JP3592894B2 - フッ化物添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーとその使用方法 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 190
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 160
- 239000000126 substance Substances 0.000 title claims abstract description 91
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 77
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 66
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 46
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 28
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 50
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 45
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 37
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 37
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 37
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims abstract description 33
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 30
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 26
- VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N iron(3+);trinitrate Chemical compound [Fe+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O VCJMYUPGQJHHFU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 claims abstract 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 31
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 26
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 25
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 23
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 12
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 11
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 claims description 11
- NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M potassium fluoride Chemical compound [F-].[K+] NROKBHXJSPEDAR-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 11
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 claims description 10
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 10
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 claims description 9
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 8
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 8
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 7
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000011698 potassium fluoride Substances 0.000 claims description 5
- 235000003270 potassium fluoride Nutrition 0.000 claims description 5
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical class OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M potassium;fluoride;hydrofluoride Chemical compound F.[F-].[K+] VBKNTGMWIPUCRF-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 4
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 3
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 3
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 2-[4-(trifluoromethoxy)phenyl]ethanol Chemical compound OCCC1=CC=C(OC(F)(F)F)C=C1 RILZRCJGXSFXNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical class [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 2
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 150000002222 fluorine compounds Chemical group 0.000 claims description 2
- 159000000014 iron salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 claims description 2
- JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L persulfate group Chemical group S(=O)(=O)([O-])OOS(=O)(=O)[O-] JRKICGRDRMAZLK-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 2
- 150000004714 phosphonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 159000000001 potassium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 2
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 abstract 1
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 8
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 8
- -1 potassium ferricyanide Chemical compound 0.000 description 8
- 239000012736 aqueous medium Substances 0.000 description 7
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 7
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 7
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 7
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 5
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 4
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M potassium hydroxide Substances [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000005411 Van der Waals force Methods 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 3
- 239000002609 medium Substances 0.000 description 3
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 3
- PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M sodium fluoride Chemical compound [F-].[Na+] PUZPDOWCWNUUKD-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N Ammonium hydroxide Chemical compound [NH4+].[OH-] VHUUQVKOLVNVRT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- 229910017855 NH 4 F Inorganic materials 0.000 description 2
- KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N Peracetic acid Chemical compound CC(=O)OO KFSLWBXXFJQRDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N Pyruvic acid Chemical compound CC(=O)C(O)=O LCTONWCANYUPML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000000908 ammonium hydroxide Substances 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 2
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N dodecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCC(O)=O POULHZVOKOAJMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N hexadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O IPCSVZSSVZVIGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N lactic acid Chemical compound CC(O)C(O)=O JVTAAEKCZFNVCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical compound CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M potassium acetate Chemical compound [K+].CC([O-])=O SCVFZCLFOSHCOH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M silver monofluoride Chemical compound [F-].[Ag+] REYHXKZHIMGNSE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 159000000000 sodium salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 2
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 2-cyanobenzohydrazide Chemical compound NNC(=O)C1=CC=CC=C1C#N TWJNQYPJQDRXPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XWNSFEAWWGGSKJ-UHFFFAOYSA-N 4-acetyl-4-methylheptanedinitrile Chemical compound N#CCCC(C)(C(=O)C)CCC#N XWNSFEAWWGGSKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- 239000005635 Caprylic acid (CAS 124-07-2) Substances 0.000 description 1
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K Citrate Chemical compound [O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 1
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005639 Lauric acid Substances 0.000 description 1
- 235000021360 Myristic acid Nutrition 0.000 description 1
- TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N Myristic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCC(O)=O TUNFSRHWOTWDNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Chemical class 0.000 description 1
- 235000021314 Palmitic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000004153 Potassium bromate Substances 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QUEDYRXQWSDKKG-UHFFFAOYSA-M [O-2].[O-2].[V+5].[OH-] Chemical compound [O-2].[O-2].[V+5].[OH-] QUEDYRXQWSDKKG-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N alumane Chemical class [AlH3] AZDRQVAHHNSJOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000129 anionic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000000701 coagulant Substances 0.000 description 1
- 230000001112 coagulating effect Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 239000013068 control sample Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- NMGYKLMMQCTUGI-UHFFFAOYSA-J diazanium;titanium(4+);hexafluoride Chemical compound [NH4+].[NH4+].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[Ti+4] NMGYKLMMQCTUGI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- RXCBCUJUGULOGC-UHFFFAOYSA-H dipotassium;tetrafluorotitanium;difluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[F-].[K+].[K+].[Ti+4] RXCBCUJUGULOGC-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 238000005187 foaming Methods 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000036571 hydration Effects 0.000 description 1
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960002163 hydrogen peroxide Drugs 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 229910001506 inorganic fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 230000002427 irreversible effect Effects 0.000 description 1
- 239000004310 lactic acid Substances 0.000 description 1
- 235000014655 lactic acid Nutrition 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N n-Pentadecanoic acid Natural products CCCCCCCCCCCCCCC(O)=O WQEPLUUGTLDZJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960002446 octanoic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- LXPCOISGJFXEJE-UHFFFAOYSA-N oxifentorex Chemical compound C=1C=CC=CC=1C[N+](C)([O-])C(C)CC1=CC=CC=C1 LXPCOISGJFXEJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N periodic acid Chemical compound OI(=O)(=O)=O KHIWWQKSHDUIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021317 phosphate Nutrition 0.000 description 1
- 150000003013 phosphoric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 235000011056 potassium acetate Nutrition 0.000 description 1
- XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M potassium benzoate Chemical compound [K+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 XAEFZNCEHLXOMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940094037 potassium bromate Drugs 0.000 description 1
- 235000019396 potassium bromate Nutrition 0.000 description 1
- 229940069002 potassium dichromate Drugs 0.000 description 1
- JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M potassium iodate Chemical compound [K+].[O-]I(=O)=O JLKDVMWYMMLWTI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000001230 potassium iodate Substances 0.000 description 1
- 235000006666 potassium iodate Nutrition 0.000 description 1
- 229940093930 potassium iodate Drugs 0.000 description 1
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229940107700 pyruvic acid Drugs 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 229940096017 silver fluoride Drugs 0.000 description 1
- 239000011775 sodium fluoride Substances 0.000 description 1
- 235000013024 sodium fluoride Nutrition 0.000 description 1
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 1
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L strontium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Sr+2] FVRNDBHWWSPNOM-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001637 strontium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003467 sulfuric acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J tin(iv) fluoride Chemical compound [F-].[F-].[F-].[F-].[Sn+4] YUOWTJMRMWQJDA-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フッ化物含有添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーに関する。また、本発明は、集積回路や半導体の製造の際に、単一工程で多層金属や薄膜を研磨するために化学的・機械的な研磨用スラリーを用いる方法に関する。
【0002】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】
集積回路は、シリコン基板の中や上に形成される膨大な数の活性デバイスからなる。この活性デバイスは、初期は互いに独立であり、これらが統合されて機能的回路や構成部品を形成する。デバイスは周知のマルチレベルの相互接続を使用して接続される。
【0003】
相互接続は、一般に、第1の金属化層、相互接続層、第2の金属化レベル、及び場合により第3以降の金属化レベルを有する。ドーピングされた及びドーピングされていない二酸化ケイ素(SiO2 )のような中間レベルの誘電体は、シリコン基板やウェルのいろいろな金属化レベルを電気的に絶縁するために使用される。いろいろな相互接続レベルの間の電気的接続は、金属化バイアスを使用して行われる。米国特許第4789648号明細書(本願でも参考にして取り入れられている)は、絶縁体膜の金属化多層や金属化バイアスを作成する方法を開示している。同様な仕方で、金属接触が、相互接続レベルとウェルに形成されたデバイスの間の電気的接続を形成するために使用される。金属バイアスと接触は、一般に、タングステンを充填され、一般に、タングステン金属層のような金属層をSiO2 に接着するため、窒化チタン(TiN)及び/又はチタンのような接着層を使用する。接触レベルにおいて、接着層は、タングステンとSiO2 が反応するのを防ぐ拡散バリアとして作用する。
【0004】
半導体製造プロセスにおいて、金属化バイアス又は接触は、ブランケットのタングステン堆積によって形成され、次いで化学的・機械的研磨(CMP)工程が行われる。典型的なプロセスにおいて、バイアスホールは、中間レベル誘電体(ILD)を介して相互接続ライン又は半導体基板までエッチングされる。次いで窒化チタン又はチタンのような薄い接着層が中間レベル誘電体を覆って形成され、エッチングされたバイアスホールの中に導かれる。次いでタングステン膜が、接着層とバイアスの中にブランケット堆積される。堆積は、バイアスホールがタングステンで満たされるまで継続される。最後に余剰の金属が化学的・機械的研磨(CMP)によって除去され、金属バイアスを形成する。中間レベル誘電体の作成及び/又は化学的・機械的研磨のプロセスは、米国特許第4671851号、同4910155号、同4944836号に開示されている。
【0005】
典型的な化学的・機械的研磨プロセスにおいて、基板は、回転する研磨用パッドと直接接触して配置される。支持体は、基板の裏側に圧力を与える。研磨プロセスに際に、パッドとテーブルは回転されながら、下方の力が基板裏側に保たれる。研磨材と化学的反応溶液は、通常スラリーと称され、研磨の際にパッドの上に存在する。スラリーは、研磨される膜と化学反応することによって研磨プロセスを開始する。研磨プロセスは、スラリーがウェハー/パッドの境界に供給されながら、基板に対するパッドの回転運動によって促進される。絶縁体の上の目的とする膜が除去されるまで、この仕方で研磨が継続される。
【0006】
スラリー組成は、化学的・機械的研磨工程において重要な因子である。酸化剤、研磨材、及びその他の有用な添加剤の選択によって、所望の研磨速度で金属層に有効な研磨を与えるように調整されると同時に、表面の損傷、欠陥、腐食、浸蝕を最少限にすることができる。また、研磨用スラリーは、チタン、窒化チタンなどの現在の集積回路技術に使用されるその他の薄膜材料に、制御された選択的研磨を提供するために使用されることができる。
【0007】
一般的な化学的・機械的研磨用スラリーは、酸化性の水系媒体の中に懸濁されたシリカやアルミナのような研磨材を含む。例えば、Yuらの米国特許第5244523号は、アルミナ、過酸化水素、及び下地の絶縁層の除去を最少限にしながら所定の速度でタングステンを除去するのに有用な水酸化カリウム又は水酸化アンモニウムを含むスラリーを記載している。Yuらの米国特許第5209816号は、水系媒体の中に過塩素酸、過酸化水素、及び固体研磨材を含むスラリーを開示している。CadienとFellerの米国特許第5340370号は、約0.1モルのフェリシアン化カリウム、約5重量%のシリカ、及び酢酸カリウムを含むタングステン研磨用スラリーを開示している。酢酸はpHを約3.5に緩衝するために添加される。
【0008】
米国特許第5340370号は2種のスラリーを開示している。第1のスラリーは、タングステンを研磨するのに有用であり、研磨材料と酸化剤の例えばフェリシアン化カリウムを含む。第2のスラリーはチタンを研磨するのに有用であり、フッ化物塩の錯生成剤と研磨材を含む。また、比較例は、スラリーが混合されると有害な研磨結果となることを開示している。
【0009】
化学的・機械的研磨用スラリーは、チタンについては低い研磨速度を有することが認識されている。このため、研磨工程は、長時間行われ又は攻撃的研磨条件で行われ、これはSiO2 層の不都合な浸蝕とタングステンバイアスの窪みをもたらすことがある。このような窪みは、非平面状のバイアス層を形成させ、これは、以降のフォトリソグラフィー工程の際に高い精度のラインをプリントする性能を低下させ、空隙や先に形成された金属相互接続の断線を生じさせることがある。また、ウェハーの表面の全体にわたってチタン又はタングステンの膜を完全に除去しようとして過度の研磨が行われると、この窪みは大きくなる。このように、現状で入手可能な化学的・機械的研磨用スラリーは、集積回路のチタン層を含む複数の金属層を信頼性よく研磨するのに不十分である。したがって、現状の基板製造の信頼性の問題を解決するため、割合に高い速度でチタンを研磨する新しい化学的・機械的研磨用スラリーが必要とされている。
【0010】
本発明の課題は、高い研磨速度でチタンを研磨することができ、タングステンと窒化チタンの高い研磨速度を保持し、SiO2 については低い研磨速度を呈する化学的・機械的研磨用スラリーである。
本発明のもう1つの課題は、高い研磨速度で中間レベル誘電体(interlevel dielectric) の複数の金属層を研磨することができると同時に、研磨による欠陥、表面の損傷、及び浸蝕が最少限である単一の化学的・機械的研磨用スラリーである。
【0011】
本発明のもう1つの課題は、チタン接着層に関係するバイアス(vias)を露出されるため、中間層誘電体の上に化学的・機械的研磨用スラリーを用いる方法である。
もう1つの態様において、本発明は、チタンとタングステンの層状基板を研磨するのに有用な化学的・機械的研磨用スラリーである。この化学的・機械的研磨用スラリーは、酸化剤、研磨材、及びフッ化物含有添加剤の水分散系を含んでなる。
【0012】
さらにもう1つの態様において、本発明は、多層誘電体デバイスに関係するチタンとタングステンの金属層を研磨するための、フッ化物含有添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーの使用方法である。
本発明のさらにもう1つの態様は、基材(以下、「基板」ともいう)に化学的・機械的研磨用スラリーを施し、基材にパッドを接触させ、基材に対してパッドを動かすことによってチタン接着層の少なくとも一部を除去することによってチタンを含む基材を研磨するために、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーを使用する方法である。
【0013】
【課題を解決するための手段及び発明の効果】
本発明は、研磨材、酸化剤、及びフッ化物含有添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーに関する。また、本発明は、メタライゼーションの金属多層をポリシングする及び/又は研磨するために、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーを使用する方法である。
【0014】
本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは、高いチタン(Ti)研磨速度を有すると同時に、高いタングステン(W)と窒化チタン(TiN)の研磨速度を有することが見出されている。さらに、この化学的・機械的研磨用スラリーは、誘電体絶縁層については望ましい低い研磨速度を呈する。
本発明の種々の好ましい態様を詳細に説明する前に、本願明細書で使用する用語のいくつかを定義する。「化学的・機械的研磨用スラリー」(CMPスラリー)とは、酸化剤、研磨材、フッ化物含有添加剤、及びその他の随意の成分を含む有用な生産品である。化学的・機械的研磨用スラリーは、限定されるものではないが、半導体薄膜、集積回路薄膜などの多層レベルのメタライゼーションを研磨するのに有用であり、また、化学的・機械的研磨用スラリーが有用な任意のその他の膜や表面の研磨に有用である。
【0015】
本化学的・機械的研磨用スラリーに有用な酸化剤は、金属層をその酸化物又はイオンに酸化させることを助長するために、化学的・機械的研磨用スラリーに混和される。例えば、本発明において、酸化剤は金属層をその酸化物に酸化する、即ち、例えばチタンを酸化チタンに、タングステンを酸化タングステンに、銅を酸化銅に酸化させるために使用される。本発明の酸化剤は、研磨用スラリーに混和されたときに有用であり、チタン、窒化チタン、タンタル、銅、タングステン、及びそれらの種々の混合物や組み合わせなどの金属や金属ベースの成分を研磨するために、機械的に個々の酸化層を除去して研磨するのに有用である。
【0016】
本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に広範囲な酸化剤が使用されることができる。適切な酸化剤は、フッ化物含有添加剤と適合性のあるものであり、酸化性金属塩、酸化性金属錯体、非金属系酸の例えば過酢酸、過ヨウ素酸、鉄塩の例えば硝酸塩、硫酸塩、EDTA、シトレート、フェリシアン化カリウム、過酸化水素、重クロム酸カリウム、ヨウ素酸カリウム、臭素酸カリウム、三酸化バナジウムなど、アルミニウム塩、ナトリウム塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第四アンモニウム塩、ホスホニウム塩、又はその他の過酸化物、塩素酸塩、過塩素酸塩、硝酸塩、過マンガン酸塩、過硫酸塩のカチオン塩、及びそれらの混合物が挙げられる。
【0017】
一般に、酸化剤は、化学的・機械的研磨用スラリー中に、金属層の迅速な酸化を保証するに十分で、且つスラリーの化学的・機械的研磨用成分をバランスさせる量で存在する。酸化剤は、一般に、重量で約0.5%〜15%の濃度で最終的な化学的・機械的研磨用スラリーの中に存在し、好ましくは、特定の選択される酸化剤に応じて重量で約1%〜約7%である。
【0018】
本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは、有効量のフッ化物含有添加剤を含む。フッ化物含有添加剤は、研磨用スラリーに混和された場合、従来技術の化学的・機械的研磨用スラリーに比較して、チタンが研磨される速度を改良する。フッ化物含有添加剤のフッ化物成分は、フッ化物が存在せずに生成した酸化物層よりも容易に研磨される水和酸化層をチタンに生成させると考えられる。
【0019】
化学的・機械的研磨用スラリーに有用なフッ化物含有添加剤は、任意の公知のフッ化物含有添加剤又はフッ化物含有添加剤の混合物でよく、例えば、フッ化物含有酸、フッ化物ポリマー、及びチタンと反応するその他の任意の有機系又は無機系のフッ化物含有添加剤が挙げられる。限定されるものではないが、有用なフッ化物含有酸の例には、フッ化水素酸(HF)、フルオロケイ酸(H2 SiF6 )、フルオロチタン酸(H2 TiF6 )、及びフルオロホウ酸(HBF4 )が挙げられる。限定されるものではないが、有用なフッ化物塩には、フッ化アンモニウム(NH4 F)、二フッ化水素アンモニウム(NH4 HF2 )、フッ化カリウム(KF)、二フッ化水素カリウム(KHF2 )、フッ化ナトリウム(NaF)、フッ化ストロンチウム(SrF2 )、フッ化銀(AgF)、フッ化錫(SnF2 )、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム((NH4 )2 SiF6 )、ヘキサフルオロケイ酸カリウム(K2 SiF6 )、ヘキサフルオロチタン酸カリウム(K2 TiF6 )、ヘキサフルオロチタン酸アンモニウム((NH4 )2 TiF6 )、テトラフルオロ臭酸アンモニウム(NH4 BF4 )、及びテトラフルオロ臭酸カリウム(KBF4 )が挙げられる。
【0020】
フッ化物含有添加剤は、フッ化水素酸とフルオロケイ酸からなるフッ化物酸の群、フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、二フッ化水素アンモニウム、二フッ化水素カリウムからなるフッ化物塩の群、及びこれらの混合物から選択されることが好ましい。
ナトリウムは、潜在的な薄層の膜の汚染物質であることが認識されている。このため、化学的・機械的研磨用スラリーにNaFを使用することは、ナトリウムの汚染が望ましくない用途には避けることが好ましい。
【0021】
フッ化物はチタンを腐食することが知られており、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に約2.0重量%より多い量で存在する場合、フッ化物塩はチタンを腐食することがあり、フッ化物による腐食と浸蝕を受け易いSiO2 層とその他の金属層を攻撃することがある。このような不都合なフッ化物の攻撃は、基板やバイアスの許容できない点蝕及び/又は腐食をもたらすことがある。有害なフッ化物の腐食や浸蝕を防ぐため、フッ化物含有添加剤は、全スラリーの約0.01〜約2.0重量%の範囲の量で化学的・機械的研磨用スラリーの中に存在すべきである。化学的・機械的研磨用スラリーの中のフッ化物含有添加剤のこの程度の少量は、チタン研磨速度に非常な効果を有するのに十分であり、且つ不都合なフッ化物の腐食や浸蝕を回避することが見出されている。
【0022】
化学的・機械的研磨用スラリーの中のフッ化物含有添加剤のより好ましい範囲は約0.01〜約1.0重量%である。フッ化水素酸が使用される場合、最終的な化学的・機械的研磨用スラリーのフッ化水素酸の含有率は、約0.01〜約0.30重量%であることが好ましい。フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、二フッ化水素アンモニウム、又は二フッ化水素カリウムが使用される場合、最終的な化学的・機械的研磨用スラリーのフッ化物含有添加剤の含有率は、約0.2〜約1.0重量%であることが好ましい。
【0023】
本発明の化学的・機械的研磨用スラリー中のフッ化物含有添加剤の濃度範囲は、一般に、化学的・機械的研磨用スラリーの全フッ化物含有添加剤の重量%として表される。溶液中でイオン化するフッ化物の僅かな重量%のみを含む高い分子量のフッ化物含有添加剤の使用は、十分に本発明のフッ化物含有添加剤の範囲の中にある。即ち、用語「フッ化物含有添加剤」が本願で使用された場合、化学的・機械的研磨用スラリー中のフッ化物が全スラリーの約0.01〜約1.0重量%の量である場合の、フッ化物を25重量%未満で含むフッ化物含有添加剤を全て含む。
【0024】
化学的・機械的研磨用スラリーに使用されるフッ化物含有添加剤の量と種類は、場合により、選択される酸化剤と、研磨される金属の組み合わせによって決まることがある。化学的・機械的研磨用スラリーのpHは約1.0〜5.0に維持することが望ましく、これはタングステン腐食の問題が約5.0より高いスラリーpHで生じ得るからである。使用される酸化剤が硝酸第二鉄の場合、化学的・機械的研磨用スラリーのpHを約1.5〜約3.0の範囲に維持することが好ましい。選択される酸化剤にかかわらず、タングステンの腐食と浸蝕を防ぐためには、研磨用スラリーのpHを約5.0未満に維持することが好ましい。ここで、タングステン以外の金属の例えば銅を研磨するために化学的・機械的研磨用スラリーが使用される場合は、化学的・機械的研磨用スラリーのpHが5.0より高いことが望ましいことがある。
【0025】
化学的・機械的研磨用スラリーのpHは、フッ化物含有酸がスラリーの中に混和されると1.0未満に低下することがある。約1.0未満のpHを有する化学的・機械的研磨用スラリーは依然として有用である。ここで、約1.5未満のpHにおいては、化学的・機械的研磨用スラリーを安全に取り扱うことが問題になる。したがって、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは約1.5を上回るpHを有することが好ましい。1.5以上の最低pHを達成するため、水系の塩基の例えば水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、水酸化アンモニウムなどが化学的・機械的研磨用スラリーに添加され、約1.5を超える、好ましくは約1.5〜約5.0の望ましい範囲にスラリーpHを高めることもできる。
【0026】
本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは研磨材もまた含む。研磨材は一般に金属酸化物の研磨材である。金属酸化物の研磨材は、アルミナ、チタニア、ジルコニア、ゲルマニア、シリカ、セリア、及びそれらの混合物からなる群より選択されることができる。
好ましくは、金属酸化物はヒュームド又は沈降(precipitated)研磨材であり、より好ましくは、ヒュームド研磨材の例えばヒュームドシリカ又はヒュームドアルミナである。金属酸化物の研磨材は、当業者に公知の技術によって製造されることができる。例えば、ヒュームド金属酸化物の製造は周知のプロセスであり、水素と酸素の火炎の中で適当な原料蒸気(例えば、アルミナ研磨材では塩化アルミニウム)を加水分解させることを含む。概ね球形の溶融粒子が燃焼プロセスの中で形成され、その直径はプロセスパラメーターによって変化する。アルミナ又は同様な酸化物の溶融した球は、一般に一次粒子と称され、それらの接触点で衝突して互いに融合し、分岐した鎖状の三次元凝集体を生成する。凝集体を破壊するのに必要な力は相当なものであり、不可逆と考えられることが多い。冷却と回収の際に、凝集体とさらに衝突し、凝集体を生成するある主の機械的結合をもたらすことがある。この凝集体は、ファンデルワールス力によって互いに弱い結合で支持されると考えられ、これは可逆であり、即ち、適当な媒体の中での適当な分散によって解凝集することができる。
【0027】
沈降研磨材は通常の技術によって製造されることができ、例えば、高い塩濃度、酸、又はその他の凝固剤の影響下で水系媒体から所望の粒子を凝固させることによる。その粒子は、当業者に公知の常套法によって濾過、洗浄、乾燥され、その他の反応生成物の残留物から分離される。また、研磨材は、ゾルゲルやプラズマ法のような高温プロセスを用いて製造することもできる。
【0028】
好ましい金属酸化物は、通常BETと称される「S. Brunauer, P.H. Emmet, and I. Teller, J. Am. Chemical Society, 60 巻、309 頁、1938年」の方法から計算される約5m2 /g〜約430m2 /gの表面積を有する。IC工業の厳しい純度の要求のため、好ましい金属酸化物は高い純度のものである必要がある。「高純度」とは、原料物質の不純物のような源や微量の加工上の汚染物質からの全不純物の含有率が、一般に1%未満、好ましくは0.01%(即ち、100ppm)未満であることを意味する。
【0029】
本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは、金属酸化物粒子が安定水系媒体の中に均一に分散された場合に最も効果的である。用語「均一に分散された」とは、金属酸化物の研磨材粒子又は凝集体が独立し、水系媒体の中に全体にわたって十分に分配されたことを意味する。用語「安定」とは、金属酸化物の研磨材粒子や凝集体がさらに凝集しようとせず及び/又は濃い沈殿物のような水系サスペンションの沈殿を生じないことを意味する。
【0030】
好ましい金属酸化物の研磨材の水分散系は、少なくとも三箇月にわたって安定を保つことができる。この好ましい態様において、金属酸化物の研磨材は、金属酸化物の研磨材は、約1.0μm未満のサイズ分布、約0.4μm未満の平均凝集体直径、及び研磨材凝集体自身の間のファンデルワールス力を退けてそれに打ち勝つのに十分な力を有する金属酸化物の凝集体からなる。このような金属酸化物の研磨材は、研磨の際に、引っ掻き傷、刻印状孔、窪みその他の表面欠陥を最少限に又は回避するのに有効であることが見出されている。本発明において、凝集体サイズの分布は、透過型電子顕微鏡(TEM)のような公知技術を用いて測定することができる。「平均凝集体直径」とは、TEMの画像分析を使用した(即ち、凝集体の断面積に基づく)平均等価球直径を言う。「力」は、金属酸化物粒子の表面電位又は水和力が、粒子の間のファンデルワールス力を退ける又は打ち勝つのに十分でなければならないことを意味する。
【0031】
あるいは、金属酸化物の研磨材は、0.4μm(400nm)未満の一次粒子直径と約10m2 /g〜約250m2 /gの表面積を有するバラバらの独立した金属酸化物粒子からなることができる。
最終的な化学的・機械的研磨用スラリーの中の研磨材の充填レベルは、必要とされる研磨の程度にもよるが、全スラリー組成物の0.5〜55重量%であることができる。また、金属酸化物の研磨能力は、粒子組成、結晶度、及び結晶相(例えば、γ又はβ)の関数である。所望の選択性と研磨速度を得るためには、最適表面積と金属酸化物研磨材レベルが相違し得ることが見出されている。例えば、アルミナ研磨材は、一般に、最終的な研磨用スラリー中で約1〜約12重量%、好ましくは2〜8重量%、より好ましくは1〜6重量%の固体充填レベルを有する。
【0032】
その他の周知の研磨用スラリー添加剤を、本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に含めることもできる。随意の添加剤の1つの種類は、チタンやタンタルのようなウェハー中のバリヤ層の研磨速度をさらに改良する又は高めるために研磨用スラリーに添加することができる無機系酸及び/又はその塩である。有用な無機系塩には、硫酸、燐酸、硝酸、アンモニウム塩、カリウム塩、ナトリウム塩、又は硫酸塩若しくは燐酸塩のその他のカチオン系塩が挙げられる。
【0033】
本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの中に、酸化物の研磨速度の選択性を高めるために、広範囲な通常の有機系酸、無機系酸の塩、及びそれらの混合物が含められることができ、例えば、一官能価酸、二官能価酸、ヒドロキシル/カルボキシレート酸、キレート化剤の酸、非キレート化剤の酸、及びそれらの塩が挙げられる。好ましくは、有機系酸は、酢酸、アジピン酸、酪酸、カプリン酸、カプロン酸、カプリル酸、クエン酸、グルタル酸、グリコール酸、ギ酸、乳酸、ラウリン酸、リンゴ酸、マレイン酸、マロン酸、ミリスチン酸、シュウ酸、パルミチン酸、フタル酸、プロピオン酸、ピルビン酸、ステアリン酸、コハク酸、酒石酸、バレアリン酸、及びそれらの塩を含む誘導体の群より選択される。
【0034】
使用する場合、有機系酸又は塩は、最終的な化学的・機械的研磨用スラリー中に、化学的・機械的研磨用スラリーの安定性に悪影響を及ぼすことなく酸化物選択性を高めるのに十分な量で、単独で又は別な有機系酸又は塩と組み合わせて存在すべきである。そのようなものとして、有機系酸は、一般に約0.05〜15重量%、好ましくは0.5〜5.0重量%の範囲でスラリー中に存在する。有機系酸とその塩を含む化学的・機械的研磨用スラリーの例は、米国特許出願第08/644509号に開示されており、この記載事項は本願でも参考にして取り入れられている。
【0035】
酸化剤の沈降、凝固、分解に対して酸化剤含有研磨用スラリーをさらに安定化させるため、界面活性剤、ポリマー安定剤その他の表面活性分散剤のような各種の付加的な随意の添加剤が使用されることができる。界面活性剤は、アニオン系、カチオン系、又は両性系でよく、及び2種以上の界面活性剤の組み合わせが使用されることもできる。また、界面活性剤の添加は、ウェハーのウェハー内不均一性(WIWNU)を改良し、それによってウェハー表面を改良し、ウェハー欠陥を減らすのに有用であることができる。
【0036】
一般に、本発明において使用される界面活性剤のような添加剤の量は、スラリーの有効な安定化を得るのに十分とすべきであり、一般に、選択される特定の界面活性剤と、金属酸化物研磨材の表面性状によって異なる。例えば、選択の界面活性剤が不十分で使用されると、安定化に殆ど又は全く効果を有しないであろう。他方で、過剰に多い界面活性剤は、スラリーの不都合な発泡及び/又は凝集をもたらすことがある。このため、界面活性剤のような添加剤は、一般に、約0.001〜10重量%の範囲で存在すべきである。また、添加剤は、スラリーに直接添加することもでき、あるいは、公知技術を用いて金属酸化物研磨材の表面に処理されることもできる。いずれの場合にも、添加剤の量は、研磨用スラリー中で所望の濃度になるように調節される。
【0037】
本発明の化学的・機械的研磨用スラリーの1つの重要な用途は、タングステンとチタンを含む薄い層の膜を化学的・機械的研磨することである。このような研磨用途において、単一の研磨用スラリーが、チタンとタングステンの両層を研磨するのに有効であり、好ましくは、約3:1〜約1:2のタングステン対チタンの研磨選択性(W:Ti)を呈する。
【0038】
化学的・機械的研磨用スラリーは、当業者に公知の通常技術を用いて製造される。一般に、酸化剤、フッ化物含有添加剤、及び随意の添加剤が、そのような成分が媒体中に完全に溶解するまで低剪断条件下で所定の濃度において、脱イオン水や蒸留水のような水系媒体の中で混合される。ヒュームドアルミナのような金属酸化物研磨材の濃厚な分散系が媒体に添加され、最終的な化学的・機械的研磨用スラリーの中で研磨材の所望の充填レベルまで希釈される。
【0039】
本発明の化学的・機械的研磨用スラリーは、1つのパッケージ状態(安定な水系媒体中の酸化剤、研磨材、及びフッ化物含有添加剤)で供給されることができる。起こり得る化学的・機械的研磨用スラリー(例えば、硝酸第二鉄が酸化剤でアルミナが研磨材の場合)の劣化を防ぐため、第1のパッケージが酸化剤とフッ化物含有添加剤の水系溶液からなるパッケージで、第2のパッケージが研磨材の水系分散系からなるといった2つのパッケージ系が好ましいことがある。
【0040】
あるいは、ウェハーの所望の金属層に使用するのに適切な標準的研磨装置を用い、マルチパッケージシステムが使用されることもできる。マルチパッケージシステムは、2つ以上の容器の中に水系又は乾燥状態の1つ以上の化学的・機械的研磨用スラリーの成分を含む。マルチパッケージシステムは、上記の所望の量の酸化剤、研磨材、及びフッ化物含有添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーを得るに必要な量で、種々の容器から成分を混合することによって使用される。マルチパッケージシステムが使用される場合、フッ化物含有添加剤は、好ましくは、酸化剤/フッ化物含有添加剤の混合物が研磨材成分に添加される前に、酸化剤と混合される。この添加順序は、フッ化物含有添加剤が研磨材成分と反応することを防ぐ。
【0041】
本発明の研磨用スラリーは、高濃度のフッ化物イオンを含む組成物で予想されるように、二酸化ケイ素の研磨速度を顕著には高めない。また、本研磨用スラリーは、チタンや窒化チタンなどの現状の集積回路技術で下地層やバリヤ膜として使用されるその他の薄膜材料に対して制御された研磨選択性を提供するために、効果的に使用されることができる。本発明の研磨用スラリーは、半導体集積回路の製造の種々の工程で使用されることができ、表面の欠損や欠陥を最少限にしながら所望の研磨速度で効果的な研磨を提供することができる。
【0042】
【発明の実施の形態】
本発明者は、化学的・機械的研磨用スラリーにフッ化物含有添加剤を少量で添加することが、タングステンと窒化チタンの研磨速度を低下させることなく、且つ二酸化ケイ素の研磨速度を高めることなく、チタン層の研磨速度を劇的に改良することを見出した。
【0043】
下記の例は、本発明の好ましい態様を例証すると同時に、本発明の組成物を使用する好ましい方法を例示する。
例1
フッ化物含有添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーの性能を評価するため、標準的な研磨用スラリーを調製した。測定した性能パラメーターは、チタン研磨速度、タングステン研磨速度、二酸化ケイ素研磨速度などである。
【0044】
3.0重量%のコロイド状アルミナ、5.0重量%の硝酸第二鉄、及び脱イオン水を含む標準的研磨用スラリーを各々の実験について使用した。研磨用スラリーは、同じ重量のW−A355(ヒュームドアルミナを基剤にした分散系、イリノイ州のタスコラにあるキャボット社のマイクロエレクトロニックス材料部門による製造、商標SEMI−SPERSEとして販売)とFE−10(硝酸第二鉄溶液、やはりキャボット社製で商標SEMI−SPERSE FE−10として販売)を混合することによって調製した。最終的なスラリーを調製する前に、フッ化物含有添加剤の既知の量をFE−10成分と混合した。調製した後、このスラリーをウェハーに施した。
【0045】
例2
例1の方法にしたがって7種の研磨用スラリーを調製し、ウェハー選択性と研磨効率に及ぼすフッ化物含有成分の効果を検討した。スラリーは、3.0重量%のヒュームドアルミナ、5.0重量%の硝酸第二鉄、及び表1に示した種類と量のフッ化物含有添加剤(例1を除く)から構成された。スラリーを使用し、Suba500−SubaIVパッドスタック(デラウェア州のNewarkにあるRodel社製)を用い、約6000Åの厚さを有するタングステンとチタンブランケットのウェハーを化学的・機械的に研磨した。研磨は、表1に示した条件下で1分間にわたって行った。また、研磨速度は表1にまとめている。
【0046】
表1に示されたように、対照標準のサンプル1は、2350Å/分のタングステン研磨速度と、僅か709Å/分のチタン研磨速度を有する。スラリーの0.1重量%以上の量でフッ化物含有添加剤を添加すると、チタン研磨速度を100%にも及んで改良し、一方で、タングステン研磨速度は殆ど変化しなかった。
【0047】
【表1】
【0048】
例3
この例の目的は、例1にしたがって調製した化学的・機械的研磨用スラリーの種々のフルオロケイ酸(H2 SiF6 )、フッ化アンモニウム(NH4 F)、フッ化水素酸(HF)の種々の濃度の、タングステンとチタンの研磨速度と選択性に及ぼす効果を評価する。
【0049】
各実験において、複数のスラリーを用いて複数回の実験を行った。使用した各スラリーの組成を表2にまとめている。スラリーは例1に記載したと同様にして調製した。
【0050】
【表2】
【0051】
この例で使用したテーブル研磨パラメーターと使用したパッドスタックは、上記の例2に記載したものと同様である。
種々の実験から得られたデータのまとめが、下記の表3に示してある。Ti研磨速度は、化学的・機械的研磨用スラリーのフッ化物含有率が高くなると共に向上し、いくつかの例において、タングステンとチタンの研磨選択性(STi)が、0.5にも及んで改良された。
【0052】
【表3】
【0053】
本発明を特定の態様について説明したが、本発明の技術的思想から逸脱することなく変更がなされ得ることを理解すべきである。本発明の範囲は、特定の例に示された本発明の説明に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって規定されるべきである。
Claims (40)
- (a) 酸化剤、(b) 研磨材、及び(c) フッ化物含有添加剤を含んでなることを特徴とする金属層を研磨するための水系の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 0.01〜2.0重量%のフッ化物含有添加剤を含む請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- フッ化物含有添加剤が、フッ化物含有酸、フッ化物塩、及びそれらの混合物から選択された請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- フッ化物含有添加剤が、フッ化水素酸、フルオロケイ酸、フルオロホウ酸、フルオロチタン酸、及びそれらの混合物からなる群より選択されたフッ化物含有酸である請求項3に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- フッ化物含有酸が、化学的・機械的研磨用スラリー中に、0.01〜0.3重量%の範囲の量で存在する請求項4に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- フッ化物含有添加剤が、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、二フッ化水素アンモニウム、二フッ化水素カリウム、及びそれらの混合物からなる群より選択されたフッ化物塩である請求項3に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- フッ化物塩がスラリー中に0.2〜1.0重量%の量で存在する請求項6に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 酸化剤が、鉄塩、カリウム塩、アンモニウム塩、第四アンモニウム塩、ホスホニウム塩、過酸化物、塩素酸塩、過塩素酸塩、硝酸塩、過マンガン酸塩、過硫酸塩、及びそれらの混合物からなる群より選択された請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 酸化剤が硝酸第二鉄である請求項8に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 1.5〜3.0のpHを有する請求項9に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 1.0〜5.0のpHを有する請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- フッ化物含有添加剤がフッ化水素酸である請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- フッ化水素酸がスラリー中に0.01〜0.3重量%の量で存在する請求項12に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 研磨材が金属酸化物である請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 金属酸化物研磨材が、アルミナ、セリア、ゲルマニア、シリカ、チタニア、ジルコニア、及びそれらの混合物からなる群より選択された請求項14に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 研磨材が金属酸化物の水分散系である請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 研磨材がアルミナである請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- アルミナがヒュームドアルミナである請求項17に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 研磨材が微細な金属酸化物粒子からなる請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 微細な金属酸化物粒子が、沈降アルミナ又はヒュームドアルミナを含んでなる請求項19に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- さらに界面活性剤を含んでなる請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 有機系酸、有機系酸の塩、及びそれらの混合物から選択された化合物をさらに含んでなる請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 無機系酸、無機系酸の塩、及びそれらの混合物から選択された化合物をさらに含んでなる請求項1に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 1〜7重量%の硝酸第二鉄、1〜12重量%のアルミナ、及び0.01〜2.0重量%のフッ化物含有添加剤を含んでなる、チタンとタングステンを含む基材を研磨するための水系の化学的・機械的研磨用スラリー。
- フッ化物含有添加剤が、フッ化物含有酸、フッ化物塩、及びそれらの混合物から選択された請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- フッ化物含有添加剤が少なくとも1種のフッ化物含有酸と少なくとも1種のフッ化物塩をさらに含み、1.5〜3.0のpHを有する請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- アルミナが水分散系のアルミナである請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- アルミナがヒュームドアルミナである請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- 3:1〜1:2のタングステン対チタンの研磨選択性(W:Ti)を有する請求項24に記載の化学的・機械的研磨用スラリー。
- (a) 酸化剤、フッ化物含有添加剤、及び研磨材を混合し、1.0〜5.0のpHを有する化学的・機械的研磨用スラリーを作成し、
(b) その化学的・機械的研磨用スラリーを、チタン接着層を有する基材に施し、
(c) パッドを基材に接触させ、基材に対してパッドを動かすことによってチタン接着層の少なくとも一部を除去する、
ことを含むことを特徴とする、チタン接着層を有する基材を研磨する方法。 - パッドを基材に接触して配置する前に、化学的・機械的研磨用スラリーをパッドに施す請求項30に記載の方法。
- 酸化剤とフッ化物含有添加剤が第1容器の中で水系溶液として収納され、研磨材の水分散系が第2溶液の中に収納され、パッドにスラリーを施す前に、第1容器の内容物の一部を第2容器の内容物の少なくとも一部と混合し、1〜7重量%の酸化剤、1〜6重量%の研磨材、及び0.01〜2.0重量%のフッ化物含有添加剤を含む水系の化学的・機械的研磨用スラリーを調製することを含む請求項30に記載の方法。
- フッ化物含有添加剤が、フッ化水素酸、フルオロケイ酸、及びそれらの混合物からなる群より選択されたフッ化物含有酸である請求項32に記載の方法。
- フッ化物含有添加剤がフッ化水素酸である請求項33に記載の方法。
- フッ化水素酸が0.05〜0.3重量%の量でスラリー中に存在する請求項34に記載の方法。
- フッ化物含有添加剤が、フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、二フッ化水素アンモニウム、及びそれらの混合物からなる群より選択されたフッ化物塩である請求項32に記載の方法。
- フッ化物塩が0.2〜1.0重量%の量のフッ化カリウムである請求項36に記載の方法。
- (a) 硝酸第二鉄、アルミナ、及びフッ化水素酸を脱イオン水と混合し、1〜7重量%の硝酸第二鉄、1〜6重量%のアルミナ、及び0.1〜0.3重量%のフッ化水素酸を含む化学的・機械的研磨用スラリーを作成し、ここで、その化学的・機械的研磨用スラリーは1.5〜2.5のpHと、3:1〜1:2のタングステン対チタンの研磨選択性(W:Ti)を有し、
(b) その化学的・機械的研磨用スラリーを、チタン接着層とタングステン層を有する基材に施し、
(c) パッドを基材に接触させ、基材に対してパッドを動かすことによってチタン接着層の少なくとも一部とタングステン層の一部を除去する、
ことを含むことを特徴とする、チタン接着層とタングステン層を有する基材を研磨する方法。 - (a) 研磨材の水分散系を含む第1容器、及び(b) 酸化剤とフッ化物含有添加剤を含む第2容器、を備えた、請求項1記載の化学的・機械的研磨用スラリーを調製するために用いられるマルチパッケージシステム。
- 請求項1記載の化学的・機械的研磨用スラリーを調製するための、酸化剤とフッ化物含有添加剤を含む容器。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/659,419 US5993686A (en) | 1996-06-06 | 1996-06-06 | Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same |
US08/659419 | 1996-06-06 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1067986A JPH1067986A (ja) | 1998-03-10 |
JP3592894B2 true JP3592894B2 (ja) | 2004-11-24 |
Family
ID=24645336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14768897A Expired - Fee Related JP3592894B2 (ja) | 1996-06-06 | 1997-06-05 | フッ化物添加剤を含む化学的・機械的研磨用スラリーとその使用方法 |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5993686A (ja) |
EP (1) | EP0811666B1 (ja) |
JP (1) | JP3592894B2 (ja) |
AT (1) | ATE247700T1 (ja) |
AU (1) | AU3138597A (ja) |
DE (1) | DE69724187T2 (ja) |
ID (1) | ID17160A (ja) |
IL (1) | IL120912A (ja) |
MY (1) | MY132376A (ja) |
TW (1) | TW375660B (ja) |
WO (1) | WO1997047030A1 (ja) |
Families Citing this family (100)
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US5783489A (en) * | 1996-09-24 | 1998-07-21 | Cabot Corporation | Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing |
US5756398A (en) * | 1997-03-17 | 1998-05-26 | Rodel, Inc. | Composition and method for polishing a composite comprising titanium |
US5770103A (en) * | 1997-07-08 | 1998-06-23 | Rodel, Inc. | Composition and method for polishing a composite comprising titanium |
-
1996
- 1996-06-06 US US08/659,419 patent/US5993686A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-05-22 WO PCT/US1997/008695 patent/WO1997047030A1/en active Application Filing
- 1997-05-22 AU AU31385/97A patent/AU3138597A/en not_active Abandoned
- 1997-05-26 IL IL12091297A patent/IL120912A/en not_active IP Right Cessation
- 1997-05-29 TW TW086107337A patent/TW375660B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-06-04 EP EP97303836A patent/EP0811666B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-04 AT AT97303836T patent/ATE247700T1/de not_active IP Right Cessation
- 1997-06-04 DE DE69724187T patent/DE69724187T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1997-06-04 MY MYPI97002487A patent/MY132376A/en unknown
- 1997-06-05 JP JP14768897A patent/JP3592894B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-06 ID IDP971949A patent/ID17160A/id unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0811666A2 (en) | 1997-12-10 |
EP0811666B1 (en) | 2003-08-20 |
AU3138597A (en) | 1998-01-05 |
ATE247700T1 (de) | 2003-09-15 |
JPH1067986A (ja) | 1998-03-10 |
DE69724187T2 (de) | 2004-02-26 |
ID17160A (id) | 1997-12-04 |
US5993686A (en) | 1999-11-30 |
IL120912A (en) | 2002-11-10 |
MY132376A (en) | 2007-10-31 |
EP0811666A3 (en) | 1998-10-21 |
IL120912A0 (en) | 1997-09-30 |
DE69724187D1 (de) | 2003-09-25 |
TW375660B (en) | 1999-12-01 |
WO1997047030A1 (en) | 1997-12-11 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20040226 |
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A975 | Report on accelerated examination |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Request for written amendment filed |
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A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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