JP2005123403A - Method and apparatus for ic chip manufacturing - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ウエハに支持板を貼り合わせることにより、ウエハを５０μｍ以下の厚さにま
で研削しても取扱い性に優れ、破損することなく、作業性よくＩＣチップへの加工を行う
ことができるＩＣチップの製造方法及びＩＣチップの製造装置に関する。
In the present invention, by attaching a support plate to a wafer, even if the wafer is ground to a thickness of 50 μm or less, it is easy to handle and can be processed into an IC chip with good workability without being damaged. The present invention relates to an IC chip manufacturing method and an IC chip manufacturing apparatus.
半導体集積回路（ＩＣチップ）は、通常純度の高い棒状の半導体単結晶等をスライスして
ウエハとしたのち、フォトレジストを利用してウエハ表面に所定の回路パターンを形成し
て、次いでウエハ裏面を研削機により研削して、ウエハの厚さを１００〜６００μｍ程度
まで薄くし、最後にダイシングしてチップ化することにより、製造されている。
A semiconductor integrated circuit (IC chip) is usually formed by slicing a rod-shaped semiconductor single crystal or the like having a high purity into a wafer, and using a photoresist to form a predetermined circuit pattern on the wafer surface. It is manufactured by grinding with a grinding machine to reduce the thickness of the wafer to about 100 to 600 μm, and finally dicing into chips.
ここで、研削時には、ウエハ表面に粘着シート類（研削用テープ）を貼り付けて、ウエハ
の破損を防止したり、研削加工を容易にしたりしており、ダイシング時には、ウエハ裏面
側に粘着シート類（ダイシングテープ）を貼り付けて、ウエハを接着固定した状態でダイ
シングし、形成されたチップをダイシングテープのフィルム基材側よりニードルで突き上
げてピックアップし、ダイパッド上に固定させている。
Here, during grinding, adhesive sheets (grinding tape) are affixed to the wafer surface to prevent damage to the wafer or to facilitate grinding, and during dicing, adhesive sheets are attached to the back side of the wafer. (Dicing tape) is affixed and dicing is performed with the wafer bonded and fixed, and the formed chip is picked up by a needle from the film substrate side of the dicing tape and picked up and fixed on the die pad.
近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれて、ＩＣカード類に用いたり、積層して使用した
りすることができる厚さ５０μｍ程度の極めて薄いウエハも要求されるようになってきた
。しかしながら、厚さが５０μｍ程度のウエハは、従来の厚さが１００〜６００μｍ程度
のウエハに比べて反りが大きく衝撃により割れやすくなるので取扱い性に劣り、従来のウ
エハと同様に加工しようとすると、破損する場合がある。
In recent years, as the use of IC chips has expanded, an extremely thin wafer having a thickness of about 50 μm that can be used for IC cards or stacked and used has been required. However, a wafer having a thickness of about 50 μm has a large warp and is easily cracked by impact compared to a conventional wafer having a thickness of about 100 to 600 μm. It may be damaged.
厚さが５０μｍ程度のウエハは、特に衝撃を受けやすい研削工程又はダイシング工程で破
損する危険性が高く、また、ＩＣチップの電極上にバンプを作製する際にも破損しやすい
ため歩留まりが悪かった。このため、厚さ５０μｍ程度の薄いウエハからＩＣチップを製
造する過程におけるウエハの取扱い性の向上が重要な課題となっていた。
A wafer having a thickness of about 50 μm has a high risk of breakage in a grinding process or a dicing process that is particularly susceptible to impact, and the yield is poor because it is easily broken when a bump is formed on an electrode of an IC chip. . For this reason, the improvement of the handleability of the wafer in the process of manufacturing the IC chip from the thin wafer having a thickness of about 50 μm has been an important issue.
これに対し、本発明者らは、鋭意検討の結果、両面粘着テープを介してウエハを支持板に
固定することにより、厚さ５０μｍ程度の極めて薄いウエハであっても取扱い性を改善し
てウエハの破損等を防止することができ、更に、この両面粘着テープを刺激により接着力
が低下する粘着剤、とりわけ気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤からなるものと
することにより、研削後にダイシングテープを研削面に貼付した後、刺激を与えることに
よりウエハから支持板を容易に剥離でき、良好にＩＣチップへの加工を行うことができる
ことを見出した。このとき気体が短時間に大量に発生するようにすれば、被着体を粘着剤
から自発的に剥離させ、剥離した被着体が粘着剤からあたかも浮いたような状態にするこ
と（以下、これを自己剥離ともいう）も可能である。このような自己剥離を実現すれば、
極めて破損しやすい極薄のウエハであっても容易に取扱うことができる。
しかし、粘着剤層と被着体との接着は必ずしも均一ではないことから、粘着剤層から発生
する気体による剥離は比較的接着力の弱い部分から先行して進む傾向がある。このとき、
接着面の端部が先に剥離してしまった場合には、発生した気体がその剥離した端部から漏
れ出してしまい充分な剥離圧力が得られずに、未剥離の部分が生じて自己剥離できないこ
とがあった。また、いったん自己剥離できた場合であっても、しばらく放置していた場合
には粘着剤とウエハとの一部又は全部が再密着して、再び接着力が生じることもあった。
このように少しでも残留接着力がある状態で、支持板をウエハから持ち上げて取り除こう
とするとウエハが割れたり欠けたりして破損してしまうことがあった。
本発明は、上記現状に鑑み、ウエハに支持板を貼り合わせることにより、ウエハを５０μ
ｍ以下の厚さにまで研削しても取扱い性に優れ、破損することなく、作業性よくＩＣチッ
プへの加工を行うことができるＩＣチップの製造方法及びＩＣチップの製造装置を提供す
ることを目的とする。
On the other hand, as a result of intensive studies, the inventors fixed the wafer to a support plate via a double-sided adhesive tape, thereby improving the handleability even for a very thin wafer having a thickness of about 50 μm. In addition, the double-sided pressure-sensitive adhesive tape is made of a pressure-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by stimulation, in particular, a pressure-sensitive adhesive containing a gas generating agent that generates gas. It has been found that after applying the dicing tape to the ground surface, the support plate can be easily peeled off from the wafer by applying a stimulus, and processing into an IC chip can be performed satisfactorily. At this time, if a large amount of gas is generated in a short time, the adherend is spontaneously peeled off from the adhesive, and the peeled adherend is in a state as if it floated from the adhesive (hereinafter, This is also called self-peeling). If such self-peeling is realized,
Even extremely thin wafers that are extremely fragile can be handled easily.
However, since the adhesion between the pressure-sensitive adhesive layer and the adherend is not necessarily uniform, peeling by the gas generated from the pressure-sensitive adhesive layer tends to proceed in advance from a portion having a relatively weak adhesive force. At this time,
If the edge of the adhesive surface peels off first, the generated gas leaks from the peeled edge, and sufficient peeling pressure cannot be obtained. There was something I couldn't do. Even if self-peeling is possible, if the adhesive is left for a while, a part or all of the pressure-sensitive adhesive and the wafer are brought into close contact with each other, and an adhesive force may be generated again.
When the support plate is lifted and removed from the wafer with such a slight residual adhesive force, the wafer may be broken or broken.
In view of the above-mentioned present situation, the present invention attaches a support plate to a wafer, thereby making the wafer 50 μm.
To provide an IC chip manufacturing method and an IC chip manufacturing apparatus which can be processed into an IC chip with good workability without being damaged even if ground to a thickness of m or less. Objective.
本発明は、ウエハからＩＣチップを製造する方法であって、少なくとも、片面又は両面が
刺激により接着力が低下する粘着剤からなる両面粘着テープを介して前記ウエハを支持板
に固定する工程１、前記両面粘着テープを介して前記支持板に固定した前記ウエハを研削
する工程２、前記ウエハの研削された側の面にダイシングテープを貼り付ける工程３、前
記両面粘着テープに刺激を与えて前記両面粘着テープと前記ウエハとの接着力を低下させ
る工程４、及び、前記ウエハ上から前記支持板を持ち上げる工程５を有し、前記刺激によ
り接着力が低下する粘着剤は、刺激を与えたときにゲル分率が８５％以上、かつ、厚さ方
向の伸びが３００％以下となるものであり、前記ウエハ上から前記支持板を持ち上げる工
程５において、前記支持板を１〜５°の角度に傾けて静止した後持ち上げるＩＣチップの
製造方法である。
以下に本発明を詳述する。
The present invention is a method for producing an IC chip from a wafer, wherein at least one side or both sides fix the wafer to a support plate via a double-sided adhesive tape made of an adhesive whose adhesive strength is reduced by stimulation,
The present invention is described in detail below.
本発明のＩＣチップの製造方法では、まず、両面粘着テープを介してウエハを支持板に固
定する工程１を行う。ウエハを支持板に固定することにより、ウエハの取扱い性が向上し
、ウエハを５０μｍ以下の薄さにまで研削しても破損したりすることがなく、極めて容易
に取扱うことができ、良好にＩＣチップへの加工を行うことができる。
In the IC chip manufacturing method of the present invention, first,
上記両面粘着テープは、片面又は両面が刺激により接着力が低下する粘着剤からなるもの
である。
上記刺激により接着力が低下する粘着剤としては特に限定されず、例えば、刺激により架
橋して弾性率が上昇することにより接着力が低下する粘着剤；刺激により含有する発泡剤
が発泡して発泡体となることにより接着力が低下する粘着剤；刺激により気体を発生する
気体発生剤を含有する粘着剤等が挙げられる。なかでも、刺激により気体を発生する気体
発生剤を含有する粘着剤を用いれば、気体を発生させる刺激を与えることにより、粘着剤
とウエハとの界面に発生した気体が排出され接着面の一部を剥離させることができる。し
かも、条件を整えれば自己剥離させることもできる。従って、脆弱な極薄のウエハであっ
ても破損させることなく剥離させることができ好適である。
The double-sided pressure-sensitive adhesive tape is made of a pressure-sensitive adhesive whose one surface or both surfaces are reduced in adhesive force by stimulation.
The pressure-sensitive adhesive whose adhesive force is reduced by the above stimulation is not particularly limited, and is, for example, a pressure-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by cross-linking by a stimulus and an increase in elastic modulus; Examples include a pressure-sensitive adhesive whose adhesive strength is reduced by becoming a body; a pressure-sensitive adhesive containing a gas generating agent that generates a gas by stimulation. In particular, if a pressure-sensitive adhesive containing a gas generating agent that generates gas by stimulation is used, the gas generated at the interface between the pressure-sensitive adhesive and the wafer is exhausted by giving the gas generating stimulus. Can be peeled off. Moreover, self-peeling can be performed if conditions are adjusted. Therefore, even a fragile and extremely thin wafer can be peeled without being damaged, which is preferable.
上記接着力を低下させる刺激としては、例えば、熱、光等が挙げられる。また、上記気体
発生剤から気体を発生させる刺激としては、例えば、光、熱、超音波による刺激が挙げら
れる。なかでも光又は熱による刺激が好ましい。上記光としては、例えば、紫外線、可視
光線等が挙げられる。上記刺激として光による刺激を用いる場合には、気体発生剤を含有
する粘着剤は、光が透過又は通過できるものであることが好ましい。
Examples of the stimulus for reducing the adhesive force include heat and light. Examples of the stimulus for generating gas from the gas generating agent include stimulation by light, heat, and ultrasonic waves. Of these, stimulation by light or heat is preferred. Examples of the light include ultraviolet rays and visible rays. When light stimulation is used as the stimulation, the pressure-sensitive adhesive containing the gas generating agent is preferably capable of transmitting or passing light.
上記刺激により気体を発生する気体発生剤としては特に限定されないが、例えば、アゾ化
合物、アジド化合物が好適に用いられる。
上記アゾ化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロ
ピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメ
チル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル
−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２
−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ
−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチ
ル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メ
チルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［２−（５−メチル−２−イミダゾリン−
２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イミダゾ
リン−２−イル）プロパン］ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−イ
ミダゾリン−２−イル）プロパン］ジサルフェイトジハイドロレート、２，２’−アゾビ
ス［２−（３，４，５，６−テトラハイドロピリミジン−２−イル）プロパン］ジハイド
ロクロライド、２，２’−アゾビス｛２−［１−（２−ヒドロキシエチル）−２−イミダ
ゾリン−２−イル］プロパン｝ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス［２−（２−
イミダゾリン−２−イル）プロパン］、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミ
ジン）ジハイドロクロライド、２，２’−アゾビス（２−アミノプロパン）ジハイドロク
ロライド、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−カルボキシアシル）−２−メチル−プロピオ
ンアミジン］、２，２’−アゾビス｛２−［Ｎ−（２−カルボキシエチル）アミジン］プ
ロパン｝、２，２’−アゾビス（２−メチルプロピオンアミドオキシム）、ジメチル２，
２’−アゾビス（２−メチルプロピオネート）、ジメチル２，２’−アゾビスイソブチレ
ート、４，４’−アゾビス（４−シアンカルボニックアシッド）、４，４’−アゾビス（
４−シアノペンタノイックアシッド）、２，２’−アゾビス（２，４，４−トリメチルペ
ンタン）等が挙げられる。
ＩＣチップの製造においては、必要に応じて高温処理を行う工程が入ることから、これら
のなかでも熱分解温度の高い２，２’−アゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオン
アミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’
−アゾビス（Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）が好適である。
これらのアゾ化合物は、光、熱等による刺激により窒素ガスを発生する。
Although it does not specifically limit as a gas generating agent which generate | occur | produces gas by the said irritation | stimulation, For example, an azo compound and an azide compound are used suitably.
Examples of the azo compound include 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis {2-methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl)]. -2-hydroxyethyl] propionamide}, 2,2′-azobis {2-methyl-N- [2- (1-hydroxybutyl)] propionamide}, 2,2′-azobis [2
-Methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2′-azobis [N
-(2-propenyl) -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [2- (5-methyl-2-imidazoline-
2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2'-azobis [2- (2-imidazolin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2'-azobis [2- (2-imidazoline-2- Yl) propane] disulfate dihydrolate, 2,2′-azobis [2- (3,4,5,6-tetrahydropyrimidin-2-yl) propane] dihydrochloride, 2,2′-azobis { 2- [1- (2-hydroxyethyl) -2-imidazolin-2-yl] propane} dihydrochloride, 2,2′-azobis [2- (2-
Imidazolin-2-yl) propane], 2,2′-azobis (2-methylpropionamidine) dihydrochloride, 2,2′-azobis (2-aminopropane) dihydrochloride, 2,2′-azobis [N -(2-carboxyacyl) -2-methyl-propionamidine], 2,2′-azobis {2- [N- (2-carboxyethyl) amidine] propane}, 2,2′-azobis (2-methylpropion) Amidooxime),
2′-azobis (2-methylpropionate),
4-cyanopentanoic acid), 2,2′-azobis (2,4,4-trimethylpentane) and the like.
In manufacturing an IC chip, a process for performing a high temperature treatment is included as necessary, and among these, 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide), 2 having a high thermal decomposition temperature, , 2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide), 2,2 ′
-Azobis (N-cyclohexyl-2-methylpropionamide) is preferred.
These azo compounds generate nitrogen gas when stimulated by light, heat, or the like.
上記アゾ化合物の中でも、１０時間半減期温度が８０℃以上であるものが好ましい。１０
時間半減期温度が８０℃未満であると、上記粘着剤は、キャストにより成形して乾燥する
際に発泡してしまったり、経時的に分解反応を生じて分解残渣がブリードアウトしてしま
ったり、経時的に気体を発生して貼り合わせた被着体との界面に浮きを生じさせてしまっ
たりすることがある。１０時間半減期温度が８０℃以上であれば、耐熱性に優れているこ
とから、高温での使用及び安定した貯蔵が可能である。
Among the azo compounds, those having a 10-hour half-life temperature of 80 ° C. or higher are preferable. 10
When the time half-life temperature is less than 80 ° C., the above-mentioned pressure-sensitive adhesive foams when molded and dried by casting, or a decomposition reaction occurs over time, causing decomposition residues to bleed out. In some cases, gas may be generated over time to cause floating at the interface with the adherend. If the 10-hour half-life temperature is 80 ° C. or higher, the heat resistance is excellent, and therefore, use at a high temperature and stable storage are possible.
１０時間半減期温度が８０℃以上であるアゾ化合物としては、下記一般式（１）で表され
るアゾアミド化合物等が挙げられる。下記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物は、
耐熱性に優れていることに加え、後述するアクリル酸アルキルエステルポリマー等の粘着
性を有するポリマーへの溶解性にも優れ、粘着剤中に粒子として存在しないものとするこ
とができる。
Examples of the azo compound having a 10-hour half-life temperature of 80 ° C. or higher include an azoamide compound represented by the following general formula (1). The azoamide compound represented by the following general formula (1) is:
In addition to being excellent in heat resistance, it is also excellent in solubility in an adhesive polymer such as an alkyl acrylate polymer to be described later, and can not be present as particles in the adhesive.
飽和アルキル基を表す。なお、Ｒ１とＲ２は、同一であっても、異なっていてもよい。
上記一般式（１）で表されるアゾアミド化合物としては、例えば、２，２’−アゾビス（
Ｎ−シクロヘキシル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−
メチルプロピル）−２−メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−
２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−メチルエチル）−２−
メチルプロピオンアミド］、２，２’−アゾビス（Ｎ−ヘキシル−２−メチルプロピオン
アミド）、２，２’−アゾビス（Ｎ−プロピル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２
’−アゾビス（Ｎ−エチル−２−メチルプロピオンアミド）、２，２’−アゾビス｛２−
メチル−Ｎ−［１，１−ビス（ヒドロキシメチル）−２−ヒドロキシエチル］プロピオン
アミド｝、２，２’−アゾビス｛２−メチル−Ｎ−［２−（１−ヒドロキシブチル）］プ
ロピオンアミド｝、２，２’−アゾビス［２−メチル−Ｎ−（２−ヒドロキシエチル）プ
ロピオンアミド］、２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピオ
ンアミド］等が挙げられる。なかでも、２，２’−アゾビス（Ｎ−ブチル−２−メチルプ
ロピオンアミド）及び２，２’−アゾビス［Ｎ−（２−プロペニル）−２−メチルプロピ
オンアミド］は、溶剤への溶解性に特に優れていることから好適に用いられる。
Examples of the azoamide compound represented by the general formula (1) include 2,2′-azobis (
N-cyclohexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-
Methylpropyl) -2-methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-butyl-
2-methylpropionamide), 2,2′-azobis [N- (2-methylethyl) -2-
Methylpropionamide], 2,2′-azobis (N-hexyl-2-methylpropionamide), 2,2′-azobis (N-propyl-2-methylpropionamide), 2,2
'-Azobis (N-ethyl-2-methylpropionamide), 2,2'-azobis {2-
Methyl-N- [1,1-bis (hydroxymethyl) -2-hydroxyethyl] propionamide}, 2,2′-azobis {2-methyl-N- [2- (1-hydroxybutyl)] propionamide} 2,2′-azobis [2-methyl-N- (2-hydroxyethyl) propionamide], 2,2′-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide] and the like. Among these, 2,2′-azobis (N-butyl-2-methylpropionamide) and 2,2′-azobis [N- (2-propenyl) -2-methylpropionamide] have improved solubility in solvents. It is preferably used because it is particularly excellent.
上記アジド化合物としては、例えば、３−アジドメチル−３−メチルオキセタン、テレフ
タルアジド、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルベンズアジド；３−アジドメチル−３−メチルオキセ
タンを開環重合することにより得られるグリシジルアジドポリマー等のアジド基を有する
ポリマー等が挙げられる。
これらのアジド化合物は、光、熱及び衝撃等による刺激により窒素ガスを発生する。
Examples of the azide compound include 3-azidomethyl-3-methyloxetane, terephthalazide, p-tert-butylbenzazide; glycidyl azide polymer obtained by ring-opening polymerization of 3-azidomethyl-3-methyloxetane, and the like. Examples thereof include a polymer having an azide group.
These azide compounds generate nitrogen gas when stimulated by light, heat, impact, or the like.
これらの気体発生剤のうち、上記アジド化合物は衝撃を与えることによっても容易に分解
して窒素ガスを放出することから、取扱いが困難であるという問題がある。更に、上記ア
ジド化合物は、いったん分解が始まると連鎖反応を起こして爆発的に窒素ガスを放出しそ
の制御ができないことから、爆発的に発生した窒素ガスによってウエハが損傷することが
あるという問題もある。このような問題から上記アジド化合物の使用量は限定されるが、
限定された使用量では充分な効果が得られないことがある。
一方、上記アゾ化合物は、アジド化合物とは異なり衝撃によっては気体を発生しないこと
から取扱いが極めて容易である。また、連鎖反応を起こして爆発的に気体を発生すること
もないためウエハを損傷することもなく、光の照射を中断すれば気体の発生も中断できる
ことから、用途に合わせた接着性の制御が可能であるという利点もある。従って、上記気
体発生剤としては、アゾ化合物を用いることがより好ましい。
Among these gas generating agents, the azide compound is easily decomposed even by giving an impact and releases nitrogen gas, so that there is a problem that handling is difficult. Furthermore, once the decomposition starts, the azide compound causes a chain reaction and explosively releases nitrogen gas, which cannot be controlled. Therefore, there is a problem that the wafer may be damaged by the nitrogen gas generated explosively. is there. Due to such problems, the amount of the azide compound used is limited,
A sufficient amount may not be obtained with a limited use amount.
On the other hand, unlike the azide compound, the azo compound is extremely easy to handle because it does not generate gas upon impact. In addition, since gas is not explosively generated due to a chain reaction, the wafer is not damaged, and generation of gas can be interrupted if light irradiation is interrupted. There is also an advantage that it is possible. Therefore, it is more preferable to use an azo compound as the gas generating agent.
上記気体発生剤は、粒子として存在しないことが好ましい。なお、本明細書において、気
体発生剤が粒子として存在しないとは、電子顕微鏡により上記気体発生剤を含有する粘着
剤を観察したときに気体発生剤を確認することができないことを意味する。上記気体発生
剤を含有する粘着剤中に気体発生剤が粒子として存在すると、気体を発生させる刺激とし
て光を照射したときに粒子の界面で光が散乱して気体発生効率が低くなってしまったり、
上記気体発生剤を含有する粘着剤を塗膜状にしたときの表面平滑性が悪くなったりするこ
とがある。
The gas generating agent is preferably not present as particles. In addition, in this specification, that a gas generating agent does not exist as particle | grains means that a gas generating agent cannot be confirmed when the adhesive containing the said gas generating agent is observed with an electron microscope. If the gas generating agent is present as particles in the pressure-sensitive adhesive containing the gas generating agent, the light generation efficiency may be reduced due to light scattering at the particle interface when light is irradiated as a gas generating stimulus. ,
The surface smoothness may be deteriorated when the pressure-sensitive adhesive containing the gas generating agent is formed into a coating film.
上記気体発生剤を粒子として存在しないようにするには、通常、用いる粘着剤に溶解する
気体発生剤を選択するが、粘着剤に溶解しない気体発生剤を選択する場合には、例えば、
分散機を用いたり、分散剤を併用したりすることにより粘着剤中に気体発生剤を微分散さ
せる。上記気体発生剤を含有する粘着剤中に気体発生剤を微分散させるためには、気体発
生剤は、微小な粒子であることが好ましく、更に、これらの微粒子は、例えば、分散機や
混練装置等を用いて必要に応じてより細かい微粒子とすることが好ましい。即ち、電子顕
微鏡により上記気体発生剤を含有する粘着剤を観察したときに気体発生剤を確認すること
ができない状態まで分散させることがより好ましい。
In order to prevent the gas generating agent from being present as particles, normally, a gas generating agent that dissolves in the pressure-sensitive adhesive to be used is selected, but when a gas generating agent that does not dissolve in the pressure-sensitive adhesive is selected, for example,
The gas generating agent is finely dispersed in the pressure-sensitive adhesive by using a disperser or using a dispersing agent in combination. In order to finely disperse the gas generating agent in the pressure-sensitive adhesive containing the gas generating agent, the gas generating agent is preferably fine particles, and these fine particles are, for example, a disperser or a kneading device. It is preferable to make finer fine particles as required using the above. That is, it is more preferable to disperse the gas generating agent to a state where it cannot be confirmed when the pressure-sensitive adhesive containing the gas generating agent is observed with an electron microscope.
上記基体発生剤を含有する粘着剤では、上記気体発生剤から発生した気体は粘着剤の外へ
放出される。これにより、上記気体発生剤を含有する粘着剤を用いて接着を行った接着面
に刺激を与えると気体発生剤から発生した気体がウエハから粘着剤の接着面の少なくとも
一部を剥がし接着力を低下させるため、容易にウエハを剥離することができる。この際、
気体発生剤から発生した気体の大部分は粘着剤の外へ放出されることが好ましい。上記気
体発生剤から発生した気体の大部分が粘着剤の外へ放出されないと、粘着剤が気体発生剤
から発生した気体により全体的に発泡してしまい、接着力を低下させる効果を充分に得る
ことができず、ウエハ上にのり残りを生じさせてしまうことがある。なお、ウエハ上に糊
残りを生じさせない程度であれば、気体発生剤から発生した気体の一部が粘着剤中に溶け
込んでいたり、気泡として粘着剤中に存在していたりしてもかまわない。
In the pressure-sensitive adhesive containing the substrate generating agent, the gas generated from the gas generating agent is released out of the pressure-sensitive adhesive. As a result, when the adhesive surface that has been bonded using the pressure-sensitive adhesive containing the gas generating agent is stimulated, the gas generated from the gas generating agent peels off at least a part of the adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive from the wafer to increase the adhesive force. Since it decreases, the wafer can be easily peeled off. On this occasion,
It is preferable that most of the gas generated from the gas generating agent is released out of the adhesive. If most of the gas generated from the gas generating agent is not released to the outside of the pressure sensitive adhesive, the pressure sensitive adhesive is foamed entirely by the gas generated from the gas generating agent, and the effect of reducing the adhesive force is sufficiently obtained. In some cases, this may cause a residue on the wafer. As long as no adhesive residue is generated on the wafer, a part of the gas generated from the gas generating agent may be dissolved in the adhesive or may be present as bubbles in the adhesive.
上記刺激により接着力が低下する粘着剤は、刺激を与えたときにゲル分率が８５％以上、
かつ、厚さ方向の伸びが３００％以下となるものである。後述するように、本発明のＩＣ
チップの製造方法は、剥離時に支持板を一定の角度に傾けることにより、残留接着力があ
る場合でもウエハを支持板から確実に剥離できるものであるが、このような剥離を行うた
めには、剥離時に粘着剤がある程度硬く、伸びが小さい状態になっていることが必要であ
る。刺激を与えたときのゲル分率が８５％未満であったり、厚さ方向の伸びが３００％未
満であったりすると、ウエハと支持板とを剥離できないことがある。
The pressure-sensitive adhesive whose adhesive force is reduced by the above stimulation has a gel fraction of 85% or more when stimulated,
Moreover, the elongation in the thickness direction is 300% or less. As will be described later, the IC of the present invention
The manufacturing method of the chip is capable of reliably peeling the wafer from the support plate even when there is a residual adhesive force by tilting the support plate at a certain angle at the time of peeling. It is necessary that the pressure-sensitive adhesive is hard to some extent and has a small elongation at the time of peeling. If the gel fraction when the stimulus is applied is less than 85% or the elongation in the thickness direction is less than 300%, the wafer and the support plate may not be peeled off.
このような粘着剤としては、刺激により弾性率が上昇するものが好適である。粘着剤の弾
性率を上昇させる刺激は、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激と同一であってもよ
いし、異なっていてもよい。
このような粘着剤としては、例えば、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有してなる
アクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重合性ポリ
マーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、必要に応じて
光重合開始剤を含んでなる光硬化型粘着剤や、分子内にラジカル重合性の不飽和結合を有
してなるアクリル酸アルキルエステル系及び／又はメタクリル酸アルキルエステル系の重
合性ポリマーと、ラジカル重合性の多官能オリゴマー又はモノマーとを主成分とし、熱重
合開始剤を含んでなる熱硬化型粘着剤等からなるものが挙げられる。
As such an adhesive, an adhesive whose elasticity modulus increases by stimulation is suitable. The stimulus for increasing the elastic modulus of the pressure-sensitive adhesive may be the same as or different from the stimulus for generating gas from the gas generating agent.
As such an adhesive, for example, an acrylic acid alkyl ester-based and / or methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and a radical polymerizable polyfunctional A photo-curing pressure-sensitive adhesive comprising an oligomer or a monomer as a main component and containing a photopolymerization initiator as necessary, an alkyl acrylate ester having a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule, and / or Alternatively, a methacrylic acid alkyl ester-based polymerizable polymer and a radical polymerizable polyfunctional oligomer or monomer as main components and a thermosetting pressure-sensitive adhesive containing a thermal polymerization initiator can be used.
このような光硬化型粘着剤又は熱硬化型粘着剤等の後硬化型粘着剤は、光の照射又は加熱
により粘着剤の全体が均一にかつ速やかに重合架橋して一体化するため、重合硬化による
弾性率の上昇が著しくなり、粘着力が大きく低下する。また、硬い硬化物中で気体発生剤
から気体を発生させると、発生した気体の大半は外部に放出され、放出された気体は、ウ
エハ又は支持板から粘着剤の接着面の少なくとも一部を剥がし粘着力を低下させるという
効果も得られる。
Such a photo-curing pressure-sensitive adhesive or a thermosetting pressure-sensitive adhesive such as a thermosetting pressure-sensitive adhesive is polymerized and cured because the entire pressure-sensitive adhesive is uniformly and rapidly polymerized and cross-linked by irradiation or heating with light. The elastic modulus rises significantly due to, and the adhesive strength is greatly reduced. In addition, when gas is generated from a gas generating agent in a hard cured product, most of the generated gas is released to the outside, and the released gas peels off at least a part of the adhesive surface of the adhesive from the wafer or support plate. The effect of reducing the adhesive strength is also obtained.
上記重合性ポリマーは、例えば、分子内に官能基を持った（メタ）アクリル系ポリマー（
以下、官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーともいう）をあらかじめ合成し、分子内に
上記の官能基と反応する官能基とラジカル重合性の不飽和結合とを有する化合物（以下、
官能基含有不飽和化合物ともいう）と反応させることにより得ることができる。
The polymerizable polymer is, for example, a (meth) acrylic polymer having a functional group in the molecule (
Hereinafter, a functional group-containing (meth) acrylic polymer) is synthesized in advance, and a compound having a functional group that reacts with the functional group and a radical polymerizable unsaturated bond in the molecule (hereinafter,
It can be obtained by reacting with a functional group-containing unsaturated compound).
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーは、常温で粘着性を有するポリマーとして、
一般の（メタ）アクリル系ポリマーの場合と同様に、アルキル基の炭素数が通常２〜１８
の範囲にあるアクリル酸アルキルエステル及び／又はメタクリル酸アルキルエステルを主
モノマーとし、これと官能基含有モノマーと、更に必要に応じてこれらと共重合可能な他
の改質用モノマーとを常法により共重合させることにより得られるものである。上記官能
基含有（メタ）アクリル系ポリマーの重量平均分子量は通常２０万〜２００万程度である
。
The functional group-containing (meth) acrylic polymer is a polymer having adhesiveness at room temperature,
As in the case of a general (meth) acrylic polymer, the alkyl group usually has 2 to 18 carbon atoms.
An acrylic acid alkyl ester and / or methacrylic acid alkyl ester in the range of is used as a main monomer, and this, a functional group-containing monomer, and, if necessary, other modifying monomers copolymerizable with these by a conventional method. It is obtained by copolymerization. The weight average molecular weight of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is usually about 200,000 to 2,000,000.
上記官能基含有モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸等のカルボキシル
基含有モノマー；アクリル酸ヒドロキシエチル、メタクリル酸ヒドロキシエチル等のヒド
ロキシル基含有モノマー；アクリル酸グリシジル、メタクリル酸グリシジル等のエポキシ
基含有モノマー；アクリル酸イソシアネートエチル、メタクリル酸イソシアネートエチル
等のイソシアネート基含有モノマー；アクリル酸アミノエチル、メタクリル酸アミノエチ
ル等のアミノ基含有モノマー等が挙げられる。
Examples of the functional group-containing monomer include a carboxyl group-containing monomer such as acrylic acid and methacrylic acid; a hydroxyl group-containing monomer such as hydroxyethyl acrylate and hydroxyethyl methacrylate; and an epoxy group containing glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate. Monomers; Isocyanate group-containing monomers such as isocyanate ethyl acrylate and isocyanate ethyl methacrylate; and amino group-containing monomers such as aminoethyl acrylate and aminoethyl methacrylate.
上記共重合可能な他の改質用モノマーとしては、例えば、酢酸ビニル、アクリロニトリル
、スチレン等の一般の（メタ）アクリル系ポリマーに用いられている各種のモノマーが挙
げられる。
Examples of other modifying monomers that can be copolymerized include various monomers used in general (meth) acrylic polymers such as vinyl acetate, acrylonitrile, and styrene.
上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーに反応させる官能基含有不飽和化合物として
は、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマーの官能基に応じて上述した官能基含有モ
ノマーと同様のものを使用できる。例えば、上記官能基含有（メタ）アクリル系ポリマー
の官能基がカルボキシル基の場合はエポキシ基含有モノマーやイソシアネート基含有モノ
マーが用いられ、同官能基がヒドロキシル基の場合はイソシアネート基含有モノマーが用
いられ、同官能基がエポキシ基の場合はカルボキシル基含有モノマーやアクリルアミド等
のアミド基含有モノマーが用いられ、同官能基がアミノ基の場合はエポキシ基含有モノマ
ーが用いられる。
The functional group-containing unsaturated compound to be reacted with the functional group-containing (meth) acrylic polymer is the same as the functional group-containing monomer described above according to the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer. it can. For example, when the functional group of the functional group-containing (meth) acrylic polymer is a carboxyl group, an epoxy group-containing monomer or an isocyanate group-containing monomer is used, and when the functional group is a hydroxyl group, an isocyanate group-containing monomer is used. When the functional group is an epoxy group, a carboxyl group-containing monomer or an amide group-containing monomer such as acrylamide is used, and when the functional group is an amino group, an epoxy group-containing monomer is used.
上記多官能オリゴマー又はモノマーとしては、分子量が１万以下であるものが好ましく、
より好ましくは加熱又は光の照射による粘着剤の三次元網状化が効率よくなされるように
、その分子量が５０００以下でかつ分子内のラジカル重合性の不飽和結合の数が２〜２０
個のものである。このようなより好ましい多官能オリゴマー又はモノマーとしては、例え
ば、トリメチロールプロパントリアクリレート、テトラメチロールメタンテトラアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトー
ルヘキサアクリレート又は上記同様のメタクリレート類等が挙げられる。その他、１，４
−ブチレングリコールジアクリレート、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート、ポリ
エチレングリコールジアクリレート、市販のオリゴエステルアクリレート、上記同様のメ
タクリレート類等が挙げられる。これらの多官能オリゴマー又はモノマーは、単独で用い
られてもよく、２種以上が併用されてもよい。
As the polyfunctional oligomer or monomer, those having a molecular weight of 10,000 or less are preferable,
More preferably, the molecular weight is 5000 or less and the number of radically polymerizable unsaturated bonds in the molecule is 2 to 20 so that the three-dimensional network of the pressure-sensitive adhesive can be efficiently formed by heating or light irradiation.
It is a piece. Examples of such more preferred polyfunctional oligomers or monomers include trimethylolpropane triacrylate, tetramethylolmethane tetraacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate. Or the above-mentioned methacrylates etc. are mentioned.
-Butylene glycol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, commercially available oligoester acrylate, methacrylates similar to the above, and the like. These polyfunctional oligomers or monomers may be used alone or in combination of two or more.
上記光重合開始剤としては、例えば、２５０〜８００ｎｍの波長の光を照射することによ
り活性化されるものが挙げられ、このような光重合開始剤としては、例えば、メトキシア
セトフェノン等のアセトフェノン誘導体化合物；ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾイ
ンイソブチルエーテル等のベンゾインエーテル系化合物；ベンジルジメチルケタール、ア
セトフェノンジエチルケタール等のケタール誘導体化合物；フォスフィンオキシド誘導体
化合物；ビス（η５−シクロペンタジエニル）チタノセン誘導体化合物、ベンゾフェノン
、ミヒラーケトン、クロロチオキサントン、トデシルチオキサントン、ジメチルチオキサ
ントン、ジエチルチオキサントン、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−
ヒドロキシメチルフェニルプロパン等の光ラジカル重合開始剤が挙げられる。これらの光
重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されてもよい。
Examples of the photopolymerization initiator include those activated by irradiation with light having a wavelength of 250 to 800 nm. Examples of such a photopolymerization initiator include acetophenone derivative compounds such as methoxyacetophenone. Benzoin ether compounds such as benzoin propyl ether and benzoin isobutyl ether; ketal derivative compounds such as benzyl dimethyl ketal and acetophenone diethyl ketal; phosphine oxide derivative compounds; bis (η5-cyclopentadienyl) titanocene derivative compounds, benzophenone, Michler's ketone , Chlorothioxanthone, todecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-
Examples include photo radical polymerization initiators such as hydroxymethylphenylpropane. These photoinitiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記熱重合開始剤としては、熱により分解し、重合硬化を開始する活性ラジカルを発生す
るものが挙げられ、例えば、ジクミルパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド、
ｔ−ブチルパーオキシベンゾエール、ｔ−ブチルハイドロパーオキサイド、ベンゾイルパ
ーオキサイド、クメンハイドロパーオキサイド、ジイソプロピルベンゼンハイドロパーオ
キサイド、パラメンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が挙
げられる。なかでも、熱分解温度が高いことから、クメンハイドロパーオキサイド、パラ
メンタンハイドロパーオキサイド、ジ−ｔ−ブチルパーオキサイド等が好適である。これ
らの熱重合開始剤のうち市販されているものとしては特に限定されないが、例えば、パー
ブチルＤ、パーブチルＨ、パーブチルＰ、パーメンタＨ（以上いずれも日本油脂社製）等
が好適である。これら熱重合開始剤は、単独で用いられてもよく、２種以上が併用されて
もよい。
Examples of the thermal polymerization initiator include those that decompose by heat and generate an active radical that initiates polymerization and curing, such as dicumyl peroxide, di-t-butyl peroxide,
Examples thereof include t-butyl peroxybenzoyl, t-butyl hydroperoxide, benzoyl peroxide, cumene hydroperoxide, diisopropylbenzene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, and di-t-butyl peroxide. Among these, cumene hydroperoxide, paramentane hydroperoxide, di-t-butyl peroxide, and the like are preferable because of their high thermal decomposition temperature. Although it does not specifically limit as what is marketed among these thermal polymerization initiators, For example, perbutyl D, perbutyl H, perbutyl P, permenta H (all are the products made by NOF Corporation) etc. are suitable. These thermal polymerization initiators may be used independently and 2 or more types may be used together.
上記後硬化型粘着剤には、以上の成分のほか、粘着剤としての凝集力の調節を図る目的で
、所望によりイソシアネート化合物、メラミン化合物、エポキシ化合物等の一般の粘着剤
に配合される各種の多官能性化合物を適宜配合してもよい。また、可塑剤、樹脂、界面活
性剤、ワックス、微粒子充填剤等の公知の添加剤を加えることもできる。
In addition to the above components, the post-curing pressure-sensitive adhesive described above is variously blended with general pressure-sensitive adhesives such as isocyanate compounds, melamine compounds, and epoxy compounds as desired for the purpose of adjusting the cohesive force as the pressure-sensitive adhesive. You may mix | blend a polyfunctional compound suitably. Moreover, well-known additives, such as a plasticizer, resin, surfactant, wax, and a fine particle filler, can also be added.
上記両面粘着テープは、基材の両面に粘着剤層が形成されたテープであってもよいし、基
材を有しない粘着剤層のみからなるテープであってもよい。
上記両面粘着テープの基材としては特に限定されないが、上記粘着剤の接着力を低下させ
る刺激、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激が光による刺激である場合には、光を
透過又は通過するものであることが好ましく、例えば、アクリル、オレフィン、ポリカー
ボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイロン、ウ
レタン、ポリイミド等の透明な樹脂からなるシート、網目状の構造を有するシート、孔が
開けられたシート等が挙げられる。
The double-sided pressure-sensitive adhesive tape may be a tape in which a pressure-sensitive adhesive layer is formed on both surfaces of a base material, or may be a tape composed only of a pressure-sensitive adhesive layer having no base material.
Although it does not specifically limit as a base material of the said double-sided adhesive tape, When the irritation | stimulation which reduces the adhesive force of the said adhesive and the irritation | stimulation which generate | occur | produces gas from the said gas generating agent are irritation | stimulation by light, it permeate | transmits or passes light. For example, a sheet made of a transparent resin such as acrylic, olefin, polycarbonate, vinyl chloride, ABS, polyethylene terephthalate (PET), nylon, urethane, polyimide, a sheet having a network structure, a hole For example, a sheet in which is opened.
上記粘着剤が気体発生剤を含有する場合、本発明のＩＣチップの製造方法の工程１におい
ては、上記両面粘着テープの気体発生剤を含有する面とウエハの回路パターンが形成され
ている面とを貼り合わせてもよいし、上記両面粘着テープの気体発生剤を含有する面と支
持板とを貼り合わせてもよい。
When the pressure-sensitive adhesive contains a gas generating agent, in
上記ウエハとしては特に限定されず、例えば、シリコン、ガリウム砒素等の半導体からな
るもの等が挙げられる。
上記ウエハの厚さとしては特に限定されないが、ウエハが薄くなるほど破損しやすいこと
から、本発明の方法が有効となる。
The wafer is not particularly limited, and examples thereof include those made of semiconductors such as silicon and gallium arsenide.
The thickness of the wafer is not particularly limited, but the method of the present invention is effective because the thinner the wafer, the more likely it is damaged.
上記支持板としては特に限定されないが、上記気体発生剤から気体を発生させる刺激が光
である場合には透明であることが好ましく、例えば、ガラス板；アクリル、オレフィン、
ポリカーボネート、塩化ビニル、ＡＢＳ、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ナイ
ロン、ウレタン、ポリイミド等の樹脂からなる板状体等が挙げられる。
上記支持板の厚さの好ましい下限は５００μｍ、好ましい上限は３ｍｍであり、より好ま
しい下限は１ｍｍ、より好ましい上限は２ｍｍである。また、上記支持板の厚さのばらつ
きは、１％以下であることが好ましい。
Although it does not specifically limit as said support plate, When the irritation | stimulation which generates gas from the said gas generating agent is light, it is preferable that it is transparent, for example, a glass plate; Acrylic, olefin,
Examples thereof include a plate-like body made of a resin such as polycarbonate, vinyl chloride, ABS, polyethylene terephthalate (PET), nylon, urethane, and polyimide.
A preferable lower limit of the thickness of the support plate is 500 μm, a preferable upper limit is 3 mm, a more preferable lower limit is 1 mm, and a more preferable upper limit is 2 mm. The thickness variation of the support plate is preferably 1% or less.
上記工程１においてウエハを支持板に固定する方法としては特に限定されず、例えば、片
面にセパレータのある上記両面粘着テープをローラを用いて上記ウエハに貼り付け、上記
セパレータを剥がした後、真空プレスによりウエハと支持板とを貼り合わせ、更に、ロー
ラを用いて加圧することによりウエハと支持板とを確実に接着する方法等が挙げられる。
この場合、貼り合わせ不良を防止するために、上記ローラとしては高硬度のものを用い、
更に、高いテンションをかけながら両面粘着テープをウエハに貼り付けることが好ましい
。また、真空プレスによりウエハと支持板とを貼り合わせる際には、ウエハと支持板とが
充分に平行となるように位置を調整し、２００〜３００Ｐａ以下の真空度にすることが好
ましい。
The method for fixing the wafer to the support plate in the
In this case, in order to prevent poor bonding, a roller having a high hardness is used.
Furthermore, it is preferable to attach the double-sided adhesive tape to the wafer while applying high tension. Further, when the wafer and the support plate are bonded together by a vacuum press, it is preferable to adjust the position so that the wafer and the support plate are sufficiently parallel to achieve a degree of vacuum of 200 to 300 Pa or less.
本発明のＩＣチップの製造方法では、次いで、上記両面粘着テープを介して上記支持板に
固定した状態でウエハを研削する工程２を行う。
上記研削の方法としては特に限定されず、通常のＩＣチップの製造方法において用いられ
る方法を用いることができ、例えば、支持板を固定し、高速回転する研削用砥石を用いて
切削水をかけながら完成時のチップの厚さにまでウエハを研削する方法等が挙げられる。
In the IC chip manufacturing method of the present invention, next, a
The grinding method is not particularly limited, and a method used in a normal IC chip manufacturing method can be used. For example, while fixing a support plate and applying cutting water using a grinding wheel that rotates at high speed, For example, a method of grinding the wafer to the thickness of the chip at the time of completion can be mentioned.
本発明のＩＣチップの製造方法では、次いで、ウエハの研削した側の面にダイシングテー
プを貼付する工程３を行う。上記ダイシングテープは、研削の終了したウエハをダイヤモ
ンドカッター等で、通常１辺数１００μｍ〜数１０ｍｍのチップに切り分ける際にウエハ
を補強するために貼付するものである。工程３においては、ウエハとダイシングテープと
が確実に接着するようにローラを用いて加圧することが好ましい。
上記ダイシングテープとしては特に限定されないが、公知の光硬化性粘着テープを用いる
ことができ、例えば、古河電工社製のＡｄｗｉｌｌ（登録商標）Ｄ−シリーズや、日東電
工社製のエレップホルダー（登録商標）ＵＥシリーズ等のテープが挙げられる。
In the IC chip manufacturing method of the present invention, step 3 is then performed in which a dicing tape is applied to the ground surface of the wafer. The dicing tape is affixed to reinforce the wafer when the ground wafer is cut with a diamond cutter or the like into chips each having a side of 100 μm to several tens of mm. In step 3, it is preferable to apply pressure using a roller so that the wafer and the dicing tape are securely bonded.
Although it does not specifically limit as said dicing tape, A well-known photocurable adhesive tape can be used, for example, Adwill (registered trademark) D-series made from Furukawa Electric Co., Ltd. (Trademark) Tapes, such as UE series, are mentioned.
本発明のＩＣチップの製造方法では、次いで、上記両面粘着テープに刺激を与えて両面粘
着テープとウエハとの接着力を低下させる工程４を行う。
例えば、上記両面粘着テープの粘着剤が気体を発生する気体発生剤を含有する粘着剤であ
る場合には、刺激を与えることにより粘着剤層中の気体発生剤から発生した気体が、ウエ
ハ又は支持板と両面粘着テープとの接着面に排出されウエハ又は支持板から粘着剤層の接
着面の少なくとも一部を剥がし、粘着剤層の粘着力を低下させることができるので、気体
発生剤を含有する粘着剤層と貼り合わせられたウエハ又は支持板を容易に剥離することが
できる。このとき気体発生剤の含有量等の条件が適当であれば、ウエハ又は支持板と両面
粘着テープとを自ら剥離させることもできる（「自己剥離型粘着テープ」と呼べる粘着テ
ープになる）。
上記刺激を与える方法としては特に限定されず、例えば、紫外線による刺激により気体を
発生する気体発生剤を用いている場合には、支持板側から紫外線を照射する方法等が挙げ
られる。
In the IC chip manufacturing method of the present invention,
For example, when the pressure-sensitive adhesive of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape is a pressure-sensitive adhesive containing a gas generating agent that generates gas, the gas generated from the gas generating agent in the pressure-sensitive adhesive layer by giving a stimulus is transferred to the wafer or the support. Since it can be discharged to the adhesive surface between the plate and the double-sided adhesive tape and peel off at least a part of the adhesive surface of the adhesive layer from the wafer or the support plate, the adhesive force of the adhesive layer can be reduced, so it contains a gas generating agent The wafer or support plate bonded to the pressure-sensitive adhesive layer can be easily peeled off. At this time, if the conditions such as the content of the gas generating agent are appropriate, the wafer or the support plate and the double-sided pressure-sensitive adhesive tape can be peeled by themselves (the pressure-sensitive adhesive tape can be called a “self-peeling pressure-sensitive adhesive tape”).
The method for applying the stimulus is not particularly limited. For example, when a gas generating agent that generates gas by stimulation with ultraviolet rays is used, a method of irradiating ultraviolet rays from the support plate side can be used.
本発明のＩＣチップの製造方法では、次いで、上記ウエハ上から支持板を持ち上げる工程
５を行う。
支持板を持ち上げる方法としては特に限定されず、例えば、吸着パッドにより支持板を吸
着することにより剥離する方法、枠等により支持板の周縁部を持ち上げることにより剥離
する方法等が挙げられる。
In the IC chip manufacturing method of the present invention, next, step 5 of lifting the support plate from the wafer is performed.
The method of lifting the support plate is not particularly limited, and examples thereof include a method of peeling by adsorbing the support plate with a suction pad, a method of peeling by lifting the peripheral edge of the support plate with a frame, and the like.
上記工程４により両面粘着テープとウエハとの接着力が低下したとしても、不均一剥離や
再密着等により残留接着力がある場合には、従来の方法のように支持板をそのまま持ち上
げようとすると、両面粘着テープとウエハとが全面又は部分的に接着しているため、ダイ
シングテープに貼付支持されているウエハも一緒に持ち上がろうとしてしまう。このとき
無理に支持板から引き離そうとするとウエハに応力がかかって変形してしまうことから、
極薄のウエハでは破損してしまうことがあった。
Even if the adhesive force between the double-sided pressure-sensitive adhesive tape and the wafer is reduced by the
An extremely thin wafer may be damaged.
そこで、本発明のＩＣチップの製造方法では、支持板を一定の角度に傾けて静止した後に
持ち上げる。即ち、剥離の際に支持板を傾けて静止することにより、残留接着力があった
としても支持板を徐々に引き剥がすことになるためウエハに大きな応力がかかることがな
い。このとき、傾ける角度や傾ける速度を調整して、ウエハに必要以上の応力がかからな
いようにすることが重要である。
Therefore, in the method of manufacturing an IC chip according to the present invention, the support plate is lifted after being tilted at a certain angle and stopped. That is, by tilting the support plate at the time of peeling and making it stand still, even if there is a residual adhesive force, the support plate is gradually peeled off, so that no great stress is applied to the wafer. At this time, it is important to adjust the tilt angle and the tilt speed so that the wafer is not subjected to stress more than necessary.
上記支持板を傾ける角度の下限は１°、上限は５°である。１°未満であると、ウエハを
支持板から剥離できず、５°を超えると、ウエハにかかる応力が大きくなり極薄のウエハ
の場合には破損してしまう。
また、支持板を所定の角度に傾ける際に、角度０°から所定の角度に達するまでに３秒間
以上の時間をかけることが好ましい。３秒間未満であると、ウエハにかかる応力が大きく
なり極薄のウエハの場合には破損してしまうことがある。
更に、支持板を所定の角度に傾けた後静止する時間としては、完全にウエハが支持板から
剥離する時間であれば特に限定されないが、１５秒間程度が好ましい。１５秒間以上静止
していても剥離しない場合には、もはや剥離は起こらないものと見なせる。
The lower limit of the angle at which the support plate is tilted is 1 °, and the upper limit is 5 °. If it is less than 1 °, the wafer cannot be peeled off from the support plate, and if it exceeds 5 °, the stress applied to the wafer increases, and in the case of an extremely thin wafer, it is damaged.
Further, when the support plate is tilted to a predetermined angle, it is preferable to take a time of 3 seconds or more to reach the predetermined angle from 0 °. If it is less than 3 seconds, the stress applied to the wafer increases, and in the case of an extremely thin wafer, it may be damaged.
Furthermore, the time for the support plate to stand still after being tilted to a predetermined angle is not particularly limited as long as it is a time for the wafer to completely peel from the support plate, but about 15 seconds is preferable. If it does not peel even if it is stationary for 15 seconds or more, it can be considered that peeling does not occur anymore.
支持板を傾けてから持ち上げる方法としては特に限定されず、例えば、吸着パッドや粘着
パッドに支持板を付着させたり、又は、アーム等で支持板の周囲をつかみ支持板を伸縮シ
リンダ等で持ち上げたりする構造の機構を設け、伸縮シリンダの上限方向の動作とは別に
動作する変角自在なチルト機構を伸縮シリンダと吸着パッドや粘着パッドやアーム等との
接続部分に設ける方法等が挙げられる。上記チルト機構は伸縮シリンダの動作と連動して
動作させてもよい。なお、伸縮シリンダを駆動させる前にすでにウエハから支持板が自己
剥離している場合でも、支持板を傾けても粘着テープがウエハと再密着する恐れはない。
The method of lifting the support plate after tilting is not particularly limited. For example, the support plate is attached to a suction pad or an adhesive pad, or the support plate is held by an arm or the like and the support plate is lifted by an expansion cylinder. There is a method of providing a mechanism having such a structure and providing a variable tilt mechanism that operates separately from the operation in the upper limit direction of the telescopic cylinder at a connection portion between the telescopic cylinder and the suction pad, adhesive pad, arm, or the like. The tilt mechanism may be operated in conjunction with the operation of the telescopic cylinder. Even if the support plate is already peeled off from the wafer before the telescopic cylinder is driven, there is no risk that the adhesive tape will come into close contact with the wafer even if the support plate is tilted.
図１に本発明のＩＣチップの製造方法を実施するのに好適な装置と、この装置を用いて支
持板を持ち上げる手順を示す模式図を示した。
図１に示した装置は、吸着パッド７と、吸着パッド７の角度を調整するチルト機構８と、
吸着パッド７を駆動する手段９とを有する。なお、図１においては支持板に接合する手段
を有する部材として吸着パッドを用いたが、支持板に接合する手段を有するものであれば
特に限定されない。また、図１では省略しているが、装置は、更に、研削されたウエハが
貼り付けられているダイシングテープを固定する固定手段と、両面粘着テープの粘着剤の
接着力を低下又は粘着剤に含まれる気体発生剤から気体を発生させる刺激を与える手段と
を有する。
このような本発明のＩＣチップの製造方法を行うためのＩＣチップの製造装置であって、
少なくとも、研削されたウエハが貼り付けられているダイシングテープを固定する固定手
段と、両面粘着テープの粘着剤の接着力を低下させる刺激を与える手段と、支持板を傾け
る変角自在な支持板の持ち上げ手段とを有するＩＣチップの製造装置もまた、本発明の１
つである。
以下、この図を用いて本発明のＩＣチップの製造方法を詳しく説明する。
FIG. 1 is a schematic view showing an apparatus suitable for carrying out the IC chip manufacturing method of the present invention and a procedure for lifting the support plate using this apparatus.
The apparatus shown in FIG. 1 includes a
And means 9 for driving the
An IC chip manufacturing apparatus for performing such an IC chip manufacturing method of the present invention,
At least a fixing means for fixing a dicing tape to which a ground wafer is attached, a means for giving a stimulus for reducing the adhesive force of the adhesive of the double-sided adhesive tape, and a variable-angle support board for tilting the support board An IC chip manufacturing apparatus having a lifting means is also provided.
One.
Hereinafter, the manufacturing method of the IC chip of the present invention will be described in detail with reference to this drawing.
図１では、上記工程１〜３を経て、両面粘着テープ３を介して支持板２が固定されたウエ
ハ１の研削された側の面にダイシングテープ４が貼り付けられている。そして、装置にダ
イシングテープが固定された状態で両面粘着テープ３にウエハ１と支持板２との接着力を
低下させる刺激が与えられる。図１では、ウエハ面と接する粘着剤が刺激により気体を発
生する気体発生剤を含有する紫外線硬化型粘着剤からなる両面粘着テープを用い、接着力
を低下させるために高強度の紫外線を照射しているためウエハ１は両面粘着テープ３から
ほとんど剥離しているものの、一部は剥離せずに接着したままである（図１ａ）。
図１ａの状態から吸着パッド７を下降させて吸着パッド７に支持板２を吸着させる。（図
１ｂ）。
次いで、吸着パッド７を駆動する手段９を操作して吸着パッド７を引き上げながら、吸着
パッド７の角度を調整するチルト機構８を操作して吸着パッド７を水平方向からわずかに
傾けるように操作する（図１ｃ）。
この状態でしばらく静止したところ、一部接着していたウエハ１と両面粘着テープ３とが
完全に剥離する（図１ｄ）
最後にこの状態で吸着パッド７を駆動する手段９を操作して吸着パッド７を引き上げ続け
れば、後にはダイシングテープ４を貼付したウエハ１が残される（図１ｅ）。
In FIG. 1, the dicing
The
Next, while operating the
In this state, the
Finally, if the
本発明のＩＣチップの製造方法によれば、ウエハに両面粘着テープを貼り付けて補強する
ので、ウエハを５０μｍ以下の厚さにまで研削しても取扱い性に優れ、破損することがな
い。また、両面粘着テープは粘着剤層の粘着力を低下させることにより研削後のウエハか
ら容易に剥離することができる。更に、剥離の際に一定の条件で支持板を傾けることによ
り、支持板とウエハとの間に残留接着力があった場合であってもウエハを破損することな
く剥離することができる。
According to the IC chip manufacturing method of the present invention, since the double-sided adhesive tape is applied to the wafer for reinforcement, even if the wafer is ground to a thickness of 50 μm or less, it is easy to handle and is not damaged. Further, the double-sided pressure-sensitive adhesive tape can be easily peeled from the ground wafer by reducing the adhesive strength of the pressure-sensitive adhesive layer. Further, by tilting the support plate under certain conditions at the time of peeling, the wafer can be peeled without being damaged even if there is a residual adhesive force between the support plate and the wafer.
本発明によれば、ウエハに支持板を貼り合わせることにより、ウエハを５０μｍ以下の厚
さにまで研削しても取扱い性に優れ、破損することなく、作業性よくＩＣチップへの加工
を行うことができるＩＣチップの製造方法及びＩＣチップの製造装置を提供できる。
According to the present invention, by attaching a support plate to a wafer, it is excellent in handleability even when the wafer is ground to a thickness of 50 μm or less, and can be processed into an IC chip with good workability without being damaged. An IC chip manufacturing method and an IC chip manufacturing apparatus can be provided.
以下に実施例を掲げて本発明を更に詳しく説明するが、本発明はこれら実施例のみに限定
されるものではない。
Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples. However, the present invention is not limited to these examples.
（実施例１）
＜粘着剤の調製＞
下記の化合物を酢酸エチルに溶解させ、紫外線を照射して重合を行い、重量平均分子量７
０万のアクリル共重合体を得た。
得られたアクリル共重合体を含む酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２
−イソシアナトエチルメタクリレート３．５重量部を加えて反応させ、更に、反応後の酢
酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、ペンタエリスリトールトリアクリレー
ト４０重量部、光重合開始剤（イルガキュア６５１）５重量部、ポリイソシアネート０．
５重量部を混合し粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を調製した。
ブチルアクリレート ７９重量部
エチルアクリレート １５重量部
アクリル酸 １重量部
２−ヒドロキシエチルアクリレート ５重量部
光重合開始剤 ０．２重量部
（イルガキュア６５１、５０％酢酸エチル溶液）
ラウリルメルカプタン ０．０１重量部
(Example 1)
<Preparation of adhesive>
The following compounds are dissolved in ethyl acetate and polymerized by irradiating with ultraviolet rays to give a weight average molecular weight of 7
0,000 acrylic copolymer was obtained.
2 parts by weight per 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution containing the obtained acrylic copolymer
-3.5 parts by weight of isocyanatoethyl methacrylate was added and reacted. Further, 40 parts by weight of pentaerythritol triacrylate, photopolymerization initiator (Irgacure 651) with respect to 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution after the reaction. ) 5 parts by weight, polyisocyanate 0.
5 parts by weight were mixed to prepare an ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive (1).
Butyl acrylate 79 parts by weight Ethyl acrylate 15 parts by
Lauryl mercaptan 0.01 parts by weight
更に、粘着剤（１）の酢酸エチル溶液の樹脂固形分１００重量部に対して、２，２’−ア
ゾビス−（Ｎ−ブチル−２−メチルプロピオンアミド）３０重量部、及び、２，４−ジエ
チルチオキサントン３．６重量部を混合して、気体発生剤を含有する粘着剤（２）を調製
した。
Furthermore, 30 parts by weight of 2,2′-azobis- (N-butyl-2-methylpropionamide) and 2,4-, with respect to 100 parts by weight of the resin solid content of the ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive (1) A pressure-sensitive adhesive (2) containing a gas generating agent was prepared by mixing 3.6 parts by weight of diethylthioxanthone.
＜両面粘着テープの作製＞
粘着剤（２）の酢酸エチル溶液を、両面にコロナ処理を施した厚さ１００μｍの透明なポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムの片面に乾燥皮膜の厚さが約３０μｍとな
るように塗工し１１０℃、５分間加熱して塗工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾
燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（２）層の表面に離型処理を施したＰＥＴ（凸
部間隔３０μｍ）を貼り付けた。
<Production of double-sided adhesive tape>
Apply an ethyl acetate solution of the pressure-sensitive adhesive (2) to a transparent polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 100 μm and subjected to corona treatment on both sides so that the dry film thickness is about 30 μm. The coating solution was dried by heating for 5 minutes. The pressure-sensitive adhesive layer after drying showed adhesiveness in a dry state. Next, PET (projection spacing 30 μm) subjected to a release treatment was attached to the surface of the pressure-sensitive adhesive (2) layer.
粘着剤（１）の酢酸エチル溶液を、表面に離型処理が施されたＰＥＴフィルムの上に乾燥
皮膜の厚さが約３０μｍとなるように塗工し１１０℃、５分間加熱して溶剤を揮発させ塗
工溶液を乾燥させた。乾燥後の粘着剤層は乾燥状態で粘着性を示した。次いで、粘着剤（
２）層を設けたＰＥＴフィルムの粘着剤（２）層のないコロナ処理を施した面と、粘着剤
（１）層を設けたＰＥＴフィルムの粘着剤（１）層の面とを貼り合わせた。その後、４０
℃で３日間静置養生した。これにより両面に粘着剤層が設けられ、その表面が離型処理が
施されたＰＥＴフィルムで保護された両面粘着テープを得た。両面粘着テープの粘着剤層
はいずれも透明であった。
Apply an ethyl acetate solution of adhesive (1) onto a PET film whose surface has been subjected to a mold release treatment so that the thickness of the dry film is about 30 μm, and heat the solvent at 110 ° C. for 5 minutes. The coating solution was evaporated and dried. The pressure-sensitive adhesive layer after drying showed adhesiveness in a dry state. Next, adhesive (
2) Adhesive of PET film provided with layer (2) The surface subjected to corona treatment without layer and the surface of adhesive (1) layer of PET film provided with adhesive (1) layer were bonded together. . Then 40
It was allowed to stand at 3 ° C. for 3 days. Thereby, the adhesive layer was provided on both surfaces, and the double-sided adhesive tape by which the surface was protected by the PET film by which the mold release process was performed was obtained. All the adhesive layers of the double-sided adhesive tape were transparent.
＜ＩＣチップの製造＞
（支持板への固定工程）
両面粘着テープの粘着剤（２）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、直径２０ｃｍ、厚
さ約７５０μｍのシリコンウエハに貼り付けた後、シリコンウエハの大きさに合わせて両
面粘着テープを切断した。次に、粘着剤（１）層を保護するＰＥＴフィルムを剥がし、直
径２０．４ｃｍのガラス板を真空プレス機を用いて粘着剤層に貼り付けた。接着面は接着
直後から強く接着していた。
（研削工程）
ガラス板及び両面粘着テープで補強されたシリコンウエハを研削装置に取りつけ、シリコ
ンウエハの厚さが約５０μｍになるまで研削した。研削装置からシリコンウエハを取り外
し、ダイシングテープをシリコンウエハの上に貼り付けた。
（紫外線照射工程）
ガラス板側から超高圧水銀灯を用いて、３６５ｎｍの紫外線をガラス板表面への照射強度
が４０ｍＷ／ｃｍ２となるよう照度を調節して２分間照射した。なお、両面粘着テープは
、発生した気体により押し上げられて浮き上がり剥離したが、一部では完全には剥離して
いなかった。
<Manufacture of IC chips>
(Fixing process to support plate)
The PET film protecting the adhesive (2) layer of the double-sided pressure-sensitive adhesive tape was peeled off and attached to a silicon wafer having a diameter of 20 cm and a thickness of about 750 μm, and then the double-sided pressure-sensitive adhesive tape was cut according to the size of the silicon wafer. Next, the PET film protecting the pressure-sensitive adhesive (1) layer was peeled off, and a glass plate having a diameter of 20.4 cm was attached to the pressure-sensitive adhesive layer using a vacuum press. The bonding surface was strongly bonded immediately after bonding.
(Grinding process)
The silicon wafer reinforced with the glass plate and the double-sided adhesive tape was attached to a grinding apparatus and ground until the thickness of the silicon wafer reached about 50 μm. The silicon wafer was removed from the grinding apparatus, and a dicing tape was stuck on the silicon wafer.
(UV irradiation process)
Using an ultra-high pressure mercury lamp from the glass plate side, irradiation with 365 nm ultraviolet rays was performed for 2 minutes while adjusting the illuminance so that the irradiation intensity on the surface of the glass plate was 40 mW / cm 2 . The double-sided pressure-sensitive adhesive tape was lifted up and peeled off by the generated gas, but it was not completely peeled off in part.
（支持板の剥離工程）
図１に示したＩＣチップの製造装置を用いて支持板をウエハから剥離した。
具体的には、ガラス板を上にして静置したウエハに対して、吸着パッドを駆動する手段を
操作して吸着パッドをガラス板上に降ろし、吸着パッドをガラス板に吸着させた。次いで
、吸着パッドの角度を調整するチルト機構を操作して吸着パッドの角度を２°程度の角度
に調整した。なお、２°傾けるのに要する時間は１０秒間であった。この状態で１５秒間
静止したところ、完全に両面粘着テープがウエハから剥がれたので、吸着パッドを駆動す
る手段を操作して吸着パッドを引き上げた。
この操作により、ガラス板はウエハから完全に分離され、ダイシングテープを貼付したウ
エハが残された。
（ダイシング工程）
続いて常圧環境下で、ダイシングテープで補強されたシリコンウエハをダイシング装置に
取りつけ、ウエハ側からカッター刃を切り入れシリコンウエハをＩＣチップの大きさに切
断した。次いで、ダイシングテープを剥がしＩＣチップを得た。
(Support plate peeling process)
The support plate was peeled from the wafer using the IC chip manufacturing apparatus shown in FIG.
Specifically, the suction pad was lowered onto the glass plate by operating the means for driving the suction pad on the wafer that was left standing with the glass plate up, and the suction pad was adsorbed onto the glass plate. Next, the angle of the suction pad was adjusted to about 2 ° by operating a tilt mechanism for adjusting the angle of the suction pad. The time required to tilt 2 ° was 10 seconds. In this state, after standing still for 15 seconds, the double-sided adhesive tape was completely peeled off from the wafer. Therefore, the suction pad was pulled up by operating the means for driving the suction pad.
By this operation, the glass plate was completely separated from the wafer, and the wafer with the dicing tape attached was left.
(Dicing process)
Subsequently, in a normal pressure environment, the silicon wafer reinforced with the dicing tape was attached to a dicing apparatus, a cutter blade was cut from the wafer side, and the silicon wafer was cut into the size of an IC chip. Next, the dicing tape was peeled off to obtain an IC chip.
本発明によれば、ウエハに支持板を貼り合わせることにより、ウエハを５０μｍ以下の厚
さにまで研削しても取扱い性に優れ、破損することなく、作業性よくＩＣチップへの加工
を行うことができるＩＣチップの製造方法及びＩＣチップの製造装置を提供できる。
According to the present invention, by attaching a support plate to a wafer, it is excellent in handleability even when the wafer is ground to a thickness of 50 μm or less, and can be processed into an IC chip with good workability without being damaged. An IC chip manufacturing method and an IC chip manufacturing apparatus can be provided.
１ ウエハ
２ 支持板
３ 両面粘着テープ
４ ダイシングテープ
６ 作業台
７ 吸着パッド
８ 吸着パッドの角度を調整するチルト機構
９ 吸着パッドを駆動する手段
DESCRIPTION OF
Claims (4)
片面又は両面が刺激により接着力が低下する粘着剤からなる両面粘着テープを介して前記
ウエハを支持板に固定する工程１、
前記両面粘着テープを介して前記支持板に固定した前記ウエハを研削する工程２、
前記ウエハの研削された側の面にダイシングテープを貼り付ける工程３、
前記両面粘着テープに刺激を与えて前記両面粘着テープと前記ウエハとの接着力を低下さ
せる工程４、及び、
前記ウエハ上から前記支持板を持ち上げる工程５を有し、
前記刺激により接着力が低下する粘着剤は、刺激を与えたときにゲル分率が８５％以上、
かつ、厚さ方向の伸びが３００％以下となるものであり、
前記ウエハ上から前記支持板を持ち上げる工程５において、前記支持板を１〜５°の角度
に傾けて静止した後持ち上げる
ことを特徴とするＩＣチップの製造方法。 A method of manufacturing an IC chip from a wafer, comprising at least:
Step 1 of fixing the wafer to a support plate via a double-sided adhesive tape made of an adhesive whose adhesive strength is reduced by stimulation on one or both sides,
Step 2 of grinding the wafer fixed to the support plate via the double-sided adhesive tape;
A step 3 of applying a dicing tape to the ground surface of the wafer;
Step 4 for stimulating the double-sided pressure-sensitive adhesive tape to reduce the adhesive force between the double-sided pressure-sensitive adhesive tape and the wafer, and
Having the step 5 of lifting the support plate from above the wafer;
The pressure-sensitive adhesive whose adhesive force is reduced by the stimulus has a gel fraction of 85% or more when given a stimulus,
And the elongation in the thickness direction is 300% or less,
In the step 5 of lifting the support plate from the wafer, the support plate is lifted after being tilted at an angle of 1 to 5 [deg.] And then lifted.
、角度０°から所定の角度に達するまでに要する時間が３秒間以上であることを特徴とす
る請求項１記載のＩＣチップの製造方法。 2. In the step 5 of lifting the support plate from the wafer, when the support plate is tilted to a predetermined angle, the time required to reach the predetermined angle from 0 ° is 3 seconds or more. The manufacturing method of IC chip of description.
ことを特徴とする請求項１又は２記載のＩＣチップの製造方法。 3. The method of manufacturing an IC chip according to claim 1, wherein the pressure-sensitive adhesive whose adhesive force is reduced by stimulation contains a gas generating agent that generates gas by stimulation.
って、
少なくとも、
研削されたウエハが貼り付けられているダイシングテープを固定する固定手段と、
両面粘着テープの粘着剤の接着力を低下させる刺激を与える手段と、
前記支持板を傾ける変角自在な支持板の持ち上げ手段とを有する
ことを特徴とするＩＣチップの製造装置。 An IC chip manufacturing apparatus for performing the IC chip manufacturing method according to claim 1,
at least,
Fixing means for fixing the dicing tape to which the ground wafer is attached;
Means for giving a stimulus to reduce the adhesive strength of the adhesive of the double-sided adhesive tape;
An IC chip manufacturing apparatus comprising: a support plate lifting means for tilting the support plate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003356799A JP2005123403A (en) | 2003-10-16 | 2003-10-16 | Method and apparatus for ic chip manufacturing |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|
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|---|---|
| JP (1) | JP2005123403A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015142054A (en) * | 2014-01-29 | 2015-08-03 | ビアメカニクス株式会社 | Panel suction carrier device |
| JP2018520508A (en) * | 2015-06-09 | 2018-07-26 | ロイヨール コーポレーション | Flexible electronic device manufacturing apparatus |
| JP2018524144A (en) * | 2015-05-01 | 2018-08-30 | デュポン テイジン フィルムズ ユー．エス．リミテッド パートナーシップ | Peelable adhesive polymer film |
| JP2018177399A (en) * | 2017-04-05 | 2018-11-15 | アルプス電気株式会社 | Peeling method and program |
-
2003
- 2003-10-16 JP JP2003356799A patent/JP2005123403A/en not_active Withdrawn
Cited By (4)
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