JP3748499B2 - 半導体基板の作製方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体基板及びその作製方法に関し、詳しくは、多孔質半導体層上へ形成された非多孔質半導体層及びその形成方法に関する。
【0002】
また、本発明は、主としてMOSFET、バイポーラトランジスタ等を使用する集積回路の基体として利用される半導体基板、および、その形成方法に関する。
【0003】
【従来の技術】
シリコン系半導体デバイス、集積回路技術において、絶縁物上に単結晶シリコン膜を配置したシリコンオンインシュレーター(SOI)構造は、寄生容量の低減、素子分離の容易化等により、トランジスタの高速化、低消費電力化、高集積化、および、トータルコストの削減をもたらす技術としてこれまでに幾多の研究がなされてきた。
【0004】
このSOI構造を形成する手法として、1970年代から1980年代前半にかけて盛んであった今井の提案によるFIPOS(Fully isolation by porous silicon)法がある(K.Imai,Solid State Electronics 24(1981)p.159)。この方法は、多孔質シリコンの増速酸化現象を利用してSOI構造を形成するものであるが、表面シリコン層を島状にしか形成できないといった特有の問題がある。
【0005】
最近注目を集めているSOI形成技術の一つとして、ウエハ貼り合わせ技術(wafer bonding technology)があり、SOI構造の表面シリコン層、埋め込み酸化シリコン層の膜厚任意性と表面シリコン層の結晶性の良さから、様々な手法が提案されている。
【0006】
ウエハ同士を接着剤等の中間層なしに接合する貼り合わせ(Bonding)法は、中村らにより提案されたが、その研究が盛んになるのは、J.B.Laskyら(J.B.Lasky,S.R.Stiffler,F.R.White,and J.R.Abernathey,technical Digestof the International Electron Devices Meeting(IEEE,New York,1985),P.684)が貼り合わせたウエハの一方を薄膜化する手法とその上に形成したMOSトランジスタの動作を1984年に報告して以降である。
【0007】
Laskyらの方法は、第1のウエハとして高濃度にボロンの添加された単結晶シリコンウエハ上に低濃度、あるいは、n型のエピタキシャルシリコン層を形成したものを用意し、この第1のウエハと表面に酸化膜が形成された第2のウエハを必要に応じて洗浄した後、密着するとファンデルワールスカ力により2枚のウエハは接着する。さらに熱処理を行うと、両ウエハの間には共有結合が形成され、接合強度はデバイス作製に支障のないレベルにまで高まる。しかるのち、第1のウエハを裏面より、ふっ酸、硝酸、酢酸の混合液でエッチングし、p+ シリコンウエハを選択的に除去し、エピタキシャルシリコン層のみを第2のウエハ上に残すというのがLaskyらの方法(Single Etch−stop法)である。しかしながら、P+ シリコンとエピタキシャルシリコン(p- あるいは、n)のエッチング速度の比は数十と低く、ウエハ全面に均一な膜厚のエピタキシャルシリコン層を残す為にさらなる改良が望まれていた。
【0008】
そこで、選択エッチングを2回に分けて実施する方法が考え出された。すなわち、第1の基板として、低不純物濃度のシリコンウエハの基板の表面にp++のSi層と低不純物濃度層を積層したものを用意し、この基板を前記方法と同様な第2の基板に貼り合わせる。そののち、第1の基板を裏面より、研削、研磨等の機械的方法で薄層化する。次に第1の基板に埋め込まれたp++Si層が全面で露出するまで、選択エッチングを行う。このとき、エッチング液としてエチレンジアミンピロカテコール、KOH等のアルカリ液を用いることで、基板の不純物濃度の違いによる選択エッチングが行われる。しかるのち、前記したLaskyらの方法と同様のふっ酸、硝酸、酢酸の混合液による選択エッチングにより露出したp++のSi層を選択的に除去すれば、第2の基板上には前記した低不純物濃度の単結晶Si層のみが移設される(Double Etch−stop法)。かかる方法においては、選択エッチングを複数回実施することにより、総合的なエッチングの選択比を向上せしめ、結果としてSOIにおける表面Si層の膜厚均一性を向上させていた。
【0009】
しかしながら、上記したような基板の不純物濃度、ないしは、組成の違いを利用した選択エッチングによる薄層化においては、不純物濃度の深さ方向のプロファイルの影響を受けることが予測される。すなわち、ウエハの接合強度を高めるために貼り合わせ後の熱処理を高温にすると、埋め込み層の不純物が拡散する結果、エッチングの選択性が劣化し、結果として、膜厚均一性が劣化してしまっていた。したがって、貼り合わせ後の熱処理は摂氏800度以下である必要があった。また、かかる複数回のエッチングはそれぞれのエッチング選択比が低いので、量産時の制御性が疑問視されていた。
【0010】
前記した方法ではエッチングの選択性を不純物濃度、ないしは、組成の差に求めていたが、特開平5−21338号公報はかかる問題点を解決すべく、構造の差異にエッチングの選択性をもとめている。すなわち、単位体積当たりの表面積が200m2 /cm3 というような多孔質シリコンと非多孔質シリコンの構造の差異により、10万倍という高い選択エッチングを実現している(多孔質シリコンを用いた構造差による選択エッチング法)。かかる方法では、第1の基板たる単結晶Siウエハ表面を陽極化成により多孔質化したのち、非多孔質単結晶シリコン層をエピタキシャル成長させ、第1の基板とする。その後、第2の基板と貼り合わせ、必要に応じて熱処理等により接合強度を高めたのち、第1の基板の裏面を研削、研磨等により除去し、多孔質シリコン層を全面で露出せしめる。この後、多孔質シリコンをエッチングにより選択的に除去し、結果として、第2の基板上に前期非多孔質単結晶シリコン層を移設するという方法である。10万倍という高い選択比を得た結果、得られるSOI層の膜厚均一性はエッチングで損なわれることはほとんどなく、エピタキシャル成長した単結晶シリコン層の成長時の均一性がそのまま反映されることが明らかになった。すなわち、市販のCVDエピタキシャル成長装置が実現するウエハ内均一性として例えば1.5−3%以下がSOI−Si層においても実現されるのである。この方法ではFIPOSで選択酸化のための材料であった多孔質シリコンを選択エッチングの材料としている。したがって、Porosityは56%近辺に限定されることはなく、むしろ、20%前後といった低いものが好適である。なお、上記した特開平5−21338号公報に開示されるSOI構造の作製方法は米原らの報告(T.Yonehara,K.Sakaguchi,N.sato,Appl.Phys.Lett.64(1994)p.2108)において、ELTRAN(登録商標)と名付けられた。
【0011】
また、多孔質シリコンは最終物の構造材とならないので、多孔質シリコンの構造変化、粗大化もエッチングの選択比を損なわない範囲で許容される。
【0012】
本発明者である佐藤ら(N.Sato,K.Sakaguchi,K.Yamagata,Y.Fujiyama,and T.Yonehara,Proc.of the Seventh Int.Symp.on Silicon Mater.Sci.and Tech.,Semiconductor Silicon,(pennington,The Electrochem.Soc.Inc.,1994),p.443)は、多孔質上のエピタキシャル成長として、SiH2 Cl2 を原料ガスとしたCVD(Chemical VaporDepositon)法を実施しており、その際のプロセス温度は、エピタキシャル成長前に行う熱処理が1040℃、エピタキシャル成長は900−950℃である。
【0013】
多孔質シリコンは、高温の熱処理では構造の粗大化が著しいが、佐藤らは、エピタキシャル成長に先だって、多孔質シリコンの孔壁に保護膜を形成する工程であるプリ酸化(Preoxidation)工程を導入したことにより熱処理に伴う多孔質シリコン層の構造粗大化はほぼ抑制されている。このプリ酸化は例えば酸素雰囲気中400℃でなされる。
【0014】
この方法においては、多孔質シリコン上への非多孔質単結晶シリコンのエピタキシャル成長をいかに欠陥少なく形成するかが重要な技術の一つである。これにより形成されるSOIウエハでは、積層欠陥が主たる欠陥であり、多孔質シリコン上のエピタキシャルシリコン層中の積層欠陥密度は103 〜104 /cm2 と報告されている。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】
一般に積層欠陥は酸化膜の絶縁耐圧の劣化を引き起こすおそれがあることが指摘されている。これは積層欠陥を囲む転位部分に金属不純物が析出した場合にp-n接合のリーク電流を高め、少数キャリアライフタイムを劣化させるためと考えられている。その他の上記した多孔質上のエピタキシャル成長に関する報告にあっても、より検出限界の低い欠陥顕在化エッチングののち、光学顕微鏡観察するという方法で結晶欠陥が103 /cm2 を下回るという報告はなかった。103 〜104 /cm2 の積層欠陥が1μm2 のゲート領域に含まれる確率はおよそ0.0001〜0.00001と低いものの、バルクシリコンウエハに比べれば、依然欠陥密度は高く、その影響は一般的には集積回路の収率として表面化することが予測される。上記方法により得られるSOIウエハを実用に供するにあたってかかる積層欠陥密度を少なくとも1000/cm2 以下に低減することが求められている。
【0016】
(発明の目的)
本発明の第1の目的は、多孔質シリコン層上に結晶欠陥の低減された非多孔質単結晶層を有する半導体基板とその基板の作製方法を提供することである。
【0017】
本発明の第2の目的は、絶縁物上に結晶欠陥密度の少ない非多孔質単結晶層を有する基板及びその作製方法を提供することである。
【0018】
【課題を解決するための手段】
本発明は、多孔質シリコン層を有する基板を用意する工程、前記多孔質シリコン層を熱処理する熱処理工程、及び前記多孔質シリコン層上に非多孔質単結晶層を成長させる成長工程、を有する半導体基板の作製方法において、前記熱処理は、前記非多孔質単結晶層の原料ガスを含まない雰囲気中で且つ、前記熱処理によるシリコンのエッチング量2nm以下、及び前記多孔質シリコン層の表面孔密度の変化率r(r=前記熱処理後の表面孔密度/前記熱処理前の表面孔密度)が、
【0019】
【外4】
を満足するように行われることを特徴とする。
【0020】
また、本発明は、多孔質シリコン層を有する第1の基板を用意する工程、前記多孔質シリコン層を熱処理する熱処理工程、前記多孔質シリコン層上に非多孔質単結晶層を成長させる成長工程、及び前記第1の基板上の前記非多孔質単結晶層を第2の基板上に移設する工程、を有する半導体基板の作製方法において、前記熱処理は、前記非多孔質単結晶層の原料ガスを含まない雰囲気中で且つ、前記熱処理によるシリコンのエッチング量が2nm以下、及び前記多孔質シリコン層の表面孔密度の変化率r(r=前記熱処理後の表面孔密度/前記熱処理前の表面孔密度)が、
【0021】
【外5】
を満足するように行われることを特徴とする。
【0024】
以下、発明の実施の形態を説明する前に、多孔質シリコン層上への非多孔質単結晶層の形成方法及び、本発明をなすに至った技術的知見について述べる。
【0025】
まず、多孔質シリコン層上への非多孔質単結晶層(エピタキシャル成長層)の形成方法について、図1のフローチャートを用いて説明する。
【0026】
まず、多孔質シリコン層を有する基板を用意する(S1)。
【0027】
次に、非多孔質単結晶層の成長に先立って、上記多孔質シリコン層を非多孔質単結晶層の原料ガスを含まない雰囲気下で熱処理を行う。
【0028】
これは、プリベーク工程(S2)と呼ばれるもので、多孔質シリコン層表面に付着した自然酸化膜を除去等する工程である。
【0029】
なお、上述の「非多孔質単結晶層の原料ガスを含まない雰囲気下」とは、具体的には、水素ガスを含む還元性雰囲気、又はHe,Ar,Ne等の不活性ガス雰囲気、又は、超高真空中での熱処理である。
【0030】
上記プリベーク工程後、原料ガスを投入し、非多孔質単結晶層の成長(S3)を行う。こうして、多孔質シリコン層上へ、非多孔質単結晶層が形成される。
【0031】
次に、本発明をなすに至った技術的知見について述べる。
【0032】
(実験1)
本発明者は、プリベーク工程が、多孔質シリコン層上の単結晶シリコンに導入される積層欠陥にどのような影響を与えているか詳細に調べるために、プリベーク工程により多孔質シリコン層表面の孔密度がどのように変化しているかを観察した。
【0033】
なお、プリベーク工程の際に、該工程を行う装置内に存在する水分や酸素による孔径、孔密度の変化の影響を最小限に抑えるため、水分、酸素はできるだけ装置内に混入しないようにした。
【0034】
具体的には、以下に詳述するように、ロードロック室を設けることにより、反応室を直接大気にさらすことなく、ウエハの出し入れを行えるようにしている。そして、反応室のリーク量は20mTorr/分以下、より好ましくは、10mTorr/分以下とするのがよい。また、供給ガス系のガスパネルのリーク量を0.5psi/24h、より好ましくは0.2psi/24h以下とするのがよい。
【0035】
更に、また供給ガスとしては高純度のものを用いることが好ましく、具体的には、例えば、H2 ガスを用いてプリベークを行う場合は、装置の近く約20m以内、好ましくは10m以内に配置されるガス純化器を通したものを使用するのがよい。純化器としては、加熱したパラジウムセルを透過させるタイプのものや吸着材を装備したフィルター型のものが好適に用いられる。
【0036】
図2に模式的に示される処理装置を用いた。
【0037】
21は反応室(プロセスチャンバー)、22はロードロック室32は、搬送室(移載チャンバー)である。23は、反応室21と搬送室32とを仕切るゲートバルブ、24は搬送室32とロッドロック室22を仕切るゲートバルブである。25は、基板Wを加熱する為のランプのような加熱器、26は基板Wを載置するサセプタ、27,28,33は反応室21とロッドロック室22室搬送室32内をそれぞれ排気する為の排気系、29は反応室21内に処理ガスを導入する為のガス供給系、30,34は、搬送室32やロッドロック室22内をパージしたり、昇圧する為のガスを導入する為のガス供給系である。31は基板Wを反応室21に対して搬入及び搬出する為の搬送アームである。35はウエハカセットである。
【0038】
更に変形例として、ロッドロック室22を、搬送アームを収容する搬送室32とをゲートバルブ24で仕切らずに一体化したものであってもよい。
【0039】
なお、このようなロードロック室付の処理装置を用いて行う熱処理を、便宜上、「系Aでの熱処理」という。
【0040】
この系Aでは、反応室の加熱器を予め稼動させ、サセプタ等を600℃〜1000℃程度に昇温させておくことができる。
【0041】
この方法を採用すると、反応室に導入されたウエハをおよそ10秒程度で600℃〜1000℃に昇温させることが可能であり、昇温時間の短縮、および後述する多孔質シリコンの表面の孔状態の変化が、この熱処理により進行するのを抑制することができる。
【0042】
ロードロック室付の装置を用いて、多孔質シリコン層を形成した基板を熱処理(プリベーク)だけ施した後、反応容器より取り出して、高分解能走査型電子顕微鏡(HR−SEM)で観察する実験を行った。
【0043】
多孔質シリコンは、HF−C2 H5 OH−H2 O混合溶液中で陽極化成して作製し、その後、400℃、酸素雰囲気中で1時間熱処理した(プリ酸化工程)。その後、1.25%HF水溶液に25秒ほど漬け(HFディップ工程)、水洗して、乾燥した後、エピタキシャル成長装置に設置した。図3(a)はエピタキシャル成長装置に設置する直前の多孔質シリコン層表面のSEM像である。直径10nm程度の孔が1011/cm2 の密度で形成されていた。
【0044】
950℃、600Torrで、2秒間だけ水素中での熱処理を施した直後の多孔質シリコン層表面のSEM像を図3(b)に示す。孔密度は多少減少しているが、依然1010/cm2 台であった。孔径は、ほとんど変わらず10nm程度であった。
【0045】
一方、1100℃で2秒間だけ水素中での処理した多孔質シリコン層表面を観察すると、孔密度は著しく減少し、およそ106 /cm2 に減少していた。残留した孔は、図3(c)に示すように孔径が大きくなっており、直径40nmに及ぶものもあった。孔径の増大は、残留酸素・水分による酸化、エッチングや、表面拡散による拡大、隣接する孔の合体等で生じると考えられる。
【0046】
図3(b)の場合、多孔質シリコン層上の非多孔質単結晶シリコンに導入される積層欠陥密度は1×102 個/cm2 、図3(c)の場合は、2×104 個/cm2 であった。
【0047】
プリベーク工程については、たとえば、特開平9−100197号公報記載のように、Si原子のマイグレーションにより孔の閉塞が起こり、積層欠陥密度の低減につながると考えられていた。
【0048】
もちろんプリベーク時の温度や時間等の条件、あるいはプリベークを行う装置内の環境によって違いはあるが、今回の実験で、はじめて孔の閉塞が起きる一方で、数は少ないものの孔径の大きな残留孔が生成していることが分かった。プリベーク工程により孔密度は減少しているのに、図3(c)の場合のように積層欠陥密度が大きくなることが分かった。
【0049】
なお、N.Sato et al.Jpn.J.Appl.Phys.35 973(1996)によれば、表面全体の大半の孔はプリベーク工程により封止されるにもかかわらず、依然残留孔がわずかであるが存在し、このわずかの残留孔が積層欠陥の導入原因となっていることを示唆している。
【0050】
例えば、1011cm-2の表面孔密度が、104 cm-2にまで減少するということは、表面孔の99.99999%が封止される一方で104 cm-2の孔が残留していることを意味する。
【0051】
本実験においては、プリベーク工程により孔密度の減少率の大きい図3(c)の方が、減少率の小さい図3(b)よりも積層欠陥密度が大きくなることが分かった。
【0052】
これは、プリベーク工程により多孔質シリコン層表面の孔密度が減少し、非多孔質に近づく一方で、残留する孔の孔径が拡大すると、積層欠陥密度の低減が望めないことを意味する。
【0053】
すなわち、プリベーク工程は、多孔質表面の孔密度の減少とともに、一部の孔の径の増大を招くことが分かった、なお、図4(a)(b)(c)は、図3(a)(b)(c)のSEM像をそれぞれ模式的に表したものである。
【0054】
また、前述のロードロック室付の装置を用いて実験を行い求めた多孔質シリコン層表面の残留孔密度と熱処理時間の関係を図5に示す。熱処理条件は、温度は、950℃、圧力は600Torr、水素ガス雰囲気中である。
【0055】
熱処理時間とともに、残留孔密度は、徐々に減少していき、熱処理前の多孔質層表面の孔密度が1011/cm2 であるのに対して、200秒たつと孔密度は107 /cm2 程度になることが分かる。もちろん、孔密度が107 /cm2 になった場合は、数は少ないものの、孔径の大きな残留孔が発生している。
【0056】
(実験2)
本発明者は、更にプリベーク後の残留孔密度と積層欠陥密度の相関関係を調べた。その結果を図6に示す。
【0057】
なお、プリベーク工程の際に、該工程を行う装置内に存在する水分、酸素の影響をできるだけ避けるため、前述のロードロック室付の装置を用いて行った。すなわち、系Aでの熱処理である。
【0058】
プリベークを行う直前の多孔質シリコン層表面の孔密度は、およそ1011/cm2 であるが、図6よりプリベーク後の残留孔密度が107 /cm2 以上であれば、大幅に積層欠陥密度が低減できることが分かった。すなわち、プリベーク前後における残留孔密度の変化率r(=(プリベーク後の残留孔密度)/(プリベーク前の残留孔密度))が
【0059】
【外6】
、より好ましくは
【0060】
【外7】
であれば、積層欠陥密度の低減ができるのである。とくに
【0061】
【外8】
であれば、著しく積層欠陥密度の低減が可能となる。
【0062】
プリベーク後の多孔質シリコン層表面の孔密度の大幅な変化は、多孔質シリコン層上の非多孔質単結晶シリコン層中の積層欠陥密度に影響を及ぼすことが明らかになった。
【0063】
特に、表面の孔(Pore)が、シリコンの表面拡散によって変形し、孔密度が大幅に減少する前に、シリコン原料ガスを投入し非多孔質単結晶シリコンの堆積を開始すると、積層欠陥の低減につながることが分かった。
【0064】
すなわちプリベークに伴う孔密度の減少を、4桁以内、より好ましくは2桁以内に抑制することで、結晶欠陥密度が102 /cm2 程度にまで減少することが、本発明で初めて明らかになった。
【0065】
なお、多孔質シリコン層には、熱処理(プリベーク)の結果、多孔質シリコン層内で引っ張り応力が印加され格子定数が単結晶シリコンのそれより大きくなる。そして、多孔質シリコン層表面の残留孔の周縁部には、この引っ張り応力が集中し、格子定数はさらに大きくなり、格子不整合による結晶欠陥が導入されやすくなる。
【0066】
多孔質シリコン表面の孔の平均孔間距離は、孔密度が1011/cm2 のとき、およそ30nmである。この距離の場合には孔のサイズ10〜20nmに対して、十分に大きくはないため、複数の孔が相互に影響しあい、孔の周縁の応力集中は緩和される。一方、孔密度が1010/cm2 では、平均孔間距離は、100nm、さらに109 /cm2 では、平均孔間距離は300nmとなり、孔径に対して十分な距離になるため、孔同士の相互作用による孔周縁の応力集中の緩和効果は殆どなくなる結果、結晶欠陥が残留孔の部分で導入されやすくなると考えられる。
【0067】
(実験3)
さらに、本発明者は、積層欠陥密度と、プリベーク温度との相関を調べた。その結果を示したのが図7である。なお、図中Aは、系Aでプリベークを行った場合のデータである。その際の圧力は600Torrであった。B−1,B−2については、後述する。
【0068】
積層欠陥密度は、1000℃を越える高温領域では、104 /cm2 台である。しかし、温度を下げていくと950℃付近に欠陥密度の極小値が存在し、積層欠陥密度は、950℃で102 /cm2 程度まで減少することが分かった。すなわち、プリベーク温度は、1000℃以下、より具体的には、880℃以上1000℃以下、より好ましくは、870℃以上970℃以下、更に好ましくは、900℃以上950℃以下であればよい。
【0069】
なお、プリベーク温度と積層欠陥密度との関係は常に図7のAのような相関があるわけではない。系Aとは異なり、ロードロック室のない大気開放型の反応室をもつ装置(以下、当該装置を用いて行う熱処理を「系Bでの熱処理」という。)を用いて、760Torrの圧力下で同様の実験を行ったところ、積層欠陥密度は、プリベーク温度を上げるのに伴い、減少している(B−1)。また、系B−2は成長初期のシリコンソースガスの供給量を少なくして、成長速度を著しく抑制したものである。系B−1に比して、温度に依らず積層欠陥密度が約1/3に減少しているものの、いずれの場合にも積層欠陥密度は熱処理温度を高温にして初めて低減されている。系Bについては、佐藤らのデータ(N.Sato et.al.Jpn.J.Appl.Phys.35(1996)973)に報告のデータである。
【0070】
なお、このように熱処理温度を高温にすることで欠陥密度が低減される理由は、次のとおりである。系B−1、B−2では、装置内に酸素、水分が多く存在し昇温過程で、残留酸素・水分によりシリコン表面に酸化シリコンが一旦形成される。
【0071】
低温領域(1050℃以下)では、形成された酸化シリコンを除去しきれないので、欠陥密度が高くなる。ところが熱処理温度十分に高く、そして時間を十分に確保すると、形成された酸化シリコンが除去される結果、結晶欠陥密度が減少し始める。
【0072】
以上のことから、プリベーク温度と積層欠陥密度との相関は、プリベークを行う環境(酸素、水分量)によっても違いがあることが分かった。
【0073】
(実験4)
系Aと系Bでの反応容器内に存在する酸素、水分等の量の違いを調べるため、熱処理(プリベーク)の際に、どの程度シリコンがエッチングされるかを調べた。
【0074】
その結果を図8に示す。
【0075】
微量の酸素分や水分が系に存在している場合、これらの濃度が低ければシリコンをエッチングすることは、F.W.Swith et.al.J.Elecrochem.Soc.129 1300(1982)やG.Ghidini et.al.Elecrochem.Soc.131 2924(1984)に報告されている。
【0076】
一方、水分等の濃度が高くなると、シリコンを酸化して酸化シリコンを形成する。そして、この酸化シリコンは、温度上昇に伴い、隣接するシリコンと反応し、エッチングされてしまう。SiO2 +Si→2SiO↑との反応をおこすのである。
【0077】
結局、系に残留する酸素分、水分は昇温中にシリコンのエッチングに寄与するので、反応容器内の残留酸素・水分量の大小は、シリコンのエッチング量を調べることによって把握できる。
【0078】
図8に2つ系A,Bにおける、非多孔質単結晶シリコンのエッチングによる厚み減少量の時間依存性を示す。系Aでの熱処理は、1100℃、系Bでの熱処理は1050℃、系Aでは600Torr、系Bでは760Torr、熱処理雰囲気はどちらも水素ガスである。エッチング量は、SOI基板を用い、SOI層、すなわち単結晶シリコン層の膜厚減少量を測定して求めた。なお、系A、系Bで温度や圧力が若干異なるのは、それぞれの装置における最適条件が異なるためである。
【0079】
系Bでは、熱処理時間がO(グラフのy切片)であってもエッチング量が7nm以上もある。これは上記処理基体を設定温度まで昇温したのち、すぐに温度を下げた場合のエッチング量を意味する。昇温するだけで、7nm近くもシリコン厚が減少していることになる。一方、系Aでは10分間熱処理してもエッチング量は、2nm以下となっている。
【0080】
なお、系Aでは設定温度1050℃の場合よりも1100℃の場合の方が熱処理時間に対するエッチング量が多いことが分かっている。
【0081】
このように、反応容器内の酸素分・水分の量の違いが、昇温工程でのシリコンの酸化と形成された酸化シリコンのエッチングによる層厚の減少によって把握された。
【0082】
すなわち、系Aでは、装置内に存在する酸素や水分量が非常に少ないので、昇温工程の際にシリコンが酸化シリコンとなる量も少なく、結果としてエッチング量も少ない。
【0083】
一方、系Bでは装置内の酸素や水分量が多いのでエッチング量も多くなる。
【0084】
反応容器内の酸素分・水分は、供給されるガスの純度、供給配管内の吸着水分、微小リーク、反応容器自身の気密性、及び、反応容器への基板搬入時の混入によって決まる。そして、基板搬入時の酸素分、水分の混入はロードロックを介して、基板を反応容器に導入(系A)するか、直接反応容器を大気開放して基板を搬入(系B)するかが大きく作用する。但し、反応容器を大気開放し、基板を搬入する系Bであっても、その後、昇温せずに十分に容器内のガスを置換すれば、残留酸素・水分濃度は減少するが、量産時には効率が問題となる。また、エッチング量は、設定温度まで昇温するのに要する時間の影響も受ける。熱容量の小さい基板保持具に指示されている場合には、昇温速度を高めることが可能である。
【0085】
又、系Aでは、図7に示す如く900〜950℃付近で積層欠陥密度は極小値をとっており、これより高い温度のプリベークでは、残留孔密度が減少し、積層欠陥密度が増大していることは、既に述べた通りである。
【0086】
一方、この極小値より低温の水素プリベークである850℃では積層欠陥密度は105 cm-2である。この条件下で、プリベーク後の多孔質シリコンの表面をHRSEMで観察すると、残留孔の状態は、図3Aと殆んど変わっていなかった。
【0087】
すなわち、孔密度は減少しておらず、多孔質シリコン層の表面に自然酸化膜等の酸化シリコンが残留していたために、積層欠陥が105 cm-2 と高い値を示すものと考えられる。
【0088】
以上の実験1〜4より、プリベークの為の昇温工程、およびプリベーク工程における反応室内の水分、酸素量を低減した系(実験1〜4における系A)では、プリベークによる残留孔密度の変化やプリベーク温度、またプリベーク時間を制御することで積層欠陥密度の低減ができることが分かった。
【0089】
以下、本発明の実施形態について説明する。
【0090】
【発明の実施の形態】
(実施形態例1)
図9は本発明による半導体基板の形成方法を示す。
【0091】
図9Aに示すように、少なくとも表面側に多孔質シリコン層90を有する基板1を用意する。2は孔、3は孔壁を示している。
【0092】
次に、必要に応じて図9Bに示すように、前記多孔質単結晶シリコン層の孔壁3に薄い保護膜4を形成する(プリ酸化)。
【0093】
このプリ酸化のために多孔質シリコン層表面には酸化シリコン膜などの保護被膜5が形成されているので、必要に応じてこれを低濃度のHF水溶液に漬けて多孔質シリコン表面の保護膜を除去する(以下、「HFディップ」と言う。)。図9Cにこの断面を模式的に示す。
【0094】
次に、多孔質単結晶シリコンが形成された基体をエピタキシャル成長装置に設置し、図9Dに示すように熱処理(プリベーク)を行った後、図9Eに示すように非多孔質単結晶層6を形成する。
【0095】
プリベーク時の条件は、多孔質シリコン層厚の変化量、即ち多孔質シリコン層の層厚(t)の減少量(エッチング量te )がプリベークのための昇温工程において、2nm以下、より好ましくは1nm以下となる条件(条件1)と、多孔質シリコン層の表面孔密度の変化率rが、
【0096】
【外9】
、より好ましくは、
【0097】
【外10】
となる条件(条件2)と、を満たす条件である。なお、条件1については、プリベークのための昇温工程および、プリベーク工程におけるエッチング量が2nm以下、より好ましくは1nm以下となるようにすることも好ましいものである。
【0098】
エッチング量te は、プリベーク開始前の多孔質シリコン層の層厚をt0 、プリベーク終了時の多孔質シリコン層の層厚をt1 とした時に、te =t0 −t1 で表わすことができる。表面孔密度の変化率rは、プリベーク前の表面孔密度をd0 、プリベーク後の表面孔密度をd1 とした時に、
【0099】
【外11】
で表わすことができる。
【0100】
そして、この熱処理時間の雰囲気はシリコン系ガスを含まない雰囲気、より好ましくは水素あるいは窒素ガスを含む還元性雰囲気、不活性ガス雰囲気、又は超高真空にするとよい。以下のこの熱処理について述べる。
【0101】
▲1▼装置への設置
表面に多孔質シリコン層を有する基体を残量酸素分、水分量が抑制された反応容器に設置する(図示せず)。本発明に用いられる熱処理としては、昇温工程、自然酸化膜除去工程の2工程に機能的に分けることもできる。なお、ここでいう自然酸化膜とは、HFディップ工程以降に意図せずに多孔質シリコン層の表面に形成される酸化シリコン膜および、HFディップ工程により除去しきれなかった酸化膜のことである。
【0102】
エッチング量の抑制は、昇温工程、自然酸化膜除去工程(プリベーク工程)中の反応容器内の残留酸素分、水分量を制御することにより実現される。前記反応容器内の残留酸素分、水分量の抑制は、供給ガス系に含有する酸素分、水分を抑制するだけでなく、反応容器への基体の搬入・搬出をロードロック室を通して行うことにより、反応容器内面が大気と直接接触することを防止することが有効である。
【0103】
また、必要に応じてキャリアガスである水素の純化装置(Purifier)を装置近くに設置することも有効である。また、配管系、容器の気密性を高くすることも望ましい。これらを制御すると、前記したように昇温工程、自然酸化膜の除去工程の2工程における多孔質シリコン層のエッチング量が少なくとも2nm以下、より好ましくは1nm以下に維持できる。
【0104】
しかし、エッチング量を抑制する方法は、上記した方法に必ずしも限定されない。
【0105】
▲2▼昇温工程
多孔質シリコン層を表面に形成した基体を反応容器に設置後、基体を昇温させる。反応容器が石英材等の光透過性材料で形成されている場合には、反応容器外からの赤外ランプ照射で加熱する。その他、高周波による誘導加熱、抵抗加熱等がある。反応容器材は石英材やSiCの他、ステンレス鋼などがある。昇温速度は、速ければ速いほど、残留酸素分、水分による酸化・エッチングを抑制できる。好ましくは、1℃/sec以上さらに好ましくは、5℃/sec以上である。
【0106】
反応容器への基体の搬入をロードロック室を介さずに行う場合には、基体搬入後、十分にパージを行い、容器内に混入した酸素分、水分を除去してから基体を加熱して昇温させる。いずれにしても、超高真空又は非酸化性雰囲気で行うことが望まれる。
【0107】
▲3▼自然酸化膜除去工程
昇温工程に引き続き自然酸化膜除去工程を行う。つまり、水素中、または水素を含む還元性雰囲気中あるいは、超高真空中での熱処理により、自然酸化膜を除去する。この時、多孔質シリコン層の表面孔密度の変化rが10000分の1以上、より好ましくは100分の1以上となるような条件で行う。
【0108】
上記条件を実現するためには、熱処理時の到達温度、すなわちプリベーク温度は、850℃以上1000℃以下、好ましくは870℃以上970℃以下である。
【0109】
また、圧力は特に限定されるものではないが、好ましくは大気圧以下であり、700Torr以下、さらには100Torr以下で行うことも好ましい。
【0110】
昇温工程を除く熱処理時間すなわちプリベーク時間は、200秒以内、好ましくは100秒以内、より好ましくは60秒以内、さらに好ましくは10秒以内とし、その後は直ちに降温させるとよい。いずれにせよ自然酸化膜を除去することができれば、プリベーク時間はできるだけ短い方がよい。
【0111】
自然酸化膜は、SiO2 +Si−>2SiO↑
という反応により気相中に脱離するため、自然酸化膜厚が厚いと多孔質シリコン層表面、表面近傍のシリコンがエッチングされることになる。
【0112】
自然酸化膜は、HFディップ後の水洗中、水洗、乾燥後、エピタキシャル成長装置へ設置するまでの大気中、エピタキシャル成長装置への設置中、及び、昇温工程中に形成される。特に昇温工程中に残留水分・酸素分が残留していると、温度の上昇とあいまって、シリコンを酸化して酸化シリコン膜を形成してしまう。結果、形成された酸化シリコンは近接するシリコンと反応して、シリコンをエッチングすることになってしまう。
【0113】
また、昇温中に形成される酸化シリコン膜が厚ければ厚いほど、形成された酸化シリコン膜を完全に除去するのに必要な熱処理時間が長くなる。かかる熱処理時間が長くなると、後に述べるように多孔質シリコン表面の構造変化が進行してしまうので、好ましくない。
【0114】
本発明では、エッチング量が少なくとも2nm以下、より好ましくは1nm以下でなければならないが、シリコンエッチング量が少ないということは、装置内でのシリコンの酸化の程度が小さいということに他ならない。
【0115】
この熱処理を継続すると、多孔質シリコンの表面では微小な荒れを平滑化し表面エネルギーを下げるべく表面原子のマイグレーションが生じ、表面の孔の大半が消失する。但し、大幅な孔密度の変化は、前述の実験からも分かるように、残留孔の孔径を著しく大きくしてしまうので、少なくとも4桁以内の孔密度の変化に抑えることが好ましい。
【0116】
多孔質シリコンと非多孔質単結晶シリコンの間に作用する応力により、多孔質シリコン層の表面の結晶格子は歪んでいるが、表面孔密度が減少した場合、この歪みが熱処理後に残った残留孔の周縁部に集中するため、残留孔部分に結晶欠陥が導入されやすくなると考えられる。
【0117】
本発明では、熱処理で孔密度が4桁より多く減少する前に、より好ましくは2桁より多く減少する前に、多孔質シリコン層表面へ非多孔質薄膜となる原料ガスの供給を開始することにより、孔密度の減少による残留孔部分への歪みの集中を防ぎ、積層欠陥の導入を抑制するものである。そして、この方法は、熱処理におけるシリコンのエッチング量が2nm以下という極めて小さい条件を満たすほど、装置内の水、酸素量が低減された環境下で行うことで有効なものとなる。
【0118】
自然酸化膜の除去は、シリコンのエッチング量が上で述べた範囲に抑制されるならば、HFガスを用いた別の工程でなされてもよい。
【0119】
▲4▼エピタキシャル成長
熱処理工程を経た後には、ソースガスを供給し、多孔質の孔を塞ぎ、非多孔質単結晶層を所望の膜厚まで形成する。こうして多孔質シリコン上に積層欠陥密度の低減した非多孔質単結晶層を形成することができる。ソースガスとしては、非多孔質単結晶層が単結晶シリコンの場合には、SiH4 (シラン)、SiH2 Cl2 (ジクロロシラン)、SiHCl3 (トリクロロシラン)、SiCl4 (テトラクロロシラン)、Si2 H6 (ジシラン)等がある。
【0120】
非多孔質単結晶層としては、ホモエピタキシャル成長させたシリコンであっても、ヘテロエピタキシャル成長させたシリコンゲルマニウム、シリコンカーバイド、ヒ化ガリウム、インジウムリン等であってもよい。
【0121】
(多孔質シリコン層)
本発明に用いられる多孔質Siは、1964年にUhlirらが発見して以来現在に至るまで研究されている多孔質シリコンと本質的には同一であり、陽極化成(Anodization)等の方法により作製されるが、多孔質Siであるかぎり、基板の不純物、面方位、作成方法等に限定されない。
【0122】
陽極化成により多孔質シリコン層を形成する場合、化成液はフッ酸を主たる成分とする水溶液である。陽極化成中には、電極やシリコン表面に気体が付着し、多孔質層を不均一にしやすいので、一般にはエタノールやプロパノール等のアルコールを添加して接触角(Contact Augle)を大きくして、付着した気泡の脱離を加速し(Enhance)、化成が均一に起こるようにしている。もちろん、アルコールを添加せずとも多孔質は形成される。本発明による多孔質シリコンをFIPOS法に用いる場合には、多孔度は56%付近が、貼り合わせ法に用いる場合には低い多孔度(概ね50%以下、より好ましくは30%以下)が好適である。もちろん、これに限定されるものではない。
【0123】
多孔質シリコン層は以上のようにエッチングにより形成されるため、その表面には、多孔質の内部まで貫通する孔以外にも表面からField Emission type Scanning Electron Microscope(FESEM)で観察可能な程度に浅い凹凸といった方がよい浅い孔も存在する。
【0124】
多孔質シリコンの多孔度(Prosity(%))は、低い方が多孔質上の積層欠陥密度は低減される。低多孔質の多孔質シリコンは例えば、陽極化成時のHF濃度を高める、電流密度を下げる、温度を上げる等の方法によって、実現される。低多孔質度とは具体的には、10%〜30%である。
【0125】
また、多孔質単結晶シリコン層は、Si基板の主表面層のみを多孔質化しても、Si基板の全部を多孔質化してもよい。
【0126】
なお、多孔質層は、非多孔質単結晶シリコンにHe,Ne,Arのような希ガスイオン又は水素イオンを打込んで、必要に応じて熱処理することにより、非多孔質単結晶シリコンの少なくとも一部に、微小気泡(マイクロバブル)を生成させ、多孔質化することもできる。この点に関しては、例えば、特開平5−211128号公報に開示がある。
【0127】
(プリ酸化)
本発明においては、必要に応じて多孔質シリコン層の孔壁に保護膜を形成してもよい。多孔質シリコンの隣接する孔の間に壁の厚みは、数nm〜数十nmと非常に薄いため、エピタキシャル成長時、エピタキシャル成長層の熱酸化時、あるいは、貼り合わせ後の熱処理によって多孔質層中の隣接する孔が凝集・粗大化し、さらには分断してしまうことがある。この多孔質層の孔の凝集(agglomeration)・粗大化(Coarsening)現象は、多孔質シリコンの選択エッチング速度の低下と選択比の劣化を招いてしまうことがある。FIPOSにおいては孔壁厚みの増加と孔の分断のために多孔質層の酸化の進行が妨げられ、多孔質層を完全に酸化することが困難になってしまう。そこで、多孔質層形成後に熱酸化等の方法により、あらかじめ孔壁に薄い保護膜を形成して、孔の凝集・粗大化を抑制することができる。保護膜の形成に際しては、特に酸化による場合は孔壁内部に単結晶シリコンの領域を残すことが必須である。従って、膜厚は数nmあれば十分である。保護膜としては、酸化シリコン膜の他、窒化シリコン膜であってもよい。
【0128】
なお、貼り合わせ法によりSOI基板を作製する場合に、貼り合わせ後の熱処理等の後工程の低温化が十分になされ、多孔質の構造変化が抑制されれば、この工程は省略することも可能である。
【0129】
(HFディップ)
上記プリ酸化された多孔質シリコン層はHFディップ処理することもできる。
【0130】
HFディップに関しては、佐藤ら(N.Sato,K.Sakaguchi,K.Yamagata,Y.Fujiyama,and T.Yonehara,Proc.of the Seventh Int.Symp.on Silicon Mater.Sci.and Tech.,Semiconductor Silicon,(Pennington,The Electrochem.soc.Inc.,1994),p.443)によればHFディップの時間を長くすることにより、積層欠陥を103 /cm2 程度まで低減できると報告しているが、本発明者らの更なる実験によれば、このHFディップに関しては、フッ酸溶液が局所的に多孔質シリコン内部に深く侵入して、Preoxidationで形成した孔側壁の極薄酸化膜を除去してしまうことがあることが分かった。結果として、多孔質シリコン層内の局所的な構造粗大化を招き、多孔質シリコン層の選択的なエッチングによって多孔質シリコンが除去しきれず、島状に残留してしまうことがあった。すなわち、表面の自然酸化膜を除去するのに最低限必要な時間ないしは濃度を越えて、過度のHFディップを行うことは、必ずしも望ましくないことが分かった。
【0131】
また、長時間HFディップをした場合、貼り合わせ後のアニール温度によっては多孔質層の構造粗大化が進行し、多孔質シリコンのエッチングに際し、エッチングされない部分(エッチング残渣)が生じることがあるため、HFディップ時間は適当な範囲に制御する必要することが望ましい。
【0132】
HFディップの後、水洗・乾燥を行い、多孔質の孔中の残留HF濃度を低下させることができる。
【0133】
(微量の原料供給による孔の閉塞)
なお、本発明においては、多孔質の孔の閉塞させる成長初期過程にて、SiH2 Cl2 ,SiH4 ,SiHCl3 ,SiCl4 ,Si2 H6 等のシリコン系ソースガスを用いて、20nm./min以下、より好ましくは10nm./min以下、さらに好ましくは、2nm./min.以下の成長速度になるようソースガスの流量を設定するとよい。なお、常温・常圧で気体であるシランが供給量の制御性の点からより好ましい。これにより結晶欠陥がさらに低減される。MBE法のようにSiを固体ソースから供給し、基板温度が800度以下と低い場合には成長速度は、0.1nm./min以下であることが望ましい。微量の原料供給工程(「プリインジェクション」と呼ぶこともある。)により、孔の閉塞が完了した後は、成長速度は特に制約されない。通常のバルクシリコン上の成長と同条件であっても構わない。あるいは、上記した微量の原料供給工程と同じ成長速度で引き続き成長を続けてもよいし、ガス種等を変更しても何等本発明の用件を阻害するものではない。また、微量の原料供給工程とは連続した工程であっても、一旦、原料の供給を中断したのち、改めて所望の原料を供給して成長としても構わない。なお、N.Sato et.al.Jpn.J.Appl.Phys.35(1996)973.では、微量の成長初期のSiH2 Cl2 の供給量を減じることにより、従来法に比して積層欠陥密度が低減されることが報告された。しかしながら、かかる方法では積層欠陥密度は、エピ前プリベーク温度を高くすることで低減される傾向に変わりはなく、上記したような多孔質層の構造粗大化に伴うエッチング残さが発生することがあった。本発明では、成長前の熱処理を従来よりも低温の900℃〜950℃程度で行うことができるので、多孔質の構造の粗大化は生じにくい。
【0134】
本実施の形態によれば、熱処理の際のシリコンのエッチング量の少ない装置に、多孔質シリコン層を有する基体を設置して、成長前の熱処理時間を制御することにより、従来法のように高温の熱処理を避けることもできる。こうすれば、結晶欠陥密度を低減でき、多孔質の構造粗大化と孔の分断を抑止し得る。
【0135】
また、成長温度・圧力・ガス流量等は上記成長初期工程とは独立に制御できるので、処理温度を低温にして、多孔質シリコンの構造粗大化、あるいは、多孔質シリコンからのボロン、燐等の不純物のオートドーピング、固相拡散を抑制したり、成長温度を上げ、シリコンソースガスの流量を増やすことで成長速度を高めて、厚い非多孔質単結晶シリコン膜を短時間で形成してもよい。
【0136】
また、成長する非多孔質単結晶層は、前述したとおり、シリコンに限られるものではなく、SiGe,SiC等のIV族系のヘテロエピタキシー材料、あるいは、GaAsに代表される化合物半導体であっても構わない。また、前記微量原料供給工程では、シリコン系ガスを用い、その後は別のガスを用いてヘテロエピタキシャル成長させても構わない。
【0137】
なお、多孔質層表面の孔の封止工程(プリベーク、プリインジェクション)後、所望の膜の成長前に、プリベーク、プリインジェクションよりも高い温度で、かつ半導体膜の原料ガスを含まない雰囲気(たとえば水素を含む還元性雰囲気)で熱処理することも好ましい。当該熱処理を中間ベーク(inter baking)という。
【0138】
(実施態様例2)
多孔質単結晶シリコン層上に積層欠陥密度の低い非多孔質単結晶シリコン層を有する半導体基板の応用例について図10により説明する。
【0139】
単結晶Si基板の少なくとも一表面側を一部あるいは全部多孔質化し多孔質シリコン層11を有する基体10を作製する(図10A)。図では、一部多孔質化した場合について示している。
【0140】
実施態様例1に示したのと同様の方法、すなわちプリベークのための昇温工程、およびプリベーク工程におけるシリコンのエッチング量が2nm以下、より好ましくは1nm以下の条件を満たし、かつプリベークに伴う多孔質シリコン層表面孔密度の変化rが、10000分の1より大きく、好ましくは100分の1以上である熱処理を行う(図10B)。その後で該多孔質単結晶シリコン層上に非多孔質単結晶層12を形成する(図10C)。
【0141】
なお、熱処理に先だって、前述のプリ酸化、HFディップを行ってもよい。さらには熱処理後に微量の原料供給による孔の閉塞工程(プリインジェクション)を行うことも好ましい。
【0142】
次に、貼り合わせ法によりSOI基板を作製するが、まず非多孔質単結晶シリコン、第2の基体の少なくともどちらか一方の主面に絶縁物層を形成し、その後、非多孔質単結晶層が内側に位置するように貼り合わせ、多層構造体を形成する(図10D)。必要に応じて貼り合わせ強度を高めるための熱処理を行った後、多孔質シリコンの選択エッチング等による除去の工程(図10E)を経て、多孔質シリコン上のエピタキシャル成長層を第2の基板上に移設すれば、SOI構造を得ることができる。
【0143】
なお、絶縁物層としての酸化膜は、非多孔質単結晶層表面を酸化してもよいし、又、第2の基体の表面に酸化膜を形成してもよい。
【0144】
また、非多孔質単結晶層表面および、第2の基体の両方に酸化膜を形成してもよい。
【0145】
なお、多孔質シリコン層上に形成する非多孔質単結晶層としては、非多孔質単結晶シリコン層の他、ヘテロエピタキシャル層であってもよい。
【0146】
第2の基体自体が石英ウエハ、石英ガラスやプラスチック等の光透過性絶縁性基体である場合は、絶縁物14は省略することもできる。
【0147】
貼り合わせ強度が、後の工程に耐えるのに十分であれば、後工程に進む。研削等の機械的方法、エッチング等の化学的方法等により、多孔質層が形成された基板の裏面側を除去して多孔質層を表出させる。あるいは、多孔質層中で基板の裏面側の部分を剥離することによって、多孔質層を表出させてもよい。剥離は、くさび等を端面から挿入することや、ウォータージェットのように流体を噴きつけることにより、機械的に剥離させてもよいし、超音波や、熱応力等を利用してもよい。予め多孔質層中に機械的強度の弱い高多孔度層を部分的に形成しておくことにより、分離しやすくしておくとよい。例えば、多孔質層の構成を、高多孔度(30%〜70%)の第1の多孔質層、該第1の多孔質層上の低多孔度(10%〜30%)の第2の多孔質層とし、そして該第2の多孔質層の上に非多孔質単結晶層を形成する。
【0148】
(多孔質の選択エッチング)
非多孔質単結晶層12上に残留した多孔質層は、選択エッチングにより除去する。選択エッチング液はHF、H2 O2 、H2 O2 の混合液が好適に用いられる。反応中に生成される気泡を除去するために、混合液中にエチルアルコール、イソプロピルアルコールや界面活性剤を添加してもよい。
【0149】
本方法では、多孔質層の構造変化・粗大化、孔の分断が抑制されているので、選択エッチングにおいて選択性の劣化が少ない。
【0150】
なお、多孔質シリコン上に形成した非多孔質単結晶シリコン層を貼り合わせる第2の基体は特に限定されない。シリコンウエハ、熱酸化シリコン膜を形成したシリコンウエハ、石英ウエハ等の透明基板、サファイアウエア等、前記非多孔質単結晶シリコン表面、ないしは、その上に形成した膜の表面と密着できる平滑さを有していればよい。絶縁性基体と貼り合わせる場合には、絶縁層14は省ける。
【0151】
また、非多孔質単結晶シリコン層はそのまま第2の基体と貼り合わせても貼り合わせる前に膜を形成してもよい。形成する膜は、酸化シリコン、窒化シリコンの他、SiGe、SiC、InP、GaAs、InGaAsP、GaAsAl等のIII−V化合物やII−VI化合物の単結晶膜を形成したものであってもよいし、これら複数の膜を積層したものであってもよい。
【0152】
貼り合わせ前には貼り合わせ面を清浄に洗浄することが好適である。洗浄は通常の半導体プロセスで用いられる先行工程を採用してもよい。また、貼り合わせ前に窒素プラズマ等を照射すると接着強度を高めることができる。
【0153】
貼り合わせ後には、熱処理を行って貼り合わせ強度を高めることが望ましい。
【0154】
(水素アニール)
多孔質シリコン除去後の非多孔質単結晶層12上には、表面に存在していた多孔質シリコンの孔と側壁の周期を反映した凹凸が存在する場合がある。この表面は、非多孔質単結晶シリコンと多孔質シリコンの界面に相当するが、そもそもどちらも単結晶シリコンであり、孔があるかどうかだけの差であるためである。この表面凹凸はCMP(Chemical mechanical polishing)に代表される研磨等によっても除去できるが、水素を含む還元性雰囲気中で熱処理(「水素アニール」と言われる。)を行うと、非多孔質単結晶シリコンの膜厚を、殆ど減じることなく凹凸を除去できる。水素アニールは、大気圧下、高圧下、減圧下、微減圧下いずれでもよい。また、温度は800℃以上単結晶シリコンの融点以下、好ましくは900℃以上1350℃以下である。
【0155】
(ボロン濃度制御)
一方、多孔質シリコン層上のエピタキシャル層の結晶成長は、一般にp+ Si(〜0.01Ω・cm boron doped)を多孔質化した方が、p- Si(〜0.01Ω・cm boron doped)を化成した場合と比べはるかに良好であるが、高濃度Boronが、エピタキシャル成長時にオートドーピング、あるいは、固相拡散してエピタキシャルシリコン層に拡散してしまう場合がある。エピタキシャルシリコン層に拡散したボロンは多孔質シリコン除去後にも残留してしまい、SOIにおける活性層の不純物濃度の制御に支障を来す場合がある。これを解決するために佐藤ら(N.Sato,and T.Yonehara,Appl.Phys.Lett.65(1994)p.1924)は、SOI構造が完成した基板を水素アニールすることで、ボロンの拡散速度の低いSOI層表面の自然酸化膜を除去し、SOI層中のボロンを外部に拡散することで、低濃度化を実現している。しかしながら、エピタキシャルシリコン層への過度のボロン拡散は、埋め込み酸化膜中へのボロン取り込みを招き、水素アニールの長時間化を招き、プロセスコストの増大、あるいは、埋め込み酸化膜中のボロン濃度の制御性の悪化などの問題が生じることがあった。この課題の解決には、エピタキシャルシリコン層の形成条件を低温化するなどしてボロンの拡散を抑制することが有効である。本発明によれば、エピタキシャルシリコン層の形成は、孔の閉塞とは独立に条件を設定できるので、適切な条件を設定可能である。
【0156】
(FIPOS法)
また、貼合せ工程を行わずに、FIPOS法により、エピタキシャル成長層を部分的に除去した後、酸化処理により多孔質シリコンを選択的に酸化して、SOI構造を形成しても良い。本方法では、多孔質層の構造変化・粗大化・孔の分断が抑制されているので、選択酸化においても選択性の劣化が少ない。
【0157】
(ヘテロエピタキシー)
多孔質シリコン層上へ形成される非多孔質単結晶層としては、シリコンの他、GaAs等の化合物半導体、SiC,SiGe等のIV族系のヘテロエピを実施しても良い。ヘテロアピタキシーにおいては、多孔質シリコンが応力の緩衝材料として作用し、格子不整合による応力を緩和することができる上に、非多孔質単結晶シリコン層の結晶欠陥密度が低減できているので、ヘテロエピタキシャル成長層の欠陥密度も低減される。本方法では、多孔質層の構造変化・粗大化・孔の分断が抑制されているので、応力の緩衝効果の劣化が少ない。
【0158】
(その他の応用)
多孔質シリコンにはゲッタリング作用があるため、上記したようなSOI構造を形成せずとも、本発明により作製した非多孔質単結晶シリコン層にMOSトランジスタ、バイポーラトランジスタ等を直接形成すれば、工程中の金属汚染等の不純物汚染耐性の高い基板となる。
【0159】
本方法では、従来の方法に比べ、熱処理温度、特に孔に封止前の熱処理温度を低温化できるため、多孔質層中の孔の凝集・拡大・分断等を抑制できるため、貼り合わせ法での後の工程での多孔質層の選択エッチングでの選択性を劣化させない。すなわち、多孔質層除去において、残さを発生させないで、非多孔質単結晶シリコン層の結晶性を向上できる。また、FIPOS法においては、多孔質層の選択酸化の酸化速度を劣化せしめない。
【0160】
以下、本発明の具体的な実施例について説明する。
【0161】
(実施例1:950℃,600Torr Prebake(2s,120s),Preinjection,Epi−2μm)
1)p型不純物としてボロンを添加し、比抵抗0.015Ω・cm+/−0.005Ω・cmにしたCZ6インチ(100)p+ シリコンウエハを用意した。
【0162】
2)49%HFとエチルアルコールを2:1の比で混合した溶液中で前記シリコンウエハを陽極に、6インチ径の白金板を陰極としてシリコンウエハと向かい合うように設置した。前記シリコンウエハの裏面側は同じ溶液を介して、別のP+ Siウエハの表面側と対向させ、もっとも端のウエハは6インチ径の白金板を対向させた。ウエハとウエハの間の溶液はウエハで隔てられ、導通しないように配置した。前記シリコンウエハと白金の間に電流密度10mA/cm2 で12分間電流を流して前記シリコンウエハを陽極化成し(Anodize)、表面に12μm厚の多孔質シリコンを形成した。
【0163】
3)つづいて、多孔質シリコン層を形成したウエハに400度の酸素雰囲気中で1時間酸化処理を施した。この酸化処理は概ね50Å以下の酸化膜しか形成しないためので酸化シリコン膜は多孔質シリコンの表面と孔の側壁にしか形成されておらず、内部には単結晶シリコンの領域が残されている。
【0164】
4)1.25%に希釈したHF水溶液に前記ウエハを30秒程度曝し、続いて10分間純水に漬けて、オーバーフローリンスして、多孔質層の表面に形成された極薄酸化シリコン膜を除去した。
【0165】
5)ウエハをウエハキャリアに入れてセットするロードロック室とウエハ移載用ロボットのセットされた移載チャンバーとプロセスチャンバーが接続されたエピタキシャルCVD成長装置のロードロック室に前記ウエハをウエハキャリアに入れて設置した。ロードロック室は、大気圧からドライポンプで1Torr以下に減圧したのち、N2 を流して、80Torrにした。移載チャンバーは予めN2 を流して80Torrに保持されている。プロセスチャンバーには、ウエハを保持するためにカーボンにCVD−SiCを被覆したサセプタが設置されている。サセプタは、IRランプによって予め摂氏750℃程度に昇温してある。プロセスチャンバー内には加熱したパラジウム合金を用いた水素精製機により、精製された水素ガスが精製機からおよそ10mの内面研磨したステンレス配管によりプロセスチャンバーに供給されている。
【0166】
ウエハはロードロック室から移載チャンバーを経由してプロセスチャンバーへ移載ロボットにより搬送され、サセプタ上に載置された。
【0167】
6)プロセスチャンバーの圧力を600Torrに設置した後、サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、950℃で2秒保持した後、温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。もう1枚のウエハは950℃で120秒保持し、これ以外は同じ処理をしてロードロック室に戻した。
【0168】
7)ロードロック室を大気開放してウエハを取り出し、HR−SEMに多孔質層表面の状態を観察したところ、2秒処理のウエハ上に多孔質の表面孔密度は、6.8×1010/cm2 であり、120秒処理の多孔質の表面孔密度は、3.0×109 /cm2 であった。エピタキシャル成長装置に設置する前のサンプルの孔密度は9.8×1010/cm2 であるから、変化率rはそれぞれ7/10、3/100であった。すなわち、本発明にいう条件2を満足している。
【0169】
8)また、予め用意しておいたSOI基板をHFディップし、水洗して乾燥させたのち、SOI層の膜厚を光干渉式膜厚計により測定し、5)、6)の処理を施し、ロードロックより取り出した。再びSOI層の膜厚を測定したところ、SOI層の膜厚減少量は、いずれも1nm未満であった。すなわち、本発明にいう条件1を満足している。
【0170】
9)4)の処理が終了したウエハを5)のようにして、エピタキシャル成長装置のプロセスチャンバーに移載した。
【0171】
10)プロセスチャンバーの圧力を600Torrに設定した後、サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、熱処理(プリベーク処理)として950℃で2秒保持した後、濃度28ppmになるように水素のキャリアガスにSiH4 を添加して、200秒処理し、SiH4 の添加は終了し、その後、圧力を80Torrに温度を900℃に下げて、今度はSiH2 Clを濃度0.5mol%になるように添加して、非多孔質単結晶シリコン膜を2μm形成し、水素雰囲気下で温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。もう1枚のウエハは950℃水素雰囲気中でのプリベーク処理時間を120秒とし、これ以外は同じ処理をしてロードロック室に戻した。なお、濃度28ppmになるようにSiH4 を添加した場合の成長速度は、3.3nm/min.である。また、1mol%=104 ppmである。
【0172】
11)10)の処理が終了したウエハを欠陥顕在化エッチングして、非多孔質単結晶シリコン層に導入された結晶欠陥を顕在化した後、ノマルスキー微分干渉顕微鏡で観察した。観察された欠陥は積層欠陥が99%以上であった。積層欠陥の密度は、プリベーク2秒の場合、84個/cm2 、プリベーク120秒の場合、260個/cm2 で、プリベーク1100℃120秒の場合の1.5×104 /cm2 に比べ、激減した。欠陥密度が低い場合には特に950℃2秒プリベークでは、100個/cm2 を下回る積層欠陥密度が得られた。
【0173】
積層欠陥の観察は、欠陥顕在化エッチングして顕微鏡で観察した。具体的には、エッチング液として、Seccoエッチング法におけるK2 Cr2 O7 (0.15M)と49%HF(2:1)の混合水溶液を、エッチング速度を下げるために、純水で希釈したものを用い、ウエハ表面の非多孔質単結晶シリコン層に導入された結晶欠陥を顕在化させた後、ノマルスキー微分干渉顕微鏡で観察し積層欠陥密度を求めた。
【0174】
(実施例2:950℃,600Torr Prebake(2s),Preinjection,Epi−0.32μm ELTRAN)
1)p型不純物としてボロンを添加し、比抵抗0.015Ω・cm+/−0.01Ω・cmにしたCZ8インチ(100)p+ シリコンウエハを用意した。
【0175】
2)49%HFとエチルアルコールを2:1の比で混合した溶液中で前記シリコンウエハを陽極に、6インチ径の白金板を陰極としてシリコンウエハと向かい合うように設置した。前記シリコンウエハの裏面側は同じ溶液を介して、別のP+ Siウエハの表面側と対向させ、もっとも端のウエハは6インチ径の白金板を対向させた。ウエハとウエハの間の溶液はウエハで隔てられ、導通しないように配置した。前記シリコンウエハと白金の間に電流密度10mA/cm2 で12分間電流を流して前記シリコンウエハを陽極化成し(Anodize)、表面に12μm厚の多孔質シリコンを複数枚形成した。
【0176】
3)つづいて、多孔質シリコン層を形成したウエハに400度の酸素雰囲気中で1時間酸化処理を施した。この酸化処理は概ね50Å以下の酸化膜しか形成しないためので酸化シリコン膜は多孔質シリコンの表面と孔の側壁にしか形成されておらず、内部には単結晶シリコンの領域が残されている。
【0177】
4)1.25%に希釈したHF水溶液に前記ウエハを30秒程度曝し、続いて10分間純水に漬けて、オーバーフローリンスして、多孔質層の表面に形成された極薄酸化シリコン膜を除去した。
【0178】
5)ウエハをウエハキャリアに入れてセットするロードロック室とウエハ移載用ロボットのセットされた移載チャンバーとプロセスチャンバーが接続されたエピタキシャルCVD成長装置のロードロック室に前記ウエハをウエハキャリアに入れて設置した。ロードロック室は、大気圧からドライポンプで1Torr以下に減圧したのち、N2 を流して、80Torrにした。移載チャンバーは予めN2 を流して80Torrに保持されている。プロセスチャンバーには、ウエハを保持するためにカーボンにCVD−SiCを被覆したサセプタが設置されている。サセプタは、IRランプによって予め摂氏750℃程度に昇温してある。プロセスチャンバー内には加熱したパラジウム合金を用いた水素精製機により、精製された水素ガスが精製機からおよそ10mの内面研磨したステンレス配管によりプロセスチャンバーに供給されている。
【0179】
ウエハはロードロック室から移載チャンバーを経由してプロセスチャンバーへ移載ロボットにより搬送され、サセプタ上に設置された。
【0180】
6)サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、プリベーク処理として950℃で2秒保持した。この時の条件は、エッチング量1nm未満であり、表面孔密度の変化rは、7/10であり、いずれも本発明にいう条件1、条件2を満足している。
【0181】
その後、濃度28ppmになるように水素のキャリアガスにSiH2 Cl2 を添加して、200秒処理をし(成長速度2.6nm/min)、その後、温度を900℃に下げて、今度はSiH2 Cl2 を濃度0.5mol%になるように添加して、非多孔質単結晶シリコン膜を0.32μm形成し、水素雰囲気下で温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。形成された非多孔質単結晶シリコン層の膜厚は平均0.32μm、最大値−最小値=8nmであった。
【0182】
7)非多孔質単結晶シリコンをエピタキシャル成長したウエハを縦形炉に設置して、酸素と水素を燃焼して形成された水蒸気と残留酸素の混合気中、1000℃で熱処理により前記非多孔質単結晶シリコンの表面を酸化して、208nmの酸化シリコン膜を形成した。
【0183】
8)上記ウエハと第2のシリコンウエハをシリコン半導体プロセスの洗浄ラインで清浄に洗浄したのち、両ウエハの第1の主面同士を静かに重ね合わせ、中央を押圧したところ、両ウエハは一体化した。
【0184】
9)続いて、一体化したウエハ組を縦形炉に設置して、酸素雰囲気中1100℃で1時間熱処理した。
【0185】
10)多孔質シリコンを形成したウエハの裏面側をグラインダーにより研削し、多孔質シリコンをウエハ全面に渡って露出させた。
【0186】
11)露出した多孔質シリコン層をHFと過酸化水素水の混合溶液に漬けたところ、およそ2時間で多孔質シリコンはすべて除去され、ウエハ全面で、非多孔質単結晶シリコン層と熱酸化シリコン膜による干渉色が観察された。
【0187】
12)11)の処理が終了したウエハをシリコン半導体デバイスプロセスで一般的に用いる洗浄ラインで洗浄した後、縦形水素アニール炉に設置して、水素100%雰囲気中で1100℃4時間の熱処理を行った。水素ガスは装置とおよそ7mの内面研磨ステンレス配管で接続されたパラジウム合金を用いた市販の水素精製装置で純化されている。
【0188】
13)こうして、第2のシリコンウエハ上に200nmの酸化シリコン層と200nmの単結晶シリコン層が積層されたSOI構造のウエハが作製された。
【0189】
単結晶シリコン層の膜厚は平均201nm、最大値−最小値=8nmであった。
【0190】
13)のウエハを欠陥顕在化エッチングにより単結晶シリコン層を130nm除去したのち、49%HFに3分漬けた。この結果、欠陥顕在化エッチングによりエッチングされた単結晶シリコン層に残留する結晶欠陥の部分から埋め込み酸化膜がHFによりエッチングされ、ノマルスキー微分干渉顕微鏡で容易に欠陥密度を測定できる。観察された欠陥の密度は、64個/cm2 であった。水素アニール処理により、非多孔質単結晶シリコン層に導入された積層欠陥が減少していた。欠陥密度100個/cm2 を下回り、かつ、膜厚の均一な薄膜SOI層が得られた。
【0191】
(実施例3:950℃,600Torr Prebake(2s,120s),No Preinjection,Epi−2μm)
1)p型不純物としてボロンを添加し、比抵抗0.015Ω・cm+/−0.005Ω・cmにしたCZ6インチ(100)p+ シリコンウエハを用意した。
【0192】
2)49%HFとエチルアルコールを2:1の比で混合した溶液中で前記シリコンウエハを陽極に、6インチ径の白金板を陰極としてシリコンウエハと向かい合うように設置した。前記シリコンウエハの裏面側は同じ溶液を介して、別のP+ Siウエハの表面側と対向させ、もっとも端のウエハは6インチ径の白金板を対向させた。ウエハとウエハの間の溶液はウエハで隔てられ、導通しないように配置した。前記シリコンウエハと白金の間に電流密度10mA/cm2 で12分間電流を流して前記シリコンウエハを陽極化成し(Anodize)、表面に12μm厚の多孔質シリコンを形成した。
【0193】
3)つづいて、多孔質シリコン層を形成したウエハに400度の酸素雰囲気中で1時間酸化処理を施した。この酸化処理は概ね50Å以下の酸化膜しか形成しないためので酸化シリコン膜は多孔質シリコンの表面と孔の側壁にしか形成されておらず、内部には単結晶シリコンの領域が残されている。
【0194】
4)1.25%に希釈したHF水溶液に前記ウエハを30秒程度曝し、続いて10分間純水に漬けて、オーバーフローリンスして、多孔質層の表面に形成された極薄酸化シリコン膜を除去した。
【0195】
5)ウエハをウエハキャリアに入れてセットするロードロック室とウエハ移載用ロボットのセットされた移載チャンバーとプロセスチャンバーが接続されたエピタキシャルCVD成長装置のロードロック室に前記ウエハをウエハキャリアに入れて設置した。ロードロック室は、大気圧からドライポンプで1Torr以下に減圧したのち、N2 を流して、80Torrにした。移載チャンバーは予めN2 を流して80Torrに保持されている。プロセスチャンバーには、ウエハを保持するためにカーボンにCVD−SiCを被覆したサセプタが設置されている。サセプタは、IRランプによって予め摂氏750℃程度に昇温してある。プロセスチャンバー内には加熱したパラジウム合金を用いた水素精製機により、精製された水素ガスが精製機からおよそ10mの内面研磨したステンレス配管によりプロセスチャンバーに供給されている。
【0196】
ウエハはロードロック室から移載チャンバーを経由してプロセスチャンバーへ移載ロボットにより搬送され、サセプタ上に載置された。
【0197】
6)プロセスチャンバーの圧力を600Torrに設置した後、サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、950℃で2秒保持した後、温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。もう1枚のウエハは950℃で120秒保持し、これ以外は同じ処理をしてロードロック室に戻した。
【0198】
7)ロードロック室を大気開放してウエハを取り出し、HR−SEMに多孔質層表面の状態を観察したところ、2秒処理のウエハ上に多孔質の表面孔密度は、6.8×1010/cm2 であり、120秒処理の多孔質の表面孔密度は、3.0×109 /cm2 で、エピタキシャル成長装置に設置する前のサンプルの孔密度は9.8×1010/cm2 のそれぞれ約7/10、3/100であった。すなわち、本発明にいう条件2を満足していた。
【0199】
8)また、予め用意しておいたSOI基板をHFディップし、水洗して乾燥させたのち、SOI層の膜厚を光干渉式膜厚計により測定し、5)、6)の処理を施し、ロードロックより取り出した。再びSOI層の膜厚を測定したところ、SOI層の膜厚減少量は、いずれも1nm未満であり、本発明にいう条件1を満足していた。
【0200】
9)4)の処理が終了したウエハを5)により、エピタキシャル成長装置のプロセスチャンバーに移載した。
【0201】
10)プロセスチャンバーの圧力を600Torrに設定した後、サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、プリベーク処理として950℃で2秒保持した後、濃度を900℃に下げて圧力を80Torrにし、SiH2 Cl2 を濃度0.5mol%になるように添加して、非多孔質単結晶シリコン膜を2μm形成し、水素雰囲気下で温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。もう1枚のウエハは950℃水素雰囲気中でのプリベーク処理時間を120秒とし、これ以外は同じ処理をしてロードロック室に戻した。
【0202】
11)10)の処理が終了したウエハを欠陥顕在化エッチングして、非多孔質単結晶シリコン層に導入された結晶欠陥を顕在化した後、ノマルスキー微分干渉顕微鏡で観察した。観察された欠陥は積層欠陥が99%以上であった。積層欠陥の密度は、プリベーク2秒の場合、170個/cm2 、プリベーク120秒の場合、2.6×103 個/cm2 で、プリベーク1100℃120秒の場合の1.5×104 /cm2 に比べ、激減した。
【0203】
(実施例4:900℃,450Torr Prebake(2s,120s),Preinjection,Epi−2μm)
1)p型不純物としてボロンを添加し、比抵抗0.015Ω・cm+/−0.005Ω・cmにしたCZ6インチ(100)p+ シリコンウエハを用意した。
【0204】
2)49%HFとエチルアルコールを2:1の比で混合した溶液中で前記シリコンウエハを陽極に、6インチ径の白金板を陰極としてシリコンウエハと向かい合うように設置した。前記シリコンウエハの裏面側は同じ溶液を介して、別のP+ Siウエハの表面側と対向させ、もっとも端のウエハは6インチ径の白金板を対向させた。ウエハとウエハの間の溶液はウエハで隔てられ、導通しないように配置した。前記シリコンウエハと白金の間に電流密度10mA/cm2 で12分間電流を流して前記シリコンウエハを陽極化成し(Anodize)、表面に12μm厚の多孔質シリコンを形成した。
【0205】
3)つづいて、多孔質シリコン層を形成したウエハに400度の酸素雰囲気中で1時間酸化処理を施した。この酸化処理は概ね50Å以下の酸化膜しか形成しないためので酸化シリコン膜は多孔質シリコンの表面と孔の側壁にしか形成されておらず、内部には単結晶シリコンの領域が残されている。
【0206】
4)1.25%に希釈したHF水溶液に前記ウエハを30秒程度曝し、続いて10分間純水に漬けて、オーバーフローリンスして、多孔質層の表面に形成された極薄酸化シリコン膜を除去した。
【0207】
5)ウエハをウエハキャリアに入れてセットするロードロック室とウエハ移載用ロボットのセットされた移載チャンバーとプロセスチャンバーが接続されたエピタキシャルCVD成長装置のロードロック室に前記ウエハをウエハキャリアに入れて設置した。ロードロック室は、大気圧からドライポンプで1Torr以下に減圧したのち、N2 を流して、80Torrにした。移載チャンバーは予めN2 を流して80Torrに保持されている。プロセスチャンバーには、ウエハを保持するためにカーボンにCVD−SiCを被覆したサセプタが設置されている。サセプタは、IRランプによって予め摂氏750℃程度に昇温してある。プロセスチャンバー内には加熱したパラジウム合金を用いた水素精製機により、精製された水素ガスが精製機からおよそ10mの内面研磨したステンレス配管によりプロセスチャンバーに供給されている。
【0208】
ウエハはロードロック室から移載チャンバーを経由してプロセスチャンバーへ移載ロボットにより搬送され、サセプタ上に載置された。
【0209】
6)プロセスチャンバーの圧力を450Torrに設定した後、サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、900℃で2秒保持した後、温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。もう1枚のウエハは900℃で120秒保持し、これ以外は同じ処理をしてロードロック室に戻した。
【0210】
7)ロードロック室を大気開放してウエハを取り出し、HR−SEMに多孔質層表面の状態を観察したところ、2秒処理のウエハ上に多孔質の表面孔密度は、7.8×1010/cm2 であり、120秒処理の多孔質の表面孔密度は、3.0×1010/cm2 で、エピタキシャル成長装置に設置する前のサンプルの孔密度は9.8×1010/cm2 のそれぞれ約8/10、3/10であり、本発明にいう条件2を満足していた。
【0211】
8)また、予め用意しておいたSOI基板をHFディップし、水洗して乾燥させたのち、SOI層の膜厚を光干渉式膜厚計により測定し、5)、6)の処理を施し、ロードロックより取り出した。再びSOI層の膜厚を測定したところ、SOI層の膜厚減少量は、いずれも1nm未満であり、本発明にいう条件1を満足していた。
【0212】
9)4)の処理が終了したウエハを5)により、エピタキシャル成長装置のプロセスチャンバーに移載した。
【0213】
10)プロセスチャンバーの圧力を450Torrに設定した後、サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、プリベーク処理として900℃で2秒保持した後、濃度28ppmになるように水素のキャリアガスにSiH4 を添加して、200秒処理をし、SiH4 の添加は終了し、その後、圧力を80Torrに温度を900℃に下げて、今度はSiH2 Cl2 を濃度0.7mol%になるように添加して、非多孔質単結晶シリコン膜を2μm形成し、水素雰囲気下で温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。もう1枚のウエハは900℃水素雰囲気中でのプリベーク処理時間を120秒とし、これ以外は同じ処理をしてロードロック室に戻した。
【0214】
11)10)の処理が終了したウエハを欠陥顕在化エッチングして、非多孔質単結晶シリコン層に導入された結晶欠陥を顕在化した後、ノマルスキー微分干渉顕微鏡で観察した。観察された欠陥は積層欠陥が99%以上であった。積層欠陥の密度は、プリベーク2秒の場合、490個/cm2 、プリベーク120秒の場合、350個/cm2 で、プリベーク1100℃120秒の場合の1.5×104 /cm2 に比べ、激減し、1000個/cm2 未満の欠陥密度が実現された。
【0215】
(実施例5:870℃,80Torr Prebake(5s,60s),Preinjection,Epi−2μm)
1)p型不純物としてボロンを添加し、比抵抗0.015Ω・cm+/−0.005Ω・cmにしたCZ6インチ(100)p+ シリコンウエハを用意した。
【0216】
2)49%HFとエチルアルコールを2.1:1の比で混合した溶液中で前記シリコンウエハを陽極に、6インチ径の白金板を陰極としてシリコンウエハと向かい合うように設置した。前記シリコンウエハの裏面側は同じ溶液を介して、別のP+Siウエハの表面側と対向させ、もっとも端のウエハは6インチ径の白金板を対向させた。ウエハとウエハの間の溶液はウエハで隔てられ、導通しないように配置した。前記シリコンウエハと白金の間に電流密度10mA/cm2 で12分間電流を流して前記シリコンウエハを陽極化成し(Anodize)、表面に12μm厚の多孔質シリコンを形成した。
【0217】
3)つづいて、多孔質シリコン層を形成したウエハに400度の酸素雰囲気中で1時間酸化処理を施した。この酸化処理は概ね50Å以下の酸化膜しか形成しないためので酸化シリコン膜は多孔質シリコンの表面と孔の側壁にしか形成されておらず、内部には単結晶シリコンの領域が残されている。
【0218】
4)1.3%に希釈したHF水溶液に前記ウエハを30秒程度曝し、続いて10分間純水に漬けて、オーバーフローリンスして、多孔質層の表面に形成された極薄酸化シリコン膜を除去した。
【0219】
5)ウエハをウエハキャリアに入れてセットするロードロック室とウエハ移載用ロボットのセットされた移載チャンバーとプロセスチャンバーが接続されたエピタキシャルCVD成長装置のロードロック室に前記ウエハをウエハキャリアに入れて設置した。ロードロック室は、大気圧からドライポンプで1Torr以下に減圧したのち、N2 を流して、80Torrにした。移載チャンバーは予めN2 を流して80Torrに保持されている。プロセスチャンバーには、ウエハを保持するためにカーボンにCVD−SiCを被覆したサセプタが設置されている。サセプタは、IRランプによって予め摂氏750℃程度に昇温してある。プロセスチャンバー内には加熱したパラジウム合金を用いた水素精製機により、精製された水素ガスが精製機からおよそ10mの内面研磨したステンレス配管によりプロセスチャンバーに供給されている。
【0220】
ウエハはロードロック室から移載チャンバーを経由してプロセスチャンバーへ移載ロボットにより搬送され、サセプタ上に載置された。
【0221】
6)プロセスチャンバーの圧力を80Torrとし、サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、870℃で5秒保持した後、温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。もう1枚のウエハは870℃で60秒保持し、これ以外は同じ処理をしてロードロック室に戻した。
【0222】
7)ロードロック室を大気開放してウエハを取り出し、HR−SEMに多孔質層表面の状態を観察したところ、5秒処理のウエハ上に多孔質の表面孔密度は、4.1×1010/cm2 であり、60秒処理の多孔質の表面孔密度は、1.1×1010/cm2 で、エピタキシャル成長装置に設置する前のサンプルの孔密度は9.8×1010/cm2 のそれぞれ約4/10、1.1/10であり、本発明にいう条件2を満足していた。
【0223】
8)また、予め用意しておいたSOI基板をHFディップし、水洗して乾燥させたのち、SOI層の膜厚を光干渉式膜厚計により測定し、5)、6)の処理を施し、ロードロックより取り出した。再びSOI層の膜厚を測定したところ、SOI層の膜厚減少量は、いずれも1nm未満であり、本発明にいう条件1を満足していた。
【0224】
9)4)の処理が終了したウエハを5)により、エピタキシャル成長装置のプロセスチャンバーに移載した。
【0225】
10)プロセスチャンバーの圧力を80Torrに設定した後、サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、プリベーク処理として900℃で2秒保持した後、濃度35ppmになるように水素のキャリアガスにSiH4 を添加して、150秒処理をし、SiH4 の添加は終了し、その後、SiH2 Cl2 を濃度1mol%になるように添加して、非多孔質単結晶シリコン膜を2μm形成し、水素雰囲気下で温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。もう1枚のウエハはプリベーク処理時間を60秒とし、これ以外は同じ処理をしてロードロック室に戻した。なお、35ppmになるようにSiH4 を添加した場合の成長速度は、4.3nm/min.である。
【0226】
11)10)の処理が終了したウエハを欠陥顕在化エッチングして、非多孔質単結晶シリコン層に導入された結晶欠陥を顕在化した後、ノマルスキー微分干渉顕微鏡で観察した。観察された欠陥は積層欠陥が99%以上であった。積層欠陥の密度は、プリベーク5秒の場合、350個/cm2 、プリベーク60秒の場合、630個/cm2 で、プリベーク1100℃120秒の場合の1.5×104 /cm2 に比べて激減し、1000個/cm2 未満の欠陥密度が実現された。
【0227】
(実施例6:950℃,80Torr Prebake(2s),Preinjection,Epi−0.32μm Recycle−ELTRAN)
1)p型不純物としてボロンを添加し、比抵抗0.015Ω・cm+/−0.01Ω・cmにしたCZ8インチ(100)p+ シリコンウエハを用意した。
【0228】
2)第1の単結晶Si基板の表面層をHF溶液中において陽極化成を行った。陽極化成条件は以下の通りであった。
【0229】
電流密度:7(mA・cm-2)
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:t(min)
多孔質Siの厚み:x(μm)
さらに、
電流密度:50(mA・cm-2)
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:10(sec)
多孔質Siの厚み:〜0.2(μm)
【0230】
第1の陽極化成の時間tをそれぞれ5minと変えて、第1の低多孔度多孔質層厚xを5μmとした。
【0231】
この陽極化成により、(50(mA・cm-2)による多孔質Si層の多孔度(porosity)は大きくなり、構造的に脆弱な高多孔度薄層が形成された。
【0232】
3)つづいて、多孔質シリコン層を形成したウエハに400度の酸素雰囲気中で1時間酸化処理を施した。この酸化処理は概ね50Å以下の酸化膜しか形成しないためので酸化シリコン膜は多孔質シリコンの表面と孔の側壁にしか形成されておらず、内部には単結晶シリコンの領域が残されている。
【0233】
4)1.25%に希釈したHF水溶液に前記ウエハを30秒程度曝し、続いて10分間純水に漬けて、オーバーフローリンスして、多孔質層の表面に形成された極薄酸化シリコン膜を除去した。
【0234】
5)ウエハをウエハキャリアに入れてセットするロードロック室とウエハ移載用ロボットのセットされた移載チャンバーとプロセスチャンバーが接続されたエピタキシャルCVD成長装置のロードロック室に前記ウエハをウエハキャリアに入れて設置した。ロードロック室は、大気圧からドライポンプで1Torr以下に減圧したのち、N2 を流して、80Torrにした。移載チャンバーは予めN2 を流して80Torrに保持されている。プロセスチャンバーには、ウエハを保持するためにカーボンにCVD−SiCを被覆したサセプタが設置されている。サセプタは、IRランプによって予め摂氏750℃程度に昇温してある。プロセスチャンバー内には加熱したパラジウム合金を用いた水素精製機により、精製された水素ガスが精製機からおよそ10mの内面研磨したステンレス配管によりプロセスチャンバーに供給されている。
【0235】
ウエハはロードロック室から移載チャンバーを経由してプロセスチャンバーへ移載ロボットにより搬送され、サセプタ上に載置された。
【0236】
6)サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、熱処理(プリベーク処理)として950℃で2秒保持した後、濃度28ppmになるように水素キャリアガスにSiH4 を添加して、200秒処理をし、SiH4 の添加は終了し、その後、温度を900℃に下げて、今度はSiH2 Cl2 を濃度0.5mol%になるように添加して、非多孔質単結晶シリコン膜を0.32μm形成し、水素雰囲気下で温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。形成された非多孔質単結晶シリコン層の膜厚は平均0.32μm、最大値−最小値=8nmであった。なお、上記950℃、2秒保持の熱処理後は、表面孔密度は、7.5×1010(処理前は、9.5×1010)/cm2 であり、本発明にいう条件2を満足していた。
【0237】
7)非多孔質単結晶シリコンをエピタキシャル成長したウエハを縦形炉に設置して、酸素と水素を燃焼して形成された水蒸気と残留酸素の混合気中、1000℃で熱処理により前記非多孔質単結晶シリコンの表面を酸化して、208nmの酸化シリコン膜を形成した。
【0238】
8)上記ウエハと第2のシリコンウエハをシリコン半導体プロセスの洗浄ラインで清浄に洗浄したのち、両ウエハの第1の主面同士を静かに重ね合わせ、中央を押圧したところ、両ウエハは一体化した。
【0239】
9)続いて、一体化したウエハ組を縦形炉に設置して、酸素雰囲気中1100℃で1時間熱処理した。
【0240】
10)貼り合わせウエハの側面にウォータージェットを噴きつけてウエハを分離させたところ、高多孔度層で分割された。分割方法は、ウォータージェット以外に加圧、引っ張り、せん断、楔、等の外圧をかける方法、超音波を印加する方法、熱をかける方法、酸化による多孔質Siを周辺から膨張させ多孔質Si内に内圧をかける方法、パルス状に加熱し、熱応力をかける、あるいは軟化させる方法等がある。そのどの方法でも分離することは可能であった。
【0241】
11)露出した多孔質シリコン層をHFと過酸化水素水の混合溶液に漬けたところ、およそ2時間で多孔質シリコンはすべて除去され、ウエハ全面で、非多孔質単結晶シリコン層と熱酸化シリコン膜による干渉色が観察された。
【0242】
12)11)の処理が終了したウエハをシリコン半導体デバイスプロセスで一般的に用いる洗浄ラインで洗浄した後、縦形水素アニール炉に設置して、水素100%雰囲気中で1100℃4時間の熱処理を行った。水素ガスは装置とおよそ7mの内面研磨ステンレス配管で接続されたパラジウム合金を用いた市販の水素精製装置で純化されている。
【0243】
13)こうして、第2のシリコンウエハ上に200nmの酸化シリコン層と200nmの単結晶シリコン層が積層されたSOI構造のウエハが作製された。
【0244】
単結晶シリコン層の膜厚は平均201nm、最大値−最小値=8nmであった。
【0245】
14)13)のウエハを欠陥顕在化エッチングにより単結晶シリコン層を130nm除去したのち、49%HFに3分漬けた。この結果、欠陥顕在化エッチングによりエッチングされた単結晶シリコン層に残留する結晶欠陥の部分から埋め込み酸化膜がHFによりエッチングされ、ノマルスキー微分干渉顕微鏡で容易に欠陥密度を測定できる。観察された欠陥の密度は、64個/cm2 であった。水素アニール処理により、非多孔質単結晶シリコン層に導入された積層欠陥が減少していた。欠陥密度100個/cm2 を下回り、かつ、膜厚の均一な薄膜SOI層が得られた。
【0246】
なお、予め用意しておいたSOI基板をHFディップし、水洗して乾燥させたのち、SOI層の膜厚を光干渉式膜厚計により測定し、5)及び6)にいうプリベーク処理のみ施し、ロードロックより取り出した。再びSOI層の膜厚を測定したところ、SOI層の膜厚減少量は、いずれも1nm未満であり本発明にいう条件1を満足していた。
【0247】
(実施例7:950℃,80Torr Prebake(2s),Preinjection,Epi−0.32μm Hetero−epitaxy)
1)615μmの厚みをもった比抵抗0.01Ω・cmのp型あるいはn型の6インチ径の(100)単結晶Si基板4枚をHFをアルコールで希釈した溶液中で陽極化成することにより、その鏡面である一方の主面に多孔質Si層を形成した。
【0248】
2)陽極化成条件は以下の通りであった。
【0249】
電流密度:7mA/cm2
陽極化成溶液:HF:H2 O:C2 H5 OH=1:1:1
時間:12分
多孔質Si層の厚み:10μm
多孔度:20%
【0250】
3)つづいて、多孔質シリコン層を形成したウエハに400度の酸素雰囲気中で1時間酸化処理を施した。この酸化処理は概ね50Å以下の酸化膜しか形成しないためので酸化シリコン膜は多孔質シリコンの表面と孔の側壁にしか形成されておらず、内部には単結晶シリコンの領域が残されている。
【0251】
4)1.25%に希釈したHF水溶液に前記ウエハを30秒程度曝し、続いて10分間純水に漬けて、オーバーフローリンスして、多孔質層の表面に形成された極薄酸化シリコン膜を除去した。
【0252】
5)ウエハをウエハキャリアに入れてセットするロードロック室とウエハ移載用ロボットのセットされた移載チャンバーとプロセスチャンバーが接続されたエピタキシャルCVD成長装置のロードロック室に前記ウエハをウエハキャリアに入れて設置した。ロードロック室は、大気圧からドライポンプで1Torr以下に減圧したのち、N2 を流して、80Torrにした。移載チャンバーは予めN2 を流して80Torrに保持されている。プロセスチャンバーには、ウエハを保持するためにカーボンにCVD−SiCを被覆したサセプタが設置されている。サセプタは、IRランプによって予め摂氏750℃程度に昇温してある。プロセスチャンバー内には加熱したパラジウム合金を用いた水素精製機により、精製された水素ガスが精製機からおよそ10mの内面研磨したステンレス配管によりプロセスチャンバーに供給されている。
【0253】
ウエハはロードロック室から移載チャンバーを経由してプロセスチャンバーへ移載ロボットにより搬送され、サセプタ上に載置された。
【0254】
6)サセプタ上に移載されたウエハをIRランプで加熱して毎分100℃の速度で昇温し、熱処理(プリベーク処理)として950℃で2秒保持した後、濃度28ppmになるように水素キャリアガスにSiH4 を添加して、200秒処理をし、SiH4 の添加は終了し、その後、水素雰囲気下で温度を750℃まで降温し、ウエハを再び移載ロボットにて移載チャンバーを経由しロードロック室に取り出した。形成された非多孔質単結晶シリコン層の膜厚は平均0.03μmであった。なお、上記熱処理後、表面孔密度は、5.9×1010(処理前は、8.9×1010)/cm2 であり、本発明にいう条件2を満足していた。
【0255】
この多孔質Si上にMOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition)法により単結晶GaAsを1μmの厚みにエピタキシャル成長した。成長条件は以下の通りであった。
【0256】
ソースガス:TMG/AsH3 /H2
ガス圧力:80Torr
温度:700℃
【0257】
透過電子顕微鏡による断面観察の結果、GaAs層に結晶欠陥が導入されておらず、良好な結晶性を有するGaAs層が形成されたことが確認された。同時に、表面をSiにより封止された多孔質Si層との間には極めて急峻な界面が形成されていることも確認された。
【0258】
さらに欠陥顕在化エッチングにより、光学顕微鏡により顕在化された結晶欠陥をカウントし欠陥密度を求めたところ、およそ、1×104 /cm2 であった。
【0259】
なお、予め用意しておいたSOI基板をHFディップし、水洗して乾燥させたのち、SOI層の膜厚を光干渉式膜厚計により測定し、5)及び6)にいうプリベーク処理のみを施し、ロードロックより取り出した。再びSOI層の膜厚を測定したところ、SOI層の膜厚減少量は、いずれも1nm未満であり、本発明にいう条件1を満足していた。
【0260】
(実施例8)
特願平9−100197号公報に示されるように、エピタキシャル層の成長初期に微量のシリコン原子ないし、シリコンソースガスの供給を行えば、本発明による結晶欠陥の低減をさらに効果的にする。水素43l/min、圧力600Torrの雰囲気下で、摂氏750℃程度に保たれたカーボンをCVD−sicでコートしたサセプタ上に予め多孔質を形成した基板をロードロック室を介して設置し、およそ100℃/分程度の昇温速度で950℃まで昇温して、2秒保持したのち、SiH4 を極微量として濃度28ppm程を一定時間添加した後、シリコンソースガスの流量を増やして、所望の膜厚の非多孔質単結晶シリコン膜を形成した。図11には、微量のSiH4 添加処理時間に対する積層欠陥密度依存性を示した。SiH4 の微量添加処理を行うことにより、結晶欠陥密度が低減されることが明らかである。
【0261】
多孔質シリコンは、HF−C2 H5 OH−H2 O混合溶液中で陽極化成して作製し、その後、400℃、酸素雰囲気中で1時間熱処理した。その後、1.25%HF水溶液に25秒ほど漬け、水洗して、乾燥した後、エピタキシャル成長装置に設置した。
【0262】
また、微量の膜の構成原子、ないし、原料ガスの供給は、酸化物の除去を促進し、酸化物に起因する欠陥発生を抑制する効果もある。
【0263】
(実施例9)
ロードロック式のCVDエピタキシャル成長装置において、カーボンをCVD−SiCでコートしたサセプタを反応容器内で予め750度に昇温しておき、多孔質シリコンを形成したシリコンウエハをロードロックを介して設置する。その後、600Torr、水素43l/min、の条件下で、摂氏1100度まで100度/分で昇温し、1100度で2秒保持したのち、100度/分で750度まで降温し、ロードロックを介し、ウエハを取り出した場合、多孔質の表面孔は、熱処理前には平均直径がおよそ10nmの孔が1011/cm2 だったのが、孔密度は106 /cm2 に減少すると共に、孔径は20〜40nmに拡大していた。この条件で上に記した熱処理に引き続いて、シリコンソースガスを水素ガスに添加して単結晶シリコン層をエピタキシャル成長すれば、積層欠陥密度は104 /cm2 となった。一方、1100度での熱処理を950度に代えて、保持時間は2秒で等しくした場合には、熱処理後の孔密度の減少はせいぜい1桁であった。また、孔径は殆ど増大していなかった。この熱処理条件の後、シリコンソースガスを水素ガスに添加して単結晶シリコン層をエピタキシャル成長すれば、積層欠陥密度は102 /cm2 と1100度の場合と比べて、1/100に激減した。
【0264】
尚、本発明者は、プリベーク時の圧力が積層欠陥密度に与える影響を調べた。
【0265】
圧力は、多孔質シリコン層表面でのシリコン原子の表面拡散・孔構造の変質に重大な影響を与え、圧力が低ければ低いほど積層欠陥密度の極小値の発現は低温化されることが分かる(図12)。
【0266】
なお、試料としては、基板(100)Siにボロンドープされた比抵抗0.013−0.017Ωcmのものを用いた。陽極化成条件は、49%HFとエタノールを1:1に混合した溶液中で、およそ8mA/cm2 の電流を11分流して多孔質層を形成した。およそ20%の多孔度であった。1.25%HF溶液に25sec漬けたのち、水洗いして、乾燥させた。その後400℃、1時間、酸素雰囲気中で熱処理を行い、1.25%HF溶液に、酸化シリコン膜であれば、5nm程度エッチングされる時間だけ着けた後、水洗し、そして乾燥させた。
【0267】
エピ装置はロードロック室が付設された反応容器(本発明にいう、系Aでの熱処理を意味する。)で行った。水素雰囲気中80Torr、600Torrで120秒熱処理を行った。その後、28ppmになるように水素のキャリアガスにSiH4 を添加して120秒間処理した。その後、SiH4 の添加は終了し、圧力を80Torrに温度を900℃に下げて2μmのエピ層を形成。そして各熱処理温度での積層欠陥密度を調べた。
【0268】
図13には、図12の場合と同様にして作製した試料を水素雰囲気中、600Torrの圧力下で、950℃の熱処理での積層欠陥密度の成長前熱処理時間依存性を示した。熱処理は60秒までに対して、120秒を越えるとおよそ2倍に増大する。
【0269】
【発明の効果】
以上説明してきたように、本発明によれば、単結晶シリコンのエッチング量が極めて小さく且つ、多孔質シリコンの表面の孔密度が4桁をこえて、より好ましくは2桁をこえて減少しない条件で熱処理を実施することにより、多孔質層上に形成された非多孔質単結晶層の積層欠陥密度を1000/cm2 未満、さらには、100/cm2 程度にできた。
【0270】
その結果、本発明を、貼り合わせ法に適用すれば、膜厚が均一で、かつ、結晶欠陥が極めて少ないSOI層を得ることが可能である。
【0271】
本発明は言い換えると多孔質表面にエピタキシャル成長装置内で形成されてしまう自然酸化膜の量を抑制することで、孔径の拡大を抑制すると共に、自然酸化膜除去のために熱処理時間・温度を短時間、低温化し、多孔質表面原子の拡散により、表面孔がほとんど封止されないうちに、非多孔質単結晶膜の形成を開始することにより、結晶欠陥密度1000/cm2 未満の多孔質シリコン上のエピタキシャル層を得るものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】多孔質シリコン層上に非多孔質単結晶層を成長させる工程を示すフローチャートである。
【図2】ロードロック室付のエピタキシャル成長装置の一例を示す模式図である。
【図3】多孔質の表面孔のSEM写真である。
【図4】多孔質の表面孔の様子を説明する模式図である。
【図5】熱処理時間と残留表面孔密度の関係を説明する図である。
【図6】残留孔密度と欠陥密度の関係を説明する図である。
【図7】熱処理温度と積層欠陥密度の関係を説明する図である。
【図8】熱処理時間とエッチング量の関係を説明する図である。
【図9】本発明の工程を説明する模式図である。
【図10】本発明によるSOI基板の作製の作製工程を説明する模式図である。
【図11】微量SiH4 添加処理時間と積層欠陥密度の関係を説明する図である。
【図12】熱処理温度と積層欠陥密度の関係を説明する図である。
【図13】熱処理時間と積層欠陥密度の関係を説明する図である。
【符号の説明】
1 多孔質シリコン層を有する基板
2 孔
3 孔壁
4 保護膜
5 保護被膜
6 非多孔質単結晶層
10 基体
11 多孔質シリコン層
12 非多孔質単結晶層
13 第2の基板
14 絶縁層
Claims (10)
- 前記非多孔質単結晶層の成長が20nm/min以下の成長速度で行われる請求項1記載の半導体基板の作製方法。
- 前記非多孔質単結晶層が、非多孔質単結晶シリコン層である請求項1記載の半導体基板の作製方法。
- 前記熱処理工程は、昇温工程と自然酸化膜除去工程を含み、前記自然酸化膜除去工程は、850℃以上、1000℃以下の温度で行われる請求項1記載の半導体基板の作製方法。
- 該熱処理工程に先だって、該多孔質単結晶シリコン層の表面に形成された酸化膜を除去する工程を有する請求項1記載の半導体基板の作製方法。
- 前記熱処理工程、前記成長工程は、ロードロック室が付設された反応容器内で行われることを特徴とする請求項1記載の半導体基板の作製方法。
- 前記熱処理工程時の圧力は、前記成長工程の圧力よりも高い請求項1記載の半導体基板の作製方法。
- 前記熱処理工程は、水素ガスを含む還元性雰囲気、窒素ガス雰囲気、あるいは不活性ガス雰囲気中で行われる請求項1記載の半導体基板の作製方法。
- 前記熱処理工程は、870℃以上、970℃以下で行われる請求項1記載の半導体基板の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24428699A JP3748499B2 (ja) | 1998-09-04 | 1999-08-31 | 半導体基板の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10-251270 | 1998-09-04 | ||
JP25127098 | 1998-09-04 | ||
JP24428699A JP3748499B2 (ja) | 1998-09-04 | 1999-08-31 | 半導体基板の作製方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000150838A JP2000150838A (ja) | 2000-05-30 |
JP3748499B2 true JP3748499B2 (ja) | 2006-02-22 |
Family
ID=26536673
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24428699A Expired - Fee Related JP3748499B2 (ja) | 1998-09-04 | 1999-08-31 | 半導体基板の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3748499B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10065026A1 (de) | 2000-12-23 | 2002-07-04 | Bosch Gmbh Robert | Mikromechanisches Bauelement und entsprechendes Herstellungsverfahren |
TWI700750B (zh) * | 2017-01-24 | 2020-08-01 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於介電薄膜的選擇性沉積之方法及設備 |
-
1999
- 1999-08-31 JP JP24428699A patent/JP3748499B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000150838A (ja) | 2000-05-30 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050401 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050621 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050822 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051122 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051128 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081209 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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