JP3720599B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体装置に関し、特にICカード等に利用されるものであり、個人のプライバシーや金銭等の重要な情報を記憶および処理する機能を備えた半導体装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来、クレジットカードや電子マネーとして使用されるICカードは、個人のプライバシーや金銭等の重要な情報を記憶および処理するための種々の機能をICチップ中に備え、このICチップをプラスチックのカードに封止することにより作られている。そのため、場合によってはICチップの表面を光学顕微鏡で観察し、集積回路の機能、動作方式、回路方式、回路パタン、記憶データ等を不正に解析してその内容を改竄したりする者が現れる可能性がある。
そこで、ICカードの製造にあたっては、これらの不正行為を防止するため、ICチップに対して何らかの防御手段を施す必要がある。
【0003】
ところで、このような不正行為には、大きく分けて2つの手法がある。すなわち、ICチップを破壊して内部を観察する手法と非破壊で観察する手法である。また、観察の仕方によってはさらに2通りの手法に分けられる。すなわち、ICチップの表面側(素子形成領域側)から観察する手法と、それとは逆に裏面側から観察する手法である。
【0004】
ここで、不正行為のうち、最も脅威となる非破壊で能動状態のICチップを観察する具体例について詳細に説明する。
集積回路の1μm以下の微細パタンに対しては、観察光の波長がパタン幅に近いと回折の影響が大きくなるため、比較的波長の短いレーザ光を用いることによって分解能および焦点深度の向上が図られている。
【0005】
しかし、ICチップ内の配線層が多層化されるにつれて、下層の配線パタンを精度良く読みとるためには上層の膜が邪魔となり、これらを除去する必要が生じる。そのため、ICを動作させたままの非破壊状態で観察することは困難となり、短波長レーザ光を用いた回路観察法によっても、最下層のMOSトランジスタのゲート電極にデータが記憶されているEEPROM(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory)等の観察は困難である。
【0006】
しかしながら、ウエハを裏面から非破壊で、ウエハ表面近傍の回路を観察する方法も用いられている。すなわち、観察光源としてシリコンウエハに吸収されにくい波長の赤外線を用いることにより、ウエハの透明性を高めて主に金属からなる配線パタンなどをウエハ裏面から観察することができる。この方法を用いると最下層のトランジスタのパタンや第1層の配線パタンを非破壊で観察することができる。
【0007】
特に、最近の高密度実装技術においては、ICチップの表面側に、実装基板との電気的な接続を取るためのバンプ電極を配置し、チップを裏返して実装基板上に接続する方法が頻繁に採用されている。従って、このような実装状態ではチップ裏面が外側に露出するため、チップ表面側からよりもむしろ裏面側からのパタン観察が容易となる。
【0008】
また、チップを裏返して実装する場合においては、通常チップ裏面にはチップ保護用のエポキシ樹脂膜等がコーティングされているが、これらは化学薬品を使えば容易に除去が可能であるため、これらによって観察を阻止することは困難である。もちろん、化学薬品やプラズマを用いたエッチングに耐える保護膜を用いることも考えられなくはないが、機械的な研削や砥粒を用いた研磨に耐え得る材料は未だ存在しないため、保護膜形成による裏面保護では十分とはいえない。
【0009】
一方、裏面からの観察を防止する方法としては、その他にシリコンウエハ裏面を写真蝕刻技術を用いて削り、一面に断面が鋸歯状の溝を形成することによって赤外光を反射・散乱させる方法もある。しかし、ウエハ裏面を上記溝よりも深く研削および研磨することによって溝を除去することが可能であり、平滑度の高い裏面を再度出現させることができるため、このような裏面の蝕刻による凹凸形成を行っても、裏面観察に対する防御手段としては十分ではない。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】
以上に述べた如く、ひとたび回路の解読や記憶情報の改竄等の不法行為を目的とする観察や解析が実施されると、従来技術でこれらの不正を阻止することは困難であり、特にウエハ裏面からの観察に対して、従来の防御対策では不十分であった。
【0011】
本発明の目的は、このような課題を解決するためのものであり、ICチップに記憶された個人のプライバシーや金銭などの重要な情報が不法行為等により改竄され易いという課題を解決し、特にウエハ裏面から内部回路が観察されやすいという課題を解決する半導体装置を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】
このような目的を達成するために、請求項1に係る本発明の半導体装置は、集積回路を有するチップと、このチップを実装するための配線基板とを備えた半導体装置において、上記配線基板は、その表面に階段状の段差を有し、上記チップは、上記階段状の段差の頂辺に垂直な断面において、上記階段状の段差の形状に概略沿って上記階段状の段差の近傍に変曲点を持つ形状に湾曲した状態で上記配線基板上に実装されたものである。
【0013】
また、請求項2に係る本発明の半導体装置は、請求項1において、上記階段状の段差は、複数段からなるものである。
【0014】
また、請求項3に係る本発明の半導体装置は、請求項1において、上記配線基板は、その表面に2つの階段状の段差で構成された溝からなる凹部を少なくとも1以上有し、上記チップは、上記凹部の形状に概略沿って各段差の近傍にそれぞれ変曲点を持つ形状に湾曲した状態で上記配線基板上に実装されているものである。
【0015】
また、請求項4に係る本発明の半導体装置は、請求項3において、上記凹部は、上記チップで覆われる領域内に設けられているものである。
【0016】
また、請求項5に係る本発明の半導体装置は、請求項3において、上記凹部は、上記チップで覆われる領域を横断する溝であるようにしたものである。
【0017】
また、請求項6に係る本発明の半導体装置は、請求項1乃至5の何れか一項において、上記チップは、ICカードに組み込まれるものである。
【0018】
このように構成することにより、本発明では、ウエハ裏面に形成された観察阻止用の防御膜や乱反射用の凹凸等を、研削や研磨等の機械的な機構を含む方法で平面状に研削除去しようとしても、防御膜等を除去しきる前にウエハ表面の一部が除去されてしまうため、半導体上の能動領域を残そうとすると防御膜等のみを完全に除去することはできない。
【0019】
従って、ウエハ裏面から赤外線を用いてウエハ表面の回路パタンを観察しようと試みても、観察阻止用の防御膜や乱反射用の凹凸等が取り残されており、光が反射・散乱されてウエハ表面の回路パタン像が著しくゆがみ、正確な能動状態での観察が妨げられる。
【0020】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図を用いて説明する。
図1,2は、本発明の第一の実施の形態を示す断面図であり、図中の(a)〜(j)は製造工程における各ステップを示し、その詳細については以下において順次説明する。
【0021】
本実施の形態においては、チップのサイズを4mm角とした集積回路を直径6インチのシリコンウエハ表面に薄膜堆積技術と写真蝕刻技術等を用いて形成する。このとき、ウエハの厚さを625μm、最小パタンの線幅を0.5μmとする。また、形成する回路は8ビットの中央演算装置のほかに、1キロバイトのRAM(Random Access Memory)、8キロバイトのROM(Read Only Memory)、および8キロバイトの不揮発性EEPROM等のメモリ装置を含むものとする。
【0022】
さらに、ウエハ表面に表面保護用のSi3N4およびSiO2からなるパシベーション膜を形成してウエハの前処理工程を完成させる。その後、従来工程とは異なり、本発明によるところの効果を得るために次のステップを追加する。
【0023】
まず、ステップ(a)において、上述のとおり、ウエハ1の表面側には集積回路2が形成されている。
ステップ(b)において、ウエハ1の表面側に接着剤を用いてウエハ1を保持するための高分子材料シート3を貼り付ける。
ステップ(c)において、図示しないウエハ研削装置および研磨装置を用いてウエハ1の厚さを薄くし、30μmの厚さになるまで研磨する。もちろん、この研磨量は集積回路2の電気特性に影響が出ないように決定する。
【0024】
次いで、ステップ(d)において、ウエハ全体を図示しないレーザマーカ装置に装填し、ウエハ1の裏面にレーザビームによる照射痕跡4を形成する。その際、レーザ光源の波長を532nmとし、レンズで光を絞ってウエハ1内に形成する照射痕跡4の凹部の深さに焦点を合わせる。各照射位置にはそれぞれ3個のレーザパルスを照射し、ウエハ1の裏面に円形でクレータ状の照射痕跡4を形成する。すると、シリコンはレーザ光を吸収することにより生じた熱で溶融し、中央部が凹むとともに、周辺部に溶融物が押しやられてウエハ面よりも盛り上がった形状となる。
【0025】
また、平均的な痕跡の形状は、直径が60μm、ウエハ面からの痕跡中央部までの深さが5μm、周辺部の盛り上がり部分の高さが3μmである。痕跡の断面形状は、光源のガウス分布に近いエネルギー分布をそのまま残して集光し、かつ上述の焦点位置の設定方法を採用したことにより、概ねV字型の形状となる。
このようにウエハ裏面には、その全面にわたって上述の方法でクレータ状の照射痕跡を互いに隣接するように多数形成する。
【0026】
次いで、ステップ(e)において、ウエハ1の裏面に耐熱性接着剤を用いてポリイミドシート5を張り付ける。
ステップ(f)において、ウエハ1の表面側の高分子材料シート3を剥離した後、ウエハ1の表面上に集積回路2と外部との電気的な導通をとるためのバンプ6をICチップの四隅に2カ所ずつ、計8カ所形成する。
ステップ(g)において、ウエハ1をダイシングしてICチップ7を分離する。
【0027】
ステップ(h)において、表面に100μmの段差を設けたICカード基板9を用意する。このICカード基板9は金属とガラスエポキシ板からなる。そして、この段差に整合するように表面にS字状の100μmの段差を設けた治具8を用い、ICチップ7の表面を下側にして、ICカード基板9の上に、電極10とバンプ6とを位置合わせしてから接続する。
【0028】
さて、ステップ(h)における工程は本発明特有のもので、通常はチップの平面性を保ったまま接続するが、ここではICチップ7を湾曲させてICカード基板9上に固定することを特徴とする。
すなわち、ICチップ7はチップ面に凸部と凹部が生ずるようにしてフリップチップ実装技術を使って装填されており、チップ表面はICカード基板9上の段差に概ね沿って湾曲した状態となる。例えば、ICチップ7とICカード基板9との間隙はチップの縁周辺部で70μm、チップの中央の段差上では0〜3μmとなっている。
【0029】
また、ICチップ7を湾曲させた際にその中央部がICカード基板9に接触したとしても何ら支障はない。チップと基板との間にはアンダーフィル剤を充填するため回路面が固定され、接触していても回路面が基板の段差で擦れたりすることはないからである。
なお、ICチップ7の周辺部に対する中央部の最大の反りの量がICチップ7の厚さを超えるように湾曲した状態で実装するのが好ましい。
【0030】
その後、ステップ(i)において、流動性の高いエポキシ樹脂からなるアンダーフィル剤11をICチップ7とICカード基板9との間隙に充填した後、キュアして硬化させる。
【0031】
ステップ(j)において、治具8による加圧を解除した後、ポリイミドシート5を剥離する。このとき、ICチップ7の湾曲した形状は、アンダーフィル剤11によって維持されたままである。そして、高分子材料に無機質の耐磨耗剤を配合した耐薬品性のレジン(樹脂)12をICチップ7の裏面全体を覆うように塗布することにより、ICチップ7の裏面を保護する。
その後、周知の工程を用いてICチップ7等を塩化ビニール樹脂からなるカード基材で被覆すると、所望のICカードが完成する。
【0032】
次に、このような構造を持つICカードについて、外部端子からの解析以外に、チップ内部の回路パタンを光学的に読みとり、回路及び記憶データの解析を行う手順の一部を述べる。
【0033】
まず、ICカード表面を切削工具を用いて削り、ICカード表面の塩化ビニールの一部およびエポキシ樹脂等からなるカード構成部材の一部を除去する。
その後、従来技術においては例えば加熱した発煙硝酸を用いてエポキシ樹脂等からなるチップ裏面保護膜を溶解してICチップの裏面を露出させ、次いで波長1.15μmのHe−Neレーザを用いた赤外顕微鏡でチップ裏面を観察していた。これによりシリコン基板を透してチップ表面近傍のトランジスタ回路や第1層配線を観察することができる。
【0034】
しかし、本実施の形態では耐薬品性の裏面保護レジンを用いているため、この工程のみではレジンを完全に除去することはできない。また、仮にエッチング技術を工夫することによりレジンを完全に除去できたとしても、ICチップ7の裏面にはクレータ状の照射痕跡4が多数形成されているため、これによって赤外光が乱反射され、チップ裏面からウエハを透かしてチップ表面側の回路を観察することはできない。
【0035】
このとき、観察する側の工夫としては、次のステップとして研削と研磨によりチップ裏面を削ってレジン12を除去し、さらにシリコンウエハまでも削り込んで照射痕跡をも除去し、裏面を平滑に研磨することにより観察をなし得ようとすることが考えられる。
【0036】
しかし、本実施の形態においては、厚さ30μmのチップが100μmの段差を跨いで湾曲して実装されているため、チップ表面に形成された集積回路2を損傷させることなくチップ裏面全体を平面状に研削することはできない。また、研削によってチップが損傷を受けた状態では、回路を能動状態にすることはできず、動作状態での観察が阻止される。
【0037】
なお、上記の実施の形態においては1段の段差を跨いで湾曲して実装される例を示したが、湾曲の仕方は本発明の主旨からして特に限定されなくてもその効果が得られることは明らかである。
【0038】
ただし、実際に実装する技術としては容易な方法を取る必要があり、いくつかの方法には回路特性上に優位性がある。本実施の形態で示した1方向のみの湾曲は工程が容易であり、かつチップ上のデバイスに及ぼす機械的ストレスの方向をトランジスタ等のデバイスの機構上から比較的許容しやすい方向に選べるなどの利点がある。
【0039】
また、溝はICチップ7で覆われた領域を横断するように設けられており、ICチップ7で覆われた領域を超える位置まで形成されていてもよい。
さらに、段差はICカード基板9の表面に対してほぼ直角に形成されているが、この角度には種々の傾斜を持たせることができることは明らかである。
【0040】
次に、本発明のその他の実施の形態について図を参照して説明する。
図3は、本発明の第二の実施の形態を示す断面図である。
同図に示すように、ICカード基板9に高さや幅等の異なる複数の段差が形成されており、それらの上にICチップ7が湾曲されて実装されている。
第一の実施の形態では湾曲の断面の変曲点の数は1であるが、第二の実施の形態では3に増しており、より複雑な湾曲を形成している。これにより、研磨による裏面保護用レジン12の除去が一層困難になる利点がある。なお、これらの段差はICチップ7で覆われた領域を横断するように設けられており、ICチップ7で覆われた領域を超える位置まで形成されていてもよい。
【0041】
図4は、本発明の第三の実施の形態を示す断面図である。
同図に示すように、ICカード基板9には2つの段差で構成された溝が形成されており、この上のICチップ7は湾曲されて配置され、バンプ6は溝を跨いで同じ高さの電極10に接続されている。従って、従来の平面基板上へのフリップチップ実装工程をわずかに変更するのみでバンプ接続工程を実現できる利点がある。なお、この溝はICチップ7で覆われた領域を横断するように設けられており、ICチップ7で覆われた領域を超える位置まで形成されていてもよい。
【0042】
図5は、本発明の第四の実施の形態を示す断面図である。
同図に示すように、ICカード基板9には3つの溝が形成されており、この上のICチップ7は溝に沿って6個の変曲点を持つ湾曲を形成して配置されている。溝が1本の場合に比べて湾曲が細かく形成されるため、溝の深さをより浅くしても研磨により平面化される面積を十分に小さくできる利点がある。
【0043】
なお、本実施の形態においては、バンプ6と電極10との接続に異方導電性フィルム(以下、ACF:Anisotropic Conductive Filmという)を用いている。すなわち、電極10を含むICカード基板9上にACFを載置し、その上にICチップ7を載せてから、端部が波形形状の治具を押しつけることにより、バンプ6と電極10とはACF中の導電性粒子によって電気的に接続される。さらに、このACFの接着力により、ICチップ7は波形形状が維持された状態でICカード基板9上に固定される。その後の工程は第1の実施の形態と同様である。
また、上述の溝はICチップ7で覆われた領域を横断するように設けられており、ICチップ7で覆われた領域を超える位置まで形成されていてもよい。
【0044】
図6は、本発明の第五の実施の形態を示す平面図と断面図であり、特に図6(a)はフリップチップ実装したICチップ7とICカード基板9を示す平面図であり、図6(b)は図中の実線A−A’に沿った断面図である。
図6(a)に示すように、ICカード基板9には、ICチップ7で覆われる領域内に深さ100μmの円筒状の凹部がくり抜かれていて、その上をICチップが凹部に沿って概略覆うように配置されている。
【0045】
ところで、チップ表面上または裏面上に形成したパッシベーション膜や金属膜、絶縁膜などから発生する内部応力を使ってチップを湾曲させた場合には、内部応力は面内で一様となり、一般に1軸性の湾曲ではなく球面で近似される湾曲が発生する。特にチップ表面に発生した内部応力の総和が圧縮応力となる場合には、チップ表面側が凸面となる湾曲が発生する。この現象を利用して、この湾曲を図6(a)のICカード基板9上に形成した凹部にあわせるように配置する。
【0046】
この場合、チップヘの外力印加を必要としないままチップを湾曲させることができるため、ICカード基板側には力が掛からず、基板の剛性が問われない利点がある。また、チップに加わる内部応力はチップ表面上の各方位に対して概ね等方的なため、表面に配設されたトランジスタにも面内で等方的なひずみが加わる。従って、このひずみでMOS型トランジスタの閾値電圧などの特性が変化してもチップ内の全てのトランジスタで値が平行シフトするのみで、素子間の特性ばらつきの新たな発生を十分に小さい範囲に押さえることができる利点がある。
【0047】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によるところの半導体装置では、集積回路を有するICチップを湾曲した状態で配線基板上に実装したものである。これにより、ウエハ裏面に形成された観察阻止用の防御膜を研削や研磨などの機械的な機構を含む方法で平面状に研削除去しようとしても、湾曲したICチップにおいては防御膜等を除去しきれる前に、ICチップ表面の集積回路の一部も除去してしまうため、半導体上の能動領域を生かしたまま防御膜を除去することはできない。
【0048】
従って、半導体基板の裏面から赤外線等を用いて基板表面の回路パタンを観察しようと試みても、観察阻止用の防御膜のために光が反射・散乱され、基板表面の回路パタン像が著しくゆがみ、正確な能動状態での観察が妨げられる。それゆえ、不法行為による改竄などを目的としたICチップの裏面からの観察を防ぐことができる。
【0049】
このように本発明は、改竄等の不法行為から記憶情報を保護することができ、半導体装置を用いた各種情報処理システムを安全かつ高い信頼性のもとに機能させ得る利点がある。
【0050】
なお、上記実施の形態においては、半導体ウエハとしてシリコン製のものを用いたが、シリコンに限定されるものではなく、化合物半導体(例えば、GaAsやInPなど)からなるウエハにおいても同様に本発明を適用することができることは明らかである。また、セラミック基板上のハイブリッドIC、マイクロマシン素子等においても本発明を適用すると効果的なことは明らかである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第一の実施の形態を示す断面図である。
【図2】 図1に係る工程の続きを示す断面図である。
【図3】 本発明の第二の実施の形態を示す断面図である。
【図4】 本発明の第三の実施の形態を示す断面図である。
【図5】 本発明の第四の実施の形態を示す断面図である。
【図6】 本発明の第五の実施の形態を示す平面図(a)および断面図(b)である。
【符号の説明】
1…ウエハ、2…集積回路、3…高分子材料シート、4…照射痕跡、5…ポリイミドシート、6…バンプ、7…ICチップ、8…治具、9…ICカード基板、10…電極、11…アンダーフィル剤、12…レジン。
Claims (6)
- 集積回路を有するチップと、このチップを実装するための配線基板とを備えた半導体装置において、
前記配線基板は、その表面に階段状の段差を有し、
前記チップは、前記階段状の段差の頂辺に垂直な断面において、前記階段状の段差の形状に概略沿って前記階段状の段差の近傍に変曲点を持つ形状に湾曲した状態で前記配線基板上に実装されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1において、
前記階段状の段差は、複数段からなることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記配線基板は、その表面に2つの階段状の段差で構成された溝からなる凹部を少なくとも1以上有し、
前記チップは、前記凹部の形状に概略沿って各段差の近傍にそれぞれ変曲点を持つ形状に湾曲した状態で前記配線基板上に実装されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記凹部は、前記チップで覆われる領域内に設けられていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項3において、
前記凹部は、前記チップで覆われる領域を横断する溝であることを特徴とする半導体装置。 - 請求項1乃至5の何れか一項において、
前記チップは、ICカードに組み込まれることを特徴とする半導体装置。
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