JP3582798B2 - フッ素化触媒およびフッ素化方法 - Google Patents

フッ素化触媒およびフッ素化方法 Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明はフッ素化触媒およびフッ素化方法に関するものであり、さらに詳しくは分子中に塩素を含まないことからオゾン層を破壊する恐れのないハイドロフルオロカーボン(以下、HFCと略す)、なかでもジフルオロメタン(以下、HFC−32と略す)、1,1,1,2−テトラフルオロエタン(以下、HFC−134aと略す)、ペンタフルオロエタン(以下、HFC−125と略す)の製造に際し、高い収率でHFCを生産するために改良されたフッ素化触媒および、該触媒を用いて気相でフッ化水素とハロゲン化炭化水素を接触させることにより生産性よくHFCを製造する方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
工業的に行われている代表的なHFCの製造方法としては含水素ハロゲン化炭化水素をHFと接触させることによりF以外のハロゲンをFに交換する方法(不飽和ハロゲン化炭化水素を原料としてHFの付加とF以外のハロゲンをFに交換する反応を同時に実施するケースも多い)、ハロゲン化炭化水素をH と接触させることによりF以外のハロゲン(場合によってはFの一部)をHに交換する方法がある。このうち含水素ハロゲン化炭化水素のHFによるフッ素化反応は進みにくい場合が多く、HFCの生産量は用いる触媒に大きく依存する。
【0003】
最も反応が進みにくい代表として、1−クロロ−2,2,2−トリフルオロエタン(以下、HCFC−133aと略す)のフッ素化によるHFC−134aの合成反応が挙げられる。本反応は明らかに熱力学的に不利な吸熱反応である。したがって、一般にはHCFC−133aに対し化学量論以上のHFを共存させて、有意な転化率を与える反応条件(圧力、温度、空間速度)で反応を行う。
【0004】
一例を挙げると、特開昭55−27138号公報では、CrF ・3H Oを空気で処理した化合物を触媒として大気圧下、反応温度400℃、HCFC−133aに対するHFのモル比(以下、モル比と略す)8、空間速度(以下、SVと略す)550h−1という反応条件でHFC−134aを収率32%で得ている。
【0005】
特開平1−268651号公報ではCoCl /Al をフッ素化処理して得られる触媒を用いて、大気圧下、反応温度410℃、モル比10、接触時間30秒(SV120h−1)という反応条件でHFC−134a収率は32%である。このように低いSVでの反応は生産性が悪く、また、高温での反応は熱的エネルギーロスばかりでなく、選択率の低下を招き、さらに、本発明者らの知見によれば触媒寿命を短くする。
【0006】
従って、触媒の高活性化、長寿命化を目指した検討がこれまでにもなされてきた。すなわち、特開平2−172933号公報では、Al、Mg、Ca、Ba、Sr、Fe、Ni、CoおよびMnからなる群から選ばれる少なくとも一種の元素およびCrを含むハロゲン化物または酸化物からなる触媒が耐久性(寿命)に優れることを開示している。また、EP第502605号公報では、Znを担持したCr系触媒が高い活性を与えることを開示している。さらに、特開平4−346943号公報では、RuやPtを担持した部分的にフッ素化されたCr からなる触媒が寿命が長いことを開示している。
その他、Cr以外の成分を主成分とする触媒として、特開平2−95438号公報で本出願人が開示したIn化合物をアルミナなどの担体に担持し、HFで処理した触媒等があるが、活性はCrを主成分とする触媒に較べて低い。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、近年、特開平4−346943号公報の明細書中に記載されている様に、HFによるHCFC−133aのフッ素化反応を従来のCr系あるいはAl系触媒を用いて行った場合、反応圧力を高くすると反応速度が小さくなって生産性が低下するという本反応固有の新たな問題があることが明らかになってきた。
【0008】
すなわち、大気圧下では高い反応収率を示す触媒でも、反応圧力を上げる[例えば10kg/cm G(ゲージ圧)]とHFC−134aの選択率は若干向上するものの、HCFC−133a転化率が低下するために収率はかなり低下する[比較の際、他の条件(反応温度、モル比、標準状態に換算したSV)は同一にしている]。程度の差はあるものの本現象は他の含水素ハロゲン化炭化水素のフッ素化反応においても認められる。
【0009】
実際の製造設備において反応を1kg/cm G程度の大気圧付近で行うことは低圧化のための付帯設備を要するため、設備費の増加につながり、好ましくない。さらに、反応の選択率は加圧下の方が優れており、特に、毒性の高い不飽和化合物の副生量を抑えることができる。従って、反応圧力を上げても反応速度が低下しない触媒、さらに好ましくは、反応圧力を上げると反応速度が増加する触媒の開発が求められてる。
【0010】
もちろん従来の課題である触媒の高活性化、長寿命化も触媒コストや生産性に大きく寄与するため、本発明の重要な課題の一つである。
本発明の目的は、HFCの製造に際し、高い収率でHFCを生産するために改良されたフッ素化触媒を提供すること、および、該触媒を用いて気相でフッ化水素とハロゲン化炭化水素を接触させることにより生産性よくHFCを製造する方法、具体的には例えば、HFC−32、HFC−134a、HFC−125を生産性よく製造する方法を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は上記課題を解決すべく鋭意検討した結果、金属成分としてInとCrを組み合わせることにより反応速度に対する圧力のマイナス効果を改善することができることを見いだし本発明を成すに到った。
【0012】
本発明の請求項1の発明は、インジウム、クロム、酸素、フッ素を必須の構成元素として含み、クロムに対するインジウムの原子比が0.005〜0.6であるフッ素化触媒であって、該触媒の調製工程に還元性ガス中、350〜500℃で熱処理する工程を含むことを特徴とするフッ素化触媒である。
【0013】
本発明の請求項2の発明は、共沈法により調製することを特徴とする請求項1記載のフッ素化触媒である。
【0015】
本発明の請求項の発明は、長周期型周期表の11、12、13、14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項1または2に記載のフッ素化触媒である。
【0016】
本発明の請求項の発明は、請求項1から3のいずれかに記載のフッ素化触媒の存在下、気相でフッ化水素とハロゲン化炭化水素を接触させることを特徴とするハロゲン化炭化水素のフッ素化方法である。
【0017】
本発明の請求項の発明は、該ハロゲン化炭化水素が含水素ハロゲン化炭化水素であることを特徴とする請求項記載のフッ素化方法である。
【0018】
本発明の請求項の発明は、該含水素ハロゲン化炭化水素がジクロロメタン、クロロフルオロメタン、1−クロロ−2,2,2−トリフルオロエタン、1,1−ジクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン、1−クロロ−1,2,2,2−テトラフルオロエタンからなる群から選ばれることを特徴とする請求項記載のフッ素化方法である。
【0019】
本発明の請求項の発明は、該含水素ハロゲン化炭化水素が1−クロロ−2,2,2−トリフルオロエタンであることを特徴とする請求項記載のフッ素化方法である。
【0020】
本発明においては、ハロゲン化炭化水素とHFとの接触により、ハロゲン化炭化水素をフッ素化する方法において、In、Cr、O、Fを必須の構成元素として含み、Crに対するInの原子比が0.005〜0.6、好ましくは0.01〜0.5、特に好ましくは0.01〜0.3である触媒を用いることを解決の手段とした。
【0021】
In、Cr、O、F以外の触媒の構成元素としてはアルカリ金属が大量に(例えば、重量で%オーダー)含まれることはあまり好ましくないが、その他の元素は重量で%オーダー以上含まれていてもよい。特に、助触媒として触媒の延命効果が期待できる長周期型周期表の11、12、13、14族の元素(新IUPAC命名法)からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素、なかでも、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Al、Ga、Sn、PbなどはCrに対する原子比で0.001〜0.5、好ましくは0.003〜0.1の範囲で含まれていてもよい。
【0022】
本発明の触媒は、InおよびCrを含有する化合物(例えば酸化物や水酸化物)を触媒前駆体として、これをHFやF 、分子中にフッ素を有するハロゲン化炭化水素等によってフッ素化し、OやOHを部分的にフッ素に置き換えることによって調製することができる。InおよびCrを含有する化合物は担体に担持することも可能であり、適当な担体として活性炭、アルミナ、フッ化アルミニウム、フッ化カルシウム、フッ化マグネシウムなどが挙げられる。
【0023】
触媒前駆体の調製方法としては従来知られている混練法、含浸法、共沈法等のいかなる方法も用いることができ、また、触媒前駆体を調製するための原料としては工業規模で入手可能ならば、いかなる化合物を用いてもよい。上記の方法のうち、含浸法や共沈法がInとCrを均一に分布させ得るため好ましい。
【0024】
なかでも、共沈法は触媒のバルク組成まで均一に調整することが可能であるためさらに好ましい。従って、好ましい触媒前駆体の調製方法の例としては、InおよびCrの化合物が溶解した液を沈殿剤と反応させて沈殿をつくり、濾別、洗浄、乾燥、焼成する方法(共沈法の例)、酸化クロムや水酸化クロムにIn化合物の溶液を含浸し、乾燥、焼成する方法(含浸法の例)等があげられる。担体を用いる場合には例えばInおよびCrの化合物が溶解した液を担体に含浸し、乾燥、焼成することにより調製することができる。
【0025】
さらに好ましい調製方法の例としては、共沈法においてInおよびCrの化合物が溶解した液と沈殿剤とを反応容器の中の反応液のpHが6〜12、特に好ましくは6.5〜10の範囲内に在るようにコントロールしながら、双方同時に、あるいは交互に滴下して調製したスラリーを濾別、洗浄、乾燥し、焼成する方法があげられる。
【0026】
InおよびCrの化合物としては硝酸塩、塩化物、硫酸塩が好適に用いられる。なかでも共沈法においては硝酸塩が、含浸法においては塩化物が好ましい。沈殿剤の種類としてはアンモニア、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム、炭酸アンモニウム、炭酸水素アンモニウムなどが好ましく、なかでもアンモニアが特に好ましい。
【0027】
触媒形状として成型物が望ましい場合には焼成前、または焼成後に打錠成型を行ったり、乾燥前に押し出し成型を実施することにより成型物とすることができる。
【0028】
乾燥方法としては80〜130℃、特には90〜120℃の温度範囲で、空気あるいはN などの不活性ガス雰囲気中で30分以上行うことが好ましいが、減圧乾燥などの他の乾燥方法で行うことも可能である。
焼成は300℃〜600℃、好ましくは350℃〜500℃の温度範囲で行うことが適当であるが、調製方法によって焼成の雰囲気を選ぶ必要がある。
【0029】
すなわち、水酸化クロム、酸化クロムなどのクロム化合物は約350℃以上の高温でO に触れると比表面積の大幅な低下を引き起こし、また、活性炭は燃焼して消失する。このため、担体を使用せずにクロム化合物を触媒前駆体の主成分とする場合や、活性炭を担体として用いる場合には350℃以上の温度で1000Pa(絶対圧力)以上のO を含む雰囲気に曝してはならず、N 、Arなどの不活性ガスもしくは還元性ガス雰囲気で焼成することが望ましい。
ここで言う還元性ガス雰囲気とはH 、CO、NOなどの還元力を有するガスを含有する雰囲気のことであり、その他に不活性ガスや水分も含有することができる。O などの酸化性ガスについても安全上問題とならない濃度であれば含まれていてもよいが、含まれていない方が望ましい。
【0030】
担体としてアルミナや各種金属フッ化物を用いる場合にはO 雰囲気下でも担体が比表面積の低下を防止する効果をもつため、O を含む雰囲気、代表的には空気中で焼成することも可能である。しかし、特開平5−92141号公報に記載されているように、焼成後に行う前駆体のフッ素化時に、Crが飛散するという問題が生じる。従って、上記担体を用いる場合にも不活性ガスもしくは還元性ガス雰囲気で焼成する、もしくは、O を含む雰囲気で焼成を行った後にさらに、還元性ガス雰囲気で焼成することが望ましい。
【0031】
さらに好ましい焼成方法としては、焼成工程の中に還元性ガス雰囲気で熱処理する工程を設ける方法があげられる。すなわち、クロム化合物を触媒前駆体の主成分とする場合や、活性炭を担体として用いる場合には、乾燥工程後に直接、還元性ガス雰囲気で焼成する、もしくは、一旦、不活性ガス中で焼成を行った後にさらに還元性ガス雰囲気で焼成することが好ましい。担体としてアルミナや各種金属フッ化物を用いる場合には、乾燥工程後に直接、還元性ガス雰囲気で焼成する、もしくは、一旦、不活性ガス中やO を含む雰囲気で焼成を行った後にさらに還元性ガス雰囲気で焼成することが好ましい。
【0032】
上記の還元性ガス雰囲気で熱処理することにより、反応前に行う前駆体のフッ素化の際に、飛散するCrの量を減少させる、触媒の活性を向上させる等の効果が期待できる。熱処理の温度としては350〜500℃が適当であり、好ましくは370〜460℃、特に370〜450℃がよい。
【0033】
用いる還元性ガスの種類としてはH 、CO、NO等があげられるが、取扱いの簡便さからH を用いるのが適当である。還元性ガスの濃度は0.1〜100vol%とすることができる。必要に応じてガス中に20vol%以下の水や99.9vol%以下の不活性ガスを同伴することも可能であるが、O 濃度は安全上の問題から0.1vol%以下に抑えるべきである。ガス流量はGHSV(標準状態換算)で10〜10000h−1が適当であり、圧力は大気圧〜10kg/cm Gが操作上簡便である。処理時間としては少なくも30分間、好ましくは1〜10時間熱処理する。
【0034】
還元性ガス雰囲気で熱処理した触媒前駆体はO を絶対圧力で1000Pa以上含む雰囲気で高温に曝すことは好ましくない。従って、還元性ガス雰囲気で焼成した後、さらに空気中などのO を含有する雰囲気で焼成を行うことは避けるべきである。また、還元性ガス雰囲気での焼成が終了して前駆体を取り出す際に大気解放する場合にも、200℃以上の温度でO が系内に導入されるような操作は避けねばならず、好ましくは150℃、さらに好ましくは120℃以下の温度で空気を系内に少しづつ導入し、徐々に系内のO 濃度を上げた後に大気解放すべきである。
【0035】
以上述べた方法およびその他公知のいかなる方法で触媒前駆体の調製を行ってもよいが、Crに対するInの原子比(以下、In/Cr比と略す)は0.005〜0.6、好ましくは0.01〜0.5、特に好ましくは0.01〜0.3という範囲にしなければならない。上記の範囲よりIn/Cr比が小さいと、反応圧力の増加により反応速度が低下する割合が大きく、また、In/Cr比が大き過ぎても反応速度が低下するため好ましくない。In/Cr比の調整は、混練法ならば混合する粉の割合、含浸法や共沈法ならばInおよび/またはCr化合物の溶液濃度や溶液組成をコントロールすることにより容易に達成される。
【0036】
本発明のフッ素化触媒ではさらにO、Fを必須の構成元素とする。O、Fの含量はIn/Cr比や触媒前駆体の調製方法によって適切な範囲が変化するが、何れの成分も触媒の全重量に対して0.3重量%以上は必要である。好ましいOの含量の範囲は1〜25重量%である。触媒中にOとFを含有させるには、上記のようにInおよびCrを含有する化合物をHFやF 、分子中にFを有するハロゲン化炭化水素等によってフッ素化することで達成できる。なかでもHFを用いるフッ素化がコスト上優れている。
【0037】
フッ素化の温度としては300〜500℃、特には300〜450℃が好ましい。HFなどのフッ素化剤の濃度としては、0.1〜100vol%で行い得るが、発熱による温度上昇(以下、△Tと略す)が最大でも50℃以下になるように、必要に応じてN などの不活性ガスでフッ素化剤を希釈して用いることが望ましい。ガス流量はGHSVで10〜10000h−1が適当であり、圧力は大気圧〜20kg/cm Gで行うことができる。
【0038】
好ましい触媒前駆体のフッ素化方法の一例をあげると、大気圧下300〜400℃で、HF濃度5〜30vol%になるようにHFとN を供給しフッ素化を開始する。ホットスポットが前駆体充填層を通過した後、発熱に注意しながらHF濃度を90vol%以上に、圧力を2〜10kg/cm Gになるまで上げていき、最終条件で少なくとも実質的に発熱が観測されなくなるまで処理を継続する。
以上述べた触媒前駆体の焼成およびフッ素化はインコネル、ハステロイ製のものであれば同一の反応器で行うことも可能であり、操作上簡便である。
【0039】
本発明のIn、Cr、O、Fを必須の構成元素として含むフッ素化触媒はハロゲン化炭化水素をHFによりフッ素化する際に適用できるが、含水素ハロゲン化炭化水素のフッ素化反応を加圧下において行う際には特に効果的である。
つまり、オキシフッ化クロムのような従来のフッ素化触媒を用いた場合に認められる、反応圧力を上げると反応速度が低下し、原料炭化水素の転化率が減少するという反応圧力のマイナス効果が改善できる。
【0040】
さらに詳細に説明すると、本発明のIn、Cr、O、Fを必須の構成元素として含む触媒は大気圧付近においてはオキシフッ化クロムのごとき従来のフッ素化触媒と同程度もしくは若干活性が高い程度であるが、反応圧力を高くしても反応速度(原料炭化水素の転化率)の低下はほとんどない。一方、オキシフッ化クロムのごとき従来のフッ素化触媒では、反応圧力を高くすると反応速度が低下していく。従って、反応圧力が高くなるにしたがって、本発明の触媒と従来のフッ素化触媒との転化率の差は大きくなっていく。
【0041】
すなわち本発明の触媒を用いることにより、従来のフッ素化触媒で認められた反応圧力のマイナス効果を改善することができ、さらに、反応を加圧下で行うことにより副生物の生成量も減少させることができるため、特に、加圧下の含水素ハロゲン化炭化水素のフッ素化反応において高い収率でHFCを得ることができる。
【0042】
本発明でいう含水素ハロゲン化炭化水素とは、主には炭素数1から4の分子中にHを含むハロゲン化炭化水素のことであり、一例をあげると、CHCl 、CH Cl 、CH FCl、CH Cl、C HCl 、C Cl 、C Cl、C HCl 、C HFCl 、C HF Cl 、C HF Cl 、C HF Cl、C Cl、C Cl 、C FCl 、C Cl、C Cl 、C FCl、C Cl、C Cl 、C HF Cl などがある。さらに、上記の炭化水素中のClの全部もしくは一部をBrやIに置換した化合物であってもよい。
【0043】
なかでも、最近オゾン層を破壊する恐れのない代替フロンとして注目されているHFC−32やHFC−134a、HFC−125を製造する際の合成ルートとして考えられるCH Cl 、CH FCl(HCFC−31)、CHCl=CCl (トリクロロエチレン)、CF CH Cl(HCFC−133a)、CCl =CCl (パークロロエチレン)、CF CHCl (HCFC−123)、CF CHFCl(HCFC−124)のフッ素化反応において有効であり、HCFC−133aのフッ素化によるHFC−134aの製造には特に効果的である。
【0044】
フッ素化反応は固定床、流動床、移動床等の反応方法をとり得るが、固定床が一般的である。反応条件は反応によって適切な条件が変化するが、一般的には、ハロゲン化炭化水素に対するHFのモル比:0.5〜20、温度:200〜400℃、圧力:大気圧〜20kg/cm G、SV:50〜100000h−1である。本発明のフッ素化触媒を用いれば加圧下でも生産性が低下しないため反応圧力は大気圧以上に上げてよく、好ましい反応圧力は1〜20kg/cm G、より好ましくは1.5〜20kg/cm Gである。
【0045】
【実施例】
以下、実施例および比較例を示して、本発明を具体的に説明するが、かかる説明によって本発明が限定されないことは勿論である。
【0046】
なお、説明中In/Cr比は化学分析から求めた触媒に含まれる各元素の原子比を表し、反応例中のモル比とはハロゲン化炭化水素に対するHFのモル比を表す。SVは標準状態に換算した値であり、圧力はゲージ圧である。
【0047】
(触媒調製例1)
純水600mlを入れた10lの容器に、Cr(NO ・9H O 452gとIn(NO ・nH O(nは約5) 42gを純水 1.2lに溶かした溶液と28重量%のアンモニア水 0.3lとを攪拌しながら、反応液のpHが7.5〜8.5の範囲内になるように2種の水溶液の流量をコントロールして約1時間かけて滴下した。得られた水酸化物のスラリーを濾別し、純水でよく洗浄した後、120℃で12時間乾燥した。得られた固体を粉砕、黒鉛と混合し、打錠成型機によってペレット化した。このペレットをN 気流下400℃で4時間焼成し触媒前駆体とした。触媒前駆体60mlをインコネル製反応管に充填し、大気圧においてN 希釈したHF気流下350℃で、続いてN 希釈しない100%のHF気流下350℃で、さらに100%のHF気流下で昇圧して4kg/cm Gでフッ素化処理を行った。処理後のペレットの組成を以下に示す。
In:10.8重量%、 Cr:49.0重量%O:15.1重量%、 F:23.9重量%
これらの値からIn/Cr比は0.1であった。
【0048】
(比較触媒調製例1)
In(NO ・nH Oを加えないこと以外は触媒調製例1と同様にしてInを含まない触媒前駆体を調製した。この触媒前駆体60mlをインコネル製反応管に充填し、触媒調製例1と同様にしてフッ素化処理を行った。処理後のペレットの組成を以下に示す。
Cr:56.9重量%、 O:16.3重量%、 F:23.8重量%
【0049】
(触媒調製例2)
比較触媒調製例1で作った乾燥品200gにInCl ・4H O 17gを純水に溶解して含浸し、再度120℃で乾燥した。以下の操作は触媒調製例1と同様にしてフッ素化処理まで行った。処理後のペレットの組成を以下に示す。
In: 3.7重量%、 Cr:53.6重量%、O:16.0重量%、 F:23.3重量%
これらの値からIn/Cr比は0.03であった。
【0050】
(触媒調製例3)
触媒調製例1で打錠成型したペレット100mlをガラス製焼成管に充填し、3vol%の水蒸気を含んだH 気流下400℃で4時間焼成して前駆体とした。以下の操作は触媒調製例1と同様にしてフッ素化処理まで行った。
【0051】
(触媒調製例4)
CrCl ・6H O 111g、InCl ・4H O 6gを純水78gに溶解し、高純度活性アルミナ100gを浸漬して溶液を全量吸収させた。これを120℃で10時間乾燥した後、ガラス製焼成管に充填し、空気気流下400℃で3時間、さらに、3vol%の水蒸気を含んだH 気流下400℃で4時間焼成して前駆体とした。以下の操作は触媒調製例1と同様にしてフッ素化処理まで行った。処理後の組成を以下に示す。
In:1.1重量%、 Cr:10.5重量%、 Al:49.0重量%、O:2.5重量%、 F:60.3重量%
【0052】
(触媒調製例5)
Cr(NO ・9H OとIn(NO ・nH Oの水溶液にCu(NO ・3H O 1gをさらに追加する以外は触媒調製例1の操作に従ってペレットを作成し、それ以降の操作は触媒調製例3に従ってフッ素化処理まで行った。
【0053】
(触媒調製例6)
Cr(NO ・9H OとIn(NO ・nH Oの水溶液にCd(NO ・4H O 1gをさらに追加する以外は触媒調製例1の操作に従ってペレットを作成し、それ以降の操作は触媒調製例3に従ってフッ素化処理まで行った。
【0054】
(触媒調製例7)
Cr(NO ・9H OとIn(NO ・nH Oの水溶液にPb(NO 1gをさらに追加する以外は触媒調製例1の操作に従ってペレットを作成し、それ以降の操作は触媒調製例3に従ってフッ素化処理まで行った。
【0055】
(触媒調製例8)
Cr(NO ・9H OとIn(NO ・nH Oの水溶液にAgNO 1gをさらに加えて溶解させる以外は触媒調製例1の操作に従ってペレットを作成し、それ以降の操作は触媒調製例3に従ってフッ素化処理まで行った。
【0056】
(フッ素化反応例1)
触媒調製例1で調製した触媒50mlをインコネル製反応管に充填し、以下の反応条件でHFによるHCFC−133aのフッ素化反応を行った。反応管の出口ガスをアルカリトラップに吹き込んで未反応のHFおよび生成したHClを除去し、ガスクロによりガス組成を分析した。反応開始後6〜8時間目の結果を表1に示す。
温度:320℃、圧力:大気圧、モル比:8、SV:1500h−1
【0057】
(フッ素化反応例2)
反応圧力を4kg/cm Gにする以外はフッ素化反応例1と同様にしてHCFC−133aのフッ素化反応を行った。結果を表1に示す。
【0058】
(比較フッ素化反応例1)
比較触媒調製例1で調製した触媒を用いる以外はフッ素化反応例1と同様にしてHCFC−133aのフッ素化反応を行った。結果を表1に示す。
【0059】
(比較フッ素化反応例2)
反応圧力を4kg/cm Gにする以外は比較フッ素化反応例1と同様にしてHCFC−133aのフッ素化反応を行った。結果を表1に示す。
【0060】
(フッ素化反応例3)
触媒調製例2で調製した触媒を用いる以外はフッ素化反応例1と同様にしてHCFC−133aのフッ素化反応を行った。結果を表1に示す。
【0061】
(フッ素化反応例4)
反応圧力を4kg/cm Gにする以外はフッ素化反応例3と同様にしてHCFC−133aのフッ素化反応を行った。結果を表1に示す。
【0062】
【表1】
Figure 0003582798
表中、134a収率、134a選択率はそれぞれ、HFC−134aの収率、HFC−134aの選択率を表す。
【0063】
表1の結果より、大気圧においてはInを添加しても、しなくてもHFC−134a収率に大差ないが、反応圧力が高くなる(4kg/cm G)とInを添加した触媒の方が高い収率を与えることがわかる。このことはInとCrを組み合わせることによりCr単独の触媒でみられる圧力のマイナス効果を改善できることを示している。
【0064】
(フッ素化反応例5〜10)
触媒調製例3〜8で調製した触媒を用いる以外はフッ素化反応例2と同様にしてHCFC−133aのフッ素化反応を行った。結果を表2に示す。
【0065】
【表2】
Figure 0003582798
表中、134a収率、134a選択率はそれぞれ、HFC−134aの収率、HFC−134aの選択率を表す。
【0066】
(フッ素化反応例11)
触媒調製例3で調製した触媒30mlをインコネル製反応管に充填し、以下の反応条件でHFによるジクロロメタンのフッ素化反応を行った。反応管の出口ガスを加温したアルカリトラップに吹き込んで未反応のHFおよび生成したHClを除去し、ガスクロによりガス組成を分析した。
温度:190℃、圧力:大気圧、モル比:6、SV:1500h−1
未反応ジクロロメタンは39%であり、主な生成物の収率は以下の通りであった。
HFC−32;52%、HCFC−31;8%
【0067】
(フッ素化反応例12)
触媒調製例3で調製した触媒30mlをインコネル製反応管に充填し、以下の反応条件でHFによるHCFC−123のフッ素化反応を行った。反応管の出口ガスをアルカリトラップに吹き込んで未反応のHFおよび生成したHClを除去し、ガスクロによりガス組成を分析した。
温度:325℃、圧力:4kg/cm G、モル比:6、SV:1000h−1
未反応のHCFC−123は10%であり、主な生成物の収率は以下の通りであった。
HFC−125;60.6%、HCFC−124;24.5%
【0068】
【発明の効果】
本発明は、インジウム、クロム、酸素、フッ素を必須の構成元素として含み、クロムに対するインジウムの原子比が0.005〜0.6である、高い収率でHFCを生産するために改良されたフッ素化触媒、および、該触媒を用いて生産性よくHFCを製造する方法を提供するものであり、該触媒を用いて気相でHFによるハロゲン化炭化水素のフッ素化反応を行えば、加圧下でも高収率でHFCを得ることができる。

Claims (7)

  1. インジウム、クロム、酸素、フッ素を必須の構成元素として含み、クロムに対するインジウムの原子比が0.005〜0.6であるフッ素化触媒であって、該触媒の調製工程に還元性ガス中、350〜500℃で熱処理する工程を含むことを特徴とするフッ素化触媒。
  2. 共沈法により調製することを特徴とする請求項1記載のフッ素化触媒。
  3. 長周期型周期表の11、12、13、14族元素からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を含有することを特徴とする請求項1または2に記載のフッ素化触媒。
  4. 請求項1から3のいずれかに記載のフッ素化触媒の存在下、気相でフッ化水素とハロゲン化炭化水素を接触させることを特徴とするハロゲン化炭化水素のフッ素化方法。
  5. 該ハロゲン化炭化水素が含水素ハロゲン化炭化水素であることを特徴とする請求項4記載のフッ素化方法。
  6. 該含水素ハロゲン化炭化水素がジクロロメタン、クロロフルオロメタン、1−クロロ−2,2,2−トリフルオロエタン、1,1−ジクロロ−2,2,2−トリフルオロエタン、1−クロロ−1,2,2,2−テトラフルオロエタンからなる群から選ばれることを特徴とする請求項5記載のフッ素化方法。
  7. 該含水素ハロゲン化炭化水素が1−クロロ−2,2,2−トリフルオロエタンであることを特徴とする請求項6記載のフッ素化方法。
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