JP3609377B2 - リチウム２次電池用陰極薄膜およびその製造方法 - Google Patents

リチウム２次電池用陰極薄膜およびその製造方法 Download PDF

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、リチウム２次電池用陰極薄膜およびその製造方法に係り、より詳細には、集電体上に形成される陰極活物質層形成材料として錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）の金属間化合物を使用することによって初期非可逆容量が減少してリチウムの挿入／除去による錫の凝集問題が解決されて充放電サイクル特性が改善されたリチウム２次電池の陰極薄膜に関する。
【０００２】
【従来の技術】
有機電解液内でリチウム金属は、熱力学的に不安定でいわゆるＳＥＩ（Ｓｏｌｉｄ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｙｔｅ Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）と呼ばれる薄膜で覆われていることが知られている。このようなリチウム金属の不安定性は、陰極形成物質としてリチウム金属を使用する場合、充放電サイクルが反復されるにつれてリチウム金属が樹枝状結晶成長をして電池の安定性を低下させるという問題点を生じさせる。
【０００３】
リチウムイオン電池では、陰極形成材料として黒鉛系素材を使用することにより、安定性および高容量維持特性を確保できる。これら黒鉛系素材を採用した黒鉛陰極は、リチウムイオンの層間挿入反応を通じてリチウムを可逆的に貯蔵／除去できるが、貯蔵されたリチウムイオンは金属状態ではないので樹枝状結晶成長のように電池の安定性に悪影響を及ぼす要素を排除できるものである。
【０００４】
しかしながら、黒鉛陰極は、リチウム金属陰極に比べてエネルギー密度が約１０％にすぎない。このようにエネルギー密度が小さいという問題点を解決するために黒鉛に比べて向上した容量特性を表す陰極材料として無秩序な（ｄｉｓｏｒｄｅｒｅｄ）炭素材料、窒化物、酸化物などが提案されている。
【０００５】
錫酸化物として代表的な酸化物系陰極は、富士写真フィルム株式会社（Ｆｕｊｉ Ｐｈｏｔｏ Ｆｉｌｍ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．）（ＵＳ５６１８６４０ Ｙ．Ｉｄｏｔａ ｅｔ ａｌ．；Ｉｄｏｔａｅｔａｌ．，”Ｔｉｎ−Ｂａｓｅｄ Ａｍｏｒｐｈｏｕｓ Ｏｘｉｄｅ： Ａ Ｈｉｇｈ Ｃａｐａｃｉｔｙ Ｌｉｔｈｉｕｍ−Ｉｏｎ Ｓｔｏｒａｇｅ ｍａｔｅｒｉａｌ”，Ｓｃｉｅｎｃｅ，２７６（１９９７）１３９５−１３９７）により最初に発表された物質であって、充放電容量が黒鉛系素材に比べて２倍程度大きくて電位特性も既存の代替物質として研究された材料に比べて比較的優れているため、多くの研究が進められている。
【０００６】
酸化物系陰極は、錫酸化物（ＳｎＯまたはＳｎＯ２）、鉛酸化物（ＰｂＯ）、シリコン酸化物（ＳｉＯ）のように一般にリチウムと合金できる金属の酸化物より構成される。これら酸化物系陰極形成物質は、陰極活物質前駆体の役割をしてリチウムイオンが金属格子内に広がるにつれて酸素イオンと金属イオンが分離され、挿入されたリチウムと酸素イオンの反応を通じて金属の格子内析出が起きる。この時、充放電可能な活物質は実際に金属酸化物ではなく前述したように析出された金属である。
【０００７】
陰極形成物質として錫酸化物を使用する場合、錫金属とリチウムの合金化反応を通じてリチウムの貯蔵および除去が可能であることが知られている。
【０００８】
上記錫酸化物などの酸化物よりなる酸化物系陰極物質は、リチウム合金物質の場合と比較してサイクル特性がさらに優れているが、その理由は下記２つから説明できる。
【０００９】
第一に、リチウムイオンが金属格子内に広がるにつれて錫のようにリチウムと合金形成可能な金属が析出される。ところが、この金属は大きさが非常に小さくて体積変化による活物質の機械的損失が最小化できる。
【００１０】
第二に、初期リチウム貯蔵時、金属の析出と同時に生成されるリチウムと酸素イオンとの反応物のリチウム酸化物Ｌｉ２Ｏが非常に均一に分散されていて体積変化による活物質の損傷を抑制できる。
【００１１】
しかしならが、酸化物系陰極は、最初の充放電過程で必ず生じるリチウム酸化物の形成反応によって非常に大きい初期非可逆容量を示し、これにより過量のカソード活物質が要求されるので実用化の妨げになっている。
【００１２】
これに対し、酸化物系陰極の高容量および優れたサイクル特性を維持しつつ初期非可逆容量を減らすために金属間化合物（ＵＳ ６２０３９４４ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｆｏｒ ａｌｉｔｈｉｕｍ ｂａｔｔｅｒｙ，Ｒｏｂｅｒｔ Ｌ．Ｔｕｒｎｅｒ ｅｔ ａｌ．；Ｍａｏ ｅｔ ａｌ．，”Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌｌｙ Ａｌｌｏｙｅｄ Ｓｎ−Ｆｅ（−Ｃ）Ｐｏｗｄｅｒｓ ａｓ アノード Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｆｏｒ Ｌｉ−Ｉｏｎ Ｂａｔｔｅｒｉｅｓ”，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４６（２）（１９９９）４０５−４１３；Ｂｅａｕｌｉｅｕ ｅｔ ａｌ．”Ｔｈｅ ｒｅａｃｔｉｏｎ ｏｆ Ｌｉｔｈｉｕｍ ｗｉｔｈ Ｓｎ−Ｍｎ−Ｃ Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃｓ Ｐｒｅｐａｒｅｄ ｂｙ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ａｌｌｏｙｉｎｇ”，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４７（９）（２０００）３２３７−３２４１；Ｋｅｐｌｅｒ ｅｔ ａｌ．，”ＬｉｘＣｕ６Ｓｎ５（０＜ｘ＜１３）：Ａｎ Ｉｎｔｅｒｍｅｔａｌｌｉｃ Ｉｎｓｅｒｔｉｏｎ Ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ ｆｏｒ Ｒｅｃｈａｒｇｅａｂｌｅ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｂａｔｔｅｒｉｅｓ”，Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｌｅｔｔ．，２（７）（１９９９）３０７−３０９）を利用したり、またはナノサイズ（Ｙａｎｇ ｅｔ ａｌ．，”Ｓｕｂ−Ｍｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅ Ｓｎ ａｎｄ Ｓｎ−ＳｎＳｂ Ｐｏｗｄｅｒｓ ａｓ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｆｏｒ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｉｏｎ Ｂａｔｔｅｒｉｅｓ”，Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｌｉｄ−Ｓｔａｔｅ Ｌｅｔｔ．，２（４）（１９９９）１６１−１６３；Ｙａｎｇ ｅｔ ａｌ．，”Ｕｌｔｒａｆｉｎｅ Ｓｎ ａｎｄ ＳｎＳｂ０．１４ Ｐｏｗｄｅｒｓ ｆｏｒ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｓｔｏｒａｇｅ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ ｉｎ Ｌｉｔｈｉｕｍ−Ｉｏｎ Ｂａｔｔｅｒｉｅｓ”，Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１４６（１１）（１９９９）４００９−４０１３）の金属粉末を使用する方法が提案されている。
【００１３】
前者の方法に対してより具体的に説明すれば、Ｓｎ２Ｆｅ、Ｃｕ６Ｓｎ５などの錫系金属間化合物は、リチウムと合金を形成しない金属と、リチウムとの反応性がある金属との金属間化合物より構成され、錫酸化物とは違ってリチウムイオンの金属格子内拡散によってリチウム酸化物（Ｌｉ２Ｏ）形成反応などの非可逆反応が存在しないので初期非可逆容量を減らし得る。
【００１４】
しかしながら、このような錫系金属間化合物は、反復的なリチウムイオンの挿入および脱離によって錫の凝集が生じて錫金属のように体積変化による活物質の機械的損傷が深化してサイクル特性が顕著に低下する。
【００１５】
前述したような問題点を解決するために陰極形成物質として機械的合金化法により製造されたリチウムの挿入／脱離が可能な活性相物質とリチウムとの反応が起きない非活性相物質とよりなる複合材料を使用する方法が試みられた。
【００１６】
上記活性相物質および非活性相物質よりなる複合材料の具体的な例として、Ｓｎ２Ｆｅ（活性相）およびＳｎＦｅ３Ｃ（非活性相）よりなる複合材料がある。ところがこの複合材料は微細構造を有し、非活性相物質を添加することによってサイクル特性は向上し、体積当たりエネルギー密度は大きいが、質量当たりエネルギー密度が２００ｍＡｈ／ｇ未満で非常に小さいという問題点がある。
【００１７】
一方、リチウム錫合金は、図１に示すようにリチウム電極に対して０．７Ｖ以下の比較的低い作動電圧を有しており、リチウム錫合金Ｌｉ４．４Ｓｎは、単位質量当たり容量が約７９０ｍＡｈ／ｇであってリチウム黒鉛化合物ＬｉＣ６の場合（３４２ｍＡｈ／ｇ）よりエネルギー密度が高い。
【００１８】
ところがリチウムイオンの挿入／脱離可能なリチウム錫合金において、リチウムの挿入／脱離によって錫が凝集されるが、凝集された錫の体積変化量差が激しくて錫の表面と内部にクラックが発生して結局は集電体との電気的接触を失ってサイクル特性が劣化する問題点がある。このようにサイクル特性が劣化することは図２から分かる。
【００１９】
図２を参照すれば、リチウム−錫合金薄膜陰極薄膜を５０Ａ／ｃｍ２の一定の電流で０−１．２Ｖまで充電および放電する場合、初期充電容量が約５サイクル後から激しく減少し始めて２０サイクル後には初期充電容量がほとんどなくなるのでサイクル寿命が低下するという問題点がある。
【００２０】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の第一の目的は、上記問題点を解決してリチウムの挿入および脱離による錫の凝集問題点が改善されたリチウム２次電池用陰極薄膜を提供することである。
【００２１】
本発明の第二の目的は、上記陰極薄膜の製造方法を提供することである。
【００２２】
本発明の第三の目的は、上記陰極薄膜を採用することによって充放電特性が向上したリチウム２次電池を提供することである。
【００２３】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために本発明では、集電体およびその上部に形成された陰極活物質層を具備しているリチウム２次電池用陰極薄膜において、上記陰極活物質層が錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）の金属間化合物（ただし、５５０℃を超える温度で熱処理して得られたものを除く。）を含むことを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜を提供する。
【００２４】
上記錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）の金属間化合物は、特にＮｉ３Ｓｎ４であることが望ましい。
【００２５】
本発明の第二の目的は、錫とニッケル金属をモザイクスパッタリングする方法、錫とニッケル金属を同時にスパッタリングする方法、錫とニッケル金属含有ターゲットをスパッタリングする方法によって前記陰極薄膜を形成することを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法により達成される。
【００２６】
これらの方法においても、上記陰極薄膜での錫とニッケルの金属間化合物は、Ｎｉ３Ｓｎ４であることが望ましい。
【００２７】
また、本発明の第二の目的は、錫とニッケル金属を機械的合金化法によって対応する錫−ニッケル金属間化合物蒸着源を形成した後、上記錫−ニッケル金属間化合物蒸着源を利用して電子線蒸発および／またはイオン線補助蒸着（ｉｏｎ ｂｅａｍ ａｓｓｉｓｔｅｄ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ： ＩＢＡＤ）方式によって蒸着することによって前記陰極薄膜を形成することを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法によっても達成される。
【００２８】
上記方法においても、上記陰極薄膜での錫とニッケルの金属間化合物は、Ｎｉ３Ｓｎ４であることが望ましい。
【００２９】
本発明の第三の目的は、上記陰極薄膜を採用していることを特徴とするリチウム２次電池によって達成される。本発明のリチウム２次電池の上記陰極薄膜での錫とニッケルの金属間化合物は、特にＮｉ３Ｓｎ４であることが望ましい。本発明の望ましい一実施形態によれば、上記リチウム２次電池は、特にリチウム薄膜電池であることが望ましい。
【００３０】
【発明の実施の形態】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態について詳細に説明する。
【００３１】
本発明では錫の短所、すなわち、錫の体積膨脹による応力を緩和させるために錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）の金属間化合物を使用することによって構造的安定性を向上させてサイクル特性を向上させることができるところにその特徴がある。
【００３２】
ここで錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）の金属間化合物（Ｎｉ３Ｓｎ４）は、従来のリチウム−錫合金とは違ってリチウムとの反応活物質である錫とリチウムとの反応性がないニッケル金属間の化合物であって、酸化物の酸素イオンと共に格子内に広がったリチウムイオンとの化合物形成反応が起こらないために初期非可逆容量がほとんどなくなる。
【００３３】
この時、錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）の金属間化合物薄膜を形成する方法は特別に制限されていないが下記のような方法で製造できる。
【００３４】
前述した錫とニッケルの金属間化合物薄膜を形成する方法は特別に制限されてはいないが、本発明では下記方法を使用できる。
【００３５】
第一の方法は、錫とニッケル金属を同時スパッタリング法によって蒸着する方法である。
【００３６】
この方法によれば錫ターゲットとニッケル金属ターゲットを別途に備え、これを同時にスパッタリングして蒸着する。このように同時スパッタリング法によって錫−ニッケル金属の金属間化合物単一層を形成し、単一層内での錫とニッケル金属の含量は錫ターゲットおよびニッケル金属ターゲットに印加されるエネルギー源電力を所定範囲に制御することによって調節可能である。
【００３７】
第二の方法は、錫とニッケル金属をモザイクスパッタリングする方法である。この方法によれば、錫ターゲット上にニッケル金属チップを互いに対称性を有するように配置してスパッタリングし、錫とニッケル金属の組成は、ニッケル金属チップの数を制御することによって調節可能である。ここで錫ターゲットの直径は１〜８インチ（２．５４〜２０．３２ｃｍ）であり、望ましくは２〜４インチ（５．０８〜１０．１６ｃｍ）である。そして、ニッケルチップの直径は０．１〜１．６インチ（０．２５４〜４．０６４ｃｍ））であり、望ましくは０．２〜０．６インチ（０．５０８〜１．５２４ｃｍ）である。
【００３８】
第三の方法は、まず錫−ニッケル金属合金ターゲット（錫とニッケル金属含有ターゲット）を作ってこれを利用してスパッタリングする方法である。ここで錫とニッケルの金属間化合物薄膜の組成は、錫ニッケル金属合金ターゲットでの錫とニッケル金属の混合比で調節可能である。
【００３９】
第四の方法は、電子線蒸発法および／またはイオン線補助蒸着法を利用した方法である。
【００４０】
まず錫とニッケル金属粉末を利用して機械的合金化法によってこれに対応する錫−ニッケル金属間化合物蒸着源を製造する。
【００４１】
その後、上記蒸着源を利用してこれを電子線蒸発法および／またはＩＢＡＤによって蒸着して錫−ニッケル金属間化合物薄膜を製造する。このとき、錫−ニッケル金属間化合物蒸着源にアルゴンイオンを加速させることによって金属原子の移動度を増加させたり錫金属薄膜の表面状態を変化させることができる。そして錫−ニッケル金属間化合物薄膜の組成は、電子ビームの電子流量を調節して変化させることができ、蒸着された薄膜の結晶性および微細構造はアルゴンイオンの流量および加速電圧を変化させることによって調節できる。
【００４２】
上記錫−ニッケル金属間化合物としてはＮｉ３Ｓｎ４であることが構造的安定性面で特に望ましい。上記金属間化合物Ｎｉ３Ｓｎ４は従来のリチウム−錫合金とは違って、リチウムとの反応活物質である錫と、リチウムとの反応性がないニッケル金属間の化合物であって、酸素イオンと金属格子内に広がったリチウムイオンとの化合物形成反応が起こらないために初期非可逆容量がほとんどなくなる。
【００４３】
上記Ｎｉ３Ｓｎ４金属間化合物を利用して薄膜を製造する方法を説明すれば次の通りである。
【００４４】
まず、錫とニッケルを機械的合金化法によって錫ニッケル金属間化合物Ｎｉ３Ｓｎ４蒸着源を作る。ここで機械的合金化法によってＮｉ３Ｓｎ４蒸着源を製造する過程をより詳細に説明すれば次の通りである。
【００４５】
錫とニッケルを所定の混合モル比で混合した後、これを所定の粒子径以下に粉砕し（例えば、錫とニッケルを約４：３の混合モル比で混合した後、これをボールミリングする。ボールミリング後の粉末の粒子サイズは小さいほどよい。）、これを熱処理することによってＮｉ３Ｓｎ４蒸着源が得られる。このとき、熱処理温度はＮｉ３Ｓｎ４結晶性と密接な関連があり、３００ないし５５０℃であることが望ましい。熱処理温度が３００℃未満の場合にはＮｉ３Ｓｎ４の結晶性が弱くて充放電過程でＮｉ３Ｓｎ４結晶構造を維持できなくてサイクル特性が低下する問題点があり、５５０℃を超える場合には熱処理過程中に粒子の大きさが増加してリチウムの挿入／脱離過程のホストとして作用できる結晶粒界の分率が減少して容量が低下する問題点がある。
【００４６】
その後、上記Ｎｉ３Ｓｎ４蒸着源を利用して電子線蒸発法および／またはＩＢＡＤで錫ニッケル金属間化合物Ｎｉ３Ｓｎ４薄膜を作る。
【００４７】
図３は、本発明の陰極薄膜を採用したリチウム薄膜電池の構造を示す断面図である。
【００４８】
これを参照すれば、薄膜電池は基本的に基板ホルダー１０に白金よりなる集電体２０が配置され、上記集電体２０上にアノード３０、電解質４０およびカソード５０が薄膜の形で順次積層された構造を有している。そして上記カソード５０の上部には薄膜電池の内部と外部を遮断して保護するための保護膜６０が蒸着されている。
【００４９】
このような構造を有する薄膜電池で上記カソード５０は、リチウムコバルト酸化物（ＬｉＣｏＯ２）、リチウムマンガン酸化物（ＬｉＭｎ２Ｏ４）、リチウムニッケル酸化物（ＬｉＮｉＯ２）などのリチウム複合酸化物を含んでおり、電解質４０は、リチウムイオン伝導性物質のＬｉｐｏｎよりなっており、上記保護膜６０は、パリレン（Ｐａｒｙｌｅｎｅ）よりなっている。ここで、Ｌｉｐｏｎはリチウムホスホラスオキシナイトライド（ｌｉｔｈｉｕｍ ｐｈｏｓｐｈｏｒｕｓ ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）を示す。
【００５０】
【実施例】
以下、本発明を下記実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明が下記実施例にのみ限定されるものではない。
【００５１】
実施例１
錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）粉末をモル比率４：３で混合した後、下記機械的合金化法によって錫−ニッケル金属間化合物Ｎｉ３Ｓｎ４を製造した。
【００５２】
錫とニッケル粉末を４：３のモル比で称量した後、めのう乳ばち（ａｇａｔｅ ｍｏｒｔａｒ）でよく混合し、これを振動型ボールミルを使用して約７５０ｒｐｍの回転速度で１０時間ボールミリングした。ボールミリングが終わった後、３５０℃および５００℃で１時間熱処理してＮｉ３Ｓｎ４金属間化合物を製造した。上記Ｎｉ３Ｓｎ４のＸ線回折の分析結果は図４に示した通りである。図４の（ａ）を参照して、錫とニッケル粉末混合物を１０時間機械的ミリングする場合、機械的合金化法で合成された物質は出発物質の錫とニッケルは存在せずにＮｉ３Ｓｎ４だけ存在するということが確認できた。そして図４の（ｂ）および（ｃ）に示したように、熱処理温度が３５０℃、５００℃に増加するのに伴いＮｉ３Ｓｎ４の結晶性が増加することが分かる。
【００５３】
一方、上記過程によって得られたＮｉ３Ｓｎ４化合物の電気化学的特性を測定するためにリチウムメタルを相対電極および基準電極とし、電解液としてエチレンカルボネート（ＥＣ）とジエチルカルボネート（ＤＥＣ）の混合溶媒中に溶けている１Ｍ ＬｉＰＦ６を使用してリチウム２次電池を製造した。上記過程によって製造されたリチウム２次電池のサイクル特性を調べた。その結果は、図５に示した通りである。ここでサイクル特性は０．２ｍＡ／ｃｍ２の電流密度でリチウムに対して０〜１．２Ｖ区間で定電流方式で充放電を実施する方法によって評価した。
【００５４】
図５を参照するとき、Ｎｉ３Ｓｎ４化合物の結晶性が優れるほど充放電容量は減少するが、サイクル特性が非常に向上するということが分かった。また、上記Ｎｉ３Ｓｎ４粉末の充放電容量は、ミリング後熱処理による粉末内部の結晶粒界の体積分率と比例し、反復的なリチウムの挿入／脱離過程でも結晶性に優れたＮｉ３Ｓｎ４の場合は、容量減少が示されなかった。このような事実から、Ｎｉ３Ｓｎ４の結晶粒界に／からリチウムが挿入／脱離される（Ｎｉ３Ｓｎ４の結晶粒界にリチウムが挿入される／Ｎｉ３Ｓｎ４の結晶粒界からリチウムが脱離される）ことが分かる。このとき、リチウムに対して非活性であるＮｉ３Ｓｎ４の結晶粒がリチウム挿入／脱離のホストとして作用して体積膨脹を抑制してサイクル特性を優秀に維持できる。
【００５５】
図６は、錫とニッケル粉末を１０時間ミリングした後５００℃で１時間熱処理して製造されたＮｉ３Ｓｎ４粉末において、充放電過程を経た場合のＸ線回折分析結果を示した。このＸ線回折分析結果からＮｉ３Ｓｎ４粉末でリチウムが電気化学的に挿入／脱離される過程での構造変化を観察できる。
【００５６】
図６を参照すれば、（ａ）初期状態で（ｂ）０．２５Ｖ充電および（ｃ）０．０５Ｖ充電してリチウムを挿入した後これを再び（ｄ）１．２Ｖ放電を実施してリチウムを脱離させた後にもＮｉ３Ｓｎ４の結晶性を維持しており、前記過程を（ｅ）１００回反復した後にもいかなる回折パターンの変化も観察されなかった。
【００５７】
現在まで報告された錫系金属間化合物においては、リチウムが挿入されつつ相変化を起こしてリチウムイオンの拡散により錫（Ｓｎ）と相対金属（ｃｏｕｎｔｅｒ ｍｅｔａｌ；ここでいう相対金属は、錫と金属間化合物を形成する金属のことをいう。）が析出され、リチウムイオンは錫と反応してリチウム−錫（Ｌｉ−Ｓｎ）合金相を形成する。このような反応により形成された錫と相対金属（ｃｏｕｎｔｅｒ ｍｅｔａｌ）が非常に小さく、均一に分布されて錫と相対金属（ｃｏｕｎｔｅｒ ｍｅｔａｌ）に比べて向上したサイクル特性を示すが、これら錫系金属間化合物は反復的なリチウムイオンの挿入／脱離によって錫の凝集が生じて錫金属と同じく体積変化による活物質の機械的損傷が深化してサイクル特性が悪化する。
【００５８】
一方、本発明のＮｉ３Ｓｎ４構造では図６のようにリチウムの挿入過程でも錫（Ｓｎ）に該当するピークが観察されなくて、既存に報告された錫系金属間化合物で生じる相変化が起こらずＮｉ３Ｓｎ４結晶構造が維持されてサイクル特性が非常に向上するということが分かった。
【００５９】
上記Ｎｉ３Ｓｎ４金属間化合物は、図５のように質量当たり容量が約１００ｍＡｈ／ｇ程度で示されてバルク型電池の陰極活物質に適用するには不適合であるが、密度（８．４２ｇ／ｃｍ２）が大きいために体積当たり容量が大切である薄膜電池においてはサイクル特性に優れた点を考慮すれば適した陰極活物質であると判断される。また、リチウムの挿入／脱離による格子定数の変化がほとんどなくてリチウムの挿入過程での体積変化が大きくないことと見なされ、電極／電解質および電極／集電体薄膜との機械的安定性が強く要求される薄膜電池の陰極物質として非常に適している。
【００６０】
実施例２
上記実施例１によって製造されたＮｉ３Ｓｎ４粉末を蒸着源として使用して電子線蒸発法とＩＢＡＤでＮｉ３Ｓｎ４薄膜を蒸着した。
【００６１】
電子線蒸発法およびＩＢＡＤで蒸着した薄膜のＸ線回折分析結果は図７に示した通りである。初期真空を２×１０−６ｔｏｒｒ（２６６．６×１０−６Ｐａ）まで排気した後、アルゴンガスを流入して作業圧力を２×１０−６ｔｏｒｒ（２６６．６×１０−６Ｐａ）に維持した。電子線加速電圧５．７ｋＶおよび２０ｍＡの電子線電流を上記方法で製造されたＮｉ３Ｓｎ４粉末に１０分および２０分間照射して各々６４０Å（図７（ａ））および９２０Å（図７（ｂ））厚さの薄膜を蒸着した。また、イオン線補助蒸着法で前記蒸着源をアルゴンイオン加速電圧１００ｋｅＶ、イオン線電流２０ｍＡの条件で２０分間蒸着して１５００Å厚さの薄膜を製造した。
【００６２】
図７を参照すれば、電子線蒸発蒸着時間が延びたりイオン線が基板に照射された場合に約３０°付近で回折ピークが観察された。この回折ピークは準安定相のＮｉＳｎから回折されたことと見なされる。
【００６３】
上記過程によって製造されたＮｉ３Ｓｎ４陰極薄膜の充放電サイクル特性を図８に示した。
【００６４】
図８を参照すれば、（ａ）は電子線を１０分照射した場合に関するものであり、（ｂ）は電子線を２０分照射した場合に関するものであって、（ｂ）の場合は結晶性にさらに優れ、サイクル特性が（ａ）の場合より向上したが、図５の結晶性に優れたＮｉ３Ｓｎ４粉末の場合のサイクル特性には達し得なかった。この結果からニッケルと錫が化学量論的な含量で結合されているＮｉ３Ｓｎ４粉末を蒸着源として使用する場合には蒸着された薄膜の組成を元の蒸着源の組成と一致するように制御し難い。
【００６５】
反面、図７の（ｃ）のようにＩＢＡＤを利用して蒸着すれば加速されたイオン線照射条件を適切に制御して基板に蒸着される原子と衝突しつつ原子の移動度および反応性を増加させることによって常温でも結晶質のＮｉ３Ｓｎ４薄膜を製造できることが分かった。
【００６６】
前記ニッケルと錫が化学量論的な含量で結合されているＮｉ３Ｓｎ４粉末を蒸着源として使用する場合、ニッケルと錫の蒸気圧および揮発程度が異なって蒸着源と同じ組成の薄膜を得難い問題点を解決するために、錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）を各々蒸着源として使用して電子ビームを同時に集束して蒸着することによって錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）の組成制御をさらに容易に行おうとした。このとき、加速させたアルゴンイオンを錫（Ｓｎ）とニッケル（Ｎｉ）蒸着源と基板に照射することによって蒸着原子の移動度を増加させたり薄膜の表面状態を変化させることができ、薄膜の組成は電子ビームの電子流量を調節して変化させることができ、蒸着された薄膜の結晶性および微細構造はアルゴン（Ａｒ）イオンの流量と加速電圧を変化させることによって調節できる。
【００６７】
まず初期真空を２×１０−６ｔｏｒｒ（２６６．６×１０−６Ｐａ）まで排気した後、アルゴンガスを流入して作業圧力を２×１０−５ｔｏｒｒ（２６６．６×１０−５Ｐａ）に維持した。その後、電子線加速電圧５．７ｋＶの条件で錫およびニッケルに電子線電流を各々約１１０ｍＡおよび７５ｍＡを印加して厚さ約９５０Åの薄膜を蒸着した。上記過程によって製造された薄膜のＸ線回折分析結果は図９の（ｂ）と同一であり、図９の（ａ）はＳｉ／ＳｉＯ２基板に対する回折分析結果を示したものである。図９の（ｂ）で約２８°付近で回折ピークが観察されたが、これにより上記薄膜はＮｉ３Ｓｎ２薄膜と判断される。
【００６８】
そして上記過程によって製造された薄膜の充放電サイクル試験結果を図１０に示した。ここでサイクル特性は３０μＡ／ｃｍ２の電流密度でリチウムに対して０〜１．２Ｖ区間で定電流方式で充放電を行う方法によって評価した。
【００６９】
図１０から分かるように前記薄膜は非常に小容量を示しているが、これはＮｉ３Ｓｎ２結晶質の陰極が電気化学的に活性が非常に小さいからである。
【００７０】
しかしならが、前述したように電子ビームの流量およびアルゴン（Ａｒ）イオンの流量と加速電圧を変化させることによって薄膜の組成、結晶性および微細構造を変化させるならば常温でＮｉ３Ｓｎ４薄膜を蒸着できることを示している。
【００７１】
【発明の効果】
本発明の陰極薄膜は、充放電過程で発生する錫の体積膨脹および収縮を抑制してサイクル特性を顕著に向上させうる。したがって、この陰極薄膜を採用すれば電極と電解質界面の化学的安定性および機械的安定性が大きく改善されて寿命特性が向上したリチウム２次電池を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の技術に係るリチウム錫合金の充放電サイクル電圧曲線図である。
【図２】従来の技術に係るリチウム錫陰極薄膜のサイクル特性を示す図面である。
【図３】本発明の陰極薄膜を採用しているリチウム薄膜電池の構造を示す断面図である。
【図４】本発明の実施例１によって製造されたＮｉ３Ｓｎ４において、この化合物のＸ線回折分析結果を示す図面である。
【図５】本発明の実施例１によって製造されたＮｉ３Ｓｎ４を採用したリチウム２次電池において、サイクル特性を示す図面である。
【図６】本発明の実施例１によって製造されたＮｉ３Ｓｎ４を採用したリチウム２次電池において、（ａ）初期状態、（ｂ）０．２５Ｖ充電段階、（ｃ）０．０５Ｖ充電段階、（ｄ）１．２Ｖ放電段階および（ｅ）１００サイクル後のＮｉ３Ｓｎ４のＸ線回折分析結果を示す図面である。
【図７】本発明の実施例２によって製造されたＮｉ３Ｓｎ４陰極薄膜のＸ線回折分析結果を示す図面である。
【図８】本発明の実施例２によって製造されたＮｉ３Ｓｎ４陰極薄膜の充放電サイクル特性を示す図面である。
【図９】本発明の実施例２によって製造されたＮｉ３Ｓｎ４陰極薄膜のＸ線回折分析結果を示す図面である。
【図１０】本発明の実施例２によって製造されたＮｉ３Ｓｎ４陰極薄膜の充放電サイクル特性を示す図面である。
【符号の説明】
１０…基板ホルダー、 ２０…集電体、
３０…アノード、 ４０…電解質、
５０…カソード、 ６０…保護膜。

Claims (8)

  1. 集電体およびその上部に形成された陰極活物質層を具備しているリチウム２次電池用陰極薄膜において、上記陰極活物質層が錫とニッケルの金属間化合物を含むことを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜を、錫とニッケル金属をモザイクスパッタリングして形成することを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法。
  2. 上記陰極薄膜での錫とニッケルの金属間化合物がＮｉ３Ｓｎ４であることを特徴とする請求項１に記載のリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法。
  3. 集電体およびその上部に形成された陰極活物質層を具備しているリチウム２次電池用陰極薄膜において、上記陰極活物質層が錫とニッケルの金属間化合物を含むことを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜を、錫とニッケル金属を同時にスパッタリングして形成することを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法。
  4. 上記陰極薄膜での錫とニッケルの金属間化合物がＮｉ３Ｓｎ４であることを特徴とする請求項３に記載のリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法。
  5. 集電体およびその上部に形成された陰極活物質層を具備しているリチウム２次電池用陰極薄膜において、上記陰極活物質層が錫とニッケルの金属間化合物を含むことを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜を、錫とニッケル金属含有ターゲットをスパッタリングして形成することを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法。
  6. 上記陰極薄膜での錫とニッケルの金属間化合物がＮｉ３Ｓｎ４であることを特徴とする請求項５に記載のリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法。
  7. 集電体およびその上部に形成された陰極活物質層を具備しているリチウム２次電池用陰極薄膜において、上記陰極活物質層が錫とニッケルの金属間化合物を含むことを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜を、錫とニッケル金属を機械的合金化法によって対応する錫−ニッケル金属間化合物蒸着源を形成した後、上記錫−ニッケル金属間化合物蒸着源を利用して電子線蒸発および／またはイオン線補助蒸着方式によって蒸着することによって形成することを特徴とするリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法。
  8. 上記錫とニッケルの金属間化合物はＮｉ３Ｓｎ４であることを特徴とする請求項７に記載のリチウム２次電池用陰極薄膜の製造方法。
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Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8273474B2 (en) * 2000-02-29 2012-09-25 Illinois Institute Of Technology Battery system thermal management
US6942944B2 (en) * 2000-02-29 2005-09-13 Illinois Institute Of Technology Battery system thermal management
KR100448519B1 (ko) * 2002-09-23 2004-09-13 한국과학기술연구원 초소형 전기화학 장치를 위한 다공성 전극 및 박막 전해질제조 방법
WO2006082846A1 (ja) * 2005-02-02 2006-08-10 Geomatec Co., Ltd. 薄膜固体二次電池
KR100764619B1 (ko) * 2005-04-04 2007-10-08 주식회사 엘지화학 실리콘 또는 주석계 음극 활물질의 리튬 이차전지
WO2006109948A1 (en) * 2005-04-12 2006-10-19 Lg Chem, Ltd. Lithium secondary battery containing silicon-based or tin-based anode active material
JP5200339B2 (ja) * 2006-06-16 2013-06-05 パナソニック株式会社 非水電解質二次電池
US9260779B2 (en) * 2009-05-21 2016-02-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-transmitting conductive film, display device, electronic device, and manufacturing method of light-transmitting conductive film
JP2011014884A (ja) * 2009-06-05 2011-01-20 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光電変換装置
KR101156532B1 (ko) * 2009-11-27 2012-06-20 삼성에스디아이 주식회사 리튬 전지용 음극 및 이를 구비한 리튬 전지
CN102832377A (zh) * 2012-08-17 2012-12-19 华南理工大学 一种锡-非晶镍钛复合薄膜负极材料及其制备方法与应用
CN103268933B (zh) * 2013-05-06 2015-01-28 华南理工大学 一种Al-Sn薄膜负极及其制备方法
GB201400276D0 (en) * 2014-01-08 2014-02-26 Ilika Technologies Ltd Vapour deposition method for fabricating lithium-containing thin film layered structures
US20170301926A1 (en) * 2016-04-14 2017-10-19 Applied Materials, Inc. System and method for maskless thin film battery fabrication
GB2590398B (en) * 2019-12-16 2022-08-31 Dyson Technology Ltd Methods of making anode architectures

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4094761A (en) * 1977-07-25 1978-06-13 Motorola, Inc. Magnetion sputtering of ferromagnetic material
JPS60124357A (ja) * 1983-12-08 1985-07-03 Matsushita Electric Ind Co Ltd 非水電解質２次電池の負極
JP3134340B2 (ja) * 1991-04-05 2001-02-13 東ソー株式会社 スパッタリングターゲット
US5618640A (en) 1993-10-22 1997-04-08 Fuji Photo Film Co., Ltd. Nonaqueous secondary battery
JP3359164B2 (ja) * 1994-10-19 2002-12-24 キヤノン株式会社 二次電池
JP3644106B2 (ja) * 1995-12-26 2005-04-27 宇部興産株式会社 非水二次電池
JP4142753B2 (ja) * 1996-12-26 2008-09-03 株式会社東芝 スパッタターゲット、スパッタ装置、半導体装置およびその製造方法
JPH1186854A (ja) * 1997-09-11 1999-03-30 Hitachi Ltd リチウム二次電池
US6203944B1 (en) 1998-03-26 2001-03-20 3M Innovative Properties Company Electrode for a lithium battery
EP1043789B1 (en) * 1998-10-22 2013-01-23 Panasonic Corporation Secondary cell having non-aqueous electrolyte
JP4666854B2 (ja) * 1999-07-01 2011-04-06 パナソニック株式会社 非水電解質二次電池
JP3103356B1 (ja) * 1999-09-28 2000-10-30 株式会社サムスン横浜研究所 リチウム二次電池用の負極材料及びリチウム二次電池用の電極及びリチウム二次電池及びリチウム二次電池用の負極材料の製造方法
JP5248730B2 (ja) * 1999-12-28 2013-07-31 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー リチウムイオン電池用電極としての結晶粒界材料
JP2001256967A (ja) * 2000-03-13 2001-09-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 非水電解質二次電池用負極材料およびその製造方法
JP2001256968A (ja) 2000-03-13 2001-09-21 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 非水電解質二次電池用負極材料およびその製造方法
JP3388408B2 (ja) * 2000-10-24 2003-03-24 鈴鹿工業高等専門学校長 すずーニッケル合金膜の製造方法

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