げられる。中でも光又は熱による刺激が好ましい。上記光としては、例えば、紫外線や可視光線等が挙げられる。上記刺激として光による刺激を用いる場合には、上記粘着剤（Ａ）は、光が透過又は通過できるものであることが好ましい。
【００１３】
上記刺激により気体を発生する気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ化合物、アジド化合物が好適に用いられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレート、２，２’−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス｛２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾイリン−２−イル］プロパン｝ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾイリン−２−イル）プロパン］、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミダイン）ハイドロクロライド、２，２’−アゾビス（２−アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プロピオンアミダイン］、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミダイン］プロパン｝、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル２，２’−アゾビスイソブチレート、４，４’−アゾビス（４−シアンカルボニックアシッド）、４，４’−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
ＩＣチップの製造においては、必要に応じて高温処理を行う工程が入ることから、これらのなかでも熱分解温度の高い２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）が好適である。
これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素ガスを発生する。
【００１４】
上記アジド化合物としては、例えば、３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフタルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。
これらのアジド化合物は、光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生する。
【００１５】
これらの気体発生剤のうち、上記アジド化合物は衝撃を与えることによっても容易に分解して窒素ガスを放出することから、取り扱いが困難であるという問題がある。更に、上記アジド化合物は、いったん分解が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出しその制御ができないことから、爆発的に発生した窒素ガスによってウエハが損傷することがあるという問題もある。かかる問題から上記アジド化合物の使用量は限定されるが、限定された使用量では充分な効果が得られないことがある。
一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり衝撃によっては気体を発生しないことから取り扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生することもないためウエハを損傷することもなく、光の照射を中断すれば気体の発生も中断できることから、用途に合わせた接着性の制御が可能であるという利点もある。したがって、上記気体発生剤としては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。
【００１６】
上記気体発生剤を含有することにより、上記粘着剤（Ａ）層に刺激を与えると粘着剤（Ａ）層の気体発生剤から気体が発生して、粘着力が低下して被着体を容易に剥離することができる。
【００１７】
上記気体発生剤は粘着剤（Ａ）層に分散されていてもよいが、気体発生剤を粘着剤（Ａ）層に分散させておくと粘着剤（Ａ）層全体が発泡体となるため柔らかくなりすぎ、粘着剤層をうまく剥がせなくなるおそれがある。したがって、支持板と接する粘着剤（Ａ）の表層部分にのみ含有させておくことが好ましい。
表層部分にのみ含有させておけば、支持板と接する粘着剤の表層部分では気体発生剤から気体が発生して界面の接着面積が減少し、なおかつ気体が、被着体から粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。
【００１８】
上記粘着剤層の表層部分にのみ気体発生剤を含有させる方法としては、例えば、支持テープの粘着剤（Ａ）層の上に、１〜２０μｍ程度の厚さで気体発生剤を含有する粘着剤（Ａ）を塗工する方法や、あらかじめ作製した支持テープの粘着剤（Ａ）層の表面に、気体発生剤を含有する揮発性液体を塗布するかスプレー等によって吹き付けることにより、粘着剤表面に気体発生剤を均一に付着させる方法等が挙げられる。
粘着剤表面に気体発生剤を付着させる場合は、粘着剤と相溶性に優れた気体発生剤を付着させることが好ましい。すなわち、粘着剤表面に気体発生剤を多量に付着させると粘着力が低下するが、気体発生剤が粘着剤と相溶する場合は、付着した気体発生剤は粘着剤層に吸収され粘着力が低下することがない。
なお、上記表層部分は、粘着剤層の厚さによるが、粘着剤表面から２０μｍまでの部分であることが好ましい。また、ここでいう表層部分には粘着剤表面に気体発生剤が均一に付着していている態様や粘着剤表面に付着した気体発生剤が粘着剤と相溶し粘着剤層に吸収された態様を含む。
【００１９】
上記粘着剤（Ａ）は、刺激により弾性率が上昇するものであることが好ましい。粘着剤（Ａ）の弾性率を上昇させる刺激は、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
かかる上記粘着剤（Ａ）としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
【００２０】
このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤等の後硬化型粘着剤は、光の照射又は加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、被着体と粘着剤との接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。
【００２１】
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。
なお、本明細書において、（メタ）アクリルとはアクリル又はメタクリルを意味するものとする。
【００２２】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である。
【００２３】
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
【００２４】
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。
【００２５】
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。
【００２６】
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が５，０００以下であり、かつ、その分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数の下限が２個、上限が２０個である。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２７】
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２８】
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、具体的には例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
【００２９】
上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を配合してもよい。
【００３０】
上記支持テープは、粘着剤（Ａ）層からなる面以外に、粘着剤（Ｂ）層からなる面を有するものである。
上記粘着剤（Ｂ）としては特に限定されないが、本発明のＩＣチップの製造方法において、研磨工程とダイシング工程の間で、ウエハから支持テープを剥離する工程を行う前に、予め支持板を支持テープから剥離する場合には、刺激により粘着力が低下する性質を有することが好ましい。かかる粘着剤（Ｂ）としては、前述の粘着剤（Ａ）に用いられる、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマーとを主成分として含んでなる後硬化型粘着剤等を用いることができる。
ウエハから支持テープを剥離する前に、予め支持板を支持テープから剥離することにより、可とう性を有する支持テープをめくるようにして、より容易にウエハから支持テープを剥離することができる。
【００３１】
また、この場合、上記粘着剤（Ｂ）は刺激により気体を発生する気体発生剤を含有していることがより好ましい。上記気体発生剤を含有することにより、上記粘着剤（Ｂ）層に刺激を与えると粘着剤（Ｂ）層の気体発生剤から気体が発生して、粘着力が低下して被着体を更に容易に剥離することができる。
また、上記粘着剤（Ｂ）が後硬化型粘着剤等からなる場合は、刺激を与える前は優れた粘着性を有しており、刺激を与えることにより架橋反応が進行し硬化物となるので、支持テープを剥離するまでの間は優れた粘着性を有する粘着剤でありながら、支持テープを剥離する際には硬い硬化物とすることができる。すなわち、硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、被着体から粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。
【００３２】
上記気体発生剤は粘着剤（Ｂ）層に分散されていてもよいが、気体発生剤を粘着剤（Ｂ）層に分散させておくと粘着剤（Ｂ）層全体が発泡体となるため柔らかくなりすぎ、粘着剤層をうまく剥がせなくなるおそれがある。したがって、支持板と接する粘着剤（Ｂ）の表層部分にのみ含有させておくことが好ましい。
表層部分にのみ含有させておけば、刺激により粘着剤（Ｂ）層を充分に柔らかくすることができるとともに、支持板と接する粘着剤の表層部分では気体発生剤から気体が発生して界面の接着面積が減少し、なおかつ気体が、被着体と粘着剤との接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。
【００３３】
上記粘着剤層の表層部分にのみ気体発生剤を含有させる方法としては、例えば、支持テープの粘着剤（Ｂ）層の上に、１〜２０μｍ程度の厚さで気体発生剤を含有する粘着剤（Ｂ）を塗工する方法や、あらかじめ作製した支持テープの粘着剤（Ｂ）層の表面に、気体発生剤を含有する揮発性液体を塗布するかスプレー等によって吹き付けることにより、粘着剤表面に気体発生剤を均一に付着させる方法等が挙げられる。
粘着剤表面に気体発生剤を付着させる場合は、粘着剤と相溶性に優れた気体発生剤を付着させることが好ましい。すなわち、粘着剤表面に気体発生剤を多量に付着させると粘着力が低くなるが、気体発生剤が粘着剤と相溶する場合は、付着した気体発生剤は粘着剤層に吸収され粘着力が低下することがない。
なお、上記表層部分は、粘着剤層の厚さによるが、粘着剤表面から２０μｍまでの部分であることが好ましい。また、ここでいう表層部分には粘着剤表面に気体発生剤が均一に付着している態様や粘着剤表面に付着した気体発生剤が粘着剤と相溶し粘着剤層に吸収された態様を含む。
【００３４】
上記粘着剤（Ａ）層からなる面と粘着剤（Ｂ）層からなる面とを有する支持テープを介して、ウエハは支持板に固定される。
上記ウエハとしては、例えば、シリコン、ガリウム、砒素等からなる高純度半導体単結晶をスライスしたもの等が挙げられる。上記ウエハの厚さとしては特に限定されないが、一般に５００μｍ〜１ｍｍ程度である。なお、上記ウエハは支持板に固定される前にその表面に所定の回路パターンが形成される。
【００３５】
上記支持板としては特に限定されないが、粘着剤（Ａ）層の粘着力を低下させる刺激が光による刺激である場合にあっては透明であることが好ましく、例えば、ガラス板；アクリル、オレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ＰＥＴ、ナイロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなる板状体等が挙げられる。
上記支持板の厚さの好ましい下限は５００μｍ、上限は３ｍｍであり、より好ましい下限は１ｍｍ、上限は２ｍｍである。また、上記支持板の厚さのばらつきは１％以下であることが好ましい。
【００３６】
本発明のＩＣチップの製造方法は、上記支持テープを介して上記支持板に上記ウエハを固定する工程において、上記粘着剤（Ａ）層と上記ウエハとを貼り合わせ、上記粘着剤（Ｂ）層と上記支持板とを貼り合わせる。
この際、ウエハの回路パターンが形成されている面と粘着剤（Ａ）層とを貼り合わせる。
【００３７】
上記支持テープを介して支持板にウエハを固定することにより、ウエハを補強し、その取扱性を向上させることができるので、厚さ５０μｍ程度の非常に薄いウエハであっても搬送や加工の際に欠けたり割れたりすることがなく、カセット等への収納性もよい。なお、上記支持テープは、ＩＣチップを製造する一連の工程の終了後に刺激を与えることにより、ＩＣチップから容易に剥離できる。
【００３８】
本発明のＩＣチップの製造方法は、少なくとも、上記支持テープを介して上記ウエハを上記支持板に固定した状態で研磨する工程を有する。
研磨後のウエハの厚さとしては特に限定されないが、ウエハを薄く加工する場合ほど破損防止の効果は発揮されやすく、研磨後の厚さを５０μｍ程度、例えば、２０〜８０μｍとした場合には、優れた破損防止の効果が発揮される。
【００３９】
本発明のＩＣチップの製造方法は、少なくとも、研磨した上記ウエハにダイシングテープを貼り付ける工程を有する。
なお、ダイシングテープを貼り付ける前に、予め絶縁性基板としてポリイミドフイルムをウエハに貼り付けてもよい。上記ポリイミドフイルムをウエハに貼り付ける際には、加熱する必要がある。したがって、上記粘着剤（Ａ）層が熱による刺激により粘着力を低下させる場合、及び、上記粘着剤（Ａ）が熱による刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する場合にあっては、粘着剤（Ａ）の粘着力を低下させる温度又は気体を発生させる温度について、上記ポリイミドフイルムをウエハに貼り付ける際の温度よりも高いものを選択しておく必要がある。
【００４０】
上記ダイシングテープとしては特に限定されないが、公知の光硬化性粘着テープを用いることができ、例えば、Ａｄｗｉｌｌ（登録商標）Ｄ−シリーズや、日東電工社製のエレップホルダー（登録商標）ＵＥシリーズ等のテープが挙げられる。
【００４１】
本発明のＩＣチップの製造方法は、少なくとも、上記粘着剤（Ａ）層に刺激を与える工程を有し、この工程において、刺激はウエハ全体に均一に荷重をかけながら与える。
上述のように上記粘着剤（Ａ）層に刺激を与えることにより、気体発生剤から気体が発生し、発生した気体が、被着体から粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。このとき通常の状態では発生した気体同士が合着してより大きな気泡となって、その大きな気泡が被着体から粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がす。しかし、この大きな気泡の発生はウエハ全体としては必ずしも均一ではなく、接着状態や刺激の与え方によっては偏りを生ずることがある。厚さ５０μｍ程度の極めて薄いウエハでは、厚さが１００〜６００μｍ程度の従来のウエハに比べて強度が弱く反りも生じやすいことから、不均一にかかる大きな気泡の圧力によりウエハが変形したり破損したりすることがある。
【００４２】
上記刺激を与える際にウエハ全体に均一に荷重をかけることにより、このような不均一な大きな気泡の発生を防ぐことができる。すなわち、均一な荷重をかけることにより、荷重による圧力によって大きな気泡ができにくく、また、発生した気体は接着面で自由に移動することが困難になり気体同士が合着して大きな気泡となることができない。したがって、発生した気体は接着面全体に均一な微小な気泡となるため、ウエハにかかる気体の圧力もウエハ全体に均一にかかるため、ウエハが変形したり破損したりすることがない。
【００４３】
上記ウエハ全体に均一に荷重をかける方法としては特に限定されないが、適当な重りを載せることにより荷重をかける方法が好適である。このときの荷重の大きさとしては特に限定されないが、ＩＣチップが破損しない程度にする。
また、上記重りの材質も特に限定されないが、上記気体を発生させる刺激が光である場合には、透明であることが好ましい。
具体的には厚さ１〜２ｃｍ程度のガラス板等が好適である。
【００４４】
本発明のＩＣチップの製造方法では、次にウエハから支持テープを剥離する。このとき、粘着剤（Ａ）の粘着力は刺激により低下しているので、ウエハから支持テープを容易に剥離することができる。
【００４５】
なお、粘着剤（Ｂ）として刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤を用いた場合には、支持テープをウエハから剥離するに先立って、刺激を与えて粘着剤（Ｂ）層の気体発生剤から気体を発生させて粘着力を低下させてから硬い支持板を支持テープから剥離しておけば、支持テープは可とう性を有するテープとなりテープをめくりながらウエハから剥がすことができるので、より一層容易にウエハから剥離することができる。なお、工程数が増えるのでウエハの表面に壊れやすい回路が形成されているウエハからＩＣチップを製造する場合に行うことが好ましい。
【００４６】
本発明のＩＣチップの製造方法は、少なくとも、ウエハのダイシングを行う工程を有する。この工程により、表面に回路が形成されたウエハは、ダイヤモンドカッターによりチップに切り分けられる。その大きさは、通常１辺、数１００μｍ〜数１０ｍｍである。
【００４７】
【実施例】
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。
【００４８】
（実施例１）
＜粘着剤の調製＞
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、メタクリル酸２−イソシアネートエチル３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、ペンタエリスリトールトリアクリレート２０重量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）０．５重量部、ポリイソシアネート１．５重量部を混合し粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート７９重量部
エチルアクリレート１５重量部
アクリル酸１重量部
２ーヒドロキシエチルアクリレート５重量部
光重合開始剤０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン０．０２重量部
【００４９】
更に、粘着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）１００重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（２）を調製した。
【００５０】
＜支持テープの作製＞
粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、両面にコロナ処理を施した厚さ１００μｍの透明なＰＥＴフィルムの片面に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤（１）層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（１）層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。
【００５１】
粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムの上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤（１）層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（１）層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。
【００５２】
次いで、粘着剤（１）層を設けたコロナ処理を施したＰＥＴフィルムの粘着剤（１）層のない面と、粘着剤（１）層を設けた離型処理が施されたＰＥＴフィルムの粘着剤（１）層の面とを貼り合わせた。これにより両面に粘着剤層が設けられ、離型処理が施されたＰＥＴフィルムで表面を保護された支持テープ１を得た。
【００５３】
別に、粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムの上に乾燥皮膜の厚さが約１０μｍとなるようにドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤（２）層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（２）層の表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを貼り付けた。
【００５４】
支持テープ１の片側の粘着剤（１）層を保護する表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムを剥がし、粘着剤（２）層が形成された表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムの粘着剤（２）層と貼り合わせた。その後、４０℃、３日間静置養生を行った。
これにより一方の面に粘着剤（１）層を、他方の面に粘着剤（１）層の表層部分に粘着剤（２）からなるプライマー層を有し、粘着剤層が表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムで保護された支持テープ２を得た。
【００５５】
（研磨工程）
支持テープ２の粘着剤（２）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、直径２０．４ｃｍ、厚さ約７５０μｍのシリコンウエハに貼り付けた。次に、粘着剤（１）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、直径２０．４ｃｍのガラス板からなる支持板に減圧環境下にて貼り合わせた。支持テープ２を介してシリコンウエハと接着させたガラス板を研磨装置に取り付け、シリコンウエハの厚さが約５０μｍになるまで研磨した。研磨終了後、シリコンウエハが接着されている支持板を研磨装置から取り外し、ダイシングテープをシリコンウエハの上に貼り付けた。
【００５６】
（ウエハの剥離工程）
ダイシングテープを貼り付けたシリコンウエハをダイシングテープを下にして置き、支持板の上に直径２０ｃｍ、厚さ１ｃｍのガラス板を静かに置いた。この状態のまま、ガラス板側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面への照射強度が４０ｍＷ／ｃｍ^２となるよう照度を調節して２分間照射した。ガラス板を取り除いた後、支持板と支持テープ２をシリコンウエハから剥がした。
【００５７】
（ダイシング工程）
続いて、ダイシングテープで補強されたシリコンウエハをダイシング装置に取りつけ、ウエハ側からカッター刃を切り入れシリコンウエハをＩＣチップの大きさに切断した。次いで、ダイシングテープを剥がしＩＣチップを得た。
【００５８】
支持テープ２を用いることにより、ＩＣチップと支持板とを高い接着強度で接着することができ、この状態で研磨することによりウエハを破損することなく約５０μｍの厚さに研磨することができた。研磨後には紫外線を照射して気体発生剤から気体を発生させることにより、支持テープの粘着力が著しく低下し、容易にウエハを剥離することができた。また、気体発生剤から気体を発生させる際にガラス板を載せてウエハ全体に均一に荷重をかけたことにより、発生した気体が合着して大きな気泡となり、その圧力によりウエハが破損したり、変形したりすることもなかった。
【００５９】
【発明の効果】
本発明によれば、ウエハを厚さ５０μｍ程度まで極めて薄くした場合においても、ウエハの破損等を防止し、取扱性を改善し、良好にＩＣチップへの加工が行えるＩＣチップの製造方法を提供できる。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a method of manufacturing an IC chip that prevents damage to the wafer, improves handling, and can be satisfactorily processed into an IC chip even when the wafer is extremely thin to a thickness of about 50 μm.
[0002]
[Prior art]
A semiconductor integrated circuit (IC chip) is usually formed by slicing a high-purity semiconductor single crystal or the like into a wafer, using a photoresist to form a predetermined circuit pattern on the wafer surface, and then polishing the back surface of the wafer with a polishing machine. The wafer is manufactured by reducing the thickness of the wafer to about 100 to 600 μm and finally dicing into chips.
[0003]
Here, at the time of polishing, an adhesive sheet (polishing tape) is attached to the wafer surface to prevent damage to the wafer or to facilitate polishing. At the time of dicing, the adhesive sheet is attached to the back side of the wafer. (Dicing tape) is affixed and dicing is performed with the wafer bonded and fixed, and the formed chip is picked up by a needle from the film substrate side of the dicing tape and picked up and fixed on the die pad.
[0004]
In recent years, as the use of IC chips has expanded, an extremely thin wafer having a thickness of about 50 μm that can be used for IC cards or stacked and used has been required. However, a wafer with a thickness of about 50 μm is more warped and more susceptible to cracking than a conventional wafer with a thickness of about 100 to 600 μm. When bumps were formed on the electrodes of the process, dicing process and IC chip, the wafer was easily damaged and the yield was poor. For this reason, improvement in the handling of the wafer in the process of manufacturing the IC chip from the wafer having a thickness of about 50 μm has been an important issue.
[0005]
On the other hand, a method has been proposed in which a wafer is bonded to a support plate via a support tape, and polishing is performed while the wafer is fixed to the support plate. According to this method, the strength and flatness of the wafer can be ensured by the support plate, and the handleability is improved.
[0006]
However, even in this method, since the strength of a wafer having a thickness of about 50 μm is weak, there is a problem that damage or deformation may occur due to a load when peeling from the support plate or the support tape. In addition, a very thin wafer having a thickness of about 50 μm can stack more layers than a conventional wafer having a thickness of about 100 to 600 μm. Is necessary for the wafer.
[0007]
[Problems to be solved by the invention]
In view of the above-mentioned present situation, the present invention prevents the breakage of the wafer, improves the handleability, and makes it possible to satisfactorily process the IC chip even when the wafer is extremely thin to about 50 μm. It aims to provide a method.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The present invention supports a wafer via a support tape having at least a surface comprising an adhesive (A) layer containing a gas generating agent that generates a gas upon stimulation and a surface comprising an adhesive (B) layer. A step of polishing the wafer while the wafer is fixed to the support plate via the support tape, a step of attaching a dicing tape to the polished wafer, and applying the stimulus to the pressure-sensitive adhesive (A) layer. An IC chip manufacturing method including a step, a step of peeling the support tape from the wafer, and a step of dicing the wafer, wherein the wafer is fixed to the support plate via the support tape. The surface made of the pressure-sensitive adhesive (A) layer and the wafer are bonded together, and the surface formed of the pressure-sensitive adhesive (B) layer and the support plate are bonded together. In the step of providing the stimulus to the (A) layer, while uniformly applying a load across the wafer, it is a manufacturing method of the IC chip, characterized in that providing said stimulus.
The present invention is described in detail below.
[0009]
The method for producing an IC chip of the present invention includes at least a support tape having a surface comprising an adhesive (A) layer containing a gas generating agent that generates a gas upon stimulation and a surface comprising an adhesive (B) layer. And a step of fixing the wafer to the support plate.
[0010]
If the said support tape has a surface which consists of an adhesive (A) layer containing the gas generating agent which generate | occur | produces gas by irritation | stimulation, and a surface which consists of an adhesive (B) layer, an adhesive layer is provided on both surfaces. Even if it is the adhesive non-support tape which has, the double-sided adhesive tape in which an adhesive layer is formed in both surfaces of a base material may be sufficient.
In this specification, the non-support tape refers to a tape composed only of a pressure-sensitive adhesive layer that does not have a base material, and may be composed of a plurality of layers even if it is composed of only one pressure-sensitive adhesive layer. May be. The case where the non-support tape is composed of only one adhesive layer is, for example, the case where the adhesive (A) layer and the adhesive (B) layer are the same.
[0011]
When the substrate is used, and the stimulus that reduces the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive (A) layer is a stimulus by light, the substrate is preferably one that transmits or passes light. For example, a sheet made of a transparent resin such as acrylic, olefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, polyethylene terephthalate (PET), nylon, urethane, polyimide, a sheet having a net-like structure, a sheet with holes, etc. Can be mentioned.
[0012]
The said support tape has a surface which consists of an adhesive (A) layer containing the gas generating agent which generate | occur | produces gas by irritation | stimulation.
Examples of the stimulation include stimulation with light, heat, and ultrasonic waves. Of these, stimulation by light or heat is preferred. Examples of the light include ultraviolet light and visible light. When a stimulus by light is used as the stimulus, the pressure-sensitive adhesive (A) is preferably capable of transmitting or passing light.
[0013]
Although it does not specifically limit as a gas generating agent which generate | occur | produces gas by the said irritation | stimulation, For example, an azo compound and an azide compound are used suitably.
Examples of the azo compound include 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis {2-methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl)]. -2-hydroxyethyl] propionamide}, 2,2′-azobis {2-methyl-N- [2- (1-hydroxybutyl)] propionamide}, 2,2′-azobis [2-methyl-N— (2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2′-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [2- (5-methyl-2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride Id, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] disulfate di Hydrolate, 2,2′-azobis [2- (3,4,5,6-tetrahydropyrimidin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis {2- [1- (2- Hydroxyethyl) -2-imidazolin-2-yl] propane} dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane], 2,2′-azobis (2-methylpropion) Amidyne) hydrochloride, 2,2′-azobis (2-aminopropane) dihydrochloride, 2,2′-azobis [N- (2-carboxyacyl) -2- Cyl-propionamidyne], 2,2′-azobis {2- [N- (2-carboxyethyl) amidyne] propane}, 2,2′-azobis (2-methylpropionamidoxime), dimethyl 2,2 ′ -Azobis (2-methylpropionate), dimethyl 2,2'-azobisisobutyrate, 4,4'-azobis (4-cyancarbonic acid), 4,4'-azobis (4-cyanopentanoic) Acid), 2,2′-azobis (2,4,4-trimethylpentane) and the like.
In manufacturing an IC chip, a process for performing a high temperature treatment is included as necessary, and among these, 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide), 2 having a high thermal decomposition temperature, 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide) are preferred.
These azo compounds generate nitrogen gas when stimulated by light, heat, or the like.
[0014]
Examples of the azide compound include 3-azidomethyl-3-methyloxetane, terephthalazide, p-tert-butylbenzazide; and glycidyl azide polymer obtained by ring-opening polymerization of 3-azidomethyl-3-methyloxetane. Examples thereof include a polymer having an azide group.
These azide compounds generate nitrogen gas when stimulated by light, heat, impact, or the like.
[0015]
Among these gas generating agents, the azide compound is easily decomposed even by giving an impact and releases nitrogen gas, so that there is a problem that handling is difficult. Furthermore, once the decomposition starts, the azide compound causes a chain reaction and explosively releases nitrogen gas, which cannot be controlled. Therefore, there is a problem that the wafer may be damaged by the nitrogen gas generated explosively. is there. Due to such problems, the amount of the azide compound used is limited, but sufficient effects may not be obtained with the limited amount used.
On the other hand, unlike the azide compound, the azo compound is extremely easy to handle because it does not generate gas upon impact. In addition, since gas is not explosively generated due to a chain reaction, the wafer is not damaged, and generation of gas can be interrupted if light irradiation is interrupted. There is also an advantage that it is possible. Therefore, it is more preferable to use an azo compound as the gas generating agent.
[0016]
By containing the gas generating agent, when the pressure-sensitive adhesive (A) layer is stimulated, gas is generated from the gas generating agent in the pressure-sensitive adhesive (A) layer, and the adhesive force is reduced to facilitate the adherend. Can be peeled off.
[0017]
The gas generating agent may be dispersed in the pressure-sensitive adhesive (A) layer. However, if the gas generating agent is dispersed in the pressure-sensitive adhesive (A) layer, the entire pressure-sensitive adhesive (A) layer becomes a foam, so that it is soft. There is a possibility that the pressure-sensitive adhesive layer cannot be peeled off. Therefore, it is preferable to make it contain only in the surface layer part of the adhesive (A) which contact | connects a support plate.
If it is contained only in the surface layer part, gas is generated from the gas generating agent in the surface layer part of the pressure-sensitive adhesive in contact with the support plate, the adhesion area of the interface is reduced, and the gas is bonded from the adherend to the pressure-sensitive adhesive. At least a part of the film is peeled off to reduce the adhesive strength.
[0018]
As a method for containing the gas generating agent only in the surface layer portion of the adhesive layer, for example, an adhesive containing the gas generating agent in a thickness of about 1 to 20 μm on the adhesive (A) layer of the support tape. By applying a volatile liquid containing a gas generating agent to the surface of the pressure-sensitive adhesive (A) layer of the support tape prepared in advance or by spraying it on the surface of the pressure-sensitive adhesive by spraying or the like. Examples thereof include a method of uniformly attaching a gas generating agent.
In the case of attaching a gas generating agent to the pressure-sensitive adhesive surface, it is preferable to attach a gas generating agent excellent in compatibility with the pressure-sensitive adhesive. That is, if a large amount of the gas generating agent is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive, the adhesive strength decreases. However, when the gas generating agent is compatible with the pressure-sensitive adhesive, the attached gas generating agent is absorbed by the pressure-sensitive adhesive layer and has a high adhesive strength. There is no decline.
In addition, although the said surface layer part is based on the thickness of an adhesive layer, it is preferable that it is a part from an adhesive surface to 20 micrometers. Also, the surface layer portion referred to here is a mode in which the gas generating agent is uniformly attached to the surface of the pressure sensitive adhesive, or a mode in which the gas generating agent attached to the pressure sensitive adhesive surface is compatible with the pressure sensitive adhesive and absorbed by the pressure sensitive adhesive layer. including.
[0019]
The pressure-sensitive adhesive (A) is preferably one whose elastic modulus is increased by stimulation. The stimulus for increasing the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive (A) may be the same as or different from the stimulus for generating gas from the gas generating agent.
The pressure-sensitive adhesive (A) includes, for example, an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and a radical polymerizable A photo-curing pressure-sensitive adhesive comprising a polyfunctional oligomer or monomer as a main component and containing a photopolymerization initiator as necessary, or an alkyl acrylate ester having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule And / or a methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer and a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer as main components and a thermosetting pressure-sensitive adhesive containing a thermal polymerization initiator.
[0020]
Such a photo-curing pressure-sensitive adhesive or a thermosetting pressure-sensitive adhesive such as a thermosetting pressure-sensitive adhesive is polymerized because the entire pressure-sensitive adhesive layer is uniformly and quickly polymerized and cross-linked by irradiation with light or heating. The increase in elastic modulus due to curing becomes significant, and the adhesive strength is greatly reduced. In addition, when a gas is generated from a gas generating agent in a hard cured product, most of the generated gas is released to the outside, and the released gas peels off at least a part of the adhesion surface between the adherend and the adhesive. Reduce adhesion.
[0021]
The polymerizable polymer is prepared by, for example, previously synthesizing a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) and reacting with the functional group in the molecule. It can obtain by making it react with the compound (henceforth a functional group containing unsaturated compound) which has a functional group to perform and a radically polymerizable unsaturated bond.
In addition, in this specification, (meth) acryl shall mean acryl or methacryl.
[0022]
The functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic having an alkyl group usually in the range of 2 to 18 as a polymer having adhesiveness at room temperature, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By copolymerizing an acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, a functional group-containing monomer, and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable therewith by a conventional method It is obtained. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.
[0023]
Examples of the functional group-containing monomer include a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid and methacrylic acid; a hydroxyl group-containing monomer such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; and an epoxy group containing glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Monomers; Isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate; and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.
[0024]
Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
[0025]
The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
[0026]
The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5, so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently formed by heating or light irradiation. The lower limit of the number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2 and the upper limit is 20. Examples of such more preferred polyfunctional oligomers or monomers include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate. 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate or the same methacrylates as mentioned above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
[0027]
Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone. Benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether; ketal derivative compounds such as benzyl dimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal; phosphine oxide derivative compounds; bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds, benzophenone, Michler's ketone Chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl pro Examples thereof include photo radical polymerization initiators such as bread. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
[0028]
Examples of the thermal polymerization initiator include those that decompose by heat and generate an active radical that initiates polymerization and curing. Specific examples include dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, and t-butyl. Examples include peroxybenzoyl, t-butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, and di-t-butyl peroxide. Among these, cumene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide, and the like are preferable because of their high thermal decomposition temperature. Although it does not specifically limit as what is marketed among these thermal-polymerization initiators, For example, perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, permenta H (all are the products made from NOF) etc. are suitable. These thermal polymerization initiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
[0029]
In addition to the above components, the post-curing pressure-sensitive adhesive described above is variously blended with general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds as desired for the purpose of adjusting the cohesive force as the pressure-sensitive adhesive. You may mix | blend a polyfunctional compound suitably. Moreover, you may mix | blend well-known additives, such as a plasticizer, resin, surfactant, wax, and a fine particle filler.
[0030]
The said support tape has a surface which consists of an adhesive (B) layer other than the surface which consists of an adhesive (A) layer.
Although it does not specifically limit as said adhesive (B), In the manufacturing method of IC chip of this invention, before performing the process of peeling a support tape from a wafer between a grinding | polishing process and a dicing process, it supports a support plate beforehand. In the case of peeling from the tape, it is preferable that the adhesive strength is reduced by stimulation. As the pressure-sensitive adhesive (B), an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerization having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule used in the above-mentioned pressure-sensitive adhesive (A). A post-curing pressure-sensitive adhesive or the like comprising a functional polymer and a radical polymerizable polyfunctional oligomer as main components can be used.
Before the support tape is peeled from the wafer, the support plate is peeled from the support tape in advance, so that the support tape having flexibility can be turned over so that the support tape can be peeled off more easily.
[0031]
In this case, the pressure-sensitive adhesive (B) more preferably contains a gas generating agent that generates gas by stimulation. By containing the gas generating agent, when the pressure-sensitive adhesive (B) layer is stimulated, gas is generated from the gas generating agent of the pressure-sensitive adhesive (B) layer, and the adhesive force is lowered to further adherend. It can be easily peeled off.
Moreover, when the said adhesive (B) consists of postcure-type adhesives etc., it has the outstanding adhesiveness before giving irritation | stimulation, A crosslinking reaction advances by giving irritation | stimulation and it becomes hardened | cured material. While the pressure-sensitive adhesive has excellent adhesiveness until the support tape is peeled off, a hardened product can be obtained when the support tape is peeled off. That is, when gas is generated from a gas generating agent in a hard cured product, most of the generated gas is released to the outside, and the released gas peels off at least a part of the adhesive surface of the adhesive from the adherend. Reduce power.
[0032]
The gas generating agent may be dispersed in the pressure-sensitive adhesive (B) layer. However, if the gas generating agent is dispersed in the pressure-sensitive adhesive (B) layer, the entire pressure-sensitive adhesive (B) layer becomes a foam, so that it is soft. There is a possibility that the pressure-sensitive adhesive layer cannot be peeled off. Therefore, it is preferable to make it contain only in the surface layer part of the adhesive (B) which touches a support plate.
If it is contained only in the surface layer portion, the pressure-sensitive adhesive (B) layer can be sufficiently softened by stimulation, and gas is generated from the gas generating agent in the surface layer portion of the pressure-sensitive adhesive in contact with the support plate, thereby bonding the interface. The area is reduced, and the gas peels off at least a part of the adhesion surface between the adherend and the pressure-sensitive adhesive, thereby reducing the adhesive force.
[0033]
As a method for containing the gas generating agent only in the surface layer portion of the pressure sensitive adhesive layer, for example, the pressure sensitive adhesive containing the gas generating agent in a thickness of about 1 to 20 μm on the pressure sensitive adhesive (B) layer of the support tape. By applying a volatile liquid containing a gas generating agent to the surface of the pressure-sensitive adhesive (B) layer of the support tape prepared in advance or by spraying it on the surface of the pressure-sensitive adhesive by spraying or the like. Examples thereof include a method of uniformly attaching a gas generating agent.
In the case of attaching a gas generating agent to the pressure-sensitive adhesive surface, it is preferable to attach a gas generating agent excellent in compatibility with the pressure-sensitive adhesive. That is, if a large amount of the gas generating agent is attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive, the adhesive strength is lowered. However, when the gas generating agent is compatible with the pressure-sensitive adhesive, the attached gas generating agent is absorbed by the pressure-sensitive adhesive layer and has a high adhesive strength. There is no decline.
In addition, although the said surface layer part is based on the thickness of an adhesive layer, it is preferable that it is a part from an adhesive surface to 20 micrometers. In addition, the surface layer portion referred to here has a mode in which the gas generating agent is uniformly attached to the surface of the pressure sensitive adhesive or a mode in which the gas generating agent attached to the pressure sensitive adhesive surface is compatible with the pressure sensitive adhesive and absorbed by the pressure sensitive adhesive layer. Including.
[0034]
The wafer is fixed to the support plate via a support tape having a surface made of the pressure-sensitive adhesive (A) layer and a surface made of the pressure-sensitive adhesive (B) layer.
Examples of the wafer include a slice of a high-purity semiconductor single crystal made of silicon, gallium, arsenic, or the like. The thickness of the wafer is not particularly limited, but is generally about 500 μm to 1 mm. Note that a predetermined circuit pattern is formed on the surface of the wafer before being fixed to the support plate.
[0035]
Although it does not specifically limit as said support plate, When the irritation | stimulation which reduces the adhesive force of an adhesive (A) layer is irritation | stimulation by light, it is preferable that it is transparent, for example, glass plate; acrylic, olefin, Examples thereof include a plate-like body made of a resin such as polycarbonate, vinyl chloride, ABS, PET, nylon, urethane, and polyimide.
A preferable lower limit of the thickness of the support plate is 500 μm, and an upper limit is 3 mm. A more preferable lower limit is 1 mm, and an upper limit is 2 mm. The thickness variation of the support plate is preferably 1% or less.
[0036]
In the method of manufacturing an IC chip according to the present invention, in the step of fixing the wafer to the support plate via the support tape, the pressure-sensitive adhesive (A) layer and the wafer are bonded together, and the pressure-sensitive adhesive (B) layer And the support plate are bonded together.
At this time, the surface on which the circuit pattern of the wafer is formed and the adhesive (A) layer are bonded together.
[0037]
By fixing the wafer to the support plate via the support tape, the wafer can be reinforced and its handleability can be improved, so even a very thin wafer of about 50 μm thickness can be transported or processed. It is not chipped or cracked, and it can be stored in a cassette or the like. The support tape can be easily peeled off from the IC chip by giving a stimulus after completion of a series of steps for manufacturing the IC chip.
[0038]
The manufacturing method of the IC chip of the present invention includes at least a step of polishing in a state where the wafer is fixed to the support plate via the support tape.
The thickness of the wafer after polishing is not particularly limited, but the effect of preventing damage is more easily exhibited as the wafer is thinned. When the thickness after polishing is about 50 μm, for example, 20 to 80 μm, Excellent damage prevention effect is exhibited.
[0039]
The IC chip manufacturing method of the present invention includes at least a step of attaching a dicing tape to the polished wafer.
In addition, before affixing a dicing tape, you may affix a polyimide film to a wafer beforehand as an insulating board | substrate. When the polyimide film is attached to the wafer, it needs to be heated. Therefore, in the case where the pressure-sensitive adhesive (A) layer reduces the adhesive force due to heat stimulation, and when the pressure-sensitive adhesive (A) contains a gas generating agent that generates gas due to heat stimulation, Regarding the temperature at which the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive (A) is reduced or the temperature at which gas is generated, it is necessary to select a temperature higher than the temperature at which the polyimide film is attached to the wafer.
[0040]
Although it does not specifically limit as said dicing tape, A well-known photocurable adhesive tape can be used, for example, Adwill (registered trademark) D-series And tapes such as Nepto Denko's Elep Holder (registered trademark) UE series.
[0041]
The manufacturing method of the IC chip of the present invention includes at least a step of giving a stimulus to the pressure-sensitive adhesive (A) layer, and in this step, the stimulus is given while applying a uniform load to the entire wafer.
By giving a stimulus to the pressure-sensitive adhesive (A) layer as described above, gas is generated from the gas generating agent, and the generated gas peels off at least a part of the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive from the adherend, thereby increasing the adhesive force. Reduce. At this time, in a normal state, the generated gases are joined together to form larger bubbles, and the large bubbles peel off at least a part of the adhesive surface of the adhesive from the adherend. However, the generation of such large bubbles is not necessarily uniform over the entire wafer, and may be biased depending on the state of adhesion and the way of giving stimulation. An extremely thin wafer having a thickness of about 50 μm is weaker and more likely to warp than a conventional wafer having a thickness of about 100 to 600 μm, so that the wafer is deformed or damaged by the pressure of large, uneven bubbles. Sometimes.
[0042]
By uniformly applying a load to the entire wafer when applying the stimulus, it is possible to prevent the generation of such nonuniform large bubbles. That is, by applying a uniform load, it is difficult to form large bubbles due to the pressure due to the load, and it is difficult for the generated gas to move freely on the bonding surface, and the gases merge to form large bubbles. I can't. Therefore, since the generated gas becomes uniform fine bubbles over the entire bonding surface, the pressure of the gas applied to the wafer is also applied uniformly to the entire wafer, so that the wafer is not deformed or damaged.
[0043]
A method for uniformly applying a load to the entire wafer is not particularly limited, but a method of applying a load by placing an appropriate weight is preferable. The magnitude of the load at this time is not particularly limited, but is set to such an extent that the IC chip is not damaged.
The material of the weight is not particularly limited, but it is preferably transparent when the stimulus for generating the gas is light.
Specifically, a glass plate having a thickness of about 1 to 2 cm is preferable.
[0044]
In the IC chip manufacturing method of the present invention, the support tape is then peeled from the wafer. At this time, since the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive (A) is reduced by stimulation, the support tape can be easily peeled from the wafer.
[0045]
In addition, when the adhesive containing the gas generating agent which generate | occur | produces gas by irritation | stimulation is used as an adhesive (B), prior to peeling a support tape from a wafer, irritation | stimulation is given and an adhesive (B) layer If a hard support plate is peeled off from the support tape after generating gas from the gas generating agent to reduce the adhesive strength, the support tape becomes a flexible tape and can be peeled off from the wafer while turning the tape. Therefore, it can be peeled from the wafer even more easily. Since the number of processes is increased, it is preferable to perform the process when an IC chip is manufactured from a wafer in which a fragile circuit is formed on the surface of the wafer.
[0046]
The IC chip manufacturing method of the present invention includes at least a step of dicing a wafer. By this step, the wafer having a circuit formed on the surface is cut into chips by a diamond cutter. The size is usually one side, several hundred μm to several tens of mm.
[0047]
【Example】
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
[0048]
Example 1
<Preparation of adhesive>
The following compounds were dissolved in ethyl acetate and polymerized by irradiating with ultraviolet rays to obtain an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 700,000.
The resin solid content of 100 parts by weight of the ethyl acetate solution containing the acrylic copolymer thus obtained is reacted by adding 3.5 parts by weight of 2-isocyanatoethyl methacrylate and the resin of the ethyl acetate solution after the reaction. To 100 parts by weight of solid content, 20 parts by weight of pentaerythritol triacrylate, 0.5 parts by weight of a photopolymerization initiator (Irgacure 651, 50% ethyl acetate solution), and 1.5 parts by weight of polyisocyanate are mixed to form an adhesive ( An ethyl acetate solution of 1) was prepared.
79 parts by weight of butyl acrylate
15 parts by weight of ethyl acrylate
1 part by weight of acrylic acid
2-hydroxyethyl acrylate 5 parts by weight
Photopolymerization initiator 0.2 parts by weight
(Irgacure 651, 50% ethyl acetate solution)
Lauryl mercaptan 0.02 parts by weight
[0049]
Furthermore, 100 parts by weight of 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide) is mixed with 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the adhesive (1) to generate gas. A pressure-sensitive adhesive (2) containing an agent was prepared.
[0050]
<Preparation of support tape>
Apply an ethyl acetate solution of the adhesive (1) with a doctor knife so that the dry film thickness is about 15 μm on one side of a 100 μm-thick transparent PET film subjected to corona treatment on both sides at 110 ° C. The coating solution was dried by heating for 5 minutes. The pressure-sensitive adhesive (1) layer after drying showed adhesiveness in a dry state. Next, a PET film having been subjected to a release treatment was attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive (1) layer.
[0051]
Apply an ethyl acetate solution of adhesive (1) with a doctor knife on a PET film with a release treatment on the surface so that the dry film thickness is about 15 μm, and heat at 110 ° C. for 5 minutes. The solvent was evaporated and the coating solution was dried. The pressure-sensitive adhesive (1) layer after drying showed adhesiveness in a dry state. Next, a PET film having been subjected to a release treatment was attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive (1) layer.
[0052]
Next, the surface without the adhesive (1) layer of the PET film subjected to corona treatment provided with the adhesive (1) layer and the adhesion of the PET film subjected to the release treatment provided with the adhesive (1) layer The surface of the agent (1) layer was bonded. Thereby, the adhesive tape was provided on both surfaces, and the support tape 1 with which the surface was protected with the PET film which gave the mold release process was obtained.
[0053]
Separately, an ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive (2) was applied on a PET film having a release treatment on the surface with a doctor knife so that the thickness of the dry film was about 10 μm, and 110 ° C. for 5 minutes. The solvent was evaporated by heating to dry the coating solution. The pressure-sensitive adhesive (2) layer after drying showed adhesiveness in a dry state. Next, a PET film having been subjected to a release treatment was attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive (2) layer.
[0054]
The PET film having the release treatment applied to the surface protecting the pressure-sensitive adhesive (1) layer on one side of the support tape 1 is peeled off, and the PET film having the release treatment applied to the surface on which the pressure-sensitive adhesive (2) layer is formed. The pressure-sensitive adhesive (2) layer was laminated. Then, static curing was performed at 40 ° C. for 3 days.
As a result, the pressure-sensitive adhesive (1) layer is provided on one surface, the surface of the pressure-sensitive adhesive (1) layer is provided on the other surface, and the pressure-sensitive adhesive layer (2) is provided on the surface. The support tape 2 protected with the PET film to which was applied was obtained.
[0055]
(Polishing process)
The PET film protecting the pressure-sensitive adhesive (2) layer of the supporting tape 2 was peeled off and attached to a silicon wafer having a diameter of 20.4 cm and a thickness of about 750 μm. Next, the PET film protecting the pressure-sensitive adhesive (1) layer was peeled off and bonded to a support plate made of a glass plate having a diameter of 20.4 cm in a reduced pressure environment. A glass plate bonded to the silicon wafer via the support tape 2 was attached to a polishing apparatus and polished until the thickness of the silicon wafer reached about 50 μm. After the polishing, the support plate to which the silicon wafer was bonded was removed from the polishing apparatus, and a dicing tape was stuck on the silicon wafer.
[0056]
(Wafer peeling process)
The silicon wafer to which the dicing tape was attached was placed with the dicing tape facing down, and a glass plate having a diameter of 20 cm and a thickness of 1 cm was gently placed on the support plate. In this state, using a super high pressure mercury lamp from the glass plate side, the irradiation intensity of the ultraviolet light of 365 nm to the glass plate surface is 40 mW / cm. ² Irradiation was adjusted so that After removing the glass plate, the support plate and the support tape 2 were peeled off from the silicon wafer.
[0057]
(Dicing process)
Subsequently, the silicon wafer reinforced with dicing tape was attached to a dicing apparatus, and a cutter blade was cut from the wafer side to cut the silicon wafer into the size of an IC chip. Next, the dicing tape was peeled off to obtain an IC chip.
[0058]
By using the support tape 2, the IC chip and the support plate can be bonded with high adhesive strength. By polishing in this state, the wafer can be polished to a thickness of about 50 μm without being damaged. . After polishing, ultraviolet rays were irradiated to generate gas from the gas generating agent, so that the adhesive strength of the support tape was remarkably reduced and the wafer could be easily peeled off. In addition, when a gas is generated from the gas generating agent, a glass plate is placed and a load is applied uniformly to the entire wafer, the generated gas coalesces into large bubbles, and the wafer is damaged by the pressure, There was no deformation.
[0059]
【The invention's effect】
According to the present invention, there is provided an IC chip manufacturing method capable of preventing wafer breakage and the like, improving handleability and processing into an IC chip satisfactorily even when the wafer is extremely thin to about 50 μm. it can.

Claims

少なくとも、
刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤（Ａ）層からなる面と粘着剤（Ｂ）層からなる面とを有する支持テープを介して、ウエハを支持板に固定する工程、
前記支持テープを介して前記ウエハを前記支持板に固定した状態で研磨する工程、
研磨した前記ウエハにダイシングテープを貼り付ける工程、
前記粘着剤（Ａ）層に前記刺激を与える工程、
前記ウエハから前記支持テープを剥離する工程、及び、
前記ウエハのダイシングを行う工程
を有するＩＣチップの製造方法であって、
前記支持テープを介して前記ウエハを前記支持板に固定する工程において、前記粘着剤（Ａ）層からなる面と前記ウエハとを貼り合わせ、前記粘着剤（Ｂ）層からなる面と前記支持板とを貼り合わせ、
前記粘着剤（Ａ）層に前記刺激を与える工程において、前記ウエハ全体に均一に荷重をかけながら前記刺激を与える
ことを特徴とするＩＣチップの製造方法。at least,
A step of fixing a wafer to a support plate via a support tape having a surface made of an adhesive (A) layer containing a gas generating agent that generates gas by stimulation and a surface made of an adhesive (B) layer;
Polishing with the wafer fixed to the support plate via the support tape;
Attaching a dicing tape to the polished wafer;
Applying the stimulus to the pressure-sensitive adhesive (A) layer;
Peeling the support tape from the wafer; and
An IC chip manufacturing method including a step of dicing the wafer,
In the step of fixing the wafer to the support plate via the support tape, the surface made of the adhesive (A) layer and the wafer are bonded together, and the surface made of the adhesive (B) layer and the support plate And
In the step of applying the stimulus to the pressure-sensitive adhesive (A) layer, the stimulus is applied while uniformly applying a load to the entire wafer.

研磨したウエハにダイシングテープを貼り付ける工程とウエハから支持テープを剥離する工程との間に、支持テープから支持板を剥離する工程を有することを特徴とする請求項１記載のＩＣチップの製造方法。2. The method of manufacturing an IC chip according to claim 1, further comprising a step of peeling the support plate from the support tape between the step of attaching the dicing tape to the polished wafer and the step of peeling the support tape from the wafer. .