JP3624065B2

JP3624065B2 - Substrate transport apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and exposure apparatus

Info

Publication number: JP3624065B2
Application number: JP33305996A
Authority: JP
Inventors: 光司丸茂
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-11-29
Filing date: 1996-11-29
Publication date: 2005-02-23
Anticipated expiration: 2016-11-29
Also published as: JPH10163302A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
半導体露光装置では、露光光源から光をレチクルに照射し、その照射されたレチクルのパターンの像を基板（ウエハ）上のフォトレジストに投影して露光する。
【０００３】
ＬＳＩの製造を行うためには、何種類ものレチクルのパターンを基板上に露光することになる。したがって、同じ基板の同じ位置に別の種類のレチクルパターンを露光することになるので、基板上のアライメントマークとレチクルのアライメントマークの位置決め（アライメント）を行った後に露光が行われる。
【０００４】
従来、アライメントは、ウエハが次のようにオリエンテーションフラット検知ステーション（以降ＯＦＳステーションと呼ぶ）でオリエンテーションフラット検知（以降オリ検と呼ぶ）され、そしてウエハチャック上に搬送された後に行われていた。
【０００５】
以下、従来例の説明を図７を用いて行う。まず、キャリヤ（不図示）に収納されたウエハ１をＯＦＳステーション２に搬送し、ここでオリエンテーションフラット３の位置合わせが行われる。この位置合わせは、ウエハ１をＰＡチャック４で保持した後、ＰＡθステージ５によってウエハ１を回転させながらウエハ１のエッジの位置をＰＡ光学系６ａ〜６ｃによって検出し、オリエンテーションフラット３の位置および、ウエハ１の偏心量を演算し、ＰＡＸステージ９、ＰＡＹステージ１０、ＰＡθステージ５によって所定位置に位置決めすることによって行われる。この動作をオリ検と呼ぶ。
【０００６】
その後、ウエハ１を、基板保持手段（ハンド１１）で保持し、ガイド１２に沿って不図示のモータによって、ウエハステージ（露光ステージ）上のウエハチャック１３まで搬送する。この後、ウエハ１上の不図示のプリアライメントマーク２つを、不図示のプリアライメントスコープによって観察し、プリアライメントを行う。プリアライメントではファインアライメントが可能な精度まで追い込む。オリ検が終了したウエハ１上の１００ｍｍ程度離れた２つのプリアライメントマークは、プリアライメントスコープの視野内（Ｘ，Ｙ方向共に数百μｍの範囲内）で検出可能となる。ここでプリアライメントを行うと、ショットの周囲のスクライブライン上のアライメントマークの位置で数μｍ程度まで位置合わせができる。このような、２つのマークをファインアライメントができる精度まで追い込む動作を、パターンプリと呼ぶことにする。
【０００７】
以上のパターンプリの動作が終了した後、ウエハ１上のアライメントマークとレチクルのアライメントマークの位置決め（ファインアライメント）を行うことにより、所望の重ね合わせ精度で各レイヤーを露光することが可能となる。
【０００８】
ここで、ウエハサイズが６〜８インチを境に、搬送系がキャリヤからウエハを取り出してからオリ検が終了するまでの時間の方が、ウエハステージ上でウエハを露光する時間よりも長くなる。つまり、ウエハサイズが８インチより大きくなると、搬送系の待ち時間が増すことになる。そこで、近年スループットを向上するため、本来不図示のウエハステージ上で行っていたパターンプリを、搬送系の待ち時間にＯＦＳステーションで行うことが検討されている。この種の装置として関連するものには、例えば、特開平３−１０２８４７号公報のものが挙げられる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、この場合以下のような欠点があった。ＯＦＳステーション２でオリ検およびパターンプリを行ったウエハ１を、ハンド１１でウエハチャック１３上に搬送するまでには、以下の搬送誤差が含まれる。
【００１０】
１．ＯＦＳステーション２からウエハ１をハンド１１に受け渡すときの受け渡しずれ
２．ハンド１１によるＯＦＳステーション２からウエハチャック１３までの搬送誤差
３．ハンド１１からウエハチャック１３にウエハ１を受け渡すときの受け渡しずれ
ＯＦＳステーションでパターンプリを行う場合には、以上の搬送誤差の総和がウエハステージ上でファインアライメントができる精度以内とならなければならない。通常ファインアライメントが可能な範囲は数μｍであるため、上記誤差を含んだ状態でウエハチャック１３にウエハ１を受け渡したとき、ファインアライメントができない可能性がある。搬送系の位置決め精度を十分向上させても、受け渡しだけで数μｍずつ誤差が生じた結果ファインアライメントが実行できない場合、再びパターンプリを行うことになり、本来のスループット向上の目的が達成できないことになる。
【００１１】
本発明の目的は、第１及び第２の受け渡し部と基板搬送装置との間の基板の受け渡しにより生じた基板の位置ずれの量を検出することができる基板搬送装置、半導体製造装置および露光装置を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
上記の目的を達成するため、本発明の基板搬送装置は、第１の受け渡し部にある基板を受け取って保持するとともに、前記基板を搬送して第２の受け渡し部へ受け渡す基板搬送装置において、前記第１及び第２の受け渡し部と前記基板搬送装置との間の前記基板の受け渡しにより生じた前記基板の位置ずれの量を検出するずれ検出手段を有することを特徴とする。
【００１３】
さらに、請求項８に係る発明は、上記の基板搬送装置を有することを特徴とする半導体製造装置である。
【００１４】
さらに、請求項９に係る発明は、上記の基板搬送装置を有することを特徴とする露光装置である。
【００１５】
【実施例】
実施例１
本発明の装置の第１の実施例を図１〜２に基づいて説明する。露光装置では、キャリヤ（不図示）に収納されたウエハ１のオリエンテーションフラット３の位置決め（オリ検）が、第１の受け渡し部である露光装置のアライメントステーション、すなわちＯＦＳステーション２で行われる（図１）。このオリ検は既に従来例で述べたように、ウエハ１をＰＡチャック４で保持した後、ＰＡθステージ５によってウエハ１を回転させながらウエハのエッジの位置をＰＡ光学系６ａ〜６ｃによって検出し、オリエンテーションフラット３の位置および、ウエハ１の偏心量を不図示の演算手段により演算し、ＰＡＸステージ９、ＰＡＹステージ１０、ＰＡθステージ５によって所定位置に位置決めする。
【００１６】
その後、ウエハ１上に所定の間隔で設けた不図示の２つのプリアライメント用マークの位置をプリアライメントスコープ１４ａ、１４ｂによって検出し、その検出結果に基づいてＸ，Ｙ，θをＰＡＸステージ９、ＰＡＹステージ１０、ＰＡθステージ５によって補正駆動してパターンプリアライメントする。この時の補正駆動は、この時点からウエハチャック１３にウエハ１を搬送し、ファインアライメントを行う位置まで移動したときの搬送誤差が０と仮定したときに、ファインアライメントマークがファインアライメントスコープの丁度中心になるようにする。ここで、ＯＦＳステーション２の位置とステージ上の相対位置関係は予め計測しておく。
【００１７】
プリアライメントを行った後、ファインアライメントを行うまでには、ＯＦＳステーション２からハンド１１でウエハを取る際と、ハンド１１から、第２の受け渡し部である露光装置の露光ステージ（ウエハステージ）に設けられたウエハチャック１３にウエハを受け渡す際の計２回の受け渡しずれが生じる。この受け渡しずれ量は数μｍ程度あり、２回の合計如何ではファインアライメントが出来なくなる可能性がある。したがって本実施例では、ハンド１１に、ウエハ１のエッジを検出するための基板受け渡しずれ検出手段を３組設ける。これは位置検出センサ１６ａ〜１６ｃおよび発光部１９ａ〜１９ｃからなる。
【００１８】
ずれ検出手段の配置としては、オリフラ３の位置に２組のずれ検出手段を設けてＹ方向とθ方向を検出し、もう一組のずれ検出手段をオリフラ３に対して９０°方向に配置し、Ｘ方向を検出する。これらずれ検出手段をＯＦＳステーション２方向から見た図が図２である。発光部１９ａ〜１９ｃからＬＥＤ光をウエハ１に向けて照らし、この光を、位置検出センサ１６ａ〜１６ｃ（ここではＣＣＤを用いる）上で検出する。この構成により、ウエハの位置ずれが生じると位置検出センサ１６ａ〜１６ｃで検出できる。したがって、ウエハ１の受け渡し前の位置および受け渡し後の位置を検出し、この検出値の差分によって、ずれ量を求めることができる。
【００１９】
ここまで、ウエハの受け渡しずれの計測方法について説明したが、以下にＯＦＳステーションにウエハを供給してからファインアライメントを行うまでの流れを図３のフローチャートによって説明する。
【００２０】
まず、オリ検によりウエハ１の位置決めをし（ａ）、次にパターンプリアライメントにより、この操作以降からウエハチャック（ＷＣ）１３までの搬送誤差が０の場合にファインアライメントスコープの中心にファインアライメントマークが来るよう、ウエハ１の位置決めをする（ｂ）。次に、ハンド１１をＯＦＳステーション２の位置に移動し（ｃ）、ＰＡチャック（ＰＡＣ）４上のウエハ１の位置を、ハンド１１上の位置検出センサ１６ａ〜１６ｃによって計測する（ｄ）。この計測値をＡとする。
【００２１】
次に、ＰＡチャック４上のウエハ１をハンド１１に受け渡し（ｅ）、この受け渡し後のウエハ１の位置を、ハンド１１上の位置検出センサ１６ａ〜１６ｃによって計測する（ｆ）。この計測値をＢとする。
【００２２】
次に、ハンド１１をウエハチャック１３の位置へ移動し（ｇ）、ハンド１１からウエハチャック１３にウエハ１を受け渡す（ｈ）。この受け渡し後のウエハ１の位置を、ハンド１１上の位置検出センサ１６ａ〜１６ｃによって計測する（ｉ）。この計測値をＣとする。
【００２３】
次に、ＡとＢの差分およびＢとＣの差分の両方の値から、ウエハの受け渡しのずれ量Ｄを求め（ｊ）、ウエハステージ（露光ステージ）上のウエハチャック１３を、ファインアライメント（Ｆ．Ａ．）計測が可能な位置に補正量Ｄを考慮して駆動する（ｋ）。そしてファインアライメント計測を行う（ｌ）。
【００２４】
以上の動作で、ファインアライメントを問題なく行うことができる。
【００２５】
ここで、位置検出センサとしてはＰＳＤ、４分割センサ等を用いてもよい。また、ハンド１１の位置決め精度はファインアライメントをする際に問題とならないスペックとする。
【００２６】
また、ここまでは、オリエンテーションフラットを有するウエハについて説明したが、ノッチタイプのウエハでも、図４に示すように位置検出センサ２２ａ、２２ｂによって同様に受け渡し前後のずれを検出することができる。
【００２７】
以上述べてきたようにウエハの位置検出センサによって、ウエハの受け渡し前後のずれ量を計測すれば、ＯＦＳステーションでプリアライメントまで終了したウエハをウエハステージ上で問題なくファインアライメントができる。したがって、ファインアライメントのための再計測（パターンプリ）を行う必要がないため、スループットが向上する。
【００２８】
また、オリ検終了からウエハチャックまでの基板搬送における精度向上が可能である。
【００２９】
実施例２
本発明の装置の第２の実施例を図５を用いて説明する。実施例１では、ウエハ位置検出センサ１６ａ〜１６ｃおよび発光部１９ａ〜１９ｃは共にハンド１１上に設けていた。本実施例でも、ウエハ位置検出センサ１６ａ〜１６ｃはハンド１１上に設けるが、発光部１９ａ〜１９ｃはウエハチャック１３上に設ける（図５）。また、ＯＦＳステーション２上にも同様に発光部を設ける（不図示）。
【００３０】
また図６では、図５に比べて発光部１９ａ〜１９ｃの方向を９０°変えて、ミラー２４ａ〜２４ｃで光を反射させる場合を示す。図５、図６どちらの態様を選択するかについては、実施する場合の装置のスペースを考慮して決定すればよい。
【００３１】
また今までは、搬送ハンドにウエハ位置検出センサを付けた例を説明したが、ハンドのスペースが少ない場合には、ＯＦＳステーションおよび、ウエハチャックまたはウエハステージ上にそれぞれ位置検出センサを設けることによって、基板の受け渡しずれを検出するのが有効である。
【００３２】
また、基板の受け渡しずれの検出に関して、搬送ハンドに位置検出センサを持つ場合には、それぞれの受け渡しステーションで受け渡し前後の値を検出しなくても、最初の受け渡しステーションでの受け渡し前の計測値と、最後の受け渡しステーションでの受け渡し後の計測値の２つの値を検出するようにしても良い。
【００３３】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明の装置によれば、第１及び第２の受け渡し部と基板搬送装置との間の基板の受け渡しにより生じた基板の位置ずれの量を検出することができる。
【００３４】
また、プリアライメント後のウエハチャックまでのウエハの搬送の誤差を見積もることもできる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１の装置の平面図。
【図２】搬送ハンドからウエハチャックへウエハを受け渡す時を、ＯＦＳステーション側から見た実施例１の図。
【図３】ＯＦＳステーションにウエハを供給してからファインアライメントを行うまでの実施例１のフロー。
【図４】ウエハがノッチタイプの場合の実施例１の装置の部分平面図。
【図５】搬送ハンドからウエハチャックへウエハを受け渡す時を、ＯＦＳステーション側から見た実施例２の図。
【図６】図５の発光部の方向を変えた例。
【図７】従来の装置の平面図。
【符号の説明】
１：ウエハ、２：ＯＦＳステーション、３：オリエンテーションフラット、４：ＰＡチャック、５：ＰＡθステージ、６ａ〜６ｃ：ＰＡ光学系、９：ＰＡＸステージ、１０：ＰＡＹステージ、１１：基板搬送ハンド、１２：ガイド、１３：ウエハチャック、１４ａ、１４ｂ：プリアライメントスコープ、１６ａ〜１６ｃ：基板位置検出センサ、１９ａ〜１９ｃ：発光部、２２ａ、２２ｂ：基板位置検出センサ、２４ａ〜２４ｃ：ミラー、２７：ノッチ、２８：ハンド保持面、２９ａ〜２９ｃ：ウエハチャックのピン。[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to a substrate transfer apparatus, a semiconductor manufacturing apparatus, and an exposure apparatus .
[0002]
[Prior art]
In a semiconductor exposure apparatus, a reticle is irradiated with light from an exposure light source, and an image of the pattern of the irradiated reticle is projected onto a photoresist on a substrate (wafer) for exposure.
[0003]
In order to manufacture an LSI, many types of reticle patterns are exposed on a substrate. Therefore, since another type of reticle pattern is exposed at the same position on the same substrate, exposure is performed after positioning (alignment) of the alignment mark on the substrate and the alignment mark of the reticle.
[0004]
Conventionally, the alignment is performed after the wafer is subjected to orientation flat detection (hereinafter referred to as orientation detection) at an orientation flat detection station (hereinafter referred to as OFS station) and transferred onto the wafer chuck as follows.
[0005]
Hereinafter, a conventional example will be described with reference to FIG. First, the wafer 1 accommodated in a carrier (not shown) is transferred to the OFS station 2 where the orientation flat 3 is aligned. In this alignment, after the wafer 1 is held by the PA chuck 4, the position of the edge of the wafer 1 is detected by the PA optical systems 6 a to 6 c while rotating the wafer 1 by the PAθ stage 5, and the position of the orientation flat 3 and This is done by calculating the amount of eccentricity of the wafer 1 and positioning it at a predetermined position by the PAX stage 9, PAY stage 10 and PAθ stage 5. This operation is called orientation detection.
[0006]
Thereafter, the wafer 1 is held by the substrate holding means (hand 11), and is conveyed along the guide 12 to the wafer chuck 13 on the wafer stage (exposure stage) by a motor (not shown). Thereafter, two pre-alignment marks (not shown) on the wafer 1 are observed with a pre-alignment scope (not shown) to perform pre-alignment. In pre-alignment, we will pursue the accuracy that enables fine alignment. Two pre-alignment marks that are about 100 mm apart on the wafer 1 after the orientation detection can be detected within the field of view of the pre-alignment scope (in the range of several hundred μm in both X and Y directions). When pre-alignment is performed here, alignment can be performed up to several μm at the position of the alignment mark on the scribe line around the shot. Such an operation for driving the two marks up to the precision with which fine alignment can be performed is referred to as a pattern pre.
[0007]
After the above pattern pre-operation is completed, each layer can be exposed with a desired overlay accuracy by positioning the alignment mark on the wafer 1 and the alignment mark of the reticle (fine alignment).
[0008]
Here, when the wafer size is 6 to 8 inches, the time from when the conveyance system takes out the wafer from the carrier until the orientation detection is completed is longer than the time for exposing the wafer on the wafer stage. That is, when the wafer size is larger than 8 inches, the waiting time of the transfer system increases. Therefore, in order to improve the throughput in recent years, it has been studied to perform the pattern pre, which was originally performed on the wafer stage (not shown), at the OFS station during the waiting time of the transfer system. An example of this type of apparatus is disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 3-102847.
[0009]
[Problems to be solved by the invention]
However, this case has the following drawbacks. Until the wafer 1 subjected to orientation detection and pattern pre-processing at the OFS station 2 is transferred onto the wafer chuck 13 by the hand 11, the following transfer errors are included.
[0010]
1. 1. Delivery deviation when the wafer 1 is delivered from the OFS station 2 to the hand 11. 2. Transport error from the OFS station 2 to the wafer chuck 13 by the hand 11 When pattern pre is performed at the transfer offset OFS station when the wafer 1 is transferred from the hand 11 to the wafer chuck 13, the total of the above transfer errors must be within the accuracy with which fine alignment can be performed on the wafer stage. Usually, the range in which fine alignment is possible is several μm, and therefore fine alignment may not be possible when the wafer 1 is delivered to the wafer chuck 13 with the error included. Even if the positioning accuracy of the transport system is sufficiently improved, if fine alignment cannot be performed as a result of an error of only a few μm due to delivery, pattern pre is performed again, and the original purpose of improving throughput cannot be achieved. Become.
[0011]
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a substrate transport apparatus , a semiconductor manufacturing apparatus, and an exposure apparatus that can detect the amount of substrate misalignment caused by the transfer of a substrate between the first and second transfer sections and the substrate transport apparatus. Is to provide .
[0012]
[Means for Solving the Problems]
To achieve the above object, the substrate transfer apparatus of the present invention is to receive and hold the substrate in the first transfer portion, the board conveying device to pass to the second transfer unit by conveying the substrate , characterized by having a deviation detecting means for detecting the amount of Re not a position of the substrate caused by the transfer of the substrate between the first and second transfer unit and the substrate transfer device.
[0013]
Furthermore, an invention according to claim 8 is a semiconductor manufacturing apparatus characterized by having the above-described substrate transfer apparatus.
[0014]
Furthermore, an invention according to claim 9 is an exposure apparatus comprising the above-described substrate transfer apparatus.
[0015]
【Example】
Example 1
A first embodiment of the apparatus of the present invention will be described with reference to FIGS. In the exposure apparatus, positioning (orientation detection) of the orientation flat 3 of the wafer 1 accommodated in a carrier (not shown) is performed at the alignment station of the exposure apparatus, that is, the OFS station 2, which is the first transfer section (FIG. 1). ). As already described in the conventional example, this orientation detection detects the position of the edge of the wafer by the PA optical systems 6a to 6c while the wafer 1 is rotated by the PAθ stage 5 after the wafer 1 is held by the PA chuck 4. The position of the orientation flat 3 and the amount of eccentricity of the wafer 1 are calculated by a calculation means (not shown) and positioned at a predetermined position by the PAX stage 9, the PAY stage 10, and the PAθ stage 5.
[0016]
Thereafter, the positions of two unaligned pre-alignment marks (not shown) provided on the wafer 1 at a predetermined interval are detected by the pre-alignment scopes 14a and 14b, and the X, Y, and θ are detected based on the detection results by the PAX stage 9, Pattern pre-alignment is performed by correction driving by the PAY stage 10 and the PAθ stage 5. The correction drive at this time is such that the fine alignment mark is exactly at the center of the fine alignment scope when it is assumed that the conveyance error is zero when the wafer 1 is transferred to the wafer chuck 13 and moved to the position where fine alignment is performed. To be. Here, the position of the OFS station 2 and the relative positional relationship on the stage are measured in advance.
[0017]
After pre-alignment and before fine alignment, the wafer 11 is taken from the OFS station 2 by the hand 11 and from the hand 11 to the exposure stage (wafer stage) of the exposure apparatus as the second delivery unit. When the wafer is transferred to the wafer chuck 13, the transfer deviation occurs twice. The amount of displacement is about several μm, and there is a possibility that fine alignment cannot be performed depending on the total of the two times. Therefore, in this embodiment, the hand 11 is provided with three sets of substrate transfer deviation detecting means for detecting the edge of the wafer 1. This includes position detection sensors 16a to 16c and light emitting units 19a to 19c.
[0018]
As for the arrangement of the deviation detecting means, two sets of deviation detecting means are provided at the position of the orientation flat 3 to detect the Y direction and the θ direction, and another set of deviation detecting means is arranged in the 90 ° direction with respect to the orientation flat 3. , X direction is detected. FIG. 2 is a view of these deviation detection means as viewed from the OFS station 2 direction. LED light is illuminated toward the wafer 1 from the light emitting units 19a to 19c, and this light is detected on position detection sensors 16a to 16c (here, CCDs are used). With this configuration, when the wafer is displaced, the position detection sensors 16a to 16c can detect it. Therefore, it is possible to detect the position of the wafer 1 before the transfer and the position after the transfer, and obtain the deviation amount based on the difference between the detected values.
[0019]
The method for measuring the wafer transfer deviation has been described so far, but the flow from supplying the wafer to the OFS station until performing fine alignment will be described with reference to the flowchart of FIG.
[0020]
First, the wafer 1 is positioned by the orientation test (a), and then by the pattern pre-alignment, when the transport error from this operation to the wafer chuck (WC) 13 is zero, the fine alignment mark is placed at the center of the fine alignment scope. The wafer 1 is positioned so as to come (b). Next, the hand 11 is moved to the position of the OFS station 2 (c), and the position of the wafer 1 on the PA chuck (PAC) 4 is measured by the position detection sensors 16a to 16c on the hand 11 (d). This measured value is A.
[0021]
Next, the wafer 1 on the PA chuck 4 is transferred to the hand 11 (e), and the position of the wafer 1 after the transfer is measured by the position detection sensors 16a to 16c on the hand 11 (f). Let this measurement value be B.
[0022]
Next, the hand 11 is moved to the position of the wafer chuck 13 (g), and the wafer 1 is transferred from the hand 11 to the wafer chuck 13 (h). The position of the wafer 1 after the delivery is measured by the position detection sensors 16a to 16c on the hand 11 (i). This measured value is C.
[0023]
Next, from the values of both the difference between A and B and the difference between B and C, a wafer transfer deviation amount D is obtained (j), and the wafer chuck 13 on the wafer stage (exposure stage) is subjected to fine alignment (F A.) Drive to a position where measurement is possible in consideration of the correction amount D (k). Fine alignment measurement is then performed (l).
[0024]
With the above operation, fine alignment can be performed without any problem.
[0025]
Here, a PSD, a quadrant sensor, or the like may be used as the position detection sensor. Further, the positioning accuracy of the hand 11 is set to a specification that does not cause a problem when fine alignment is performed.
[0026]
Further, the wafer having the orientation flat has been described so far, but even in the case of a notch type wafer, the position detection sensors 22a and 22b can similarly detect the deviation before and after the delivery as shown in FIG.
[0027]
As described above, by measuring the amount of deviation before and after wafer transfer by the wafer position detection sensor, fine alignment can be performed on the wafer stage without any problem on the wafer that has been pre-aligned at the OFS station. Accordingly, it is not necessary to perform re-measurement (pattern pre) for fine alignment, so that throughput is improved.
[0028]
In addition, it is possible to improve accuracy in substrate conveyance from the end of the orientation test to the wafer chuck.
[0029]
Example 2
A second embodiment of the apparatus of the present invention will be described with reference to FIG. In the first embodiment, the wafer position detection sensors 16 a to 16 c and the light emitting units 19 a to 19 c are both provided on the hand 11. In this embodiment, the wafer position detection sensors 16a to 16c are provided on the hand 11, but the light emitting portions 19a to 19c are provided on the wafer chuck 13 (FIG. 5). Similarly, a light emitting unit is provided on the OFS station 2 (not shown).
[0030]
FIG. 6 shows a case where light is reflected by the mirrors 24 a to 24 c by changing the direction of the light emitting units 19 a to 19 c by 90 ° compared to FIG. 5. Which mode to select between FIG. 5 and FIG. 6 may be determined in consideration of the space of the apparatus in the case of implementation.
[0031]
In addition, the example in which the wafer position detection sensor is attached to the transfer hand has been described so far, but when the space of the hand is small, the position detection sensor is provided on each of the OFS station and the wafer chuck or the wafer stage, It is effective to detect the displacement of the substrate.
[0032]
Also, regarding the detection of substrate transfer deviation, if the transfer hand has a position detection sensor, the measured values before transfer at the first transfer station can be detected without detecting the values before and after transfer at each transfer station. Alternatively, two values of the measured values after the delivery at the last delivery station may be detected.
[0033]
【The invention's effect】
As described above, according to the apparatus of the present invention, it is possible to detect the amount of positional deviation of the substrate caused by transfer of the substrate between the and the board conveying device the first and second transfer portions.
[0034]
It is also possible to estimate an error in wafer conveyance to the wafer chuck after pre-alignment.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a plan view of an apparatus according to a first embodiment.
FIG. 2 is a diagram of the first embodiment when the wafer is transferred from the transfer hand to the wafer chuck as viewed from the OFS station side.
FIG. 3 is a flowchart of Example 1 from supplying a wafer to an OFS station to performing fine alignment.
FIG. 4 is a partial plan view of the apparatus of Example 1 when the wafer is a notch type.
FIG. 5 is a diagram of the second embodiment when the wafer is transferred from the transfer hand to the wafer chuck as viewed from the OFS station side.
6 shows an example in which the direction of the light emitting unit in FIG. 5 is changed.
FIG. 7 is a plan view of a conventional apparatus.
[Explanation of symbols]
1: wafer, 2: OFS station, 3: orientation flat, 4: PA chuck, 5: PAθ stage, 6a-6c: PA optical system, 9: PAX stage, 10: PAY stage, 11: substrate transfer hand, 12: Guide, 13: Wafer chuck, 14a, 14b: Pre-alignment scope, 16a-16c: Substrate position detection sensor, 19a-19c: Light emitting unit, 22a, 22b: Substrate position detection sensor, 24a-24c: Mirror, 27: Notch 28: Hand holding surface, 29a-29c: Wafer chuck pins.

Claims

第１の受け渡し部にある基板を受け取って保持するとともに、前記基板を搬送して第２の受け渡し部へ受け渡す基板搬送装置において、前記第１及び第２の受け渡し部と前記基板搬送装置との間の前記基板の受け渡しにより生じた前記基板の位置ずれの量を検出するずれ検出手段を有することを特徴とする基板搬送装置。In the substrate transfer device that receives and holds the substrate in the first transfer unit and transfers the substrate to the second transfer unit, the first transfer unit and the substrate transfer device A substrate transport apparatus comprising a displacement detection means for detecting an amount of displacement of the substrate caused by the delivery of the substrate between the substrates.

前記ずれ検出手段は、前記基板の外形位置を検出する複数のセンサを有することを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。The substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the shift detection unit includes a plurality of sensors that detect an outer position of the substrate.

前記ずれ検出手段は、前記基板を保持するハンドに設けられた第１の位置検出センサにより前記第１の受け渡し部と前記基板搬送装置との間の前記基板の受け渡しにより生じた前記基板の位置ずれの量を検出する第１のずれ検出手段と、前記第１の位置検出センサにより前記第２の受け渡し部と前記基板搬送装置との間の前記基板の受け渡しにより生じた前記基板の位置ずれの量を検出する第２のずれ検出手段とを含むことを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。The displacement detection means is a displacement of the substrate caused by the transfer of the substrate between the first transfer unit and the substrate transfer device by a first position detection sensor provided on a hand holding the substrate. A first displacement detecting means for detecting the amount of the substrate, and a displacement amount of the substrate caused by the delivery of the substrate between the second delivery unit and the substrate transport device by the first position detection sensor substrate transfer apparatus according to claim 1, characterized in that it comprises a second displacement detection means for detecting.

前記ずれ検出手段は、前記第１の受け渡し部に設けられた第３の位置検出センサにより前記第１の受け渡し部における受け渡し前後の前記基板の位置をそれぞれ検出する第３の検出手段と、前記第２の受け渡し部に設けられた第４の位置検出センサにより前記第２の受け渡し部における受け渡し前後の前記基板の位置をそれぞれ検出する第４の検出手段とを含み、前記第３及び第４の検出手段の検出結果から前記位置ずれ量を検出することを特徴とする請求項１記載の基板搬送装置。The deviation detecting means includes a third detecting means for detecting respective positions of the first third the substrate before and after the transfer in the first transfer portion by the position detection sensor provided in the transfer unit, the second by the fourth position detecting sensors provided in the second transfer portion and a fourth detecting means for detecting a position of the substrate before and after transfer in the second transfer unit respectively, the third and fourth detection substrate transfer apparatus according to claim 1, wherein the detecting the positional deviation amount from the detection result of the unit.

前記基板を保持するハンドを有することを特徴とする請求項１、２および４のいずれかに記載の基板搬送装置。5. The substrate transfer apparatus according to claim 1 , further comprising a hand that holds the substrate.

前記基板は露光装置において露光されるものであり、前記第１の受け渡し部は、前記露光装置のアライメントステーションであり、前記第２の受け渡し部は、前記露光装置の露光ステージであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板搬送装置。The substrate is exposed in an exposure apparatus, the first transfer unit is an alignment station of the exposure apparatus, and the second transfer unit is an exposure stage of the exposure apparatus. The substrate transfer apparatus according to claim 1.

前記ずれ検出手段は、前記基板の位置ずれ量を演算する手段を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板搬送装置。The deviation detecting means, the substrate transfer apparatus according to any one of claims 1 to 6, characterized in that it comprises means for calculating a positional deviation amount of the substrate.

請求項１〜７のいずれかに記載の基板搬送装置を有することを特徴とする半導体製造装置。The semiconductor manufacturing apparatus characterized by having a substrate transfer apparatus according to any one of claims 1-7.

請求項１〜７のいずれかに記載の基板搬送装置を有することを特徴とする露光装置。Exposure apparatus characterized by having a substrate transfer apparatus according to any one of claims 1-7.

前記ずれ検出手段により検出された前記基板の位置ずれ量に基づいて、前記第２の受け渡し部としての露光ステージを移動することを特徴とする請求項９記載の露光装置。The exposure apparatus according to claim 9, wherein an exposure stage as the second delivery unit is moved based on a positional deviation amount of the substrate detected by the deviation detection unit.