JP3579426B2 - 孔付き円板を製造するための方法 - Google Patents

Description

従来の技術
本発明は、請求項１の上位概念に記載した孔付き円板を製造するための方法に関する。
ノズルを、いわゆる「Ｓ字形の円板」を成す孔付き円板形状で形成することはヨーロッパ特許公開第354660号明細書により公知である。このような「Ｓ字形の円板」とは、孔付き円板においてインレット開口とアウトレット開口とが互いにずらして形成されていて、これによって、孔付き円板を貫流する流体が強制的に「Ｓ字状の流れ」を形成するようになっている。前記孔付き円板は、底同士で互いに結合された、シリコン（Silizium）より成る２つの平らなプレートによって形成されている。シリコンプレートには、厚さの薄い領域が成形されているので、第１のプレートの開口部と第２のプレートの開口部のうちの１つとの間で、プレートの端面に対して平行にせん断ギャップが形成されている。公知のマスク技術によれば、多数の孔付き円板構造体を有するシリコンウエハにエッチングを施すことによってインレット開口及びアウトレット開口が形成される。孔付き円板に形成された開口部のための円錐台形の輪郭は、異方性のエッチング技術により理論的な形式で形成される。
同様にシリコン製のノズルプレートと弾性的なシリコン弁プレートとから成る弁装置は、ヨーロッパ特許公開第0314285号明細書により公知である。２つのシリコンプレートは、互いに結合されていて、互いに向き合うように変向させることができる。シリコン弁プレート内にインレット開口が設けられており、このインレット開口は、ノズルプレートに設けられたアウトレット開口に対してずらして配置されている。弁装置の閉鎖状態でシリコン弁プレートの***面はノズルプレートに設けられたアウトレット開口を密に閉鎖し、一方、操作プレートを操作部材によって曲げると、流体のためのＳ字形の貫流路が形成され弁装置は開放される。
アメリカ合衆国特許第4907748号明細書によれば、下流側の端部で２つのシリコンプレートより成るノズルを有する燃料噴射弁が公知である。前記孔付き円板におけるのと同様に、２つのシリコンプレートに設けられたインレット開口とアウトレット開口とは互いにずらされているので、貫流する流体（ここでは燃料）の「Ｓ字形の流れ」が生ぜしめられる。
シリコンより成る前記すべての孔付き円板は、シリコンの脆さによって生ぜしめられる、破壊に対する強度が場合によっては不十分であるという欠点がある。例えば噴射弁における継続的な負荷においては、シリコンプレートが破壊する危険性がある。金属的な構成部材例えば噴射弁にシリコンプレートを取り付けるのはコストが高くなる。何故ならば特に緊張のない緊締を行う必要があり、弁のシール性に問題があるからである。シリコンより成る孔付き円板を噴射弁に溶接することは例えば不可能である。しかも、流体が頻繁に貫流する際に、シリコン円板の開口部の縁部が摩耗するという欠点がある。ドイツ連邦共和国特許第483615号明細書によれば、同様に２つの（金属製の）ノズルプレートより形成された内燃機関のためのノズルが公知である。この公知のノズルにおいては、貫流する燃料を効果的にせん断するために、ノズルプレートは、互いにずらして配置されたインレット開口とアウトレット開口とを有している。しかしながらこのノズルによって、噴射された燃料の噴射形状を所望に得ることは不可能である。２つの金属製のノズルプレートは、一般的な技術（圧刻、プレス、圧延、切断、穿孔、フライス切削、研削その他）によって製造若しくは加工される。
発明の利点
請求項１に記載した特徴部を有する、本発明による孔付き円板を製造するための方法は、孔付き円板が繰り返し可能な形式で非常に正確に、かつ、安価に大量数を同時に製造することができ、また、金属より製造されているために破壊に対して強く、非常に簡単で安価であって、例えば溶接によって金属製の構成部材（例えば噴射弁）に組み付けることができるという利点を有している。本発明による方法段階は、形状の自由性が非常に大きい。何故ならば孔付き円板の開口部の輪郭部は自由に選択可能だからである。特に、結晶軸線に基づいて得ることができる、輪郭形状が狭い範囲であらかじめ与えられている（ピラミッド台形）シリコン製の孔付き円板と比較して、このフレキシブルな形状付与性は非常に有利である。
この場合、本発明による方法は、有利な形式で、最終的に孔付き円板を形成する常に新しい構造部を有する、薄い金属層、積層若しくは機能面（サンドイッチ構造）を重なり合って析出させるために、UV−深いリソグラフと同様に、ドライエッチング又はアブレーション（Ablatieren）をマイクロガルバニックと組み合わせて行われる。このプロセスは、１つの孔付き円板のために１つ、２つ、３つ又はそれ以上の層を重なり合わせて形成するために適している。
金属の析出は、特に、シリコン円板を製造するのと比較して、非常に大きな材料多様性が得られるという利点を有している。種々異なる金属的な特性及び硬度を有する種々異なる金属が、本発明によるマイクロガルバニックにおいて使用することができる。
本発明の方法によれば、有利な形式で、非常に変わった奇妙な噴射流形状が得られるＳ字形円板の孔付き円板を製造することができる。この孔付き円板は、１つ、２つ及び複数の噴射流形状のための、例えば方形、３角形、十字形、楕円形のような無数の変化例による噴射流横断面を可能にする。このような普通でない噴射流形状は、例えばこの孔付き円板を内燃機関のための噴射弁に使用する場合に、所定の幾何学形状例えば種々異なる吸気横断面に丁度最適に適応させることを可能にする。
本発明のマイクロガルバニックによれば、特に有利な形式で問題なく、しかも安価で非常に正確にアンダカットが得られる。
請求項２以下に記載した手段によって、請求項１に記載した孔付き円板を製造するための方法の有利な実施例及び改良が可能である。
特に有利には、電気メッキ的な段階で２つの機能面を形成し、この際に、電気メッキのいわゆる「側方の過成長」を利用することができる。この場合、電気メッキ的な開始層及び新たな層にホトレジストを塗布することなしに、先に形成された面のホトレジスト構造体を越えて金属の成長が所望に連続して行われる。この「側方の過成長」を用いて、著しくコスト及び時間の節約が得られる。
図面
本発明によって製造された孔付き円板の実施例が図面に概略的に示されていて、以下に詳しく説明されている。図１は、本発明によって製造された孔付き円板を有する噴射弁の部分図、図２は孔付き円板を下側から見た図、図３は図２のIII−III線に沿った断面図、図４は３層の孔付き円板の貫流領域、図５は第１の通路連続部を有する３層の孔付き円板の貫流領域、図６は第２の通路連続部を有する３層の孔付き円板の貫流領域、図７は通路連続部を有する５層の孔付き円板の貫流領域、図８は、通路連続部を備えた４層の孔付き円板の貫流領域、図９は側方の通路連続部を備えた孔付き円板の概略的な平面図、図10はトリップトラップを有する孔付き円板の貫流領域、図11は孔付き円板を下側から見た図、図12は図11の孔付き円板のXII−XII線に沿った断面図、図13は孔付き円板を下から見た図、図14は角張っていない開口部を有する別の孔付き円板の平面図、図15は概略的に示した工具を有する孔付き円板の図14のXV−XV線に沿った断面図（逆の流れ方向）、図16〜図20は多層ガルバニックによる孔付き円板を製造するための方法段階、図21は側方の過成長による孔付き円板、図22は各層の種々異なる直径を有する孔付き円板の断面図、図23は図22に示した孔付き円板を断面した中央領域の平面図、図24は別の孔付き円板の平面図、図25〜図27はそれぞれ１つの方形のインレット開口を有する孔付き円板の３つの中央領域、図28は開放領域を左右非対称に分割した孔付き円板の平面図、図29及び図30は開放領域の左右非対称の分割を有する孔付き円板の２つの中央領域、図31は完全に円形の開口部を有すｒ孔付き円板の中央流域、図32は16個の三日月形のインレット開口を有する孔付き円板の中央領域、図33は、ほぼ半円形のインレット開口と三日月形のアウトレット開口とを有する孔付き円板の中央領域をそれぞれ示す図である。
実施例の説明
図１には、混合気圧縮外部点火式内燃機関の燃料噴射装置のための噴射弁の形状の、１実施例としての弁が部分的に示されている。この弁には本発明によって製造可能な孔付き円板を装着することができる。噴射弁は、管状の弁座支持体１を有しており、該弁座支持体１内に、弁縦軸線２に対して同軸的に長手方向孔３が形成されている。この長手方向孔３内には、例えば管状の弁ニードル５が配置されており、該弁ニードル５は、その下流側の端部６が例えば球状の弁閉鎖体７に接続されている。この弁閉鎖体７の外周面には例えば５つの扁平部８が設けられている。
噴射弁の操作は、公知の形式で例えば電磁石式に行われる。弁ニードル５を軸方向で移動させてひいては、図示していない戻しばね力に抗して噴射弁を開放させるか若しくは閉鎖させるために、磁石コイル10と可動子11とコア12とを備えた、概略的に示された電磁石回路が使用される。可動子11は、弁ニードル５の、弁閉鎖体７とは反対側の端部と、例えばレーザによる溶接継ぎ目によって結合されていて、コア12に整列されている。
軸方向運動中に弁閉鎖体７をガイドするために、弁座体16のガイド孔15が使用される。弁座支持体１の、下流側に位置するコア12とは反対側の端部では、弁縦軸線２に対して同心的に延びる長手方向孔３内に、円筒形の弁座体16が溶接によって密に取り付けられている。弁座体16は、弁閉鎖体７とは反対側の下側の端面側17で、例えば鉢状に形成された支持円板21に同心的にかつ堅固に結合されている。この支持円板21は、弁座体16に直接当接している。この場合、支持円板21は、公知の鉢状の噴射孔付き円板と同様の形状を有しており、この場合、支持円板21の中央の領域は、本発明による孔付き円板23を受容するための貫通孔22を備えている。
弁座体16と支持円板21の接続は、例えば、レーザによって形成された環状で気密な第１の溶接継ぎ目25によって行われる。このような形式の組み付けによって、貫通孔22とこの孔内に組み込まれた孔付き円板23とを備えた中央領域で支持円板21が不都合に変形する危険性は避けられる。支持円板21はさらに、弁座支持体１内に形成された長手方向孔３の壁部に、例えば環状で気密な第２の溶接継ぎ目30によって結合されている。
弁座体16と鉢状の支持円板21とから成る弁座部分が、長手方向孔３内に侵入する侵入深さは、弁ニードル５のストロークの大きさを規定する。何故ならば弁ニードル５の一方の終端位置は、励磁されていない磁石コイル10において、弁閉鎖体７が弁座体16の弁座面29に当接することによって確保されているからである。弁ニードル５の他方の終端位置は、励磁された磁石コイル10において例えば、可動子11がコア12に当接することによって確保される。これによって弁ニードル５のこれらの２つの終端位置間の経路は、ストロークを形成する。
球状の弁閉鎖体７は、流れ方向で円錐台形に先細りした、弁座体16の弁座面29と協働する。この弁座面29は、弁座体16の下側の端面17とガイド孔15との間で軸方向に形成されている。
図２には、本発明に従って製造された、図１で概略的に示された孔付き円板を下側から見た図が示されている。孔付き円板23は、平らで扁平でしかも環状の多層の円板として構成されているので、例えば、多層−噴射孔付き円板と称呼してもよい。支持円板21内には孔付き円板23が例えばセンタリングされて位置している。本発明による孔付き円板の製造方法によれば、多層から構成された構造が得られる。このような孔付き円板23の多層構造若しくは多数の作用面を有する構造は、図２のIII−III線に沿って断面した図３に示されている。図３では、本発明の方法にとって重要ないくつかの特徴が概略的に示されている。
図２及び図３に示された孔付き円板23は、電気メッキ的（galvanisch）な析出による３つの金属層で構成されている。電気メッキ的な深いリソグラフ（tiefenlithographischen）の製法に基づいて、輪郭付与に関する次のような特別な特徴が得られる。
−円板面に亙って変化しない一定の厚さを有する層／作用面
−深いリソグラフによる構造形成によって、各層内への十分に直角な切り込みが形成され、これらの切り込みが、それぞれ貫流される中空室を形成する。
−構造形成された各金属層の多層構造によって切り込みの所望のアンダーカット及びオーバーラップが得られる。
−例えば長方形、多角形、丸みを付けられた長方形、丸みを付けられた多角形、楕円形、円形その他の、任意の軸平行な壁部を備えた横断面形状を有する切り込みが得られる。
各層は、相前後して電気メッキ的に析出されるので、電気メッキ的な付着に基づいて、連続する層がその下に位置する層に堅固に結合される。
第１実施例においては、例えば同一の外径を有する３つの円形の層が孔付き円板23を形成している。上側の層35は、弁縦軸線２若しくは孔付き円板23に対してそれぞれ同一の間隔を保って構成され、互いに90゜ずらして配置された例えば４つの長方形のインレット開口36を有している。これらのインレット開口36は、孔付き円板23の直径と比較して、弁縦軸線２の非常に近くに配置されている。弁縦軸２に対して非常に大きい間隔を保って、ひいてはインレット開口36に対して半径方向でずらされて、下側の層37内には同様に４つの長方形のアウトレット開口38が設けられている。アウトレット開口38は、例えばインレット開口36よりもやや小さい開放幅を有している。互いに直角に延びていて、弁縦軸線２と交差する、孔付き円板23の２つの軸線39は、インレット開口36並びにアウトレット開口38をそれぞれ中央で分割するので、２つの軸線39は、左右対称に構成された孔付き円板23の左右対称軸線を成している。軸線39に沿って、同様に、上側の層35と下側の層t37との間に位置する中央の層40内には通路42が延びており、この通路42は、インレット開口36とアウトレット開口38とを直接接続する。ほぼ台形の通路42は、例えば投影図で見てインレット開口36とアウトレット開口38とを丁度覆う程度の大きさである。４つのすべての通路42は、この実施例では互いに離れて位置している。図２及び図３では破線によって別の可能な変化例が示されている。この変化例においては、通路42は、非常に大きい種々異なる半径方向寸法を有しているので、通路42は、下側の層37のアウトレット開口38を越えて半径方向で外方に大きく突き出ている（図５及び図６）。
孔付き円板23は、直径が４〜5mmの場合には、例えば0.5mmの厚さを有しており、上側の層35及び下側の層37の厚さは例えばそれぞれ0.1mm、中央の層40の厚さは0.3mmである。このような孔付き円板23の寸法並びに、本明細書に記載したその他のすべての寸法は、本発明を理解し易くするためだけものであって、本発明をこれに限定するものではない。孔付き円板23の各構造の相対的な寸法はすべての図面において必ずしも寸法通りではない。
アウトレット開口38をインレット開口36に対して前述のように半径方向でずらして配置したことに基づいて、媒体例えば燃料のＳ字状の流れが得られる。インレット開口36と通路42とアウトレット開口38とを有する孔付き円板23の特に貫流領域の軸方向断面図を示す図４を用いて、原則的な流れ状態について説明する。流れの形状を示す矢印は、明確にＳ字状を示しており、従って本発明によって製造された、インレット開口36とアウトレット開口38との間のずれを有する孔付き円板23においても、Ｓ字型円板が対象となっている。孔付き円板23は、インレット開口36からそれぞれ所属のアウトレット開口38まで、媒体によって貫流されるようになっている。流れは、各インレット開口36から、それぞれ水平に延びる通路42を通って半径方向にガイドされる。図４に示した実施例においては、通路端部にはアウトレット開口38が配置されている。
Ｓ字型の円板としての孔付き円板23の構成は、本発明による製造方法の適用を制限するものではない。この孔付き円板23は有利な変化実施例を示すだけである。本発明の方法によれば、同様に孔付き円板23が製造可能である。この孔付き円板23においては、インレット開口36とアウトレット開口38とは、互いにまったくずらされていないか又は非常にわずかにずらされているだけである。
半径方向に延びる通路42を通って、媒体は半径方向速度分力を得る。流れは、短い軸方向の貫流でその半径方向速度分力を完全に失わない。この流れはむしろ、中心軸線若しくは弁縦軸線２に対して所定の角度を保って、アウトレット開口38の、インレット開口36に向けられた壁部において片面側が剥離されて、孔付き円板23から出る。インレット開口36、アウトレット開口38及び通路42から成る多数のユニットを相応に配置し整列することによって得られる、例えば互いに左右非対称に整列された多数の単一の流れの組み合わせによって、完全に新しく個別的で複雑な、種々異なる量的な分配を伴う全体的な流れ形状が可能となる。
多くの強い流れ変向箇所を有する孔付き円板23内部でのいわゆるＳ字状の衝突によって、噴霧を促進する強い渦流が生ぜしめられる。これによって、流れに対する横方向の速度勾配が特に大きくなる。この速度勾配とは、流れに対して横方向の速度変化のことであって、この場合、流れの中央における速度は、壁部付近の速度よりも著しく大きい。速度差によって生ぜしめられる、流体内の高められたせん断応力は、アウトレット開口38付近で流体を微細な液滴に崩壊させるのに好都合である。
アウトレット内の流れは一方側が剥離され、しかもこの流れは輪郭ガイドされていないために、安定化することはない。流体は剥離される側において特に高い速度を有しており、これに対して、隣接する流れを伴うアウトレット開口38側に向いた流体の速度は低下する。これによって、噴霧を促進する渦流及びせん断応力はアウトレットにおいて消滅する。
図５及び図６に示した孔付き円板23の実施例においては、中央の層40における通路42は、インレット開口36からアウトレット開口38まで延びているだけではなく、アウトレット開口38を越えて孔付き円板23の外側制限部に向って延びている。以下では、この通路42を通路延長部43（cavity;キャビティ）と称呼する。流れガイド、噴流の形状付与及び噴霧に及ぼす影響についての原理は、原則として前述のことが当てはまる。アウトレット38内に流入する液体は、通路延長部43（キャビティ）に充分に接触してこの通路延長部43を通過し、通路延長部43内で渦流発生を促す。流動される流れと渦との間の交換作用は、交換作用領域内で一時的な不安定を生ぜしめる。渦は周期的にその大きさを変えて、渦が大きくなる際に、流過する流れを押しのける（それとは反対に渦が小さくなる際にも相応に）。これによって、流出する流れは周期的に、与えられた方向に変向し、ひいては振動が生ぜしめられる。この場合、アウトレット開口部での振動の振幅及び周波数は、通路延長部43の形状に基づいている。つまり、中央の層40の厚さによって与えられる高さｈ及び半径方向の深さｃに基づいている。図５に示した実施例では、例えばｃ＝ｈであって、図６に示した実施例では、通路延長部43の大きさのために、ｃ＝２×ｈが当てはまる。図６に示した通路延長部43の幾何学的形状によれば、２重の渦が発生するようになっている。この場合２つの渦がパルス交換によって生ぜしめられ、逆方向の渦流方向を有している。
各アウトレット流内での振動によって、個別の噴射流においても、また全体的噴射においても振動の型（マスター;Muster）が生じる。この振動の型によって、種々異なる異様な噴射流横断面が得られる（例えば方形、三角形、十字形、円形）。このような噴射流振動がなければ、以上のような噴射流の横断面形状は得られない。つまり、そうでなければ、各噴射流の円形横断面を生ぜしめる傾向となる。常に行われる交換作用におけるパルス作用によって互いに存在する、個別噴射流又は全体的噴射流の任意の型若しくは横断面は、特に流体内の振動が高周波数であれば得られる。しかも方向変化によって、噴射は、噴射横断面に亙って一様に分配される。これによって、噴射は均一になり、吸気管空気流と良好に混合されて、排ガスを減少する混合気を形成する。
渦流によって生ぜしめられる、流れに対して横方向のパルスは特に、噴射されたスプレー（Spray）内の液滴分布密度が高い均一性を有するように働く。これによって、液滴が凝固する可能性が低くなる。つまり、いくつかの小さい液滴がまとまって大きい液滴になる可能性が低くなる。スプレー内の平均的な液滴直径が小さくなると、比較的均一なスプレー分布が得られる。Ｓ字状の流れ衝撃によって、流体内に小さい寸法の（高周波数の）渦流が生ぜしめられる。この渦流は、噴射流を、孔付き円板23のアウトレット（出口）のすぐ後ろで相応に微細な液滴を分解される。渦流から生ぜしめられるせん断応力が大きくなればなる程、流れのベクトルのばらつきも大きくなる。せん断応力は、流体のすべての面において”混沌とした状態”が支配するように配慮するので、前述のような種々異なる横断面若しくは型（マスター）を生ぜしめる、噴射流若しくはスプレーの所望の広がりが得られる。
図７、図８及び図９に示したやや変化した実施例は、前記実施例とは特に、３つ以上の層が設けられていて、通路延長部43′を半径方向でだけ通路42の延長部として有しているのではない点が異なっている。図７に示した実施例では５層の孔付き円板23について示されており、この孔付き円板23内では、公知の３つの層35,37,40の他に、さらに２つの別の中央の層40′が形成されている。これら２つの付加的な層40′は、それぞれ中央の層40と上側若しくは下側の層35若しくは38との間に設けられている。流体を、インレット開口36から孔付き円板23を貫流させてアウトレット開口38まで流過させるのを保証するために、２つの層40′は、相応の開口領域45も有しており、これらの開口領域45は、層40内に設けられた通路42への接続部を形成している。これらの開口領域45に並んで、層40′内にはそれぞれ少なくとも１つの通路延長部43′が設けられており、この通路延長部43′は、例えば層40′の軸方向高さを有している。半径方向で見て、通路延長部43′は例えばインレット開口36とアウトレット開口38との間に位置している。流体の流れは、渦流を再び通路延長部43′に押しやる。通路42に対して軸方向でずらされている通路延長部43′に付加的に、通路42に半径方向で接続された通路延長部43を設けてもよい。
図８には、４つの層を有する孔付き円板23の変化実施例、つまり付加的な中央の層40′だけが設けられている実施例が示されている。層40′を層40の上側に配置するか又は下側に配置するに応じて、層40′はやはり開放領域45を有する。この開放領域45は、図８では、アウトレット開口38に直接設けられた開放領域45である。層40′内には付加的な通路延長部43′が設けられており、この通路延長部43′は、通路42に対してずらされた室を形成しており、この室内で渦流が発生している。層40′内に設けられた例えば３つの通路延長部43′は、互いに同じ間隔を保って配置されているか又は任意に分割して配置してもよい。図９には孔付き円板23の一部の概略的な平面図が示されている。この図９においては、通路延長部43′が孔付き円板23の軸方向にだけ（つまり深さ方向にだけ）設けられているのではなく、通路42の幅を越えて形成されていることが示されている。これによって通路延長部43,43′は、３つのすべての方向で、つまり長さ、幅及び深さで通路42に成形することができる。
以上述べたすべての実施例は、図10に示されているように境界層トリップトラップ（Grenzschichtstolperfalle）の特徴を有して構成することができる。この具体的な実施例においては、孔付き円板23は、４層で構成されている。２つの上側の層35と下側の層37との間に、例えば２つの中央の層40,40′が配置されている。下側の層37に直接続いている付加的な中央の層40′は、通路42の領域内で流れ方向に対して横方向に、例えば直方体状の、鋭い角縁部を有する***部つまりトリップトラップ50が延びている。勿論、トリップトラップ50を中央の層40内に配置して、トリップトラップ50を、上方から通路42内に突入するようにすることも考えられる。幾何学的形状から考えて、トリップトラップ（Stolperfalle）50は、インレット開口36に対して半径方向でずらして成形しなければならない。通路42は、層35と37との間で、層40内にもまた層40′内にも延びている。
流体の主要な流れは、境界層トリップトラップ50上をこのトリップトラップ50に接触して流過する。下流で後ろ側のトリップ縁部51で、流れは、トリップトラップ50によって剥離され、トリップトラップ50の下流で横断面が突然拡大しているために、圧力上昇（動力学的なエネルギーから圧力エネルギーに変換−デフィーザ作用）の影響を受ける。この圧力上昇は、トリップトラップ50の下流側で集中的な境界層渦流発生を生ぜしめる。
トリップトラップ50の下流側で、強い横方向パルスを有する、常に大きくなる渦流の尻尾が生じ、この尻尾はアウトレット開口38まで達している。渦流の尻尾は、主要な流れによって”渦流の連続”として広がる。この渦流の広がりにおける渦は、非常に小さく（高周波数）、大きい振幅を有している。周波数及び振幅の調節は、トリップトラップ50の高さ及び流過する主要な流れを介して、つまりトリップトラップ50の通路横断面を介して行われる。
渦流の連続は貫流損失を減少する。何故ならば、この渦流の連続内には、壁部方向で主要な流れに対して横方向の、渦流を生ぜしめる高いパルス交換が行われるからである。これによって、トリップトラップ50の下流側で主要な流れが、通路42の壁部によって剥離される傾向は小さく、これによって提供される流過横断面が良好に利用される。壁部による流れの剥離は、圧力損失を生ぜしめる。トリップトラップ50も、均一なスプレーを噴射するように働く。この均一なスプレーは、非常に微細な液滴に分解され、この場合、種々異なる噴射形状が得られる。
以上の実施例では、各インレット／アウトレット開口の対36,38が、これらの開口36,38の接続部として別個の通路42を有している。これとは異なり、図11及び図12の実施例では、孔付き円板23内にまとめられた１つの通路42′だけが設けられている。４つのすべてのインレット開口36は、この例えば正方形の通路42′内に開口していて、この通路42′から再び外に延びている。方形又は正方形のアウトレット開口38を使用する場合、図11に示されているように、中央の層における通路42′の外側輪郭を８角形にし、しかもそれぞれ２つの角縁の付近を通ってほぼ正方形に構成される。通路42′は内側に向って、中央の層40の例えば正方形の材料突起部53によって制限されている。内側の材料突起部53は、上側の層35の、インレット開口36間に生じた領域とほぼ同じ大きさの横断面を有している。層40は、２つの区分、つまり通路42′によって完全に取り囲まれた材料突起部53と、やはり通路42′を完全に取り囲む外側領域54とから成っている。図12は、図11のXII−XII線に沿った、孔付き円板23の断面図を示している。
付加的に生じた接続容積によって、主要な流れが通過してしまういわゆるデッドウオーター（Totwasser）領域が次第に大きくなる。このデッドウオーター領域内に、通路延長部43,43′によるキャビティー原理に従って主要な流れの振動促進が生じる。これに対応して、噴射流形状及び噴霧に与える影響は、通路負荷部43,43′による前記実施例におけるものと同じである（キャビティー）。
インレット開口36に対するアウトレット開口38のずれは、前記実施例におけるように半径方向ではなく、任意の所望の方向に設けることができる。このようなずれのための２つの実施例が、それぞれ孔付き円板の下から見た図若しくは上から見た図としての図13及び図14に示されている。この場合、半径方向でずらした実施例と比較して、アウトレット開口38は、インレット開口36に対して周方向で例えば90゜回転されていることが分かる。図13に示した孔付き円板23の中央の層40内に設けられた通路42′は、例えば八角形であるが、充分に正方形の外側輪郭を有しており、この場合、通路42′の壁部の角縁は、常にインレット開口36及び38の近くに位置している。中央の層40の材料突起部53は、通路42′を、内側に向かって同様にほぼ正方形で八角形の輪郭で制限している。通路42′の外側及び内側の制限壁は、例えば互いに45゜回転してずらして構成されている。これによって、外側領域54と材料突起部53とは、互いに平行に延びる壁部を有してはいない。
図14及び図15（図14のXV−XV線に沿った断面図）に示した孔付き円板23は、角張っていないインレット開口36及びアウトレット開口38を有している点が特徴である。上側の層35のインレット開口36は、例えば楕円形の横断面を有しており、これに対して下側の円板37のアウトレット開口38は、円形に形成されている。内側の材料突起部53は、例えば正方形の横断面を有しており、これに対して中央の層40の通路42′は、外方に向かって外側領域54によって円形に制限されている。種々異なる製造方法を用いる場合に、孔付き円板23を良好に取り扱うことができるようにするために、貫通孔の形状の例えば２つの位置決め受容部56が外側制限部付近に設けられている。インレット開口36とアウトレット開口38は、任意の間隔で互いにずらして配置することができる。図13及び図14の実施例では、例えば以上述べた別の実施例におけるよりも非常にわずかにずらされているだけである。このずれの大きさを介して、噴射方向及び渦の大きさを合わせるか若しくは調節することができる。
図13までに示したインレット開口36、アウトレット開口38並びに通路42,42′は、常に正方形若しくは方形の横断面を有している。本発明による方法は、孔付き円板23の貫流幾何学形状の完全に別の横断面を生ぜしめることも可能である（図14参照）。横断面の変化例としては、丸味のつけられた方形、正方形、円形、円形セグメント、楕円形、楕円形セグメント、多角形、丸味のつけられた多角形その他が考えられる。この場合、各構造体の壁部は、弁縦軸線２に対して充分平行に延びている。また、通路42,42′を介して直接互いに接続されたインレット開口36とアウトレット開口38の別の構成も考えられる。適当な横断面変化は、正方形から方形への移行及びその逆、方形から円形への移行及びその逆、楕円形から円形への移行及びその逆が考えられる。
図16〜図21を用いて、孔付き円板23を製造するために特に適した本発明による製造方法について詳しく説明する。図16〜図21には、図１〜図15に示した、相応の所望の輪郭を有する孔付き円板の23が正確に示されているのではなく、製造原理を明らかにする配置だけが示されている。特に図16〜図20に示した実施例においては、開口若しくは通路の大きさに対する、層厚の相対的な寸法が、図15より前に示した実施例のものとは異なっている。本発明による製造方法段階は、図示のすべての実施例の製造を可能にする。
噴射ノズルの精度及び構造寸法に対する高い要求に基づいて、今日ではマイクロ構造化方法は、大量製造技術のために次第に重要になっている。一般的に、ノズル若しくは孔付き円板内での流体例えば燃料の流れのためには、流れ内で前述のような渦流形成を最適に生ぜしめる流れの経路が要求される。付加的に、流体例えば燃料のできるだけ効果的な噴霧を得るために、アウトレット開口の幅は数10マイクロメートルの大きさ内になければならない。本発明によれば、ホトリソグラフ（photolithograf）的な段階（UV−深いリソグラフ）、次いでマイクロガルバニック（Mikrogalvanik）を順次使用することに基づく、金属的な孔付き円板を製造するための方法が提案されている。この方法のための特徴として大面積的な寸法においても構造の高い精度が保証されるので、非常に大量の個数を伴う大量生産のために理想的に適用することができる。本発明の方法段階によって、１つのウエハに多数の孔付き円板23を同時に製造することができる。
この方法のための出発点は、例えば金属（銅）、シリコン、ガラス又はセラミックより成る平らで頑丈な支持プレート60である。この支持プレート60の一般的な厚さは、500μｍと2mmとの間であって、勿論、次の方法段階に影響を与えない程度である。支持プレート60の洗浄後に、非電導性の材料例えばガラス又はシリコンを使用する際に、まず少なくとも１つの補助層61が支持プレート60上に電気メッキされる。この補助層は、後で行われるマイクロガルバニックのための導電のために必要とされる。例えば電気メッキ的な開始層61′（例えばCu）である。電気メッキ的な開始層61′は、後で孔付き円板構造をエッチングによって簡単に切り離すことを可能にする犠牲層61としても役立つ。支持プレート60が、導電性の材料例えば銅より成っていれば、電気メッキ的な開始層61′は省くことができる。銅が犠牲層／電気メッキ的な開始層61,61′として使用される場合は、支持プレート60と電気メッキ的な開始層61′との間に補助層61″として薄いクローム層を塗布しなければならない。補助層61,61′,61″（典型的な場合、ホトレジストとしてポリイミドを使用する場合CrCuである）の塗布は、例えばスパッタによって又は無電流の金属析出によって行われる。
支持プレート60を前処理した後、付加的な補助層61,61′,61″にホトレジスト（ホトラック;Photolack）63が全面的に塗布される。このためには特に３つの異なる変化例が提供される。
1.例えば約100℃における固体レジストの表層処理
2.液体レジストを遠心分離若しくはスピンオン（spin on）によって塗布又は
3.液状のポリイミドを遠心分離若しくはスピンオンによって塗布
乾燥後に、ホトレジスト63は、３つのすべての変化実施例において不動の形状にある。この場合、ホトレジスト63の厚さは、続いて行われる電気メッキ的なプロセスで実現される金属層の厚さ、つまり孔付き円板23の下側の層37の厚さに相当する。典型的な場合、この層厚は、孔付き円板23の層の所望の厚さに応じて、10μｍと300μｍとの間が望ましい。実現された金属構造は、ホトリソグラフ的なマスク64によってホトレジスト63に逆転して移される。一方では、UV照射65によってホトレジスト63をマスク64に直接さらす可能性が提供される（UV−深いリソグラフ;Tiefenlithoraphie）。ホトレジスト63の構造形成の別の可能性は、ホトレジスト63に酸化物（例えばSiO₂）又は窒化物を析出することが挙げられる。この酸化物又は窒化物は、ホトリソグラフ的な構造形成の際のホトレジスト63のドライ・エッチングプロセス（Trockenaetzprozess）のためのマスクとして使用される。また、レーザアブレーション（Laserablation）が提供される。レーザアブレーションの場合、マスクに塗布した後でホトレジスト63の爆発的な材料がレーザを使用して取り除くことができる。以上述べた方法段階は、図16に示されている。
UV照射されたホトレジスト63を現像した後若しくはその他の前記方法（ドライ・エッチング、アブレーション）を使用した後で、図17に示されているように、マスク64によってあらかじめ規定された構造がホトレジスト63に得られる。このホトレジスト63に形成された構造は、孔付き円板23の後の層37に対するネガ構造を成す。図18には、ホトレジスト63に形成されたレジスト溝68を少なくともホトレジスト63の上縁部まで電気メッキ的に満たした後の構造を示している。電気メッキ的な方法段階において、レジスト溝68内で支持プレート60上に金属70が析出される。この金属70は、ネガ構造66の輪郭に密接して当てつけられているので、所定の輪郭形状が、金属70内で形状に忠実に繰り返し製造される。多数の機能面を有する孔付き円板構造体を製造するために、金属70の電気メッキ的な層の高さは、ホトレジスト63の高さに相当する。しかしながら、ホトレジスト63を、金属70の所望の電気メッキ的な層より高く構成することも考えられる。これによって電気メッキ的な層の分布が改善される。析出しようとする材料の選択は、層若しくは機能面に対するそれぞれの要求に基づいており、この場合特に、ファクターとして、機能的な強度、化学的な耐性、溶接可能性及びその他が重要である。一般的な場合、Ni,NiCo,NiFe又はCuが使用されるが、その他の金属及び合金も考えられる。
「層」及び「機能面」が使用されているので、まず短い概念規定について説明する。「層」とは、電気メッキ的な段階で形成された孔付き円板23の層のことである。しかしながら１つの層は、以下に「側方の過成長"laterales Ueberwachsen"」を用いて詳しく説明されている多くの電気メッキ的な機能面を有している。電気メッキ的な段階においては、関連し合う層を成す多数の機能面が形成される。この場合、それぞれの機能面は、それぞれ直接連続する機能面に対する種々異なる開放輪郭（インレット開口、アウトレット開口、通路）を有している。図１〜図15に示した孔付き円板23は、実際に少なくとも３つの層35,37,40を有しており、この場合、各層は機能面にも相当する。
孔付き円板23の構造を実現するために、補助層61,61′,61″を最適に塗布する塗布作業から所望の層の数に応じて段階を繰り返さなければならない。これは図19に示されており、この場合、ホトレジスト63′の層は、例えば孔付き円板23の後での中央の層40を形成するために使用される。ダッシのついた符号は、繰り返されたプロセスを示している。個々の金属層は、相次いで析出され、金属的な付着によって互いに保持される。孔付き円板23の層のためには種々異なる金属70が使用される。
次いで孔付き円板23の個別化が行われる。このために犠牲層61がエッチングで取り除かれ、これによって孔付き円板23は支持プレート60から持ち上げられる。次いで電気メッキ的な開始層61′がエッチングによって取り除かれ、残りのホトレジスト63,63′が金属構造体から取り出される。これは例えばKOH処理によって又は酵素プラズマによって、若しくはポリイミドにおける溶剤（例えばアセトン）によって可能である。このようなホトレジスト63,63′を取り出すプロセスは、一般的に上位概念「ストリッピング"storipping"」として知られている。選択的な解決策として、例えば磁石によって、電気メッキ的な開始層61′を適当に選択する場合に支持プレート60を機械的に取り外すことも考えられる。図20には、支持プレート60から外された３層の孔付き円板23が示されており、この場合インレット開口36及びアウトレット開口38の高さは一般的には小さい。
図21には、「Ｓ型」の孔付き円板23の別の実施例が示されている。この孔付き円板23は、前記製造形式とは異なるテクノロジーによって製造されている。この新しいテクノロジーは、概念「側方の過成長」として呼ばれている。「側方の過成長」の方法は、例えば３つの機能面を有する孔付き円板において第３の電気メッキを必要とすることなしに、孔付き円板23の少なくとも２つの機能面を１つの段階で電気メッキ的に析出させることができる。電気メッキ的な１つの段階で形成された少なくとも２つの機能面は、１つの層だけが形成しており、このれら２つの機能面間に制限はない。
下側の層37の製造はまず、図16〜18に示されているように公知の形式で行われる。次いで電気メッキ的に析出された金属70は、第２の層のホトレジスト63′を取り囲んでホトレジスト63′の上縁部まで公知の形に過成長する（図19参照）。次いで電気メッキはホトレジスト63′を越えて過成長する。このホトレジスト63′構造体の過成長は、水平方向及び鉛直方向でほぼ同じ大きさで行われる。この過成長は、別の電気メッキ的な開始層61′及び第３の電気メッキ的な層の代わりを成す。何故ならば、後の孔付き円板23の２つの機能面35,40は１つの電気メッキ的な段階で製造されるからである。過成長の高さは例えば、形成されたインレット開口36が上側の過成長した層35′内で（機能面35,40に相当して）Ｓ型円板に課せられた要求を満たすように、つまりアウトレット開口38に対するずれを有するように調節される。この場合、過成長は早くとも、投影図で見てアウトレット開口38が過成長した層35′の材料によって完全に覆われた時に中断される。この方法形式においては、アウトレット開口38及び通路42の大きさを規定するホトレジスト63,63′の２つの層が過成長する。また、インレット開口36の大きさを、ホトレジスト63′によって別の構造に構造形成されたラック層として規定する可能性も提供する。このために、ホトレジスト63,63′の構造体は、３つの面内に位置している。このホトレジスト63′の第３の層は、最終的に、インレット開口36を規定して形成するために、層35′の側方の過成長を止める「ストッパ」として使用される。側方の過成長は、インレット開口36とアウトレット開口38とのずれがないか又は非常に小さいずれだけが存在する孔付き円板23を製造するためにも利用することができる。理想的な形式では、側方の過成長によって、前述の形式で１つの層だけと例えば３つの機能面を有している孔付き円板23とを製造することができる。
前述の形式で、円形、楕円形又は多角形のインレット開口36が得られる。「側方の過成長」によって、特に孔付き円板23を製造するための時間が著しく短縮される。塗布しようとする層の数に伴って、電気メッキ的な表面の粗さも大きくなる。これによって付加的な例えば電気的な研磨による平滑手段は必要なくなる。側方の過成長のその他の利点は、インレット開口36の変形のために、非導電性のホトレジスト63′上に新しい電気メッキ的な開始層61′を塗布する必要がないという点にある。
図22〜図23には、孔付き円板23の別の実施例が示されている。これらの実施例は、前記の詳しく述べた製造方法によって構成することができるので、簡単に説明し、いくつかの珍しいデザイン若しくは形状だけが示されている。むしろ、以下に示した孔付き円板の変化実施例では、電気メッキ的な金属析出の製造方法による多くの形状多様性が可能であることが示されている。
図22及び図23は、側方の過成長によって少なくとも部分的に製造されている孔付き円板23を示している。上側の層35′は、少なくとも２つの機能面、つまり通路42′が延びている面と、この面に向き合う、インレット開口36を有する面とを有している。下側の層37は、上側の層35′よりも著しく大きい直径を有している。インレット開口36が円形の横断面を有しているのに対して、４つのアウトレット開口38は三日月状で円弧形状に配置されている。上側の層35′の下側面に存在する通路42′は、インレット開口36と同様に円形に構成されていて、三日月状のアウトレット開口38の外径よりもやや大きい直径を有している。このような配置においては、流体のいわゆるＳ字形の流れ衝撃は半径方向外方に行われる。これによって、良好な噴霧を伴う半径方向左右対称の噴流形成が得られる。
図24には、孔付き円板23の平面図が示されている。この孔付き円板23によってフラットな噴射流（Flachstrahlabspritzung）が可能である。上側の層35に設けられた４つのインレット開口36は方形に構成されている。各インレット開口36には、通路42及びアウトレット開口38が配属されている。アウトレット開口38は例えば正方形又は方形に構成されている。投影図で見てインレット開口36及びアウトレット開口38を完全に覆う通路42は、６角形の輪郭を有しており、この６角形の輪郭は、インレット開口36及びアウトレット開口38の大きさに応じて変えることができる。インレット開口36とアウトレット開口38とのずれは、フラットな噴射流形成を伴う良好な混合気形成が２つの方向で得られるように選定されている。
図24に示されているのと同様に、図25〜図27には、フラットな噴射流を生ぜしめることができる孔付き円板23の平面図が示されている。この図25〜図27では、簡略化のために孔付き円板23の中央の領域だけが示されている。通路42′は、インレット開口36をすべてのアウトレット開口38に接続するように構成されている。流体は中央の方形のインレット開口36を通って流れる。アウトレット開口38は例えば方形又は正方形の輪郭を有して構成されており、この場合、方形のアウトレット開口38の長手方向の延びは、インレット開口36の長手方向の延びに対して平行又は垂直であってよい。いずれにしても、このようなずれから再びフラットな噴射流形成が得られる。インレット開口36の大きさ、アウトレット開口38の形状及び数並びに配置を変えることによって、噴射流形状をそれぞれの必要に合わせることができる。
図28に示した孔付き円板23は、図24に示した孔付き円板23の各孔領域の形状及び大きさが非常に似ている。例えば噴射弁を内燃機関の普通でない組み付け位置に組み付けるような、特別の使用目的のために、孔付き円板23から噴射されるフラットな噴射流だけが望まれるのではなく、弁縦軸線／中心軸線２に対して所定の角度で噴射させることが望ましい（図１及び図３）。これは、図28に示した孔付き円板23によって可能である。インレット開口36、通路42及びアウトレット開口38のそれぞれの機能ユニットは、Ｓ字形の流れを有する円錐形の噴霧を可能にする。この実施例では、このような４つの機能ユニットが設けられている。このような円錐形噴霧若しくは円錐形噴射流を適当な形式で構成すれば、全体的な噴射流形成は、非常に良好にそれぞれの状態に合わせることができる。図28に示した孔付き円板23によって、ねらい通りに２つの方向で噴射させることができ、この場合２つの噴射流は正確に逆方向に向けられてはいない。
図29及び図30には、孔付き円板23の中央の噴射領域が示されている。この孔付き円板23によって同様に、非常に特殊な噴射流が得られる。孔付き円板23は、１つのインレット開口36と１つの通路42と１つのアウトレット開口38とを備えたそれぞれ３つの機能ユニットを有している。所望の噴射流形成に応じて、機能ユニットは、２つの軸線39の交差点を通って延びる孔付き円板23の弁縦軸線２を中心にして左右非対称若しくは偏心的に配置されている。このような整然としていない分割によって非常に良好な個別の噴射流方向が得られる。図29に示した孔付き円板においては、円形扇形の輪郭を有するそれぞれ１つの通路42が、三日月形のアウトレット開口38を有する円形のインレット開口36に接続する。これに対して、図30に示した孔付き円板23においては開放領域が角ばって構成されている。流体は、例えばインレット開口36を通って流入し、次いで６角形の通路42を通って、方形に構成されたアウトレット開口38まで流れる。２つのインレット開口36に配属された通路42は例えば、アウトレット開口38の領域内で一緒になるように延びており、この場合、流体は、Ｖ字形のアウトレット開口38を介してだけ孔付き円板23から流出するようになっている。インレット開口36及びアウトレット開口38の数は決して同じであってはならない。
図31〜図33には、インレット開口36及びアウトレット開口38の数が異なって設けられている孔付き円板23が図示されている。図31に示した実施例は、すべて円形の開口領域を有する配置について示されている。流体は、上側の層35の中央の円形のインレット開口36を介して流入し、同様に円形の４つのアウトレット開口38を介して孔付き円板23を通り過ぎる。これらのアウトレット開口38は下側の層37で、インレット開口36を巡って左右対称に構成されている。円形の通路42′は、すべてのアウトレット開口38を完全に覆うように選択されている。
図32には、開放領域を備えた４つの機能ユニットを有する孔付き円板23が示されている。流体は、各機能ユニットに属する、合計が16以上の三日月状の４つのインレット開口36を介して孔付き円板23内に流入する。それぞれ４つのインレット開口36には１つの円形の通路42′が正確に配属されている。この通路42′は、三日月状のインレット開口36を完全に覆うような大きい直径を有している。各機能ユニット内に１つのアウトレット開口38だけが成形されている。このアウトレット開口38は、円形に構成されていて、投影図で見て三日月状のインレット開口36によって取り囲まれている。４つの機能ユニットは、例えば中心軸線２に対して軸線39上で左右対称になるように配置されている。
図33には、開放領域の完全な左右非対称の配置を有する孔付き円板23が示されている。中央に配置されたインレット開口36は、ほぼ半円形状の輪郭を有して形成されており、これに対して明らかに小さいアウトレット開口38は、インレット開口36の丸味の付けられた下側で三日月状に延びている。アウトレット開口38の数は任意に変えることができる。図示の実施例では３つのアウトレット開口38が設けられている。円形の通路42′は、その他のすべての開口を覆うように大きく構成されている。
本発明による製造方法を使用するためには、インレット開口とアウトレット開口とがずらされていて、Ｓ字形の流れ有する前述のＳ型円板だけでなく、すべての形状の孔付き円板が適しているということを指摘しておかなければならない。多層電気メッキによって、整列されているか又は部分的にのみずらされているインレット開口及びアウトレット開口を有する孔付き円板を製造することも可能である。
前述のすべての孔付き円板23は噴射弁に使用するためだけに設けられているのではなく、むしろ、例えば飲み物等の液体を噴射若しくは噴霧するための、又は薬品を噴霧するための、例えば塗布用ノズル、吸入器、インキジェット噴射器又はフリーズドライ製法においても使用される。例えば大きい角度を有する微細なスプレーを生ぜしめるためには、一般的に、本発明に従って製造された孔付き円板23が適している。

Claims (10)

1. 流体を完全に貫流させる孔付き円板（23）を製造するための方法であって、少なくとも１つのインレット開口（36）と少なくとも１つのアウトレット開口（38）とを有しており、各インレット開口（36）が孔付き円板（23）の上側の層若しくは機能面（35,35′）に設けられていて、各アウトレット開口（38）が孔付き円板（23）の下側の層若しくは機能面（37）に設けられている方法において、
   電気メッキ的な金属析出によって、孔付き円板（23）の多数の層若しくは機能面（35,35′,37,40,40′）を重なり合って形成するようになっており、まず第１の方法段階で支持プレート（60）上に、別の方法段階を実施するために必要な、銅を有する少なくとも１つの補助層（61,61′,61″）を犠牲層として塗布し、次いでホトレジスト層（63）を塗布し、次いでホトレジスト（63）を所望に構造形成し、これによって、ホトレジスト（63）に孔付き円板（23）の後の層（37）のためのネガ構造（66）を形成し、次いでマイクロガルバニックによってホトレジスト（63）のネガ構造（66）に生ぜしめられたレジスト溝（68）を金属メッキによって金属（70）で満たし、次いで孔付き円板（23）の層若しくは機能面（35,35′,37,40,40′）の所望の数に応じて前記方法段階を繰り返し行い、最後に孔付き円板（23）を個別化し、次いでホトレジスト（63）を金属構造体から取り出すことを特徴とする、孔付き円板を製造するための方法。
2. 補助層（61）として電気メッキ的な開始層（61′）を塗布する、請求項１記載の方法。
3. 固体レジストを表層処理してホトレジスト（63）の塗布を行う、請求項１記載の方法。
4. 液体レジストを遠心分離させてホトレジスト（63）の塗布を行う、請求項１記載の方法。
5. 液体の状態でポリイミドを遠心分離させてホトレジスト（63）の塗布を行う、請求項１記載の方法。
6. マスク（64）を介してUV照射（65）を行い（UV−深いリソグラフ）、次いで現像することによってホトレジスト（63）の構造形成を行う、請求項１記載の方法。
7. ホトリソグラフ的に構造形成されてホトレジスト（63）のドライエッチングプロセスのためのマスクとして使用される酸化物又は窒化物を析出することによって、ホトレジスト（63）の構造形成を行う、請求項１記載の方法。
8. ホトレジスト（63）の構造形成を、レーザを用いたアブレーション（ablation）によって行う、請求項１記載の方法。
9. ホトレジスト（63′）を越えて金属（70）を水平方向及び鉛直方向で成長させる１つの電気メッキ的な段階で、種々異なる開口構造を有する多数の機能面（35,35′,40,40′）を孔付き円板（23）の層として製造する、請求項１記載の方法。
10. ホトレジスト（63′）を越える金属（70）の水平方向及び鉛直方向の過成長を早くとも、孔付き円板（23）の別の層（35,37）のインレット開口（36）若しくはアウトレット開口（38）が過成長した機能面（35′）の材料によって完全に覆われてから中断する、請求項９記載の方法。

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