JP4804719B2 - Manufacturing method of semiconductor chip - Google Patents
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Description
本発明は、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる半導体
チップの製造方法に関する。
The present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor chip that can obtain a semiconductor chip with high production efficiency without being damaged.
ＩＣやＬＳＩ等の半導体チップは、通常、純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスし
て半導体ウエハとした後、フォトレジストを利用して半導体ウエハ表面に所定の回路パタ
ーンを形成し、次いで半導体ウエハ裏面を研削機により研削して、厚さを１００〜３００
μｍ程度まで薄くした後、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されてい
る。
A semiconductor chip such as an IC or LSI is usually formed by slicing a high-purity rod-shaped semiconductor single crystal or the like into a semiconductor wafer, and then forming a predetermined circuit pattern on the surface of the semiconductor wafer using a photoresist, and then the semiconductor The back surface of the wafer is ground by a grinding machine to a thickness of 100 to 300
After being thinned to about μm, it is manufactured by finally dicing into chips.
従来から、ダイシングの際には、半導体ウエハ裏面側にダイシング用粘着テープを貼付し
て、半導体ウエハを接着固定した状態で縦方向及び横方向にダイシングし、個々の半導体
チップに分離した後、形成された半導体チップをダイシングテープ側からニードル等で突
き上げてピックアップし、ダイパッド上に固定させる方法が採られていた。例えば、特許
文献１には、複数の砥石軸を有する研削加工装置を用いて、半導体ウエハの裏面側より、
少なくとも一つの砥石軸で半導体ウエハ厚を薄く研削する加工と、他の少なくとも一つの
砥石軸で半導体ウエハを矩形状に切断分離する加工とを、同時に行う半導体ウエハの研削
加工方法が開示されているが、このような方法にあっても半導体ウエハの位置ずれ等を防
止する目的でダイシング用粘着テープが用いられている。
Conventionally, when dicing, a dicing adhesive tape is affixed to the back side of a semiconductor wafer, and the semiconductor wafer is bonded and fixed in a vertical and horizontal direction, and separated into individual semiconductor chips, and then formed. A method of picking up the picked up semiconductor chip with a needle or the like from the dicing tape side and picking it up and fixing it on the die pad has been adopted. For example, in Patent Document 1, using a grinding apparatus having a plurality of grindstone axes, from the back side of the semiconductor wafer,
A semiconductor wafer grinding method is disclosed in which at least one grinding wheel shaft is used to grind a semiconductor wafer thinly, and at least one other grinding wheel shaft is used to simultaneously cut and separate the semiconductor wafer into a rectangular shape. However, even in such a method, a dicing adhesive tape is used for the purpose of preventing the positional deviation of the semiconductor wafer.
ダイシングの際に半導体ウエハの位置ずれ等を確実に防止するためには、半導体ウエハを
固定するダイシング用粘着テープに高い粘着力が求められる。しかしながら、ダイシング
用粘着テープの粘着力を高く設定すると、ダイシング用粘着テープから得られた半導体チ
ップを剥離するのが困難になり、ニードル等で突き上げてピックアップする際に半導体ウ
エハが損傷してしまうことがあるという問題があった。
In order to reliably prevent misalignment of the semiconductor wafer during dicing, a high adhesive force is required for the dicing adhesive tape for fixing the semiconductor wafer. However, if the adhesive strength of the dicing adhesive tape is set high, it becomes difficult to peel off the semiconductor chip obtained from the dicing adhesive tape, and the semiconductor wafer may be damaged when picked up with a needle or the like. There was a problem that there was.
これに対して、ダイシング用粘着テープの粘着剤として硬化型粘着剤を用いる方法が行わ
れていた。この方法によれば、比較的高い粘着力で半導体ウエハを固定してダイシングを
行った後、粘着剤を硬化してその粘着力を低下させた後、得られた半導体チップをダイシ
ング用粘着テープから剥離することができる。しかしながら、硬化型粘着剤を用いたとし
ても、その粘着力の変化の幅は小さいものであることから、ダイシング時の半導体ウエハ
の位置ずれ等を充分に防止できる程度に高い粘着力を付与した場合には、硬化後の粘着力
もあまり低下しないことから、やはりニードル等で突き上げてピックアップする際に半導
体チップを損傷することなく取り上げることは困難であった。
On the other hand, the method of using a curable adhesive as an adhesive of the adhesive tape for dicing has been performed. According to this method, after fixing the semiconductor wafer with relatively high adhesive force and performing dicing, the adhesive is cured to reduce the adhesive force, and then the obtained semiconductor chip is removed from the adhesive tape for dicing. Can be peeled off. However, even when a curable adhesive is used, since the range of change in adhesive force is small, when a high adhesive force is applied that can sufficiently prevent misalignment of the semiconductor wafer during dicing, etc. However, since the adhesive strength after curing does not decrease so much, it is difficult to pick up the semiconductor chip without damaging it when it is picked up with a needle or the like.
また、半導体ウエハの表面に形成された回路パターンが極めて微細であったり、破損しや
すいものである場合には、ダイシングの際に砥石があたったりダイシングにより生じた切
粉により回路パターンが破損してしまうことがあった。このような場合には、ダイシング
用粘着テープを半導体ウエハ表面側に貼付し、半導体ウエハ裏面側からダイシングを行う
裏ダイシング法が行われる。しかしながら、裏ダイシング法により得られた半導体ウエハ
をピックアップする際には、半導体ウエハの表面側、即ち、回路パターンが形成された側
をニードル等で突き上げることになり、このときに回路パターンが破損してしまうことが
あるという問題があった。
In addition, when the circuit pattern formed on the surface of the semiconductor wafer is extremely fine or easily damaged, the circuit pattern may be damaged by a grindstone during dicing or by chips generated by dicing. There was a case. In such a case, a back dicing method is performed in which a dicing adhesive tape is attached to the front side of the semiconductor wafer and dicing is performed from the back side of the semiconductor wafer. However, when picking up a semiconductor wafer obtained by the back dicing method, the surface side of the semiconductor wafer, that is, the side on which the circuit pattern is formed is pushed up with a needle or the like. At this time, the circuit pattern is damaged. There was a problem that sometimes.
更に、近年ではコスト削減等の要請から高い生産性で半導体チップを生産することが要求
されており、各工程においても極限の効率化が求められている。なかでもダイシング後の
半導体チップをニードル等で突き上げてピックアップする工程は、ピックアップの速度を
上げようとすると破損する半導体チップの数が増加してしまい歩留りに影響することから
、生産性向上のための問題点の１つとなっていた。
Furthermore, in recent years, it has been required to produce semiconductor chips with high productivity due to demands for cost reduction and the like, and extreme efficiency is required in each process. In particular, the process of picking up a semiconductor chip after dicing it with a needle or the like increases the number of semiconductor chips that are damaged when trying to increase the speed of the pick-up and affects the yield. It was one of the problems.
本発明は、上記現状に鑑み、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得るこ
とができる半導体チップの製造方法を提供することを目的とする。
An object of the present invention is to provide a semiconductor chip manufacturing method capable of obtaining a semiconductor chip with high production efficiency without causing damage.
本発明は、回路が形成された半導体ウエハに、光を照射することにより気体を発生する気
体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープを貼付するテープ貼付工程
と、前記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハをダイシングして、個々の半導体チ
ップに分割するダイシング工程と、前記分割された個々の半導体チップに光を照射して、
半導体チップから前記ダイシング用粘着テープの少なくとも一部を剥離する剥離工程と、
前記半導体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げるピックアップ工程とを
有する半導体チップの製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
The present invention includes a tape attaching step of attaching an adhesive tape for dicing having an adhesive layer containing a gas generating agent that generates a gas by irradiating light to a semiconductor wafer on which a circuit is formed, and the adhesive for dicing Dicing the wafer to which the tape is attached and dicing it into individual semiconductor chips, and irradiating the divided semiconductor chips with light,
A peeling step of peeling at least a part of the adhesive tape for dicing from a semiconductor chip;
A semiconductor chip manufacturing method including a pickup step of picking up the semiconductor chip by a needleless pickup method.
The present invention is described in detail below.
本発明の半導体チップの製造方法は、回路が形成された半導体ウエハに、光を照射するこ
とにより気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層を有するダイシング用粘着テープ
を貼付するテープ貼付工程を有する。このようなダイシング用粘着テープを貼付すること
により、後述するダイシング工程において半導体ウエハが位置ずれ等を起こすことを防止
することができると同時に、従来のニードルピックアップ法のように半導体チップを損傷
することのないニードルレスピックアップ法によるピックアップを実現することができる
。
The method for manufacturing a semiconductor chip of the present invention includes a tape applying step of applying an adhesive tape for dicing having an adhesive layer containing a gas generating agent that generates gas by irradiating light to a semiconductor wafer on which a circuit is formed. Have By sticking such a dicing adhesive tape, it is possible to prevent the semiconductor wafer from being displaced in the dicing process described later, and at the same time damage the semiconductor chip as in the conventional needle pickup method. Pickup can be realized by the needleless pickup method without any problem.
上記回路が形成された半導体ウエハとしては、従来公知の方法により調製されたものを用
いることができ、例えば、半導体単結晶等をスライスして得たウエハの表面にフォトレジ
ストを利用して回路パターンを形成した後、所定の厚さにまで研削したもの等が挙げられ
る。
上記半導体ウエハの厚さとしては特に限定されず、従来の１００〜３００μｍ程度のもの
から、５０μｍ以下のものでも用いることができる。本発明の半導体チップの製造方法は
、特に厚さが５０μｍ以下の半導体ウエハから半導体チップを高い生産性で製造するのに
適している。
As the semiconductor wafer on which the circuit is formed, a wafer prepared by a conventionally known method can be used. For example, a circuit pattern using a photoresist on the surface of a wafer obtained by slicing a semiconductor single crystal or the like is used. After forming, the thing ground to the predetermined thickness etc. are mentioned.
The thickness of the semiconductor wafer is not particularly limited, and a conventional wafer having a thickness of about 100 to 300 μm to a thickness of 50 μm or less can be used. The semiconductor chip manufacturing method of the present invention is particularly suitable for manufacturing a semiconductor chip with high productivity from a semiconductor wafer having a thickness of 50 μm or less.
上記ダイシング用粘着テープは、光を照射することにより気体を発生する気体発生剤を含
有する粘着剤層を有する。このような粘着剤層を有することにより、ダイシング工程にお
いて半導体ウエハが位置ずれ等を起こさない程度に充分な粘着力を有する場合であっても
、剥離時に光を照射すれば、気体発生剤から発生した気体が粘着剤層と半導体ウエハとの
界面に放出され、接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に半導
体ウエハからダイシング用粘着テープを剥離することができ、半導体チップを損傷するこ
とのないニードルレスピックアップ法によるピックアップを実現することができる。
The said dicing adhesive tape has an adhesive layer containing the gas generating agent which generate | occur | produces gas by irradiating light. By having such a pressure-sensitive adhesive layer, even if the semiconductor wafer has sufficient adhesive strength so as not to cause misalignment in the dicing process, it will be generated from the gas generating agent if it is irradiated with light at the time of peeling. The released gas is released to the interface between the pressure-sensitive adhesive layer and the semiconductor wafer and peels at least a part of the bonding surface to reduce the adhesive force. Therefore, the dicing pressure-sensitive adhesive tape can be easily peeled from the semiconductor wafer, Pickup by the needleless pickup method that is not damaged can be realized.
上記光照射により気体を発生する気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ
化合物、アジド化合物が好適に用いられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチ
ルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルプロピル）−２−メチル
プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）
、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−メチルプロピオンアミド］、２
，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス
（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−エチル−２
−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（
ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス
｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２’−
アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−
アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビ
ス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、
２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジハイドロクロライ
ド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］ジサルフェイト
ジハイドロレート、２，２’−アゾビス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミ
ジン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス｛２−［１−（
２−ヒドロキシエチル）−２−イミダゾリン２−イル］プロパン｝ジハイドロクロライド
、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾリン２−イル）プロパン］、２，２’−アゾ
ビス（２−メチルプロピオンアミジン）ハイドロクロライド、２，２’−アゾビス（２−
アミノプロパン）ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシア
シル）−２−メチル−プロピオンアミジン］、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カ
ルボキシエチル）アミジン］プロパン｝、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンア
ミドオキシム）、ジメチル２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル
２，２’−アゾビスイソブチレート、４，４’−アゾビス（４−シアンカルボニックアシ
ッド）、４，４’−アゾビス（４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２’−アゾビ
ス（２，４，４−トリメチルペンタン）等が挙げられる。
これらのアゾ化合物は、光、とりわけ波長３６５ｎｍ程度の紫外線を照射することにより
窒素ガスを発生する。
Although it does not specifically limit as a gas generating agent which generate | occur | produces gas by the said light irradiation, For example, an azo compound and an azide compound are used suitably.
Examples of the azo compound include 2,2′-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-methylpropyl) -2-methylpropionamide], 2 , 2'-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide)
2,2′-azobis [N- (2-methylethyl) -2-methylpropionamide], 2
, 2′-azobis (N-hexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-propyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-ethyl-2)
-Methylpropionamide), 2,2'-azobis {2-methyl-N- [1,1-bis (
Hydroxymethyl) -2-hydroxyethyl] propionamide}, 2,2′-azobis {2-methyl-N- [2- (1-hydroxybutyl)] propionamide}, 2,2′-
Azobis [2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2′-
Azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis [2- (5-methyl-2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride,
2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] disulfate dihydrolate, 2 , 2′-azobis [2- (3,4,5,6-tetrahydropyrimidin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis {2- [1- (
2-hydroxyethyl) -2-imidazolin-2-yl] propane} dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane], 2,2′-azobis (2-methylpropion) Amidine) hydrochloride, 2,2′-azobis (2-
Aminopropane) dihydrochloride, 2,2′-azobis [N- (2-carboxyacyl) -2-methyl-propionamidine], 2,2′-azobis {2- [N- (2-carboxyethyl) amidine ] Propane}, 2,2′-azobis (2-methylpropionamidoxime), dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate), dimethyl 2,2′-azobisisobutyrate, 4,4 Examples include '-azobis (4-cyancarbonic acid), 4,4'-azobis (4-cyanopentanoic acid), and 2,2'-azobis (2,4,4-trimethylpentane).
These azo compounds generate nitrogen gas when irradiated with light, particularly ultraviolet rays having a wavelength of about 365 nm.
上記アゾ化合物は、１０時間半減期温度が８０℃以上であることが好ましい。１０時間半
減期温度が８０℃未満であると、本発明の粘着テープは、キャストにより粘着剤層を形成
して乾燥する際に発泡を生じてしまったり、経時的に分解反応を生じて分解残渣がブリー
ドアウトしてしまったり、経時的に気体を発生して貼り合わせた被着体との界面に浮きを
生じさせてしまったりすることがある。１０時間半減期温度が８０℃以上であれば、耐熱
性に優れていることから、高温での使用及び安定した貯蔵が可能である。
The azo compound preferably has a 10-hour half-life temperature of 80 ° C. or higher. When the 10-hour half-life temperature is less than 80 ° C., the pressure-sensitive adhesive tape of the present invention may cause foaming when it is dried by forming a pressure-sensitive adhesive layer by casting, or a decomposition reaction may occur over time. May bleed out, or may generate gas over time and cause floating at the interface with the adherend. If the 10-hour half-life temperature is 80 ° C. or higher, the heat resistance is excellent, and therefore, use at a high temperature and stable storage are possible.
１０時間半減期温度が８０℃以上であるアゾ化合物としては、下記一般式（１）で表され
るアゾアミド化合物等が挙げられる。下記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物は、
耐熱性に優れていることに加え、後述するアクリル酸アルキルエステルポリマー等の粘着
性を有するポリマーへの溶解性にも優れ、粘着剤層中に粒子として存在しないものとする
ことができる。
Examples of the azo compound having a 10-hour half-life temperature of 80 ° C. or higher include an azoamide compound represented by the following general formula (1). The azoamide compound represented by the following general formula (1) is:
In addition to being excellent in heat resistance, it is also excellent in solubility in an adhesive polymer such as an alkyl acrylate polymer to be described later, and cannot be present as particles in the adhesive layer.
飽和アルキル基を表す。なお、Ｒ１とＲ２は、同一であっても、異なっていてもよい。
上記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（
Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−
メチルプロピル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−
２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−
メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオン
アミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２
’−アゾビス（Ｎ−エチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−
メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオン
アミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プ
ロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プ
ロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオ
ンアミド］等が挙げられる。なかでも、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプ
ロピオンアミド）及び２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピ
オンアミド］は、溶剤への溶解性に特に優れていることから好適に用いられる。
Examples of the azoamide compound represented by the general formula (1) include 2,2′-azobis (
N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-
Methylpropyl) -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-butyl-
2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-methylethyl) -2-
Methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-hexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-propyl-2-methylpropionamide), 2,2
'-Azobis (N-ethyl-2-methylpropionamide), 2,2'-azobis {2-
Methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl) -2-hydroxyethyl] propionamide}, 2,2′-azobis {2-methyl-N- [2- (1-hydroxybutyl)] propionamide} 2,2′-azobis [2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2′-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide] and the like. Among these, 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide) and 2,2′-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide] have improved solubility in solvents. It is preferably used because it is particularly excellent.
上記アジド化合物としては、例えば、３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフ
タルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセ
タンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有する
ポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、とりわけ波長３６５ｎｍ程度の
紫外線を照射することにより窒素ガスを発生する。
Examples of the azide compound include 3-azidomethyl-3-methyloxetane, terephthalazide, p-tert-butylbenzazide; and glycidyl azide polymer obtained by ring-opening polymerization of 3-azidomethyl-3-methyloxetane. Examples thereof include a polymer having an azide group. These azide compounds generate nitrogen gas when irradiated with light, particularly ultraviolet rays having a wavelength of about 365 nm.
これらの気体発生剤のうち、上記アジド化合物は衝撃を与えることによっても容易に分解
して窒素ガスを放出することから、取り扱いが困難であるという問題がある。更に、上記
アジド化合物は、いったん分解が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出し
その制御ができないことから、爆発的に発生した窒素ガスによって被着体が損傷すること
があるという問題もある。このような問題から上記アジド化合物の使用量は限定されるが
、限定された使用量では充分な効果が得られないことがある。
Among these gas generating agents, the azide compound is easily decomposed even by giving an impact and releases nitrogen gas, so that there is a problem that handling is difficult. Furthermore, once the decomposition starts, the azide compound causes a chain reaction and explosively releases nitrogen gas, which cannot be controlled. Therefore, the adherend may be damaged by the explosively generated nitrogen gas. There is also a problem. Due to such problems, the amount of the azide compound used is limited, but sufficient effects may not be obtained with the limited amount used.
一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり衝撃によっては気体を発生しないこと
から取り扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生するこ
ともないため被着体を損傷することもなく、光の照射を中断すれば気体の発生も中断でき
ることから、用途に合わせた接着性の制御が可能であるという利点もある。従って、上記
気体発生剤としては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。
On the other hand, unlike the azide compound, the azo compound is extremely easy to handle because it does not generate gas upon impact. In addition, since no gas is explosively generated due to a chain reaction, the adherend is not damaged, and generation of gas can be interrupted if light irradiation is interrupted. There is also an advantage that control is possible. Therefore, it is more preferable to use an azo compound as the gas generating agent.
上記気体発生剤は、上記粘着剤層中に粒子として存在しないことが好ましい。なお、本明
細書において、気体発生剤が粒子として存在しないとは、電子顕微鏡により上記粘着剤層
を観察したときに気体発生剤を確認することができないことを意味する。上記粘着剤層中
に気体発生剤が粒子として存在すると、気体を発生させる刺激として光を照射したときに
粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、粘着剤層の表面平滑性
が悪くなったりすることがある。
The gas generating agent is preferably not present as particles in the pressure-sensitive adhesive layer. In addition, in this specification, that a gas generating agent does not exist as a particle | grain means that a gas generating agent cannot be confirmed when the said adhesive layer is observed with an electron microscope. When the gas generating agent is present as particles in the pressure-sensitive adhesive layer, when light is irradiated as a gas generating stimulus, light is scattered at the particle interface, resulting in low gas generation efficiency. The surface smoothness may deteriorate.
上記気体発生剤を粒子として存在しないようにするには、通常、上記粘着剤層を構成する
粘着剤に溶解する気体発生剤を選択するが、粘着剤に溶解しない気体発生剤を選択する場
合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中に気
体発生剤を微分散させる。粘着剤層中に気体発生剤を微分散させるためには、気体発生剤
は、できるだけ微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分
散機や混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、
電子顕微鏡により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状
態まで分散させることがより好ましい。
In order to prevent the gas generating agent from being present as particles, normally, a gas generating agent that dissolves in the adhesive constituting the adhesive layer is selected, but when a gas generating agent that does not dissolve in the adhesive is selected. For example, the gas generating agent is finely dispersed in the pressure-sensitive adhesive layer by using a disperser or using a dispersing agent in combination. In order to finely disperse the gas generating agent in the pressure-sensitive adhesive layer, the gas generating agent is preferably as fine as possible. Further, these fine particles are necessary using, for example, a disperser or a kneading apparatus. It is preferable to make finer particles according to the conditions. That is,
It is more preferable to disperse the gas generating agent to a state where it cannot be confirmed when the pressure-sensitive adhesive layer is observed with an electron microscope.
上記ダイシング用粘着テープでは、上記気体発生剤から発生した気体は粘着剤層の外へ放
出されることが好ましい。これにより、上記ダイシング用粘着テープを半導体チップに貼
付した接着面に光を照射すると気体発生剤から発生した気体が半導体チップから接着面の
少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に剥離することができる。この際
、気体発生剤から発生した気体の大部分は粘着剤層の外へ放出されることが好ましい。上
記気体発生剤から発生した気体の大部分が粘着剤層の外へ放出されないと、粘着剤層が気
体発生剤から発生した気体により全体的に発泡してしまい、接着力を低下させる効果を充
分に得ることができず、半導体チップ上に糊残りを生じさせてしまうことがある。なお、
半導体チップ上に糊残りを生じさせない程度であれば、気体発生剤から発生した気体の一
部が粘着剤層中に溶け込んでいたり、気泡として粘着剤層中に存在していたりしてもかま
わない。
In the dicing adhesive tape, the gas generated from the gas generating agent is preferably released out of the adhesive layer. As a result, when the adhesive surface on which the dicing adhesive tape is affixed to the semiconductor chip is irradiated with light, the gas generated from the gas generating agent peels off at least a part of the adhesive surface from the semiconductor chip and lowers the adhesive force. can do. At this time, it is preferable that most of the gas generated from the gas generating agent is released out of the pressure-sensitive adhesive layer. If most of the gas generated from the gas generating agent is not released to the outside of the pressure-sensitive adhesive layer, the pressure-sensitive adhesive layer is foamed entirely by the gas generated from the gas generating agent, and the effect of reducing the adhesive force is sufficient. In some cases, adhesive residue may be generated on the semiconductor chip. In addition,
As long as no adhesive residue is generated on the semiconductor chip, a part of the gas generated from the gas generating agent may be dissolved in the pressure-sensitive adhesive layer or may be present as bubbles in the pressure-sensitive adhesive layer. .
上記粘着剤層を構成する粘着剤は、刺激により架橋して弾性率が上昇するものであること
が好ましい。このような粘着剤を用いれば、剥離時に刺激を与えて弾性率を上昇させるこ
とにより、粘着力が低下して剥離をより容易にすることができる。更に、剥離の際に気体
を発生させるのに先立って架橋させれば粘着剤層全体の弾性率が上昇し、弾性率が上昇し
た硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出
され、放出された気体は、半導体チップから粘着剤層の接着面の少なくとも一部を剥がし
接着力を低下させる。
上記粘着剤を架橋させる刺激は、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激と同一であっ
てもよいし、異なっていてもよい。刺激が異なる場合には、剥離の際、気体発生剤から気
体を発生させる刺激を与える前に架橋成分を架橋させる刺激を与える。
The pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer is preferably one that is crosslinked by stimulation and has an increased elastic modulus. By using such an adhesive, it is possible to make the peeling easier by reducing the adhesive force by increasing the elastic modulus by giving a stimulus at the time of peeling. Furthermore, if the cross-linking is performed prior to the generation of gas at the time of peeling, the elastic modulus of the entire pressure-sensitive adhesive layer will increase, and if gas is generated from the gas generating agent in a hard cured product with an increased elastic modulus, Most of the gas thus discharged is released to the outside, and the released gas peels off at least a part of the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive layer from the semiconductor chip to reduce the adhesive force.
The stimulus for crosslinking the pressure-sensitive adhesive may be the same as or different from the stimulus for generating gas from the gas generating agent. When the stimuli are different, a stimulus for cross-linking the cross-linking component is given before giving a stimulus for generating gas from the gas generating agent at the time of peeling.
このような粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなる
アクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリ
マーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて
光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有
してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重
合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重
合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
As such an adhesive, for example, an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and a radical polymerizable polyfunctional A photo-curing pressure-sensitive adhesive comprising an oligomer or a monomer as a main component and a photopolymerization initiator as required, an alkyl acrylate ester having a radically polymerizable unsaturated bond in the molecule, and / or Alternatively, a methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer and a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer as main components and a thermosetting pressure-sensitive adhesive containing a thermal polymerization initiator can be used.
このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤等の後硬化型粘着剤からなる粘着剤層は、
光の照射又は加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するた
め、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、弾性率
の上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外
部に放出され、放出された気体は、半導体チップから粘着剤の接着面の少なくとも一部を
剥がし接着力を低下させる。
The pressure-sensitive adhesive layer comprising a post-curing pressure-sensitive adhesive such as a photo-curing pressure-sensitive adhesive or a thermosetting pressure-sensitive adhesive,
Since the entire pressure-sensitive adhesive layer is uniformly and rapidly polymerized and cross-linked and integrated by light irradiation or heating, the elastic modulus is remarkably increased by polymerization and curing, and the adhesive strength is greatly reduced. In addition, when a gas is generated from a gas generating agent in a hard cured material having an increased elastic modulus, most of the generated gas is released to the outside, and the released gas is at least one of the adhesive surfaces of the adhesive from the semiconductor chip. Remove the part to reduce the adhesive strength.
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（
以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーという）をあらかじめ合成し、分子内に上
記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、官
能基含有不飽和化合物という）と反応させることにより得ることができる。
The polymerizable polymer is, for example, a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (
Hereinafter, a functional group-containing (meth) acrylic polymer) is synthesized in advance, and a compound having a functional group that reacts with the above functional group and a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing unsaturated group). It can be obtained by reacting with a compound).
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、
一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８
の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主
モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他
の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能
基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である
。
The functional group-containing (meth) acrylic polymer is a polymer having adhesiveness at room temperature,
As in the case of a general (meth) acrylic polymer, the alkyl group usually has 2 to 18 carbon atoms.
An acrylic acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester in the range of is used as a main monomer, and this, a functional group-containing monomer, and, if necessary, other modifying monomers copolymerizable with these by a conventional method. It is obtained by copolymerization. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル
基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒド
ロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ
基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル
等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチ
ル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル
、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙
げられる。
Examples of the functional group-containing monomer include a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid and methacrylic acid; a hydroxyl group-containing monomer such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; and an epoxy group containing glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Monomers; Isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate; and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.
Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物として
は、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モ
ノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマー
の官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノ
マーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用
いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等
のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマ
ーが用いられる。
The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、
より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるよう
に、その分子量が５，０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜
２０個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、
例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアク
リレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリ
レート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリ
トールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１
，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、
ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様
のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で
用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
As the polyfunctional oligomer or monomer, those having a molecular weight of 10,000 or less are preferable,
More preferably, the molecular weight is 5,000 or less and the number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2 to 2 so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer by heating or light irradiation can be efficiently performed.
There are 20 things. As such a more preferred polyfunctional oligomer or monomer,
Examples thereof include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and the same methacrylates as described above. Other, 1
, 4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate,
Examples include polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and methacrylates similar to those described above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することによ
り活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシア
セトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾイ
ンイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、ア
セトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体
化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン
、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサ
ントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−
ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光
重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
上記光重合開始剤を用いる場合には、酸素による上記後硬化型粘着剤の硬化阻害を防止す
るために、２ｐｈｒ以上配合することが好ましい。
Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone. Benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether; ketal derivative compounds such as benzyl dimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal; phosphine oxide derivative compounds; bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds, benzophenone, Michler's ketone Chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-
Examples include photo radical polymerization initiators such as hydroxymethylphenylpropane. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
When using the photopolymerization initiator, it is preferable to add 2 phr or more in order to prevent the post-curing pressure-sensitive adhesive from being inhibited by oxygen.
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生す
るものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、
ｔ−ブチルパーオキシベンゾエート、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパ
ーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオ
キサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙
げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラ
メンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これ
らの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パー
ブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂製）等が
好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されても
よい。
Examples of the thermal polymerization initiator include those that decompose by heat and generate an active radical that initiates polymerization and curing, such as dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide,
Examples thereof include t-butyl peroxybenzoate, t-butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, and di-t-butyl peroxide. Among these, cumene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide, and the like are preferable because of their high thermal decomposition temperature. Although it does not specifically limit as what is marketed among these thermal-polymerization initiators, For example, perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, permenta H (all are the products made from NOF) etc. are suitable. These thermal polymerization initiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で
、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤
に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活
性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。
In addition to the above components, the post-curing pressure-sensitive adhesive described above is variously blended with general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds as desired for the purpose of adjusting the cohesive force as the pressure-sensitive adhesive. You may mix | blend a polyfunctional compound suitably. Moreover, well-known additives, such as a plasticizer, resin, surfactant, wax, and a fine particle filler, can also be added.
上記粘着剤は、帯電防止処理が施されていてもよい。上記ダイシング用粘着テープが静電
気等で帯電すると、後述するように自己剥離した半導体チップをピックアップすることが
できなくなったり、空気中に浮遊する微粒子等を引き寄せ半導体チップの製造に悪影響を
与えたりすることがある。上記粘着剤に帯電防止処理を施す方法としては特に限定されな
いが、例えば、イオン型の界面活性剤や金属微粒子等を粘着剤中に配合する方法等が挙げ
られる。なかでも、金属微粒子や高分子型のイオン型界面活性剤を配合することが、粘着
力に悪影響を及ぼさないことから好ましい。
The pressure-sensitive adhesive may be subjected to antistatic treatment. If the adhesive tape for dicing is charged by static electricity or the like, it will not be possible to pick up the self-peeled semiconductor chip as will be described later, or it will attract fine particles floating in the air and adversely affect the production of the semiconductor chip. There is. The method for applying an antistatic treatment to the pressure-sensitive adhesive is not particularly limited, and examples thereof include a method of blending an ionic surfactant, metal fine particles, and the like in the pressure-sensitive adhesive. Among these, it is preferable to add metal fine particles and a polymer type ionic surfactant because they do not adversely affect the adhesive force.
光照射前の上記粘着剤層の半導体ウエハに対する粘着力の好ましい下限は０．５Ｎ／２５
ｍｍ、好ましい上限は１０Ｎ／２５ｍｍである。０．５Ｎ／２５ｍｍ未満であると、粘着
力が不充分でダイシング時に半導体ウエハが動いてしまうことがあり、１０Ｎ／２５ｍｍ
を超えると、光を照射してもピックアップ可能な程度にまで粘着力が低減しないことがあ
る。
The preferable lower limit of the adhesive strength of the adhesive layer to the semiconductor wafer before light irradiation is 0.5 N / 25.
mm, and a preferable upper limit is 10 N / 25 mm. If it is less than 0.5 N / 25 mm, the adhesive strength is insufficient and the semiconductor wafer may move during dicing. 10 N / 25 mm
If it exceeds 1, the adhesive strength may not be reduced to the extent that it can be picked up even when irradiated with light.
光照射前の上記粘着剤層の２３℃における剪断弾性率の好ましい下限は５×１０４Ｐａで
ある。５×１０４Ｐａ未満であると、半導体ウエハを正確にダイシングできないことがあ
る。
A preferred lower limit of the shear elastic modulus at 23 ° C. of the pressure-sensitive adhesive layer before light irradiation is 5 × 10 4 Pa. If it is less than 5 × 10 4 Pa, the semiconductor wafer may not be accurately diced.
上記粘着剤層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３μｍ、好ましい上限
は５０μｍである。３μｍ未満であると、接着力が不足しダイシング時にチップとびが発
生することがあり、５０μｍを超えると、接着力が高すぎるために剥離性が低下し、良好
に剥離することができないことがある。
Although it does not specifically limit as thickness of the said adhesive layer, A preferable minimum is 3 micrometers and a preferable upper limit is 50 micrometers. If it is less than 3 μm, the adhesive strength may be insufficient and chip skipping may occur during dicing. If it exceeds 50 μm, the adhesive strength may be too high and the peelability may be reduced, making it difficult to peel off. .
上記ダイシング用粘着テープは、基材の片面に粘着剤層が形成された片面粘着テープであ
ることが好ましい。
上記基材としては光を透過又は通過するものであれば特に限定されず、例えば、ポリアク
リル、ポリオレフィン、ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタ
レート（ＰＥＴ）、ナイロン、ポリウレタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート
、網目状の構造を有するシート、孔が開けられたシート等が挙げられる。
The dicing adhesive tape is preferably a single-sided adhesive tape in which an adhesive layer is formed on one side of a substrate.
The base material is not particularly limited as long as it transmits or passes light. For example, a transparent resin such as polyacryl, polyolefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, polyethylene terephthalate (PET), nylon, polyurethane, polyimide and the like. A sheet having a mesh structure, a sheet having holes, and the like.
上記基材は、後述する剥離工程やピックアップ工程にあわせて種々の態様を選択すること
ができる。
例えば、後述するピックアップ工程において上記ダイシング用粘着テープをエクスパンド
する場合には、上記基材としては、フィルム厚みが１００μｍ時の２０％伸び荷重が２５
Ｎ／２５ｍｍ以下である柔軟層を有することが好ましい。このような柔軟層を有すること
により、上記ダイシング用粘着テープを容易にエクスパンドすることができる。柔軟層の
２０％伸び荷重が２５Ｎ／２５ｍｍを超えると、上記ダイシング用粘着テープをエクスパ
ンドするために強い張力をかけることが必要となり装置が大型化したり、張力が不均一と
なり半導体チップが位置ずれを起こしたりすることがある。
The said base material can select a various aspect according to the peeling process and pick-up process which are mentioned later.
For example, when the dicing adhesive tape is expanded in a pickup process described later, the substrate has a 20% elongation load of 25 when the film thickness is 100 μm.
It is preferable to have a flexible layer that is N / 25 mm or less. By having such a flexible layer, the above-mentioned dicing adhesive tape can be easily expanded. When the 20% elongation load of the flexible layer exceeds 25 N / 25 mm, it is necessary to apply a strong tension to expand the above-mentioned dicing adhesive tape, and the apparatus becomes larger, the tension becomes uneven, and the semiconductor chip is displaced. It may be awakened.
また、上記基材が上記柔軟層を有する場合には、上記基材は光照射による自己剥離を更に
高めるために、粘着剤層と柔軟層の間に更に高剛性層を有してもよい。上記高剛性層とし
ては、フィルム厚みが１００μｍ時の２０％伸び荷重が１００Ｎ／２５ｍｍ以上であるこ
とが好ましい。上記高剛性層の２０％伸び荷重に上限は特に限定されないが、ダイシング
ソーにより切断できる程度であることが必要である。そのためには、上記高剛性層の厚さ
の好ましい下限は５μｍ、好ましい上限は３０μｍである。
また、粘着剤側と反対の面に、剛性の高い補強板を設けて上記柔軟層を支持しても同様な
効果を得ることができる。上記補強板としては、光が透過又は通過できるものであれば特
に限定されず、例えばガラス板やアクリル板、ＰＥＴ板等が挙げられる。この支持板は上
記柔軟層と接触していればよく、特に接着していてもなくともよい。
更に、例えば、後述する剥離工程において高強度紫外線照射して半導体チップを自己剥離
させる場合には、ピックアップ工程において上記ダイシング用粘着テープをエクスパンド
しなくても良いことから、上記基材としてはウエハの変形を防止する性能の高い、補強板
といえる程度の剛性の高いものを基材として用いてもよい。このような基材としては、自
己剥離性能が向上することから、厚みが１００μｍ時の２０％伸び荷重が１００Ｎ／２５
ｍｍ以上のものが好ましい。このような剛性の高い基材を用いることにより、５０μｍ以
下の薄い半導体ウエハを取り扱う場合に、半導体ウエハを支持して破損するのを防止する
こともできる。
Moreover, when the said base material has the said flexible layer, in order to further raise the self peeling by light irradiation, the said base material may have a highly rigid layer further between an adhesive layer and a flexible layer. The high-rigidity layer preferably has a 20% elongation load of 100 N / 25 mm or more when the film thickness is 100 μm. The upper limit is not particularly limited to the 20% elongation load of the high-rigidity layer, but it is necessary to be able to be cut by a dicing saw. For this purpose, the preferable lower limit of the thickness of the high-rigidity layer is 5 μm, and the preferable upper limit is 30 μm.
Moreover, the same effect can be acquired even if a highly rigid reinforcement board is provided in the surface opposite to the adhesive side and the said flexible layer is supported. The reinforcing plate is not particularly limited as long as it can transmit or pass light, and examples thereof include a glass plate, an acrylic plate, and a PET plate. The support plate may be in contact with the flexible layer, and may not be particularly bonded.
Furthermore, for example, when the semiconductor chip is self-peeled by irradiating with high-intensity ultraviolet rays in the peeling process described later, the dicing adhesive tape does not have to be expanded in the pick-up process. A material having a high performance that prevents deformation and a rigidity that can be said to be a reinforcing plate may be used as the base material. As such a base material, since the self-peeling performance is improved, a 20% elongation load when the thickness is 100 μm is 100 N / 25.
The thing of mm or more is preferable. By using such a highly rigid base material, it is possible to prevent the semiconductor wafer from being damaged by supporting the thin semiconductor wafer of 50 μm or less.
上記基材としては、帯電防止処理が施されたものが好ましい。上記基材が静電気等により
帯電すると、後述するように自己剥離した半導体チップをピックアップすることができな
くなったり、空気中に浮遊する微粒子等を引き寄せ半導体チップの製造に悪影響を与えた
りすることがある。上記帯電防止処理をする方法としては特に限定されないが、例えば、
基材に帯電防止処理剤を含有させる方法や、基材表面に帯電防止処理剤を塗布する方法等
が挙げられる。上記帯電防止処理剤としては特に限定されず、例えば、透明な導電可塑剤
、界面活性剤、金属微粒子等が挙げられる。
As the base material, those subjected to antistatic treatment are preferable. If the substrate is charged by static electricity or the like, it may not be possible to pick up a semiconductor chip that has been peeled off, as will be described later, or it may attract fine particles floating in the air and adversely affect the production of the semiconductor chip. . The method for performing the antistatic treatment is not particularly limited.
Examples thereof include a method of containing an antistatic treatment agent in the substrate and a method of applying an antistatic treatment agent to the surface of the substrate. The antistatic treatment agent is not particularly limited, and examples thereof include a transparent conductive plasticizer, a surfactant, and metal fine particles.
上記基材の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は３０μｍ、好ましい上限は
２００μｍである。３０μｍ未満であると、上記ダイシング用粘着テープの自立性が不足
しハンドリングが困難になることがあり、２００μｍを超えると、上記ダイシング用粘着
テープを剥離する際に不具合が生じることがある。
Although it does not specifically limit as thickness of the said base material, A preferable minimum is 30 micrometers and a preferable upper limit is 200 micrometers. If it is less than 30 μm, the dicing pressure-sensitive adhesive tape may be insufficiently self-supporting and handling may be difficult. If it exceeds 200 μm, problems may occur when the dicing pressure-sensitive adhesive tape is peeled off.
上記ダイシング用粘着テープを製造する方法としては特に限定されず、例えば、上記基材
の表面に、上記気体発生剤等を含有する粘着剤等をドクターナイフやスピンコーター等を
用いて塗工する方法等が挙げられる。
The method for producing the adhesive tape for dicing is not particularly limited. For example, a method of applying an adhesive containing the gas generating agent or the like to the surface of the substrate using a doctor knife or a spin coater. Etc.
上記テープ貼付工程においては、通常は、回路が形成された半導体ウエハの回路が形成さ
れていない側の面に上記ダイシング用粘着テープを貼付する。ただし、形成された回路が
特に破損しやすいものである場合には、回路が形成されている側の面に上記ダイシング用
粘着テープを貼付してもよい。この場合には、いわゆる裏ダイシングを行うことになるが
、本発明の半導体チップの製造方法の製造方法においては、後述するように得られた半導
体チップをニードルレスピックアップ法により取り上げることから、従来の方法のように
ピックアップの際に回路を損傷することもない。
In the tape attaching step, the dicing adhesive tape is usually attached to the surface of the semiconductor wafer on which the circuit is formed, on the side where the circuit is not formed. However, when the formed circuit is particularly easily damaged, the dicing adhesive tape may be attached to the surface on which the circuit is formed. In this case, so-called back dicing is performed. In the manufacturing method of the semiconductor chip manufacturing method of the present invention, since the semiconductor chip obtained as described later is picked up by the needleless pickup method, The circuit is not damaged during pick-up as the method does.
本発明の半導体チップの製造方法は、上記ダイシング用粘着テープが貼付されたウエハを
ダイシングして、個々の半導体チップに分割するダイシング工程を有する。
上記ダイシングの方法としては特に限定されず、例えば、従来公知の砥石等を用いて切断
分離する方法等を用いることができる。
The semiconductor chip manufacturing method of the present invention includes a dicing process in which the wafer to which the above-mentioned dicing adhesive tape is attached is diced and divided into individual semiconductor chips.
The dicing method is not particularly limited, and for example, a method of cutting and separating using a conventionally known grindstone or the like can be used.
本発明の半導体チップの製造方法は、上記分割された個々の半導体チップに貼付されたダ
イシング用粘着テープに光を照射して、半導体チップからダイシング用粘着テープの少な
くとも一部を剥離する剥離工程を有する。
上述のように上記ダイシング用粘着テープは上記気体発生剤を含有することから、光を照
射することにより、発生した気体が粘着剤層と半導体チップとの界面に放出され接着面の
少なくとも一部を剥がし接着力を低下させるため、容易に半導体チップを剥離することが
できる。
The manufacturing method of the semiconductor chip of the present invention includes a peeling step of irradiating the dicing adhesive tape affixed to each of the divided semiconductor chips with light to peel at least a part of the dicing adhesive tape from the semiconductor chip. Have.
As described above, since the dicing adhesive tape contains the gas generating agent, when the light is irradiated, the generated gas is discharged to the interface between the adhesive layer and the semiconductor chip, and at least a part of the adhesive surface is formed. Since the peeling adhesive strength is reduced, the semiconductor chip can be easily peeled off.
本発明者らは、鋭意検討の結果、上記剥離工程における光照射の方法を工夫することによ
り、後述するピックアップ工程においてニードルを用いないニードルレスピックアップ法
により半導体チップを容易に取り上げることが可能となり、ピックアップ時の衝撃により
半導体チップが破損したり、カケが生じたりするのを防ぐことができることを見出し、本
発明を完成するに至った。
即ち、上記剥離工程において、波長３６５ｎｍにおける照射強度が５００ｍＷ／ｃｍ２以
上である光を照射するか、又は、吸引手段を用いて半導体チップを吸引する直前に、若し
くは、吸引手段を用いて半導体チップを吸引した状態で光を照射することにより、ニード
ルレスピックアップ法によるピックアップを実現することができる。
なお、本明細書においてニードルレスピックアップ法とは、ニードルを用いて半導体チッ
プを突き上げてピックアップを行う方法以外の方法を意味し、例えば、吸引パッド等の吸
引手段や水等の液体を付着させた吸着治具による吸着手段、緩衝機構を有したピンセット
等によりチップを挟み込んで取り上げる手段等が挙げられる。
As a result of intensive studies, the present inventors have been able to easily pick up a semiconductor chip by a needleless pickup method that does not use a needle in a pickup step described later by devising a light irradiation method in the peeling step, It has been found that the semiconductor chip can be prevented from being damaged or chipped due to an impact during pick-up, and the present invention has been completed.
That is, in the peeling step, the semiconductor chip is irradiated immediately before the semiconductor chip is sucked by using the suction means or by irradiating light having an irradiation intensity of 500 mW / cm 2 or more at a wavelength of 365 nm. By picking up light in a state of sucking, it is possible to realize a pickup by the needleless pickup method.
In the present specification, the needleless pickup method means a method other than the method of picking up a semiconductor chip by using a needle, for example, a suction means such as a suction pad or a liquid such as water is attached. Examples include a suction means using a suction jig, a means for picking up a chip by tweezers having a buffer mechanism, and the like.
波長３６５ｎｍにおける照射強度が５００ｍＷ／ｃｍ２以上である紫外線を照射した場合
には、気体が短時間に大量に発生することから剥離圧力が高まり、半導体チップを粘着剤
層から自発的に剥離させ、剥離した半導体チップが粘着剤層からあたかも浮いたような状
態にすることが可能である（以下、これを自己剥離ともいう）。このように自己剥離した
場合には、ニードルを用いないニードルレスピックアップ法により容易に取り上げること
が可能となり、ピックアップ時の衝撃により半導体チップが破損したり、カケが生じたり
するのを防ぐことができる。波長３６５ｎｍにおける照射強度が１０００ｍＷ／ｃｍ２以
上である紫外線を照射する場合には、より確実に自己剥離させることができることから好
ましい。
When irradiated with ultraviolet rays having an irradiation intensity at a wavelength of 365 nm of 500 mW / cm 2 or more, a large amount of gas is generated in a short time, so that the peeling pressure is increased, and the semiconductor chip is spontaneously peeled from the adhesive layer, It is possible to make the peeled semiconductor chip float as if from the pressure-sensitive adhesive layer (hereinafter also referred to as self-peeling). When self-peeling in this way, it is possible to pick up easily by a needleless pickup method that does not use a needle, and it is possible to prevent the semiconductor chip from being damaged or chipped due to an impact during pickup. . In the case of irradiating ultraviolet rays having an irradiation intensity of 1000 mW / cm 2 or more at a wavelength of 365 nm, it is preferable because self-peeling can be performed more reliably.
このような高強度の紫外線は、紫外線ランプ等の通常の光源から照射してもよいが、通常
、これほどの高強度の実現は困難である。この場合には、光源から発した紫外線を集光す
る方法により高強度紫外線を得ることができる。上記集光する手段としては、例えば、集
光ミラーや集光レンズを用いる方法等が挙げられる。
Such high-intensity ultraviolet rays may be irradiated from a normal light source such as an ultraviolet lamp, but it is usually difficult to achieve such high intensity. In this case, high-intensity ultraviolet rays can be obtained by a method of condensing the ultraviolet rays emitted from the light source. Examples of the means for condensing include a method using a condensing mirror or a condensing lens.
吸引手段を用いて半導体チップを吸引する直前に、又は、吸引手段を用いて半導体チップ
を吸引した状態で光を照射した場合には、上記ダイシング用粘着テープから気体が発生す
る際にも一定の剥離力がかかっていることから、半導体チップとダイシング用粘着テープ
とが不規則な剥離をして未剥離部分が生じるのを防止することができ、その結果、ニード
ルを用いないニードルレスピックアップ法により取り上げることが可能となる。
When the semiconductor chip is sucked using the suction means or when the semiconductor chip is sucked using the suction means and irradiated with light, a certain amount of gas is generated even when the gas is generated from the dicing adhesive tape. Since the peeling force is applied, it is possible to prevent the semiconductor chip and the dicing adhesive tape from peeling off irregularly, thereby preventing an unpeeled portion. As a result, the needleless pickup method using no needle It can be taken up.
また、更に生産速度を向上させるためには、ピックアップの速度を上げる必要がある。例
えば、吸引パッドで半導体チップを吸着させる直前に光照射をすることにより、光照射に
必要な時間とピックアップに必要な時間とをオーバーラップさせることが可能であり、こ
のようにすれば更に生産速度を向上させることができる。この場合、光照射から吸引手段
を用いて半導体チップを吸引するまでに時間がかかると、不規則な剥離をして未剥離部分
が生じることがあることから、吸引前１．０秒以内に光照射することが好ましい。
In order to further improve the production speed, it is necessary to increase the pickup speed. For example, it is possible to overlap the time required for light irradiation and the time required for pick-up by irradiating light immediately before the semiconductor chip is adsorbed by the suction pad. Can be improved. In this case, if it takes time from the light irradiation to sucking the semiconductor chip using the suction means, irregular peeling may occur and an unpeeled portion may be generated. Irradiation is preferred.
上記剥離工程において、分割された複数の半導体チップの全体に一斉に光を照射しても良
いが、個々の半導体チップに順次光を照射して剥離を行うことが好ましい。一斉に光を照
射すると、全ての半導体チップが少なくとも一部を自己剥離するので、個々のチップを順
次ピックアップする為に、半導体チップ全体を動かすと、個々のチップがバラバラに剥離
してしまい、ピックアップ不良の原因となり、かえって生産性が低下することがある。
個々の半導体チップごとに光照射、剥離及びピックアップを連続して行うことにより、こ
のようなピックアップ不良による生産性低下を抑えることができる。
この場合、隣接する半導体チップに光照射されない範囲で半導体チップ全面に光が照射さ
れるように照射面積を調整して光を照射することが好ましい。即ち、光はダイシングによ
って生じた溝の外郭より内側に照射されるようにする。
In the peeling step, the whole of the divided semiconductor chips may be irradiated all at once. However, it is preferable to perform the peeling by sequentially irradiating each semiconductor chip with light. When all the semiconductor chips are self-peeled when irradiated all at once, moving the entire semiconductor chip to pick up the individual chips sequentially will cause the individual chips to peel apart. It may cause defects, which may reduce productivity.
By continuously performing light irradiation, peeling, and pick-up for each individual semiconductor chip, it is possible to suppress a decrease in productivity due to such pick-up failure.
In this case, it is preferable to irradiate the light by adjusting the irradiation area so that the entire surface of the semiconductor chip is irradiated with light in a range where the adjacent semiconductor chip is not irradiated with light. That is, the light is irradiated to the inner side of the outline of the groove formed by dicing.
個々の半導体チップに順次光を照射して剥離を行う方法としては特に限定されないが、例
えば、光は、光源より発した光を個々の半導体チップに貼付されたダイシング用粘着テー
プまで導光されていることが好適である。上記導光方法としては、上述の集光した光を用
いる方法や単数又は複数の束になった光ファイバーを用いる方法が挙げられる。
Although there is no particular limitation on the method of performing irradiation by sequentially irradiating light to individual semiconductor chips, for example, light is guided to a dicing adhesive tape affixed to each semiconductor chip by light emitted from a light source. It is preferable that Examples of the light guiding method include a method using the above-described condensed light and a method using a single or a plurality of bundled optical fibers.
個々の半導体チップに光を照射する場合、剥離工程の態様に応じて、その照射方法を選択
することが好ましい。
半導体チップの全面に照射される光が、照射強度の変動幅が平均照射強度の２０％以内で
ある場合には、気体の発生が均一となり、特に自己剥離させたい場合に有効である。また
、自己剥離させたい場合には、光は、半導体チップの中心位置から同心円状又は矩形状に
広げた接着部分の面積が半導体チップの全接着面積の５〜３０％となる接着面内側部にお
ける照射強度の平均値が、前記接着面内側部以外の部分における照射強度の平均値に対し
て４０〜７０％の強度であることも好適である。このように半導体チップの接着面内側部
における照射強度を高くすることにより、中心部からの気体発生が先行し、周辺部が先に
剥離してそこからガス抜けが起こって剥離不良が発生することを防ぐことができる。
また、光を、半導体チップの中心位置から同心円状又は矩形状に広げた接着部分の面積が
半導体チップの全接着面積の５〜３０％となる接着面内側部における照射強度の平均値が
、前記接着面内側部以外の部分における照射強度の平均値に対して１５０〜２５０％の強
度であるようにして照射した場合には、半導体チップの中心部からの気体発生が遅れるこ
とから、剥離時に半導体チップが位置ずれするのを防止することができる。
When irradiating light to each semiconductor chip, it is preferable to select the irradiation method according to the aspect of the peeling process.
When the light irradiated onto the entire surface of the semiconductor chip has a fluctuation range of the irradiation intensity within 20% of the average irradiation intensity, the generation of gas becomes uniform, which is particularly effective when self-peeling is desired. Further, when it is desired to perform self-peeling, light is emitted from the inner side of the bonding surface where the area of the bonding portion that is concentrically or rectangularly spread from the center position of the semiconductor chip is 5 to 30% of the total bonding area of the semiconductor chip. It is also preferable that the average value of the irradiation intensity is 40 to 70% of the average value of the irradiation intensity in the portion other than the inner part of the bonding surface. In this way, by increasing the irradiation intensity on the inner side of the bonding surface of the semiconductor chip, gas generation from the central part precedes, the peripheral part peels first, and gas escape occurs from there, resulting in poor peeling. Can be prevented.
Further, the average value of the irradiation intensity at the inner side of the bonding surface where the area of the bonding portion where the light is spread concentrically or rectangularly from the center position of the semiconductor chip is 5 to 30% of the total bonding area of the semiconductor chip, When irradiation is performed so that the intensity is 150 to 250% with respect to the average value of the irradiation intensity in the part other than the inner part of the bonding surface, the generation of gas from the central part of the semiconductor chip is delayed. It is possible to prevent the tip from being displaced.
上記剥離工程は窒素、アルゴン、ヘリウム等の不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。不活
性ガス雰囲気下で剥離工程を行うことにより、上記粘着剤層を構成する粘着剤の酸素によ
る硬化阻害を抑制することができ、特にチップ面積に対して、酸素阻害を受ける面積の比
率が大きい微小チップの剥離に有効である。
The peeling step may be performed in an inert gas atmosphere such as nitrogen, argon, or helium. By performing the peeling step in an inert gas atmosphere, it is possible to suppress the inhibition of curing of the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer by oxygen, and in particular, the ratio of the area subjected to oxygen inhibition to the chip area is large. It is effective for peeling off microchips.
本発明の半導体チップの製造方法は、半導体チップをニードルレスピックアップ法により
取り上げるピックアップ工程を有する。ニードルレスピックアップ法とはニードルを用い
ないピックアップ方法であり、このようなニードルレスピックアップ法によれば、半導体
チップに衝撃を与えず安全にピックアップすることができる。また、ニードルレスピック
アップ法によれば、ピックアップ速度を速めても半導体チップを損傷してしまうことがな
いことから、大幅な生産性の向上が可能となる。
The method for manufacturing a semiconductor chip of the present invention includes a pick-up step for picking up the semiconductor chip by a needleless pick-up method. The needleless pickup method is a pickup method that does not use a needle, and according to such a needleless pickup method, the semiconductor chip can be picked up safely without giving an impact. Further, according to the needleless pickup method, even if the pickup speed is increased, the semiconductor chip is not damaged, so that the productivity can be greatly improved.
上記剥離工程において、波長３６５ｎｍにおける照度が５００ｍＷ／ｃｍ２以上である紫
外線を照射した場合には、半導体チップはダイシング用粘着テープから自己剥離している
ことから、従来の方法のようにニードルで突き上げなくとも吸引パッド等の吸引手段を用
いて吸引するだけで容易に半導体チップを取り上げることができる。
また、上記剥離工程において、吸引手段を用いて半導体チップを吸引した状態で光を照射
した場合には、そのままピックアップ工程に移行でき、従来の方法のようにニードルで突
き上げなくとも吸引パッド等の吸引手段を用いて吸引するだけで容易に半導体チップを取
り上げることができる。
In the above peeling process, when the ultraviolet light having a wavelength of 365 nm and an illuminance of 500 mW / cm 2 or more is irradiated, the semiconductor chip is peeled off from the dicing adhesive tape, so that it is pushed up with a needle as in the conventional method. At least, the semiconductor chip can be picked up simply by suction using a suction means such as a suction pad.
Further, in the above peeling process, when light is irradiated while the semiconductor chip is sucked using the suction means, the process can be shifted to the pickup process as it is, and suction of a suction pad or the like can be performed without pushing up with a needle as in the conventional method. The semiconductor chip can be easily picked up simply by suction using means.
上記ピックアップ工程においては、必要に応じて、ダイシング用粘着テープをエクスパン
ドしてもよいし、しなくてもよい。例えば、個々の半導体チップ間隔が非常に狭いか又は
間隔が無い場合には、エクスパンドすることにより個々の半導体チップ間隔が広がり、隣
接する半導体チップに触れたりすることなく容易にピックアップすることができる。また
、ダイシング後に充分な半導体チップ間隔がある場合には、エクスパンドしなくとも半導
体チップに触れたりすることなく容易にピックアップすることができる。
In the pick-up process, the dicing adhesive tape may or may not be expanded as necessary. For example, when the interval between the individual semiconductor chips is very narrow or there is no interval, the interval between the individual semiconductor chips is expanded by expanding, and the pickup can be easily performed without touching the adjacent semiconductor chip. In addition, when there is a sufficient semiconductor chip interval after dicing, it is possible to easily pick up without touching the semiconductor chip without expanding.
本発明の半導体チップの製造方法によれば、位置ずれ等を起こすことなく正確にダイシン
グを行うことができ、また、ダイシングされた半導体チップを、従来の方法のようにニー
ドルで突き上げることのないニードルレスピックアップ法により取り上げることから、半
導体チップに衝撃を与えず安全にピックアップすることができる。また、ピックアップ速
度を速めても半導体チップを損傷してしまうことがないことから、大幅な生産性の向上が
可能となる。更に、特に破損しやすい回路が形成された半導体チップを製造する場合には
、回路が形成されている側の面にダイシング用粘着テープを貼付して裏ダイシングを行う
ことにより、回路を損傷することなく半導体チップを得ることができる。
According to the semiconductor chip manufacturing method of the present invention, dicing can be performed accurately without causing misalignment, and the diced semiconductor chip does not push up with a needle as in the conventional method. Since it is picked up by the less pickup method, it can be picked up safely without giving an impact to the semiconductor chip. Further, since the semiconductor chip is not damaged even if the pickup speed is increased, the productivity can be greatly improved. Furthermore, when manufacturing a semiconductor chip on which a circuit that is particularly susceptible to damage is manufactured, the circuit may be damaged by attaching a dicing adhesive tape to the surface on which the circuit is formed and performing back dicing. A semiconductor chip can be obtained.
本発明によれば、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる
半導体チップの製造方法を提供することができる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor chip which can obtain a semiconductor chip with high production efficiency, without damaging can be provided.
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれらの実施例のみに限
定されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited only to these examples.
（実施例１）
（粘着剤の調製）
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７
０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２
−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢
酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、Ｕ３２４Ａ（新中村化学社製）４０重
量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート０．５重量部
を混合し粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート ７９重量部
エチルアクリレート １５重量部
アクリル酸 １重量部
２−ヒドロキシエチルアクリレート ５重量部
光重合開始剤 ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン ０．０１重量部
(Example 1)
(Preparation of adhesive)
The following compounds are dissolved in ethyl acetate and polymerized by irradiating with ultraviolet rays to give a weight average molecular weight of 7
0,000 acrylic copolymer was obtained.
2 parts by weight per 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution containing the obtained acrylic copolymer
-3.5 parts by weight of isocyanatoethyl methacrylate was added to react, and further, 40 parts by weight of U324A (manufactured by Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd.) with respect to 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution after the reaction was started 5 parts by weight of the agent (Irgacure 651) and 0.5 parts by weight of polyisocyanate were mixed to prepare an ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive (1).
Butyl acrylate 79 parts by weight Ethyl acrylate 15 parts by weight Acrylic acid 1 part by weight 2-hydroxyethyl acrylate 5 parts by weight Photopolymerization initiator 0.2 part by weight (Irgacure 651, 50% ethyl acetate solution)
Lauryl mercaptan 0.01 parts by weight
また、粘着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−ア
ゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）３０重量部、及び、２，４−ジエ
チルチオキサントン３．６重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（２）を調製
した。
In addition, 30 parts by weight of 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide) and 2,4-, with respect to 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive (1) A pressure-sensitive adhesive (2) containing a gas generating agent was prepared by mixing 3.6 parts by weight of diethylthioxanthone.
（ダイシング用粘着テープの作製）
粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、片面にコロナ処理を施した厚さ７５μｍの透明なポリ
エチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に乾燥皮膜の厚さが約１５μｍとなるよう
にドクターナイフで塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘
着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（２）層の表面に離型処理が施され
たＰＥＴフィルムを貼り付けた。その後、４０℃、３日間静置養生を行い、ダイシング用
粘着テープを得た。
(Preparation of adhesive tape for dicing)
Apply an ethyl acetate solution of adhesive (2) with a doctor knife so that the dry film thickness is about 15 μm on a 75 μm thick transparent polyethylene terephthalate (PET) film with corona treatment on one side. The coating solution was dried by heating at 110 ° C. for 5 minutes. The pressure-sensitive adhesive layer after drying showed adhesiveness in a dry state. Next, a PET film having been subjected to a release treatment was attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive (2) layer. Thereafter, static curing was performed at 40 ° C. for 3 days to obtain a dicing adhesive tape.
（半導体チップの製造）
得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウエハの
回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエハを５
mm×５mmにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が６
００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を１．０秒間照射した。なお、紫外線の照射
には、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置（ス
ポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。この紫外線照射により、半導体チップはダイ
シング用粘着テープから自己剥離した。
次いで、自己剥離してダイシング用粘着テープ上に浮いている半導体チップを吸引パッド
で吸着して取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して半導
体チップ１個当たり約０．５秒間の速度で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、
ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。こ
の結果を表１に示した。
(Manufacture of semiconductor chips)
The obtained adhesive tape for dicing was bonded to the surface of the silicon wafer having a thickness of 50 μm on which the circuit was formed, on the side where the circuit was not formed, at room temperature and normal pressure. Then, 5 silicon wafers
Dicing to mm × 5 mm gave a semiconductor chip.
The obtained semiconductor chip to which the adhesive tape for dicing was affixed was placed so that the semiconductor chip would be on the upper surface, and one of them had an illuminance of 6 at a wavelength of 365 nm from the dicing adhesive tape side.
High-intensity ultraviolet rays were irradiated for 1.0 second so as to be 00 mW / cm 2 . For irradiation with ultraviolet rays, a high-intensity ultraviolet irradiation device (Spot Cure, manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.) that emits high-intensity ultraviolet rays in the form of dots from the tip of the optical fiber was used. The semiconductor chip was peeled off from the dicing adhesive tape by this ultraviolet irradiation.
Next, the semiconductor chip that was peeled off and floated on the adhesive tape for dicing was picked up by suction with a suction pad.
The above operation is continuously performed at a speed of about 0.5 seconds per semiconductor chip on a semiconductor chip to which 20 dicing adhesive tapes are attached, and the success rate of pickup, and
The proportion of semiconductor chips that were successfully picked up was examined. The results are shown in Table 1.
（実施例２）
波長３６５ｎｍにおける照度が１０００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を０．５
秒間照射した以外は実施例１と同様の方法により、半導体チップの製造を行った。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して半導
体チップ１個当たり約０．５秒間の速度で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、
ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。こ
の結果を表１に示した。
(Example 2)
High-intensity ultraviolet light is 0.5 so that the illuminance at a wavelength of 365 nm is 1000 mW / cm 2.
A semiconductor chip was manufactured in the same manner as in Example 1 except that the irradiation was performed for 2 seconds.
The above operation is continuously performed at a speed of about 0.5 seconds per semiconductor chip on a semiconductor chip to which 20 dicing adhesive tapes are attached, and the success rate of pickup, and
The proportion of semiconductor chips that were successfully picked up was examined. The results are shown in Table 1.
（実施例３）
実施例１で作成したダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５mm×５mmにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つの半導体チップを吸引パッドで吸着した状態で、ダイシング用粘着
テープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が６００ｍＷ／ｃｍ２となるように紫外線を１
．０秒間照射した。なお、紫外線の照射には、光ファイバの先端から紫外線が点状に出光
する紫外線照射装置（スポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。この紫外線照射によ
り、半導体チップはダイシング用粘着テープから剥離し、そのまま取り上げることができ
た。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して半導
体チップ１個当たり約０．５秒間の速度で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、
ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。こ
の結果を表１に示した。
(Example 3)
The adhesive tape for dicing prepared in Example 1 was bonded to a surface of a silicon wafer having a thickness of 50 μm on which a circuit was formed at a room temperature and normal pressure. Next, the silicon wafer was diced to 5 mm × 5 mm to obtain a semiconductor chip.
The obtained semiconductor chip to which the adhesive tape for dicing is stuck is placed so that the semiconductor chip is on the upper surface, and the illuminance at a wavelength of 365 nm is 600 mW from the dicing adhesive tape side with the one semiconductor chip adsorbed by the suction pad. UV light to 1 / cm 2
. Irradiated for 0 seconds. For the irradiation of ultraviolet rays, an ultraviolet irradiation device (Spot Cure, manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.) that emits ultraviolet rays in the form of dots from the tip of the optical fiber was used. By this ultraviolet irradiation, the semiconductor chip was peeled off from the dicing adhesive tape and could be taken up as it was.
The above operation is continuously performed at a speed of about 0.5 seconds per semiconductor chip on a semiconductor chip to which 20 dicing adhesive tapes are attached, and the success rate of pickup, and
The proportion of semiconductor chips that were successfully picked up was examined. The results are shown in Table 1.
（実施例４）
実施例１で作成したダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５ｍｍ×５ｍｍにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、吸引パッドで吸引する０．５秒前に、ダイシング用粘着テープ側より紫外線
を照射した。そのとき、紫外線照射強度を波長３６５ｎｍで６００ｍＷ／ｃｍ２、照射時
間を１．０秒間とした。なお、紫外線の照射には、光ファイバの先端から紫外線が点状に
出光する紫外線照射装置（スポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。この紫外線照射
により、半導体チップはダイシング用粘着テープから剥離し、そのまま取り上げることが
できた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して半導
体チップ１個当たり約０．５秒間の速度で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、
ピックアップに成功した半導体チップのうち全く破損がなかったものの割合を調べた。こ
の結果を表１に示した。
Example 4
The adhesive tape for dicing prepared in Example 1 was bonded to a surface of a silicon wafer having a thickness of 50 μm on which a circuit was formed at a room temperature and normal pressure. Next, the silicon wafer was diced to 5 mm × 5 mm to obtain a semiconductor chip.
The obtained semiconductor chip to which the adhesive tape for dicing was affixed was placed so that the semiconductor chip was on the upper surface, and ultraviolet rays were irradiated from the adhesive tape for dicing 0.5 seconds before sucking with the suction pad. At that time, the ultraviolet irradiation intensity was 600 mW / cm 2 at a wavelength of 365 nm, and the irradiation time was 1.0 second. For the irradiation of ultraviolet rays, an ultraviolet irradiation device (Spot Cure, manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.) that emits ultraviolet rays in the form of dots from the tip of the optical fiber was used. By this ultraviolet irradiation, the semiconductor chip was peeled off from the dicing adhesive tape and could be taken up as it was.
The above operation is continuously performed at a speed of about 0.5 seconds per semiconductor chip on a semiconductor chip to which 20 dicing adhesive tapes are attached, and the success rate of pickup, and
The proportion of semiconductor chips that were successfully picked up was examined. The results are shown in Table 1.
（比較例１）
光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する市販のダイシング用粘着テープ（日東電工社製
、エレップホルダーＵＥ−１１０ＢＪ）を、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウ
エハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエ
ハを５mm×５mmにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から強度１００ｍＷの紫外線を５秒間
照射した。
この紫外線照射によっては自己剥離することはなく、吸引パッドで吸引しても取り上げら
れなかったので、紫外線照射後、ニードルを用いたピックアップ方法により半導体チップ
を取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して、で
きる限り半導体チップの破損が起こりにくい半導体チップ１個当たり約１．０秒間の速度
で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップの
うち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表１に示した。
(Comparative Example 1)
A circuit of a silicon wafer having a thickness of 50 μm on which a circuit is formed with a commercially available adhesive tape for dicing (Elep Holder UE-110BJ, manufactured by Nitto Denko Corporation) having a pressure-sensitive adhesive layer made of a photocurable adhesive is formed. It was bonded to the non-side surface at normal temperature and pressure. Next, the silicon wafer was diced to 5 mm × 5 mm to obtain a semiconductor chip.
The obtained semiconductor chip to which the adhesive tape for dicing was affixed was placed so that the semiconductor chip was on the upper surface, and one of the semiconductor chips was irradiated with ultraviolet light having an intensity of 100 mW for 5 seconds from the dicing adhesive tape side.
Since this ultraviolet irradiation did not cause self-peeling and it was not picked up even when sucked with a suction pad, the semiconductor chip was picked up by a pick-up method using a needle after ultraviolet irradiation.
The above operation is continuously performed on a semiconductor chip having 20 dicing adhesive tapes attached thereto at a speed of about 1.0 second per semiconductor chip, where damage to the semiconductor chip is unlikely to occur. The success rate and the ratio of the semiconductor chips that were successfully picked up that were not damaged at all were examined. The results are shown in Table 1.
（比較例２）
実施例１で得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５mm×５mmにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が３
００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を１．０秒間照射した。この紫外線照射によ
っては自己剥離することはなく、吸引パッドで吸引しても取り上げられなかったので、紫
外線照射後、ニードルを用いたピックアップ方法により半導体チップを取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して、で
きる限り半導体チップの破損が起こりにくい半導体チップ１個当たり約１．０秒間の速度
で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップの
うち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表１に示した。
(Comparative Example 2)
The adhesive tape for dicing obtained in Example 1 was bonded to the surface of the 50 μm-thick silicon wafer on which the circuit was formed, on the side where the circuit was not formed, at room temperature and normal pressure. Next, the silicon wafer was diced to 5 mm × 5 mm to obtain a semiconductor chip.
The obtained semiconductor chip to which the adhesive tape for dicing was affixed was placed so that the semiconductor chip would be on the upper surface, and one of them had an illuminance of 3 at a wavelength of 365 nm from the dicing adhesive tape side.
High-intensity ultraviolet rays were irradiated for 1.0 second so as to be 00 mW / cm 2 . Since this ultraviolet irradiation did not cause self-peeling and it was not picked up even when sucked with a suction pad, the semiconductor chip was picked up by a pick-up method using a needle after ultraviolet irradiation.
The above operation is continuously performed on a semiconductor chip having 20 dicing adhesive tapes attached thereto at a speed of about 1.0 second per semiconductor chip, where damage to the semiconductor chip is unlikely to occur. The success rate and the ratio of the semiconductor chips that were successfully picked up that were not damaged at all were examined. The results are shown in Table 1.
（比較例３）
実施例１で得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５ｍｍ×５ｍｍにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシングテープ用粘着テープ側より、波長３６５ｎｍにおける
照射強度が６００ｍＷ／ｃｍ２となる高照度紫外線を中心部から直径３ｍｍの領域に照射
し、同時にその周辺部に照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２となる紫外線を、それぞれ１．０
秒間照射した。
この紫外線照射により、中心部以外の周辺部が自己剥離することはなく、吸引パットで吸
引しても取り上げることが困難であったので、ニードルを用いたピックアップ方法により
、半導体チップを取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して、で
きる限り半導体チップの破損が起こりにくい半導体チップ１個当たり約１．０秒間の速度
で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップの
うち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表１に示した。
(Comparative Example 3)
The adhesive tape for dicing obtained in Example 1 was bonded to the surface of the 50 μm-thick silicon wafer on which the circuit was formed, on the side where the circuit was not formed, at room temperature and normal pressure. Next, the silicon wafer was diced to 5 mm × 5 mm to obtain a semiconductor chip.
The obtained semiconductor chip to which the adhesive tape for dicing is affixed is placed so that the semiconductor chip is on the upper surface, and the illumination intensity at a wavelength of 365 nm is 600 mW / cm 2 from one side of the adhesive tape for dicing tape. An ultraviolet ray is irradiated onto a region having a diameter of 3 mm from the central portion, and at the same time, an ultraviolet ray having an irradiation intensity of 100 mW / cm 2 is applied to the peripheral portion.
Irradiated for 2 seconds.
The peripheral part other than the central part was not peeled off by this ultraviolet irradiation, and it was difficult to pick up even if sucked with a suction pad. Therefore, the semiconductor chip was picked up by a pick-up method using a needle.
The above operation is continuously performed on a semiconductor chip having 20 dicing adhesive tapes attached thereto at a speed of about 1.0 second per semiconductor chip, where damage to the semiconductor chip is unlikely to occur. The success rate and the ratio of the semiconductor chips that were successfully picked up that were not damaged at all were examined. The results are shown in Table 1.
（比較例４）
実施例１で得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されていない側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコン
ウエハを５ｍｍ×５ｍｍにダイシングして半導体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシングテープ用粘着テープ側より、波長３６５ｎｍにおける
照射強度が１００ｍＷ／ｃｍ２となる紫外線を中心部から直径３ｍｍの領域に照射し、同
時にその周辺部に照射強度が６００ｍＷ／ｃｍ２となる高照度紫外線を、それぞれ１．０
秒間照射した。
この紫外線照射により、中心部は自己剥離することはなく、吸引パットで吸引しても取り
上げることが困難であったので、ニードルを用いたピックアップ方法により、半導体チッ
プを取り上げた。
以上の操作を、２０枚のダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップに対して、で
きる限り半導体チップの破損が起こりにくい半導体チップ１個当たり約１．０秒間の速度
で連続して行い、ピックアップの成功率、及び、ピックアップに成功した半導体チップの
うち全く破損がなかったものの割合を調べた。この結果を表１に示した。
(Comparative Example 4)
The adhesive tape for dicing obtained in Example 1 was bonded to the surface of the 50 μm-thick silicon wafer on which the circuit was formed, on the side where the circuit was not formed, at room temperature and normal pressure. Next, the silicon wafer was diced to 5 mm × 5 mm to obtain a semiconductor chip.
Place the obtained semiconductor chip to which the adhesive tape for dicing is attached so that the semiconductor chip is on the upper surface, and from one side of the adhesive tape for dicing tape, UV light whose irradiation intensity at a wavelength of 365 nm is 100 mW / cm 2 is placed. Irradiate an area with a diameter of 3 mm from the central portion, and simultaneously irradiate the periphery with high-intensity ultraviolet rays having an irradiation intensity of 600 mW / cm 2 , respectively.
Irradiated for 2 seconds.
The central portion did not self-peel due to this ultraviolet irradiation, and it was difficult to pick up even if sucked with a suction pad. Therefore, the semiconductor chip was picked up by a pick-up method using a needle.
The above operation is continuously performed on a semiconductor chip having 20 dicing adhesive tapes attached thereto at a speed of about 1.0 second per semiconductor chip, where damage to the semiconductor chip is unlikely to occur. The success rate and the ratio of the semiconductor chips that were successfully picked up that were not damaged at all were examined. The results are shown in Table 1.
実施例１で得られたダイシング用粘着テープを、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコ
ンウエハの回路が形成されている側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウ
エハを回路が形成されていない側から５mm×５mmにダイシング（裏ダイシング）して半導
体チップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から波長３６５ｎｍにおける照度が６
００ｍＷ／ｃｍ２となるように高強度紫外線を１．０秒間照射した。なお、紫外線の照射
には、光ファイバの先端から高強度の紫外線が点状に出光する高強度紫外線照射装置（ス
ポットキュア、ウシオ電機社製）を用いた。この紫外線照射により、半導体チップはダイ
シング用粘着テープから自己剥離した。
次いで、自己剥離してダイシング用粘着テープ上に浮いている半導体チップを吸引パッド
で吸着して取り上げた。
２０枚の半導体チップについて同様の操作を行い、得られた半導体チップ表面の回路を顕
微鏡で観察したところ、全ての半導体チップで回路の破損は認められなかった。
The adhesive tape for dicing obtained in Example 1 was bonded to the surface of the silicon wafer having a thickness of 50 μm on which the circuit was formed, on the side where the circuit was formed, at normal temperature and pressure. Next, the silicon wafer was diced (back dicing) to 5 mm × 5 mm from the side where no circuit was formed to obtain a semiconductor chip.
The obtained semiconductor chip to which the adhesive tape for dicing was affixed was placed so that the semiconductor chip would be on the upper surface, and one of them had an illuminance of 6 at a wavelength of 365 nm from the dicing adhesive tape side.
High-intensity ultraviolet rays were irradiated for 1.0 second so as to be 00 mW / cm 2 . For irradiation with ultraviolet rays, a high-intensity ultraviolet irradiation device (Spot Cure, manufactured by Ushio Electric Co., Ltd.) that emits high-intensity ultraviolet rays in the form of dots from the tip of the optical fiber was used. The semiconductor chip was peeled off from the dicing adhesive tape by this ultraviolet irradiation.
Next, the semiconductor chip that was peeled off and floated on the adhesive tape for dicing was picked up by suction with a suction pad.
The same operation was performed on the 20 semiconductor chips, and the circuits on the surface of the obtained semiconductor chips were observed with a microscope. As a result, no damage was found in all the semiconductor chips.
（比較例５）
光硬化型粘着剤からなる粘着剤層を有する市販のダイシング用粘着テープ（日東電工社製
、エレップホルダーＵＥ−１１０ＢＪ）を、回路が形成された厚さ５０μｍのシリコンウ
エハの回路が形成されている側の面に常温常圧で貼り合わせた。次いで、シリコンウエハ
を回路が形成されていない側から５mm×５mmにダイシング（裏ダイシング）して半導体チ
ップを得た。
得られたダイシング用粘着テープが貼付された半導体チップを半導体チップが上面になる
ように置き、その１つにダイシング用粘着テープ側から強度１００ｍＷの紫外線を５秒間
照射した。
この紫外線照射によっては自己剥離することはなく、吸引パッドで吸引しても取り上げら
れなかったので、紫外線照射後、ニードルを用いたピックアップ方法により半導体チップ
を取り上げた。
２０枚の半導体チップについて同様の操作を行い、得られた半導体チップ表面の回路を顕
微鏡で観察したところ、全ての半導体チップの回路にニードルで突き上げた際に付いたと
思われる傷が認められた。
(Comparative Example 5)
A circuit of a silicon wafer having a thickness of 50 μm on which a circuit is formed is formed by using a commercially available adhesive tape for dicing (ELEP Holder UE-110BJ, manufactured by Nitto Denko Corporation) having an adhesive layer made of a photocurable adhesive. It was pasted to the surface on the side where it was normal temperature and pressure. Next, the silicon wafer was diced (back dicing) to 5 mm × 5 mm from the side where no circuit was formed to obtain a semiconductor chip.
The obtained semiconductor chip to which the adhesive tape for dicing was affixed was placed so that the semiconductor chip was on the upper surface, and one of the semiconductor chips was irradiated with ultraviolet light having an intensity of 100 mW for 5 seconds from the dicing adhesive tape side.
Since this ultraviolet irradiation did not cause self-peeling and it was not picked up even when sucked with a suction pad, the semiconductor chip was picked up by a pick-up method using a needle after ultraviolet irradiation.
The same operation was performed on the 20 semiconductor chips, and the circuits on the surface of the obtained semiconductor chips were observed with a microscope. As a result, scratches believed to have occurred when all the semiconductor chip circuits were pushed up with needles were observed.
本発明によれば、破損させることなく、高い生産効率で半導体チップを得ることができる
半導体チップの製造方法を提供することができる。
ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the manufacturing method of the semiconductor chip which can obtain a semiconductor chip with high production efficiency, without damaging can be provided.
Claims (9)
前記剥離工程において、波長３６５ｎｍにおける照射強度が６００ｍＷ／ｃｍ２以上である紫外線を照射することを特徴とする半導体チップの製造方法。 A tape attaching step of attaching an adhesive tape for dicing having an adhesive layer containing an azo compound or an azide compound as a gas generating agent that generates a gas by irradiating light to a semiconductor wafer on which a circuit is formed, and the dicing The wafer with the adhesive tape attached is diced and divided into individual semiconductor chips, and light is irradiated only to the semiconductor chips to be picked up in the pickup process among the divided semiconductor chips. A method of manufacturing a semiconductor chip, comprising: a peeling step of peeling at least a part of the adhesive tape for dicing from the semiconductor chip; and a pickup step of picking up the semiconductor chip by a needleless pickup method,
In the peeling step, a semiconductor chip manufacturing method characterized by irradiating an ultraviolet ray having an irradiation intensity at a wavelength of 365 nm of 600 mW / cm 2 or more.
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