JP3597069B2 - 複数の赤外波長帯を検出する熱型赤外アレイセンサ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は赤外線波長検出器に関し、特に単一のデバイスで複数の赤外波長帯を検出することのできる熱型赤外アレイセンサに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来用いられていたボロメータ型の熱型赤外センサアレイは、一般に図7にて示す構成のものが採用されていた。図7は従来例のサーミスタボロメータ型熱型赤外アレイセンサの構成図であり、(a)は模式的斜視図、(b)は模式的側面断面図である。
【0003】
図7に示すように従来例のサーミスタボロメータ型熱型赤外アレイセンサはダイアフラム301と梁302とから成る熱分離構造を有している(R.A.Wood,“Uncooled Infrared Image Arrays and Systems”,Semiconductors and Semimetals,Vol.17,volume editors P.W.Kruse & D.D.Skatrud,Academic Press,1997年,p.103参照)。
【0004】
ダイアフラム301は抵抗温度係数の大きなボロメータ材料薄膜VOx305と電極(不図示)およびそれらを取り囲む保護膜SiN306とから成る。梁302には熱伝導率の小さい金属薄膜NiCrで電気配線(不図示)がなされており、読出回路307を搭載したSi基板308に接続されている。ダイアフラム直下には空洞309があり基板上に完全反射膜304がある。ダイアフラム301に入射した赤外線300はSiN保護膜306に吸収され、ダイアフラム301を透過した赤外線300は完全反射膜304でダイアフラムの方向に反射され再度SiN保護膜306に吸収される。このように吸収された赤外線はダイアフラムを暖めボロメータの抵抗を変化させ電圧変化として検出される。被写体の温度がダイアフラムより低い場合は、逆にダイアフラムが熱輻射をして温度が下がり、それに対応したボロメータの抵抗変化が生じる。SiN保護膜306の赤外吸収帯は波長10μm帯にあるため、この熱型赤外センサアレイの検出波長はこの波長帯に限られる。
【0005】
図8は他の従来例の強誘電体型熱型赤外アレイセンサの構成図であり、(a)は模式的斜視図、(b)は模式的側面断面図である。図8に示す従来例は、強誘電体セラミクス401とSi読出回路402とをバンプ403でハイブリッド化した熱型赤外センサアレイである(C.H.Hansen,SPIE Proc.2020巻,1993年,p330参照)。この場合、赤外吸収機構は図7のサーミスタボロメータ型熱型赤外アレイセンサと異なり、赤外吸収膜405で一部の入射赤外線400は反射され、一方残りの入射赤外線400は赤外吸収のないキャビティ層406を通り完全反射膜(共通電極も兼用)407で反射される。これら2つの反射赤外線は、赤外吸収膜405の位置で打ち消し合う干渉を起こして同膜内の自由電子に吸収される。吸収された赤外線は熱に変わり(Ba,Sr)TiO3 強誘電体セラミクス401の誘電率を変化させ、電極408、電気配線409を経由して読出回路402により電圧変化として検出される。この赤外センサアレイではキャビティ層の厚みが各画素ごとに同じであるため、すべての画素は同じ波長帯しか検出できない。
【0006】
図9は他の従来例のデュアルバンドHgCdTe赤外アレイセンサの模式的斜視図である。図9に示す従来例は図7、図8を参照して説明した熱型赤外センサではなく、Si読出回路とハイブリッド化した2次元HgCdTeフォトダイオードアレイで、2つの赤外波長帯を同一画素内で同時に検出することができる、いわゆるデュアルバンドの量子型赤外アレイセンサである(P.R.Norton,米国特許5,149,956参照)。なお、同図にはSi読出回路は示されていない。各画素501は、赤外線に透明なCdZnTe基板502上に形成され、波長3−5μm帯の赤外線を吸収するn型Hg0.7 Cd0.3 Te層503(バンドギャップ約0.24eV,厚さ10μm)、同層よりバンドギャップが大きいp型Hg0.6 Cd0.4 Te層504(厚さ3μm)及び波長10μm帯の赤外線を吸収するn型Hg0.8 Cd0.2 Te層505(バンドギャップ約0.1eV、厚さ10μm)から成る。Inのバンプ506−508はこれらの各層をSi読出回路基板と電気的・機械的に接続するためのものである。p型HgCdTe層504はアレイ全体で共通電極の役目をする。一方、2つのn型HgCdTe層503と505は、画素ごとに分離されていて各画素が独立したnpn構造となっており、同一画素内で2つの波長帯の赤外線を検出することができる。
【0007】
さて入射赤外線500がnpnの画素構造のCdZnTe基板502に入射すると、まず波長の短い赤外線がHgCdTe層503と504に吸収される。次にこれら2つの層を透過した長い波長の赤外線はHgCdTe層505に吸収される。このように短波長帯の赤外線は2つのHgCdTe層503と504のpn接合により、一方、長波長帯の赤外線は2つのHgCdTe層505と504のpn接合により光電流として検出される。この光電流はInバンプ506−508を通じてSi読出回路に送り込まれる。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
図7と図8とに示した従来例の熱型非冷却赤外アレイセンサ場合、1つのデバイスで複数の赤外波長帯を検出することができないという問題点があり、一方、図9に示したHgCdTeデュアルバンド赤外アレイセンサの場合、2つの赤外波長帯まで検出できるが3つ以上の波長帯の赤外線を検出することはできなく、しかも冷却しないと動作しないという問題点がある。
【0009】
本発明の目的は、1つの熱型非冷却赤外アレイセンサで複数の波長帯の赤外線を検出することができる熱型赤外アレイセンサを提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】
本発明の複数の赤外波長帯を検出する熱型赤外アレイセンサは、入射する赤外線を測定するセンサが所定の配列で配置されている熱分離構造を有する熱型赤外線アレイセンサであって、検出する赤外波長帯が異なるセンサが千鳥配列されている。
【0011】
本発明の検出する赤外波長帯が異なるセンサの第1の態様では、基板から伸長している梁によって空間に支持されているダイアフラムがそれぞれ1つの画素に対応して配置され、そのダイアフラムは、赤外線を透過しあるいは反射する熱電変換材料薄膜と、電極と、熱電変換材料薄膜と電極とを取り囲む保護膜とから構成される構造を基本としており、熱電変換材料薄膜の種類と、保護膜の種類と、ダイアフラム上に形成された真空インピーダンスマッチングした赤外吸収薄膜と基板上に設けられた完全反射膜との間で打ち消し合う干渉による特定波長帯の赤外線の吸収とを組み合わせて構成されている。
【0012】
その第1の応用例では、赤外線を透過する熱電変換材料薄膜が用いられており、特定波長を吸収する保護膜を有するグループと赤外吸収薄膜と基板上に設けられた完全反射膜との間で打ち消し合う干渉により特定波長帯の赤外線を吸収するグループとを組み合わせているので複数の波長帯の赤外線が検出できる。
【0013】
第2の応用例では、赤外線を透過する熱電変換材料薄膜が用いられており、赤外吸収薄膜と基板上に設けられた完全反射膜との間で打ち消し合う干渉により特定波長帯の赤外線を吸収する構造で、赤外吸収薄膜と完全反射膜との間隔が異なるグループを設けることで複数の波長帯の赤外線が検出できる。
【0014】
第3の応用例では、完全反射膜の代わりに赤外線を反射する金属サーミスタボロメータ薄膜を用い、赤外吸収薄膜と金属サーミスタボロメータ薄膜との間で打ち消し合う干渉により特定波長帯の赤外線を吸収する構造で、赤外吸収薄膜と金属サーミスタボロメータ薄膜との間隔が異なるグループを設けることで複数の波長帯の赤外線が検出できる。
【0015】
第4の応用例では、完全反射膜の代わりに赤外線を反射する金属サーミスタボロメータ薄膜を用い、特定波長を吸収する保護膜を有するグループと、赤外吸収薄膜と金属サーミスタボロメータ薄膜との間で打ち消し合う干渉により特定波長帯の赤外線を吸収するグループとを組み合わせているので複数の波長帯の赤外線が検出できる。
【0016】
第2の態様では、センサは画素ごとに分離された強誘電体セラミクスが赤外吸収層で支持されており、かつ熱伝導率の小さいバンプで基板と結合したハイブリッド型の構造を有しており、赤外吸収層が真空インピーダンスマッチングした赤外吸収薄膜と、赤外線に透明なキャビティ層と、完全反射膜との3層から構成され、赤外吸収薄膜と完全反射膜との間で打ち消し合う干渉により特定の波長帯の赤外線を吸収するように、キャビティ層の厚さの異なったグループを設けているので複数の波長帯の赤外線が検出できる。
【0017】
【発明の実施の形態】
次に、本発明の実施の形態について図面を参照して説明する。本発明の複数の赤外波長帯を検出する熱型赤外アレイセンサについて第1から第5の実施の形態を例示するが、それらのうち第1から第4の実施の形態においては共通な点が多いので、まず一括して基本となる構造を説明し次に個別の特徴を説明する。
【0018】
図1は本発明の複数の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサの模式的斜視図であり、アレイを構成する2種類のセンサを模式的に表示している。本発明の複数の赤外波長帯を検出する熱型赤外アレイセンサの第1の典型例では、図1に示すように、Si読出回路基板4から伸びている梁3によって支えられて宙に浮いているダイアフラム2から成る熱分離構造を有する上層部と読出回路や完全反射膜を有するSi基板4とで構成されている。このような熱型赤外アレイセンサにおいて隣り合う画素のダイアフラム2の多層構造や使用する薄膜材料を変えたり、上層部と基板上の完全反射膜との間隔を画素ごとに変えることにより、異なる波長帯の赤外線を検出することができる。画素の大きさは、本発明の場合、30から100μm程度である。
【0019】
第1の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサについて図1、図2を参照して説明する。図2は本発明の第1の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。第1の実施の形態ではボロメータ材料薄膜が赤外線に対して透明な金属酸化物となっている。図2は図1のA−A’とB−B’の断面である。
【0020】
画素のダイアフラム2は、赤外線を透過する酸化バナジウムまたは希土類を含むペロブスカイトの酸化マンガンの薄膜であるボロメータ材料薄膜5と保護膜6または保護膜7とから成る。例えば、A−A’の断面の画素では保護膜6はSiN膜(厚さの合計約5000Å)であり波長10μm帯の赤外線を吸収する。高い赤外吸収率は、Si基板9上の完全反射膜8(例えば、2000Å厚のAl,Ti,WSi等の金属膜)で入射赤外線1をダイアフラム2の方向に反射させることによって達成される。この場合、空洞10の間隔はダイアフラム2が宙に浮いていれば良い。
【0021】
一方、断面B−B’に示す他の画素では、保護膜7として赤外線に対してほぼ透明なSiO2 を採用している。この場合、ダイアフラムに赤外線を吸収させるためダイアフラムの上面には真空インピーダンスマッチングした、つまりシート抵抗377Ωの赤外吸収薄膜11(例えば、厚さ約150ÅのTiNまたは約30ÅのNiFe)が形成されており、赤外吸収薄膜11と完全反射膜8との間での打ち消し合う干渉により特定の波長帯、例えば波長4μm帯の赤外線を主に吸収するように赤外吸収薄膜11と完全反射膜8との間隔を光学的に1μmに調整している。厚さ5000ÅのSiO2 保護膜7の場合にキャビティ長10’は、0.3μmにした。
【0022】
このようにして吸収された赤外線は熱となってダイアフラムの温度を変化させ、ダイアフラム内のボロメータの抵抗が変わり、電気信号に変換され信号処理された後に画像化される。
【0023】
単一の赤外アレイセンサに所望の配置でA−A‘断面やB−B’断面のセンサを配置し、あるいはB−B’断面のセンサのキャビティ長を変えることによって複数の波長帯の赤外線を検出することができる。
【0024】
次に第2の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサについて図1、図3を参照して説明する。図3は本発明の第2の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。第2の実施の形態ではボロメータ材料薄膜13が赤外線を通す酸化バナジウムまたは希土類を含むペロブスカイトの酸化マンガンの薄膜となっている。図3は図1のA−A’とB−B’の断面である。
【0025】
画素のダイアフラム12は、赤外線を通す酸化バナジウムまたは希土類を含むペロブスカイトの酸化マンガンの薄膜であるボロメータ材料薄膜13と保護膜14または保護膜15とから成る。第2の実施の形態では保護膜14、保護膜15は赤外線に対して透明なSiO2 である。ダイアフラムの上面には真空インピーダンスマッチングした、つまりシート抵抗377Ωの赤外吸収薄膜17(例えば、厚さ約150ÅのTiNまたは約30ÅのNiFe)が形成されており、赤外吸収薄膜17と完全反射膜16(例えば、2000Å厚のAl,Ti,WSi等の金属膜)との間で打ち消し合う干渉により、ある画素(例えば断面A−A’)では、波長10μm帯の赤外線を吸収するように赤外吸収薄膜17と完全反射膜16との間隔を光学的に約2.5μmに調整している。実際には厚さ5000ÅのSiO2 保護膜の場合、キャビティ長19を2μmにした。
【0026】
隣の画素(断面B−B’)では、波長4μm帯の赤外線を主に吸収するように赤外吸収薄膜17と完全反射膜16との間隔を光学的に約1μmに調整しており、厚さ5000ÅのSiO2 保護膜の場合、キャビティ長20を0.3μmにした。
【0027】
このように単一の赤外アレイセンサに所望の配置でキャビティ長の異なるセンサを配置することによって複数の波長帯の赤外線を検出することができる。
【0028】
次に第3の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサについて図1、図4を参照して説明する。図4は本発明の第3の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。第3の実施の形態ではボロメータ材料薄膜22が赤外線を反射する厚さ1000ÅのTiや厚さ400ÅのPtのような金属薄膜となっている。図4は図1のA−A’とB−B’の断面である。
【0029】
画素のダイアフラム21は、赤外線を反射する厚さ1000ÅのTiや厚さ400ÅのPtのような金属薄膜であるボロメータ材料薄膜22と、保護膜23または保護膜24と、保護膜25とから成る。保護膜23、保護膜24は、赤外線に対して透明なSiO2 で形成されている。ダイアフラムの上面には真空インピーダンスマッチングした、つまりシート抵抗が377Ωの赤外吸収薄膜26(例えば、厚さ約150ÅのTiNまたは約30ÅのNiFe)が形成されており、赤外吸収薄膜26と金属ボロメータ薄膜22との間で打ち消し合う干渉により、ある画素(例えば断面A−A’)では、波長10μm帯の赤外線を吸収するように金属ボロメータ薄膜22上の保護膜23の厚さを光学的に約2.5μmに調整している。実際には、SiO2 の保護膜の場合2μmにした。
【0030】
隣の画素(断面B−B’)では、波長4μm帯の赤外線を主に吸収するように保護膜24の厚さを光学的に1μmに調整しており、SiO2 の保護膜の場合0.7μmにした。
【0031】
なお本実施の形態では、金属ボロメータ薄膜22の下の保護膜25はSiNでもSiO2 でも構わない。また空洞27の間隔もダイアフラム21が宙に浮いていれば良い。
【0032】
このように単一の赤外アレイセンサに所望の配置で赤外吸収薄膜と金属ボロメータ材料薄膜との間の保護膜の厚さの異なるセンサを配置することによって複数の波長帯の赤外線を検出することができる。
【0033】
次に第4の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサについて図1、図5を参照して説明する。図5は本発明の第4の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。第4の実施の形態ではボロメータ材料薄膜31が第3の実施の形態と同様に赤外線を反射する厚さ1000ÅのTiや厚さ400ÅのPtのような金属薄膜となっているが、ダイアフラム上部の保護膜の材料と赤外線吸収薄膜との組み合わせが異なっている。図5は図1のA−A’とB−B’の断面である。
【0034】
画素のダイアフラム30は、赤外線を反射する厚さ1000ÅのTiや厚さ400ÅのPtのような金属薄膜である金属ボロメータ薄膜31と、保護膜32または保護膜33と、保護膜35とから成る。ある画素(例えば断面A−A’)では、保護膜32は波長10μm帯の赤外線を吸収するSiN膜(厚さ約5000Å)である。高い赤外吸収率は、入射赤外線1を金属ボロメータ薄膜31で保護膜32の方向に反射させることによって達成される。
【0035】
隣の(断面B−B’)画素では、保護膜33は赤外線に対して透明なSiO2 で、ダイアフラム30の上面には真空インピーダンスマッチングした、つまりシート抵抗377Ωの赤外吸収薄膜34(例えば、厚さ約150ÅのTiNまたは約30ÅのNiFe)が形成されており、赤外吸収薄膜34と金属ボロメータ薄膜31との間で打ち消し合う干渉により波長4μm帯の赤外線を主に吸収するように赤外吸収薄膜34と金属ボロメータ薄膜31との間隔を光学的に1μmに調整している。SiO2 の保護膜の場合0.7μmにした。
【0036】
なお本実施の形態では、金属ボロメータ薄膜31の下の保護膜35はSiNでもSiO2 でも構わない。また空洞36の間隔もダイアフラム30が宙に浮いていれば良い。
【0037】
このように単一の赤外アレイセンサに所望の配置で赤外吸収薄膜を有せず赤外線を吸収する保護膜を用いたセンサと、ボロメータ材料薄膜材質と赤外吸収薄膜とを組合わせたセンサとを配置することによって複数の波長帯の赤外線を検出することができる。
【0038】
次に第5の実施の形態の赤外波長帯を検出する強誘電体型赤外アレイセンサについて図6と図8とを参照して説明する。図6は本発明の第5の実施の形態の赤外波長帯を検出する強誘電体型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。全体の構成については図8を参照されたい。第5の実施の形態は上述の第1−第4の実施の形態と基本構造が異なっている。
【0039】
本発明の複数の赤外波長帯を検出する熱型赤外アレイセンサの第2の典型例は、図6に示すように、赤外吸収層204で支持されており、かつ画素ごとに分離された(Ba,Sr)TiO3 のような強誘電体セラミクス201(厚さ20μm程度)を、熱伝導率の小さいバンプ203(ポリイミドの柱)で読出回路(不図示)を含む基板202と結合したハイブリッド型の構造を有している。赤外吸収層204は真空インピーダンスマッチングした、つまりシート抵抗377Ωの赤外吸収薄膜205(例えば、厚さ約150ÅのTiNまたは約30ÅのNiFe)と、入射赤外線200に透明なキャビティ層206と、共通電極も兼ねている完全反射膜207(例えば、厚さ2000ÅのTi等の金属膜)とから成り、赤外吸収薄膜205と完全反射膜207との間で打ち消し合う干渉により、ある画素では波長がλ1 μm帯の赤外線を吸収するようにキャビティ層206の厚さを赤外吸収薄膜205と完全反射膜207との間隔が実効的にλ1 /4n(nは実効的な吸収率)になるように調整し、隣の画素では他の間隔(λ2 /4n)に調整する。
【0040】
このようにして吸収された赤外線は熱となって強誘電体セラミクス201の誘電率つまり容量を変化させ、電気信号に変換され信号処理された後に画像化される。
【0041】
具体的には、波長10μm帯の赤外線の検出の場合、ポリイミド(屈折率1.8)で形成したキャビティ層206の厚さを1.4μmに調整し(図6の左側の画素)、波長4μm帯の赤外線の検出の場合、キャビティ層206の厚さを0.56μm(図6の右側の画素)にした。
【0042】
なお同図の208は強誘電体セラミクス201の他方の電極で、ハイブリッド時の密着性が確保でき、かつオーミックコンタクトが取れればどんな金属でも良い。今回はInを用いた。また、読出回路基板202への電気配線209には、熱伝導率の小さいNiCr薄膜を用いた。また、図6に示す赤外吸収薄膜205は、熱分離を高めるため、つまり画素間のクロスト−ク防止の観点から画素間で分離しておく方が良い。
【0043】
このように単一の赤外アレイセンサに所望の配置でキャビティ層の厚さの異なるセンサを配置することによって複数の波長帯の赤外線を検出することができる。
【0044】
以上の実施の形態では、1つの熱型赤外アレイセンサにおいて2つの赤外波長帯の検出を行う例で説明した。しかし本発明の概念は、各実施の形態で説明したように1つのアレイセンサの中で3つ以上の赤外波長帯の検出にも適用することができる。
【0045】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の複数の赤外波長帯を検出する熱型赤外アレイセンサを用いると、1つのアレイセンサの中でキャビティ長を複数設けたりダイアフラムの上部の保護膜の材質や赤外吸収薄膜との組み合わせを変えることにより、複数の赤外波長帯の検出を行うことができる。その結果、対象物体の温度を複数の赤外波長帯で測定することができ、1つの赤外波長帯で測定するよりもより正確に温度を求めることができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の複数の赤外波長帯を検出する強誘電体型赤外アレイセンサの模式的斜視図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。
【図3】本発明の第2の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。
【図4】本発明の第3の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。
【図5】本発明の第4の実施の形態の赤外波長帯を検出するサーミスタボロメータ型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。
【図6】本発明の第5の実施の形態の赤外波長帯を検出する強誘電体型赤外アレイセンサの模式的部分断面図である。
【図7】従来例のサーミスタボロメータ型熱型赤外アレイセンサの構成図である。
(a)は模式的斜視図である。
(b)は模式的側面断面図である。
【図8】他の従来例の強誘電体型熱型赤外アレイセンサの構成図である。
(a)は模式的斜視図である。
(b)は模式的側面断面図である。
【図9】他の従来例のデュアルバンドHgCdTe赤外アレイセンサの模式的斜視図である。
【符号の説明】
1、200、300、400、500 入射赤外線
2、12、21、30、301 ダイアフラム
3、302 梁
4 読出回路基板
5、13、22、31、305 ボロメータ材料薄膜
6、7、14、15、23、24、25、32、33、35、306 保護膜
8、16、207、304、407 完全反射膜
9、18、28、37、202 基板
10、27、36、309 空洞
10’19、20 キャビティ長
11、17、26、34、205、405 赤外吸収薄膜
201、401 強誘電体セラミックス
203、403、506、507、508 バンプ
204、404 赤外吸収層
206、406 キャビティ層
208、408 電極
209、409 電気配線
307、402 読出回路
308 シリコン基板
501 画素
502 CdZnTe基板
503 n型Hg0.7 Cd0.3 Te層
504 p型Hg0.6 Cd0.4 Te層
505 n型Hg0.8 Cd0.2 Te層
Claims (10)
- 入射する赤外線を測定するセンサが所定の配列で配置されている熱分離構造を有する熱型赤外線アレイセンサであって、検出する赤外波長帯が異なるセンサが千鳥配列されており、基板から伸長している梁によって空間に支持されているダイアフラムがそれぞれ1つの画素に対応して配置され、該ダイアフラムは、赤外線を透過する熱電変換材料薄膜と、該熱電変換材料薄膜の抵抗の変化を取り出すための電極と、該熱電変換材料薄膜と該電極とを取り囲む保護膜とから構成され、前記ダイアフラムの直下の前記基板上には赤外線完全反射膜が形成され、一種類の画素の前記ダイアフラムの前記保護膜は所定の波長帯の赤外線を吸収する材質で構成され、他の種類の画素の前記ダイアフラムの前記保護膜は赤外線に対して透明な材質で構成され、かつ該ダイアフラムの上面には真空インピーダンスマッチングした赤外吸収薄膜が形成され、該赤外吸収薄膜と前記赤外線完全反射膜との間で打ち消し合う干渉により前記所定の波長帯以外の赤外線が吸収されるような間隔に、前記赤外吸収薄膜と前記赤外線完全反射膜との間隔が調整されていることを特徴とする熱型赤外アレイセンサ。
- 前記所定の波長帯が10μmである請求項1に記載の熱型赤外アレイセンサ。
- 前記所定の波長帯の赤外線を吸収する保護膜の材質がSiNであり、前記赤外線に対して透明な保護膜の材質がSiO2 である請求項2に記載の熱型赤外アレイセンサ。
- 入射する赤外線を測定するセンサが所定の配列で配置されている熱分離構造を有する熱型赤外線アレイセンサであって、検出する赤外波長帯が異なるセンサが千鳥配列されており、基板から伸長している梁によって空間に支持されているダイアフラムがそれぞれ1つの画素に対応して配置され、該ダイアフラムは、赤外線を反射する金属サーミスタボロメータ薄膜と、該金属サーミスタボロメータ薄膜を取り囲む保護膜とから構成され、該保護膜は赤外線に対して透明な材質で構成され、前記ダイアフラムの上面には真空インピーダンスマッチングした赤外吸収薄膜が形成され、該赤外吸収薄膜と前記金属サーミスタボロメータ薄膜との間で打ち消し合う干渉により複数の所定の波長帯の赤外線が吸収されるような間隔に、前記赤外吸収薄膜と前記金属サーミスタボロメータ薄膜との間の前記保護膜の厚さがそれぞれ調整されていることを特徴とする熱型赤外アレイセンサ。
- 前記所定の波長帯の一つの波長がλ1 μmであり、波長λ1μm帯の赤外線を吸収するように前記保護膜の厚さが実効的にλ1 /4n(nは実効的な吸収率)に調整され、他の前記所定の波長帯の波長がλ2 μmであり、波長λ2 μm帯の赤外線を吸収するように前記保護膜の厚さが実効的に波長λ2/4nに調整されている請求項4に記載の熱型赤外アレイセンサ。
- 入射する赤外線を測定するセンサが所定の配列で配置されている熱分離構造を有する熱型赤外線アレイセンサであって、検出する赤外波長帯が異なるセンサが千鳥配列されており、基板から伸長している梁によって空間に支持されているダイアフラムがそれぞれ1つの画素に対応して配置され、該ダイアフラムは、赤外線を反射する金属サーミスタボロメータ薄膜と、該熱金属サーミスタボロメータを取り囲む保護膜とから構成され、一種類の画素の前記ダイアフラムの前記保護膜は所定の波長帯の赤外線を吸収する材質で構成され、他の種類の画素の前記ダイアフラムの前記保護膜は赤外線に対して透明な材質で構成され、かつ該ダイアフラムの上面には真空インピーダンスマッチングした赤外吸収薄膜が形成され、該赤外吸収薄膜と前記金属サーミスタボロメータ薄膜との間で打ち消し合う干渉により前記所定の波長帯以外の赤外線が吸収されるような間隔に、前記赤外吸収薄膜と前記金属サーミスタボロメータ薄膜との間の前記保護膜の厚さが調整されていることを特徴とする熱型赤外アレイセンサ。
- 前記所定の波長帯が10μmである請求項6に記載の熱型赤外アレイセンサ。
- 前記所定の波長帯の赤外線を吸収する保護膜の材質がSiNであり、前記赤外線に対して透明な保護膜の材質がSiO2 である請求項7に記載の熱型赤外アレイセンサ。
- 入射する赤外線を測定するセンサが所定の配列で配置されている熱分離構造を有する熱型赤外線アレイセンサであって、検出する赤外波長帯が異なるセンサが千鳥配列されており、前記センサは、画素ごとに分離された強誘電体セラミクスが赤外吸収層で支持されており、かつ熱伝導率の小さいバンプで基板と結合したハイブリッド型の構造を有しており、前記赤外吸収層は真空インピーダンスマッチングした赤外吸収薄膜と、赤外線に透明なキャビティ層と、赤外線完全反射膜とから構成され、前記赤外吸収薄膜と前記赤外線完全反射膜との間で打ち消し合う干渉により、複数の所定の波長帯の赤外線を吸収するように透明な前記キャビティ層の厚さがそれぞれ調整されていることを特徴とする熱型赤外アレイセンサ。
- 前記所定の波長帯の一つの波長がλ1 μmであり、波長λ1 μm帯の赤外線を吸収するように前記キャビティ層の厚さが実効的にλ1 /4n(nは実効的な吸収率)に調整され、他の前記所定の波長帯の波長がλ2 μmであり、波長λ2 μm帯の赤外線を吸収するように前記キャビティ層の厚さが実効的にλ2 μm/4nに調整されている請求項9に記載の熱型赤外アレイセンサ。
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