JP3710795B2 - ネガ型ホトレジスト組成物 - Google Patents
ネガ型ホトレジスト組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3710795B2 JP3710795B2 JP2003162060A JP2003162060A JP3710795B2 JP 3710795 B2 JP3710795 B2 JP 3710795B2 JP 2003162060 A JP2003162060 A JP 2003162060A JP 2003162060 A JP2003162060 A JP 2003162060A JP 3710795 B2 JP3710795 B2 JP 3710795B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- photoresist composition
- negative photoresist
- group
- component
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims description 76
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims description 61
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N Formaldehyde Chemical compound O=C WSFSSNUMVMOOMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenol Chemical compound OC=CC1=CC=CC=C1 XLLXMBCBJGATSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N mono-hydroxyphenyl-ethylene Natural products OC1=CC=CC=C1C=C JESXATFQYMPTNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 13
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 11
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 claims description 10
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 10
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 10
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 10
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 9
- -1 perfluoromethanesulfonate ion Chemical class 0.000 claims description 9
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims description 8
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 8
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Chemical compound NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 claims description 7
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 5
- 150000001450 anions Chemical class 0.000 claims description 5
- 150000001875 compounds Chemical group 0.000 claims description 5
- XKALZGSIEJZJCZ-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis(methoxymethyl)urea Chemical compound COCNC(=O)NCOC XKALZGSIEJZJCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004202 carbamide Substances 0.000 claims description 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 4
- 125000004029 hydroxymethyl group Chemical group [H]OC([H])([H])* 0.000 claims description 4
- 150000003510 tertiary aliphatic amines Chemical class 0.000 claims description 4
- RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N Dihydrogen sulfide Chemical class S RWSOTUBLDIXVET-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N hydrogen iodide Chemical class I XMBWDFGMSWQBCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 14
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 11
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 11
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 10
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 6
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 6
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 description 4
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N Triethylamine Chemical compound CCN(CC)CC ZMANZCXQSJIPKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000004849 alkoxymethyl group Chemical group 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 3
- XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N n,n-dioctyloctan-1-amine Chemical compound CCCCCCCCN(CCCCCCCC)CCCCCCCC XTAZYLNFDRKIHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 1-butoxybutane Chemical compound CCCCOCCCC DURPTKYDGMDSBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-2-hexanone Chemical compound CC(C)CCC(C)=O FFWSICBKRCICMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N Phenylphosphonic acid Chemical compound OP(O)(=O)C1=CC=CC=C1 QLZHNIAADXEJJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N cyclohexanone Chemical compound O=C1CCCCC1 JHIVVAPYMSGYDF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N diphenyl ether Chemical compound C=1C=CC=CC=1OC1=CC=CC=C1 USIUVYZYUHIAEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 2
- CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N heptan-2-one Chemical compound CCCCCC(C)=O CATSNJVOTSVZJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 2
- JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N melamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(N)=N1 JDSHMPZPIAZGSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N methyl 2-hydroxypropionate Chemical group COC(=O)C(C)O LPEKGGXMPWTOCB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 2,7-diazaspiro[4.5]decane-7-carboxylate Chemical compound C1N(C(=O)OC(C)(C)C)CCCC11CNCC1 ISIJQEHRDSCQIU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N trimethylamine Chemical compound CN(C)C GETQZCLCWQTVFV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 1-(1-methoxypropan-2-yloxy)propan-2-yl acetate Chemical compound COCC(C)OCC(C)OC(C)=O LAVARTIQQDZFNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 1-methoxypropan-2-ol Chemical compound COCC(C)O ARXJGSRGQADJSQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 2-(2-hydroxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCOCCO XXXFZKQPYACQLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyethyl acetate Chemical compound CC(=O)OCCO HXDLWJWIAHWIKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxypropyl acetate Chemical compound CC(O)COC(C)=O PPPFYBPQAPISCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICPWFHKNYYRBSZ-UHFFFAOYSA-N 2-methoxypropanoic acid Chemical compound COC(C)C(O)=O ICPWFHKNYYRBSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n,4-n,4-n,6-n,6-n-hexakis(methoxymethyl)-1,3,5-triazine-2,4,6-triamine Chemical compound COCN(COC)C1=NC(N(COC)COC)=NC(N(COC)COC)=N1 BNCADMBVWNPPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 6-phenyl-1,3,5-triazine-2,4-diamine Chemical compound NC1=NC(N)=NC(C=2C=CC=CC=2)=N1 GZVHEAJQGPRDLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100033806 Alpha-protein kinase 3 Human genes 0.000 description 1
- 101710082399 Alpha-protein kinase 3 Proteins 0.000 description 1
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JYFHYPJRHGVZDY-UHFFFAOYSA-N Dibutyl phosphate Chemical compound CCCCOP(O)(=O)OCCCC JYFHYPJRHGVZDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N Dimethoxyethane Chemical compound COCCOC XTHFKEDIFFGKHM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-N Diphenyl phosphate Chemical compound C=1C=CC=CC=1OP(=O)(O)OC1=CC=CC=C1 ASMQGLCHMVWBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N Ethyl pyruvate Chemical compound CCOC(=O)C(C)=O XXRCUYVCPSWGCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BADIYTSGNBSILF-UHFFFAOYSA-N [[cyano-(4-methoxyphenyl)methylidene]amino] methanesulfonate Chemical compound COC1=CC=C(C(=NOS(C)(=O)=O)C#N)C=C1 BADIYTSGNBSILF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N acetoguanamine Chemical compound CC1=NC(N)=NC(N)=N1 NJYZCEFQAIUHSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 125000004183 alkoxy alkyl group Chemical group 0.000 description 1
- 125000004453 alkoxycarbonyl group Chemical group 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- NFJPGAKRJKLOJK-UHFFFAOYSA-N chembl1901631 Chemical compound CCCCOP(=O)OCCCC NFJPGAKRJKLOJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000007334 copolymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 150000004292 cyclic ethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- JQDCIBMGKCMHQV-UHFFFAOYSA-M diethyl(dimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(C)CC JQDCIBMGKCMHQV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N diethylamine Chemical compound CCNCC HPNMFZURTQLUMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLFBFPXKTIQSSY-UHFFFAOYSA-N dimethoxy(oxo)phosphanium Chemical compound CO[P+](=O)OC YLFBFPXKTIQSSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N dipropylamine Chemical compound CCCNCCC WEHWNAOGRSTTBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N doxepin Chemical compound C1OC2=CC=CC=C2C(=C/CCN(C)C)/C2=CC=CC=C21 ODQWQRRAPPTVAG-GZTJUZNOSA-N 0.000 description 1
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 1
- UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-ethoxypropanoate Chemical compound CCOC(C)C(=O)OCC UHKJHMOIRYZSTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229940117360 ethyl pyruvate Drugs 0.000 description 1
- KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M ethyl(trimethyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(C)C KVFVBPYVNUCWJX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 1
- 229940083124 ganglion-blocking antiadrenergic secondary and tertiary amines Drugs 0.000 description 1
- VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N glycoluril Chemical compound N1C(=O)NC2NC(=O)NC21 VPVSTMAPERLKKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002768 hydroxyalkyl group Chemical group 0.000 description 1
- YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N imidazolidin-2-one Chemical compound O=C1NCCN1 YAMHXTCMCPHKLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 1
- MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N iodonium Chemical compound [IH2+] MGFYSGNNHQQTJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 125000000959 isobutyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(C([H])([H])[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 150000004715 keto acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229940057867 methyl lactate Drugs 0.000 description 1
- CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N methyl pyruvate Chemical compound COC(=O)C(C)=O CWKLZLBVOJRSOM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N n,n-dipentylpentan-1-amine Chemical compound CCCCCN(CCCCC)CCCCC OOHAUGDGCWURIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004108 n-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- CDXVUROVRIFQMV-UHFFFAOYSA-N oxo(diphenoxy)phosphanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1O[P+](=O)OC1=CC=CC=C1 CDXVUROVRIFQMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQKYHDHLEMEVDR-UHFFFAOYSA-N oxo-bis(phenylmethoxy)phosphanium Chemical compound C=1C=CC=CC=1CO[P+](=O)OCC1=CC=CC=C1 RQKYHDHLEMEVDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N phenylphosphine Chemical compound PC1=CC=CC=C1 RPGWZZNNEUHDAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N phosphinic acid Chemical compound O[PH2]=O ACVYVLVWPXVTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003009 phosphonic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000005619 secondary aliphatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 125000005931 tert-butyloxycarbonyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(OC(*)=O)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N tributylamine Chemical compound CCCCN(CCCC)CCCC IMFACGCPASFAPR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAJRRCSBKZOLPA-UHFFFAOYSA-M triethyl(methyl)azanium;hydroxide Chemical compound [OH-].CC[N+](C)(CC)CC JAJRRCSBKZOLPA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M triphenylsulfonium triflate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)F.C1=CC=CC=C1[S+](C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 FAYMLNNRGCYLSR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/0045—Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/038—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable
- G03F7/0382—Macromolecular compounds which are rendered insoluble or differentially wettable the macromolecular compound being present in a chemically amplified negative photoresist composition
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/11—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers having cover layers or intermediate layers, e.g. subbing layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials For Photolithography (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ネガ型ホトレジスト組成物に関するものであり、より詳しくは、磁気ヘッド、GMR素子等の電子素子の形成に好適に用いられるネガ型ホトレジスト組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】
例えば磁気ヘッドの微細構造の製造には、磁性膜をターゲット(被エッチング膜)とするイオン性エッチングが用いられており、イオン性エッチングとしてはイオンミリング(ion milling)が多用されている。図1(a)〜図1(e)に一般的なイオンミリングとスパッタリングによる電極形成の各工程の模式図(断面図)を示す。
【0003】
まず、図1(a)に示す様に、基板1の上に磁性膜2’を積層し、さらにその上にアルカリ現像液に対して可溶性の下地膜(下層膜)3’と、レジスト膜4’とを順次積層する。ついで、レジスト膜4’の上からマスクパターンを介し、i線やKrFエキシマレーザーなどの光を用いて選択的露光を行う。ついで、アルカリ現像を行うと、レジスト膜4’の所定の範囲(ポジであれば露光部、ネガであれば未露光部)がアルカリ現像されて、断面がほぼ矩形状のレジストパターン4が得られる。このとき、レジスト膜4’のアルカリ現像された部分の下に位置する下地膜3’も同時にアルカリ現像液によって現像されるが、該下地膜3’は、レジスト膜4’よりアルカリ可溶性が高いため、アルカリ現像の結果図1(b)に示した様な幅の狭い下地膜3’のパターン3と、これより幅広のレジスト膜4’のレジストパターン4からなる断面羽子板状のリフトオフ用のパターン5が得られる。
【0004】
ついで、パターン5をマスクとしてイオンミリングを行うと、図1(c)に示した様に、パターン5の周囲の磁性膜2’がエッチングされ、パターン5の下と、その周囲に磁性膜パターン2が形成される。
さらにスパッタリングを行うと、図1(d)に示したように、パターン5の上と、磁性膜パターン2の周囲の基板1の上に電極膜6が形成される。
ついで、最後に再度アルカリ現像液を用いて、下地膜3’のパターン3を溶解すると、レジスト膜4’のレジストパターン4が除去され、図1(e)に示した様に基板1とその上に形成された所定の幅の磁性膜パターン2と、その周囲に形成された電極膜6とからなる磁気ヘッド10を、所謂リフトオフ法にて、得ることができる。なお、下記特許文献1には、非化学増幅型のノボラックのポジ型レジストを用いて、テーパー形状のレジストパターンを形成する方法が提案されている。
【0005】
【特許文献1】
特願2002−110536号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような断面羽子板状のリフトオフ用のパターン5を形成する方法にあっては、ポジ型ホトレジスト組成物を用いたものしか提案されておらず、これまでに、リフトオフ用に適正化されたネガ型ホトレジスト組成物は実用化されていなかった。また、該レジスト膜の材料の選定が難しく、好ましい解像性が得られていなかった。
【0007】
本発明の課題は、リフトオフ用のパターンを形成する方法に適用可能で、良好な解像性が得られるネガ型ホトレジスト組成物、さらに好ましくは磁気ヘッド、GMR素子等の電子素子の形成に好適に用いられるネガ型ホトレジスト組成物を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために、本発明は、(A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤、(C)尿素にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物を含む架橋剤、および(E)炭素数7〜10のアルキル基を有する第3級脂肪族アミンを含有してなり、基板上に下層膜を設け、該下層膜上にネガ型ホトレジスト組成物からなるホトレジスト膜を設け、該ホトレジスト膜を選択的露光後、該下層膜と該ホトレジスト膜を同時に現像処理するパターン形成方法に用いられるネガ型ホトレジスト組成物であって、前記アルカリ可溶性樹脂(A)が、ヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体であり、該共重合体におけるヒドロキシスチレンとスチレンとの割合(ヒドロキシスチレン:スチレン)は90〜70:10〜30の範囲内であり、前記酸発生剤(B)が、下記一般式(I)で表されるスルフォニウム塩、および下記一般式( II )で表されるヨードニウム塩からなる群から選ばれるオニウム塩を含むことを特徴とするネガ型ホトレジスト組成物である。
【化1】
(式中、X − はC n F 2n + 1 SO 3 − であり、nは1〜10の整数を表し、R 1 〜R 5 は、それぞれ独立に、下記化学式 ( 1 ) 〜(4)で表される置換基からなる群から選ばれる置換基である。)
【化2】
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明について詳細に説明する。
[アルカリ可溶性樹脂(A)]
本発明において用いられるアルカリ可溶性樹脂(A)としては、アルカリ現像液に可溶なもので、また架橋剤成分との相互作用によりアルカリ可溶となるものでよく、これまでネガ型化学増幅型のアルカリ可溶性樹脂成分として用いられているものの中から任意に選ぶことができる。例えば、ノボラック、ポリヒドロキシスチレン、ヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体等を好ましく用いることができる。ヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合におけるヒドロキシスチレンとスチレンの割合(ヒドロキシスチレン:スチレン)は90〜70:10〜30の範囲内が好ましい。
前記ポリヒドロキシスチレンの、水酸基の水素原子の3〜40モル%がアルカリ不溶性基で置換され、アルカリ可溶性が抑制されているものでもよい。また前記ヒドロキシスチレン−スチレン共重合体におけるヒドロキシスチレンの、水酸基の水素原子の5〜30モル%がさらにアルカリ不溶性基で置換され、アルカリ可溶性が抑制されているものでもよい。
【0013】
上記のアルカリ不溶性基とは、未置換のアルカリ可溶性樹脂のアルカリ溶解性を低下させる置換基であり、例えば、tert−ブトキシカルボニル基、tert−アミルオキシカルボニル基などの第三級アルコキシカルボニル基、メチル基、エチル基、n−プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、イソブチル基などの低級アルキル基がある。これらの中で、レジストパターニングが施される周辺環境の影響を受けにくく、良好なレジストパターンが得られることから、低級アルキル基、特にイソプロピル基が好ましい。これらの中でも、分散度1〜2.5のヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体が適度なアルカリ溶解性を有し、ネガ型ホトレジスト組成物の溶解速度を調製しやすいので特に好ましい。
【0014】
アルカリ可溶性樹脂(A)の質量平均分子量(ポリスチレン換算、以下同様)は1000〜10000が好ましく、特にKrF、電子線(EB)の化学増幅型ネガ型レジストにおいては2000〜4000がより好ましい。
【0015】
[酸発生剤成分(B)]
本発明における酸発生剤成分(B)としては、カチオンが親水性基を有していないオニウム塩が用いられる。
まず、このオニウム塩のアニオンとしては、公知のアニオンでよく、限定されるものではないが、発生する酸の強度が強い、フッ素化アルキルスルホン酸イオンが好ましい。すなわち、アルキル基の水素原子の一部又は全部がフッ素化されたフルオロアルキルスルホン酸イオンである。アルキル基の炭素数が長くなるほど、またアルキル基のフッ素化率(アルキル基中のフッ素原子の割合)が小さくなるほどスルホン酸としての強度が落ちることから、炭素数1〜10のアルキル基の水素原子の全部がフッ素化されたフッ素化アルキルスルホン酸がより好ましい。特に好ましくは、パーフルオロメタンスルホン酸イオン、パーフルオロブタンスルホン酸イオンが酸の強度、レジスト膜中の適度な拡散性に優れ好ましい。
【0016】
他方、該アニオンと塩を形成するカチオンは、従来この種の酸発生剤において通常用いられているものの中から親水性基を有していないものを選んで用いることができる。ここでの親水性基とは、具体的には水酸基(−OH)、カルボキシル基(−COOH)、アルコキシ基(−OR)等である。このような親水性基を有していないカチオンを有するオニウム塩を用いることにより、そのネガ型ホトレジスト組成物から形成されるホトレジスト膜の現像液に対する溶解速度を遅くすることができ、下層膜と該ホトレジスト膜を同時に現像処理して形成されるパターンの良好な解像性を得ることができる。
【0017】
酸発生剤成分(B)として好適に用いられるオニウム塩の具体例としては、上記一般式(I)で表されるスルフォニウム塩、上記一般式(II)で表されるヨードニウム塩が挙げられる。
【0019】
上記一般式(I)および(II)において、X−は前記アニオンを表し、例えばC n F 2n + 1 SO3 −である。(nは1〜10の整数を表す。)
また、R1〜R5は、それぞれ独立に親水性を有しない置換基を表し、好適な具体例としては、上記化学式(1)〜(4)で表される置換基である。R1〜R3は互いに異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。R4とR5は互いに異なっていてもよいが、同一であることが好ましい。
【0021】
(B)成分としてのオニウム塩は、いずれか1種を単独で用いてもよいし、2種以上組み合わせて用いてもよい。
本発明のネガ型ホトレジスト組成物における(B)成分の含有量は、(A)成分100質量部当り0.5〜20質量部が好ましく、より好ましくは5〜15質量部である。これよりも(B)成分の量が少ないとパターンが形成されないし、またこれよりも(B)成分の量が多くなると、焦点深度幅が狭くなったり、保存安定性が劣化するおそれがある。
【0022】
[架橋剤成分(C)]
架橋剤成分(C)としては、公知の化学増幅型のネガ型ホトレジストの架橋剤として通常使用されているもの、例えばヒドロキシアルキル基及び低級アルコキシアルキル基から選ばれる少なくとも1個の架橋形成基を有するものの中から任意に選ぶことができ、特に制限はない。
このような架橋剤としては、例えばメラミン、アセトグアナミン、ベンゾグアナミン、尿素、エチレン尿素、グリコールウリルなどのアミノ基含有化合物にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物、具体的にはヘキサメトキシメチルメラミン、ビスメトキシメチル尿素、ビスメトキシメチルビスメトキシエチレン尿素、テトラキスメトキシメチルグリコールウリル、テトラキスブトキシメチルグリコールウリルなどを挙げることができる。
これらの中でも、尿素にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物、例えばビスメトキシメチル尿素は、配合量に大きく左右されず良好なパターンが形成され、ネガ型ホトレジスト組成物の調製がしやすく特に好適に用いられる。
架橋剤成分(C)は、単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
【0023】
本発明のネガ型ホトレジスト組成物における(C)成分の含有量は、(A)成分100質量部当り、3〜50質量部が好ましく、より好ましくは10〜20質量部である。(B)成分の量がこれよりも少ないと、架橋形成が十分に進行せず、良好なレジストパターンが得られない。架橋剤(C)成分が上記の範囲より多いとレジスト組成物の保管中にパーティクルが発生するなど保存安定性や感度が経時的に劣化するおそれがある。
【0024】
[有機溶剤(D)]
本発明に係るネガ型ホトレジスト組成物は、前記(A)成分と前記(B)成分と前記(C)成分と、後述するその他の成分とを、有機溶剤(D)に溶解させて製造することができる。
有機溶剤(D)としては、各成分を溶解し、均一な溶液とすることができるものであればよく、従来、化学増幅型レジストの溶剤として公知のものの中から任意のものを1種又は2種以上適宜選択して用いることができる。
【0025】
有機溶剤(D)として、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、メチルイソアミルケトン、2−ヘプタノンなどのケトン類や、エチレングリコール、エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノアセテート、プロピレングリコール、プロピレングリコールモノアセテート、ジプロピレングリコール、又はジプロピレングリコールモノアセテートのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及びその誘導体や、ジオキサンのような環式エーテル類や、乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、ピルピン酸メチル、ピルピン酸エチル、メトキシプロピオン酸メチル、エトキシプロピオン酸エチルなどのエステル類などを挙げることができる。これらの有機溶剤は単独で用いてもよく、2種以上の混合溶剤として用いてもよい。本発明において、特に好ましい溶媒としては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、プロピレングリコール又はジプロピレングリコールのモノメチルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエーテル、モノブチルエーテル又はモノフェニルエーテル、乳酸メチル、乳酸エチルなどの親水性の溶媒を少なくとも含む単独又は上記他の溶媒との混合溶媒が挙げられる。
【0026】
本発明のネガ型ホトレジスト組成物における有機溶剤(D)の含有量は、該レジスト組成物の固形分濃度が3〜30質量%となる範囲で、得ようとするレジスト膜の膜厚に応じて適宜設定されることが好ましい。
【0027】
[その他の成分]
本発明のネガ型ホトレジスト組成物においては、前記した(A)成分、(B)成分及び(C)成分に加えて、所望に応じさらにレジストパターン形状、引き置き経時安定性などを向上させるために、クエンチャー成分としてのアミン(E)や、(E)成分の添加による感度劣化や基板依存性等の向上の目的で、さらに任意成分として、有機カルボン酸やリンのオキソ酸若しくはその誘導体などの有機酸(F)を含有させることができる。これらは、化学増幅型ネガ型ホトレジストに慣用されている添加成分である。
【0028】
(E)成分としてはアミンが好適に用いられ、具体例としては、第2級脂肪族アミンや第3級脂肪族アミンを含有させることができる。
ここで、脂肪族アミンとは炭素数10以下のアルキルまたはアルキルアルコールのアミンを言い、この第2級や第3級アミンの例としては、トリメチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ジ−n−プロピルアミン、トリ−n−プロピルアミン、トリイソプロピルアミン、トリブチルアミン、トリペンチルアミン、トリオクチルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられるが、特に炭素数7〜10のアルキル基を有する第3級脂肪族アミンが好ましく、それらの中でもトリオクチルアミンが最も好ましい。
この(E)成分は、(A)成分100質量部当り0.01〜1.0質量部の割合で用いるのが好ましい。
【0029】
(F)成分の有機カルボン酸としては、例えば、マロン酸、クエン酸、リンゴ酸、コハク酸、安息香酸、サリチル酸などが好適である。また、リンのオキソ酸若しくはその誘導体としては、リン酸、亜リン酸、リン酸−ジ−n−ブチルエステル、リン酸ジフェニルエステルなどのリン酸又は亜リン酸若しくはそれらのエステルのような誘導体、ホスホン酸、ホスホン酸ジメチルエステル、ホスホン酸−ジ−n−ブチルエステル、フェニルホスホン酸、ホスホン酸ジフェニルエステル、ホスホン酸ジベンジルエステルなどのホスホン酸及びそれらのエステルのような誘導体、ホスフィン酸、フェニルホスフィン酸などのホスフィン酸及びそれらのエステルのような誘導体が挙げられ、これらの中で特にフェニルホスホン酸が好ましい。
これらの(F)成分は、(A)成分100質量部当り0.01〜1.0質量部の割合で用いるのが好ましい。
これらの(E)成分や(F)成分はそれぞれ単独で用いてもよいし、両者を一緒に用いてもよい。(E)成分、(F)成分を使用することによりレジストパターントップ部分が形成されやすくなり、エッジラフネス低減の効果が得られる。
【0030】
本発明に係るネガ型ホトレジスト組成物には、さらに所望により混和性のある添加剤、例えばレジスト膜の性能を改良するための付加的樹脂、塗布性を向上させるための界面活性剤、可塑剤、安定剤、着色剤、ハレーション防止剤などを適宜、添加含有させることができる。
【0031】
本発明におけるネガ型ホトレジスト組成物は、親水性基を有していないカチオンを有するオニウム塩を用いることにより、そのネガ型ホトレジスト組成物から形成されるホトレジスト膜の現像液に対する溶解性を遅くすることができる。その溶解性は、該ネガ型ホトレジスト組成物からなるホトレジスト膜の現像処理に使用される現像液による溶解速度で評価することができる。従来のネガ型ホトレジストにおける該溶解速度は、約500nm/sec(秒)程度であるが、このような溶解速度が早いホトレジストでは、解像性が不十分である。
本発明においては、上記特定のオニウム塩を用いることにより、溶解速度をおとすことができ、これにより解像性が向上し、また良好なパターン形状が得られる。本発明のネガ型ホトレジスト組成物の該溶解速度は、3.0〜40.0nm/secであることが好ましく、より好ましい範囲は7.0〜13.0nm/secであり、最も好ましい範囲は8.0〜10.0nm/secである。
現像液としては、例えば、濃度2.38質量%のTMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド)、トリメチルモノエチルアンモニウムハイドロオキサイド、ジメチルジエチルアンモニウムハイドロオキサイド、モノメチルトリエチルアンモニウムハイドロオキサイド等の水溶液が好適に用いられるが、本発明において、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドの水溶液が好ましい。
【0032】
ここで、本明細書におけるネガ型ホトレジスト組成物の溶解速度の値は、具体的には次のようにして求めた値である。まず、シリコンウェーハ上に本発明のホトレジスト組成物を塗布し、プリベークしてホトレジスト膜を形成する。次に該ホトレジスト膜の膜厚を測定した後、このウェーハを、23℃、2.38質量%のTMAH現像液に浸す。そして、ホトレジスト膜が完全に溶解する時間を測定し、これより単位時間当りのホトレジスト膜の膜減り量(nm/sec)を求める。このようにして求めたホトレジスト膜の膜減り量が本明細書におけるホトレジスト組成物の溶解速度である。
【0033】
本発明のネガ型ホトレジスト組成物を用いたパターンの形成方法について説明する。本発明のレジスト組成物は、被エッチング膜が磁性膜であるイオン性エッチング用のパターン形成に好適に用いることができる。イオン性エッチングとしては、イオンミリング等の異方性エッチングが挙げられる。
本発明のネガ型ホトレジスト組成物を用いたパターン形成およびイオン性エッチングは前述の図1に示した手順と同様にして、リフトオフ法により、またリフトオフ法でない下層膜を設けない方法でも行うことができる。典型的なリフトオフ法について、以下に説明する。
【0034】
基板1は特に限定されず、シリコンウェーハ等が用いられる。基板1には、例えばヘキサメチルジシラザン(HMDS)等のシランカップリング剤を用いて表面改質処理を行ってもよい。
基板1上の磁性膜2’に用いられる磁性体としては、公知慣用のものでよいが、例えば、Ni,Co,Cr,Pt等の元素を含むものが用いられる。
磁性膜上2’の下地膜(下層膜)を形成するための塗布液としては、例えばシプレー社製のポリメチルグルタルイミド(polymethylglutarimide 以下PMGIと略す)が用いられ、該塗布液をスピンコーターによって塗布し、乾燥して下層膜3’を形成する。下層膜3’の厚さは10〜100nm、好ましくは30〜80nm程度が好適である。
【0035】
下層膜3’上のレジスト膜4’は、本発明のネガ型レジスト組成物をスピンナーなどで塗布した後、プレベーク(PAB処理)することによって形成する。プレベーク条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚などによって異なるが、通常は70〜150℃で、好ましくは80〜140℃で、0.5〜60分間程度である。レジスト膜4’の厚さは50〜10000nm、好ましくは、100〜2000nm程度が好適である。
【0036】
本発明にかかるネガ型ホトレジスト組成物は、248nmに感度を有するのでKrFエキシマレーザーで露光できるとともに、電子線にも感度を有しており、電子線リソグラフィにも適用可能である。
すなわちレジスト膜4’の選択的露光はマスクを介してKrFエキシマレーザーを用いて行ってもよく、電子線(EB)を用いて行ってもよく、両者を組み合わせて行ってもよい。特に微細なパターンは電子ビームで直接描画する方法が好ましい。なお、本発明における選択的露光とは、上記したマスクを介した露光と描画ともに含むものである。また、例えば、比較的幅広の部分と線幅が小さい部分とが混在するパターン形状の場合に、幅広の部分をKrFエキシマレーザーを用いて選択的に露光し、線幅が小さい部分を電子線で直接描画することも可能である。
【0037】
露光工程後のPEB(露光後加熱)工程における加熱条件は、組成物中の各成分の種類、配合割合、塗布膜厚などによって異なるが、通常は80〜160℃で、好ましくは90〜130℃で、0.5〜10分間程度である。
そして、PEB工程後に、前記に挙げた現像液を用いて現像処理を行うことによって、レジスト膜4’の所定の範囲(未露光部)が現像されてレジストパターン4が形成されると同時に、レジスト膜4’の露光部の下および未露光部の縁部の下に位置する下地膜(下層膜)3’もアルカリ現像液によって一緒に除去され、断面羽子板状のリフトオフ用のパターン5が得られる。
現像時間は、所望のレジストパターン形状が得られるように設定することができるが、短すぎるとパターンが裾引きとなったり、未露光部やその他の部分で溶け残りが起きたりするし、長すぎると膜減りが起こるので、好ましくは25〜180秒間の範囲内とするのが好ましく、最も好ましいのは30〜120秒間の範囲内とするのが良い。
【0038】
本発明のネガ型ホトレジスト組成物は、酸発生剤(B)としてカチオンが親水性基を有していないオニウム塩が用いられ、ホトレジスト膜のアルカリ溶解性を抑制している。これにより、解像性が向上するほか、該ネガ型ホトレジスト組成物からなるレジスト膜(上層)を現像する工程において、その下の下層膜が溶解する速度も抑えられる。
したがって、従来のホトレジスト組成物では、下層膜のパターンの幅が、レジスト膜(上層)のレジストパターンよりも狭く形成される断面羽子板状のリフトオフ用レジストパターンにあっては、レジストパターン(上層)の幅を狭くしたときに下層膜のパターンの幅が狭くなりすぎてパターン倒れが生じるおそれがあるが、本発明によれば、下層膜の溶解速度が抑えられるので、上層の現像時に下層膜が過度に溶解されて幅が小さくなりすぎるのを防止することができ、パターン倒れの発生を抑えつつ、レジストパターン(上層)の微細化に対応することができる。
また、下層膜が溶解する速度が抑えられるので、現像液に可溶な下層膜の現像マージンが向上する。すなわち、下層膜の好ましいパターン幅の範囲に対して、この範囲の幅を得るための現像時間(現像マージン)を長く伸ばすことができる。
また、特に(B)成分にオニウム塩を用いたことにより、感度マージンを効果的に向上させることができ、レジストパターンの矩形性も向上させることができる。
したがって、かかるネガ型ホトレジスト組成物を用いることにより、解像性の高いリフトオフ用レジストパターンを形成することができ、パターン寸法の面内均一性も向上させることができる。
【0039】
また本発明のネガ型ホトレジスト組成物は現像液による溶解速度が3.0〜40.0nm/sec程度に抑えられているので、該ネガ型ホトレジスト組成物からなるレジスト膜(上層)を現像する工程において、その下の下層膜が溶解する速度が抑えられる。したがって、上層の現像時に下層膜が過度に溶解されて幅が小さくなりすぎるのを防止することができ、パターン倒れの発生を抑えつつ、レジストパターン(上層)の微細化に対応することができる。
また、下層膜が溶解する速度が抑えられるので、現像液に可溶な下層膜の現像マージンが向上する。
したがって、かかるネガ型ホトレジスト組成物を用いることにより、解像性の高いリフトオフ用レジストパターンを形成することができ、パターン寸法の面内均一性も向上させることができる。
【0040】
【実施例】
以下本発明の実施例を説明するが、本発明の範囲はこれらの実施例に限定されるものではない。
[実施例1]
<ネガ型レジスト組成物の調製>
下記の(A)成分、(B)成分、(C)成分、(E)成分、(F)成分、およびその他の成分を(D)成分に均一に溶解し、ネガ型ホトレジスト組成物を調製した。
【0041】
(A)成分としては、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位80モル%と、スチレンから誘導される構成単位20モル%からなる分散度2.0の共重合体100質量部を用いた。この(A)成分の質量平均分子量は3600であった。
(B)成分としては、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホネートを(A)成分100質量部に対して、3.0質量部用いた。
(C)成分としては、ビスメトキシメチル尿素(製品名:N−8314、三和ケミカル社製)を、(A)成分100質量部に対して、10.0質量部用いた。
(D)成分としては、プロピレングリコールモノメチルエーテルを(A)成分100重量部に対して、1800質量部を用いた。
(E)成分としては、トリオクチルアミン0.48質量部を用いた。
(F)成分として、サリチル酸0.15質量部を用いた。
その他の成分として、フッ素系界面活性剤(製品名XR104、大日本インキ化学工業社製)を0.1質量部用いた。
得られたネガ型レジスト組成物の溶解速度は8.0nm/secであった。
【0042】
予め、HMDSで表面改質処理されたシリコンウェーハ上に、PMGI(製品名:SFG 2F、マイクロケム社製)をスピンコーターで塗布し、180℃、300秒の加熱条件で乾燥させて、厚さ65nmの下層膜を形成した。
該下層膜上に、上記で調製したネガ型レジスト組成物をスピンナーで塗布し、110℃、90秒の条件でプレベークすることにより、厚さ200nmのレジスト膜を形成した。
次いで、電子ビーム描画装置(製品名:HL−800D、HITACHI社製)を50kVの設定で用い、描画を行った。
続いて、120℃、90秒の条件でPEB処理を行った後、現像液として濃度2.38質量%のTMAHを基板上に滴下して30秒間現像処理し、続いてリンス処理を行って、幅100nmの孤立パターンを形成した。
【0043】
得られたレジストパターンは断面羽子板状で、パターン倒れは生じていなかった。さらには、感度マージンが広く、またレジストパターンの膜減りは生じておらず、矩形性が良好であった。
また、EB露光で、アイソレートラインの極限解像度は50nmであった。
【0044】
[比較例1]
(A)成分としては、ヒドロキシスチレンから誘導される構成単位85モル%と、スチレンから誘導される構成単位15モル%からなる分散度2.0の共重合体100質量部を用いた。この(A)成分の質量平均分子量は3600であった。
(B)成分としては、親水性基を持つオニウム塩として下記式(III)で表される酸発生剤(NDS−105、みどり化学社製)を(A)成分100質量部に対して、1.5質量部用いた。
(C)成分、(D)成分、(E)成分、および(F)成分の構成は実施例1と同じとした。その他の成分として、フッ素系界面活性剤(製品名XR104、大日本インキ化学工業社製)を0.1質量部用いた。
得られたネガ型レジスト組成物の溶解速度は50nm/secであった。
得られたネガ型ホトレジスト組成物を用い、実施例1と同様にしてレジストパターンを形成した。得られたアイソレートラインは250nmであった。また、得られたレジストパターンは膜減りが大きく、感度マージンが小さかった。
【0045】
【化3】
【0046】
[比較例2]
(B)成分をα−(メチルスルホニルオキシイミノ)−p−メトキシフェニルアセトニトリル1.0質量部に変更した以外は実施例1と同様にネガ型レジスト組成物を調製した。得られたネガ型レジスト組成物の溶解速度は50nm/secであった。
得られたネガ型ホトレジスト組成物を用い、実施例1と同様にしてレジストパターンを形成した。得られたアイソレートラインは250nmであった。また、得られたレジストパターンは膜減りが大きく、感度マージンが小さかった。
【0047】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、解像性が良好であり、リフトオフ用のパターンを形成する方法に適用可能で、磁気ヘッド、GMR素子等の電子素子の形成にも好適に用いることができるネガ型ホトレジスト組成物が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 リフトオフ用レジストパターンを用いたパターニング工程を工程順に示した模式断面図である。
【符号の説明】
1・・基板、2・・磁性膜、3・・下層膜、4・・レジスト膜、5・・レジストパターン、6・・電極膜、10・・磁気ヘッド。
Claims (6)
- (A)アルカリ可溶性樹脂、(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤、(C)尿素にホルムアルデヒド又はホルムアルデヒドと低級アルコールを反応させ、該アミノ基の水素原子をヒドロキシメチル基又は低級アルコキシメチル基で置換した化合物を含む架橋剤、および(E)炭素数7〜10のアルキル基を有する第3級脂肪族アミンを含有してなり、
基板上に下層膜を設け、該下層膜上にネガ型ホトレジスト組成物からなるホトレジスト膜を設け、該ホトレジスト膜を選択的露光後、該下層膜と該ホトレジスト膜を同時に現像処理するパターン形成方法に用いられるネガ型ホトレジスト組成物であって、
前記アルカリ可溶性樹脂(A)が、ヒドロキシスチレンとスチレンとの共重合体であり、該共重合体におけるヒドロキシスチレンとスチレンとの割合(ヒドロキシスチレン:スチレン)は90〜70:10〜30の範囲内であり、
前記酸発生剤(B)が、下記一般式(I)で表されるスルフォニウム塩、および下記一般式( II )で表されるヨードニウム塩からなる群から選ばれるオニウム塩を含むことを特徴とするネガ型ホトレジスト組成物。
- 前記基板上に磁性膜を設け、さらに該磁性膜上に前記下層膜を設けることを特徴とする請求項1に記載のネガ型ホトレジスト組成物。
- 前記酸発生剤(B)が、パーフルオロメタンスルホン酸イオンをアニオンとするオニウム塩である請求項1または2に記載のネガ型ホトレジスト組成物。
- 前記架橋剤(C)が、ビスメトキシメチル尿素であることを特徴とする請求項1に記載のネガ型レジスト組成物。
- さらに(F)有機酸を含有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか一項に記載のネガ型レジスト組成物。
- 前記選択的露光に電子線が用いられることを特徴とする請求項1〜5のいずれか一項に記載のネガ型ホトレジスト組成物。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003162060A JP3710795B2 (ja) | 2003-05-16 | 2003-06-06 | ネガ型ホトレジスト組成物 |
US10/556,297 US20060281023A1 (en) | 2003-05-16 | 2004-05-13 | Negative photoresist composition |
TW093113498A TWI304920B (en) | 2003-05-16 | 2004-05-13 | Negative photoresist composition |
GB0521650A GB2415790C (en) | 2003-05-16 | 2004-05-13 | Negative photoresist composition |
PCT/JP2004/006812 WO2004102275A1 (ja) | 2003-05-16 | 2004-05-13 | ネガ型ホトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003138873 | 2003-05-16 | ||
JP2003162060A JP3710795B2 (ja) | 2003-05-16 | 2003-06-06 | ネガ型ホトレジスト組成物 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004229783A Division JP3828128B2 (ja) | 2003-05-16 | 2004-08-05 | ネガ型ホトレジスト組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005037414A JP2005037414A (ja) | 2005-02-10 |
JP3710795B2 true JP3710795B2 (ja) | 2005-10-26 |
Family
ID=33455490
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003162060A Expired - Lifetime JP3710795B2 (ja) | 2003-05-16 | 2003-06-06 | ネガ型ホトレジスト組成物 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20060281023A1 (ja) |
JP (1) | JP3710795B2 (ja) |
GB (1) | GB2415790C (ja) |
TW (1) | TWI304920B (ja) |
WO (1) | WO2004102275A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4322097B2 (ja) * | 2003-11-14 | 2009-08-26 | 東京応化工業株式会社 | El表示素子の隔壁、およびel表示素子 |
JP5439030B2 (ja) * | 2009-05-18 | 2014-03-12 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物の検査方法及び調製方法 |
JP5584573B2 (ja) | 2009-12-01 | 2014-09-03 | 信越化学工業株式会社 | ネガ型レジスト組成物及びパターン形成方法 |
JP2012208396A (ja) * | 2011-03-30 | 2012-10-25 | Fujifilm Corp | レジストパターンの形成方法およびそれを用いたパターン化基板の製造方法 |
JP6274445B2 (ja) | 2013-01-09 | 2018-02-07 | 日産化学工業株式会社 | レジスト下層膜形成組成物 |
CN111512228A (zh) | 2017-12-28 | 2020-08-07 | 默克专利有限公司 | 包含碱溶性树脂和交联剂的负型剥离抗蚀剂组合物以及在衬底上制造金属膜图案的方法 |
WO2020234222A1 (en) | 2019-05-20 | 2020-11-26 | Merck Patent Gmbh | A negative tone lift off resist composition comprising an alkali soluble resin and a photo acid generator, and a method for manufacturing metal film patterns on a substrate. |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4567132A (en) * | 1984-03-16 | 1986-01-28 | International Business Machines Corporation | Multi-level resist image reversal lithography process |
US5206116A (en) * | 1991-03-04 | 1993-04-27 | Shipley Company Inc. | Light-sensitive composition for use as a soldermask and process |
JP3637723B2 (ja) * | 1997-03-12 | 2005-04-13 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
JP2000089471A (ja) * | 1998-09-14 | 2000-03-31 | Sharp Corp | レジストパターンの形成方法 |
US6638684B2 (en) * | 1999-08-31 | 2003-10-28 | Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. | Photosensitive laminate, process for forming resist pattern using same and positive resist composition |
JP4161497B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2008-10-08 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
JP2002131909A (ja) * | 2000-10-23 | 2002-05-09 | Fujitsu Ltd | 電離放射線レジスト組成物とその使用方法 |
JP4645789B2 (ja) * | 2001-06-18 | 2011-03-09 | Jsr株式会社 | ネガ型感放射線性樹脂組成物 |
US6815358B2 (en) * | 2001-09-06 | 2004-11-09 | Seagate Technology Llc | Electron beam lithography method for plating sub-100 nm trenches |
-
2003
- 2003-06-06 JP JP2003162060A patent/JP3710795B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-13 GB GB0521650A patent/GB2415790C/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-05-13 WO PCT/JP2004/006812 patent/WO2004102275A1/ja active Application Filing
- 2004-05-13 TW TW093113498A patent/TWI304920B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-05-13 US US10/556,297 patent/US20060281023A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200426508A (en) | 2004-12-01 |
WO2004102275A1 (ja) | 2004-11-25 |
GB2415790C (en) | 2007-09-14 |
GB0521650D0 (en) | 2005-11-30 |
JP2005037414A (ja) | 2005-02-10 |
GB2415790B (en) | 2007-08-08 |
GB2415790A (en) | 2006-01-04 |
US20060281023A1 (en) | 2006-12-14 |
TWI304920B (en) | 2009-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7129020B2 (en) | Liquid coating composition for forming a top antireflective film and photoresist laminate using the same, as well as method for forming photoresist pattern | |
US20050266346A1 (en) | Method for forming photoresist pattern and photoresist laminate | |
KR100415733B1 (ko) | 네가티브형 포토레지스트조성물 | |
WO2005091073A1 (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
JP2002072480A (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP2001215734A (ja) | レジストパターンの表面欠陥減少方法及びそれに用いる表面欠陥減少用処理液 | |
JP3761322B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型ホトレジスト | |
JP3710795B2 (ja) | ネガ型ホトレジスト組成物 | |
JP3711198B2 (ja) | レジストパターンの形成方法 | |
JP2004302434A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
JP3828128B2 (ja) | ネガ型ホトレジスト組成物 | |
US6548229B2 (en) | Positive-working chemical-amplification photoresist composition and method for forming a resist pattern using the same | |
JP2001056558A (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法 | |
JP2002323774A (ja) | 化学増幅型レジストパターンディフェクト低減用処理剤及びそれを用いるレジストパターン形成方法 | |
JP3973151B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト組成物 | |
JP2003322970A (ja) | ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法 | |
JP4080784B2 (ja) | レジスト用現像液及びそれを用いたレジストパターン形成方法、並びにレジスト用現像原液 | |
JP4271490B2 (ja) | ネガ型レジスト組成物 | |
JP4757532B2 (ja) | 電子線用ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
US20050042544A1 (en) | Positive-working chemical-amplification photoresist composition | |
JP4514347B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型ホトレジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法 | |
JP2006309051A (ja) | g線、i線、KrFエキシマレーザーおよび電子線から選ばれる少なくとも2種の露光光源を用いて露光する工程に用いられるポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法 | |
JP3722349B2 (ja) | 化学増幅型ポジ型レジスト用アクリル系樹脂組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050415 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050810 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3710795 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080819 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090819 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100819 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100819 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110819 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120819 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120819 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130819 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140819 Year of fee payment: 9 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |