JP3773533B2 - 集積回路 - Google Patents
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Description
本発明は、電力トランジスタおよび該電力トランジスタの電力損失を温度に依存して低減調整する回路装置を備えた集積回路に関する。
従来の技術
半導体素子殊に電力トランジスタを、有効な出力が一般に許容されている連続要求つまりはそれによって生じる連続損失をはるかに超えるように設計することは公知である。これにより半導体素子を低コストで製造することができる。なぜならば、それらを有効な出力による連続動作のために設計する必要がないからである。また、素子の温度に依存して起動可能な保護回路を半導体素子のために設けることも知られており、このことにより長期間持続する連続負荷(これに対して素子は設計されていない)に起因する素子の損傷を回避できるようになる。
さらに、限界温度を超えたときに半導体素子が遮断されるようにした回避装置も公知である。この場合、電力トランジスタの遮断は、集積されたセンサ素子において順方向電圧ないしは逆方向電流を測定することにより行われ、このセンサ素子により半導体素子が相応に制御される。これについてはTietze und Schenk,9.Auflage,p.523を参照。
また、DD-PS 227 835から、集積された過剰温度保護回路装置が公知である。この装置の場合、トランジスタのベース−エミッタ電圧にヒステリシスが与えられるよう複数のバイポーラトランジスタが結線されており、その際、トランジスタのスイッチオン状態ではカレントミラーの使用により、動作電流よりも小さくかつそれに対し常に一定の比をもつ電流が流れ出るよう、動作電流が変えられる。この場合、温度に依存して電力トランジスタのオンないしオフが行われる。遮断をしなければ電力損失の低減調整は不可能である。さらに欠点となるのは、この回路は約150℃までの温度範囲でしか使用できないことである。
さらにGB-A 2 234 112から、温度感応形素子を有する過剰温度保護機能を備えた半導体スイッチが公知である。この温度感応形素子は阻止方向に接続されたダイオードとして構成されており、過度に加熱したときには半導体スイッチの駆動電力を流すように構成されている。
発明の利点
これに対し、請求項1記載の特徴を備えた本発明による集積回路により得られる利点とは、たとえば約200℃を超えるかもしれない著しく高い温度であっても、電力トランジスタにおける電力損失を温度に依存して低減調整できることである。トランジスタが設けられており、温度に依存して変化するこのトランジスタの逆方向電流ないし阻止電流により電力トランジスタのベース電流に変化が引き起こされるようにした構成によって、有利には著しく高い温度において電力トランジスタを安定した許容度で調整することが可能となる。電力トランジスタのベース電流を温度に依存して調整する構成により、回路構成全体を著しく簡単にすることができ、ひいては低コストで組み立てることができる。殊に有利であるのは、電力トランジスタの調整を行わせるために逆方向電流を利用したことによって、ベース電流つまりは電力トランジスタの制御された低減調整が可能となる。
従属請求項に記載の特徴により本発明の有利な実施形態が可能である。
図面
次に、添付の図面を参照しながら実施例に基づき本発明について詳細に説明する。
図1は、本発明による集積回路の回路構成図である。
図2は、温度に依存する逆方向電流経過特性を示すダイアグラムである。
図3は、別の変形実施例による本発明の回路装置を示す図である。
図4aおよび図4bは、各回路装置における温度に依存する制御電流経過特性を示すダイアグラムである。
実施例の説明
図1には、全体で参照符号10の付された集積回路が示されている。この集積回路10は電力トランジスタ12と回路装置14を有しており、これらは詳細には以下のように結線されている。
集積回路10はコレクタ端子C、ベース端子Bならびにエミッタ端子Eを有している。電力トランジスタ12はトランジスタT1,T2,T3により形成されており、これらのトランジスタはダーリントン接続で結線されている。トランジスタT1,T2,T3はnpnトランジスタとして構成されている。
回路装置14はトランジスタT4,T5,T6を有しており、この場合、トランジスタT5はpnpまたはnpnトランジスタとして構成されており、トランジスタT4およびT6はnpnトランジスタとして構成されている。
ベース端子BはトランジスタT4のコレクタと接続されている。トランジスタT4のエミッタはトランジスタT1のベースと接続されている。トランジスタT1,T2,T3のコレクタはコレクタ端子Cと接続されている。トランジスタT1のエミッタは、トランジスタT2,T3のベースと接続されている。トランジスタT3のエミッタはエミッタ端子Eと接続されている。トランジスタT5のベースは、抵抗R3を介してトランジスタT5のエミッタと接続されている。抵抗R3は、正の温度係数を有する温度依存形抵抗として形成されている。また、トランジスタT4のコレクタは、pnpトランジスタであればトランジスタT5のエミッタと接続されており、そうでなくnpnトランジスタであれば(図1a)トランジスタT5のコレクタと接続されており、さらには抵抗R2を介してトランジスタT6のコレクタと接続されている。また、トランジスタT6のコレクタはトランジスタT4のベースと接続されている。pnpトランジスタであればトランジスタT5のコレクタは、そうではなくnpnトランジスタであればトランジスタT5のエミッタは、トランジスタT6のベースと接続されているとともに、抵抗R4を介してエミッタ端子Eと接続されている。トランジスタT6のエミッタも、やはりエミッタ端子Eと接続されている。
この集積回路10は以下のように動作する:
集積回路10を所定のようにして使用しているとき、電力トランジスタ12によりコレクタ端子Cとエミッタ端子Eの間において負荷をスイッチングすることができる。電力トランジスタ12の制御は、ベース端子BとトランジスタT1のベースとの間に”長手方向に”接続されたトランジスタT4を介して行われる。したがってトランジスタT4によって、電力トランジスタ12のベース電流Iを制御することができる。トランジスタT5はその阻止電流ないし逆方向電流ICERを、抵抗R4およびトランジスタT6のベースへ供給する。トランジスタT5のベースとエミッタは抵抗R3を介して低抵抗で接続されているので、ベースとエミッタとの間において小さい電流に対し短絡が生じ、したがってICER〜ICES(ICESモード)となる。その結果、トランジスタT6のベースに電圧が生じるが、この電圧はトランジスタT6をアクティブにするには小さすぎるものである。
そして、殊に電力トランジスタ12のところで引き起こされる電力損失に起因して集積回路10が加熱すると、抵抗R3の抵抗値がその正の温度係数ゆえに著しく高まる。これによりトランジスタT5はICEOモードへ移行し、つまりトランジスタT5のベースはほとんどあたかもオープンであるかのように振る舞い、その結果、ICER〜ICEOとなる。回路装置14の加熱により抵抗R3の抵抗値がべき関数的に高まる一方、トランジスタT5の逆方向電流は指数関数的に上昇する。トランジスタT5のベース−エミッタ間ブレークダウン電圧は、同時に<−2mV/Kで減少する。トランジスタT5の逆方向電流が著しく高められ約2の10乗上昇することにより、トランジスタT6のベース−エミッタ電圧UBEが高められ、その結果、このトランジスタはアクティブになる。このことによりトランジスタT4のベースが制御され、したがってトランジスタT4を介して電力トランジスタ12のベース電流が制御されることになる。以上のことから明らかなように、トランジスタT5の逆方向電流の高さを調整することによって、電力トランジスタ12のベース電流Iを制御できるようになる。
調整される逆方向電流の大きさに応じて、ベース電流Iが程度の差こそあれ制御され、その結果、電力トランジスタ12の電力損失を継続的に低減することができる。加熱が発生したことでトランジスタT5の逆方向電流を連続的に上昇させることによって、同じ程度で電力トランジスタ12のベース電流Iが減少するので、それが連続的に低下してくる。そして電力トランジスタ12のベース電流が連続的に低下することにより、コレクタ端子Cとエミッタ端子Eの間において制御不能な過度の電圧上昇が生じてしまうのが防止される。殊に、電力トランジスタ12を車両の点火コイルに使用する場合には、このようにすることで制御不能な過度の電圧上昇に起因する早すぎる点火過程を回避することができる。
電力トランジスタ12の制御にもかかわらず、トランジスタT4のコレクタへ集積回路10のベース給電が行われる。このようにすることで、電力トランジスタ12が制御されているにもかかわらず回路装置14つまりは温度センサ素子として接続されたトランジスタT5が十分な大きさの駆動電圧を得ることができるようになる。このことにより、電力トランジスタ12のスイッチング状態とは無関係に回路装置14の機能が保証される。この集積回路におけるベース端子Bとエミッタ端子Eとの間の電圧UBEは、温度の上昇につれてトランジスタT4が調整されることにより増加する一方、点B′とエミッタ端子Eとの間の電圧UB′Eは温度の上昇とともに低下する。
抵抗R3の大きさまたはその正の温度係数の選定により制御条件が与えられ、これによりICESモードからICEOモードへのトランジスタT5の移行ひいては電力トランジスタ12の温度調整において生じる動作点を設定できるようになる。このようにして、たとえば200℃を超えるかもしれない著しく高い温度において、電力トランジスタ12の温度調整を実施できるようになる。
図2には、ICESモードからICEOモードへのトランジスタT5における逆方向電流ICERの移行が示されている。この場合、逆方向電流ICERは温度に関し対数表示で描かれている。ここには、温度の上昇に伴い実質的に抵抗R3により制御されここでは参照符号ICERの付された逆方向電流が、ICESモードからICEOモードへと移行している様子が明瞭に示されている。温度が約155℃付近になるまで逆方向電流ICERが徐々に上昇した後、この電流は温度200℃を超えるまで急峻な側縁でICEOモードへと移行している。逆方向電流ICERの側縁部分の上昇によりトランジスタT4の相応の導通制御が行われ、つまりは電力トランジスタ12のベース電流の相応の制御が行われるようになる。
図3には別の集積回路10が示されており、この場合、図1と同じ部材には同じ参照符号が付されており、それらについて繰り返し説明はしない。ここでは回路装置14に付加的にトランジスタT7とT8が設けられており、これらのトランジスタはそれぞれnpnトランジスタとして構成されている。この場合、pnpトランジスタであればトランジスタT5のコレクタが、npnトランジスタ(図3a)であればトランジスタT5のエミッタが、トランジスタT6のベースのほかに同時にトランジスタT7のベースおよびトランジスタT8のベースとも接続されている。トランジスタT7のコレクタはトランジスタT1のベースと接続されている。トランジスタT8のコレクタはトランジスタT1のエミッタと接続されている。トランジスタT7およびT8のエミッタはエミッタ端子Eと接続されている。
付加的なトランジスタT7およびT8はやはり、トランジスタT5の逆方向電流により制御される。トランジスタT7およびT8の導通制御もやはりトランジスタT5の動作点ではじめて行われ、つまり温度の上昇に起因してトランジスタT5がICESモードからICEOモードへ移行してはじめて行われる。トランジスタT7およびT8をエミッタ回路中に接続することにより、トランジスタT5の逆方向電流の上昇時(これはトランジスタT7およびT8のベース電流の上昇に対応する)、トランジスタT7およびT8のコレクタ−エミッタ電圧UCEが上昇するようになる。そしてこのことによってトランジスタT7およびT8は”熱除去装置”としてはたらき、これは殊に高温時に電力トランジスタ12のベース電流の低減調整を制御する。図4aおよび図4bには、回路全体におけるコレクタ電流ICに関する様々な特性曲線がシミュレーションカーブに基づき描かれている。図4bには、図4aによる経過特性が高い方の温度範囲に関する部分拡大図として示されている。
そこには全部で3つの経過特性曲線が示されており、それらは温度に依存するコレクタ電流ICの経過特性を表すものである。第1の特性曲線16は、図1に示した回路装置による経過特性を再現したものである。この場合、温度が上昇するにつれてコレクタ電流ICはたとえば10Aの値から約2Aの値まで195℃付近で低減しており、その後、電力トランジスタ12のいわゆる”熱ドリフト”によって温度が上昇するにつれて再び上昇している。第2の特性曲線18は、トランジスタT7が付加的に接続された場合のコレクタ電流ICの経過特性を表している。コレクタ電流ICが500mAよりも小さい値まで著しく低減していることのほかに、電力トランジスタ12の”熱ドリフト”の開始が約200℃のかなり高い温度までずらされている。それと同時に、それよりもさらに高い温度のところではコレクタ電流ICの上昇が著しく僅かに停滞している。第3の特性曲線20は、トランジスタT5の逆方向電流によりトランジスタT6,T7,T8が同時に導通制御されたときのコレクタ電流ICの経過特性を表している。この場合、電力トランジスタ12の”熱ドリフト”の開始が約210℃というかなり高い温度のところまでさらにずらされており、その際、温度上昇はやはり著しく制限されたものになっている。このようにして、電力トランジスタ12におけるコレクタ電流ICの低減調整を、200℃をはるかに超える温度までずらして行わせることができる。
従来の技術
半導体素子殊に電力トランジスタを、有効な出力が一般に許容されている連続要求つまりはそれによって生じる連続損失をはるかに超えるように設計することは公知である。これにより半導体素子を低コストで製造することができる。なぜならば、それらを有効な出力による連続動作のために設計する必要がないからである。また、素子の温度に依存して起動可能な保護回路を半導体素子のために設けることも知られており、このことにより長期間持続する連続負荷(これに対して素子は設計されていない)に起因する素子の損傷を回避できるようになる。
さらに、限界温度を超えたときに半導体素子が遮断されるようにした回避装置も公知である。この場合、電力トランジスタの遮断は、集積されたセンサ素子において順方向電圧ないしは逆方向電流を測定することにより行われ、このセンサ素子により半導体素子が相応に制御される。これについてはTietze und Schenk,9.Auflage,p.523を参照。
また、DD-PS 227 835から、集積された過剰温度保護回路装置が公知である。この装置の場合、トランジスタのベース−エミッタ電圧にヒステリシスが与えられるよう複数のバイポーラトランジスタが結線されており、その際、トランジスタのスイッチオン状態ではカレントミラーの使用により、動作電流よりも小さくかつそれに対し常に一定の比をもつ電流が流れ出るよう、動作電流が変えられる。この場合、温度に依存して電力トランジスタのオンないしオフが行われる。遮断をしなければ電力損失の低減調整は不可能である。さらに欠点となるのは、この回路は約150℃までの温度範囲でしか使用できないことである。
さらにGB-A 2 234 112から、温度感応形素子を有する過剰温度保護機能を備えた半導体スイッチが公知である。この温度感応形素子は阻止方向に接続されたダイオードとして構成されており、過度に加熱したときには半導体スイッチの駆動電力を流すように構成されている。
発明の利点
これに対し、請求項1記載の特徴を備えた本発明による集積回路により得られる利点とは、たとえば約200℃を超えるかもしれない著しく高い温度であっても、電力トランジスタにおける電力損失を温度に依存して低減調整できることである。トランジスタが設けられており、温度に依存して変化するこのトランジスタの逆方向電流ないし阻止電流により電力トランジスタのベース電流に変化が引き起こされるようにした構成によって、有利には著しく高い温度において電力トランジスタを安定した許容度で調整することが可能となる。電力トランジスタのベース電流を温度に依存して調整する構成により、回路構成全体を著しく簡単にすることができ、ひいては低コストで組み立てることができる。殊に有利であるのは、電力トランジスタの調整を行わせるために逆方向電流を利用したことによって、ベース電流つまりは電力トランジスタの制御された低減調整が可能となる。
従属請求項に記載の特徴により本発明の有利な実施形態が可能である。
図面
次に、添付の図面を参照しながら実施例に基づき本発明について詳細に説明する。
図1は、本発明による集積回路の回路構成図である。
図2は、温度に依存する逆方向電流経過特性を示すダイアグラムである。
図3は、別の変形実施例による本発明の回路装置を示す図である。
図4aおよび図4bは、各回路装置における温度に依存する制御電流経過特性を示すダイアグラムである。
実施例の説明
図1には、全体で参照符号10の付された集積回路が示されている。この集積回路10は電力トランジスタ12と回路装置14を有しており、これらは詳細には以下のように結線されている。
集積回路10はコレクタ端子C、ベース端子Bならびにエミッタ端子Eを有している。電力トランジスタ12はトランジスタT1,T2,T3により形成されており、これらのトランジスタはダーリントン接続で結線されている。トランジスタT1,T2,T3はnpnトランジスタとして構成されている。
回路装置14はトランジスタT4,T5,T6を有しており、この場合、トランジスタT5はpnpまたはnpnトランジスタとして構成されており、トランジスタT4およびT6はnpnトランジスタとして構成されている。
ベース端子BはトランジスタT4のコレクタと接続されている。トランジスタT4のエミッタはトランジスタT1のベースと接続されている。トランジスタT1,T2,T3のコレクタはコレクタ端子Cと接続されている。トランジスタT1のエミッタは、トランジスタT2,T3のベースと接続されている。トランジスタT3のエミッタはエミッタ端子Eと接続されている。トランジスタT5のベースは、抵抗R3を介してトランジスタT5のエミッタと接続されている。抵抗R3は、正の温度係数を有する温度依存形抵抗として形成されている。また、トランジスタT4のコレクタは、pnpトランジスタであればトランジスタT5のエミッタと接続されており、そうでなくnpnトランジスタであれば(図1a)トランジスタT5のコレクタと接続されており、さらには抵抗R2を介してトランジスタT6のコレクタと接続されている。また、トランジスタT6のコレクタはトランジスタT4のベースと接続されている。pnpトランジスタであればトランジスタT5のコレクタは、そうではなくnpnトランジスタであればトランジスタT5のエミッタは、トランジスタT6のベースと接続されているとともに、抵抗R4を介してエミッタ端子Eと接続されている。トランジスタT6のエミッタも、やはりエミッタ端子Eと接続されている。
この集積回路10は以下のように動作する:
集積回路10を所定のようにして使用しているとき、電力トランジスタ12によりコレクタ端子Cとエミッタ端子Eの間において負荷をスイッチングすることができる。電力トランジスタ12の制御は、ベース端子BとトランジスタT1のベースとの間に”長手方向に”接続されたトランジスタT4を介して行われる。したがってトランジスタT4によって、電力トランジスタ12のベース電流Iを制御することができる。トランジスタT5はその阻止電流ないし逆方向電流ICERを、抵抗R4およびトランジスタT6のベースへ供給する。トランジスタT5のベースとエミッタは抵抗R3を介して低抵抗で接続されているので、ベースとエミッタとの間において小さい電流に対し短絡が生じ、したがってICER〜ICES(ICESモード)となる。その結果、トランジスタT6のベースに電圧が生じるが、この電圧はトランジスタT6をアクティブにするには小さすぎるものである。
そして、殊に電力トランジスタ12のところで引き起こされる電力損失に起因して集積回路10が加熱すると、抵抗R3の抵抗値がその正の温度係数ゆえに著しく高まる。これによりトランジスタT5はICEOモードへ移行し、つまりトランジスタT5のベースはほとんどあたかもオープンであるかのように振る舞い、その結果、ICER〜ICEOとなる。回路装置14の加熱により抵抗R3の抵抗値がべき関数的に高まる一方、トランジスタT5の逆方向電流は指数関数的に上昇する。トランジスタT5のベース−エミッタ間ブレークダウン電圧は、同時に<−2mV/Kで減少する。トランジスタT5の逆方向電流が著しく高められ約2の10乗上昇することにより、トランジスタT6のベース−エミッタ電圧UBEが高められ、その結果、このトランジスタはアクティブになる。このことによりトランジスタT4のベースが制御され、したがってトランジスタT4を介して電力トランジスタ12のベース電流が制御されることになる。以上のことから明らかなように、トランジスタT5の逆方向電流の高さを調整することによって、電力トランジスタ12のベース電流Iを制御できるようになる。
調整される逆方向電流の大きさに応じて、ベース電流Iが程度の差こそあれ制御され、その結果、電力トランジスタ12の電力損失を継続的に低減することができる。加熱が発生したことでトランジスタT5の逆方向電流を連続的に上昇させることによって、同じ程度で電力トランジスタ12のベース電流Iが減少するので、それが連続的に低下してくる。そして電力トランジスタ12のベース電流が連続的に低下することにより、コレクタ端子Cとエミッタ端子Eの間において制御不能な過度の電圧上昇が生じてしまうのが防止される。殊に、電力トランジスタ12を車両の点火コイルに使用する場合には、このようにすることで制御不能な過度の電圧上昇に起因する早すぎる点火過程を回避することができる。
電力トランジスタ12の制御にもかかわらず、トランジスタT4のコレクタへ集積回路10のベース給電が行われる。このようにすることで、電力トランジスタ12が制御されているにもかかわらず回路装置14つまりは温度センサ素子として接続されたトランジスタT5が十分な大きさの駆動電圧を得ることができるようになる。このことにより、電力トランジスタ12のスイッチング状態とは無関係に回路装置14の機能が保証される。この集積回路におけるベース端子Bとエミッタ端子Eとの間の電圧UBEは、温度の上昇につれてトランジスタT4が調整されることにより増加する一方、点B′とエミッタ端子Eとの間の電圧UB′Eは温度の上昇とともに低下する。
抵抗R3の大きさまたはその正の温度係数の選定により制御条件が与えられ、これによりICESモードからICEOモードへのトランジスタT5の移行ひいては電力トランジスタ12の温度調整において生じる動作点を設定できるようになる。このようにして、たとえば200℃を超えるかもしれない著しく高い温度において、電力トランジスタ12の温度調整を実施できるようになる。
図2には、ICESモードからICEOモードへのトランジスタT5における逆方向電流ICERの移行が示されている。この場合、逆方向電流ICERは温度に関し対数表示で描かれている。ここには、温度の上昇に伴い実質的に抵抗R3により制御されここでは参照符号ICERの付された逆方向電流が、ICESモードからICEOモードへと移行している様子が明瞭に示されている。温度が約155℃付近になるまで逆方向電流ICERが徐々に上昇した後、この電流は温度200℃を超えるまで急峻な側縁でICEOモードへと移行している。逆方向電流ICERの側縁部分の上昇によりトランジスタT4の相応の導通制御が行われ、つまりは電力トランジスタ12のベース電流の相応の制御が行われるようになる。
図3には別の集積回路10が示されており、この場合、図1と同じ部材には同じ参照符号が付されており、それらについて繰り返し説明はしない。ここでは回路装置14に付加的にトランジスタT7とT8が設けられており、これらのトランジスタはそれぞれnpnトランジスタとして構成されている。この場合、pnpトランジスタであればトランジスタT5のコレクタが、npnトランジスタ(図3a)であればトランジスタT5のエミッタが、トランジスタT6のベースのほかに同時にトランジスタT7のベースおよびトランジスタT8のベースとも接続されている。トランジスタT7のコレクタはトランジスタT1のベースと接続されている。トランジスタT8のコレクタはトランジスタT1のエミッタと接続されている。トランジスタT7およびT8のエミッタはエミッタ端子Eと接続されている。
付加的なトランジスタT7およびT8はやはり、トランジスタT5の逆方向電流により制御される。トランジスタT7およびT8の導通制御もやはりトランジスタT5の動作点ではじめて行われ、つまり温度の上昇に起因してトランジスタT5がICESモードからICEOモードへ移行してはじめて行われる。トランジスタT7およびT8をエミッタ回路中に接続することにより、トランジスタT5の逆方向電流の上昇時(これはトランジスタT7およびT8のベース電流の上昇に対応する)、トランジスタT7およびT8のコレクタ−エミッタ電圧UCEが上昇するようになる。そしてこのことによってトランジスタT7およびT8は”熱除去装置”としてはたらき、これは殊に高温時に電力トランジスタ12のベース電流の低減調整を制御する。図4aおよび図4bには、回路全体におけるコレクタ電流ICに関する様々な特性曲線がシミュレーションカーブに基づき描かれている。図4bには、図4aによる経過特性が高い方の温度範囲に関する部分拡大図として示されている。
そこには全部で3つの経過特性曲線が示されており、それらは温度に依存するコレクタ電流ICの経過特性を表すものである。第1の特性曲線16は、図1に示した回路装置による経過特性を再現したものである。この場合、温度が上昇するにつれてコレクタ電流ICはたとえば10Aの値から約2Aの値まで195℃付近で低減しており、その後、電力トランジスタ12のいわゆる”熱ドリフト”によって温度が上昇するにつれて再び上昇している。第2の特性曲線18は、トランジスタT7が付加的に接続された場合のコレクタ電流ICの経過特性を表している。コレクタ電流ICが500mAよりも小さい値まで著しく低減していることのほかに、電力トランジスタ12の”熱ドリフト”の開始が約200℃のかなり高い温度までずらされている。それと同時に、それよりもさらに高い温度のところではコレクタ電流ICの上昇が著しく僅かに停滞している。第3の特性曲線20は、トランジスタT5の逆方向電流によりトランジスタT6,T7,T8が同時に導通制御されたときのコレクタ電流ICの経過特性を表している。この場合、電力トランジスタ12の”熱ドリフト”の開始が約210℃というかなり高い温度のところまでさらにずらされており、その際、温度上昇はやはり著しく制限されたものになっている。このようにして、電力トランジスタ12におけるコレクタ電流ICの低減調整を、200℃をはるかに超える温度までずらして行わせることができる。
Claims (6)
- 電力トランジスタ(T1,T2,T3)と、温度に依存して動作し該電力トランジスタ(T1,T2,T3)と熱的に結合されている回路装置(14)を有しており、ベース端子(B)とエミッタ端子(E)とコレクタ端子(C)を備えた集積回路において、
前記回路装置(14)は第1のトランジスタ(T5)と第2のトランジスタ(T4)を有しており、
前記第1のトランジスタ(T5)のベースとエミッタの間に、正の温度係数を有する温度依存型の抵抗(R3)が接続されており、
前記第2のトランジスタ(T4)のコレクタは集積回路(10)のベース端子(B)と接続され、該第2のトランジスタ(T4)のエミッタは前記電力トランジスタ(T1,T2,T3)のベース(B′)と接続されており、
温度に依存して変化する前記第1のトランジスタ(T5)の逆方向電流により、前記第2のトランジスタ(T4)のベースが制御されて、前記電力トランジスタ(T1,T2,T3)のベース電流(I)における低減調整が引き起こされることを特徴とする集積回路。 - 前記第1のトランジスタ(T5)のエミッタ(pnpの場合)またはコレクタ(npnの場合)は前記第2のトランジスタ(T4)のコレクタと接続されている、請求項1記載の集積回路。
- 前記第2のトランジスタ(T4)は第3のトランジスタ(T6)を介して導通制御され、該第3のトランジスタ(T6)のベースは前記第1のトランジスタ(T5)のコレクタ(pnpの場合)またはエミッタ(npnの場合)と接続されている、請求項1または2記載の集積回路。
- 前記第1のトランジスタ(T5)のコレクタ(pnpの場合)またはエミッタ(npnの場合)は、第2の抵抗(R4)を介して集積回路(10)のエミッタ端子(E)と接続されている、請求項3記載の集積回路。
- 前記トランジスタ(T5)のコレクタ(pnpの場合)またはエミッタ(npnの場合)は、第4のトランジスタ(T7)のベースと接続されており、該第4のトランジスタ(T7)のコレクタは前記電力トランジスタ(T1,T2,T3)のベースと接続されており、該第4のトランジスタ(T7)のエミッタは前記エミッタ端子(E)と接続されている、請求項1〜4のいずれか1項記載の集積回路。
- 前記電力トランジスタは、第1の部分トランジスタ(T1)および第2の部分トランジスタ(T2,T3)によるダーリントン接続回路を有しており、前記第1のトランジスタ(T5)のコレクタ(pnpの場合)またはエミッタ(npnの場合)は、第5のトランジスタ(T8)のベースと接続されており、該第5のトランジスタ(T8)のコレクタは前記第1の部分トランジスタ(T1)のエミッタと接続されており、該第5のトランジスタ(T8)のエミッタは前記エミッタ端子(E)と接続されている、請求項1〜5のいずれか1項記載の集積回路。
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