JP3785822B2 - 電極構造、該電極を備えたシリコン半導体素子、その製造方法及び該素子を実装した回路基板並びにその製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン半導体素子用の電極構造、該構造の電極を備え、回路基板にボンディングワイヤーを用いずに直接接続、実装でき、かつこの実装の際に基板との間の高さ(ボンディング高さ)が大きく取れるシリコン半導体素子及びその製造方法並びにそれを実装した回路基板及びその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
近年、企業の製造部門、管理部門、輸送機関あるいは家庭を問わずまたほとんどの分野の装置、機械、器具が電子化されており、またその使用される電子部品の範囲も種類も広範なものとなってきつつある。このような多方面にわたる電子化の中でも、電子制御半導体素子をセットした実装回路基板が極めて多く採用され、その適用範囲、使用回路基板の種類、数も顕著に増大しつつある。
【0003】
このような半導体実装回路基板は一般には多くの種類のものが実用化されているが、特に回路基板上に各種の半導体素子(IC、各種のバンプなど)を直接実装したものが電子機器の小型化、信頼性の向上の目的で採用される比率が高くなってきている。
このように、回路基板上に各種の半導体素子等を実装する場合、回路基板と半導体素子の間には、封止樹脂を注入するため、あるいは発熱に対するバッファーとするためにある程度(通常50〜100μmとされている)の間隔を設けることが必要あるいは好ましいとされている。
【0004】
この間隔(以下この間隔を「ボンディング高さ」と呼ぶことがある。)を設けるために多くの提案がなされている。
例えば、▲1▼プリント基板上の回路部分と素子部品の電極間を導電性接着剤で接続する方法、▲2▼プリント基板上の回路部分と素子とを素子側にメッキによって形成したはんだバンプを溶融させて接続する方法、▲3▼プリント基板上の基板電極と半導体素子の素子電極に銅を必要な高さにメッキし、更にAuメッキした後これを共晶はんだで接続する方法、▲4▼Auボールバンプ(スタッドバンプ)による接続法、▲5▼導電性ポリマーバンプによる接続法、▲6▼Auメッキ樹脂ボール接続法、▲7▼絶縁樹脂ボールをコアにしたマイクロカプセル製異方性導電性フィルム接続法、▲8▼金属ボールをコアにしたマイクロカプセル型異方性導電フィルム接続法などがある。
上記以外にもAuボールバンプダイレクト接続法などがあるが、この方法では高価であって特殊な回路基板の使用に限られ、通常の回路基板にはよりコストダウンが求められている。
【0005】
これらのボンディング高さを確保するための従来公知の方法においては、接続に際し導電性樹脂などの比較的抵抗の高い導電材を使用した時は接続抵抗が大きいという問題があり、また一般的に行われているはんだメッキ基板を使用して接続する場合、半導体素子側の電極に活性化処理をしておくことが行われているが、その処理は煩雑ではんだの濡れ広がり性が悪く、更にボンディング高さが不均一になり、その上半導体素子の接続の信頼性が低いなどの問題がある。
したがって、回路基板に対するシリコン半導体素子の接続が信頼性高く、接続抵抗が小さく、かつボンディング高さを自由に選択できるシリコン半導体素子へのはんだバンプの形成手段が必要とされている。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
この発明は、はんだバンプ(本発明においては、電極を備えたシリコン半導体に50〜100ミクロンまたはそれ以上のはんだ層を「はんだバンプ」という。)を容易に形成することのできるシリコン半導体素子用の電極構造の提供、回路基板に対してボンディングワイヤーを用いることなく直接接続でき、信頼性が高く、接触抵抗の小さいはんだ被着シリコン半導体素子及びその製造方法の提供、ボンディング高さを自由に選択できるはんだ被着シリコン半導体素子及びその製造方法の提供及び接続部分(電極部分)に容易にはんだバンプを形成し、ボンディング高さを自由に選択可能な電極構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0007】
本発明は、
[1] シリコン半導体面上に設けられ、シリコン半導体とオーミック接合をなす第1の金属層、該第1の金属層の全露出表面を完全に覆うように、有機酸に対して耐腐食性が高く且つはんだ濡れ性が良い金属を積層した第2の金属層、さらに該第2の金属層に金属露出部のみに粘着性を付与する薬剤を用いて粘着性を付与し、ハンダ粉末を付着させた後にリフローしたはんだバンプとからなるはんだ被着シリコン半導体素子、
【0008】
[2] 上記第1の金属層が、Cu、Al、Ti、WまたはAl基合金のうちの1種からなり、該第2の金属層がCu、NiまたはAuであって、第1の金属層の金属がCuの時はNiまたはAuからなる上記[1]に記載のはんだ被着シリコン半導体素子、
[3] 該第1の金属層と第2の金属層の間にNiまたはCrからなる中間層であって、第2の金属層がNiの時はCrに限定される中間金属層が介在し、該中間金属層は第1の金属層の全露出表面を完全に覆い、更に第2の金属層は該中間金属層の全露出表面を完全に覆っている上記[1]または[2]に記載のはんだ被着シリコン半導体素子、
[4] 該第2の金属層の表面の所定範囲を除く全露出表面を絶縁物により遮蔽した上記[1]〜[3]のいずれかに記載のはんだ被着シリコン半導体素子、
【0009】
[5] シリコン半導体基板と、シリコン半導体基板上に設けられ、シリコン半導体とオーミック接合をなす第1の金属層と、該第1の金属層の全露出表面を完全に覆うように積層した、第1の金属より有機酸に対して耐腐食性が高く、かつはんだ濡れ性が良い第2の金属層からなる半導体素子を、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体の内の少なくとも一種を用いて処理することにより、露出した該第2の金属層の部分にのみ、粘着性を付与してハンダ粉末を付着させた後にリフローしたはんだバンプとからなることを特徴とするはんだ被着シリコン半導体素子、
【0010】
[6] シリコン基板に、第1の金属層を積層し、該第1の金属層の全露出面を完全に覆うように第2の金属層を積層し、次いで上記第2の金属層の全表面を被覆材で被覆した後、所定部分の該被覆材をエッチング除去して該第2の金属層の表面の所定の範囲に窓を開け、ついで窓の部分の該第2の金属層に選択的にナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体の内の少なくとも一種を用いて粘着性を付与し、該粘着部にはんだ粉末を付着させ、該はんだ粉末をリフローすることからなるはんだ被着シリコン半導体素子の製造方法、
【0011】
[7] 上記[1]ないし[5]のいずれかに記載のはんだ被着シリコン半導体素子とはんだ被着回路基板を、はんだ搭載部同士を重ねて実装した回路基板、
【0012】
[8] 回路基板の金属露出部のみに選択的に粘着性を付与し、該粘着部にはんだ粉末を付着させた後、はんだ粉末をリフローしてはんだ被着回路基板とし、次いでこのはんだバンプにはんだ被着シリコン半導体素子のはんだバンプを重ねて溶融接合し、両者の間隙部に封止用絶縁樹脂を充填することからなる回路基板の製造方法、および
[9] はんだ被着回路基板及びはんだ被着シリコン半導体素子のそれぞれのはんだバンプに使用したはんだが、融点が異なるはんだである上記[8]に記載の回路基板の製造方法、を開発することにより上記の課題を解決した。
【0013】
【発明の実施の形態】
本発明のシリコン半導体素子の電極構造は、半導体と接触する側にはオーミック接合する第1の金属層で構成し、はんだ層を搭載する側では、有機酸に対して耐腐食性が高く、はんだ濡れ性の良好な金属からなる第2の金属層を用い、上記第1の金属層のすべての露出面を完全に被覆するように構成させたので、半導体と電極の接触が良好でかつはんだ層の搭載が容易に行え、有機酸などを含むフラックス等に対する耐食性も高く、高信頼性の電極構造である。
また該電極構造にはんだを搭載したはんだ被着シリコン半導体素子は、はんだを搭載する部分に粘着性を付与しはんだ粉末を付着させるので、付着させるはんだ粉末の粒径を変えることによりはんだ層の厚みを容易にコントロールすることができ、ボンディングの高さを自由に選択することが可能となる。
また本発明のはんだ被着シリコン半導体素子は、はんだ被着回路基板等に直接接続できるので、接続抵抗が低く、かつ信頼性があり、小型化することができる。
また本発明においては、本発明の電極構造を有する半導体素子にも同様に接続部分には粘着性を付与してはんだ粉末を付着させてはんだ層の厚さを容易に制御することが可能で、ボンディング高さの調節も容易に行える。
【0014】
本発明のその他の目的、その他の特徴は添付の図面に基づく以下の詳しい説明で明らかにする。
本発明の電極構造は、図1に示すようにシリコン半導体素子1の面上に第1の金属層2を所定の厚さに真空蒸着法、スパッタリング法などにより形成し、次いで第1の金属層2の全露出表面を完全に覆うようにして第2の金属層3を所定の厚さに積層する。
上記の電極構造の第1の金属層2に用いる金属としては、シリコン基板1とオーミック接合となる金属を選定する。シリコンとオーミック接合をなす金属としては、Al、Cu、Ti、W及びAlを95%以上、好ましくは97%以上含むAl−Si、Al−Ti、Al−WなどのAl基合金が挙げられ、シリコン半導体素子上にこれら第1の金属のいずれかの層を形成した後、熱処理によってオーミック接合させる。
Al基合金を使用する場合は、熱膨張係数がシリコンに近いので接合部の歪みが緩和される利点がある。
【0015】
この第1の金属層2の上に、この層の全露出面を完全に覆うように第2の金属で被覆する。この第2の金属層3に使用する金属の選択基準としては、第1の金属層の金属より有機酸に対して耐腐食性が高く、はんだ濡れ性が良好であり、またシリコン半導体及び第1の金属層との密着性が良いことが必要である。
具体的には、Cu、Ni、Auが挙げられ、第1の金属層の金属にCuを使用する場合には、第1の金属とは異なるCu以外の金属を用いる。この第2の金属層の金属の選定は、半導体素子を回路基板へ実装する時に使用するろう材との適合性、シリコン基板及び第1の金属層への密着性を勘案して決定することが好ましい。
この第2の金属層3は、真空蒸着法、スパッタリング法、メッキ法などにより第1の金属層2を完全に被覆するように形成し、電極を構成する。
【0016】
半導体1面上に形成する電極は、上述のごとく、原則的には第1の金属層2と第2の金属層3とから構成されるが、図2に示すように第1の金属層と第2の金属層の層の間にNiまたはCr(ただし第2の金属層がNiの場合にはCrに限定される。)の中間金属層4を設けることが好ましい。この中間金属層4は、第1の金属層2を完全に覆うように積層し、第2の金属層3は上記中間金属層4を完全に覆うように積層する。この中間金属層4は、表面電極である第2の金属層3の強度を向上させる効果がある。
【0017】
次に上記電極構造を備えたシリコン半導体素子に、50〜100ミクロンまたはそれ以上の厚さのはんだ層(はんだバンプ)を搭載したはんだ被着シリコン半導体素子について説明する。
図1に示すようなシリコン半導体素子1の一面に電極を形成したら、この半導体の全露出表面を、SiO2 、Si3 N4 、ガラス、ポリイミドなどの絶縁物5で遮蔽する[図3(a)]。
次に電極構造を覆っている絶縁物層5に、常法により所定箇所の絶縁物を取り除くかまたはマスクを使用して図3(b)に示すように窓を開け、この窓の金属回路露出部(第2の金属層)のみに選択的に粘着性を付与し、このようにして形成した粘着部6に図4(a)に示すようにはんだ粉末7を付着させた後、加熱、溶融して図4(b)に示すようにはんだバンプ8を形成する。
特に本発明においては、50〜100ミクロンまたはそれ以上の厚さの厚いはんだ層(はんだバンプ)を形成するため、第1の金属層を第2の金属層で覆った構造の電極を備えた半導体素子をレジスト剤で覆った後、通常の方法でレジスト剤をエッチングして金属電極(第2の金属層)を露出させ、この金属露出部に選択的に粘着性を付与し、該粘着部にはんだ粉末を付着、溶融させてはんだバンプを形成するような場合においては、窓部を構成するレジスト剤の深さは少なくとも10ミクロンとすることが有効である。
【0018】
上述の金属露出部のみに粘着性を付与するには、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体の内の少なくとも一種を含む水溶液に浸漬処理するかまたは水溶液の塗布処理することにより行われる。(USP5,556,023号、USP5,713,997号参照)
【0019】
この際の条件として、例えば処理温度30〜60℃、浸漬処理時間5sec〜5minで処理する。また処理薬剤の濃度としてはナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体の少なくとも一種を0.05〜20重量%を含むものであり、特に銅イオン50〜1000ppmを含有し、微酸性の液体であるはんだ粘着性付与液を使用することが好ましい。
この場合の粘着性付与液は比較的安定なものではあるが、第1の金属層に用いられるAlなどに対しては強い腐食性があり、電極をサイドエッチする危険が大きいこと、また原因不明ではあるが不完全な被覆をした時はサイドエッチはしなくとも不良率が大きくなるので、前述したように、第2の金属層により完全に覆っておくことが必要である。
【0020】
上述のように、半導体素子の電極全体を絶縁物で完全に遮蔽した後、窓を開け、然る後この窓の部分の第2の金属層に選択的に粘着性を付与した後、はんだ粉末を付着させる方法の特徴は、位置決めなどの面倒な手数を必要としないだけでなく、自動的にはんだ粉末を付着させることが容易にできることである。この方法によれば、1回の処理で得られるはんだ層の厚さが厚いだけでなく、その上に簡単にはんだ層を付着させることができること、はんだ粉末の粒度を選択することによりはんだバンプの厚さを自由に調節することが可能となる。更に従来のメッキ法などにおいては厚さを厚くすることが困難であるのに対し、本発明方法においては1回の処理で必要なはんだバンプの厚さが確保できなかった時は、はんだ粉末を付着した半導体素子をいったんリフローした後、再度同じ工程ではんだコートした部分に粘着性を付与させ、ここにはんだ粉末を付着させ、リフローしてはんだバンプの層の厚さを厚くすることが容易にできることである。
【0021】
なお以上の説明においては、半導体素子にはんだバンプを形成する方法を説明したが、もし必要であれば該半導体素子を実装する回路基板に対しても同様に処理を行い、回路基板の接続部分にも同様にはんだバンプを形成し、はんだバンプを形成した半導体素子と回路基板のはんだバンプ同志を接合することによりボンディング高さが十分に大きい回路基板を作成することができる。このようにして半導体素子を実装した回路基板は、必要に応じて素子と基板の間隙部に封止用絶縁樹脂を充填する。
例えば、ボンディング高さが50〜100ミクロンの回路基板を製造しようとする時は、半導体素子側のバンプ高さ(電極の高さ+はんだバンプの高さ)が、50〜120ミクロン、回路基板側のバンプ高さ(同)が30〜100ミクロンとしておけば、双方のはんだ層を溶融して接続しても50〜100ミクロンのボンディング高さを確保できる。
【0022】
なおこの場合、半導体素子側のはんだ粉末と回路基板側のはんだ粉末の組成を若干変更し、それぞれの融点を変えておくことが、形状維持、ボンディング高さを確保するのに有利である。このようにしておけば融点の高いはんだバンプが溶融するまでに融点の低いはんだとの合金化が始まるので、バンプの高さを維持できるからである。
例えば、半導体素子側の方はSn−Pb共晶系よりは融点の高い80%Pb−20%Sn合金や95%Pb−5%Sn合金とし、回路基板側はSn−Pb共晶はんだとして行うなどの方法も有利に使用可能である。
【0023】
このように本発明のはんだ被着シリコン半導体素子は、ボンディングワイヤーなしに回路基板などに接続することが可能である。このためボンディングワイヤーを用いて接合する半導体素子は、ボンディングワイヤー保護のためのステムなども含めて樹脂をモールドするため半導体素子チップ自体の大きさよりもかなり大きくなり、回路基板上に占める面積が大きくなるが、本発明の半導体素子ではボンディングワイヤーを用いないで済むため、回路全体を小型化するのに極めて有利である。
また本発明の半導体素子は、第2の金属層としてはんだ濡れ性の良い金属を選択してあるので、実装するのに簡単でかつ確実に接合ができ、特に接合がボンディングワイヤーなしのはんだ/はんだの導電性の高いかつ強度の大きい半導体上に直接実装が可能となり、実装の際の接合に信頼性を大きく改善できる。
【0024】
かくして得られた回路基板は、はんだバンプ高さを選ぶことによりボンディング高さを比較的自由に調整可能で許容度が大きく、かつボンディング高さの高い回路基板を得ることができ、この結果同材質、同じ半導体素子を使用しても従来問題になっていた発熱によるトラブルの回避も可能となり、回路基板の設計も容易になった。
【0025】
【実施例】
次にこの発明の実施例を述べるが、本発明は下記実施例に限定されるものではない。
(実施例1)
▲1▼ 構造1として、シリコンチップ 11 上に厚さ1μmのAl(アルミニウム) 12 を真空蒸着し、次いでそのそのAl 12 の上に、Alの全露出表面を覆うようにCu 13 を厚さ1μmに真空蒸着し、図5(a)に示すような電極を形成した。
▲2▼ 構造2として、シリコンチップ 11 上に厚さ1μmのCu 13 を真空蒸着し、次いでそのそのCu 13 の上に、Cuの全露出表面を覆うようにNi 14 を厚さ3μmに真空蒸着し、図5(b)に示すような電極を形成した。
▲3▼ 構造3として、シリコンチップ 11 上に厚さ1μmのAl 12 を真空蒸着し、次いでそのそのAl 12 の上に、Alの全露出表面を覆うようにCu 13 を厚さ1μmに真空蒸着し、更に厚さ10ミクロンのSiO2 15 でそのCu表面全体を遮蔽し、所定部分をエッチングして窓明けをし、Cu電極面 13 を露出させ、図5(c)に示すような電極を形成した。
【0026】
▲4▼ 構造4として、シリコンチップ 11 上に厚さ1μmの(Al−2%Si合金) 16 を真空蒸着し、次いでそのその(Al−5%Si合金) 16 の上に、そのAl−Si合金全体を覆うようにCu 13 を厚さ1μmを真空蒸着し、図5(d)に示すような電極を形成した。
▲5▼ 次に比較のために、構造5として、シリコンチップ 11 の上にAl 12 を厚さ1μmに真空蒸着し、次いでそのAl 12 の側面部を除く上面にCu 13 を厚さ1μmに真空蒸着し、図5(e)に示すような電極を形成した。
▲6▼ 構造6として、シリコンチップ 11 上に厚さ1μmのCu 13 を真空蒸着し次いでそのそのCu 13 の側面部を除く上面にNi 14 を厚さ3μmを真空蒸着し、図5(f)に示すような電極を形成した。
【0027】
上記図5(a)〜(f)に示すような構造の電極付きシリコンチップ(電極数32個、電極ピッチ250μm、電極径90μmφ)を、それぞれ硫酸水溶液で前処理をし、次いで酢酸によりpHを約4.5に調整した下記化学式(1)式で示す2−ウンデシルイミダゾールの2重量%水溶液からなる粘着性付与溶液に40℃に加温し5分間浸漬した。
【0028】
【化1】
【0029】
次にこれらの6個のシリコン素子を取り出し、水洗し、乾燥後、平均粒径120μmの20%Sn−80%Pbのはんだ粉末をシリコン素子全面に振りかけ、電極部分以外にある余分な粉末をエアで吹き飛ばした。この時のはんだ粉末の付着状態は表1に示すようであった。
【0030】
【表1】
【0031】
このようにはんだ粉末を付着したシリコン素子を窒素気流中で170℃、30秒間加熱し、はんだ粉末を定着した後、水溶性フラックスを塗布し、酸素含有量500ppmの窒素ガスを流しているリフロー炉で予熱150℃、リフロー温度300℃ではんだ粉末を溶融し、はんだバンプを形成した。熱水で洗浄した後、はんだバンプの生成状態及びその高さと高さの標準偏差(シグマ)を測定した。結果を表2に示す。これから見て図5(a)〜(d)に示すような電極構造であれば安定して回路基板に使用することができる。
【0032】
【表2】
【0033】
(実施例2)
図6に示すように、シリコン素子 20 シリコン面 21 上(逆さになっている。)に、厚さ1μmのAl 22 を真空蒸着し、次いでそのAl 22 の上に、全露出表面を覆うようにCu 23 を厚さ1μmに真空蒸着した電極を構成した。この電極付きシリコン素子(電極数32個、電極ピッチ250μm、電極径90μmφ)を、まず硫酸水溶液で前処理をし、次いで酢酸によりpHを約4.5に調整した2−ウンデシルイミダゾールの2重量%水溶液からなるはんだ粘着性付与溶液を40℃に加温し、これに5分間浸漬した。
【0034】
次に該素子を溶液から取り出し、水洗し、乾燥後、20%Sn−80%Pbはんだ粉末を振りかけ、余分な粉末をエアで吹き飛ばした。
このようにはんだ粉末を付着したシリコン素子を窒素気流中で170℃、30秒間加熱し、はんだ粉末を定着した後、水溶性フラックスを定着したはんだの上に塗布し、酸素含有量500ppmの窒素ガスを流しているリフロー炉で予熱温度150℃、リフロー温度300℃ではんだ粉末を溶融し、はんだバンプ 25 を形成した。その後熱水で洗浄しはんだ被着シリコン素子 20 とした。
【0035】
一方図7に示すような、幅90μm、ピッチ250μmの銅貼り回路 32 を有する基板 31 の、銅貼り回路 32 の所定位置(シリコン被着素子 20 のはんだバンプ 25 の位置に該当する)を90μm×90μmの大きさに露出させ、他の部分をレジスト樹脂で被覆した基板 31 を準備した。
この基板 31 をまず硫酸水溶液で酸洗処理し、酢酸でpHを約4.5に調整し、40℃に加温した2−ウンデシルイミダゾールの2wt%水溶液からなる粘着性付与液に5分間浸漬した後、基板を水洗・乾燥し、露出した銅貼り回路部分に粘着性を付与した。
該基板に粒径70〜90μmのSn−37%Pb共晶はんだ粉末を振りかけ、粘着部にはんだ粉末を付着させ、粘着部に付着した以外の余分なはんだ粉末をエアで吹き払って除去した。はんだ粉末を付着したプリント基板を170℃の窒素気流中で30秒間加熱しはんだ粉末を定着した後、この定着したはんだ粉末の上に水溶性フラックスを塗布し、酸素含有量500ppmの窒素ガスを流しているリフロー炉中で200℃に加熱してはんだを溶融し、はんだバンプ 33 を形成した。最後に基板を熱水で洗浄し、図7に示すような、プリント基板の所定位置にはんだバンプ 33 を有するはんだ被着プリント基板 30 を得た。
これらの両者のはんだバンプ 25、33にフラックスを塗布し、酸素含有量500ppmの窒素ガスを流しているリフロー炉で予熱温度150℃、リフロー温度200℃ではんだを溶融し図6に示すように接合した。接合後のバンプの高さを表3に示す。
【0036】
【表3】
【0037】
【発明の効果】
本発明の半導体素子は、耐はんだ耐食性、はんだ濡れ性が良いのではんだに対する密着性に優れている。また第1の金属層と第2の金属層の中間に中間金属層を挿入した時は表面電極の強度が向上する。またこれらの金属層はそれより下層の金属層を完全に覆っているので下層の金属がはんだに食われたり、粘着性を付与するための薬品にサイドエッチされることがない。
更にはんだ粉末を付着させる際には、付着させるはんだ粉末の粒径を選択することによりはんだの厚みをコントロールしやすい。このはんだ被着シリコン素子を回路基板に搭載する時は、回路基板側も同様にはんだバンプを形成した後に実装させることにより、ボンディング高さを大きく取ることができるので、同材質、同じ半導体素子を使用しても耐熱性を高くすることが可能であり基板の設計も容易になった。
このようにボンディングワイヤーなしの実装が可能となったため接続抵抗を小さくし、接続強度を高く維持でき、また接続もはんだ/はんだの接続であるので信頼性も高いものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるシリコン半導体素子に用いられる電極構造の一実施例を示す断面図である。
【図2】本発明によるシリコン半導体素子に用いられる電極構造の他の実施例を示す断面図である。
【図3】(a)は、図1の半導体素子の電極を絶縁物で遮蔽した状態を示す断面図、(b)は(a)の素子に窓を開け金属回路露出部のみに粘着性を付与した状態の断面図。
【図4】(a)は、図3(b)の粘着部にはんだ粉末を付着させた状態を示す断面図、(b)は、図4(a)のはんだ粉末を溶融させてはんだバンプを形成させた半導体素子の断面図。
【図5】(a)は、実施例1において半導体素子面上に形成した構造1の電極構造を示す説明図。(b)は、実施例1において半導体素子面上に形成した構造2の電極構造を示す説明図。(c)は、実施例1において半導体素子面上に形成した構造3の電極構造を示す説明図。(d)は、実施例1において半導体素子面上に形成した構造4の電極構造を示す説明図。(e)は、比較のために半導体素子面上に形成した構造5の電極構造を示す説明図。(f)は、比較のために半導体素子面上に形成した構造6の電極構造を示す説明図。
【図6】本発明のシリコン素子を使用した回路基板の接合部の断面図。
【図7】シリコン素子を接合する前の回路基板の平面図。
【符号の説明】
1 半導体素子
2 第1の金属層
3 第2の金属層
4 中間金属層
5 絶縁物
6 粘着部
7 はんだ粉末
8 はんだバンプ
11 シリコンチップ
12 Al
13 Cu
14 Ni
15 SiO2
16 Al−5%Si合金
20 はんだ被着シリコン素子
21 シリコン基板
22 Al
23 Cu
24 絶縁樹脂
25 はんだバンプ
30 はんだ被着回路基板
31 プリント回路基板
32 銅貼り回路
33 はんだバンプ
Claims (9)
- シリコン半導体面上に設けられ、シリコン半導体とオーミック接合をなす第1の金属層、該第1の金属層の全露出表面を完全に覆うように、有機酸に対して耐腐食性が高く且つはんだ濡れ性が良い金属を積層した第2の金属層、さらに該第2の金属層に金属露出部のみに粘着性を付与する薬剤を用いて粘着性を付与し、ハンダ粉末を付着させた後にリフローしたはんだバンプとからなるはんだ被着シリコン半導体素子。
- 上記第1の金属層が、Cu、Al、Ti、WまたはAl基合金のうちの1種からなり、該第2の金属層がCu、NiまたはAuであって、第1の金属層の金属がCuの時はNiまたはAuからなる請求項1に記載のはんだ被着シリコン半導体素子。
- 該第1の金属層と第2の金属層の間にNiまたはCrからなる中間層であって、第2の金属層がNiの時はCrに限定される中間金属層が介在し、該中間金属層は第1の金属層の全露出表面を完全に覆い、更に第2の金属層は該中間金属層の全露出表面を完全に覆っている請求項1または2に記載のはんだ被着シリコン半導体素子。
- 該第2の金属層の表面の所定範囲を除く全露出表面を絶縁物により遮蔽した請求項1〜3のいずれか1項に記載のはんだ被着シリコン半導体素子。
- シリコン半導体基板と、シリコン半導体基板上に設けられ、シリコン半導体とオーミック接合をなす第1の金属層と、該第1の金属層の全露出表面を完全に覆うように積層した、第1の金属より有機酸に対して耐腐食性が高く、かつはんだ濡れ性が良い第2の金属層からなる半導体素子を、ナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体の内の少なくとも一種を用いて処理することにより、露出した該第2の金属層の部分にのみ、粘着性を付与してハンダ粉末を付着させた後にリフローしたはんだバンプとからなることを特徴とするはんだ被着シリコン半導体素子。
- シリコン基板に、第1の金属層を積層し、該第1の金属層の全露出面を完全に覆うように第2の金属層を積層し、次いで上記第2の金属層の全表面を被覆材で被覆した後、所定部分の該被覆材をエッチング除去して該第2の金属層の表面の所定の範囲に窓を開け、ついで窓の部分の該第2の金属層に選択的にナフトトリアゾール系誘導体、ベンゾトリアゾール系誘導体、イミダゾール系誘導体、ベンゾイミダゾール系誘導体、メルカプトベンゾチアゾール系誘導体及びベンゾチアゾールチオ脂肪酸系誘導体の内の少なくとも一種を用いて粘着性を付与し、該粘着部にはんだ粉末を付着させ、該はんだ粉末をリフローすることからなるはんだ被着シリコン半導体素子の製造方法。
- 請求項1ないし5のいずれか1項に記載のはんだ被着シリコン半導体素子とはんだ被着回路基板を、はんだ搭載部同士を重ねて実装した回路基板。
- 回路基板の金属露出部のみに選択的に粘着性を付与し、該粘着部にはんだ粉末を付着させた後、はんだ粉末をリフローしてはんだ被着回路基板とし、次いでこのはんだバンプにはんだ被着シリコン半導体素子のはんだバンプを重ねて溶融接合し、両者の間隙部に封止用絶縁樹脂を充填することからなる回路基板の製造方法。
- はんだ被着回路基板及びはんだ被着シリコン半導体素子のそれぞれのはんだバンプに使用したはんだが、融点が異なるはんだである請求項8に記載の回路基板の製造方法。
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