JP3763520B2 - はんだ付け用組成物 - Google Patents
はんだ付け用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3763520B2 JP3763520B2 JP2001280381A JP2001280381A JP3763520B2 JP 3763520 B2 JP3763520 B2 JP 3763520B2 JP 2001280381 A JP2001280381 A JP 2001280381A JP 2001280381 A JP2001280381 A JP 2001280381A JP 3763520 B2 JP3763520 B2 JP 3763520B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- soldering
- composition
- metal component
- electronic component
- reflow
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明ははんだ付け用組成物に関し、より詳しくは、鉛を含まないはんだ付け用組成物であって、リフローソルダリング時に合金化してその組成物よりも融点の上昇した合金を形成し、その結果として、はんだ付け済みの基板等に更にはんだ付けを実施する際にもほぼ同一温度条件下ではんだ付けが可能となるはんだ付け用組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば、電子回路モジュール等の各種の電子回路装置の製作においては、両面実装タイプの電子部品搭載用基板を用い、該電子部品搭載用基板の一面側に高温はんだを介して電子部品を搭載させ、通炉してはんだ付けした後、他面側にはんだを介して電子部品を搭載させ、再び通炉してはんだ付けしている。従って、電子部品搭載用基板の他面側に電子部品をはんだ付けする際には、その一面側に用いる高温はんだよりも低い融点を持つ低温はんだを用いる必要がある。このように融点の異なる2種類のはんだは、従来は一般的には、鉛含有はんだの鉛含有量を調整することによって用意していた。
【0003】
ところが、近年、地球環境保全の立場から、鉛を含まないはんだ(鉛フリーはんだ)が要求されてきており、鉛フリーはんだの開発が盛んに行われている。しかしながら、鉛フリーはんだで従来の鉛含有高温はんだに匹敵する高融点のはんだは、現在のところ、実用化されていない。現在実用化されている鉛フリーはんだの融点は、高いものでも250℃程度(Sn−10Sbで246℃)である。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
このため、例えば、両面実装タイプの電子部品搭載用基板の片面に鉛フリー高温はんだを用いて電子部品をはんだ付けした後に、その反対側の面に230〜260℃の範囲内の温度でリフローソルダリングを実施すると、鉛フリー高温はんだを用いてはんだ付けされていた電子部品が電子部品搭載用基板から浮動したり、脱落したりする等の不具合が生じる。
【0005】
本発明は、鉛フリーのはんだ付け用組成物であって、リフローソルダリング時に合金化してその組成物よりも融点の上昇した合金を形成し、その結果として、はんだ付け済みの基板等に更にはんだ付けを実施する際にもほぼ同一温度条件下ではんだ付けが可能となるはんだ付け用組成物を提供することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記の課題を解決するために鋭意検討した結果、はんだ付け用組成物として、リフローソルダリング温度で溶融する金属成分と溶融しない金属成分とからなり、リフローソルダリング操作中に合金化する金属組成物を用いることにより上記の目的が達成されることを見いだし、本発明を完成した。
【0007】
即ち、本発明のはんだ付け用組成物は、鉛を含まず、第一金属成分と第二金属成分とからなり、第一金属成分がSnであり、第二金属成分がSb又はNiであり、第一金属成分と第二金属成分との相対量は、溶融状態の第一金属成分中に第二金属成分が拡散して形成される合金の組成が、Sn40〜55質量%とSb45〜60質量%とからなるSn−Sb系合金組成、又はSn60〜74質量%とNi26〜40質量%とからなるSn−Ni系合金組成となる相対量であることを特徴とする。
【0010】
【発明の実施の形態】
従来の高温はんだは融点が280〜295℃程度であり、そのようなはんだを用いてはんだ付けする際にはリフロー温度を320〜350℃程度以上に設定する必要があった。しかしながら、そのような温度域でははんだ付けされる電子部品に熱的ストレスを与えることになり、電子部品の信頼性を大きく低下させる原因になっており、更に、電子部品を実装するプリント基板として耐熱性のない紙フェノール系樹脂基板等を使用することができないので、金属系の基板等を使用する必要があった。それで、熱的ストレスが低減されることや、通常の樹脂基板が使用できることが望まれており、260〜320℃程度で実装可能な高温はんだが望まれていた。
【0011】
リフローソルダリング操作を260〜320℃で実施する場合を想定すると、融点が183℃よりも低い場合には、リフローソルダリング時の溶融状態において濡れ性接触角が50°よりも小さくなり、ショート不良の危険性があり、また融点が260℃よりも高い場合に、リフローソルダリング時の溶融状態において濡れ性接触角が130°よりも大きくなり、はんだ付けする部品と基板との固着強度が低くなる傾向があるので好ましくない。従って、本発明においては、第一金属成分として融点が231.9℃であるSnを用いる。
【0013】
本発明においては、第二金属成分としてリフローソルダリング操作の際に溶融することのない融点が400℃以上の金属成分であるSb及びNiからなる群より選択された金属元素又はそれらの合金を用いる。
【0014】
第一金属成分と第二金属成分との相対量は、溶融状態の第一金属成分中に第二金属成分が拡散して形成される合金の組成が、Sn40〜55質量%とSb45〜60質量%とからなるSn−Sb系合金組成、又はSn60〜74質量%とNi26〜40質量%とからなるSn−Ni系合金組成となる相対量である必要がある。なお、本発明において、「溶融状態」とは完全に液相となっている状態だけでなく、一部分固相が残っている状態をも包含する。
【0016】
本発明のはんだ付け用組成物は、リフローソルダリング時の溶融状態において50°〜130°の範囲内の濡れ性接触角を示すものであることが好ましく、リフローソルダリング時の溶融状態において70°〜120°の範囲内の濡れ性接触角を示すものであることが一層好ましい。本発明でいう濡れ性接触角とは、粉末状のはんだ付け用組成物から直径1mm、高さ1mmの円筒状の成形体を作製し、Cu板上に載せて所定温度のリフロー炉に通炉し、得られた試料をはんだの中心点を通り、Cu板とは垂直な面でCu板と共に切断し、切断面を研磨し、SEMで観察して、JIS C 0050(1996)の「3.2接触角」で説明されている溶融はんだの接触角として測定して得た値である。
【0017】
また、本発明のはんだ付け用組成物は、その使用態様に応じて粉末状態のものであっても、圧縮成形した固形物であっても、フラックスを含有するペースト状態のものであってもよい。
更に、本発明のはんだ付け用組成物は、微量の第三金属成分を含有することができる。第三金属成分としてP、Si、Ge及びGaを挙げることができ、それらの群より選ばれる少なくとも1種を用いることができる。
【0018】
上記した本発明のはんだ付け用組成物を用いるはんだ付け方法(以下、本発明のはんだ付け方法と略記する)においては、その第一金属成分を溶融させる。この溶融状態の第一金属成分中に第二金属成分が拡散する。即ち、第二金属成分ははんだ付け温度では溶融しない。しかし、溶融した第一金属成分の溶融物がこの第二金属成分の周囲を覆うので、その溶融物中に第二金属成分が拡散して合金化が進み、均一な組成、ほぼ均一な組成或いは第二金属成分の一部が拡散しないで島状に残った組成となる。この合金化によりはんだ付けが達成される。本発明において、「溶融させる」とは完全に液相となっている状態にするだけでなく、一部分固相が残っている状態にする場合も包含する。
【0019】
本発明の好ましい態様のはんだ付け方法は、電子部品搭載用基板とその両面にはんだ付けされた複数の電子部品とを含む電子回路装置を形成するはんだ付け方法であり、少なくとも片面でのはんだ付けを上記した本発明のはんだ付け方法によって実施する。即ち、電子部品搭載用基板の片面でのはんだ付けを上記した本発明のはんだ付け方法によって実施し、他の片面でのはんだ付けを本発明以外ののはんだ付け方法によって実施してもよい。
【0020】
また、本発明のはんだ付け方法においては、電子部品搭載用基板の片面に上記した本発明のはんだ付け方法によって電子部品をはんだ付けし、その後、電子部品搭載用基板の反対側の面に上記した本発明のはんだ付け方法によって電子部品をはんだ付けして、電子部品搭載用基板とその両面にはんだ付けされた複数の電子部品とを含む電子回路装置を形成することが好ましい。この場合に、電子部品搭載用基板の両面のそれぞれのはんだ付けに同一のはんだ付け用組成物を用いることができる。
【0021】
本発明の好ましい態様のはんだ付け方法においては、260〜320℃の範囲内の温度でリフローソルダリングを実施する。このリフローソルダリングにより合金を形成させる。電子部品搭載用基板の両面のそれぞれのはんだ付けを本発明のはんだ付け方法に従って実施する場合には、最初のリフローソルダリングにより形成される合金の融点が次回のリフローソルダリング温度よりも高くなるようにはんだ付け用組成物を選定する必要がある。このように選定することにより次回のリフローソルダリングにおいてはんだの溶融による電子部品の浮動や接合強度の低下を回避することができる。
【0022】
以下に、電子部品搭載用基板の片面に上記した本発明のはんだ付け方法によって電子部品をはんだ付けし、その後、電子部品搭載用基板の反対側の面に上記した本発明のはんだ付け方法によって電子部品をはんだ付けして、電子部品搭載用基板とその両面にはんだ付けされた複数の電子部品とを含む電子回路装置を形成する本発明のはんだ付け方法を図1〜図4に基づいて説明する。
【0023】
まず、図1に示すように、電子部品搭載用基板1の片面に導電パターン2及び3を形成し、この導電パターン2及び3のそれぞれの上で、チップ状の電子部品4の端子電極5及び6をはんだ付けする位置に、フラックスを含有するペースト状の本発明のはんだ付け用組成物(例えば、第一金属成分がSn微粉末であり、第二金属成分がNi微粉末であり、Sn:Niの質量比が70:30である組成物)7及び8を塗布する。一般的には、フラックスとしてロジン系のものが用いられるが、これらに限定されるものではなく、その他の成分系のフラックスであってもよい。図1に示す電子部品搭載用基板1は両面実装用基板であり、導電パターン2及び3を形成した面とは反対側の面にも、他の電子部品をはんだ付けするための導電パターン9及び10が形成されている。
【0024】
次に、はんだ付け用組成物7及び8の上にチップ状の電子部品4を載せ、所定温度(例えば、270℃)のリフロー炉に通炉して、はんだ付け用組成物7及び8を合金化させて合金はんだ11及び12を形成させ、図2に示すように、合金はんだ11及び12を介して電子部品4の端子電極5及び6をそれぞれ導電パターン2及び3にはんだ付けする。
【0025】
例えば、はんだ付け用組成物として、第一金属成分がSn微粉末であり、第二金属成分がNi微粉末であり、Sn:Niの質量比が70:30である組成物を用い、270℃のリフロー炉に通炉すると、溶融したSn中にNiが拡散してほぼSn−30Niの合金が形成される。この合金の融点は約790℃である。従って、このはんだ合金は冷却後には、260〜320℃の範囲内の温度でリフローソルダリングを実施しても溶融することはない。
【0026】
図1及び図2に示すようにして電子部品搭載用基板1の片面に電子部品4の端子電極5及び6をそれぞれ導電パターン2及び3にはんだ付けした後、電子部品搭載用基板1を裏返しにする。そして、図3に示すように、電子部品搭載用基板1の反対側の面に形成されている導電パターン9及び10のそれぞれの上で、チップ状の電子部品13の端子電極14及び15をはんだ付けする位置に、フラックスを含有するペースト状の本発明のはんだ付け用組成物(上記のはんだ付け用組成物7及び8と同一の組成物であっても、異なる組成物であってもよい)16及び17を塗布する。
【0027】
次に、はんだ付け用組成物16及び17の上にチップ状の電子部品13を載せ、所定温度(例えば、270℃)のリフロー炉に通炉して、はんだ付け用組成物16及び17を合金化させて合金はんだ18及び19を形成させ、図4に示すように、合金はんだ18及び19を介して電子部品13の端子電極14及び15をそれぞれ導電パターン9及び10にはんだ付けする。リフロー炉に通炉しても上記の合金はんだ11及び12が溶融することはない。
【0028】
【実施例】
以下に、実施例及び比較例に基づいて本発明を具体的に説明する。
実施例1
紙フェノール系樹脂基板又はアルミニウム基板を用いてプリント基板を作製した。また、第一金属成分がSn(融点232℃)微粉末であり、第二金属成分がSb(融点630.5℃)微粉末であり、Sn:Sbの質量比が50:50である(Sn−50Sb合金の融点は325℃である)はんだ粉80質量部と、ロジン50質量%、カルビトール35質量%、ハロゲン化水素酸アミン塩5質量%及びワックス10質量%からなるフラックス20質量部とを含有するはんだペーストを調製した。
【0029】
上記のプリント基板上に0.25mm間隔で上記のはんだペーストを、各箇所でのペーストの塗布量が0.5mgとなるように塗布した。それらのはんだペースト上にC0603(縦0.6mm×横0.3mm×厚み0.1mm)の積層セラミックコンデンサの両端子部が来るようにして載せ、下記の第1表に示すリフロー温度のリフロー炉に滞留時間が10分となるように通炉してリフローソルダリングを実施した。リフロー温度320℃までは紙フェノール系樹脂基板で実施し、320℃を超えるリフロー温度ではアルミニウム基板で実施した。各リフロー温度毎に100個の試料を用いた。
【0030】
リフローソルダリング後にはんだ間にブリッジが生じているものを不良とし、ブリッジの生じた試料数(ショート個数)を目視で調べた。また、固着強度については、チップ側面から押し、はんだが破壊される時点での押し圧力を測定して固着強度とした。なお、実用上必要な固着強度は10N以上である。それらの結果は第1表に示す通りであった。
【0031】
更に、濡れ性接触角として、Sn微粉末50質量%とSb微粉末50質量%とからなる粉末状のはんだ付け用組成物から直径1mm、高さ1mmの円筒状の成形体を作製し、Cu板上に載せて第1表に示すリフロー温度のリフロー炉に滞留時間が10分となるように通炉し、得られた試料をはんだの中心点を通り、Cu板とは垂直な面でCu板と共に切断し、切断面を研磨し、SEMで観察して、JIS C 0050(1996)の「3.2接触角」で説明されている溶融はんだの接触角を測定した。それらの結果は第1表に示す通りであった。
【0032】
【表1】
【0033】
比較例1
実施例1で用いたはんだペーストの代わりに、市販のPb−10Sn(単一合金)(融点290℃)はんだペーストを用いた以外は、実施例1と同様にしてチップ間のショート個数を調べ、固着強度及び濡れ性接触角を測定した。それらの結果は第2表に示す通りであった。
【0034】
【表2】
【0035】
第2表のデータから明らかなように、市販のPb−10Snはんだペーストを用いた場合には、はんだの融点が290℃であるので、リフロー温度が300℃以下の場合には固着することがなく、リフロー温度が320℃以上の場合には固着強度が得られるが、濡れ性接触角が小さくなり、ショートが多発した。これに対して、第1表のデータから明らかなように、本発明のはんだ付け用組成物である50Sn+50Sbでは、260〜320℃の好ましいリフロー温度において十分な強度を確保でき、ショートの発生を防止することができ、且つ濡れ性も好適であった。
【0041】
実施例2
実施例1で用いたはんだペーストの代わりに、第一金属成分がSn(融点232℃)微粉末であり、第二金属成分がNi(融点1453℃)微粉末であり、Sn:Niの質量比が70:30であり(Sn−30Ni合金の融点は790℃である)、実施例1で用いたフラックスを含有するはんだペーストを用い、第3表に示すリフロー温度を用いた以外は、実施例1と同様にしてチップ間のショート個数を調べ、固着強度及び濡れ性接触角を測定した。それらの結果は第3表に示す通りであった。
【0042】
【表3】
【0043】
比較例2
実施例2で用いたはんだペーストの代わりに、第一金属成分がSn(融点232℃)微粉末であり、第二金属成分がNi(融点1453℃)微粉末であり、Sn:Niの質量比が90:10であり(Sn−10Ni合金の融点は221℃である)、実施例1で用いたフラックスを含有するはんだペーストを用いた以外は、実施例2と同様にしてチップ間のショート個数を調べ、固着強度及び濡れ性接触角を測定した。それらの結果は第4表に示す通りであった。
【0044】
【表4】
【0045】
第4表のデータから明らかなように、比較例2のはんだペーストを用いた場合に、リフロー温度が260〜270℃の場合にもショート不良が認められ、リフロー温度がそれよりも高くなるとショート個数が多くなっていた。これに対し、第3表のデータから明らかなように、本発明のはんだ付け用組成物では、測定した全温度域でショート不良は認められず、固着強度も十分であり、濡れ性も良好であった。
【0046】
実施例3
電子部品搭載用基板の両面に導電パターンを形成した。その片面の導電パターン上に実施例1で用いてはんだペーストを塗布し、そのはんだペースト上に電子部品を載せ、実施例1と同様にして270℃でリフローソルダリングを実施した。リフローソルダリング後の固着強度は24Nであった。
【0047】
次いで、片面に電子部品をはんだ付けした電子部品搭載用基板を裏返しにし、反対側の面に形成された導電パターン上に実施例1で用いてはんだペーストを塗布し、そのはんだペースト上に電子部品を載せ、実施例1と同様にして下記の第5表に示すリフロー温度で2回目のリフローソルダリングを実施した。2回目のリフローソルダリング後に、最初のリフローソルダリングで形成されたはんだ付け部分の固着強度を測定した。その結果は第5表に示す通りであった。
【0048】
【表5】
【0049】
第5表のデータから明らかなように、本発明のはんだ付け方法によって形成したはんだは、その後に再度リフローソルダリング条件下に置いても、固着強度が変化する(低下する)ことはない。従って、本発明のはんだ付け用組成物及びはんだ付け方法は電子部品搭載用基板の両面に電子部品をはんだ付けするのに適している。
【0050】
【発明の効果】
本発明のはんだ付け用組成物は鉛フリーのはんだ付け用組成物であり、本発明のはんだ付け用組成物を用いることにより、リフローソルダリング時に合金化してそのはんだ付け用組成物よりも融点の上昇した合金を形成し、その結果として、はんだ付け済みの基板等に更にはんだ付けを実施する際にもほぼ同一温度条件下ではんだ付けが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明のはんだ付け用組成物を用いる両面はんだ付け方法の第一段階を示す概略図である。
【図2】 本発明のはんだ付け用組成物を用いる両面はんだ付け方法の図1に示す段階の次の段階を示す概略図である。
【図3】 本発明のはんだ付け用組成物を用いる両面はんだ付け方法の図2に示す段階の次の段階を示す概略図である。
【図4】 本発明のはんだ付け用組成物を用いる両面はんだ付け方法の図3に示す段階の次の段階を示す概略図である。
【符号の説明】
1 電子部品搭載用基板
2、3、9、10 導電パターン
4、13 電子部品
5、6、14、15 端子電極
7、8、16、17 はんだ付け用組成物
11、12、18、19 合金はんだ
Claims (5)
- 鉛を含まず、第一金属成分と第二金属成分とからなり、第一金属成分がSnであり、第二金属成分がSb又はNiであり、第一金属成分と第二金属成分との相対量は、溶融状態の第一金属成分中に第二金属成分が拡散して形成される合金の組成が、Sn40〜55質量%とSb45〜60質量%とからなるSn−Sb系合金組成、又はSn60〜74質量%とNi26〜40質量%とからなるSn−Ni系合金組成となる相対量であることを特徴とするはんだ付け用組成物。
- はんだ付け用組成物がリフローソルダリング用のはんだ付け用組成物である請求項1記載のはんだ付け用組成物。
- はんだ付け用組成物が、リフローソルダリング時の溶融状態において50°〜130°の範囲内の濡れ性接触角を示すものである請求項1又は2記載のはんだ付け用組成物。
- はんだ付け用組成物が粉末状態である請求項1〜3の何れかに記載のはんだ付け用組成物。
- はんだ付け用組成物がペースト状態である請求項1〜3の何れかに記載のはんだ付け用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001280381A JP3763520B2 (ja) | 2000-12-25 | 2001-09-14 | はんだ付け用組成物 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000-392663 | 2000-12-25 | ||
JP2000392663 | 2000-12-25 | ||
JP2001280381A JP3763520B2 (ja) | 2000-12-25 | 2001-09-14 | はんだ付け用組成物 |
Related Child Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004351199A Division JP4081073B2 (ja) | 2000-12-25 | 2004-12-03 | はんだ付け方法 |
JP2004351198A Division JP3864172B2 (ja) | 2000-12-25 | 2004-12-03 | はんだ付け用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002254195A JP2002254195A (ja) | 2002-09-10 |
JP3763520B2 true JP3763520B2 (ja) | 2006-04-05 |
Family
ID=26606516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001280381A Expired - Fee Related JP3763520B2 (ja) | 2000-12-25 | 2001-09-14 | はんだ付け用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3763520B2 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10319888A1 (de) * | 2003-04-25 | 2004-11-25 | Siemens Ag | Lotmaterial auf SnAgCu-Basis |
KR101052452B1 (ko) | 2004-03-09 | 2011-07-28 | 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 | 솔더 페이스트 |
JP2006159201A (ja) * | 2004-12-02 | 2006-06-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半田付け方法 |
JP2006198637A (ja) * | 2005-01-18 | 2006-08-03 | Hakko Kk | はんだごて用こて先クリーナ |
WO2006126352A1 (ja) * | 2005-05-23 | 2006-11-30 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | セラミック電子部品およびその製造方法 |
JP4963890B2 (ja) * | 2006-06-30 | 2012-06-27 | 太陽誘電株式会社 | 樹脂封止回路装置 |
CN101500744B (zh) * | 2006-07-05 | 2011-11-30 | 富士电机株式会社 | 膏状钎焊料和电子部件的软钎焊方法 |
JP5292977B2 (ja) * | 2008-08-01 | 2013-09-18 | 富士電機株式会社 | 接合材、半導体装置およびその製造方法 |
KR101276147B1 (ko) | 2009-09-03 | 2013-06-18 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 솔더 페이스트, 그것을 사용한 접합 방법, 및 접합 구조 |
JP2011251329A (ja) * | 2010-06-04 | 2011-12-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 高温鉛フリーはんだペースト |
JP2012016740A (ja) * | 2010-07-09 | 2012-01-26 | Nihon Superior Co Ltd | はんだ槽への追加供給用はんだ形状及びはんだ組成調整方法 |
EP2641689B1 (en) * | 2010-11-19 | 2016-06-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Electroconductive material, method of connection with same, and connected structure |
TWI461252B (zh) * | 2010-12-24 | 2014-11-21 | Murata Manufacturing Co | A bonding method, a bonding structure, an electronic device, an electronic device manufacturing method, and an electronic component |
TWI436710B (zh) | 2011-02-09 | 2014-05-01 | Murata Manufacturing Co | Connection structure |
KR101360142B1 (ko) | 2012-01-13 | 2014-02-11 | 서정환 | 무연 솔더 조성물 |
CN103692105A (zh) * | 2012-09-27 | 2014-04-02 | 旭化成电子材料株式会社 | 焊料糊剂、半导体装置及其制造方法 |
JP6079374B2 (ja) | 2013-03-29 | 2017-02-15 | 三菱マテリアル株式会社 | ハンダ粉末の製造方法及びこの粉末を用いたハンダ用ペースト |
JP6338419B2 (ja) * | 2014-03-28 | 2018-06-06 | 新日鉄住金化学株式会社 | 金属粒子組成物、接合材及びそれを用いた接合方法 |
KR102101474B1 (ko) | 2015-12-15 | 2020-04-16 | 주식회사 엘지화학 | 금속 페이스트 및 열전 모듈 |
JP6454262B2 (ja) | 2015-12-24 | 2019-01-16 | タツタ電線株式会社 | 半田接続構造、および成膜方法 |
-
2001
- 2001-09-14 JP JP2001280381A patent/JP3763520B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002254195A (ja) | 2002-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3763520B2 (ja) | はんだ付け用組成物 | |
TWI392750B (zh) | Lead-free solder alloy | |
JP4144415B2 (ja) | 鉛フリーはんだ | |
US7145236B2 (en) | Semiconductor device having solder bumps reliably reflow solderable | |
GB2346380A (en) | Nickel containing tin-based solder alloys | |
JP3827322B2 (ja) | 鉛フリーはんだ合金 | |
JPWO2010061428A1 (ja) | 電子装置の製造方法、電子部品搭載用基板及びその製造方法 | |
JP2004141910A (ja) | 鉛フリーはんだ合金 | |
KR20010012083A (ko) | 무연 땜납 | |
WO2019069788A1 (ja) | はんだ合金、はんだ接合材料及び電子回路基板 | |
JP4211828B2 (ja) | 実装構造体 | |
JP2002001573A (ja) | 無鉛クリームはんだ、およびそれを使用した接着方法 | |
JP2002224880A (ja) | はんだペースト、および電子装置 | |
WO2004105053A1 (ja) | 導電性ボール、電子部品の電極の形成方法および電子部品ならびに電子機器 | |
JP4081073B2 (ja) | はんだ付け方法 | |
JP3991788B2 (ja) | はんだおよびそれを用いた実装品 | |
JPH1133776A (ja) | 半田材料及びそれを用いた電子部品 | |
JP3864172B2 (ja) | はんだ付け用組成物 | |
JPH0985484A (ja) | 鉛フリーはんだとそれを用いた実装方法及び実装品 | |
JP6267427B2 (ja) | はんだ付け方法及び実装基板 | |
JP2002076605A (ja) | 半導体モジュール及び半導体装置を接続した回路基板 | |
JP2004009106A (ja) | 中温はんだ付け用組成物及びはんだ付け方法 | |
JP3852377B2 (ja) | 鉛フリーはんだ合金 | |
JP3460442B2 (ja) | 鉛フリーはんだ及びそれを用いた実装品 | |
JPH0864717A (ja) | 回路部品の実装方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20010917 |
|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20030729 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20030805 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20030805 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20030729 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20030925 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20031216 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040114 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040915 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041006 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050112 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050311 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060111 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100127 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110127 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120127 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |