JP3544488B2 - ステンレス極薄箔 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明はエッチング加工用の極薄のステンレス箔に関し、詳しくはエッチングに伴い端面から圧延方向に時として割れを伴うボイド(トンネル状の侵食)が起こりにくいステンレス箔に関する。本発明のステンレス箔が利用できる分野は、機械部品(精密微小バネ、精密振動板、印刷装置の活字、カッティングダイスなど)や電子機器部品(ハードディスクのサスペンジョン、プリント基板、ブラウン管のシャドウマスク、リードフレームなど)などである。
【0002】
【従来の技術】
電子機器用などの金属材料の精密加工においては、エッチング加工が広く工業的に適用されている。特に、ハードディスク用サスペンション、プリント基板、ブラウン管のシャドウマスク、ICリードフレームなどにおいては欠くことのできない製造技術となっている。そして、近年、これら電子機器のさらなる小型・軽量化と長寿命化が指向されており、ステンレス鋼の中でも耐食性に優れる鋼種で厚さ20μm程度の極薄箔の用途が拡大されつつある。
【0003】
ところで、現在、工業規模で実施されているエッチング成型法では、製造効率を上げるため腐食性の高い塩化第二鉄(FeCl3 )を主成分とする水溶液に、金属を溶解させ製品形状を得る手法が一般的である。具体的には、溶解させずに鋼を残す部分にのみ、箔の表裏両面からフォトレジスト膜を形成した後、エッチング液を噴霧し不要な部分を溶解するものである。
【0004】
この工程での技術的要点は、均一な全面溶解を起こし、フォトレジスト膜の輪郭に沿って箔を正確に溶解することである。特に、極薄のステンレス箔において微細な部品を作製する際には、端面からボイドや割れが生じると、細い部分の強度が不足し曲げ加工を加えた際など、機器の使用中に破断するなどの不良が生じることになる。電子機器は高い信頼性が要求されるため、微小なボイドや割れも装置全体の寿命や信頼性を低下させるため極めて有害な欠陥となる。特に、厚さ20μm程度の極薄箔の場合には、長さ数10μm程度の微小なボイドや割れも致命的な欠陥となる。
【0005】
従来からエッチング工程での形状不良は、金属組織の不均一、材料内での成分偏析や非金属介在物などの存在により生じることが指摘されている。特に、非金属介在物はボイドの起点となることが知られており、その低減が製品の寸法精度向上のために有効であることが知られている。特開昭60−92449号公報には、エッチング成型用マルテンサイト系ステンレス鋼として、SとOの含有率(質量)をppm を単位として、(S ppm)<42−0.094(O ppm)の関係を満たすように規制することにより、エッチングにより生じるピット数を30個/ 15mm2 以下に制御する技術が開示されている。これは、可溶性のMnSなどの硫化物は酸化物系介在物を核として析出しやすいため、介在物の溶解脱落を防止するには、Oの量に応じて硫化物系介在物の量を規制する必要があるとするものである。
【0006】
このような硫化物系介在物の低減による形状不良の回避技術は、普通鋼においても知られており、特開昭60−103153号公報には、重量%でSが0. 004%以下である焼き入れ焼き戻し熱処理された炭素鋼が、特開平7−268541号公報には不純物であるSを重量%で0. 002%以下に規定した普通鋼が開示されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、近年 厚さ20μm程度の極薄のステンレス箔においては、たとえSやOを上述した公知例の範囲に規定しても、エッチングにより形成された端面から圧延方向に伸びたボイドや割れを回避することはできないという問題が存在していた。
また、エッチング時に生じる局部侵食も、上記の公知例ではエッチピット、半球、すり鉢などの開口部に比べて深さが浅い窪み状であるが、極薄の箔の場合には、内径2〜5μmで圧延方向に10μm以上の長さを持つトンネル状であり、現象が異なっておりその解決策は知られていなかった。
本発明は、上記の問題を解決するためになされたものであり、エッチング処理時にボイトや割れの発生しにくいステンレス極薄箔に関し、詳しくはエッチングに伴い端面から圧延方向に時として割れを伴うボイド(トンネル状の侵食)が起こりにくいステンレス鋼箔に関する。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明者は、上記の課題を解決すべくステンレス鋼の組成、箔の厚さや非金属介在物の清浄度などについて広範囲な研究を行った結果、軽微な侵食も問題になる極めて薄い箔であっても、鋼の成分や清浄度などを適切に管理することでボイドや割れを回避できることを見い出した。本発明の主旨は、以下の通りである。
【0009】
(1) 厚さ25μm以下のステンレス箔において、最大直径5μm以上の介在物が存在し、かつその平均個数が圧延方向に平行な断面1mm2 当たり3個以下であって、該介在物の最隣接距離が0.3 mm 以上であることを特徴とするエッチング処理時にボイドや割れの発生しにくいエッチング加工性の良好なステンレス極薄箔。
(2) 厚さ25m以下のステンレス箔において、重量%にてNiを5.0%以上30%以下含み、不純物としてのSが0.0030%以下、JIS G 0555に規定されている清浄度が0.005%以下であることを特徴とする前項(1)記載のステンレス極薄箔。
(3) さらに重量%で、Alが0.0030%以下であることを特徴とする前記(2)記載のステンレス極薄箔。
(4) さらに重量%で、Cu:0.15%以上4%以下、Ti:0.05%以上2%以下、Mo:0.3%以上6.5%以下、W:0.3%以上6.5%以下、V:0.3%以上6.5%以下のうち1種以上を含有することを特徴とする前記(2)又は(3)記載のステンレス極薄箔。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下に、本発明の範囲の限定理由について述べる。
箔の板厚は25μm以下に限定される。すなわち、板厚25μm超の場合には、圧下率が相対的に低いため金属組織的や成分が不均一な部分や非金属介在物が濃化した部分が圧延方向に伸ばされたとしても、その長さは短く、しかも局部侵食の開口部の内径も比較的大きくなるため、ボイド(時として割れを伴ったトンネル状の局部侵食)には発達しない。したがって、このような板厚の範囲では、通常の化学組成と清浄度を有するステンレス鋼の冷間圧延鋼板をさらに箔圧延することにより充分使用可能である。逆に、以下に述べるような鋼成分や清浄度などを限定することは、かえって製造コストの増加を招くだけである。ところが、板厚が25μm以下の場合には、圧下率が高い分、金属組織や成分の不均一な領域や介在物の多い領域などが圧延方向に長く伸ばされ、鋼の化学成分や清浄度を特別に管理しないとボイドや割れになりやすい。そこで、本発明における箔の板厚は25μm以下に限定した。
【0011】
介在物は、圧延方向断面1mm2 当たりの最大直径5μm以上の大きさの物の平均個数を3個以下にする必要がある。大型の介在物は、たとえそれ自体がエッチング液に溶解しなくても、介在物周囲に析出しやすいMnSやSが濃化した金属部分や介在物/ 母地界面が優先溶解することで脱落し局部侵食の起点となる。そして、このような大型の介在物の密度(個数/mm2 )が高いと、介在物の脱落に伴う孔が連結してボイド(トンネル状の侵食)になり易くなる。すなわち、大型の介在物であっても単独で存在している際には問題とならないが、ある程度以上の大きさの物が多数存在していると問題となる。そこで、介在物の最大直径は5μm以上、密度は3個/mm2 以下に限定した。
【0012】
この際、介在物の密度(個数/mm2 )は圧延方向断面で規定した。これは圧延金属箔では組織が圧延方向に著しく伸展されているため、ボイドは圧延方向に成長するためである。圧延方向に垂直な断面よりも圧延方向の断面に介在物が多い方が、侵食がよりトンネル状になり易く長さも長くなり有害なためである。
以上の介在物密度の規制に加え介在物の最隣接距離を0.3mm以上にすることで、ボイドを極端に低減させることができる。すなわち、上述したように、ボイドは介在物を起点とした溶解が連続して起こることが主な原因である。したがって、その回避には、介在物間の最隣接距離を大きくすることが有効である。そこで、介在物の最隣接距離を0.3mm以上に限定した。
【0013】
ところで、本発明では上述した介在物の密度(個数/mm2 )や最隣接距離を確保する手段については限定しないが、不活性ガス吹き込みなどによる製錬後の介在物浮上の促進、鋼へのスラグ巻き込みの低減、製錬後鋳造までの時間調節による酸化物系大型介在物の生成抑制などを組み合わせて実施すればよい。
【0014】
Niは、ボイドの発生を抑制する効果がある。Sの低減と共にNiの添加を行うとボイドを回避することが可能となる。しかし、その添加量が少ないと効果が弱いため下限を5.0%とした。一方、Niの効果は、添加量に伴って飽和する傾向が見られる。したがって、過度の添加はコスト上昇に見合う効果を期待できなくなるためNiの上限は35%とした。
【0015】
不純物としてステンレス鋼に含まれるSは、塩化第二鉄や塩酸酸性の塩化第二鉄に溶解しやすいSが濃縮した領域やMnSなどの硫化物系介在物が濃化した箇所を形成し、ボイドを発生させる。このような侵食を回避するためには、Sを0.0030%以下に低減する必要がある。ところで、このようなS濃度の鋼はステンレス鋼の通常の製錬方法でも、時として得られることがあるが、工業的にしかも安定的に高い歩留まりで製造するためには、低Sの原料を用いたりスラグの塩基度を高めたりするなど特別な工夫が必要である。
【0016】
ステンレス鋼の成分を限定しないでボイドなどを防止するには、最大直径5μm以上の大型の介在物の分布状態を厳密に規定する必要があるが、NiやSなど成分を規定する際には、介在物の清浄度を規定するだけで充分である。この際、厚さ25μm以下の箔加工製品に対し、有意に局部侵食を低減するには、非金属介在物の清浄度を0.005%以下にする必要がある。ここで、清浄度とはJIS G 0555に規定されている方法で計測したA系、B系、C系介在物の合計の値d(%)であり、次式により定義されるものである。
d=(n/(p×f))×100
ここで、pは視野内の格子点の総数、fは視野数、nはf個の視野における全介在物によって占められる格子点中心の数である。尚、観察倍率は400倍、視野数は60視野、箔の圧延面に平行な断面での検査結果によるものとする。
【0017】
不純物であるSの低減とNi添加、さらに清浄度向上を行っても、極薄ステンレス箔加工品のボイドや割れを回避できない際には、さらにAlの添加量を規定することが有効である。Alは脱酸元素としてステンレス鋼に添加することがあるばかりか、スクラップ、スラグなどからも混入する。Alはアルミナを主成分とする硬質な酸化物系介在物を形成する。このような硬質な介在物は、箔圧延において板厚が薄くなってきてからはじめて粉砕・小片化されるため、箔の一部分にのみ介在物が濃化した領域が形成されることになり、ボイドの原因になる。ボイドや割れを完全に抑制するためには、Alの添加量を0.0030%以下にする必要がある。
【0018】
CuとTiは、極薄のステンレス箔に添加することで、酸性のエッチング液中でMnSを主成分とする硫化物系介在物の溶解性を低下させ、ボイドや割れを低減する作用がある。
【0019】
また、Mo、W、Vは極薄ステンレス箔の耐食性を向上させエッチング成形部品の耐久性を向上させると共に、エッチング時に端面に発生するボイドや割れを防止する作用がある。このため、必要に応じてCu、Ti、Mo、W、Vのうち1種以上を添加するものとする。しかし、添加量が少ないとその効果が顕著ではなく、一方過度に添加しても、原料および製造コストに見合うだけの性能向上を期待できない。そこで、Cuは0. 15%以上4%以下、Tiは0. 05%以上2%以下、Moは0.3%以上6.5%以下、Wは0.3%以上6.5%以下、Vは0.3%以上6.5%以下に限定した。
【0020】
【実施例】
以下、実施例に基づいて、本発明を詳細に説明する。
[実施例1])
表1に化学組成を示すステンレス鋼を真空炉にて溶解鋳造し、熱間圧延、焼鈍酸洗、冷間圧延、焼鈍酸洗後に、種々の厚さまで箔圧延を実施した。表1には、走査型電子顕微鏡(2000倍、視野数60)で観察した介在物の密度(個数/mm2 )と光学顕微鏡(200倍、視野数)の画像をフルカラータイプの画像処理装置に入力して求めた最大直径5μm以上の介在物の最隣接距離を示した。最隣接距離は、介在物の中心(重心)間距離とした。尚、表1において、番号の右に* 印が付いているものは、本発明の範囲外の比較例である。介在物の分散状態は溶鋼の撹拌を停止してから鋳造するまでの時間および凝固開始温度と鋳込み温度との差を変えることで変化させた。
【0021】
【表1】
【0022】
作製した箔は、図1に示したようにフォトレジストを塗布し露光・現像後に、HClによりpHを0に調整した100g/LのFeCl3 ・6H2 O水溶液(30℃)を噴霧しエッチングを行った。そして、エッチングで形成された圧延方向と垂直な端面A およびB を走査型電子顕微鏡(倍率2000倍)で観察し、ボイドの個数を計測した。ボイドとしては、端面A からB へ貫通しているトンネル状の侵食を計測し、端面の片方にのみ生じているエッチピットや孔食は除外した。計測個数は、1mm2 当たりの個数(密度)として、表1に併せて示した。試験片は各鋼ごとに10枚作製し、エッチングを行い検査した。表1の結果は、それらを総計平均した値である。また、ボイドの密度(個数/mm2 )が0のものを◎、1. 0以下0を超えるのものを○、1. 0を超えるものを×としてエッチング性を判定した結果も併せて示した。
【0023】
番号1〜9は、最大直径5μm以上の介在物の密度(個数/mm2 )の影響を見たものである。図2に整理したように、最大直径5μm以上の介在物個数を低減するとボイドが発生する頻度を減らすことができる。特に、3個/mm2 以下にすることで、ボイドの発生を極端に低減することが可能である。
尚、番号6〜9の比較例は、SとOの含有量の点では、特開昭60−92449号公報に開示されているエッチピットを30個/ 15mm2 に低減可能な(S ppm)<42−0. 094(O ppm)の関係を満足しているにも関わらず、ボイドが高い頻度で発生している。これに対して、介在物個数を低減した本発明の例である番号1〜5では、ボイド発生を抑制することが可能となっている。これは、厚さ25μm以下のステンレス極薄箔では従来知られているSやOの低減ではボイドの発生を回避できないことを示している。番号6a 〜6d は、番号6の板厚を変化させたものである。板厚が25μmを超える場合には、最大直径が5μmを超える介在物の形態が本願の範囲でなくとも、ボイドは生じにくい。しかし、25μm以下ではボイドが生じやすくなることが分かる。
【0024】
番号10〜14は、最大直径5μm以上の介在物の密度(個数/mm2 )が3個以下の範囲において、最大直径5μm以上の介在物の最隣接距離の影響を見たものである。図3に整理したように、最隣接距離が大きくなるほどボイドの発生頻度が低減することが分かる。
【0025】
[実施例2]
表2及び表3に化学組成を示すステンレス鋼を真空炉にて溶解鋳造し、熱間圧延、焼鈍酸洗、冷間圧延、焼鈍酸洗後に、種々の厚さまで箔圧延を実施した。また、JIS G 0555に基づき、観察倍率400倍、視野数60で、箔の圧延面に平行な断面を鏡面研磨した後に検査した清浄度も併せて示した。表において、番号の右に* 印が付いているものは、本発明の範囲外の比較鋼である。作製した箔は、実施例1と同じ手法で、ボイド(トンネル状の侵食)の個数を計測し評価した。
【0026】
【表2】
【0027】
【表3】
【0028】
作製した試験片において、番号1〜10はSの量を変化させたものである。図4に示したように、Sが0.0030%以下になるとボイド(トンネル状の侵食)の個数を大きく低減させることができる。そこで、本発明では、Sを0.0030%以下に規定した。
【0029】
番号11〜18は、Sは0. 0017%程度としNiの添加量を変化させたものである。図5に示したように、Niの添加量が5%以上でボイド個数が著しく低減することが分かる。しかし、このNi効果は12%程度から飽和しており、過度のNi添加は原料や製造コストの上昇に見合った性能向上を期待できず単にコスト上昇のみを招く可能性が高い。そこで、本発明では、Niの添加量は5.0%以上30%以下と規定した。
【0030】
番号19〜23は、清浄度の異なる結果を比較したものである。図6に示したように、清浄度が0.005%以下でボイドの個数が急激に低下することが分かる。
【0031】
次に、番号24〜27と番号28〜31は板厚の影響を調査したものである。番号24〜27は9%程度のNiを含むもののSが本発明の範囲を超えて高い鋼、番号28〜31はSは本発明の範囲であるがNiの量が5.0%未満の場合である。図7に示したように、SあるいはNiの含有量の点で、本発明の範囲外の鋼は板厚が25μm以下になるとボイドが顕著に生じることが分かる。特に、番号28〜31は、特開昭60−92449号公報に開示されている、(S ppm)<42−0. 094(O ppm)の関係を満たしているにも関わらず板厚が薄くなるとボイドが生じている。これに対して、Sを0.0030%以下とし5.0%以上のNiを添加した番号4および番号32〜35は、ボイドが生じにくくなっている。
【0032】
番号36および37は、Alの添加量を低減した鋼である。この例のように、Alを0.0030%以下に低減することによりボイドを皆無にすることが可能であることが分かる。
【0033】
[実施例3]
表4及び表5に化学組成を示すステンレス鋼を真空炉にて溶解鋳造し、通常の方法で熱間圧延、焼鈍酸洗、冷間圧延、焼鈍酸洗後に、種々の厚さまで箔圧延を実施した。作製した箔は、実施例2と同じ方法で評価した。尚、箔の板厚は全て20μmである。
【0034】
【表4】
【0035】
【表5】
【0036】
番号1〜7はCu添加の影響をみたものである。Cuの添加によりボイドの個数が低減する。番号10〜16はTiの添加効果をみたものである。TiにもCuと同様にボイド発生が抑制されることが分かる。番号17と18は、CuとTiを複合添加した例である。同程度のTi添加量である番号13および14と比較して、Cuとの複合添加により侵食の個数が低減することが分かる。また、番号19〜25は、Alを0.0030%以下に制御した上でCuとTiの添加効果を見たものである。Al量を低く抑えて、さらにCuやTiを添加することで、ボイドを皆無とすることが可能である。
【0037】
番号26〜46は、Mo、W、Vの効果をみたものである。番号26〜41はAlが0.0030%を超える場合、番号42〜46はAlが0.0030%以下の例である。いずれの場合も、Moは0.3%以上、Wは0.3%以上、Vも0.3%以上でボイドの個数が0になる。さらに、これら元素を複合添加した場合にも、ボイドが皆無になることが分かる。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、エッチングに伴い端面から圧延方向に時として割れを伴うボイド(トンネル状の局部侵食)が起こりにくい鋼を製造することが可能となり、精度の高いハードディスクのサスペンジョン、プリント基板、ブラウン管のシャドウマスク、リードフレーム、精密微小バネ、精密振動板、印刷装置の活字、カッティングダイスなどの電子および機械部品を安価に供給することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】エッチング用試験片の形状と寸法を示した図。
【図2】ボイド個数に及ぼす最大直径5μm以上の介在物の密度(個数/mm2 )の影響を示した図。
【図3】ボイド個数に及ぼす最大直径5μm以上の介在物の最隣接距離の影響を示した図。
【図4】S含有量とボイド発生数の関係を示した図。
【図5】Ni含有量とボイド発生数の関係を示した図。
【図6】清浄度とボイド発生数の関係を示した図。
【図7】板厚とボイド発生数の関係を示した図。
Claims (4)
- 厚さ25μm以下のステンレス箔において、最大直径5μm以上の介在物が存在し、かつその平均個数が圧延方向に平行な断面1mm2 当たり3個以下であって、該介在物の最隣接距離が0.3 mm 以上であることを特徴とするエッチング処理時にボイドや割れの発生しにくいエッチング加工性の良好なステンレス極薄箔。
- 厚さ25m以下のステンレス箔において、重量%にてNiを5.0%以上30%以下含み、不純物としてのSが0.0030%以下、JIS G 0555に規定されている清浄度が0.005%以下であることを特徴とする請求項1記載のステンレス極薄箔。
- さらに重量%で、Alが0.0030%以下であることを特徴とする請求項2記載のステンレス極薄箔。
- さらに重量%で、Cu:0.15%以上4%以下、Ti:0.05%以上2%以下、Mo:0.3%以上6.5%以下、W:0.3%以上6.5%以下、V:0.3%以上6.5%以下のうち1種以上を含有することを特徴とする請求項2又は3記載のステンレス極薄箔。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP07714699A JP3544488B2 (ja) | 1999-03-23 | 1999-03-23 | ステンレス極薄箔 |
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