JP3774871B2 - 遅延型薄膜ヒューズ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、遅延型薄膜ヒューズに係り、電子機器の過電流保護を目的とした耐パルス性にすぐれた遅延型薄膜ヒューズに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
短い時間の大きな電流では溶断せず、長時間の規定電流で溶断するという、いわゆる耐パルス性を有するヒューズとしては、これまで電流ヒューズとヒータ＋温度ヒューズの２つを組み合わせたタイムラグ型ヒューズが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなタイムラグ型ヒューズは、上記のように電流ヒューズ、ヒータ、温度ヒューズの３点から構成されるため、ヒューズ自体を小型化することは困難であった。一方、低融点金属材料を用いて小型化されたヒューズも見られるが、このようなヒューズは耐パルス性を有していない。
【０００４】
この発明は、耐パルス性にすぐれ、しかも超小型化が可能なヒューズを提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、この発明は、基板の一方の面の一端から他端まで高融点で低比抵抗の第１金属薄膜を形成し、第１金属薄膜の中央部上に低融点で高比抵抗の第２金属薄膜を形成し、第１金属薄膜と第２金属薄膜とが重なる部分によって溶断部を形成し、この溶断部を覆うように前記基板の一方の面上に絶縁被覆層を形成し、前期溶断部と前記基板の一方の面との間に間隙を形成したものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
この発明のヒューズは、上記のようにヒューズ素子を高融点で低比抵抗の金属材料と、低融点で高比抵抗の金属材料の２種の材料を積層して得たことにより、高電流域においては、高融点で低比抵抗の金属材料の溶断特性を呈する。そして、低電流域においては、低融点で高比抵抗の金属材料がまず溶融し、比抵抗の急激な増加により消費電力が増大すると、この時、ヒューズの溶断部が急速に加熱される結果、単一金属材料よりなるヒューズに比べて、高融点で低比抵抗の金属材料の融点に早く達することとなり、耐パルス性にすぐれた溶断特性を示すのである。
【０００７】
この発明において、ヒューズ素子を２種類の金属材料の積層構造として得るに際し、高融点で低比抵抗の金属材料としては、銅、銀などあるいはそれらの合金が用いられ、低融点で高比抵抗の金属材料としては、錫、鉛、亜鉛などあるいはそれらの合金を用いるのが好ましい。
【０００８】
以下、この発明の詳細を図に基づいて説明すると、図１はこの発明による遅延型薄膜ヒューズの構造を示すものであり、（ａ）はその断面図、(ｂ)は平面図である。図において、１はセラミック基板であり、２はこのセラミック基板１上に２種類の金属材料２ａ、２ｂの薄膜を用いて積層構成したヒューズ素子である。４はヒューズ素子２を保護するシリコーンゴム等からなる絶縁保護層であり、５は側面電極である。
【０００９】
このヒューズ素子２を構成する２種類の金属材料２ａ、２ｂにおいて、２ａは高融点で低比抵抗を有する金属材料からなる薄膜、２ｂは低融点で高比抵抗を有する金属材料からなる薄膜にて形成されている。そして、ヒューズ素子２の溶断部３はセラミック基板１との間に１〜２０μの間隙６を有して形成されている。
【００１０】
このような構成のヒューズの製造を、具体的な一例について説明すると、まずセラミック基板１上のヒューズ溶断部が位置する部分にフォトレジストにより有機薄膜を例えば１０μの厚さに形成する。次いで、上記で形成した有機薄膜上を含むセラミック基板１上に高融点で低比抵抗を有する銅の薄膜２ａを真空蒸着、メッキ、エッチング等にて形成し、さらにその上に低融点で高比抵抗を有する錫の薄膜２ｂを同様にして形成してヒューズ素子２を形成する。
【００１１】
その後、セラミック基板１とヒューズ素子２の間の有機薄膜をアセトンにて溶解、除去することにより、図１（ａ）のようにセラミック基板１とヒューズ素子２の溶断部３との間に間隙６を形成する。
【００１２】
次いで、ヒューズ素子２の周囲にシリコーンゴムを用いて、スクリーン印刷等にて絶縁保護被覆層４を施したのち、蒸着、エッチング等にて側面電極５を設けることによって遅延型薄膜ヒューズが得られる。
【００１３】
このようにして、図１に示すように、外形寸法が長さＬ：２．０ｍｍ、幅Ｗ：１．２５ｍｍ、厚みＴ：０．５ｍｍのヒューズで、ヒューズ素子２を構成する高融点で低比抵抗を有する銅の薄膜２ａの厚みを２０μｍ、低融点で高比抵抗を有する錫の薄膜２ｂの厚みを１５μｍとし、その溶断部３の長さｌ：０．５ｍｍ、幅ｗ：０．１ｍｍの超小型の薄膜ヒューズを得た。
【００１４】
かくして得たこの発明の超小型薄膜ヒューズと、ヒューズ素子として低融点金属を用いた従来のヒューズについて、夫々の溶断特性（電流−時間特性）を測定したところ、図２の結果が得られ、この発明のヒューズが高融点で低比抵抗を有する金属材料からなる薄膜と低融点で高比抵抗を有する金属材料からなる薄膜との積層構造のヒューズ素子としたことによって、耐パルス性にすぐれていることが認められた。
【００１５】
また、この発明になる上記の外形寸法のヒューズにおいて、ヒューズ素子２を構成する高融点で低比抵抗を有する銅の薄膜２ａおよび低融点で高比抵抗を有する錫の薄膜２ｂの厚みがそれぞれ１〜５０μｍ、その溶断部３の長さｌが０．１〜１．０ｍｍ、幅ｗが０．０１〜０．３ｍｍの範囲内では、耐パルス性にすぐれた溶断特性が得られることが認められた。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明のヒューズは、ヒューズ素子を高融点で低比抵抗を有する金属材料および低融点で高比抵抗を有する金属材料の２種類の積層構造としたことによって、耐パルス性にすぐれた溶断特性を示す超小型の遅延型薄膜ヒューズとして有用であることが認められた。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の遅延型薄膜ヒューズを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】この発明のヒューズと従来のヒューズの溶断特性を示す線図である。
【符号の説明】
１ セラミック基板
２ ヒューズ素子
２ａ 高融点で低比抵抗を有する金属材料薄膜
２ｂ 低融点で高比抵抗を有する金属材料薄膜
３ ヒューズ溶断部
４ 絶縁被覆層
５ 側面電極
６ 間隙
【発明の属する技術分野】
この発明は、遅延型薄膜ヒューズに係り、電子機器の過電流保護を目的とした耐パルス性にすぐれた遅延型薄膜ヒューズに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
短い時間の大きな電流では溶断せず、長時間の規定電流で溶断するという、いわゆる耐パルス性を有するヒューズとしては、これまで電流ヒューズとヒータ＋温度ヒューズの２つを組み合わせたタイムラグ型ヒューズが知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このようなタイムラグ型ヒューズは、上記のように電流ヒューズ、ヒータ、温度ヒューズの３点から構成されるため、ヒューズ自体を小型化することは困難であった。一方、低融点金属材料を用いて小型化されたヒューズも見られるが、このようなヒューズは耐パルス性を有していない。
【０００４】
この発明は、耐パルス性にすぐれ、しかも超小型化が可能なヒューズを提供することを目的とするものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】
上記した目的を達成するために、この発明は、基板の一方の面の一端から他端まで高融点で低比抵抗の第１金属薄膜を形成し、第１金属薄膜の中央部上に低融点で高比抵抗の第２金属薄膜を形成し、第１金属薄膜と第２金属薄膜とが重なる部分によって溶断部を形成し、この溶断部を覆うように前記基板の一方の面上に絶縁被覆層を形成し、前期溶断部と前記基板の一方の面との間に間隙を形成したものである。
【０００６】
【発明の実施の形態】
この発明のヒューズは、上記のようにヒューズ素子を高融点で低比抵抗の金属材料と、低融点で高比抵抗の金属材料の２種の材料を積層して得たことにより、高電流域においては、高融点で低比抵抗の金属材料の溶断特性を呈する。そして、低電流域においては、低融点で高比抵抗の金属材料がまず溶融し、比抵抗の急激な増加により消費電力が増大すると、この時、ヒューズの溶断部が急速に加熱される結果、単一金属材料よりなるヒューズに比べて、高融点で低比抵抗の金属材料の融点に早く達することとなり、耐パルス性にすぐれた溶断特性を示すのである。
【０００７】
この発明において、ヒューズ素子を２種類の金属材料の積層構造として得るに際し、高融点で低比抵抗の金属材料としては、銅、銀などあるいはそれらの合金が用いられ、低融点で高比抵抗の金属材料としては、錫、鉛、亜鉛などあるいはそれらの合金を用いるのが好ましい。
【０００８】
以下、この発明の詳細を図に基づいて説明すると、図１はこの発明による遅延型薄膜ヒューズの構造を示すものであり、（ａ）はその断面図、(ｂ)は平面図である。図において、１はセラミック基板であり、２はこのセラミック基板１上に２種類の金属材料２ａ、２ｂの薄膜を用いて積層構成したヒューズ素子である。４はヒューズ素子２を保護するシリコーンゴム等からなる絶縁保護層であり、５は側面電極である。
【０００９】
このヒューズ素子２を構成する２種類の金属材料２ａ、２ｂにおいて、２ａは高融点で低比抵抗を有する金属材料からなる薄膜、２ｂは低融点で高比抵抗を有する金属材料からなる薄膜にて形成されている。そして、ヒューズ素子２の溶断部３はセラミック基板１との間に１〜２０μの間隙６を有して形成されている。
【００１０】
このような構成のヒューズの製造を、具体的な一例について説明すると、まずセラミック基板１上のヒューズ溶断部が位置する部分にフォトレジストにより有機薄膜を例えば１０μの厚さに形成する。次いで、上記で形成した有機薄膜上を含むセラミック基板１上に高融点で低比抵抗を有する銅の薄膜２ａを真空蒸着、メッキ、エッチング等にて形成し、さらにその上に低融点で高比抵抗を有する錫の薄膜２ｂを同様にして形成してヒューズ素子２を形成する。
【００１１】
その後、セラミック基板１とヒューズ素子２の間の有機薄膜をアセトンにて溶解、除去することにより、図１（ａ）のようにセラミック基板１とヒューズ素子２の溶断部３との間に間隙６を形成する。
【００１２】
次いで、ヒューズ素子２の周囲にシリコーンゴムを用いて、スクリーン印刷等にて絶縁保護被覆層４を施したのち、蒸着、エッチング等にて側面電極５を設けることによって遅延型薄膜ヒューズが得られる。
【００１３】
このようにして、図１に示すように、外形寸法が長さＬ：２．０ｍｍ、幅Ｗ：１．２５ｍｍ、厚みＴ：０．５ｍｍのヒューズで、ヒューズ素子２を構成する高融点で低比抵抗を有する銅の薄膜２ａの厚みを２０μｍ、低融点で高比抵抗を有する錫の薄膜２ｂの厚みを１５μｍとし、その溶断部３の長さｌ：０．５ｍｍ、幅ｗ：０．１ｍｍの超小型の薄膜ヒューズを得た。
【００１４】
かくして得たこの発明の超小型薄膜ヒューズと、ヒューズ素子として低融点金属を用いた従来のヒューズについて、夫々の溶断特性（電流−時間特性）を測定したところ、図２の結果が得られ、この発明のヒューズが高融点で低比抵抗を有する金属材料からなる薄膜と低融点で高比抵抗を有する金属材料からなる薄膜との積層構造のヒューズ素子としたことによって、耐パルス性にすぐれていることが認められた。
【００１５】
また、この発明になる上記の外形寸法のヒューズにおいて、ヒューズ素子２を構成する高融点で低比抵抗を有する銅の薄膜２ａおよび低融点で高比抵抗を有する錫の薄膜２ｂの厚みがそれぞれ１〜５０μｍ、その溶断部３の長さｌが０．１〜１．０ｍｍ、幅ｗが０．０１〜０．３ｍｍの範囲内では、耐パルス性にすぐれた溶断特性が得られることが認められた。
【００１６】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明のヒューズは、ヒューズ素子を高融点で低比抵抗を有する金属材料および低融点で高比抵抗を有する金属材料の２種類の積層構造としたことによって、耐パルス性にすぐれた溶断特性を示す超小型の遅延型薄膜ヒューズとして有用であることが認められた。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の遅延型薄膜ヒューズを示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は平面図である。
【図２】この発明のヒューズと従来のヒューズの溶断特性を示す線図である。
【符号の説明】
１ セラミック基板
２ ヒューズ素子
２ａ 高融点で低比抵抗を有する金属材料薄膜
２ｂ 低融点で高比抵抗を有する金属材料薄膜
３ ヒューズ溶断部
４ 絶縁被覆層
５ 側面電極
６ 間隙
Claims (1)
- 基板の一方の面の一端から他端まで高融点で低比抵抗の第１金属薄膜を形成し、第１金属薄膜の中央部上に低融点で高比抵抗の第２金属薄膜を形成し、第１金属薄膜と第２金属薄膜とが重なる部分によって溶断部を形成し、この溶断部を覆うように前記基板の一方の面上に絶縁被覆層を形成し、前期溶断部と前記基板の一方の面との間に間隙を形成した遅延型薄膜ヒューズ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29352695A JP3774871B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 遅延型薄膜ヒューズ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29352695A JP3774871B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 遅延型薄膜ヒューズ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09115418A JPH09115418A (ja) | 1997-05-02 |
| JP3774871B2 true JP3774871B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=17795889
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29352695A Expired - Fee Related JP3774871B2 (ja) | 1995-10-16 | 1995-10-16 | 遅延型薄膜ヒューズ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3774871B2 (ja) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19738575A1 (de) * | 1997-09-04 | 1999-06-10 | Wickmann Werke Gmbh | Elektrisches Sicherungselement |
| JP4396787B2 (ja) * | 1998-06-11 | 2010-01-13 | 内橋エステック株式会社 | 薄型温度ヒュ−ズ及び薄型温度ヒュ−ズの製造方法 |
| JP3640146B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2005-04-20 | ソニーケミカル株式会社 | 保護素子 |
| JP4368039B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2009-11-18 | 三洋電機株式会社 | 自己発熱素子を有する温度ヒューズとこの温度ヒューズを内蔵するパック電池 |
| US7477130B2 (en) | 2005-01-28 | 2009-01-13 | Littelfuse, Inc. | Dual fuse link thin film fuse |
| JP5346705B2 (ja) * | 2009-06-17 | 2013-11-20 | 大東通信機株式会社 | 電流ヒューズ |
| CN101944463B (zh) * | 2010-08-31 | 2012-11-28 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种薄膜片式保险丝及其制备方法 |
| JP6364243B2 (ja) * | 2013-08-07 | 2018-07-25 | デクセリアルズ株式会社 | 保護素子及びバッテリパック |
| JP6184805B2 (ja) * | 2013-08-28 | 2017-08-23 | デクセリアルズ株式会社 | 遮断素子、及び遮断素子回路 |
| JP6214318B2 (ja) * | 2013-10-09 | 2017-10-18 | デクセリアルズ株式会社 | 電流ヒューズ |
| AT514950B1 (de) * | 2014-01-07 | 2015-05-15 | Avl List Gmbh | Öleinfüllvorrichtung |
-
1995
- 1995-10-16 JP JP29352695A patent/JP3774871B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH09115418A (ja) | 1997-05-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050614 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050815 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
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