JP3719239B2 - 光スイッチ装置 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばミラーを用いて複数のファイバ間を接続する光路を切換える光スイッチ装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
一般に、光スイッチ装置として、シリコン基板等からなる第1の基板に他のシリコン基板等からなる第2の基板を衝合して設け、該第2の基板には第1の基板との間に互いに90度ずつ離間して放射状に延びる合計4本のファイバ取付溝を形成すると共に、第2の基板には互いに対向する2本ずつの光ファイバ間に進退するミラーを有し当該光ファイバ間の光路を切換える静電アクチュエータを設けたものが知られている(例えば、米国特許第6315462号明細書等)。
【0003】
このような従来技術では、例えば静電アクチュエータが停止しているときは、光ファイバ間にミラーが進入しているから、光ファイバから出射された光は、ミラーによって直交する方向に向けて反射され、互いに直交する2本ずつの光ファイバが接続された状態となる。一方、静電アクチュエータを駆動したときには、光ファイバ間からミラーが退出するから、光ファイバから出射された光は直進し、互いに対向する2本ずつの光ファイバが接続された状態となる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、上述した従来技術では、光ファイバの光軸を合わせるために、ファイバ取付溝内の対向する2つの内壁面のうち一方の内壁面には他方の内壁面に向けて光ファイバを押付ける弾性ブラケットが設けられていた。しかし、この弾性ブラケットは、第2の基板の水平方向に対して光ファイバを位置決めするものの、垂直方向に対する位置決めは行っていなかった。このため、光ファイバの光軸を合わせるためには別部材を用いて光ファイバを第1の基板に向けて押付ける必要があり、光ファイバの取付け性が悪いという問題があった。
【0005】
本発明は上述した従来技術の問題に鑑みなされたもので、本発明の目的は、別部材を用いることなく、光ファイバを水平方向と垂直方向に位置決めすることができ、光ファイバの取付け性を高めた光スイッチ装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】
上述した課題を解決するために、本発明は、第1の基板と、該第1の基板に衝合して設けられ該第1の基板との間に複数のファイバ取付溝が形成された第2の基板と、該第2の基板の各ファイバ取付溝内に設けられ互いに間隔をもって対向した複数の光ファイバと、前記第2の基板に設けられ該複数の光ファイバ間に進退することによって当該光ファイバ間の光路を切換えるアクチュエータとからなる光スイッチ装置に適用される。
【0007】
そして、請求項1の発明が採用する構成の特徴は、前記第2の基板には、前記ファイバ取付溝内で互いに対向した2つの内壁面のうち一方の内壁面側に位置すると共に、前記光ファイバの軸心よりも第1の基板とは反対側に位置して、前記光ファイバを、他方の内壁面と前記第1の基板とに向けて押付けるファイバ押えを設け、該ファイバ押えは、基端側が前記ファイバ取付溝の一方の内壁面に取付けられ先端側が前記ファイバ取付溝の幅方向に変位可能なばね部と、該ばね部の先端側に設けられ前記光ファイバを他方の内壁面と前記第1の基板とに向けて斜めに押付ける押付け部とによって構成し、前記光ファイバは、前記ファイバ取付溝に沿って挿入し、前記押付け部の角隅には、前記光ファイバの挿入を容易にするための面取り部を設けたことにある。
【0008】
このように構成したことにより、光ファイバをファイバ取付溝に沿ってファイバ取付溝内に挿入したときには、ファイバ押えを用いて光ファイバをファイバ取付溝内の他方の内壁面に向けて押付けると共に、第1の基板に向けて押付けることができる。このため、別部材を用いることなく、光ファイバをファイバ取付溝に沿ってファイバ取付溝内に挿入するだけで、光ファイバを水平方向と垂直方向の2方向に対して位置決めすることができる。
【0009】
また、請求項1の発明では、ファイバ押えは、基端側がファイバ取付溝の一方の内壁面に取付けられ先端側が前記ファイバ取付溝の幅方向に変位可能なばね部と、該ばね部の先端側に設けられ光ファイバを他方の内壁面と第1の基板とに向けて斜めに押付ける押付け部とによって構成し、前記押付け部の角隅には、前記光ファイバの挿入を容易にするための面取り部を設けている。
【0010】
これにより、押付け部は、ばね部のばね性によって弾性的に光ファイバに接触すると共に、光ファイバをファイバ取付溝の他方の内壁面と第1の基板とに向けて斜めに押付けて位置決めすることができる。また、押付け部の角隅に面取り部を設けたから、光ファイバをファイバ取付溝に沿って挿入したときには、該面取り部によって当該光ファイバの挿入を容易にすることができる。
【0011】
一方、請求項2の発明が採用する構成の特徴は、前記第2の基板には、前記ファイバ取付溝内で互いに対向した2つの内壁面のうち一方の内壁面側に位置すると共に、前記光ファイバの軸心よりも第1の基板とは反対側に位置して、前記光ファイバを、他方の内壁面と前記第1の基板とに向けて押付けるファイバ押えを設け、該ファイバ押えは、基端側が前記ファイバ取付溝の一方の内壁面に取付けられ先端側が前記ファイバ取付溝の幅方向に変位可能なばね部と、該ばね部の先端側に設けられ前記光ファイバを他方の内壁面と前記第1の基板とに向けて斜めに押付ける押付け部とによって構成し、前記押付け部には、前記第2の基板の厚さ方向に向けて斜めに傾斜して光ファイバに面接触する傾斜面を形成し、前記光ファイバは、前記ファイバ取付溝に沿って挿入する構成としたことにある。
【0012】
これにより、傾斜面は光ファイバに面接触するから、例えば押付け部の角隅等を光ファイバに線接触させる場合に比べて、第2の基板の厚さ方向に対して斜めに傾斜した押付け力を発生させることができ、光ファイバに対して安定的に斜め方向に向かう押付け力を加えることができる。また、第2の基板として例えば単結晶シリコンからなるシリコン基板を用いる場合には、該シリコン基板に異方性エッチングを施すことによって、傾斜面をもった押付け部を形成することができる。このため、例えば反応性イオンエッチング等を用いた場合に比べて押付け部の加工時間を短縮することができる。
請求項3の発明では、前記押付け部の角隅には、前記光ファイバの挿入を容易にするための面取り部を設けている。これにより、光ファイバをファイバ取付溝に沿って挿入したときには、該面取り部によって当該光ファイバの挿入を容易にすることができる。
請求項4の発明では、前記押付け部の傾斜面は、単結晶シリコンからなる第2の基板に異方性エッチングを施すことによって形成している。これにより、例えば反応性イオンエッチング等を用いた場合に比べて押付け部の加工時間を短縮することができる。
請求項5の発明では、前記アクチュエータの表面とファイバ押えの表面とは、同一面を形成している。これにより、例えばアクチュエータとファイバ押えとを同一のエッチング工程で一緒に形成することができる。
【0013】
また、請求項6の発明が採用する構成の特徴は、前記アクチュエータは、前記第2の基板の表面側に設けられ複数の光ファイバ間を跨いで延びる腕部と、該腕部の長さ方向の途中に位置して第1の基板に向けて設けられたミラーと、前記腕部の両端側に設けられ当該腕部をその長さ方向に向けて変位させ該ミラーを前記光路の途中に進退させる2つの駆動部とによって構成し、前記第2の基板には、前記光ファイバを、前記ファイバ取付溝内で互いに対向した2つの内壁面のうちいずれか一方の内壁面と前記第1の基板とに向けて押付けるファイバ押えを設け、該ファイバ押えは、前記第2の基板の表面側に位置して前記アクチュエータの腕部と一緒に形成する構成としたことにある。
【0014】
これにより、2つの駆動部を用いて腕部を変位させることによって、光路の途中にミラーを進退させることができ、ミラーを用いて光路を切換えることができる。また、ミラーは腕部の長さ方向の途中位置に設けるから、例えば腕部の先端にミラーを設けた場合には腕部の基端側の1箇所にしか駆動部を設けることができないのに対し、腕部の両端側の2箇所に静電アクチュエータ等の駆動部を形成することができる。このため、2つの駆動部を用いてミラーを進退させるから、1つの駆動部を用いる場合に比べて、各駆動部に加える電圧等を低下させることができ、操作性を高めることができる。さらに、ファイバ押えはアクチュエータの腕部と一緒に形成するから、ファイバ押えと別個にアクチュエータを加工するのに比べて、例えば反応性イオンエッチング等の加工時間を短縮することができる。
また、請求項7の発明が採用する構成の特徴は、前記アクチュエータは、前記第2の基板の表面側に設けられた腕部と、該腕部に垂下して前記第1の基板に向けて設けられたミラーと、前記腕部に設けられ当該腕部をその長さ方向に向けて変位させ該ミラーを前記光路の途中に進退させる2つの駆動部とによって構成し、前記第2の基板には、前記光ファイバを、前記ファイバ取付溝内で互いに対向した2つの内壁面のうちいずれか一方の内壁面と前記第1の基板とに向けて押付けるファイバ押えを設け、該ファイバ押えは、前記第2の基板の表面側に位置して前記アクチュエータの腕部と一緒に形成する構成としたことにある。
この場合も、2つの駆動部を用いて腕部を変位させることによって、光路の途中にミラーを進退させることができ、ミラーを用いて光路を切換えることができる。
さらに、請求項8の発明のように、前記第2の基板の表面には、前記ファイバ取付溝を覆うガラス基板を設ける構成としてもよい。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による実施の形態による光スイッチ装置を添付図面に従って詳細に説明する。
【0016】
まず、図1ないし図9は本発明の第1の実施の形態を示し、図において、1は第1の基板としてのガラス基板で、該ガラス基板1は、ガラス材料によって四角形の板状に形成されている。そして、ガラス基板1は略平坦な表面を有し、該表面には後述のファイバ取付溝3、アクチュエータ6等が形成されるものである。
【0017】
2はガラス基板1の表面に衝合して設けられた第2の基板としてのシリコン基板で、該シリコン基板2は、例えば単結晶または多結晶のシリコン材料からなり、ガラス基板1と略同じ大きさをもった四角形の板状に形成されている。そして、シリコン基板2は、例えば陽極接合法等によってガラス基板1の表面側に接合されている。
【0018】
3はガラス基板1とシリコン基板2とに間に形成された合計4本のファイバ取付溝で、該ファイバ取付溝3は、互いに90度ずつ離間して放射状(十字状)に配置されている。また、ファイバ取付溝3は、互いに交差(直交)する2本の光路O1,O2に沿って直線状に設けられ、各光路O1,O2に対して交差する中心部位4を挟んで2本ずつ配置されている。そして、ファイバ取付溝3は、シリコン基板2を厚さ方向に貫通して形成され、シリコン基板2を略三角形状の4つの島部2Aに分離すると共に、その内部には互いに対向した内壁面3A,3Bが形成され、その底面にはガラス基板1が露出している。
【0019】
5はファイバ取付溝3に取付けられた光ファイバで、該光ファイバ5は、光路O1,O2に沿って2本ずつ合計4本取付けられている。また、各光路O1,O2に沿って配置された2本ずつの光ファイバ5は、中心部位4を挟んで互いに間隔をもって対向している。
【0020】
6はシリコン基板2のうち2本のファイバ取付溝3に挟まれた島部2Aに形成されたアクチュエータで、該アクチュエータ6は、光路O1,O2に対して交差する中心部位4から島部2A内に向けて直線状に延びる腕部7と、中心部位4に進退可能となって腕部7の先端に形成された薄幅のミラー8と、腕部7の基端側に設けられ腕部7をその長さ方向(矢示A方向)に向けて変位させる駆動部9とによって大略構成されている。そして、ミラー8の表面には、スパッタ、蒸着等の手段を用いて導電性金属材料等からなる薄膜(図示せず)が形成され、鏡面仕上げがなされている。
【0021】
また、駆動部9は、腕部7の幅方向両側から腕部7の長さ方向と直交する方向に向けて直線状に延び腕部7が矢示A方向に変位可能となるように支持する支持梁9Aと、腕部7の基端側に形成され腕部7と一緒に変位する可動側櫛歯電極9Bと、該可動側櫛歯電極9Bと噛合してガラス基板1に固定して形成された固定側櫛歯電極9Cとによって大略構成されている。ここで、腕部7、ミラー8、支持梁9A、可動側櫛歯電極9Bは、支持梁9Aによってガラス基板1の表面から離間した状態(浮き上がった状態)で支持されている。そして、2つの櫛歯電極9B,9C間に電圧を印加することによって、櫛歯電極9B,9C間に静電引力が発生し、腕部7、ミラー8、可動側櫛歯電極9Bは、全体として矢示A方向に向けて変位する。
【0022】
10はファイバ取付溝3の内部に設けられたファイバ押えで、該ファイバ押え10は、基端側がファイバ取付溝3の一方の内壁面3Aに取付けられファイバ取付溝3に沿って延びる片持ち梁としてのばね部10Aと、該ばね部10Aの先端側で他方の内壁面3Bに向けて突出して設けられた押付け部10Bとによって構成されている。ここで、ファイバ押え10は、ファイバ取付溝3に挿入される光ファイバ5の軸心O(コア)よりもシリコン基板2の表面側(ガラス基板1とは反対側)に形成されている。また、押付け部10Bは、略四角形状をなしてばね部10Aの先端側から突出すると共に、その角隅には光ファイバ5の挿入を容易にするために面取り部10Cが設けられている。
【0023】
そして、ばね部10Aの先端側は、ファイバ取付溝3の幅方向に対して変位可能となり、断面略四角形状をなす押付け部10Bの角隅側は、光ファイバ5のうち軸心Oよりも一方の内壁面3A側で、かつ軸心Oを挟んでガラス基板1とは反対側(シリコン基板2の表面側)に弾性的に接触する。これにより、ファイバ押え10は、シリコン基板2の厚さ方向に対して斜めに傾斜した矢示B方向に向けて光ファイバ5を押付ける押付け力を付与し、光ファイバ5をファイバ取付溝3の他方の内壁面3Bとガラス基板1とに向けて押付けるものである。
【0024】
11はシリコン基板2の表面に設けられたカバー基板としてのガラス基板で、該ガラス基板11は、ガラス基板1とほぼ同じ四角形状をなし、陽極接合等によってシリコン基板2の表面に接合されている。また、ガラス基板11の裏面側にはファイバ取付溝3およびアクチュエータ6を覆う位置に浅溝11Aが設けられ、該浅溝11Aはアクチュエータ6、ファイバ押え10とガラス基板11との間に隙間を形成している。これにより、アクチュエータ6、ファイバ押え10がガラス基板11に接触するのを防止し、これらの変位動作等を補償している。
【0025】
なお、カバー基板としてのガラス基板11は必ずしも必要ではなく、省く構成としてもよい。
【0026】
本実施の形態による光スイッチ装置は、上述の如き構成を有するもので、次にその製造方法について図5ないし図9を参照しつつ説明する。
【0027】
まず、図5に示すように、シリコン基板2の裏面側には、ファイバ取付溝3、中心部位4、アクチュエータ6(図2参照)等が形成される部位に対して部分的に反応性イオンエッチング(DEEP RIE)を施し、浅溝12を形成する。
【0028】
次に、図6に示すように、ファイバ取付溝3に対応した部分に対してシリコン基板2の裏面側から再び反応性イオンエッチングを施し、シリコン基板2の表面側にファイバ押え10に対応した厚さ寸法だけを残存させた予備ファイバ取付溝13を形成する。その後、図7に示すように、シリコン基板2の裏面側に第1の基板としてのガラス基板1を陽極接合する。
【0029】
次に、図8に示すように、シリコン基板2の浅溝12に対応した部位に対して、シリコン基板2を貫通するようにシリコン基板2の表面側から反応性イオンエッチングを施し、ミラー8等のアクチュエータ6を形成すると共に、ファイバ取付溝3、ファイバ押え10を一緒に形成する。この状態で、ミラー8の表面には、スパッタ、蒸着等の手段を用いて導電性金属材料等からなる薄膜(図示せず)が形成し、鏡面仕上げを行う。
【0030】
最後に、図9に示すように、シリコン基板2の表面に予め浅溝11Aが形成されたカバー基板としてのガラス基板11を接合する。そして、シリコン基板2の外周縁からファイバ取付溝3内に向けてファイバ取付溝3に沿って光ファイバ5を挿入した後に、光ファイバ5を接着剤等を用いて固定することによって光スイッチ装置が完成する。
【0031】
なお、本実施の形態では、シリコン基板2に予め浅溝12を形成するものとしたが、浅溝12に代えてガラス基板1に浅溝を形成する構成としてもよい。
【0032】
本実施の形態による光スイッチ装置は、上述の如き製造方法を用いて製造されるものであり、次に、そのスイッチング動作について説明する。
【0033】
まず、アクチュエータ6の可動側櫛歯電極9Bと固定側櫛歯電極9Cとの間に電圧を印加しないときには、支持梁9Aの弾性力によってミラー8は中心部位4に進入した位置にある。このため、光路O1,O2に沿ってそれぞれ配置された2つの光ファイバ5のうち一方の光ファイバ5から出射された光は、ミラー8によって反射し、互いに直交する光路O2,O1に沿って配置された他方の光ファイバ5に入射され、これらの間で光通信等が行われる。
【0034】
一方、アクチュエータ6の可動側櫛歯電極9Bと固定側櫛歯電極9Cとの間に電圧を印加したときには、電極9B,9C間に静電引力が発生するから、支持梁9Aの弾性力に抗してミラー8は中心部位4から退出する。このため、光路O1,O2に沿ってそれぞれ配置された2つの光ファイバ5のうち一方の光ファイバ5から出射された光は、光路O1,O2に沿って配置された他方の光ファイバ5に入射され、これらの間で光通信等が行われる。この結果、電極9B,9C間に印加する電圧の有無に基づいて、接続する光路O1,O2を切換えることができる。
【0035】
然るに、本実施の形態では、シリコン基板2のファイバ取付溝3内には一方の内壁面3Aに位置するファイバ押え10を設けたから、該ファイバ押え10を用いて光ファイバ5を他方の内壁面3Bに向けて押付けると共に、ガラス基板1に向けて押付けることができる。このため、別部材を用いることなく、光ファイバ5をファイバ取付溝3内に挿入するだけで、光ファイバ5をファイバ取付溝3の幅方向(水平方向)とシリコン基板2の厚さ方向(垂直方向)の2方向に対して位置決めすることができ、光ファイバ5の取付け性を向上させることができる。
【0036】
また、ファイバ押え10は、基端側がファイバ取付溝3の一方の内壁面3Aに取付けられ先端側がファイバ取付溝3の幅方向に変位可能なばね部10Aと、該ばね部10Aの先端側に設けられ光ファイバ5のうち軸心Oよりも一方の内壁面3A側で、かつ軸心Oを挟んでガラス基板1とは反対側に接触する押付け部10Bとによって構成したから、光ファイバ5に対してシリコン基板2の厚さ方向に対して斜めに傾斜した押付け力を加えることができる。このため、ファイバ押え10の押付け部10Bによって、光ファイバ5をファイバ取付溝3の他方の内壁面3Bとガラス基板1とに向けて斜めに押付けることができる。
【0037】
また、ファイバ押え10はシリコン基板2に設けるから、反応性イオンエッチング等のマイクロマシニング技術を用いてアクチュエータ6等と一体的かつ高精度にファイバ押え10を形成できる。このため、他の部材に形成した場合に比べて、光ファイバ5の位置合わせ精度を高めることができる。
【0038】
次に、図10ないし図17は本発明の第2の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、ファイバ押えの押付け部には、シリコン基板の厚さ方向に向けて斜めに傾斜して光ファイバに面接触する傾斜面を形成したことにある。なお、本実施の形態では、前述した第1の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【0039】
21はファイバ取付溝3の内部に設けられた本実施の形態によるファイバ押えで、該ファイバ押え21は、第1の実施の形態によるファイバ押え10とほぼ同様に、基端側がファイバ取付溝3の一方の内壁面3Aに取付けられファイバ取付溝3に沿って延びる片持ち梁としてのばね部21Aと、該ばね部21Aの先端側で他方の内壁面3Bに向けて突出して設けられた押付け部21Bとによって構成されている。また、押付け部21Bは、略四角形状をなしてばね部21Aの先端側から突出すると共に、その角隅には光ファイバ5の挿入を容易にするために面取り部21Dが設けられている。さらに、押付け部21Bには、シリコン基板2の厚さ方向に対して斜めに傾斜し、他方の内壁面3Bから漸次離間する傾斜面21Cが形成されている。
【0040】
そして、ばね部21Aの先端側は、ファイバ取付溝3の幅方向に対して変位可能となり、押付け部21Bの傾斜面21Cは、光ファイバ5のうち軸心Oよりも一方の内壁面3A側で、かつ軸心Oを挟んでガラス基板1とは反対側(シリコン基板2の表面側)に弾性的に面接触する。これにより、ファイバ押え21は、シリコン基板2の厚さ方向に対して斜めに傾斜した矢示B方向に向けて光ファイバ5に押付ける押付け力を付与し、光ファイバ5をファイバ取付溝3の他方の内壁面3Bとガラス基板1とに向けて押付けるものである。
【0041】
本実施の形態による光スイッチ装置は、上述の如き構成を有するもので、次にその製造方法について図13ないし図17を参照しつつ説明する。
【0042】
まず、図13に示すように、シリコン基板2の表面と裏面とにマスクをなす酸化膜22を形成する。このとき、裏面側の酸化膜22にはファイバ取付溝3に対応した位置に開口22Aを形成すると共に、該開口22Aの近傍と中心部位4、アクチュエータ6(図10参照)等が形成される部位に対して薄肉部22Bを形成しておく。そして、この状態でシリコン基板2の裏面側から開口22Aを通じて異方性エッチングを一定時間に亘って施し、テーパ状に傾斜した予備的な傾斜溝23を形成する。
【0043】
次に、エッチング等によって酸化膜22を全体的に薄くすると、図14に示すように、薄肉部22Bが除去された酸化膜22′が形成される。このため、再びシリコン基板2の裏面側から異方性エッチングを予め決められた一定時間に亘って施し、浅溝24と最終的な傾斜溝25とを形成する。その後、図15に示すように、酸化膜22を除去した状態でシリコン基板2の裏面側に第1の基板としてのガラス基板1を陽極接合する。
【0044】
次に、図16に示すように、シリコン基板2を貫通するように浅溝24および傾斜溝25に対応した部位に対して、シリコン基板2の表面側から反応性イオンエッチングを施し、ミラー8等のアクチュエータ6を形成すると共に、ファイバ取付溝3、ファイバ押え21を一緒に形成する。このとき、ファイバ押え21の押付け部21Bには異方性エッチングに基づく傾斜面21Cが形成される。そして、この状態で、ミラー8の表面には、スパッタ、蒸着等の手段を用いて導電性金属材料等からなる薄膜(図示せず)が形成し、鏡面仕上げを行う。
【0045】
最後に、図17に示すように、シリコン基板2の表面に予め浅溝11Aが形成されたカバー基板としてのガラス基板11を接合する。そして、シリコン基板2の外周縁からファイバ取付溝3内に光ファイバ5を挿入し、接着剤等で固定することによって光スイッチ装置が完成する。
【0046】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前述した第1の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、ファイバ押え21の押付け部21Bにはシリコン基板2の厚さ方向に対して斜めに傾斜した傾斜面21Cを形成したから、傾斜面21Cは光ファイバ5に面接触する。このため、第1の実施の形態のように押付け部10Bの角隅等を光ファイバ5に線接触させる場合に比べて、シリコン基板2の厚さ方向に対して斜めに傾斜した押付け力を容易に発生させることができ、光ファイバ5に対して安定的に斜め方向(矢示B方向)に向かう押付け力を加えることができる。
【0047】
また、単結晶シリコンからなるシリコン基板2に異方性エッチングを施すことによって、傾斜面21Cをもった押付け部21Bを形成することができるから、例えば反応性イオンエッチング等を用いた場合に比べてファイバ押え21の加工時間を短縮することができ、生産性を高めることができる。
【0048】
次に、図18ないし図26は本発明の第3の実施の形態を示し、本実施の形態の特徴は、アクチュエータをシリコン基板の表面側に設けられ複数の光ファイバ間を跨いで延びる腕部と、該腕部の長さ方向の途中に位置して第1の基板に向けて設けられたミラーと、前記腕部の両端側に設けられ該ミラーを光路の途中に進退させる2つの駆動部とによって構成すると共に、ファイバ押えを、シリコン基板の表面側に位置して前記アクチュエータの腕部と一緒に形成する構成としたことにある。なお、本実施の形態では、前述した第1の実施の形態と同一の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略するものとする。
【0049】
31は本実施の形態によるアクチュエータで、該アクチュエータ31は、中心部位4を挟んで対向して配置された2つの島部2Aに形成されている。そして、アクチュエータ31は、複数の光ファイバ5間に位置する中心部位4を跨いで2つの島部2A内に向けてそれぞれ直線状に延びる腕部32と、中心部位4の光路O1,O2に進退可能となって腕部32の長さ方向の途中に位置してガラス基板1に向けて垂下して設けられた腕部32よりも薄幅のミラー33と、腕部32の両端側にそれぞれ設けられ腕部32をその長さ方向(矢示A方向)に向けて変位させる2つの駆動部34とによって大略構成されている。ここで、ミラー33は、薄膜の導電性金属材料等にからなるミラー膜33Aによって覆われている。
【0050】
また、駆動部34は、第1の実施の形態による駆動部9とほぼ同様に、腕部32の幅方向両側から腕部32の長さ方向と直交する方向に向けて直線状に延び腕部32が矢示A方向に変位可能となるように支持する支持梁34Aと、腕部32の端部側に形成され腕部32と一緒に変位する可動側櫛歯電極34Bと、該可動側櫛歯電極34Bと噛合してガラス基板1に固定して形成された固定側櫛歯電極34Cとによって大略構成されている。そして、2つの櫛歯電極34B,34C間に逆極性または同極性の電圧を印加することによって、櫛歯電極34B,34C間に静電引力または静電斥力が発生し、腕部32、ミラー33、可動側櫛歯電極34Bは、全体として矢示A方向に向けて変位する。
【0051】
35はファイバ取付溝3の内部に設けられたファイバ押えで、該ファイバ押え35は、第1の実施の形態によるファイバ押え10とほぼ同様に、基端側がファイバ取付溝3の一方の内壁面3Aに取付けられファイバ取付溝3に沿って延びる片持ち梁としてのばね部35Aと、該ばね部35Aの先端側で他方の内壁面3Bに向けて突出して設けられた押付け部35Bとによって構成されている。ここで、ファイバ押え35は、アクチュエータ31の腕部32と一緒にファイバ取付溝3に挿入される光ファイバ5の軸心O(コア)よりもシリコン基板2の表面側(ガラス基板1とは反対側)に形成されると共に、その厚さ寸法はアクチュエータ31の腕部32とほぼ同じ値に設定されている。また、押付け部35Bは、略四角形状をなしてばね部35Aの先端側から突出している。
【0052】
そして、ばね部35Aの先端側は、ファイバ取付溝3の幅方向に対して変位可能となり、押付け部35Bは、光ファイバ5の一部をガラス基板1との間に挟みつつ光ファイバ5を他方の内壁面3Bに向けて弾性的に押付ける。これにより、ファイバ押え35は、シリコン基板2の厚さ方向に対して斜めに傾斜した矢示B方向に向けて光ファイバ5を押付ける押付け力を付与し、光ファイバ5をファイバ取付溝3の他方の内壁面3Bとガラス基板1とに向けて押付けるものである。
【0053】
本実施の形態による光スイッチ装置は、上述の如き構成を有するもので、次にその製造方法について図20ないし図25を参照しつつ説明する。
【0054】
まず、図20に示すように、シリコン基板2よりも厚いシリコン基板2′を用意する。そして、シリコン基板2′の裏面側には、ファイバ取付溝3、中心部位4、アクチュエータ6(図19参照)等が形成される部位に対してシリコン基板2′の厚さ方向の途中位置まで反応性イオンエッチング(DEEP RIE)を施し、ファイバ取付溝3に対応した部位にはファイバ取付溝3とほぼ同じ幅寸法をもった予備ファイバ取付溝36を形成すると共に、中心部位4に対応した部位にはミラー33に対応した突起37を残存させた予備凹溝38を形成する。
【0055】
次に、図21に示すように、シリコン基板2′の裏面側がメタルマスク39を取付け、スパッタ、真空蒸着等によって突起37の表面を薄膜状の導電性金属材料からなるミラー膜33Aによって覆い、ミラー33を形成する。
【0056】
次に、図22に示すように、シリコン基板2′の裏面側にガラス基板1を陽極接合する。このとき、ガラス基板1の表面側には中心部位4、アクチュエータ6等が対面する位置に浅溝40が形成され、該浅溝40によってミラー33等がガラス基板1に接触するのを防いでいる。そして、この状態で、図23に示すようにシリコン基板2′の表面側を研磨し、厚さ寸法が薄いシリコン基板2を形成する。
【0057】
次に、図24に示すように、シリコン基板2を貫通するように予備ファイバ取付溝36および予備凹溝38に対応した部位に対して、シリコン基板2の表面側から反応性イオンエッチングを施す。これにより、腕部32、ミラー33等からなるアクチュエータ31を形成すると共に、ファイバ取付溝3、ファイバ押え35を一緒に形成する。
【0058】
このとき、シリコン基板2には予め予備ファイバ取付溝36および予備凹溝38を形成してあるのに加え、ミラー33も既に形成されているから、反応性イオンエッチングはシリコン基板2のうち残余の厚さ寸法に対して行えばよく、全ての厚さ寸法に対して行うのに比べて、短時間で終了する。また、ファイバ押え35はアクチュエータ31の腕部32と同じ厚さ寸法に設定されているから、腕部32を形成するのと一緒にファイバ押え35が形成される。
【0059】
最後に、図25に示すように、シリコン基板2の表面に予め浅溝11Aが形成されたカバー基板としてのガラス基板11を接合する。そして、シリコン基板2の外周縁からファイバ取付溝3内に光ファイバ5を挿入し、接着剤等で固定することによって光スイッチ装置が完成する。
【0060】
本実施の形態による光スイッチ装置は、上述の如き製造方法を用いて製造されるものであり、次に、そのスイッチング動作について説明する。
【0061】
まず、アクチュエータ31の可動側櫛歯電極34Bと固定側櫛歯電極34Cとの間に電圧を印加しないときには、支持梁34Aの弾性力によってミラー33は中心部位4に進入した位置(光路O1,O2の途中位置)にある。このため、光路O1,O2に沿ってそれぞれ配置された2つの光ファイバ5のうち一方の光ファイバ5から出射された光は、ミラー33によって反射し、互いに直交する光路O2,O1に沿って配置された他方の光ファイバ5に入射され、これらの間で光通信等が行われる。
【0062】
一方、アクチュエータ31の一方の駆動部34の電極34B,34C間に逆極性(正負)の電圧を印可し、他方の駆動部34の電極34B,34C間に同極性の電圧(例えば正)を印可したときには、一方の電極34B,34C間に静電引力が発生し、他方の電極34B,34C間に静電斥力が発生するから、支持梁34Aの弾性力に抗してミラー33は中心部位4から退出する。このため、光路O1,O2に沿ってそれぞれ配置された2つの光ファイバ5のうち一方の光ファイバ5から出射された光は、光路O1,O2に沿って配置された他方の光ファイバ5に入射され、これらの間で光通信等が行われる。この結果、電極34B,34C間に電圧を印加するか否かに基づいて、接続する光路O1,O2を切換えることができる。
【0063】
かくして、このように構成される本実施の形態でも、前述した第1の実施の形態とほぼ同様の作用効果を得ることができる。しかし、本実施の形態では、腕部32の長さ方向の途中に位置してガラス基板1に向けて垂下してミラー33を設ける構成としたから、腕部32の両端側の2箇所に駆動部34を配置することができる。
【0064】
即ち、図26に示すように、本実施の形態では腕部32に垂下してミラー33を設けたから、腕部32が光路O1,O2を遮ることがない。一方、図27に示す比較例(第1の実施の形態)のように腕部7の厚さ寸法全長に亘ってミラー8を設けるときには、ミラー8を越えて腕部7を延長すると、腕部7が光路O1,O2を遮ることになる。このため、腕部7の厚さ寸法全長に亘ってミラー8を設けるときには、片持ち状態の腕部7の先端にミラー8を設ける必要があり、腕部7の基端側となる1箇所にしか駆動部を配置できない。
【0065】
これに対し、本実施の形態では、腕部32の両端側の2箇所に駆動部34を配置することができるから、アクチュエータ31の駆動電圧を低下させることができ、操作性を向上させることができると共に、シリコン基板2を無駄なく有効に利用することができる。
【0066】
また、ファイバ押え35は、シリコン基板2の表面側に位置してアクチュエータ31の腕部32と一緒に形成する構成としたから、ファイバ押え35と別個にアクチュエータ31等を加工するのに比べて、長時間の加工が必要となる反応性イオンエッチング等の加工時間を短縮することができる。
【0067】
さらに、シリコン基板2の厚さ寸法全長に亘って反応性イオンエッチングを施したときには、シリコン基板2の厚さ方向に対してずれる傾向があり、ミラー33の鏡面に歪み等が生じ易い。これに対し、本実施の形態では、シリコン基板2の厚さ寸法途中位置まで反応性イオンエッチングを施すことによって腕部32に垂下したミラー33を形成するから、ミラー33の歪みが生じ難く、光路O1,O2間の切換え精度を高め、信頼性を向上させることができる。
【0068】
なお、前記第3の実施の形態では、予めシリコン基板2よりも厚いシリコン基板2′を用意すると共に、このシリコン基板2′の裏面側にエッチング加工を施し、ガラス基板1を接合した後に、その表面側を研磨して所定の厚さ寸法をもったシリコン基板2を形成するものとした。この場合、シリコン基板2′を研磨する行程が必要になるものの、製造する際のハンドリング時にシリコン基板2′に欠損、亀裂等が生じるのを防止でき、製造歩留まりを向上することができる。
【0069】
しかし、本発明はこれに限るものではなく、第3の実施の形態において、シリコン基板2′に代えて加工当初から厚さ寸法の薄いシリコン基板2を用いるものとしてもよい。これにより、シリコン基板2′の研磨行程を省くことができる。一方、第1,第2の実施の形態では、加工当初から厚さ寸法の薄いシリコン基板2を用いるものとしたが、第3の実施の形態と同様に、加工当初は厚さ寸法の厚いシリコン基板2′を用い、ガラス基板1を接合した後に研磨行程を施して薄いシリコン基板2を形成するものとしてもよい。
【0070】
また、前記第3の実施の形態では、2つの駆動部34で互いに可動側櫛歯電極34Bと固定側櫛歯電極34Cとが逆位置(対称となる位置)に配置し、一方の駆動部34に静電引力を発生させ、他方の駆動部34に静電斥力を発生させるものとした。しかし、本発明はこれに限らず、例えば図28および図29に示す変形例のように、2つの駆動部34′で互いに可動側櫛歯電極34B′と固定側櫛歯電極34C′とが同じ位置(平行移動した位置)に配置し、両方の駆動部34′に静電引力を発生させて駆動する構成としてもよい。
【0071】
また、前記第3の実施の形態では、4本のファイバ取付溝3を十字状に配置するものとしたが、例えば図28および図29に示す変形例のように、2本の光路O1,O2が平行に並ぶように4本のファイバ取付溝3′を2本ずつ平行に配置する構成としてもよい。この場合、腕部32′には略三角形状をなした2つのミラー33′を離間して設け、これらをハの字形状をなすように配置する。
【0072】
これにより、図28に示すように駆動部34′が停止した状態では、光ファイバ5から出射した光は2つのミラー33′によって逆方向に反射され、図28中の左側の2つの光ファイバ5が接続されると共に、右側の2つの光ファイバ5が接続される。一方、図29に示すように駆動部34′が駆動した状態では、ミラー33′が移動するから、光ファイバ5から出射した光はミラー33′に当たらず直進し、図29中の上側の2つの光ファイバ5が接続されると共に、下側の2つの光ファイバ5が接続される。
【0073】
また、前記各実施の形態では、駆動部9,34には櫛歯電極9B,9C,34B,34Cを用いる構成とした。しかし、本発明これに限らず、例えば平行平板電極を用いて駆動部を構成してもよい。
【0074】
さらに、前記各実施の形態では、第1の基板としてガラス基板1を用いるものとしたが、例えば第1の基板としてシリコン基板等を用いるものとしてもよい。
【0075】
【発明の効果】
以上詳述した通り、請求項1に記載の発明によれば、第2の基板のファイバ取付溝内にはファイバ押えを設けたから、該ファイバ押えを用いて光ファイバを他方の内壁面と第1の基板とに向けて押付けることができる。このため、別部材を用いることなく、光ファイバをファイバ取付溝に沿ってファイバ取付溝内に挿入するだけで、光ファイバをファイバ取付溝の幅方向(水平方向)と第2の基板の厚さ方向(垂直方向)の2方向に対して位置決めすることができ、光ファイバの取付け性を向上させることができる。
【0076】
また、ファイバ押えを基端側がファイバ取付溝の一方の内壁面に取付けられ先端側がファイバ取付溝の幅方向に変位可能なばね部と、該ばね部の先端側に設けられた光ファイバを他方の内壁面と第1の基板とに向けて押付ける押付け部とによって構成したから、押付け部を光ファイバに接触させることによって、光ファイバに対して第2の基板の厚さ方向に対して斜めに傾斜した押付け力を加えることができる。このため、ファイバ押えの押付け部によって、光ファイバを容易に位置決めすることができる。
さらに、押付け部の角隅に面取り部を設けたから、光ファイバをファイバ取付溝に沿って挿入したときには、該面取り部によって当該光ファイバの挿入を容易にすることができる。
【0077】
請求項2の発明によれば、ファイバ押えの押付け部には第2の基板の厚さ方向に対して斜めに傾斜した傾斜面を形成したから、傾斜面は光ファイバに面接触する。このため、例えば押付け部の角隅等を光ファイバに線接触させる場合に比べて、第2の基板の厚さ方向に対して斜めに傾斜した押付け力を発生させることができ、光ファイバに対して安定的に斜め方向に向かう押付け力を加え、光ファイバを位置決めすることができる。また、第2の基板に単結晶シリコンを用いる場合には、該シリコン基板に異方性エッチングを施すことによって、傾斜面をもった押付け部を形成することができる。このため、例えば反応性イオンエッチング等を用いた場合に比べて押付け部の加工時間を短縮することができ、生産性を高めることができる。
請求項3の発明によれば、押付け部の角隅には面取り部を設けたから、光ファイバをファイバ取付溝に沿って挿入したときには、該面取り部によって光ファイバの挿入を容易にすることができる。
請求項4の発明によれば、押付け部の傾斜面は単結晶シリコンに異方性エッチングを施すことによって形成したから、例えば反応性イオンエッチング等を用いた場合に比べて押付け部の加工時間を短縮することができ、生産性を高めることができる。
請求項5の発明によれば、アクチュエータの表面とファイバ押えの表面とが同一面を形成する構成としたから、例えばアクチュエータとファイバ押えとを同一のエッチング工程で一緒に形成することができる。
【0078】
請求項6の発明によれば、腕部の長さ方向の途中に位置して第1の基板に向かうミラーを設ける構成としたから、腕部によって光路を遮ることがなく、腕部の両端側の2箇所に駆動部を形成することができる。このため、1つの駆動部を用いる場合に比べて、各駆動部に印加する電圧等を低下させることができ、操作性を向上させることができる。また、ファイバ押えはアクチュエータの腕部と一緒に形成するから、ファイバ押えと別個にアクチュエータを加工するのに比べて、例えば反応性イオンエッチング等の加工時間を短縮することができ、生産性を高めることができる。
請求項7の発明によれば、腕部には2つの駆動部を設ける構成としたから、2つの駆動部を用いて腕部を変位させることによって、光路の途中にミラーを進退させることができ、ミラーを用いて光路を切換えることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態による光スイッチ装置をカバー用のガラス基板を取外した状態で示す平面図である。
【図2】ファイバ取付溝、ファイバ押え、ミラー等を図1中の矢示II−II方向からみた断面図である。
【図3】図1中のファイバ取付溝、ファイバ押え等を拡大して示す要部拡大平面図である。
【図4】図3中のファイバ押えと光ファイバを拡大して示す要部拡大斜視図である。
【図5】シリコン基板に浅溝を形成した状態を示す図2と同様位置の断面図である。
【図6】図5中のシリコン基板に予備ファイバ取付溝を形成した状態を示す断面図である。
【図7】図6中のシリコン基板の裏面に支持用のガラス基板を接合した状態を示す断面図である。
【図8】図7中のシリコン基板の表面から反応性イオンエッチングを施し、ファイバ押え、ミラー等を形成した状態を示す断面図である。
【図9】図8中のシリコン基板の表面にカバー用のガラス基板を接合した状態を示す断面図である。
【図10】第2の実施の形態による光スイッチ装置のファイバ取付溝、ファイバ押え、ミラー等を示す図2と同様位置の断面図である。
【図11】ファイバ取付溝、ファイバ押え等を拡大して示す要部拡大平面図である。
【図12】図3中のファイバ押えと光ファイバを拡大して示す要部拡大斜視図である。
【図13】シリコン基板の裏面から異方性エッチングを施し、予備的な傾斜溝を形成した状態を示す図10と同様位置の断面図である。
【図14】図13中のシリコン基板に更なる異方性エッチングを施し、浅溝と最終的な傾斜溝を形成した状態を示す断面図である。
【図15】図14中のシリコン基板の裏面に支持用のガラス基板を接合した状態を示す断面図である。
【図16】図15中のシリコン基板の表面から反応性イオンエッチングを施し、ファイバ押え、ミラー等を形成した状態を示す断面図である。
【図17】図16中のシリコン基板の表面にカバー用のガラス基板を接合した状態を示す断面図である。
【図18】本発明の第3の実施の形態による光スイッチ装置をカバー用のガラス基板を取外した状態で示す平面図である。
【図19】ファイバ取付溝、ファイバ押え、ミラー等を図18中の矢示XIX−XIX方向からみた断面図である。
【図20】シリコン基板の裏面から反応性イオンエッチングを施し、予備ファイバ取付溝、予備凹溝を形成した状態を示す図19と同様位置の断面図である。
【図21】図20中のシリコン基板の裏面にメタルマスクを取付け、ミラー膜を形成した状態を示す断面図である。
【図22】図21中のシリコン基板の裏面に支持用のガラス基板を接合した状態を示す断面図である。
【図23】図22中のシリコン基板の表面を研磨した状態を示す断面図である。
【図24】図23中のシリコン基板の表面から反応性イオンエッチングを施し、ファイバ押え、ミラー等を形成した状態を示す断面図である。
【図25】図24中のシリコン基板の表面にカバー用のガラス基板を接合した状態を示す断面図である。
【図26】第3の実施の形態による腕部、ミラーおよび光ファイバの配置関係を示す斜視図である。
【図27】比較例による腕部、ミラーおよび光ファイバの配置関係を示す斜視図である。
【図28】本発明の変形例による光スイッチ装置をカバー用のガラス基板を取外した状態で示す平面図である。
【図29】図28中の光スイッチ装置を駆動部が駆動した状態で示す平面図である。
【符号の説明】
1 ガラス基板(第1の基板)
2 シリコン基板(第2の基板)
3,3′ ファイバ取付溝
3A,3B,3A′,3B′ 内壁面
4,4′ 中心部位
5 光ファイバ
6,31,31′ アクチュエータ
7,32,32′ 腕部
8,33,33′ ミラー
9,34,34′ 駆動部
10,21,35 ファイバ押え
10A,21A,35A ばね部
10B,21B,35B 押付け部
21C 傾斜面
O1,O2 光路
Claims (8)
- 第1の基板と、該第1の基板に衝合して設けられ該第1の基板との間に複数のファイバ取付溝が形成された第2の基板と、該第2の基板の各ファイバ取付溝内に設けられ互いに間隔をもって対向した複数の光ファイバと、前記第2の基板に設けられ該複数の光ファイバ間に進退することによって当該光ファイバ間の光路を切換えるアクチュエータとからなる光スイッチ装置において、
前記第2の基板には、前記ファイバ取付溝内で互いに対向した2つの内壁面のうち一方の内壁面側に位置すると共に、前記光ファイバの軸心よりも第1の基板とは反対側に位置して、前記光ファイバを、他方の内壁面と前記第1の基板とに向けて押付けるファイバ押えを設け、
該ファイバ押えは、基端側が前記ファイバ取付溝の一方の内壁面に取付けられ先端側が前記ファイバ取付溝の幅方向に変位可能なばね部と、該ばね部の先端側に設けられ前記光ファイバを他方の内壁面と前記第1の基板とに向けて斜めに押付ける押付け部とによって構成し、
前記光ファイバは、前記ファイバ取付溝に沿って挿入し、
前記押付け部の角隅には、前記光ファイバの挿入を容易にするための面取り部を設けたことを特徴とする光スイッチ装置。 - 第1の基板と、該第1の基板に衝合して設けられ該第1の基板との間に複数のファイバ取付溝が形成された第2の基板と、該第2の基板の各ファイバ取付溝内に設けられ互いに間隔をもって対向した複数の光ファイバと、前記第2の基板に設けられ該複数の光ファイバ間に進退することによって当該光ファイバ間の光路を切換えるアクチュエータとからなる光スイッチ装置において、
前記第2の基板には、前記ファイバ取付溝内で互いに対向した2つの内壁面のうち一方の内壁面側に位置すると共に、前記光ファイバの軸心よりも第1の基板とは反対側に位置して、前記光ファイバを、他方の内壁面と前記第1の基板とに向けて押付けるファイバ押えを設け、
該ファイバ押えは、基端側が前記ファイバ取付溝の一方の内壁面に取付けられ先端側が前記ファイバ取付溝の幅方向に変位可能なばね部と、該ばね部の先端側に設けられ前記光ファイバを他方の内壁面と前記第1の基板とに向けて斜めに押付ける押付け部とによって構成し、
前記押付け部には、前記第2の基板の厚さ方向に向けて斜めに傾斜して光ファイバに面接触する傾斜面を形成し、
前記光ファイバは、前記ファイバ取付溝に沿って挿入する構成としたことを特徴とする光スイッチ装置。 - 前記押付け部の角隅には、前記光ファイバの挿入を容易にするための面取り部を設けてなる請求項2に記載の光スイッチ装置。
- 前記第2の基板は単結晶シリコンによって形成し、
前記押付け部の傾斜面は、該第2の基板に異方性エッチングを施すことによって形成してなる請求項2または3に記載の光スイッチ装置。 - 前記アクチュエータの表面とファイバ押えの表面とは、同一面を形成してなる請求項1,2,3または4に記載の光スイッチ装置。
- 第1の基板と、該第1の基板に衝合して設けられ該第1の基板との間に複数のファイバ取付溝が形成された第2の基板と、該第2の基板の各ファイバ取付溝内に設けられ互いに間隔をもって対向した複数の光ファイバと、前記第2の基板に設けられ該複数の光ファイバ間に進退することによって当該光ファイバ間の光路を切換えるアクチュエータとからなる光スイッチ装置において、
前記アクチュエータは、前記第2の基板の表面側に設けられ前記複数の光ファイバ間を跨いで延びる腕部と、該腕部の長さ方向の途中に位置して前記第1の基板に向けて設けられたミラーと、前記腕部の両端側に設けられ当該腕部をその長さ方向に向けて変位させ該ミラーを前記光路の途中に進退させる2つの駆動部とによって構成し、
前記第2の基板には、前記光ファイバを、前記ファイバ取付溝内で互いに対向した2つの内壁面のうちいずれか一方の内壁面と前記第1の基板とに向けて押付けるファイバ押えを設け、
該ファイバ押えは、前記第2の基板の表面側に位置して前記アクチュエータの腕部と一緒に形成する構成としたことを特徴とする光スイッチ装置。 - 第1の基板と、該第1の基板に衝合して設けられ該第1の基板との間に複数のファイバ取付溝が形成された第2の基板と、該第2の基板の各ファイバ取付溝内に設けられ互いに間隔をもって対向した複数の光ファイバと、前記第2の基板に設けられ該複数の光ファイバ間に進退することによって当該光ファイバ間の光路を切換えるアクチュエータとからなる光スイッチ装置において、
前記アクチュエータは、前記第2の基板の表面側に設けられた腕部と、該腕部に垂下して前記第1の基板に向けて設けられたミラーと、前記腕部に設けられ当該腕部をその長さ方向に向けて変位させ該ミラーを前記光路の途中に進退させる2つの駆動部とによって構成し、
前記第2の基板には、前記光ファイバを、前記ファイバ取付溝内で互いに対向した2つの内壁面のうちいずれか一方の内壁面と前記第1の基板とに向けて押付けるファイバ押えを設け、
該ファイバ押えは、前記第2の基板の表面側に位置して前記アクチュエータの腕部と一緒に形成する構成としたことを特徴とする光スイッチ装置。 - 前記第2の基板の表面には、前記ファイバ取付溝を覆うガラス基板を設ける構成としてなる請求項1,2,3,4,5,6または7に記載の光スイッチ装置。
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