JP3717867B2

JP3717867B2 - 印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法

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Publication number: JP3717867B2
Application number: JP2002153553A
Authority: JP
Inventors: ＫＡＮＧ）カン、ミョン−サン（Ｍｙｕｎｇ−Ｓａｍ，; ＮＡ）ナ、キョン−ウォン（Ｋｙｏｕｎｇ−Ｗｏｎ，; ＣＨＯＩ）チェ、サン−オン（Ｓａｎｇ−Ｏｎ，; ＣＨＯＩ）チェ、ウォン−ヨル（Ｗｏｎ−Ｙｏｕｌ，; ＬＥＥ）イ−、ジョン−ファン（Ｊｅｏｎｇ−Ｈｗａｎ，; ＰＡＲＫ）パク、ギョン−ヤン（Ｋｅｏｎ−Ｙａｎｇ，
Original assignee: 三星電機株式会社
Priority date: 2002-03-09
Filing date: 2002-05-28
Publication date: 2005-11-16
Anticipated expiration: 2022-05-28
Also published as: TW535496B; US6759845B2; JP2003273527A; DE10220982B4; GB2386198B; CN100504423C; GB2386198A; KR20030073285A; US20030169038A1; KR100432661B1; GB0210671D0; CN1444050A; DE10220982A1

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法に関し、特に、移動端末機などに実装され、地磁気を感知して位置情報を得るための、印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
近年、携帯電話及び携帯端末機の普及に伴い、多様な付加情報サービスが拡充される趨勢にしたがい、その位置情報サービスも必須機能として確立されつつある。携帯電話等の位置情報サービスは、今後さらに正確で便利性の高いものが要求されることになる。
【０００３】
位置情報を把握するためには、現在位置が正確に感知できるセンサーが必要であるが、このような位置情報を把握する手段としては、地球の磁界を感知して位置を検出する弱磁界センサーが使用されている。この磁気センサーの一般の部品としてはフラックスゲートセンサーが使用されている。
【０００４】
フラックスゲートセンサーは高透磁率の磁性材料をコアとして使用し、磁性体の周囲に巻き取られた１次コイルの電圧と、コアから発生する磁界の変化により２次コイルから発生する電圧との差を用いて方向を認識する。
【０００５】
このような従来のフラックスゲートセンサーは円筒形の磁性体コアに銅線を一定の方向に巻き取って製作する。すなわち、フラックスゲートセンサーの製作は、まず磁性体コアに、磁場を発生させるため、銅線をドライビングコイル（１次コイル）として一定の方向に、かつ一定の間隔及び圧力で巻き取る。その後、ドライビングコイルにより磁性体コアから発生する磁界を感知するため、ピックアップコイル（２次コイル）を磁性体コアに巻き取る。この際にも同様に、ピックアップコイルとして銅線を一定の間隔及び圧力で巻き取る。
【０００６】
このように、銅線を巻き取って製作するフラックスゲートセンサーは、ドライビングコイルとこれから発生する磁界を検出するためのピックアップコイルとから構成される。磁性体コアへのコイルの巻き取りは、すでに広く知られているワイヤーコイル技術（wire coil technology）を用いて行われる。この際、２次コイルは磁場の感度を正確に検出するために、Ｘ軸及びＹ軸方向に垂直に巻き取られる必要がある。
【０００７】
しかし、従来のフラックスゲートセンサーは、コイルをコアに巻き取る際にその位置精度が維持されなければならないが、この位置精度を維持するのが難しいという欠点があった。このような構造により、位置精度は温度、光又は表面物質により影響を強く受けるため、その特性値に対する精度が低下する問題点が発生していた。また、フラックスゲートセンサーは、コイルを直接磁性体に巻き取るため、コイルの切れ現象が頻繁に発生するという欠点があり、さらにセンサー自体が大きくなるため、電子製品の小型化、軽量化の趨勢に反し、電力消費も高なるいといった問題点があった。
【０００８】
このような従来のフラックスゲートセンサーの欠点を解決するため、米国特許第５，９３６，４０３号及び同第６，２７０，６８６号には、所定のパターンを上下に導通可能にエッチングしたエポキシ基板の両面に環状にエッチングを行ったアモルファス板を合わせて積層してアモルファスコアを製造し、アモルファスコアの上下面に、それぞれＸコイル及びＹコイルをエッチングしたエポキシ基板を積層してなる弱磁気センサーが開示されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、米国特許第５，９３６，４０３号及び同第６，２７０，６８６号においては、エポキシ基板に環状エッチングを行いエッチング部を合わせ積層してアモルファスコアを製造し、アモルファスコアの上下面にＸコイル及びＹコイルをエッチングしたエポキシ基板を積層しなければならないため、層数が多くなり、小型化ができなく、その製造工程が複雑になるという問題があった。
【００１０】
したがって、本発明はこの問題点を解決するためになされたもので、その目的は、回路基板の層数を削減することによって、小型化できその製造工程を簡素化できる、印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー及びその製造方法を提供することである。
【００１１】
【００１２】
【課題を解決するための手段】
前記のような目的を達成するため、本発明は、上下両面に互いに導通する第１ドライビングパターンが形成された第１基板と、該第１基板の上下両面に積層され、バンド形態にパターン化されたそれぞれの磁性体が平行に形成された第１積層体と、該上下の第１積層体にそれぞれ積層され、前記上下の第１ドライビングパターンに導通して前記各磁性体を取り囲む形態となるように形成された第２ドライビングパターン及び、前記全ての第１及び第２ドライビングパターンを取り囲むように前記各磁性体の全長にわたって多数の同一方向の直線形態に形成されたピックアップパターンが同一平面上に形成された第２積層体と、を含む、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーを提供する。
【００１３】
また、本発明は、第１基板に、その両面が導通するように、第１バイアホールを形成し、鍍金、露光、現像及びエッチングを行うことで第１ドライビングパターンを形成する段階と、前記第１基板の両面に第２基板層及びバンド形態の磁性体をレイアップし、加圧積層し、露光、現像及びエッチングを行うことで第１積層体を製作する段階と、前記第１積層体の両面に第２基板層及び導電層をレイアップし、加圧積層して第２積層体を積層する段階と、前記第１積層体及び第２積層体を貫通する第２バイアホールを形成し、前記第１基板層、第１積層体及び第２積層体を貫通するスルーホールを形成する段階と、第２積層体に鍍金、露光、現像及びエッチングを行うことで、前記第２バイアホールを介して第１ドライビングパターンに導通して前記各磁性体の周囲を取り囲むように第２ドライビングパターンを形成し、前記スルーホールを介して互いに導通して第１及び第２ドライビングパターンを取り囲むピックアップパターンを前記各磁性体の全長にわたって多数の同一方向の直線形態に形成する段階と、を含む、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法を提供する。
【００１４】
【発明の実施の形態】
以下、添付図面に基づき本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００１５】
図１及び図２は本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの一実施例の分解斜視図及び断面図である。図２は、弱磁界感知用センサーの詳細断面図であり、図１は、本願発明の弱磁界感知用センサーの構成要素を簡略化して示した分解斜視図である。即ち、図１は、厚みを省略して、上から順に、第２ドライビングパターン３及びピックアップパターン４が形成された面と、磁性体１と、第１ドライビングパターン２が形成された面と、磁性体１と、第２ドライビングパターン３及びピックアップパターン４が形成された面とを示している。なお、実施例では、第１ドライビングパターン２が形成されている面は２つあるが、図１では、簡略して、第１ドライビングパターン２が形成された面を１つだけ記載している。
【００１６】
同図に示すように、本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、第１基板１０の両面に相互導通する第１ドライビングパターン２が形成され、さらに第１ドライビングパターン２の上下面には、所定の形態にパターン化されて上下に並んで配列される磁性体１が設けられた一対の対向する第１積層体２０が積層される。また、前記それぞれの第１積層体２０の両面には、同一平面上に第２ドライビングパターン３及びピックアップパターン４が形成された第２積層体３０が積層される。
【００１７】
第１基板１０の両面に形成された第１ドライビングパターン２は多数の直線形態が一定間隔で並んで配列され、第１基板１０の上下面に形成された第１ドライビングパターン２は第１基板１０に形成された第１バイアホール５を介して相互導通する。磁性体１は第１ドライビングパターンに垂直方向に第１基板１０の第１ドライビングパターン２の上下に互いに平行に配列されバンド形態にパターン化される。第２ドライビングパターン３は第１ドライビングパターン２と同一方向に形成され、第１ドライビングパターン２とともに前記磁性体を取り囲む形態となるように、第１積層体２０及び第２積層体３０に第２バイアホール６が形成される。
【００１８】
したがって、第１ドライビングパターン２及び第２ドライビングパターン３は第１バイアホール５及び第２バイアホール６を介して互いに導通し、上下の磁性体１の周囲を取り囲む形態となる。
【００１９】
第２積層体の外面に形成される第２ドライビングパターン３及びピックアップパターン４は同一面上に形成され、互いに交互に配置されるので、ピックアップパターン４が第２ドライビングパターン３の間に配置される。ピックアップパターン４はドライビングパターン２、３を取り囲むように、その長さがドライビングパターンより長く形成される。上下のピックアップパターン４が連結されるように、第１基板１０、第１積層体２０及び第２積層体３０を貫通するスルーホール７が形成され、ピックアップパターン４はスルーホール７を介して互いに導通して磁性体１を取り囲む形態となる。
【００２０】
このように構成された印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、上部から順次第２ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第１層）、磁性体層（第２層）、第１ドライビングパターン層（第３層）、第１ドライビングパターン層（第４層）、磁性体層（第５層）、及び第２ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第６層）からなり、これらは上下に対称をなす。なお、本願でいう層は、基板１０、第１積層体２０、第２積層体３０の上面や下面などに形成される層を意味し、基板１０、第１積層体２０、第２積層体３０に含まれるものを意味する。
【００２１】
第１ドライビングパターン２と第２ドライビングパターン３の連結方式を図３に基づき詳細に説明する。出発層である第１層３の第２ドライビングパターン層３からｆホールを経て第３層回路２に連結され、ｂホールを経て第４層２のｄホールのランドに連結される。そして、ｄホールから第６層３の回路を経てｃホールに連結され、さらに第４層回路２を経てｂホールに、そして第３層２のａホールのランドに連結される。その後、ａホールを経て第１層３に連結され、第１層３の回路からｆホールを経て第３層２に連結され、ｅホールを経て第４層２に連結される。第４層回路２からｄホールを経て第６層３に連結され、第６層回路３からｃホールを経て第４層２に連結され、そしてｅホールを経て第３層２に連結され、第３層回路２からａホールを経て出発点に戻り、このような過程を繰り返す。
【００２２】
ピックアップパターン４は、一本のパターンで磁性体１及び第２ドライビングパターン２、３を取り囲む形態となるように、スルーホール７を介して互いにジグザグに連結される。
【００２３】
本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、ドライビングパターン２、３に交流電流を流すと、二つの磁性体１の磁束密度が変わり、これによりピックアップパターン４で誘導電流が発生して電圧差が起こり、この電圧差を検出することで位置又は方向を感知することができることになる。
【００２４】
図４(ａ)ないし図４(ｉ)に本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの一具体例の製造工程を示した。
【００２５】
まず、第１ドライビングパターンを形成するための第１基板１０を用意する（図４(ａ)）。第１基板としてはＣＣＬ（Copper Clad Laminate）を使用することが好ましい。この際、後工程のため、第１基板上に基準ホールを形成することが好ましい。
【００２６】
第１基板１０と、第１基板１０の両面に形成され所定の形態にパターン化された磁性体１が形成される一対の第１積層体２０と、第１積層体２０の上下面にそれぞれ形成されドライビングパターン３及びピックアップパターン４が形成される一対の第２積層体３０とからなる。
【００２７】
より詳しく説明すると、本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、平行に配列された２本の帯状のパターン化された磁性体１の下部に第１基板１０が積層され、その上部には第２積層体３０が積層され、第１基板１０及び第２積層体３０には各磁性体に対応するドライビングパターン２,３が形成される。ドライビングパターン２,３は、図１に示すように、多数の平行な直線形態に配列され、帯状の磁性体１に垂直に形成される。第１基板１０及び第２積層体３０に形成された各ドライビングパターン２,３は相互対向し、第１基板１０及び第２積層体３０に形成されたバイアホール６を介して導通され、上下のドライビングパターン２,３がバイアホール６を介して互いにジグザグに連結され、あたかも１本のパターンで磁性体１の周囲を巻き取る形態となる。磁性体の周囲を巻き取るように第１積層体２０の上側及び下側面には、第２ドライビングパターン３及びピックアップパターン４が形成された第２積層体３０が積層される。ピックアップパターン４は、図１に示すように、多数の直線形に平行に配列され、帯状の磁性体１に垂直に形成される。ここで、ピックアップパターン４は第２ドライビングパターン３より長い。
【００２８】
上下のピックアップパターン４が互いに導通するように、第１基板１０、第１積層体２０及び第２積層体３０にはこれらを貫通するスルーホール７が形成される。ピックアップパターン４はドライビングパターン３と同じ方向に形成され、上下の第２積層体３０に形成された各ピックアップパターン４はスルーホール７を介して互いに導通し、ピックアップパターン４はスルーホール７を介して互いにジグザグに連結されて１本のパターンとなり、磁性体１及びドライビングパターン２,３を取り囲む。
【００２９】
このような印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、ドライビングパターン２,３に交流電流を流すと、磁性体１の磁束密度が変わり、これによりピックアップパターン４で誘導電流が発生して電圧差が起こり、この電圧差を検出することで位置又は方向を感知することができる。
【００３０】
図４(ａ)ないし図４(ｉ)は本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの一具体例の製造工程を示す工程図である。
【００３１】
まず、第１ドライビングパターン２を形成するための第１基板１０を用意する（図４(ａ)）。第１基板１０としてはＣＣＬ（Copper Clad Laminate）を使用することが好ましい。この際、後工程のため、第１基板上に基準ホールを形成することが好ましい。第１基板１０に第１バイアホール（inner via-hole；IVH）５を形成した後、導電性金属（つまり、銅）でバイアホール５の内面に鍍金を施す（図４(ｂ)）。その後、第１基板層１０の上下面に、一般の印刷回路基板製造工程である露光、現像及びエッチングにより所定の第１ドライビングパターン２を形成する（図４(ｃ)）。第１ドライビングパターン２は後述する第２ドライビングパターン３と互いに連結されるので、磁性体１を取り囲む形態となる。この際、第１ドライビングパターン２のうち、上部ドライビングパターンは上部から下部にいくに必要な回路のみを形成し、下部ドライビングパターンは下部から上部に行くに必要な回路のみを形成するのが好ましい。また、上部と下部の第１ドライビングパターン２が第１バイアホール５で互いに連結されるので、連結部位にランド８を予め形成しておく。
【００３２】
つぎに、第１ドライビングパターン２上に積層方法で磁性体層を形成するが、磁性体１の位置を正確に合わせるため、銅箔の磁性体が配置される部分にパンチングを行う。
【００３３】
磁性体層を形成するため、コアの両面に第２基板層２２を置き、その上に、加工された銅箔２１を置き、加工部位に磁性物質１を置く。第２基板層２２は、好ましくは部分的に硬化した状態のプレプレッグで、例えば当該技術分野に知られているＦＲ−４、高ガラス転移温度（Ｔｇ）を有するＦＲ−４、ビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）エポキシ樹脂などからなる群から選択される。一般には、印刷回路基板に用いられる材料を使用することが好ましい。また、磁性体１としては、アモルファス金属、パーマロイ（Permalloy）及びスーパーマロイ（Supermalloy）からなる群から選択されるが、好ましくはアモルファス金属を使用する。ここで、銅箔は厚さがおよそ１２〜１８μｍのものを使用し、プレプレッグは厚さがおよそ６０〜１００μｍのものを使用するのが好ましい。
【００３４】
前記のように、第２基板層２２、加工された銅箔２１、磁性体１の順に予備レイアップを行った後（図４(ｄ)）、高温及び高圧（例えば、およそ１５０〜２００℃及び３０〜４０ｋｇ／ｃｍ2）で加圧、積層して第１積層体２０を形成する。
【００３５】
これに対する具体例を図５に示した。図５は、図４（ｄ）の過程で形成される第１積層体２０を具体的に示すものであり、対応関係を言うと、図４（ｄ）の磁性体１は図５の磁性体リボン５４に対応し、図４（ｄ）の銅箔２１は図５の銅箔５３に対応し、図４（ｄ）の第２基板層２２は図５のプレプレッグ５２と層５１を含むことができる。
図５はワークサイズ（work size）の基板から製作される具体例のレイアップを示すものであり、実際の工程において、完製品は多数の印刷回路基板を用いる弱磁界感知用センサーユニット(sensor unit)を含む帯状に製作されるのが一般的である。同図には５本の磁性体リボン５４の予備レイアップ過程が示されている。ここで、１本の磁性体リボン５４が複数のユニットを含む帯状に製造するために使用される。したがって、このような磁性体リボンの大きさはストリップの大きさに鑑みて決定される。しかし、帯状に製造する場合は、後続の磁性体のパターン化過程で、プレプレッグ５２上に磁性体リボン５４を、多数のユニットの製作が出来るように、同時加工可能な位置に配列する必要がある。したがって、前記具体例においては、予備レイアップのため、最上部に磁性体リボンを配列するための一種の加工銅箔５３を配列して予備レイアップを進行する。このように、銅箔を加工するためには、二通りの方法が可能である。すなわち、金型をもって上から押し付けて所望の大きさだけ除去する方法と、一般的な基板加工方法のうち、ルータ(router)工程により、回転加工体で所望部分を除去する方法とがある。この際、加工の大きさは磁性体リボン５４より大きくなければならないが、加工公差と前記銅箔上に磁性体リボンが覆われる問題を考慮し、１軸方向におよそ０．１〜０．２ｍｍ大きく加工することが好ましい。また、一つのストリップ内において実際製品が占める領域を考慮すると、磁性体リボン５４の大きさは十分に余裕があるため、ストリップの幅に合わせて使用することができる。しかし、磁性体リボンの長さは、ストリップが磁性体リボン内に一つ以上入ることができるので、初期設計時に決定するとよい。
【００３６】
１次積層の完了後の第１積層体２０の構造は、基板の両面上に磁性体が積層されている形態となる。ここで、第２基板層（プレプレッグ）２２及び磁性体１の厚さはそれぞれおよそ０．０６〜０．１ｍｍ及びおよそ０．０２〜０．０３ｍｍの範囲が適当であるが、これは最終製品に要求される特性によって変化できる。その後、第１積層体２０上にドライフィルム（又はフォトレジスト）を提供した後、予め設計された磁性体のパターンによって露光及び現像し、一定のパターンに形成されたドライフィルム層をマスクとして磁性体１をエッチングする（図４(ｅ)）。前記露光、現像及びエッチング過程の一般的な原理は当業界に広く知られているものを用いる。その後、前記ドライフィルム層がストリッピング(stripping)され、その結果、基板上に一定にパターン化された磁性体１のみが残る（図４(ｆ)）。
【００３７】
このように、第１積層体２０の磁性体のパターン化過程が終了すると、前述したように、第１積層体２０の上下面にそれぞれ第３基板層（又はプレプレッグ）３２及び導電層（又は銅箔）３１を臨時に置いた状態（予備レイアップ）で、高温及び高圧の条件（例えば、およそ１５０〜２００℃、３０〜４０ｋｇ／ｃｍ2）で加圧、積層させて第２積層体３０を製作する（図４(ｇ)）。その後、上下二つの磁性体１を第１及び第２ドライビングパターン２、３が取り囲む形態となるように、ドリルで第１ドライビングパターン層２まで第２バイアホール６を形成するとともに、ピックアップパターン４が互いに導通するように、第１基板１０、第１積層体２０及び第２積層体３０を貫通するスルーホール７を形成し、導電性金属（つまり、銅）で内面に鍍金を施す（図４(ｈ)）。その後、それぞれの第２積層体の外面に、一般的な印刷回路基板の製造工程である露光、現像及びエッチングにより、前記パターン化された磁性体に対応する第２ドライビングパターン３及びピックアップパターン４を形成する（図４(ｉ)）。こうして形成された第２ドライヴィングパターン層３と上下の磁性体１との間に形成された第１ドライビングパターン２は第１及び第２バイアホール５、６により互いに導通して、磁性体１を取り囲む形態となるので、フラックスゲートセンサーのドライビングコイルの役目を果たす。また、ピックアップパターン４はスルーホール７により互いに導通して、磁性体１及び第１及び第２ドライビングパターン２、３を取り囲む形態となり、フラックスゲートセンサーのピックアップコイルの役目を果たす。
【００３８】
次いで、外部に露出するパターン化された導電層（つまり、銅回路）が湿気などにより酸化することを防止するため、導電層を除く部分に選択的にソルダマスクを塗布し、導電層上にニッケル（又はニッケル−燐）鍍金層及びゴールド鍍金層を順次形成する。このような過程の詳細は印刷回路基板の分野によく知られている。
【００３９】
一方、第２積層体３０の製作過程に使用される導電層３１として銅箔を用いることができるのは前述した通りである。ここで、銅箔の厚さとしては、１２μｍ、１８μｍ、３５μｍなどの規格化された種類のものを用いることができる。ただし、例えば、厚さ３５μｍの銅箔を使用する場合には、積層後のドリル工程前に回路パターンの形成のため、ハーフエッチングにより本来の銅箔の厚さを少なくともおよそ５〜７μｍに減少させる必要がある。
【００４０】
本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは一軸方向にだけ配列されるため、一軸に対する方向だけが確認できる。したがって、２枚の印刷回路基板を互いに垂直に配列して使用することで、２軸に対する方向を感知することができる。
【００４１】
本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーは、携帯電話、携帯用端末機の他にも、自動車、航空機、ゲーム機、玩具ロボットなどのように、地球の磁界を検出して位置を確認するものすべてに広く使用することができる。
【００４２】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明は、第２ドライビングパターンとピックアップパターンが同一平面上に形成されるので、回路基板の層数を削減でき、よって、小型化できその製造工程を簡素化できる弱磁界感知用センサー及びその製造方法を提供できる。
【００４３】
なお、本発明によると、弱磁界感知用基板上にエッチングなどにより回路が精度よく形成されるので、より精密な特性値が得られ、位置精度を維持して特性値変化に対する影響を減らすことができる。
【００４４】
また、本発明は、回路基板の層数を削減できるので、薄小型の低消費電力の弱磁界感知用センサーを提供することができるので、携帯端末機などの小型電子製品に容易に適用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの一実施例の分解斜視図である。
【図２】図１の積層状態を示す断面図である。
【図３】本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーのドライビングコイルの連結を示す断面図である。
【図４】本発明による印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサーの一実施例の製造工程を示す工程図である。
【図５】本発明による１次積層体の予備レイアップ工程を示す概略斜視図である。
【符号の説明】
１磁性体
２第１ドライビングパターン
３第２ドライビングパターン
４ピックアップパターン
５第１バイアホール
６第２バイアホール
７スルーホール
８ランド
１０第１基板
２０第１積層体
２１銅箔
２２第２基板層
３０第２積層体
３１導電層
３２第３基板層
５３銅箔
５４磁性体リボン

Claims

上下両面に互いに導通する第１ドライビングパターンが形成された第１基板と、
該第１基板の上下両面に積層され、バンド形態にパターン化されたそれぞれの磁性体が平行に形成された第１積層体と、
該上下の第１積層体にそれぞれ積層され、前記上下の第１ドライビングパターンに導通して前記各磁性体を取り囲む形態となるように形成された第２ドライビングパターン及び、前記全ての第１及び第２ドライビングパターンを取り囲むように前記各磁性体の全長にわたって多数の同一方向の直線形態に形成されたピックアップパターンが同一平面上に形成された第２積層体と、を含む、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
前記第１基板はＣＣＬ（Copper Clad Laminate）である、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
前記磁性体は、アモルファス金属、パーマロイ及びスーパーマロイからなる群から選択される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
前記パターン化された磁性体は、二つの磁性バンドが一定の間隔を置き配置された形態、単一の磁性体バンド形態又は長方形の帯形態である、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
前記パターン化された磁性体はバンド形状であって、互いに同一方向に配列され、第１ドライビングパターン、第２ドライビングパターン及びピックアップパターンは前記磁性体に直角に形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
同一平面上に形成される第２ドライビングパターン及びピックアップパターンは多数の同一方向の直線形態で一定間隔を置いて配置され、前記ピックアップパターンは第２ドライビングパターンより長く形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
前記第１ドライビングパターンが互いに導通するように、第１基板に第１バイアホールが形成され、前記第１ドライビングパターンと第２ドライビングパターンが互いに導通するように、第１積層体及び第２積層体に第２バイアホールが形成され、前記上下のピックアップパターンが互いに導通するように、第１基板、第１積層体及び第２積層体を貫通するスルーホールが形成される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
前記ピックアップパターンは一本のパターンで前記ドライビングパターンを取り囲む形態となるように形成され、スルーホールを介して互いにジグザグに連結される、ことを特徴とする請求項１に記載の印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
請求項１乃至８のいずれかの弱磁界感知用センサーの二つが互いに垂直に配列され接着されてなる、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
第１基板に、その両面が導通するように、第１バイアホールを形成し、鍍金、露光、現像及びエッチングを行うことで第１ドライビングパターンを形成する段階と、
前記第１基板の両面に第２基板層及びバンド形態の磁性体をレイアップし、加圧積層し、露光、現像及びエッチングを行うことで第１積層体を製作する段階と、
前記第１積層体の両面に第２基板層及び導電層をレイアップし、加圧積層して第２積層体を積層する段階と、
前記第１積層体及び第２積層体を貫通する第２バイアホールを形成し、前記第１基板層、第１積層体及び第２積層体を貫通するスルーホールを形成する段階と、
第２積層体に鍍金、露光、現像及びエッチングを行うことで、前記第２バイアホールを介して第１ドライビングパターンに導通して前記各磁性体の周囲を取り囲むように第２ドライビングパターンを形成し、前記スルーホールを介して互いに導通して第１及び第２ドライビングパターンを取り囲むピックアップパターンを前記各磁性体の全長にわたって多数の同一方向の直線形態に形成する段階と、を含む、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
前記磁性体としてリボン形態を使用し、前記第１積層体を製作する段階に先立ち、前記リボン形態の磁性体を第２基板層上の所定位置に積層し得るように予備レイアップを行う段階を更に含むことを特徴とする請求項１０に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
前記第１基板層及び第２基板層としてプレプレッグを用いる、ことを特徴とする請求項１０に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
前記プレプレッグは、ＦＲ−４、高ガラス転移温度（Ｔｇ）を有するＦＲ−４、及びビスマレイミド−トリアジン（ＢＴ）エポキシ樹脂からなる群から選択される、ことを特徴とする請求項１２に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
前記ピックアップパターンは一本のパターンで前記ドライビングパターンを取り囲む形態となるように、スルーホールを介して互いにジグザグに連結される、ことを特徴とする請求項１０に記載の印刷回路基板製造技術による弱磁界感知用センサーの製造方法。
上部から第２ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第１層）、磁性体層（第２層）、第１ドライビングパターン層（第３層）、第１ドライビングパターン層（第４層）、磁性体層（第５層）、及び第２ドライビングパターン及びピックアップパターン層（第６層）からなり、
前記磁性体層（第２層）及び磁性体層（第５層）の各々にはバンド形態の磁性体が配置されており、
前記ピックアップパターンは、前記全ての第１及び第２ドライビングパターンを取り囲むように前記各磁性体の全長にわたって多数の同一方向の直線形態に形成されていることを特徴とする印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。
請求項１５記載の弱磁界感知用センサー二つが互いに垂直に配列され接着されてなる、ことを特徴とする印刷回路基板製造技術により製造した弱磁界感知用センサー。