JP2006210433A - Adhesive sheet for adhering wafer and method of manufacturing semiconductor - Google Patents

Adhesive sheet for adhering wafer and method of manufacturing semiconductor Download PDF

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Satoshi Hayashi
聡史 林
Masateru Fukuoka
正輝 福岡
Munehiro Hatai
宗宏 畠井
Taihei Sugita
大平 杉田
Kazuhiro Shimomura
和弘 下村
Giichi Kitajima
義一 北島
Yasuhiko Oyama
康彦 大山
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Sekisui Chemical Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an adhesive sheet for adhering a wafer which can obtain an IC chip in which an adhesive layer is formed easily without damaging an IC chip or without producing a cutout, and to provide a method of manufacturing a semiconductor. <P>SOLUTION: The adhesive sheet 2 for adhering the wafer has a base material 21, the adhesive layer 22 containing a gas generation agent which generates gas by a stimulus formed on the above base material 21, and an adhesive layer 23 for adhering a die formed on the adhesive layer 22. The base material 21 is a multilayer structure having at least a first layer 211 of high hardness and an expandable second layer 212. The adhesive sheet for adhering the wafer has the first layer 211 brought into contact with the adhesive layer 22. <P>COPYRIGHT: (C)2006,JPO&NCIPI

Description

本発明は、ICチップを破損したり、欠けを生じさせたりすることなく容易に接着剤層が形成されたICチップを得ることができるウエハ貼着用粘着シート及び半導体の製造方法に関する。 The present invention relates to a wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet and a semiconductor manufacturing method that can easily obtain an IC chip having an adhesive layer formed without damaging or causing chipping of the IC chip.

シリコン、ガリウムヒ素等の半導体ウエハは大径の状態で製造され、このウエハは素子小片(ICチップ)に切断分離(ダイシング)された後に次の工程であるマウント工程に移されている。この際、半導体ウエハはあらかじめ粘着シートに貼着された状態でダイシング、洗浄、乾燥、エキスパンディング、ピックアップの各工程が加えられ、ICチップに加工される。このような半導体ウエハのダイシング工程からピックアップ工程に至る工程においては、半導体ウエハはダイシングテープと呼ばれる粘着シート上に固定される。ダイシングテープには、ダイシング工程から乾燥工程までは半導体ウエハに対して充分な接着力を有しており、ピックアップ時にはICチップを容易に剥離でき、しかも糊残りしない程度の接着力を有しているものが望まれている。 A semiconductor wafer made of silicon, gallium arsenide, or the like is manufactured in a large diameter state, and this wafer is cut and separated (diced) into element pieces (IC chips) and then transferred to a mounting process which is the next process. At this time, the semiconductor wafer is processed into an IC chip by adding dicing, cleaning, drying, expanding, and pick-up processes in a state where the semiconductor wafer is previously attached to the adhesive sheet. In the process from the semiconductor wafer dicing process to the pick-up process, the semiconductor wafer is fixed on an adhesive sheet called a dicing tape. The dicing tape has sufficient adhesion to the semiconductor wafer from the dicing process to the drying process, and can be easily peeled off at the time of pick-up, and has enough adhesive strength to leave no adhesive residue. Things are desired.

一方、ピックアップされたICチップは、ダイボンディング工程において、エポキシ接着剤等のダイ接着用接着剤を介してリードフレーム等の支持部材に接着され、半導体が製造されている。しかし、ICチップが非常に小さな場合には、適量の接着剤を塗布することが困難であり、ICチップから接着剤がはみ出したり、あるいはICチップが大きい場合には、接着剤量が不足したりする等、充分な接着力を有するように接着を行うことができない等の問題点があった。またこのようなダイ接着用接着剤の塗布作業は煩雑でもあり、プロセスを簡略化するためにも改善が要求されている。 On the other hand, the picked-up IC chip is bonded to a support member such as a lead frame through a die bonding adhesive such as an epoxy adhesive in a die bonding process, and a semiconductor is manufactured. However, when the IC chip is very small, it is difficult to apply an appropriate amount of adhesive, and the adhesive protrudes from the IC chip, or when the IC chip is large, the amount of adhesive is insufficient. For example, there is a problem that bonding cannot be performed so as to have sufficient adhesive force. Moreover, the application | coating operation | work of such an adhesive agent for die bonding is also complicated, and improvement is requested | required in order to simplify a process.

このような問題点を解決するために、ウエハ固定機能とダイ接着機能とを同時に兼ね備えた、ウエハ貼着用粘着シートが種々提案されている。
例えば、特許文献1には、(メタ)アクリル酸エステル共重合体、エポキシ樹脂、光重合性低分子化合物、熱活性型潜在性エポキシ樹脂硬化剤及び光重合開始剤よりなる組成物から形成される粘接着層と、基材とからなる粘接着テープが開示されている。この粘接着層は、ウエハダイシング時には、ウエハを固定する機能を有し、ダイシング終了後、エネルギー線を照射すると硬化し、基材との間の接着力が低下する。したがって、ICチップのピックアップを行うと、粘接着層は、チップとともに剥離する。粘接着層を伴ったICチップをリードフレームに載置して、加熱すると、粘接着層が接着力を発現し、ICチップとリードフレームとの接着が完了する。
In order to solve such problems, various pressure-sensitive adhesive sheets for attaching to a wafer having both a wafer fixing function and a die bonding function have been proposed.
For example, Patent Document 1 includes a composition comprising a (meth) acrylic acid ester copolymer, an epoxy resin, a photopolymerizable low-molecular compound, a thermally activated latent epoxy resin curing agent, and a photopolymerization initiator. An adhesive tape comprising an adhesive layer and a substrate is disclosed. This adhesive layer has a function of fixing the wafer at the time of wafer dicing. After the dicing is completed, the adhesive layer is cured when irradiated with energy rays, and the adhesive force with the substrate is reduced. Therefore, when the IC chip is picked up, the adhesive layer is peeled off together with the chip. When the IC chip with the adhesive layer is placed on the lead frame and heated, the adhesive layer develops an adhesive force, and the adhesion between the IC chip and the lead frame is completed.

また、特許文献2には、剥離層が実質的に存在しない表面を有する重合体支持フィルムと、導電性接着剤とからなるダイシング用フィルムが教示されている。この導電性接着剤は、上記の粘接着層と略同等の機能を有する。 Patent Document 2 teaches a dicing film comprising a polymer support film having a surface substantially free of a release layer and a conductive adhesive. This conductive adhesive has substantially the same function as the above adhesive layer.

更に、特許文献3には、支持基材上に設けられた加熱発泡粘着層の上に、ダイ接着用の接着剤層が設けられており、加熱により接着剤層と加熱発泡粘着層とが剥離可能となる、半導体ウエハの分断時の支持機能を兼ね備えたダイ接着用シートが開示されている。 Further, in Patent Document 3, an adhesive layer for die bonding is provided on a heat-foamable pressure-sensitive adhesive layer provided on a support substrate, and the adhesive layer and the heat-foamable pressure-sensitive adhesive layer are peeled off by heating. A die bonding sheet having a supporting function at the time of dividing a semiconductor wafer is disclosed.

これらのウエハ貼着用粘着シートは、いわゆるダイレクトダイボンディングを可能にし、ダイ接着用接着剤の塗布工程を省略できるようにするものである。しかしながら、実際には、粘接着層の接着力を低下させることには限界があり、ICチップをピックアップする際に、ICチップを破損したり、欠けを生じさせたり、ピックアップ自体が不可能である
ことがあるという問題点があった。
These pressure-sensitive adhesive sheets for attaching wafers enable so-called direct die bonding, and can eliminate the step of applying a die bonding adhesive. However, in practice, there is a limit to reducing the adhesive force of the adhesive layer, and when picking up an IC chip, the IC chip may be damaged or chipped, or the pickup itself is impossible. There was a problem that there was.

これに対して本発明者らは、基材と、該基材上に形成された刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層と、該粘着剤層上に形成されたダイ接着用接着剤層とからなるウエハ貼着用粘着シートを提案してきた(特許文献4)。図2に、このウエハ貼着用粘着シートを用いたダイ接着用接着剤層が形成されたICチップの製造方法の一例を示した。図2において、ウエハ貼着用粘着シート2は、基材21と粘着剤22とダイ接着用接着剤層23の3層からなり、このウエハ貼着用粘着シート2を半導体ウエハ1に貼着する(図2A)。この状態でダイシングを行い、ダイ接着用接着剤層23まで完全に切断する(図2B)。次いで、粘着剤層22に気体発生剤から気体を発生させる刺激を与えれば、発生した気体により粘着剤層とダイ接着用接着剤層とが剥離する(図2C)。このようにして、ICチップを破損したり、欠けを生じさせたりすることなく容易にダイ接着用接着剤層が形成されたICチップを得ることができる。また、気体発生の条件等を調整することにより、気体発生によりダイ接着用接着剤層が形成されたICチップがあたかも粘着剤層上に浮いた状態(自己剥離した状態、図2C)にすることができ、特にニードルで突き上げる通常のピックアップ方法では破損してしまうような薄いICチップの場合でも、ニードルで突き上げることなく安全にピックアップできるという利点もある。
しかしながら、このウエハ貼着用粘着シートを用いて実際のICチップ製造ラインを稼働させた場合でも、依然としてピックアップ不良が生じることがあるという問題点があった。
On the other hand, the inventors of the present invention provide a base material, a pressure-sensitive adhesive layer containing a gas generating agent that generates gas by stimulation formed on the base material, and a die bonding formed on the pressure-sensitive adhesive layer. A pressure-sensitive adhesive sheet for adhering to a wafer comprising an adhesive layer has been proposed (Patent Document 4). FIG. 2 shows an example of a method for manufacturing an IC chip on which a die-bonding adhesive layer using the pressure-sensitive adhesive sheet attached to a wafer is formed. In FIG. 2, the wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet 2 is composed of three layers of a base material 21, a pressure sensitive adhesive 22, and a die bonding adhesive layer 23, and the wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet 2 is stuck to the semiconductor wafer 1 (FIG. 2). 2A). Dicing is performed in this state, and the die bonding adhesive layer 23 is completely cut (FIG. 2B). Next, if the pressure-sensitive adhesive layer 22 is stimulated to generate gas from the gas generating agent, the pressure-sensitive adhesive layer and the die bonding adhesive layer are peeled off by the generated gas (FIG. 2C). In this way, it is possible to obtain an IC chip on which a die bonding adhesive layer is easily formed without damaging the IC chip or causing chipping. Also, by adjusting the gas generation conditions, etc., the IC chip on which the die bonding adhesive layer is formed by gas generation is made to float on the pressure-sensitive adhesive layer (self-peeled state, FIG. 2C). In particular, even in the case of a thin IC chip that is damaged by a normal pickup method of pushing up with a needle, there is an advantage that it can be picked up safely without pushing up with a needle.
However, even when an actual IC chip production line is operated using this wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet, there has been a problem that pickup failure may still occur.

特開平2−32181号公報JP-A-2-32181 特公平3−34853号公報Japanese Patent Publication No. 3-34853 特開平3−268345号公報JP-A-3-268345 特開2004−186280号公報JP 2004-186280 A

本発明は、上記現状に鑑み、ICチップを破損したり、欠けを生じさせたりすることなく容易に接着剤層が形成されたICチップを得ることができるウエハ貼着用粘着シート及び半導体の製造方法を提供することを目的とする。 SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above situation, the present invention provides a pressure-sensitive adhesive sheet for attaching a wafer and a method for producing a semiconductor, which can easily obtain an IC chip on which an adhesive layer is formed without damaging the IC chip or causing chipping. The purpose is to provide.

本発明は、基材と、前記基材上に形成された刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層と、前記粘着剤層上に形成されたダイ接着用接着剤層とからなるウエハ貼着用粘着シートであって、前記基材は、少なくとも、高硬度の第1層と、エキスパンド可能な第2層とを有する多層構造体であり、前記第1層が前記粘着剤層と接するように配置されているウエハ貼着用粘着シートである。
以下に本発明を詳述する。
The present invention includes a base material, a pressure-sensitive adhesive layer containing a gas generating agent that generates a gas by stimulation formed on the base material, and a die-bonding adhesive layer formed on the pressure-sensitive adhesive layer. The adhesive sheet for attaching to a wafer, wherein the base material is a multilayer structure having at least a high hardness first layer and an expandable second layer, and the first layer is the adhesive layer. It is the adhesive sheet for wafer sticking arrange | positioned so that it may contact | connect.
The present invention is described in detail below.

本発明者が、特許文献4に記載されたウエハ貼着用粘着シートを用いてもピックアップ不良が発生する原因を検討したところ、図3に示したようなことが生じていることを突き止めた。図3において、ウエハ貼着用粘着シート2を半導体ウエハに貼着して、ダイシングを行うところまでは図2の場合と同様である(図3A、B)。しかし、実際の製造工程では、ダイシング後、すぐに剥離工程及びピックアップ工程を行うことはできない。通常は、少なくとも、ダイシング装置からピックアップ装置へと搬送することが必要である。この搬送の際に、幾分かの時間がかかり、また振動が与えられる。ダイシングにより設けられた溝はせいぜい数十μm程度であることから、搬送時の振動によりダイ接着用接着剤層23が流動して、ダイ接着用接着剤層23間が再合着してしまうことがある(図3C)。このようにダイ接着用接着剤層23間が再合着した状態で粘着剤層22に刺激を与えても
、ICチップはダイ接着用接着剤層23によって合着して充分に個々のICチップには分離していないため(図3D)、ピックアップできなかったり、ダイ接着用接着剤層を引きちぎる際の衝撃によりICチップが破損してしまったりするものと考えられる。
本発明者らは、更に鋭意検討の結果、ウエハ貼着用粘着シートの基材として、高硬度の第1層と、エキスパンディング可能な第2層とを有する多層構造体とすることにより、上述のようなダイ接着用接着剤層の再合着を防止し、ICチップを破損したり、欠けを生じさせたりすることなく容易に接着剤層が形成されたICチップを得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
The present inventor examined the cause of the pickup failure even when using the adhesive sheet for sticking a wafer described in Patent Document 4, and found that the situation shown in FIG. 3 occurred. In FIG. 3, the process up to the point where the wafer sticking adhesive sheet 2 is stuck to a semiconductor wafer and dicing is the same as in FIG. 2 (FIGS. 3A and 3B). However, in the actual manufacturing process, the peeling process and the pick-up process cannot be performed immediately after dicing. Usually, it is necessary to carry at least from the dicing device to the pickup device. This transport takes some time and gives vibrations. Since the groove provided by dicing is at most about several tens of μm, the die bonding adhesive layer 23 flows due to vibration during conveyance, and the die bonding adhesive layer 23 is reattached. (FIG. 3C). Thus, even if the adhesive layer 22 is stimulated in a state where the adhesive layers 23 for die bonding are reattached, the IC chips are bonded by the adhesive layer 23 for die bonding, and individual IC chips are sufficiently bonded. Since it is not separated (FIG. 3D), it is considered that the pickup cannot be performed, or the IC chip is damaged by an impact when the adhesive layer for die bonding is torn off.
As a result of further intensive studies, the present inventors have made a multilayer structure having a high-hardness first layer and an expandable second layer as the base material of the pressure-sensitive adhesive sheet to be attached to the wafer. It is found that an IC chip on which an adhesive layer is formed can be easily obtained without preventing re-bonding of the adhesive layer for die bonding and causing damage or chipping of the IC chip. The present invention has been completed.

本発明のウエハ貼着用粘着シートは、基材と、該基材上に形成された粘着剤層と、該粘着剤層上に形成されたダイ接着用接着剤層とからなるものである。
本発明のウエハ貼着用粘着シートの形状としては特に限定されず、使用機器、使用方法又は用途に応じて、テープ状、ラベル状、シート状等あらゆる形状をとりうる。テープ状のものは取扱いの容易さの点で芯材に巻き取った形のものが好ましく、ラベル状、シート状のものは適切な大きさのシートとする又は芯材に巻き取った形とすることが製造及び取扱いの容易さの点で好ましい。
The pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking of the present invention comprises a base material, a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base material, and a die-bonding adhesive layer formed on the pressure-sensitive adhesive layer.
The shape of the pressure-sensitive adhesive sheet for sticking a wafer of the present invention is not particularly limited, and may take any shape such as a tape shape, a label shape, a sheet shape, etc., depending on the equipment used, the usage method, or the application. Tapes are preferably wound around the core in terms of ease of handling, and labels and sheets are appropriately sized sheets or wound around the core. It is preferable in terms of ease of manufacture and handling.

上記基材は、少なくとも、高硬度の第1層と、エキスパンディング可能な第2層とを有する多層構造体からなる。
上記第1層は、上記粘着剤層に刺激を与えて気体を発生させたときに、気体発生によって生じた応力を吸収してしまうことなく、確実に接着界面の剥離に利用できるようにする役割を有する。従って、本発明のウエハ貼着用粘着シートにおいて、上記第1層は、上記粘着剤層と接するように配置されている必要がある。
上記第2層は、本発明のウエハ貼着用粘着シートにエキスパンド性を付与して、ダイシング後にエキスパンディングして溝間隔を広げることにより上記ダイ接着用接着剤層が再合着するのを防止する役割を有する。
The base material is composed of a multilayer structure having at least a high hardness first layer and an expandable second layer.
The first layer has a role in which when the gas is generated by stimulating the pressure-sensitive adhesive layer, the first layer can be reliably used for peeling of the adhesive interface without absorbing the stress generated by the gas generation. Have Therefore, in the wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention, the first layer needs to be disposed so as to be in contact with the pressure-sensitive adhesive layer.
The second layer imparts expandability to the wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention, and expands after dicing to widen the groove interval, thereby preventing the adhesive layer for die bonding from reattaching. Have a role.

上記第1層は、周波数10Hz、設定歪み0.5%、昇温速度3℃/minの条件で剪断法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が1×10Pa以上であることが好ましい。1×10Pa未満であると、剥離時に上記粘着剤層に刺激を与えて気体を発生させたときに、気体発生によって生じた応力が吸収されて充分な剥離圧力が得られず、剥離不良が生じることがある。より好ましくは1×10Pa以上である。 The first layer has a storage elastic modulus at 23 ° C. of 1 × 10 8 Pa or more based on dynamic viscoelasticity measured by a shearing method under conditions of a frequency of 10 Hz, a set strain of 0.5%, and a heating rate of 3 ° C./min. It is preferable that When the pressure is less than 1 × 10 8 Pa, when the gas is generated by stimulating the pressure-sensitive adhesive layer at the time of peeling, the stress generated by the gas generation is absorbed and sufficient peeling pressure cannot be obtained, resulting in poor peeling. May occur. More preferably, it is 1 × 10 9 Pa or more.

上記第1層としては特に限定されず、例えば、ポリエチレンテレフタレート、高密度ポリエチレン、アクリル樹脂、ポリカーボネート、ポリプロピレン、又は、これらの複合体等からなるものが挙げられる。 It does not specifically limit as said 1st layer, For example, what consists of a polyethylene terephthalate, a high density polyethylene, an acrylic resin, a polycarbonate, a polypropylene, or these composites etc. are mentioned.

上記第1層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は10μm、好ましい上限は100μmである。10μm未満であると、剥離時に上記粘着剤層に刺激を与えて気体を発生させたときに、気体発生によって生じた応力が吸収されて充分な剥離圧力が得られず、剥離不良が生じることがある。100μmを超えると、ダイシングによる切断が困難になることがある。 Although it does not specifically limit as thickness of the said 1st layer, A preferable minimum is 10 micrometers and a preferable upper limit is 100 micrometers. When the pressure is less than 10 μm, when the gas is generated by stimulating the pressure-sensitive adhesive layer at the time of peeling, the stress generated by the gas generation is absorbed and sufficient peeling pressure cannot be obtained, resulting in peeling failure. is there. If it exceeds 100 μm, cutting by dicing may be difficult.

上記第2層は、周波数10Hz、設定歪み0.1%、昇温速度3℃/minの条件で引張法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が3×10Pa以下であることが好ましい。3×10Paを超えると、エキスパンディングを行うことが困難で、上記ダイ接着用接着剤層が再合着するのを防止することができないことがある。 The second layer has a storage elastic modulus of 3 × 10 8 Pa or less at 23 ° C. based on dynamic viscoelasticity measured by a tensile method under the conditions of a frequency of 10 Hz, a set strain of 0.1%, and a heating rate of 3 ° C./min. It is preferable that When it exceeds 3 × 10 8 Pa, it may be difficult to perform expansion, and it may not be possible to prevent the above-mentioned die bonding adhesive layer from being reattached.

上記第2層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は25μm、好ましい上限は200μmである。この範囲外であると、エキスパンディングを良好に行えないことが
ある。
Although it does not specifically limit as thickness of the said 2nd layer, A preferable minimum is 25 micrometers and a preferable upper limit is 200 micrometers. If it is out of this range, expanding may not be performed satisfactorily.

上記粘着剤層に含有される気体発生剤から気体を発生させる刺激が光による刺激である場合には、上記基材は、全体として光を透過又は通過するものであることが好ましい。
上記基材全体の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は10μm、好ましい上限は300μmである。10μm未満であると、シートの自立性が不足しハンドリングが困難になることがあり、300μmを超えると、刺激が光である場合には光透過率が低くなり充分に気体発生剤から気体を発生できないことがある。
When the stimulus for generating a gas from the gas generating agent contained in the pressure-sensitive adhesive layer is a stimulus by light, the substrate is preferably one that transmits or passes light as a whole.
Although it does not specifically limit as thickness of the said whole base material, A preferable minimum is 10 micrometers and a preferable upper limit is 300 micrometers. When the thickness is less than 10 μm, the sheet may be insufficiently self-supporting and handling may be difficult. When the thickness exceeds 300 μm, the light transmittance is low when the stimulus is light, and sufficient gas is generated from the gas generating agent. There are things that cannot be done.

上記粘着剤層は、刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する。
上記気体発生剤から気体を発生させる刺激としては、例えば、光、熱、超音波による刺激が挙げられる。なかでも光又は熱による刺激が好ましい。上記光としては、例えば、紫外線や可視光線等が挙げられる。上記刺激として光による刺激を用いる場合には、気体発生剤を含有する粘着剤層は、光が透過又は通過できるものであることが好ましい。また、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激が熱である場合には、気体発生剤は、ダイ接着用接着剤のガラス転移温度以下の温度に加熱することにより気体を発生することが好ましい。ダイ接着用接着剤のガラス転移温度を超える温度をかけると、上記粘着剤層とダイ接着用接着剤層とがうまく剥離できないことがある。
The pressure-sensitive adhesive layer contains a gas generating agent that generates gas upon stimulation.
Examples of the stimulus for generating gas from the gas generating agent include stimulation by light, heat, and ultrasonic waves. Of these, stimulation by light or heat is preferred. Examples of the light include ultraviolet light and visible light. When light stimulation is used as the stimulation, the pressure-sensitive adhesive layer containing the gas generating agent is preferably capable of transmitting or passing light. Moreover, when the stimulus for generating gas from the gas generating agent is heat, the gas generating agent preferably generates gas by heating to a temperature not higher than the glass transition temperature of the adhesive for die bonding. When a temperature exceeding the glass transition temperature of the die-bonding adhesive is applied, the pressure-sensitive adhesive layer and the die-bonding adhesive layer may not be peeled off successfully.

上記刺激により気体を発生する気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ化合物、アジド化合物が好適に用いられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、2,2’−アゾビス(N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−メチルプロピル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−メチルエチル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(N−プロピル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(N−エチル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−[1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−[2−(1−ヒドロキシブチル)]プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス[2−メチル−N−(2−ヒドロキシエチル)プロピオンアミド]、2,2’−アゾビス[N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス[2−(5−メチル−2−イミダゾリン2−イル)プロパン]ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン2−イル)プロパン]ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン2−イル)プロパン]ジサルフェイトジハイドロレート、2,2’−アゾビス[2−(3,4,5,6−テトラハイドロピリミジン−2−イル)プロパン]ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス{2−[1−(2−ヒドロキシエチル)−2−イミダゾリン2−イル]プロパン}ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[2−(2−イミダゾリン2−イル)プロパン]、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミジン)ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス(2−アミノプロパン)ジハイドロクロライド、2,2’−アゾビス[N−(2−カルボキシアシル)−2−メチル−プロピオンアミジン]、2,2’−アゾビス{2−[N−(2−カルボキシエチル)アミジン]プロパン}、2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオンアミドオキシム)、ジメチル2,2’−アゾビス(2−メチルプロピオネート)、ジメチル2,2’−アゾビスイソブチレート、4,4’−アゾビス(4−シアンカルボニックアシッド)、4,4’−アゾビス(4−シアノペンタノイックアシッド)、2,2’−アゾビス(2,4,4−トリメチルペンタン)等が挙げられる。これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素ガスを発生する。
Although it does not specifically limit as a gas generating agent which generate | occur | produces gas by the said irritation | stimulation, For example, an azo compound and an azide compound are used suitably.
Examples of the azo compound include 2,2′-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-methylpropyl) -2-methylpropionamide], 2 , 2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-methylethyl) -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-hexyl) -2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-propyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-ethyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis {2-methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl) -2-hydroxyethyl] propionamide}, 2,2′-azobis {2-methyl-N- [2- (1-hydroxy) Butyl)] propionamide}, 2,2′-azobis [2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2′-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide 2,2'-azobis [2- (5-methyl-2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2'-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] dihydro Chloride, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] disulfate dihydrolate, 2,2′-azobis [2- (3,4,5,6-tetrahydropyrimidine- 2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis {2- [1- (2-hydroxyethyl) -2-imidazolin-2-yl] propane} dihydrochloride Id, 2,2′-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane], 2,2′-azobis (2-methylpropionamidine) dihydrochloride, 2,2′-azobis (2-aminopropane) ) Dihydrochloride, 2,2′-azobis [N- (2-carboxyacyl) -2-methyl-propionamidine], 2,2′-azobis {2- [N- (2-carboxyethyl) amidine] propane }, 2,2′-azobis (2-methylpropionamidooxime), dimethyl 2,2′-azobis (2-methylpropionate), dimethyl 2,2′-azobisisobutyrate, 4,4′- Azobis (4-cyancarbonic acid), 4,4′-azobis (4-cyanopentanoic acid), 2,2′-azobis (2,4,4-trimethylpentane) ) And the like. These azo compounds generate nitrogen gas when stimulated by light, heat, or the like.

上記アゾ化合物としては、10時間半減期温度が80℃以上であるものがより好適である
。10時間半減期温度が80℃未満であると、本発明のウエハ貼着用粘着シートは、キャストにより粘着剤層を形成して乾燥する際に発泡を生じてしまったり、経時的に分解反応を生じて分解残渣がブリードアウトしてしまったり、経時的に気体を発生して貼り合わせた被着体との界面に浮きを生じさせてしまったりすることがある。10時間半減期温度が80℃以上であれば、耐熱性に優れていることから、高温での使用及び安定した貯蔵が可能である。
As the azo compound, those having a 10-hour half-life temperature of 80 ° C. or more are more preferable. When the 10-hour half-life temperature is less than 80 ° C., the pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking of the present invention may cause foaming when it is dried by forming a pressure-sensitive adhesive layer by casting, or it may decompose over time. As a result, the decomposition residue may bleed out, or gas may be generated over time to cause floating at the interface with the adherend. If the 10-hour half-life temperature is 80 ° C. or higher, the heat resistance is excellent, and therefore, use at a high temperature and stable storage are possible.

10時間半減期温度が80℃以上であるアゾ化合物としては、下記一般式(1)で表されるアゾアミド化合物等が挙げられる。下記一般式(1)で表されるアゾアミド化合物は、耐熱性に優れていることに加え、後述するアクリル酸アルキルエステルポリマー等の粘着性を有するポリマーへの溶解性にも優れ、粘着剤層中に粒子として存在しないものとすることができる。 Examples of the azo compound having a 10-hour half-life temperature of 80 ° C. or higher include an azoamide compound represented by the following general formula (1). In addition to being excellent in heat resistance, the azoamide compound represented by the following general formula (1) is also excellent in solubility in an adhesive polymer such as an acrylic acid alkyl ester polymer, which will be described later, in the adhesive layer. The particles may not exist as particles.

Figure 2006210433
Figure 2006210433

式(1)中、R及びRは、それぞれ低級アルキル基を表し、Rは、炭素数2以上の飽和アルキル基を表す。なお、RとRは、同一であっても、異なっていてもよい。 In formula (1), R 1 and R 2 each represent a lower alkyl group, and R 3 represents a saturated alkyl group having 2 or more carbon atoms. R 1 and R 2 may be the same or different.

上記一般式(1)で表されるアゾアミド化合物としては、例えば、2,2’−アゾビス(N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−メチルプロピル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−メチルエチル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(N−プロピル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(N−エチル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−[1,1−ビス(ヒドロキシメチル)−2−ヒドロキシエチル]プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス{2−メチル−N−[2−(1−ヒドロキシブチル)]プロピオンアミド}、2,2’−アゾビス[2−メチル−N−(2−ヒドロキシエチル)プロピオンアミド]、2,2’−アゾビス[N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピオンアミド]等が挙げられる。なかでも、2,2’−アゾビス(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)及び2,2’−アゾビス[N−(2−プロペニル)−2−メチルプロピオンアミド]は、溶剤への溶解性に特に優れていることから好適に用いられる。
なかでも、2,2’−アゾビス(N−シクロヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−メチルプロピル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス[N−(2−メチルエチル)−2−メチルプロピオンアミド]、2,2’−アゾビス(N−ヘキシル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(N−プロピル−2−メチルプロピオンアミド)、2,2’−アゾビス(N−エチル−2−メチルプロピオンアミド)等の下記一般式(1)で表されるアゾアミド化合物が好ましい。
Examples of the azoamide compound represented by the general formula (1) include 2,2′-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide) and 2,2′-azobis [N- (2-methylpropyl). -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-methylethyl) -2-methylpropionamide], 2 , 2′-azobis (N-hexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-propyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-ethyl-2-methylpropionamide) Amide), 2,2′-azobis {2-methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl) -2-hydroxyethyl] propionamide}, 2,2′-azobis {2-methy -N- [2- (1-hydroxybutyl)] propionamide}, 2,2'-azobis [2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2'-azobis [N- ( 2-propenyl) -2-methylpropionamide] and the like. Among these, 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide) and 2,2′-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide] have improved solubility in solvents. It is preferably used because it is particularly excellent.
Among them, 2,2′-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-methylpropyl) -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-methylethyl) -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-hexyl-2-methylpropion) Amide), 2,2′-azobis (N-propyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-ethyl-2-methylpropionamide) and the like represented by the following general formula (1) Azoamide compounds are preferred.

上記アジド化合物としては、例えば、3−アジドメチル−3−メチルオキセタン、テレフタルアジド、p−tert−ブチルベンズアジド等や、3−アジドメチル−3−メチルオキセタンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有するポリマー等が挙げられる。これらのアジド化合物は、光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生する。 Examples of the azide compound include 3-azidomethyl-3-methyloxetane, terephthalazide, p-tert-butylbenzazide, and glycidyl azide polymer obtained by ring-opening polymerization of 3-azidomethyl-3-methyloxetane. And polymers having an azide group such as These azide compounds generate nitrogen gas when stimulated by light, heat, impact, or the like.

これらの気体発生剤のうち、上記アジド化合物は衝撃を与えることによっても容易に分解して窒素ガスを放出することから、取扱いが困難であるという問題がある。更に、上記アジド化合物は、いったん分解が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出しその制御ができないことから、爆発的に発生した窒素ガスによってウエハが損傷することがあるという問題もある。このような問題から上記アジド化合物の使用量は限定されるが、限定された使用量では充分な効果が得られないことがある。
一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり衝撃によっては気体を発生しないことから取扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生することもないためウエハを損傷することもなく、光の照射を中断すれば気体の発生も中断できることから、用途に合わせた接着性の制御が可能であるという利点もある。従って、上記気体発生剤としては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。
Among these gas generating agents, the azide compound is easily decomposed even by giving an impact and releases nitrogen gas, so that there is a problem that handling is difficult. Furthermore, once the decomposition starts, the azide compound causes a chain reaction and explosively releases nitrogen gas, which cannot be controlled. Therefore, there is a problem that the wafer may be damaged by the nitrogen gas generated explosively. is there. Due to such problems, the amount of the azide compound used is limited, but sufficient effects may not be obtained with the limited amount used.
On the other hand, unlike the azide compound, the azo compound is extremely easy to handle because it does not generate gas upon impact. In addition, since gas is not explosively generated due to a chain reaction, the wafer is not damaged, and generation of gas can be interrupted if light irradiation is interrupted. There is also an advantage that it is possible. Therefore, it is more preferable to use an azo compound as the gas generating agent.

上記気体発生剤を含有することにより、上記粘着剤層に刺激を与えると気体発生剤から発生した気体が、上記粘着剤層とダイ接着用接着剤との接着面の少なくとも一部を剥がすことにより、粘着力が低下して粘着剤層とダイ接着用接着剤とを容易に剥離することができる。 By containing the gas generating agent, when the pressure-sensitive adhesive layer is stimulated, the gas generated from the gas generating agent peels off at least a part of the adhesive surface between the pressure-sensitive adhesive layer and the die bonding adhesive. The pressure-sensitive adhesive force is reduced, and the pressure-sensitive adhesive layer and the die bonding adhesive can be easily peeled off.

上記気体発生剤は、上記粘着剤層中に溶解していることが好ましい。上記気体発生剤が粘着剤層中に溶解していることにより、刺激を与えたときに気体発生剤から発生した気体が効率よく粘着剤層の外に放出される。また、上記気体発生剤が粘着剤層中に粒子として存在すると、気体を発生させる刺激として光を照射したときに粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、粘着剤層の表面平滑性が悪くなったりすることがある。なお、上記気体発生剤が粘着剤層中に溶解していることは、電子顕微鏡により粘着剤層を観察したときに気体発生剤の粒子が見あたらないことにより確認することができる。 The gas generating agent is preferably dissolved in the pressure-sensitive adhesive layer. Since the gas generating agent is dissolved in the pressure-sensitive adhesive layer, the gas generated from the gas generating agent is efficiently released out of the pressure-sensitive adhesive layer when stimulation is applied. In addition, when the gas generating agent is present as particles in the pressure-sensitive adhesive layer, when light is irradiated as a gas generating stimulus, light is scattered at the particle interface, resulting in low gas generation efficiency. The surface smoothness of the layer may deteriorate. The fact that the gas generating agent is dissolved in the pressure-sensitive adhesive layer can be confirmed by the absence of gas generating agent particles when the pressure-sensitive adhesive layer is observed with an electron microscope.

上記気体発生剤を粘着剤層中に溶解させるためには、上記粘着剤層を構成する粘着剤に溶解する気体発生剤を選択すればよい。なお、粘着剤に溶解しない気体発生剤を選択する場合には、例えば、分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤層中に気体発生剤をできるかぎり微分散させることが好ましい。粘着剤層中に気体発生剤を微分散させるためには、気体発生剤は、微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分散機や混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、電子顕微鏡により上記粘着剤層を観察したときに気体発生剤を確認することができない状態まで分散させることがより好ましい。 In order to dissolve the gas generating agent in the pressure-sensitive adhesive layer, a gas generating agent that dissolves in the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer may be selected. When selecting a gas generating agent that does not dissolve in the pressure-sensitive adhesive, for example, the gas generating agent can be dispersed as finely as possible in the pressure-sensitive adhesive layer by using a disperser or using a dispersing agent in combination. preferable. In order to finely disperse the gas generating agent in the pressure-sensitive adhesive layer, the gas generating agent is preferably fine particles, and these fine particles are necessary using, for example, a disperser or a kneading apparatus. Accordingly, finer fine particles are preferable. That is, it is more preferable to disperse the gas generating agent to a state where it cannot be confirmed when the pressure-sensitive adhesive layer is observed with an electron microscope.

上記気体発生剤の含有量としては、気体発生剤の種類により適宜選択すればよいが、例えば、気体発生剤としてアゾ化合物を用いる場合には、粘着剤層を構成する粘着剤100重量部に対して好ましい下限は5重量部、好ましい上限は50重量部である。5重量部未満であると、充分な剥離圧力が得られず剥離できないことがあり、50重量部を超えると、溶解性が悪化し、ブリード等の不具合が発生することがある。より好ましい下限は15重量部、より好ましい上限は30重量部である。 The content of the gas generating agent may be appropriately selected according to the type of the gas generating agent. For example, when an azo compound is used as the gas generating agent, the content of the pressure sensitive adhesive constituting the pressure sensitive adhesive layer is 100 parts by weight. The preferred lower limit is 5 parts by weight, and the preferred upper limit is 50 parts by weight. If the amount is less than 5 parts by weight, a sufficient peeling pressure may not be obtained and peeling may not be possible. If the amount exceeds 50 parts by weight, the solubility may deteriorate and problems such as bleeding may occur. A more preferred lower limit is 15 parts by weight, and a more preferred upper limit is 30 parts by weight.

上記粘着剤層を構成する粘着剤としては特に限定されず、例えば、(メタ)アクリル酸アルキルエステル系ポリマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル共重合
体、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂;SEBS、SIS、SBR等のゴム、エポキシ樹脂、フッ素樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂等を用いることができる。これらの樹脂は単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
It does not specifically limit as an adhesive which comprises the said adhesive layer, For example, (meth) acrylic-acid alkylester type | system | group polymer, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylic copolymer, silicone resin, modified silicone resin; Rubbers such as SEBS, SIS, and SBR, epoxy resins, fluororesins, polyester resins, polyamide resins, and the like can be used. These resins may be used alone or in combination of two or more.

上記粘着剤層は、刺激により架橋する架橋性樹脂成分を含有してもよい。刺激を与えて上記架橋性樹脂成分を架橋させることにより、上記粘着剤層の弾性率が上昇し粘着力が低減する。更に、弾性率の上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、被着体から粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。上記架橋性樹脂成分を架橋させる刺激は、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激と同一であってもよいし、異なっていてもよい。 The pressure-sensitive adhesive layer may contain a crosslinkable resin component that crosslinks upon stimulation. By giving a stimulus and crosslinking the crosslinkable resin component, the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive layer is increased and the adhesive strength is reduced. Furthermore, when a gas is generated from the gas generating agent in a hard cured product having an increased elastic modulus, most of the generated gas is released to the outside, and the released gas is at least on the adhesive surface of the adhesive from the adherend. Peel part and reduce adhesion. The stimulus for crosslinking the crosslinkable resin component may be the same as or different from the stimulus for generating gas from the gas generating agent.

このような架橋性樹脂成分としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び/又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなるアクリル酸アルキルエステル系及び/又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。 As such a crosslinkable resin component, for example, an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and a radical polymerizable A photo-curing pressure-sensitive adhesive comprising a polyfunctional oligomer or monomer as a main component and containing a photopolymerization initiator as necessary, or an alkyl acrylate ester having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule And / or a methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer and a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer as main components and a thermosetting pressure-sensitive adhesive containing a thermal polymerization initiator.

このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤等の後硬化型粘着剤は、光の照射又は加熱により粘着剤層の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、弾性率の上昇した硬い硬化物中で気体発生剤から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、被着体から粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし接着力を低下させる。 Such a photo-curing pressure-sensitive adhesive or a thermosetting pressure-sensitive adhesive such as a thermosetting pressure-sensitive adhesive is polymerized because the entire pressure-sensitive adhesive layer is uniformly and quickly polymerized and cross-linked by irradiation with light or heating. The increase in elastic modulus due to curing becomes significant, and the adhesive strength is greatly reduced. In addition, when gas is generated from the gas generating agent in a hard cured product having an increased elastic modulus, most of the generated gas is released to the outside, and the released gas is at least on the adhesive adhesive surface from the adherend. Peel part and reduce adhesion.

上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った(メタ)アクリル系ポリマー(以下、官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーという)をあらかじめ合成し、分子内に上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物(以下、官能基含有不飽和化合物という)と反応させることにより得ることができる。 The polymerizable polymer is prepared by, for example, previously synthesizing a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (hereinafter referred to as a functional group-containing (meth) acrylic polymer) and reacting with the functional group in the molecule. It can obtain by making it react with the compound (henceforth a functional group containing unsaturated compound) which has a functional group to perform and a radically polymerizable unsaturated bond.

上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、一般の(メタ)アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常2〜18の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び/又はメタクリル酸アルキルエステルを主モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常20万〜200万程度である。 The functional group-containing (meth) acrylic polymer is an acrylic having an alkyl group usually in the range of 2 to 18 as a polymer having adhesiveness at room temperature, as in the case of a general (meth) acrylic polymer. By copolymerizing an acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester as a main monomer, a functional group-containing monomer, and, if necessary, another modifying monomer copolymerizable therewith by a conventional method It is obtained. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.

上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル基含有モノマー;アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒドロキシル基含有モノマー;アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ基含有モノマー;アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル等のイソシアネート基含有モノマー;アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。 Examples of the functional group-containing monomer include a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid and methacrylic acid; a hydroxyl group-containing monomer such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; and an epoxy group containing glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Monomers; Isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate; and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.

上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル、スチレン等の一般の(メタ)アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙げられる。 Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.

上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物としては、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有(メタ)アクリル系ポリマーの官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマーが用いられる。上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が1万以下であるものが好ましく、より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤層の三次元網状化が効率よくなされるように、その分子量が5,000以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が2〜20個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例えば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、1,4−ブチレングリコールジアクリレート、1,6−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used. The polyfunctional oligomer or monomer preferably has a molecular weight of 10,000 or less, and more preferably has a molecular weight of 5, so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive layer can be efficiently formed by heating or light irradiation. 000 or less and the number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2 to 20. As such more preferred polyfunctional oligomers or monomers, for example, trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate Or the above-mentioned methacrylates etc. are mentioned. Other examples include 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, and methacrylates similar to those described above. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.

上記光重合開始剤としては、例えば、250〜800nmの波長の光を照射することにより活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシアセトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物;ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物;ベンジルジメチルケタール、アセトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物;フォスフィンオキシド誘導体化合物;ビス(η5−シクロペンタジエニル)チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone. Benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether; ketal derivative compounds such as benzyl dimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal; phosphine oxide derivative compounds; bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds, benzophenone, Michler's ketone Chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl pro Examples thereof include photo radical polymerization initiators such as bread. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生するものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルパーオキシベンゾエール、t−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等が挙げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等が好適である。これらの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パーブチルD、パーブチルH、パーブチルP、パーメンタH(以上いずれも日本油脂製)等が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、2種以上が併用されてもよい。 Examples of the thermal polymerization initiator include those that decompose by heat and generate active radicals that initiate polymerization and curing, such as dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide, and t-butyl peroxybenzoale. , T-butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide and the like. Among these, cumene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide, and the like are preferable because of their high thermal decomposition temperature. Although it does not specifically limit as what is marketed among these thermal-polymerization initiators, For example, perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, permenta H (all are the products made from NOF) etc. are suitable. These thermal polymerization initiators may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。 In addition to the above components, the post-curing pressure-sensitive adhesive described above is variously blended with general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds as desired for the purpose of adjusting the cohesive force as the pressure-sensitive adhesive. You may mix | blend a polyfunctional compound suitably. Moreover, well-known additives, such as a plasticizer, resin, surfactant, wax, and a fine particle filler, can also be added.

上記粘着剤層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は3μm、好ましい上限は50μmである。3μm未満であると、接着力が不足しダイシング時にチップとびが発
生することがあり、50μmを超えると、接着力が高すぎるために剥離性が低下し、良好なピックアップが実現できなくなることがある。
Although it does not specifically limit as thickness of the said adhesive layer, A preferable minimum is 3 micrometers and a preferable upper limit is 50 micrometers. If it is less than 3 μm, the adhesive force may be insufficient and chip skipping may occur during dicing, and if it exceeds 50 μm, the adhesive force is too high and the peelability may be reduced, making it impossible to realize a good pickup. .

上記ダイ接着用接着剤としては特に限定されず、従来公知のダイ接着用接着剤を用いることができ、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エステル共重合体、ポリアミド、ポリエチレン、ポリスルホン等の熱可塑性樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等の熱硬化性樹脂主成分とする接着剤、アクリル樹脂、ゴム系ポリマー、フッ素ゴム系ポリマー、フッ素樹脂等を主成分とする接着剤等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。 The die-bonding adhesive is not particularly limited, and a conventionally known die-bonding adhesive can be used. For example, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-acrylate copolymer, polyamide, polyethylene, Main components are thermoplastic resins such as polysulfone, adhesives mainly composed of thermosetting resins such as epoxy resins, polyimide resins, silicone resins, phenol resins, acrylic resins, rubber polymers, fluororubber polymers, fluororesins, etc. Adhesives to be used. These may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記ダイ接着用接着剤層は、更に、必要に応じてフィラーを含有していてもよい。このようなフィラーとしては、例えば、導電性の付与を目的とした導電性フィラー、熱伝導性の付与を目的とした熱伝導性フィラー等が挙げられる。これらは単独で用いられてもよいし、2種以上が併用されてもよい。 The die bonding adhesive layer may further contain a filler as necessary. Examples of such a filler include a conductive filler for the purpose of imparting conductivity, a heat conductive filler for the purpose of imparting thermal conductivity, and the like. These may be used independently and 2 or more types may be used together.

上記導電性フィラーとしては、例えば、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、カーボン、セラミック、又は、ニッケル、アルミニウム等を銀で被覆したもの等が挙げられる。また、上記熱伝導性フィラーとしては、金、銀、銅、ニッケル、アルミニウム、ステンレス、シリコン、ゲルマニウム等の金属材料やそれらの合金等が挙げられる。 Examples of the conductive filler include gold, silver, copper, nickel, aluminum, stainless steel, carbon, ceramic, or nickel or aluminum coated with silver. Moreover, as said heat conductive filler, metal materials, such as gold | metal | money, silver, copper, nickel, aluminum, stainless steel, silicon, germanium, those alloys, etc. are mentioned.

上記フィラーの含有量としては特に限定されないが、ダイ接着用接着剤100重量部に対して、好ましい下限は10重量部、好ましい上限は4000重量部である。10重量部未満であると、所望する特性が得られないことがあり、4000重量部を超えると、接着強度が低下することがある。 Although it does not specifically limit as content of the said filler, A preferable minimum is 10 weight part and a preferable upper limit is 4000 weight part with respect to 100 weight part of adhesive agents for die bonding. If it is less than 10 parts by weight, desired properties may not be obtained, and if it exceeds 4000 parts by weight, the adhesive strength may be lowered.

上記ダイ接着用接着剤層の厚さとしては特に限定されないが、好ましい下限は3μm、好ましい上限は100μmである。3μm未満であると、ダイ接着力が不足することがあり、100μmを超えると、粘着剤層との接着力が大きくなりすぎるため、ピックアップに不具合をきたすことがある。 Although it does not specifically limit as thickness of the said adhesive layer for die-bonding, A preferable minimum is 3 micrometers and a preferable upper limit is 100 micrometers. If it is less than 3 μm, the die adhesion may be insufficient, and if it exceeds 100 μm, the adhesion with the pressure-sensitive adhesive layer becomes too large, which may cause problems with the pickup.

本発明のウエハ貼着用粘着シートを製造する方法としては特に限定されず、例えば、まず共押出法等の従来公知の方法により製造した多層構造からなる上記基材上に上記粘着剤層を形成させた後、形成された粘着剤層上にダイ接着用接着剤層を形成する方法等が挙げられる。
上記基材上に上記粘着剤層を形成させる方法としては特に限定されず、例えば、バインダー樹脂と上記気体発生剤とを混練した粘着剤組成物を上記基材上に流延して固化させる方法等が挙げられる。
しかしながら、バインダー樹脂と気体発生剤とを混練する際に生じる熱により気体発生剤の分解が起こることがあり、多量の気体発生剤を含有する粘着剤組成物を製造することが困難な場合がある。このような場合には、気体発生剤、アクリル系モノマー又はアクリル系オリゴマーを主成分とする重合性原料、及び、気体発生剤の感光波長よりも長波長の紫外線又は可視光を照射されることで活性化する光重合開始剤等を含有する原料に、気体発生剤の感光波長の感光波長よりも長波長の紫外線又は可視光波長の光を照射して光重合開始剤を活性化して重合性原料を重合させて粘着剤組成物を得る方法が好適に用いられる。この方法によれば、接着樹脂と気体発生剤とを混練する必要がなく、熱により気体発生剤の分解が始まるおそれがない。また、粘着剤組成物の製造を1回の反応で完了することができ、溶剤を使用する必要もないので、多量の気体発生剤を含有する粘着剤組成物を安全かつ容易に製造できる。
The method for producing the adhesive sheet for sticking a wafer of the present invention is not particularly limited. For example, first, the pressure-sensitive adhesive layer is formed on the substrate having a multilayer structure produced by a conventionally known method such as a coextrusion method. Thereafter, a method of forming an adhesive layer for die bonding on the formed pressure-sensitive adhesive layer can be mentioned.
The method for forming the pressure-sensitive adhesive layer on the substrate is not particularly limited. For example, a method in which a pressure-sensitive adhesive composition obtained by kneading a binder resin and the gas generating agent is cast on the substrate and solidified. Etc.
However, the heat generated when the binder resin and the gas generating agent are kneaded may cause decomposition of the gas generating agent, and it may be difficult to produce a pressure-sensitive adhesive composition containing a large amount of the gas generating agent. . In such a case, it is irradiated with ultraviolet rays or visible light having a wavelength longer than the photosensitive wavelength of the gas generating agent, an acrylic monomer or an acrylic oligomer, and a photosensitive material of the gas generating agent. A raw material containing a photopolymerization initiator to be activated is irradiated with light having a wavelength longer than the photosensitive wavelength of the gas generating agent, or light having a visible light wavelength to activate the photopolymerization initiator to be a polymerizable raw material A method of obtaining a pressure-sensitive adhesive composition by polymerizing the polymer is suitably used. According to this method, it is not necessary to knead the adhesive resin and the gas generating agent, and there is no possibility that the decomposition of the gas generating agent is started by heat. Moreover, since the production of the pressure-sensitive adhesive composition can be completed by a single reaction and it is not necessary to use a solvent, a pressure-sensitive adhesive composition containing a large amount of a gas generating agent can be produced safely and easily.

上記粘着剤層上にダイ接着用接着剤層を形成する方法としては特に限定されず、例えば、
離型処理が施されたシート上にダイ接着用接着剤の原料を塗布、乾燥してダイ接着用接着剤層を形成させた後、得られたダイ接着用接着剤層を基材上に形成された粘着剤層上に重ねる方法;予め成形されたダイ接着用接着剤からなるシート上記粘着剤層上に積層する方法等が挙げられる。
The method for forming the adhesive layer for die bonding on the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited, for example,
After applying the die bonding adhesive raw material on the release-treated sheet and drying to form the die bonding adhesive layer, the resulting die bonding adhesive layer is formed on the substrate. And a method of laminating on the pressure-sensitive adhesive layer; a method of laminating on the above-mentioned pressure-sensitive adhesive layer, a sheet made of a die-bonding adhesive formed in advance.

本発明のウエハ貼着用粘着シートは、上述の構成よりなることから、上述のようなダイ接着用接着剤層の再合着を防止し、ICチップを破損したり、欠けを生じさせたりすることなく容易に接着剤層が形成されたICチップを得ることができる。 Since the pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking according to the present invention has the above-described configuration, it prevents re-bonding of the adhesive layer for die bonding as described above, and damages the IC chip or causes chipping. It is possible to easily obtain an IC chip on which an adhesive layer is formed.

本発明のウエハ貼着用粘着シートを用いて半導体の製造方法としては、例えば、少なくとも、ダイ接着用接着剤層を介して半導体ウエハを本発明のウエハ貼着用粘着シートに貼り付ける工程と、上記ウエハ貼着用粘着シートに貼り付けた半導体ウエハをダイシングしてICチップとすると同時に、上記ウエハ貼着用粘着シートの第1層を切断する工程と、上記ICチップが貼り付いたウエハ貼着用粘着シートをエキスパンディングする工程と、上記ウエハ貼着用粘着シートに刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させてウエハ貼着用粘着シートの粘着剤層とダイ接着用接着剤層とを剥離させ、ダイ接着用接着剤層が付着したICチップを得る工程と、上記ダイ接着用接着剤層が付着したICチップを支持部材上にダイ接着用接着剤層を介して接着する工程を有する方法が好適である。
このような半導体の製造方法もまた、本発明の1つである。
As a method for manufacturing a semiconductor using the adhesive sheet for adhering a wafer of the present invention, for example, a step of adhering a semiconductor wafer to an adhesive sheet for adhering a wafer of the present invention via at least a die bonding adhesive layer, and the wafer The process of cutting the first layer of the adhesive sheet for wafer attachment and the adhesive sheet for attaching wafer attached to the wafer at the same time as dicing the semiconductor wafer attached to the adhesive sheet for attachment to IC chips A step of bonding, and generating a gas from the gas generating agent by stimulating the wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet to peel off the pressure-sensitive adhesive layer of the wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet and the die-bonding adhesive layer, thereby bonding the die-bonding A step of obtaining an IC chip to which an adhesive layer is adhered, and an IC chip to which the above-mentioned die bonding adhesive layer is adhered on a support member via a die bonding adhesive layer How an adhesive to process is preferred.
Such a semiconductor manufacturing method is also one aspect of the present invention.

以下、図1を用いて本発明の半導体の製造方法を説明する。
図1において、ウエハ貼着用粘着シート2は、基材21と粘着剤22とダイ接着用接着剤層23からなる。基材21は、更に、第1層211と第2層212の2層からなる。
本発明の半導体の製造方法では、まず、ダイ接着用接着剤層23を介して半導体ウエハ1をウエハ貼着用粘着シート2に貼り付ける(図1A)。
上記半導体ウエハとしては特に限定されず、例えば、高純度なシリコン単結晶やガリウム砒素単結晶等をスライスし、表面に所定の回路パターンが形成されたものが挙げられる。
Hereinafter, the semiconductor manufacturing method of the present invention will be described with reference to FIG.
In FIG. 1, a wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet 2 includes a base material 21, a pressure-sensitive adhesive 22, and a die-bonding adhesive layer 23. The substrate 21 further includes two layers, a first layer 211 and a second layer 212.
In the semiconductor manufacturing method of the present invention, first, the semiconductor wafer 1 is attached to the wafer sticking adhesive sheet 2 via the die bonding adhesive layer 23 (FIG. 1A).
The semiconductor wafer is not particularly limited, and examples thereof include a semiconductor wafer having a predetermined circuit pattern formed on a surface by slicing a high-purity silicon single crystal, gallium arsenide single crystal, or the like.

本発明の半導体の製造方法では、次いで、ウエハ貼着用粘着シートに貼り付けた半導体ウエハをダイシングしてICチップとする。このとき同時に、ウエハ貼着用粘着シート2の基材21のうち、第1層211を切断する(図1B)。第2層212については、半ば程度までは切断されてもよいが、あまり深く切断されるとエキスパンディング時に破損してしまうことがある。 Next, in the semiconductor manufacturing method of the present invention, the semiconductor wafer attached to the adhesive sheet for wafer attachment is diced into IC chips. At the same time, the first layer 211 is cut out of the base material 21 of the pressure-sensitive adhesive sheet 2 attached to the wafer (FIG. 1B). The second layer 212 may be cut to about half, but if it is cut too deep, it may be damaged during expansion.

本発明の半導体の製造方法では、次いで、上記ICチップが貼り付いたウエハ貼着用粘着シート2をエキスパンディングする工程を行う(図1C)。既に基材21の硬質211は切断されていることから、実際にエキスパンディングされるのは第2層212のみであることから、極めて容易にエキスパンディングすることができる。エキスパンディングにより、ダイシングにより生じた溝の間隔が広がることから、振動等が与えられてもダイ接着用接着剤層23が再合着することはない。 Next, in the semiconductor manufacturing method of the present invention, a step of expanding the wafer sticking pressure-sensitive adhesive sheet 2 to which the IC chip is attached is performed (FIG. 1C). Since the hard material 211 of the base material 21 has already been cut, only the second layer 212 is actually expanded, so that it can be expanded very easily. Due to the expansion, the gap between the grooves generated by dicing is widened, so that even if vibration or the like is applied, the die bonding adhesive layer 23 is not reattached.

本発明の半導体の製造方法では、次いで、ウエハ貼着用粘着シート2に刺激を与えて粘着剤層22中の気体発生剤から気体を発生させる。気体発生剤から発生した気体は粘着剤層22とダイ接着用接着剤層23との接着面の少なくとも1部を剥がして接着力を低下させることから、粘着剤層22とダイ接着用接着剤層23とを容易に剥離させることができる。これにより、ダイ接着用接着剤層が付着したICチップを得ることができる(図1D)。
本発明の半導体の製造方法では、得られたダイ接着用接着剤層が付着したICチップを支持部材上にダイ接着用接着剤層を介して接着することにより半導体を作製する。
Next, in the semiconductor manufacturing method of the present invention, gas is generated from the gas generating agent in the pressure-sensitive adhesive layer 22 by stimulating the pressure-sensitive adhesive sheet 2 to be attached to the wafer. Since the gas generated from the gas generating agent peels off at least a part of the adhesive surface between the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding adhesive layer 23 to reduce the adhesive force, the pressure-sensitive adhesive layer 22 and the die-bonding adhesive layer 23 can be easily peeled off. Thereby, an IC chip to which an adhesive layer for die bonding is attached can be obtained (FIG. 1D).
In the method for producing a semiconductor of the present invention, a semiconductor is produced by adhering the obtained IC chip to which a die bonding adhesive layer is adhered to a support member via the die bonding adhesive layer.

本発明によれば、ICチップを破損したり、欠けを生じさせたりすることなく容易に接着剤層が形成されたICチップを得ることができるウエハ貼着用粘着シート及び半導体の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive sheet for wafer sticking which can obtain the IC chip in which the adhesive bond layer was easily formed, and the manufacturing method of a semiconductor can be obtained, without damaging an IC chip or producing a chip. be able to.

以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(実施例1)
<基材の作製>
第1層として厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)シート(周波数10Hz、設定歪み0.5%、昇温速度3℃/minの条件で剪断法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が1.3×10Pa:東レ社製、ルミラーフィルム)と、第2層として、共押出法により得た表面が粘着加工された厚さ50μmの低密度ポリエチレンシート(周波数10Hz、設定歪み0.1%、昇温速度3℃/minの条件で引張法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が3.0×10Pa:三井化学社製、ミラソン12)を使用し、これらの第1層と第2層をラミネートして2層構造の積層体を得た。この積層体の第1層の表面にコロナ処理を施し、これを基材とした。
Example 1
<Preparation of base material>
50 μm thick polyethylene terephthalate (PET) sheet as first layer (storage at 23 ° C. based on dynamic viscoelasticity measured by shear method under conditions of frequency 10 Hz, set strain 0.5%, temperature increase rate 3 ° C./min. Elastic modulus is 1.3 × 10 9 Pa: manufactured by Toray Industries Inc., Lumirror film), and the second layer is a low-density polyethylene sheet having a thickness of 50 μm and a surface obtained by coextrusion method (frequency 10 Hz, setting) Storage elastic modulus at 23 ° C. based on dynamic viscoelasticity measured by tensile method under conditions of strain 0.1%, temperature rising rate 3 ° C./min is 3.0 × 10 8 Pa: Mitsui Chemicals, Mirason 12) The first layer and the second layer were laminated to obtain a laminate having a two-layer structure. The surface of the first layer of the laminate was subjected to corona treatment and used as a base material.

<粘着剤の調製>
下記に記載した化合物をホモディスパー攪拌機を用いて混合して、粘着剤層用の粘着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
根上工業社製、バラクロンW248E 100重量部
日本ポリウレタン社製、コロネートL 1.5重量部
2,2’−アゾビス−(N−ブチル−2−メチルプロピオンアミド) 50重量部
<Preparation of adhesive>
The compounds described below were mixed using a homodisper stirrer to prepare an ethyl acetate solution of an adhesive for the adhesive layer.
Negami Kogyo Co., Ltd., Balaklon W248E 100 parts by weight Nippon Polyurethane Co., Ltd., Coronate L 1.5 parts by weight 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide) 50 parts by weight

<ダイ接着用接着剤の調製>
下記に記載した化合物をホモディスパー攪拌機を用いて混合して、ダイ接着用接着剤の酢酸エチル溶液を調製した。
日本油脂社製、マープルーフG2050M 10重量部
大日本インキ化学社製、EXA−7200HH 45重量部
大日本インキ化学社製、HP−4032D 45重量部
ジャパンエポキシレジン社製、YH−307 50重量部
1−シアノ−2−フェニルイミダゾール 4重量部
チッソ社製、サイラエースS320 2重量部
<Preparation of adhesive for die bonding>
The compounds described below were mixed using a homodisper stirrer to prepare an ethyl acetate solution of an adhesive for die bonding.
Nippon Oil & Fats Co., Ltd., Marproof G2050M 10 parts by weight Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., EXA-7200HH 45 parts by weight Dainippon Ink Chemical Co., Ltd., HP-4032D 45 parts by weight Japan Epoxy Resin Co., Ltd., YH-307 50 parts by weight 1 -Cyano-2-phenylimidazole 4 parts by weight Chisso Corporation, Silaace S320 2 parts by weight

<ウエハ貼着用粘着シートの作製>
粘着剤層用の粘着剤の酢酸エチル溶液を、離型処理を施した厚さ50μmの透明なポリエチレンテレフタレート(PET)フィルム上に乾燥皮膜の厚さが約10μmとなるようにドクターナイフで塗工し110℃、5分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。次いで、該粘着剤層の表面に基材の第1層側が粘着剤層に接するようにラミネートした。その後、40℃、3日間静置養生を行った。
<Preparation of adhesive sheet for wafer attachment>
Apply an ethyl acetate solution of the adhesive for the adhesive layer on a transparent polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm with a doctor knife so that the dry film thickness is about 10 μm. The coating solution was dried by heating at 110 ° C. for 5 minutes. Next, lamination was performed on the surface of the pressure-sensitive adhesive layer so that the first layer side of the substrate was in contact with the pressure-sensitive adhesive layer. Then, static curing was performed at 40 ° C. for 3 days.

一方、ダイ接着用接着剤の酢酸エチル溶液を、離型処理が施されたPETフィルム上に乾燥後の厚さが40μmとなるようにドクターナイフで塗工した後、110℃にて3分間乾燥させてダイ接着用接着剤層を形成した。 On the other hand, an ethyl acetate solution of a die-bonding adhesive was coated on a PET film that had been subjected to a release treatment so that the thickness after drying was 40 μm, and then dried at 110 ° C. for 3 minutes. Thus, an adhesive layer for die bonding was formed.

基材上に形成された粘着剤層の他方の表面の離型処理が施されたPETフィルムを剥がし
、粘着剤層上にダイ接着用接着剤層が重なるようにダイ接着用接着剤層が形成されたPETフィルムを重ねて、60℃に加熱したラミネーター(ラミーコーポレーション社製、LMP−350EX)を用いて圧着して、ウエハ貼着用粘着シートを得た。
Peel off the PET film on the other side of the pressure-sensitive adhesive layer formed on the base material, and form a die-bonding adhesive layer so that the die-bonding adhesive layer overlaps the pressure-sensitive adhesive layer The obtained PET films were stacked and pressure-bonded using a laminator (LMP-350EX, manufactured by Lamy Corporation) heated to 60 ° C. to obtain an adhesive sheet for wafer attachment.

(実施例2)
基材の第2層として、厚さ50μmの軟質塩化ビニルシート(周波数10Hz、設定歪み0.1%、昇温速度3℃/minの条件で引張法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が2.0×10Pa:日東電工社製、SPV224)を用いた以外は実施例1と同様にしてウエハ貼着用粘着シートを得た。
(Example 2)
As a second layer of the base material, a soft vinyl chloride sheet having a thickness of 50 μm (23 ° C. based on dynamic viscoelasticity measured by a tensile method under the conditions of a frequency of 10 Hz, a set strain of 0.1%, and a heating rate of 3 ° C./min. A storage adhesive pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that the storage elastic modulus at 2.0 × 10 8 Pa: manufactured by Nitto Denko Corporation, SPV224) was used.

(実施例3)
基材の第1層として、厚さ50μmの高密度ポリエチレンシート(周波数10Hz、設定歪み0.5%、昇温速度3℃/minの条件で剪断法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が4.00×10Pa:東ソー社製、ニポロンハード7300A)を用いた以外は実施例1と同様にしてウエハ貼着用粘着シートを得た。
(Example 3)
As the first layer of the base material, a high-density polyethylene sheet having a thickness of 50 μm (23 ° C. based on dynamic viscoelasticity measured by a shearing method under conditions of a frequency of 10 Hz, a set strain of 0.5%, and a heating rate of 3 ° C./min. The storage elastic modulus was 4.00 × 10 8 Pa: manufactured by Tosoh Corporation, Nipolon Hard 7300A).

(比較例1)
基材として、共押出法により得た表面が粘着加工された厚さ50μmの低密度ポリエチレンシート(周波数10Hz、設定歪み0.1%、昇温速度3℃/minの条件で引張法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が3.0×10Pa:三井化学社製、ミラソン12)のみを用いた以外は実施例1と同様にしてウエハ貼着用粘着シートを得た。
(Comparative Example 1)
As a base material, a low-density polyethylene sheet having a thickness of 50 μm whose surface obtained by co-extrusion was subjected to adhesive processing (measured by a tensile method under conditions of a frequency of 10 Hz, a set strain of 0.1%, and a temperature increase rate of 3 ° C./min. A wafer sticking adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that only the storage elastic modulus at 23 ° C. based on dynamic viscoelasticity was 3.0 × 10 8 Pa: made by Mitsui Chemicals, Mirason 12). .

(比較例2)
基材として、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレート(PET)シート(周波数10Hz、設定歪み0.1%、昇温速度3℃/minの条件で引張法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が1.3×10Pa:東レ社製、ルミラーフィルム)のみを用いた以外は実施例1と同様にしてウエハ貼着用粘着シートを得た。
(Comparative Example 2)
As a substrate, a polyethylene terephthalate (PET) sheet having a thickness of 50 μm (storage at 23 ° C. based on dynamic viscoelasticity measured by a tensile method under conditions of a frequency of 10 Hz, a set strain of 0.1%, and a heating rate of 3 ° C./min. A pressure-sensitive adhesive sheet for sticking a wafer was obtained in the same manner as in Example 1 except that only the elastic modulus was 1.3 × 10 9 Pa: manufactured by Toray Industries Inc., Lumirror film).

(比較例3)
基材の第1層として、厚さ50μmの低密度ポリエチレンシート(周波数10Hz、設定歪み0.5%、昇温速度3℃/minの条件で剪断法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が8.00×10Pa:東ソー社製、ペトロセンF11)を用いた以外は実施例1と同様にしてウエハ貼着用粘着シートを得た。
(Comparative Example 3)
As the first layer of the substrate, a low-density polyethylene sheet having a thickness of 50 μm (frequency: 10 Hz, set strain: 0.5%, temperature increase rate: 3 ° C./min. 23 ° C. based on dynamic viscoelasticity measured by a shearing method. A storage adhesive pressure-sensitive adhesive sheet was obtained in the same manner as in Example 1 except that 8.00 × 10 7 Pa: manufactured by Tosoh Corporation and Petrocene F11) were used.

(比較例4)
基材の第2層として、厚さ50μmの高密度ポリエチレンシート(周波数10Hz、設定歪み0.1%、昇温速度3℃/minの条件で引張法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が9.0×10Pa:東ソー社製、ニポロンハード7300A)を用いた以外は実施例1と同様にしてウエハ貼着用粘着シートを得た。
(Comparative Example 4)
As the second layer of the base material, a high-density polyethylene sheet having a thickness of 50 μm (23 ° C. based on dynamic viscoelasticity measured by a tensile method under the conditions of a frequency of 10 Hz, a set strain of 0.1%, and a heating rate of 3 ° C./min. The adhesive modulus for wafer sticking was obtained in the same manner as in Example 1 except that the storage elastic modulus of the resin was 9.0 × 10 8 Pa: manufactured by Tosoh Corporation, Nipolon Hard 7300A).

<評価>
実施例1、2及び比較例1、2で得られたウエハ貼着用粘着シートの離型処理が施されたPETフィルムを剥がし、ダイ接着用接着剤層とシリコンウエハとを重ね、100℃、10N/cmで10秒熱圧着してウエハ貼着用粘着シートとシリコンウエハとを貼り合わせた。次いで、ダイシング装置にかけて、シリコンウエハを10mm×10mmにダイシングしてICチップを得た。このとき、実施例1、2の場合には、ダイシングの刃を調整して、基材の第1層の厚み方向全てが確実に切断されるようにした。また、比較例1、2の場合には、ダイシングの刃を調整して、基材の厚み方向の半ばまでが切断されるようにした。
ダイシング後のウエハ貼着用粘着シートをピックアップ装置へ移動してからエキスパンディングした。このときのエキスパンディングの可否を評価した。
<Evaluation>
The PET film on which the release process of the pressure-sensitive adhesive sheet for wafer sticking obtained in Examples 1 and 2 and Comparative Examples 1 and 2 was peeled off, and the die-bonding adhesive layer and the silicon wafer were overlapped, and 100 ° C., 10 N The pressure-sensitive adhesive sheet and the silicon wafer were bonded together by thermocompression bonding at 10 cm / cm 2 for 10 seconds. Next, the silicon wafer was diced to 10 mm × 10 mm by using a dicing apparatus to obtain an IC chip. At this time, in the case of Examples 1 and 2, the dicing blade was adjusted so that the entire thickness direction of the first layer of the base material was surely cut. In the case of Comparative Examples 1 and 2, the dicing blade was adjusted so that the middle of the base material in the thickness direction was cut.
The wafer-adhesive adhesive sheet after dicing was moved to the pickup device and expanded. The possibility of expanding at this time was evaluated.

次いで、エキスパンディングした状態(又は、エキスパンディングできていない状態)で、透明PETフィルム側から超高圧水銀灯を用いて、365nmの紫外線をPETフィルム表面への照射強度が3000mW/cmとなるよう照度を調節して1秒間照射した。照射後のICチップの状態を目視にて観察して、以下の基準により自己剥離性を評価した。なお、自己剥離しているダイ接着用接着剤層付きICチップは、吸引パッドで吸着することにより容易にピックアップすることができ、ニードルで突き上げる必要がなかった。結果を表1に示した。
〇:ダイ接着用接着剤層付きICチップが完全に粘着剤層から剥離して粘着剤層上に浮いた状態になっていた
×:一部でも粘着剤層から剥離していない部分があった
Next, in an expanded state (or in an unexpanded state), using an ultra-high pressure mercury lamp from the transparent PET film side, the illuminance is such that the irradiation intensity of the ultraviolet light of 365 nm is 3000 mW / cm 2 on the PET film surface. And adjusted for 1 second. The state of the IC chip after irradiation was visually observed, and self-peelability was evaluated according to the following criteria. Incidentally, the self-peeling IC chip with an adhesive layer for die bonding can be easily picked up by adsorbing with a suction pad and does not have to be pushed up with a needle. The results are shown in Table 1.
◯: The IC chip with the adhesive layer for die bonding was completely peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer and floated on the pressure-sensitive adhesive layer. X: There was a part that was not peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer.

Figure 2006210433
Figure 2006210433

本発明によれば、ICチップを破損したり、欠けを生じさせたりすることなく容易に接着剤層が形成されたICチップを得ることができるウエハ貼着用粘着シート及び半導体の製造方法を提供することができる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the adhesive sheet for wafer sticking which can obtain the IC chip in which the adhesive bond layer was easily formed, and the manufacturing method of a semiconductor can be obtained, without damaging an IC chip or producing a chip. be able to.

本発明の半導体の製造方法を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the manufacturing method of the semiconductor of this invention. 従来のウエハ貼着用粘着シートを用いた半導体の製造方法を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the manufacturing method of the semiconductor using the conventional wafer sticking adhesive sheet. 従来のウエハ貼着用粘着シートを用いた半導体の製造方法の問題点を説明する模式図である。It is a schematic diagram explaining the problem of the manufacturing method of the semiconductor using the conventional wafer sticking adhesive sheet.

符号の説明Explanation of symbols

1 半導体ウエハ
2 ウエハ貼着用粘着シート
21 基材
211 第1層
212 第2層
22 粘着剤層
23 ダイ接着用接着剤層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor wafer 2 Wafer sticking adhesive sheet 21 Base material 211 1st layer 212 2nd layer 22 Adhesive layer 23 Adhesive layer for die-bonding

Claims (5)

基材と、前記基材上に形成された刺激により気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤層と、前記粘着剤層上に形成されたダイ接着用接着剤層とからなるウエハ貼着用粘着シートであって、
前記基材は、少なくとも、高硬度の第1層と、エキスパンディング可能な第2層とを有する多層構造体であり、前記第1層が前記粘着剤層と接するように配置されている
ことを特徴とするウエハ貼着用粘着シート。
Wafer sticking comprising a base material, a pressure-sensitive adhesive layer containing a gas generating agent that generates gas by stimulation formed on the base material, and a die-bonding adhesive layer formed on the pressure-sensitive adhesive layer An adhesive sheet,
The base material is a multilayer structure having at least a high hardness first layer and an expandable second layer, and the first layer is disposed so as to be in contact with the pressure-sensitive adhesive layer. A pressure-sensitive adhesive sheet for sticking a wafer.
第1層は、周波数10Hz、設定歪み0.5%、昇温速度3℃/minの条件で剪断法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が1×10Pa以上であり、かつ、第2層は、周波数10Hz、設定歪み0.1%、昇温速度3℃/minの条件で引張法により測定した動的粘弾性に基づく23℃における貯蔵弾性率が3×10Pa以下であることを特徴とする請求項1記載のウエハ貼着用粘着シート。 The first layer has a storage elastic modulus at 23 ° C. of 1 × 10 8 Pa or more based on dynamic viscoelasticity measured by a shear method under the conditions of a frequency of 10 Hz, a set strain of 0.5%, and a temperature increase rate of 3 ° C./min. And the second layer has a storage modulus of 3 × 10 at 23 ° C. based on dynamic viscoelasticity measured by a tensile method under the conditions of a frequency of 10 Hz, a set strain of 0.1%, and a temperature increase rate of 3 ° C./min. It is 8 Pa or less, The adhesive sheet for wafer sticking of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 気体発生剤から気体を発生させる刺激は、光又は熱であることを特徴とする請求項1又は2記載のウエハ貼着用粘着シート。 The pressure-sensitive adhesive sheet for sticking a wafer according to claim 1 or 2, wherein the stimulus for generating gas from the gas generating agent is light or heat. 気体発生剤は、ダイ接着用接着剤のガラス転移温度以下の温度に加熱することにより気体を発生することを特徴とする請求項1、2又は3記載のウエハ貼着用粘着シート。 The pressure-sensitive adhesive sheet for wafer bonding according to claim 1, 2 or 3, wherein the gas generating agent generates gas by heating to a temperature not higher than the glass transition temperature of the adhesive for die bonding. 請求項1、2、3又は4記載のウエハ貼着用粘着シートを用いる半導体の製造方法であって、少なくとも、
ダイ接着用接着剤層を介して半導体ウエハを前記ウエハ貼着用粘着シートに貼り付ける工程と、
前記ウエハ貼着用粘着シートに貼り付けた半導体ウエハをダイシングしてICチップとすると同時に、前記ウエハ貼着用粘着シートの第1層を切断する工程と、
前記ICチップが貼り付いた前記ウエハ貼着用粘着シートをエキスパンディングする工程と、
前記ウエハ貼着用粘着シートに刺激を与えて気体発生剤から気体を発生させて前記ウエハ貼着用粘着シートの粘着剤層とダイ接着用接着剤層とを剥離させ、ダイ接着用接着剤層が付着したICチップを得る工程と、
前記ダイ接着用接着剤層が付着したICチップを支持部材上にダイ接着用接着剤層を介して接着する工程を有する
ことを特徴とする半導体の製造方法。
It is a manufacturing method of a semiconductor using the adhesive sheet for wafer pasting according to claim 1, 2, 3, or 4, and at least,
A step of attaching a semiconductor wafer to the adhesive sheet for sticking a wafer through an adhesive layer for die bonding;
At the same time as dicing the semiconductor wafer pasted on the wafer sticking adhesive sheet to make an IC chip, cutting the first layer of the wafer sticking adhesive sheet,
Expanding the adhesive sheet for attaching a wafer to which the IC chip is attached;
The adhesive sheet for sticking a wafer adheres to the pressure-sensitive adhesive layer of the adhesive sheet for sticking a wafer and the adhesive layer for die-bonding by stimulating the adhesive sheet for sticking the wafer to generate a gas from a gas generating agent. Obtaining an IC chip,
A method of manufacturing a semiconductor, comprising a step of adhering an IC chip to which the adhesive layer for die bonding is attached to a support member via the adhesive layer for die bonding.
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