JP2000149760A - 過電流遮断方法及び電流ヒュ−ズエレメント - Google Patents
過電流遮断方法及び電流ヒュ−ズエレメントInfo
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- JP2000149760A JP2000149760A JP10323095A JP32309598A JP2000149760A JP 2000149760 A JP2000149760 A JP 2000149760A JP 10323095 A JP10323095 A JP 10323095A JP 32309598 A JP32309598 A JP 32309598A JP 2000149760 A JP2000149760 A JP 2000149760A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電流ヒュ−ズエレメントの破断メカニズムを改
変することにより電流ヒュ−ズエレメントの小型化を図
る。 【解決手段】局部的狭巾部１１を有する金属膜１を易割
性基板２上に設けて成る電流ヒュ−ズエレメントを用
い、過電流通電により金属膜の局部的狭巾部１１を集中
発熱させ、前記易割性基板２を前記集中発熱により発生
する熱応力で破断させる。
変することにより電流ヒュ−ズエレメントの小型化を図
る。 【解決手段】局部的狭巾部１１を有する金属膜１を易割
性基板２上に設けて成る電流ヒュ−ズエレメントを用
い、過電流通電により金属膜の局部的狭巾部１１を集中
発熱させ、前記易割性基板２を前記集中発熱により発生
する熱応力で破断させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は過電流遮断方法及び
この方法において使用する電流ヒュ−ズエレメントに関
するものである。
この方法において使用する電流ヒュ−ズエレメントに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】近来、半導体デバイスを用いた電子機器
の小型化を図るために、抵抗やコンデンサもチップサイ
ズとされ、電流ヒユ−ズにおいてもチップサイズ化が要
求されている。従来、絶縁基板上に蒸着等によりヒュ−
ズエレメントを設けた薄膜タイプの電流ヒュ−ズは公知
に属する。例えば、ヒュ−ズ抵抗器、すなわち、機器の
正常作動時には一般回路用抵抗器として機能させ、異常
な過電流に対しては断線により回路を遮断させる抵抗器
において、絶縁基板上に抵抗膜を設けたものが公知であ
る。
の小型化を図るために、抵抗やコンデンサもチップサイ
ズとされ、電流ヒユ−ズにおいてもチップサイズ化が要
求されている。従来、絶縁基板上に蒸着等によりヒュ−
ズエレメントを設けた薄膜タイプの電流ヒュ−ズは公知
に属する。例えば、ヒュ−ズ抵抗器、すなわち、機器の
正常作動時には一般回路用抵抗器として機能させ、異常
な過電流に対しては断線により回路を遮断させる抵抗器
において、絶縁基板上に抵抗膜を設けたものが公知であ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
薄膜電流ヒュ−ズでは、遮断後絶縁基板上に残存物が残
り、それだけ遮断後の絶縁性が低くなり、絶縁距離の確
保のためにかなりの電極間距離の設定が余儀なくされ、
小型化に不利である。
薄膜電流ヒュ−ズでは、遮断後絶縁基板上に残存物が残
り、それだけ遮断後の絶縁性が低くなり、絶縁距離の確
保のためにかなりの電極間距離の設定が余儀なくされ、
小型化に不利である。
【０００４】本発明の目的は、電流ヒュ−ズエレメント
の破断メカニズムを改変することにより電流ヒュ−ズエ
レメントの小型化を図ることにある。
の破断メカニズムを改変することにより電流ヒュ−ズエ
レメントの小型化を図ることにある。
【０００５】
【課題の解決手段】本発明に係る過電流遮断方法は、局
部的狭巾部を有する金属膜を易割性基板上に設けて成る
電流ヒュ−ズエレメントを用い、過電流通電により金属
膜の局部的狭巾部を集中発熱させ、前記易割性基板を前
記集中発熱により発生する熱応力で破断させることを特
徴とする構成である。
部的狭巾部を有する金属膜を易割性基板上に設けて成る
電流ヒュ−ズエレメントを用い、過電流通電により金属
膜の局部的狭巾部を集中発熱させ、前記易割性基板を前
記集中発熱により発生する熱応力で破断させることを特
徴とする構成である。
【０００６】本発明に係る電流ヒュ−ズエレメントは、
局部的狭巾部を有する金属膜をガラス基板上に設けたこ
とを特徴とする構成であり、ガラス基板に破断用溝を金
属膜の局部的狭巾部の近傍において設けることができ、
また金属膜にはマグネシウムまたはマグネシウム合金膜
を用いることができる。
局部的狭巾部を有する金属膜をガラス基板上に設けたこ
とを特徴とする構成であり、ガラス基板に破断用溝を金
属膜の局部的狭巾部の近傍において設けることができ、
また金属膜にはマグネシウムまたはマグネシウム合金膜
を用いることができる。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について説明する。図１の（イ）及び図１の
（ロ）〔図１の（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明
において使用する電流ヒュ−ズエレメントの一例を示
し、局部的狭巾部１１を有する金属膜１を易割性基板２
上に設けてある。
実施の形態について説明する。図１の（イ）及び図１の
（ロ）〔図１の（イ）におけるロ−ロ断面図〕は本発明
において使用する電流ヒュ−ズエレメントの一例を示
し、局部的狭巾部１１を有する金属膜１を易割性基板２
上に設けてある。
【０００８】この電流ヒュ−ズエレメントを用いた過電
流の遮断メカニズムは、（１）過電流により金属膜１の
局部的狭巾部１１にジュ−ル熱が発生され、（２）この
ジュ−ル熱により金属膜の局部的狭巾部１１及びその近
傍の易割性基板部分２０が加熱され、（３）この加熱に
より前記易割性基板が熱応力で破断されることの経時的
段階からなる。
流の遮断メカニズムは、（１）過電流により金属膜１の
局部的狭巾部１１にジュ−ル熱が発生され、（２）この
ジュ−ル熱により金属膜の局部的狭巾部１１及びその近
傍の易割性基板部分２０が加熱され、（３）この加熱に
より前記易割性基板が熱応力で破断されることの経時的
段階からなる。
【０００９】この場合、上記（２）での金属膜の局部的
狭巾部の集中加熱により、その局部的狭巾部自体を酸化
により絶縁物化させて上記の過電流遮断を、金属膜の局
部的狭巾部の熱応力による破断とその絶縁物化の双方か
ら行わせることが好ましく、かかる金属膜としてはマグ
ネシウムまたはマグネシウム合金膜を挙げることができ
る。マグネシウムまたはマグネシウム合金においては、
常温〜３００℃程度ではさしたる活性を呈しないが、４
００℃を越えると活性化して激しく酸化し、その反応熱
により蒸気化して瞬時に酸化マグネシウムになり、この
酸化マグネシウムが高い絶縁性を呈するからである。
狭巾部の集中加熱により、その局部的狭巾部自体を酸化
により絶縁物化させて上記の過電流遮断を、金属膜の局
部的狭巾部の熱応力による破断とその絶縁物化の双方か
ら行わせることが好ましく、かかる金属膜としてはマグ
ネシウムまたはマグネシウム合金膜を挙げることができ
る。マグネシウムまたはマグネシウム合金においては、
常温〜３００℃程度ではさしたる活性を呈しないが、４
００℃を越えると活性化して激しく酸化し、その反応熱
により蒸気化して瞬時に酸化マグネシウムになり、この
酸化マグネシウムが高い絶縁性を呈するからである。
【００１０】このマグネシウムまたはマグネシウム合金
膜の厚みは、数１００Å〜数１０００Å、好ましくは
０．１μｍ程度とされ、マグネシウム合金には、例えば
ＪＩＳＨ ４２０１の１種マグネシウム合金板（Ａｌ：
２．５〜３．５重量％、Ｚｎ：０．５〜１．５重量、Ｍ
ｎ：０．１５重量％以上、Ｆｅ：０．０１重量％以下、
Ｃｕ：０．１０重量％以下、Ｎｉ：０．００５重量％以
下、Ｃａ：０．０４重量％以下、残部Ｍｇ）を使用でき
る。マグネシウムまたはマグネシウム合金膜の形成に
は、真空蒸着法、蒸発金属を放電雰囲気中でイオン化し
印加電圧によって基板表面に衝撃的に蒸着させるイオン
プレ−ティング法、スパッタリング等を使用できる。
膜の厚みは、数１００Å〜数１０００Å、好ましくは
０．１μｍ程度とされ、マグネシウム合金には、例えば
ＪＩＳＨ ４２０１の１種マグネシウム合金板（Ａｌ：
２．５〜３．５重量％、Ｚｎ：０．５〜１．５重量、Ｍ
ｎ：０．１５重量％以上、Ｆｅ：０．０１重量％以下、
Ｃｕ：０．１０重量％以下、Ｎｉ：０．００５重量％以
下、Ｃａ：０．０４重量％以下、残部Ｍｇ）を使用でき
る。マグネシウムまたはマグネシウム合金膜の形成に
は、真空蒸着法、蒸発金属を放電雰囲気中でイオン化し
印加電圧によって基板表面に衝撃的に蒸着させるイオン
プレ−ティング法、スパッタリング等を使用できる。
【００１１】上記（２）での易割性基板の局部的加熱の
ためには、金属膜の局部的狭巾部のジュ−ル熱を基板側
によく伝達できるように易割性基板を低熱抵抗にする必
要があり、その局部的加熱による熱応力で易割性基板を
破断させるには、易割性基板の熱膨張係数及びヤング率
が大でかつ機械的強度の低いことが要求される。
ためには、金属膜の局部的狭巾部のジュ−ル熱を基板側
によく伝達できるように易割性基板を低熱抵抗にする必
要があり、その局部的加熱による熱応力で易割性基板を
破断させるには、易割性基板の熱膨張係数及びヤング率
が大でかつ機械的強度の低いことが要求される。
【００１２】而して、金属膜が膜厚み０．１μｍ程度の
マグネシウムまたはマグネシウム合金膜の場合、易割性
基板には厚み０．２〜０．８ｍｍ程度のガラス板を用い
ることが好ましい。このガラス板を選択することは、ガ
ラス板がキャスト成形により製造されるために表面が平
滑であり、上記０．１μｍ程度のマグネシウムまたはマ
グネシウム合金膜の形成が容易である有利性もある（セ
ラミックス基板では、焼成法によるために表面が粗であ
り、膜厚０．１μｍ程度の超薄膜の金属膜の形成は困難
である）。
マグネシウムまたはマグネシウム合金膜の場合、易割性
基板には厚み０．２〜０．８ｍｍ程度のガラス板を用い
ることが好ましい。このガラス板を選択することは、ガ
ラス板がキャスト成形により製造されるために表面が平
滑であり、上記０．１μｍ程度のマグネシウムまたはマ
グネシウム合金膜の形成が容易である有利性もある（セ
ラミックス基板では、焼成法によるために表面が粗であ
り、膜厚０．１μｍ程度の超薄膜の金属膜の形成は困難
である）。
【００１３】上記易割性基板の熱応力による破断は、易
割性基板が部分的に加熱され、その部分的加熱による熱
応力で易割性基板が破断されることにあり、図１により
この破断を単純化して説明すると次の通りである。すな
わち、図１において、巾ａの部分が局部的に加熱されそ
の温度上昇をΔＴ、基板のヤング率をE、基板の熱膨張
係数をαとし、金属膜の厚みが基板の厚みに較べて著し
く薄いために金属膜の機械的影響（熱膨張や熱応力）を
無視できるとすると、巾ｂ／２の各部分に作用する熱応
力δは、
割性基板が部分的に加熱され、その部分的加熱による熱
応力で易割性基板が破断されることにあり、図１により
この破断を単純化して説明すると次の通りである。すな
わち、図１において、巾ａの部分が局部的に加熱されそ
の温度上昇をΔＴ、基板のヤング率をE、基板の熱膨張
係数をαとし、金属膜の厚みが基板の厚みに較べて著し
く薄いために金属膜の機械的影響（熱膨張や熱応力）を
無視できるとすると、巾ｂ／２の各部分に作用する熱応
力δは、
【００１４】 δ＝ａEαΔＴ/(a＋ｂ)
【００１５】で把握でき、この熱応力δがガラス板の引
張り破断応力を越えたときに、ガラス基板が割れて通電
遮断される。
張り破断応力を越えたときに、ガラス基板が割れて通電
遮断される。
【００１６】上記において、金属膜の局部的狭巾部は巾
両側からのトリミングにより設けているが、巾一方側か
らのトリミングにより巾他方側に設けることもできる。
図２の（イ）に示すように、上記巾ｂ／２の各部分に溝
２１を加工して基板２を割れ易くすることもでき、この
場合、ガラス板の表面にマグネシウムまたはマグネシウ
ム合金膜を蒸着等により形成し、巾ｂ／２の各部分の金
属膜をレ−ザ−でカッティングする加工法を使用するこ
とができる（金属膜がレ−ザ−照射で溶断される際にそ
の直下のガラス部分が溶融切削され、ガラスが露出され
たのちはレ−ザ−が透過してそれ以上ガラスは切削され
ない）。また、図２の（ロ）に示すようにガラス基板２
の裏面にダイヤモンドカットで破断用溝２２を加工する
こともできる。更に、易割性基板に曲げ応力を予め残留
させておき、この残留応力に上記金属膜の局部的狭巾部
のジュ−ル発熱で発生する熱応力を重畳させて易割性基
板を破断させることも可能である。
両側からのトリミングにより設けているが、巾一方側か
らのトリミングにより巾他方側に設けることもできる。
図２の（イ）に示すように、上記巾ｂ／２の各部分に溝
２１を加工して基板２を割れ易くすることもでき、この
場合、ガラス板の表面にマグネシウムまたはマグネシウ
ム合金膜を蒸着等により形成し、巾ｂ／２の各部分の金
属膜をレ−ザ−でカッティングする加工法を使用するこ
とができる（金属膜がレ−ザ−照射で溶断される際にそ
の直下のガラス部分が溶融切削され、ガラスが露出され
たのちはレ−ザ−が透過してそれ以上ガラスは切削され
ない）。また、図２の（ロ）に示すようにガラス基板２
の裏面にダイヤモンドカットで破断用溝２２を加工する
こともできる。更に、易割性基板に曲げ応力を予め残留
させておき、この残留応力に上記金属膜の局部的狭巾部
のジュ−ル発熱で発生する熱応力を重畳させて易割性基
板を破断させることも可能である。
【００１７】図３は本発明に係るヒュ−ズエレメントを
用いた電流ヒュ−ズの一例を示している。図３におい
て、３はセラミックス絶縁基板、エポキシ樹脂含浸ガラ
ス基板等の絶縁基板であり、導電ペ−ストの塗布、銅箔
積層絶縁板の銅箔エッチング等により一対の電極３１，
３１を形成してある。Ａは本発明に係る電流ヒュ−ズエ
レメントであり、金属膜１側を下にして絶縁基板３上に
配設し、金属膜１の各端と各電極３１との間をはんだバ
ンプまたは導電性接着剤４等により接合してある。この
電流ヒュ−ズの寸法（絶縁基板の寸法）は例えば長さ
（２．０〜１．５）ｍｍ×巾（２．０〜１．０）ｍｍと
され、電流ヒュ−ズエレメントの寸法は例えば長さ
（１．０〜０．５）ｍｍ×巾（０．５〜０．３）ｍｍと
される。
用いた電流ヒュ−ズの一例を示している。図３におい
て、３はセラミックス絶縁基板、エポキシ樹脂含浸ガラ
ス基板等の絶縁基板であり、導電ペ−ストの塗布、銅箔
積層絶縁板の銅箔エッチング等により一対の電極３１，
３１を形成してある。Ａは本発明に係る電流ヒュ−ズエ
レメントであり、金属膜１側を下にして絶縁基板３上に
配設し、金属膜１の各端と各電極３１との間をはんだバ
ンプまたは導電性接着剤４等により接合してある。この
電流ヒュ−ズの寸法（絶縁基板の寸法）は例えば長さ
（２．０〜１．５）ｍｍ×巾（２．０〜１．０）ｍｍと
され、電流ヒュ−ズエレメントの寸法は例えば長さ
（１．０〜０．５）ｍｍ×巾（０．５〜０．３）ｍｍと
される。
【００１８】
【実施例】〔実施例１〕厚み０．５ｍｍのガラス板の片
面に厚み０．１μｍの金属マグネシウム膜を真空蒸着に
より被覆し、金属マグネシウム膜にレ−ザ−トリマ−で
局部的狭巾部を加工して電流ヒュ−ズエレメントを作成
した。この電流ヒュ−ズエレメントについて通電遮断試
験を行ったところ、ガラス板に割れが生じて電流が遮断
された。この通電遮断試験を行った試料につき直流８０
０Vの耐電圧試験を行ったところ、漏れ電流が１ｍＡに
満たず絶縁不良は認められなかった。
面に厚み０．１μｍの金属マグネシウム膜を真空蒸着に
より被覆し、金属マグネシウム膜にレ−ザ−トリマ−で
局部的狭巾部を加工して電流ヒュ−ズエレメントを作成
した。この電流ヒュ−ズエレメントについて通電遮断試
験を行ったところ、ガラス板に割れが生じて電流が遮断
された。この通電遮断試験を行った試料につき直流８０
０Vの耐電圧試験を行ったところ、漏れ電流が１ｍＡに
満たず絶縁不良は認められなかった。
【００１９】〔実施例２〕実施例１に対しガラス板に代
え薄膜用アルミナスム−ス基板を用い、金属マグネシウ
ム膜にレ−ザ−トリマ−で局部的狭巾部を形成する際に
基板に深さ０．２ｍｍ程度の溝を切削加工した。実施例
１と同様に、この電流ヒュ−ズエレメントについても通
電遮断試験を行ったところ、ガラス板に割れが生じて電
流が遮断され、更にこの通電遮断試験を行った試料につ
き直流８００Vの耐電圧試験を行ったところ、漏れ電流
が１ｍＡに満たず絶縁不良は認められなかった。
え薄膜用アルミナスム−ス基板を用い、金属マグネシウ
ム膜にレ−ザ−トリマ−で局部的狭巾部を形成する際に
基板に深さ０．２ｍｍ程度の溝を切削加工した。実施例
１と同様に、この電流ヒュ−ズエレメントについても通
電遮断試験を行ったところ、ガラス板に割れが生じて電
流が遮断され、更にこの通電遮断試験を行った試料につ
き直流８００Vの耐電圧試験を行ったところ、漏れ電流
が１ｍＡに満たず絶縁不良は認められなかった。
【００２０】〔実施例３〕真空蒸着の蒸着源としてＪＩ
Ｓ Ｈ ４２０１の１種マグネシウム合金板を用いて厚
み０．５ｍｍのガラス板の片面に厚み０．１μｍのマグ
ネシウム合金膜を真空蒸着により被覆し、マグネシウム
合金膜にレ−ザ−トリマ−で局部的狭巾部を加工して電
流ヒュ−ズエレメントを作成した。実施例１と同様に、
この電流ヒュ−ズエレメントについても通電遮断試験を
行ったところ、ガラス板に割れが生じて電流が遮断さ
れ、更にこの通電遮断試験を行った試料につき直流８０
０Vの耐電圧試験を行ったところ、漏れ電流が１ｍＡに
満たず絶縁不良は認められなかった。
Ｓ Ｈ ４２０１の１種マグネシウム合金板を用いて厚
み０．５ｍｍのガラス板の片面に厚み０．１μｍのマグ
ネシウム合金膜を真空蒸着により被覆し、マグネシウム
合金膜にレ−ザ−トリマ−で局部的狭巾部を加工して電
流ヒュ−ズエレメントを作成した。実施例１と同様に、
この電流ヒュ−ズエレメントについても通電遮断試験を
行ったところ、ガラス板に割れが生じて電流が遮断さ
れ、更にこの通電遮断試験を行った試料につき直流８０
０Vの耐電圧試験を行ったところ、漏れ電流が１ｍＡに
満たず絶縁不良は認められなかった。
【００２１】〔比較例〕実施例１に対し、金属マグネシ
ウム膜に代え銅膜を使用し、通電遮断試験を行った試料
につき直流８００Vの耐電圧試験を行ったところ、耐電
圧試験に不合格となり絶縁不良が認められた。
ウム膜に代え銅膜を使用し、通電遮断試験を行った試料
につき直流８００Vの耐電圧試験を行ったところ、耐電
圧試験に不合格となり絶縁不良が認められた。
【００２２】
【発明の効果】本発明は、局部的狭巾部を有する金属膜
に一体化した易割性基板を過電流通電時に熱応力破壊さ
せて通電遮断させる構成であり、通電遮断後の絶縁性が
高く、小サイズ化のもとでも通電遮断後の充分に高い絶
縁性を保証でき、電流ヒュ−ズエレメントのチップサイ
ズ化に極めて有用である。
に一体化した易割性基板を過電流通電時に熱応力破壊さ
せて通電遮断させる構成であり、通電遮断後の絶縁性が
高く、小サイズ化のもとでも通電遮断後の充分に高い絶
縁性を保証でき、電流ヒュ−ズエレメントのチップサイ
ズ化に極めて有用である。
【図１】本発明に係る電流ヒュ−ズエレメントの一例を
示す図面である。
示す図面である。
【図２】本発明に係る電流ヒュ−ズエレメントの異なる
別例の要部を示す図面である。
別例の要部を示す図面である。
【図３】本発明に係る電流ヒュ−ズエレメントを用いた
電流ヒュ−ズを示す図面である。
電流ヒュ−ズを示す図面である。
【符号の説明】 １ 金属膜 １１ 局部的狭巾部 ２ 易割性基板
Claims (4)
- 【請求項１】局部的狭巾部を有する金属膜を易割性基板
上に設けて成る電流ヒュ−ズエレメントを用い、過電流
通電により金属膜の局部的狭巾部を集中発熱させ、前記
易割性基板を前記集中発熱により発生する熱応力で破断
させることを特徴とする過電流遮断方法。 - 【請求項２】局部的狭巾部を有する金属膜をガラス基板
上に設けたことを特徴とする電流ヒュ−ズエレメント。 - 【請求項３】ガラス基板に破断用溝を金属膜の局部的狭
巾部の近傍において設けた請求項２記載の電流ヒュ−ズ
エレメント。 - 【請求項４】金属膜がマグネシウムまたはマグネシウム
合金膜である請求項２または３記載の電流ヒュ−ズエレ
メント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323095A JP2000149760A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 過電流遮断方法及び電流ヒュ−ズエレメント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10323095A JP2000149760A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 過電流遮断方法及び電流ヒュ−ズエレメント |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000149760A true JP2000149760A (ja) | 2000-05-30 |
Family
ID=18151030
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10323095A Pending JP2000149760A (ja) | 1998-11-13 | 1998-11-13 | 過電流遮断方法及び電流ヒュ−ズエレメント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000149760A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220440A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒューズの使用方法 |
| JP2011071126A (ja) * | 2010-11-10 | 2011-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 遮断機構を有する電力用半導体装置 |
| JP2012212689A (ja) * | 2012-07-23 | 2012-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 遮断機構を有する電力用半導体装置 |
| JP2014175129A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | ヒューズ |
-
1998
- 1998-11-13 JP JP10323095A patent/JP2000149760A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007220440A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Uchihashi Estec Co Ltd | 合金型温度ヒューズの使用方法 |
| JP2011071126A (ja) * | 2010-11-10 | 2011-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | 遮断機構を有する電力用半導体装置 |
| JP2012212689A (ja) * | 2012-07-23 | 2012-11-01 | Mitsubishi Electric Corp | 遮断機構を有する電力用半導体装置 |
| JP2014175129A (ja) * | 2013-03-07 | 2014-09-22 | Murata Mfg Co Ltd | ヒューズ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040210 |