JPH11119123A - 光スイッチ及びその製造方法 - Google Patents
光スイッチ及びその製造方法Info
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- JPH11119123A JPH11119123A JP30497097A JP30497097A JPH11119123A JP H11119123 A JPH11119123 A JP H11119123A JP 30497097 A JP30497097 A JP 30497097A JP 30497097 A JP30497097 A JP 30497097A JP H11119123 A JPH11119123 A JP H11119123A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｖ字型溝により光ファイバーの位置決めを正
確に行うとともに可動ミラーと光ファイバーの光路との
位置合わせを正確に実行可能な光スイッチを提供する。 【解決手段】 主面が（１００）面のＳｉ基板１にミラ
ー配置用空間２を形成するとともに複数の光ファイバー
固定のためのＶ字型溝３を形成し、前記Ｓｉ基板１の主
面上に成膜された膜の一部でミラー構造体１１を形成
し、該ミラー構造体１１の表面に反射膜を設けて可動ミ
ラー１０とし、前記Ｖ字型溝３に光ファイバー２１〜２
４を固定し、前記可動ミラー１０を複数の光ファイバー
間の前記ミラー配置用空間２に配して、前記可動ミラー
１０の駆動により光路を変更する構成である。
確に行うとともに可動ミラーと光ファイバーの光路との
位置合わせを正確に実行可能な光スイッチを提供する。 【解決手段】 主面が（１００）面のＳｉ基板１にミラ
ー配置用空間２を形成するとともに複数の光ファイバー
固定のためのＶ字型溝３を形成し、前記Ｓｉ基板１の主
面上に成膜された膜の一部でミラー構造体１１を形成
し、該ミラー構造体１１の表面に反射膜を設けて可動ミ
ラー１０とし、前記Ｖ字型溝３に光ファイバー２１〜２
４を固定し、前記可動ミラー１０を複数の光ファイバー
間の前記ミラー配置用空間２に配して、前記可動ミラー
１０の駆動により光路を変更する構成である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信等に用いら
れる光スイッチ及びその製造方法に係り、特にシリコン
マイクロマシニングプロセスにより作製可能な小型の機
械式光スイッチ及びその製造方法に関する。
れる光スイッチ及びその製造方法に係り、特にシリコン
マイクロマシニングプロセスにより作製可能な小型の機
械式光スイッチ及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】高速光通信の普及に伴い、従来のバルク
型光スイッチに代わり、小型で高速、高信頼性、低価格
が実現可能なマイクロマシニング手法により作製される
光スイッチへの期待が大きい。
型光スイッチに代わり、小型で高速、高信頼性、低価格
が実現可能なマイクロマシニング手法により作製される
光スイッチへの期待が大きい。
【０００３】従来の光スイッチの一つに特開平６−２０
９０６２号に開示されている光ファイバーを直接、電磁
力で駆動する光スイッチがある。しかし、大きな光ファ
イバーを動かす為には大きな力が必要であり、このため
高速応答性や小型化は困難であった。また、光ファイバ
ーの正確でかつ安定した位置固定のためにＶ状溝を形成
しているが、Ｖ状溝で位置固定されるのは固定側の光フ
ァイバーのみであり、可動側の光ファイバーの位置は必
ずしも安定しない。また、特開平８−１１０４１８号に
も光ファイバーをＶ状溝で固定する構造が示されてい
る。
９０６２号に開示されている光ファイバーを直接、電磁
力で駆動する光スイッチがある。しかし、大きな光ファ
イバーを動かす為には大きな力が必要であり、このため
高速応答性や小型化は困難であった。また、光ファイバ
ーの正確でかつ安定した位置固定のためにＶ状溝を形成
しているが、Ｖ状溝で位置固定されるのは固定側の光フ
ァイバーのみであり、可動側の光ファイバーの位置は必
ずしも安定しない。また、特開平８−１１０４１８号に
も光ファイバーをＶ状溝で固定する構造が示されてい
る。
【０００４】同様の光スイッチにおいては、重要なスイ
ッチング動作の自己保持を実現するため、永久磁石とＮ
ｉＦｅ膜のチューブの組み合わせを用いた例が、“Micr
o-Magnetic Alloy Tubes for Switching and Splicing
Single-Mode Fibers”,Proc.IEEE MEMS 91,1991,pp86〜
91に報告されている。この例では光ファイバー自体を磁
気力により動かして、１×２スイッチ（一端側１ポー
ト、他端側２ポート）を実現している。
ッチング動作の自己保持を実現するため、永久磁石とＮ
ｉＦｅ膜のチューブの組み合わせを用いた例が、“Micr
o-Magnetic Alloy Tubes for Switching and Splicing
Single-Mode Fibers”,Proc.IEEE MEMS 91,1991,pp86〜
91に報告されている。この例では光ファイバー自体を磁
気力により動かして、１×２スイッチ（一端側１ポー
ト、他端側２ポート）を実現している。
【０００５】一方、マイクロマシニングによる機械式光
スイッチは、波長無依存性、高コントラストという特徴
を有する。マイクロマシニングにより作製された光ファ
イバースイッチとして、例えば、発明者は“Electrosta
tic Micro Torsion Mirrorsfor an Optical Switch Mat
rix”,IEEE J.Microelectromechanical systems 5(4),
(1996),pp231〜237.にトーションミラーを静電駆動する
ことにより光路変更する光スイッチを既に報告してい
る。この例では、およそ１cmの空間を直進するコリメー
トビーム間に配置されたトーションミラーが電極を兼
ね、対向電極との間に電圧を印加することにより、トー
ションミラーが９０°回転し、光路のスイッチングを行
っている。小さなミラーを駆動するために高速化が可能
である。
スイッチは、波長無依存性、高コントラストという特徴
を有する。マイクロマシニングにより作製された光ファ
イバースイッチとして、例えば、発明者は“Electrosta
tic Micro Torsion Mirrorsfor an Optical Switch Mat
rix”,IEEE J.Microelectromechanical systems 5(4),
(1996),pp231〜237.にトーションミラーを静電駆動する
ことにより光路変更する光スイッチを既に報告してい
る。この例では、およそ１cmの空間を直進するコリメー
トビーム間に配置されたトーションミラーが電極を兼
ね、対向電極との間に電圧を印加することにより、トー
ションミラーが９０°回転し、光路のスイッチングを行
っている。小さなミラーを駆動するために高速化が可能
である。
【０００６】これに対し、光路に対して垂直なミラーを
平行移動させることによって、光スイッチングを行うと
いう試みも幾つかなされている。例えば、“VerticalMi
rrors Fabricated by Reactive Ion Etching for Fiber
Optical SwitchingApplication”;the 10th Annual In
ternational Workshop on Micro ElectroMechanical Sy
stems，1997,pp49〜54には、深堀ＲＩＥ（Reactive Ion
Etching)でＳｉ基板を削ることにより、基板面に垂直
なミラーを作製した例が報告されている。この場合、ミ
ラーはやはり深堀ＲＩＥで形成したアスペクト比の高い
櫛歯型アクチュエータに連結されており、そのアクチュ
エータの静電駆動によってミラーが光路に出入りし、光
スイッチングを行っている。
平行移動させることによって、光スイッチングを行うと
いう試みも幾つかなされている。例えば、“VerticalMi
rrors Fabricated by Reactive Ion Etching for Fiber
Optical SwitchingApplication”;the 10th Annual In
ternational Workshop on Micro ElectroMechanical Sy
stems，1997,pp49〜54には、深堀ＲＩＥ（Reactive Ion
Etching)でＳｉ基板を削ることにより、基板面に垂直
なミラーを作製した例が報告されている。この場合、ミ
ラーはやはり深堀ＲＩＥで形成したアスペクト比の高い
櫛歯型アクチュエータに連結されており、そのアクチュ
エータの静電駆動によってミラーが光路に出入りし、光
スイッチングを行っている。
【０００７】さらに光路に対して垂直なミラーを上下に
動かすことによる光スイッチングも試みられている。例
えば、“An Electromagnetic MEMS 2×2 Fiber OpticBy
pass Switch”; International Conference on Solid-S
tate Sensors andActuators，1997,pp89〜92には、電磁
力による構造体の上下運動でミラーを光路に出入りさ
せ、スイッチングを行う例が報告されている。この場合
の駆動力は、構造体に形成された銅線コイルへの通電に
より生じる磁界と、対向して配された永久磁石の間に働
いている。
動かすことによる光スイッチングも試みられている。例
えば、“An Electromagnetic MEMS 2×2 Fiber OpticBy
pass Switch”; International Conference on Solid-S
tate Sensors andActuators，1997,pp89〜92には、電磁
力による構造体の上下運動でミラーを光路に出入りさ
せ、スイッチングを行う例が報告されている。この場合
の駆動力は、構造体に形成された銅線コイルへの通電に
より生じる磁界と、対向して配された永久磁石の間に働
いている。
【０００８】また、磁性薄板を外部磁界によって回転さ
せる例が、“Magneticmicroactuation of torsional po
lysilicon structures”,Sensors andActuators A53(19
96)392-397に報告されている。この例では１５μｍのＮ
ｉＦｅ薄板を、梁を軸にして基板から起き上がるように
回転させている。
せる例が、“Magneticmicroactuation of torsional po
lysilicon structures”,Sensors andActuators A53(19
96)392-397に報告されている。この例では１５μｍのＮ
ｉＦｅ薄板を、梁を軸にして基板から起き上がるように
回転させている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで、トーション
ミラー型光スイッチでは、ミラー自体は既に小型化され
ているために高速動作が可能である。しかし、光ファイ
バーとミラーの位置合わせは困難であった。シリコン基
板のエッチングによりＶ字型溝を作製し光ファイバーの
固定を行うことは広く知られていたが、このＶ字型溝の
作製工程と光ミラーを作製する工程とは互いに相いれな
い部分が多く、１枚の同一シリコン基板上に同時に両者
をパターニングすることは困難であった。Ｖ字型溝と光
ミラーを別々にパターニング作製した場合には正確な位
置合わせは得られない。
ミラー型光スイッチでは、ミラー自体は既に小型化され
ているために高速動作が可能である。しかし、光ファイ
バーとミラーの位置合わせは困難であった。シリコン基
板のエッチングによりＶ字型溝を作製し光ファイバーの
固定を行うことは広く知られていたが、このＶ字型溝の
作製工程と光ミラーを作製する工程とは互いに相いれな
い部分が多く、１枚の同一シリコン基板上に同時に両者
をパターニングすることは困難であった。Ｖ字型溝と光
ミラーを別々にパターニング作製した場合には正確な位
置合わせは得られない。
【００１０】また光ファイバー固定のための溝が設けて
あっても、溝がＶ字型ではない場合には、ファイバーを
正確に固定するのが難しい。
あっても、溝がＶ字型ではない場合には、ファイバーを
正確に固定するのが難しい。
【００１１】ミラーの駆動源としてコイル等により発生
する電磁力を駆動源とした場合ではコイル等が広い面積
を必要とするため、スイッチが複雑化すると同時にあま
り小さくならず、マトリクス化には適さない。
する電磁力を駆動源とした場合ではコイル等が広い面積
を必要とするため、スイッチが複雑化すると同時にあま
り小さくならず、マトリクス化には適さない。
【００１２】また光ファイバー自体を動かすスイッチで
は、自己保持性は実現できるが、小型化、マトリクス化
は困難である。
は、自己保持性は実現できるが、小型化、マトリクス化
は困難である。
【００１３】一方、従来公知の静電駆動光スイッチは簡
単な構造であるが、自己保持動作は実現していなかっ
た。
単な構造であるが、自己保持動作は実現していなかっ
た。
【００１４】本発明の第１の目的は、上記の点に鑑み、
Ｖ字型溝により光ファイバーの位置決めを正確に行うと
ともに可動ミラーと光ファイバーの光路との位置合わせ
を正確に実行可能な光スイッチを提供することにある。
Ｖ字型溝により光ファイバーの位置決めを正確に行うと
ともに可動ミラーと光ファイバーの光路との位置合わせ
を正確に実行可能な光スイッチを提供することにある。
【００１５】本発明の第２の目的は、必要な場合には可
動ミラーの自己保持動作が可能な光スイッチを提供する
ことにある。
動ミラーの自己保持動作が可能な光スイッチを提供する
ことにある。
【００１６】本発明の第３の目的は、光ファイバー固定
用のＶ字型溝と可動ミラーの構造体とを同時にパターニ
ングして作製することで可動ミラーと光ファイバーの光
路との正確な位置合わせを可能にした光スイッチの製造
方法を提供することにある。
用のＶ字型溝と可動ミラーの構造体とを同時にパターニ
ングして作製することで可動ミラーと光ファイバーの光
路との正確な位置合わせを可能にした光スイッチの製造
方法を提供することにある。
【００１７】本発明のその他の目的や新規な特徴は後述
の実施の形態において明らかにする。
の実施の形態において明らかにする。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の光スイッチは、主面が（１００）面のＳｉ
基板にミラー配置用空間を形成するとともに複数の光フ
ァイバー固定のためのＶ字型溝を形成し、前記Ｓｉ基板
の主面上に成膜された膜の一部でミラー構造体を形成
し、該ミラー構造体の表面に反射膜を設けて可動ミラー
とし、前記Ｖ字型溝に光ファイバーを固定し、前記可動
ミラーを複数の光ファイバー間の前記ミラー配置用空間
に配して、前記可動ミラーの駆動により光路を変更する
構成としている。
に、本発明の光スイッチは、主面が（１００）面のＳｉ
基板にミラー配置用空間を形成するとともに複数の光フ
ァイバー固定のためのＶ字型溝を形成し、前記Ｓｉ基板
の主面上に成膜された膜の一部でミラー構造体を形成
し、該ミラー構造体の表面に反射膜を設けて可動ミラー
とし、前記Ｖ字型溝に光ファイバーを固定し、前記可動
ミラーを複数の光ファイバー間の前記ミラー配置用空間
に配して、前記可動ミラーの駆動により光路を変更する
構成としている。
【００１９】前記光スイッチにおいて、前記Ｓｉ基板の
主面の反対側に対向電極を設け、該対向電極と前記可動
ミラー間に電圧を印加して前記可動ミラーを静電駆動す
る構成であってもよい。
主面の反対側に対向電極を設け、該対向電極と前記可動
ミラー間に電圧を印加して前記可動ミラーを静電駆動す
る構成であってもよい。
【００２０】前記可動ミラーが磁性体層を有し、永久磁
石により自己保持動作を行う構成であってもよい。
石により自己保持動作を行う構成であってもよい。
【００２１】本発明の光スイッチの製造方法は、前記主
面が（１００）面のＳｉ基板の当該主面にミラー構造体
となる膜を成膜した後、複数の光ファイバー固定のため
のＶ字型溝及びミラー構造体を同時にパターニングして
作製し、複数のＶ字型溝に光ファイバーを固定して形成
される光路と前記ミラー構造体の表面に反射膜を設けた
可動ミラーとの相互位置関係が前記パターニングで規定
されるようにしたことを特徴としている。
面が（１００）面のＳｉ基板の当該主面にミラー構造体
となる膜を成膜した後、複数の光ファイバー固定のため
のＶ字型溝及びミラー構造体を同時にパターニングして
作製し、複数のＶ字型溝に光ファイバーを固定して形成
される光路と前記ミラー構造体の表面に反射膜を設けた
可動ミラーとの相互位置関係が前記パターニングで規定
されるようにしたことを特徴としている。
【００２２】前記光スイッチの製造方法において、前記
Ｓｉ基板のアルカリ溶液による異方性エッチングにより
前記Ｖ字型溝を形成するとよい。
Ｓｉ基板のアルカリ溶液による異方性エッチングにより
前記Ｖ字型溝を形成するとよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光スイッチ及
びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
びその製造方法の実施の形態を図面に従って説明する。
【００２４】図１に本発明の第１の実施の形態である光
スイッチの概略図を、図２乃至図４にその製造方法の詳
細をそれぞれ示す。
スイッチの概略図を、図２乃至図４にその製造方法の詳
細をそれぞれ示す。
【００２５】図１の光スイッチは静電力駆動の構成であ
って、主面（上面）が（１００）面のＳｉ基板１にミラ
ー配置用空間２を形成するとともに複数の光ファイバー
固定のためのＶ字型溝３を形成し、Ｓｉ基板１の主面上
に成膜された多結晶質Ｓｉ（poly-Si）膜等の一部でミ
ラー構造体１１及びこれを基板１に対して支える２本の
梁１５，１６を形成し、該ミラー構造体１１の表面に反
射金属膜としてのＡｕコーティング膜１２を設けて可動
ミラー１０としている。基板１の主面の反対面には絶縁
層１７を介して静電力駆動のための対向電極１８が固定
配置されている。
って、主面（上面）が（１００）面のＳｉ基板１にミラ
ー配置用空間２を形成するとともに複数の光ファイバー
固定のためのＶ字型溝３を形成し、Ｓｉ基板１の主面上
に成膜された多結晶質Ｓｉ（poly-Si）膜等の一部でミ
ラー構造体１１及びこれを基板１に対して支える２本の
梁１５，１６を形成し、該ミラー構造体１１の表面に反
射金属膜としてのＡｕコーティング膜１２を設けて可動
ミラー１０としている。基板１の主面の反対面には絶縁
層１７を介して静電力駆動のための対向電極１８が固定
配置されている。
【００２６】前記可動ミラー１０と対向電極１８との間
に印加された電圧の静電力により、当該可動ミラー１０
は９０゜回転する。すなわち、電圧が印加されていない
状態では可動ミラー１０は基板主面に平行で、電圧が印
加されるとミラー配置用空間２内で基板主面に垂直とな
る。前記２本の梁１５，１６はトーションばねとして機
能し、可動ミラー１０はトーションミラー構造をなして
いる。
に印加された電圧の静電力により、当該可動ミラー１０
は９０゜回転する。すなわち、電圧が印加されていない
状態では可動ミラー１０は基板主面に平行で、電圧が印
加されるとミラー配置用空間２内で基板主面に垂直とな
る。前記２本の梁１５，１６はトーションばねとして機
能し、可動ミラー１０はトーションミラー構造をなして
いる。
【００２７】前記Ｖ字型溝３は、アルカリ溶液によるＳ
ｉ基板１主面である（１００）面の異方性エッチングに
より形成されている。また、可動ミラー１０に隣接する
ように４本の光ファイバー２１，２２，２３，２４が各
Ｖ字型溝３に固定配置されており、電圧が印加されてい
ないミラー１０のオフ状態では光ファイバー２１から出
た光は直進して光ファイバー２３に入射し、電圧が印加
されて静電力が働くミラー１０のオン状態では光は９０
°方向を変え、光ファイバー２２に入射し、２×２のス
イッチが実現される。
ｉ基板１主面である（１００）面の異方性エッチングに
より形成されている。また、可動ミラー１０に隣接する
ように４本の光ファイバー２１，２２，２３，２４が各
Ｖ字型溝３に固定配置されており、電圧が印加されてい
ないミラー１０のオフ状態では光ファイバー２１から出
た光は直進して光ファイバー２３に入射し、電圧が印加
されて静電力が働くミラー１０のオン状態では光は９０
°方向を変え、光ファイバー２２に入射し、２×２のス
イッチが実現される。
【００２８】次に、図２乃至図４を用いて第１の実施の
形態である光スイッチの製造方法について詳述する。但
し、図２及び図３に示すプロセスフローは、図４
（Ａ）,（Ｂ）のＡ−Ａ′断面よりみた形状を順次示す
ものである。
形態である光スイッチの製造方法について詳述する。但
し、図２及び図３に示すプロセスフローは、図４
（Ａ）,（Ｂ）のＡ−Ａ′断面よりみた形状を順次示す
ものである。
【００２９】まず、図２（Ａ）のように主面が（１０
０）面のＳｉ基板３１（厚さ：３００μｍ）を用意し、
この基板３１に、図２（Ｂ）のようにＬＰＣＶＤ（LowP
ressure Chemical Vapor Deposition）によりＳｉＯ2膜
（厚さ：３μｍ）３３と多結晶質Ｓｉ（poly-Si）膜
（厚さ：０．２５μｍ）３２を成膜した。成膜温度はい
ずれも６００℃で、原料ガスはＳｉＯ2がＳｉＨ4と
Ｏ2、多結晶質ＳｉはＳｉＨ4である。
０）面のＳｉ基板３１（厚さ：３００μｍ）を用意し、
この基板３１に、図２（Ｂ）のようにＬＰＣＶＤ（LowP
ressure Chemical Vapor Deposition）によりＳｉＯ2膜
（厚さ：３μｍ）３３と多結晶質Ｓｉ（poly-Si）膜
（厚さ：０．２５μｍ）３２を成膜した。成膜温度はい
ずれも６００℃で、原料ガスはＳｉＯ2がＳｉＨ4と
Ｏ2、多結晶質ＳｉはＳｉＨ4である。
【００３０】そして、フォトレジスト３４を塗布、パタ
ーニングし、図４（Ａ）の平面形状のフォトレジスト３
４によるマスクを形成する。このマスクを用いて、多結
晶質Ｓｉ３２をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）で、Ｓ
ｉＯ2膜３３をＢＨＦ（buffered hydrofluoric acid）
溶液でエッチングして、図２（Ｃ）の形状とした。
ーニングし、図４（Ａ）の平面形状のフォトレジスト３
４によるマスクを形成する。このマスクを用いて、多結
晶質Ｓｉ３２をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）で、Ｓ
ｉＯ2膜３３をＢＨＦ（buffered hydrofluoric acid）
溶液でエッチングして、図２（Ｃ）の形状とした。
【００３１】この上にやはりＬＰＣＶＤで図２（Ｄ）の
ようにＳｉ3Ｎ4膜（厚さ：０．０５μｍ）３５を成膜し
た。この膜３５は後のＶ字型溝形成のためのエッチング
のマスクとなる。なお、成膜温度は８００℃、原料ガス
はＳｉＨ4とＮＨ3である。このＳｉ3Ｎ4膜も、フォトレ
ジスト３６を塗布し図４（Ｂ）の平面形状にパターニン
グしエッチングマスクとした後、ＲＩＥでエッチングし
て、図２（Ｅ）の形状にパターニングした。このパター
ニングによりＶ字型溝部分とミラー構造体が同時にパタ
ーニングされ、光路と可動ミラーとが自己アライメント
される（相互に位置合わせされる）ことになる。
ようにＳｉ3Ｎ4膜（厚さ：０．０５μｍ）３５を成膜し
た。この膜３５は後のＶ字型溝形成のためのエッチング
のマスクとなる。なお、成膜温度は８００℃、原料ガス
はＳｉＨ4とＮＨ3である。このＳｉ3Ｎ4膜も、フォトレ
ジスト３６を塗布し図４（Ｂ）の平面形状にパターニン
グしエッチングマスクとした後、ＲＩＥでエッチングし
て、図２（Ｅ）の形状にパターニングした。このパター
ニングによりＶ字型溝部分とミラー構造体が同時にパタ
ーニングされ、光路と可動ミラーとが自己アライメント
される（相互に位置合わせされる）ことになる。
【００３２】そして、後の工程となるＶ字型溝形成のエ
ッチング時に多結晶質Ｓｉ（Poly-Si）を保護するため
に、図２（Ｆ）のようにＳｉＯ2膜（厚さ：２μｍ）３
７をやはりＬＰＣＶＤにより成膜し、図２（Ｇ）の如く
レジスト３８を塗布して後でＶ字型溝が形成される部分
はＳｉ基板３１の表面が現れるようにパターニングして
エッチングマスクとし、ＢＨＦ溶液によりエッチングし
た。
ッチング時に多結晶質Ｓｉ（Poly-Si）を保護するため
に、図２（Ｆ）のようにＳｉＯ2膜（厚さ：２μｍ）３
７をやはりＬＰＣＶＤにより成膜し、図２（Ｇ）の如く
レジスト３８を塗布して後でＶ字型溝が形成される部分
はＳｉ基板３１の表面が現れるようにパターニングして
エッチングマスクとし、ＢＨＦ溶液によりエッチングし
た。
【００３３】そして、ＴＭＡＨ（tetra methyl anmoniu
m hydroxide)溶液によるＳｉ基板３１の異方性エッチン
グを行い、図２（Ｈ）のように光ファイバーを置くため
のＶ字型溝３を形成した。図２（Ｈ）ではＶ字型溝３の
縦断面が示される。
m hydroxide)溶液によるＳｉ基板３１の異方性エッチン
グを行い、図２（Ｈ）のように光ファイバーを置くため
のＶ字型溝３を形成した。図２（Ｈ）ではＶ字型溝３の
縦断面が示される。
【００３４】それから、ミラー配置用空間２及び可動ミ
ラー１０を作製する工程に続いて入る。図３（Ａ）のよ
うに、基板３１裏面にＣｒ膜４０を真空蒸着し、やはり
フォトレジストをマスクとしてＣｒ膜４０をパターニン
グした。エッチングには硝酸第２セリウムアンモニウム
溶液を用いた。そして、図３（Ｂ）の如くＣｒ膜４０を
マスクとして裏面からＲＩＥによる貫通孔形成のための
凹部を形成した。このとき、リリース後の可動ミラー１
０の平面性を維持するために、ミラー構造体１１の下層
部分となるように薄いＳｉ基板４１（もとの基板３１の
一部）を残すようにするため、３０μｍ程度一度エッチ
ングを進めてから、ミラー下のＣｒ膜４０のマスクのみ
取り除き、図３（Ｃ）のようにエッチストップ層のＳｉ
Ｏ2膜３３まで貫通孔を形成した。
ラー１０を作製する工程に続いて入る。図３（Ａ）のよ
うに、基板３１裏面にＣｒ膜４０を真空蒸着し、やはり
フォトレジストをマスクとしてＣｒ膜４０をパターニン
グした。エッチングには硝酸第２セリウムアンモニウム
溶液を用いた。そして、図３（Ｂ）の如くＣｒ膜４０を
マスクとして裏面からＲＩＥによる貫通孔形成のための
凹部を形成した。このとき、リリース後の可動ミラー１
０の平面性を維持するために、ミラー構造体１１の下層
部分となるように薄いＳｉ基板４１（もとの基板３１の
一部）を残すようにするため、３０μｍ程度一度エッチ
ングを進めてから、ミラー下のＣｒ膜４０のマスクのみ
取り除き、図３（Ｃ）のようにエッチストップ層のＳｉ
Ｏ2膜３３まで貫通孔を形成した。
【００３５】そして、図３（Ｄ）のようにＢＨＦ溶液に
よりＳｉＯ2膜３３，３７を取り除き、ミラー構造体１
１をリリースした。最後に図３（Ｅ）のように反射金属
膜としてのＡｕコーティング膜１２を真空蒸着により成
膜して、可動ミラー１０を作製した。この可動ミラー１
０は上層から順にＡｕコーティング膜１２、Ｓｉ3Ｎ4膜
３５、多結晶質Ｓｉ膜３２、ＳｉＯ2膜３３及び薄いＳ
ｉ基板４１からなる多層構造である。
よりＳｉＯ2膜３３，３７を取り除き、ミラー構造体１
１をリリースした。最後に図３（Ｅ）のように反射金属
膜としてのＡｕコーティング膜１２を真空蒸着により成
膜して、可動ミラー１０を作製した。この可動ミラー１
０は上層から順にＡｕコーティング膜１２、Ｓｉ3Ｎ4膜
３５、多結晶質Ｓｉ膜３２、ＳｉＯ2膜３３及び薄いＳ
ｉ基板４１からなる多層構造である。
【００３６】なお、図示は省略したが同時に形成された
２本の梁１５，１６は、ＳｉＯ2膜３３及び薄いＳｉ基
板４１が無く、上層から順に、Ｓｉ3Ｎ4膜３５及び多結
晶質Ｓｉ膜３２からなっている。
２本の梁１５，１６は、ＳｉＯ2膜３３及び薄いＳｉ基
板４１が無く、上層から順に、Ｓｉ3Ｎ4膜３５及び多結
晶質Ｓｉ膜３２からなっている。
【００３７】この第１の実施の形態によれば、光ファイ
バー２１乃至２４をＶ字型溝３上にそれぞれ固定し、か
つ、可動ミラー１０と光ファイバーが自己アライメント
されるようにしているので、スイッチ素子として小型化
でき、かつ、結合損失を低減することができる。さら
に、Ｓｉ基板１の主面の反対側に対向電極１８を設け、
該対向電極１８と前記可動ミラー１０間に電圧を印加し
て前記可動ミラー１０を静電駆動するため、簡単な構造
とすることができる。
バー２１乃至２４をＶ字型溝３上にそれぞれ固定し、か
つ、可動ミラー１０と光ファイバーが自己アライメント
されるようにしているので、スイッチ素子として小型化
でき、かつ、結合損失を低減することができる。さら
に、Ｓｉ基板１の主面の反対側に対向電極１８を設け、
該対向電極１８と前記可動ミラー１０間に電圧を印加し
て前記可動ミラー１０を静電駆動するため、簡単な構造
とすることができる。
【００３８】図５に本発明の第２の実施の形態である光
スイッチの概略図を、図２及び図６にその製造方法の詳
細をそれぞれ示す。
スイッチの概略図を、図２及び図６にその製造方法の詳
細をそれぞれ示す。
【００３９】図５の場合、可動ミラー１０Ａが磁性体層
を有し、対向電極の代わりに磁気駆動のための永久磁石
５０が基板１の主面の反対側に移動自在に配置されてい
る。なお、その他の構成は図１と同様であり、同一又は
相当部分に同一符号を付して説明を省略する。
を有し、対向電極の代わりに磁気駆動のための永久磁石
５０が基板１の主面の反対側に移動自在に配置されてい
る。なお、その他の構成は図１と同様であり、同一又は
相当部分に同一符号を付して説明を省略する。
【００４０】また、製法上、Ｖ字型溝３を形成するまで
の図２（Ａ）〜図２（Ｈ）までの工程は第１の実施の形
態と同じであるが、磁性体層を有する可動ミラー１０Ａ
を作製する工程が異なる。すなわち、図２（Ｈ）までの
工程の後、図６（Ａ）のように保護膜のＳｉＯ2膜３７
のみをＢＨＦ溶液で取り除いた後、磁性体層としてのＮ
ｉＦｅＣｏ膜４５を成膜、パターニングし、保護膜とし
てフォトレジスト４６を塗布しておく。以降のプロセス
は図３（Ｂ）〜（Ｅ）の場合と同様であり、図６（Ｂ）
の如くＣｒ膜４０をマスクとして裏面からＲＩＥによる
貫通孔形成のための凹部を形成し、ミラー構造体１１Ａ
の下層部分となるように薄いＳｉ基板４１（もとの基板
３１の一部）を残すようにするため、３０μｍ程度一度
エッチングを進めてから、ミラー下のＣｒ膜４０のマス
クのみ取り除き、図６（Ｃ）のようにエッチストップ層
のＳｉＯ2膜３３まで貫通孔を形成し、図６（Ｄ）のよ
うにフォトレジスト４６、ＳｉＯ2膜３３を取り除き、
ミラー構造体１１Ａをリリースした。最後に図６（Ｅ）
のように反射金属膜としてのＡｕコーティング膜１２を
真空蒸着により成膜して、可動ミラー１０Ａを作製し
た。この可動ミラー１０Ａは上層から順にＡｕコーティ
ング膜１２、軟磁性体層としてのＮｉＦｅＣｏ膜４５、
Ｓｉ3Ｎ4膜３５、多結晶質Ｓｉ膜３２、ＳｉＯ2膜３３
及び薄いＳｉ基板４１からなる多層構造である。
の図２（Ａ）〜図２（Ｈ）までの工程は第１の実施の形
態と同じであるが、磁性体層を有する可動ミラー１０Ａ
を作製する工程が異なる。すなわち、図２（Ｈ）までの
工程の後、図６（Ａ）のように保護膜のＳｉＯ2膜３７
のみをＢＨＦ溶液で取り除いた後、磁性体層としてのＮ
ｉＦｅＣｏ膜４５を成膜、パターニングし、保護膜とし
てフォトレジスト４６を塗布しておく。以降のプロセス
は図３（Ｂ）〜（Ｅ）の場合と同様であり、図６（Ｂ）
の如くＣｒ膜４０をマスクとして裏面からＲＩＥによる
貫通孔形成のための凹部を形成し、ミラー構造体１１Ａ
の下層部分となるように薄いＳｉ基板４１（もとの基板
３１の一部）を残すようにするため、３０μｍ程度一度
エッチングを進めてから、ミラー下のＣｒ膜４０のマス
クのみ取り除き、図６（Ｃ）のようにエッチストップ層
のＳｉＯ2膜３３まで貫通孔を形成し、図６（Ｄ）のよ
うにフォトレジスト４６、ＳｉＯ2膜３３を取り除き、
ミラー構造体１１Ａをリリースした。最後に図６（Ｅ）
のように反射金属膜としてのＡｕコーティング膜１２を
真空蒸着により成膜して、可動ミラー１０Ａを作製し
た。この可動ミラー１０Ａは上層から順にＡｕコーティ
ング膜１２、軟磁性体層としてのＮｉＦｅＣｏ膜４５、
Ｓｉ3Ｎ4膜３５、多結晶質Ｓｉ膜３２、ＳｉＯ2膜３３
及び薄いＳｉ基板４１からなる多層構造である。
【００４１】この第２の実施の形態によれば、可動ミラ
ー１０Ａと光ファイバーが自己アライメントされ、スイ
ッチ素子として小型化でき、かつ、結合損失を低減する
ことができる効果に加えて、可動ミラー１０Ａ上に磁性
膜を成膜し、外部磁界による磁気力でミラー１０Ａを駆
動させることにより、機械式光スイッチに重要な特性で
ある自己保持性を実現することができる。つまり、図５
のように永久磁石５０が基板１の主面の反対側にて可動
ミラー１０Ａに近接配置されていれば、可動ミラー１０
Ａはミラー配置用空間２内で基板主面に垂直なオン状態
となり、永久磁石５０が可動ミラー１０Ａから十分離間
した位置では可動ミラー１０Ａは基板主面に平行なオフ
状態となり、永久磁石５０をいずれかの位置に保持して
おくことで自己保持動作が可能である。
ー１０Ａと光ファイバーが自己アライメントされ、スイ
ッチ素子として小型化でき、かつ、結合損失を低減する
ことができる効果に加えて、可動ミラー１０Ａ上に磁性
膜を成膜し、外部磁界による磁気力でミラー１０Ａを駆
動させることにより、機械式光スイッチに重要な特性で
ある自己保持性を実現することができる。つまり、図５
のように永久磁石５０が基板１の主面の反対側にて可動
ミラー１０Ａに近接配置されていれば、可動ミラー１０
Ａはミラー配置用空間２内で基板主面に垂直なオン状態
となり、永久磁石５０が可動ミラー１０Ａから十分離間
した位置では可動ミラー１０Ａは基板主面に平行なオフ
状態となり、永久磁石５０をいずれかの位置に保持して
おくことで自己保持動作が可能である。
【００４２】
実施例１ 図５の光スイッチの各部のサイズを以下に示す。まず、
梁１５，１６は、幅が２０μｍ、長さが６２０μｍ、厚
さは多結晶質Ｓｉ膜が０．２５μｍとＳｉ3Ｎ4膜が０．
０５μｍで合わせて０．３μｍ、ミラー１０Ａの幅及び
長さは１５０×５００μｍであり、Ａｕ膜の膜厚は充分
な反射が得られるように０．０５μｍとした。対向する
Ｖ字型溝３の間隔は１mmであり、したがって対向する光
ファイバー間隔は１mm以下となるようにした。
梁１５，１６は、幅が２０μｍ、長さが６２０μｍ、厚
さは多結晶質Ｓｉ膜が０．２５μｍとＳｉ3Ｎ4膜が０．
０５μｍで合わせて０．３μｍ、ミラー１０Ａの幅及び
長さは１５０×５００μｍであり、Ａｕ膜の膜厚は充分
な反射が得られるように０．０５μｍとした。対向する
Ｖ字型溝３の間隔は１mmであり、したがって対向する光
ファイバー間隔は１mm以下となるようにした。
【００４３】以下に光スイッチングを行った結果を示
す。まず、光は波長１．５５μｍの赤外光とした。光フ
ァイバーには、ＴＥＣファイバーを用いた。これは、光
ファイバー端部のみコア径を広げ、伝搬距離を長くして
いるシングルモードファイバーであり、コア径は６μｍ
から１２μｍとしている。ただし、伝搬距離を長くする
には、コア径はより大きいことが望ましい。
す。まず、光は波長１．５５μｍの赤外光とした。光フ
ァイバーには、ＴＥＣファイバーを用いた。これは、光
ファイバー端部のみコア径を広げ、伝搬距離を長くして
いるシングルモードファイバーであり、コア径は６μｍ
から１２μｍとしている。ただし、伝搬距離を長くする
には、コア径はより大きいことが望ましい。
【００４４】図７に光ファイバー間距離と結合損失の関
係を示す（ＴＥＣファイバー使用）。結合損失を抑える
ためには、少しでも光ファイバー間距離が近いことが望
ましい。なお、測定はＶ字型溝上で行った。
係を示す（ＴＥＣファイバー使用）。結合損失を抑える
ためには、少しでも光ファイバー間距離が近いことが望
ましい。なお、測定はＶ字型溝上で行った。
【００４５】本実施例では、可動ミラー１０Ａは磁気力
により駆動した。磁性膜としては、飽和磁束密度Ｂｓ＝
１０ｋＧ，保磁力Ｈｃ＝５ＯｅのＮｉＦｅＣｏ膜を用い
た。
により駆動した。磁性膜としては、飽和磁束密度Ｂｓ＝
１０ｋＧ，保磁力Ｈｃ＝５ＯｅのＮｉＦｅＣｏ膜を用い
た。
【００４６】図８には外部磁界とミラーの回転角度の関
係を実験にて求めた結果（実線曲線）、及び基板に垂直
方向に均一な磁界が印加されていると仮定し、かつ磁性
膜に垂直磁化成分がないと仮定して、外部磁界とミラー
の回転角度の関係を計算した結果（点線曲線）を示す。
梁の膜厚は３０００オングストロームである。数百Ｏｅ
の磁界でかなり９０°に近づくことが確認される。
係を実験にて求めた結果（実線曲線）、及び基板に垂直
方向に均一な磁界が印加されていると仮定し、かつ磁性
膜に垂直磁化成分がないと仮定して、外部磁界とミラー
の回転角度の関係を計算した結果（点線曲線）を示す。
梁の膜厚は３０００オングストロームである。数百Ｏｅ
の磁界でかなり９０°に近づくことが確認される。
【００４７】本実施例では、磁界は均一な磁界ではな
く、充分に大きな磁界といえる５００Ｏｅの磁界を発生
している永久磁石５０を基板の下に配してミラー１０Ａ
を回転させた。したがって、永久磁石が置かれている限
りにおいては、ミラーオン状態が保持される。
く、充分に大きな磁界といえる５００Ｏｅの磁界を発生
している永久磁石５０を基板の下に配してミラー１０Ａ
を回転させた。したがって、永久磁石が置かれている限
りにおいては、ミラーオン状態が保持される。
【００４８】光ファイバー間隔を０．５mmとしてスイッ
チングを行ったところ、オフ状態での結合損失は図７か
らもわかるように約４ｄＢ、ミラーにより方向を変えた
場合で約６ｄＢの結果を得た。これは既に報告されてい
るトーションミラー型光スイッチの結合損失よりも小さ
い。
チングを行ったところ、オフ状態での結合損失は図７か
らもわかるように約４ｄＢ、ミラーにより方向を変えた
場合で約６ｄＢの結果を得た。これは既に報告されてい
るトーションミラー型光スイッチの結合損失よりも小さ
い。
【００４９】なお、結合損失はさらに光スイッチを小型
化し、コア径の大きい光ファイバーを用いることによっ
て、さらに小さくすることも可能である。
化し、コア径の大きい光ファイバーを用いることによっ
て、さらに小さくすることも可能である。
【００５０】実施例２ 本実施例では、図１の光スイッチの可動ミラー１０を磁
気力ではなく、静電力により駆動した。光スイッチの各
部のサイズは実施例１と同じとした。光スイッチの駆動
は、対向電極１８を基板１の下に配置し、ミラー１０の
Ａｕ膜を電極として、Ａｕ膜と対向電極１８間に電圧を
印加し、ミラー１０を回転させている。この場合には基
板厚さの３００μｍが、そのまま電極間ギャップとな
る。約１００Ｖの電圧の印加によりミラーはほぼ９０°
回転し、実施例１と同程度の結合損失を得た。
気力ではなく、静電力により駆動した。光スイッチの各
部のサイズは実施例１と同じとした。光スイッチの駆動
は、対向電極１８を基板１の下に配置し、ミラー１０の
Ａｕ膜を電極として、Ａｕ膜と対向電極１８間に電圧を
印加し、ミラー１０を回転させている。この場合には基
板厚さの３００μｍが、そのまま電極間ギャップとな
る。約１００Ｖの電圧の印加によりミラーはほぼ９０°
回転し、実施例１と同程度の結合損失を得た。
【００５１】なお、前述した第２の実施の形態におい
て、磁性体層としては軟磁性膜であるＮｉＦｅＣｏ膜に
は限られず、むしろＣｏＰｔ膜等の硬磁性膜を用いるこ
とが好ましい。第２の実施の形態において、ＣｏＰｔ膜
等の硬磁性膜を可動ミラー１０Ａ側に設け、ミラー周囲
に電磁石を置いてスイッチングを行うことも可能であ
る。
て、磁性体層としては軟磁性膜であるＮｉＦｅＣｏ膜に
は限られず、むしろＣｏＰｔ膜等の硬磁性膜を用いるこ
とが好ましい。第２の実施の形態において、ＣｏＰｔ膜
等の硬磁性膜を可動ミラー１０Ａ側に設け、ミラー周囲
に電磁石を置いてスイッチングを行うことも可能であ
る。
【００５２】それらの磁性体層はスパッタ、蒸着等の真
空成膜法により形成することが好ましいが、別途作製し
た磁性体シート、例えば圧延箔を工程途中のウエハーに
張り付けることでも作製可能である。また、磁性体層の
パターニングのためのエッチングは公知の各種のエッチ
ャントを用いて行うことが可能である。例えばＮｉＦｅ
Ｃｏ膜のエッチングは混酸アルミ液で行った。
空成膜法により形成することが好ましいが、別途作製し
た磁性体シート、例えば圧延箔を工程途中のウエハーに
張り付けることでも作製可能である。また、磁性体層の
パターニングのためのエッチングは公知の各種のエッチ
ャントを用いて行うことが可能である。例えばＮｉＦｅ
Ｃｏ膜のエッチングは混酸アルミ液で行った。
【００５３】以上本発明の実施の形態について説明して
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
きたが、本発明はこれに限定されることなく請求項の記
載の範囲内において各種の変形、変更が可能なことは当
業者には自明であろう。
【００５４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
光ファイバーをＶ字型溝上に固定し、かつ、可動ミラー
と光ファイバーが自己アライメントされるようにしてい
るので、スイッチ素子として小型化でき、かつ、結合損
失を低減することができる。
光ファイバーをＶ字型溝上に固定し、かつ、可動ミラー
と光ファイバーが自己アライメントされるようにしてい
るので、スイッチ素子として小型化でき、かつ、結合損
失を低減することができる。
【００５５】また、可動ミラー上に磁性体層を設けた場
合、外部磁界による磁気力で可動ミラーを駆動させるこ
とにより、機械式光スイッチに重要な特性である自己保
持性を実現することができる。
合、外部磁界による磁気力で可動ミラーを駆動させるこ
とにより、機械式光スイッチに重要な特性である自己保
持性を実現することができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態であって光スイッチ
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図２】第１の実施の形態における光スイッチ作製のプ
ロセスフロー前半を示す説明図である。
ロセスフロー前半を示す説明図である。
【図３】同じく光スイッチ作製のプロセスフロー後半を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図４】同じく光スイッチ作製のプロセスで用いるマス
クパターンを示す説明図である。
クパターンを示す説明図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態であって光スイッチ
を示す概略図である。
を示す概略図である。
【図６】第２の実施の形態における光スイッチ作製のプ
ロセスフロー後半を示す説明図である。
ロセスフロー後半を示す説明図である。
【図７】ＴＥＣファイバーの間隔と結合損失の関係を示
すグラフである。
すグラフである。
【図８】外部印加磁界とミラーの回転角の関係を計算し
た結果を示すグラフである。
た結果を示すグラフである。
１，３１，４１ 基板 ２ ミラー配置用空間 ３ Ｖ字型溝 １０，１０Ａ 可動ミラー １１，１１Ａ ミラー構造体 １２ Ａｕコーティング膜 １５，１６ 梁 １８ 対向電極 ２１，２２，２３，２４ 光ファイバー ４５ ＮｉＦｅＣｏ膜 ５０ 永久磁石
Claims (5)
- 【請求項１】 主面が（１００）面のＳｉ基板にミラー
配置用空間を形成するとともに複数の光ファイバー固定
のためのＶ字型溝を形成し、前記Ｓｉ基板の主面上に成
膜された膜の一部でミラー構造体を形成し、該ミラー構
造体の表面に反射膜を設けて可動ミラーとし、前記Ｖ字
型溝に光ファイバーを固定し、前記可動ミラーを複数の
光ファイバー間の前記ミラー配置用空間に配して、前記
可動ミラーの駆動により光路を変更すること特徴とする
光スイッチ。 - 【請求項２】 前記Ｓｉ基板の主面の反対側に対向電極
を設け、該対向電極と前記可動ミラー間に電圧を印加し
て前記可動ミラーを静電駆動する請求項１記載の光スイ
ッチ。 - 【請求項３】 前記可動ミラーは磁性体層を有し、永久
磁石により自己保持動作を行う請求項１記載の光スイッ
チ。 - 【請求項４】 主面が（１００）面のＳｉ基板の当該主
面にミラー構造体となる膜を成膜した後、複数の光ファ
イバー固定のためのＶ字型溝及びミラー構造体を同時に
パターニングして作製し、複数のＶ字型溝に光ファイバ
ーを固定して形成される光路と前記ミラー構造体の表面
に反射膜を設けた可動ミラーとの相互位置関係が前記パ
ターニングで規定されるようにしたことを特徴とする光
スイッチの製造方法。 - 【請求項５】 前記Ｓｉ基板のアルカリ溶液による異方
性エッチングにより前記Ｖ字型溝が形成されている請求
項４記載の光スイッチの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30497097A JPH11119123A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 光スイッチ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30497097A JPH11119123A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 光スイッチ及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11119123A true JPH11119123A (ja) | 1999-04-30 |
Family
ID=17939511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30497097A Pending JPH11119123A (ja) | 1997-10-20 | 1997-10-20 | 光スイッチ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11119123A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001053874A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Japan Science And Technology Corporation | Commutateur optique mecanique et procede de fabrication correspondant |
| WO2002044781A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Memscap | Procede de fabrication d'un commutateur optique, commutateur optique obtenu par ledit procede, et matrice de tels commutateurs. |
| JP2004053850A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Fujitsu Ltd | デバイスチップの製造方法 |
| US6743653B2 (en) | 2002-05-08 | 2004-06-01 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Micromachine manufacturing method |
| KR100488814B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-05-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 광스위치 장치 |
| US7082251B2 (en) | 2002-03-28 | 2006-07-25 | Ntt Electronics Corporation | Optical device |
| CN1308721C (zh) * | 2001-08-10 | 2007-04-04 | 日本航空电子工业株式会社 | 光开关 |
| US20160306119A1 (en) * | 2015-04-14 | 2016-10-20 | Honeywell International Inc. | Optical bench |
-
1997
- 1997-10-20 JP JP30497097A patent/JPH11119123A/ja active Pending
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001053874A1 (fr) * | 2000-01-20 | 2001-07-26 | Japan Science And Technology Corporation | Commutateur optique mecanique et procede de fabrication correspondant |
| US6711321B2 (en) | 2000-01-20 | 2004-03-23 | Japan Science And Technology Corporation | Mechanical optical switch and method for manufacturing the same |
| WO2002044781A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-06 | Memscap | Procede de fabrication d'un commutateur optique, commutateur optique obtenu par ledit procede, et matrice de tels commutateurs. |
| FR2817629A1 (fr) * | 2000-12-01 | 2002-06-07 | Memscap | Procede de fabrication d'un commutateur optique, commutateur optique obtenu par ledit procede, et matrice de tels commutateurs |
| CN1308721C (zh) * | 2001-08-10 | 2007-04-04 | 日本航空电子工业株式会社 | 光开关 |
| US7082251B2 (en) | 2002-03-28 | 2006-07-25 | Ntt Electronics Corporation | Optical device |
| CN1294441C (zh) * | 2002-03-28 | 2007-01-10 | Ntt电子股份有限公司 | 光学装置 |
| US6743653B2 (en) | 2002-05-08 | 2004-06-01 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Micromachine manufacturing method |
| JP2004053850A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Fujitsu Ltd | デバイスチップの製造方法 |
| KR100488814B1 (ko) * | 2002-07-30 | 2005-05-11 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 광스위치 장치 |
| US20160306119A1 (en) * | 2015-04-14 | 2016-10-20 | Honeywell International Inc. | Optical bench |
| US9658404B2 (en) * | 2015-04-14 | 2017-05-23 | Honeywell International Inc. | Optical bench |
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Legal Events
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