JP3577651B2 - 光ディスク駆動装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置に係り、特に、光源のレーザダイオード（半導体レーザ）の発光パワーを制御するレーザパワー制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
相変化型光ディスクは、高密度記録が可能なディスクであり、情報の記録方法についても、各種の方式が提案されている。
【０００３】
例えば、ディスク上に非晶質化マークを形成するために、レーザビームを短い単一または複数のパルスで照射したり（特開昭６３−２６６６３２号公報）、結晶化するために高い周波数のパルス列でレーザビームを照射する（特開平１−１１９９２１号公報）などの記録方法が知られている。
【０００４】
ここで、相変化型光ディスクにおける記録方法について、簡単に説明する。
【０００５】
図１１は、相変化型光ディスクにおける記録方法の原理を説明する図で、(1)は記録情報とレーザパワーとの関係、(2) は記録情報に対応するトラック上の記録状態を示す。図において、Ｐｐは非晶質化レベル、Ｐｅは結晶化レベル、Ｐｒは読み出しレベルを示す。
【０００６】
相変化型光ディスクの場合、情報の記録に際しては、ディスクのトラック上にレーザスポットを照射して、レーザパワーを記録情報に応じて変化させることにより、ディスクの記録膜上に結晶化領域と非晶質化したマークを形成することによって行われる。
【０００７】
この状態を、図１１(1) に示しており、記録情報の「０」のレベルに対応して、レーザパワーを結晶化レベル（Ｐｅ）とすることにより、記録膜が結晶化されて、結晶化領域が形成される。
【０００８】
これに対して、記録情報の「１」のレベルに対応して、レーザパワーを非晶質化レベル（Ｐｐ）と読み出しレベル（Ｐｒ）との間で、パルス状に変化させることにより、記録膜が非晶質化されて、非晶質化マークが形成される。
【０００９】
このような記録動作によって、図１１(2) に示したように、トラック上に記録情報の「１」のレベルに対応する非晶質化マークが形成される。ここで、３つのレベルの関係は、Ｐｐ（非晶質化レベル）＞Ｐｅ（結晶化レベル）＞Ｐｒ（読み出しレベル）である。
【００１０】
このようにして、相変化型光ディスクには、記録情報の「０」のレベルに対応する結晶化領域と、記録情報の「１」のレベルに対応する非晶質化マークとが形成される。そのため、レーザパワーとしては、記録情報の「０」のレベルに対応する（中間の）結晶化レベル（Ｐｅ）と、記録情報の「１」のレベルを形成するための（最高の）非晶質化レベル（Ｐｐ）と、（最低の）読み出しレベル（Ｐｒ）、の計３つのレベルで制御する必要がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
相変化型光ディスクのように、レーザスポットを高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録あるいは消去、初期化を行う光ディスク駆動装置においては、レーザパワーの変化も高周波である。
【００１２】
そのため、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用すると、正確な出射光量を検出することが困難になる。
【００１３】
このように不正確に検出された出射光量に基いて出射光量を調整しても、正確な調整は難かしいので、安定化させることも困難である。
【００１４】
その結果、情報の記録、消去、初期化等の処理が不完全なものになる、というケースが生じる。
【００１５】
本発明は、安価で簡単な構成によって、レーザダイオードの出射光量を安定化させることにより、情報の信頼性の高い光ディスク駆動装置を得ることを課題にしている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の光ディスク駆動装置では、半導体レーザ等の光源と、前記光源の駆動回路と、前記光源の出射光量を検出する出射光量検出手段とを備え、前記光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、レーザパワー制御装置として、前記光源に第１レベルの電流を印加する電流印加手段と、前記第１レベルの電流に第２レベルの電流を重畳する第１電流重畳手段と、前記第１レベルの電流に第３レベルの電流を重畳する第２電流重畳手段と、前記第２レベルの電流を、記録情報に応じてオン／オフ制御する第１スイッチ手段と、前記第３レベルの電流を、記録情報に応じてパルス状にオン／オフ制御する第２スイッチ手段と、前記第３レベルの電流を非パルス状にオンにする第１制御信号を発生する第１タイミング制御手段と、前記第１スイッチ手段がオン期間中における前記出射光量検出手段の出力を保持する第１サンプルホールド手段と、前記第１制御信号の発生期間中における前記出射光量検出手段の出力を保持する第２サンプルホールド手段と、前記第１サンプルホールド手段の出力に応じて前記第２レベルの電流を調整する第１調整手段と、前記第２サンプルホールド手段の出力に応じて前記第３レベルの電流を調整する第２調整手段と、調整された前記第２レベルの電流と、調整された前記第３レベルの電流との値に応じて前記第１レベルの電流を調整する減算器とを備えている。
【００１７】
請求項２の光ディスク駆動装置では、請求項１の光ディスク駆動装置において、第１制御信号の発生期間を、記録情報の状態に応じた期間内としている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の光ディスク駆動装置について、そのレーザパワー制御装置の要部構成の実施の形態を説明するための参考例１を示す機能ブロック図である。
【００１９】
図１において、１はレーザダイオード、２はフォトディテクタ、３はアンプ、４はＩｐスイッチ、５はＩｐ電流源、６はＳｐ調整回路、７はＳｐサンプルホールド回路、８はＩｅスイッチ、９はＩｅ電流源、１０はＩｅ調整回路、１１はＩｅサンプルホールド回路、１２はＩｒ電流源、１３はＳｒ調整回路、１４はＳｒサンプルホールド回路、１５はＰｐサンプルタイミング回路、１６はＰｒサンプルタイミング回路、１７はＩｐスイッチ制御回路、１８はＩｅスイッチ制御回路を示し、Ｉｒは読み出しレベル（Ｐｒ）の駆動電流、Ｉｅは結晶化レベル（Ｐｅ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流、Ｉｅ′は電流Ｉｅがスイッチングされた電流、Ｉｐは非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流、Ｉｐ′は電流Ｉｐがスイッチングされた電流、Ｓｐは非晶質化レベル（Ｐｐ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号、Ｓｒは読み出しレベル（Ｐｒ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号、Ｄｉは記録情報、ＤｐはＩｐスイッチ４のオン／オフ信号、ＤｅはＩｅスイッチ８のオン／オフ信号、Ｖｄはアンプ３の出射光量検出電圧を示す。
【００２０】
レーザダイオード１の出射光は、レンズにより集光されてディスク上に照射されるが、この出射光の一部は、フォトディテクタ２にも照射され、その出力がアンプ３により増幅されて、出射光量の検出に用いられる。
【００２１】
このレーザダイオード１には、３つの電流源（Ｉｐ電流源５，Ｉｅ電流源９，Ｉｒ電流源１２）からの電流が印加されるが、その内の２つの電流源（Ｉｐ電流源５，Ｉｅ電流源９）からの電流は、Ｉｐスイッチ４とＩｅスイッチ８によってオン／オフされる。
【００２２】
まず、Ｉｒ電流源１２は、レーザダイオード１に対して、レーザパワーを読み出しレベルＰｒにするために必要な電流Ｉｒを印加する（最低のレベル）。
【００２３】
一方、結晶化レベルＰｅの駆動時には、Ｉｅ電流源９からの電流Ｉｅが、Ｉｅスイッチ８によってオン／オフ制御された電流Ｉｅ′として、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに重畳される形でレーザダイオード１に印加される。
【００２４】
すなわち、Ｉｅスイッチ８の動作時には、レーザパワーを結晶化レベルＰｅとするために必要な電流Ｉｒ＋Ｉｅ′が、レーザダイオード１に印加される（中間のレベル）。
【００２５】
また、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、Ｉｐ電流源５からの電流が、Ｉｐスイッチ４によってオン／オフ制御されたスイッチング電流Ｉｐ′として、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに重畳される形でレーザダイオード１に印加される。すなわち、Ｉｐスイッチ４のオン時には、レーザパワーを非晶質化レベルＰｐとするために必要な電流Ｉｒ＋Ｉｐ′が、レーザダイオード１に印加される（最高のレベル）。
【００２６】
図２は、図１に示した光ディスク駆動装置について、その動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図１の符号位置に対応しており、Ｉは実際にレーザダイオード１に印加される電流、Ｐは電流Ｉによるレーザパワー、ａは記録情報Ｄｉの「０」のレベルの期間、ｂは記録情報Ｄｉの「１」のレベルの期間、ｃは読み出しレベルＰｒ時のサンプル信号Ｓｒの発生期間、ｄは非晶質化レベルＰｐ時のサンプル信号Ｓｐの発生期間、（イ）と（ロ）は記録情報Ｄｉが記録されない信号を示す。
【００２７】
この図２に示したＩｒは、レーザパワーを読み出しレベルＰｒにするために必要な電流Ｉｒで、一定レベルの電流である。
【００２８】
結晶化レベルＰｅの駆動時には、Ｉｅ′に示すように、Ｉｅ電流源９からの電流ＩｅがＩｅスイッチ８によりオン／オフされて、スイッチング電流Ｉｅ′が発生される。
【００２９】
このような結晶化レベルＰｅ時のスイッチング動作を行うために、図１のＩｅスイッチ制御回路１８は、情報記録時に、記録情報Ｄｉのレベルに応じてＩｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅを出力する。
【００３０】
このＩｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅは、記録情報Ｄｉが「０」のとき（図２の期間ａ）は、「Ｈ」レベルとなるので、Ｉｅスイッチ８がオンになり、レーザダイオード１には電流Ｉｒ＋Ｉｅが印加される。
【００３１】
他方、記録情報Ｄｉが「１」のとき（図２の期間ｂ）は、Ｉｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅが「Ｌ」レベルになるので、Ｉｅスイッチ８はオフになる。
【００３２】
そのため、レーザダイオード１には、図２にＩで示したように、電流Ｉｒ＋Ｉｅが印加されることになる。その結果、図２にＰで示したように、記録情報Ｄｉが「０」の期間ａには、結晶化レベル（Ｐｅ）のレーザパワーが得られる。
【００３３】
したがって、この期間ａには、先の図１１(2) で説明したように、記録膜が結晶化されて結晶化領域が形成される。
【００３４】
これに対して、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、図２のＩｐ′に示したように、Ｉｐ電流源５からの電流がＩｐスイッチ４によりオン／オフされて、スイッチング電流Ｉｐ′が発生される。
【００３５】
この非晶質化レベルＰｐ時のスイッチング動作を行うために、Ｉｐスイッチ制御回路１７は、情報記録時に、記録情報Ｄｉのレベルに応じてＩｐスイッチ４のオン／オフ信号Ｄｐを出力する。
【００３６】
このＩｐスイッチ４のオン／オフ信号Ｄｐは、記録情報Ｄｉが「０」のとき（図２の期間ａ）には、「Ｌ」レベルとなり、Ｉｐスイッチ４はオフになる。
【００３７】
他方、記録情報Ｄｉが「１」のとき（図２の期間ｂ）には、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ信号Ｄｐはパルス状に変化する。
【００３８】
そのため、Ｉｐスイッチ４は、パルス状にオン／オフされることになり、この期間ｂには、レーザダイオード１に、図２にＩで示したように、電流Ｉｒと電流Ｉｒ＋Ｉｐとの間のレベルで変化するパルス状の電流が印加される。したがって、この期間ｂには、先の図１１(2) で説明したように、記録情報Ｄｉの「１」に対応する非晶質化マークが形成される。
【００３９】
以上のように、記録情報Ｄｉの「０」レベルに対応して、レーザパワーは結晶化レベル（Ｐｅ）となり、また、記録情報Ｄｉの「１」レベルに対応して、レーザパワーは非晶質化レベル（Ｐｐ）と読み出しレベル（Ｐｒ）との間でパルス状に変化する。
【００４０】
そして、レーザダイオード１の出射光の一部が、フォトディテクタ２により検出され、その出力がアンプ３によって増幅されるので、アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄは、レーザパワーに比例した値となる。
【００４１】
ところが、フォトディテクタ２とアンプ３の応答帯域が限られているときは、図２のＤｉに示した期間ｂに対応するパルス状発光部では、正確な光量検出ができない。
【００４２】
この状態の波形は、図２のＶｄに示したように、小さな波状の変化を繰り返えしている。
【００４３】
これに対して、図２のＤｉに示した期間ａでは、レーザパワーは結晶化レベル（Ｐｅ）で非パルス状であるから、出射光量検出電圧Ｖｄは、図２のＶｄに示したように、結晶化レベルＰｅに比例した値になる。
【００４４】
そこで、このレーザパワーが安定したレベル（図２の期間ａ）のとき、出射光量検出電圧Ｖｄを取り込んで、レーザパワーの制御を行う。
【００４５】
図１の装置では、Ｉｅサンプルホールド回路１１は、記録情報Ｄｉが「０」で、Ｉｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅが「Ｈ」レベルのとき（図２の期間ａ）に、出射光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。
【００４６】
そのため、このＩｅサンプルホールド回路１１の出力には、常に結晶化レベル（Ｐｅ）に比例した検出電圧が得られる。
【００４７】
Ｉｅ調整回路１０は、この検出電圧に基いて、レーザパワーＰを、結晶化レベル（Ｐｅ）の最適な値となるように、Ｉｅ電流源９を調整する。
【００４８】
以上が、レーザパワーの結晶化レベル（Ｐｅ）の調整動作である。この参考例１では、このように、レーザパワーが安定した、非パルス状の結晶化レベル（Ｐｅ）において、光源の光量を調整する。
【００４９】
参考例１では、半導体レーザ等の光源（図１のレーザダイオード１）と、光源の駆動回路（Ｉｐスイッチ４，Ｉｐ電流源５）と、光源の出射光量を検出する出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、レーザパワー制御装置として、光源を適宜、非パルス状に駆動する期間を設定する期間設定手段（Ｐｒサンプルタイミング回路１６，Ｉｅスイッチ制御回路１８）と、設定された期間中に出射光量検出手段によって検出される出射光量に基いて光源の光量を調整する光量調整手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１，Ｉｅ調整回路１０）とを備えている。
【００５０】
以上のように、この参考例１では、光源が非パルス状に駆動される期間内に、出射光量の検出を行うので、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用しても、出射光量の正確な検出が可能になる。
【００５１】
そして、この検出された出射光量に基いて出射光量を最適値に調整すれば、光源が安定化される。しかも、簡単な構成であるから、低コストの手段によって、情報の信頼性の高い装置が得られる。
【００５２】
参考例２について説明する。先の参考例１では、レーザパワーの結晶化レベル（Ｐｅ）を安定化する場合を説明した。この参考例２では、さらに、非晶質化レベル（Ｐｐ）と読み出しレベル（Ｐｒ）の安定化を可能にした点に特徴を有している。ハード構成は、先の図１と同様である。また、その動作も、図２のタイミングチャートと同じである。
【００５３】
先の図１との対応によって、その構成を示すと、次のようになる。
【００５４】
半導体レーザ等の光源（図１のレーザダイオード１）と、光源の駆動回路（Ｉｐスイッチ４，Ｉｐ電流源５）と、光源の出射光量を検出する出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
光源に第１レベルの電流（Ｉｒ）を印加する電流印加手段（Ｉｒ電流源１２）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第２レベルの電流（Ｉｅ）を重畳する第１電流重畳手段（Ｉｅ電流源９）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第３レベルの電流（Ｉｐ）を重畳する第２電流重畳手段（Ｉｐ電流源５）と、
第２レベルの電流（Ｉｅ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてオン／オフ制御する第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてパルス状にオン／オフ制御する第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）をオフにする第１制御信号（Ｓｒ）を発生する第１タイミング制御手段（Ｐｒサンプルタイミング回路１６）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を非パルス状にオンにする第２制御信号（Ｓｐ）を発生する第２タイミング制御手段（Ｐｐサンプルタイミング回路１５）と、
第１制御信号（Ｓｒ）の発生期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第１サンプルホールド手段（Ｓｒサンプルホールド回路１４）と、
第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）がオン期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第２サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）と、
第２制御信号（Ｓｐ）の発生期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第３サンプルホールド手段（Ｓｐサンプルホールド回路７）と、
第１サンプルホールド手段（Ｓｒサンプルホールド回路１４）の出力に応じて第１レベルの電流（Ｉｒ）を調整する第１調整手段（Ｓｒ調整回路１３）と、
第２サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）の出力に応じて第２レベルの電流（Ｉｅ）を調整する第２調整手段（Ｉｅ調整回路１０）と、
第３サンプルホールド手段（Ｓｐサンプルホールド回路７）の出力に応じて第３レベルの電流（Ｉｐ）を調整する第３調整手段（Ｓｐ調整回路６）とで構成している。
【００５５】
先の参考例１では、図１のＩｅサンプルホールド回路１１が、図２のＤｉに示した期間ａ、すなわち、記録情報Ｄｉが「０」で、Ｉｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅが「Ｈ」レベルのときに、出射光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする場合を説明した。
【００５６】
この場合には、Ｉｅサンプルホールド回路１１の出力には、常に結晶化レベル（Ｐｅ）に比例した検出電圧が得られる。Ｉｅ調整回路１０は、この検出電圧（Ｖｄ）に基いて、レーザパワーＰを、結晶化レベル（Ｐｅ）の最適な値となるように、Ｉｅ電流源９を調整する。
【００５７】
したがって、結晶化レベル（Ｐｅ）については、最適値に調整することができるので、安定化が可能になる。しかし、非晶質化レベル（Ｐｐ）や読み出しレベル（Ｐｒ）については、調整することができない。この参考例２では、非晶質化レベル（Ｐｐ）や読み出しレベル（Ｐｒ）についても、最適値に調整する。
【００５８】
図１において、Ｐｒサンプルタイミング回路１６は、適宜、読み出しレベル（Ｐｒ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｒを発生する。
【００５９】
例えば図２のＳｒに示すように、期間ｃに、サンプル信号Ｓｒを「Ｈ」レベルで発生する。この図２のＳｒにおいて、Ｓｒの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｃ）中、Ｉｅスイッチ制御回路１８とＩｐスイッチ制御回路１７は、いずれも、記録情報Ｄｉのレベルに関係なく、Ｉｅスイッチ８とＩｐスイッチ４をオフにする。
【００６０】
そのため、この期間ｃは、レーザダイオード１には電流Ｉｒのみが印加されることになり、図２のＰに示すように、レーザパワーはＰｒ（読み出しレベル）で、非パルス状となる。
【００６１】
このような動作によって、この期間ｃ中は、先の期間ａと異なり、出射光量検出電圧Ｖｄは、Ｐｒに比例した値になる。
【００６２】
Ｓｒサンプルホールド回路１４は、この図２のＳｒに示すサンプル信号Ｓｒの発生期間（期間ｃ）に、出射光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。したがって、このＳｒサンプルホールド回路１４の出力には、常に読み出しレベル（Ｐｒ）に比例した検出電圧が得られる。
【００６３】
Ｓｒ調整回路１３は、このＳｒサンプルホールド回路１４から出力される検出電圧に基いて、レーザパワーを、読み出しレベル（Ｐｒ）の最適な値となるように、Ｉｒ電流源１２を調整する。
【００６４】
以上が、レーザパワーの読み出しレベル（Ｐｒ）の調整動作である。
【００６５】
次に、レーザパワーの非晶質化レベル（Ｐｐ）の調整について説明する。
【００６６】
Ｐｐサンプルタイミング回路１５は、図２のＳｐに示すように、適宜、Ｐｐサンプル信号Ｓｐを発生する。例えば、図２のＳｐの期間ｄに、サンプル信号Ｓｐを「Ｈ」レベルで発生する。
【００６７】
この図２のＳｐにおいて、Ｓｐの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｄ）中、Ｉｐスイッチ制御回路１７は、記録情報Ｄｉのレベルに関係なく、Ｉｐスイッチ４をオフにする。
【００６８】
そのため、この期間ｄは、レーザダイオード１には電流Ｉｒ＋Ｉｐが印加されることになり、図２のＰに示すように、レーザパワーはＰｐ（非晶質化レベル）で、非パルス状となる。
【００６９】
このような動作によって、この期間ｄ中も、先の期間ａと異なり、光量検出電圧Ｖｄは、非晶質化レベル（Ｐｐ）に比例した値になる。
【００７０】
Ｓｐサンプルホールド回路７は、この図２のＳｐに示すサンプル信号Ｓｐの発生期間（期間ｄ）に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングするので、このＳｐサンプルホールド回路７の出力には、常に非晶質化レベル（Ｐｐ）に比例した検出電圧が得られる。
【００７１】
Ｓｐ調整回路６は、このＳｐサンプルホールド回路７から出力される検出電圧に基いて、レーザパワーを、非晶質化レベル（Ｐｐ）の最適な値となるように、Ｉｐ電流源５を調整する。
【００７２】
このような構成によって、結晶化レベル（Ｐｅ）だけでなく、レーザパワーの非晶質化レベル（Ｐｐ）や読み出しレベル（Ｐｒ）の安定化も可能になる。
【００７３】
そして、参考例１と同様に、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用しても、出射光量の正確な検出が可能になり、検出された出射光量に基いて出射光量を最適値に調整すれば、光源が安定化される。
【００７４】
参考例３について説明する。参考例２で説明した装置では、記録情報Ｄｉの状態（レベル）とは関係なく、レーザパワーは、第１制御信号（Ｓｒ）の発生中は読み出しレベル（Ｐｒ）に、第２制御信号（Ｓｐ）の発生中は非パルス状に非晶質化レベル（Ｐｐ）となる。
【００７５】
そのため、第１または第２制御信号（ＳｒまたはＳｐ）の発生中は、情報の記録ができなくなり、光ディスク上に記録可能な情報容量が低下する。
【００７６】
この参考例３では、第２制御信号（Ｓｐ）の発生期間を、記録情報Ｄｉの状態に応じて非晶質マークを形成すべき期間と一致させることによって、第２制御信号（Ｓｐ）を情報の記録中に発生させる点に特徴を有している。
【００７７】
ハード構成は、先の図１と同様である。
【００７８】
図３は、図１に示した光ディスク駆動装置について、参考例３によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様である。
【００７９】
この図３に示すように、Ｐｐサンプルタイミング回路１５は、記録情報Ｄｉの「１」のレベルの期間（図３の期間ｄ）に限り、適宜、非晶質化レベル（Ｐｐ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｐを発生する。
【００８０】
この場合、図３のＳｐの期間ｄでは、非パルス状に発生されているが、レーザパワーは、非晶質化レベルＰｐとなるので、記録情報Ｄｉに対応して非晶質マークがディスク上に形成される。
【００８１】
したがって、この図３の場合には、期間ｃでは、情報（（イ）の信号）を記録することができないが、期間ｄでは、情報の記録が可能になる。
【００８２】
すなわち、先の参考例２（図２の場合）では、期間ｃとｄには、記録情報Ｄｉに対応した情報（（イ）と（ロ）の信号）の記録が行えなかったが、この参考例３（図３の場合）によれば、情報（（イ）の信号）を記録することができないのは、期間ｃのみになる。
【００８３】
したがって、第１制御信号（Ｓｒ）の発生中のみが、情報の記録ができない部分となり、光ディスク上に記録可能な情報容量の低下を減少させることが可能になる。
【００８４】
参考例４について説明する。先の参考例２では、出射光量の検出は、非晶質化レベル（Ｐｐ）、結晶化レベル（Ｐｅ）、読み出しレベル（Ｐｒ）の各レベルごとに行っている。
【００８５】
この参考例４では、重畳電流ＩｐとＩｅとの比率を、最適なレーザパワーＰｐ（非晶質化レベル）とＰｅ（結晶化レベル）とが得られるような値に予め設定しておき、一方のレーザパワー、例えば、Ｐｅ（結晶化レベル）での出射光量を検出して、最適な値に設定することにより、他方のＰｐ（非晶質化レベル）を最適な値に設定する重畳電流Ｉｐも安定化させる点に特徴を有している。
【００８６】
図４は、参考例４の機能ブロック図である。図における符号は図１と同様であり、２１は増幅回路を示す。
【００８７】
この図４に示す装置は、先の図１の装置に比べて、Ｓｐ調整回路６とＳｐサンプルホールド回路７、Ｐｐサンプルタイミング回路１５が省略され、代りに増幅回路２１が付加されている。
【００８８】
そして、この増幅回路２１が、Ｉｅ調整回路１０の出力を一定ゲインで増幅してＩｐ電流源５を調整する。基本的な構成は先の図１と同様であり、その動作も、図２と同様である。
【００８９】
図５は、図４に示した光ディスク駆動装置について、参考例４によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様であり、図４の符号位置に対応している。
【００９０】
この図４の装置でも、Ｐｒサンプルタイミング回路１６は、適宜、読み出しレベル（Ｐｒ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｒを発生している。
【００９１】
例えば図５のＳｒに示すように、期間ｃに、サンプル信号Ｓｒを「Ｈ」レベルで発生する。
【００９２】
この図５のＳｒにおいて、Ｓｒの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｃ）中、Ｉｅスイッチ制御回路１８とＩｐスイッチ制御回路１７は、いずれも、記録情報Ｄｉのレベルに関係なく、Ｉｅスイッチ８とＩｐスイッチ４をオフにする。
【００９３】
そのため、この期間ｃは、レーザダイオード１には電流Ｉｒのみが印加されるので、図５のＰに示すように、レーザパワーはＰｒ（読み出しレベル）で、非パルス状となる。
【００９４】
このような動作によって、この期間ｃ中は、先の期間ａと異なり、光量検出電圧Ｖｄは、Ｐｒに比例した値になる。
【００９５】
Ｓｒサンプルホールド回路１４は、この図５のＳｒに示すサンプル信号Ｓｒの発生期間（期間ｃ）に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。
【００９６】
したがって、このＳｒサンプルホールド回路１４の出力には、常に読み出しレベル（Ｐｒ）に比例した検出電圧が得られる。
【００９７】
Ｓｒ調整回路１３は、このＳｒサンプルホールド回路１４から出力される検出電圧に基いて、レーザパワーを、読み出しレベル（Ｐｒ）の最適な値となるように、Ｉｒ電流源１２を調整する。
【００９８】
以上が、レーザパワーの読み出しレベル（Ｐｒ）の調整動作であり、先の図１と図２の場合と同様である。
【００９９】
すでに述べたように、この参考例４では、新たに付加された増幅回路２１が、Ｉｅ調整回路１０の出力を一定ゲインで増幅してＩｐ電流源５を調整する。
【０１００】
そのため、Ｉｐ電流源５からの電流Ｉｐの値と、Ｉｅ電流源９からの電流Ｉｅの値とが、常に一定の比率に調整される。
【０１０１】
詳しくいえば、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐと、結晶化レベル（Ｐｅ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｅとの値は、常に一定の比率に調整される。
【０１０２】
ここで、レーザダイオード１の電流Ｉ（図５のＩ）と、レーザパワーＰ（図５のＰ）との関係を説明する。
【０１０３】
図６は、図４に示した光ディスク駆動装置について、参考例４によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。図の横軸はレーザダイオード１の電流Ｉ、縦軸はレーザパワーＰであり、ＡとＢはそれぞれ異なる特性曲線、Ｉth１とＩth２は電流のしきい値を示す。
【０１０４】
この図６に示すように、レーザダイオード１の電流ＩとパワーＰの特性は、周囲温度等の影響によって、特性曲線ＡやＢのように変化する。
【０１０５】
しかし、しきい値電流Ｉth１，Ｉth２以上では、ほぼ直線的な特性である。
【０１０６】
そのため、特性曲線の傾きが変化しても、読み出しレベル（Ｐｒ）の駆動電流Ｉｒと、結晶化レベル（Ｐｅ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｅとが、それぞれ一定のレベルＰｒ，Ｐｅが得られるように調整されており、かつ、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐが、結晶化レベル（Ｐｅ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｅに対して一定の比率に調整されていれば、図４のＩｐスイッチ４がオンになり、レーザダイオード１に電流Ｉｒ＋Ｉｐが印加された場合には、一定のレーザパワーＰｐ（非晶質化レベル）が得られる。
【０１０７】
すなわち、電流ＩｐとＩｅとの比率を、最適なレーザパワーＰｐ（非晶質化レベル）とＰｅ（結晶化レベル）とが得られるような値に予め設定しておけば、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐを安定化するだけで、他方の重畳電流Ｉｅも安定化されることになる。
【０１０８】
以上のように、この参考例４では、読み出しレベル（Ｐｒ）と結晶化レベル（Ｐｅ）とを検出して、駆動電流Ｉｒと重畳電流Ｉｅとをそれぞれ最適値に調整することにより、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐは、予め設定された重畳電流Ｉｅとの比率（ＩｅとＩｐとの比率）から、自動的に最適な値に設定されるので、非晶質化レベル（Ｐｐ）も最適値になる。
【０１０９】
また、逆に、電流Ｉｅに対して、予め決められた最適な比率で、電流Ｉｐを印加すれば、レーザパワーＰｐ（非晶質化レベル）も最適値に設定される。すなわち、重畳電流Ｉｅの代りに、駆動電流Ｉｒと重畳電流Ｉｐとをそれぞれ最適値に調整するようにしても、予め設定された重畳電流Ｉｐとの比率（ＩｐとＩｅとの比率）から、自動的に最適なパワーレベルに設定することができる。
【０１１０】
先の図４との対応によって、その構成を示すと、次のようになる。
【０１１１】
半導体レーザ等の光源（図４のレーザダイオード１）と、光源の駆動回路（Ｉｐスイッチ４，Ｉｐ電流源５）と、光源の出射光量を検出する出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
光源に第１レベルの電流（Ｉｒ）を印加する電流印加手段（Ｉｒ電流源１２）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第２レベルの電流（Ｉｅ）を重畳する第１電流重畳手段（Ｉｅ電流源９）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第３レベルの電流（Ｉｐ）を重畳する第２電流重畳手段（Ｉｐ電流源５）と、
第２レベルの電流（Ｉｅ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてオン／オフ制御する第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてパルス状にオン／オフ制御する第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）をオフにする第１制御信号（Ｓｒ）を発生する第１タイミング制御手段（Ｐｒサンプルタイミング回路１６）と、
第１制御信号（Ｓｒ）の発生期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第１サンプルホールド手段（Ｓｒサンプルホールド回路１４）と、
第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）がオン期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第２サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）と、
第１サンプルホールド手段（Ｓｒサンプルホールド回路１４）の出力に応じて第１レベルの電流（Ｉｒ）を調整する第１調整手段（Ｓｒ調整回路１３）と、
第２サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）の出力に応じて第２レベルの電流（Ｉｅ）を調整する第２調整手段（Ｉｅ調整回路１０）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）が、第２レベルの電流（Ｉｅ）に比例した値となるように調整する第４調整手段（増幅回路２１）とで構成している。
【０１１２】
この参考例４によれば、先の図１の装置に比べて、Ｓｐ調整回路６やＳｐサンプルホールド回路７、Ｐｐサンプルタイミング回路１５が不要になるので、より安価な装置が実現される。
【０１１３】
次に、本発明の実施の形態１について説明する。実施の形態１は、請求項１の発明に対応している。
【０１１４】
先の参考例４では、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐについては、予め設定された重畳電流Ｉｅとの比率（ＩｅとＩｐとの比率）から、自動的に最適な値に設定されるようにしているので、読み出しレベル（Ｐｒ）と結晶化レベル（Ｐｅ）とを検出して、駆動電流Ｉｒと重畳電流Ｉｅとをそれぞれ最適値に調整することにより、非晶質化レベル（Ｐｐ）も最適値になるようにする場合を説明した。
【０１１５】
この実施の形態１では、予め重畳電流ＩｐとＩｅの比率を、最適な駆動電流Ｉｒの値が得られるような所定値に設定しておき、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ検出して、最適値に調整することにより、自動的に最適な駆動電流Ｉｒの値に設定されて、最適な読み出しレベルＰｒが得られるようにした点に特徴を有している。
【０１１６】
図７は、本発明の光ディスク駆動装置について、その要部構成の実施の形態１の一例を示す機能ブロック図である。図における符号は図４と同様であり、３１は増幅回路、３２は第５の調整回路を示す。
【０１１７】
この図７に示す装置は、先の図１の装置に比べて、Ｓｒ調整回路１３とＳｒサンプルホールド回路１４、Ｐｒサンプルタイミング回路１６が省略され、代りに増幅回路３１と第５の調整回路３２が付加されている。
【０１１８】
図８は、図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態１によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様であり、図７の符号位置に対応している。
【０１１９】
Ｐｐサンプルタイミング回路１５は、図８のＳｐに示すように、適宜、Ｐｐサンプル信号Ｓｐを発生する。例えば、図８のＳｐの期間ｄに、サンプル信号Ｓｐを「Ｈ」レベルで発生する。
【０１２０】
この図８のＳｐにおいて、Ｓｐの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｄ）中、Ｉｐスイッチ制御回路１７は、記録情報Ｄｉのレベルに関係なく、Ｉｐスイッチ４を非パルス状にオンにする。
【０１２１】
そのため、この期間ｄは、レーザダイオード１には電流Ｉｒ＋Ｉｐが印加されるので、図８のＰに示すように、レーザパワーはＰｐ（非晶質化レベル）で、非パルス状となる。
【０１２２】
このような動作によって、この期間ｄ中も、先の期間ａと異なり、光量検出電圧Ｖｄは、非晶質化レベル（Ｐｐ）に比例した値になる。
【０１２３】
Ｓｐサンプルホールド回路７は、この図８のＳｐに示すサンプル信号Ｓｐの発生期間（期間ｄ）に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングするので、このＳｐサンプルホールド回路７の出力には、常に非晶質化レベル（Ｐｐ）に比例した検出電圧が得られる。
【０１２４】
Ｓｐ調整回路６は、このＳｐサンプルホールド回路７から出力される検出電圧に基いて、レーザパワーを、非晶質化レベル（Ｐｐ）の最適な値となるように、Ｉｐ電流源５を調整する。
【０１２５】
すでに述べたように、この実施の形態１では、新たに付加された増幅回路３１と第５の調整回路３２とが、Ｓｐ調整回路６とＩｅ調整回路１０の出力によって、重畳電流ＩｐとＩｅの比率が所定の値となるように、Ｉｒ電流源１２を調整する。
【０１２６】
具体的にいえば、所定比率をＫとすれば、Ｋ×Ｉｅ＞Ｉｐの場合には、駆動電流Ｉｒを増加させ、Ｋ×Ｉｅ＜Ｉｐの場合には、駆動電流Ｉｒを減少させるように、Ｉｒ電流源１２を調整する。
【０１２７】
この関係を、次の図９によって説明する。
【０１２８】
図９は、図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態１によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図で、(1) はＫ×Ｉｅ＜Ｉｐの場合、(2) はＫ×Ｉｅ＝Ｉｐの場合、(3) はＫ×Ｉｅ＞Ｉｐの場合を示す。図の横軸はレーザダイオード１の電流Ｉ、縦軸はレーザパワーＰである。
【０１２９】
この図９(1) 〜(3) には、レーザダイオード１の電流Ｉに対するレーザパワーＰの関係を示しており、重畳電流ＩｅとＩｐ×Ｋの値との大小関係によって、駆動電流Ｉｒによる読み出しレベル（Ｐｒ）に対して、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とが変化する状態を示している。
【０１３０】
なお、先の図８のタイミングチャートにおいて、Ｄｉに示したように、記録情報Ｄｉが「０」で、Ｉｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅが「Ｈ」レベルのとき（図８の期間ａ）に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングして、レーザーパワーＰが結晶化レベル（Ｐｅ）の最適な値となるように、Ｉｅ電流源９を調整し、また、Ｓｐに示したように、適宜、Ｓｐの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｄ）中に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングして、レーザーパワーＰが非晶質化レベル（Ｐｐ）の最適な値となるように、Ｉｐ電流源５を調整している。
【０１３１】
重畳電流ＩｅとＩｐは、いずれも、最適な結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）が得られるような値に調整されているので、図９(1) 〜(3) においては、重畳電流ＩｅとＩｐは同じレベルになっている。
【０１３２】
そして、図９(2) に示すように、Ｋ×Ｉｅ＝Ｉｐの場合に、最適なレーザパワーＰ、すなわち、Ｐｐ（非晶質化レベル）、Ｐｅ（結晶化レベル）、Ｐｒ（読み出しレベル）が得られる。
【０１３３】
一方、図９( 3) のように、Ｋ×Ｉｅ＞Ｉｐの場合には、駆動電流Ｉｒの値が不足しているので、Ｐｒ（読み出しレベル）は最適値より小さい。
【０１３４】
このような場合には、図７の増幅回路３１と第５の調整回路３２とによってＩｒ電流源１２を調整し、駆動電流Ｉｒを増加させるので、各電流値Ｉｅ，Ｉｐ，Ｉｒが最適値にされ、最終的には、図９(2) に示したような最適なレーザパワーＰが得られる。
【０１３５】
他方、図９(1) のように、Ｋ×Ｉｅ＜Ｉｐの場合には、駆動電流Ｉｒの値が過大であるから、Ｐｒ（読み出しレベル）は最適値より大きい。
【０１３６】
このような場合には、逆に、駆動電流Ｉｒを減少させて、各電流値Ｉｅ，Ｉｐ，Ｉｒを最適値にするので、最終的には、同様に、図９(2) に示したような最適なレーザパワーＰが得られる。
【０１３７】
以上のように、この実施の形態１では、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ検出して、最適値に調整する。
【０１３８】
この場合に、重畳電流ＩｐとＩｅの比率を、最適値な駆動電流Ｉｒの値が得られるように、予め所定の値に設定しておく。
【０１３９】
したがって、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ最適値に調整すれば、自動的に最適値な駆動電流Ｉｒの値に設定され、最適値な読み出しレベルＰｒが得られる。
【０１４０】
ここで、先の図７との対応によって、その構成を示すと、次のようになる。
【０１４１】
半導体レーザ等の光源（図７のレーザダイオード１）と、光源の駆動回路（Ｉｐスイッチ４，Ｉｐ電流源５）と、光源の出射光量を検出する出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
光源に第１レベルの電流（Ｉｒ）を印加する電流印加手段（Ｉｒ電流源１２）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第２レベルの電流（Ｉｅ）を重畳する第１電流重畳手段（Ｉｅ電流源９）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第３レベルの電流（Ｉｐ）を重畳する第２電流重畳手段（Ｉｐ電流源５）と、
第２レベルの電流（Ｉｅ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてオン／オフ制御する第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてパルス状にオン／オフ制御する第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を非パルス状にオンにする第１制御信号（Ｓｐ）を発生する第１タイミング制御手段（Ｐｐサンプルタイミング回路１５）と、
第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）がオン期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第１サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）と、
第１制御信号（Ｓｐ）の発生期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第２サンプルホールド手段（Ｓｐサンプルホールド回路７）と、
第１サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）の出力に応じて第２レベルの電流（Ｉｅ）を調整する第１調整手段（Ｉｅ調整回路１０）と、
第２サンプルホールド手段（Ｓｐサンプルホールド回路７）の出力に応じて第３レベルの電流（Ｉｐ）を調整する第２調整手段（Ｓｐ調整回路６）と、
調整された第２レベルの電流（Ｉｅ）と、調整された第３レベルの電流（Ｉｐ）との値に応じて第１レベルの電流（Ｉｒ）を調整する第５調整手段（第５の調整回路３２）とで構成している。
【０１４２】
本発明の実施の形態２について説明する。この実施の形態２は、請求項２の発明に対応しているが、先の請求項１の発明にも関連している。
【０１４３】
先の実施の形態１では、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ検出して、最適値に調整することによって、自動的に最適な読み出しレベルＰｒを設定する場合について説明した。
【０１４４】
ところが、図７に示した光ディスク駆動装置では、図８のタイミングチャートのＳｐに示したように、Ｄｉに（ロ）で示した記録情報Ｄｉの状態（レベル）とは関係なく、適宜、非晶質化レベル（Ｐｐ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｐを発生させている。
【０１４５】
そのため、図８のＳｐの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｄ）中は、記録情報Ｄｉに対応した情報を記録することができず（Ｄｉの（ロ）に示す情報）、光ディスク上に記録可能な情報容量が低下する。
【０１４６】
この実施の形態２では、第２制御信号（Ｓｐ）の発生期間を、記録情報Ｄｉの状態に応じて非晶質マークを形成すべき期間と一致させることによって、第２制御信号（Ｓｐ）を情報の記録中に発生させる点に特徴を有している。
【０１４７】
ハード構成は、先の図７と同様である。
【０１４８】
図１０は、図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態２によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様であり、図７の符号位置に対応している。
【０１４９】
この実施の形態２では、Ｐｐサンプルタイミング回路１５は、記録情報Ｄｉの「１」のレベルの期間（図１０の期間ｄ）に限り、適宜、非晶質化レベル（Ｐｐ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｐを発生する。
【０１５０】
この場合、図１０のＳｐの期間ｄでは、非パルス状に発生されているが、レーザパワーは、非晶質化レベルＰｐとなるので、記録情報Ｄｉに対応して非晶質マークがディスク上に形成される。
【０１５１】
したがって、この図１０の場合には、いずれの期間でも、情報の記録が可能になる。
【０１５２】
すなわち、先の実施の形態１（図８の場合）では、期間ｄには、記録情報Ｄｉに対応した情報の記録が行えなかったが、この実施の形態２（図１０の場合）によれば、いずれの期間でも、情報を記録することが可能になる。
【０１５３】
その結果、レーザパワーの調整時においても、光ディスク上に記録可能な情報容量が低下する、という不都合は生じない。
【０１５４】
【発明の効果】
請求項１の光ディスク駆動装置では、予め重畳電流ＩｐとＩｅの比率を、最適な駆動電流Ｉｒの値が得られるような所定値に設定しておき、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ検出して、最適値に調整することにより、自動的に最適な駆動電流Ｉｒの値に設定されて、最適な読み出しレベルＰｒを得ることができる。なおかつ、安価な装置が得られる。
【０１５５】
請求項２の光ディスク駆動装置では、請求項１の光ディスク駆動装置において、第２制御信号（Ｓｐ）の発生期間を、記録情報（Ｄｉ）の状態に応じて、非晶質マークを形成すべき期間と一致させているので、第２制御信号（Ｓｐ）の発生が情報の記録中になる。したがって、ディスク上に記録可能な情報容量の低下なしに、安価な構成で、情報の信頼性の高い装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光ディスク駆動装置の実施の形態を説明するため、そのレーザパワー制御装置の要部構成の参考例１，２を示す機能ブロック図である。
【図２】図１に示した光ディスク駆動装置について、その動作を説明するタイミングチャートである。
【図３】図１に示した光ディスク駆動装置について、参考例３によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図４】参考例４の一例を示す機能ブロック図である。
【図５】図４に示した光ディスク駆動装置について、参考例４によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図６】図４に示した光ディスク駆動装置について、参考例４によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。
【図７】本発明の光ディスク駆動装置の実施の形態１における要部構成を示す機能ブロック図である。
【図８】図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態１によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図９】図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態１によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。
【図１０】図７に示した光ディスク駆動装置について、本発明の実施の形態２によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図１１】相変化型光ディスクにおける記録方法の原理を説明する図である。
【符号の説明】
１ レーザダイオード
２ フォトディテクタ
３ アンプ
４ Ｉｐスイッチ
５ Ｉｐ電流源
６ Ｓｐ調整回路
７ Ｓｐサンプルホールド回路
８ Ｉｅスイッチ
９ Ｉｅ電流源
１０ Ｉｅ調整回路
１１ Ｉｅサンプルホールド回路
１２ Ｉｒ電流源
１３ Ｓｒ調整回路
１４ Ｓｒサンプルホールド回路
１５ Ｐｐサンプルタイミング回路
１６ Ｐｒサンプルタイミング回路
１７ Ｉｐスイッチ制御回路
１８ Ｉｅスイッチ制御回路
【発明の属する技術分野】
この発明は、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置に係り、特に、光源のレーザダイオード（半導体レーザ）の発光パワーを制御するレーザパワー制御装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
相変化型光ディスクは、高密度記録が可能なディスクであり、情報の記録方法についても、各種の方式が提案されている。
【０００３】
例えば、ディスク上に非晶質化マークを形成するために、レーザビームを短い単一または複数のパルスで照射したり（特開昭６３−２６６６３２号公報）、結晶化するために高い周波数のパルス列でレーザビームを照射する（特開平１−１１９９２１号公報）などの記録方法が知られている。
【０００４】
ここで、相変化型光ディスクにおける記録方法について、簡単に説明する。
【０００５】
図１１は、相変化型光ディスクにおける記録方法の原理を説明する図で、(1)は記録情報とレーザパワーとの関係、(2) は記録情報に対応するトラック上の記録状態を示す。図において、Ｐｐは非晶質化レベル、Ｐｅは結晶化レベル、Ｐｒは読み出しレベルを示す。
【０００６】
相変化型光ディスクの場合、情報の記録に際しては、ディスクのトラック上にレーザスポットを照射して、レーザパワーを記録情報に応じて変化させることにより、ディスクの記録膜上に結晶化領域と非晶質化したマークを形成することによって行われる。
【０００７】
この状態を、図１１(1) に示しており、記録情報の「０」のレベルに対応して、レーザパワーを結晶化レベル（Ｐｅ）とすることにより、記録膜が結晶化されて、結晶化領域が形成される。
【０００８】
これに対して、記録情報の「１」のレベルに対応して、レーザパワーを非晶質化レベル（Ｐｐ）と読み出しレベル（Ｐｒ）との間で、パルス状に変化させることにより、記録膜が非晶質化されて、非晶質化マークが形成される。
【０００９】
このような記録動作によって、図１１(2) に示したように、トラック上に記録情報の「１」のレベルに対応する非晶質化マークが形成される。ここで、３つのレベルの関係は、Ｐｐ（非晶質化レベル）＞Ｐｅ（結晶化レベル）＞Ｐｒ（読み出しレベル）である。
【００１０】
このようにして、相変化型光ディスクには、記録情報の「０」のレベルに対応する結晶化領域と、記録情報の「１」のレベルに対応する非晶質化マークとが形成される。そのため、レーザパワーとしては、記録情報の「０」のレベルに対応する（中間の）結晶化レベル（Ｐｅ）と、記録情報の「１」のレベルを形成するための（最高の）非晶質化レベル（Ｐｐ）と、（最低の）読み出しレベル（Ｐｒ）、の計３つのレベルで制御する必要がある。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
相変化型光ディスクのように、レーザスポットを高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録あるいは消去、初期化を行う光ディスク駆動装置においては、レーザパワーの変化も高周波である。
【００１２】
そのため、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用すると、正確な出射光量を検出することが困難になる。
【００１３】
このように不正確に検出された出射光量に基いて出射光量を調整しても、正確な調整は難かしいので、安定化させることも困難である。
【００１４】
その結果、情報の記録、消去、初期化等の処理が不完全なものになる、というケースが生じる。
【００１５】
本発明は、安価で簡単な構成によって、レーザダイオードの出射光量を安定化させることにより、情報の信頼性の高い光ディスク駆動装置を得ることを課題にしている。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
請求項１の光ディスク駆動装置では、半導体レーザ等の光源と、前記光源の駆動回路と、前記光源の出射光量を検出する出射光量検出手段とを備え、前記光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、レーザパワー制御装置として、前記光源に第１レベルの電流を印加する電流印加手段と、前記第１レベルの電流に第２レベルの電流を重畳する第１電流重畳手段と、前記第１レベルの電流に第３レベルの電流を重畳する第２電流重畳手段と、前記第２レベルの電流を、記録情報に応じてオン／オフ制御する第１スイッチ手段と、前記第３レベルの電流を、記録情報に応じてパルス状にオン／オフ制御する第２スイッチ手段と、前記第３レベルの電流を非パルス状にオンにする第１制御信号を発生する第１タイミング制御手段と、前記第１スイッチ手段がオン期間中における前記出射光量検出手段の出力を保持する第１サンプルホールド手段と、前記第１制御信号の発生期間中における前記出射光量検出手段の出力を保持する第２サンプルホールド手段と、前記第１サンプルホールド手段の出力に応じて前記第２レベルの電流を調整する第１調整手段と、前記第２サンプルホールド手段の出力に応じて前記第３レベルの電流を調整する第２調整手段と、調整された前記第２レベルの電流と、調整された前記第３レベルの電流との値に応じて前記第１レベルの電流を調整する減算器とを備えている。
【００１７】
請求項２の光ディスク駆動装置では、請求項１の光ディスク駆動装置において、第１制御信号の発生期間を、記録情報の状態に応じた期間内としている。
【００１８】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明の光ディスク駆動装置について、そのレーザパワー制御装置の要部構成の実施の形態を説明するための参考例１を示す機能ブロック図である。
【００１９】
図１において、１はレーザダイオード、２はフォトディテクタ、３はアンプ、４はＩｐスイッチ、５はＩｐ電流源、６はＳｐ調整回路、７はＳｐサンプルホールド回路、８はＩｅスイッチ、９はＩｅ電流源、１０はＩｅ調整回路、１１はＩｅサンプルホールド回路、１２はＩｒ電流源、１３はＳｒ調整回路、１４はＳｒサンプルホールド回路、１５はＰｐサンプルタイミング回路、１６はＰｒサンプルタイミング回路、１７はＩｐスイッチ制御回路、１８はＩｅスイッチ制御回路を示し、Ｉｒは読み出しレベル（Ｐｒ）の駆動電流、Ｉｅは結晶化レベル（Ｐｅ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流、Ｉｅ′は電流Ｉｅがスイッチングされた電流、Ｉｐは非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流、Ｉｐ′は電流Ｉｐがスイッチングされた電流、Ｓｐは非晶質化レベル（Ｐｐ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号、Ｓｒは読み出しレベル（Ｐｒ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号、Ｄｉは記録情報、ＤｐはＩｐスイッチ４のオン／オフ信号、ＤｅはＩｅスイッチ８のオン／オフ信号、Ｖｄはアンプ３の出射光量検出電圧を示す。
【００２０】
レーザダイオード１の出射光は、レンズにより集光されてディスク上に照射されるが、この出射光の一部は、フォトディテクタ２にも照射され、その出力がアンプ３により増幅されて、出射光量の検出に用いられる。
【００２１】
このレーザダイオード１には、３つの電流源（Ｉｐ電流源５，Ｉｅ電流源９，Ｉｒ電流源１２）からの電流が印加されるが、その内の２つの電流源（Ｉｐ電流源５，Ｉｅ電流源９）からの電流は、Ｉｐスイッチ４とＩｅスイッチ８によってオン／オフされる。
【００２２】
まず、Ｉｒ電流源１２は、レーザダイオード１に対して、レーザパワーを読み出しレベルＰｒにするために必要な電流Ｉｒを印加する（最低のレベル）。
【００２３】
一方、結晶化レベルＰｅの駆動時には、Ｉｅ電流源９からの電流Ｉｅが、Ｉｅスイッチ８によってオン／オフ制御された電流Ｉｅ′として、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに重畳される形でレーザダイオード１に印加される。
【００２４】
すなわち、Ｉｅスイッチ８の動作時には、レーザパワーを結晶化レベルＰｅとするために必要な電流Ｉｒ＋Ｉｅ′が、レーザダイオード１に印加される（中間のレベル）。
【００２５】
また、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、Ｉｐ電流源５からの電流が、Ｉｐスイッチ４によってオン／オフ制御されたスイッチング電流Ｉｐ′として、読み出しレベルＰｒの電流Ｉｒに重畳される形でレーザダイオード１に印加される。すなわち、Ｉｐスイッチ４のオン時には、レーザパワーを非晶質化レベルＰｐとするために必要な電流Ｉｒ＋Ｉｐ′が、レーザダイオード１に印加される（最高のレベル）。
【００２６】
図２は、図１に示した光ディスク駆動装置について、その動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図１の符号位置に対応しており、Ｉは実際にレーザダイオード１に印加される電流、Ｐは電流Ｉによるレーザパワー、ａは記録情報Ｄｉの「０」のレベルの期間、ｂは記録情報Ｄｉの「１」のレベルの期間、ｃは読み出しレベルＰｒ時のサンプル信号Ｓｒの発生期間、ｄは非晶質化レベルＰｐ時のサンプル信号Ｓｐの発生期間、（イ）と（ロ）は記録情報Ｄｉが記録されない信号を示す。
【００２７】
この図２に示したＩｒは、レーザパワーを読み出しレベルＰｒにするために必要な電流Ｉｒで、一定レベルの電流である。
【００２８】
結晶化レベルＰｅの駆動時には、Ｉｅ′に示すように、Ｉｅ電流源９からの電流ＩｅがＩｅスイッチ８によりオン／オフされて、スイッチング電流Ｉｅ′が発生される。
【００２９】
このような結晶化レベルＰｅ時のスイッチング動作を行うために、図１のＩｅスイッチ制御回路１８は、情報記録時に、記録情報Ｄｉのレベルに応じてＩｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅを出力する。
【００３０】
このＩｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅは、記録情報Ｄｉが「０」のとき（図２の期間ａ）は、「Ｈ」レベルとなるので、Ｉｅスイッチ８がオンになり、レーザダイオード１には電流Ｉｒ＋Ｉｅが印加される。
【００３１】
他方、記録情報Ｄｉが「１」のとき（図２の期間ｂ）は、Ｉｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅが「Ｌ」レベルになるので、Ｉｅスイッチ８はオフになる。
【００３２】
そのため、レーザダイオード１には、図２にＩで示したように、電流Ｉｒ＋Ｉｅが印加されることになる。その結果、図２にＰで示したように、記録情報Ｄｉが「０」の期間ａには、結晶化レベル（Ｐｅ）のレーザパワーが得られる。
【００３３】
したがって、この期間ａには、先の図１１(2) で説明したように、記録膜が結晶化されて結晶化領域が形成される。
【００３４】
これに対して、非晶質化レベルＰｐの駆動時には、図２のＩｐ′に示したように、Ｉｐ電流源５からの電流がＩｐスイッチ４によりオン／オフされて、スイッチング電流Ｉｐ′が発生される。
【００３５】
この非晶質化レベルＰｐ時のスイッチング動作を行うために、Ｉｐスイッチ制御回路１７は、情報記録時に、記録情報Ｄｉのレベルに応じてＩｐスイッチ４のオン／オフ信号Ｄｐを出力する。
【００３６】
このＩｐスイッチ４のオン／オフ信号Ｄｐは、記録情報Ｄｉが「０」のとき（図２の期間ａ）には、「Ｌ」レベルとなり、Ｉｐスイッチ４はオフになる。
【００３７】
他方、記録情報Ｄｉが「１」のとき（図２の期間ｂ）には、Ｉｐスイッチ４のオン／オフ信号Ｄｐはパルス状に変化する。
【００３８】
そのため、Ｉｐスイッチ４は、パルス状にオン／オフされることになり、この期間ｂには、レーザダイオード１に、図２にＩで示したように、電流Ｉｒと電流Ｉｒ＋Ｉｐとの間のレベルで変化するパルス状の電流が印加される。したがって、この期間ｂには、先の図１１(2) で説明したように、記録情報Ｄｉの「１」に対応する非晶質化マークが形成される。
【００３９】
以上のように、記録情報Ｄｉの「０」レベルに対応して、レーザパワーは結晶化レベル（Ｐｅ）となり、また、記録情報Ｄｉの「１」レベルに対応して、レーザパワーは非晶質化レベル（Ｐｐ）と読み出しレベル（Ｐｒ）との間でパルス状に変化する。
【００４０】
そして、レーザダイオード１の出射光の一部が、フォトディテクタ２により検出され、その出力がアンプ３によって増幅されるので、アンプ３の出射光量検出電圧Ｖｄは、レーザパワーに比例した値となる。
【００４１】
ところが、フォトディテクタ２とアンプ３の応答帯域が限られているときは、図２のＤｉに示した期間ｂに対応するパルス状発光部では、正確な光量検出ができない。
【００４２】
この状態の波形は、図２のＶｄに示したように、小さな波状の変化を繰り返えしている。
【００４３】
これに対して、図２のＤｉに示した期間ａでは、レーザパワーは結晶化レベル（Ｐｅ）で非パルス状であるから、出射光量検出電圧Ｖｄは、図２のＶｄに示したように、結晶化レベルＰｅに比例した値になる。
【００４４】
そこで、このレーザパワーが安定したレベル（図２の期間ａ）のとき、出射光量検出電圧Ｖｄを取り込んで、レーザパワーの制御を行う。
【００４５】
図１の装置では、Ｉｅサンプルホールド回路１１は、記録情報Ｄｉが「０」で、Ｉｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅが「Ｈ」レベルのとき（図２の期間ａ）に、出射光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。
【００４６】
そのため、このＩｅサンプルホールド回路１１の出力には、常に結晶化レベル（Ｐｅ）に比例した検出電圧が得られる。
【００４７】
Ｉｅ調整回路１０は、この検出電圧に基いて、レーザパワーＰを、結晶化レベル（Ｐｅ）の最適な値となるように、Ｉｅ電流源９を調整する。
【００４８】
以上が、レーザパワーの結晶化レベル（Ｐｅ）の調整動作である。この参考例１では、このように、レーザパワーが安定した、非パルス状の結晶化レベル（Ｐｅ）において、光源の光量を調整する。
【００４９】
参考例１では、半導体レーザ等の光源（図１のレーザダイオード１）と、光源の駆動回路（Ｉｐスイッチ４，Ｉｐ電流源５）と、光源の出射光量を検出する出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、レーザパワー制御装置として、光源を適宜、非パルス状に駆動する期間を設定する期間設定手段（Ｐｒサンプルタイミング回路１６，Ｉｅスイッチ制御回路１８）と、設定された期間中に出射光量検出手段によって検出される出射光量に基いて光源の光量を調整する光量調整手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１，Ｉｅ調整回路１０）とを備えている。
【００５０】
以上のように、この参考例１では、光源が非パルス状に駆動される期間内に、出射光量の検出を行うので、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用しても、出射光量の正確な検出が可能になる。
【００５１】
そして、この検出された出射光量に基いて出射光量を最適値に調整すれば、光源が安定化される。しかも、簡単な構成であるから、低コストの手段によって、情報の信頼性の高い装置が得られる。
【００５２】
参考例２について説明する。先の参考例１では、レーザパワーの結晶化レベル（Ｐｅ）を安定化する場合を説明した。この参考例２では、さらに、非晶質化レベル（Ｐｐ）と読み出しレベル（Ｐｒ）の安定化を可能にした点に特徴を有している。ハード構成は、先の図１と同様である。また、その動作も、図２のタイミングチャートと同じである。
【００５３】
先の図１との対応によって、その構成を示すと、次のようになる。
【００５４】
半導体レーザ等の光源（図１のレーザダイオード１）と、光源の駆動回路（Ｉｐスイッチ４，Ｉｐ電流源５）と、光源の出射光量を検出する出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
光源に第１レベルの電流（Ｉｒ）を印加する電流印加手段（Ｉｒ電流源１２）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第２レベルの電流（Ｉｅ）を重畳する第１電流重畳手段（Ｉｅ電流源９）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第３レベルの電流（Ｉｐ）を重畳する第２電流重畳手段（Ｉｐ電流源５）と、
第２レベルの電流（Ｉｅ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてオン／オフ制御する第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてパルス状にオン／オフ制御する第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）をオフにする第１制御信号（Ｓｒ）を発生する第１タイミング制御手段（Ｐｒサンプルタイミング回路１６）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を非パルス状にオンにする第２制御信号（Ｓｐ）を発生する第２タイミング制御手段（Ｐｐサンプルタイミング回路１５）と、
第１制御信号（Ｓｒ）の発生期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第１サンプルホールド手段（Ｓｒサンプルホールド回路１４）と、
第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）がオン期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第２サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）と、
第２制御信号（Ｓｐ）の発生期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第３サンプルホールド手段（Ｓｐサンプルホールド回路７）と、
第１サンプルホールド手段（Ｓｒサンプルホールド回路１４）の出力に応じて第１レベルの電流（Ｉｒ）を調整する第１調整手段（Ｓｒ調整回路１３）と、
第２サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）の出力に応じて第２レベルの電流（Ｉｅ）を調整する第２調整手段（Ｉｅ調整回路１０）と、
第３サンプルホールド手段（Ｓｐサンプルホールド回路７）の出力に応じて第３レベルの電流（Ｉｐ）を調整する第３調整手段（Ｓｐ調整回路６）とで構成している。
【００５５】
先の参考例１では、図１のＩｅサンプルホールド回路１１が、図２のＤｉに示した期間ａ、すなわち、記録情報Ｄｉが「０」で、Ｉｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅが「Ｈ」レベルのときに、出射光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする場合を説明した。
【００５６】
この場合には、Ｉｅサンプルホールド回路１１の出力には、常に結晶化レベル（Ｐｅ）に比例した検出電圧が得られる。Ｉｅ調整回路１０は、この検出電圧（Ｖｄ）に基いて、レーザパワーＰを、結晶化レベル（Ｐｅ）の最適な値となるように、Ｉｅ電流源９を調整する。
【００５７】
したがって、結晶化レベル（Ｐｅ）については、最適値に調整することができるので、安定化が可能になる。しかし、非晶質化レベル（Ｐｐ）や読み出しレベル（Ｐｒ）については、調整することができない。この参考例２では、非晶質化レベル（Ｐｐ）や読み出しレベル（Ｐｒ）についても、最適値に調整する。
【００５８】
図１において、Ｐｒサンプルタイミング回路１６は、適宜、読み出しレベル（Ｐｒ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｒを発生する。
【００５９】
例えば図２のＳｒに示すように、期間ｃに、サンプル信号Ｓｒを「Ｈ」レベルで発生する。この図２のＳｒにおいて、Ｓｒの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｃ）中、Ｉｅスイッチ制御回路１８とＩｐスイッチ制御回路１７は、いずれも、記録情報Ｄｉのレベルに関係なく、Ｉｅスイッチ８とＩｐスイッチ４をオフにする。
【００６０】
そのため、この期間ｃは、レーザダイオード１には電流Ｉｒのみが印加されることになり、図２のＰに示すように、レーザパワーはＰｒ（読み出しレベル）で、非パルス状となる。
【００６１】
このような動作によって、この期間ｃ中は、先の期間ａと異なり、出射光量検出電圧Ｖｄは、Ｐｒに比例した値になる。
【００６２】
Ｓｒサンプルホールド回路１４は、この図２のＳｒに示すサンプル信号Ｓｒの発生期間（期間ｃ）に、出射光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。したがって、このＳｒサンプルホールド回路１４の出力には、常に読み出しレベル（Ｐｒ）に比例した検出電圧が得られる。
【００６３】
Ｓｒ調整回路１３は、このＳｒサンプルホールド回路１４から出力される検出電圧に基いて、レーザパワーを、読み出しレベル（Ｐｒ）の最適な値となるように、Ｉｒ電流源１２を調整する。
【００６４】
以上が、レーザパワーの読み出しレベル（Ｐｒ）の調整動作である。
【００６５】
次に、レーザパワーの非晶質化レベル（Ｐｐ）の調整について説明する。
【００６６】
Ｐｐサンプルタイミング回路１５は、図２のＳｐに示すように、適宜、Ｐｐサンプル信号Ｓｐを発生する。例えば、図２のＳｐの期間ｄに、サンプル信号Ｓｐを「Ｈ」レベルで発生する。
【００６７】
この図２のＳｐにおいて、Ｓｐの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｄ）中、Ｉｐスイッチ制御回路１７は、記録情報Ｄｉのレベルに関係なく、Ｉｐスイッチ４をオフにする。
【００６８】
そのため、この期間ｄは、レーザダイオード１には電流Ｉｒ＋Ｉｐが印加されることになり、図２のＰに示すように、レーザパワーはＰｐ（非晶質化レベル）で、非パルス状となる。
【００６９】
このような動作によって、この期間ｄ中も、先の期間ａと異なり、光量検出電圧Ｖｄは、非晶質化レベル（Ｐｐ）に比例した値になる。
【００７０】
Ｓｐサンプルホールド回路７は、この図２のＳｐに示すサンプル信号Ｓｐの発生期間（期間ｄ）に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングするので、このＳｐサンプルホールド回路７の出力には、常に非晶質化レベル（Ｐｐ）に比例した検出電圧が得られる。
【００７１】
Ｓｐ調整回路６は、このＳｐサンプルホールド回路７から出力される検出電圧に基いて、レーザパワーを、非晶質化レベル（Ｐｐ）の最適な値となるように、Ｉｐ電流源５を調整する。
【００７２】
このような構成によって、結晶化レベル（Ｐｅ）だけでなく、レーザパワーの非晶質化レベル（Ｐｐ）や読み出しレベル（Ｐｒ）の安定化も可能になる。
【００７３】
そして、参考例１と同様に、検出帯域の限られた出射光量検出器を使用しても、出射光量の正確な検出が可能になり、検出された出射光量に基いて出射光量を最適値に調整すれば、光源が安定化される。
【００７４】
参考例３について説明する。参考例２で説明した装置では、記録情報Ｄｉの状態（レベル）とは関係なく、レーザパワーは、第１制御信号（Ｓｒ）の発生中は読み出しレベル（Ｐｒ）に、第２制御信号（Ｓｐ）の発生中は非パルス状に非晶質化レベル（Ｐｐ）となる。
【００７５】
そのため、第１または第２制御信号（ＳｒまたはＳｐ）の発生中は、情報の記録ができなくなり、光ディスク上に記録可能な情報容量が低下する。
【００７６】
この参考例３では、第２制御信号（Ｓｐ）の発生期間を、記録情報Ｄｉの状態に応じて非晶質マークを形成すべき期間と一致させることによって、第２制御信号（Ｓｐ）を情報の記録中に発生させる点に特徴を有している。
【００７７】
ハード構成は、先の図１と同様である。
【００７８】
図３は、図１に示した光ディスク駆動装置について、参考例３によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様である。
【００７９】
この図３に示すように、Ｐｐサンプルタイミング回路１５は、記録情報Ｄｉの「１」のレベルの期間（図３の期間ｄ）に限り、適宜、非晶質化レベル（Ｐｐ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｐを発生する。
【００８０】
この場合、図３のＳｐの期間ｄでは、非パルス状に発生されているが、レーザパワーは、非晶質化レベルＰｐとなるので、記録情報Ｄｉに対応して非晶質マークがディスク上に形成される。
【００８１】
したがって、この図３の場合には、期間ｃでは、情報（（イ）の信号）を記録することができないが、期間ｄでは、情報の記録が可能になる。
【００８２】
すなわち、先の参考例２（図２の場合）では、期間ｃとｄには、記録情報Ｄｉに対応した情報（（イ）と（ロ）の信号）の記録が行えなかったが、この参考例３（図３の場合）によれば、情報（（イ）の信号）を記録することができないのは、期間ｃのみになる。
【００８３】
したがって、第１制御信号（Ｓｒ）の発生中のみが、情報の記録ができない部分となり、光ディスク上に記録可能な情報容量の低下を減少させることが可能になる。
【００８４】
参考例４について説明する。先の参考例２では、出射光量の検出は、非晶質化レベル（Ｐｐ）、結晶化レベル（Ｐｅ）、読み出しレベル（Ｐｒ）の各レベルごとに行っている。
【００８５】
この参考例４では、重畳電流ＩｐとＩｅとの比率を、最適なレーザパワーＰｐ（非晶質化レベル）とＰｅ（結晶化レベル）とが得られるような値に予め設定しておき、一方のレーザパワー、例えば、Ｐｅ（結晶化レベル）での出射光量を検出して、最適な値に設定することにより、他方のＰｐ（非晶質化レベル）を最適な値に設定する重畳電流Ｉｐも安定化させる点に特徴を有している。
【００８６】
図４は、参考例４の機能ブロック図である。図における符号は図１と同様であり、２１は増幅回路を示す。
【００８７】
この図４に示す装置は、先の図１の装置に比べて、Ｓｐ調整回路６とＳｐサンプルホールド回路７、Ｐｐサンプルタイミング回路１５が省略され、代りに増幅回路２１が付加されている。
【００８８】
そして、この増幅回路２１が、Ｉｅ調整回路１０の出力を一定ゲインで増幅してＩｐ電流源５を調整する。基本的な構成は先の図１と同様であり、その動作も、図２と同様である。
【００８９】
図５は、図４に示した光ディスク駆動装置について、参考例４によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様であり、図４の符号位置に対応している。
【００９０】
この図４の装置でも、Ｐｒサンプルタイミング回路１６は、適宜、読み出しレベル（Ｐｒ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｒを発生している。
【００９１】
例えば図５のＳｒに示すように、期間ｃに、サンプル信号Ｓｒを「Ｈ」レベルで発生する。
【００９２】
この図５のＳｒにおいて、Ｓｒの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｃ）中、Ｉｅスイッチ制御回路１８とＩｐスイッチ制御回路１７は、いずれも、記録情報Ｄｉのレベルに関係なく、Ｉｅスイッチ８とＩｐスイッチ４をオフにする。
【００９３】
そのため、この期間ｃは、レーザダイオード１には電流Ｉｒのみが印加されるので、図５のＰに示すように、レーザパワーはＰｒ（読み出しレベル）で、非パルス状となる。
【００９４】
このような動作によって、この期間ｃ中は、先の期間ａと異なり、光量検出電圧Ｖｄは、Ｐｒに比例した値になる。
【００９５】
Ｓｒサンプルホールド回路１４は、この図５のＳｒに示すサンプル信号Ｓｒの発生期間（期間ｃ）に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングする。
【００９６】
したがって、このＳｒサンプルホールド回路１４の出力には、常に読み出しレベル（Ｐｒ）に比例した検出電圧が得られる。
【００９７】
Ｓｒ調整回路１３は、このＳｒサンプルホールド回路１４から出力される検出電圧に基いて、レーザパワーを、読み出しレベル（Ｐｒ）の最適な値となるように、Ｉｒ電流源１２を調整する。
【００９８】
以上が、レーザパワーの読み出しレベル（Ｐｒ）の調整動作であり、先の図１と図２の場合と同様である。
【００９９】
すでに述べたように、この参考例４では、新たに付加された増幅回路２１が、Ｉｅ調整回路１０の出力を一定ゲインで増幅してＩｐ電流源５を調整する。
【０１００】
そのため、Ｉｐ電流源５からの電流Ｉｐの値と、Ｉｅ電流源９からの電流Ｉｅの値とが、常に一定の比率に調整される。
【０１０１】
詳しくいえば、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐと、結晶化レベル（Ｐｅ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｅとの値は、常に一定の比率に調整される。
【０１０２】
ここで、レーザダイオード１の電流Ｉ（図５のＩ）と、レーザパワーＰ（図５のＰ）との関係を説明する。
【０１０３】
図６は、図４に示した光ディスク駆動装置について、参考例４によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。図の横軸はレーザダイオード１の電流Ｉ、縦軸はレーザパワーＰであり、ＡとＢはそれぞれ異なる特性曲線、Ｉth１とＩth２は電流のしきい値を示す。
【０１０４】
この図６に示すように、レーザダイオード１の電流ＩとパワーＰの特性は、周囲温度等の影響によって、特性曲線ＡやＢのように変化する。
【０１０５】
しかし、しきい値電流Ｉth１，Ｉth２以上では、ほぼ直線的な特性である。
【０１０６】
そのため、特性曲線の傾きが変化しても、読み出しレベル（Ｐｒ）の駆動電流Ｉｒと、結晶化レベル（Ｐｅ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｅとが、それぞれ一定のレベルＰｒ，Ｐｅが得られるように調整されており、かつ、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐが、結晶化レベル（Ｐｅ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｅに対して一定の比率に調整されていれば、図４のＩｐスイッチ４がオンになり、レーザダイオード１に電流Ｉｒ＋Ｉｐが印加された場合には、一定のレーザパワーＰｐ（非晶質化レベル）が得られる。
【０１０７】
すなわち、電流ＩｐとＩｅとの比率を、最適なレーザパワーＰｐ（非晶質化レベル）とＰｅ（結晶化レベル）とが得られるような値に予め設定しておけば、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐを安定化するだけで、他方の重畳電流Ｉｅも安定化されることになる。
【０１０８】
以上のように、この参考例４では、読み出しレベル（Ｐｒ）と結晶化レベル（Ｐｅ）とを検出して、駆動電流Ｉｒと重畳電流Ｉｅとをそれぞれ最適値に調整することにより、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐは、予め設定された重畳電流Ｉｅとの比率（ＩｅとＩｐとの比率）から、自動的に最適な値に設定されるので、非晶質化レベル（Ｐｐ）も最適値になる。
【０１０９】
また、逆に、電流Ｉｅに対して、予め決められた最適な比率で、電流Ｉｐを印加すれば、レーザパワーＰｐ（非晶質化レベル）も最適値に設定される。すなわち、重畳電流Ｉｅの代りに、駆動電流Ｉｒと重畳電流Ｉｐとをそれぞれ最適値に調整するようにしても、予め設定された重畳電流Ｉｐとの比率（ＩｐとＩｅとの比率）から、自動的に最適なパワーレベルに設定することができる。
【０１１０】
先の図４との対応によって、その構成を示すと、次のようになる。
【０１１１】
半導体レーザ等の光源（図４のレーザダイオード１）と、光源の駆動回路（Ｉｐスイッチ４，Ｉｐ電流源５）と、光源の出射光量を検出する出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
光源に第１レベルの電流（Ｉｒ）を印加する電流印加手段（Ｉｒ電流源１２）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第２レベルの電流（Ｉｅ）を重畳する第１電流重畳手段（Ｉｅ電流源９）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第３レベルの電流（Ｉｐ）を重畳する第２電流重畳手段（Ｉｐ電流源５）と、
第２レベルの電流（Ｉｅ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてオン／オフ制御する第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてパルス状にオン／オフ制御する第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）をオフにする第１制御信号（Ｓｒ）を発生する第１タイミング制御手段（Ｐｒサンプルタイミング回路１６）と、
第１制御信号（Ｓｒ）の発生期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第１サンプルホールド手段（Ｓｒサンプルホールド回路１４）と、
第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）がオン期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第２サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）と、
第１サンプルホールド手段（Ｓｒサンプルホールド回路１４）の出力に応じて第１レベルの電流（Ｉｒ）を調整する第１調整手段（Ｓｒ調整回路１３）と、
第２サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）の出力に応じて第２レベルの電流（Ｉｅ）を調整する第２調整手段（Ｉｅ調整回路１０）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）が、第２レベルの電流（Ｉｅ）に比例した値となるように調整する第４調整手段（増幅回路２１）とで構成している。
【０１１２】
この参考例４によれば、先の図１の装置に比べて、Ｓｐ調整回路６やＳｐサンプルホールド回路７、Ｐｐサンプルタイミング回路１５が不要になるので、より安価な装置が実現される。
【０１１３】
次に、本発明の実施の形態１について説明する。実施の形態１は、請求項１の発明に対応している。
【０１１４】
先の参考例４では、非晶質化レベル（Ｐｐ）とするために電流Ｉｒに重畳する電流Ｉｐについては、予め設定された重畳電流Ｉｅとの比率（ＩｅとＩｐとの比率）から、自動的に最適な値に設定されるようにしているので、読み出しレベル（Ｐｒ）と結晶化レベル（Ｐｅ）とを検出して、駆動電流Ｉｒと重畳電流Ｉｅとをそれぞれ最適値に調整することにより、非晶質化レベル（Ｐｐ）も最適値になるようにする場合を説明した。
【０１１５】
この実施の形態１では、予め重畳電流ＩｐとＩｅの比率を、最適な駆動電流Ｉｒの値が得られるような所定値に設定しておき、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ検出して、最適値に調整することにより、自動的に最適な駆動電流Ｉｒの値に設定されて、最適な読み出しレベルＰｒが得られるようにした点に特徴を有している。
【０１１６】
図７は、本発明の光ディスク駆動装置について、その要部構成の実施の形態１の一例を示す機能ブロック図である。図における符号は図４と同様であり、３１は増幅回路、３２は第５の調整回路を示す。
【０１１７】
この図７に示す装置は、先の図１の装置に比べて、Ｓｒ調整回路１３とＳｒサンプルホールド回路１４、Ｐｒサンプルタイミング回路１６が省略され、代りに増幅回路３１と第５の調整回路３２が付加されている。
【０１１８】
図８は、図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態１によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様であり、図７の符号位置に対応している。
【０１１９】
Ｐｐサンプルタイミング回路１５は、図８のＳｐに示すように、適宜、Ｐｐサンプル信号Ｓｐを発生する。例えば、図８のＳｐの期間ｄに、サンプル信号Ｓｐを「Ｈ」レベルで発生する。
【０１２０】
この図８のＳｐにおいて、Ｓｐの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｄ）中、Ｉｐスイッチ制御回路１７は、記録情報Ｄｉのレベルに関係なく、Ｉｐスイッチ４を非パルス状にオンにする。
【０１２１】
そのため、この期間ｄは、レーザダイオード１には電流Ｉｒ＋Ｉｐが印加されるので、図８のＰに示すように、レーザパワーはＰｐ（非晶質化レベル）で、非パルス状となる。
【０１２２】
このような動作によって、この期間ｄ中も、先の期間ａと異なり、光量検出電圧Ｖｄは、非晶質化レベル（Ｐｐ）に比例した値になる。
【０１２３】
Ｓｐサンプルホールド回路７は、この図８のＳｐに示すサンプル信号Ｓｐの発生期間（期間ｄ）に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングするので、このＳｐサンプルホールド回路７の出力には、常に非晶質化レベル（Ｐｐ）に比例した検出電圧が得られる。
【０１２４】
Ｓｐ調整回路６は、このＳｐサンプルホールド回路７から出力される検出電圧に基いて、レーザパワーを、非晶質化レベル（Ｐｐ）の最適な値となるように、Ｉｐ電流源５を調整する。
【０１２５】
すでに述べたように、この実施の形態１では、新たに付加された増幅回路３１と第５の調整回路３２とが、Ｓｐ調整回路６とＩｅ調整回路１０の出力によって、重畳電流ＩｐとＩｅの比率が所定の値となるように、Ｉｒ電流源１２を調整する。
【０１２６】
具体的にいえば、所定比率をＫとすれば、Ｋ×Ｉｅ＞Ｉｐの場合には、駆動電流Ｉｒを増加させ、Ｋ×Ｉｅ＜Ｉｐの場合には、駆動電流Ｉｒを減少させるように、Ｉｒ電流源１２を調整する。
【０１２７】
この関係を、次の図９によって説明する。
【０１２８】
図９は、図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態１によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図で、(1) はＫ×Ｉｅ＜Ｉｐの場合、(2) はＫ×Ｉｅ＝Ｉｐの場合、(3) はＫ×Ｉｅ＞Ｉｐの場合を示す。図の横軸はレーザダイオード１の電流Ｉ、縦軸はレーザパワーＰである。
【０１２９】
この図９(1) 〜(3) には、レーザダイオード１の電流Ｉに対するレーザパワーＰの関係を示しており、重畳電流ＩｅとＩｐ×Ｋの値との大小関係によって、駆動電流Ｉｒによる読み出しレベル（Ｐｒ）に対して、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とが変化する状態を示している。
【０１３０】
なお、先の図８のタイミングチャートにおいて、Ｄｉに示したように、記録情報Ｄｉが「０」で、Ｉｅスイッチ８のオン／オフ信号Ｄｅが「Ｈ」レベルのとき（図８の期間ａ）に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングして、レーザーパワーＰが結晶化レベル（Ｐｅ）の最適な値となるように、Ｉｅ電流源９を調整し、また、Ｓｐに示したように、適宜、Ｓｐの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｄ）中に、光量検出電圧Ｖｄをサンプリングして、レーザーパワーＰが非晶質化レベル（Ｐｐ）の最適な値となるように、Ｉｐ電流源５を調整している。
【０１３１】
重畳電流ＩｅとＩｐは、いずれも、最適な結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）が得られるような値に調整されているので、図９(1) 〜(3) においては、重畳電流ＩｅとＩｐは同じレベルになっている。
【０１３２】
そして、図９(2) に示すように、Ｋ×Ｉｅ＝Ｉｐの場合に、最適なレーザパワーＰ、すなわち、Ｐｐ（非晶質化レベル）、Ｐｅ（結晶化レベル）、Ｐｒ（読み出しレベル）が得られる。
【０１３３】
一方、図９( 3) のように、Ｋ×Ｉｅ＞Ｉｐの場合には、駆動電流Ｉｒの値が不足しているので、Ｐｒ（読み出しレベル）は最適値より小さい。
【０１３４】
このような場合には、図７の増幅回路３１と第５の調整回路３２とによってＩｒ電流源１２を調整し、駆動電流Ｉｒを増加させるので、各電流値Ｉｅ，Ｉｐ，Ｉｒが最適値にされ、最終的には、図９(2) に示したような最適なレーザパワーＰが得られる。
【０１３５】
他方、図９(1) のように、Ｋ×Ｉｅ＜Ｉｐの場合には、駆動電流Ｉｒの値が過大であるから、Ｐｒ（読み出しレベル）は最適値より大きい。
【０１３６】
このような場合には、逆に、駆動電流Ｉｒを減少させて、各電流値Ｉｅ，Ｉｐ，Ｉｒを最適値にするので、最終的には、同様に、図９(2) に示したような最適なレーザパワーＰが得られる。
【０１３７】
以上のように、この実施の形態１では、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ検出して、最適値に調整する。
【０１３８】
この場合に、重畳電流ＩｐとＩｅの比率を、最適値な駆動電流Ｉｒの値が得られるように、予め所定の値に設定しておく。
【０１３９】
したがって、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ最適値に調整すれば、自動的に最適値な駆動電流Ｉｒの値に設定され、最適値な読み出しレベルＰｒが得られる。
【０１４０】
ここで、先の図７との対応によって、その構成を示すと、次のようになる。
【０１４１】
半導体レーザ等の光源（図７のレーザダイオード１）と、光源の駆動回路（Ｉｐスイッチ４，Ｉｐ電流源５）と、光源の出射光量を検出する出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）とを備え、光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
光源に第１レベルの電流（Ｉｒ）を印加する電流印加手段（Ｉｒ電流源１２）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第２レベルの電流（Ｉｅ）を重畳する第１電流重畳手段（Ｉｅ電流源９）と、
第１レベルの電流（Ｉｒ）に第３レベルの電流（Ｉｐ）を重畳する第２電流重畳手段（Ｉｐ電流源５）と、
第２レベルの電流（Ｉｅ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてオン／オフ制御する第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を、記録情報（Ｄｉ）に応じてパルス状にオン／オフ制御する第２スイッチ手段（Ｉｐスイッチ４）と、
第３レベルの電流（Ｉｐ）を非パルス状にオンにする第１制御信号（Ｓｐ）を発生する第１タイミング制御手段（Ｐｐサンプルタイミング回路１５）と、
第１スイッチ手段（Ｉｅスイッチ８）がオン期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第１サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）と、
第１制御信号（Ｓｐ）の発生期間中における出射光量検出手段（フォトディテクタ２，アンプ３）の出力（Ｖｄ）を保持する第２サンプルホールド手段（Ｓｐサンプルホールド回路７）と、
第１サンプルホールド手段（Ｉｅサンプルホールド回路１１）の出力に応じて第２レベルの電流（Ｉｅ）を調整する第１調整手段（Ｉｅ調整回路１０）と、
第２サンプルホールド手段（Ｓｐサンプルホールド回路７）の出力に応じて第３レベルの電流（Ｉｐ）を調整する第２調整手段（Ｓｐ調整回路６）と、
調整された第２レベルの電流（Ｉｅ）と、調整された第３レベルの電流（Ｉｐ）との値に応じて第１レベルの電流（Ｉｒ）を調整する第５調整手段（第５の調整回路３２）とで構成している。
【０１４２】
本発明の実施の形態２について説明する。この実施の形態２は、請求項２の発明に対応しているが、先の請求項１の発明にも関連している。
【０１４３】
先の実施の形態１では、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ検出して、最適値に調整することによって、自動的に最適な読み出しレベルＰｒを設定する場合について説明した。
【０１４４】
ところが、図７に示した光ディスク駆動装置では、図８のタイミングチャートのＳｐに示したように、Ｄｉに（ロ）で示した記録情報Ｄｉの状態（レベル）とは関係なく、適宜、非晶質化レベル（Ｐｐ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｐを発生させている。
【０１４５】
そのため、図８のＳｐの発生期間（「Ｈ」レベルの期間ｄ）中は、記録情報Ｄｉに対応した情報を記録することができず（Ｄｉの（ロ）に示す情報）、光ディスク上に記録可能な情報容量が低下する。
【０１４６】
この実施の形態２では、第２制御信号（Ｓｐ）の発生期間を、記録情報Ｄｉの状態に応じて非晶質マークを形成すべき期間と一致させることによって、第２制御信号（Ｓｐ）を情報の記録中に発生させる点に特徴を有している。
【０１４７】
ハード構成は、先の図７と同様である。
【０１４８】
図１０は、図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態２によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。図の各波形に付けられた符号は図２と同様であり、図７の符号位置に対応している。
【０１４９】
この実施の形態２では、Ｐｐサンプルタイミング回路１５は、記録情報Ｄｉの「１」のレベルの期間（図１０の期間ｄ）に限り、適宜、非晶質化レベル（Ｐｐ）時のパルス信号をサンプリングするサンプル信号Ｓｐを発生する。
【０１５０】
この場合、図１０のＳｐの期間ｄでは、非パルス状に発生されているが、レーザパワーは、非晶質化レベルＰｐとなるので、記録情報Ｄｉに対応して非晶質マークがディスク上に形成される。
【０１５１】
したがって、この図１０の場合には、いずれの期間でも、情報の記録が可能になる。
【０１５２】
すなわち、先の実施の形態１（図８の場合）では、期間ｄには、記録情報Ｄｉに対応した情報の記録が行えなかったが、この実施の形態２（図１０の場合）によれば、いずれの期間でも、情報を記録することが可能になる。
【０１５３】
その結果、レーザパワーの調整時においても、光ディスク上に記録可能な情報容量が低下する、という不都合は生じない。
【０１５４】
【発明の効果】
請求項１の光ディスク駆動装置では、予め重畳電流ＩｐとＩｅの比率を、最適な駆動電流Ｉｒの値が得られるような所定値に設定しておき、結晶化レベル（Ｐｅ）と非晶質化レベル（Ｐｐ）とをそれぞれ検出して、最適値に調整することにより、自動的に最適な駆動電流Ｉｒの値に設定されて、最適な読み出しレベルＰｒを得ることができる。なおかつ、安価な装置が得られる。
【０１５５】
請求項２の光ディスク駆動装置では、請求項１の光ディスク駆動装置において、第２制御信号（Ｓｐ）の発生期間を、記録情報（Ｄｉ）の状態に応じて、非晶質マークを形成すべき期間と一致させているので、第２制御信号（Ｓｐ）の発生が情報の記録中になる。したがって、ディスク上に記録可能な情報容量の低下なしに、安価な構成で、情報の信頼性の高い装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の光ディスク駆動装置の実施の形態を説明するため、そのレーザパワー制御装置の要部構成の参考例１，２を示す機能ブロック図である。
【図２】図１に示した光ディスク駆動装置について、その動作を説明するタイミングチャートである。
【図３】図１に示した光ディスク駆動装置について、参考例３によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図４】参考例４の一例を示す機能ブロック図である。
【図５】図４に示した光ディスク駆動装置について、参考例４によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図６】図４に示した光ディスク駆動装置について、参考例４によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。
【図７】本発明の光ディスク駆動装置の実施の形態１における要部構成を示す機能ブロック図である。
【図８】図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態１によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図９】図７に示した光ディスク駆動装置について、実施の形態１によるレーザダイオード１の電流ＩとレーザパワーＰとの関係を示す特性図である。
【図１０】図７に示した光ディスク駆動装置について、本発明の実施の形態２によるレーザの駆動動作を説明するタイミングチャートである。
【図１１】相変化型光ディスクにおける記録方法の原理を説明する図である。
【符号の説明】
１ レーザダイオード
２ フォトディテクタ
３ アンプ
４ Ｉｐスイッチ
５ Ｉｐ電流源
６ Ｓｐ調整回路
７ Ｓｐサンプルホールド回路
８ Ｉｅスイッチ
９ Ｉｅ電流源
１０ Ｉｅ調整回路
１１ Ｉｅサンプルホールド回路
１２ Ｉｒ電流源
１３ Ｓｒ調整回路
１４ Ｓｒサンプルホールド回路
１５ Ｐｐサンプルタイミング回路
１６ Ｐｒサンプルタイミング回路
１７ Ｉｐスイッチ制御回路
１８ Ｉｅスイッチ制御回路
Claims (2)
- 半導体レーザ等の光源と、前記光源の駆動回路と、前記光源の出射光量を検出する出射光量検出手段とを備え、前記光源から出射される光量を記録周波数より高い周波数のパルス列として光ディスク上に照射して情報の記録、消去、初期化を行う光ディスク駆動装置において、
レーザパワー制御装置として、
前記光源に第１レベルの電流を印加する電流印加手段と、
前記第１レベルの電流に第２レベルの電流を重畳する第１電流重畳手段と、
前記第１レベルの電流に第３レベルの電流を重畳する第２電流重畳手段と、
前記第２レベルの電流を、記録情報に応じてオン／オフ制御する第１スイッチ手段と、
前記第３レベルの電流を、記録情報に応じてパルス状にオン／オフ制御する第２スイッチ手段と、
前記第３レベルの電流を非パルス状にオンにする第１制御信号を発生する第１タイミング制御手段と、
前記第１スイッチ手段がオン期間中における前記出射光量検出手段の出力を保持する第１サンプルホールド手段と、
前記第１制御信号の発生期間中における前記出射光量検出手段の出力を保持する第２サンプルホールド手段と、
前記第１サンプルホールド手段の出力に応じて前記第２レベルの電流を調整する第１調整手段と、
前記第２サンプルホールド手段の出力に応じて前記第３レベルの電流を調整する第２調整手段と、
調整された前記第２レベルの電流と、調整された前記第３レベルの電流との値に応じて前記第１レベルの電流を調整する減算器と、
を備えたことを特徴とする光ディスク駆動装置。 - 請求項１の光ディスク駆動装置において、
第１制御信号の発生期間を、記録情報の状態に応じた期間内とすることを特徴とする光ディスク駆動装置。
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