CN100411207C - 发光装置及照明装置 - Google Patents

发光装置及照明装置 Download PDF

Info

Publication number
CN100411207C
CN100411207C CNB2005100791757A CN200510079175A CN100411207C CN 100411207 C CN100411207 C CN 100411207C CN B2005100791757 A CNB2005100791757 A CN B2005100791757A CN 200510079175 A CN200510079175 A CN 200510079175A CN 100411207 C CN100411207 C CN 100411207C
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
wavelength conversion
emitting component
emitting device
reflecting part
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2005100791757A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1716654A (zh
Inventor
松浦真吾
关根史明
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Kyocera Corp
Original Assignee
Kyocera Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2004247660A external-priority patent/JP2006066657A/ja
Priority claimed from JP2005085369A external-priority patent/JP2006049814A/ja
Application filed by Kyocera Corp filed Critical Kyocera Corp
Publication of CN1716654A publication Critical patent/CN1716654A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100411207C publication Critical patent/CN100411207C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/507—Wavelength conversion elements the elements being in intimate contact with parts other than the semiconductor body or integrated with parts other than the semiconductor body
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F21Y2105/10—Planar light sources comprising a two-dimensional array of point-like light-generating elements
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种发光装置，具备：发光元件(3)、在上侧主面上形成有放置发光元件(3)的放置部(1a)的基体(1)、在基体(1)的上侧主面上被按照包围放置部(1a)的方式形成的框状的第1反射构件(2)、在基体(1)的上侧主面上被按照包围第1反射构件(2)的方式形成的框状的第2反射构件(4)、在第2反射构件(4)的内侧被按照覆盖发光元件(3)及第1反射构件(2)的方式设置的透光性构件(6)、在位于发光元件(3)的上方的透光性构件(6)的内部与第1及第2反射构件(2、4)拉开间隔地设置的对发光元件(3)所发出的光的波长进行转换的第1波长转换层(5)。

Description

发光装置及照明装置
技术领域
本发明涉及收纳了发光元件而形成的发光装置及使用了它的照明装置。
背景技术
图15中表示了以往的发光装置。图15中，发光装置主要由基体11、框状的反射构件12、发光元件13、波长转换层15、透光性构件16构成。基体11由绝缘体制成，在上面的中央部具有用于放置发光元件13的放置部11a，形成有从放置部11a及其周边将发光装置的内外电导通地连接的由引线端子及金属化配线等构成的配线导体(未图示)。框状的反射构件12被粘接固定于基体11的上面，按照使内周面12a随着朝向上侧而向外侧拓宽的方式倾斜，并且内周面12a被设为反射发光元件13所发出的光的反射面。波长转换层15在透光性构件中含有对发光元件13所发出的光进行波长转换的荧光体(未图示)而形成。透光性构件16为了保护发光元件13，而被填充于反射构件12的内侧。
基体11由氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)、氮化铝质烧结体、莫来石质烧结体、或玻璃陶瓷等陶瓷、或环氧树脂等树脂制成。基体11由陶瓷制成时，在其上面在高温下煅烧由钨(W)、钼(Mo)-锰(Mn)等制成的金属糊状物而形成配线导体。另外，当基体11由树脂制成时，由铜(Cu)或铁(Fe)-镍(Ni)合金等制成的引线端子被模塑成形而设置固定于基体11的内部。
另外，反射构件12由铝(Al)或Fe-Ni-钴(Co)合金等金属、氧化铝陶瓷等陶瓷或环氧树脂等树脂制成，利用切削加工、模具成形或挤出成形等成形技术形成。
另外，反射构件12将内周面12a设为反射来自发光元件13及波长转换层15的光的反射面，该内周面12a是通过利用蒸镀法或镀膜法覆盖Al等金属而形成的。此外，反射构件12被利用焊锡、银(Ag)焊料等焊接材料或树脂粘接材料等接合材料，按照将放置部11a用内周面12a包围的方式，接合在基体11的上面。
另外，发光元件13例如利用液相生长法或MOCVD法等在蓝宝石等单晶基板上，形成镓(Ga)-Al-氮(N)、锌(Zn)-硫(S)、Zn-硒(Se)、硅(Si)-碳(C)、Ga-磷(P)、Ga-Al-砷(As)、Al-铟(In)-Ga-P、In-Ga-N、Ga-N、Al-In-Ga-N等发光层。作为发光元件13的构造，可以举出具有MIS接合或PN接合的均质构造、异质构造或双重异质构成的例子。另外，发光元件13的发光波长可以根据发光层的材料或其混晶度，从紫外光到红外光中选择各种波长。而且，发光元件13利用使用了引线接合(未图示)的方法或使用了将发光元件13的电极设于下侧而利用焊盘连接的倒装式接合方式的方法，将配置在放置部11a的周边的配线导体和发光元件13的电极电连接。
另外，波长转换层15通过在环氧树脂或硅树脂等透光性构件中含有荧光体而被热硬化制成板状，并且将反射构件12的开口部覆盖，就可以将从发光元件13中放出的发光波长为可见光或紫外光的光吸收，使之转换为其他的长波长的光而放射。所以，波长转换层15可以根据从发光元件13中发出的光的发光波长及从发光装置中放出的所需的光来选择各种材料，从而能够成为输出具有所需的波长的光谱的光的发光装置。另外，发光装置在发光元件13所发出的光和来自荧光体的光处于互补颜色关系时，可以发出白色系的光。
而且，荧光体例如可以举出被用铈(Ce)活化了的钇·铝·石榴石类荧光体、紫苏烯类衍生物、被Cu或Al活化了的硫化锌镉、被Mn活化了的氧化镁、氧化钛等各种材料。这些荧光体既可以使用1种，也可以混合使用2种以上。
另外，透光性构件16通过使用环氧树脂或硅树脂等透光性构件，来保护发光元件13，并且减少发光元件13和透光性构件的折射率差，就可以抑制光被关入发光元件13内部的情况。
作为相关技术，有特开2000-349346号公报。
但是，在上述以往的发光装置中，从发光元件13发出的光被波长转换层15中的荧光体吸收后，不同波长的荧光从荧光体向所有方向放出。该荧光中的一部分从波长转换层15向上侧放出而成为发光装置的放射光，而另一部分从波长转换层15向下方放出，或被其它荧光体反射而从波长转换层15向下侧放出，被反射部件12的内周面12a和波长转换层15反复反射而被关在发光装置内。或者，返回发光元件13而被吸收。
另外，即使是由于从波长转换层15向下侧放出而未放出到外部的光，有时也会在向下侧放出后被反射部件12反射回来，并再次通过波长转换层15而向外部放出，从而成为发光装置的放出光。但是，这样反复反射而多次通过波长转换层15的光，其能量被吸收，反射光强度衰减。
如上所述，在以往的发光装置中，有难以提高发光装置的放射光强度和亮度的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述以往的问题而完成的，其目的在于提供一种具有高的放射光强度和高亮度，发光效率良好的发光装置。
本发明的发光装置的特征是，具备：发光元件、在上侧主面上形成了放置发光元件的放置部的基体、在该基体的上侧主面上被按照包围所述放置部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第1反射部、在所述基体的上侧主面上被按照包围所述第1反射部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第2反射部、在所述第2反射部的内侧被按照覆盖所述发光元件及所述第1反射部的方式设置的透光性构件、在位于所述发光元件的上方的所述透光性构件的内部或表面与所述第1及第2反射部拉开间隔地设置的对所述发光元件所发出的光的波长进行转换的第1波长转换部。
本发明的发光装置的特征是，具备：发光元件、平板状的基体、形成于该基体的上侧主面并在上面形成有放置发光元件的放置部、并且包围所述放置部地形成其内周面被设为光反射面的侧壁部的第1反射部、在所述基体的上侧主面上被按照包围所述第1反射部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第2反射部、在所述第2反射部的内侧与被按照覆盖所述发光元件及所述第1反射部的方式设置的透光性构件、在位于所述发光元件的上方的所述透光性构件的内部或表面与所述第1及第2反射部拉开间隔地设置的对所述发光元件所发出的光的波长进行转换的第1波长转换部。
本发明的特征是，最好所述第2反射部在其内周面上设有对所述发光元件所发出的光的波长进行转换的第2波长转换部。
本发明的特征是，最好所述第1波长转换部位于使其外周部与穿过所述发光元件的端部和其端部的相反一侧的所述第1反射部的所述内周面的上端的直线相比靠近所述第2反射部侧的位置上。
本发明是具有如下特征的发光装置，即，具备：发光元件、在上侧主面上形成了放置发光元件的放置部的基体、在该基体的上侧主面上被按照包围所述放置部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第1反射部、在所述基体的上侧主面上被按照包围所述第1反射部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第2反射部、在所述第2反射部的内侧被按照覆盖所述发光元件及所述第1反射部的方式设置的透光性构件、在位于所述发光元件的上方的所述透光性构件的内部或表面与所述第1及第2反射部拉开间隔地设置的反射所述发光元件所发出的光的光反射部、形成在所述第2反射部的内周面上的对所述发光元件所发出的光的波长进行转换的波长转换部。
本发明是具有如下特征的发光装置，即，具备：发光元件、平板状的基体、形成于该基体的上侧主面并在上面形成有放置发光元件的放置部、并且包围所述放置部地形成其内周面被设为光反射面的侧壁部的第1反射部、在所述基体的上侧主面上被按照包围所述第1反射部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第2反射部、在所述第2反射部的内侧被按照覆盖所述发光元件及所述第1反射部的方式设置的透光性构件、在位于所述发光元件的上方的所述透光性构件的内部或表面与所述第1及第2反射部拉开间隔地设置的、反射所述发光元件所发出的光的光反射部、形成于所述第2反射部的内周面上并对所述发光元件所发出的光的波长进行转换的波长转换部。
本发明的特征是，最好所述光反射部位于使其外周部与穿过所述发光元件的端部和其端部的相反一侧的所述第1反射部的所述内周面的上端的直线相比靠近所述第2反射部侧的位置上。
本发明的特征是，最好所述光反射部的与所述发光元件相面对的面为光散射面。
本发明的特征是，最好所述第2波长转换部被按照使其厚度从上端部直至下端部逐渐变厚的方式设置。
本发明的特征是，最好所述波长转换部被按照使其厚度从上端部直至下端部逐渐变厚的方式设置。
本发明的特征是，最好第2波长转换部含有对所述发光元件所发出的光的波长进行转换的荧光体，该荧光体的密度从上端部直至下端部逐渐变高。
本发明的特征是，最好所述波长转换部含有对所述发光元件所发出的光的波长进行转换的荧光体，该荧光体的密度从上端部直至下端部逐渐变高。
本发明的特征是，最好所述第2波长转换部在其内侧表面设有多个凹部或凸部。
本发明的特征是，最好所述波长转换部在其内侧表面设有多个凹部或凸部。
本发明的特征是，最好所述放置部按照使高度与所述第1反射部的所述内周面的下端相比更高的方式突出。
本发明是具有如下特征的照明装置，即，将所述本发明的发光装置按照成为给定的配置的方式设置。
根据本发明，发光装置具备：发光元件、在上侧主面上形成了放置发光元件的放置部的基体、在该基体的上侧主面上被按照包围放置部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第1反射部、在基体的上侧主面上被按照包围第1反射部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第2反射部、在第2反射部的内侧被按照覆盖发光元件及第1反射部的方式设置的透光性构件、在位于发光元件的上方的透光性构件的内部或表面与第1反射部及第2反射部拉开间隔地设置的对发光元件所发出的光的波长进行转换的第1波长转换部。所以，就可以在由发光元件发出的光被第1波长转换部进行了波长转换后，用第2反射部使从第1波长转换部向下侧方向放出的光向上侧方向反射，并且使之从第1波长转换部和第2反射部的间隙中不再次透过第1波长转换部地向发光装置外部放出。其结果是，可以极为有效地抑制从第1波长转换部中向下侧方向放出的光被关入发光装置内，从而可以提高放射光强度及亮度，形成发光效率高的发光装置。
根据本发明，发光装置具备：发光元件、平板状的基体、形成于基体的上侧主面并在上面形成有放置发光元件的放置部并且包围放置部地形成其内周面被设为光反射面的侧壁部的第1反射部、在基体的上侧主面上被按照包围第1反射部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第2反射部、在第2反射部的内侧与被按照覆盖发光元件及第1反射部的方式设置的透光性构件、在位于发光元件的上方的透光性构件的内部或表面与第1反射部及第2反射部拉开间隔地设置的对发光元件所发出的光的波长进行转换的第1波长转换部。所以，就可以在由发光元件发出的光被第1波长转换部进行了波长转换后，用第2反射部使从第1波长转换部向下侧方向放出的光向上侧方向反射，并且使之从第1波长转换部和第2反射部的间隙中不再次透过第1波长转换部地向发光装置外部放出。其结果是，可以极为有效地抑制从第1波长转换部中向下侧方向放出的光被关入发光装置内，从而可以提高放射光强度及亮度，形成发光效率高的发光装置。
另外，可以很容易地将由发光元件中产生的热向与放置部一体化了的侧壁部传递。特别是在第1反射部由金属制成的情况下，热被快速地向侧壁部传递，并且从侧壁部的外侧面被良好地发散。其结果是，可以抑制发光元件的温度上升，从而可以抑制由发光元件和第1反射部的热膨胀差产生的接合部的裂缝。另外，可以使发光元件的热不仅向第1反射部的高度方向，而且向外周方向良好地移动，使之从第1反射部的下面全面向基体有效地热传导，而可以更为有效地抑制发光元件及第1反射部的温度上升，稳定地维持发光元件的动作，并且可以抑制第1反射部的内周面的热变形。这样，就可以长时间良好地维持发光装置的稳定的光特性并使之动作。
另外，根据本发明，由于第2反射部在其内周面上设有转换发光元件所发出的光的第2波长转换部，因此通过将未被第1波长转换部进行波长转换而向下侧外方反射的来自发光元件的光用第2波长转换部进行波长转换，就可以提高发光装置的放射光强度或亮度及发光效率。
根据本发明，通过使第1波长转换部的外周部位于与穿过发光元件的端部和其端部的相反一侧的第1反射部的内周面的上端的直线相比靠近第2反射部侧的位置上，就可以抑制来自发光元件的光被向发光装置的外部直接放射。其结果是，可以从发光装置中照射在发光颜色或发光分布中没有不均的光。
根据本发明，发光装置具备：发光元件、在上侧主面上形成了放置发光元件的放置部的基体、在基体的上侧主面上被按照包围放置部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第1反射部、在基体的上侧主面上被按照包围第1反射部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第2反射部、在第2反射部的内侧被按照覆盖发光元件及第1反射部的方式设置的透光性构件、在位于发光元件的上方的透光性构件的内部或表面与第1反射部及第2反射部拉开间隔地设置的反射发光元件所发出的光的光反射部、形成在第2反射部的内周面上的对发光元件所发出的光的波长进行转换的波长转换部。所以，就可以将由发光元件发出的光以高强度向外部放出。
即，由发光元件发出的光在被第1反射部向光反射部会聚而向下方反射后，被第2反射部向上方反射，向发光装置的外部放出。此外，由于在第2反射部的反射面上形成有波长转换部，因此从发光元件中发出的光当中的未直接向外部放出而透过了波长转换部的光被调节为所需的光的颜色而向外部放出。即使是以往情况中，向波长转换部的下侧或者各种方向前进而未被向外部放出的光，由于在本发明中在从波长转换部的上面入射后，利用第2反射部从波长转换部的上面再次射出，因此就不会被关入波长转换部内，从而可以使光良好地向发光装置的上方放出。由此，被进行了波长转换的光被波长转换部向发光装置的上方放出，而可以有效地防止被关入发光装置内的情况。
另外，在光反射部上反射后从波长转换部中放出的光当中的回到发光元件而被吸收的光的比例，因第1反射部被按照包围发光元件的方式放置而被抑制，因而变得非常少。这样，就可以极为有效地提高放射光强度及亮度，形成发光效率高的发光装置。
根据本发明，发光装置具备：发光元件、平板状的基体、形成于该基体的上侧主面并在上面形成有放置发光元件的放置部、并且包围放置部地形成其内周面被设为光反射面的侧壁部的第1反射部、在基体的上侧主面上被按照包围第1反射部的方式形成的、内周面被设为光反射面的框状的第2反射部、在第2反射部的内侧被按照覆盖发光元件及第1反射部的方式设置的透光性构件、在位于发光元件的上方的透光性构件的内部或表面与第1反射部及第2反射部拉开间隔地设置的反射发光元件所发出的光的光反射部、形成在第2反射部的内周面上的对发光元件所发出的光的波长进行转换的波长转换部。所以，就可以将由发光元件发出的光以高强度向外部放出。
即，由发光元件发出的光在被第1反射部向光反射部会聚而向下方反射后，被第2反射部向上方反射，向发光装置的外部放出。此外，由于在第2反射部的反射面上形成有波长转换部，因此从发光元件中发出的光当中的未直接向外部放出而透过了波长转换部的光就被调节为所需的光的颜色而向外部放出。即使是以往情况中，向波长转换部的下侧或者各种方向前进而未被向外部放出的光，由于在本发明中在从波长转换部的上面入射后，利用第2反射部从波长转换部的上面再次射出，因此就不会被关入波长转换部内，从而可以使光良好地向发光装置的上方放出。由此，被进行了波长转换的光被波长转换部向发光装置的上方放出，而可以有效地防止被关入发光装置内的情况。
另外，在光反射部上反射后从波长转换部中放出的光当中的回到发光元件而被吸收的光的比例因第1反射部被按照包围发光元件的方式放置而被抑制，因而变得非常少。这样，就可以极为有效地提高放射光强度及亮度，形成发光效率高的发光装置。
另外，可以很容易地将由发光元件中产生的热向放置部及与放置部一体化了的侧壁部传递。特别是在第1反射部由金属制成的情况下，热被快速地向放置部及侧壁部传递，并且被从第1反射部的下面全面向基体传递，从基体的外面被良好地发散。其结果是，可以抑制发光元件的温度上升，从而可以抑制由发光元件和第1反射部的热膨胀差产生的接合部的裂缝。另外，通过使热从第1反射部的下面全面向基体有效地热传导，而更为有效地抑制发光元件及第1反射部的温度上升，就可以稳定地维持发光元件的动作，并且可以抑制第1反射部的内周面的热变形。这样，就可以长时间良好地维持发光装置的稳定的光特性并使之动作。
根据本发明，由于通过使光反射部的外周部位于与穿过发光元件的端部和其端部的相反一侧的第1反射部的内周面的上端的直线相比靠近第2反射部侧的位置上，由发光元件中发出的光的大部分被向光反射部会聚，向下方反射，因此就可以抑制光不通过波长转换部而直接向发光装置的外部放射的情况。其结果是，可以从发光装置中高强度地放射在发光颜色或发光分布中没有不均的具有所需的波长光谱的光。
即，当从发光元件中未通过波长转换部而直接向外部射出的光较多时，被转换为所需的波长的光的量减少，放射光强度也减弱，然而通过像这样将光反射部的外周部配置在与穿过发光元件的端部和其端部的相反一侧的第1反射部的内周面的上端的直线相比靠近第2反射部侧的位置上，就可以使由发光元件发出的光穿过光反射部和第1反射部之间，而减少被直接向外部放出的光。这样，由于可以使由发光元件发出的光的大部分都透过波长转换部，因此被进行了波长转换的光的量增多，就可以提高波长转换功率，高强度地放出具有所需的波长光谱的光。
根据本发明，光反射部的与发光元件相面对的面为光散射面，所以可以使来自发光元件的光效率良好地向下侧外方反射，使反射光射入波长转换部。
另外，根据本发明，通过将第2波长转换部或波长转换部按照使其厚度从上端部开始向下端部逐渐变厚的方式设置，直至透光性构件的上面和第2波长转换部或波长转换部的距离变大的第2波长转换部的下端部，由荧光体中产生的光的量逐渐增加，直至透光性构件的上面和第2波长转换部或波长转换部的距离变小的第2波长转换部或波长转换部的上端部，由荧光体中产生的光的量比下端部逐渐变少。其结果是，可以在中心部和周边部使发光装置的光强度分布均匀化，并且可以抑制颜色不均的产生。
另外，根据本发明，通过第2波长转换部或波长转换部含有对发光元件所发出的光的波长进行转换的荧光体，荧光体的密度从上端部向下端部逐渐变高。据此，直至透光性构件的上面和第2波长转换部或波长转换部的距离变大的第2波长转换部或波长转换部的下端部，由荧光体中产生的光的量逐渐增加，直至透光性构件的上面和第2波长转换部或波长转换部的距离变小的第2波长转换部或波长转换部的上端部，由荧光体中产生的光的量比下端部逐渐变少。其结果是，可以在中心部和周边部使发光装置的光强度分布均匀化，并且可以抑制颜色不均的产生。
另外，通过将未被第1波长转换部进行波长转换而向下侧外方放射的发光元件的光利用提高了密度的荧光体进行波长转换，发光装置的放射光强度、亮度及发光效率提高。
另外，根据本发明，由于第2波长转换部或波长转换部在其内侧表面设有多个凹部或凸部，因此从发光元件中直接，或经过第1反射部的内周面的反射而向第1波长转换部传播，未被第1波长转换部中含有的荧光体进行波长转换地向下侧外方反射而射入第2波长转换部的光，或从发光元件中直接或经过第1反射部的内周面的反射而向光反射部传播、并被光反射部向下侧外方反射而射入波长转换部的光就很容易利用凹部或凸部射入第2波长转换部或波长转换部内，被第2波长转换部或波长转换部的荧光体进行了波长转换的光增加，发光装置的放射光强度、亮度及发光效率提高。
另外，由于利用多个凹部或凸部使第2波长转换部或波长转换部的表面积增大，在第2波长转换部或波长转换部的表面露出的荧光体增多，因此利用未被第1波长转换部中所含的荧光体进行波长转换而向下侧外方反射的光或被光反射部向下侧外方反射的光，就会很容易激发第2波长转换部或波长转换部的荧光体，被第2波长转换部或波长转换部进行波长转换的光增加。所以，发光装置的放射光强度、亮度及发光效率提高。
根据本发明，通过使放置部的高度与第1反射部的内周面的下端相比更高地突出，就可以使从发光元件中向斜下方发出的光效率良好地被第1反射部的内周面向上方反射，从而可以抑制来自发光元件的光被第1反射部的内周面的下端关入发光装置的内部。所以，发光装置就可以减少第1反射部的内周面对由发光元件产生的光的光吸收损失。这样，就可以提高发光装置的放射光强度。
根据本发明，由于将所述本发明的发光装置按照成为给定的配置的方式设置，因此就能够将利用了由半导体制成的发光元件的电子复合产生的发光的、与使用了以往的放电的照明装置相比消耗电能更低并且寿命更长的发光元件作为光源使用，可以形成能够将由该光源中发出的光有效地向外部照射的小型的照明装置。此外，由于能够有效地以低电能使之动作，因此发光元件的温度上升变小，结果就可以抑制由发光元件产生的光的中心波长的变动，可以用长时间稳定的放射光强度及放射光角度(配光分布)照射光，并且可以形成抑制了照射面上的颜色不均或照度分布的偏移的照明装置。
另外，通过将本发明的发光装置作为光源以给定的配置设置，并且在这些发光装置的周围设置以适当的形状进行了光学设计的反射夹具或光学透镜、光扩散板等，就可以形成放射出适当的配光分布的光的照明装置。
附图说明
图1是表示本发明的实施方式1的发光装置的剖面图。
图2是表示本发明的实施方式2的发光装置的剖面图。
图3是表示本发明的实施方式3的发光装置的剖面图。
图4是表示本发明的实施方式4的发光装置的剖面图。
图5是表示本发明的实施方式5的发光装置的剖面图。
图6是表示本发明的实施方式6的发光装置的剖面图。
图7是表示本发明的实施方式7的发光装置的剖面图。
图8是表示本发明的实施方式8的发光装置的剖面图。
图9A及B分别是表示本发明的实施方式9的发光装置的不同位置的剖面图。
图10是表示本发明的实施方式10的发光装置的剖面图。
图11是表示本发明的实施方式11的发光装置的剖面图。
图12是表示本发明的实施方式12的发光装置的剖面图。
图13是表示本发明的实施方式13的发光装置的剖面图。
图14是表示本发明的实施方式14的发光装置的剖面图。
图15是表示本发明的实施方式15的发光装置的剖面图。
图16是表示本发明的实施方式16的发光装置的剖面图。
图17是表示本发明的实施方式17的发光装置的剖面图。
图18是表示本发明的实施方式18的发光装置的剖面图。
图19是表示本发明的实施方式19的发光装置的剖面图。
图20是表示本发明的实施方式20的发光装置的剖面图。
图21是表示本发明的实施方式21的发光装置的剖面图。
图22A及B分别是表示本发明的实施方式22的发光装置的不同位置的剖面图。
图23是表示本发明的实施方式23的发光装置的剖面图。
图24是表示本发明的实施方式24的发光装置的剖面图。
图25是表示本发明的实施方式25的发光装置的剖面图。
图26是表示本发明的一个实施方式的照明装置的俯视图。
图27是图26的照明装置的剖面图。
图28是表示本发明的其他实施方式的照明装置的俯视图。
图29是图28的照明装置的剖面图。
图30是以往的发光装置的剖面图。
具体实施方式
下面将参照附图对本发明的优选的实施方式进行详细说明。
下面将对本发明的发光装置进行详细说明。图1是表示本发明的实施方式1的发光装置的剖面图。发光装置主要由基体1、作为第1反射部的第1反射构件2、发光元件3、作为第2反射部的第2反射构件4、填充于第2反射构件4的内侧的透光性构件6、作为第1波长转换部的第1波长转换层5构成，第1波长转换层5被配置在发光元件3的上方，并且与第1反射构件2及第2反射构件4拉开间隔地配置在透光性构件6的内部或表面(图1中为内部)，对发光元件3所发出的光进行波长转换而产生荧光。
基体1由氧化铝陶瓷、氮化铝质烧结体、莫来石质烧结体、玻璃陶瓷等陶瓷、Fe-Ni-Co合金、Cu-W等金属、或环氧树脂等树脂制成。在基体1的上面形成有放置发光元件3的放置部1a。
另外，基体1在其上侧主面，利用焊锡、Ag焊料等焊接材料或环氧树脂等树脂粘接剂等接合材料，将第1反射构件2按照包围放置部1a的方式安装，将第2反射构件4按照包围第1反射构件2的方式安装。第1反射构件2在发光元件3的周围被按照以所需的面精度(例如在发光装置的纵剖面上，将发光元件3夹隔在其间而设于发光元件3的两侧的光反射面达到对称的状态)设置内周面(以下称为第1内周面)2a的方式安装，第2反射构件4在第1反射构件的周围被按照以所需的面精度设置内周面(以下称为第2内周面)4a的方式安装。这样，不仅对于第1波长转换层5的上面及侧面的荧光，而且对于来自第1波长转换层5的下面的荧光，也可以利用第2内周面4a反射，使光有效地向发光装置的外部输出。其结果是，发光装置具有高放射强度及高亮度，可以提高发光效率，并且通过用第1内周面2a使来自发光元件3的光向第1波长转换层5均匀地没有不均的反射，就可以抑制由发光装置输出的光的颜色不均。
而且，第2反射构件4最好其第2内周面4a的剖面形状为凹曲面。其结果是，从第1波长转换层5向下方放射的荧光利用第2内周面4a而被作为具有高指向性的光向上方反射，向发光装置的外部放射。所以，这些发光装置最适于作为可以向照射面有效地照射光的照明装置。
另外，第1反射构件2和第2反射构件4也可以利用模具成形或切削加工将第2反射构件2和第2反射构件4一体化制作。这样，发光元件3的热就会借助第1反射构件2和第2反射构件4而被向发光装置整体发散，并且因发光装置的放热面积增加，因而可以抑制发光元件3的温度上升。
另外，第1波长转换层5也可以如图2中所示的本发明的实施方式2的发光装置那样，在发光元件3的上方、透光性构件6的表面上，被与第1反射构件2及第2反射构件4设置间隔地配置。此时，由第1波长转换层5中发出的光就很容易向发光装置的外部放射，可以提高发光装置的发光效率，并且可以提高放射光强度及亮度。
另外，放置部1a最好如图3中所示的本发明的实施方式3的发光装置那样，按照使得高度比第1反射构件2的第1内周面2a的下端更高的方式突出。这样，由于从发光元件3向斜下方发出的光就会有效地被第1内周面2a向上方反射而被向第1波长转换层5传播，因此被第1波长转换层5进行波长转换的发光元件3的光增加，发光装置的放射强度提高。
此种突出的放置部1a通过利用研磨、切削加工、蚀刻等将其周围除去，或者通过将成为基体1及放置部1a的陶瓷未加工板层叠煅烧而一体化，而从基体1的上面突出形成。或者，也可以在基体1的上侧主面上，用粘接剂等安装形成成为放置部1a的其他的构件。例如，也可以通过在基体1的上侧主面上利用焊接材料或粘接剂等接合材料安装来设置由氧化铝陶瓷或氮化铝质烧结体、莫来石质烧结体、玻璃陶瓷等陶瓷、Fe-Ni-Co合金或Cu-W等金属、或环氧树脂等树脂构成的成为放置部1a的构件。
另外，放置部1a最好如图4中所示的本发明的实施方式4的发光装置那样，按照使得其侧面随着向下侧而向外侧拓宽的方式倾斜。这样，就可以在将由热硬化前的液状的树脂等制成的透光性构件6填充到第2反射构件4的内侧时，有效地防止突出的放置部1a与基体1上侧主面或与第1内周面2a的下端部之间的角部形成空气层。另外，可以将由发光元件3发出的光用突出的放置部1a的侧面向上方及第1内周面2a的方向良好地反射，使发光装置的放射强度进一步提高。另外，在发光元件3中产生的热通过借助放置部1a有效地向基体1侧扩散传递，就可以更为有效地抑制发光元件3的温度上升。
另外，放置部1a形成有用于将发光元件3电连接的配线导体(未图示)。该配线导体通过被借助形成于基体1的内部的配线层(未图示)向发光装置的外表面导出而与外部电路基板连接，就会将发光元件3和外部电路电连接。
而且，第1反射构件2及第2反射构件4可以通过对Al、Ag、Au、铂(Pt)、钛(Ti)、铬(Cr)、Cu等高反射率的金属进行切削加工或模具成形等而形成。或者，第1反射构件2及第2反射构件4在由陶瓷或树脂等绝缘体制成时(也包括第1反射构件2及第2反射构件4为金属的情况)，也可以在第1内周面2a及第2内周面4a上利用镀膜或蒸镀等形成Al、Ag、Au、铂(Pt)、钛(Ti)、铬(Cr)、Cu等高反射率的金属薄膜。另外，当第1内周面2a及第2内周面4a由Ag或Cu等容易因氧化而变色的金属制成时，最好在其表面上，利用电解镀膜法或非电解镀膜法依次覆盖例如厚度1～10μm左右的Ni镀层和厚度0.1～3μm左右的Au镀层。这样，第1内周面2a及第2内周面4a的耐腐蚀性就会提高，并且可以抑制反射率的恶化。
另外，第1内周面2a及第2内周面4a的算术平均粗糙度Ra优选0.004～4μm，这样，就能够将来自发光元件3的光或来自第1波长转换层5的荧光良好地反射。当Ra超过4μm时，发光元件3及第1波长转换层5的光就无法被均匀地反射，在发光装置的内部发生漫反射，光损失增加。另一方面，如果小于0.004μm，则会有难以稳定并且有效地形成此种面的倾向。
另外，即使第1反射构件2将外周面的剖面形状变更为弯曲形状，或在第1反射构件2和第2反射构件之间使用多个反射构件，也没有任何问题。
而且，第1反射构件2的上面和第1波长转换层5的下面的距离优选0.5～3mm。当小于0.5mm时，则难以使从第1波长转换层5向下侧方向放出的荧光向第1反射构件2的外侧的第2反射构件4反射，从而难以提高放射效率。另外，当超过3mm时，则容易使来自发光元件3的光不透过第1波长转换层5，而从第1波长转换层5和第1反射构件2的间隙中被直接向外部放射，从而容易产生放射光的颜色不均或强度不均。
另外，发光元件3使用引线接合方式、或将发光元件3的电极设为下侧而利用焊盘连接的倒装式接合方式，与形成于基体1上的配线导体电连接。最好利用倒装式接合方式连接。这样，由于可以将配线导体设于发光元件3的正下方，因此就不需要在发光元件3的周边的基体1的上面设置用于设置配线导体的空间。由此，就可以有效地抑制由发光元件3发出的光被该基体1的配线导体的空间吸收而使放射光强度降低的情况。
该配线导体例如通过形成W、Mo、Cu、Ag等金属粉末的金属化层，嵌设Fe-Ni-Co合金等引线端子，或通过使由形成了配线导体的绝缘体构成的输入输出端子与设于基体1上的贯穿孔嵌装接合而设置。
而且，在配线导体露出的表面上，最好事先以1～20μm左右的厚度覆盖Ni或Au等耐腐蚀性优良的金属，从而可以有效地放置配线导体的氧化腐蚀，并且可以使发光元件3和配线导体的连接牢固。所以，在配线导体的露出表面上，更优选例如利用电解镀膜法或非电解镀膜法依次覆盖厚度1～10μm左右的Ni镀层和厚度0.1～3μm左右的Au镀层。
另外，透光性构件6由环氧树脂或硅树脂等透明树脂或透光性玻璃制成，将发光元件3覆盖，以及根据需要将第1波长转换层5覆盖，并且被填充于第1反射构件2及第2反射构件4的内部。这样，发光元件3及第1波长转换层5的内侧和外侧的折射率差变小，从而可以从发光元件3及第1波长转换层5中输出更多的光。另外，当透光性构件6由与构成第1波长转换层5的透明构件相同的材料构成时，来自发光装置的发光提高，可以显著地提高放射光强度及亮度。
另外，第1波长转换层5由可以对来自发光元件3的光进行波长转换的荧光体和环氧树脂、硅树脂、玻璃等透明构件构成，例如被预先制成膜或板状，在烤炉等中被热硬化而形成。此外，第1波长转换层5通过在发光元件3的上方并按照覆盖第1反射构件2和第2反射构件4的一部分的方式配置，将由发光元件3直接照射的光或被第1反射构件2反射的光利用荧光体进行波长转换，将具有所需的波长光谱的光取出。
另外，第1波长转换层5最好如图5中所示的本发明的实施方式5的发光装置那样，其外周部位于比穿过发光元件3的端部和其端部的相反一侧的第1反射构件2的内周面2a的上端的直线更靠第2反射构件4侧。这样，就可以抑制来自发光元件3的光被直接向发光装置的外部放射。其结果是，可以从发光装置照射在发光颜色及发光分布中没有不均的光。
另外，第1波长转换层5最好如图6中所示的本发明的实施方式6的发光装置那样，使其剖面形状在发光元件3侧成为凸的曲面。其结果是，通过将由第1波长转换层5的下面发出的荧光向第2反射构件4的第2内周面4a均匀地照射，就可以抑制来自第2内周面4a的反射光的颜色不均。所以，就可以提高发光装置的光学特性。
另外，第1波长转换层5最好如图7中所示的本发明的实施方式7的发光装置那样，使其剖面形状在发光元件3侧为凸的曲面，并成为具有如下的比例关系的厚度，即，相对于发光元件3的发光强度分布，强度越增加，则第1波长转换层5的厚度就越增大。其结果是，对于来自第1波长转换层5的上面的光，也可以向外部均匀地照射。所以，发光装置就可以将抑制了配光分布的偏移及颜色不均的光向外部照射。
另外，透光性构件6也可以如图8中所示的本发明的实施方式8的发光装置那样，将第1反射构件2和第2反射构件4的内侧用不同的透光性材料填充。即，在填充于第1反射构件2的内侧并且直至上端的透明构件7、填充于第2反射构件4的内侧的透光性构件6中，当透明构件7的折射率低于透光性构件6时，被发光元件3或第1内周面2a反射的光就不会被透明构件7和透光性构件6的界面全反射，而向透光性构件6内传播，并且向第1波长转换层5的下方放射的荧光的一部分被透明构件7和透光性构件6的界面全反射，向发光装置的外部放射。另外，当透明构件7的折射率高于透光性构件6时，就可以抑制来自发光元件3的光或被第1内周面2a反射的光在透过透明构件7和透光性构件6的界面时产生的反射损失。而且，对于透光性构件6和透明构件7，可以按照使发光装置的放射光强度达到最大的方式，考虑选择折射率差及透过率。
下面，对本发明的实施方式9的发光装置进行说明。而且，本发明的实施方式中，除了在第1反射构件2上形成有放置部2b以外，与所述实施方式1的发光装置相同，对于对应的部分使用相同的参照符号，将详细的说明省略。
第1反射构件2如图9A所示，在上面形成放置发光元件3的放置部2b，并且具有包围放置部2b的、内周面被设为光反射面的侧壁部2c，被安装在基体1上侧主面的中央部。另外，在第1反射构件2的外周部，具有第2内周面4a被设为光反射面的侧壁部4c的框状的第2反射构件4被安装在基体1上侧主面的外周部上。此外，在第2反射构件4的内侧，按照覆盖发光元件3和第1反射构件2的方式填充有透光性构件6，并且在发光元件3的上方并在透光性构件6的内部或表面，与第1反射构件2及第2反射构件4设置间隔地配置有对发光元件3发出的光进行波长转换的第1波长转换层5。
这样，在将由发光元件3发出的光用第1波长转换层5进行了波长转换后，就可以使从第1波长转换层5向下侧方向放出的光被第2反射构件4向上侧方向反射，并且不再次透过第1波长转换层5地从第1波长转换层5和第2反射构件4的间隙向发光装置外部放出。其结果是，可以极为有效地抑制从第1波长转换层5向下侧方向放出的光被关入发光装置内的情况，从而可以提高放射光强度及亮度，形成发光效率高的发光装置。
另外，可以很容易地将由发光元件3产生的热向放置部2b及与放置部2b一体化了的侧壁部2c传递。特别是在第1反射构件2由金属制成的情况下，热被快速地向侧壁部传递，并且被良好地从侧壁部2c的外侧面发散。其结果是，可以抑制发光元件3的温度上升，可以抑制由发光元件3和第1反射构件2的热膨胀差产生的接合部的裂缝。另外，可以使发光元件3的热不仅向第1反射构件2的高度方向，而且也向外周方向良好地移动，从而可以使之从第1反射构件2的下面全面向基体1效率良好地热传导，而更为有效地抑制发光元件3及第1反射构件2的温度上升，可以稳定地维持发光元件3的动作，并且抑制第1反射构件2的内周面的热变形。这样，就可以长时间地良好地维持发光装置的稳定的光特性并使之动作。
而且，发光元件3如图9B所示，通过焊线9穿过在包围放置部2b的内周面2a上形成的贯穿孔2d而与形成于基体1上的配线导体(未图示)电连接，进行电能供给。
另外，第1反射构件2和第2反射构件4也可以如图10中所示的本发明的实施方式10的发光装置那样，将第1反射构件2和第2反射构件4一体化地利用模具成形或切削加工制作。这样，就可以将发光装置3的热借助第1反射构件2和第2反射构件4进一步向发光装置整体发散，并且通过发光装置的放热面积增加，可以抑制发光元件3的温度上升。
另外，也可以与图3或图4中所示的本发明的实施方式相同，使放置部2b与作为其周围的第1反射构件2的内周面的侧壁部2c的下端相比更高的方式突出。此时，由于从发光元件3向斜下方发出的光有效地被侧壁部2c向上方反射而向第1波长转换层5传播，因此被第1波长转换层5进行波长转换的发光元件3的光增加，发光装置的放射强度提高。
对于本发明的实施方式9及10的发光装置，也可以使用在本发明的实施方式1～8中说明的构成。
另外，第2反射构件4最好如图11中所示的本发明的实施方式11的发光装置那样，在第2内周面4a的表面设有对发光元件3所发出的光的波长进行转换的作为第2波长转换部的第2波长转换层4b。即，从发光元件3直接或借助利用第1内周面2a的反射向第1波长转换层5传播，并且未被第1波长转换层5中所含的荧光体进行波长转换而向下侧外方反射的光到达形成于第2内周面4a的第2波长转换层4b而被进行波长转换。此外，该进行了波长转换的光被从第2波长转换层4b向上方放射，并且从第1波长转换层5和第2反射构件4之间经过透光性构件6的上面向发光装置的外部放射。其结果是，发光装置通过将未被第1波长转换层5进行波长转换而向下侧方向反射的发光元件的光也用第2波长转换层4b进行波长转换，就可以提高发光装置的放射光强度或亮度及发光效率。
而且，从第2波长转换层4b向第2内周面4a侧射出的光被设为光反射面的第2内周面4a反射而再次回到第2波长转换层4b侧。而且，该构成也可以适用于图9A、图9B及图10中所示的本发明的实施方式9及10的发光装置。
另外，第2波长转换层4b最好如图12中所示的本发明的实施方式12的发光装置那样，被按照使其厚度从上端部直至下端部逐渐变厚的方式设置。这样，直至透光性构件6的上面和第2波长转换层4b的距离变大的第2波长转换层4b的下端部，由于第2波长转换层4b逐渐变厚，因而由荧光体中产生的光的量逐渐增加。另外，直至透光性构件6的上面和第2波长转换层4b的距离变小的第2波长转换层4b的上端部，由于第2波长转换层4b逐渐变薄，因而由荧光体中产生的光的量与下端侧相比逐渐变少。其结果是，可以使由发光装置向上方放射的光的强度分布在中心部和周边部均匀，并且可以抑制颜色不均的产生。而且，该构成也可以适用于图9A、图9B及图10中所示的本发明的实施方式9及10的发光装置中。
另外，第2波长转换层4b最好使荧光体的密度从上端部直至下端部逐渐变高。这样，直至透光性构件6的上面和第2波长转换层4b的距离变大的第2波长转换层4b的下端部，由于第2波长转换层4b的荧光体的密度逐渐变高，因而由荧光体中产生的光的量逐渐增加。另外，直至透光性构件6的上面和第2波长转换层4b的距离变小的第2波长转换层4b的上端部，由于第2波长转换层4b的荧光体的密度与下端部相比逐渐变小，因而由荧光体中产生的光的量与下端部相比逐渐变小。其结果是，可以使由发光装置向上方放射的光的强度分布在中心部和周边部均匀，并且可以抑制颜色不均的产生。而且，该构成也可以适用于图9A、图9B及图10中所示的本发明的实施方式9及10的发光装置中。
另外，第2波长转换层4b最好在其内侧表面设有多个凹部或凸部。即，通过如图13中所示的本发明的实施方式13的发光装置那样，在第2波长转换层4b的表面设置多个凹部或凸部，第2波长转换层4b的表面积就增加。这样，由于向第2波长转换层4b的表面露出的荧光体增多，因此从发光元件3直接或借助利用第1内周面2a的反射而向第1波长转换层5传播、并且未被第1波长转换层5中所含的荧光体进行波长转换而向下侧外方反射的光，就被向在第2波长转换层4b的表面露出的荧光体照射而激发荧光体，容易被波长转换为荧光。其结果是，来自荧光体的荧光的量增加，并且从第2波长转换构件4b中有效地放出荧光，发光装置的放射光强度或亮度及发光效率提高。
另外，从发光元件3直接或借助利用第1内周面2a的反射而向第1波长转换层5传播、未被第1波长转换层5中所含的荧光体进行波长转换地向下方反射，并且相对于第2波长转换层4b的表面以接***行的钝角射入的光就会相对于凹部或凸部的侧面以接近直角的锐角射入，不被反射地向第2波长转换层4b内传播。其结果是，由于由透光性构件6向第2波长转换层4b射入的入射光增加，即透光性构件6和第2波长转换层4b的界面的透过率增加，被第2波长转换层4b内的荧光体进行波长转换的光增加，因此发光装置的放射光强度或亮度及发光效率提高。而且，该构成也可以适用于图9A、图9B及图10中所示的本发明的实施方式9及10的发光装置中。
图14是表示本发明的实施方式14的发光装置的剖面图。本实施方式的发光装置与本发明的实施方式1的发光装置的构成类似，应当关注的是采用了如下的构成，即，取代第1波长转换层5，配置光反射层25，在第2反射构件4的内周面4a上覆盖了波长转换层8。即，发光装置主要由基体1、作为第1反射部的第1反射构件2、发光元件3、作为第2反射部的第2反射构件4、被注入第2反射构件4的内侧的透光性构件6、作为光反射部的光反射层25、覆盖在第2反射构件4的内周面4a上的对发光元件3所发出的光的波长进行转换而产生荧光的作为波长转换部的波长转换层8构成。其中光反射层25在发光元件3的上方并且与第1反射构件2及第2反射构件4拉开间隔地配置于透光性构件6的内部或表面(图14中为内部)而反射发光元件3所发出的光。
另外，基体1在上侧主面上利用焊锡、Ag焊料等焊接材料或环氧树脂等树脂粘接剂等接合材料，将第1反射构件2按照包围放置部1a的方式安装，另外将第2反射构件4按照包围第1反射构件2的方式安装。第1反射构件2在发光元件3的周围被按照以所需的面精度(例如在发光装置的纵剖面上，将发光元件3夹隔在其间而设于发光元件3的两侧的光反射面达到对称的状态)设置内周面(以下称为第1内周面)2a的方式安装，第2反射构件4在第1反射构件的周围被按照以所需的面精度设置内周面(以下称为第2内周面)4a的方式安装。这样，利用第1反射构件2将由发光元件3发出的光向光反射层25会聚反射，其后前进到波长转换层8而被进行波长转换，并且被其下面侧的第2反射构件4，向发光装置的外部有效地放出。其结果是，发光装置可以具有高放射光强度及高亮度，使发光效率提高。
而且，从波长转换层8向第2内周面4a侧射出的光在被设为光反射面的第2内周面4a反射而再次回到波长转换层8侧。
当将来自发光元件3的光像这样利用第1反射构件2向光反射层25会聚时，来自发光元件3的光就会以各种角度射入光反射层25。此后以各种角度射入的光同样地以各种反射角从光反射层25向第2反射构件4前进，均匀地射入第2反射构件4。其后，由于从发光装置向外部放出的光也被均匀地射出，因此结果就可以抑制由发光装置输出的光的颜色不均。
而且，第2反射构件4最好覆盖使在其上的波长转换层8的纵的剖面形状为凹曲面。这样，从光反射层25向下方放射的光就会利用波长转换层8和第2反射构件4而被作为具有高指向性的光向上方反射，向发光装置的外部射出。所以，这些发光装置最适于作为可以向照射面有效地照射光的照明装置。
另外，光反射层25也可以如图14所示那样，在发光元件3的上方并在透光性构件6的内部被与第1反射构件2及第2反射构件4拉开间隔地配置。此时，就可以有效地防止光反射层25与透光性构件6剥离的情况。光反射层25也可以如图15中所示的本发明的实施方式15的发光装置那样，在发光元件3的上方并在透光性构件6的表面，被与第1反射构件2及第2反射构件4拉开间隔地配置。此时，由于可以使第1光反射构件2和光反射层25的间隔更大，因此由光反射层25反射的光的大部分就会更容易穿过该间隔而射入波长转换层8，从而可以提高发光装置的发光效率，并且可以提高放射光强度及亮度。
另外，与图3中所示的本发明的实施方式相同，放置部1a最好如图16中所示的本发明的实施方式16的发光装置那样，按照使高度比第1反射构件2的第1内周面2a的下端更高的方式突出。这样，从发光元件3向斜下方发出的光就被第1反射构件2有效地向上方会聚，在光反射层5上向下方反射，被波长转换层8进行波长转换的发光元件3的光增加，发光装置的放射强度提高。
另外，与图4中所示的本发明的实施方式相同，放置部1a最好如图17中所示那样，按照使其侧面随着向下侧而向外侧拓宽的方式倾斜。
另外，第1内周面2a及第2内周面4a的算术平均粗糙度Ra优选0.004～4μm，这样，就能够将来自发光元件3的光或由光反射层25反射的光良好地反射。当Ra超过4μm时，发光元件3及光反射层25的光无法被均匀地反射，在发光装置的内部发生漫反射，光损失容易增加。另一方面，如果小于0.004μm，则有难以稳定并且有效地形成此种面的倾向。
另外，即使第1反射构件2将外周面的纵剖面形状变更为弯曲形状，或在第1反射构件2和第2反射构件之间设置多个反射构件，也没有任何问题。
另外，最好将第1反射构件2的外周面设为光反射面。这样，即使是在第2反射构件4上反射的光当中的不朝向上方而在发光装置内沿第1反射构件2的外周面的方向行进的光，也可以通过在第1反射构件2的外周面上形成光反射层，而可以在那里反射，使之朝向上方。
而且，第1反射构件2的上端和光反射层25的距离优选0.5～3mm。当小于0.5mm时，则难以使从光反射层25向下方反射的光向第1反射构件2的外侧的第2反射构件4反射，从而难以提高放射效率。另外，当超过3mm时，则很容易使来自发光元件3的光不透过波长转换层8，从光反射层25和第1反射构件2的间隙中被直接向外部放射，从而容易产生放射光的颜色不均或强度不均。
另外，透光性构件6由环氧树脂或硅树脂等透光性树脂或透光性玻璃制成，将发光元件3覆盖，以及根据需要将光反射层25覆盖，并且被注入第1反射构件2及第2反射构件4的内部。这样，发光元件3及光反射层25的内侧和外侧的折射率差变小，从而可以从发光元件3及光反射层25中输出更多的光。另外，当透光性构件6由与构成波长转换层8的透光性构件相同的材料构成时，来自发光装置的发光提高，可以显著地提高放射光强度及亮度。
另外，波长转换层8通过使由可以对来自发光元件3的光进行波长转换的荧光体或颜料含于环氧树脂或硅树脂、玻璃等透光性构件中而形成。波长转换层8的制法例如为：将含有荧光体的硅树脂用喷雾器或雾化器等形成雾状而散布的器具涂布在反射构件4的内周面上，通过加热使硅树脂硬化而形成。
光反射层25通过被配置在发光元件3的上方，将由发光元件3直接照射的光或被第1反射构件2反射的光用光反射层25向下方反射，通过穿过波长转换层8，而输出被荧光体进行了波长转换的具有所需的波长光谱的光。
光反射层25的材料为在从近紫外光到可见光区域中反射率高的金属或树脂、陶瓷等，作为材料，在金属中可以举出铝等，在树脂中可以举出聚酯或聚烯烃、スペクトラロン(Labsphere公司制的扩散反射材料)等，在陶瓷中可以举出氧化铝陶瓷等。或者也可以通过在金属或树脂、陶瓷等的基板的表面，利用镀膜法或蒸镀法等众所周知的薄膜形成方法，覆盖Ag或Au而作为光反射层25。
光反射层25的制法为：当光反射层25由铝板制成时，例如可以通过利用冲裁加工或切削加工将铝制成圆板状等，并在树脂中含有硫酸钡或氧化钛等光散射材料，以雾状涂布在圆板表面，形成具有高反射率的光散射面的光反射层25。作为将光反射层25固定于发光装置内的方法，例如可以在将透光性构件6注入至第2反射构件4的大致上端部而使之热硬化后，在其上放置光反射层25，通过从其上注入未硬化的透光性构件6而使之热硬化来固定。
另外，光反射层25最好如图18中所示的本发明的实施方式18的发光装置那样，其外周部与穿过发光元件3的端部和其端部的相反一侧的第1反射构件2的内周面2a的上端的直线相比位于第2反射构件4侧的位置。这样，就可以抑制来自发光元件3的光被直接向发光装置的外部放射。其结果是，可以从发光装置中照射没有发光颜色或发光分布的不均的光。
另外，光反射层25最好如图19和图20中所示的本发明的实施方式19和20的发光装置那样，将其纵剖面形状在发光元件3侧成为凸的曲面。其结果是，通过将由光反射层25的下面反射的光向由第2反射构件4覆盖的波长转换层8均匀地照射，就可以抑制来自波长转换层8的荧光的颜色不均。所以，就可以提高发光装置的光学特性。
另外，透光性构件6也可以如图21中所示的本发明的实施方式21的发光装置那样，将第1反射构件2的内侧和外侧用不同的透光性材料6分别填充。例如，将第1反射构件2的内侧和外侧用折射率不同的透光性材料6分别填充，按照使得由发光元件3发出的光随着朝向发光装置外部前进，慢慢地朝向折射率小的透光性构件通过的方式，来决定透光性构件。即，对于被注入第1反射构件2的内侧并直至上端的透光性构件7、被注入第2反射构件4的内侧的透光性构件6，最好按照发光元件3、透光性构件7、透光性构件6、空气层的顺序，使折射率变小。这是因为，首先对于透光性构件7，由于发光元件3自身的折射率极高，因此为了尽可能将来自该发光元件3的光取出，最好用具有接近发光元件3的折射率的高折射率的透光性构件7覆盖发光元件3。另外，为了抑制从覆盖第2反射构件4a的波长转换层8中向所有方向放射的光(荧光)的全反射，有必要尽可能缩小空气层和透光性构件6的折射率的差。这样，由于通过从发光元件3到透光性构件7、透光性构件6、空气层，将折射率阶段性地减小，就可以抑制各个界面上的光损失，因此最好按照使折射率具有如上所述的顺序的方式来选定材质。
而且，对于透光性构件6和透光性构件7，可以按照使发光装置的放射光强度达到最大的方式，考虑选定折射率差或透过率。
下面，对本发明的实施方式22的发光装置进行说明。而且，在本发明的实施方式中，除了在第1反射构件2上形成有放置部2b以外，与所述实施方式14的发光装置相同，对于对应的部分使用相同的参照符号，将详细的说明省略。
第1反射构件2如图22A所示，在上面形成有放置发光元件3的放置部2b，并且具有包围放置部2b的、内周面被设为光反射面的侧壁部2c，被安装在基体1的上侧主面的中央部上。另外，在第1反射构件2的外周部，在第2内周面4a上形成了波长转换层8的框状的第2反射构件4被安装在基体1上侧主面的外周部上。此外，在第2反射构件4的内侧，按照覆盖发光元件3和第1反射构件2的方式填充有透光性构件6，并且在发光元件3的上方并在透光性构件6的内部或表面，与第1反射构件2及第2反射构件4拉开间隔地配置有对发光元件3发出的光进行反射的光反射层25。
这样，在由发光元件3发出的光被光反射层25向下方反射后，穿过波长转换层8，并且被第2反射构件4向上方反射，从光反射层25和第2反射构件4的间隙向发光装置外部放出。其结果是，可以极为有效地抑制从波长转换层8向下侧等所有方向放出光而被关入发光装置内的情况，从而可以提高放射光强度及亮度，形成发光效率高的发光装置。
另外，可以很容易地将由发光元件3产生的热向放置部2b及与放置部2b一体化了的侧壁部2c传递。特别是在第1反射构件2由金属制成的情况下，热被快速地向侧壁部2c传递，并且被从第1反射构件2的下面全体向基体1传递，被良好地从基体1的外面发散。其结果是，可以抑制发光元件3的温度上升，可以抑制由发光元件3和第1反射构件2的热膨胀差产生的接合部的裂缝。另外，可以使发光元件3的热不仅向第1反射构件2的高度方向，而且也向外周方向良好地移动，从而可以使之从第1反射构件2的下面全面向基体1效率良好地热传导，而更为有效地抑制发光元件3及第1反射构件2的温度上升，可以稳定地维持发光元件3的动作，并且抑制第1反射构件2的内周面的热变形。这样，就可以长时间地良好地维持发光装置的稳定的光特性。
而且，发光元件3如图22B所示，通过焊线9穿过在包围放置部2b的内周面2a上形成的贯穿孔2d而与形成于基体1上的配线导体(未图示)电连接，进行电能供给。
另外，第1反射构件2和第2反射构件4也可以如图23中所示的本发明的实施方式23的发光装置那样，是将第1反射构件2和第2反射构件4一体化地利用模具成形或切削加工制作的反射构件10。由于为一体化的，因而发光元件3的热就被借助第1反射构件2和第2反射构件4进一步向发光装置整体发散，并且发光装置的放热面积增加，可以抑制发光元件3的温度上升。
另外，也可以与图16或图17中所示的本发明的实施方式相同，使放置部2b与作为其周围的第1反射构件2的内周面的侧壁部2c的下端相比更高的方式突出。此时，由于从发光元件3向斜下方发出的光有效地被侧壁部2c向上方反射而向光反射层25传播，因此被光反射层25进行反射的发光元件3的光增加，发光装置的放射强度提高。
对于本发明的实施方式22及23的发光装置，也可以使用在本发明的实施方式15～21中说明了的构成。
另外，波长转换层8最好如图24中所示的本发明的实施方式24的发光装置那样，被按照使其厚度从上端部直至下端部逐渐变厚的方式设置。这样，直至透光性构件6的上面和波长转换层8的距离变大的波长转换层8的下端部，由于波长转换层8逐渐变厚，因而由荧光体中产生的光的量逐渐增加。另外，直至透光性构件6的上面和波长转换层8的距离变小的波长转换层8的上端部，由于波长转换层8逐渐变薄，因而由荧光体中产生的光的量与下端侧相比逐渐变少。其结果是，可以使由发光装置向上方放射的光的强度分布在中心部和周边部均匀，并且可以抑制颜色不均的产生。而且，该构成也可以适用于图22A、图22B及图23中所示的本发明的实施方式22及23的发光装置中。
另外，波长转换层8最好使荧光体的密度从上端部直至下端部逐渐变高。这样，直至透光性构件6的上面和波长转换层8的距离变大的波长转换层8的下端部，由于波长转换层8的荧光体的密度逐渐变高，因而由荧光体中产生的光的量逐渐增加。另外，直至透光性构件6的上面和波长转换层8的距离变小的波长转换层8的上端部，由于波长转换层8的荧光体的密度与下端部相比逐渐变小，因而由荧光体中产生的光的量与下端部相比逐渐变小。其结果是，可以使由发光装置向上方放射的光的强度分布在中心部和周边部均匀，并且可以抑制颜色不均的产生。
另外，波长转换层8最好在其内侧表面设有多个凹部或凸部。即，通过如图25中所示的本发明的实施方式25的发光装置那样，在波长转换层8的表面设置多个凹部或凸部，波长转换层8的表面积就增加。这样，由于向波长转换层8的表面露出的荧光体增多，因此从发光元件3直接或借助利用第1内周面2a的反射而向光反射层25传播、并且被光反射层25向下侧外方反射的光就被向在波长转换层8的表面露出的荧光体照射而激发荧光体，更容易被波长转换为荧光。其结果是，来自荧光体的荧光的量增加，并且从波长转换构件8中有效地放出荧光，发光装置的放射光强度或亮度及发光效率提高。
另外，从发光元件3中直接或借助利用第1内周面2a的反射而向光反射层25传播、被光反射层25向下方反射，并且相对于波长转换层8的表面以接***行的钝角射入的光就会相对于凹部或凸部的侧面以接近直角的锐角射入，不被反射地向波长转换层8内传播。其结果是，由于由透光性构件6向波长转换层8射入的入射光增加，即透光性构件6和波长转换层8的界面的透过率增加，被波长转换层8内的荧光体进行波长转换的光增加，因此发光装置的放射光强度或亮度及发光效率提高。而且，该构成也可以适用于图22A、图22B及图23中所示的本发明的实施方式22及23的发光装置中。
此外，本发明的发光装置，通过按照使1个装置成为给定的配置的方式设置，或通过将多个装置例如以格子状或交错状、放射状、或将由多个发光装置形成的圆圈状或多角形状的发光装置组按照同心圆形状以形成多组的形式等给定的配置的方式设置，就可以形成本发明的照明装置。这样，就可以将利用了由半导体构成的发光元件3的电子复合产生的发光的、与以往的使用放电的照明装置相比消耗电能更低并且寿命更长的发光元件3作为光源使用，可以形成能够有效地将由该光源发出的光向外部射出的发热少的小型的照明装置。此外，可以有效地以低电能使之动作，结果发热元件3的发热量较少，可以抑制由发光元件3中产生的光的中心波长的变动，从而可以长时间以稳定的放射光强度及放射光角度(配光分布)照射光，并且可以形成抑制了照射面上的颜色不均或照度分布的偏差的照明装置。
另外，通过将本发明的发光装置作为光源以给定的配置设置，并且在这些发光装置的周围设置以任意的形状进行了光学设计的反射夹具或光学透镜、光扩散板等，就可以形成能够放射任意的配光分布的光的照明装置。
例如，对于如图26及图27中所示的俯视图及剖面图那样，将多个发光装置101在发光装置驱动电路基板102上配置多列，在发光装置101的周围设置以任意的形状进行了光学设计的反射夹具103而形成的照明装置的情况，在配置在相邻的一列上的多个发光装置101中，最好采用相邻的发光装置101的间隔不达到最短的配置，即所谓的交错状。即，在发光装置101被配置为格子状时，因成为光源的发光装置101被排列在直线上，眩光变强，如果此种照明装置作用于人的视觉，则很容易引起不快感或视觉伤害，与之相反，通过形成交错状，就可以抑制眩光，减少对人眼的不快感或对眼睛造成的伤害。另外，通过使相邻的发光装置101之间的距离变长，就可以有效地抑制相邻的发光装置101间的热干扰，抑制安装了发光装置101的发光装置驱动电路基板102内的热的滞留，将热有效地向发光装置101的外部发散。其结果是，可以制作对人的眼睛伤害很小的长时间内光学特性稳定的长寿命的照明装置。
另外，当照明装置为在如图28及图29中所示的俯视图及剖面图那样的发光装置驱动电路基板102上将由多个发光装置101构成的圆圈状或多角形状的发光装置101组以同心圆状形成多组的照明装置时，最好将1个圆圈状或多角形状的发光装置101组中的发光装置101的配置数目设为，与照明装置的中央侧相比，越靠近外周侧则更多。这样，就可以在将发光装置101之间的间隔适度保持的同时，更多地配置发光装置101，从而可以进一步提高照明装置的照度。另外，可以降低照明装置的中央部的发光装置101的密度而抑制发光装置驱动电路基板102的中央部的热的滞留。这样，发光装置驱动电路基板102内的温度分布就达到均匀，热被有效地向设置了照明装置的外部电路基板或散热片传递，可以抑制发光装置101的温度上升。其结果是，可以制作发光装置101能够长时间稳定地动作并且寿命长的照明装置。
作为此种照明装置，例如可以举出在室内或室外使用的一般照明用器具、枝形吊灯用照明器具、住宅用照明器具、办公室用照明器具、店面装饰、展示用照明器具、街道用照明器具、导引灯器具及信号装置、舞台及摄影棚用照明器具、广告灯、照明用柱、水中照明用灯、闪光放电管用灯、聚光灯、嵌入电线杆等中的防范用照明、紧急情况用照明器具、手电筒、电光布告牌等、调光器、自动闪光器、显示器等的背光灯、动画装置、装饰品、照明式开关、光传感器、医疗用灯、车载灯等。
而且，本发明并不限定于以上的实施方式的例子，只要是不脱离本发明的主旨的范围内，进行各种变更都没有关系。
例如，为了提高放射强度，也可以在基体1上设置多个发光元件3。另外，也可以对第1内周面2a及第2内周面4a的角度、从第2内周面4a的上端到透光性构件6的上面的距离任意地进行调整，这样就可以通过设置补色区域来获得更为良好的彩色再现性。另外，作为第1反射部的第1反射构件2和作为第2反射部的第2反射构件4，也可以与基体1一体形成。并且，作为波长转换部的一例，举出了波长转换层4b、5、8，但是其也可以为各种形态。
另外，本发明的照明装置不仅可以是按照使多个发光装置101成为给定的配置的方式设置的装置，也可以是按照使1个发光装置101成为给定的配置的方式设置的装置。
[实施例]
(实施例1)
对于本发明的发光装置，下面将表示实施例。首先，准备了由成为基体1的氧化铝陶瓷制成的基体1。而且，基体1如图3所示，被按照使放置部1a突出的方式一体化地形成，使放置部1a的上面和放置部1a以外的部位的基体1的上面平行。
基体1是在宽17mm×进深17mm×厚0.5mm的长方体的上面中央部形成了宽0.35mm×进深0.35mm×厚0.15mm的长方体的放置部1a的构件。
另外，在放置部1a的搭载发光元件3的部位上，形成了用于将发光元件3和外部电路基板借助形成于基体1的内部的内部配线电连接的配线导体。配线导体由以Mo-Mn粉末制成的金属化层制成直径为0.1mm的圆形焊盘，在其表面依次覆盖了厚3μm的Ni镀层和厚2μm的Au镀层。另外，基体1内部的内部配线由以贯穿导体制成的电连接部，即所谓的通孔形成。对于该通孔，也与配线导体相同地用由Mo-Mn粉末制成的金属化导体形成。
另外，第1反射构件2的第1内周面2a的最上端的直径为2.7mm，高为1.5mm，第1内周面2a的下端的高度(从与基体1上面接合的下面到第1内周面2a的倾斜面的下边的高度)为0.1mm。另外，与基体1的上侧主面正交的剖面的第1内周面2a的形状在将从第1内周面2a的下端开始的高度设为Z1，将内尺寸的半径设为r1时，形成以
Z1＝(cr1 2)/[1+{1-(1+k)c2r1 2}1/2]
表示的曲面，将常数k设为-1.053，将曲率c设为1.818。另外，第1内周面2a的算术平均粗糙度Ra设为0.1μm。
另外，第2反射构件4的第2内周面4a的最上端的直径为16.1mm，高为3.5mm，第2内周面4a的下端的高度(从与基体1上面接合的下面到第2内周面4a的倾斜面的下边的高度)为0.18mm。另外，与基体1的上侧主面正交的剖面上的第2内周面4a的形状在将从第2内周面4a的下端开始的高度设为Z2，将内尺寸的半径设为r2时，形成以
Z2＝(cr2 2)/[1+{1-(1+k)c2r2 2}1/2]
表示的曲面，将常数k设为-2.3，将曲率c设为0.143。另外，第2内周面4a的算术平均粗糙度Ra设为0.1μm。
然后，在形成于基体1上面的配线导体上预先设置Au-Sn焊盘，借助该Au-Sn焊盘将发光元件3与配线导体接合，并且将第1反射构件2按照包围放置部1a的方式，将第2反射构件4按照包围第1反射构件2的方式，用树脂粘接剂与基体1的外周部接合。
此后，使用分配器，将由透明的硅树脂制成的透光性构件6注入第1反射构件2及第2反射构件4的内部，用烤炉热硬化。
另外，在透光性构件6中，含有由发光元件3的光激发的进行红色发光、绿色发光、蓝色发光的3种荧光体，将直径为5mm、厚度为0.9mm的板状的第1波长转换层5按照覆盖第1反射构件2的方式设置在从发光元件3开始高度为2.5mm的位置上。
其后，在第1波长转换层5上使用分配器覆盖透光性构件6，用烤炉热硬化。
另外，作为比较用的发光装置，对如图30所示的构造分别制作了与所述相同的发光装置。
图30中，发光装置主要由以下部分构成：在上面的中央部具有用于放置发光元件13的放置部11a、并形成有由将从放置部11a及其周边与发光装置的内外电导通地连接的引线端子构成的配线导体(未图示)的、由绝缘体制成的基体11；被粘接固定于基体11的上面、其内周面12a随着朝向上侧而在外侧拓宽地倾斜，并且内周面12a被设为反射发光元件13所发出的光的反射面的框状的反射构件12；在透光性构件中含有对发光元件13所发出的光进行波长转换的荧光体(未图示)而成的波长转换层15；为了保护发光元件13而被填充于反射构件12的内侧的透光性构件16。
基体11由氧化铝质烧结体(氧化铝陶瓷)制成。在基体11的上面，在高温下煅烧由W构成的金属糊状物而形成配线导体。
另外，反射构件12由Al制成，利用切削加工形成。另外，反射构件12的内周面12a通过利用蒸镀法覆盖Al而形成。此外，反射构件12利用焊锡接合在基体11的上面，使得以内周面12a包围放置部11a。
另外，发光元件13是通过利用液相生长法在蓝宝石基板上形成Ga-Al-N的发光层而制作的。发光元件13的构造具有MIS接合(metalinsulator semiconductor structure)。而且，发光元件13是使用倒装式接合方式将发光元件13的电极设置在下侧并利用焊锡焊盘连接电连接在配线导体上的。
另外，波长转换层15如下形成，在环氧树脂的透光性构件中含有荧光体，将其注入透光性构件16的上面，使之热硬化，另外，透光性构件16将环氧树脂按照覆盖发光元件13的方式注入反射构件12的内侧，通过使之热硬化而形成。
而且，荧光体使用了被Ce活化了的钇·铝·石榴石类荧光体。
对于如此制作的发光装置，分别施加20mA的电流，将其点亮而测定了全光束量。其结果是，图30的构造的作为比较例的发光装置的发光效率为8.5lm/W，与之相对，外形尺寸相同的图13的构造的发光装置的发光效率为27lm/W。判明利用本发明的发光装置，在发光效率方面可以获得3.2倍的效果，可以确认本发明的发光装置的优越性。
(实施例2)
对于本发明的发光装置，下面将表示实施例。首先，准备了成为基体1的由氧化铝陶瓷制成的基体1。而且，基体1如图16所示，被按照使放置部1a突出的方式一体化地形成，使放置部1a的上面和放置部1a以外的部位的基体1的上面平行。
基体1是在宽17mm×进深17mm×厚0.5mm的长方体的上面中央部形成了宽0.35mm×进深0.35mm×厚0.15mm的长方体的放置部1a的构件。
另外，在放置部1a的搭载发光元件3的部位上，形成了用于将发光元件3和外部电路基板借助形成于基体1的内部的内部配线电连接的配线导体。配线导体由以Mo-Mn粉末制成的金属化层制成直径为0.1mm的圆形焊盘，在其表面依次覆盖了厚3μm的Ni镀层和厚2μm的Au镀层。另外，基体1内部的内部配线由以贯穿导体制成的电连接部，即所谓的通孔形成。对于该通孔，也与配线导体相同地用由Mo-Mn粉末制成的金属化导体形成。
另外，第1反射构件2的第1内周面2a的最上端的直径为2.7mm，高为1.5mm，第1内周面2a的下端的高度(从与基体1上面接合的下面到第1内周面2a的倾斜面的下边的高度)为0.1mm。另外，与基体1的上侧主面正交的剖面的第1内周面2a的形状在将从第1内周面2a的下端开始的高度设为Z1，将内尺寸的半径设为r1时，形成以
Z1＝(cr1 2)/[1+{1-(1+k)c2r1 2}1/2]
表示的曲面，将常数k设为-1.053，将曲率c设为1.818。另外，第1内周面2a的算术平均粗糙度Ra设为0.1μm。
另外，第2反射构件4的第2内周面4a的最上端的直径为16.1mm，高为3.5mm，第2内周面4a的下端的高度(从与基体1上面接合的下面到第2内周面4a的倾斜面的下边的高度)为0.18mm。另外，与基体1的上侧主面正交的剖面的第2内周面4a的形状在将从第2内周面4a的下端开始的高度设为Z2，将内尺寸的半径设为r2时，形成以
Z2＝(cr2 2)/[1+{1-(1+k)c2r2 2}1/2]
表示的曲面，将常数k设为-2.3，将曲率c设为0.143。另外，第2内周面4a的算术平均粗糙度Ra设为0.1μm。
然后，通过将含有荧光体的硅树脂用雾化器以雾状散布，而涂布在第2反射构件4的内周面4a上，通过进行加热，使硅树脂硬化，形成了波长转换层8。
此后，在形成于基体1上面的配线导体上预先设置Au-Sn焊盘，借助该Au-Sn焊盘将发光元件3与配线导体接合，并且将第1反射构件2按照包围放置部1a的方式，将第2反射构件4按照包围第1反射构件2的方式，用树脂粘接剂与基体1的外周部接合。
此后，使用分配器，将由透明的硅树脂制成的透光性构件6注入至第1反射构件2及第2反射构件4的大致上端部，用烤炉热硬化，形成了透光性构件6。
然后，在利用冲裁加工将铝制成圆板状后，通过在其表面以雾状涂布含有作为光散射材料的硫酸钡的硅树脂，形成了具有高反射率的光散射面的光反射层25。此后，在被注入至第2反射构件4的大致上端部并热硬化了的透光性构件6之上放置光反射层25，通过从其上注入由未硬化的硅树脂构成的透光性构件6而使之热硬化，将光反射层25固定，形成了发光装置。
另外，作为比较例的发光装置，制作了图30中所示的构成的发光装置。
对于这些发光装置，分别施加20mA的电流，将其点亮而测定了全光束量。其结果是，图30的构造的作为比较例的发光装置为8.5lm/W，图16的构成的发光装置为14lm/W。判明利用本发明，在全光束量方面可以获得大约1.6倍的效果，可以确认本发明的发光装置的优越性。
而且，本发明并不限定于以上的实施方式的例子及实施例，只要是不脱离本发明的主旨的范围内，进行各种变更都没有关系。
本发明可以不脱离其精神或主要的特征地用其他的各种方式实施。所以，所述的实施方式在所有方面都只不过是单纯的示例而已，本发明的范围是技术方案的范围所表示的，并不受说明书正文的任何约束。另外，属于技术方案的范围的变形或变更全都是本发明的范围内的内容。

Claims (29)

1. 一种发光装置，其特征是，具备：
发光元件(3)；
在上侧主面上形成有放置发光元件(3)的放置部(1a)的基体(1)；
框状的第1反射部(2)，其在所述基体(1)的上侧主面上被按照包围所述放置部(1a)的方式形成，且内周面(2a)被设为光反射面；
框状的第2反射部(4)，其在所述基体(1)的上侧主面上被按照包围所述第1反射部(2)的方式形成，且内周面(4a)被设为光反射面；
透光性构件(6)，其在所述第2反射部(4)的内侧被按照覆盖所述发光元件(3)及所述第1反射部(2)的方式设置；
第1波长转换部(5)，其在位于所述发光元件(3)的上方的所述透光性构件(6)的内部或表面与所述第1及第2反射部(2、4)拉开间隔地设置，并对所述发光元件(3)所发出的光的波长进行转换。
2. 根据权利要求1所述的发光装置，其特征是，所述第2反射部(4)在其内周面(4a)上设有对所述发光元件(3)所发出的光的波长进行转换的第2波长转换部(4b)。
3. 根据权利要求1所述的发光装置，其特征是，所述第1波长转换部(5)位于使其外周部比下述直线更靠近所述第2反射部(4)一侧的位置上，所述直线穿过所述发光元件(3)的端部和该端部的相反一侧的所述第1反射部(2)的所述内周面(2a)的上端。
4. 根据权利要求2所述的发光装置，其特征是，所述第2波长转换部(4b)被按照使其厚度从该第2波长转换部的上端部直至下端部逐渐变厚的方式设置。
5. 根据权利要求2所述的发光装置，其特征是，所述第2波长转换部(4b)含有对所述发光元件(3)所发出的光的波长进行转换的荧光体，该荧光体的密度从该第2波长转换部的上端部直至下端部逐渐变高。
6. 根据权利要求2所述的发光装置，其特征是，所述第2波长转换部(4b)在其内侧表面设有多个凹部或凸部。
7. 根据权利要求1所述的发光装置，其特征是，所述放置部(1a)按照使高度与所述第1反射部(2)的所述内周面(2a)的下端相比更高的方式突出。
8. 一种发光装置，其特征是，具备：
发光元件(3)；
平板状的基体(1)；
第1反射部(2)，其形成于所述基体(1)的上侧主面，并在第1反射部(2)的上面形成有放置发光元件(3)的放置部(2b)，并且按照包围所述放置部(2b)的方式形成其内周面(2a)被设为光反射面的侧壁部(2c)；
框状的第2反射部(4)，其在所述基体(1)的上侧主面上被按照包围所述第1反射部(2)的方式形成，且内周面(4a)被设为光反射面；
透光性构件(6)，其在所述第2反射部(4)的内侧，被按照覆盖所述发光元件(3)及所述第1反射部(2)的方式设置；
第1波长转换部(5)，其在位于所述发光元件(3)的上方的所述透光性构件(6)的内部或表面与所述第1及第2反射部(2、4)拉开间隔地设置，并对所述发光元件(3)所发出的光的波长进行转换。
9. 根据权利要求8所述的发光装置，其特征是，所述第2反射部(4)在其内周面(4a)上设有对所述发光元件(3)所发出的光的波长进行转换的第2波长转换部(4b)。
10. 根据权利要求8所述的发光装置，其特征是，所述第1波长转换部(5)位于使其外周部比下述直线更靠近所述第2反射部(4)一侧的位置上，所述直线穿过所述发光元件(3)的端部和该端部的相反一侧的所述第1反射部(2)的所述内周面(2a)的上端。
11. 根据权利要求9所述的发光装置，其特征是，所述第2波长转换部(4b)被按照使其厚度从该第2波长转换部的上端部直至下端部逐渐变厚的方式设置。
12. 根据权利要求9所述的发光装置，其特征是，所述第2波长转换部(4b)含有对所述发光元件(3)所发出的光的波长进行转换的荧光体，该荧光体的密度从该第2波长转换部的上端部直至下端部逐渐变高。
13. 根据权利要求9所述的发光装置，其特征是，所述第2波长转换部(4b)在其内侧表面设有多个凹部或凸部。
14. 根据权利要求8所述的发光装置，其特征是，所述放置部(2b)按照使高度与所述第1反射部(2)的所述内周面(2a)的下端相比更高的方式突出。
15. 一种发光装置，其特征是，具备：
发光元件(3)；
在上侧主面上形成有放置发光元件(3)的放置部(1a)的基体(1)；
框状的第1反射部(2)，其在所述基体(1)的上侧主面上被按照包围所述放置部(1a)的方式形成，且内周面(2a)被设为光反射面；
框状的第2反射部(4)，其在所述基体(1)的上侧主面上被按照包围所述第1反射部(2)的方式形成，且内周面(4a)被设为光反射面；
透光性构件(6)，其在所述第2反射部(4)的内侧被按照覆盖所述发光元件(3)及所述第1反射部(2)的方式设置；
光反射部(25)，其在位于所述发光元件(3)的上方的所述透光性构件(6)的内部或表面与所述第1及第2反射部(2、4)拉开间隔地设置，并反射所述发光元件(3)所发出的光；
波长转换部(8)，其形成于所述第2反射部(4)的内周面(4a)上，并对所述发光元件(3)所发出的光的波长进行转换。
16. 根据权利要求15所述的发光装置，其特征是，所述光反射部(25)位于使其外周部比下述直线更靠近所述第2反射部(4)一侧的位置上，所述直线穿过所述发光元件(3)的端部和该端部的相反一侧的所述第1反射部(2)的所述内周面(2a)的上端。
17. 根据权利要求15所述的发光装置，其特征是，所述光反射部(25)的与所述发光元件(3)相面对的面为光散射面。
18. 根据权利要求15所述的发光装置，其特征是，所述波长转换部(8)被按照使其厚度从该波长转换部的上端部直至下端部逐渐变厚的方式设置。
19. 根据权利要求15所述的发光装置，其特征是，所述波长转换部(8)含有对所述发光元件(3)所发出的光的波长进行转换的荧光体，该荧光体的密度从该波长转换部的上端部直至下端部逐渐变高。
20. 根据权利要求15所述的发光装置，其特征是，所述波长转换部(8)在其内侧表面设有多个凹部或凸部。
21. 根据权利要求15所述的发光装置，其特征是，所述放置部(1a)按照使高度与所述第1反射部(2)的所述内周面(2a)的下端相比更高的方式突出。
22. 一种发光装置，其特征是，具备：
发光元件(3)；
平板状的基体(1)；
第1反射部(2)，其形成于所述基体(1)的上侧主面，并在第1反射部(2)的上面形成有放置发光元件(3)的放置部(2b)，并且按照包围所述放置部(2b)的方式形成其内周面(2a)被设为光反射面的侧壁部(2c)；
框状的第2反射部(4)，其在所述基体(1)的上侧主面上被按照包围所述第1反射部(2)的方式形成，且内周面(4a)被设为光反射面；
透光性构件(6)，其在所述第2反射部(4)的内侧与被按照覆盖所述发光元件(3)及所述第1反射部(2)的方式设置；
光反射部(25)，其在位于所述发光元件(3)的上方的所述透光性构件(6)的内部或表面与所述第1及第2反射部(2、4)拉开间隔地设置，并反射所述发光元件(3)所发出的光；
波长转换部(8)，其形成于所述第2反射部(4)的内周面(4a)上，并对所述发光元件(3)所发出的光的波长进行转换。
23. 根据权利要求22所述的发光装置，其特征是，所述光反射部(25)位于使其外周部比下述直线更靠近所述第2反射部(4)一侧的位置上，所述直线穿过所述发光元件(3)的端部和该端部的相反一侧的所述第1反射部(2)的所述内周面(2a)的上端。
24. 根据权利要求22所述的发光装置，其特征是，所述光反射部(25)的与所述发光元件(3)相面对的面为光散射面。
25. 根据权利要求22所述的发光装置，其特征是，所述波长转换部
(8)被按照使其厚度从该波长转换部的上端部直至下端部逐渐变厚的方式设置。
26. 根据权利要求22所述的发光装置，其特征是，所述波长转换部(8)含有对所述发光元件所发出的光的波长进行转换的荧光体，该荧光体的密度从该波长转换部的上端部直至下端部逐渐变高。
27. 根据权利要求22所述的发光装置，其特征是，所述波长转换部(8)在其内侧表面设有多个凹部或凸部。
28. 根据权利要求22所述的发光装置，其特征是，所述放置部(2b)按照使高度与所述第1反射部(2)的所述内周面(2a)的下端相比更高的方式突出。
29. 一种照明装置，其特征是，将权利要求1、8、15或22所述的发光装置(101)按照成为格子状、交错状、放射状或同心圆状的方式设置。
CNB2005100791757A 2004-06-28 2005-06-28 发光装置及照明装置 Expired - Fee Related CN100411207C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004190459 2004-06-28
JP2004190459 2004-06-28
JP2004247660 2004-08-27
JP2004247660A JP2006066657A (ja) 2004-08-27 2004-08-27 発光装置および照明装置
JP2005085369A JP2006049814A (ja) 2004-06-28 2005-03-24 発光装置および照明装置
JP2005085369 2005-03-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1716654A CN1716654A (zh) 2006-01-04
CN100411207C true CN100411207C (zh) 2008-08-13

Family

ID=35799756

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100791757A Expired - Fee Related CN100411207C (zh) 2004-06-28 2005-06-28 发光装置及照明装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20060034084A1 (zh)
KR (1) KR100752586B1 (zh)
CN (1) CN100411207C (zh)
DE (1) DE102005030128B4 (zh)
TW (1) TWI267211B (zh)

Families Citing this family (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101256919B1 (ko) * 2004-05-05 2013-04-25 렌슬러 폴리테크닉 인스티튜트 고체-상태 에미터 및 하향-변환 재료를 이용한 고효율 광소스
US7837348B2 (en) * 2004-05-05 2010-11-23 Rensselaer Polytechnic Institute Lighting system using multiple colored light emitting sources and diffuser element
JP2008544553A (ja) * 2005-06-23 2008-12-04 レンセレイアー ポリテクニック インスティテュート 短波長ｌｅｄとダウンコンバージョン物質で白色光を生成するパッケージ設計
US20070007542A1 (en) * 2005-07-07 2007-01-11 Sumitomo Electric Industries,Ltd. White-Light Emitting Device
CN101351891B (zh) 2005-12-22 2014-11-19 科锐公司 照明装置
KR101408622B1 (ko) * 2006-01-20 2014-06-17 크리, 인코포레이티드 루미포르 필름의 공간적 분리에 의한 고체 상태 발광기의 스펙트럼 컨텐츠 시프팅
US8441179B2 (en) 2006-01-20 2013-05-14 Cree, Inc. Lighting devices having remote lumiphors that are excited by lumiphor-converted semiconductor excitation sources
KR100867519B1 (ko) * 2006-02-02 2008-11-07 삼성전기주식회사 발광 다이오드 모듈
JP4931628B2 (ja) * 2006-03-09 2012-05-16 セイコーインスツル株式会社 照明装置及びこれを備える表示装置
US7703945B2 (en) * 2006-06-27 2010-04-27 Cree, Inc. Efficient emitting LED package and method for efficiently emitting light
KR100804021B1 (ko) * 2006-07-11 2008-02-18 우리이티아이 주식회사 단차 인캡식 엘이디 패키지 및 그의 제조방법
US7703942B2 (en) * 2006-08-31 2010-04-27 Rensselaer Polytechnic Institute High-efficient light engines using light emitting diodes
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
JP2008205170A (ja) * 2007-02-20 2008-09-04 Nec Lighting Ltd 発光半導体デバイス
US7810956B2 (en) * 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
KR101367381B1 (ko) * 2007-09-12 2014-02-26 서울반도체 주식회사 Ｌｅｄ 패키지
TW200921934A (en) * 2007-11-06 2009-05-16 Prodisc Technology Inc Discrete light-emitting diode light source device of wavelength conversion unit
US8946987B2 (en) * 2007-11-07 2015-02-03 Industrial Technology Research Institute Light emitting device and fabricating method thereof
CN101925772B (zh) * 2008-01-22 2016-09-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有led和包括发光材料的透射支架的照明器件
CN101960918B (zh) * 2008-02-27 2014-08-27 皇家飞利浦电子股份有限公司 具有led以及一个或多个透射窗的照明设备
JP5216384B2 (ja) * 2008-03-19 2013-06-19 株式会社東芝 発光装置
KR100952034B1 (ko) 2008-05-08 2010-04-07 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
JP5196551B2 (ja) * 2008-06-09 2013-05-15 Ｎｅｃライティング株式会社 発光装置
KR100964812B1 (ko) 2008-09-29 2010-06-22 주식회사 에피밸리 반도체 발광소자 패키지
US7994529B2 (en) * 2008-11-05 2011-08-09 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with molded bi-directional optics
US8083364B2 (en) * 2008-12-29 2011-12-27 Osram Sylvania Inc. Remote phosphor LED illumination system
WO2010106478A1 (en) * 2009-03-19 2010-09-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Color adjusting arrangement
TWI411142B (zh) * 2009-06-23 2013-10-01 Delta Electronics Inc 發光裝置及其封裝方法
US8333482B2 (en) * 2009-08-12 2012-12-18 Alcon Research, Ltd. Ophthalmic endoillumination with light collector for white phosphor
IN2012DN02644A (zh) * 2009-10-29 2015-09-11 Nichia Corp
US8466611B2 (en) 2009-12-14 2013-06-18 Cree, Inc. Lighting device with shaped remote phosphor
KR20180025982A (ko) * 2010-01-28 2018-03-09 이섬 리서치 디벨러프먼트 컴파니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘 엘티디. 규정된 컬러 방출을 위한 조명 장치
US8632196B2 (en) 2010-03-03 2014-01-21 Cree, Inc. LED lamp incorporating remote phosphor and diffuser with heat dissipation features
US8646949B2 (en) * 2010-03-03 2014-02-11 LumenFlow Corp. Constrained folded path resonant white light scintillator
US10359151B2 (en) 2010-03-03 2019-07-23 Ideal Industries Lighting Llc Solid state lamp with thermal spreading elements and light directing optics
US9625105B2 (en) 2010-03-03 2017-04-18 Cree, Inc. LED lamp with active cooling element
JP5701523B2 (ja) * 2010-06-22 2015-04-15 日東電工株式会社 半導体発光装置
US10451251B2 (en) 2010-08-02 2019-10-22 Ideal Industries Lighting, LLC Solid state lamp with light directing optics and diffuser
JP2012039031A (ja) * 2010-08-11 2012-02-23 Nitto Denko Corp 発光装置
CN102044624B (zh) * 2010-09-30 2012-03-21 比亚迪股份有限公司 一种可发复合光的led器件、发光元件及制造方法
DE102010061972A1 (de) * 2010-10-15 2012-04-19 Tridonic Jennersdorf Gmbh LED-Strahler mit Reflektor
KR20120067543A (ko) * 2010-12-16 2012-06-26 삼성엘이디 주식회사 발광모듈 및 이를 이용한 백라이트 유닛
JP5049382B2 (ja) * 2010-12-21 2012-10-17 パナソニック株式会社 発光装置及びそれを用いた照明装置
CN103384794B (zh) * 2010-12-23 2018-05-29 三星电子株式会社 包含量子点的光学元件
JP2012142410A (ja) 2010-12-28 2012-07-26 Rohm Co Ltd 発光素子ユニットおよびその製造方法、発光素子パッケージならびに照明装置
KR101210066B1 (ko) 2011-01-31 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광 변환 부재 및 이를 포함하는 표시장치
US8912717B2 (en) * 2011-01-31 2014-12-16 Osram Gmbh Illumination device including phosphor element and optical system
DE102011010118A1 (de) * 2011-02-02 2012-08-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Keramisches Konversionselement, Halbleiterchip mit einem keramischen Konversionselement und Verfahren zur Herstellung eines keramischen Konversionselements
US11251164B2 (en) 2011-02-16 2022-02-15 Creeled, Inc. Multi-layer conversion material for down conversion in solid state lighting
RU2457393C1 (ru) * 2011-02-17 2012-07-27 Закрытое Акционерное Общество "Научно-Производственная Коммерческая Фирма "Элтан Лтд" Светодиодный источник белого света с удаленным фотолюминесцентным конвертером
JP5840377B2 (ja) 2011-04-14 2016-01-06 日東電工株式会社 反射樹脂シートおよび発光ダイオード装置の製造方法
KR101798884B1 (ko) 2011-05-18 2017-11-17 삼성전자주식회사 발광소자 어셈블리 및 이를 포함하는 전조등
KR101305696B1 (ko) 2011-07-14 2013-09-09 엘지이노텍 주식회사 표시장치 및 광학 부재
KR20130009020A (ko) 2011-07-14 2013-01-23 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
KR101893494B1 (ko) 2011-07-18 2018-08-30 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101262520B1 (ko) 2011-07-18 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
KR101241549B1 (ko) 2011-07-18 2013-03-11 엘지이노텍 주식회사 광학 부재, 이를 포함하는 표시장치 및 이의 제조방법
JPWO2013011628A1 (ja) * 2011-07-19 2015-02-23 パナソニック株式会社 発光装置及びその製造方法
KR101294415B1 (ko) * 2011-07-20 2013-08-08 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이를 포함하는 표시장치
WO2013057656A2 (en) * 2011-10-20 2013-04-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Lighting unit comprising a lamp shade
KR101251815B1 (ko) 2011-11-07 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
KR101338704B1 (ko) 2011-12-18 2013-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광장치
EP2777080B1 (en) * 2011-11-08 2019-07-03 LG Innotek Co., Ltd. Light emitting device
JP2013175531A (ja) * 2012-02-24 2013-09-05 Stanley Electric Co Ltd 発光装置
JP6192897B2 (ja) * 2012-04-11 2017-09-06 サターン ライセンシング エルエルシーＳａｔｕｒｎ Ｌｉｃｅｎｓｉｎｇ ＬＬＣ 発光装置、表示装置および照明装置
KR101338148B1 (ko) 2012-05-01 2014-01-06 주식회사 칩테크놀러지 반도체 발광 칩 및 그의 제조 방법
CN102709443B (zh) * 2012-05-30 2014-12-24 瑞声声学科技(深圳)有限公司 Led封装及其封装方法
KR101337601B1 (ko) * 2012-06-27 2013-12-06 서울반도체 주식회사 하향 반사부를 갖는 ｌｅｄ 패키지
JP2014086159A (ja) * 2012-10-19 2014-05-12 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明器具
JP6253028B2 (ja) * 2013-01-31 2017-12-27 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 電子回路装置
DE102013207242B4 (de) * 2013-04-22 2022-02-03 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anordnung mit einer Leuchtdiode
US20160170126A1 (en) * 2013-07-30 2016-06-16 Sakai Display Products Corporation Light Source Device, Lighting Device and Liquid Crystal Display Device
DE102013114345A1 (de) * 2013-12-18 2015-06-18 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
KR101592649B1 (ko) 2013-12-24 2016-02-12 현대자동차주식회사 헤드램프용 레이저 광학계
US20160079217A1 (en) * 2014-09-12 2016-03-17 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor light emitting device and lead frame
US10361344B2 (en) * 2014-12-11 2019-07-23 Citizen Electronics Co., Ltd. Light emitting device
JP6536325B2 (ja) * 2015-09-30 2019-07-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6432575B2 (ja) * 2016-08-30 2018-12-05 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6493348B2 (ja) 2016-09-30 2019-04-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
KR101963008B1 (ko) * 2016-12-01 2019-03-27 연세대학교 산학협력단 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
KR20180081647A (ko) * 2017-01-06 2018-07-17 삼성전자주식회사 발광 패키지
DE102017111426A1 (de) 2017-05-24 2018-11-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Bauelements
KR102293607B1 (ko) * 2017-06-07 2021-08-26 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
DE102017113380A1 (de) 2017-06-19 2018-12-20 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie
DE102017113375A1 (de) * 2017-06-19 2018-12-20 Schreiner Group Gmbh & Co. Kg Folienaufbau mit Erzeugen von sichtbarem Licht mittels LED-Technologie
DE102017130779A1 (de) * 2017-08-11 2019-02-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Halbleiterbauteil und biometrischer Sensor
JP6711333B2 (ja) * 2017-08-16 2020-06-17 日亜化学工業株式会社 発光装置
JP6705462B2 (ja) * 2018-01-30 2020-06-03 日亜化学工業株式会社 発光装置
TW202024553A (zh) * 2018-12-27 2020-07-01 圓剛科技股份有限公司 散熱裝置
CN113078252B (zh) * 2021-03-17 2022-11-01 江门市迪司利光电股份有限公司 一种led芯片的封装方法
CN113345994B (zh) * 2021-07-20 2021-11-12 华引芯（武汉）科技有限公司 发光半导体封装结构和其封装单元及显示模组

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653661B2 (en) * 2000-12-19 2003-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and process of manufacturing the same
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10105802A1 (de) * 2001-02-07 2002-08-08 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Reflektorbehaftetes Halbleiterbauelement
JP4172196B2 (ja) * 2002-04-05 2008-10-29 豊田合成株式会社 発光ダイオード
JP3707688B2 (ja) * 2002-05-31 2005-10-19 スタンレー電気株式会社 発光装置およびその製造方法
US7553683B2 (en) * 2004-06-09 2009-06-30 Philips Lumiled Lighting Co., Llc Method of forming pre-fabricated wavelength converting elements for semiconductor light emitting devices

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6653661B2 (en) * 2000-12-19 2003-11-25 Sharp Kabushiki Kaisha Chip-type LED and process of manufacturing the same
US6737681B2 (en) * 2001-08-22 2004-05-18 Nichia Corporation Light emitting device with fluorescent member excited by semiconductor light emitting element

Also Published As

Publication number Publication date
KR20060048617A (ko) 2006-05-18
DE102005030128B4 (de) 2011-02-03
KR100752586B1 (ko) 2007-08-29
DE102005030128A1 (de) 2006-03-23
TWI267211B (en) 2006-11-21
CN1716654A (zh) 2006-01-04
TW200618339A (en) 2006-06-01
US20060034084A1 (en) 2006-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN100411207C (zh) 发光装置及照明装置
CN100359708C (zh) 发光装置及照明装置
JP5196711B2 (ja) 発光装置およびそれを用いた照明装置
CN101124683B (zh) 发光装置以及照明装置
TWI433344B (zh) 發光裝置及照明裝置
CN101410994B (zh) 发光装置
JP3898721B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP4671745B2 (ja) 発光装置およびそれを用いた照明装置
JP2006237264A (ja) 発光装置および照明装置
JP2007266356A (ja) 発光装置およびそれを用いた照明装置
JPWO2006046655A1 (ja) 発光素子搭載用基板、発光素子収納用パッケージ、発光装置および照明装置
JP2006210627A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP3921474B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP2005159262A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2005210042A (ja) 発光装置および照明装置
JP2006295230A (ja) 発光装置および照明装置
JP2006066657A (ja) 発光装置および照明装置
JP2005277331A (ja) 発光装置および照明装置
JP2005039194A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP2006100441A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
JP4417757B2 (ja) 発光装置およびその製造方法ならびに照明装置
JP5085851B2 (ja) 発光装置および照明装置
JP2005310911A (ja) 発光素子収納用パッケージおよび発光装置ならびに照明装置
CN1194424C (zh) 具有透明基板倒装式发光二极管芯片的高亮度发光二极体
JP2007208292A (ja) 発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080813

Termination date: 20130628