JP3712077B2 - ヒドロインダン−4−オール誘導体およびその製造方法 - Google Patents

ヒドロインダン−4−オール誘導体およびその製造方法 Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明はヒドロインダン−4−オール誘導体およびその製造方法に関する。本発明により提供されるヒドロインダン−4−オール誘導体は、慢性腎不全、副甲状腺機能低下症、骨軟化症、骨粗鬆症などのカルシウム代謝の欠陥症の治療に有効とされている1α,23S−ジヒドロキシビタミンD3 、1α,23S,25−トリヒドロキシビタミンD3 などの23S−ヒドロキシビタミンD誘導体などの合成中間体として有用である。
【0002】
【従来の技術】
近年、ビタミンD研究の進展にともない、上記の23S−ヒドロキシビタミンD誘導体をはじめとして、数多くのビタミンD誘導体が医薬品として開発されてきている。また、医薬品となるビタミンD誘導体を開発するうえで、その代謝物、分解物または標識化合物などを合成することも重要となる。さらに、最近では種々の側鎖を有するビタミンD誘導体についても検討がなされ、その生物活性が試験されるにしたがって、該側鎖部分を修飾することにより活性が大きく影響を受けることが明らかとなってきている。
【0003】
ビタミンD誘導体の合成のための有用な方法として、ビタミンD誘導体のA環構成部分(A-ring synthons )とCD環構成部分(CD-ring synthons)とを結合させる収斂型(convergent)合成法がある。23S−ヒドロキシビタミンD誘導体を該収斂型の合成法により合成するに際し、CD環構成部分に相当する化合物として、本発明のヒドロインダン−4−オール誘導体が挙げられる。
【0004】
従来、CD環構成部分に相当する化合物の側鎖部分に立体選択的に官能基を構築する方法、特に23位への立体選択的な水酸基構築法としては、例えば、23,24−エポキシ−25,26,27−ノルヒドロインダン誘導体のエポキシドの開環反応による方法[ジャーナル・オブ・ジ・オーガニック・ケミストリー(Journal of the Organic Chemistry)、第48巻、第4433頁(1983年)参照]、ヒドロインダン−Δ22,23 −26−カルボン酸誘導体に対する分子内ヨウ素ラクトン化反応による方法[ジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサエティ、ケミカル・コミュニケイションズ(Journal of the Chemical Society, Chemical Communications)、第1229頁(1992年)参照]などが挙げられる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記のエポキシドの開環反応による方法では、エポキシドの23位の不斉炭素原子の立体配置により、得られる化合物(23−ヒドロキシ体)の23位の不斉炭素原子の立体配置が決定される。また、ヨウ素ラクトン化反応では、Δ22,23のオレフィンの幾何異性(シス体またはトランス体)および25位の不斉炭素原子の立体配置により、得られる化合物(23−ヒドロキシ体)の23位の不斉炭素原子の立体配置が決定される。いずれの場合においても、目的とする化合物に適した立体配置を有する鍵中間体をあらかじめ得ておく必要があり、そのためには煩雑な分離工程が必要であった。
【0006】
しかして、本発明の1つの目的は、上記のように煩雑な分離工程を必要とせず、23位に水酸基を有するビタミンD誘導体の中間体となるヒドロインダン−4−オール誘導体を、高立体選択的に製造し得る方法を提供することにある。本発明の他の目的は、該ヒドロインダン−4−オール誘導体を提供することにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば、上記の目的は、下記一般式(I)
【0008】
【化5】
Figure 0003712077
【0009】
(式中、RおよびRはそれぞれ水素原子または水酸基の保護基を表し、Rは水素原子または炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数3〜4の低級アルケニル基、プロパルギル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基を表し、これらの基は保護されていてもよい水酸基、炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基で置換されていてもよい。)で示されるヒドロインダン−4−オール誘導体(以下、これをヒドロインダン−4−オール誘導体(I)と略記する。)および下記一般式(II)
【0010】
【化6】
Figure 0003712077
【0011】
(式中、Rは水素原子または炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数3〜4の低級アルケニル基、プロパルギル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基を表し、これらの基は保護されていてもよい水酸基、炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基で置換されていてもよい。)で示される酢酸エステル誘導体(以下、これを酢酸エステル誘導体(II)と略記する。)に塩基を作用させ、得られるエノレートを下記一般式(III)
【0012】
【化7】
Figure 0003712077
【0013】
(式中、R5 は水素原子または水酸基の保護基を表す。)
で示される3−(4−ヒドロキシヒドロインダン)ブタナール誘導体(以下、これをヒドロインダンブタナール誘導体(III)と略記する。)に作用させ、必要に応じて水酸基の保護または脱保護を行うことを特徴とするヒドロインダン−4−オール誘導体(I)の製造方法を提供することにより達成される。
【0014】
1 、R2 およびR5 が表す水酸基の保護基としては、水酸基の保護基として機能する基であれば特に制限されないが、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリイソプロピルシリル基、tert−ブチルジメチルシリル基、tert−ブチルジフェニルシリル基などの三置換シリル基;メトキシメチル基、メトキシエトキシメチル基、1−エトキシエチル基、1−メトキシイソプロピル基などの1−(アルコキシ)アルキル基;テトラヒドロフラニル基、テトラヒドロピラニル基などの2−オキサシクロアルキル基;tert−ブチル基などのアルキル基;ベンジル基、パラメトキシベンジル基などのアラルキル基;アリル基、プロペニル基などのアルケニル基;パラメトキシフェニル基などのアリール基などを挙げることができる。
【0015】
およびRが表す炭素数1〜5の低級アルキル基としては、例えばメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、アミル基など;炭素数3〜4の低級アルケニル基としては、例えばアリル基、ブテニル基など;プロパルギル基;炭素数6〜10のアリール基としては、例えばフェニル基、ナフチル基な;ベンジル基が挙げられる。これらの基は保護されていてもよい水酸基;メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ブチル基、イソブチル基、アミル基などの炭素数1〜5の低級アルキル基;フェニル基、ナフチル基などの炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基置換されていてもよい。さらに、立体選択的に23位に水酸基を導入するために、これらの基は光学活性な置換基であることが好ましい。
【0016】
本発明の製造方法を次に詳しく説明する。
酢酸エステル誘導体(II)からエノレートを得る反応において使用される塩基は、塩基として作用するものであれば特に制限されないが、例えば、リチウムアミド、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムビストリメチルシリルアミドなどのリチウムアミド化合物;ナトリウムアミド、ナトリウムビストリメチルシリルアミドなどのナトリウムアミド化合物;カリウムビストリメチルシリルアミドなどのカリウムアミド化合物;水素化リチウム、水素化ナトリウム、水素化カリウムなどの水素化金属;tert−ブトキシカリウムなどの金属アルコキシド;炭酸カリウムなどの炭酸塩などが挙げられる。その使用量は酢酸エステル誘導体(II)1モルに対し、0.5〜100モル当量の範囲が好ましく、1〜10モル当量の範囲がより好ましい。
【0017】
かかる反応は溶媒の存在下または非存在下で行うことができ、溶媒の存在下で行うことが好ましい。用いられる溶媒は、反応に悪影響を与えない限り特に制限されないが、ジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、1,2ージメトキシエタンなどのエーテル系溶媒;n−ヘキサン、n−ペンタン、ベンゼン、トルエンなどの炭化水素系溶媒;またはこれら混合溶媒が挙げられる。その使用量は酢酸エステル誘導体(II)に対し、5〜200倍重量の範囲が好ましい。
【0018】
得られた酢酸エステル誘導体(II)のエノレートもしくはその溶液をヒドロインダンブタナール誘導体(III)もしくはその溶液に加え撹拌するか、または酢酸エステル誘導体(II)のエノレートもしくはその溶液にヒドロインダンブタナール誘導体(III)もしくはその溶液を加え撹拌することにより、ヒドロインダン−4−オール誘導体(I)を得ることができる。ここで用いられる溶媒としては、上記と同様の溶媒が挙げられる。酢酸エステル誘導体(II)のエノレートの使用量は、ヒドロインダンブタナール誘導体(III)1モルに対し、0.5〜100モル当量の範囲が好ましく、1〜10モル当量の範囲がより好ましい。
【0019】
上記反応混合物中に金属塩を加えて反応を行ってもよい。金属塩としては、反応に悪影響を与えなければどのような塩を加えてもよいが、例えば、塩化マグネシウム、臭化マグネシウムなどのマグネシウム塩;塩化カルシウム、臭化カルシウムなどのカルシウム塩などが挙げられる。その使用量は酢酸エステル誘導体(II)1モルに対し、0.1モル〜大過剰が好ましい。
【0020】
このようにして得られたヒドロインダン−4−オール誘導体(I)は、通常の有機化合物の単離・精製に用いられる方法により単離・精製できる。例えば、反応混合物を冷希塩酸にあけ、ジエチルエーテル、酢酸エチル、塩化メチレンなどの有機溶媒で抽出し、必要に応じて抽出液を重曹水、水、食塩水などで洗浄することにより酸性物質、塩基性物質、水溶性物質を除去し、無水硫酸マグネシウム、無水硫酸ナトリウムなどの乾燥剤で乾燥後、濃縮し、得られる粗精製物を必要に応じてクロマトグラフィー、再結晶などにより精製することができる。
【0021】
また、これらヒドロインダン−4−オール誘導体(I)が水酸基または保護された水酸基を有する場合には、必要に応じて水酸基の保護または脱保護を行うことができる。
【0022】
ヒドロインダン−4−オール誘導体(I)は、例えば、以下の反応工程にしたがってビタミンD誘導体に変換することができる。
【0023】
【化8】
Figure 0003712077
【0024】
(式中、R1 、R2 およびR3 は前記定義のとおりである。)
すなわち、エステル基へのアルキル化反応、R1 の保護基の脱離および酸化によりCD環構成部分を構築後、A環構成部分(A-ring synthons )とのカップリング反応[例えば、ジャーナル・オブ・ジ・オーガニック・ケミストリー(Journal of the Organic Chemistry)、第51巻、第3098頁(1986年)参照]により薬理活性を持つ前述した如きビタミンD誘導体に導くことができる。
【0025】
【実施例】
以下に参考例および実施例により本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例により何ら制限されるものではない。
【0026】
参考例1
オクタヒドロ−7a−メチル−1−(1−ヒドロキシ−2−プロピル)−1H−インデン−4−オールの合成
ビタミンD2 5.0g(12.6mmol)をメタノール440mlおよびピリジン4.4mlに溶解させ、−78℃で酸素ガスを20分間曝気させた。さらに、この温度でオゾンガスを4時間曝気させた。反応終了後、反応液に酸素ガスを20分間曝気させたのち、ナトリウムボロテトラヒドリド1.25g(32.8mmol)を加えた。室温まで15時間かけて加温したのちにさらにナトリウムボロテトラヒドリド1.25g(32.8mmol)を加え、30分撹拌したのち減圧下濃縮した。残渣をジエチルエーテルで抽出し、このジエチルエーテル溶液を5%希塩酸、水で順次洗浄したのちに無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、減圧下で溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液:30%酢酸エチル/ヘキサン溶液)で精製し、下記物性を有するオクタヒドロ−7a−メチル−1−(1−ヒドロキシ−2−プロピル)−1H−インデン−4−オールを2.1g得た(収率78%)。
【0027】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
3.66(br s,1H), 3.62(dd,J=3.5,9.7Hz,1H), 3.34(dd,J=6.3,9.2Hz,1H), 0.5-2.58(m,13H), 1.0(d,J=6.3Hz,3H), 0.85(s,3H)
【0028】
参考例2
オクタヒドロ−7a−メチル−1−(1−tert−ブチルジメチルシリルオキシ−2−プロピル)−1H−インデン−4−オールの合成
オクタヒドロ−7a−メチル−1−(1−ヒドロキシ−2−プロピル)−1H−インデン−4−オール3.92g(18.5mmol)、イミダゾール3.02g(44.4mmol)およびtert−ブチルジメチルシリルクロルシラン3.34g(22.2mmol)を窒素雰囲気下、乾燥ジメチルホルムアミド5.1mlに溶解させ室温下3時間撹拌した。反応混合物を水に展開し、ジエチルエーテルで抽出した。有機層を食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥させ減圧下溶媒を除去した。残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液:20%酢酸エチル/ヘキサン溶液)で精製し、下記物性を有するオクタヒドロ−7a−メチル−1−(1−tert−ブチルジメチルシリルオキシ−2−プロピル)−1H−インデン−4−オールを5.21g得た(収率87%)。
【0029】
1H−NMRスペクトル(270MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
4.08(br s,1H), 3.57(dd,J=3.1,9.2Hz,1H), 3.26(dd,J=7.3,9.2Hz,1H), 1.99(br dt,J=3.4,13.4Hz,1H), 1.0-1.85(m,12H), 0.97(d,J=6.7Hz,3H), 0.94(s,3H), 0.89(s,3H), 0.02(s,6H)
【0030】
参考例3
オクタヒドロ−7a−メチル−1−(1−tert−ブチルジメチルシリルオキシ−2−プロピル)−4−ベンジルオキシ−1H−インデンの合成
窒素雰囲気下、オクタヒドロ−7a−メチル−1−(1−tert−ブチルジメチルシリルオキシ−2−プロピル)−1H−インデン−4−オール5.21g(16.0mmol)を乾燥ジメチルホルムアミド80mlに溶解させ、この溶液に水素化ナトリウム1.92g(80mmol)、臭化ベンジル5.7ml(48mmol)を順次加え、室温下16時間撹拌した。反応溶液を0℃に冷却後、飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、分液後、水層をジエチルエーテルで再抽出した。有機層を混合し、飽和食塩水で洗浄、分離した有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した。濾過後、濃縮し、残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液:1%酢酸エチル/ヘキサン溶液)で精製し、下記物性を有するオクタヒドロ−7a−メチル−1−(1−tert−ブチルジメチルシリルオキシ−2−プロピル)−4−ベンジルオキシ−1H−インデンを5.0g得た(収率77%)。
【0031】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
7.33(br s,5H), 4.45(dx2,J=12.2Hz,2H), 3.68(br s,1H), 3.54(dd,J=4.2,9.8Hz,1H), 3.19(dd,J=7.0,9.8Hz,1H), 0.62-2.08(m,13H), 0.91(d,J=6.3Hz,3H), 0.89(s,3H), 0.81(s,9H), 0.0(s,6H)
【0032】
参考例4
2−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)プロパナールの合成
オクタヒドロ−7a−メチル−1−(1−tert−ブチルジメチルシリルオキシ−2−プロピル)−4−ベンジルオキシ−1H−インデン5.0g(12mmol)をテトラヒドロフラン(以下、THFと略記する)40mlに溶解させ、室温下この溶液にテトラブチルアンモニウムフルオリド6.28g(24mmol)を加えた。この反応液を室温下4時間撹拌したのちにジエチルエーテルで希釈し、水、食塩水で順次洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液:20%酢酸エチル/ヘキサン溶液)で精製し2−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)プロパン−1−オールを3.35g得た(収率92%)。
この得られた2−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)プロパン−1−オール3.35g(11.0mmol)を塩化メチレン70mlに溶解させ、ピリジニウムジクロメート12.5mg(33.1mmol)を加え、室温下6時間撹拌した。反応終了後、反応液をフロリジルカラムで濾過し、濾液を濃縮乾固させた。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開液:10%ジエチルエーテル/ヘキサン溶液)で精製し、下記物性を有する2−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)プロパナールを2.36g得た(収率71%)。
【0033】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
9.54(d,J=3.5Hz,1H), 7.27(br s,5H), 4.48(dx2,J=12.2,2H), 3.74(br s,1H), 1.0-2.77(m,13H), 1.1(d,J=6.3Hz,3H), 1.0(s,3H)
【0034】
参考例5
3−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−1−ブテニル メチルエーテルの合成
メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロリド678mg(1.98mmol)を窒素雰囲気下THF11mlに溶解させ、0℃でn−ブチルリチウム1.2ml(1.61Mヘキサン溶液、1.98mmol)を加えた。15分間0℃で撹拌したのち、−20℃に冷却し、2−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)プロパナール200mg(0.66mmol)のTHF溶液(4ml)を滴下した。−20℃で30分間撹拌し、さらに0℃で30分間撹拌した。反応液に、水を加え、ジエチルエーテルを加え抽出した。有機層を飽和塩化アンモニウム水溶液洗浄し、無水硫酸マグネシウムで、乾燥させ、濾過乾固させた。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開液:1−5%ジエチルエーテル/ヘキサン溶液)、下記物性を有する3−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−1−ブテニル メチルエーテル260mgを得た(収率43%、22−23オレフィン幾何異性体混合物)。
【0035】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
6.31(d,J=15.7Hz,1H,22-23-Eオレフィン),5.79(d,J=7.0Hz,1H,22-23-Z オレフィン), 4.64(dd,J=10.4,15.7Hz,1H,22-23-E オレフィン), 4.52(dx2,J=12.2Hz,4H), 4.21(dd,J=7.0,10.4Hz,1H,22-23-Z オレフィン), 3.75(br s,2H), 3.58(s,3H,E オレフィン-MeO), 3.50(s,3H,Zオレフィン-MeO), 0.77-2.27(m,18H)
【0036】
参考例6
3−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−1−ブタナールの合成
3−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−1−ブテニル メチルエーテル260mg(0.79mmol)を酢酸水溶液15ml(酢酸:水=5:1)に溶解させ、室温下26.5時間撹拌した。反応液を酢酸エチル−ヘキサン混合溶液(酢酸エチル:ヘキサン=1:2)で希釈し、水、飽和重曹水、食塩水で順次洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥後、濾過し、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開液:10%酢酸エチル/ヘキサン溶液)、下記物性を有する3−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−1−ブタナール210mgを得た(収率84%)。
【0037】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
9.77(brs,1H), 7.35(br s,5H), 4.48(dx2,J=12.2Hz,2H), 3.74(br s,1H), 0.89-2.65(m,15H), 1.0(s,3H), 1.0(d,J=5.2Hz,3H)
【0038】
実施例1
(1”S,3S,5R)−2”−ヒドロキシ−1”,2”,2”−トリフェニルエチル 3−ヒドロキシ−5−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)ヘキサノエートの合成
(2R)−2−アセトキシ−1,1,2−トリフェニルエタノール329mg(0.99mmol)をTHF6mlに懸濁させ、−78℃に冷却し、ジイソプロピルアミン0.5ml(3.57mmol)、n−ブチルリチウム2.2ml(1.61Mヘキサン溶液、3.57mmol)およびTHF3mlから調製したリチウムジイソプロピルアミドを加えた。反応液を0℃に昇温し、透明な溶液になったところで、マグネシウム48mg(1.98mmol)と1,2−ジブロモエタン0.17ml(1.98mmol)を−78℃で反応させて調製した臭化マグネシウムのジエチルエーテル懸濁液を加え、1時間撹拌し、−115℃に冷却した。3−(オクタヒドロ−7a−メチル−4−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−1−ブタナール210mg(0.662mmol)のTHF溶液(2ml)をこの調製した溶液に滴下し、40分間撹拌した。反応液に飽和塩化アンモニウムを加え、室温まで昇温させ、クロロホルムで抽出した。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ、濾過濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開液:15%酢酸エチル/ヘキサン溶液)、下記物性を有する(1”S,3S,5R)−2”−ヒドロキシ−1”,2”,2”−トリフェニルエチル 3−ヒドロキシ−5−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)ヘキサノエートとそのジアステレオマーの混合物329mg(目的物:ジアステレオマー=5.7:1)を得た(収率76%)。
【0039】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
6.8-7.7(m,20H), 6.72(s,1H), 4.43(dx2,J=12.2Hz,2H), 3.74-4.08(m,1H), 3.66(br s,1H), 2.25(d,J=7.0Hz,2H), 0.45-2.14(m,15H), 0.87(s,3H), 0.81(s,3H)
【0040】
参考例7
(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチルヘプタン−2,4−ジオールの合成
マグネシウム123.5mg(5.08mmol)をエーテルに懸濁させ、0℃でヨウ化メチル0.32ml(5.08mmol)を滴下した。20分間撹拌したのち、(1”S,3S,5R)−2”−ヒドロキシ−1”,2”,2”−トリフェニルエチル 3−ヒドロキシ−5−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)ヘキサノエート329mg(0.508mmol)のTHF溶液6.7mlを加え、0℃30分間、さらに室温下1時間撹拌した。反応液を0℃に冷却し、水と0.1N希塩酸を加えた。ジエチルエーテルを加え、食塩水で洗浄し、有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥させ濾過、濃縮した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開液:15%酢酸エチル/ヘキサン溶液)、下記物性を有する(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチルヘプタン−2,4−ジオール79mgを得た(収率35%)。
【0041】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
7.25(br s,5H), 4.39(dx2,J=12.2Hz,2H), 3.81-4.19(m,1H), 3.64(br s,1H), 2.83(br s,2H), 0.70-2.08(m,17H), 1.24(s,3H), 1.21(s,3H), 0.91(m,6H)
【0042】
参考例8
(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチル−4−(トリエチルシリルオキシ)ヘプタン−2−オールの合成
(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチルヘプタン−2,4−ジオール97mg(0.26mmol)を乾燥ジメチルホルムアミド0.24mlに溶解させ、0℃でイミダゾール46mg(0.34mmol)およびクロロトリエチルシラン0.056ml(0.34mmol)を加え、2時間撹拌した。この反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和塩化アンモニウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開液:5%酢酸エチル/ヘキサン溶液)、(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチル−4−(トリエチルシリルオキシ)ヘプタン−2−オール78mgを得た(61%)。
【0043】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
7.27(br s,5H), 4.46(dx2,J=12.2Hz,2H), 4.0-4.5(m,1H), 3.67(br s,1H), 0.46-2.23(m,17H), 1.23(s,3H), 1.19(s,3H), 0.95(s,3H), 0.91(d,J=5.2Hz,9H), 0.66(s,3H), 0.66(br t,J=9.0Hz,6H)
【0044】
参考例9
(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ヒドロキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチルヘプタン−2,4−ジオールの合成
(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ベンジルオキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチル−4−(トリエチルシリルオキシ)ヘプタン−2−オール78mgとRaney−Ni(W−2)をメタノール5mlに懸濁させ、水素ガス雰囲気下(10気圧)24時間撹拌した。反応液をセライトカラムで濾過し、溶媒を除去した。濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開液:30−50%酢酸エチル/ヘキサン溶液)、下記物性を有する(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ヒドロキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチルヘプタン−2,4−ジオール19mgを得た(収率45%)。
【0045】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
3.85-4.35(m,2H), 2.5-3.2(m,1H), 0.7-2.23(m,17H), 2.37(s,3H), 2.33(s,3H), 1.0(m,6H)
【0046】
参考例10
(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ヒドロキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチル−4−(トリエチルシリルオキシ)ヘプタン−2−オールの合成
(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ヒドロキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチルヘプタン−2,4−ジオール19mg(0.073mmol)を乾燥ジメチルホルムアミド0.24mlに溶解させ、0℃でイミダゾール9.9mg(0.14mmol)およびクロロトリエチルシラン0.012ml(0.073mmol)を加え、2時間撹拌した。この反応液に水を加え、酢酸エチルで抽出した。有機層を水、飽和塩化アンモニウム水溶液、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後、濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開液:5%酢酸エチル/ヘキサン溶液)、(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ヒドロキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチル−4−(トリエチルシリルオキシ)ヘプタン−2−オール22mgを得た(80%)。
【0047】
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
0.46-2.27(m,15H), 1.29(s,3H), 1.25(s,3H), 1.02(d,J=3.5Hz,3H), 1.0(d,J=5.2Hz,9H), 0.71(br t,J=5.2Hz,6H)
【0048】
参考例11
(1’R,3’S)−1−(1’−メチル−3’−トリエチルシリルオキシ−5’−メチル−5’−トリメチルシリルオキシ−1−ヘキシル)オクタヒドロ−7a−メチル−1H−インデン−4−オンの合成
(4S,6R)−6−(オクタヒドロ−7’a−メチル−4’−ヒドロキシ−1H−インデン−1−イル)−2−メチル−4−(トリエチルシリルオキシ)ヘプタン−2−オール30mg(0.075mmol)を塩化メチレン0.5mlに溶解させ、ピリジニウムジクロメート85mg(0.23mmol)を加え、室温下3時間撹拌した。反応終了後、反応液をフロリジルカラムで濾過し、濾液を濃縮乾固させ、(1’R,3’S)−1−(1’−メチル−3’−トリエチルシリルオキシ−5’−メチル−5’−ヒドロキシ−1−ヘキシル)オクタヒドロ−7a−メチル−1H−インデン−4−オンを得た。
この混合物を塩化メチレン14mlに溶解させ、トリメチルシリルイミダゾール0.055ml(0.375mmol)を加え、20時間撹拌した。反応液に水を加え、30分間撹拌し、塩化メチレンで抽出した。有機層を水、食塩水で順次洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥させた。濾過後濃縮し、得られた濃縮物をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し(展開液:15%酢酸エチル/ヘキサン溶液)、下記物性を有する(1’R,3’S)−1−(1’−メチル−3’−トリエチルシリルオキシ−5’−メチル−5’−トリメチルシリルオキシ−1−ヘキシル)オクタヒドロ−7a−メチル−1H−インデン−4−オン30mgを得た(収率2段階85%)。
【0049】
(1’R,3’S)−1−(1’−メチル−3’−トリエチルシリルオキシ−5’−メチル−5’−ヒドロキシ−1−ヘキシル)オクタヒドロ−7a−メチル−1H−インデン−4−オン
1H−NMRスペクトル(90MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
3.92-4.43(m,2H), 0.39-3.58(m,17H), 1.19(s,3H), 0.9(s,3H), 0.86(d,J=7.7Hz,9H), 0.61(br t,J=7.7Hz,6H), 0.56(s,3H)
(1’R,3’S)−1−(1’−メチル−3’−トリエチルシリルオキシ−5’−メチル−5’−トリメチルシリルオキシ−1−ヘキシル)オクタヒドロ−7a−メチル−1H−インデン−4−オン
1H−NMRスペクトル(270MHz、CDCl3 、TMS基準)δ:
4.01(br s,1H), 0.8-2.6(m,17H), 1.27(s,3H), 1.26(s,3H), 0.99(d,J=4.5Hz,3H), 0.97(d,J=7.5Hz,9H), 0.65(s,3H), 0.6(br t,J=7.5Hz,6H), 0.05(s,9H)
【0050】
【発明の効果】
本発明によれば、23S−ビタミンD誘導体の合成中間体として有用なヒドロインダン−4−オール誘導体(I)および該化合物の高立体選択的製造方法が提供される。

Claims (2)

  1. 下記一般式(I)
    Figure 0003712077
    (式中、RおよびRはそれぞれ水素原子または水酸基の保護基を表し、Rは水素原子または炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数3〜4の低級アルケニル基、プロパルギル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基を表し、これらの基は保護されていてもよい水酸基、炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基で置換されていてもよい。)
    で示されるヒドロインダン−4−オール誘導体。
  2. 下記一般式(II)
    Figure 0003712077
    (式中、Rは水素原子または炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数3〜4の低級アルケニル基、プロパルギル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基を表し、これらの基は保護されていてもよい水酸基、炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基で置換されていてもよい。
    で示される酢酸エステル誘導体に塩基を作用させ、得られるエノレートを下記一般式(III)
    Figure 0003712077
    (式中、Rは水素原子または水酸基の保護基を表す。)
    で示される3−(4−ヒドロキシヒドロインダン)ブタナール誘導体に作用させ、必要に応じて水酸基の保護または脱保護を行うことを特徴とする下記一般式(I)
    Figure 0003712077
    (式中、RおよびRはそれぞれ水素原子または水酸基の保護基を表し、Rは水素原子または炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数3〜4の低級アルケニル基、プロパルギル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基を表し、これらの基は保護されていてもよい水酸基、炭素数1〜5の低級アルキル基、炭素数6〜10のアリール基もしくはベンジル基で置換されていてもよい。
    で示されるヒドロインダン−4−オール誘導体の製造方法。
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