KR101047795B1 - 반도체 발광소자 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 패키지 및 SiOB(Silicon Optical Bench)칩을 분리하고, SiOB칩에 형광체를 소량으로 일정하게 주입함으로써 발광 효율을 극대화한 반도체 발광소자에 관한 것으로서, 본 발명에 의한 백색 반도체 발광소자는 제1홀컵이 형성된 실리콘계 기판, 상기 제1홀컵의 저면에 실장되는 LED, 상기 LED와 통전연결되는 제1애노드 및 제1캐소드, 상기 제1홀컵의 내면에 구비되는 반사체 및 상기 제1홀컵의 내부에 도포되는 형광체를 구비하는 SiOB칩; 및 저면에 상기 SiOB칩이 부착되는 제2홀컵, 상기 SiOB칩과 통전연결되는 제2애노드 및 제2캐소드, 상기 제2홀컵의 내면에 구비되는 반사컵 및 상기 제2홀컵의 내부에 도포되는 투명몰딩부재를 구비하는 LED패키지를 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, 형광체 및 투명충진체 층을 분리하여 각 층의 투과층이 최소화됨으로써 광의 진행경로 차에 의한 광출력의 저하를 방지할 수 있고, 백색, 푸른색 및 노란색으로 광분포가 차별적으로 형성되는 문제점을 해소할 수 있다. 또한, 본 발명에 의하면, 형광체의 양을 최소화하여 균일하게 도포할 수 있으므로 발광되는 광의 균제도를 향상시킬 수 있는 효과가 있다.

Description

반도체 발광소자{Semiconductor device emitting light}
도 1은 종래의 패키지 실장 형태의 반도체 발광소자의 구조를 도시한 측단면도 및 그 일부를 확대 도시한 도면.
도 2는 종래의 표면실장형 반도체 발광소자의 구조를 도시한 측단면도 및 그 일부를 확대도시한 도면.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자에 구비되는 SiOB칩의 내부 구조를 도시한 측단면도.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자의 내부 구조를 도시한 측단면도.
〈도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명〉
100: SiOB칩 110: SiOB
112: 제1홀컵 114: 솔더 부재
120: 반사체 130: LED
140: 제1애노드 150: 제1캐소드
160: 형광체 200: LED패키지
210: 패키지 본체 212: 제2홀컵
220: 제2애노드 230: 제2캐소드
240: 반사컵 250: 투명충진재
본 발명은 반도체 발광소자의 구조에 관한 것이다.
반도체 발광소자는 화합물 반도체의 특성을 이용해 전기 신호를 적외선, 가시광선 또는 자외선의 형태로 변환시켜 신호를 보내고 받는 데 사용되는 소자이다.
보통 반도체 발광소자의 사용 범위는 이동통신단말기, 가정용 가전제품, 리모콘, 전광판, 표시기, 각종 자동화 기기 등에 사용되고, 종류는 크게 IRED(Infrared Emitting Diode)형 및 VLED(Visible Light Emitting Diode)형으로 나뉘어 진다.
상기와 같이 반도체 발광소자의 사용 영역이 넓어지면서, 생활에 사용되는 전등, 구조 신호용 전등 등 요구되는 휘도도 갈수록 높아져서, 최근에는 고출력 반도체 발광소자가 널리 쓰이고 있다.
즉, 반도체 발광소자는 스마트폰, 핸드폰, PDA(Personal Digital Assistant) 등과 같은 이동통신단말기의 산업 분야에서 주로 백라이트(Backlight)로 사용되기 위하여 낮은 구동 전압을 필요로 하고, 실외용 시스템에 사용되기 위하여 고휘도의 특성을 갖추어야 한다.
이러한 이유로 인하여 백색 반도체 발광소자의 개발이 더욱 활발하게 진행되고 있는데, 그 장점으로는, 소비 전력이 낮다는 점, 기존의 LCD 제품에 호환적으로 이용될 수 있으며 열 발생이 적어 LCD 판넬의 기능 저하를 방지할 수 있는 점, 여러 환경에서도 시각이 잘 반응될 수 있는 광원이라는 점, 저가이고 수명이 길다는 점 등을 들 수 있다.
이러한 종래의 백색 반도체 발광소자의 제작 방법으로는 패키지를 컵 형태의 반사판이 구현된 용기 내에 형광체 안료를 채워 제작하는 방법, 그리고 반도체 패키지 몰드 공법인 트랜스퍼 몰드 공법을 이용하여 제작하는 방법 등이 있는데, 종래의 백색 반도체 발광소자의 구조에 대하여 살펴보면 다음과 같다.
도 1은 종래의 패키지 실장 형태의 백색 반도체 발광소자의 구조를 도시한 측단면도 및 그 일부를 확대 도시한 도면이다.
도 1에 의하면, 캐소드(cathode)(3)가 형성되는 리드프레임의 선단에 홀컵(Hall Cup)(8)이 구비하고, 상기 홀컵(8)에 상기 LED칩(1)이 수납되어 본딩되어 있다. 상기 홀컵(8)은 상기 LED칩(1)의 측면으로부터 방출되는 빛을 상측으로 반사시키는 역할을 수행하게 된다.
상기 LED칩(1)은 애노드(anode)(2) 및 캐소드(3)와 연결되고 상기 LED칩(1) 의 상측으로 (노란색의) 형광체와 에폭시가 혼합된 에폭시 몰드층(4)이 형성된다.
상기 LED칩(1), 애노드(2) 및 케소드(3)의 상단부는 패키지(5) 내부에 삽입되어 고정되는데, 상기 에폭시 몰드층(4)을 포함하여 그 주위가 무색 또는 착색된 투광성 수지로 몰딩되고 봉입된다.
이때, LED 칩(1)의 p형 전극 및 n형 전극은 애노드(2) 및 캐소드(3)와 각각 세금선(6) 및 메탈포스트(캐소드 리드)(7)에 의하여 통전연결 된다.
도 2는 종래의 표면실장형 백색 반도체 발광소자의 구조를 도시한 측단면도 및 그 일부를 확대도시한 도면이다.
도 2에 의하면, 종래의 표면실장형 백색 반도체 발광소자는 LED칩(10), 플라스틱 사출구조물(11), 메탈포스트(애노드 리드)(12), 메탈포스트(캐소드 리드)(13) 및 수지몰드(14)로 이루어진다.
상기 LED칩은(10)은 Al2O3 기판 혹은 SiC 기판 위에 발광층인 InGaN(질화인듐갈륨) 반도체 층구조로 형성된 재료가 약 0.1mm의 두께로 절단된 다음 Ag(은) 페이스트 등으로 상기 메탈포스트(캐소드, 애노드)(12, 13)에 접착 고정되고, 상기 수지몰드(14)에는 노란색의 형광체가 주입된다.
종래 백색 반도체 발광소자의 구조를 거시적으로 살펴보면, 블루 LED칩(1, 10)으로부터 발생된 기준광은 칩의 상면으로 진행될 뿐만 아니라, 상기 LED칩(1, 10)의 표면에서 근접한 부분에서는 기준광이 형광체에 흡수되어 재방출되는 제2의 여기광(여기된 2차광)이 가법 혼색 되어 백색으로 표시된다.
그러나, 미시적으로 관찰하여 보면, 칩의 상면측으로는 형광체를 통과하는 광경로가 짧아져 푸른색이 강한 백색광이 진출하고, 각도가 넓어질수록 광경로가 차별화되어 푸른색이 점차 약해지는 백색광이 표현된다. 즉, 상면측에서 바라보면, 발산광의 중앙부분은 푸른색을 띄고, 외곽으로 갈수록 노란색이 강한 백색광이 발광되는 광도 분포를 형성하게 된다.
전술한 구조적인 문제뿐만 아니라, 형광체의 양이 과다하게 투입되거나 투입되는 양의 두께 및 밀도가 고르지 못하게 주입되는 경우가 많으며, 이러한 경우 전 술한 바와 같은 색에 대한 편차 및 균제도의 차는 더욱 심하게 발생되는 문제점이 있다.
따라서, 본 발명은 형광체와 몰딩부재를 각각 LED가 실장된 SiOB(Silicon Optical Bench)칩 및 LED패키지 상에서 분리된 층을 이루도록 함으로써 백색광이 동일한 진행경로를 가지도록 하고, 또한 형광체가 최소량으로 투입되어 형광체의 분포가 균일하게 되는 구조의 반도체 발광소자를 제공하는 것을 그 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 SiOB(Silicon Optical Bench)칩에 실장된 LED 상으로 형광체가 도포되고 상기 형광체 위에 몰딩부재가 주입되어 적층 구조를 이룸으로써 상기 몰딩부재가 응고되기까지의 열로 인하여 상기 LED가 손상되는 것이 방지되는 반도체 발광소자를 제공하는 것을 다른 목적으로 한다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 의한 반도체 발광소자는 제1홀컵이 형성된 실리콘계 기판, 상기 제1홀컵의 저면에 실장되는 LED, 상기 LED와 통전연결되는 제1애노드 및 제1캐소드, 상기 제1홀컵의 내면에 구비되는 반사체 및 상기 제1홀컵의 내부에 도포되는 형광체를 구비하는 SiOB칩; 및 저면에 상기 SiOB칩이 부착되는 제2홀컵, 상기 SiOB칩과 통전연결되는 제2애노드 및 제2캐소드, 상기 제2홀컵의 내면에 구비되는 반사컵 및 상기 제2홀컵의 내부에 도포되는 투명몰딩부재를 구비하는 LED패키지를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이하에서 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자 에 대하여 상세히 설명하기로 한다.
본 발명의 실시예에 따른 반도체 발광소자는 백색 반도체 발광소자인 것으로 하며, 백색 반도체 발광소자는 크게 SiOB칩 및 LED패키지를 포함하여 구성되는데, 우선 첨부된 도면을 참조하여 상기 SiOB칩에 대하여 설명하기로 한다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 백색 반도체 발광소자에 구비되는 SiOB칩(100)의 내부 구조를 도시한 측단면도이다.
도 3에 의하면, 상기 SiOB칩(100)은 SiOB(실리콘 광학 벤치)(110), 블루LED(Light Emitting Diode)(130), 반사체(120), 제1애노드(140), 제1캐소드(150) 및 형광체(160)로 구비되는데, 상기 SiOB칩(100)은 다이 본딩 및 와이어 본딩 후 몰딩하는 종래의 조립 방식과는 달리 칩에 범프를 형성시켜 플립한 뒤 상기 범프를 통하여 칩과 애노드 및 캐소드를 통전연결시킨 와이어리스(wireless) 패키지의 형태를 가진 칩이다.
이는 칩의 미세화, 집적화 추세와 아울러 경박단소화되는 패키지 기술에 부합되는 패키지 실장방법으로서, 칩과 패키지간의 연결 거리가 짧아 지는 장점이 있다.
우선, 상기 SiOB(110)는 가령, 습식 에칭과 같은 식각 공정을 통하여 제1홀컵(112)이 형성되고, 상기 제1홀컵(112)의 내부면으로 금속 재질의 반사체(120)가 고정된다.
상기 제1홀컵(112)은 원뿔대 형상으로서 비스듬한 측면 및 편평한 저면에 상기 반사체(120)가 위치됨으로써 상기 블루LED(130)에서 발광되는 빛이 양측면 및 저면 측에서 모두 반사될 수 있다.
이때, 상기 제1홀컵(112)의 측면은 그 결정각이 조정되어 상기 블루LED(130)에서 발광되는 빛이 최적의 각도로 반사될 수 있도록 반사광을 유도시키는데, 상기 제1홀컵(112)의 측면은 곡면 형태를 가질 수도 있다.
상기 SiOB(110)의 저면에 위치되는 상기 반사체(120) 부분에는 상기 블루LED(130)가 플립칩 본딩되어 실장되는데, 상기 블루LED(130)의 전극은 솔더 부재(114)를 통하여 상기 반사체(120)와 통전연결된다.
상기 SiOB(110)의 상측 외면 중에서 상기 제1홀컵(112)이 형성되지 않은 부분에는 상기 제1애노드(140) 및 제1캐소드(150)가 고정되고, 상기 반사체(120)는 상기 제1애노드(140) 및 제1캐소드(150)와 통전연결됨으로써 상기 블루LED(130)의 p측 전극은 상기 제1애노드(140)와 통전되고, 상기 블루LED(130)의 n측 전극은 상기 제1캐소드(150)와 연결된다.
따라서, 상기 반사체(120)는 상기 제1애노드(140) 및 제1캐소드(150)와 통전됨에 있어 각각의 부분은 절연되어 있다.
상기 제1애노드(140) 및 제1캐소드(150)는 각각 와이어 본딩 패드를 형성하여 상기 LED패키지와 연결된다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제1홀컵(112)의 내부에는 형광체(160)가 도포되는데, 상기 형광체(160)는 상기 홀컵(112)의 상측 개방면을 기준으로 하여 편평하게 도포되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 블루 LED(130)는 육면체 형태로서, 상기 형광체(160)는 상기 블 루 LED(130)를 (밑면을 포함하여)감싸도록 도포되어 있다.
종래의 백색 반도체 발광소자가 패키지에 실장된 상태에서 형광체(160)가 불규칙하게 주입된 몰딩층이 두껍게 형성되는 것과는 대조적으로, 본 발명에 의한 SiOB칩(100)은 자체적으로 백색광을 방출하는 구조를 가지므로 광자체의 반사 효율이 증대되고, 형광체(160)를 투과하여 백색광으로 여과되는 분포 영역이 고르게 형성될 수 있다.
즉, 본 발명에 의한 백색 반도체 발광소자 상의 SiOB칩(100)은 SiOB(110)의 결정각이 조정되고, 반사체(120)가 사면에서 기능하며, 몰딩부재와 혼합되지 않은 순수 형광체(160)가 상기 제1홀컵(112) 상에서 얇게 도포됨으로써 상기 블루LED(130)의 방출광 및 반사광이 상기 형광체(160)를 투과하는 경로가 거의 일정하게 된다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 백색 반도체 발광소자의 내부 구조를 도시한 측단면도이다.
도 4에 의하면, 본 발명의 실시예에 따른 백색 반도체 발광소자는, LED패키지(200) 및 도 3을 참조하여 설명된 상기 SiOB칩(100)을 포함하여 구성되며, 상기 LED패키지(200)는 패키지본체(210), 제2애노드(220), 제2캐소드(230), 본딩와이어(260), 반사컵(240) 및 투명몰딩부재(250)로 구성된다.
처음으로, 상기 패키지본체(210)는 절연물질로 이루어지고, 상면이 개방된 제2홀컵(212)이 형성되어 있다.
상기 제2홀컵(212)의 저면에는 상기 SiOB칩(100)이 부착되고, 상기 SiOB칩 (100)의 제1애노드(140) 및 제2캐소드(230)는 상기 본딩와이어(260)를 통하여 각각 상기 제2애노드(220) 및 제2캐소드(230)와 통전연결된다.
여기서, 상기 SiOB칩(100)은 전술한 바와 같이 개별적으로 발광 효율이 극대화되어 있으므로 다수개가 인접하여 위치된다고 해도 각각의 발광 효율에 상호 영향을 미치지 않게 되며, 따라서 상기 패키지본체(210) 내부에 다수개로 구비될 수 있다.
이렇게 다수개의 SiOB칩(100)이 상기 LED패키지(200) 내에 일체화되는 경우 고출력의 발광 효과를 가질 수 있다.
상기 제2홀컵(212)의 내부면에는 상기 반사컵(240)이 구비되고, 상기 패키지홀컵(212)의 내부에 투명몰딩부재(250)가 도포된다.
상기 투명몰딩부재(250)는 하나 이상의 상기 SiOB칩(100)을 역시 감싸고 있으며, 상기 형광체(160)와는 층이 분리됨으로써 각각의 굴절 효율이 개선되게 된다.
이상에서 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 본 발명의 실시예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
이상에서 살펴본 바와 같이, 본 발명에 의한 백색 반도체 발광소자에 의하면, 형광체 및 투명충진체 층을 분리하여 각 층의 투과층을 최소화하였으므로 광의 진행경로 차에 의한 광출력의 저하를 방지할 수 있고, 백색, 푸른색 및 노란색으로 광분포가 차별적으로 형성되는 문제점을 해소할 수 있다.
또한, 본 발명에 의하면, 형광체의 양을 최소화하여 균일하게 도포할 수 있으므로 발광되는 광의 균제도를 향상시킬 수 있고, 몰드층이 바로 블루LED에 접촉되어 도포되지 않으므로 열로 인한 스트레스에 상기 블루LED가 노출되는 것을 막을 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 제1홀컵이 형성된 실리콘계 기판, 상기 제1홀컵의 저면에 실장되는 LED, 상기 LED와 통전연결되는 제1애노드 및 제1캐소드, 상기 제1홀컵의 내면에 구비되는 반사체 및 상기 제1홀컵의 내부에 도포되는 형광체를 구비하는 SiOB칩; 및
    저면에 상기 SiOB칩이 부착되는 제2홀컵, 상기 SiOB칩과 통전연결되는 제2애노드 및 제2캐소드, 상기 제2홀컵의 내면에 구비되는 반사컵 및 상기 제2홀컵의 내부에 도포되는 투명몰딩부재를 구비하는 LED패키지를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 SiOB칩은
    상기 제1홀컵 내부에 상기 LED가 한개 이상으로 구비되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 LED는
    블루 LED 또는 UV LED인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 SiOB칩은
    상기 제1홀컵이 형성됨에 있어서, 측면의 결정각이 조정되어 상기 LED에서 발광되는 빛이 반사광으로 유도되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 반사체는
    상기 LED의 전극을 상기 제1애노드 및 제1캐소드와 통전연결시키는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 SiOB칩은
    상기 제2애노드 및 제2캐소드와 와이어를 통하여 본딩되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서, 상기 형광체는
    상기 제1홀컵의 상측 개방면 이하로 도포되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 형광체는
    상기 LED를 감싸도록 주입되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 형광체는
    옐로우 계열의 형광체인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 형광체는
    레드 계열의 형광체, 그린 계열의 형광체 또는 블루 계열의 형광체 중 어느 하나의 형광체인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP5286938B2 (ja) * 2008-05-27 2013-09-11 東京エレクトロン株式会社 針跡検査装置、プローブ装置、及び針跡検査方法、並びに記憶媒体
KR20120067153A (ko) 2010-12-15 2012-06-25 삼성엘이디 주식회사 발광소자, 발광소자 패키지, 발광소자의 제조방법, 및 발광소자의 패키징 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10228249A (ja) 1996-12-12 1998-08-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いたｌｅｄ表示装置
JPH118415A (ja) 1997-06-13 1999-01-12 Citizen Electron Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
JP2003532299A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子
KR20040089979A (ko) * 2003-04-15 2004-10-22 서울반도체 주식회사 백색 발광소자의 제조 방법

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10228249A (ja) 1996-12-12 1998-08-25 Nichia Chem Ind Ltd 発光ダイオード及びそれを用いたｌｅｄ表示装置
JPH118415A (ja) 1997-06-13 1999-01-12 Citizen Electron Co Ltd 赤外線データ通信モジュール
JP2003532299A (ja) * 2000-04-26 2003-10-28 オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング ルミネセンス変換エレメントを備えた光放出半導体素子
KR20040089979A (ko) * 2003-04-15 2004-10-22 서울반도체 주식회사 백색 발광소자의 제조 방법

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