JP3620315B2 - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ニッケル等の卑金属を内部電極に用いる積層セラミックコンデンサ（以降、積層コンデンサと称する）用の誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層コンデンサは、内部電極とセラミックグリーンシートを交互に複数枚積層した積層体を所定形状に切断した後、一体焼成し作製される。
【０００３】
前記内部電極材料には、従来ＰｄあるいはＰｄ合金が使用されていたが、Ｐｄは高価であるため、近年比較的安価なＮｉ等の卑金属材料を用いた製品に置換えられつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、内部電極材料に卑金属を用い、大気中で誘電体と一体焼成を行うと、内部電極が酸化されるため、中性雰囲気、または還元性雰囲気中で焼成を行う必要がある。これに対し、従来の誘電体材料は還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体が還元され絶縁抵抗が低くなり、所望の特性が得られない。この対策として耐還元性の誘電体磁器組成物が特開昭６１−１５５２５５号で提案されている。この耐還元性誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、絶縁抵抗特性（ＩＲ寿命特性）の劣化が大きく、信頼性に課題があると共に、大量焼成した場合、得られた製品は静電容量はバラツキが大きくなる等の問題があった。
【０００５】
本発明の誘電体組成物は、中性あるいは還元性雰囲気中で焼成を行っても、絶縁抵抗特性の劣化が少なく、しかも静電容量のバラツキを制御すると共に、静電容量温度変化率の小さい積層コンデンサが得られる誘電体磁器組成物を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために本発明は、ＢａＴｉＯ3に対し、ＢａＣＯ 3，ＭｇＯ，Ｄｙ2Ｏ3，ＭｎＯ2，ＢａＳｉＯ3化合物を所定量添加することにより所期の目的を達成することができる。また必要に応じては更に、酸化バナジウム、酸化アルミニウムを添加し、更に性能の優れた積層コンデンサ用誘電体材料を提供することができるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、ＢａＴｉＯ3１００モルに対し、ＢａＣＯ 3をＢａ／Ｔｉのモル比が１．００１〜１．０４になるように添加し、更にＭｇＯを０．５〜５．０モル、Ｄｙ 2 Ｏ 3を０．１〜３．０モル、ＭｎＯ2を０．０１〜０．４モル、ＢａＳｉＯ3化合物を０．６〜５．０モルを添加することを特徴とする誘電体磁器組成物であり、基本成分の過剰ＢａＣＯ 3と添加したＭｎＯ2は誘電体組成物の耐還元性を強化し、特にＭｎＯ2は中性雰囲気中、あるいは還元性雰囲気中での大量焼成において、誘電体組成の絶縁抵抗の劣化を防ぐとともに、積層コンデンサの静電容量のバラツキを抑制して均質な焼結体が得られる効果があり、ＭｇＯ，Ｄｙ2Ｏ3の添加は誘電率、静電容量温度特性、誘電正接等の電気特性を満足させるという効果を有し、ＢａＳｉＯ3化合物の添加は比較的低い温度の焼成において誘電体組成物の焼結を促進し、絶縁抵抗を安定させ電気的性能を満足させることのできる緻密な焼結体が得られる。
【０００８】
本発明の請求項２に記載の発明は、アルミニウム原子をＡｌ2Ｏ3に換算し、ＢａＴｉＯ3 １００モルに対して０．１〜３．０モル添加することを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物であり、Ａｌ2Ｏ3の添加は多成分系誘電体磁器組成物の焼成過程で発生しやすい、主成分以外の副成分に作用して均一な成分相を形成し、焼結性と電気特性を安定させる有効な作用を有する。
【０００９】
本発明の請求項３に記載の発明は、バナジウムをＶ 2 Ｏ 5 に換算し、ＢａＴｉＯ3 １００モルに対し、０．０１モル〜０．２６モル添加することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の誘電体磁器組成物であり、Ｖ 2 Ｏ 5 の添加は還元雰囲気の焼成で還元されやすい基本成分のＴｉＯ2の還元を抑制し積層コンデンサの絶縁抵抗の低下を防ぎ、静電容量バラツキの小さい積層コンデンサを得ることができるという作用を有する。
【００１０】
以下に本発明の実施形態について説明する。
【００１１】
（実施の形態１）
先ず、各出発原料をＢａＴｉＯ3 １００モルに対し、（表１）に示す組成となるように、ＢａＣＯ3，Ｄｙ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＭｎＯ 2，ＢａＳｉＯ3をそれぞれ秤量し、これらの出発原料に純水を加え、部分安定化ジルコニア玉石を媒体としてボールミルで１７時間湿式混合粉砕を行った後、脱水乾燥する。ＢａＴｉＯ3、およびＢａＳｉＯ3は予め固相法にて合成した微粉砕材料を用いた。
【００１２】
【表１】
【００１３】
次に、この脱水乾燥した混合材料を解砕し、３２メッシュ篩を全通させた後、アルミナ質の坩堝に入れ、１１００℃の温度で２時間保持し仮焼した。このとき、仮焼温度が高すぎると得られた積層コンデンサの静電容量の容量温度変化率が大きくなりすぎることがあり注意が必要である。
【００１４】
次いで、仮焼原料を混合と同様、ボールミルで平均粒径が１．０μｍ以下になるように湿式粉砕を行った後、脱水乾燥と３２メッシュ篩を全通させ、誘電体材料を作製した。
【００１５】
作製した誘電体磁器材料にバインダーとしてポリビニルブチラール樹脂、溶剤として酢酸ｎブチル、可塑剤としてフタル酸ジブチルを加え、イットリア部分安定化ジルコニアボールと共にボールミルで７２時間混合しスラリーを作製した。
【００１６】
得られたスラリーを、公知のドクターブレード法を用いてポリエステルフィルム上に成形し、誘電体セラミックグリーンシート（以降、グリーンシートと称する）を作製した。
【００１７】
作製したグリーンシート表面にＮｉを主成分とする内部電極ペーストをスクリーンで印刷し、乾燥を行う。このＮｉ内部電極ペーストを印刷したグリーンシートを、公知の積層コンデンサ製造方法に従って、複数枚積み重ねて熱圧着し、グリーン積層体を形成した後、３．３mm×１．７mmの積層コンデンサグリーンチップ（以降、グリーンチップと称する）形状に切断を行う。
【００１８】
これらのグリーンチップをジルコニア敷粉と混ぜ合わせアルミナ質のサヤに１万個入れ、４００℃の温度で１２時間、窒素混合空気雰囲気中でバインダー除去を行った後、引き続き窒素、水素の混合グリーンガスを用い酸素濃度が調整されたＮｉが酸化されない還元性雰囲気中で、温度１２２０〜１３４０℃で２時間保持し焼結を行ったその後、降温冷却過程の９００℃の温度で１時間、窒素、水素、酸素で調整した雰囲気中で保持し焼結体の再酸化を行った後、室温まで冷却し積層コンデンサの焼結体を作製した。尚、各組成の最適焼成温度は、それぞれの組成の焼結体密度が最大となる温度を用いた。
【００１９】
次に、得られた積層コンデンサ焼結体をバレル研磨した後、焼結体端面に露出した内部電極と電気的に接続するように、焼結体端面にＣｕを主成分とする外部電極ペーストの塗布を行い、窒素と水素の混合グリーンガスで酸素濃度を調整した雰囲気中において、８５０℃で１５分間焼付を行い外部電極を形成した。
【００２０】
形成した外部電極表面に、電解メッキ法を用いてニッケル膜、更にニッケル膜の表面に半田膜を形成し積層コンデンサを完成した。
【００２１】
得られた積層コンデンサを、２０℃（室温）、周波数１ｋHzにおける静電容量、誘電正接（ｔａｎδ）のバラツキ、及び−５５〜＋２５℃間の２０℃の静電容量に対する変化率を測定し、その結果を（表２）に、また室温においてＤＣ電圧２５Ｖを印加したときの絶縁抵抗（ＩＲ）と、放置試験として、積層コンデンサを１５０℃の恒温槽に１時間保持した後、室温に戻し４８時間室温に放置した時の静電容量を基準にして、その後室温放置１０００時間までの静電容量の経時変化率、及び加速寿命試験として１２５℃の温度下で、ＤＣ２００Ｖの電圧を２５０時間連続印加した後の絶縁抵抗劣化状況（ＩＲが１×１０７Ω以下に劣化したものを不良としてカウントした）を測定し、（表３）に示した。
【００２２】
【表２】
【００２３】
【表３】
【００２４】
（表２）、（表３）から明らかなように、本発明による誘電体組成物は初期性能として誘電率が２０００を越えて高く、静電容量バラツキも±５％以内と小さく、更に静電容量の変化率が±１５％以下と小さく、絶縁抵抗も１×１０12Ωと高く劣化も認められない。また、放置試験での静電容量経時変化率は−１．０〜−１．３％と小さく、更に焼結体の副成分相も発生していない。これに対し、主成分のＢａＯ／ＴｉＯ2のモル比が１．００１より小さいと還元雰囲気中での大量焼成で還元され半導体化し、１．０４を越えると誘電体の焼結が不十分となり良好な焼結体が得られない。ＭｇＯの添加が０．５モルより少ないと焼結不十分となり、５モルを越えると、積層コンデンサの静電容量温度変化率が大きくなると共に、静電容量の経時変化が大きくなる。Ｄｙ2Ｏ3が０．１モル未満では静電容量の温度変化率が大きくなると共に、静電容量の経時変化率とｔａｎδが大きくなり、３モルを越えると誘電率が２０００以下に低下し実用的でなくなる。ＭｎＯ2の添加が０．０１モル未満では焼結体が部分的に半導体化され静電容量のバラツキが大きく、また絶縁抵抗値が小さくなり、その結果加速寿命試験において絶縁抵抗値が大幅に劣化し、０．４モルを越えると静電容量の温度変化率、経時変化率も大きく、また絶縁抵抗の劣化も大きくなる。ＢａＳｉＯ3添加量が０．６モル未満では、十分な焼結体が得られず、静電容量、絶縁抵抗にバラツキを生じ、実用的でなくなる。また、５．０モルを越えると焼結性は向上するものの誘電率が低下し、静電容量の温度変化率が大きくなり実用的でない。
【００２５】
以上の結果から主成分のＢａＴｉＯ3 １００モルに対し、ＢａＣＯ 3 を０．１〜４モル範囲過剰添加することにより、還元雰囲気中での大量焼成において誘電体が還元される事なく良好な焼結体が得られる。ＭｇＯの０．５〜５．０モルの添加は静電容量の温度変化率を小さくすると共に、絶縁抵抗値を向上させる効果があり、Ｄｙ2Ｏ3の０．１〜３．０モルの添加は更に静電容量の温度変化率、及び絶縁抵抗値を向上させる効果を有する。またＭｎＯ2の０．０１〜０．４モル添加は主成分のＢａＴｉＯ3のＴｉＯ2の還元を防止し絶縁抵抗特性を向上させる。ＢａＳｉＯ3の０．６〜５．０モルの添加は比較的低温での焼成を可能なものにし、静電容量、絶縁抵抗のバラツキを小さくする効果があることが明らかとなる。但し、各添加物の添加量が本発明の範囲を外れると電気特性のバラツキを大きくすると共に、静電容量温度変化率を大きくする傾向があり好ましくないことがわかる。尚、ＢａＴｉＯ3，ＢａＳｉＯ3化合物を予め固相法で作製した微粉末を用いたが、固相法以外の方法で作製した化合物を用いても同様な効果が得られることを確認している。
【００２６】
（実施の形態２）
先ず、本発明の誘電体組成物はＢａＴｉＯ3１００モルに対しＢａＣＯ3を２モル、ＭｇＯを２．５モル、Ｄｙ2Ｏ3を１．０モル、ＭｎＯ2を０．２モル、ＢａＳｉＯ3化合物２．１モルを添加した。これに更に（表４）に示す量のＡｌ2Ｏ3、及びＶ2Ｏ5を各々秤量する。
【００２７】
【表４】
【００２８】
次いで、実施の形態１と同条件で材料粉末を得た後、積層コンデンサを作製した。但し、焼成時、一さやあたりのグリーンチップの詰め量を（実施の形態１）のときの１．５倍の１５０００個とし、他の条件は同条件で行い、焼成最高温度は１２２０〜１３４０℃の範囲で行った。
【００２９】
その後、（実施の形態１）と同様に得られた積層コンデンサを評価し、その結果を（表５）、及び（表６）に示した。
【００３０】
【表５】
【００３１】
【表６】
【００３２】
（表５）、（表６）に示すように、ＢａＴｉＯ3１００モルに対しＢａＣＯ3を２モル、ＭｇＯを２．５モル、Ｄｙ2Ｏ3を１．０モル、ＭｎＯ2を０．２モル、ＢａＳｉＯ3化合物を２．１モルを添加した組成に、更にＶ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3を添加した誘電体磁器組成で、Ｖ2Ｏ5の添加量が０．０１〜０．２６モルの範囲添加した組成は、焼成時、さや詰め量を増やした場合においてＶ2Ｏ5が主成分中のＴｉＯ2の還元を抑制し、高い絶縁抵抗と絶縁抵抗の劣化のない優れた積層コンデンサが得られる。このとき、０．２６モルを越えると、静電容量の温度変化率が大きくなると共に、絶縁抵抗が劣化してしまう。また、０．０１モル未満だと、大量焼成した場合、絶縁性にバラツキを生じてしまう。一方、Ａｌ2Ｏ3を０．１〜３．０モルの範囲を添加した組成は、本発明のような多成分系組成で発生しやすい副成分相に作用し、副成分の発生しない均一な焼結体を得ることができる。これに対し、添加量が３．０モルを越えると、静電容量温度変化率と誘電損失が大きくなり、また、０．１モル未満だと副成分相の発生が多くなり、好ましくないことがわかる。
【００３３】
以上の結果から、本発明のＢａＴｉＯ3を主成分とし、これにＢａＣＯ 3，ＭｇＯ，Ｄｙ 2 Ｏ 3，ＭｎＯ2，ＢａＳｉＯ3を添加した組成にさらにＶ2Ｏ5を添加することにより、還元性雰囲気での大量焼成において、誘電体の還元を防止し絶縁抵抗性能を向上させ、またＡｌ2Ｏ3を添加することにより焼結体表面に副成分の発生を抑制した積層コンデンサが得られることが明らかである。
【００３４】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、ＢａＴｉＯ3に対し、ＢａＣＯ 3，ＭｇＯ，Ｄｙ2Ｏ3，ＭｎＯ2，ＢａＳｉＯ3化合物を所定量添加することにより、還元雰囲気中の比較的低温での焼成において、電気特性の安定した優れた積層コンデンサ用誘電体磁器組成物が得られ、また必要に応じ、Ｖ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3を添加することにより、中性あるいは還元性雰囲気中での大量焼成においても、絶縁抵抗ならびに静電容量のバラツキが小さく、かつ誘電率の温度変化率の優れたものとなる。
【発明の属する技術分野】
本発明は、ニッケル等の卑金属を内部電極に用いる積層セラミックコンデンサ（以降、積層コンデンサと称する）用の誘電体磁器組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
積層コンデンサは、内部電極とセラミックグリーンシートを交互に複数枚積層した積層体を所定形状に切断した後、一体焼成し作製される。
【０００３】
前記内部電極材料には、従来ＰｄあるいはＰｄ合金が使用されていたが、Ｐｄは高価であるため、近年比較的安価なＮｉ等の卑金属材料を用いた製品に置換えられつつある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、内部電極材料に卑金属を用い、大気中で誘電体と一体焼成を行うと、内部電極が酸化されるため、中性雰囲気、または還元性雰囲気中で焼成を行う必要がある。これに対し、従来の誘電体材料は還元性雰囲気中で焼成すると、誘電体が還元され絶縁抵抗が低くなり、所望の特性が得られない。この対策として耐還元性の誘電体磁器組成物が特開昭６１−１５５２５５号で提案されている。この耐還元性誘電体磁器組成物を用いた積層セラミックコンデンサは、絶縁抵抗特性（ＩＲ寿命特性）の劣化が大きく、信頼性に課題があると共に、大量焼成した場合、得られた製品は静電容量はバラツキが大きくなる等の問題があった。
【０００５】
本発明の誘電体組成物は、中性あるいは還元性雰囲気中で焼成を行っても、絶縁抵抗特性の劣化が少なく、しかも静電容量のバラツキを制御すると共に、静電容量温度変化率の小さい積層コンデンサが得られる誘電体磁器組成物を提供することを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決するために本発明は、ＢａＴｉＯ3に対し、ＢａＣＯ 3，ＭｇＯ，Ｄｙ2Ｏ3，ＭｎＯ2，ＢａＳｉＯ3化合物を所定量添加することにより所期の目的を達成することができる。また必要に応じては更に、酸化バナジウム、酸化アルミニウムを添加し、更に性能の優れた積層コンデンサ用誘電体材料を提供することができるものである。
【０００７】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明は、ＢａＴｉＯ3１００モルに対し、ＢａＣＯ 3をＢａ／Ｔｉのモル比が１．００１〜１．０４になるように添加し、更にＭｇＯを０．５〜５．０モル、Ｄｙ 2 Ｏ 3を０．１〜３．０モル、ＭｎＯ2を０．０１〜０．４モル、ＢａＳｉＯ3化合物を０．６〜５．０モルを添加することを特徴とする誘電体磁器組成物であり、基本成分の過剰ＢａＣＯ 3と添加したＭｎＯ2は誘電体組成物の耐還元性を強化し、特にＭｎＯ2は中性雰囲気中、あるいは還元性雰囲気中での大量焼成において、誘電体組成の絶縁抵抗の劣化を防ぐとともに、積層コンデンサの静電容量のバラツキを抑制して均質な焼結体が得られる効果があり、ＭｇＯ，Ｄｙ2Ｏ3の添加は誘電率、静電容量温度特性、誘電正接等の電気特性を満足させるという効果を有し、ＢａＳｉＯ3化合物の添加は比較的低い温度の焼成において誘電体組成物の焼結を促進し、絶縁抵抗を安定させ電気的性能を満足させることのできる緻密な焼結体が得られる。
【０００８】
本発明の請求項２に記載の発明は、アルミニウム原子をＡｌ2Ｏ3に換算し、ＢａＴｉＯ3 １００モルに対して０．１〜３．０モル添加することを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物であり、Ａｌ2Ｏ3の添加は多成分系誘電体磁器組成物の焼成過程で発生しやすい、主成分以外の副成分に作用して均一な成分相を形成し、焼結性と電気特性を安定させる有効な作用を有する。
【０００９】
本発明の請求項３に記載の発明は、バナジウムをＶ 2 Ｏ 5 に換算し、ＢａＴｉＯ3 １００モルに対し、０．０１モル〜０．２６モル添加することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の誘電体磁器組成物であり、Ｖ 2 Ｏ 5 の添加は還元雰囲気の焼成で還元されやすい基本成分のＴｉＯ2の還元を抑制し積層コンデンサの絶縁抵抗の低下を防ぎ、静電容量バラツキの小さい積層コンデンサを得ることができるという作用を有する。
【００１０】
以下に本発明の実施形態について説明する。
【００１１】
（実施の形態１）
先ず、各出発原料をＢａＴｉＯ3 １００モルに対し、（表１）に示す組成となるように、ＢａＣＯ3，Ｄｙ2Ｏ3，ＭｇＯ，ＭｎＯ 2，ＢａＳｉＯ3をそれぞれ秤量し、これらの出発原料に純水を加え、部分安定化ジルコニア玉石を媒体としてボールミルで１７時間湿式混合粉砕を行った後、脱水乾燥する。ＢａＴｉＯ3、およびＢａＳｉＯ3は予め固相法にて合成した微粉砕材料を用いた。
【００１２】
【表１】
次に、この脱水乾燥した混合材料を解砕し、３２メッシュ篩を全通させた後、アルミナ質の坩堝に入れ、１１００℃の温度で２時間保持し仮焼した。このとき、仮焼温度が高すぎると得られた積層コンデンサの静電容量の容量温度変化率が大きくなりすぎることがあり注意が必要である。
【００１４】
次いで、仮焼原料を混合と同様、ボールミルで平均粒径が１．０μｍ以下になるように湿式粉砕を行った後、脱水乾燥と３２メッシュ篩を全通させ、誘電体材料を作製した。
【００１５】
作製した誘電体磁器材料にバインダーとしてポリビニルブチラール樹脂、溶剤として酢酸ｎブチル、可塑剤としてフタル酸ジブチルを加え、イットリア部分安定化ジルコニアボールと共にボールミルで７２時間混合しスラリーを作製した。
【００１６】
得られたスラリーを、公知のドクターブレード法を用いてポリエステルフィルム上に成形し、誘電体セラミックグリーンシート（以降、グリーンシートと称する）を作製した。
【００１７】
作製したグリーンシート表面にＮｉを主成分とする内部電極ペーストをスクリーンで印刷し、乾燥を行う。このＮｉ内部電極ペーストを印刷したグリーンシートを、公知の積層コンデンサ製造方法に従って、複数枚積み重ねて熱圧着し、グリーン積層体を形成した後、３．３mm×１．７mmの積層コンデンサグリーンチップ（以降、グリーンチップと称する）形状に切断を行う。
【００１８】
これらのグリーンチップをジルコニア敷粉と混ぜ合わせアルミナ質のサヤに１万個入れ、４００℃の温度で１２時間、窒素混合空気雰囲気中でバインダー除去を行った後、引き続き窒素、水素の混合グリーンガスを用い酸素濃度が調整されたＮｉが酸化されない還元性雰囲気中で、温度１２２０〜１３４０℃で２時間保持し焼結を行ったその後、降温冷却過程の９００℃の温度で１時間、窒素、水素、酸素で調整した雰囲気中で保持し焼結体の再酸化を行った後、室温まで冷却し積層コンデンサの焼結体を作製した。尚、各組成の最適焼成温度は、それぞれの組成の焼結体密度が最大となる温度を用いた。
【００１９】
次に、得られた積層コンデンサ焼結体をバレル研磨した後、焼結体端面に露出した内部電極と電気的に接続するように、焼結体端面にＣｕを主成分とする外部電極ペーストの塗布を行い、窒素と水素の混合グリーンガスで酸素濃度を調整した雰囲気中において、８５０℃で１５分間焼付を行い外部電極を形成した。
【００２０】
形成した外部電極表面に、電解メッキ法を用いてニッケル膜、更にニッケル膜の表面に半田膜を形成し積層コンデンサを完成した。
【００２１】
得られた積層コンデンサを、２０℃（室温）、周波数１ｋHzにおける静電容量、誘電正接（ｔａｎδ）のバラツキ、及び−５５〜＋２５℃間の２０℃の静電容量に対する変化率を測定し、その結果を（表２）に、また室温においてＤＣ電圧２５Ｖを印加したときの絶縁抵抗（ＩＲ）と、放置試験として、積層コンデンサを１５０℃の恒温槽に１時間保持した後、室温に戻し４８時間室温に放置した時の静電容量を基準にして、その後室温放置１０００時間までの静電容量の経時変化率、及び加速寿命試験として１２５℃の温度下で、ＤＣ２００Ｖの電圧を２５０時間連続印加した後の絶縁抵抗劣化状況（ＩＲが１×１０７Ω以下に劣化したものを不良としてカウントした）を測定し、（表３）に示した。
【００２２】
【表２】
【表３】
（表２）、（表３）から明らかなように、本発明による誘電体組成物は初期性能として誘電率が２０００を越えて高く、静電容量バラツキも±５％以内と小さく、更に静電容量の変化率が±１５％以下と小さく、絶縁抵抗も１×１０12Ωと高く劣化も認められない。また、放置試験での静電容量経時変化率は−１．０〜−１．３％と小さく、更に焼結体の副成分相も発生していない。これに対し、主成分のＢａＯ／ＴｉＯ2のモル比が１．００１より小さいと還元雰囲気中での大量焼成で還元され半導体化し、１．０４を越えると誘電体の焼結が不十分となり良好な焼結体が得られない。ＭｇＯの添加が０．５モルより少ないと焼結不十分となり、５モルを越えると、積層コンデンサの静電容量温度変化率が大きくなると共に、静電容量の経時変化が大きくなる。Ｄｙ2Ｏ3が０．１モル未満では静電容量の温度変化率が大きくなると共に、静電容量の経時変化率とｔａｎδが大きくなり、３モルを越えると誘電率が２０００以下に低下し実用的でなくなる。ＭｎＯ2の添加が０．０１モル未満では焼結体が部分的に半導体化され静電容量のバラツキが大きく、また絶縁抵抗値が小さくなり、その結果加速寿命試験において絶縁抵抗値が大幅に劣化し、０．４モルを越えると静電容量の温度変化率、経時変化率も大きく、また絶縁抵抗の劣化も大きくなる。ＢａＳｉＯ3添加量が０．６モル未満では、十分な焼結体が得られず、静電容量、絶縁抵抗にバラツキを生じ、実用的でなくなる。また、５．０モルを越えると焼結性は向上するものの誘電率が低下し、静電容量の温度変化率が大きくなり実用的でない。
【００２５】
以上の結果から主成分のＢａＴｉＯ3 １００モルに対し、ＢａＣＯ 3 を０．１〜４モル範囲過剰添加することにより、還元雰囲気中での大量焼成において誘電体が還元される事なく良好な焼結体が得られる。ＭｇＯの０．５〜５．０モルの添加は静電容量の温度変化率を小さくすると共に、絶縁抵抗値を向上させる効果があり、Ｄｙ2Ｏ3の０．１〜３．０モルの添加は更に静電容量の温度変化率、及び絶縁抵抗値を向上させる効果を有する。またＭｎＯ2の０．０１〜０．４モル添加は主成分のＢａＴｉＯ3のＴｉＯ2の還元を防止し絶縁抵抗特性を向上させる。ＢａＳｉＯ3の０．６〜５．０モルの添加は比較的低温での焼成を可能なものにし、静電容量、絶縁抵抗のバラツキを小さくする効果があることが明らかとなる。但し、各添加物の添加量が本発明の範囲を外れると電気特性のバラツキを大きくすると共に、静電容量温度変化率を大きくする傾向があり好ましくないことがわかる。尚、ＢａＴｉＯ3，ＢａＳｉＯ3化合物を予め固相法で作製した微粉末を用いたが、固相法以外の方法で作製した化合物を用いても同様な効果が得られることを確認している。
【００２６】
（実施の形態２）
先ず、本発明の誘電体組成物はＢａＴｉＯ3１００モルに対しＢａＣＯ3を２モル、ＭｇＯを２．５モル、Ｄｙ2Ｏ3を１．０モル、ＭｎＯ2を０．２モル、ＢａＳｉＯ3化合物２．１モルを添加した。これに更に（表４）に示す量のＡｌ2Ｏ3、及びＶ2Ｏ5を各々秤量する。
【００２７】
【表４】
次いで、実施の形態１と同条件で材料粉末を得た後、積層コンデンサを作製した。但し、焼成時、一さやあたりのグリーンチップの詰め量を（実施の形態１）のときの１．５倍の１５０００個とし、他の条件は同条件で行い、焼成最高温度は１２２０〜１３４０℃の範囲で行った。
【００２９】
その後、（実施の形態１）と同様に得られた積層コンデンサを評価し、その結果を（表５）、及び（表６）に示した。
【００３０】
【表５】
【表６】
（表５）、（表６）に示すように、ＢａＴｉＯ3１００モルに対しＢａＣＯ3を２モル、ＭｇＯを２．５モル、Ｄｙ2Ｏ3を１．０モル、ＭｎＯ2を０．２モル、ＢａＳｉＯ3化合物を２．１モルを添加した組成に、更にＶ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3を添加した誘電体磁器組成で、Ｖ2Ｏ5の添加量が０．０１〜０．２６モルの範囲添加した組成は、焼成時、さや詰め量を増やした場合においてＶ2Ｏ5が主成分中のＴｉＯ2の還元を抑制し、高い絶縁抵抗と絶縁抵抗の劣化のない優れた積層コンデンサが得られる。このとき、０．２６モルを越えると、静電容量の温度変化率が大きくなると共に、絶縁抵抗が劣化してしまう。また、０．０１モル未満だと、大量焼成した場合、絶縁性にバラツキを生じてしまう。一方、Ａｌ2Ｏ3を０．１〜３．０モルの範囲を添加した組成は、本発明のような多成分系組成で発生しやすい副成分相に作用し、副成分の発生しない均一な焼結体を得ることができる。これに対し、添加量が３．０モルを越えると、静電容量温度変化率と誘電損失が大きくなり、また、０．１モル未満だと副成分相の発生が多くなり、好ましくないことがわかる。
【００３３】
以上の結果から、本発明のＢａＴｉＯ3を主成分とし、これにＢａＣＯ 3，ＭｇＯ，Ｄｙ 2 Ｏ 3，ＭｎＯ2，ＢａＳｉＯ3を添加した組成にさらにＶ2Ｏ5を添加することにより、還元性雰囲気での大量焼成において、誘電体の還元を防止し絶縁抵抗性能を向上させ、またＡｌ2Ｏ3を添加することにより焼結体表面に副成分の発生を抑制した積層コンデンサが得られることが明らかである。
【００３４】
【発明の効果】
以上、本発明によれば、ＢａＴｉＯ3に対し、ＢａＣＯ 3，ＭｇＯ，Ｄｙ2Ｏ3，ＭｎＯ2，ＢａＳｉＯ3化合物を所定量添加することにより、還元雰囲気中の比較的低温での焼成において、電気特性の安定した優れた積層コンデンサ用誘電体磁器組成物が得られ、また必要に応じ、Ｖ2Ｏ5，Ａｌ2Ｏ3を添加することにより、中性あるいは還元性雰囲気中での大量焼成においても、絶縁抵抗ならびに静電容量のバラツキが小さく、かつ誘電率の温度変化率の優れたものとなる。
Claims (3)
- ＢａＴｉＯ3１００モルに対し、ＢａＣＯ 3をＢａ／Ｔｉのモル比が１．００１〜１．０４になるように添加し、さらにＭｇＯを０．５〜５．０モル、Ｄｙ2Ｏ3を０．１〜３．０モル、ＭｎＯ2を０．０１〜０．４モル、ＢａＳｉＯ3を０．６〜５．０モル添加したことを特徴とする誘電体磁器組成物。
- アルミニウムをＡｌ2Ｏ3に換算して、ＢａＴｉＯ3１００モルに対して０．１〜３．０モル添加したことを特徴とする請求項１に記載の誘電体磁器組成物。
- バナジウムをＶ 2 Ｏ 5 に換算して、ＢａＴｉＯ3１００モルに対して、０．０１〜０．２６モル添加したことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の誘電体磁器組成物。
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