JP3745795B2 - 調整可能な選択的エッチング領域を有するパターン化ミラーvcsel - Google Patents
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Description
本発明は垂直空洞面発光レーザー(VCSEL)に関し、さらに詳しくは調整可能な選択的エッチング領域を有するVCSELに関する。
【0002】
【従来の技術】
先行技術の半導体レーザーは、"Low Threshold Currednt Laser ”と題される1992年12月15日に付与された米国特許第5,172,384号に典型的に開示されているように、通常、InGaAsの量子井戸を有する活性領域を形成して、その両側に、AlGaAsのガイディング層と被覆層を有する。また、活性領域のどちらかの側にブラッグ反射、またはミラー・スタックを形成し、ミラー・スタックは一般にAlGaAsを含む。VCSELのエピタキシャル構成は良好に確定されるが、各種の加工工程を利用できる。
【0003】
最もよく使用される構造は、1つの基板上に存在する個々のデバイスを分離するためにプロトン注入を伴う。この構造の利点はその平坦特性にあるが、光学的側方モード(lateral mode)が不安定であることと、電流の広がりが大きい故に比較的しきい電流が高いという不利な点を有する。
【0004】
半導体レーザーがリッジ導波管、またはパターン化ミラーのレーザーである場合には、上部ミラー・スタックは、エッチングの正確な速度とエッチング工程のタイミングを把握することによって、適正な深さまでエッチングされる。この先行技術による上部ミラー・スタックのエッチングは極めて困難で不正確である。このため、先行技術のパターン化されたミラーVCSELはしきい電流が比較的低いが必要な信頼性に欠ける。
【0005】
"VCSEL With Offset Operateing Region Providing a lateral Wageguide and Current Limiting and Method of Fabricating"と題され、1994年9月27日に付与された米国特許第5,351,257号(米国特許出願番号08/028,015号) などの一部の例では、 上部ミラー・スタック内にエッチング・ストップ層を含み、エッチングが所望の深さで自動的に停止するように提案されている。
【0006】
"Top Emitting VCSEL with Etch Stop Layer" と題され1994年3月8日に付与された米国特許第5,293,392号では、エッチング・ストップ層は第2のまたは上部のミラー・スタックまで成長し、これを利用して所望のレベルでエッチングを自動的にストップさせる。このエッチング・ストップ方式は、MOVPE成長で達成された優れた制御を利用して、パターン化されたミラーの高さを確定するが、異なる材料の層(エッチング・ストップ層)の成長は、製造工程上なんらかの複雑性が加わざるを得ない。
【0007】
このようなエッチング・ストップ層を設けるには、異なる材料システムからの層が、通常のまたは所望の材料システム層の間でエピタキシャルに成長しなければならない。このため、通常もしくは所望の材料システムのエピタキシャル層が、所望の高さまで成長する。その後このエピタキシャルが停止して、異なる材料システムによって再度開始して、所望の厚さのエッチング・ストップ層が成長するまで成長する。その後元のエピタキシャル成長は、デバイスが完成するまで続く。一般に、これは困難を伴い、完成させるのに相当の努力と時間を要する。
【0008】
"VCSEL With Al-Free Cavity Region"と題され、同一日に出願された同時係属出願では、アルミニウムを含まない活性領域がエッチング・ストップとして利用される。しかしながら、活性領域に達する以前に、上部ミラー・スタックのエッチングを停止させるのが望ましい場合もある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
したがって、VCSELの上部ミラー・スタックを容易に正確にエッチングする方法を提供するのが望ましい。
【0010】
本発明の目的は、パターン化されたミラーVCSELを容易に正確に製造する方法を提供することである。
【0011】
本発明のさらなる目的は、比較的に実行しやすく、また活性領域に損傷を与える前にエッチング工程を正確に停止させるVCSELを製造する方法を提供することである。
【0012】
本発明の別の目的は、VCSELが先行技術のVCSELに比べて結果的に信頼性が高いVCSELを製造する方法を提供することである。
【0013】
本発明のさらに別の目的は、先行技術のVCSELと比較して信頼性が高いVCSELを提供することである。
【0014】
【課題を解決するための手段】
上記の問題は少なくとも部分的に解決されており、上記の目的はVCSELのパターン化ミラーを製造する方法において実現され、この方法は、第1導電形の第1ミラー・スタックを形成する段階、第1ミラー・スタックの上に活性領域を形成する段階、第2導電形の第2ミラー・スタックを活性領域の上に形成する段階を含む。第2ミラー・スタックは、活性領域上に位置する比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の少なくとも1つの対を含む第1部分と、第1部分の上に位置し比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の対を少なくとも1つ含む第2部分によって形成されて完全な第2ミラー・スタックを形成する。第1部分と第2部分の比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の対の数は合計すると、VCSELの動作に必要な反射率を提供するのに十分であり、また第1部分と第2部分は、第2部分が第1部分に対して選択的にエッチング可能なように、第1と第2部分のエッチング速度が異なるように選択された材料を含む。このため、第2ミラー・スタックのエッチングの深さは、第2ミラー・スタックの第1部分と第2部分の相対的な厚さによって制御される。
【0015】
【実施例】
図1を参照して、本発明による製造方法の各種の段階で実現される中間構造の簡略断面図を示す。具体的には、図1は、活性領域12が上に形成された第1ミラー・スタック10を示す。ミラー・スタック10は一般に、たとえば、基板11の上に高い屈折率と低い屈折率が交互にくる複数の半導体材料層をエピタキシャルに成長させることによって形成される。交互になっている各対は、層内では、放射波長の4分の1の厚さまで伝搬するように成長し、各対の数は、可能な限り光の反射率を大きくするように選択され、一方でスタックは実用的な数に制限される。
【0016】
第2ミラー・スタック15は、活性領域12の上部表面の上に(たとえば、ミラー・スタック10について説明したように)、エピタキシャルに成長された半導体層の対によって形成される。一般に、層の対は、ミラー・スタック10と似通った材料によって形成され、厚さは、選択した波長の適切な反射率または波長のスペクトルを提供するように似通ったものになる。また、第1と第2のミラー・スタックは、反対の導電形でドープされて、その間を電流が流れるように、終端に2つの構造物(ダイオード)を形成する。たとえば、この特定の実施例では、ミラー・スタック10はN形の導電形でドープされ、ミラー・スタック15はP形導電形でドープされる。
【0017】
活性領域12は一般に、どちらかの側にスペーサまたは被覆層を有する障壁層で分離される1つもしくは複数の量子井戸を含む。量子井戸,障壁層およびスペーサ層もエピタキシャルに成長する。量子井戸は、全体に電流が流されて適正に励起されると、周知の現象に従ってフォトン(光子)を生じる。概して、活性領域12に流される電流が増大するにつれ、生成されるフォトンの数も増大する。フォトンはミラー・スタックによって反射されて、最終的には光の放射を生じる周知のレイジング効果を生じる。光の波長を決定するのは、活性領域12内の量子井戸内で利用される材料と、ミラー・スタック内の交互の層の対の厚さである。
【0018】
活性領域12は、ミラー・スタック10,15の材料システムとは通常異なった材料システムから形成され、この実施例では、アルミニウムを含有しないものが選択される。アルミニウムは酸化されやすく、活性領域12の低い信頼性に実質的に寄与し、最終的には、VCSELに障害を起こす。活性領域12の異なる材料システムを選択して、アルミニウムを含有しないようにすることによって、VCSELの信頼性と耐用年数が実質的に向上される。"VCSEL With Al-Free Cavity Region"と題され同一日に出願された米国の同時係属出願(引用によりこれを包含)において、さらに情報が得られる。
【0019】
具体的に図2を参照して、この具体的実施例に対し、活性領域12の極めて高倍率で簡略化された断面図が示される。この具体的な実施例では、活性領域12は、障壁層25,26を挟む形で形成される3つの量子井戸20,21,22を含む。障壁層25,26によって分離される量子井戸20,21,22は、スペーサまたはガイディング層30の間に挟まれてこれらがさらに被覆層33,34に挟まれる。一般に、スペーサ層30,31および被覆層33,34は、上記の、引用により包含される特許番号第5,172,384号に詳述されるように、ガイディング作用をもたらすように勾配が付いている。
【0020】
InGaP/InGaAsPは、本発明の用途に必要な適切なレンジのバンドギャップ(室温で1.42eV−1.9eV)をカバーし、その一方で、基板11に適合する格子を維持しており、この実施例ではGaAsである。具体例では、量子井戸20,21,22は、GaAsで形成される障壁層25,26を有するInGaAsによって形成される。量子井戸20,21,22および障壁層25,26はそれぞれの厚さが約100オングストロームである。スペーサ層30,31はGaAsで形成され、被覆層33,34は、GaAsに適合させたInGaAsP(Eg =1.65 eV)の格子によって形成される。個々の層の厚さは、活性領域12が、半導体材料内でほぼ全波となる光学的厚さを有するように選択される。
【0021】
VCSELの信頼性をさらに向上させ、また構造物の非平坦性を減じるためには、活性領域12の上部表面に達する前に、ミラー・スタック15内でエッチングを停止させることが望ましい。この方式によって、製造者は、構造物内の屈折率・ガイディングの程度を制御でき、これはエッチング深さに関係し、また効果的な屈折率を設ける段階に関連する。エッチング工程の正確な制御可能性を保証する一方で、構造物のエピタキシャル成長を単純化するため、第2部分が第1部分に照らして選択的にエッチングできるように、第1と第2部分のエッチング速度を違えるように選択された材料から成る第1および第2部分を含むハイブリッド・ミラー・スタックが利用される。
【0022】
図1を参照して、第1ミラー・スタック10は、第1部分35,第2部分36を含み、第2ミラー・スタック15は、第1部分37,第2部分38を含む(一般に成長する順に記載)。この具体的実施例でこの目的に利用できるいくつかの材料を挙げると、第1部分35と38を形成するためのGaAsとAl.80 Ga.20 Asの交互の層、および活性領域12に隣接して部分36,37を形成するためのGaAsとInGaPの交互層である。一般に、ミラー・スタック15だけがエッチングされるので、正確にミラー・スタック10と15を適合させる以外には、ハイブリッド(2つの部分)としてミラー・スタック10を形成する必要はない。
【0023】
個々の層の屈折率は、隣接する材料間の屈折率(Δn)の違いに比例する。たとえば、放射波長0.98μmの場合、ΔnはAlGaAs(.8)/GaAs,InGaP/GaAs材料がそれぞれ13.2%、7.1 %である。ミラー・スタック15の部分38は、AlGaAs(.8)/GaAs層のm対の1/4λ(発振波長)交互層を含み、部分37は、InGaP/GaAsから成るn対の1/4λ交互層を含む。同様に、一様性を保つために、ミラー・スタック10の部分35は、AlGaAs(.8)層のm対の1/4λ交互層を含み、部分36は、InGaP/GaAs層のn対の1/4λ交互層を含む。ミラー・スタックは、1対未満の異なる材料の層が含まれなければ、ハイブリッド・スタックではないので、mとnは少なくとも1対の層を含むことを理解されたい。
【0024】
AlGaAs(.8)/GaAs層とInGaP/GaAs層からの屈折率への寄与に相当するm/n比は変化しうる。この具体的実施例でAlGaAs(.8)/GaAsの材料を選択したのは、それらが選択的にエッチングできるからである。InGaPもAlGaAs材料も選択的にエッチングができるので、ミラー・スタック15へのエッチング深さが正確に制御でき、リッジ導波管またはパターン化ミラー、構造物を製造できる。
【0025】
図1に示すように、また上記の材料を含んでいる、第1ミラー・スタック10,活性領域12および基板11の上に形成される第2ミラー・スタック15の場合、ミラー・スタック15の第2部分38は、図4に示すように選択的にエッチングされる。ウエット・エッチングとドライ・エッチングのいずれの技術も実施できる。ウエット・エッチングの場合、H2 O2 :H2 O:H2 SO4 /HCL:H3 PO4 をベースにしたエッチング剤を利用でき、これが選択的にAlGaAs/InGaAsPをエッチングする。ドライ・エッチングの場合、通常CL/CH4 の薬剤が使用される。エッチングの選択性,パターン化ミラーまたはリッジ導波管のために、VCSEL構造物は、第2ミラー・スタック15の第2部分38を通って、第1部分37の下までエッチングすることにより形成される。エッチングが正確であり、活性領域12に損傷を与えないので、良好な電流と、光学的封じ込め(optical confinement )が達成されて、しきい値が低くなり、その一方で、(平坦形のVCSELに対して)良好な信頼性も維持する。また、VCSELの信頼性を向上し、構造物の非平坦性を減じるには、活性領域12の上部表面に達する前に、ミラー・スタック15内でエッチングが停止される。この方式によって、製造者は、構造物の屈折率・ガイディングの程度を制御でき、この度合いはエッチング深さに関係する。
【0026】
図4を参照して、図4に示す構造物は、以下の段階を実施することによって完成される。P形メタライゼーション40は、既知のいずれかの方法によって上部ミラー・スタック15の露出表面の上に形成される。メサの上部表面に載置されるP形メタライゼーション40の少なくとも1部分は、ITOなどの透過性の金属でもよい。N形メタライゼーション45は、ミラー・スタック10、たとえば基板11の上部表面の上などに接触して形成され、VCSELの別の電気接点を設ける。一般に高濃度ドープの半導体材料から成る層46が基板11の表面の上に設けられ、VCSELのミラー・スタック10に対して良好で低い抵抗の接点を設ける。電気接点は、所望なら、ミラー・スタック10の反対側にある基板11の表面の上にも形成できることを理解されたい。
【0027】
このため、VCSELを製造する新規の改良方法が開示され、またVCSEL用のパターン化ミラーを製造する新規の改良方法が開示される。上部ミラー・スタックは所望の厚さまで正確に選択的にエッチングされるので、信頼性が実質的に向上する。また、VCSELの活性領域がアルミニウムを含有しないので、VCSELの信頼性と耐用年数が実質的に増大する。また、エッチングの選択性が、類似のハイブリッド・ミラー・スタックを形成することによって達成されるので、VCSELの製造は、エピタキシャル成長工程の途中で材料を変更しても複雑化しないので、バランスの悪いミラー・スタックが形成されない。すなわち、下部ミラー・スタックから活性領域へと移行して、その後、上部ミラー・スタックに移行する際には、エピタキシャル成長工程になんらかの変化が生じるのが普通である。活性領域に隣接する下部ミラーと上部ミラー・スタックの材料システムを変更しても、エピタキシャル成長工程の変更は微々たるもので済む。下部のミラー・スタックから活性領域に移行して、再度上部ミラー・スタック10に移る場合には通常、エピタキシャル成長工程に何らかの変更を加える必要がある。活性領域に隣接する下部および上部ミラー・スタックの材料システムを変更することによって、エピタキシャル成長工程の変更量は微々たるもので済むようになる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるパターン化されたミラーVCSELの製造の第1段階の簡略断面図である。
【図2】図1の構造物の1部を高倍率で拡大した断面図である。
【図3】本発明によるパターン化されたミラーVCSELの製造の第2段階の簡略断面図である。
【図4】本発明によるパターン化されたミラーVCSELの製造の最終段階を示す簡略断面図である。
【符号の説明】
10 ミラー・スタック
11 基板
12 活性領域
15 ミラー・スタック
20,21,22 量子井戸
30,31 ガイディング層
33,34 被覆層
35 第1部分
36 第2部分
37 第1部分
38 第2部分
40 P形メタライゼーション
45 N形メタライゼーション
46 高濃度ドープ半導体材料
Claims (4)
- パターン化されたミラーVCSELを製造する方法であって:
第1導電形の第1第1ミラー・スタック(10)を形成し、前記第1ミラー・スタックは比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の複数の対から形成され、前記第1ミラー・スタックの第1部分(35)がAlGaAsとGaAsとの交互層を含み、前記第1部分の上に位置する前記第1ミラー・スタックの第2部分(36)がInGaPとGaAsとの交互層を含む段階;
前記第1ミラー・スタックの前記第2部分(36)上に活性領域(12)を形成する段階;および、
前記活性領域の上に第2導電形の第2ミラー・スタック(15)を形成し、前記第2ミラー・スタックは、前記活性領域の上に位置する比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層を少なくとも1対含む第1部分(37)、および前記第1部分(37)の上に位置する比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層を少なくとも1対含む第2部分(38)によって形成され、完全な第2のミラー・スタックを形成し、第1と第2部分(37,38)で合計した比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の対の数は、VCSELが動作するのに必要な反射率を提供するほど十分であり、また前記第1および第2部分は、前記第1と第2部分(37,38)のエッチング速度を違えて、前記第2部分(38)が前記第1部分(37)に対して選択的にエッチングできるように前記第1部分(37)がInGaPとGaAsとの交互層を形成し、前記第2部分(38)がAlGaAsとGaAsとの交互層を形成していることを含む段階:
によって構成されることを特徴とする製造方法。 - VCSEL用のパターン化ミラーを製造する方法であって:
第1導電形の第1ミラー・スタック(10)であって、前記第1ミラー・スタック(10)が、AlGaAsおよびGaAsから成る比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の複数の対によって形成される段階;
前記第1ミラー・スタック(10)の上に活性領域(12)を形成し、前記活性領域12はアルミニウムを含まない材料から形成される段階;
前記活性領域の上に第2導電形の第2ミラー・スタック(15)を形成し、前記ミラー・スタックは、前記活性領域に配置されるInGaAsとGaAsを含む、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層を少なくとも1対含む第1部分(37)と、前記第1部分に配置されるAlGaAsとGaAsを含む、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層を少なくとも1対含む第2部分(38)によって形成され、完全な第2ミラー・スタックを形成し、また前記第1および第2部分内で合計した比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の対の数は、VCSELが動作するのに必要な反射率を十分提供する段階;および
前記第1部分(37)をエッチング・ストップとして利用することにより、前記第2ミラー・スタックの前記第2部分(38)を選択的にエッチングする段階;
によって構成されることを特徴とする製造方法。 - パターン化されたミラーのVCSELは:
基板(11);
前記基板(11)の上に配置される第1導電形の第1ミラー・スタック(10)であって、前記第1ミラー・スタックは、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の複数の対から構成され、前記第1ミラー・スタックの第1部分(35)がAlGaAsとGaAsとの交互層を含み、前記第1部分の上に配置される前記第1ミラー・スタックの第2部分(36)がInGaPとGaAsとの交互層を含む第1ミラー・スタック(10);
前記第1ミラー・スタックの前記第2部分(36)上に配置される活性領域(12);および、
前記活性領域の上に配置される第2導電形の第2ミラー・スタック(15)であって、前記第2ミラー・スタックは、前記活性領域の上に配置されるInGaPとGaAsを含む、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層を少なくとも1対含む第1部分(37)と、前記第1部分の上に配置されるAlGaAsとGaAsを含む、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層を少なくとも1対含む第2部分(38)から形成されて、完全な第2ミラー・スタックを形成し、前記第1と第2部分内の合計した、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の対の数が、VCSELを動作させるのに必要な反射率を十分提供し、また前記第1と第2部分(37,38)は、前記第1と第2部分(37,38)の間のエッチング速度を違えるようにし、前記第2ミラー・スタックの前記第2部分(38)は、前記第1部分(37)に対してパターン形成されて、レイジング(lasing)領域を確定する第2ミラー・スタック(15);
によって構成されることを特徴とするパターン化ミラーVCSEL。 - パターン化ミラーVCSELであって:
基板(11);
前記基板(11)の上に配置される第1導電形の第1ミラー・スタック(10)であって、前記ミラー・スタック(10)は、AlGaAsとGaAsから成る、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の複数の対によって形成される第1ミラー・スタック(10);
前記第1ミラー・スタック(10)の上に配置される活性領域(12)であって、前記活性領域はアルミニウムを含有しない材料から形成される活性領域(12);および
前記活性領域の上に配置される第2導電形の第2ミラー・スタック(15)であって、前記第2ミラー・スタックは、InGaAsとGaAsを含む、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層を少なくとも1対含み、前記活性領域の上に配置される第1部分(37)と、前記第1部分の上に配置されるAlGaAsとGaAsを含む、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層を少なくとも1対含む第2部分(38)によって形成されて完全な第2ミラー・スタックを形成し、また前記第1と第2部分内の合計した、比較的高い屈折率と低い屈折率を有する屈折層の対の数が、VCSELを動作させるのに必要な反射率を十分提供する第2ミラー・スタック(15);および、
前記第2ミラー・スタックの前記第2部分38が、前記第1部分37に対してパターン化されてレイジング領域を確定する第2部分(38);
によって構成されることを特徴とするパターン化ミラーVCSEL。
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